[go: up one dir, main page]

JP5279971B1 - 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5279971B1
JP5279971B1 JP2013512670A JP2013512670A JP5279971B1 JP 5279971 B1 JP5279971 B1 JP 5279971B1 JP 2013512670 A JP2013512670 A JP 2013512670A JP 2013512670 A JP2013512670 A JP 2013512670A JP 5279971 B1 JP5279971 B1 JP 5279971B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
semiconductor
columnar
conductor layer
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013512670A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2013038553A1 (ja
Inventor
富士雄 舛岡
望 原田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd
Original Assignee
Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd filed Critical Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd
Application granted granted Critical
Publication of JP5279971B1 publication Critical patent/JP5279971B1/ja
Publication of JPWO2013038553A1 publication Critical patent/JPWO2013038553A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/01—Manufacture or treatment
    • H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
    • H10D30/028—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of double-diffused metal oxide semiconductor [DMOS] FETs
    • H10D30/0291—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of double-diffused metal oxide semiconductor [DMOS] FETs of vertical DMOS [VDMOS] FETs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6728—Vertical TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/201—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates the substrates comprising an insulating layer on a semiconductor body, e.g. SOI
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H10F39/014—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 of CMOS image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/802—Geometry or disposition of elements in pixels, e.g. address-lines or gate electrodes
    • H10F39/8027—Geometry of the photosensitive area
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H10F39/8033—Photosensitive area
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H10F39/8037—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements the integrated elements comprising a transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/807—Pixel isolation structures

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
JP2013512670A 2011-09-15 2011-09-15 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 Active JP5279971B1 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2011/071162 WO2013038553A1 (fr) 2011-09-15 2011-09-15 Procédé de production d'un dispositif semiconducteur, ainsi que dispositif semiconducteur

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5279971B1 true JP5279971B1 (ja) 2013-09-04
JPWO2013038553A1 JPWO2013038553A1 (ja) 2015-03-23

Family

ID=47882812

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013512670A Active JP5279971B1 (ja) 2011-09-15 2011-09-15 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5279971B1 (fr)
KR (1) KR20130056897A (fr)
CN (1) CN103119720A (fr)
TW (1) TW201312693A (fr)
WO (1) WO2013038553A1 (fr)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5872054B2 (ja) * 2013-06-17 2016-03-01 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
JP5759077B1 (ja) * 2013-08-07 2015-08-05 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
WO2015040705A1 (fr) * 2013-09-18 2015-03-26 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド Dispositif à semi-conducteurs et procédé de fabrication de semi-conducteurs
WO2015045054A1 (fr) * 2013-09-26 2015-04-02 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド Dispositif à semi-conducteurs et son procédé de fabrication
JP5658426B1 (ja) * 2013-10-03 2015-01-28 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
WO2015068241A1 (fr) 2013-11-07 2015-05-14 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド Dispositif de stockage, dispositif à semi-conducteur et procédé de fabrication d'un dispositif de stockage et d'un dispositif à semi-conducteur
JP5675003B1 (ja) 2013-11-13 2015-02-25 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
WO2015071982A1 (fr) * 2013-11-13 2015-05-21 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド Dispositif de stockage et méthode de fabrication de dispositif de stockage
JP5670606B1 (ja) 2013-11-22 2015-02-18 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
JP5657151B1 (ja) * 2014-01-23 2015-01-21 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
JP5885050B2 (ja) * 2014-02-12 2016-03-15 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
WO2015121961A1 (fr) * 2014-02-14 2015-08-20 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド Dispositif à semi-conducteurs et procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteurs
WO2015125291A1 (fr) 2014-02-24 2015-08-27 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド Dispositif de stockage, dispositif semi-conducteur, procédé de fabrication de dispositif de stockage et procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur
JP5838012B1 (ja) * 2014-02-28 2015-12-24 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
US10043797B2 (en) 2014-06-23 2018-08-07 Intel Corporation Techniques for forming vertical transistor architectures
JP5864713B2 (ja) * 2014-12-17 2016-02-17 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置
JP5894251B2 (ja) * 2014-12-22 2016-03-23 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置
JP6190435B2 (ja) * 2015-10-26 2017-08-30 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 記憶装置、及び半導体装置
TWI607327B (zh) * 2015-12-25 2017-12-01 矽創電子股份有限公司 半導體元件
JP6174174B2 (ja) * 2016-02-05 2017-08-02 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
CN110476230B (zh) * 2017-03-27 2023-03-28 新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司 柱状半导体装置与其制造方法
JP6329299B2 (ja) * 2017-04-20 2018-05-23 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
JP6328832B2 (ja) * 2017-07-05 2018-05-23 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
WO2020129237A1 (fr) * 2018-12-21 2020-06-25 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur tridimensionnel
WO2020245946A1 (fr) * 2019-06-05 2020-12-10 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur en colonnes
CN114762127A (zh) * 2019-10-30 2022-07-15 新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司 柱状半导体装置及其制造方法
CN114999922B (zh) * 2022-08-08 2022-11-04 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 一种具有耐压结构的碳化硅mosfet的制造方法
WO2024201262A1 (fr) * 2023-03-31 2024-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 Dispositif à semi-conducteur et procédé de production de dispositif à semi-conducteur

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003142684A (ja) * 2001-11-02 2003-05-16 Toshiba Corp 半導体素子及び半導体装置
WO2009096001A1 (fr) * 2008-01-29 2009-08-06 Unisantis Electronics (Japan) Ltd. Dispositif à mémoire à semiconducteur, dispositif à semiconducteur à mémoire intégrée et procédé de fabrication de ce dispositif

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2461363A1 (fr) * 2007-09-12 2012-06-06 Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. Dispositif d'imagerie à l'état solide
WO2009096000A1 (fr) * 2008-01-29 2009-08-06 Unisantis Electronics (Japan) Ltd. Dispositif à mémoire à semiconducteur
JP4487221B1 (ja) * 2009-04-17 2010-06-23 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 半導体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003142684A (ja) * 2001-11-02 2003-05-16 Toshiba Corp 半導体素子及び半導体装置
WO2009096001A1 (fr) * 2008-01-29 2009-08-06 Unisantis Electronics (Japan) Ltd. Dispositif à mémoire à semiconducteur, dispositif à semiconducteur à mémoire intégrée et procédé de fabrication de ce dispositif

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013038553A1 (fr) 2013-03-21
KR20130056897A (ko) 2013-05-30
CN103119720A (zh) 2013-05-22
JPWO2013038553A1 (ja) 2015-03-23
TW201312693A (zh) 2013-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5279971B1 (ja) 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
US12532467B2 (en) Nonvolatile memory with vertical contact through memory stack
US8669601B2 (en) Method for producing semiconductor device and semiconductor device having pillar-shaped semiconductor
KR101964262B1 (ko) 반도체 소자 및 그 제조 방법
CN107887391B (zh) 存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备
KR102401486B1 (ko) 콘택 구조물을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법.
CN114695518B (zh) 沟槽型mos器件及其制造方法
TWI525749B (zh) 二維自對準之電晶體接觸
CN106298792B (zh) 存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备
JP2008066721A (ja) 垂直型電界効果トランジスタ・アレイ及びその製造方法
US20150014765A1 (en) Radiation resistant cmos device and method for fabricating the same
TW202011608A (zh) 用於接觸件之不同上部與下部間隔件
CN106935589A (zh) 具有monos存储单元的嵌入式存储器的高介电层后制制造工艺
TWI575735B (zh) 半導體裝置結構及其形成方法
CN107912068B (zh) 半导体集成电路装置的制造方法及半导体集成电路装置
JP6880595B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH05226378A (ja) 電荷転送素子の製法
KR100676348B1 (ko) 사이드월 스페이서를 갖는 반도체 장치의 제조 방법
CN101351892A (zh) 半导体器件和制造该半导体器件的方法
KR100725366B1 (ko) 듀얼 게이트 패턴을 갖는 이미지 센서 및 그 제조 방법
JP2003008008A (ja) 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
CN112420699A (zh) 半导体装置
TW201312736A (zh) 固體攝像裝置
TWI553865B (zh) 功率金氧半電晶體元件
JP2007109800A (ja) 半導体素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130507

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130521

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5279971

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250