JP5685991B2

JP5685991B2 - 半導体装置

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Publication number: JP5685991B2
Application number: JP2011044033A
Authority: JP
Inventors: 未浩中川
Original assignee: Toyota Motor Corp
Current assignee: Toyota Motor Corp
Priority date: 2011-03-01
Filing date: 2011-03-01
Publication date: 2015-03-18
Anticipated expiration: 2031-03-01
Also published as: JP2012182302A

Description

本発明は、半導体装置に関する。

特許文献１には、半導体層上に半絶縁性のガラスコート膜が形成されている半導体装置が開示されている。ガラスコート膜上には、さらに、樹脂層が形成されている。この半導体装置では、半絶縁性のガラスコート膜によって、樹脂層中に存在する可動イオンが半導体層中の電界に与える影響が抑制されている。

特開平１０−０１２６０７号

特許文献１に記載の半絶縁層によれば、イオン等の外部電荷が半導体層中の電界に与える影響を抑制することができる。しかしながら、イオン等の外部電荷は、液体に溶解した状態で半絶縁層の端部に沿って半導体層側に侵入する場合がある。外部電荷が半絶縁層の端部に侵入すると、外部電荷によって半導体層中の電界が乱され、半導体装置が適切に動作できない場合がある。

したがって、本明細書では、半絶縁層の端部に外部電荷が侵入した場合でも、半導体層中の電界が乱され難い半導体装置を提供する。

本明細書が開示する半導体装置は、半導体層と、半導体層上に形成されており、半導体層よりも電気伝導率が低い半絶縁層を有している。半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、半絶縁層の端部の下側の領域に、第１半導体領域が形成されている。半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、半絶縁層の下側の少なくとも一部の領域に、第２半導体領域が形成されている。第１半導体領域の不純物濃度が、第２半導体領域の不純物濃度よりも高い。

なお、上記の「半導体層上に形成されており」とは、半絶縁層が、半導体層の上面に直接形成されていることと、半絶縁層と半導体層との間に他の層が介在していることとの両方を含む。例えば、半導体層の上面に他の層（例えば、絶縁層）が形成されており、当該他の層の表面に半絶縁層が形成されている場合も、半絶縁層が半導体層上に形成されていることに該当する。

このような構成によれば、半絶縁層の端部にイオン等の外部電荷が侵入しても、その進入した領域の近傍に、不純物濃度が高い第１半導体領域が存在している。第１半導体領域は電気伝導率が高いので、第１半導体領域の近傍に外部電荷が進入しても、第１半導体領域内の電界にはほとんど影響がない。したがって、この半導体装置は、半絶縁層の端部から外部電荷が侵入しても、半導体層中の電界が乱され難く、電界集中が生じ難い。

上述した半導体装置は、半導体層の上面に形成されている絶縁層をさらに有しており、半絶縁層が絶縁層の上面に形成されており、半絶縁層の電気伝導率が絶縁層よりも高いことが好ましい。

上述した半導体装置は、半絶縁層が、平坦な表面に形成されていることが好ましい。

このように、半絶縁層を平坦な表面に形成することで、凹凸を起点として半絶縁層にクラック等が生じることを防止することができる。

上述した半導体装置は、半導体層に半導体素子領域が形成されており、半絶縁層が半導体層の外周端と半導体素子領域の間に形成されていることが好ましい。

このような構成によれば、半導体層の中央部と半導体層の外周端との間の耐圧を確保することができる。

また、本明細書は、他の半導体装置を提供する。この半導体装置は、半導体層と、半導体層上に形成されており、半導体層よりも電気伝導率が低い半絶縁層を有している。半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、半絶縁層の一方の端部の下側の領域に、第１半導体領域が形成されている。半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、半絶縁層の下側の少なくとも一部の領域であって、半絶縁層の他方の端部の下側の領域を含む領域に、第２半導体領域が形成されている。第１半導体領域の不純物濃度が、第２半導体領域の不純物濃度よりも高い。第１半導体領域から第２半導体領域内に空乏層が最も長く伸びたときに、空乏層は半絶縁層の前記他方の端部の下側の領域までは伸びない。
また、本発明の半導体装置は、半導体層と、半導体層上に形成されており、半導体層よりも電気伝導率が低い半絶縁層を有している。半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、半絶縁層の一方の端部の下側の領域に、第１ｐ型半導体領域が形成されている。半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、第１ｐ型半導体領域に隣接するとともに半絶縁層の下側の領域に、第２ｐ型半導体領域が形成されている。半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、第２ｐ型半導体領域に隣接するとともに半絶縁層の下側の領域から半絶縁層の他方の端部の下側の領域に跨って、ｎ型半導体領域が形成されている。第１ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度が、第２ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度及びｎ型半導体領域のｎ型不純物濃度の何れよりも高い。第１ｐ型半導体領域及び第２ｐ型半導体領域からｎ型半導体領域内に空乏層が最も長く伸びたときに、空乏層が半絶縁層の前記他方の端部の下側の領域までは伸びない。

半導体層の内部のうち、空乏層が伸びている領域では、高い電界が発生する。したがって、空乏層が伸びている領域では、外部電荷によって電界が乱されて、電界集中が起こり易い。この半導体装置では、半絶縁層の一方の端部の下側の領域に、不純物濃度が高い第１半導体領域が形成されており、第１半導体領域によってこの端部近傍での電界の乱れが抑制される。また、半絶縁層の他方の端部の下側の領域には、不純物濃度が低い第２半導体領域が形成されている。但し、この端部の下側の第２半導体領域には、空乏層が伸びない。したがって、この端部に外部電荷が侵入したとしても、外部電荷による半導体層内の電界への影響はほとんどない。この半導体装置でも、半絶縁層の端部から外部電荷が侵入した場合に、半導体層中の電界が乱され難い。

実施例１の半導体装置１０の断面図（図２のＩ−Ｉ線に示す位置の断面図）。実施例１の半導体装置１０の平面図。変形例の半導体装置の断面図。実施例２の半導体装置１０の断面図。

図１に示すように、実施例１の半導体装置１０は、半導体層２０と、絶縁層４０と、中央電極５０と、外周電極６０と、半絶縁層７０と、裏面電極８０を備えている。半導体層２０は、シリコンにより構成されている。また、半導体装置１０は、半導体素子領域１００と周辺耐圧領域２００を備えている。半導体素子領域１００には、半導体素子が形成されている。本実施例では、半導体素子領域１００内に、ＩＧＢＴが形成されている。なお、他の例においては、半導体素子領域１００内に、例えば、ＭＯＳＦＥＴやダイオード等の他のパワー半導体素子が形成されていてもよい。図２に示すように、半導体素子領域１００は、半導体層２０の略中央部に形成されており、周辺耐圧領域２００は、半導体層２０の外周端２２に沿って形成されている。すなわち、周辺耐圧領域２００は、半導体素子領域１００の周囲を取り囲んでいる。周辺耐圧領域２００は、半導体層２０の外周端２２と半導体素子領域１００との間の耐圧を確保するための領域である。

図１、２に示すように、中央電極５０は、半導体素子領域１００内の半導体層２０の上面２４に形成されている。中央電極５０は、ＩＧＢＴのエミッタ電極である。外周電極６０は、半導体層２０の上面２４に形成されており、半導体層２０の外周端２２に沿って伸びている。絶縁層４０は、中央電極５０と外周電極６０の間の半導体層２０の上面２４に形成されている。絶縁層４０の上面２４は、平坦に形成されている。中央電極５０の絶縁層４０側の端部は絶縁層４０上に乗り上げており、これによって、絶縁層４０の中央電極５０側の端部が中央電極５０に覆われている。外周電極６０の絶縁層４０側の端部は絶縁層４０上に乗り上げており、これによって、絶縁層４０の外周電極６０側の端部が外周電極６０に覆われている。半絶縁層７０は、窒化シリコンにより構成されている。半絶縁層７０は、中央電極５０と外周電極６０の間の絶縁層４０の上面に形成されている。半絶縁層７０は、絶縁層４０の上面のみに形成されている。すなわち、半絶縁層７０は、凹凸のない平坦な面上にのみ形成されている。半絶縁層７０の電気伝導率は、半導体層２０内の何れの半導体領域よりも低く、かつ、絶縁層４０よりも高い。裏面電極８０は、半導体層２０の裏面２６（下面）に形成されている。裏面電極８０は、ＩＧＢＴのコレクタ電極である。

半導体層２０の内部には、低濃度ｎ型領域３０、中央電極コンタクト領域３２、リサーフ領域３４、外周電極コンタクト領域３６、裏面電極コンタクト領域３８が形成されている。裏面電極コンタクト領域３８は、ｐ型不純物濃度が高いｐ型半導体により構成されている。裏面電極コンタクト領域３８は、半導体層２０の下面２６側の表層領域（下面２６を含む下面２６近傍の領域）の全域に形成されている。裏面電極コンタクト領域３８は、裏面電極８０に対してオーミック接続されている。裏面電極コンタクト領域３８は、半導体素子領域１００内のＩＧＢＴのコレクタ領域である。中央電極コンタクト領域３２は、ｐ型不純物濃度が高いｐ型半導体により構成されている。中央電極コンタクト領域３２は、半導体層２０の上面２４側の表層領域（上面２４を含む上面２４近傍の領域）であって、半導体素子領域１００内に形成されている。中央電極コンタクト領域３２は、中央電極５０に対してオーミック接続されている。中央電極コンタクト領域３２は、半導体素子領域１００内のＩＧＢＴのボディ領域である。低濃度ｎ型領域３０は、ｎ型不純物濃度が低いｎ型半導体により構成されている。低濃度ｎ型領域３０は、主に、半導体層２０の深さ方向の中間部に形成されている。半導体素子領域１００内においては、低濃度ｎ型領域３０は、裏面電極コンタクト領域３８と中央電極コンタクト領域３２の間に形成されている。半導体素子領域１００内の低濃度ｎ型領域３０は、ＩＧＢＴのドリフト領域として機能する。なお、図示していないが、半導体素子領域１００内の半導体層２０内には、中央電極コンタクト領域３２、低濃度ｎ型領域３０及び裏面電極コンタクト領域３８の他にも、種々のｎ型またはｐ型の領域（例えば、エミッタ領域等）が形成されている。また、図示していないが、半導体素子領域１００内には、ゲート電極が形成されている。半導体素子領域１００内のＩＧＢＴは、中央電極５０と、裏面電極８０と、ゲート電極と、半導体素子領域１００内の種々のｎ型またはｐ型の半導体領域によって形成されている。リサーフ領域３４は、ｐ型不純物濃度が低いｐ型半導体により構成されている。リサーフ領域３４は、半導体層２０の上面２４側の表層領域であって、周辺耐圧領域２００内に形成されている。リサーフ領域３４の一方の端部は、中央電極コンタクト領域３２に接している。外周電極コンタクト領域３６は、ｎ型不純物濃度が高いｎ型半導体により構成されている。外周電極コンタクト領域３６は、半導体層２０の上面２４側の表層領域であって、最も外周側に形成されている。すなわち、外周電極コンタクト領域３６は、半導体層２０の外周端２２に露出する位置に形成されている。外周電極コンタクト領域３６は、外周電極６０に対してオーミック接続されている。外周電極コンタクト領域３６とリサーフ領域３４の間には、上述した低濃度ｎ型領域３０が存在している。低濃度ｎ型領域３０によって、外周電極コンタクト領域３６はリサーフ領域３４から分離されている。

半絶縁層７０の外周側（半導体層２０の外周端２２側）の端部７２の直下の半導体層２０の上面２４側の表層領域には、上述した外周電極コンタクト領域３６が形成されている。すなわち、端部７２の直下の半導体層２０の表層領域では、ｎ型不純物濃度が高い。半絶縁層７０の内周側（半導体素子領域１００側）の端部７４の直下の半導体層２０の上面２４側の表層領域には、上述した中央電極コンタクト領域３２が形成されている。すなわち、端部７４の直下の半導体層２０の表層領域では、ｐ型不純物濃度が高い。この位置関係は、周辺耐圧領域２００の全域で維持されている。すなわち、周辺耐圧領域２００の何れの位置においても、半絶縁層７０の外周側の端部７２の直下の半導体層２０の上面２４側の表層領域には外周電極コンタクト領域３６が形成されており、半絶縁層７０の内周側の端部７４の直下の半導体層２０の上面２４側の表層領域には中央電極コンタクト領域３２が形成されている。

次に、半導体装置１０の周辺耐圧領域２００の機能について説明する。半導体素子領域１００内のＩＧＢＴがオンしている場合には、半導体装置１０の各電極間に高い電位差は生じない。ＩＧＢＴがオフすると、中央電極５０の電位が、外周電極６０及び裏面電極８０に対して上昇する。すると、中央電極コンタクト領域３２から低濃度ｎ型領域３０内に空乏層が伸びる。周辺耐圧領域２００内においては、空乏層は、半導体層２０の上面２４側の表層領域内を中央電極コンタクト領域３２から外周側に向かって伸びる。このとき、リサーフ領域３４は、空乏層が外周側に向かって伸びるのを促進する。これによって、中央電極コンタクト領域３２の近傍で電界が集中することが抑制される。周辺耐圧領域２００の空乏層は、外周電極コンタクト領域３６に到達する。外周電極コンタクト領域３６はｎ型不純物濃度が高いので、空乏層は外周電極コンタクト領域３６の内部には伸展しない。すなわち、空乏層は、図１の点線９０に示すように、外周電極コンタクト領域３６と低濃度ｎ型領域３０の境界部で停止する。したがって、空乏層は、外周電極コンタクト領域３６より外周側へは伸展しない。これによって、空乏層が半導体層２０の外周端２２まで伸展することが防止される。このように、ＩＧＢＴがオフしている状態においては、中央電極コンタクト領域３２と外周電極コンタクト領域３６の間の領域（すなわち、低濃度ｎ型領域３０とリサーフ領域３４）に空乏層が形成される。中央電極５０と外周電極６０の間の電圧の大部分は、この空乏化された領域に印加されるので、この空乏化された領域に高い電界が発生する。

次に、ＩＧＢＴのオフ時に、イオン等の外部電荷が周辺耐圧領域２００内の電界に与える影響について検討する。外部電荷が半絶縁層７０の上面に存在する場合には、電気伝導率が比較的高い半絶縁層によって外部電荷からの電界が半導体層２０内の電界に与える影響が抑制される。また、外部電荷は、液体に溶解した状態で半導体装置１０の表面に付着する場合がある。このような液体が半絶縁層７０の端部７２または端部７４に付着すると、外部電荷がその端部に侵入し、半絶縁層７０の下側の絶縁層４０の近くまで到達する場合がある。この場合には、半絶縁層７０による外部電荷の電界を抑制する効果はほとんど得られないため、外部電荷から半導体層２０に対して電界が加わる。高い電界が生じている空乏層内に外部電荷からの電界が加わると、空乏層の電位分布に乱れが生じて、空乏層内の一部の領域に電界が集中する場合がある。しかしながら、実施例１の半導体装置１０では、端部７０、７２に外部電荷が侵入した場合でも、外部電荷からの電界が空乏層内に加わることを抑制することができる。

すなわち、実施例１の半導体装置１０では、端部７２の直下の半導体層２０の上面２４側の表層領域に、ｎ型不純物濃度が高い外周電極コンタクト領域３６が形成されている。したがって、端部７２に侵入した外部電荷からの電界は、外周電極コンタクト領域３６に印加される。上述したように、外周電極コンタクト領域３６内には空乏層が形成されていないので、外周電極コンタクト領域３６内に高い電界は発生していない。したがって、外部電荷からの電界が外周電極コンタクト領域３６に印加されても、電界集中は発生しない。また、外周電極コンタクト領域３６はｎ型不純物濃度が高く電気伝導率が高いので、外部電荷からの電界が外周電極コンタクト領域３６を通して空乏層内に印加されることも抑制される。

また、端部７４の直下の半導体層２０の上面２４側の表層領域には、ｐ型不純物濃度が高い中央電極コンタクト領域３２が形成されている。したがって、端部７４に侵入した外部電荷からの電界は、中央電極コンタクト領域３２に印加される。上述したように、中央電極コンタクト領域３２内には空乏層が形成されていないので、中央電極コンタクト領域３２内に高い電界は発生していない。したがって、外部電荷からの電界が中央電極コンタクト領域３２に印加されても、電界集中は発生しない。また、中央電極コンタクト領域３２はｐ型不純物濃度が高く電気伝導率が高いので、外部電荷からの電界が中央電極コンタクト領域３２を通して空乏層内に印加されることも抑制される。

以上に説明したように、実施例１の半導体装置１０では、外部電荷が半絶縁層７０の端部７２、７４に侵入した場合でも、外部電荷からの電界が空乏層（すなわち、上面２４側の表層領域内の低濃度ｎ型領域３０とリサーフ領域３４）に印加されることを抑制する。これによって、周辺耐圧領域２００内で局所的な電界集中が発生することが抑制される。

また、上述した実施例１の半導体装置１０では、半絶縁層７０が、平坦な平面である絶縁層４０の上面のみに形成されていた。すなわち、半絶縁層７０の下地に凹凸がない。半絶縁層７０を構成する窒化シリコンは、じん性、延性が低く割れ易い。このように、凹凸がない平面に半絶縁層７０を形成することで、半絶縁層７０にクラックが生じることが抑制されている。

なお、上述した実施例１において、半絶縁層７０の電気伝導率は、１×１０^−１０／Ｅ（Ω^−１・ｃｍ^−１）以上であることが好ましい。なお、上式中のＥは、半絶縁層７０に印加される電界強度であり、例えば、２×１０^４（Ｖ・ｃｍ^−１）以上の値である。上記式に基づいて算出される実質的に好ましい電気伝導率は、１×１０^−１５〜５×１０^−１２（Ω^−１・ｃｍ^−１）である。この範囲の電気伝導率を半絶縁層７０が有していれば、好適に外部電荷の影響を抑制することができる。

また、上述した実施例１において、半絶縁層７０の端部７２、７４の直下の半導体層２０の上面２４側の表層領域内の半導体領域（すなわち、中央電極コンタクト領域３２と外部電極コンタクト領域３６）は、１×１０^１６（ｃｍ^−３）以上の不純物濃度を有することが好ましい。半絶縁層７０の端部７２、７４の直下の表層領域内の半導体領域がこの範囲の不純物濃度を有していれば、端部７２、７４に侵入した外部電荷の影響を好適に抑制することができる。また、これらの領域の不純物濃度は、実施例１で説明したように、電極とオーミック接続される程度の濃度である方がより好ましい。また、実施例１で説明したように、端部７２、７４の直下の不純物濃度が高い領域は、ｎ型領域であってもｐ型領域であってもよい。何れの領域であっても、不純物濃度が高いことで、外部電荷の影響を抑制することができる。

また、上述した実施例１では、中央電極コンタクト領域３２と外周電極コンタクト領域３６の間に、リサーフ領域３４が形成されていたが、図３に示すように、リサーフ領域３４に代えてＦＬＲ（フィールドリミッティングリング）３５が形成されていてもよい。なお、図３中の参照番号３７は、ＦＬＲ３５に接続されている電極である。リサーフ領域３４に比べて、ＦＬＲ３５の不純物濃度は高い。しかしながら、図３の構造でも、ＦＬＲ３５と外周電極コンタクト領域３６の間に低濃度ｎ型領域３０が存在しており、この領域に空乏層が伸展するので、この領域における電界集中が抑制される。このように、半絶縁層７０の下部の上面２４側の表層領域の一部に低濃度領域（すなわち、空乏層が広がる領域）が形成されている場合でも、電界集中を抑制することができる。

また、上述した実施例１では、絶縁層４０の上に半絶縁層７０が形成されていたが、絶縁層４０が形成されておらずに、半導体層２０の上面に直接、半絶縁層７０が形成されていてもよい。このような構成でも、半絶縁層７０によって外部電荷の影響を抑制することができる。また、半絶縁層７０上には、他の絶縁層（例えば、樹脂層等）が形成されていてもよい。

次に、実施例２の半導体装置１１０について説明する。なお、以下の説明において、半導体装置１１０の構成のうち、半導体装置１０と共通する構成については、その説明を省略する。また、半導体装置１１０の構成要素のうち、半導体装置１０の構成要素と対応する構成要素については、実施例１と同じ参照番号を用いる。図４は、実施例２の半導体装置１１０の断面図を示している。実施例２の半導体装置１１０も、半導体素子領域１００と周辺耐圧領域２００を有している。

実施例２の半導体装置１１０では、絶縁層４０、中央電極５０、外周電極６０、半絶縁層７０、裏面電極８０、中央電極コンタクト領域３２、リサーフ領域３４、及び、裏面電極コンタクト領域３８は、実施例１と同様に形成されている。実施例２の半導体装置１１０では、外周電極コンタクト領域３６が形成されていない。すなわち、半導体層２０の上面２４側の表層領域のうち、リサーフ領域３４よりも外周側全体に、低濃度ｎ型領域３０が形成されている。したがって、半絶縁層７０の端部７２の下部の半導体層２０の上面２４側の表層領域に、不純物濃度が高い領域が形成されていない。

図４の距離Ｌ１は、中央電極コンタクト領域３２から半絶縁層７０の外周側の端部７２までの横方向（半導体層２０の上面に沿った方向）の距離を示している。また、図４の点線９２は、最も長く伸びたときの空乏層の端部の位置を示している。なお、最も長く伸びたときの空乏層の端部の位置とは、空乏層でアバランシェ降伏が起きるときの空乏層の端部の位置を意味する。すなわち、中央電極５０と外周電極６０の間の電位差（若しくは、中央電極６０と裏面電極８０の間の電位差）が大きくなると、その電位差が上昇するに従って空乏層が長く伸びる。しかしながら、当該電位差がある値を超えると、空乏層でアバランシェ降伏が起きて、それ以上当該電位差が上昇しても空乏層が伸びなくなる。上述した最も長く伸びたときの空乏層は、このアバランシェ降伏が起きたときの空乏層を意味する。図４に示すように、距離Ｌ１は、最も長く伸びたときの空乏層の幅Ｌ２（外周側に向かう方向における幅）よりも長い。すなわち、半絶縁層７０の端部７２は、中央電極コンタクト領域３２からの空乏層が到達することができない領域の上方に位置している。

実施例２の半導体装置１１０では、半絶縁層７０の表面の外部電荷や端部７４に侵入した外部電荷に対しては、実施例１と同様にして電界集中が抑制される。また、外部電荷が端部７２に侵入した場合には、外部電荷からの電界が端部７２の直下の半導体層２０の上面２４側の表層領域に印加される。しかしながら、上述したように、端部７２の直下の半導体層２０には空乏層が伸展せず、このため、この領域には高い電界は発生しない。したがって、外部電荷からの電界が端部７２の直下の領域に印加されても、半導体層２０内で電界集中は生じない。実施例２の半導体装置１１０でも、端部７２に外部電荷が侵入した場合に、電界集中が生じることが抑制
される。

なお、実施例２の半導体装置１１０でも、半絶縁層７０の電気伝導率として、実施例１の半導体装置１０と同様の電気伝導率を採用することができる。実施例２の半導体装置１１０でも、半導体層２０内の各半導体領域の不純物濃度として、実施例１の半導体装置１０と同様の不純物濃度を採用することができる。また、実施例２の半導体装置１１０でも、リサーフ層に代えて、ＦＬＲを採用することができる。また、実施例２の半導体装置１１０でも、絶縁層４０が形成されておらずに、半導体層２０の上面に直接、半絶縁層７０が形成されていてもよい。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

１０：半導体装置
２０：半導体層
２２：外周端
２４：上面
２６：下面
３０：低濃度ｎ型領域
３２：中央電極コンタクト領域
３４：リサーフ領域
３６：外周電極コンタクト領域
３８：裏面電極コンタクト領域
４０：絶縁層
５０：中央電極
６０：外周電極
７０：半絶縁層
７２：端部
７４：端部
８０：裏面電極
１００：半導体素子領域
２００：周辺耐圧領域

Claims

半導体装置であって、
半導体層と、
半導体層上に形成されており、半導体層よりも電気伝導率が低い半絶縁層、
を有しており、
半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、半絶縁層の一方の端部の下側の領域に、第１ｐ型半導体領域が形成されており、
半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、第１ｐ型半導体領域に隣接するとともに半絶縁層の下側の領域に、第２ｐ型半導体領域が形成されており、
半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、第２ｐ型半導体領域に隣接するとともに半絶縁層の下側の領域から半絶縁層の他方の端部の下側の領域に跨って、ｎ型半導体領域が形成されており、
第１ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度が、第２ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度及びｎ型半導体領域のｎ型不純物濃度の何れよりも高く、
第１ｐ型半導体領域及び第２ｐ型半導体領域からｎ型半導体領域内に空乏層が最も長く伸びたときに、空乏層が半絶縁層の前記他方の端部の下側の領域までは伸びない、
ことを特徴とする半導体装置。