JP6468085B2 - 基板、および、その製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、はんだを介して電子素子が搭載され、電子素子とともにモールド樹脂によって被覆される基板、および、その製造方法に関するものである。

特許文献１に示されるように、半導体チップがはんだを介してリードフレームに接合される半導体装置が知られている。このリードフレームには、レーザ照射によって溝部が形成されている。この溝部に溶融状態のはんだを流入させることで、はんだの濡れ広がりが抑制される。

特開２０１４−２０３９４７号公報

上記したように特許文献１に示される半導体装置では、レーザ照射によってはんだの濡れ広がりを抑制する溝部がリードフレームに形成されている。この溝部の少なくとも一部ははんだによって充填される。したがって、例えば半導体チップとリードフレームとをモールド樹脂によって被覆保護する場合、上記したように溝部の少なくとも一部がはんだによって充填されているため、溝部に充填されるモールド樹脂が少なくなる。そのため、リードフレームとモールド樹脂との接合強度を溝部によって高め難くなる虞がある。

そこで本発明は上記問題点に鑑み、はんだの濡れ広がりが抑制され、モールド樹脂との接合強度が高められた基板、および、その製造方法を提供することを目的とする。

上記した目的を達成するための開示された開示の１つは、はんだ（３０）を介して電子素子（２０）が搭載され、電子素子とともにモールド樹脂（４０）によって被覆される基板であって、
金属材料から成る母基板（１３）と、母基板をめっきするメッキ材料（１４）と、を有し、
母基板におけるメッキ材料によって被覆された上面（１３ａ）に、はんだを介して電子素子の搭載される搭載領域が設定され、
搭載領域の周囲に形成された、モールド樹脂の充填される第１溝部（１１）と、
母基板における第１溝部の搭載領域から離間した側に形成された第２溝部（１２）と、
第１溝部の搭載領域側の縁部に形成された、メッキ材料の酸化した酸化領域（１１ａ）と、備え、
第１溝部は第２溝部よりも深さが浅く、
はんだは酸化領域から搭載領域側にある。
また開示の１つは、はんだ（３０）を介して電子素子（２０）が搭載され、電子素子とともにモールド樹脂（４０）によって被覆される基板の製造方法であって、
金属材料から成る母基板をメッキ材料によってめっきするメッキ工程と、
母基板を局所的に凹ませることで母基板の上面（１３ａ）側に開口する第２溝部を形成する工程と、
母基板におけるメッキ材料によって被覆された上面に設定された、はんだを介して電子素子の搭載される搭載領域と第２溝部との間の周囲に、メッキ材料および母基板の一部をレーザ照射によって除去することで成る第１溝部（１１）を形成するレーザ照射工程と、
搭載領域に溶融状態のはんだを塗布するはんだ塗布工程と、
を有し、
レーザ照射工程において、第２溝部よりも浅めに第１溝部を形成するとともに、レーザ照射による熱伝導によって、第１溝部の縁部周囲のメッキ材料を酸化した酸化領域（１１ａ）を形成することで、メッキ材料よりも溶融状態のはんだを濡れ広がり難くし、
はんだ塗布工程において、はんだは酸化領域から搭載領域側にある。

これによれば、溶融状態のはんだ（３０）が第１溝部（１１）の縁部周囲に濡れ広がったとしても、酸化されたメッキ材料（１４）によって、はんだ（３０）の濡れ広がりを抑制することができる。また第１溝部（１１）へのはんだ（３０）の流入が抑制されるため、第１溝部（１１）に充填されるモールド樹脂（４０）が少なくなることが抑制される。この結果、基板（１０）とモールド樹脂（４０）との接合強度を第１溝部（１１）によって高めることができる。

なお、特許請求の範囲に記載の請求項、および、課題を解決するための手段それぞれに記載の要素に括弧付きで符号をつけている。この括弧付きの符号は実施形態に記載の各構成要素との対応関係を簡易的に示すためのものであり、実施形態に記載の要素そのものを必ずしも示しているわけではない。括弧付きの符号の記載は、いたずらに特許請求の範囲を狭めるものではない。

第１実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。 リードの概略構成を示す上面図である。 めっきを説明するための断面図である。 レーザ照射によって実際に形成された溝部と、酸化領域を示す上面図である。 図５に示す溝部と酸化領域の長さを示すグラフである。 溝部の断面形状の各部位を示すモデル図である。 参考溝部の断面形状の各部位を示すモデル図である。 溝部と比較溝部の各部位で発生する熱応力の強さと方向を示すグラフ図である。

以下、本発明の基板を、パワーＭＯＳＦＥＴを搭載するインナーリードに適用した場合の実施形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１〜図８に基づいて本実施形態に係る半導体装置を説明する。なお図２では、後述の溝部１１，１２の底を破線で示している。そして溝部１１，１２と酸化領域１１ａとを明示するため、これらにハッチングを施している。以下においては互いに直交の関係にある３方向を、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向と示す。

図１および図２に示すように半導体装置１００は、リード１０、電子素子２０、はんだ３０、および、モールド樹脂４０を有する。リード１０に電子素子２０がはんだ３０を介して機械的に接合され、リード１０、電子素子２０、および、はんだ３０それぞれがモールド樹脂４０によって被覆保護されている。

リード１０はいわゆるインナーリードであり、上記したようにモールド樹脂４０によって被覆される。リード１０の主面１０ａの表層には、モールド樹脂４０との接合強度を高めるための溝部１１，１２が形成されている。図１に示すように溝部１１，１２は、自身の延びる方向に対して直交する断面形状がＶ字形状を成している。そして図２に示すように溝部１１，１２それぞれは主面１０ａにおいて環状を成している。溝部１２によって囲まれた領域内に溝部１１が形成されている。そして第１溝部１１によって、電子素子２０の搭載領域が規定されている。

搭載領域の全域がはんだ３０によって覆われており、そのはんだ３０の上に電子素子２０が接合されている。なお後述するように搭載領域は、厳密に言えば第１溝部１１によって規定されるわけではない。搭載領域は、第１溝部１１の縁部に沿って環状に形成された酸化領域１１ａによって規定される。

図３に示すようにリード１０は、母基板１３と、母基板１３の表面を覆うメッキ材料１４と、を有する。図３では母基板１３における電子素子２０の搭載される搭載面１３ａのみにメッキ材料１４を示しているが、実際には母基板１３の全表面にメッキ材料１４が形成されている。搭載面１３ａが特許請求の範囲に記載の上面に相当する。

母基板１３は銅（Ｃｕ）若しくはその合金などの金属材料から成る。これに対してメッキ材料１４は、ニッケル（Ｎｉ）を主成分として含んでいる。メッキ材料１４は、母基板１３の表面から順に積層されたＮｉ層１４ａ、Ｎｉ粗化層１４ｂ、および、Ａｕ層１４ｃを有する。Ｎｉ層１４ａは、電気めっきによって母基板１３の全表面に形成される。Ｎｉ粗化層１４ｂは、Ｎｉから成る粒子をＮｉ層１４ａの表面に吹き付けることで、Ｎｉ層１４ａの全表面に形成される。Ａｕ層１４ｃは、パラジウム金をＮｉ粗化層１４ｂの表面形状（凹凸）に沿って、Ｎｉ粗化層１４ｂの全表面に薄く形成することで成る。したがって溶融状態のはんだ３０がリード１０に塗布された場合、溶融状態のはんだ３０は搭載領域内のＡｕ層１４ｃと接触することとなる。なおメッキ材料１４の厚さＴｐはおよそ１μｍである。

第１溝部１１はリード１０にレーザ照射することで形成される。このレーザ照射によって、上記のメッキ材料１４と母基板１３の一部が吹き飛んで除去されるとともに横へ押し上げられ、第１溝部１１を構成する壁面が形成される。第１溝部１１を構成する壁面は、外部に露出された母基板１３、および、メッキ材料１４である。これらはともに酸化しており、酸化していない母基板１３およびメッキ材料１４に比べて、はんだ３０が濡れ難くなっている。

また上記したレーザ照射による熱伝導によって、第１溝部１１の縁部周辺のメッキ材料１４も酸化している。そしてその縁部には、レーザ照射によって吹き飛んだ、メッキ材料１４と母基板１３の一部が付着している。この付着物も酸化しており、はんだ３０が濡れ難くなっている。この第１溝部１１の縁部を構成する酸化したメッキ材料１４、および、縁部に付着した上記の付着物によって、酸化領域１１ａが形成されている。

第１溝部１１を挟み込む態様で環状を成す２つの酸化領域１１ａがリード１０に形成されている。この２つの酸化領域１１ａの内の一方が第１溝部１１によって囲まれ、他方が第１溝部１１を囲んでいる。この２つの酸化領域１１ａの内、第１溝部１１によって囲まれた領域に位置する方が、搭載領域を規定している。したがって以下においては特に断わらない限り、２つの酸化領域１１ａの内、搭載領域を規定する方を主として記載する。

第２溝部１２はめっきを施す前の母基板１３の表面に予め環状の凹部を形成することで成る。したがって第２溝部１２を構成する壁面はメッキ材料１４によって構成されている。ただし第２溝部１２は、第１溝部１１と同様にしてレーザ照射によって形成してもよい。この場合、第２溝部１２を構成する壁面、および、その縁部は、酸化した母基板１３およびメッキ材料１４によって構成される。若しくは、メッキ材料１４によって覆われた母基板１３の表面の一部を凹ますことで、第２溝部１２を形成してもよい。

電子素子２０は、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなどの能動素子である。本実施形態の電子素子２０は、車両のヘッドランプへの通電を切り換えるスイッチ素子である。図示しないが、電子素子２０にはワイヤが接続されており、このワイヤがアウターリードに接続されている。この接続構成により、アウターリードとワイヤとを介して、電子素子２０がヘッドランプやドライバと電気的に接続されている。

はんだ３０は電子素子２０をリード１０に接合するものである。はんだ３０は鉛を含む、鉛はんだである。したがってはんだ３０は鉛を含まないはんだ（鉛フリーはんだ）と比べて、Ａｕ層１４ｃに対して濡れ性が良くなっている。

モールド樹脂４０は、はんだ３０を介してリード１０に接合された電子素子２０を被覆保護するものである。モールド樹脂４０は電子素子２０を覆うとともに、リード１０とはんだ３０も覆う。そしてモールド樹脂４０はリード１０の溝部１１，１２それぞれが構成する空間を充填し、溝部１１，１２を構成する壁面と接合される。これによりモールド樹脂４０とリード１０とにアンカー効果が生じ、モールド樹脂４０がリード１０から剥がれ難くなっている。なお、図１に示すようにモールド樹脂４０はリード１０の主面１０ａの反対側の裏面１０ｂを被覆しない。したがって電子素子２０にて生じた熱は、リード１０の裏面１０ｂから外部へと放熱される。

次に、本実施形態に係るリード１０の製造方法を説明する。先ず、第２溝部１２を成す環状の凹部の形成された母基板１３を準備する。以上が準備工程である。

準備工程後、母基板１３をＮｉを含む溶液に浸し、電気を印加して母基板１３の表面にＮｉを堆積させる。こうすることで母基板１３の表面にＮｉ層１４ａを形成する。以上が電気めっき工程である。

電気めっき工程後、Ｎｉ層１４ａの表面に、Ｎｉから成る粒子を吹き付ける。こうすることで表面凹凸のあるＮｉ粗化層１４ｂをＮｉ層１４ａに形成する。以上がＮｉ粗化層形成工程である。

Ｎｉ粗化層形成工程後、Ｎｉ粗化層１４ｂの表面凹凸に沿って、パラジウム金をＮｉ粗化層１４ｂの表面に薄く形成する。こうすることでＮｉ粗化層１４ｂと同様の表面凹凸を有するＡｕ層１４ｃを形成する。以上がＡｕ層形成工程である。

以上の工程を経ることで、母基板１３の表面にメッキ材料１４が形成される。以上に示した電気めっき工程、Ｎｉ粗化層形成工程、および、Ａｕ層形成工程が特許請求の範囲に記載のメッキ工程に相当する。

Ａｕ層形成工程後、リード１０にレーザを照射することで、第１溝部１１を形成する。またレーザ照射の熱伝導によって、第１溝部１１の縁部に酸化領域１１ａを形成する。図４に、実際に本発明者の行ったレーザ照射によって形成された第１溝部１１と酸化領域１１ａを示す。第１溝部１１の横幅Ｗｈはおよそ１００μｍ、酸化領域１１ａの横幅Ｗｏはおよそ５０μｍである。上記したように第１溝部１１と酸化領域１１ａとは環状を成している。そのために上記の横幅とは、主面１０ａにおいて第１溝部１１と酸化領域１１ａそれぞれが延びる方向に対して直交する方向である。図４で言えば、横幅はｘ方向の長さに相当する。

上記の横幅Ｗｈ，Ｗｏそれぞれはレーザの周波数や走査スピードに依存する。その周波数としては例えば１００ｋＨｚ、走査スピードとしては例えば５ｍｍ／ｓｅｃを採用することができる。

図５に、レーザ照射によって形成された第１溝部１１の詳細形状を示す。レーザ照射によって第１溝部１１の中心が吹き飛んで除去され、母基板１３の一部が露出している。またレーザ照射によって第１溝部１１の一部が横に押し上げられて盛り上がっている。これにより第１溝部１１はＶ字形状を成している。第１溝部１１の最大高さＨは主面１０ａからおよそ２０μｍ、最大深さＤは主面１０ａからおよそ１５μｍとなっている。なお図５に示す横幅Ｗｈ，Ｗｏは、図４に示す横幅Ｗｈ，Ｗｏに相当する。

上記したようにメッキ材料１４の厚さＴｐはおよそ１μｍである。本発明者が各種実験を行ったところ、最大深さＤと厚さＴｐとの比がおよそ１：１０以上の場合、溶融状態のはんだ３０の濡れ広がりを抑制する酸化領域１１ａがリード１０に形成されることが確認されている。

図５に示すように、Ｖ字形状を成す第１溝部１１よりも離れた位置に凸部が形成されている。これは上記したようにレーザ照射によって飛散した母基板１３やメッキ材料１４の一部である。これは酸化領域１１ａにも付着している。

以上がレーザ照射工程である。以上の各工程を経ることで、リード１０が製造される。

次に、本実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を説明する。まず、リード１０の搭載領域に溶融状態のはんだ３０を塗布する。搭載領域に塗布されたはんだ３０は、搭載領域上を濡れ広がる。しかしながらはんだ３０の濡れ広がりは上記の酸化領域１１ａによって阻止される。これによりはんだ３０は酸化領域１１ａによって搭載領域上に貯留される。したがってはんだ３０の塗布量は、調整可能となっている。はんだ３０の塗布量は、電子素子２０との接合強度に応じて決定される。以上がはんだ塗布工程である。

はんだ塗布工程後、溶融状態のはんだ３０へ電子素子２０を搭載する。そしてはんだ３０を硬化する。こうすることで電子素子２０をリード１０に固定する。以上が固定工程である。

固定工程後、電子素子２０とアウターリードとをワイヤで電気的に接続する。以上がワイヤボンディング工程である。

ワイヤボンディング工程後、電子素子２０の搭載されたリード１０とともにアウターリードの一部を金型のキャビティに挿入し、キャビティに溶融状態のモールド樹脂４０を注入する。こうすることではんだ３０を介して電子素子２０の接続されたリード１０をモールド樹脂４０によって被覆する。以上がモールド工程である。

モールド工程後、モールド樹脂４０を固化した後に、それを金型のキャビティから取り出す。以上が取り出し工程である。以上の工程を経ることで、半導体装置１００が製造される。なお厳密に言えば、取り出し工程の時点において、インナーリードとしてのリード１０とアウターリードとは一体的に連結されている。したがって取り出し工程後に両者を連結する連結部位を除去することで、両者が機械的に分離される。これにより図１に示す半導体装置１００が製造される。

次に、本実施形態に係る半導体装置１００の作用効果を説明する。上記したように、レーザ照射によって環状の第１溝部１１がリード１０に形成される。また第１溝部１１の縁部に沿って、環状の酸化領域１１ａも形成される。これによれば、溶融状態のはんだ３０が酸化領域１１ａまで濡れ広がったとしても、はんだ３０の濡れ広がりを酸化領域１１ａによって抑制することができる。また第１溝部１１へのはんだ３０の流入が抑制されるため、第１溝部１１に充填されるモールド樹脂４０が少なくなることが抑制される。この結果、リード１０とモールド樹脂４０との接合強度を第１溝部１１によって高めることができる。

上記したように第１溝部１１の壁面は、酸化した母基板１３と酸化したメッキ材料１４の一部から構成されている。そのため、例え溶融状態のはんだ３０が酸化領域１１ａを越えて第１溝部１１に濡れ広がったとしても、はんだ３０の濡れ広がりを第１溝部１１によって抑制することができる。

さらに言えば、第１溝部１１を挟み込む態様で環状を成す２つの酸化領域１１ａがリード１０に形成されている。この２つの酸化領域１１ａの内の一方が第１溝部１１によって囲まれ、他方が第１溝部１１を囲んでいる。したがって、溶融状態のはんだ３０が第１溝部１１によって囲まれた酸化領域１１ａと第１溝部１１を越えて、第１溝部１１を囲む酸化領域１１ａに濡れ広がったとしても、はんだ３０の濡れ広がりを、第１溝部１１を囲む酸化領域１１ａによって抑制することができる。

またレーザ照射によって、母基板１３およびメッキ材料１４の一部が溶融して酸化し、第１溝部１１の縁部周囲に飛散して付着している。これによれば、はんだ３０の濡れ広がりを、酸化領域１１ａにおける酸化したメッキ材料１４だけではなく、付着物（飛散物）によっても抑制することができる。

第１溝部１１は搭載領域を囲むように環状を成している。これによって酸化領域１１ａも搭載領域を囲むように環状を成している。これによれば、搭載領域の周囲の一部にレーザ照射をすることで第１溝部１１と酸化領域１１ａとが形成された構成と比べて、はんだ３０の濡れ広がりを効果的に抑制することができる。また本実施形態に記載したように、搭載領域の全域にはんだ３０を濡れ広がらせ、その充填量を調整することができる。これによりリード１０と電子素子２０とを接続するはんだ３０の接続強度を調整することができる。

第１溝部１１の延びる方向に対して直交する第１溝部１１の断面形状がＶ字形状を成す。この構成による作用効果を、図６〜図８に基づいて説明する。図６は第１溝部１１の断面形状をモデル化した図であり、第１溝部１１の各部位ｐ１〜ｐ５を明示している。部位ｐ１，ｐ５は第１溝部１１の縁を示し、部位ｐ２，ｐ４は第１溝部１１の中腹を示す。そして第３部位ｐ３は第１溝部１１の底を示す。

図７は第１溝部１１の作用効果を説明するための参考溝部の断面形状をモデル化した図であり、参考溝部の各部位ｐ１〜ｐ５を明示している。参考溝部は第１溝部１１とは異なり、断面形状がＵ字形状を成している。部位ｐ１，ｐ５は参考溝部の縁を示し、部位ｐ２，ｐ４は参考溝部の中腹を示す。そして第３部位ｐ３は参考溝部の底を示す。

図８は、第１溝部１１と参考溝部それぞれの部位ｐ１〜ｐ５においてモールド樹脂４０との線膨張係数差に起因して発生する熱応力を示す図である。実線棒グラフが第１溝部１１とモールド樹脂４０との接合界面にて生じる熱応力を示し、破線棒グラフが参考溝部とモールド樹脂４０との接合界面にて生じる熱応力を示している。

図８の縦軸は任意単位であるが、プラスは、モールド樹脂４０が接合界面から離れる方向に熱応力が接合界面で生じていることを示している。換言すれば、モールド樹脂４０が溝部から剥離する方向に熱応力が接合界面で生じていることを示している。これとは逆にマイナスは、モールド樹脂４０が接合界面へと向かう方向に熱応力が接合界面で生じていることを示している。換言すれば、モールド樹脂４０が溝部へと押し付けられる方向に熱応力が接合界面で生じていることを示している。したがって図８は、棒グラフのプラス側の高さが高いほどにモールド樹脂４０が溝部から剥がれ易く、棒グラフのマイナス側の高さが高いほどにモールド樹脂４０が溝部から剥がれ難いことを示している。

図８に示すように、第３部位ｐ３（溝部の底）では、第１溝部１１は参考溝部よりもモールド樹脂が剥がれ易くなっている。しかしながら他の部位ｐ１，ｐ２，ｐ４，ｐ５では、第１溝部１１は参考溝部よりもモールド樹脂が剥がれ難くなっている。特に第４部位ｐ４では、モールド樹脂４０の溝部へと押し付ける熱応力が参考溝部よりも第１溝部１１の方が強くなっている。このような熱応力の差異は、第１溝部１１の断面形状が参考溝部とは異なりＶ字形状を成すためである。

以上に示したように、第１溝部１１の断面形状がＶ字形状を成すため、断面形状がＵ字形状の参考溝部と比べて、熱応力によってモールド樹脂４０が第１溝部１１から剥離することが抑制される。すなわち、モールド樹脂４０がリード１０から剥離することが抑制される。

なお、部位ｐ１，ｐ５において発生する熱応力、および、部位ｐ２，ｐ４において発生する熱応力が互いに異なるのは、部位ｐ１，ｐ２，ｐ４，ｐ５とはんだ３０との遠近の差である。第１部位ｐ１は第５部位ｐ５よりもはんだ３０に近く、第２部位ｐ２は第４部位ｐ４よりもはんだ３０に近くなっている。

第１溝部１１の他に、第２溝部１２がリード１０に形成されている。これによれば、リード１０に第１溝部１１のみが形成された構成と比べて、リード１０とモールド樹脂４０との接合強度を高めることができる。また第２溝部１２も第１溝部１１と同様にして断面形状がＶ字形状を成す。そのため第２溝部１２の断面形状がＵ字形状の場合と比べて、熱応力によってモールド樹脂４０が第２溝部１２から剥離することが抑制される。すなわち、モールド樹脂４０がリード１０から剥離することが抑制される。

レーザ照射工程において、レーザをリード１０に照射することで、第１溝部１１とともに酸化領域１１ａを形成する。これによれば第１溝部１１と酸化領域１１ａそれぞれを個別にリード１０に形成する製造方法と比べて、製造が簡略化される。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。

本実施形態ではリード１０に１つの第１溝部１１が形成された例を示した。しかしながらリード１０に複数の第１溝部１１を同心円状に形成してもよい。

本実施形態ではリード１０に第１溝部１１の他に１つの第２溝部１２が形成された例を示した。しかしながらリード１０に第１溝部１１が形成されていればよく、第２溝部１２が形成されていなくともよい。また、リード１０に形成される第２溝部１２の数も限定されない。

本実施形態では溝部１１，１２それぞれの平面形状が環状である例を示した。しかしながら溝部１１，１２それぞれの平面形状は環状でなくともよい。

本実施形態では溝部１１，１２それぞれの断面形状がＶ字形状である例を示した。しかしながら溝部１１，１２それぞれの断面形状はＶ字形状でなくともよい。

本実施形態では電子素子２０が車両のヘッドランプへの通電を切り換えるスイッチ素子である例を示した。しかしながら電子素子２０としては上記例に限定されず、例えばインバータを構成するパワーＭＯＳＦＥＴを採用することができる。

１０…リード、１１…第１溝部、１３…母基板、１３ａ…搭載面、１４…メッキ材料、２０…電子素子、３０…はんだ、４０…モールド樹脂、１００…半導体装置

Claims (9)

1. はんだ（３０）を介して電子素子（２０）が搭載され、前記電子素子とともにモールド樹脂（４０）によって被覆される基板であって、
   金属材料から成る母基板（１３）と、前記母基板をめっきするメッキ材料（１４）と、を有し、
   前記母基板における前記メッキ材料によって被覆された上面（１３ａ）に、前記はんだを介して前記電子素子の搭載される搭載領域が設定され、
   前記搭載領域の周囲に形成された、前記モールド樹脂の充填される第１溝部（１１）と、
   前記母基板における前記第１溝部の前記搭載領域から離間した側に形成された第２溝部（１２）と、
   前記第１溝部の前記搭載領域側の縁部に形成された、前記メッキ材料の酸化した酸化領域（１１ａ）と、備え、
   前記第１溝部は前記第２溝部よりも深さが浅く、
   前記はんだは前記酸化領域から前記搭載領域側にある基板。
2. 前記母基板および前記メッキ材料の一部が溶融して酸化し、前記第１溝部の縁部周囲に散らばって付着している請求項１に記載の基板。
3. 前記第１溝部は前記搭載領域を囲むように環状に形成されている請求項１または請求項２に記載の基板。
4. 前記第１溝部の延びる方向に対して直交する前記第１溝部の断面形状がＶ字形状を成す請求項３に記載の基板。
5. 前記母基板はＣｕから成り、
   前記メッキ材料の一部は、電気めっきによって前記母基板の全表面に形成されており、Ｎｉを主成分として含む請求項４に記載の基板。
6. はんだ（３０）を介して電子素子（２０）が搭載され、前記電子素子とともにモールド樹脂（４０）によって被覆される基板の製造方法であって、
   金属材料から成る母基板をメッキ材料によってめっきするメッキ工程と、
   前記母基板を局所的に凹ませることで前記母基板の上面（１３ａ）側に開口する第２溝部を形成する工程と、
   前記母基板における前記メッキ材料によって被覆された前記上面に設定された、前記はんだを介して前記電子素子の搭載される搭載領域と前記第２溝部との間の周囲に、前記メッキ材料および前記母基板の一部をレーザ照射によって除去することで成る第１溝部（１１）を形成するレーザ照射工程と、
   前記搭載領域に溶融状態のはんだを塗布するはんだ塗布工程と、
   を有し、
   前記レーザ照射工程において、前記第２溝部よりも浅めに前記第１溝部を形成するとともに、前記レーザ照射による熱伝導によって、前記第１溝部の縁部周囲の前記メッキ材料を酸化した酸化領域（１１ａ）を形成することで、前記メッキ材料よりも溶融状態の前記はんだを濡れ広がり難くし、
   前記はんだ塗布工程において、前記はんだは前記酸化領域から前記搭載領域側にある基板の製造方法。
7. 前記レーザ照射工程において、前記レーザ照射によって、前記母基板および前記メッキ材料の一部を溶融して酸化し、前記第１溝部の縁部周囲に飛散して付着させる請求項６に記載の基板の製造方法。
8. 前記レーザ照射工程において、前記搭載領域を囲むように前記第１溝部を環状に形成する請求項６または請求項７に記載の基板の製造方法。
9. 前記レーザ照射工程において、前記第１溝部の延びる方向に対して直交する前記第１溝部の断面形状がＶ字形状を成すように前記レーザを前記母基板の上面に照射する請求項８に記載の基板の製造方法。