JP4079579B2 - ウェット処理装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の処理装置、特に、基板表面のエッチング、又は、基板表面の洗浄に用いられるウェット処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ガラス基板の洗浄方法として、例えば、特開平０８−０３９７４２号公報には、搬送方向に対して直交した面内で傾斜した基板搬送路の上を、傾斜姿勢で搬送されつつある基板に洗浄処理をする方法が示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この洗浄処理方法は、ガラス基板に対しては平面処理であるが為に、基板のサイズ拡大に伴ってクローズアップされてくる基板中央付近での処理液の滞留によるパーティクルの再付着という問題に対しては解決策とはなっていなかった。さらに、傾斜した搬送路では、下がった方の搬送ローラの方に基板の負荷が偏ってしまい、搬送の安定性がないという問題もある。
【０００４】
本発明の目的は、エッチング液、或いは、洗浄液の基板中央付近での滞留による問題を解決することのできるウェット処理装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明のウェット処理装置は、基板を搬送しながら前記基板の上方から前記基板の表面に前記基板の表面を処理する処理液を滴下させるウェット処理装置であって、前記基板の両端を上乗せローラ及び搬送ローラでその上下側からそれぞれ挟み、前記搬送ローラと同軸に回転し該搬送ローラより僅かに径の大きい中間ローラを前記基板の下方のみに配置し、前記基板の中央部を該基板の下側から上方に押し上げて該基板を湾曲させ、前記基板の搬送を行うことを特徴とする、或いは、前記中間ローラと前記搬送ローラとの間に設けられ、前記中間ローラより径が小さく、かつ前記搬送ローラより径が大きい中間ローラであって、前記搬送ローラと同軸に回転し、前記基板の下方のみに配置され、前記基板を下側から上方に押し上げることにより該基板を湾曲させ、前記基板の搬送を行う中間ローラをさらに備える、というもので、前記基板の両端の上下の搬送ローラ以外の中間ローラは、その直径が、前記基板の両端の下の搬送ローラの直径よりも長く、前記中間ローラは、前記基板の中央部に近づくほどその径が長くなり、前記基板の中央部でその径が最大の長さとなる、というものである。
【０００６】
上述のウェット処理装置は、前記基板の表面への前記処理液の滴下が、スプレーにより行われ、さらに具体的には、前記基板の表面への前記処理液の滴下が、前記基板の上方に設けられた複数のスプレーノズルからのスプレーにより行われる、或いは、前記基板の表面への前記処理液の滴下が、前記基板の上方に設けられた一つのスプレーノズルからのスプレーにより行われ、前記一つのスプレーノズルは、前記基板の中央部の真上に位置し、前記基板が、薄膜トランジスタを搭載する透明基板である、という形態を採り得る。
【０００７】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態を説明する前に、本発明の特徴について記しておく。本発明のウェット処理装置は、基板の表裏面を枚葉式にウエット処理する際、基板を湾曲した状態を保持したままで薬液処理及び純水処理を行い、パーティクルの基板への再付着を低減し、基板を薬液処理した後の基板の表面からの液切り作業を不要とするものである。
【０００８】
即ち、基板の裏面両端部に搬送ローラを配置し、搬送ローラの中間に搬送ローラより径が大きい中間ローラで支持する。基板の表面端部には上乗せローラが設けられ、上述の裏面両端部の搬送ローラとペアとなって基板の両端を挟み込み、基板の上方には、薬液処理及び純水処理用のスプレーノズルが取り付けられている。基板は上乗せローラと搬送ローラで基板端部を挟み、中間ローラで基板裏面中心線を押し付けることで湾曲し、その状態にて搬送しながら薬液処理及び純水スプレー処理を順次行う。
【０００９】
次に、本発明の第１の実施形態を図１に基づいて説明する。図１は、本発明の第１の実施形態のウェット処理装置を基板の搬送方向に直交する平面で搬送中の基板と共に切断したときの様子を示す模式断面図である。
【００１０】
まず、ガラス等の材料からなる基板１の裏面両端部に搬送ローラ２を配置し、搬送ローラ２の中間には搬送ローラ２より径が大きい中間ローラ３で基板１を支持している。基板１の中央部の中間ローラ３の他に、基板１の両端部と中間ローラ３との間にも中間ローラ４が設けられており、中間ローラの径は、基板１の中央部の中間ローラ３の径が最も大きく、搬送ローラ２に向かうに従って徐々にその径が小さくなるようにそれぞれの径が設定される。
【００１１】
この実施形態では、中間ローラを３つ設けた例を示しているが、中間ローラとしては、基板の中央部の中間ローラのみの場合、基板の中央部の中間ローラ以外に４以上の偶数倍の中間ローラを設けた場合等も本実施形態の変形例として考えられる。
【００１２】
上記の基板１の裏面両端部の搬送ローラ２に加えて、基板１の表面端部には上乗せローラ５が設けられ、基板１の上方には、スプレーパイプ６に複数本のスプレーノズル７が取り付けられ、これらの組み合わせにより、ウェット処理装置２０が構成されている。
【００１３】
基板１は上乗せローラ５と搬送ローラ２で基板１の両端部を挟み込み、中間ローラ３で基板１の裏面の中央部を押し上げ、中間ローラ４で基板１の中央部での押し上げを支持することで、基板１の中央部が高くなる湾曲した形状で基板１を保持している。
【００１４】
この湾曲の度合いに関しては、基板の材料により異なるが、液晶パネル用に採用されているガラス基板等では、例えば、平面形状が６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、厚さが０．７ｍｍのサイズのガラス製基板の場合、湾曲させる上限値としては、ガラス製基板の中央部が平坦なときよりも７０ｍｍ突き出る状態であり、湾曲させる下限値としては、ガラス基板両端部の搬送ローラの高低差にガラス基板の厚さを加えた値が必要である。
【００１５】
次に、ウェット処理装置２０の動作について、図１を参照して説明する。
【００１６】
まず、モータ、ギヤを用いた駆動部（図示省略）により、搬送ローラ２、中間ローラ３、４、上乗せローラ５を基板１を搬出する方向（紙面に垂直ないずれかの方向）に回転させることで基板１を湾曲した状態を保持したまま搬送する。
【００１７】
次に、基板１の上方に配置しているスプレーパイプ６に処理液８を供給し、スプレーノズル７により基板１の表面に処理液８を吐出し、薬液処理及び純水スプレー処理を順次行う。
【００１８】
本実施形態の効果として、まず第一に、基板１の洗浄処理において、基板１の表面での洗浄処理液の滞留による洗浄処理液中の浮遊パーティクルの基板１表面への再付着が低減できるということである。
【００１９】
その理由は、基板１の中央部が高くなる湾曲した状態で、基板１の表面に純水スプレー処理を行う為、洗浄処理液が基板１の中央部から端部に、洗浄処理により発生したパーティクルを含んだ処理水が停滞することなく図中矢印Ｘの方向に流れ、排出される。
【００２０】
第二の効果として、薬液処理後の薬液持ち出し防止の為に行う基板１の表裏面の薬液の液切り作業が不要となる。
【００２１】
その理由は、基板１の薬液処理後、基板１の中央部が高くなる湾曲した状態で基板１を水洗処理槽に搬送する為、薬液が基板１に停滞することなく流れ落ち、基板１の表面から排出される。
【００２２】
次に、本発明の第２の実施形態を図２に基づいて説明する。図２は、本発明の第２の実施形態のウェット処理装置を基板の搬送方向に直交する平面で搬送中の基板と共に切断したときの様子を示す模式断面図である。
【００２３】
まず、基板１の裏面両端部に搬送ローラ２を配置し、搬送ローラ２の中間に搬送ローラより径が大きい中間ローラ３で基板１を支持する。基板１の表面端部には上乗せローラ５が設けられ、基板１の中央部上方に薬液処理及び純水処理用のスプレーノズル１７が取り付けられ、これらの組み合わせにより、ウェット処理装置３０が構成されている。
【００２４】
この実施形態では、基板１の上方に基板１の中央部の上方に位置するスプレーノズル１７のみを設け、スプレーノズル１７を大流量仕様のノズルにすることで、洗浄処理により発生したパーティクルを含んだ洗浄処理水が、基板１の中央部から端部に、第１の実施形態よりもさらに停滞することなく流れていく為、パーティクルの基板１の表面への再付着を一層低減させることができる。
【００２５】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明のウェット処理装置は、基板の中央部が高くなる湾曲した状態で、基板の表面に薬液処理、或いは、純水スプレー処理を行う為、処理液が基板の中央部から端部に停滞することなく流れ、排出されるので、薬液処理後の薬液持ち出し防止の為に行う基板の表裏面の薬液の液切り作業が不要となると共に、純水スプレー処理後のパーティクルの基板の表面への再付着を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態のウェット処理装置を示す模式断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態のウェット処理装置を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ 搬送ローラ
３、４ 中間ローラ
５ 上乗せローラ
６ スプレーパイプ
７、１７ スプレーノズル
８ 処理液
２０、３０ ウェット処理装置
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の処理装置、特に、基板表面のエッチング、又は、基板表面の洗浄に用いられるウェット処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ガラス基板の洗浄方法として、例えば、特開平０８−０３９７４２号公報には、搬送方向に対して直交した面内で傾斜した基板搬送路の上を、傾斜姿勢で搬送されつつある基板に洗浄処理をする方法が示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この洗浄処理方法は、ガラス基板に対しては平面処理であるが為に、基板のサイズ拡大に伴ってクローズアップされてくる基板中央付近での処理液の滞留によるパーティクルの再付着という問題に対しては解決策とはなっていなかった。さらに、傾斜した搬送路では、下がった方の搬送ローラの方に基板の負荷が偏ってしまい、搬送の安定性がないという問題もある。
【０００４】
本発明の目的は、エッチング液、或いは、洗浄液の基板中央付近での滞留による問題を解決することのできるウェット処理装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明のウェット処理装置は、基板を搬送しながら前記基板の上方から前記基板の表面に前記基板の表面を処理する処理液を滴下させるウェット処理装置であって、前記基板の両端を上乗せローラ及び搬送ローラでその上下側からそれぞれ挟み、前記搬送ローラと同軸に回転し該搬送ローラより僅かに径の大きい中間ローラを前記基板の下方のみに配置し、前記基板の中央部を該基板の下側から上方に押し上げて該基板を湾曲させ、前記基板の搬送を行うことを特徴とする、或いは、前記中間ローラと前記搬送ローラとの間に設けられ、前記中間ローラより径が小さく、かつ前記搬送ローラより径が大きい中間ローラであって、前記搬送ローラと同軸に回転し、前記基板の下方のみに配置され、前記基板を下側から上方に押し上げることにより該基板を湾曲させ、前記基板の搬送を行う中間ローラをさらに備える、というもので、前記基板の両端の上下の搬送ローラ以外の中間ローラは、その直径が、前記基板の両端の下の搬送ローラの直径よりも長く、前記中間ローラは、前記基板の中央部に近づくほどその径が長くなり、前記基板の中央部でその径が最大の長さとなる、というものである。
【０００６】
上述のウェット処理装置は、前記基板の表面への前記処理液の滴下が、スプレーにより行われ、さらに具体的には、前記基板の表面への前記処理液の滴下が、前記基板の上方に設けられた複数のスプレーノズルからのスプレーにより行われる、或いは、前記基板の表面への前記処理液の滴下が、前記基板の上方に設けられた一つのスプレーノズルからのスプレーにより行われ、前記一つのスプレーノズルは、前記基板の中央部の真上に位置し、前記基板が、薄膜トランジスタを搭載する透明基板である、という形態を採り得る。
【０００７】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態を説明する前に、本発明の特徴について記しておく。本発明のウェット処理装置は、基板の表裏面を枚葉式にウエット処理する際、基板を湾曲した状態を保持したままで薬液処理及び純水処理を行い、パーティクルの基板への再付着を低減し、基板を薬液処理した後の基板の表面からの液切り作業を不要とするものである。
【０００８】
即ち、基板の裏面両端部に搬送ローラを配置し、搬送ローラの中間に搬送ローラより径が大きい中間ローラで支持する。基板の表面端部には上乗せローラが設けられ、上述の裏面両端部の搬送ローラとペアとなって基板の両端を挟み込み、基板の上方には、薬液処理及び純水処理用のスプレーノズルが取り付けられている。基板は上乗せローラと搬送ローラで基板端部を挟み、中間ローラで基板裏面中心線を押し付けることで湾曲し、その状態にて搬送しながら薬液処理及び純水スプレー処理を順次行う。
【０００９】
次に、本発明の第１の実施形態を図１に基づいて説明する。図１は、本発明の第１の実施形態のウェット処理装置を基板の搬送方向に直交する平面で搬送中の基板と共に切断したときの様子を示す模式断面図である。
【００１０】
まず、ガラス等の材料からなる基板１の裏面両端部に搬送ローラ２を配置し、搬送ローラ２の中間には搬送ローラ２より径が大きい中間ローラ３で基板１を支持している。基板１の中央部の中間ローラ３の他に、基板１の両端部と中間ローラ３との間にも中間ローラ４が設けられており、中間ローラの径は、基板１の中央部の中間ローラ３の径が最も大きく、搬送ローラ２に向かうに従って徐々にその径が小さくなるようにそれぞれの径が設定される。
【００１１】
この実施形態では、中間ローラを３つ設けた例を示しているが、中間ローラとしては、基板の中央部の中間ローラのみの場合、基板の中央部の中間ローラ以外に４以上の偶数倍の中間ローラを設けた場合等も本実施形態の変形例として考えられる。
【００１２】
上記の基板１の裏面両端部の搬送ローラ２に加えて、基板１の表面端部には上乗せローラ５が設けられ、基板１の上方には、スプレーパイプ６に複数本のスプレーノズル７が取り付けられ、これらの組み合わせにより、ウェット処理装置２０が構成されている。
【００１３】
基板１は上乗せローラ５と搬送ローラ２で基板１の両端部を挟み込み、中間ローラ３で基板１の裏面の中央部を押し上げ、中間ローラ４で基板１の中央部での押し上げを支持することで、基板１の中央部が高くなる湾曲した形状で基板１を保持している。
【００１４】
この湾曲の度合いに関しては、基板の材料により異なるが、液晶パネル用に採用されているガラス基板等では、例えば、平面形状が６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、厚さが０．７ｍｍのサイズのガラス製基板の場合、湾曲させる上限値としては、ガラス製基板の中央部が平坦なときよりも７０ｍｍ突き出る状態であり、湾曲させる下限値としては、ガラス基板両端部の搬送ローラの高低差にガラス基板の厚さを加えた値が必要である。
【００１５】
次に、ウェット処理装置２０の動作について、図１を参照して説明する。
【００１６】
まず、モータ、ギヤを用いた駆動部（図示省略）により、搬送ローラ２、中間ローラ３、４、上乗せローラ５を基板１を搬出する方向（紙面に垂直ないずれかの方向）に回転させることで基板１を湾曲した状態を保持したまま搬送する。
【００１７】
次に、基板１の上方に配置しているスプレーパイプ６に処理液８を供給し、スプレーノズル７により基板１の表面に処理液８を吐出し、薬液処理及び純水スプレー処理を順次行う。
【００１８】
本実施形態の効果として、まず第一に、基板１の洗浄処理において、基板１の表面での洗浄処理液の滞留による洗浄処理液中の浮遊パーティクルの基板１表面への再付着が低減できるということである。
【００１９】
その理由は、基板１の中央部が高くなる湾曲した状態で、基板１の表面に純水スプレー処理を行う為、洗浄処理液が基板１の中央部から端部に、洗浄処理により発生したパーティクルを含んだ処理水が停滞することなく図中矢印Ｘの方向に流れ、排出される。
【００２０】
第二の効果として、薬液処理後の薬液持ち出し防止の為に行う基板１の表裏面の薬液の液切り作業が不要となる。
【００２１】
その理由は、基板１の薬液処理後、基板１の中央部が高くなる湾曲した状態で基板１を水洗処理槽に搬送する為、薬液が基板１に停滞することなく流れ落ち、基板１の表面から排出される。
【００２２】
次に、本発明の第２の実施形態を図２に基づいて説明する。図２は、本発明の第２の実施形態のウェット処理装置を基板の搬送方向に直交する平面で搬送中の基板と共に切断したときの様子を示す模式断面図である。
【００２３】
まず、基板１の裏面両端部に搬送ローラ２を配置し、搬送ローラ２の中間に搬送ローラより径が大きい中間ローラ３で基板１を支持する。基板１の表面端部には上乗せローラ５が設けられ、基板１の中央部上方に薬液処理及び純水処理用のスプレーノズル１７が取り付けられ、これらの組み合わせにより、ウェット処理装置３０が構成されている。
【００２４】
この実施形態では、基板１の上方に基板１の中央部の上方に位置するスプレーノズル１７のみを設け、スプレーノズル１７を大流量仕様のノズルにすることで、洗浄処理により発生したパーティクルを含んだ洗浄処理水が、基板１の中央部から端部に、第１の実施形態よりもさらに停滞することなく流れていく為、パーティクルの基板１の表面への再付着を一層低減させることができる。
【００２５】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明のウェット処理装置は、基板の中央部が高くなる湾曲した状態で、基板の表面に薬液処理、或いは、純水スプレー処理を行う為、処理液が基板の中央部から端部に停滞することなく流れ、排出されるので、薬液処理後の薬液持ち出し防止の為に行う基板の表裏面の薬液の液切り作業が不要となると共に、純水スプレー処理後のパーティクルの基板の表面への再付着を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態のウェット処理装置を示す模式断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態のウェット処理装置を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ 搬送ローラ
３、４ 中間ローラ
５ 上乗せローラ
６ スプレーパイプ
７、１７ スプレーノズル
８ 処理液
２０、３０ ウェット処理装置
Claims (8)
- 基板を搬送しながら前記基板の上方から前記基板の表面に前記基板の表面を処理する処理液を滴下させるウェット処理装置であって、前記基板の両端を上乗せローラ及び搬送ローラでその上下側からそれぞれ挟み、前記搬送ローラと同軸に回転し該搬送ローラより僅かに径の大きい中間ローラを前記基板の下方のみに配置し、前記基板の中央部を該基板の下側から上方に押し上げて該基板を湾曲させ、前記基板の搬送を行うことを特徴とするウェット処理装置。
- 前記搬送ローラに、前記湾曲した基板を支持する傾斜部が形成されたことを特徴とする、請求項１記載のウェット処理装置。
- 前記中間ローラと前記搬送ローラとの間に設けられ、前記中間ローラより径が小さく、かつ前記搬送ローラより径が大きい中間ローラであって、前記搬送ローラと同軸に回転し、前記基板の下方のみに配置され、前記基板を下側から上方に押し上げることにより該基板を湾曲させ、前記基板の搬送を行う中間ローラをさらに備えることを特徴とする、請求項１又は２記載のウェット処理装置。
- 前記基板の表面への前記処理液の滴下が、スプレーにより行われる請求項１乃至３のいずれか１項に記載のウェット処理装置。
- 前記基板の表面への前記処理液の滴下が、前記基板の上方に設けられた複数のスプレーノズルからのスプレーにより行われる請求項４記載のウェット処理装置。
- 前記基板の表面への前記処理液の滴下が、前記基板の上方に設けられた一つのスプレーノズルからのスプレーにより行われる請求項４記載のウェット処理装置。
- 前記一つのスプレーノズルは、前記基板の中央部の真上に位置する請求項６記載のウェット処理装置。
- 前記基板が、薄膜トランジスタを搭載する透明基板である請求項１乃至７のいずれか１項に記載のウェット処理装置。
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Applications Claiming Priority (1)
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