JP6369875B2 - チップ抵抗器 - Google Patents

Description

本発明は、チップ抵抗器に関する。

最近、電子機器の小型化及び軽量化に対する要求が次第に増大するにつれて、回路基板の配線密度を高くするためにチップ形状の抵抗器が多く用いられている。

電子機器の要求電力が高くなり、回路内の電流検出用チップ抵抗器の需要が増加するにつれて、低い抵抗値を有しながらも高い精度を有するチップ抵抗器が求められている。しかしながら、通常、チップ抵抗器は、抵抗値が低くなるほど精度が低くなるという特性を有する。

韓国公開特許第１０−２０１４−００２３８１９号公報

本発明の目的は、低い抵抗値を有しながらも高い精度を有するチップ抵抗器を提供することである。

本発明の一実施例によるチップ抵抗器は、基板と、上記基板の一面上に配置された第１の電極と、上記基板の一面上に上記第１の電極と分離されるように配置された第２の電極と、上記第１の電極と上記第２の電極を電気的に連結する第１の抵抗体と、上記第１の電極と上記第２の電極を電気的に連結する第２の抵抗体と、を含み、上記第１の電極と上記第２の電極の温度が異なるとき、上記第１の抵抗体で発生する熱起電力（ｔｈｅｒｍｏ ｅｌｅｃｔｒｏｍｏｔｉｖｅ ｆｏｒｃｅ）は上記第２の抵抗体で発生する熱起電力より小さく、上記第２の抵抗体の抵抗温度係数（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ、ＴＣＲ）は上記第１の抵抗体の抵抗温度係数より小さければよい。

本発明の一実施例によるチップ抵抗器は、基板と、上記基板の一面上に配置された第１の電極と、上記基板の一面上に上記第１の電極と分離されるように配置された第２の電極と、それぞれ上記基板の一面上に配置され、上記第１の電極と上記第２の電極を電気的に連結し、互いに並列である複数の抵抗体と、を含み、上記複数の抵抗体のうち少なくとも一つは、溝（ｇｒｏｏｖｅ）を有し、残りの抵抗体の平均抵抗温度係数（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ、ＴＣＲ）より低い平均抵抗温度係数を有することができる。

本発明の一実施例によるチップ抵抗器は、低い抵抗値を有しながらも高い精度を有することができる。

本発明の一実施例によるチップ抵抗器を示した図である。 本発明の一実施例によるチップ抵抗器の抵抗体に形成された溝を例示した図である。 本発明の一実施例によるチップ抵抗器の抵抗体の配置を示した図である。 本発明の一実施例によるチップ抵抗器の抵抗体の配置を示した背面図である。 図４ａに示されたチップ抵抗器の斜視図である。 本発明の一実施例によるチップ抵抗器の側面を示した図である。 本発明の一実施例による、両面に抵抗体が配置されたチップ抵抗器の側面を示した図である。 本発明の一実施例によるチップ抵抗器の３端子の形態を示した図である。 第２の抵抗体のニッケル（Ｎｉ）の比率によるＴＣＲ及び抵抗を示したグラフである。 第１及び第２の抵抗体のＴＣＲを例示したグラフである。 本発明の一実施例によるチップ抵抗器の製造方法を示したフローチャートである。

以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。

図１は、本発明の一実施例によるチップ抵抗器を示した図である。

図１を参照すると、本発明の一実施例によるチップ抵抗器は、基板１１０、第１の電極１２１、第２の電極１２２、第１の抵抗体１３１及び第２の抵抗体１３２を含むことができる。

基板１１０は、電極と抵抗体の実装のための空間を提供することができる。例えば、上記基板１１０は、セラミック材料からなる絶縁性基板であり得る。上記セラミック材料はアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）であり得るが、絶縁性、放熱性、抵抗体との密着性に優れた材料であれば特に制限されない。

第１の電極１２１は、基板１１０の一面上に配置されることができる。

第２の電極１２２は、基板１１０の一面上で第１の電極１２１に対して離隔して配置されることができる。

例えば、上記第１及び第２の電極１２１、１２２は、銅、銅合金を利用して低い抵抗値に具現されることができる。

第１の抵抗体１３１と第２の抵抗体１３２はそれぞれ基板１１０の一面上で第１の電極１２１と第２の電極１２２の間を電気的に連結させることができる。即ち、上記第１の抵抗体１３１と第２の抵抗体１３２は、第１及び第２の電極１２１、１２２に対して並列に連結されることができる。

例えば、上記第１の抵抗体１３１と基板１１０の間及び上記第２の抵抗体１３２と基板１１０の間には、上記第１及び第２の抵抗体１３１、１３２の焼成時に接着力を高くするための接着剤が付着されることができる。例えば、上記接着剤は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）などの樹脂材料でもよく、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）又は銅−ニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）を含み熱放出性に優れた材料でもよい。

ここで、上記第１及び第２の抵抗体１３１、１３２は、焼成時、イオン性（ｉｏｎｉｃ）拡散接合によって合金化して基板１１０に結合されることができる。

また、上記第１の抵抗体１３１の熱特性と上記第２の抵抗体１３２の熱特性は異なり得る。

即ち、上記第１の抵抗体１３１に所定の温度条件で発生する熱起電力（ｔｈｅｒｍｏ ｅｌｅｃｔｒｏｍｏｔｉｖｅ ｆｏｒｃｅ）は、上記第２の抵抗体１３２に所定の温度条件で発生する熱起電力より小さければよい。ここで、熱起電力は、材料の両接続点の温度が異なる値のときに発生する起電力を意味する。したがって、所定の温度条件は、抵抗体における特定の地点間の温度差を含むことができる。ここで、上記特定の地点はそれぞれ上記第１の抵抗体１３１の第１又は第２の電極１２１、１２２に対する接点であり得るが、特に制限されない。

上記第１及び第２の抵抗体１３１、１３２の総抵抗値は、上記第１の抵抗体１３１に対するトリミング（ｔｒｉｍｍｉｎｇ）作業によって微細調整されることができる。ここで、トリミング作業は、抵抗体に対して溝（ｇｒｏｏｖｅ）を形成しながら抵抗体の抵抗値を同時に測定する間に上記抵抗値が目標抵抗値に近づく場合に溝の形成を中断させることにより、抵抗体の抵抗値を調整する作業を意味する。これにより、本発明の一実施例によるチップ抵抗器の精度は高くなることができる。

ここで、トリミング作業の遂行対象抵抗体は、所定の熱条件で発生する熱起電力の低い材料である必要がある。上記トリミング作業では、通常、溝を形成しながら熱を発散し得る。抵抗体に発散される熱は、抵抗体に熱起電力をもたらす可能性がある。上記熱起電力は、抵抗体の抵抗値測定過程で歪みをもたらす可能性がある。

したがって、上記第１の抵抗体１３１の所定の熱条件で発生する熱起電力が低いほど、本発明の一実施例によるチップ抵抗器の精度は高くなることができる。

例えば、上記第１の抵抗体１３１は、熱起電力特性のために銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）を含むことができる。

しかしながら、通常、所定の熱条件で発生する熱起電力が低い抵抗体は、温度変化による抵抗値の変化率を示す抵抗温度係数（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ、ＴＣＲ）が高い。即ち、上記第１の抵抗体１３１の抵抗温度係数は高い。

もし、上記第１及び第２の抵抗体１３１、１３２の総抵抗温度係数が高ければ、上記第１及び第２の抵抗体１３１、１３２の精度は低くなる可能性がある。また、抵抗温度係数の上記精度に対する影響は、上記第１及び第２の抵抗体１３１、１３２の抵抗値が小さいほどより大きくなる。したがって、上記第１及び第２の抵抗体１３１、１３２の抵抗値が１００ｍΩ以下の場合、上記第１及び第２の抵抗体１３１、１３２の総抵抗温度係数は低くなる必要がある。

上記第２の抵抗体１３２はトリミング作業の遂行対象抵抗体でなくてもよい。また、上記第２の抵抗体１３２に対してトリミング作業が行われるとしても、その後、上記第１の抵抗体１３１に対するトリミング作業を通じて最終総抵抗値が調整されることができる。したがって、上記第２の抵抗体１３２は、所定の熱条件で発生する熱起電力が低い特性を有しなくてもよい。抵抗体において熱起電力特性と抵抗温度係数特性は相反関係（ｔｒａｄｅ−ｏｆｆ）にあり得る。

したがって、上記第２の抵抗体１３２の抵抗温度係数は上記第１の抵抗体１３１の抵抗温度係数より低ければよい。これにより、上記第１及び第２の抵抗体１３１、１３２の総抵抗温度係数は上記第１の抵抗体１３１の抵抗温度係数より低くなることができる。

例えば、上記第２の抵抗体１３２は銅−ニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）を含むことができる。即ち、上記第２の抵抗体１３２は、コンスタンタン（ｃｏｎｓｔａｎｔａｎ）、マンガニン（ｍａｎｇａｎｉｎ）、ニクロム（ｎｉｃｈｒｏｍｅ）などの温度係数の低い材料を含み、抵抗温度係数を低くすることができる。したがって、上記第２の抵抗体１３２は、銅−ニッケル−マンガン（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｍｎ）やニッケル−クロム（Ｎｉ−Ｃｒ）のような材料を含むこともできる。

これにより、本発明の一実施例によるチップ抵抗器は、低い抵抗値を有しながらも高い精度に具現されることができる。

図２は、本発明の一実施例によるチップ抵抗器の抵抗体に形成された溝を例示した図である。

図２を参照すると、本発明の一実施例によるチップ抵抗器は、基板２１０、第１の電極２２１、第２の電極２２２、第１の抵抗体２３１及び第２の抵抗体２３２を含むことができる。

上記第１の抵抗体２３１は溝（ｇｒｏｏｖｅ）を有することができる。例えば、上記溝はレーザによって形成されることができる。上記レーザは上記第１の抵抗体２３１の端に到達して上記端から溝を形成することができる。このとき、上記レーザは上記第１の抵抗体２３１の中心に徐々に移動しながら溝の長さを延ばすことができる。

上記溝の長さが長くなるにつれて、上記第１の抵抗体２３１の抵抗値は大きくなり得る。上記第１の抵抗体２３１を３個の直列連結された抵抗体とみなす場合、中央の抵抗体の断面積は小さくなり得る。ここで、中央の抵抗体の断面積が小さくなるほど中央の抵抗体の抵抗値は大きくなり得る。これにより、全ての抵抗体の抵抗値は大きくなり得る。

上記第１の抵抗体２３１の抵抗値が目標抵抗値に近づく場合、上記レーザは移動方向を変更することができる。上記レーザの移動方向が変更された後の上記溝の長さが長くなることによる上記第１の抵抗体２３１の抵抗値の上昇率は、上記レーザの移動方向が変更される前の上記溝の長さが長くなることによる上記第１の抵抗体２３１の抵抗値の上昇率より低くなることができる。したがって、上記レーザの移動方向が変更された後、上記第１の抵抗体２３１の抵抗値はより精密に調整されることができる。

ここで、上記溝はＬ形状を有することができる。また、上記溝の形成過程で第２の抵抗体２３２が受ける影響を減らすために、上記溝は、上記第１の抵抗体から上記第２の抵抗体に向かう方向の逆方向の端に形成されることができる。

図３は、本発明の一実施例によるチップ抵抗器の抵抗体の配置を示した図である。

図３を参照すると、本発明の一実施例によるチップ抵抗器は、基板３１０、第１の電極３２１、第２の電極３２２、第１の抵抗体３３１及び第２の抵抗体３３２ａ、３３２ｂを含むことができる。

通常、抵抗体は、抵抗温度係数が低いほど熱放出性に優れた特性を有することができる。したがって、上記第２の抵抗体３３２ａ、３３２ｂの熱放出性は、第１の抵抗体３３１の熱放出性より優れる。

したがって、第１の抵抗体３３１は第２の抵抗体３３２ａ、３３２ｂの間に配置されることができる。これにより、第１の抵抗体３３１に電流が流れることにより発生する熱は、第２の抵抗体３３２ａ、３３２ｂを通じて効率的に分散されることができる。

図４ａは、本発明の一実施例によるチップ抵抗器の抵抗体の配置を示した背面図である。

図４ｂは、図４ａに示されたチップ抵抗器の斜視図である。

図４ａ及び図４ｂを参照すると、本発明の一実施例によるチップ抵抗器は、基板４１０、第１の電極４２１、第２の電極４２２、第１の抵抗体４３１及び第２の抵抗体４３２ａ、４３２ｂを含むことができる。

第１の抵抗体４３１と第２の抵抗体４３２ａ、４３２ｂは薄膜（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ）に具現されることができる。したがって、上記第１の抵抗体４３１と第２の抵抗体４３２ａ、４３２ｂの幅（ｘ方向の長さ）が長かったり長さ（ｙ方向の長さ）が短いほど、上記第１の抵抗体４３１と第２の抵抗体４３２ａ、４３２ｂの抵抗値は小さくなることができる。

上記第１の抵抗体４３１と第２の抵抗体４３２ａ、４３２ｂの幅（ｘ方向の長さ）が長くなるために、上記第１の抵抗体４３１と上記第２の抵抗体４３２ａ、４３２ｂは接することができる。これにより、本発明の一実施例によるチップ抵抗器は、１００ｍΩ以下の抵抗値に容易に具現されることができる。

ここで、上記第１の抵抗体４３１と第２の抵抗体４３２ａ、４３２ｂを流れる電流によって発生する熱の効率的な分散のために、第１の抵抗体４３１と第２の抵抗体４３２ａ、４３２ｂが交互に繰り返し配列されることができる。

一方、第１及び第２の電極４２１、４２２は、基板４１０の側面を覆うように形成されることができる。これについては、図５を参照して下面電極を説明するときに共に説明する。

図５は、本発明の一実施例によるチップ抵抗器の側面を示した図である。

図５を参照すると、本発明の一実施例によるチップ抵抗器は、基板５１０、第１の電極５２１、第２の電極５２２、抵抗体５３０、第１の上面電極５４１、第２の上面電極５４２、保護層５５０、第１の下面電極５６１、第２の下面電極５６２、第１の金属カバー５７１及び第２の金属カバー５７２を含むことができる。

第１及び第２の上面電極５４１、５４２は、第１の電極５２１、第２の電極５２２、抵抗体５３０のうち少なくとも一つの上面に配置されることができる。もし、上記第１及び第２の上面電極５４１、５４２がそれぞれ第１及び第２の電極５２１、５２２上に配置される場合、上記第１及び第２の上面電極５４１、５４２は、第１及び第２の電極５２１、５２２が外部から電流を受けたり外部に電流を与えるための配線の役割を行うことができる。もし、第１及び第２の上面電極５４１、５４２が抵抗体５３０上に配置される場合、上記第１及び第２の上面電極５４１、５４２は、金属の特性である高い熱伝導度を利用して抵抗体５３０で発生した熱を効率的に発散させることができる。

保護層５５０は、第１の電極５２１、第２の電極５２２、抵抗体５３０、第１の上面電極５４１及び第２の上面電極５４２のうち少なくとも一つの上面をカバーすることができる。例えば、上記保護層５５０は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）、フェノール樹脂、ガラス（ｇｌａｓｓ）材質などに具現され、チップ抵抗器を外部の物理的衝撃から保護することができる。

第１及び第２の下面電極５６１、５６２はそれぞれ第１及び第２の電極５２１、５２２の配置を補助することができる。例えば、基板５１０の両側面にＵ形状の第１及び第２の金属カバー５７１、５７２が嵌ることができる。上記第１及び第２の金属カバー５７１、５７２は、第１及び第２の電極５２１、５２２を押して固定させることができる。このとき、上記第１及び第２の下面電極５６１、５６２は、基板５１０の他面に予め形成され、上記第１及び第２の金属カバー５７１、５７２によって押されることができる。これにより、第１及び第２の電極５２１、５２２は安定的に固定されることができる。また、上記第１及び第２の下面電極５６１、５６２と第１及び第２の電極５２１、５２２の総面積が広くなるにつれて、第１及び第２の電極５２１、５２２の抵抗値はより低くなることができる。これにより、本発明の一実施例によるチップ抵抗器の総抵抗値はより低くなることができる。

図６は、本発明の一実施例による、両面に抵抗体が配置されたチップ抵抗器の側面を示した図である。

図６を参照すると、本発明の一実施例によるチップ抵抗器は、基板５１０、第１の電極５２１、第２の電極５２２、第１の抵抗体５３１、第２の抵抗体５３２、第１の上面電極５４１、第２の上面電極５４２、第１の保護層５５１、第２の保護層５５２、第１の下面電極５６１及び第２の下面電極５６２、第１の金属カバー５７１及び第２の金属カバー５７２を含むことができる。

第１の抵抗体５３１は、基板５１０の一面上に配置されて第１及び第２の電極５２１、５２２に直接的に連結されることができる。上記第１の抵抗体５３１の一面には第１の保護層５５１が形成されることができる。

第２の抵抗体５３２は、基板５１０の他面上に配置されて第１及び第２の下面電極５６１、５６２に直接的に連結されることができる。上記第２の抵抗体５３２の一面には第２の保護層５５２が形成されることができる。

第１の電極５２１と第１の下面電極５６１が第１の金属カバー５７１を介して電気的に連結され、第２の電極５２２と第２の下面電極５６２が第２の金属カバー５７２を介して電気的に連結されることができる。これにより、基板５１０の一面上に配置された第１の抵抗体５３１と基板５１０の他面上に配置された第２の抵抗体５３２は並列関係にあり得る。

第１の抵抗体５３１と第２の抵抗体５３２が基板５１０の互いに異なる面に配置されることにより、基板５１０の幅は短くなることができる。また、互いに異なる成分を含む第１及び第２の抵抗体５３１、５３２が形成されるとき、相互間に与える影響は減少することができる。

図７は、本発明の一実施例によるチップ抵抗器の３端子の形態を示した図である。

図７を参照すると、本発明の一実施例によるチップ抵抗器は、基板６１０、第１の電極６２１、第２の電極６２２、第３の電極６２３、第１の抵抗体６３１、第２の抵抗体６３２及び第３の抵抗体６３３を含むことができる。

第３の電極６２３は、基板６１０の一面上で第１及び第２の電極６２１、６２２に対して離隔して配置されることができる。例えば、上記第３の電極６２３は、第１及び第２の電極６２１、６２２と同一の材料、形態及び方法で具現されることができる。

第３の抵抗体６３３は、第３の電極６２３と第２の電極６２２の間を電気的に連結させることができる。

第３の電極６２３は、外部で第１の電極６２１に電気的に連結され、第１の電極６２１に対する予備電極の役割を行うことができる。もし、第１の電極６２１が製造過程で発生した不良や使用過程で発生した衝撃によって外部から断絶された場合、上記第３の電極６２３は第１の電極６２１の役割を代わりに行うことができる。

したがって、第３の抵抗体６３３は、第１及び第２の抵抗体６３１、６３２と同一の特性を有するために、熱特性が互いに異なる複数の抵抗体に具現されることもできる。

図８は、第２の抵抗体のニッケル（Ｎｉ）の比率によるＴＣＲ及び抵抗を示したグラフである。

図８を参照すると、横軸のＣＮの後の数字は、銅−ニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）のうちニッケル（Ｎｉ）の比率に１００をかけた数字を示す。また、縦軸のＴＣＲは、抵抗温度係数をｐｐｍ／温度で示す。

ＴＣＲが数千ｐｐｍ／温度の抵抗体は、温度が１度上がるとき、抵抗値が数ｍΩ大きくなるという特性を有し得る。ここで、上記抵抗体の抵抗値が数十ｍΩの場合、上記抵抗体の抵抗値は、温度が１度のみ変わっても約１０％の抵抗値が変わるという特性を有し得る。したがって、１００ｍΩ以下の抵抗値を有するチップ抵抗器が精密な抵抗値を有するために、チップ抵抗器の全体のＴＣＲの絶対値は小さくなる必要がある。

本発明の一実施例によるチップ抵抗器は、トリミング作業が可能な抵抗体と、銅−ニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）を含む抵抗体が並列に連結された構造を有することができる。ここで、トリミング作業が可能な抵抗体のＴＣＲは調節されるのが困難であり得る。したがって、上記銅−ニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）を含む抵抗体のＴＣＲの調節によって、チップ抵抗体の全体のＴＣＲは小さくなることができる。

図８のグラフから、上記銅−ニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）を含む抵抗体は、銅−ニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）のうちニッケル（Ｎｉ）の比率が４０％以上５０％以下のときに最も低いＴＣＲを有するということが確認できる。したがって、本発明の一実施例によるチップ抵抗器は、銅−ニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）を含み且つニッケル（Ｎｉ）の比率が４０％以上５０％以下の抵抗体を含むことにより、全体のＴＣＲを最大限に低くすることができる。

一方、マイナス値のＴＣＲは、温度が上昇するとき、抵抗値が低くなるという特性を意味する。即ち、上記銅−ニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）を含む抵抗体は、銅−ニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）のうちニッケル（Ｎｉ）の比率が４０％以上５０％以下であり且つ温度が上昇するとき、抵抗値が低くなるという特性を有することができる。これにより、プラス値のＴＣＲ特性を有する抵抗体とマイナス値のＴＣＲ特性を有する抵抗体はＴＣＲ特性を相殺させることができる。

本発明の一実施例によるチップ抵抗器は、熱起電力特性が良いが、ＴＣＲ特性が悪い第１の抵抗体と、ニッケル（Ｎｉ）の比率が４５％の銅−ニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）を含みＴＣＲ特性が良い第２の抵抗体が並列に配置された構造を有することができる。上記第１の抵抗体の抵抗値と上記第２の抵抗体の抵抗値によるチップ抵抗器の総抵抗値と総ＴＣＲを下記の表１にまとめた。

ここで、Ｒは単位ｍΩの抵抗値、ＴＣＲは単位ｐｐｍ／温度の抵抗温度係数を示す。

図９は、第１及び第２の抵抗体のＴＣＲを例示したグラフである。

図９は、上記表１をグラフ形式にそのまま変換したものである。図９を参照すると、ｃａｓｅ３のチップ抵抗器のＴＣＲ特性が最も良いことが分かる。

ここで、第２の抵抗体の抵抗値が第１の抵抗体の抵抗値より低いとき、チップ抵抗器のＴＣＲ特性がより良い。

チップ抵抗器の総抵抗値の逆数は、第１の抵抗体の抵抗値の逆数と第２の抵抗体の抵抗値の逆数の和で計算されることができる。これにより、第２の抵抗体の抵抗値が第１の抵抗体の抵抗値より低いほど、第２の抵抗体の抵抗値の変化が全体の抵抗値に与える影響は、第１の抵抗体の抵抗値の変化が全体の抵抗値に与える影響より大きくなり得る。したがって、第２の抵抗体の抵抗値が第１の抵抗体の抵抗値より低いほど、チップ抵抗器の総ＴＣＲは、第１の抵抗体のＴＣＲよりも第２の抵抗体のＴＣＲにさらに近づき得る。

例えば、ｃａｓｅ１のチップ抵抗器において第１の抵抗体の抵抗値は第２の抵抗体の抵抗値の約１倍である。ここで、第２の抵抗体のＴＣＲが全体のＴＣＲの中で占める比重は約５０％であり得る。

Ｃａｓｅ２のチップ抵抗器において第１の抵抗体の抵抗値は第２の抵抗体の抵抗値の約２倍である。ここで、第２の抵抗体のＴＣＲが全体のＴＣＲの中で占める比重は約６７％であり得る。

例えば、ｃａｓｅ３のチップ抵抗器において第１の抵抗体の抵抗値は第２の抵抗体の抵抗値の約３倍である。ここで、第２の抵抗体のＴＣＲが全体のＴＣＲの中で占める比重は約７５％であり得る。

このような第２の抵抗体の相対的な抵抗値による第２の抵抗体のＴＣＲが全体のＴＣＲの中で占める比重の変化の推移を参照すると、第２の抵抗体の抵抗値が第１の抵抗体の抵抗値の約５倍の場合、チップ抵抗器の全体のＴＣＲは０に近づくことが類推できる。

したがって、本発明の一実施例によるチップ抵抗器において第２の抵抗体の抵抗値を第１の抵抗体の抵抗値の３倍以上７倍以下に設計することができる。これにより、上記チップ抵抗器の温度変化による抵抗値の変化は非常に小さくなることができる。

図１０は、本発明の一実施例によるチップ抵抗器の製造方法を示したフローチャートである。

図１０を参照すると、本発明の一実施例によるチップ抵抗器は、電極形成段階Ｓ１０、第１の抵抗体形成段階Ｓ２０、第２の抵抗体形成段階Ｓ３０及び第１の抵抗体トリミング段階Ｓ４０によって製造されることができる。

電極形成段階Ｓ１０は、基板上にインク状のペーストなどを塗ったり吹き付けたり印刷したりする段階を意味する。上記印刷はスクリーン法により行われることができる。これにより、電極の厚さが精密に制御されることができる。

第１の抵抗体形成段階Ｓ２０は、基板上に熱起電力特性の良い抵抗体を印刷する段階を意味する。

第２の抵抗体形成段階Ｓ３０は、基板上にＴＣＲ特性の良い抵抗体を印刷する段階を意味する。上記電極形成段階Ｓ１０から第２の抵抗体形成段階Ｓ３０までの過程は厚膜工程により行われることができる。これにより、８００度から１４００度の間の温度及び還元雰囲気で電極と抵抗体の焼成が行われることができる。このとき、抵抗体と電極の再結晶（ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）が進み、粒成長（ｇｒａｉｎ ｇｒｏｗｔｈ）が起こることができる。このとき、抵抗体と電極間の電気伝導度は向上することができる。これにより、本発明の一実施例によるチップ抵抗器は、１００ｍΩ以下の低い抵抗値を有するように具現されることができる。

また、上記ペースト印刷と焼成は繰り返されることができる。これにより、電極と抵抗体の初期抵抗値は最適化されることができる。

また、電極形成後、Ｌａｓｅｒ Ｄｉｃｉｎｇ、Ｌａｓｅｒ−Ｓｃｒｉｂｅｒ、Ｓａｎｄ Ｂｕｒｓｔなどの方法を通じてチップ抵抗器の抵抗値は調節されることができる。

第１の抵抗体トリミング段階Ｓ４０は、レーザを利用して第１の抵抗体の端から溝を形成させることができる。このとき、チップ抵抗器の総抵抗値に対する測定が共に行われることができる。上記溝の長さは、チップ抵抗器の総抵抗値が目標抵抗値に近づくまで延びることができる。

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。

１１０ 基板
１２１ 第１の電極
１２２ 第２の電極
６２３ 第３の電極
５３０ 抵抗体
１３１ 第１の抵抗体
２３２ 第２の抵抗体
６３３ 第３の抵抗体
５４１ 第１の上面電極
５４２ 第２の上面電極
５５０ 保護層
５５１ 第１の保護層
５５２ 第２の保護層
５６１ 第１の下面電極
５６２ 第２の下面電極
５７１ 第１の金属カバー
５７２ 第２の金属カバー

Claims (18)

1. 基板と、
   前記基板の一面上に配置された第１の電極と、
   前記基板の一面上に前記第１の電極と分離されるように配置された第２の電極と、
   前記第１の電極と前記第２の電極を電気的に連結する第１の抵抗体と、
   前記第１の電極と前記第２の電極を電気的に連結する第２の抵抗体と、
   を含み、
   前記第１の抵抗体は銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）を含み、
   前記第２の抵抗体は銅−ニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）を含み、
   前記第１の電極と前記第２の電極の温度が異なるとき、前記第１の抵抗体で発生する熱起電力（ｔｈｅｒｍｏ ｅｌｅｃｔｒｏｍｏｔｉｖｅ ｆｏｒｃｅ）は前記第２の抵抗体で発生する熱起電力より小さく、
   前記第２の抵抗体の抵抗温度係数（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ、ＴＣＲ）は前記第１の抵抗体の抵抗温度係数より低く、
   前記第１の抵抗体及び前記第２の抵抗体のうち前記第１の抵抗体だけは溝（ｇｒｏｏｖｅ）を有する、
   チップ抵抗器。
2. 前記銅−ニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）のうちニッケル（Ｎｉ）の比率は４０％以上５０％以下である、請求項１に記載のチップ抵抗器。
3. 前記第１の抵抗体の抵抗値は３ｍΩ以上１００ｍΩ未満であり、
   前記第２の抵抗体の抵抗値は１ｍΩ超３４ｍΩ以下であり、
   前記第１の抵抗体の抵抗値は前記第２の抵抗体の抵抗値の３倍以上７倍以下である、請求項２に記載のチップ抵抗器。
4. 前記溝は、前記第２の抵抗体から前記第１の抵抗体に向かう方向の端に形成され、Ｌ形状を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。
5. 前記第２の抵抗体の抵抗値は、所定の温度区間で温度が上昇するとき、低くなる、請求項１〜４のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。
6. 前記基板の一面上に前記第１の電極及び前記第２の電極と分離されるように配置された第３の電極と、
   前記基板の一面上に配置され、前記第３の電極と前記第２の電極を電気的に連結する第３の抵抗体と、
   をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。
7. 前記第１の電極、第２の電極、第１の抵抗体及び第２の抵抗体のうち少なくとも一つの上面に配置される上面電極と、
   前記第１の電極、第２の電極、第１の抵抗体、第２の抵抗体及び上面電極のうち少なくとも一つの上面をカバーする保護層と、
   をさらに含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。
8. 前記第１の抵抗体は前記基板の一面上に配置され、
   前記第２の抵抗体は前記基板の他面上に配置される、請求項１〜７のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。
9. 基板と、
   前記基板の一面上に配置された第１の電極と、
   前記基板の一面上に前記第１の電極と分離されるように配置された第２の電極と、
   それぞれ前記基板の一面上に配置され、前記第１の電極と前記第２の電極を電気的に連結し、互いに並列である複数の抵抗体と、
   を含み、
   前記複数の抵抗体のうちの少なくとも一つは、銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）を含み、
   前記複数の抵抗体のうちの残りの抵抗体は、銅−ニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）を含み、
   前記複数の抵抗体のうちの前記少なくとも一つは、溝（ｇｒｏｏｖｅ）を有し、前記残りの抵抗体の平均抵抗温度係数（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ、ＴＣＲ）より高い平均抵抗温度係数を有し、
   前記残りの抵抗体は、溝を有さない、
   チップ抵抗器。
10. 前記銅−ニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）のうちニッケル（Ｎｉ）の比率は４０％以上５０％以下である、請求項９に記載のチップ抵抗器。
11. 前記複数の抵抗体の総抵抗値は１ｍΩ以上１０ｍΩ以下であり、
    前記複数の抵抗体のうち前記溝を有する抵抗体の抵抗値は前記残りの抵抗体のそれぞれの抵抗値より大きい、請求項１０に記載のチップ抵抗器。
12. 前記複数の抵抗体は、銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）を含む抵抗体と、銅−ニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）を含む抵抗体が繰り返し配列される構造を有する、請求項９〜１１のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。
13. 前記複数の抵抗体は互いに接する、請求項１２に記載のチップ抵抗器。
14. 前記複数の抵抗体のうち前記溝を有する抵抗体は、前記残りの抵抗体のうち二つの抵抗体の間に配置される、請求項９〜１３のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。
15. 基板、第１の電極及び前記第１の電極と分離されるように配置された第２の電極を形成する段階と、
    前記第１の電極と前記第２の電極を電気的に連結する第１の抵抗体を形成する段階と、
    前記第１の電極と前記第２の電極を電気的に連結する第２の抵抗体を形成する段階と、
    前記第１の抵抗体および前記第２の抵抗体のうち前記第１の抵抗体だけに、前記第１の抵抗体が所定の抵抗値を持つようにトリミングする段階と、を含み、
    前記第１の抵抗体は銅−マンガン−スズ（Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ）を含み、
    前記第２の抵抗体は銅−ニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）を含み、
    前記第１の電極と前記第２の電極の温度が異なるとき、前記第１の抵抗体で発生する熱起電力（ｔｈｅｒｍｏ ｅｌｅｃｔｒｏｍｏｔｉｖｅ ｆｏｒｃｅ）は前記第２の抵抗体で発生する熱起電力より小さく、
    前記第１の抵抗体及び前記第２の抵抗体は、互いに異なる抵抗温度係数（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ、ＴＣＲ）を有する、チップ抵抗器の製造方法。
16. 前記第１の電極と前記第２の電極を電気的に連結する第３の抵抗体を形成する段階と、をさらに含み、
    前記第１の抵抗体、前記第２の抵抗体及び前記第３の抵抗体は前記基板の同一面に形成され、
    前記第１の抵抗体は、前記第２の抵抗体及び前記第３の抵抗体の間に配置される、請求項１５に記載のチップ抵抗器の製造方法。
17. 前記第１の抵抗体を形成する段階は、前記第１の抵抗体を前記基板の第１面上に形成し、
    前記第２の抵抗体を形成する段階は、前記第２の抵抗体を前記基板の第２面上に形成する、請求項１５又は１６に記載のチップ抵抗器の製造方法。
18. 前記第１の電極及び前記第２の電極と分離されるように配置された第３の電極を形成する段階と、
    前記第２の電極と前記第３の電極を電気的に連結する第３の抵抗体を形成する段階と、
    をさらに含む、請求項１５〜１７のいずれか一項に記載のチップ抵抗器の製造方法。