JP4850811B2 - 載置台、処理装置および処理システム - Google Patents

Description

本発明は、例えばフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用の小型の基板などの被処理体を載置する載置台、この載置台を備えた処理装置および処理システムに関する。

液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に代表されるＦＰＤの製造過程においては、真空下でガラス基板等の被処理体に、エッチング、成膜等の各種処理を施し、被処理体上にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等の電子デバイスを形成する。ＦＰＤの製造では、処理効率を高めるため、１辺の長さが１〜２メートルにも及ぶ大型の基板を処理容器内の載置台に載置して各種の処理を行った後、製品の大きさに応じて基板を分割する方法が採用されてきた。

しかし、近年、例えば携帯電話や携帯ゲーム機などの小型のＦＰＤ製品や、太陽電池パネルなどの需要増加に伴い、小型の基板（小片基板）に対して直接エッチングや成膜などの加工を行う検討もなされている。小片基板を処理する場合には、製造コストを抑制する観点から、大型の処理容器内で複数枚の小片基板を一括してバッチ処理することが効率的である。

小片基板をバッチ処理する場合、皿状のトレイに複数枚の小片基板を載せて処理容器内に搬送し、載置台にトレイごと載置して処理を行うことが可能である。しかし、トレイを使用する方法の問題点として、例えばプラズマエッチング処理などの際に、プラズマの作用でトレイが損傷を受けるという問題がある。このため、トレイを定期的に交換したり、耐プラズマ性の高い素材でトレイを構成したりするなどの対策が必要であり、トレイの使用コストが無視できない。

また、プラズマエッチング処理などでは、通常、エッチング処理の精度を上げるために、基板の裏面側に冷却用ガスを導入して基板の温度上昇を抑制する措置が講じられる。この場合、トレイを使用する方法の別の問題点として、トレイを使用することにより直接基板を冷却することができなくなり、冷却効率が低下するという問題がある。

トレイを使用する方法のさらに別の問題点として、トレイに被処理体を載置した状態で搬送する必要があることから、トレイの重量分だけ被処理体を搬送する搬送機構に与える負荷が増加するという問題がある。搬送機構への負担を避けるために、トレイの重量分だけ被処理体の処理枚数を減らすと、１回の処理における処理効率が低下してしまう。

トレイを使用せずに複数枚の基板を一括して載置台へ搬送する基板搬送システムとして、複数枚の基板を同時に支持可能な櫛型形状のハンドを供えた搬送アームを用いる技術が提案されている（例えば、特許文献１）。この特許文献１の基板搬送システムでは、櫛歯間に進入可能に配置され、かつ昇降変位可能なリフタピンを利用して前記ハンドと載置台との間で基板の受渡しが行われる。

特開２００６−２９４７８６号公報

特許文献１のように、複数枚の小片基板を載置台に受け渡す際にリフタピンを用いる技術では、一度に受け渡す小片基板の数が増加すると、それに応じてリフタピンの数も増加させなければならない。一枚の小片基板を支持するためには、３〜４本のリフタピンを必要とする。多数の小片基板を昇降変位させるためには、多数のリフタピンが必要になることから載置台の内部に複雑な機構を設ける必要がある。また、リフタピンを用いる場合には、それらの配置間隔や本数を小片基板の枚数や大きさに応じて変更することは不可能である。従って、特許文献１の技術は、例えば数十枚の小片基板を一括処理する目的には適していない。

また、通常プラズマ処理を行う場合には、プラズマのフォーカス性を高めるとともに、下部電極を兼ねる載置台の異常放電を防止するため、載置面の周囲に絶縁性部材からなるフォーカスリングあるいはシールドリングと称せられる絶縁性部材を配置している。多数の小片基板を一括してプラズマ処理する場合にも、同様の目的で小片基板の周囲に絶縁性部材を配設することが必要である。しかし、小片基板を一括処理する場合に、上記機能を実現するための絶縁性部材の構造については、検討がなされていない。

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、多数の被処理体を一括受渡しすることが可能な載置台を提供することである。また、本発明の第２の目的は、多数の被処理体を一括処理することが可能な載置台を提供することである。

本発明の第１の観点に係る載置台は、処理装置において被処理体を載置する載置台であって、
複数枚の被処理体を載置する複数の載置面と、
前記載置面と平行な状態で互いに間隔を空けて同方向に配列され、昇降自在に構成された複数の可動部材を有しており、前記可動部材により被処理体を支持することによって搬送装置との間で複数枚の被処理体の受渡しを一括して行う受渡し機構と、
前記載置面の周囲を囲み、前記載置面を区画する絶縁部と、
を備え、
前記絶縁部は、第１の絶縁性部材と、該第１の絶縁性部材と組み合わされて前記載置面の周囲を囲む第２の絶縁性部材と、を有するとともに、
前記可動部材は、絶縁性材料から構成されており、前記絶縁部の一部分をなす第１の絶縁性部材を兼ねている。

本発明の第１の観点に係る載置台において、前記可動部材は、複数枚の被処理体を支持しつつ下降した位置で前記載置面に被処理体を載置し、複数枚の被処理体を支持しつつ上昇した位置で前記搬送装置との間で被処理体の受渡しを行うものであってもよい。

また、本発明の第１の観点に係る載置台において、前記第１の絶縁性部材と前記第２の絶縁性部材とが直交して配置されることにより前記絶縁部が格子状に形成されていてもよい。

また、本発明の第１の観点に係る載置台において、前記第１の絶縁性部材に、被処理体を位置決めする段部を設けてもよい。

また、本発明の第１の観点に係る載置台において、前記複数の載置面のそれぞれに対応して、被処理体を吸着保持する静電吸着機構が設けられていてもよい。

また、本発明の第１の観点に係る載置台において、前記載置面には、被処理体の裏面を冷却する冷却用気体の吐出口が設けられていてもよい。

本発明の第２の観点に係る処理装置は、
複数枚の被処理体を一括処理する処理装置であって、
処理容器と、
前記処理容器内に配置された上記第１の観点の載置台と、
を備えている。

本発明の第２の観点に係る処理装置は、プラズマにより被処理体を処理するプラズマ処理装置であってもよい。

本発明の第３の観点に係る処理システムは、
複数枚の被処理体を一括処理する処理装置と、複数枚の被処理体を同時に支持する櫛歯状の支持部材を有する搬送装置と、を備えた処理システムであって、
前記処理装置は、処理容器と、前記処理容器内で複数枚の被処理体を載置する載置台とを有しており、
前記載置台は、被処理体を載置する複数の載置面と、
前記載置面と平行な状態で互いに間隔を空けて同方向に配列され、昇降自在に構成された複数の可動部材により被処理体を支持することによって前記櫛歯状の支持部材との間で複数枚の被処理体の受渡しを一括して行う受渡し機構と、
前記載置面の周囲を囲み、前記載置面を区画する絶縁部と、
を備え、
前記絶縁部は、第１の絶縁性部材と、該第１の絶縁性部材と組み合わされて前記載置面の周囲を囲む第２の絶縁性部材と、を有するとともに、
前記可動部材は、絶縁性材料から構成されており、前記絶縁部の一部分をなす第１の絶縁性部材を兼ねている。

本発明の載置台は、載置面と平行な状態で昇降自在に構成された複数の可動部材により小片基板などの被処理体を支持し、搬送装置との間で複数枚の被処理体の受渡しを一括して行う受渡し機構を備えたことにより、トレイが不要になり、トレイを用いて被処理体の一括受渡しを行う従来技術における上記の諸問題を解決できる。特に、トレイを使用しないことによって、静電吸着機構や被処理体の裏面へのバッククーリング機構を採用できる、という効果を奏する。また、リフタピンを用いて被処理体の一括受渡しを行う従来技術に比べると、可動部材は外付けの簡単な昇降機構で上下に変位させることができるので、受渡し機構の構成を格段に簡素化でき、より多くの被処理体を確実に一括受渡しすることが可能になる、という効果を奏する。

また、本発明の載置台において、前記可動部材を絶縁性材料で形成して第１の絶縁性部材とし、第２の絶縁性部材とともに格子状の絶縁部を形成した場合は、被処理体を一括してプラズマ処理する際に、載置台の上面における異常放電を確実に防止できる、という効果を奏する。さらに、格子状の絶縁部は、その内側に載置された被処理体へ向けてプラズマをフォーカスさせる役割を持つので、装置構成の複雑化を極力避け、簡易な構成によって処理装置における被処理体の一括大量処理が可能になる、という効果を奏する。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。ここでは、本発明の載置台を備えた第１の実施の形態のプラズマエッチング装置および該プラズマエッチング装置を備えた真空処理システムを例に挙げて説明を行なう。図１は真空処理システム１００を概略的に示す斜視図であり、図２は、各チャンバの内部を概略的に示す平面図である。この真空処理システム１００は、複数のプロセスチャンバ１ａ，１ｂ，１ｃを有するマルチチャンバ構造をなしている。真空処理システム１００は、例えばＦＰＤ用の小片ガラス基板（以下、単に「小片基板」と記す）Ｓに対してプラズマ処理を行なうための処理システムとして構成されている。なお、ＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネセンス（Electro Luminescence；ＥＬ）ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等が例示される。

真空処理システム１００では、複数の大型チャンバが平面視十字形に連結されている。中央部には搬送室３が配置され、その三方の側面に隣接して小片基板Ｓに対してプラズマ処理を行なう３つのプロセスチャンバ１ａ，１ｂ，１ｃが配設されている。また、搬送室３の残りの一方の側面に隣接してロードロック室５が配設されている。これら３つのプロセスチャンバ１ａ，１ｂ，１ｃ、搬送室３およびロードロック室５は、いずれも真空チャンバとして構成されている。搬送室３と各プロセスチャンバ１ａ，１ｂ，１ｃとの間には図示しない開口部が設けられており、該開口部には、開閉機能を有するゲートバルブ７ａがそれぞれ配設されている。また、搬送室３とロードロック室５との間には、ゲートバルブ７ｂが配設されている。ゲートバルブ７ａ，７ｂは、閉状態で各チャンバの間を気密にシールするとともに、開状態でチャンバ間を連通させて小片基板Ｓの移送を可能にしている。また、ロードロック室５と外部の大気雰囲気との間にもゲートバルブ７ｃが配備されており、閉状態でロードロック室５の気密性を維持するとともに開状態でロードロック室５内と外部との間で小片基板Ｓの移送を可能にしている。

ロードロック室５の外側には、２つのカセットインデクサ９ａ，９ｂが設けられている。各カセットインデクサ９ａ，９ｂの上には、それぞれ小片基板Ｓを収容するカセット１１ａ，１１ｂが載置されている。各カセット１１ａ，１１ｂ内には、複数枚の小片基板Ｓを支持する基板支持体（図示せず）が、上下に間隔を空けて多段に配置されている。また、各カセット１１ａ，１１ｂは、昇降機構部１３ａ，１３ｂによりそれぞれ昇降自在に構成されている。本実施の形態では、例えばカセット１１ａには未処理基板を収容し、他方のカセット１１ｂには処理済み基板を収容できるように構成されている。

これら２つのカセット１１ａ，１１ｂの間には、小片基板Ｓを搬送するための搬送装置１５が設けられている。この搬送装置１５は、上下２段に設けられたフォーク１７ａおよびフォーク１７ｂと、これらフォーク１７ａ，フォーク１７ｂを進出、退避および旋回可能に支持する駆動部１９と、この駆動部１９を支持する支持台２１とを備えている。

プロセスチャンバ１ａ，１ｂ，１ｃは、その内部空間を所定の減圧雰囲気（真空状態）に維持できるように構成されている。各プロセスチャンバ１ａ，１ｂ，１ｃ内には、図２に示したように、複数の小片基板Ｓを載置する載置台としてのサセプタ１０５が配備されている。そして、各プロセスチャンバ１ａ，１ｂ，１ｃでは、小片基板Ｓをサセプタ１０５に載置した状態で、小片基板Ｓに対して、例えば真空条件でのエッチング処理、アッシング処理、成膜処理などのプラズマ処理が行なわれる。サセプタ１０５の詳細な構成については後述する。

本実施形態では、３つのプロセスチャンバ１ａ，１ｂ，１ｃで同種の処理を行ってもよいし、プロセスチャンバ毎に異なる種類の処理を行ってもよい。なお、プロセスチャンバの数は３つに限らず、４つ以上であってもよい。

搬送室３は、真空処理室であるプロセスチャンバ１ａ〜１ｃと同様に所定の減圧雰囲気に保持することができるように構成されている。搬送室３の中には、図２に示したように、上下２段に設けられたフォーク２３ａ，２３ｂ（上段のフォーク２３ａのみ図示した。以下、「フォーク２３」と記す）を備えた搬送装置２５が配設されている。搬送装置２５のフォーク２３は、一つの基部２６ａと、この基部２６ａに固定された複数（本実施の形態では４本）の細板状の支持部材２６ｂを有している。フォーク２３は、進出、退避および旋回可能に構成されている。フォーク２３は、複数枚の小片基板Ｓを一括して支持できる。そして、搬送装置２５により、３つのプロセスチャンバ１ａ，１ｂ，１ｃおよびロードロック室５の間で小片基板Ｓの一括搬送が行われる。

ロードロック室５は、各プロセスチャンバ１ａ〜１ｃおよび搬送室３と同様に所定の減圧雰囲気に保持できるように構成されている。ロードロック室５は、大気雰囲気にあるカセット１１ａ，１１ｂと減圧雰囲気の搬送室３との間で小片基板Ｓの授受を行うためのものである。ロードロック室５は、大気雰囲気と減圧雰囲気とを繰り返す関係上、極力その内容積が小さく構成されている。ロードロック室５には、小片基板Ｓを一時的に収容する基板収容部２７が上下２段に設けられている（図２では上段のみ図示）。各基板収容部２７には、小片基板Ｓを支持する複数の細長い載置部材２９が設けられている。隣接する載置部材２９の間は、小片基板Ｓの幅より狭く、かつ搬送装置１５のフォーク１７ａ，フォーク１７ｂや搬送装置２５のフォーク２３の基板支持部（例えば、フォーク２３の支持部材２６ｂ）の幅よりも広くなっている。従って、隣接する載置部材２９に架け渡すように載置された小片基板Ｓをフォーク１７ａ，１７ｂやフォーク２３ですくい上げるように受け取ったり、逆にフォーク１７ａ，１７ｂやフォーク２３から載置部材２９に小片基板Ｓを受渡したりすることができるようになっている。

図２に示したように、真空処理システム１００の各構成部は、制御部３０に接続されて制御される構成となっている（図１では図示を省略）。制御部３０は、ＣＰＵを備えたコントローラ３１と、ユーザーインターフェース３２と記憶部３３とを備えている。コントローラ３１は、真空処理システム１００において、例えばプロセスチャンバ１ａ〜１ｃ、搬送装置１５、搬送装置２５などの各構成部を統括して制御する。ユーザーインターフェース３２は、工程管理者が真空処理システム１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、真空処理システム１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成される。記憶部３３は、真空処理システム１００で実行される各種処理をコントローラ３１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記録されたレシピが保存されている。ユーザーインターフェース３２および記憶部３３は、コントローラ３１に接続されている。

そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース３２からの指示等にて任意のレシピを記憶部３３から呼び出してコントローラ３１に実行させることで、コントローラ３１の制御下で、真空処理システム１００での所望の処理が行われる。

前記制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体、例えばＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリなどに格納された状態のものを利用できる。あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。

次に、以上のように構成された真空処理システム１００の動作について説明する。
まず、搬送装置１５の２枚のフォーク１７ａ，１７ｂを進退駆動させて、未処理基板を収容したカセット１１ａから複数枚の小片基板Ｓを受け取り、ロードロック室５の上下２段の基板収容部２７にそれぞれ載置する。

フォーク１７ａ，１７ｂを退避させた後、ロードロック室５の大気側のゲートバルブ７ｃを閉じる。その後、ロードロック室５内を排気して、内部を所定の真空度まで減圧する。次に、搬送室３とロードロック室５との間のゲートバルブ７ｂを開いて、搬送装置２５のフォーク２３により、ロードロック室５の基板収容部２７に収容された複数枚の小片基板Ｓを一括して受け取る。

次に、搬送装置２５のフォーク２３により、プロセスチャンバ１ａ，１ｂ，１ｃのいずれかに複数枚の小片基板Ｓを搬入し、一括してサセプタ１０５に受け渡す。そして、プロセスチャンバ１ａ，１ｂ，１ｃ内で複数枚の小片基板Ｓに対してエッチング等の所定の処理が施される。次に、処理済みの複数枚の小片基板Ｓは、サセプタ１０５から搬送装置２５のフォーク２３に一括して受け渡され、プロセスチャンバ１ａ，１ｂ，１ｃから搬出される。以上の過程で行なわれるフォーク２３とサセプタ１０５との間の小片基板Ｓの一括受渡し機構については後で詳細に説明する。

そして、複数の小片基板Ｓは、前記とは逆の経路でロードロック室５を経て、搬送装置１５によりカセット１１ｂに収容される。なお、処理済みの小片基板Ｓを元のカセット１１ａに戻してもよい。

次に、図３から図８を参照しながら、本実施の形態に係る載置台、およびこの載置台を備えた処理装置の一例である本発明の一実施の形態に係るプラズマエッチング装置について説明を行う。図３は、プロセスチャンバ１ａ，１ｂまたは１ｃとして適用可能なプラズマエッチング装置２００の概略構成を示す断面図である。

図３に示したように、プラズマエッチング装置２００は、矩形をした複数の小片基板Ｓに対してエッチングを行なう容量結合型の平行平板プラズマエッチング装置として構成されている。

このプラズマエッチング装置２００は、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる角筒形状に成形された処理容器１０１を有している。この処理容器１０１内の底部には、枠形状の絶縁性部材１０３が配置されている。絶縁性部材１０３の上には、複数枚の小片基板Ｓを同時に載置可能な載置台であるサセプタ１０５が設けられている。図４に、サセプタ１０５の外観斜視図を、図５にサセプタ１０５の平面図をそれぞれ示した。また、図６に図５のVI−VI線矢視の断面を、図７に同VII−VII線矢視の断面を、図８に同VIII−VIII線矢視の断面をそれぞれ示した。なお、図３におけるサセプタ１０５の断面構造は図５中のIII-III線矢視の断面である。

下部電極でもあるサセプタ１０５は、主要な構成として、基材１０７と、基材１０７を囲む絶縁性部材１１７ａ，１１７ｂと、可動部材としての可動シールド部材１２３を有する受渡し機構部１１１と、を備えている。受渡し機構部１１１は、搬送装置２５のフォーク２３との間で小片基板Ｓを一括して受渡すことができるようになっている。

基材１０７は、例えばアルミニウムやステンレス鋼（ＳＵＳ）などの導電性材料で形成されている。基材１０７は、絶縁性部材１０３の上に配置され、両部材の接合部分にはＯリングなどのシール部材１１３が配備されて気密性が維持されている。絶縁性部材１０３と処理容器１０１の底壁１０１ａとの間も、シール部材１１４により気密性が維持されている。基材１０７の側部外周は、絶縁性部材１１７ａおよび１１７ｂにより囲まれている。これによって、サセプタ１０５の側面の絶縁性が確保され、プラズマ処理の際の異常放電が防止されている。

また、基材１０７の上面には、格子状に凹凸が形成され、その凸部には、複数の小片基板Ｓを保持するための複数の載置面１０７ａが形成されている。また、格子状の凹凸の凹部には固定シールド部材１２１および可動シールド部材１２３が嵌め込まれている。なお、基材１０７の表面はアルマイト処理されている。

サセプタ１０５の上面には、図４および図５にも示したように、図中Ｘ方向に配設された複数の固定シールド部材１２１（第２の絶縁性部材）と、Ｘ方向と直交するＹ方向に配設された複数の可動シールド部材１２３（第１の絶縁性部材）とが設けられている。固定シールド部材１２１は表面部分のみが露出するようにしてサセプタ１０５の基材１０７中に埋め込まれている。長板状の可動シールド部材１２３は、前記載置面１０７ａに対して平行な状態を維持したまま昇降変位可能に設けられている。可動シールド部材１２３は、下降させた位置では基材１０７に形成された凹部１０７ｂに嵌め込まれ、その上面が載置面１０７ａと面一になって小片基板Ｓを支持できるようになっている。なお、可動シールド部材１２３は、その上面で小片基板Ｓを支持できるものであればその形状は問わない。

また、図６および図７に示したように、固定シールド部材１２１の上面には、段部１２１ａが形成されている。また、可動シールド部材１２３の下面には段部１２３ａが形成されている。そして、固定シールド部材１２１の上面の段部１２１ａによる凹凸と、可動シールド部材１２３の下面の段部１２３ａによる凹凸とが、互い違いに噛み合うように両部材が交差して配置されている。このように、固定シールド部材１２１と可動シールド部材１２３とは、互いに交差して格子状絶縁部１２５を形成している。この格子状絶縁部１２５により区画されたサセプタ１０５表面の露出部分が、前記載置面１０７ａになっている。つまり、サセプタ１０５の表面に複数形成された各載置面１０７ａの周囲は、固定シールド部材１２１と可動シールド部材１２３からなる格子状絶縁部１２５に囲まれている。

固定シールド部材１２１と可動シールド部材１２３とからなる格子状絶縁部１２５は、プラズマのフォーカス性を高め、載置面１０７ａに載置された小片基板Ｓにプラズマを集中させる機能を有している。また、格子状絶縁部１２５は、プラズマ処理の際に、サセプタ１０５を構成する基材１０７における異常放電を防止する機能を有している。特に、本実施の形態では、固定シールド部材１２１の上面の段部１２１ａによる凹凸と、可動シールド部材１２３の下面の段部１２３ａによる凹凸とが、互い違いに噛み合うように配置した構造により十分なシールド機能が確保されている。

また、各可動シールド部材１２３は、小片基板Ｓを支持しつつ同期して昇降変位可能に構成されている。そして、可動シールド部材１２３は、搬送装置２５のフォーク２３との間で複数の小片基板Ｓの一括受渡しを行う受渡し機構部１１１の構成部材としても機能する。受渡し機構部１１１の詳細な内容については後で説明する。

図３を参照すると、前記サセプタ１０５の上方には、このサセプタ１０５と平行に、かつ対向して上部電極として機能するシャワーヘッド１３１が設けられている。シャワーヘッド１３１は処理容器１０１の上部に支持されている。シャワーヘッド１３１は中空状をなし、その内部には、ガス拡散空間１３３が設けられている。また、シャワーヘッド１３１の下面（サセプタ１０５との対向面）には、処理ガスを吐出する複数のガス吐出孔１３５が形成されている。このシャワーヘッド１３１は接地されており、サセプタ１０５とともに一対の平行平板電極を構成している。

シャワーヘッド１３１の上部中央付近には、ガス導入口１３７が設けられている。このガス導入口１３７には、処理ガス供給管１３９が接続されている。この処理ガス供給管１３９には、２つのバルブ１４１，１４１およびマスフローコントローラ１４３を介して、エッチングのための処理ガスを供給するガス供給源１４５が接続されている。処理ガスとしては、例えばハロゲン系ガスやＯ_２ガスのほか、Ａｒガス等の希ガスなどを用いることができる。

前記処理容器１０１の底部には、排気口１５１が複数箇所（図３では２箇所を図示した）に形成されている。排気口１５１には排気管１５３が接続されており、この排気管１５３は排気装置１５５に接続されている。排気装置１５５は、例えばターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、これにより処理容器１０１内を所定の減圧雰囲気まで真空引き可能に構成されている。

また、処理容器１０１の側壁には、図示しない基板搬入出口が設けられている。この基板搬入出口は、ゲートバルブ７ａによって開閉される（図１および図２参照）。そして、このゲートバルブ７ａを開にした状態で小片基板Ｓが隣接する搬送室３との間で搬送されるようになっている（図１および図２参照）。

サセプタ１０５の基材１０７には、給電線１７１が接続されており、この給電線１７１にはマッチングボックス（Ｍ．Ｂ．）１７３を介して高周波電源１７５が接続されている。これにより、高周波電源１７５から例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が、下部電極としてのサセプタ１０５に供給される。

次に、受渡し機構部１１１について詳細に説明する。受渡し機構部１１１は、図４にも示したように、複数の可動シールド部材１２３と、各可動シールド部材１２３を両端で支持する複数のロッド１８７と、サセプタ１０５の両側部においてこれらのロッド１８７を連結する連結部材１８９と、連結部材１８９を支持しつつ上下に変位させる駆動シャフト１９１と、駆動シャフト１９１を上下に駆動する駆動部１９３とを有している。

可動部材としての可動シールド部材１２３は、複数（図４では５枚）が互いに間隔を空けて同方向に配列されている。隣接する可動シールド部材１２３どうしの間隔は、小片基板Ｓの幅よりも狭く形成されており、小片基板Ｓの両端に係合することにより隣接する可動シールド部材１２３間に小片基板Ｓを架け渡すことができるようになっている。また、可動シールド部材１２３どうしの間隔は、搬送装置２５のフォーク２３の支持部材２６ｂの幅よりも広くなっており、可動シールド部材１２３の間を支持部材２６ｂが干渉せずに上下に通り抜けることができるようになっている。可動シールド部材１２３は、例えばセラミックスや石英などの絶縁材料により構成されている。

ロッド１８７は、サセプタ１０５の両側部において各可動シールド部材１２３の両端にほぼ直交して接合され、可動シールド部材１２３を水平に支持している。各ロッド１８７の下端は、サセプタ１０５の両側部においてそれぞれ１つずつの連結部材１８９により連結されている。各ロッド１８７は、可動シールド部材１２３を上昇させた位置で連結部材１８９が搬送装置２５のフォーク２３と干渉しないように十分な高さを有している。

連結部材１８９は、２本の駆動シャフト１９１によってほぼ水平に支持された板状部材である。連結部材１８９とロッド１８７によって、各可動シールド部材１２３の上面の高さは同じ位置で水平に揃えられ、かつ同期して上下に変位可能になっている。

連結部材１８９を下から支持する駆動シャフト１９１は、処理容器１０１の底壁１０１ａを貫通して設けられ、処理容器１０１の底外部に配設された駆動部１９３に接続されている。処理容器１０１の底壁１０１ａを貫通する駆動シャフト１９１の周囲は、図示しないベローズなどのシール機構によりシールされ、処理容器１０１内の気密性が確保されている。

駆動部１９３は、駆動シャフト１９１を上下に進退させて、連結部材１８９、ロッド１８７および可動シールド部材１２３を上下に昇降変位させるとともに、所定高さに静止・位置決めできる駆動機構を有している。このような駆動機構としては、例えば、モータにより駆動するボールねじ機構、エアシリンダーなどを利用できる。

ロッド１８７、連結部材１８９の材質は、可動シールド部材１２３と同様に例えばセラミックスや石英などの絶縁材料を用いることが好ましい。

本実施の形態では、受渡し機構部１１１を、５枚の可動シールド部材１２３を左右５本ずつのロッド１８７によって連結部材１８９に連結し、左右２本ずつの駆動シャフト１９１により連結部材１８９を昇降変位させる構成とした。しかし、可動シールド部材１２３やロッド１８７、駆動シャフト１９１の本数は、受渡しを行う小片基板Ｓの枚数などに応じて適宜変更可能である。また、可動シールド部材１２３をサセプタ１０５の両側で支持する両持ち構造とせずに、片側のみで支持する片持ち構造としてもよい。さらに、受渡し機構部１１１は、複数の小片基板Ｓを支持する可動シールド部材１２３の水平状態を保ったまた昇降変位させ得る機構であれば、上記構成に制約されるものではない。

次に、以上のような構成を有する受渡し機構部１１１による小片基板Ｓの受渡しについて図９から図１２を参照しながら説明する。まず、図９に示したように、複数の小片基板Ｓを載置した搬送装置２５のフォーク２３を、プロセスチャンバ１ａ〜１ｃのいずれかに挿入し、サセプタ１０５の上方位置まで進出させる。受渡し機構部１１１の可動シールド部材１２３は、複数枚の小片基板Ｓを支持しつつ上昇した位置で搬送装置２５のフォーク２３との間で小片基板Ｓの一括受渡しを行う。また、可動シールド部材１２３は、複数枚の小片基板Ｓを支持しつつ下降した位置で各載置面１０７ａに各小片基板Ｓを載置する。次に、図１０に示したように、複数の小片基板Ｓを載置したフォーク２３を、サセプタ１０５上方の所定の高さ位置で停止させる。この停止位置Ａは、フォーク２３の各支持部材２６ｂが隣接する可動シールド部材１２３の隙間の真上に位置するよう設定される。

次に、受渡し機構部１１１の可動シールド部材１２３を所定の高さ（位置Ｂ）まで上昇させる。すなわち、駆動部１９３を駆動させることによって駆動シャフト１９１を介して連結部材１８９を上昇させ、可動シールド部材１２３の水平状態を維持したまま上昇させる。上昇させた可動シールド部材１２３の位置Ｂは、フォーク２３の停止位置Ａよりも高く設定されている。可動シールド部材１２３は、フォーク２３と干渉することなく、フォーク２３よりも高い位置Ｂまで上昇する。その上昇途中で、フォーク２３に載置されていた小片基板Ｓは、図１１に示したように、その両端部において隣接する可動シールド部材１２３に支持された状態で可動シールド部材１２３に一括して受け渡される。小片基板Ｓを受渡した後は、フォーク２３を退避させる。

次に、受渡し機構部１１１の可動シールド部材１２３を下降させる。すなわち、駆動部１９３を駆動させることによって駆動シャフト１９１を介して連結部材１８９を下降させ、水平状態を維持したまま可動シールド部材１２３を下降させる。本実施の形態では、下降位置での可動シールド部材１２３の上面は、サセプタ１０５の上面と面一になっている。これにより、図１２に示したように、小片基板Ｓは、一括してサセプタ１０５に載置される。

サセプタ１０５から搬送装置２５のフォーク２３への小片基板Ｓの受渡しは、上記と逆の手順で実施できる。

以上の受渡し動作では、フォーク２３上での小片基板Ｓの位置を決めておくことにより、サセプタ１０５へ受け渡された後の各小片基板Ｓをサセプタ１０５の載置面１０７ａに正確に位置合わせして載置することができる。この位置合わせを確実に行うため、本実施の形態では、例えば図１３に示したように、フォーク２３の各支持部材２６ｂの上面に段差を設けて、小片基板Ｓを位置決めする位置決め用の載置部３００を形成してもよい。このような載置部３００を有するフォーク２３を用いることにより、可動シールド部材１２３へ小片基板Ｓを受け渡す際に正確な位置で受渡しを行うことができる。また、載置部３００によって、加減速を伴うフォーク２３の搬送途中での小片基板Ｓの位置ずれについても防止できる。

また、図１４および図１５に示したように、可動シールド部材１２３の縁部に、小片基板Ｓを位置決めする段部としての位置決め用切り欠き部３０１を形成しておくことも好ましい。このように、可動シールド部材１２３に位置決め用切り欠き部３０１を設けることにより、可動シールド部材１２３上での各小片基板Ｓの位置合わせが容易になる。従って、可動シールド部材１２３を下降させる際に、各小片基板Ｓをサセプタ１０５の各載置面１０７ａに正確に位置合わせして載置することができる。これにより、例えばエッチング等の処理を行う場合の加工精度を確保することができる。また、位置決め用切り欠き部３０１を設けることにより、サセプタに小片基板Ｓを載置した状態で、小片基板Ｓの上面と、可動シールド部材１２３の上面とを面一にすることができるので、小片基板Ｓへのプラズマのフォーカス性を向上させることができる。

本実施の形態において、搬送装置２５のフォーク２３からサセプタ１０５への小片基板Ｓの一括受渡しの方法は、上記手順に限定されるものではない。例えば、フォーク２３が昇降自在に構成されている場合には、可動シールド部材１２３を上昇させた状態でフォーク２３を下降させることにより、フォーク２３から可動シールド部材１２３への小片基板Ｓの一括受渡しを行ってもよい。この場合は、可動シールド部材１２３を予め上昇位置にセットしておき、その状態で小片基板Ｓを載置したフォーク２３をサセプタ１０５上に移動させてもよい。

次に、以上のように構成されるプラズマエッチング装置２００における処理動作について説明する。まず、ゲートバルブ７ａが開放された状態で、被処理体である複数枚の小片基板Ｓが、搬送装置２５のフォーク２３によって搬送室３から図示しない基板搬入出口を介して処理容器１０１内へと搬入される。小片基板Ｓは、搬送装置２５のフォーク２３に複数枚例えば２０枚が一括して支持された状態で移送される。そして、上記手順に従い、受渡し機構部１１１の可動シールド部材１２３を介してフォーク２３からサセプタ１０５へ小片基板Ｓの一括受渡しが行われる。複数枚の小片基板Ｓは、サセプタ１０５に形成された各載置面１０７ａ上に位置合わせされて載置される。その後、ゲートバルブ７ａが閉じられ、排気装置１５５によって、処理容器１０１内が所定の真空度まで真空引きされる。

次に、バルブ１４１を開放して、ガス供給源１４５から処理ガスを処理ガス供給管１３９、ガス導入口１３７を介してシャワーヘッド１３１のガス拡散空間１３３へ導入する。この際、マスフローコントローラ１４３によって処理ガスの流量制御が行われる。ガス拡散空間１３３に導入された処理ガスは、さらに複数の吐出孔１３５を介してサセプタ１０５上に載置された小片基板Ｓに対して均一に吐出され、処理容器１０１内の圧力が所定の値に維持される。

この状態で高周波電源１７５から高周波電力がマッチングボックス１７３を介してサセプタ１０５に印加される。これにより、下部電極としてのサセプタ１０５と上部電極としてのシャワーヘッド１３１との間に高周波電界が生じ、処理ガスが解離してプラズマ化する。このプラズマにより、小片基板Ｓにエッチング処理が施される。各小片基板Ｓは、固定シールド部材１２１と可動シールド部材１２３とからなる格子状絶縁部１２５に囲まれた状態でプラズマ処理されるため、格子状絶縁部１２５がプラズマのフォーカス性を高め、高い処理効率が得られる。また、格子状絶縁部１２５によって高周波電界中でもサセプタ１０５表面における異常放電が防止される。

エッチング処理を施した後、高周波電源１７５からの高周波電力の印加を停止し、ガス導入を停止した後、処理容器１０１内を所定の圧力まで減圧する。次に、ゲートバルブ７ａを開放し、受渡し機構部１１１の可動シールド部材１２３から搬送装置２５のフォーク２３に小片基板Ｓを一括して受け渡し、処理容器１０１の基板搬入出口（図示省略）から搬送室３へ搬出する。以上の操作により、小片基板Ｓに対する一括エッチング処理が終了する。

本実施の形態に係るサセプタ１０５は、可動シールド部材１２３を用いる受渡し機構１１１を備えたことにより、複数の小片基板Ｓを、搬送装置２５のフォーク２３から一括して受け取り、かつフォーク２３へ一括して受渡すことができる。従って、トレイを用いて小片基板Ｓの一括受渡しを行う従来技術における上記の諸問題を解決できる。特に、トレイを使用しないことによって、静電吸着機構や小片基板Ｓの裏面へのバッククーリング機構を採用できる利点がある（後記、第２の実施の形態を参照）。また、リフタピンを用いて小片基板Ｓの一括受渡しを行う従来技術に比べると、板状の可動シールド部材１２３は、サセプタ１０５に外付けされた簡易な機構で上下に昇降変位させることができるので、受渡し機構の構成を格段に簡素化でき、より多くの小片基板Ｓを確実に一括受渡しすることが可能になる。さらに、可動シールド部材１２３を用いる受渡し機構１１１は、構成が簡易であることから、可動シールド部材１２３の交換や隣接する可動シールド部材１２３の間隔の調整などを容易に行うことができる。従って、小片基板Ｓの大きさや受渡しの枚数に応じて、可動シールド部材１２３の設置数、幅、間隔などを自由に設定できる。なお、可動シールド部材１２３の交換や間隔の調整は、例えば連結部材１８９を含めてロッド１８７および可動シールド部材１２３を一括して交換することにより行ってもよいし、あるいは、連結部材１８９におけるロッド１８７の取付本数や取付位置を変更可能に構成してもよい。

また、絶縁材料からなる可動シールド部材１２３は、下降位置すなわちサセプタ１０５の上面に当接した位置では、固定シールド部材１２１とともに小片基板Ｓの周囲を囲む格子状絶縁部１２５を形成してシールド機能を奏するので、サセプタ１０５の上面における異常放電を確実に防止できる。さらに、格子状絶縁部１２５は、その内側に載置された小片基板Ｓへ向けてプラズマをフォーカスさせる役割を果たす。このように、可動シールド部材１２３に基板受渡し機能とシールド機能とプラズマフォーカス機能を持たせることにより、装置構成の複雑化を極力避け、簡易な構成によってサセプタ１０５における小片基板Ｓの一括大量処理が可能になり、処理効率を向上させることができる、という効果が得られる。

［第２の実施の形態］
次に、図１６および図１７を参照しながら、本発明の第２の実施の形態について説明する。図１６は、本実施の形態のプラズマエッチング装置２０１の概略断面構造を示す図面である。本実施の形態においては、サセプタ２０５に、小片基板Ｓを吸着保持する静電吸着機構および各小片基板Ｓの裏面に冷却用の伝熱ガスを導入するバッククーリング機構を設けた点で、第１の実施の形態と異なる。以下の説明では、第１の実施の形態との相違点を中心に説明し、第１の実施の形態と同様の構成には同一の符号を付して説明を省略する。

プラズマエッチング装置２０１は、第１の実施の形態に係るプラズマエッチング装置２００と同様に、真空処理システム１００において、プロセスチャンバ１ａ，１ｂまたは１ｃとして適用可能なものである（図１および図２参照）。

図１６に示したように、プラズマエッチング装置２０１において、下部電極でもあるサセプタ２０５は、主要な構成として、下部基材２０７と、この下部基材２０７の上に積層された上部基材２０９と、上部基材２０９上に形成された静電吸着部２１１と、静電吸着部２１１上に小片基板Ｓを一括して受渡すための受渡し機構部１１１（可動シールドリング１２３のみ図示）と、を備えている。

下部基材２０７および上部基材２０９は、共に例えばアルミニウムやステンレス鋼（ＳＵＳ）などの材質で形成されている。下部基材２０７と上部基材２０９との間にはシール部材２１５が配備されて境界部分の気密性が保たれている。下部基材２０７と上部基材２０９の側部外周は、絶縁性部材１１７ａおよび１１７ｂにより囲まれていることにより絶縁性が確保され、プラズマ処理の際にサセプタ２０５の側部からの異常放電が防止されている。

静電吸着部２１１は、主要な構成として、上部基材２０９上に積層された誘電体膜２１９と、誘電体膜２１９に埋設された複数の電極板２２１とを備えている。各電極板２２１は、給電線２２３を介して直流電源２２５に接続されている。

誘電体膜２１９は、例えばセラミックス溶射膜などにより形成されている。誘電体膜２１９の上面には、小片基板Ｓを支持する複数の載置面２１９ａが形成されている。電極板２２１は、金属などの導電性材料からなり、誘電体膜２１９中に、載置面２１９ａに対応して複数に分離して埋設されている。そして、各電極板２２１に直流電源２２５から直流電圧を印加することにより、例えばクーロン力によってそれぞれ小片基板Ｓを吸着保持できるように構成されている。

本実施形態では、１つの直流電源２２５から給電線２２３を分岐させて各電極板２２１に同時給電する構成が採用される。なお、各電極板２２１に、別々の直流電源から個別に給電する構成としてもよい。また、電極板２２１は、載置面２１９ａに対応して個別に分離した状態で配置せずに、一つの電極板２２１が複数の載置面２１９ａにまたがるように配置してもよい。

誘電体膜２１９は、誘電性材料から構成されていればその材料は問わない。また、高絶縁性材料のみならず電荷の移動を許容する程度の導電性を有するものも使用できる。このような誘電体膜２１９は、耐久性および耐食性の観点からセラミックスで構成することが好ましい。この際のセラミックスは特に限定されるものではなく、例えばＡｌ_２Ｏ_３、Ｚｒ_２Ｏ_３、Ｓｉ_３Ｎ_４等の絶縁材料を挙げることができる。なお、誘電体膜２１９は溶射により形成することが好ましい。

下部基材２０７、上部基材２０９および誘電体膜２１９には、これらの内部を貫通するガス供給路２２７が形成されている。ガス供給路２２７は、下部基材２０７と上部基材２０９の境界に形成された水平供給部２２７ａと、この水平供給部２２７ａを介して分岐した複数の垂直供給孔２２７ｂとを有している。垂直供給孔２２７ｂは、一つの載置面２１９ａに複数箇所形成されている（図１６および図１７では、１箇所のみを図示した）。このガス供給路２２７を介して、例えばＨｅガスなどの伝熱ガスが被処理体である小片基板Ｓの裏面に供給される。なお、下部基材２０７の内部には、図示しない冷媒循環路が設けられている。この冷媒循環路に例えばフッ素系液体などの冷媒を循環させることにより、その冷熱が前記伝熱ガスを介して小片基板Ｓに対して伝熱される。

すなわち、ガス供給路２２７に供給された伝熱ガスは、水平供給部２２７ａを介して一旦水平方向に拡散した後、静電吸着部２１１内に垂直に形成された複数の垂直供給孔２２７ｂを通り、静電吸着部２１１の表面から各小片基板Ｓの裏側に向けて噴出する。このようにして、サセプタ２０５の冷熱が各小片基板Ｓに伝達され、各小片基板Ｓが所定の温度に維持される。

本実施の形態では、静電吸着部２１１を設けたので、各小片基板Ｓをサセプタ２０５の載置面２１９ａに安定的に保持することが可能となる。また、静電吸着部２１１に保持された各小片基板Ｓの裏面側に伝熱ガスを個別に供給する分岐したガス供給路２２７を設けたので、小片基板Ｓの温度調節が可能になり、例えばエッチング等の処理の精度を向上させることが可能である。

本実施の形態に係る受渡し機構部１１１の構成および作用は第１の実施の形態と同様である。従って、本実施の形態においても、可動シールド部材１２３を有する受渡し機構部１１１により、小片基板Ｓの一括受渡しが可能である。この場合、第１の実施の形態と同様に、受渡し機構部１１１の可動シールド部材１２３に位置決め用切り欠き部３０１を設けることもできる（図１４および図１５参照）。また、固定シールド部材１２１と可動シールド部材１２３とから構成される格子状絶縁部１２５によって、静電吸着部２１１の異常放電を防止しながら載置面２１９ａに載置された小片基板Ｓにプラズマをフォーカスさせることが可能である。

また、本実施の形態においては、小片基板Ｓの裏面へ伝熱ガスを供給するため、載置面２１９ａに載置した小片基板Ｓと載置面２１９ａとの間に隙間を空けることが好ましい。この目的のため、例えば図１７に拡大して示したように、可動シールド部材１２３を下降させた状態で可動シールド部材１２３の上面が載置面２１９ａよりもわずかに高くなるように構成することができる。これにより、可動シールド部材１２３に両端部を支持された小片基板Ｓは、載置面２１９ａからわずかに浮いた状態となって冷却ガス用空間３０２が形成される。この冷却ガス用空間３０２に垂直供給孔２２７ｂからの伝熱ガスを供給することによって小片基板Ｓを効率良く冷却できる。この場合、図示は省略するが、固定シールド部材１２１の上面も、可動シールド部材１２３の上面に合わせて載置面２１９ａに対して若干高く形成してもよい。このように、格子状絶縁部１２５で四方を囲むことによって、冷却ガス用空間３０２における伝熱ガスによる冷却効率をさらに向上させることができる。

また、本実施の形態では、図１７に示したように、載置面２１９ａから冷却ガス用空間３０２を貫くように立設された複数の凸状部２１９ｂを設けた。凸状部２１９ｂは、その頂部で小片基板Ｓの裏面に当接し、小片基板Ｓを支持する役割を果たすものである。なお、凸状部２１９ｂは、誘電体膜２１９ａの表面（載置面２１９ａ）に形成された突起であってもよいし、誘電体膜２１９ａの表面（載置面２１９ａ）に刻設された溝による凹凸の凸部分であってもよい。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

以上、本発明の実施形態を述べたが、本発明は上記実施形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、下部電極（基材１０７、下部基材２０７および上部基材２０９）に高周波電力を印加するＲＩＥタイプの容量結合型平行平板プラズマエッチング装置を例示して説明したが、上部電極に高周波電力を供給するタイプであってもよいし、容量結合型に限らず誘導結合型であってもよい。

また、本発明は、プラズマエッチング装置に限らず、アッシング、ＣＶＤ成膜等の他のプラズマ処理装置にも適用することができる。

また、複数の小片基板Ｓの一括受渡し機構を備えた本発明の載置台は、真空処理装置やプラズマ処理装置に限らず、例えば熱処理装置などにも適用可能である。さらに、小片基板Ｓの一括受渡し機構を備えた載置台は、プロセスチャンバ以外のチャンバ例えばロードロック室に配備することもできる。

また、被処理体としての小片基板Ｓは、ＦＰＤ製造用のものに限らず、各種用途のものを対象にできる。小片基板Ｓは半導体ウエハであってもよい。

本発明の載置台を備えた真空処理システムを概略的に示す斜視図である。 図１の真空処理システムの平面図である。 第１の実施の形態に係るプラズマエッチング装置の概略構成を示す断面図である。 サセプタにおける受渡し機構の構成を示す斜視図である。 サセプタの平面図である。 図５におけるVI-VI線矢視の断面図である。 図５におけるVII-VII線矢視の断面図である。 図５におけるVIII-VIII線矢視の断面図である。 フォークとサセプタの可動シールド部材との間の小片基板の一括受渡しを説明する図面である。 複数の小片基板を支持したフォークをサセプタの上に移動させた状態を説明する図面である。 フォークから複数の小片基板を可動シールド部材が受け取った状態を説明する図面である。 複数の小片基板をサセプタに載置した状態を説明する図面である。 載置部が形成されたフォークを示す斜視図である。 位置決め用切り欠き部が形成された可動シールド部材を示す要部斜視図である。 図１４の可動シールド部材を備えたサセプタに小片基板を載置した状態を説明する図面である。 第２の実施の形態に係るサセプタを備えたプラズマエッチング装置の概略構成を示す断面図である。 図１６のプラズマエッチング装置のサセプタに小片基板を載置した状態を説明する図面である。

符号の説明

１ａ，１ｂ，１ｃ…プロセスチャンバ、３…搬送室、５…ロードロック室、１００…真空処理システム、１０１…処理容器、１０３…絶縁性部材、１０５…サセプタ、１０７…基材、１０７ａ…載置面、１１１…受渡し機構部、１１７ａ，１１７ｂ…絶縁性部材、１２１…固定シールド部材、１２３…可動シールド部材、１２５…格子状絶縁部、１３１…シャワーヘッド、１３３…ガス拡散空間、１３５…ガス吐出孔、１３７…ガス導入口、１３９…処理ガス供給管、１５１…排気口、１５３…排気管、１５５…排気装置、１７１…給電線、１７３…マッチングボックス、１７５…高周波電源、１８７…ロッド、１８９…連結部材、１９１…駆動シャフト、１９３…駆動部、２００，２０１…プラズマエッチング装置

Claims (9)

1. 処理装置において被処理体を載置する載置台であって、
   複数枚の被処理体を載置する複数の載置面と、
   前記載置面と平行な状態で互いに間隔を空けて同方向に配列され、昇降自在に構成された複数の可動部材を有しており、前記可動部材により被処理体を支持することによって搬送装置との間で複数枚の被処理体の受渡しを一括して行う受渡し機構と、
   前記載置面の周囲を囲み、前記載置面を区画する絶縁部と、
   を備え、
   前記絶縁部は、第１の絶縁性部材と、該第１の絶縁性部材と組み合わされて前記載置面の周囲を囲む第２の絶縁性部材と、を有するとともに、
   前記可動部材は、絶縁性材料から構成されており、前記絶縁部の一部分をなす第１の絶縁性部材を兼ねていることを特徴とする載置台。
2. 前記可動部材は、複数枚の被処理体を支持しつつ下降した位置で前記載置面に被処理体を載置し、複数枚の被処理体を支持しつつ上昇した位置で前記搬送装置との間で被処理体の受渡しを行うことを特徴とする請求項１に記載の載置台。
3. 前記第１の絶縁性部材と前記第２の絶縁性部材とが直交して配置されることにより前記絶縁部が格子状に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の載置台。
4. 前記第１の絶縁性部材に、被処理体を位置決めする段部を設けたことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の載置台。
5. 前記複数の載置面のそれぞれに対応して、被処理体を吸着保持する静電吸着機構が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の載置台。
6. 前記載置面には、被処理体の裏面を冷却する冷却用気体の吐出口が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の載置台。
7. 複数枚の被処理体を一括処理する処理装置であって、
   処理容器と、
   前記処理容器内に配置された請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の載置台と、
   を備えていることを特徴とする処理装置。
8. プラズマにより被処理体を処理するプラズマ処理装置であることを特徴とする請求項７に記載の処理装置。
9. 複数枚の被処理体を一括処理する処理装置と、複数枚の被処理体を同時に支持する櫛歯状の支持部材を有する搬送装置と、を備えた処理システムであって、
   前記処理装置は、処理容器と、前記処理容器内で複数枚の被処理体を載置する載置台とを有しており、
   前記載置台は、被処理体を載置する複数の載置面と、
   前記載置面と平行な状態で互いに間隔を空けて同方向に配列され、昇降自在に構成された複数の可動部材により被処理体を支持することによって前記櫛歯状の支持部材との間で複数枚の被処理体の受渡しを一括して行う受渡し機構と、
   前記載置面の周囲を囲み、前記載置面を区画する絶縁部と、
   を備え、
   前記絶縁部は、第１の絶縁性部材と、該第１の絶縁性部材と組み合わされて前記載置面の周囲を囲む第２の絶縁性部材と、を有するとともに、
   前記可動部材は、絶縁性材料から構成されており、前記絶縁部の一部分をなす第１の絶縁性部材を兼ねていることを特徴とする処理システム。

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