JPH11163204A - 半導体装置及びその実装構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は高密度化された外部接続電極を有した
半導体装置及びその実装構造に関し、小型化及び多ピン
化を図ることを課題とする。 【解決手段】半導体素子１１と、この半導体素子を封止
する樹脂パッケージ１２と、この樹脂パッケージ１２の
実装側面に突出形成された樹脂突起１７と、この樹脂突
起１７に配設された金属膜１３と、半導体素子１１上の
電極パッド１４と金属膜１３とを接続するワイヤ１８と
を具備してなる半導体装置において、前記金属膜１３に
略水平方向に延出する接続パッド１９Ａを形成し、この
接続パッド１９Ａにワイヤ１８を接続する構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及びその
実装構造に係り、特に高密度化された外部接続電極を有
した半導体装置及びその実装構造に関する。近年、電子
機器市場では、電子機器の小型化を実現するために、基
板に実装した際の実装面積が小さい半導体装置が望まれ
ている。また、電極ピッチや外部接続端子ピッチの大き
さの点においても、実装が技術的に容易な半導体装置が
望まれている。

【０００２】

【従来の技術】図２６及び図２７は、従来の樹脂封止型
半導体装置の断面を示す図である。図２６において、１
は樹脂，２は半導体素子，３はアウターリード，４はボ
ンディングワイヤ，５はダイパッドを示す。この半導体
装置はＳＳＯＰ(ShrinkSmall Outline Package)と呼ば
れるパッケージ構造のものであり、アウターリード３が
ガルウイング状に曲げられて基板に実装される構成とさ
れいる。

【０００３】また、図２７において、１は樹脂，２は半
導体素子，４はボンディングワイヤ，６は半田ボール，
７はチップ２を搭載する搭載基板を夫々示している。こ
の半導体装置はＢＧＡ(Ball Grid Array) と呼ばれるパ
ッケージ構造のものであり、基板に実装される端子部分
が半田ボール６により形成されている。しかるに、図２
６に示すＳＳＯＰタイプの半導体装置では、樹脂１内に
示すインナーリード８からアウターリード３への引き回
し部分９の面積や、アウターリード３自身の占める面積
が大きく、実装面積が大きくなってしまうという問題点
があった。また、図２７に示されるＢＧＡタイプの半導
体装置では、搭載基板７を用いる点で、コストが高くな
ってしまうという問題点があった。

【０００４】そこで出願人は先に、上記の問題点を解決
しうる半導体装置として、特開平９−１６２３４８号を
提案した。図２８は、上記出願に係る半導体装置１１０
を示している。同図に示されるように、半導体装置１１
０は、半導体素子１１１，樹脂パッケージ１１２，及び
金属膜１１３等からなる極めて簡単な構成とされてお
り、樹脂パッケージ１１２の実装面１１６に一体的に形
成された樹脂突起１１７に金属膜１１３を被膜形成する
と共に、この金属膜１１３と半導体素子１１１とをワイ
ヤ１１８により接続した構成とされている。

【０００５】上記構成とされた半導体装置１１０は、従
来のＳＳＯＰのようなインナーリードやアウターリード
が不要となり、インナーリードからアウターリードへの
引き回しのための面積や、アウターリード自身の面積が
不要となり、半導体装置１１０の小型化を図ることがで
きる。また、従来のＢＧＡのような半田ボールを形成す
るために搭載基板を用いる必要がなくなるため、半導体
装置１１０のコスト低減を図ることができる。更に、樹
脂突起１１７及び金属膜１１３は、協働してＢＧＡタイ
プの半導体装置の半田バンプと同等の機能を奏するた
め、実装性を向上することができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、半導体
装置１１０は図２６及び図２７に示される従来の半導体
装置では得ることができない種々の効果を実現すること
ができる。しかるに、半導体装置１１０は、ワイヤ１１
８を金属膜１１３の底面にワイヤボンディングする構成
であったため、金属膜１１３はワイヤボンディングを行
なうに足る所定の面積（以下、要ボンディング面積とい
う）を必要としてしまう。よって、従来の半導体装置１
１０では、金属膜１１３の大きさをこの要ボンディング
面積より小さくすることができないという問題点があっ
た。

【０００７】このように、ワイヤボンディング処理に起
因して金属膜１１３の大きさが規制されると、半導体素
子１１の高密度化，多ピン化を図ったとしても、樹脂パ
ッケージ１１２の大きさを小さくすることができず、半
導体装置１１０の小型化を図ることができなくなる。ま
た、従来のように直接ワイヤ１１８を金属膜１１３に接
続する構成では、金属膜１１３の配設位置がワイヤボン
ディング処理可能範囲内に限定されてしまい、よって所
望する位置に金属膜１１３を形成することができないと
いう問題点もある。

【０００８】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、小型化及び多ピン化を行ないうる半導体装置及び
その実装構造を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の課題は、下記の手
段を講じることにより解決することができる。請求項１
記載の発明では、半導体素子と、該半導体素子を封止す
る樹脂パッケージと、該樹脂パッケージの実装側面に突
出形成された樹脂突起と、該樹脂突起に配設された複数
の金属膜と、前記半導体素子上の電極パッドと前記金属
膜とを電気的に接続する接続部材とを具備してなる半導
体装置にあって、前記金属膜に略水平方向に延出する接
続パッドを形成し、該接続パッドに前記接続部材を接続
する構成としたことを特徴とするものである。

【００１０】また、請求項２記載の発明では、半導体素
子と、該半導体素子を封止する樹脂パッケージと、該樹
脂パッケージの実装側面に突出形成された樹脂突起と、
該樹脂突起に配設された複数の金属膜と、前記半導体素
子上の電極パッドと前記金属膜とを電気的に接続する接
続部材とを具備してなる半導体装置にあって、前記金属
膜に鍔状の接続パッドを形成し、該接続パッドに前記接
続部材を接続する構成としたことを特徴とするものであ
る。

【００１１】また、請求項３記載の発明では、前記請求
項１または２記載の半導体装置において、前記樹脂突起
の形状を円柱状または先端の尖った円錐形状としたこと
を特徴とするものである。また、請求項４記載の発明で
は、前記請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置
において、前記接続部材が接続される中継パッドと、該
中継パッドと前記金属膜とを接続する配線と、該配線に
形成され前記樹脂パッケージと係合するアンカー部とを
設けたことを特徴とするものである。

【００１２】また、請求項５記載の発明では、前記請求
項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置において、前
記樹脂パッケージの前記金属膜が形成される面に、凹凸
部を形成したことを特徴とするものである。また、請求
項６記載の発明では、前記請求項１乃至５のいずれかに
記載の半導体装置において、前記接続部材が接続される
中継パッドと、前記半導体素子と対向する位置に設けら
れた素子対向樹脂突起に形成された素子対向金属膜と、
前記中継パッドと前記素子対向金属膜とを接続するワイ
ヤとを設けたことを特徴とするものである。

【００１３】また、請求項７記載の発明では、前記請求
項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置において、前
記金属膜の配設ピッチと、前記半導体素子上の電極パッ
ドの配設ピッチを略同一としたことを特徴とするもので
ある。また、請求項８記載の発明では、前記請求項１乃
至７のいずれかに記載の半導体装置において、前記接続
部材がワイヤであることを特徴とするものである。

【００１４】また、請求項９記載の発明では、前記請求
項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置において、前
記接続部材が突起電極であり、前記半導体素子を前記接
続パッドにフェイスダウンボンディングしてなることを
特徴とするものである。また、請求項１０記載の発明で
は、前記請求項１乃至９のいずれかに記載の半導体装置
において、前記樹脂パッケージの前記金属膜が形成され
た面に、熱可塑性樹脂よりなるアンダーフィル樹脂を配
設したことを特徴とするものである。

【００１５】また、請求項１１記載の発明では、前記請
求項１乃至９のいずれかに記載の半導体装置を実装基板
に実装する半導体装置の実装構造において、前記半導体
装置と前記実装基板との間に熱硬化性のアンダーフィル
樹脂を介装してなることを特徴とするものである。

【００１６】更に、請求項１２記載の発明では、前記請
求項１乃至９のいずれかに記載の半導体装置を実装基板
に実装する半導体装置の実装構造において、前記半導体
装置と前記実装基板との間に熱可塑性のアンダーフィル
樹脂を介装してなることを特徴とするものである。

【００１７】上記した各手段は、次のように作用する。
請求項１及び請求項２記載の発明によれば、樹脂突起に
配設された金属膜に略水平方向に延出した、或いは金属
膜に鍔状とされた接続パッドを形成し、この接続パッド
に接続部材を接続することにより半導体素子と金属膜と
を電気的に接続する構成としたことにより、接続部材は
金属膜の底面ではなく接続パッドに接続されるため、金
属膜の小面積化を図ることができる。これにより、隣接
する金属膜間のピッチを小さくすることができ、樹脂パ
ッケージに金属膜を高密度に配設することができる。

【００１８】また、接続パッドは樹脂パッケージに係止
された状態となるため、金属膜が小面積化されても、接
続パッドは樹脂パッケージに対しアンカー効果を発生
し、よって金属膜が樹脂パッケージから離脱することを
防止することができる。また、請求項３記載の発明によ
れば、樹脂突起の形状を円柱状または先端の尖った円錐
形状としたことにより、樹脂突起を有効に小面積化する
ことができる。

【００１９】また、請求項４記載の発明によれば、半導
体素子と金属膜との間に中継パット及び配線が介在する
構成となるため、中継パッド及び配線の形状を適宜選定
することにより、半導体素子から金属膜に至る電気的接
続経路に自由度を持たせることができる。これにより、
金属膜を任意の位置に配置することが可能となり、よっ
て金属膜を効率良く配置することにより半導体装置の小
型化を図ることができる。

【００２０】また、配線には樹脂パッケージと係合する
アンカー部が形成されているため、配線が樹脂パッケー
ジから離脱してしまうことを防止でき、半導体装置の信
頼性を向上させることができる。また、請求項５記載の
発明によれば、樹脂パッケージの金属膜が形成される面
に凹凸部を形成したことにより、半導体装置をアンダー
フィル樹脂を用いて実装基板に実装した際、凹凸部がア
ンダーフィル樹脂に食い込むため、半導体装置とアンダ
ーフィル樹脂との接合力を増大させることができる。

【００２１】このため、例えば半導体素子の不具合等に
より、半導体装置を実装基板からやむなくリプレースす
る場合、半導体装置の実装基板からの取り除きに伴いア
ンダーフィル樹脂は半導体装置側に接合した状態を維持
する。よって、実装基板側にはアンダーフィル樹脂が残
存しないため、新たな半導体装置の搭載処理を容易に行
なうことができる。

【００２２】また、請求項６記載の発明によれば、半導
体素子と対向する位置、即ち半導体素子の下部位置に素
子対向金属膜を設けることにより、金属膜（素子対向金
属膜を含む）をマトリックス状に配置することができ
る。また、半導体素子の下部位置に素子対向金属膜を設
けても、この素子対向金属膜はワイヤ及び中継パッドを
介して半導体素子に接続される。よって、金属膜を高密
度に配置することが可能となり、これに伴い金属膜間の
ピッチも小ピッチ化することができるため、半導体装置
の小型化，多ピン化を図ることができる。

【００２３】また、請求項７記載の発明によれば、金属
膜の配設ピッチと、半導体素子上の電極パッドの配設ピ
ッチを略同一としたことにより、実装時において半導体
装置を実装基板にフリップチップ実装することが可能と
なる。よって、半導体素子と実装基板との間の配線長を
短くすることができ、電気的特性の向上を図ることがで
きる。

【００２４】また、請求項８記載の発明によれば、接続
部材をワイヤとしたことにより、周知のワイヤボンディ
ング技術を用いて半導体素子と接続パッド、或いは半導
体素子と中継パットとを接続することができ、接続処理
を容易に行なうことができる。また、請求項９記載の発
明によれば、接続部材を突起電極とし、半導体素子を接
続パッドにフェイスダウンボンディングする構成とした
ことにより、半導体素子と接続パッドとの間における電
気的特性を向上させることができる。

【００２５】また、請求項１０及び１２記載の発明によ
れば、アンダーフィル樹脂が熱硬化性のアンダーフィル
樹脂を介装したことにより、熱硬化性樹脂は昇温させる
ことにより樹脂が可塑化するため、実装後における半導
体装置のリワークを容易とすることができる。更に、請
求項１１記載の発明によれば、前記請求項１乃至９のい
ずれかに記載の半導体装置と実装基板との間に熱硬化性
のアンダーフィル樹脂を介装したことにより、金属膜が
小面積化され高密度に配置されても、アンダーフィル樹
脂の接合力により半導体装置と実装基板を確実に接合す
ることができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面と共に説明する。図１乃至図３は本発明の第１実施
例である半導体装置１０Ａ及びその実装構造を示してい
る。図１は半導体装置１０Ａの断面を示し、図２は半導
体装置１０Ａの底面を示し、更に図３は後述する金属膜
１３を示す図である。

【００２７】半導体装置１０Ａは、大略すると半導体素
子１１，樹脂パッケージ１２，及び金属膜１３とからな
る極めて簡単な構成とされている。半導体素子１１は、
その上面に複数の電極パッド１４が形成されており、ま
た素子固定樹脂１５上に搭載された構成とされている。
また、樹脂パッケージ１２は、例えばエポキシ樹脂を後
述するようにモールド成形（ポッティングも可能であ
る）することにより形成されるものである。

【００２８】また、金属膜１３は外部接続端子として機
能するものであり、樹脂パッケージ１２に形成された樹
脂突起１７を覆うように形成されている。この金属膜１
３と前記した電極パッド１４との間にはワイヤ１８が配
設されており、これにより金属膜１３と半導体素子１１
は電気的に接続した構成となっている。ここで、金属膜
１３及び樹脂突起１７に注目する。先ず、樹脂突起１７
に注目すると、本実施例では樹脂突起１７の形状を円錐
形状としている。従って、この樹脂突起１７に形成され
る金属膜１３も円錐形状となっている。このように、樹
脂突起１７の形状を円錐形状としたのは、樹脂パッケー
ジ１２との接合部分の面積を大きく取ることにより機械
的強度を持たせ、かつ先端部分を尖った形状とすること
により実装基板２５Ｉ配設される実装電極２６の隣接ピ
ッチをなるべく広く取るためである。

【００２９】また、金属膜１３に注目すると、この金属
膜１３には接続パッド１９Ａが一体的に形成されてい
る。図３（Ａ）は、図１に示した構成と対応する接続パ
ッド１９Ａが形成された金属膜１３を示している。同図
に示されるように、接続パッド１９Ａは、金属膜１３の
上縁部から略水平一方向に延出した構成とされている。
また、接続パッド１９Ａは、ワイヤ１８をワイヤボンデ
ィングするに足る十分な面積を有するよう構成されてい
る。

【００３０】前記したワイヤ１８は、この接続パッド１
９Ａにワイヤボンディングされており、よってワイヤ１
８は接続パッド１９Ａを介して金属膜１３に電気的に接
続された構成となっている。即ち、本実施例の構成で
は、ワイヤ１８は金属膜１３の底面ではなく、金属膜１
３より略水平方向に延出した接続パッド１９Ａに接続さ
れる。

【００３１】よって、従来の半導体装置１１０（図２８
参照）のように、金属膜１３にワイヤ１８をボンディン
グするための面積（要ボンディング面積）を設ける必要
がなくなり、金属膜１３の小面積化を図ることができ
る。このように、金属膜１３が小面積化することによ
り、隣接する金属膜間のピッチを小さくすることが可能
となり、よって樹脂パッケージ１２に金属膜１３を高密
度に配設することが可能となる。従って、従来に比べて
同一個数の金属膜１３を形成するのに必要とする樹脂パ
ッケージ１２の面積を小さくすることができ、よって半
導体装置１０Ａの小型化を図ることができる。

【００３２】また、上記の接続パッド１９Ａは、樹脂パ
ッケージ１２の内部に埋設された構成となっているた
め、接続パッド１９Ａは樹脂パッケージ１２に対しアン
カー効果を発生する。また、前記のように接続パッド１
９Ａは金属膜１３と一体的に形成された構成とされてい
る。よって、金属膜１３と樹脂パッケージ１２との接合
力は、接続パッド１９Ａと樹脂パッケージ１２との結合
力分だけ増大することとなり、金属膜１３が樹脂パッケ
ージ１２から離脱することを防止することができる。

【００３３】ところで、図１に示した半導体装置１０Ａ
では、図３（Ａ）に示す接続パッド１９Ａを用いた例に
ついて説明したが、接続パッドの形状は図３（Ａ）に示
す接続パッド１９Ａに限定されるものではない。例え
ば、図３（Ｂ）に示すような、金属膜１３の上縁全周か
ら略水平方向に鍔状に延出した接続パッド１９Ｂを用い
ることも可能である。この構成とすることによっても、
金属膜１３の小面積化を図ることができると共に、金属
膜１３の樹脂パッケージ１２からの離脱を防止すること
ができる。

【００３４】また、上記構成とされた半導体装置１０Ａ
は、従来のＳＳＯＰで必要とされたインナーリードやア
ウターリードが不要となり、インナーリードからアウタ
ーリードへの引き回しのための面積や、アウターリード
自身の面積が不要となり、半導体装置１０Ａの小型化を
図ることができる。更に、従来のＢＧＡ（図２７参照）
のような半田ボールを形成するために搭載基板を用いる
必要がなくなるため、半導体装置１０Ａのコスト低減を
図ることができる。また、樹脂突起１７及び金属膜１３
は、協働してＢＧＡタイプの半導体装置の半田バンプと
同等の機能を奏するため、実装性を向上することができ
る。

【００３５】ここで、上記構成とされた半導体装置１０
Ａの実装基板２５への実装構造について説明する。図１
に示されるように、半導体装置１０Ａを実装基板２５へ
実装する際、本実施例では半導体装置１０Ａと実装基板
２５との間にアンダーフィル樹脂２３を配設したことを
特徴としている。このアンダーフィル樹脂２３は、例え
ば熱硬化性の樹脂により形成されており、半導体装置１
０Ａと実装基板２５との接合強度を増大させるために配
設されている。

【００３６】前記したように、本実施例に係る半導体装
置１０Ａは、ワイヤ１８を接続パッド１９Ａ（１９Ｂ）
に接続する構成とすることにより、金属膜１３の面積が
小さくなっている。前記した図２８に示す従来の半導体
装置１１０では、金属膜１１３の面積が広いため、よっ
て半導体装置１１０を実装した際に金属膜１１３と実装
基板との接合力が強く、よってアンダーフィル樹脂を設
ける必要がなかった。

【００３７】しかるに、本実施例に係る半導体装置１０
Ａは、金属膜１３の面積が小さいため、この金属膜１３
と実装基板２４の実装電極２６との接合力のみでは、半
導体装置１０Ａと実装基板２５との間に十分な接合強度
を持たせることができない。そこで、本実施例に係る実
装構造では、半導体装置１０Ａと実装基板２５との間に
熱硬化性のアンダーフィル樹脂２３を介装し、このアン
ダーフィル樹脂２３の接合力により半導体装置１０Ａと
実装基板２５とを接合した構成としている。この構成と
することにより、金属膜１３を高密度に配設しつつ、か
つ半導体装置１０Ａと実装基板２５との接合性を向上さ
せることができる。

【００３８】続いて、上記した第１実施例に係る半導体
装置１０Ａの製造方法について説明する。半導体装置１
０Ａは、図８に示されるリードフレーム２０を用いて製
造される。このリードフレーム２０を構成する導電性金
属基材２１には、複数の円錐形状の凹部２２が形成され
ており、またこの凹部２２内には金属膜１３が形成され
ている。更に、導電性金属基材２１の上面で凹部２２の
近傍位置には、金属膜１３の上縁と一体的に接続した接
続パッド１９Ａが水平方向に延在するよう形成されてい
る。

【００３９】上記の凹部２２は、半導体装置１０Ａに形
成された樹脂突起１７の形成位置と対応する位置に形成
されており、またその形状は樹脂突起１７の形状と対応
する円錐形状とされている。また、リードフレーム２０
は複数の半導体装置１０Ａを一括的に形成できるよう
（即ち、いわゆる複数個取りができるよう）構成されて
おり、従って凹部２２，金属膜１３，及び接続パッド１
９Ａも１枚の金属基材２１に複数組形成されている。

【００４０】先ず、半導体装置１０Ａの製造工程の内、
リードフレーム２０の製造工程について図４乃至図８を
用いて説明する。リードフレーム２０を製造するには、
先ず図４に示すように、導電材料（例えば銅）よりなる
平板状の金属基材２１を用意し、これをプレス加工装置
に装着する。プレス加工装置にはプレス型２７が設けら
れており、このプレス型２７には複数の円錐突起２８が
形成されている。この円錐突起２８の形状及び配設位置
は、金属膜１３の形状（円錐形状）及び形成位置に対応
するよう構成されている。

【００４１】金属基板２１がプレス加工装置に装着され
ると、プレス型２７は下動して金属基板２１に対し塑性
加工を行なう。具体的には、図５に示されるように、プ
レス型２７に形成された円錐突起２８が金属基板２１に
圧入される。続いて、プレス型２７は上動し、これによ
り図６に示されるように、金属基板２１に凹部２２が形
成される。

【００４２】上記のように金属基板２１に凹部２２が形
成されると、続いてこの金属基材２１の上下両面にメッ
キレジスト２４が塗布される。このメッキレジスト２４
は、例えば感光性樹脂であり、スピナー等を用いて所定
膜厚に塗布される。続いて、メッキレジスト２４に図示
しないマスクを用いて露光処理を行い、その後に現像処
理を行うことによりメッキレジスト２４の凹部形成位置
に対応する部位を除去し開口部２４ａを形成する。この
際、接続パッド１９Ａの形成位置も、合わせてメッキレ
ジスト２４を除去しておく。

【００４３】上記のメッキレジスト形成工程が終了する
と、続いて金属膜形成工程が実施され金属膜１３及び接
続パッド１９Ａが形成される。本実施例においては、金
属膜１３及び接続パッド１９Ａの形成にメッキ法を用い
ており、例えば金属基材２１をメッキ槽に浸漬すること
により電界メッキを行う。図７は、金属膜１３及び接続
パッド１９Ａが形成された金属基材２１を示している。
尚、この金属膜１３及び接続パッド１９Ａの厚さは、メ
ッキ時間を制御することにより任意に設定することがで
きる。

【００４４】上記の処理を実施することにより金属膜１
３及び接続パッド１９Ａは金属基材２１に形成される
が、後に説明するように分離工程において、金属基材２
１に形成された金属膜１３及び接続パッド１９Ａは、樹
脂パッケージ１２をリードフレーム２０から分離する際
に樹脂パッケージ１２と共にリードフレーム２０から剥
離する必要がある。

【００４５】このため、金属膜１３及び接続パッド１９
Ａは金属基材２１に対しある程度の分離性も要求され
る。従って、金属膜１３及び接続パッド１９Ａを凹部２
２等に形成するに先立ち、上記分離性を確保するため
に、凹部２２及びその周辺位置に導電性のペースト等の
分離性を向上させる部材を塗布しておき、その上部に金
属膜１３及び接続パッド１９Ａを形成する構成としても
よい。

【００４６】上記のように金属膜形成工程において金属
膜１３及び接続パッド１９Ａが形成されると、続いてメ
ッキレジスト２４を除去するレジスト除去工程が実施さ
れ、図８に示されるリードフレーム２０が形成される。
尚、上記した金属膜形成工程では、メッキ法を用いて金
属膜１３及び接続パッド１９Ａを形成する方法を説明し
たが、金属膜１３及び接続パッド１９Ａの形成はメッキ
法に限定されるものではなく、例えば蒸着法，スパッタ
リング法等の他の膜形成技術を用いて形成する構成とし
てもよい。

【００４７】また、金属基材２１に凹部２２を形成する
方法も、前記したプレス加工に限定されるものではな
く、ドリル加工，或いは異方性を有したエッチング加工
を用いることも可能である。上記のようにリードフレー
ム２０が形成されると、続いて図９に示すように、リー
ドフレーム２０の所定素子搭載位置に素子固定樹脂１５
を塗布すると共に、素子固定樹脂１５の上部に半導体素
子１１を搭載する（素子搭載工程）。素子固定樹脂１５
は絶縁性を有すると共に接着剤として機能し、よって半
導体素子１１はリードフレーム２０上に素子固定樹脂１
５の接着力により搭載された状態となる。

【００４８】素子搭載工程が終了すると、リードフレー
ム２０はワイヤボンディング装置に装着され、図１０に
示されるように、半導体素子１１に形成された電極パッ
ド１４と、金属膜１３に一体的に形成された接続パッド
１９Ａとの間にワイヤ１８を配設する。これにより、半
導体素子１１と金属膜１３とは、ワイヤ１８及び接続パ
ッド１９Ａを介して電気的に接続する（接続工程）。

【００４９】また、上記接続工程において、接続パッド
１９Ａはワイヤボンディング処理を行なうに足る十分な
面積を有しており、かつ接続パッド１９Ａの下部には金
属基材２１が位置している。ワイヤ１８を接続パッド１
９Ａにボンディングする手段としては、通常超音波溶接
法が用いられるが、上記のように接続パッド１９Ａがワ
イヤボンディング処理を行なうに足る十分な面積を有
し、かつ接続パッド１９Ａの下部にブロック状の金属基
材２１が位置することにより、ワイヤボンディング処理
を確実に行なうことができる。

【００５０】上記の接続工程が終了すると、続いてリー
ドフレーム２０上に半導体素子１１を封止する樹脂パッ
ケージ１２を形成する封止工程が実施される。本実施例
では、樹脂パッケージ１２をモールド成形する方法につ
いて説明するが、ポッティングにより形成することも可
能である。図１１は、接続工程が終了したリードフレー
ム２０をモールド金型に装着して樹脂（梨地で示す）を
モールドした直後の状態を示す図であり、３０はカル，
３１はランナー，３２はゲート部（ゲートに形成された
樹脂）を夫々示している。同図に示されるように、樹脂
パッケージ１２はリードフレーム２０に一括的に複数個
形成される。尚、モールド直後の状態では、複数個形成
された各樹脂パッケージ１２はゲート部３２により連結
した状態となっている。

【００５１】図１２及び図１３は、封止工程が終了した
時点におけるリードフレーム２０を示している。図１２
は１個の半導体装置に対応する樹脂パッケージ１２を拡
大して示しており、図１３はリードフレーム２０の全体
を示している。樹脂パッケージ１２はモールド金型（図
示せず）により所定形状に形成されると共に、リードフ
レーム２０が下型の機能を奏し、凹部２２の内部（具体
的には金属膜１３の内部）にも樹脂は充填されて樹脂突
起１７を形成する。

【００５２】上記した封止工程が終了すると、続いてテ
ープ配設工程が実施される。テープ配設工程では、図１
４に示されるようにリードフレーム２０に形成された複
数の樹脂パッケージ１２の上部に接着テープ等のテープ
部材３３（ハッチングを付して示している）を配設す
る。このテープ部材３３は、ベーステープの一面に接着
剤を塗布した構成とされており、またベーステープは後
に実施される分離工程において用いるエッチング液によ
り損傷を受けない材料により形成されている。このよう
に、複数の樹脂パッケージ１２の上部をテープ部材３３
で連結することにより、リードフレーム２０から各樹脂
パッケージ１２を分離しても、個々の樹脂パッケージ１
２をテープ部材３３により位置規制することができる。

【００５３】尚、このテープ部材３３を配設するタイミ
ングは、樹脂パッケージ１２が形成された後に限定され
るものではなく、例えば封止工程実施前にモールド金型
内に配設しておくことにより、モールド成型された時点
で複数の樹脂パッケージ１２がテープ部材３３により連
結される構成としてもよい。上記したテープ配設工程が
終了すると、続いて樹脂パッケージ１２をリードフレー
ム２０から分離し半導体装置１０Ａを形成する分離工程
が実施される。図１５は分離工程を示しており、同図に
示す例ではリードフレーム２０に対してエッチング液を
噴射することによりリードフレーム２０を溶解し、これ
により樹脂パッケージ１２をリードフレーム２０から分
離させる方法が採用されている。

【００５４】この分離工程で用いられるエッチング液
は、リードフレーム２０のみを溶解し、金属膜１３及び
接続パッド１９Ａは溶解しない特性を有するエッチング
液が選定されている。従って、リードフレーム２０が完
全に溶解されることにより樹脂パッケージ１２はリード
フレーム２０から分離される。上記のように、リードフ
レーム２０を溶解することにより樹脂パッケージ１２を
リードフレーム２０から分離する方法を用いることによ
り、リードフレーム２０からの樹脂パッケージ１２の分
離処理を確実かつ容易に行うことができ、歩留りを向上
することができる。

【００５５】上記のように分離処理が終了した時点で
は、図１６に示されるように、複数の各樹脂パッケージ
１２はゲート部３２により接続された状態であるため、
このゲート部３２を除去するゲートブレイク処理、及び
テープ部材３３を剥離させる処理が実施され、これによ
り図１及び図２に示す半導体装置１０Ａが製造される。
続いて、本発明の第２実施例である半導体装置１０Ｂに
ついて説明する。

【００５６】図１７は、本発明の第２実施例である半導
体装置１０Ｂを示す断面図である。尚、図１７におい
て、図１乃至図３を用いて説明した第１実施例に係る半
導体装置１０Ａと同一構成については、同一符号を付し
てその説明を省略する。また、以下説明する各実施例
（第３実施例〜第７実施例）においても同様とする。前
記した第１実施例では、図１に示したように、半導体素
子１１と接続パッド１９Ａ（１９Ｂ）とを接続する接続
部材としてワイヤ１８を用いていた。これに対し、本実
施例に係る半導体装置１０Ｂは、半導体素子１１と接続
パッド１９Ｂとを接続する接続部材として、半田バンプ
３４（突起電極）を用いたことを特徴とするものであ
る。

【００５７】この半田バンプ３４は半導体素子１１に形
成された電極パッド（図示せず）に形成されており、ま
た金属膜１３に一体的に形成された接続パッド１９Ｂの
形成位置は半田バンプ３４の形成位置に対応する位置に
設定されている。また、半田バンプ３４が形成された半
導体素子１１は、接続パッド１９Ｂにフェイスダウンボ
ンディングすることにより接合され、これにより半導体
素子１１と金属膜１３は電気的に接続される構成とされ
ている。

【００５８】上記のように、半導体素子１１を半田バン
プ３４用いて接続パッド１９Ｂにフェイスダウンボンデ
ィングする構成としたことにより、ワイヤ１８を用いる
構成に比べ、半導体素子１１と金属膜１３までの配線経
路を短くすることができ、電気的特性を向上させること
ができる。よって、半導体素子１１として高速化された
素子を用いても、特性の劣化を伴うことなく確実な動作
を担保することができる。

【００５９】図１８乃至図２１は、本発明の第３実施例
である半導体装置１０Ｃを示している。前記した第１及
び第２実施例に係る半導体装置１０Ａ，１０Ｂは、金属
膜１３の形成位置が半導体素子１１の形成位置を囲繞す
る位置とされていた（図２参照）。これは、第１及び第
２実施例に係る半導体装置１０Ａ，１０Ｂでは、半導体
素子１１と金属膜１３とを電気的に接続するのに、金属
膜１３に一体的に形成された接続パッド１９Ａ（１９
Ｂ）に直接ワイヤ１８をボンディングする構成とされて
いたからである。

【００６０】しかるに、半導体素子１１の形成位置を除
いて金属膜１３を形成する構成では、金属膜１３の面積
を小さくしても半導体素子１１の下面には必然的に金属
膜１３が形成されない領域が形成されてしまい、半導体
装置１０の小型化を有効に図ることができないことは明
白である。また、接続パッド１９Ａ（１９Ｂ）に直接ワ
イヤ１８をボンディングする構成では、金属膜１３の形
成位置がワイヤ１８のボンディング可能な範囲に限定さ
れてしまい（ワイヤ１８の長さにも限界がある）、所望
する任意の位置に金属膜１３を形成することができな
い。

【００６１】そこで本実施例に係る半導体装置１０Ｃで
は、半導体素子１１と金属膜との間に、中継パッド３
５，引き回し用ワイヤ３５，及び配線３９等を介装する
ことにより、金属膜１３の配設位置に自由度を持たせた
ことを特徴とするものである。以下、半導体装置１０Ｃ
の構成について説明する。図１８は半導体装置１０Ｃの
要部を拡大して示す透視図であり、図１９は引き回し用
ワイヤ３７の配設位置で半導体装置１０Ｃを切断した断
面図であり、図２０は配線形成位置を拡大して示す透視
図であり、図２１は配線の配設位置で半導体装置１０Ｃ
を切断した部分断面図である。

【００６２】先ず、本実施例に係る半導体装置１０Ｃの
金属膜１３（１３Ａ）及び樹脂突起１７（３８）の形成
位置に注目する。本実施例では、図１８及び図１９に示
すように、半導体素子１１の下部にも金属膜１３Ａ及び
樹脂突起３８が形成されており、半導体装置１０Ｃを底
面視した場合に金属膜１３（１３Ａ）がマトリックス状
に配設された構成とされている。

【００６３】尚、以下の説明では、樹脂パッケージ１２
の下部で半導体素子１１と対向するよう形成された金属
膜を素子対向金属膜１３Ａといい、また樹脂パッケージ
１２の下部で半導体素子１１と対向するよう形成された
樹脂突起を素子対向樹脂突起３８と称するものとする。
上記のように、金属膜１３及び素子対向金属膜１３Ａを
マトリックス状に配設した場合、金属膜１３及び素子対
向金属膜１３Ａの中には半導体素子１１に形成された電
極パッド１４と直接ワイヤ１８により接続することがで
きないものが存在することとなる。本実施例では、この
ワイヤ１８を直接接続することができない金属膜１３，
素子対向金属膜１３Ａを電極パッド１４と接続するため
に、中継パッド３５，引き回し用ワイヤ３５，及び配線
３９を設けている。

【００６４】まず、中継パッド３５に注目すると、この
中継パッド３５は金属膜１３の形成位置と異なる位置に
形成されている。具体的には、中継パッド３５は、半導
体素子１１に形成された電極パッド１４からワイヤ１８
を張架するのに適した位置に形成されている。この中継
パッド３５の形成位置は、金属膜１３及び素子対向金属
膜１３Ａの形成位置に拘わらず任意に選定することがで
きる。

【００６５】また、引き回し用ワイヤ３７は、図１８及
び図１９に示されるように、中継パッド３５（３５ａ）
と素子対向金属膜１３Ａとを接続するために用いられる
ものである。この引き回し用ワイヤ３７の一端部は、中
継パッド３５ｂに接合されており、他端部は素子対向金
属膜１３Ａに接続パッド１９Ａを介して接続された中継
パッド３５ａに接合されている。更に、中継パッド３５
ａはワイヤ１８により電極パッド１４に接続されてい
る。

【００６６】従って、電極パッド１４と素子対向金属膜
１３Ａは、ワイヤ１８，中継パッド３５ａ，引き回し用
ワイヤ３７，中継パッド３５ｂ，接続パッド１９Ａを介
して電気的に接続された構成となる。これにより、半導
体素子１１の下部に位置する素子対向金属膜１３Ａであ
っても、半導体素子１１に形成された電極パッド１４と
確実に電気的接続を図ることができる。

【００６７】また、引き回し用ワイヤ３７は、半導体素
子１１を搭載する素子搭載工程を実施する前に配設され
る構成とされている。よって、半導体素子１１の下部位
置に配設される引き回し用ワイヤ３７であるが、半導体
素子１１に拘わらず任意にその配設パターンを設定する
ことができる。尚、半導体装置１０Ｃが完成した状態
で、引き回し用ワイヤ３７は素子固定樹脂１５に埋設さ
れることにより固定されており、複数の引き回し用ワイ
ヤ３７を配設した場合であっても、これらが互いに干渉
するようなことはない。

【００６８】よって、本実施例に係る半導体装置１０Ｃ
では、金属膜１３（素子対向金属膜１３Ａを含む）をマ
トリックス状に配置することが可能となり、よって金属
膜１３，１３Ａを高密度に配置することが可能となる。
これにより、金属膜１３，１３Ａ間の隣接ピッチを小ピ
ッチ化することができ、半導体装置１０ｃの小型化及び
多ピン化を図ることができる。

【００６９】続いて、配線３９について、主に図２０及
び図２１を用いて説明する。配線３９は、半導体素子１
１から遠く離間した位置に配設された金属膜１３と中継
パッド３５とを電気的に接続する機能を奏するものであ
る。即ち、この配線３９を設けることにより、半導体素
子１１から遠く離間した位置に配設された金属膜１３で
あっても、配線３９，中継パッド３５，ワイヤ１８を介
して半導体装置１１の電極パッド１４に電気的に接続す
ることができる。

【００７０】この中継パッド３５及び配線３９は、その
形状，長さ等を高い自由度を持って任意に選定すること
が可能である。よって、上記のように半導体素子１１と
金属膜１３との間に中継パット３５及び配線３９を介装
することにより、半導体素子１１から金属膜１３に至る
電気的接続経路を自由度を持って設定することができ
る。これにより、金属膜１３を任意の位置に配置するこ
とが可能となり、よって金属膜１３を効率良く配置（例
えば、本実施例のようにマトリックス状に配置）するこ
とにより、半導体装置１０Ｃの小型化を図ることができ
る。

【００７１】また、配線３９には樹脂パッケージ１２と
係合するスタッドバンプ４０（アンカー部）が形成され
ている。このスタッドバンプ４０は、ワイヤ１８のワイ
ヤーボンディング処理時に合わせて形成することが可能
である。ところで、上記の配線３９は、前記した金属膜
１３を形成するメッキ工程において一括的に形成される
ものであり、その形状としては膜状形状とされている。
また、接続する金属膜１３の配設位置によっては長く延
出形成されるものである。よって、単に樹脂パッケージ
１２に形成した構成では、配線３９は樹脂パッケージ１
２から剥離し易くなる。

【００７２】しかるに、本実施例のように配線３９にス
タッドバンプ４０を設けることによ、このスタッドバン
プ４０は樹脂パッケージ１２対しアンカー効果を奏する
こととなる。よって、配線３９が樹脂パッケージ１２か
ら離脱してしまうことを防止することができ、半導体装
置１０Ｃの信頼性を向上させることができる。尚、本実
施例では配線３９にスタッドバンプ４０を２個配設した
構成を示したが、スタッドバンプ４０の配設個数は任意
に設定することができる。また、スタッドバンプ４０の
形成位置は配線３９に限定されるものではなく、例えば
中継パッド３５に設けることも可能である。このよう
に、中継パッド３５にスタッドバンプ４０を設けた場合
には、中継パッド３５が樹脂パッケージ１２から離脱す
ることを防止することができる。

【００７３】図２２（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第４実
施例である半導体装置１０Ｄ，１０Ｅを示している。図
２２（Ａ）に示される半導体装置１０Ｄは、樹脂パッケ
ージ１２の金属膜１３が形成される面（即ち実装面１
６）に、半導体素子１１と対向するように素子対向樹脂
突起３８を形成したことを特徴とするものである。ま
た、図２２（Ｂ）に示される半導体装置１０Ｅは、樹脂
パッケージ１２の金属膜１３が形成される実装面１６
に、半導体素子１１と対向する素子対向樹脂突起３８
と、半導体素子１１とは対向しない位置に樹脂突起１７
Ａを形成したことを特徴とするものである。このよう
に、樹脂パッケージ１２に素子対向樹脂突起３８及び樹
脂突起１７Ａを形成することにより、実装面１６は凹凸
を有した構成となる。

【００７４】上記の素子対向樹脂突起３８は、半導体素
子１１と対向する位置に形成されるものであるため、素
子固定樹脂１５を用いて形成されている。また、樹脂突
起１７Ａは、半導体素子１１とは対向しない位置に形成
されるものであるため、樹脂パッケージ１２と一体的に
形成されている。本実施例のように、実装面１６に素子
対向樹脂突起３８及び樹脂突起１７Ａを設け凹凸部を形
成することにより、リプレース時においてアンダーフィ
ル樹脂２３を実装基板２５から確実に除去することがで
きる。

【００７５】即ち、半導体装置は、実装基板２５に実装
した後に何らかの理由により不良が発生することがあ
る。この場合には、不良半導体装置を実装基板２５から
取り外し、良品である半導体装置に取り替える（リプレ
ース）する必要がある。この不良半導体装置を実装基板
２５から取り外した際、実装基板２５にアンダーフィル
樹脂２３が残存すると、良品である半導体装置のリプレ
ース前にアンダーフィル樹脂２３を除去する作業が必要
となり、作業効率が低下してしまう。

【００７６】しかるに、本実施例に係る半導体装置１０
Ｄ，１０Ｅは、アンダーフィル樹脂２３と対峙する実装
面１６（金属膜１３が形成される面）に素子対向樹脂突
起３８及び樹脂突起１７Ａが形成されており、よって実
装面１６は凹凸を有した構成となっている。従って、半
導体装置１０Ｄ，１０Ｅをアンダーフィル樹脂２３を用
いて実装基板２５に実装した際、素子対向樹脂突起３８
及び樹脂突起１７Ａはアンダーフィル樹脂２３に食い込
むため、半導体装置１０Ｄ，１０Ｅとアンダーフィル樹
脂２３との接合力は大きくなる。

【００７７】このため、上記のように半導体装置１０
Ｄ，１０Ｅを実装基板２５からやむなくリプレースする
場合において、半導体装置１０Ｄ，１０Ｅを実装基板２
５からの取り外した際、アンダーフィル樹脂２３は半導
体装置側１０Ｄ，１０Ｅに接合した状態を維持する。よ
って、アンダーフィル樹脂２３は半導体装置側１０Ｄ，
１０Ｅと共に除去され、実装基板２５側にアンダーフィ
ル樹脂２３が残存するようなことはない。これにより、
実装基板２５に付着したアンダーフィル樹脂２３を除去
する作業は不要となり、新たな半導体装置１０Ｄ，１０
Ｅの搭載処理を容易に行なうことができる。

【００７８】図２３は、本発明の第５実施例である半導
体装置１０Ｆを示している。上記した各実施例では、金
属膜１３の配設ピッチと、半導体素子１１に形成された
電極パッド１４との配設ピッチとは必ずしも同一ではな
かった。これに対し、本実施例に係る半導体装置１０Ｆ
は、金属膜１３の配設ピッチ（Ｐ１）と電極パッド１４
の配設ピッチＰ２を略同一（Ｐ１＝Ｐ２）としたことを
特徴とするもである。尚、各金属膜１３と電極パッド１
４とはワイヤ１８により接続されている。

【００７９】本実施例の構成では、半導体素子１１をベ
アチップ状態で実装する場合に比べては若干実装面積が
大きくなるが、樹脂パッケージ１２を半導体素子１１と
略等しい大きさとすることができる。よって、半導体装
置１０Ｆをベアチップ実装と同様にチップボンダを用い
て実装処理を行なうことが可能となり、実装処理の効率
化を図ることができる。また、本実施例の構成では、ワ
イヤ１８の配線長も短くなるため、電気的特性を向上さ
せることができ、高速半導体素子１１に対応することが
可能となる。

【００８０】図２４は、本発明の第６実施例である半導
体装置１０Ｇを示している。上記した各実施例では、樹
脂突起１７の形成を円錐形状とした。しかるに、樹脂突
起の形状は円錐形状に限定されるものではなく、小面積
化を実現でき、かつ所定の機械的強度を有する形状であ
れば、他の形状を作用することも可能である。そこで、
本実施例では、樹脂突起として円柱形状を有した円柱状
樹脂突起４２を用いたことを特徴とするものである。

【００８１】本実施例の構成としても、前記した各実施
例と同様の効果を実現することができ、また円錐形状の
樹脂突起１７に対しては、特に先端部における機械的強
度を向上させることができる。尚、樹脂突起（金属膜）
の形状は、前記した円錐形状及び円柱形状に限定される
ものではなく、例えば図２９（Ａ）に示されるように、
四角錐形状の樹脂突起１７Ａ（金属膜１３Ｂ）として
も、また図２９（Ｂ）に示されるように、四角錐台形状
の樹脂突起１７Ｂ（金属膜１３Ｃ）としても、更には図
２９（Ｃ）に示されるように、切妻形状の樹脂突起１７
Ｃ（金属膜１３Ｄ）としてもよい。

【００８２】図２５は、本発明の第７実施例である半導
体装置１０Ｈを示している。上記した各実施例では、金
属膜１３に接続パッド１９Ａ，１９Ｂを形成し、この接
続パッド１９Ａ，１９Ｂにワイヤ１８を接続する構成と
されていた。これに対し、本実施例に係る半導体装置１
０Ｈは、ワイヤ１８を金属膜１３の内部に接続した構成
としたことを特徴とするものである。

【００８３】但し、本実施例に係る半導体装置１０Ｈで
は、従来の半導体装置１１０（図２８参照）のように金
属膜１１３の面積を広くすることなく、円錐形状を有し
た金属膜１３に対しワイヤ１８を接続する構成としてい
る。このワイヤ１８を金属膜１１３に接続する方法とし
ては、例えばワイヤボンディング装置を用いて金属膜１
３の上縁部にワイヤ１８を仮止めした後、レーザ照射を
行なうことによりワイヤ１８を溶融させ、金属膜１３に
接合する方法等が考えられる。

【００８４】図３０は、本発明の第８実施例である半導
体装置１０Ｉを示している。上記した各実施例では、ア
ンダーフィル樹脂２３として熱硬化性樹脂を用いた例を
説明した。これに対し、本実施例に係る半導体装置１０
Ｉは、樹脂パッケージ１２の金属膜１３が形成される面
に、熱可塑性樹脂よりなる熱可塑性アンダーフィルレジ
ン２３Ａを配設したことを特徴とするものである。

【００８５】従来、アンダーフィル樹脂は、ベアチップ
状の半導体素子を実装基板にフリップチップ実装した後
に、半導体素子と実装基板との間隙部分に充填すること
が行なわれていた。また、アンダーフィル樹脂として
は、上記した各実施例と同様に熱硬化性樹脂を用いるの
が一般的であった。従来において、アンダーフィル材と
して熱硬化性樹脂を用いてした理由は、熱可塑性樹脂は
溶融時の粘度が熱硬化性樹脂の溶融時の粘度よりも大き
いため、仮にアンダーフィル材として用いると実装時に
大きな圧力が必要となり、半導体素子の実装端子の付け
根、即ち半導体素子の回路面が損傷するおそれがあるか
らである。よって、従来ではアンダーフィル材として熱
硬化性樹脂を用いていた。

【００８６】しかるに、周知のように熱硬化性樹脂は一
端硬化した後は加熱しても軟化することはない。このた
め、例えば半導体装置を実装した後に半導体素子に不良
が発見された場合等は、個々の半導体装置を実装基板か
ら取り外す（リワーク）することができず、実装基板全
体を取り替えることが行なわれていた。また、不良半導
体装置が存在する実装基板は、半導体素子や実装基板が
安価な場合には、多数の良品半導体装置が実装基板に実
装された状態であっても、１個の不良半導体装置の為に
廃棄されていた。

【００８７】これに対し、本実施例に係る半導体装置１
０Ｉは、半導体素子１１が樹脂パッケージ１２に封止さ
れた構成であるため、高い圧力にある程度耐えることが
できる。よって、本実施例に係る半導体装置１０Ｉで
は、アンダーフィル材として熱可塑性樹脂よりなる熱可
塑性アンダーフィルレジン２３Ａを用いることが可能と
なった。

【００８８】これにより、一端実装した後においても、
昇温することにより熱可塑性アンダーフィルレジン２３
Ａは可塑化し、半導体装置１０Ｉを実装基板２５から容
易にリワークすることができる。よって、不良が発生し
た半導体装置のみをリワークすることが可能となり、実
装基板２５全体を廃棄する必要が無くなるため、安価な
半導体素子や安価な実装基板を用いた場合でもリワーク
を可能とすることができる。

【００８９】図３１は、熱可塑性アンダーフィルレジン
２３Ａの配設方法を示している。同図では、熱可塑性ア
ンダーフィルレジン２３Ａをノズルから樹脂パッケージ
１２に滴下するポッティング法を用いている例を示して
いる。このように、熱可塑性アンダーフィルレジン２３
Ａは、従来の熱硬化性のアンダーフィル樹脂を配設する
方法と同様にして配設することができる。また、ポッテ
ィング法に限定されることなく、金型を使用したモール
ド法を用いても配設することができる。

【００９０】尚、図３０に示す例では、金属膜１３が熱
可塑性アンダーフィルレジン２３Ａより突出した構成と
したものを例に挙げて説明したが、金属膜１３が熱可塑
性アンダーフィルレジン２３Ａに埋まった状態とするこ
とも可能である。但し、この場合には、半導体装置１０
Ｉを実装基板２５に向け押圧した際に、金属膜１３が熱
可塑性アンダーフィルレジン２３Ａを突き破り実装基板
２５の実装電極２６に接続できるよう、熱可塑性アンダ
ーフィルレジン２３Ａの厚さを設定する必要がある。

【００９１】また、上記した実施では、熱可塑性アンダ
ーフィルレジン２３Ａを予め樹脂パッケージ１２に配設
しておき、この熱可塑性アンダーフィルレジン２３Ａが
配設された半導体装置１０Ｉを実装基板２５に実装する
構成とした。しかるに、熱可塑性アンダーフィルレジン
２３Ａが配設されていない状態の半導体装置１０Ｉを先
ず実装基板２５にフリップチップ実装し、その後に半導
体装置１０Ｉと実装基板２５との間隙部分に熱可塑性ア
ンダーフィルレジン２３Ａを充填する構成としてもよ
い。この構成としても、上記したと同様の効果を実現す
ることができる。

【００９２】

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、下記の種々
の効果を実現することができる。請求項１及び請求項２
記載の発明によれば、金属膜の小面積化を図ることが可
能となり、よって隣接する金属膜間のピッチを小さくす
ることができるため、樹脂パッケージに金属膜を高密度
に配設することができる。

【００９３】また、接続パッドは樹脂パッケージに係止
された状態となるため、金属膜が小面積化されても、接
続パッドは樹脂パッケージに対しアンカー効果を発生
し、よって金属膜が樹脂パッケージから離脱することを
防止することができる。また、請求項３記載の発明によ
れば、樹脂突起の形状を円柱状または先端の尖った円錐
形状としたことにより、樹脂突起を有効に小面積化する
ことができる。

【００９４】また、請求項４記載の発明によれば、半導
体素子から金属膜に至る電気的接続経路に自由度を持た
せることができ、これにより金属膜を任意の位置に配置
することが可能となるため半導体装置の小型化を図るこ
とができる。また、配線には樹脂パッケージと係合する
アンカー部が形成されているため、配線が樹脂パッケー
ジから離脱してしまうことを防止でき、半導体装置の信
頼性を向上させることができる。

【００９５】また、請求項５記載の発明によれば、半導
体装置を実装基板からリプレースする際、アンダーフィ
ル樹脂は半導体装置と共に除去されるため、新たな半導
体装置の搭載処理を容易に行なうことができる。また、
請求項６記載の発明によれば、金属膜を半導体素子の下
部を含めマトリックス状に配置することができるため、
金属膜を高密度に配置することが可能となり、これに伴
い金属膜間のピッチも小ピッチ化することができるた
め、半導体装置の小型化，多ピン化を図ることができ
る。

【００９６】また、請求項７記載の発明によれば、実装
時において半導体装置を実装基板にフリップチップ実装
することが可能となり、よって、導体素子と実装基板と
の間の配線長を短くすることができ、電気的特性の向上
を図ることができる。また、請求項８記載の発明によれ
ば、ワイヤボンディング技術を用いて半導体素子と接続
パッド、或いは半導体素子と中継パットとを接続するこ
とができるため、接続処理を容易に行なうことができ
る。

【００９７】また、請求項９記載の発明によれば、接続
部材を突起電極とし、半導体素子を接続パッドにフェイ
スダウンボンディングする構成としたことにより、半導
体素子と接続パッドとの間における電気的特性を向上さ
せることができる。また、請求項１０及び１２記載の発
明によれば、熱硬化性樹脂よりなるアンダーフィル樹脂
は昇温させることにより可塑化するため、実装後におけ
る半導体装置のリワークを容易とすることができる。

【００９８】更に、請求項１１記載の発明によれば、金
属膜が小面積化され高密度配設されても、アンダーフィ
ル樹脂の接合力により半導体装置と実装基板を確実に接
合することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例である半導体装置の断面図
である。

【図２】本発明の第１実施例である半導体装置の底面図
である。

【図３】接続パッドを説明するための図である。

【図４】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図であり、リードフレーム形成工程
を説明するための図である（その１）。

【図５】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図であり、リードフレーム形成工程
を説明するための図である（その２）。

【図６】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図であり、リードフレーム形成工程
を説明するための図である（その３）。

【図７】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図であり、リードフレーム形成工程
を説明するための図である（その４）。

【図８】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図であり、リードフレーム形成工程
を説明するための図である（その５）。

【図９】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図であり、素子搭載工程を説明する
ための図である。

【図１０】本発明の第１実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図であり、接続工程を説明するた
めの図である。

【図１１】本発明の第１実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図であり、封止工程を説明するた
めの図である。

【図１２】封止工程が終了したリードフレームを示す断
面図である。

【図１３】封止工程が終了したリードフレームを示す平
面図及び側面図である。

【図１４】本発明の第１実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図であり、テープ配設工程を説明
するための図である。

【図１５】本発明の第１実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図であり、分離工程を説明するた
めの図である。

【図１６】分離工程が終了した半導体装置を示す平面図
及び側面図である。

【図１７】本発明の第２実施例である半導体装置を説明
するための図である。

【図１８】本発明の第３実施例である半導体装置を説明
するための図である（その１）。

【図１９】本発明の第３実施例である半導体装置を説明
するための図である（その２）。

【図２０】本発明の第３実施例である半導体装置を説明
するための図である（その３）。

【図２１】本発明の第３実施例である半導体装置を説明
するための図である（その４）。

【図２２】本発明の第４実施例である半導体装置を説明
するための図である。

【図２３】本発明の第５実施例である半導体装置を説明
するための図である。

【図２４】本発明の第６実施例である半導体装置を説明
するための図である。

【図２５】本発明の第７実施例である半導体装置を説明
するための図である。

【図２６】従来の半導体装置の一例を説明するための図
である。

【図２７】従来の半導体装置の一例を説明するための図
である。

【図２８】従来の半導体装置の一例を説明するための図
である。

【図２９】樹脂突起（金属膜）の形状の変形例を示す図
である。

【図３０】本発明の第８実施例である半導体装置を説明
するための図（その１）である。

【図３１】本発明の第８実施例である半導体装置を説明
するための図（その２）である。

【符号の説明】

１０Ａ〜１０Ｉ 半導体装置 １１ 半導体素子 １２ 樹脂パッケージ １３，１３Ｂ〜１３Ｄ 金属膜 １３Ａ 素子対向金属膜 １４ 電極パッド １５ 素子固定樹脂 １７，１７Ａ〜１７Ｃ 樹脂突起 １８ ワイヤ １９Ａ，１９Ｂ 接続パッド ２０ リードフレーム ２１ 金属基材 ２２ 凹部 ２３ アンダーフィル樹脂 ２３Ａ 熱可塑性アンダーフィルレジン ２４ メッキレジスト ２５ 実装基板 ２７ プレス型 ３３ テープ部材 ３４ 半田バンプ ３５ 中継パッド ３７ 引き回し要ワイヤ ３８ 素子対向樹脂突起 ３９ 配線 ４１ ワイヤ接続部 ４２ 円錐状樹脂突起

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小野寺 正徳 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 門間 修一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 中世古 進也 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 穂積 孝司 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 米田 義之 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 埜本 隆司 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子と、 該半導体素子を封止する樹脂パッケージと、 該樹脂パッケージの実装側面に突出形成された樹脂突起
   と、 該樹脂突起に配設された複数の金属膜と、 前記半導体素子上の電極パッドと前記金属膜とを電気的
   に接続する接続部材とを具備してなる半導体装置にあっ
   て、 前記金属膜に略水平方向に延出する接続パッドを形成
   し、該接続パッドに前記接続部材を接続する構成とした
   ことを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 半導体素子と、 該半導体素子を封止する樹脂パッケージと、 該樹脂パッケージの実装側面に突出形成された樹脂突起
   と、 該樹脂突起に配設された複数の金属膜と、 前記半導体素子上の電極パッドと前記金属膜とを電気的
   に接続する接続部材とを具備してなる半導体装置にあっ
   て、 前記金属膜に鍔状の接続パッドを形成し、該接続パッド
   に前記接続部材を接続する構成としたことを特徴とする
   半導体装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置にお
   いて、 前記樹脂突起の形状を円柱状または先端の尖った円錐形
   状としたことを特徴とする半導体装置。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の半導
   体装置において、 前記接続部材が接続される中継パッドと、 該中継パッドと前記金属膜とを接続する配線と、 該配線に形成され前記樹脂パッケージと係合するアンカ
   ー部とを設けたことを特徴とする半導体装置。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の半導
   体装置において、 前記樹脂パッケージの前記金属膜が形成される面に、凹
   凸部を形成したことを特徴とする半導体装置。
6. 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれかに記載の半導
   体装置において、 前記接続部材が接続される中継パッドと、 前記半導体素子と対向する位置に設けられた素子対向樹
   脂突起に形成された素子対向金属膜と、 前記中継パッドと前記素子対向金属膜とを接続するワイ
   ヤとを設けたことを特徴とする半導体装置。
7. 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれかに記載の半導
   体装置において、 前記金属膜の配設ピッチと、前記半導体素子上の電極パ
   ッドの配設ピッチを略同一としたことを特徴とする半導
   体装置。
8. 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれかに記載の半導
   体装置において、 前記接続部材がワイヤであることを特徴とする半導体装
   置。
9. 【請求項９】 請求項１乃至７のいずれかに記載の半導
   体装置において、 前記接続部材が突起電極であり、前記半導体素子を前記
   接続パッドにフェイスダウンボンディングしてなること
   を特徴とする半導体装置。
10. 【請求項１０】 請求項１乃至９のいずれかに記載の半
    導体装置において、 前記樹脂パッケージの前記金属膜が形成された面に、熱
    可塑性樹脂よりなるアンダーフィル樹脂を配設したこと
    を特徴とする半導体装置。
11. 【請求項１１】 請求項１乃至９のいずれかに記載の半
    導体装置を実装基板に実装する半導体装置の実装構造に
    おいて、 前記半導体装置と前記実装基板との間に熱硬化性のアン
    ダーフィル樹脂を介装してなることを特徴とする半導体
    装置の実装構造。
12. 【請求項１２】 請求項１乃至９のいずれかに記載の半
    導体装置を実装基板に実装する半導体装置の実装構造に
    おいて、 前記半導体装置と前記実装基板との間に熱可塑性のアン
    ダーフィル樹脂を介装してなることを特徴とする半導体
    装置の実装構造。