JP4086871B2 - 近赤外線遮蔽体及びディスプレイ用前面板 - Google Patents
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Description
花岡ほか、「反射防止膜の特性と最適設計・膜作製技術」、第1版第2刷、株式会社技術情報協会、2002年2月5日、184頁
図1は、本発明の近赤外線遮蔽体の一例を示す断面図である。本実施形態の近赤外線遮蔽体は、基材1と、基材1の一方の主面に配置された近赤外線吸収層2から形成されている。
図2は、本発明の近赤外線遮蔽体の他の一例を示す断面図である。図2において、図1に示した近赤外線遮蔽体と同じ構成部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。また、同じ部材は同様の効果を有する。
図3は、本発明のディスプレイ用前面板の一例を示す断面図である。本実施形態のディスプレイ用前面板11は、基板12と、基板12の一方の主面に配置された近赤外線遮蔽体13及び他方の主面に配置された電磁波遮蔽体14と、電極(アース)15から形成されている。基板12の材料は、透光性を有する材料であれば特に限定されず、例えば強化ガラス等を用いればよい。近赤外線遮蔽体13としては、例えば、実施形態2の近赤外線遮蔽体をそのまま用いることができる。本実施形態によれば、近赤外線の遮蔽性に優れ、長期間保存しても近赤外線吸収能が低下しない近赤外線遮蔽体の機能と、電磁波遮蔽体の機能とを有するディスプレイ用前面板を得られる。
ジメチルホルムアミド(DMF)30重量部に、N,N,N’,N’−テトラキス(アミノフェニル)−p−フェニレンジアミン3.8重量部と、イソブチルブロミド21重量部と、炭酸カリウム15重量部とを加え、窒素置換させながら80℃で1時間、90℃で7時間反応させ、さらに130℃で1時間反応させた。この反応液を冷却後、濾過を行い、この濾過液にイソプロパノール30重量部を加え、5℃以下で1時間攪拌した。生成した結晶をメタノールで洗浄後、乾燥し、N,N,N’,N’−テトラキス(ジ(p−ジ(イソブチル)アミノフェニル)−p−フェニレンジアミンの結晶2.5重量部を得た。
Δx=|xint−xend|
Δy=|yint−yend|
但し、上記数式において、xint及びyintは上記耐光性試験前の透過光の色度、xend及びyendは上記耐光性試験後の透過光の色度を表す。
実施例1の近赤外線吸収層の材料に、ネオン光カット色素(山田化学社製“TAP−2”、最大吸収波長594nm)2.2重量部をさらに加えたこと以外は、実施例1と同様にして近赤外線遮蔽体を作製した。実施例1と同様の方法で分光透過率を測定したところ、波長590nmでの分光透過率は29%、波長820nm〜950nmの領域での分光透過率は15%以下、波長950nm〜1100nmの領域での分光透過率は10%以下であった。また、Haze値は0.8%、透過光の色度(x,y)は(0.2984,0.3401)であった。さらに、実施例1と同様の方法で、上記近赤外線遮蔽体を用いて耐光性試験を行ったところ、波長820nm〜1100nmの領域での分光透過率は、耐光性試験前の分光透過率に比べて、ほとんど変化せず、透過光の色度変化は、Δxが0.0012、Δyが0.0025であった。
実施例2の近赤外線吸収層の材料に、最大吸収波長484nmのスクワリリウム色素0.15重量部と、最大吸収波長552nmのスクワリリウム色素0.3重量部とをさらに加えたこと以外は、実施例1と同様にして近赤外線遮蔽体を作製した。実施例1と同様の方法で分光透過率を測定したところ、波長490nmでの分光透過率は44.5%、波長550nmでの分光透過率は35.0%、波長590nmでの分光透過率は28.5%、波長820nm〜950nmの領域での分光透過率は15%以下、波長950nm〜1100nmの領域での分光透過率は10%以下であった。また、Haze値は0.8%、透過光の色度(x,y)は(0.3110,0.3067)であった。さらに、実施例1と同様の方法で耐光性試験を行ったところ、波長820nm〜1100nmの領域での分光透過率は、耐光性試験前の分光透過率に比べて、ほとんど変化が認められず、透過光の色度変化は、Δxが0.0018、Δyが0.0030であった。
基材に、表裏両面を易接着処理した厚さ100μmの紫外線カット性PETフィルム(東レ社製“ルミラーQT58”)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして近赤外線遮蔽体を作製した。
基材に、表裏両面を易接着処理した厚さ100μmの紫外線カット性PETフィルム(東レ社製“ルミラーQT58”)を用いたこと以外は、実施例2と同様にして近赤外線遮蔽体を作製し、上記PETフィルムの近赤外線吸収層側とは反対の表面に、実施例4と同様にしてハードコート層、中屈折率層、高屈折率層、低屈折率層を順次積層した。この近赤外線遮蔽体の近赤外線吸収層側を厚さ2.3mmのガラス基板の一方の主面に貼り合わせ、さらに電磁波シールドメッシュフィルム(線幅10μm、線間隔250μm)を、上記ガラス基板の近赤外線遮蔽体側の主面の反対面に貼り合わせ、本実施例の電子ディスプレイ用光学フィルタ(ディスプレイ用前面板)を作製した。
基材に、表裏両面を易接着処理した厚さ100μmの紫外線カット性PETフィルム(東レ社製“ルミラーQT58”)を用いたこと以外は、実施例3と同様にして近赤外線遮蔽体を作製し、上記PETフィルムの近赤外線吸収層側とは反対の表面に、実施例4と同様にしてハードコート層、中屈折率層、高屈折率層、低屈折率層を順次積層した。この近赤外線遮蔽体の近赤外線吸収層側を厚さ2.3mmのガラス基板の一方の主面に貼り合わせ、さらに電磁波シールドメッシュフィルム(線幅10μm、線間隔250μm)を、上記ガラス基板の近赤外線遮蔽体側の主面の反対面に貼り合わせ、本実施例の電子ディスプレイ用光学フィルタ(ディスプレイ用前面板)を作製した。
実施例1のジイモニウム化合物に代えて、カウンターアニオンとして六フッ化アンチモンイオンを含むジイモニウム化合物(日本カーリット社製“CIR−1081”)6重量部を用いたこと以外は実施例1と同様にして、本比較例の近赤外線遮蔽体を作製した。
実施例1の2種類の対イオン結合体からなる化合物に代えて、シアニン化合物(林原生物化学研究所製“NK124”、最大吸収波長928nm)0.4重量部及びシアニン化合物(山田化学社製“IR−301”、最大吸収波長830nm)0.4重量部を用いたこと以外は実施例1と同様にして、本比較例の近赤外線遮蔽体を作製した。
2 近赤外線吸収層
3 ハードコート層
4 反射防止層
4a 中屈折率層
4b 高屈折率層
4c 低屈折率層
11 ディスプレイ用前面板
12 基板
13 近赤外線遮蔽体
14 電磁波遮蔽体
15 電極
Claims (9)
- 基材と、前記基材の一方の主面に配置された近赤外線吸収層とを含む近赤外線遮蔽体であって、
前記近赤外線吸収層は、カウンターアニオンとしてスルホン酸イミド誘導体アニオンを含むジイモニウム化合物と、下記式(1)で表される構造を有する置換ベンゼンジチオール金属錯体アニオンと下記式(2)で表される構造を有するカチオンとの対イオン結合体からなる化合物とを含み、
前記ジイモニウム化合物のカチオン部位の末端の窒素原子に結合している置換基の少なくとも1つは、分岐鎖構造を有するアルキル基であることを特徴とする近赤外線遮蔽体。
但し、式(1)の中で、R1、R2は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜8のアルキルアミノ基、置換又は未置換のモルホリノ基、置換又は未置換のチオモルホリノ基、置換又は未置換のピペラジノ基及び置換又は未置換のフェニル基からなる群から選ばれる少なくとも1つの置換基を示し、Mは遷移金属を示す。
但し、式(2)の中で、Q1、Q2は、5員環の含窒素複素環、5員環の含窒素複素環を含む縮合環、6員環の含窒素複素環及び6員環の含窒素複素環を含む縮合環からなる群から選ばれる少なくとも1つの複素環式化合物を示し、R3、R4は、炭素数1〜8のアルキル基を示し、nは2、3又は4の数字を示す。 - 前記近赤外線吸収層は、前記ジイモニウム化合物と前記対イオン結合体からなる化合物とを分散させる樹脂をさらに含む請求項1に記載の近赤外線遮蔽体。
- 前記樹脂は、ガラス転移温度が80℃以上である請求項2に記載の近赤外線遮蔽体。
- 前記近赤外線吸収層は、580nm以上620nm以下の波長領域に最大吸収波長を有する化合物をさらに含む請求項1に記載の近赤外線遮蔽体。
- 前記近赤外線吸収層は、540nm以上570nm以下の波長領域に最大吸収波長を有する化合物をさらに含む請求項1に記載の近赤外線遮蔽体。
- 前記近赤外線吸収層は、480nm以上500nm以下の波長領域に最大吸収波長を有する化合物をさらに含む請求項1に記載の近赤外線遮蔽体。
- 前記近赤外線吸収層のHaze値は、1%以下である請求項1に記載の近赤外線遮蔽体。
- 前記近赤外線遮蔽体は、ハードコート層と反射防止層とをさらに含み、前記ハードコート層と前記反射防止層とは、前記近赤外線吸収層が配置された前記基材の主面の反対面に配置されている請求項1に記載の近赤外線遮蔽体。
- 基板上に、請求項1〜8のいずれか1項に記載された近赤外線遮蔽体が配置されていることを特徴とするディスプレイ用前面板。
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