JP5856461B2 - データ読出装置 - Google Patents
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Description
図4に示したデータ読出回路の動作について説明する。
同様に、特許文献2に示された構成においても、不揮発性記憶素子周辺の電位状態は、データ読み出し時とデータ書込み時で等しくなっている。
データ読出発振装置の構成について説明する。
図1は、本実施形態のデータ読出装置を示す図である。データ読出装置は、水晶発振回路10、分周回路20、発振停止検出回路30、読出信号生成回路40、データ読出回路50、遅延回路60を備える。
[定期的に読出動作する場合]
定期的に読出動作する場合は、分周回路20から出力される任意の周波数信号Φ2が読出信号生成回路40に入力され、任意の周波数信号Φ2に同期した周波数で第1読出信号Φ51がデータ読出回路50に入力されデータ読み出しが実施される。
電源投入後に読み出し動作する場合について説明する。電源投入後は水晶発振回路10が正常に動作しておらず、源振Φ1は発振していない。したがって、発振停止検出回路30に入力される任意の周波数信号Φ3も発振していない為に、発振停止検出回路30の出力Φ4はLowとなっている。しばらくすると水晶発振回路10の発振が開始され、源振Φ1も発振する。すると、発振停止検出回路30の入力Φ3も任意の周波数で発振するため、発振停止検出回路30の出力Φ4はLowからHighへと変化する。その結果、読出信号生成回路40から第2読出信号Φ52が生成され、遅延回路60で任意の遅延時間T2だけ遅延されたΦ6がデータ読出回路50に入力される。遅延回路60は、分周回路20で生成される任意の周波数信号の組み合わせで生成してもよく、一般的に知られている容量と抵抗の組み合わせで生成されてもよい。
上記のようにして、発振停止検出回路30の出力Φ4が生成された場合に遅延回路による遅延をもたせてデータ読出回路に入力させることにより、電源投入後あるいはリセット解除後に必要最小限の遅延幅で被調整回路に不揮発性記憶素子のデータを反映することが可能となり、静電気による誤書込みも防止できる。
20 分周回路
30 発振停止検出回路
40 読出信号生成回路
50 データ読出回路
51 ラッチ回路
51、52 PMOSトランジスタ
53 不揮発性記憶素子
54 NMOSトランジスタ
60 遅延回路
Claims (3)
- データ読出装置であって、
データ読み出しを行うタイミングを生成する為の源振となる水晶発振回路と、
前記源振を分周する分周回路と、
前記分周回路で生成される任意の周波数信号を用いて前記水晶発振回路が発振しているかを検出する発振停止検出回路と、
データ読み出し信号を出力する読出信号生成回路と、
前記データ読み出し信号を遅延させる遅延回路と、
不揮発性記憶素子を含むデータ読出回路と、を備え、
前記読出信号生成回路は第1読出信号と第2読出信号を出力し、前記データ読出回路は前記第1読出信号と前記遅延回路で遅延された前記第2読出信号が入力されることを特徴とするデータ読出装置。 - 前記読出信号生成回路は、
任意の周波数に同期した信号が入力される場合には前記第1読出信号を出力し、発振停止検出信号あるいはリセット解除信号が入力された場合には前記第2読出信号を出力することを特徴とする、請求項1に記載のデータ読出装置。 - 前記第2読出信号の遅延時間T2はICの静電気放電時間T1よりも長いことを特徴とする、請求項1または2に記載のデータ読出装置。
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