[go: up one dir, main page]

JP4048791B2 - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

感放射線性樹脂組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP4048791B2
JP4048791B2 JP2002040301A JP2002040301A JP4048791B2 JP 4048791 B2 JP4048791 B2 JP 4048791B2 JP 2002040301 A JP2002040301 A JP 2002040301A JP 2002040301 A JP2002040301 A JP 2002040301A JP 4048791 B2 JP4048791 B2 JP 4048791B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acrylate
meth
solution
acid
resin composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2002040301A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003241372A (ja
Inventor
伸一郎 岩永
聡 岩本
徹 木村
洋子 西村
耕二 西川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2002040301A priority Critical patent/JP4048791B2/ja
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Priority to US10/477,207 priority patent/US7141355B2/en
Priority to PCT/JP2002/013072 priority patent/WO2003069410A1/ja
Priority to AU2002367625A priority patent/AU2002367625A1/en
Priority to EP02790753A priority patent/EP1477848B1/en
Priority to KR1020037014934A priority patent/KR100906539B1/ko
Priority to CNB028100298A priority patent/CN1291278C/zh
Priority to TW091137874A priority patent/TWI278720B/zh
Publication of JP2003241372A publication Critical patent/JP2003241372A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4048791B2 publication Critical patent/JP4048791B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G03F7/405Treatment with inorganic or organometallic reagents after imagewise removal

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、感放射線性樹脂組成物、これを用いた金属パターンおよびこれらを用いた半導体デバイスに関する。さらに詳しくは、半導体デバイスを作製するにあたり必要とされる導通部を形成するためのフォトファブリケーション用感放射線性樹脂組成物およびそれを用いた形成された金属パターンおよび半導体デバイスに関する。
【0002】
【発明の技術的背景】
フォトファブリケーションとは、感放射線性樹脂組成物を加工物表面に塗布し、フォトリソグラフィ技術によって塗膜をパターニングし、これをマスクとして化学エッチング、電解エッチングまたは電気めっきを主体とするエレクトロフォーミング技術を単独で、または組み合わせて各種精密部品を製造する技術の総称であり、現在の精密微細加工技術の主流となっている。
【0003】
近年、電子機器のダウン・サイジングに伴い、LSIの高集積化、多層化が急激に進んでおり、LSIを電子機器に搭載するための基板への多ピン実装方法が求められ、TAB方式やフリップチップ方式によるベアチップ実装などが注目されてきている。このような高密度実装においては、電解めっきにより形成される金属導体への要求が強くなり、その金属パターンの微細化が進んでいる。このような金属パターンとしては、微小電極と呼ばれるバンプや電極までの導通部を形成するための配線がある。いずれも、パッケージの小型化や多ピン化さらには多層化により、金属パターンの微細化が必要になってきている。例えば、微小突起電極であるバンプについて、現在、高さ20μm程度の金バンプは40μmピッチ以上の間隔で配置されており、バンプ間に8〜10μmのスペースを有している。これが、デバイス高性能・小型化に伴いバンプピッチがより細かくなり25μmピッチバンプが必要とされている。
【0004】
このような微細な金属パターンを形成するための感放射線性樹脂組成物に対する要求項目としては、バンプ等を形成する際に要求されるめっきの高さ以上の感放射線性樹脂組成物塗膜を形成できること、高い解像性を有すること、例えば金バンプ形成用途では20μm以上の膜厚で25μmピッチの解像性を有すること、配線用途では10μmの膜厚で5μmの配線の解像性を有することである。さらに、感放射線性樹脂組成物を硬化させることにより得られたパターン状硬化物をマスク材として電解めっきを行う際に、めっき液に対する十分な濡れ性およびめっき耐性を有すること、めっき後に形成された金属パターンに損傷を与えずにパターン状硬化物が剥離液等で容易かつ十分に剥離されることなどが求められる。
【0005】
しかし、従来の金属パターン形成用感放射線性樹脂組成物では、上記のような十分な解像性とめっき耐性等の他の特性を両立することは困難であった。金属パターン形成用感放射線性樹脂組成物の解像性が乏しいと、要求される微細な金属パターンを形成することが困難であり、かつそれを用いた半導体デバイスの作成が困難となる。また、めっき液の濡れ性が乏しいとめっき液が微細なパターンに十分に供給されず金属パターンが形成できず、めっき耐性が乏しいと導通部が短絡し、デバイスが正常に動作しない問題が発生する。
【0006】
【発明の目的】
本発明は、バンプ等を形成する際に要求されるめっきの高さ以上の感放射線性樹脂組成物塗膜が形成でき、かつ高い解像性を有する感放射線性樹脂組成物を提供することを目的としている。
また本発明は、得られたパターン状硬化物をマスク材として電解めっきを行う際に、めっき液に対する十分な濡れ性およびめっき耐性を有し、めっき後に形成された金属パターンに損傷を与えずに剥離液等でパターン状硬化物が容易かつ十分に剥離されるようなフォトファブリケーション用材料として好適な感放射線性樹脂組成物を提供することを目的とする。
【0007】
【発明の概要】
本発明に係る感放射線性樹脂組成物は、
(A)アクリル酸、メタクリル酸、フタル酸モノヒドロキシエチルアクリレートおよび2−ヘキサヒドロフタロイルエチルメタクリレートから選ばれる少なくとも1種のカルボキシル基を有するラジカル重合性化合物(a)に由来する構成単位を1〜40重量%、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン、α−メチル−m−ヒドロキシスチレンおよびα−メチル−o−ヒドロキシスチレンから選ばれる少なくとも1種のフェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物(b-1)またはα−メチル−p−アセトキシスチレンである共重合体合成後にフェノール性水酸基に変換できる官能基を有するラジカル重合性化合物(b-2)に由来するフェノール性水酸基を有する構成単位を1〜50重量%含有し、残分が前記化合物(a)、(b-1)、(b-2)および下記化合物(d)以外の他のラジカル重合性化合物(c)に由来する構成単位である共重合体100重量部に対し、(d)エポキシ基を有するラジカル重合性化合物0.1〜20重量部を反応せしめて得られる不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂、
(B)少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物、および
(C)放射線ラジカル重合開始剤
を含有することを特徴としている。
【0008】
本発明に係る金属パターンの製造方法は、上記の感光性樹脂組成物を用いることを特徴としている。
本発明に係る半導体デバイスの製造方法は、上記方法により形成された金属パターンを用いることを特徴としている。
【0009】
【発明の具体的説明】
以下、本発明の感放射線性樹脂組成物、これを用いた金属パターンおよびこれらを用いた半導体デバイスについて説明する。
本発明の感放射線性樹脂組成物は、(A)不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂、(B)少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物、および(C)放射線ラジカル重合開始剤を含有する。
【0010】
まず、本発明の感放射線性樹脂組成物を形成する各成分について説明する。
[(A)不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂]
本発明で用いられる(A)不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂(以下、「アルカリ可溶性樹脂(A)」ともいう。)は、カルボキシル基を有するラジカル重合性化合物(a)と、フェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物(b-1)および/または共重合体合成後にフェノール性水酸基に変換できる官能基を有するラジカル重合性化合物(b-2)と、その他のラジカル重合性化合物(c)とから得られる共重合体(以下、「共重合体(I)」ともいう。)に、(c)エポキシ基を有するラジカル重合性化合物を反応せしめることにより得ることができる。
【0011】
カルボキシル基を有するラジカル重合性化合物(a)
カルボキシル基を有するラジカル重合性化合物(a)(以下、「カルボキシル基化合物(a)」ともいう。)としては、例えばアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、2−サクシノロイルエチル(メタ)アクリレート、2−マレイノロイルエチル(メタ)アクリレート、2−ヘキサヒドロフタロイルエチル(メタ)アクリレート、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノアクリレート(市販品としては、例えばアロニックスM−5300(商品名、東亞合成(株)製))、フタル酸モノヒドロキシエチルアクリレート(市販品としては、例えばアロニックスM−5400(商品名、東亞合成(株)製))、アクリル酸ダイマー(市販品としては、例えばアロニックスM−5600(商品名、東亞合成(株)製))、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルアクリレート(市販品としては、例えばアロニックスM−5700(商品名、東亞合成(株)製))などのモノカルボン酸;マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸などのジカルボン酸などのカルボキシル基を有する(メタ)アクリル酸誘導体などが使用できる。これらの化合物は単独でもしくは2種以上組み合わせて使用できる。
【0012】
これらの中ではアクリル酸、メタクリル酸、フタル酸モノヒドロキシエチルアクリレート、2−ヘキサヒドロフタロイルエチルメタクリレートが好ましい。
共重合体(I)中に占めるカルボキシル基化合物(a)に由来する構成単位(以下、「構成単位(a)」ともいう。)は通常1〜40重量%であり、好ましくは5〜30重量%、特に好ましくは10〜20重量%である。
【0013】
構成単位(a)の含有量によりアルカリ可溶性樹脂(A)のアルカリ可溶性を調節することができ、構成単位(a)の含有量が少なすぎると、アルカリ可溶性樹脂(A)がアルカリ現像液に溶解し難くなるので、現像後に膜残りを生じ十分な解像度を得ることができないことがある。逆に構成単位(a)の含有量が多すぎると、アルカリ可溶性樹脂(A)のアルカリ現像液に対する溶解性が大きくなりすぎて露光部の溶解や現像液による膨潤で十分な解像度が得られないことがある。
【0014】
フェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物(b -1 )、共重合体合成後にフェノール性水酸基に変換できる官能基を有するラジカル重合性化合物(b -2
フェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物(b-1)(以下、「フェノール性水酸基化合物(b-1)」ともいう。)としては、例えばp−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、o−ヒドロキシスチレン、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン、α−メチル−m−ヒドロキシスチレン、α−メチル−o−ヒドロキシスチレン、2−アリルフェノール、4−アリルフェノール、2−アリル−6−メチルフェノール、2−アリル−6−メトキシフェノール、4−アリル−2−メトキシフェノール、4−アリル−2,6−ジメトキシフェノール、4−アリルオキシ−2−ヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。
【0015】
これらの中で、p−ヒドロキシスチレンまたはα−メチル−p−ヒドロキシスチレンが好ましい。
共重合体合成後にフェノール性水酸基に変換できる官能基を有するラジカル重合性化合物(b-2)(以下、「官能基含有化合物(b-2)」ともいう。)としては、p−アセトキシスチレン、α−メチル−p−アセトキシスチレン、p−ベンジロキシスチレン、p-tert-ブトキシスチレン、p-tert-ブトキシカルボニロキシスチレン、p-tert-ブチルジメチルシロキシスチレン等が挙げられる。
【0016】
これらの官能基含有化合物(b-2)を用いた場合には、得られた共重合体は、適当な処理、例えば塩酸等を用いた加水分解を行うことにより、容易に前記官能基をフェノール性水酸基に変換することができる。
共重合体(I)中に占めるフェノール性水酸基化合物(b-1)または官能基含有化合物(b-2)に由来するフェノール性水酸基を有する構成単位(以下、「構成単位(b)」ともいう。)は、通常1〜50重量%であり、好ましくは10〜40重量%、特に好ましくは20〜40重量%である。構成単位(b)の含有量が少なすぎると、感放射線性樹脂組成物の解像度およびめっき後の剥離性が低下し、逆に構成単位(b)の含有量が多すぎると、得られる共重合体の分子量が十分に上がらず、膜厚20μm以上の塗膜形成が困難になり、かつ解像性、めっき耐性が低下することがある。
【0017】
他のラジカル重合性化合物(c)
他のラジカル重合性化合物(c)は、上記カルボキシル基化合物(a)、フェノール性水酸基化合物(b-1)、官能基含有化合物(b-2)および下記エポキシ基を有するラジカル重合性化合物(d)以外のラジカル重合性化合物であり、このような他のラジカル重合性化合物(c)としては、(メタ)アクリル酸アリールエステル類、ジカルボン酸ジエステル類、ニトリル基含有重合性化合物、アミド結合含有重合性化合物、ビニル類、アリル類、塩素含有重合性化合物、共役ジオレフィン等を挙げることができる。具体的には、マレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチルなどのジカルボン酸ジエステル;フェニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレートなどの(メタ)アクリル酸アリールエステル;スチレン、α−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、ビニルトルエン、p−メトキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、o−ヒドロキシスチレン、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン、α−メチル−m−ヒドロキシスチレン、α−メチル−o−ヒドロキシスチレン等の芳香族ビニル類、2−アリルフェノール、4−アリルフェノール、2−アリル−6−メチルフェノール、2−アリル−6−メトキシフェノール、4−アリル−2−メトキシフェノール、4−アリル−2,6−ジメトキシフェノール、4−アリルオキシ−2−ヒドロキシベンゾフェノン等の芳香族アリル類、アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのニトリル基含有重合性化合物;アクリルアミド、メタクリルアミドなどのアミド結合含有重合性化合物;酢酸ビニルなどの脂肪酸ビニル類;塩化ビニル、塩化ビニリデンなどの塩素含有重合性化合物;1,3−ブタジエン、イソプレン、1,4−ジメチルブタジエン等の共役ジオレフィン類を用いることができる。これらの化合物は単独でもしくは2種類以上組み合わせて用いることができる。
【0018】
共重合体(I)中に占める他のラジカル重合性化合物(c)に由来する構成単位は、通常10〜80重量%、好ましくは20〜60重量%である。
ラジカル重合性化合物(c)を共重合することにより、共重合体(I)の機械的特性を適度にコントロールすることができ、アルカリ水溶液に対する溶解性を調整することもできる。
【0019】
溶媒
共重合体(I)を製造する際に用いられる重合溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコールなどのアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルなどの多価アルコールのアルキルエーテル類;エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどの多価アルコールのアルキルエーテルアセテート類;トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン、ジアセトンアルコールなどのケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類が挙げられる。これらのうち、環状エーテル類、多価アルコールのアルキルエーテル類、多価アルコールのアルキルエーテルアセテート類、ケトン類、エステル類などが好ましい。
【0020】
触媒
共重合体(I)を製造する際に用いられる重合触媒としては、通常のラジカル重合開始剤が使用でき、例えば2,2'−アゾビスイソブチロニトリル、2,2'−アゾビス−(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2'−アゾビス−(4−メトキシ−2−ジメチルバレロニトリル)などのアゾ化合物;ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、tert−ブチルペルオキシピバレート、1,1'−ビス−(tert−ブチルペルオキシ)シクロヘキサンなどの有機過酸化物および過酸化水素などを挙げることができる。過酸化物をラジカル重合開始剤に使用する場合、還元剤を組み合わせてレドックス型の開始剤としてもよい。
【0021】
上記方法で得られる共重合体(I)の重量平均分子量(Mw)は、ゲルパーミエーションクロマト法ポリスチレン換算で通常1,000〜100,000であり、好ましくは5,000〜50,000、より好ましくは10,000〜30,000である。
エポキシ基を有するラジカル重合性化合物(d)
エポキシ基を有するラジカル重合性化合物(d)(以下、「エポキシ基化合物(d)」ともいう。)としては、例えば(メタ)アクリル酸グリシジル、α−エチル(メタ)アクリル酸グリシジル、α−n−プロピル(メタ)アクリル酸グリシジル、α−n−ブチル(メタ)アクリル酸グリシジル、(メタ)アクリル酸−3,4−エポキシブチル、(メタ)アクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、シクロヘキセンオキシド(メタ)アクリレート等を挙げることができる。これらの中、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、α−エチルアクリル酸−6,7−エポキシブチルが特に好ましい。
【0022】
アルカリ可溶性樹脂(A)の調製
本発明で用いられるアルカリ可溶性樹脂(A)は、上記共重合体(I)のカルボン酸と、上記エポキシ基化合物(d)とを、例えば、臭化テトラブチルアンモニウムなどのアンモニア系触媒を用いて反応させることで得られる。
共重合体(I)と、エポキシ基化合物(d)とは、得られたアルカリ可溶性樹脂(A)100重量部に対し、エポキシ基化合物(d)の反応量が、通常0.1〜20重量部、好ましくは1〜15重量部となるような割合で用いられる。
【0023】
エポキシ基化合物(d)の反応量が20重量部以上であると微細な解像性が乏しくかつ、硬化物のめっき後の剥離が困難になることがある。また、0.1重量部以下であると微細パターンの硬化性が不十分となり、良好なパターン形状が得られないことがある。
共重合体(I)のカルボン酸と、エポキシ基化合物(d)との反応に用いられる反応溶媒は、共重合体(I)の重合に用いたものと同じものを用いることができる。したがって、共重合体(I)の重合反応終了後、所定温度まで冷却した後、反応系にエポキシ基を有するラジカル重合性化合物(d)および触媒を添加して、共重合体(I)のカルボン酸とエポキシ基の反応を重合反応に引き続いて行うことができる。
【0024】
[(B)少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物]
本発明で用いられる少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物(以下、「エチレン性不飽和化合物(B)」ともいう。)は、分子中にエチレン性不飽和基を少なくとも1個有する常温で液体または固体の化合物であり、一般にはエチレン性不飽和基として(メタ)アクリロイル基を持つ(メタ)アクリレート化合物、もしくはビニル基を持つ化合物が好ましく用いられる。
【0025】
(メタ)アクリレート化合物としては単官能性化合物と多官能性化合物に分類されるが、いずれの化合物も用いることができる。
このようなエチレン性不飽和化合物(B)のうち単官能性化合物としては、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、アミル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、tert−ブチル(メタ)アクリレート、ペンチル(メタ)アクリレート、イソアミル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート、ヘプチル(メタ)アクリレート、オクチル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、イソデシル(メタ)アクリレート、ウンデシル(メタ)アクリレート、ドデシルアミル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、オクタデシル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、ブトキシエチル(メタ)アクリレート、エトキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、メトキシエチレングリコール(メタ)アクリレート、エトキシエチル(メタ)アクリレート、メトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、エトキシエチル(メタ)アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ジシクロペンタジエニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、トリシクロデカニル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、ボルニル(メタ)アクリレート、ジアセトン(メタ)アクリルアミド、イソブトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N−ビニルピロリドン、N−ビニルカプロラクタム、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、tert−オクチル(メタ)アクリルアミド、ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、ジエチルアミノエチル(メタ)アクリレート、7−アミノ−3,7−ジメチルオクチル(メタ)アクリレート、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、エチレングリコールモノメチルエーテル(メタ)アクリレート、エチレングリコールモノエチルエーテル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、アクリル酸アミド、メタクリル酸アミド、(メタ)アクリロニトリル、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。
【0026】
また、多官能性化合物としては、例えばトリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートトリ(メタ)アクリレート、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートジ(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAのジグリシジルエーテルに(メタ)アクリル酸を付加させたエポキシ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAジ(メタ)アクリロイルオキシエチルエーテル、ビスフェノールAジ(メタ)アクリロイルオキシエチルオキシエチルエーテル、ビスフェノールAジ(メタ)アクリロイルオキシロキシメチルエチルエーテル、テトラメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。
【0027】
これらエチレン性不飽和化合物(B)は、市販されているものをそのまま用いることもできる。市販されているエチレン性不飽和化合物(B)の具体例としては、アロニックスM−210、同M−309、同M−310、同M−400、同M−7100、同M−8030、同M−8060、同M−8100、同M−9050、同M−240、同M−245、同M−6100、同M−6200、同M−6250、同M−6300、同M−6400、同M−6500(以上、東亞合成(株)製)、KAYARAD R−551、同R−712、同TMPTA、同HDDA、同TPGDA、同PEG400DA、同MANDA、同HX−220、同HX−620、同R−604、同DPCA−20、DPCA−30、同DPCA−60、同DPCA−120(以上、日本化薬(株)製)、ビスコート#295、同300、同260、同312、同335HP、同360、同GPT、同3PA、同400(以上、大阪有機化学工業(株)製)等の商品名で市販されているものを挙げることができる。
【0028】
これらエチレン性不飽和化合物(B)は、単独でまたは2種以上を併用してもよく、アルカリ可溶性樹脂(A)100重量部に対して、好ましくは10〜250重量部、より好ましくは10〜150重量部、特に好ましくは10〜100重量部である。10重量部未満であると、露光時の感度が低下しやすく、250重量部を越えるとアルカリ可溶性樹脂(A)との相溶性が悪くなり、保存安定性が低下したり、20μm以上の厚膜を形成することが困難になることがある。
【0029】
[(C)放射線ラジカル重合開始剤]
本発明で用いられる放射線ラジカル重合開始剤(C)としては、例えばベンジル、ジアセチルなどのα−ジケトン類;ベンゾインなどのアシロイン類;ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテルなどのアシロインエーテル類;チオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、チオキサントン−4−スルホン酸、ベンゾフェノン、4,4'−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4'−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンなどのベンゾフェノン類;アセトフェノン、p−ジメチルアミノアセトフェノン、α,α−ジメトキシ−α−アセトキシベンゾフェノン、α,α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノン、p−メトキシアセトフェノン、1−[2−メチル−4−メチルチオフェニル]−2−モルフォリノ−1−プロパノン、α,α−ジメトキシ−α−モルホリノ−メチルチオフェニルアセトフェノン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オンなどのアセトフェノン類;アントラキノン、1,4−ナフトキノンなどのキノン類;フェナシルクロライド、トリブロモメチルフェニルスルホン、トリス(トリクロロメチル)−s−トリアジンなどのハロゲン化合物;[1,2'−ビスイミダゾール]−3,3',4,4'−テトラフェニル、[1,2'−ビスイミダゾール]−1,2'−ジクロロフェニル−3,3',4,4'−テトラフェニルなどのビスイミダゾール類、ジ−tert−ブチルパ−オキサイドなどの過酸化物;2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなどのアシルフォスフィンオキサイド類などが挙げられる。
【0030】
市販品としては、イルガキュア184、651、500、907、CGI369、CG24−61(以上、チバスペシャルティケミカルズ(株)製)、ルシリンLR8728、ルシリンTPO(以上、BASF(株)製)、ダロキュア1116、1173(以上、チバスペシャルティケミカルズ(株)製)、ユベクリルP36(UCB(株)製)などの商品名で市販されているものを挙げることができる。
【0031】
また、必要に応じてメルカプトベンゾチオアゾール、メルカプトベンゾオキサゾールのような水素供与性を有する化合物を上記光ラジカル重合開始剤と併用することもできる。
上述した放射線ラジカル重合開始剤(C)の中で好ましい化合物としては、1−[2−メチル−4−メチルチオフェニル]−2−モルフォリノ−1−プロパノン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン、α,α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノンなどのアセトフェノン類、フェナシルクロライド、トリブロモメチルフェニルスルホン、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、1,2'−ビスイミダゾール類と4,4'−ジエチルアミノベンゾフェノンとメルカプトベンゾチアゾールとの併用、ルシリンTPO(商品名)、イルガキュア651(商品名)などを挙げることができる。
【0032】
これらの放射線ラジカル重合開始剤(C)は、単独でまたは2種以上組み合わせて使用することができる。その使用量は、アルカリ可溶性樹脂(A)100重量部に対して好ましくは0.1〜50重量部、より好ましくは1〜30重量部、特に好ましくは2〜30重量部である。この使用量が1重量%以下であると、酸素によるラジカルの失活の影響(感度の低下)を受けやすく、また50重量%を越えると、相溶性が悪くなったり、保存安定性が低下する傾向がある。
【0033】
また、これら放射線ラジカル重合開始剤(C)は、放射線増感剤とを併用することも可能である。
[その他の成分]
本発明では、上述のアルカリ可溶性樹脂(A)、エチレン性不飽和化合物(B)、および放射線ラジカル重合開始剤(C)の他に、必要に応じて、溶剤、各種の添加剤などの成分を使用することができる。
【0034】
溶剤
有機溶剤としては、アルカリ可溶性樹脂(A)および各成分を均一に溶解させることができ、また各成分と反応しないものが用いられる。このような有機溶剤としては、アルカリ可溶性樹脂(A)を製造する際に用いられる重合溶剤と同様の溶剤を用いることができ、さらに、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアニリド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテートなどの高沸点溶媒を添加することもできる。
【0035】
これらの有機溶剤の中で、溶解性、各成分との反応性および塗膜形成の容易性から、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルなどの多価アルコールのアルキルエーテル類;エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどの多価アルコールのアルキルエーテルアセテート類;3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;ジアセトンアルコールなどのケトン類が好適である。
【0036】
上記溶剤の使用量は、用途、塗布方法などに応じて適宜決めることができる。
熱重合禁止剤
本発明の感放射線性樹脂組成物には、熱重合禁止剤を添加することができる。このような熱重合禁止剤としては、ピロガロール、ベンゾキノン、ヒドロキノン、メチレンブルー、tert−ブチルカテコール、モノベンジルエーテル、メチルヒドロキノン、アミルキノン、アミロキシヒドロキノン、n−ブチルフェノール、フェノール、ヒドロキノンモノプロピルエーテル、4,4'−(1−メチルエチリデン)ビス(2−メチルフェノール)、4,4'−(1−メチルエチリデン)ビス(2,6−ジメチルフェノール)、4,4'−[1−〔4−(1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル)フェニル〕エチリデン]ビスフェノール、4,4',4”−エチリデントリス(2−メチルフェノール)、4,4',4”−エチリデントリスフェノール、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパンなどを挙げることができる。
【0037】
これら熱重合禁止剤の使用量は、アルカリ可溶性樹脂(A)100重量部に対して好ましくは5重量部以下である。
界面活性剤
本発明の感放射線性樹脂組成物には、塗布性、消泡性、レベリング性などを向上させる目的で界面活性剤を配合することもできる。
【0038】
界面活性剤としては、例えばBM−1000、BM−1100(以上、BM ケミー社製)、メガファックF142D、同F172、同F173、同F183(以上、大日本インキ化学工業(株)製)、フロラードFC−135、同FC−170C、同FC−430、同FC−431(以上、住友スリーエム(株)製)、サーフロンS−112、同S−113、同S−131、同S−141、同S−145(以上、旭硝子(株)製)、SH−28PA、同−190、同−193、SZ−6032、SF−8428(以上、東レダウコーニングシリコーン(株)製)などの商品名で市販されているフッ素系界面活性剤を使用することができる。
【0039】
これらの界面活性剤の配合量は、アルカリ可溶性を有する共重合体(A)100重量部に対して好ましくは5重量部以下である。
接着助剤
本発明の感放射線性樹脂組成物には、基板との接着性を向上させるために接着助剤を使用することもできる。接着助剤としては、官能性シランカップリング剤が有効である。ここで、官能性シランカップリング剤とは、カルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基などの反応性置換基を有するシランカップリング剤を意味し、具体例としてはトリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシランなどを挙げることができる。
【0040】
接着助剤の配合量は、アルカリ可溶性樹脂(A)100重量部当たり5重量部以下が好ましい。
酸無水物
また、本発明の感放射線性樹脂組成物には、アルカリ現像液に対する溶解性の微調整を行うために、酢酸、プロピオン酸、n−酪酸、iso−酪酸、n−吉草酸、iso−吉草酸、安息香酸、けい皮酸などのモノカルボン酸;乳酸、2−ヒドロキシ酪酸、3−ヒドロキシ酪酸、サリチル酸、m−ヒドロキシ安息香酸、p−ヒドロキシ安息香酸、2−ヒドロキシけい皮酸、3−ヒドロキシけい皮酸、4−ヒドロキシけい皮酸、5−ヒドロキシイソフタル酸、シリンギン酸などのヒドロキシモノカルボン酸;シュウ酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、イタコン酸、ヘキサヒドロフタル酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸、1,2,4−シクロヘキサントリカルボン酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、シクロペンタンテトラカルボン酸、ブタンテトラカルボン酸、1,2,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸などの多価カルボン酸;無水イタコン酸、無水コハク酸、無水シトラコン酸、無水ドデセニルコハク酸、無水トリカルバニル酸、無水マレイン酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水メチルテトラヒドロフタル酸、無水ハイミック酸、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水トリメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、エチレングリコールビス無水トリメリテート、グリセリントリス無水トリメリテートなどの酸無水物を添加することもできる。
【0041】
充填材、着色剤、粘度調整剤
さらに、本発明の感放射線性樹脂組成物には必要に応じて充填材、着色剤、粘度調整剤などを添加することもできる。
充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、ベントナイト、ジルコニウムシリケート、粉末ガラスなどを挙げることができる。
【0042】
着色剤としては、アルミナ白、クレー、炭酸バリウム、硫酸バリウムなどの体質顔料;亜鉛華、鉛白、黄鉛、鉛丹、群青、紺青、酸化チタン、クロム酸亜鉛、ベンガラ、カーボンブラックなどの無機顔料;ブリリアントカーミン6B、パーマネントレッド6B、パーマネントレッドR、ベンジジンイエロー、フタロシアニンブルー、フタロシアニングリーンなどの有機顔料;マゼンタ、ローダミンなどの塩基性染料;ダイレクトスカーレット、ダイレクトオレンジなどの直接染料;ローセリン、メタニルイエローなどの酸性染料が挙げられる。
【0043】
粘度調整剤としては、ベントナイト、シリカゲル、アルミニウム粉末などを挙げることができる。これら添加剤の配合量は、組成物の本質的な特性を損なわない範囲であればよく、好ましくは、得られる組成物に対して50重量%以下である。
[感放射線性樹脂組成物の調製]
本発明の感放射線性樹脂組成物を調製するには、充填材および顔料を添加しない場合には、前記(A)、(B)、(C)の各成分と、必要に応じてその他の成分とを公知の方法で混合、攪拌するだけでよく、充填材および顔料を添加する場合にはディゾルバー、ホモジナイザー、3本ロールミルなどの分散機を用いて、これらの成分を混合、分散させればよい。また必要に応じて、さらにメッシュ、メンブレンフィルターなどを用いて各成分または得られる組成物をろ過してもよい。
【0044】
[感放射線性樹脂組成物の用法]
以上述べたような本発明の感放射線性樹脂組成物は用途に応じて、液状のまま使用する方法、あるいは予め可とう性のベースフィルム上に感放射線性樹脂組成物を塗布・乾燥して感放射線性の塗膜(感光層)を形成し、これを基板に貼り付けて使用する方法(ドライフィルム法)のいずれの方法でも用いることができる。但し、ドライフィルム法の場合は、ベースフィルム上に形成された感光層は、未使用時、この上にカバーフィルムを積層して保存することが好ましい。
【0045】
ドライフィルム用のベースフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルフォン、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂フィルムが使用できる。ベースフィルムの厚さは、15〜125μmの範囲が好ましい。
塗膜の形成には、アプリケーター、バーコーター、ロールコーター、カーテンフローコーター、ダイコーター、スピンコーター、スクリーン印刷などが使用される。塗膜の厚さは、乾燥後の厚さで10〜150μmの範囲が適当である。
【0046】
ドライフィルム用のカバーフィルムは、未使用時の感光層を安定に保護しておくためのものであり、使用時に除去される。したがって、未使用時には剥がれず、使用時には容易に剥がすことができるように、適度な剥離性を有する必要がある。このような条件を満たすカバーフィルムとしては、PETフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルムなどが使用できる。また、シリコーンをコーティングまたは焼き付けした上記フィルムを用いてもよい。カバーフィルムの厚さは15〜100μm程度がよい。
【0047】
また、カバーフィルムは酸素不透過性であり、露光時における酸素の悪影響を防止する。
また、露光時に密着されるパターン形成用のフォトマスクの粘着を防止するために、感光層上にさらに水溶性樹脂組成物の層を形成することができる(このようなドライフィルムの場合は、水溶性樹脂組成物の層上にカバーフィルムを積層して保存される)。水溶性樹脂組成物の層は、ポリビニルアルコールまたは部分けん化ポリ酢酸ビニルの5〜20重量%水溶液を乾燥膜厚1〜10μmとなるように塗布、乾燥することにより形成される。なお、水溶性樹脂組成物の水溶液にはエチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコールなどを添加することもできる。この水溶液の調製に際しては、液の粘度および消泡性を考慮して、溶剤、例えばメタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、アセトンなど、あるいは市販の水溶性消泡剤などを添加することもできる。
【0048】
本発明に係る感放射線性樹脂組成物から金属パターンを形成するには、従来公知の方法が採用され、例えば感放射線性樹脂組成物を加工物表面に塗布し、フォトリソグラフィ技術によって塗膜をパターニングし、これをマスクとして化学エッチング、電解エッチングまたは電気めっきを主体とするエレクトロフォーミング技術を単独で、または組み合わせる方法が挙げられる。また半導体デバイスは上記方法により形成した金属パターンを用いて従来公知の方法により製造される。
【0049】
次に、塗膜(感光層)の形成方法および塗膜の処理法についてさらに詳しく説明する。
1.塗膜の形成方法:
1−1 液状樹脂組成物を使用した場合
上述した感放射線性樹脂組成物の溶液を所定の基板上に塗布し、加熱により溶媒を除去することによって所望の塗膜を形成することができる。基板上への塗布方法としては、スピンコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、アプリケーター法などが適用できる。なお、本発明組成物の塗膜の乾燥条件は、組成物中の各成分の種類、配合割合、塗膜の厚さなどによって異なるが、通常は60〜160℃、好ましくは80〜150℃で、3〜15分間程度である。乾燥時間が短すぎると、現像時の密着状態が悪くなり、また、長すぎると熱かぶりによる解像度の低下を招くことがある。
【0050】
本発明の感放射線性樹脂組成物を塗布した基板をメッキ処理してバンプまたは配線を形成する場合は、基板表面に金属がコーティングされている必要がある。基板表面を金属でコーティングする方法として、金属を蒸着する方法、スパッタリングする方法等があるが、本発明において使用される基板に使用する金属のコーティング方法は特に限定されるものではない。
2.放射線照射方法:
得られた塗膜に所定のパターンを有するフォトマスクを介し、例えば波長が300〜500nmの紫外線または可視光線などの放射線を照射して、例えばバンプパターンや配線パターン以外の露光部を硬化させることができる。ここで放射線とは、紫外線、可視光線、遠紫外線、X線、電子線などを意味し、光源として、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、アルゴンガスレーザーなどを用いることができる。放射線照射量は、組成物中の各成分の種類、配合量、塗膜の厚さなどによって異なるが、例えば高圧水銀灯使用の場合、100〜1500mJ/cm2の範囲である。
3.現像方法:
放射線照射後の現像方法としては、アルカリ性水溶液を現像液として用いて、不要な非露光部を溶解、除去し、露光部のみを残存させ、所定パターンの硬化膜を得る。現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノナンなどのアルカリ類の水溶液を使用することができる。
【0051】
また上記アルカリ類の水溶液にメタノール、エタノールなどの水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像液として使用することもできる。現像時間は、組成物中の各成分の種類、配合割合、塗膜の厚さなどによって異なるが、通常30〜360秒間であり、また現像の方法は液盛り法、ディッピング法、パドル法、スプレー法、シャワー現像法などのいずれでもよい。現像後は、流水洗浄を30〜90秒間行い、エアーガンなどを用いて風乾させたり、ホットプレート、オーブンなど加熱下で乾燥させる。
4.後処理:
本発明の組成物から得られる塗膜は、前記の放射線照射のみでも、十分に硬化させることができるが、用途に応じてさらに、追加の放射線照射(以下、後露光という)や加熱によってさらに硬化させることができる。後露光としては、前記放射線照射方法と同様の方法で行うことができ、放射線照射量は特に限定されるものではないが、高圧水銀灯使用の場合100〜2000mJ/cm2の範囲が好ましい。また、加熱する際の方法は、ホットプレート、オーブンなどの加熱装置を用いて、所定の温度、例えば60〜100℃で所定の時間、例えばホットプレート上なら5〜30分間、オーブン中では5〜60分間加熱処理をすればよい。この後処理によって、さらに良好な特性を有する所定パターンの硬化膜を得ることができる。
5.めっき処理:
後処理を行った基板を、電気めっき用の各種めっき液に浸漬し、所望のめっき厚となるように電流値および通電時間を設定してめっきを行う。
6.剥離処理:
例えば、めっき処理した基板から本発明の硬化膜を剥離するには、30〜80℃にて攪拌中の剥離液に該基板を5〜30分間浸漬すればよい。ここで使用される剥離液としては、例えば、第4級アンモニウム塩の水溶液や第4級アンモニウム塩とジメチルスルホキシドと水との混合溶液を挙げることができる。また、同様の剥離液を使用し、スプレー法、シャワー法およびパドル法により剥離することも可能である。
【0052】
【実施例】
以下に本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。また、特にことわりのない限り、部は重量部、%は重量%を示す。
【0053】
【合成例1】
(アルカリ可溶性樹脂(A-1)の合成)
還流器のついたフラスコを窒素置換した後、2,2'−アゾイソブチロニトリル(重合開始剤)3.0g、乳酸エチル(溶媒)150g、アクリル酸 5g、メタクリル酸 7g、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン 35g、イソボルニルアクリレート 24gおよびn−ブチルアクリレート 29gを仕込み、固形分が完全に溶解するまで撹拌した。完全に溶解した後、溶液の温度を80℃まで上昇させ、この温度で7時間重合を行った後、溶液を100℃に昇温して、1時間重合を行って、共重合体を含む反応溶液を得た。
【0054】
反応終了後、溶液を室温まで冷却した後、グリシジルメタクリレート 3g、p−メトキシフェノール 0.1g、テトラブチルアンモニウムブロマイド 0.3gを前記反応溶液に添加し、完全に溶解するまで撹拌した。その後、溶液を80℃まで昇温し、共重合体中のカルボン酸とグリシジルメタクリレート中のエポキシ部位の付加反応を16時間行った。その後、溶液を室温まで冷却し、アルカリ可溶性樹脂(A-1)を樹脂溶液として得た。
【0055】
【合成例2】
(アルカリ可溶性樹脂(A-2)の合成)
還流器のついたフラスコを窒素置換した後、2,2'−アゾイソブチロニトリル(重合開始剤)3.0g、乳酸エチル(溶媒)150g、アクリル酸 5g、メタクリル酸 7g、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン 35g、イソボルニルアクリレート 24gおよびn−ブチルアクリレート 29gを仕込み、固形分が完全に溶解するまで撹拌した。完全に溶解した後、溶液の温度を80℃まで上昇させ、この温度で7時間重合を行った後、溶液を100℃に昇温して、1時間重合を行って、共重合体を含む反応溶液を得た。
【0056】
反応終了後、溶液を室温まで冷却した後、グリシジルメタクリレート 10g、p−メトキシフェノール 0.33g、テトラブチルアンモニウムブロマイド 1.0gを前記反応溶液に添加し、完全に溶解するまで撹拌した。その後、溶液を80℃まで昇温し、共重合体中のカルボン酸とグリシジルメタクリレート中のエポキシ部位の付加反応を16時間行った。その後、溶液を室温まで冷却し、アルカリ可溶性樹脂(A-2)を樹脂溶液として得た。
【0057】
【合成例3】
(アルカリ可溶性樹脂(A-3)の合成)
還流器のついたフラスコを窒素置換した後、2,2'−アゾイソブチロニトリル(重合開始剤)3.0g、乳酸エチル(溶媒)150g、アクリル酸 5g、メタクリル酸 7g、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン 35g、スチレン 24gおよびn−ブチルアクリレート 29gを仕込み、固形分が完全に溶解するまで撹拌した。完全に溶解した後、溶液の温度を80℃まで上昇させ、この温度で7時間重合を行った後、溶液を100℃に昇温して、1時間重合を行って、共重合体を含む反応溶液を得た。
【0058】
反応終了後、溶液を室温まで冷却した後、グリシジルメタクリレート 3g、p−メトキシフェノール 0.1g、テトラブチルアンモニウムブロマイド 0.3gを前記反応溶液に添加し、完全に溶解するまで撹拌した。その後、溶液を80℃まで昇温し、共重合体中のカルボン酸とグリシジルメタクリレート中のエポキシ部位の付加反応を16時間行った。その後、溶液を室温まで冷却し、アルカリ可溶性樹脂(A-3)を樹脂溶液として得た。
【0059】
【合成例4】
(アルカリ可溶性樹脂(A-4)の合成)
還流器のついたフラスコを窒素置換した後、2,2'−アゾイソブチロニトリル(重合開始剤)3.0g、乳酸エチル(溶媒)150g、アクリル酸 12g、メタクリル酸6g、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン 35g、スチレン 15gおよびn−ブチルアクリレート 32gを仕込み、固形分が完全に溶解するまで撹拌した。完全に溶解した後、溶液の温度を80℃まで上昇させ、この温度で7時間重合を行った後、溶液を100℃に昇温して、1時間重合を行って、共重合体を含む反応溶液を得た。
【0060】
反応終了後、溶液を室温まで冷却した後、グリシジルメタクリレート 5g、p−メトキシフェノール 0.17g、テトラブチルアンモニウムブロマイド 0.5gを前記反応溶液に添加し、完全に溶解するまで撹拌した。その後、溶液を80℃まで昇温し、共重合体中のカルボン酸とグリシジルメタクリレート中のエポキシ部位の付加反応を16時間行った。その後、溶液を室温まで冷却しアルカリ可溶性樹脂(A-4)を、樹脂溶液として得た。
【0061】
【合成例5】
(アルカリ可溶性樹脂(A-5)の合成)
還流器のついたフラスコを窒素置換した後、2,2'−アゾイソブチロニトリル(重合開始剤)3.0g、乳酸エチル(溶媒)150g、アクリル酸 30g、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン 10g、イソボルニルアクリレート 20gおよびn−ブチルアクリレート 30gを仕込み、固形分が完全に溶解するまで撹拌した。完全に溶解した後、溶液の温度を80℃まで上昇させ、この温度で7時間重合を行った後、溶液を100℃に昇温して、1時間重合を行って、共重合体を含む反応溶液を得た。
【0062】
反応終了後、溶液を室温まで冷却した後、グリシジルメタクリレート 15g、p−メトキシフェノール 0.5g、テトラブチルアンモニウムブロマイド 1.5gを前記反応溶液に添加し、完全に溶解するまで撹拌した。その後、溶液を80℃まで昇温し、共重合体中のカルボン酸とグリシジルメタクリレート中のエポキシ部位の付加反応を16時間行った。その後、溶液を室温まで冷却し、アルカリ可溶性樹脂(A-5)を樹脂溶液として得た。
【0063】
【合成例6】
(共重合体(A-6)の合成)
還流器のついたフラスコを窒素置換した後、2,2'−アゾイソブチロニトリル(重合開始剤)3.0g、乳酸エチル(溶媒)150g、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン 35g、イソボルニルアクリレート 24gおよびn−ブチルアクリレート 41gを仕込み、固形分が完全に溶解するまで撹拌した。完全に溶解した後、溶液の温度を80℃まで上昇させ、この温度で7時間重合を行った後、溶液を100℃に昇温して、1時間重合を行って、共重合体を含む反応溶液を得た。
【0064】
反応終了後、溶液を室温まで冷却した後、グリシジルメタクリレート 10g、p−メトキシフェノール 0.33g、テトラブチルアンモニウムブロマイド 1.0gを前記反応溶液に添加し、完全に溶解するまで撹拌した。その後、溶液を80℃まで昇温し、共重合体中のカルボン酸とグリシジルメタクリレート中のエポキシ部位の付加反応を16時間行った。その後、溶液を室温まで冷却し、共重合体(A-6)を樹脂溶液として得た。
【0065】
【合成例7】
(共重合体(A-7)の合成)
還流器のついたフラスコを窒素置換した後、2,2'−アゾイソブチロニトリル(重合開始剤)3.0g、乳酸エチル(溶媒)150g、アクリル酸 30g、メタクリル酸 25g、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン 10g、イソボルニルアクリレート 15gおよびn−ブチルアクリレート 20gを仕込み、固形分が完全に溶解するまで撹拌した。完全に溶解した後、溶液の温度を80℃まで上昇させ、この温度で7時間重合を行った後、溶液を100℃に昇温して、1時間重合を行って、共重合体を含む反応溶液を得た。
【0066】
反応終了後、溶液を室温まで冷却した後、グリシジルメタクリレート 1g、p−メトキシフェノール 0.03g、テトラブチルアンモニウムブロマイド 0.1gを前記反応溶液に添加し、完全に溶解するまで撹拌した。その後、溶液を80℃まで昇温し、共重合体中のカルボン酸とグリシジルメタクリレート中のエポキシ部位の付加反応を16時間行った。その後、溶液を室温まで冷却し、共重合体(A-7)を樹脂溶液として得た。
【0067】
【合成例8】
(共重合体(A-8)の合成)
還流器のついたフラスコを窒素置換した後、2,2'−アゾイソブチロニトリル(重合開始剤)3.0g、乳酸エチル(溶媒)150g、アクリル酸 15g、メタクリル酸 20g、スチレン 10g、イソボルニルアクリレート 25gおよびn−ブチルアクリレート 30gを仕込み、固形分が完全に溶解するまで撹拌した。完全に溶解した後、溶液の温度を80℃まで上昇させ、この温度で7時間重合を行った後、溶液を100℃に昇温して、1時間重合を行った。
【0068】
反応終了後、溶液を室温まで冷却した後、グリシジルメタクリレート 5g、p−メトキシフェノール 0.17g、テトラブチルアンモニウムブロマイド 0.5gを反応溶液に添加し、完全に溶解するまで撹拌した。その後、溶液を80℃まで昇温し、共重合体中のカルボン酸とグリシジルメタクリレート中のエポキシ部位の付加反応を16時間行った。その後、溶液を室温まで冷却し、共重合体(A-8)を樹脂溶液として得た。
【0069】
【合成例9】
(共重合体(A-9)の合成)
還流器のついたフラスコを窒素置換した後、2,2'−アゾイソブチロニトリル(重合開始剤)3.0g、乳酸エチル(溶媒)150g、アクリル酸 15g、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン 55g、イソボルニルアクリレート 10gおよびn−ブチルアクリレート 20gを仕込み、固形分が完全に溶解するまで撹拌した。完全に溶解した後、溶液の温度を80℃まで上昇させ、この温度で7時間重合を行った後、溶液を100℃に昇温して、1時間重合を行って、共重合体を含む反応溶液を得た。
【0070】
反応終了後、溶液を室温まで冷却した後、グリシジルメタクリレート 5g、p−メトキシフェノール 0.17g、テトラブチルアンモニウムブロマイド 0.5gを前記反応溶液に添加し、完全に溶解するまで撹拌した。その後、溶液を80℃まで昇温し、共重合体中のカルボン酸とグリシジルメタクリレート中のエポキシ部位の付加反応を16時間行った。その後、溶液を室温まで冷却し、共重合体(A-9)を樹脂溶液として得た。
【0071】
【合成例10】
(共重合体(A-10)の合成)
還流器のついたフラスコを窒素置換した後、2,2'−アゾイソブチロニトリル(重合開始剤)3.0g、乳酸エチル(溶媒)150g、アクリル酸 5g、メタクリル酸 7g、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン 36g、イソボルニルアクリレート 23gおよびn−ブチルアクリレート 20gを仕込み、固形分が完全に溶解するまで撹拌した。完全に溶解した後、溶液の温度を80℃まで上昇させ、この温度で7時間重合を行った後、溶液を100℃に昇温して、1時間重合を行った。その後、溶液を室温まで冷却し、共重合体(A-10)を樹脂溶液として得た。
【0072】
【合成例11】
(共重合体(A-11)の合成)
還流器のついたフラスコを窒素置換した後、2,2'−アゾイソブチロニトリル(重合開始剤)3.0g、乳酸エチル(溶媒)150g、アクリル酸 10g、メタクリル酸 18g、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン 20g、イソボルニルアクリレート 23gおよびn−ブチルアクリレート 29gを仕込み、固形分が完全に溶解するまで撹拌した。完全に溶解した後、溶液の温度を80℃まで上昇させ、この温度で7時間重合を行った後、溶液を100℃に昇温して、1時間重合を行って、共重合体を含む反応溶液を得た。
【0073】
反応終了後、溶液を室温まで冷却した後、グリシジルメタクリレート 25g、p−メトキシフェノール 0.83g、テトラブチルアンモニウムブロマイド 2.5gを前記反応溶液に添加し、完全に溶解するまで撹拌した。その後、溶液を80℃まで昇温し、共重合体中のカルボン酸とグリシジルメタクリレート中のエポキシ部位の付加反応を16時間行った。その後、溶液を室温まで冷却し、樹脂溶液として共重合体(A-11)を得た。
【0074】
上述のように合成した共重合体の重合結果を、表1に示した。エポキシ基を有するラジカル重合性化合物と、反応せしめる前の共重合体(I)の反応率と、反応後のアルカリ可溶性樹脂(A)の分子量を示した。
【0075】
【表1】
Figure 0004048791
【0076】
【実施例および比較例】
合成例で合成したアルカリ可溶性樹脂(A)100部を、溶剤成分である乳酸エチル100部に溶解し、さらに放射線ラジカル重合開始剤(C)成分である2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド(BASF社製、商品名:ルシリンTPO)20部およびイルガキュア651(商品名、チバスペシャルティケミカルズ社製)10部、表2に記載のエチレン性不飽和化合物(B)を表2に記載の量、界面活性剤としてNBX−15(商品名、ネオス社製)0.3部を添加し、これらが完全に溶解するまで攪拌し、感放射線性樹脂組成物を製造した。実施例および比較例で用いた(A)成分、(B)成分、および(C)成分の内容を表2に記載した。
【0077】
得られた感放射線性樹脂組成物を用いて下記のようにして物性を測定した。その結果を表3に示す。
特性の評価
▲1▼解像性と残膜率
シリコンウェハーにCr、Auを順でスパッタした基板上にスピンナーを用いて、感放射線性樹脂組成物を塗布した後、100℃で5分間ホットプレート上でプレベークして、膜厚25μmの塗膜を形成する。次に、解像度測定用のパターンマスクを介して、超高圧水銀灯(オスラム社製HBO−1000W/D)を用いて600mJ/cm2の紫外線で露光する。これを、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド0.5%水溶液で現像する。この後、流水洗浄し、スピン乾燥して試験体であるパターン状硬化物を得る。これを走査型電子顕微鏡で観察し、解像度を測定する。ここで、解像度とは15×75μmの長方形パターンの解像で判断され、解像されている場合「○」、解像されていない場合「×」で示す。
【0078】
残膜率は、現像後の膜厚を測定し求める。ここで、残膜率とは現像後の膜厚をプレベーク後の膜厚で除して、100を掛けた値である。残膜率の値が、95%以上で「◎」、90%以上で「○」、90%未満では「×」で示す。
▲2▼めっき液の濡れ性およびめっき耐性の評価
▲1▼で得られたパターン状硬化物を有する基板を、試験体として、シアン金めっき液として日本高純度化学社製テンペレジストEXを用い、5mA/dm2、60℃、50分で電解めっきを行い、その後剥離液としてTHB−S2(JSR社製)を用い、70℃、5分撹拌しながら浸漬を行い被試験体を得る。この試験体を光学顕微鏡で観察し15×75μmのパターンに沿いめっきが形成されている状態を、めっき液の濡れ性「○」、めっきが飛んでいる状態を「×」で示した。
【0079】
さらに、この試験体を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストのパターン状硬化物により保護された部分にめっきにより金が析出していない状態をめっき耐性「○」、異常な金の析出が観察される「×」で示す。
▲3▼剥離性
▲2▼得られた試験体のめっき部を走査型電子顕微鏡で観察を行い、めっき部にパターン状硬化物の残さが認められない場合を「○」、残さが認められた場合を「×」で示す。
【0080】
【表2】
Figure 0004048791
【0081】
【表3】
Figure 0004048791
【0082】
表3に示したように、本発明の感放射線性樹脂組成物による実施例1〜9では、厚膜塗布製膜性、解像性、耐めっき性、および剥離性に優れ、良好なめっきパターンを得ることができた。一方、不飽和基含有アルキル可溶性樹脂組成物が本発明の範囲から離脱した比較例1〜6では、必要な解像性、耐めっき性、および剥離性が十分ではなかった。
【0083】
【発明の効果】
本発明の感放射線性樹脂組成物は、優れたアルカリ解像性、めっき耐性および剥離性を有する感放射線性樹脂組成物を提供することができる。本発明の感放射線性樹脂組成物は、例えば金バンプ形成用途では20μm以上の膜厚で25μmピッチの解像性を有し、配線用途では10μmの膜厚で5μmの配線の解像性を有する。

Claims (4)

  1. (A)アクリル酸、メタクリル酸、フタル酸モノヒドロキシエチルアクリレートおよび2−ヘキサヒドロフタロイルエチルメタクリレートから選ばれる少なくとも1種のカルボキシル基を有するラジカル重合性化合物(a)に由来する構成単位を1〜40重量%、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン、α−メチル−m−ヒドロキシスチレンおよびα−メチル−o−ヒドロキシスチレンから選ばれる少なくとも1種のフェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物(b-1)またはα−メチル−p−アセトキシスチレンである共重合体合成後にフェノール性水酸基に変換できる官能基を有するラジカル重合性化合物(b-2)に由来するフェノール性水酸基を有する構成単位を1〜50重量%含有し、残分が前記化合物(a)、(b-1)、(b-2)および下記化合物(d)以外の他のラジカル重合性化合物(c)に由来する構成単位である共重合体100重量部に対し、(d)エポキシ基を有するラジカル重合性化合物0.1〜20重量部を反応せしめて得られる不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂、
    (B)少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物、および
    (C)放射線ラジカル重合開始剤
    を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
  2. 前記ラジカル重合性化合物(b-1)が、α−メチル−p−ヒドロキシスチレンであることを特徴とする、請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。
  3. 請求項1または2に記載の感光性樹脂組成物を用いることを特徴とする金属パターンの製造方法。
  4. 請求項3に記載の方法により形成された金属パターンを用いることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
JP2002040301A 2002-02-18 2002-02-18 感放射線性樹脂組成物 Expired - Lifetime JP4048791B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002040301A JP4048791B2 (ja) 2002-02-18 2002-02-18 感放射線性樹脂組成物
PCT/JP2002/013072 WO2003069410A1 (en) 2002-02-18 2002-12-13 Radiation-sensitive resin composition
AU2002367625A AU2002367625A1 (en) 2002-02-18 2002-12-13 Radiation-sensitive resin composition
EP02790753A EP1477848B1 (en) 2002-02-18 2002-12-13 Radiation-sensitive resin composition
US10/477,207 US7141355B2 (en) 2002-02-18 2002-12-13 Radiation-sensitive resin composition
KR1020037014934A KR100906539B1 (ko) 2002-02-18 2002-12-13 감방사선성 수지 조성물
CNB028100298A CN1291278C (zh) 2002-02-18 2002-12-13 辐射敏感的树脂组合物
TW091137874A TWI278720B (en) 2002-02-18 2002-12-30 Radiation-sensitive resin composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002040301A JP4048791B2 (ja) 2002-02-18 2002-02-18 感放射線性樹脂組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003241372A JP2003241372A (ja) 2003-08-27
JP4048791B2 true JP4048791B2 (ja) 2008-02-20

Family

ID=27678300

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002040301A Expired - Lifetime JP4048791B2 (ja) 2002-02-18 2002-02-18 感放射線性樹脂組成物

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7141355B2 (ja)
EP (1) EP1477848B1 (ja)
JP (1) JP4048791B2 (ja)
KR (1) KR100906539B1 (ja)
CN (1) CN1291278C (ja)
AU (1) AU2002367625A1 (ja)
TW (1) TWI278720B (ja)
WO (1) WO2003069410A1 (ja)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4300847B2 (ja) * 2003-04-01 2009-07-22 Jsr株式会社 感光性樹脂膜およびこれからなる硬化膜
JP2005202066A (ja) * 2004-01-14 2005-07-28 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性転写シート、感光性積層体、画像パターンを形成する方法、配線パターンを形成する方法
US7282324B2 (en) * 2004-01-05 2007-10-16 Microchem Corp. Photoresist compositions, hardened forms thereof, hardened patterns thereof and metal patterns formed using them
EP1739487A4 (en) * 2004-02-20 2010-04-21 Jsr Corp TWO-LAYER LAMINATE FILM FOR HILL-MAKING AND METHOD FOR HILL-MACHINING
JP4360242B2 (ja) 2004-03-24 2009-11-11 Jsr株式会社 ネガ型感放射線性樹脂組成物
JP4368266B2 (ja) * 2004-07-30 2009-11-18 東京応化工業株式会社 レジスト保護膜形成用材料、およびこれを用いたレジストパターン形成方法
JP4368267B2 (ja) 2004-07-30 2009-11-18 東京応化工業株式会社 レジスト保護膜形成用材料、およびこれを用いたレジストパターン形成方法
US7601482B2 (en) * 2006-03-28 2009-10-13 Az Electronic Materials Usa Corp. Negative photoresist compositions
EP1840654B1 (en) * 2006-03-30 2013-03-20 JSR Corporation Radiation-sensitive negative resin composition
KR100908694B1 (ko) * 2006-08-07 2009-07-22 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 층간절연막용 감광성 수지조성물 및 층간절연막의 형성방법
JP4677967B2 (ja) * 2006-09-21 2011-04-27 Jsr株式会社 ガラスエッチング用放射線硬化性レジスト樹脂組成物およびこれを用いたガラス基板の製造方法
KR100793946B1 (ko) * 2006-11-17 2008-01-16 제일모직주식회사 액정표시소자 칼럼 스페이서용 감광성 수지 조성물, 이를이용한 액정표시소자 칼럼 스페이서의 제조방법,액정표시소자용 칼럼 스페이서 및 이를 포함하는디스플레이 장치
CN101256361B (zh) * 2007-02-26 2011-12-28 新应材股份有限公司 光阻剂
JP4775291B2 (ja) * 2007-03-19 2011-09-21 Jsr株式会社 放射線硬化性樹脂組成物
CN101271271B (zh) * 2007-03-21 2012-01-11 新应材股份有限公司 正型光阻剂
JP2008233750A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd バリア膜およびこれを用いたパターン形成方法
TWI408519B (zh) * 2007-10-17 2013-09-11 Anji Microelectronics Co Ltd 厚膜光阻清洗劑
JP5058839B2 (ja) * 2008-02-01 2012-10-24 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 転写用感光性導体ペーストおよび感光性転写シート
US8759957B2 (en) * 2008-02-07 2014-06-24 Sumitomo Bakelite Company Limited Film for use in manufacturing semiconductor device, method for producing semiconductor device and semiconductor device
KR101285161B1 (ko) * 2008-10-15 2013-07-11 주식회사 엘지화학 내열성이 우수한 감광성 수지, 및 이를 포함하는 감광성 조성물
CN101762982B (zh) * 2008-12-24 2013-03-13 成都新图新材料股份有限公司 一种红外阳图热敏平版印刷版
JP5486594B2 (ja) * 2009-05-20 2014-05-07 旭化成イーマテリアルズ株式会社 感光性樹脂組成物
US8906594B2 (en) 2012-06-15 2014-12-09 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Negative-working thick film photoresist
US9012126B2 (en) 2012-06-15 2015-04-21 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Positive photosensitive material
JP6233271B2 (ja) 2013-12-27 2017-11-22 Jsr株式会社 感光性樹脂組成物およびレジストパターンの製造方法
US10272426B2 (en) 2015-04-21 2019-04-30 Jsr Corporation Method of producing microfluidic device, microfluidic device, and photosensitive resin composition
TWI731961B (zh) 2016-04-19 2021-07-01 德商馬克專利公司 正向感光材料及形成正向凸紋影像之方法
JP7477299B2 (ja) * 2017-12-27 2024-05-01 富士フイルム株式会社 転写フィルム、電極保護膜、積層体、静電容量型入力装置、及び、タッチパネルの製造方法
SG11202100517VA (en) 2018-09-05 2021-02-25 Merck Patent Gmbh Positive working photosensitive material
JP2020076945A (ja) * 2018-09-21 2020-05-21 旭化成株式会社 感光性樹脂組成物
CN114874381A (zh) * 2022-04-29 2022-08-09 江苏艾森半导体材料股份有限公司 一种碱溶性感光负性光刻胶树脂

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5260161A (en) * 1989-05-06 1993-11-09 Konica Corporation Photosensitive composition and photosensitive lithographic printing plate comprising in admixture a tetrapolymer and a diazo resin
WO1996012216A1 (en) * 1994-10-13 1996-04-25 Nippon Zeon Co., Ltd. Resist composition
JP3832099B2 (ja) * 1998-07-24 2006-10-11 Jsr株式会社 バンプ形成用材料および配線形成用材料
JP3648704B2 (ja) 2000-02-14 2005-05-18 タムラ化研株式会社 活性エネルギー線硬化性組成物及びプリント配線板
US6756165B2 (en) * 2000-04-25 2004-06-29 Jsr Corporation Radiation sensitive resin composition for forming barrier ribs for an EL display element, barrier rib and EL display element
JP2002014466A (ja) * 2000-06-28 2002-01-18 Taiyo Ink Mfg Ltd 感光性樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
CN1291278C (zh) 2006-12-20
EP1477848B1 (en) 2012-12-05
AU2002367625A1 (en) 2003-09-04
EP1477848A1 (en) 2004-11-17
CN1509424A (zh) 2004-06-30
KR20040089451A (ko) 2004-10-21
TWI278720B (en) 2007-04-11
TW200305778A (en) 2003-11-01
US7141355B2 (en) 2006-11-28
EP1477848A4 (en) 2008-01-02
US20040142280A1 (en) 2004-07-22
JP2003241372A (ja) 2003-08-27
WO2003069410A1 (en) 2003-08-21
KR100906539B1 (ko) 2009-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4048791B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP4300847B2 (ja) 感光性樹脂膜およびこれからなる硬化膜
JP3832099B2 (ja) バンプ形成用材料および配線形成用材料
JP4360242B2 (ja) ネガ型感放射線性樹脂組成物
JP4677967B2 (ja) ガラスエッチング用放射線硬化性レジスト樹脂組成物およびこれを用いたガラス基板の製造方法
JP4765974B2 (ja) ネガ型感放射線性樹脂組成物
JP2000039709A5 (ja)
JP3575109B2 (ja) バンプ形成用材料
JP5360059B2 (ja) ネガ型感放射線性樹脂組成物
JP5093226B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2009163080A (ja) ガラスエッチング用放射線硬化性レジスト樹脂組成物およびこれを用いたガラス基板の製造方法
JP4655726B2 (ja) ネガ型感放射線性樹脂組成物
JP4910810B2 (ja) 放射線硬化性樹脂組成物
JP4529616B2 (ja) 層間絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物および層間絶縁膜
JP2007291317A (ja) 微小造形法用光硬化性液状樹脂組成物、これを用いた3次元構造体の製造方法、及び金属型
JP2000066386A (ja) ドライフィルムレジストおよびその製造方法
JPH10319592A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2009244295A (ja) プリント配線基板用感放射線性樹脂組成物
JPH10161310A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2010026431A (ja) ネガ型感放射線性樹脂組成物
JPH10161307A (ja) 感放射線性樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040809

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070821

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071016

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071106

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071119

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4048791

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111207

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111207

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121207

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121207

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131207

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term