JP3395801B2 - 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 - Google Patents
反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法Info
- Publication number
- JP3395801B2 JP3395801B2 JP09083794A JP9083794A JP3395801B2 JP 3395801 B2 JP3395801 B2 JP 3395801B2 JP 09083794 A JP09083794 A JP 09083794A JP 9083794 A JP9083794 A JP 9083794A JP 3395801 B2 JP3395801 B2 JP 3395801B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- image
- reticle
- group
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0892—Catadioptric systems specially adapted for the UV
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lenses (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子又は
液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造する際
に使用されるステッパー等の投影露光装置の、等倍又は
縮小投影用の投影光学系に適用して好適な反射屈折投影
光学系に関し、特に、光学系の要素として反射系を用い
ることにより、紫外線波長域でサブミクロン単位の解像
度を有する１／４倍〜１／５倍の反射屈折投影光学系に
関する。
液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造する際
に使用されるステッパー等の投影露光装置の、等倍又は
縮小投影用の投影光学系に適用して好適な反射屈折投影
光学系に関し、特に、光学系の要素として反射系を用い
ることにより、紫外線波長域でサブミクロン単位の解像
度を有する１／４倍〜１／５倍の反射屈折投影光学系に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子又は液晶表示素子等をフォト
リソグラフィ工程で製造する際に、レチクル（又はフォ
トマスク等）のパターン像を投影光学系を介して例えば
１／４〜１／５程度に縮小して、フォトレジスト等が塗
布されたウエハ（又はガラスプレート等）上に露光する
投影露光装置が使用されている。投影露光装置として
は、従来は主にステッパーのような一括露光方式が使用
されていた。
リソグラフィ工程で製造する際に、レチクル（又はフォ
トマスク等）のパターン像を投影光学系を介して例えば
１／４〜１／５程度に縮小して、フォトレジスト等が塗
布されたウエハ（又はガラスプレート等）上に露光する
投影露光装置が使用されている。投影露光装置として
は、従来は主にステッパーのような一括露光方式が使用
されていた。
【０００３】最近、半導体素子等の集積度が一層向上す
るにつれて、投影露光装置に使用されている投影光学系
に要求される解像力も益々高まっている。この要求に応
えるためには、露光用の照明光の波長（露光波長）を短
波長化するか、又は投影光学系の開口数ＮＡを大きくし
なければならない。しかしながら、露光波長が短くなる
と照明光の吸収のため実用に耐える光学ガラスが限られ
てくる。特に露光波長が３００ｎｍ以下となると実用上
使える硝材は合成石英と蛍石だけとなる。
るにつれて、投影露光装置に使用されている投影光学系
に要求される解像力も益々高まっている。この要求に応
えるためには、露光用の照明光の波長（露光波長）を短
波長化するか、又は投影光学系の開口数ＮＡを大きくし
なければならない。しかしながら、露光波長が短くなる
と照明光の吸収のため実用に耐える光学ガラスが限られ
てくる。特に露光波長が３００ｎｍ以下となると実用上
使える硝材は合成石英と蛍石だけとなる。
【０００４】両者のアッベ数は色収差を補正するのに充
分なほど離れていないので、露光波長が３００ｎｍ以下
になった場合、屈折光学系だけで投影光学系を構成した
のでは色収差補正が極めて困難となる。また、蛍石は温
度変化による屈折率の変化、いわゆる温度特性が悪く、
またレンズ研磨の加工上多くの問題を持っているので、
多くの部分に使用することはできない。従って、要求さ
れる解像力を有する投影光学系を屈折系のみで構成する
ことには非常な困難が伴う。
分なほど離れていないので、露光波長が３００ｎｍ以下
になった場合、屈折光学系だけで投影光学系を構成した
のでは色収差補正が極めて困難となる。また、蛍石は温
度変化による屈折率の変化、いわゆる温度特性が悪く、
またレンズ研磨の加工上多くの問題を持っているので、
多くの部分に使用することはできない。従って、要求さ
れる解像力を有する投影光学系を屈折系のみで構成する
ことには非常な困難が伴う。
【０００５】これに対して、反射系のみで投影光学系を
構成することも試みられているが、この場合、投影光学
系が大型化し、且つ反射面の非球面化が必要となる。と
ころが、大型の高精度の非球面を製作するのは極めて困
難である。そこで、反射系と使用される露光波長に耐え
る光学ガラスからなる屈折系とを組み合わせたいわゆる
反射屈折光学系で縮小投影光学系を構成する技術が種々
提案されている。その一例として、立方体状のプリズム
よりなるビームスプリッターを備え、軸上付近の光束を
使って一括してレチクルの像を投影する反射屈折投影光
学系を有する縮小投影露光装置が、例えば特開平２−６
６５１０号公報、特開平３−２８２５２７号公報、米国
特許（ＵＳＰ）−５０８９９１３号、又は特開平５−７
２４７８号公報に開示されている。
構成することも試みられているが、この場合、投影光学
系が大型化し、且つ反射面の非球面化が必要となる。と
ころが、大型の高精度の非球面を製作するのは極めて困
難である。そこで、反射系と使用される露光波長に耐え
る光学ガラスからなる屈折系とを組み合わせたいわゆる
反射屈折光学系で縮小投影光学系を構成する技術が種々
提案されている。その一例として、立方体状のプリズム
よりなるビームスプリッターを備え、軸上付近の光束を
使って一括してレチクルの像を投影する反射屈折投影光
学系を有する縮小投影露光装置が、例えば特開平２−６
６５１０号公報、特開平３−２８２５２７号公報、米国
特許（ＵＳＰ）−５０８９９１３号、又は特開平５−７
２４７８号公報に開示されている。
【０００６】図１０はそのような従来の反射屈折投影光
学系を示し、この図１０において、物体面１のパターン
が不図示の照明光学系からの照明光により照明されてい
る。そして、物体面１のパターンからの光束が、焦点距
離ｆ1 の第１収斂群Ｇ1 を経て立方体状の偏光ビームス
プリッター（ＰＢＳ）２に入射し、偏光ビームスプリッ
ター２のビームスプリッター面２ａで反射されたＳ偏光
成分が、１／４波長板３を介して円偏光として凹面反射
鏡Ｍ2 に入射する。この凹面反射鏡Ｍ2 により反射され
た光束が、逆の円偏光として１／４波長板３に戻り、１
／４波長板３を透過してＰ偏光となった光束が、偏光ビ
ームスプリッター２を透過した後、焦点距離ｆ3 の第３
収斂群Ｇ3 を介して像面５上に物体面１上のパターンの
像を結像する。この場合、偏光ビームスプリッター２、
１／４波長板３、及び凹面反射鏡Ｍ2 が焦点距離ｆ2 の
第２収斂群Ｇ2 を構成している。また、凹面反射鏡Ｍ2
と像面５との間で光束の反射が繰り返されてフレアーが
発生するのを防止するため、偏光ビームスプリッター２
及び１／４波長板３を用いて、不要な反射光の偏光角の
変動を利用してその不要な反射光を遮断している。
学系を示し、この図１０において、物体面１のパターン
が不図示の照明光学系からの照明光により照明されてい
る。そして、物体面１のパターンからの光束が、焦点距
離ｆ1 の第１収斂群Ｇ1 を経て立方体状の偏光ビームス
プリッター（ＰＢＳ）２に入射し、偏光ビームスプリッ
ター２のビームスプリッター面２ａで反射されたＳ偏光
成分が、１／４波長板３を介して円偏光として凹面反射
鏡Ｍ2 に入射する。この凹面反射鏡Ｍ2 により反射され
た光束が、逆の円偏光として１／４波長板３に戻り、１
／４波長板３を透過してＰ偏光となった光束が、偏光ビ
ームスプリッター２を透過した後、焦点距離ｆ3 の第３
収斂群Ｇ3 を介して像面５上に物体面１上のパターンの
像を結像する。この場合、偏光ビームスプリッター２、
１／４波長板３、及び凹面反射鏡Ｍ2 が焦点距離ｆ2 の
第２収斂群Ｇ2 を構成している。また、凹面反射鏡Ｍ2
と像面５との間で光束の反射が繰り返されてフレアーが
発生するのを防止するため、偏光ビームスプリッター２
及び１／４波長板３を用いて、不要な反射光の偏光角の
変動を利用してその不要な反射光を遮断している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のように従来の反
射屈折投影光学系は、偏光ビームスプリッター２を使用
することにより、凹面反射鏡Ｍ2 に入射する光束とその
凹面反射鏡Ｍ2 に反射される光束とを分離していた。し
かしながら、従来は凹面反射鏡Ｍ2 で反射された光束が
直接像面５上に物体面１上のパターンの像を形成してい
たため、凹面反射鏡Ｍ2 から偏光ビームスプリッター２
に向かう光束径が大きく、その偏光ビームスプリッター
２が大型であった。
射屈折投影光学系は、偏光ビームスプリッター２を使用
することにより、凹面反射鏡Ｍ2 に入射する光束とその
凹面反射鏡Ｍ2 に反射される光束とを分離していた。し
かしながら、従来は凹面反射鏡Ｍ2 で反射された光束が
直接像面５上に物体面１上のパターンの像を形成してい
たため、凹面反射鏡Ｍ2 から偏光ビームスプリッター２
に向かう光束径が大きく、その偏光ビームスプリッター
２が大型であった。
【０００８】そのため、偏光ビームスプリッター２内の
ビームスプリッター面２ａにおける反射率分布の不均一
性、照明光の位相変化、又はビームスプリッター内での
照明光の吸収等により、結像特性が劣化するという不都
合があった。また、偏光ビームスプリッター２を構成す
る立方体状のプリズムが大型であるため、ビームスプリ
ッター用の硝材の製造やその光学特性の均一性の保持が
非常に困難なものであった。
ビームスプリッター面２ａにおける反射率分布の不均一
性、照明光の位相変化、又はビームスプリッター内での
照明光の吸収等により、結像特性が劣化するという不都
合があった。また、偏光ビームスプリッター２を構成す
る立方体状のプリズムが大型であるため、ビームスプリ
ッター用の硝材の製造やその光学特性の均一性の保持が
非常に困難なものであった。
【０００９】また、従来、焦点深度を深くして且つ解像
力を上げる一つの手法として、レチクルのパターン中の
所定部分の位相を他の部分からずらす位相シフト法が提
案されている（特公昭６２−５０８１１号公報参照）。
この位相シフト法の効果を更に上げるためには、照明光
学系の開口数と結像光学系の開口数との比であるコヒー
レンスファクタ（σ値）を可変にすることが望ましい。
このようにσ値を可変にするためには、照明光学系若し
くは投影光学系（又は両方）に可変開口絞りを設置する
必要があるが、従来の偏光ビームスプリッター２を用い
た反射屈折投影光学系では、有効な絞り設置部分が何処
にもとれず、σ値の可変が困難であるか、又はその可変
範囲が狭いという不都合があった。
力を上げる一つの手法として、レチクルのパターン中の
所定部分の位相を他の部分からずらす位相シフト法が提
案されている（特公昭６２−５０８１１号公報参照）。
この位相シフト法の効果を更に上げるためには、照明光
学系の開口数と結像光学系の開口数との比であるコヒー
レンスファクタ（σ値）を可変にすることが望ましい。
このようにσ値を可変にするためには、照明光学系若し
くは投影光学系（又は両方）に可変開口絞りを設置する
必要があるが、従来の偏光ビームスプリッター２を用い
た反射屈折投影光学系では、有効な絞り設置部分が何処
にもとれず、σ値の可変が困難であるか、又はその可変
範囲が狭いという不都合があった。
【００１０】更に、従来の反射屈折投影光学系では、縮
小倍率の関係から凹面反射鏡Ｍ2 で反射された照明光の
ウエハ（像面５）までの光路が長く取れないため、この
光路中に配置される屈折レンズのレンズ枚数を多くする
ことができず、十分な結像性能が得られにくいという不
都合があった。また、このため、ウエハ側の屈折レンズ
端面とウエハとの距離、即ち作動距離（ワーキングディ
スタンス）が長く取れないという不都合があった。
小倍率の関係から凹面反射鏡Ｍ2 で反射された照明光の
ウエハ（像面５）までの光路が長く取れないため、この
光路中に配置される屈折レンズのレンズ枚数を多くする
ことができず、十分な結像性能が得られにくいという不
都合があった。また、このため、ウエハ側の屈折レンズ
端面とウエハとの距離、即ち作動距離（ワーキングディ
スタンス）が長く取れないという不都合があった。
【００１１】また、最近、一括露光方式の投影露光装置
とは別に、レチクルとウエハとを投影光学系に対して相
対的に走査して露光を行うスリットスキャン方式、又は
ステップ・アンド・スキャン方式等の走査露光方式も使
用されている。しかしながら、これらの方式を使用する
場合においても従来の反射屈折投影光学系では、上述の
問題点を有していることには変わりはなかった。
とは別に、レチクルとウエハとを投影光学系に対して相
対的に走査して露光を行うスリットスキャン方式、又は
ステップ・アンド・スキャン方式等の走査露光方式も使
用されている。しかしながら、これらの方式を使用する
場合においても従来の反射屈折投影光学系では、上述の
問題点を有していることには変わりはなかった。
【００１２】本発明は斯かる点に鑑み、従来の偏光ビー
ムスプリッターより小型の光束分離光学系を使用でき、
且つ凹面反射鏡から像面までの光路を長く取れる結像性
能の優れた反射屈折投影光学系を提供することを目的と
する。また、本発明は偏光ビームスプリッター等の光束
分離光学系を小型化した上で、開口絞りが配置できる空
間を有する反射屈折投影光学系を提供することを目的と
する。
ムスプリッターより小型の光束分離光学系を使用でき、
且つ凹面反射鏡から像面までの光路を長く取れる結像性
能の優れた反射屈折投影光学系を提供することを目的と
する。また、本発明は偏光ビームスプリッター等の光束
分離光学系を小型化した上で、開口絞りが配置できる空
間を有する反射屈折投影光学系を提供することを目的と
する。
【００１３】更に、本発明は、小型の光束分離光学系を
使用した上で、走査露光方式の投影露光装置に適用でき
る反射屈折投影光学系を提供することをも目的とする。
また、本発明は、それらの反射屈折投影光学系を用いた
投影露光方法及び装置を提供することを目的とする。
使用した上で、走査露光方式の投影露光装置に適用でき
る反射屈折投影光学系を提供することをも目的とする。
また、本発明は、それらの反射屈折投影光学系を用いた
投影露光方法及び装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本願明細書の実施例に記
載された反射屈折投影光学系（以下、「本発明による第
１の反射屈折投影光学系」と言う。）は、例えば図１に
示す如く、第１面（１）のパターンの像を第２面（５）
上に投影する光学系において、その第１面のパターンの
中間像（６）を形成する第１結像光学系（Ｇ1 ，Ｇ2 ）
と、その中間像の像をその第２面上に形成する第２結像
光学系（Ｇ3 ）とを有する。
載された反射屈折投影光学系（以下、「本発明による第
１の反射屈折投影光学系」と言う。）は、例えば図１に
示す如く、第１面（１）のパターンの像を第２面（５）
上に投影する光学系において、その第１面のパターンの
中間像（６）を形成する第１結像光学系（Ｇ1 ，Ｇ2 ）
と、その中間像の像をその第２面上に形成する第２結像
光学系（Ｇ3 ）とを有する。
【００１５】そして、その第１結像光学系は、屈折レン
ズ成分を含みその第１面のパターンからの光束を収斂す
る正屈折力の第１群（Ｇ1 ）と、この第１群の光軸に対
して斜めに配置されたビームスプリッター面（６ａ）に
よりその第１群からの光束の一部を分離するプリズム型
ビームスプリッター（６）と、このプリズム型ビームス
プリッターにより分離された光束を反射する凹面反射鏡
（Ｍ2 ）を含み、プリズム型ビームスプリッター（６）
付近にそのパターンの中間像（７）を形成する正の屈折
力を持つ第２群（Ｇ2 ）とより構成され、この第２群
（Ｇ2 ）により収斂された光束の一部が、プリズム型ビ
ームスプリッター（６）により分離されて第２結像光学
系（Ｇ3 ）へ導かれるものである。
ズ成分を含みその第１面のパターンからの光束を収斂す
る正屈折力の第１群（Ｇ1 ）と、この第１群の光軸に対
して斜めに配置されたビームスプリッター面（６ａ）に
よりその第１群からの光束の一部を分離するプリズム型
ビームスプリッター（６）と、このプリズム型ビームス
プリッターにより分離された光束を反射する凹面反射鏡
（Ｍ2 ）を含み、プリズム型ビームスプリッター（６）
付近にそのパターンの中間像（７）を形成する正の屈折
力を持つ第２群（Ｇ2 ）とより構成され、この第２群
（Ｇ2 ）により収斂された光束の一部が、プリズム型ビ
ームスプリッター（６）により分離されて第２結像光学
系（Ｇ3 ）へ導かれるものである。
【００１６】この場合、そのパターンの中間像（７）
は、プリズム型ビームスプリッター（７）の内部に形成
されることが望ましい。また、図１に示すように、凹面
反射鏡（Ｍ2 ）と第２面（５）との間の繰り返し反射に
よるフレアの発生を防止するため、ビームスプリッター
（６）として偏光ビームスプリッターを使用し、この偏
光ビームスプリッターと凹面反射鏡（Ｍ 2 ）との間に１
／４波長板（３）を配置することが望ましい。
は、プリズム型ビームスプリッター（７）の内部に形成
されることが望ましい。また、図１に示すように、凹面
反射鏡（Ｍ2 ）と第２面（５）との間の繰り返し反射に
よるフレアの発生を防止するため、ビームスプリッター
（６）として偏光ビームスプリッターを使用し、この偏
光ビームスプリッターと凹面反射鏡（Ｍ 2 ）との間に１
／４波長板（３）を配置することが望ましい。
【００１７】更に、少なくとも像面（５）側ではテレセ
ントリックであることが望ましい。次に、本願の請求項
１に係る発明（以下、「本発明による第２の反射屈折投
影光学系」と言う。）は、例えば図６に示す如く、第１
面（１０）のパターンの像を第２面（１１）上に投影す
る光学系において、その第１面のパターンの中間像を形
成する第１結像光学系（Ｇ1 ，Ｇ2 ）と、その中間像の
像をその第２面上に形成する第２結像光学系（Ｇ3 ）と
を有する。
ントリックであることが望ましい。次に、本願の請求項
１に係る発明（以下、「本発明による第２の反射屈折投
影光学系」と言う。）は、例えば図６に示す如く、第１
面（１０）のパターンの像を第２面（１１）上に投影す
る光学系において、その第１面のパターンの中間像を形
成する第１結像光学系（Ｇ1 ，Ｇ2 ）と、その中間像の
像をその第２面上に形成する第２結像光学系（Ｇ3 ）と
を有する。
【００１８】そして、その第１結像光学系は、屈折レン
ズ成分を含みその第１面のパターンからの光束を収斂す
る正屈折力の第１群（Ｇ1 ）と、凹面反射鏡（Ｍ2 ）を
含みその第１群からの光束を収斂する第２群（Ｇ2 ）
と、その第１群とその第２群との間の光路中にその第１
群の光軸に対して斜めに配置された反射面を備える部分
ミラー（８）とを備え、その第２群は、その部分ミラー
（８）のその反射面の付近にそのパターンの中間像を形
成し、その第２群により収斂された光束は、第２結像光
学系（Ｇ3 ）へ導かれるものである。
ズ成分を含みその第１面のパターンからの光束を収斂す
る正屈折力の第１群（Ｇ1 ）と、凹面反射鏡（Ｍ2 ）を
含みその第１群からの光束を収斂する第２群（Ｇ2 ）
と、その第１群とその第２群との間の光路中にその第１
群の光軸に対して斜めに配置された反射面を備える部分
ミラー（８）とを備え、その第２群は、その部分ミラー
（８）のその反射面の付近にそのパターンの中間像を形
成し、その第２群により収斂された光束は、第２結像光
学系（Ｇ3 ）へ導かれるものである。
【００１９】この場合、部分ミラー（８）により反射さ
れた光束を使用しているため、結像範囲はスリット状又
は円弧状等が望ましい。即ち、この第２の反射屈折投影
光学系は走査露光方式の投影露光装置に好適である。こ
の場合、部分ミラー（８）が使用され、繰り返し反射の
影響が小さいため、１／４波長板を使用する必要はな
い。
れた光束を使用しているため、結像範囲はスリット状又
は円弧状等が望ましい。即ち、この第２の反射屈折投影
光学系は走査露光方式の投影露光装置に好適である。こ
の場合、部分ミラー（８）が使用され、繰り返し反射の
影響が小さいため、１／４波長板を使用する必要はな
い。
【００２０】また、これらの場合、第１群（Ｇ1 ）、第
２群（Ｇ2 ）、及び第２結像光学系（Ｇ3 ）のペッツバ
ール和をそれぞれｐ1 ，ｐ2 ，ｐ3 とすると、次の条件
を満足することが望ましい。 ｐ1 ＋ｐ3 ＞０ （１） ｐ2 ＜０ （２） ｜ｐ1 ＋ｐ2 ＋ｐ3 ｜＜０．１ （３） 更に、第１面上のパターンから中間像への第１次結像の
倍率をβ12とし、その中間像から第２面上の像への第２
次結像の倍率をβ3 とし、第１面から第２面への倍率を
βとしたとき、次の条件を満足することが望ましい。
２群（Ｇ2 ）、及び第２結像光学系（Ｇ3 ）のペッツバ
ール和をそれぞれｐ1 ，ｐ2 ，ｐ3 とすると、次の条件
を満足することが望ましい。 ｐ1 ＋ｐ3 ＞０ （１） ｐ2 ＜０ （２） ｜ｐ1 ＋ｐ2 ＋ｐ3 ｜＜０．１ （３） 更に、第１面上のパターンから中間像への第１次結像の
倍率をβ12とし、その中間像から第２面上の像への第２
次結像の倍率をβ3 とし、第１面から第２面への倍率を
βとしたとき、次の条件を満足することが望ましい。
【００２１】
０．１≦｜β12｜≦０．５ （４）
０．２５≦｜β3 ｜≦２ （５）
０．１≦｜β｜≦０．５ （６）
次に、本発明による走査型投影露光装置は、レチクルと
ウエハとを走査しつつ、そのレチクルのパターンの像を
そのウエハ上に投影する走査型投影露光装置において、
本発明の何れかの反射屈折投影光学系を備え、そのレチ
クルからそのウエハヘの投影倍率をβとし、そのレチク
ルの走査速度をＶR とするとき、そのウエハを速度β・
ＶR で走査するものである。また、本発明による走査投
影露光方法は、レチクルとウエハとを走査しつつ、その
レチクルのパターンの像をそのウエハ上に投影する走査
投影露光方法において、本発明の何れかの反射屈折投影
光学系を用いてそのレチクルのパターンの像をそのウエ
ハ上に投影し、そのレチクルからそのウエハヘの投影倍
率をβとし、そのレチクルの走査速度をＶR とすると
き、そのウエハを速度β・ＶR で走査するものである。
ウエハとを走査しつつ、そのレチクルのパターンの像を
そのウエハ上に投影する走査型投影露光装置において、
本発明の何れかの反射屈折投影光学系を備え、そのレチ
クルからそのウエハヘの投影倍率をβとし、そのレチク
ルの走査速度をＶR とするとき、そのウエハを速度β・
ＶR で走査するものである。また、本発明による走査投
影露光方法は、レチクルとウエハとを走査しつつ、その
レチクルのパターンの像をそのウエハ上に投影する走査
投影露光方法において、本発明の何れかの反射屈折投影
光学系を用いてそのレチクルのパターンの像をそのウエ
ハ上に投影し、そのレチクルからそのウエハヘの投影倍
率をβとし、そのレチクルの走査速度をＶR とすると
き、そのウエハを速度β・ＶR で走査するものである。
【００２２】
【作用】斯かる本発明の第１の反射屈折投影光学系は一
括露光方式の投影露光装置に好適である。この場合、凹
面反射鏡（Ｍ2 ）に入射する光束と凹面反射鏡（Ｍ2 ）
からの光束とをプリズム型のビームスプリッター（６）
により分離すると共に、凹面反射鏡（Ｍ2 ）からの光束
を一旦集光して結像させている部分の近傍にビームスプ
リッター（６）を配置していることから、そのプリズム
型のビームスプリッター（６）が小型化できる。
括露光方式の投影露光装置に好適である。この場合、凹
面反射鏡（Ｍ2 ）に入射する光束と凹面反射鏡（Ｍ2 ）
からの光束とをプリズム型のビームスプリッター（６）
により分離すると共に、凹面反射鏡（Ｍ2 ）からの光束
を一旦集光して結像させている部分の近傍にビームスプ
リッター（６）を配置していることから、そのプリズム
型のビームスプリッター（６）が小型化できる。
【００２３】また、凹面反射鏡（Ｍ2 ）と像面（５）と
の間で一度結像を行っているため、第２結像光学系（Ｇ
3 ）中に開口絞り（４）を置くことができる。従って、
コヒーレンスファクタ（σ値）を容易に調節できる。こ
れに関して、第１次結像後、第２結像光学系（Ｇ3 ）で
再結像させているために、第２結像光学系（Ｇ3 ）の先
端のレンズから像面（５）までの作動距離（ワーキング
ディスタンス）を充分長く取ることができる。
の間で一度結像を行っているため、第２結像光学系（Ｇ
3 ）中に開口絞り（４）を置くことができる。従って、
コヒーレンスファクタ（σ値）を容易に調節できる。こ
れに関して、第１次結像後、第２結像光学系（Ｇ3 ）で
再結像させているために、第２結像光学系（Ｇ3 ）の先
端のレンズから像面（５）までの作動距離（ワーキング
ディスタンス）を充分長く取ることができる。
【００２４】特に、一括露光方式の投影露光装置では、
使用するビームスプリッター（６）を第１次結像面付近
に配置させるため、そのビームスプリッター（６）を極
力小さくすることができる。次に、本発明の第２の反射
屈折投影光学系は、図６に示すように、部分ミラー
（８）を使用していることから、像面（１１）での良像
範囲はスリット状又は円弧状等となり、走査露光方式の
投影露光装置に好適である。この場合、その部分ミラー
（８）付近で一度結像を行っているため、部分ミラー
（８）は小型なものでよく、且つ部分ミラー（８）の反
射膜の特性は安定である。
使用するビームスプリッター（６）を第１次結像面付近
に配置させるため、そのビームスプリッター（６）を極
力小さくすることができる。次に、本発明の第２の反射
屈折投影光学系は、図６に示すように、部分ミラー
（８）を使用していることから、像面（１１）での良像
範囲はスリット状又は円弧状等となり、走査露光方式の
投影露光装置に好適である。この場合、その部分ミラー
（８）付近で一度結像を行っているため、部分ミラー
（８）は小型なものでよく、且つ部分ミラー（８）の反
射膜の特性は安定である。
【００２５】また、部分ミラー（８）において、僅かの
画角を持たせるだけで光路を分離できる。即ち、光路分
離のために大きな画角を必要としないために、結像性能
にも余裕を持つことができる。これに関して、通常の反
射屈折投影光学系では、光路分離のために最大で約２０
°以上の画角が必要であるが、部分ミラー（８）に入射
する光束の画角は約１０°程度になっており、収差補正
上無理をする必要がない。
画角を持たせるだけで光路を分離できる。即ち、光路分
離のために大きな画角を必要としないために、結像性能
にも余裕を持つことができる。これに関して、通常の反
射屈折投影光学系では、光路分離のために最大で約２０
°以上の画角が必要であるが、部分ミラー（８）に入射
する光束の画角は約１０°程度になっており、収差補正
上無理をする必要がない。
【００２６】また、走査露光方式用の投影光学系として
所謂リング視野光学系が知られているが、このリング視
野光学系では、軸外の輪帯部のみが照明するように構成
されている。しかしながら、リング視野光学系では、軸
外光束を用いることにより、開口数を大きくすることが
困難であり、また光学部材が光軸に関して非対称の構成
となるため、光学部材の加工、検査、調整が困難で、精
度出しや精度の維持が難しいという不都合がある。これ
に対して、本発明の場合は画角を大きく取らないので、
光束のケラレが少ない構造になっている。
所謂リング視野光学系が知られているが、このリング視
野光学系では、軸外の輪帯部のみが照明するように構成
されている。しかしながら、リング視野光学系では、軸
外光束を用いることにより、開口数を大きくすることが
困難であり、また光学部材が光軸に関して非対称の構成
となるため、光学部材の加工、検査、調整が困難で、精
度出しや精度の維持が難しいという不都合がある。これ
に対して、本発明の場合は画角を大きく取らないので、
光束のケラレが少ない構造になっている。
【００２７】また、第１結像光学系（Ｇ1 ，Ｇ2 ）と第
２結像光学系（Ｇ3 ）とが独立の構造になっているの
で、光学部材の加工、検査、調整が容易で、精度出しや
精度の維持が容易であり、高い開口数を可能とする優れ
た結像特性を有する。次に、第１の反射屈折投影光学
系、又は第２の反射屈折投影光学系において、光学系の
性能を更に向上させるためには、先ず光学系全体のペッ
ツバール和を０付近にしなければならない。このため、
条件式（１）〜（３）を満たすことが望ましい。
２結像光学系（Ｇ3 ）とが独立の構造になっているの
で、光学部材の加工、検査、調整が容易で、精度出しや
精度の維持が容易であり、高い開口数を可能とする優れ
た結像特性を有する。次に、第１の反射屈折投影光学
系、又は第２の反射屈折投影光学系において、光学系の
性能を更に向上させるためには、先ず光学系全体のペッ
ツバール和を０付近にしなければならない。このため、
条件式（１）〜（３）を満たすことが望ましい。
【００２８】条件式（１）〜（３）を満足することによ
り、光学性能中の像面の曲がりが防止され、像面の平坦
性が良好になっている。また、条件式（３）の上限を外
れると（ｐ1 ＋ｐ2 ＋ｐ3 ≧０．１）、像面は物体面側
に凹に湾曲し、条件式（３）の下限を越えると（ｐ1 ＋
ｐ2 ＋ｐ3 ≦−０．１）、像面は物体側に凸に湾曲し結
像性能が著しく劣化する。
り、光学性能中の像面の曲がりが防止され、像面の平坦
性が良好になっている。また、条件式（３）の上限を外
れると（ｐ1 ＋ｐ2 ＋ｐ3 ≧０．１）、像面は物体面側
に凹に湾曲し、条件式（３）の下限を越えると（ｐ1 ＋
ｐ2 ＋ｐ3 ≦−０．１）、像面は物体側に凸に湾曲し結
像性能が著しく劣化する。
【００２９】また、第１次結像の倍率β12、第２次結像
の倍率β3 、全体の結像の倍率βについて条件式（４）
〜（６）を満足することにより、無理なく光学系を構成
することができる。条件式（４）〜（６）の下限をそれ
ぞれ外れると、縮小倍率がかかり過ぎて、広範囲の露光
が困難となる。また、上限を外れると拡大倍率の方にな
り過ぎ、投影露光装置に適用した場合には本来の縮小投
影という使用目的に反することになる。
の倍率β3 、全体の結像の倍率βについて条件式（４）
〜（６）を満足することにより、無理なく光学系を構成
することができる。条件式（４）〜（６）の下限をそれ
ぞれ外れると、縮小倍率がかかり過ぎて、広範囲の露光
が困難となる。また、上限を外れると拡大倍率の方にな
り過ぎ、投影露光装置に適用した場合には本来の縮小投
影という使用目的に反することになる。
【００３０】このとき、条件式（４）が満たされている
ため、全体の光学系の縮小倍率のほとんどを第１結像光
学系（Ｇ1 ）でかせいでいることになる。従って、特に
ビームスプリッター（６）又は部分ミラー（８）を小型
化できる。また、光束分離手段としての図１のビームス
プリッター（６）又は図６の部分ミラー８の位置と、光
学系の入射瞳、及び射出瞳の位置とをほぼ一致させる
と、物体高の変化に対して瞳上の遮蔽部分が変化しない
ので、像面全面にわたって、結像性能の変化はなくな
る。
ため、全体の光学系の縮小倍率のほとんどを第１結像光
学系（Ｇ1 ）でかせいでいることになる。従って、特に
ビームスプリッター（６）又は部分ミラー（８）を小型
化できる。また、光束分離手段としての図１のビームス
プリッター（６）又は図６の部分ミラー８の位置と、光
学系の入射瞳、及び射出瞳の位置とをほぼ一致させる
と、物体高の変化に対して瞳上の遮蔽部分が変化しない
ので、像面全面にわたって、結像性能の変化はなくな
る。
【００３１】また、このような露光用光学系において
は、ウエハ等が位置ずる像面の光軸方向の変動に対して
倍率の変化がないようにするために、少なくとも像面側
でテレセントリックであることが望ましい。
は、ウエハ等が位置ずる像面の光軸方向の変動に対して
倍率の変化がないようにするために、少なくとも像面側
でテレセントリックであることが望ましい。
【００３２】
【実施例】以下、本発明による反射屈折投影光学系の種
々の実施例につき図面を参照して説明する。本例は、レ
チクルのパターンの像をフォトレジストが塗布されたウ
エハ上に所定倍率で投影する投影露光装置の投影光学系
に本発明を適用したものである。
々の実施例につき図面を参照して説明する。本例は、レ
チクルのパターンの像をフォトレジストが塗布されたウ
エハ上に所定倍率で投影する投影露光装置の投影光学系
に本発明を適用したものである。
【００３３】以下の実施例ではレンズ配置を例えば図２
に示すように、展開光路図で表す。展開光路図において
は、反射面は透過面として表され、レチクル１０からの
光が通過する順に各光学要素が配列される。また、凹面
反射鏡の反射面（例えばｒ14）では、平面の仮想面（例
えばｒ15）が使用される。そして、レンズの形状及び間
隔を表すために、例えば図２に示すように、レチクル１
０のパターン面を第０面として、レチクル１０から射出
された光がウエハ１１に達するまでに通過する面を順次
第ｉ面（ｉ＝１，２，‥‥）として、第ｉ面の曲率半径
ｒi の符号は、展開光路図の中でレチクル１０に対して
凸の場合を正にとる。また、第ｉ面と第（ｉ＋１）面と
の面間隔をｄi とする。また、硝材として、ＳｉＯ2 は
石英ガラスを表す。石英ガラスの使用基準波長（１９３
ｎｍ）に対する屈折率は次のとおりである。 石英ガラス： １．５６１００
に示すように、展開光路図で表す。展開光路図において
は、反射面は透過面として表され、レチクル１０からの
光が通過する順に各光学要素が配列される。また、凹面
反射鏡の反射面（例えばｒ14）では、平面の仮想面（例
えばｒ15）が使用される。そして、レンズの形状及び間
隔を表すために、例えば図２に示すように、レチクル１
０のパターン面を第０面として、レチクル１０から射出
された光がウエハ１１に達するまでに通過する面を順次
第ｉ面（ｉ＝１，２，‥‥）として、第ｉ面の曲率半径
ｒi の符号は、展開光路図の中でレチクル１０に対して
凸の場合を正にとる。また、第ｉ面と第（ｉ＋１）面と
の面間隔をｄi とする。また、硝材として、ＳｉＯ2 は
石英ガラスを表す。石英ガラスの使用基準波長（１９３
ｎｍ）に対する屈折率は次のとおりである。 石英ガラス： １．５６１００
【００３４】［第１実施例］この第１実施例は倍率が１
／４倍で、一括露光方式の投影露光装置（ステッパー
等）に好適な投影光学系である。この第１実施例は、図
１の光学系に対応する実施例でもある。図２は第１実施
例の投影光学系の展開光路図であり、この図２に示すよ
うに、レチクル１０上のパターンからの光が、４枚の屈
折レンズからなる第１収斂群Ｇ1 を経て、立方体状の偏
光ビームスプリッター６Ａのビームスプリッター面（ｒ
10）で反射される。この反射光は、１／４波長板（不図
示）を経て、負メニスカスレンズＬ20及び凹面反射鏡Ｍ
2 よりなる第２収斂群Ｇ2 に至り、第２収斂群Ｇ2 で反
射された光が１／４波長板（不図示）を経て、偏光ビー
ムスプリッター６Ａ内にそのパターンの中間像を結像す
る。
／４倍で、一括露光方式の投影露光装置（ステッパー
等）に好適な投影光学系である。この第１実施例は、図
１の光学系に対応する実施例でもある。図２は第１実施
例の投影光学系の展開光路図であり、この図２に示すよ
うに、レチクル１０上のパターンからの光が、４枚の屈
折レンズからなる第１収斂群Ｇ1 を経て、立方体状の偏
光ビームスプリッター６Ａのビームスプリッター面（ｒ
10）で反射される。この反射光は、１／４波長板（不図
示）を経て、負メニスカスレンズＬ20及び凹面反射鏡Ｍ
2 よりなる第２収斂群Ｇ2 に至り、第２収斂群Ｇ2 で反
射された光が１／４波長板（不図示）を経て、偏光ビー
ムスプリッター６Ａ内にそのパターンの中間像を結像す
る。
【００３５】そして、この中間像からの光、即ち偏光ビ
ームスプリッター６Ａを透過した光束が、屈折レンズ１
４枚からなる第３収斂群Ｇ3 を経て、ウエハ１１の表面
にそのパターンの第２中間像を結像する。この場合、第
３収斂群Ｇ3 内のフーリエ変換面、即ち正メニスカスレ
ンズＬ36と凹レンズＬ37との間に開口絞り４が配置され
ている。
ームスプリッター６Ａを透過した光束が、屈折レンズ１
４枚からなる第３収斂群Ｇ3 を経て、ウエハ１１の表面
にそのパターンの第２中間像を結像する。この場合、第
３収斂群Ｇ3 内のフーリエ変換面、即ち正メニスカスレ
ンズＬ36と凹レンズＬ37との間に開口絞り４が配置され
ている。
【００３６】また、図２に示すように、第１収斂群Ｇ1
はレチクル１０側から順に、レチクル１０に凸面を向け
た正メニスカスレンズＬ11、レチクル１０に凸面を向け
た負メニスカスレンズＬ12、両凸レンズ（以下、単に
「凸レンズ」という）Ｌ13及び両凹レンズ（以下、単に
「凹レンズ」という）Ｌ14より構成され、第２収斂群Ｇ
2 は、レチクル１０に凹面を向けた負メニスカスレンズ
Ｌ20及び凹面反射鏡Ｍ2よりなる。更に、第３収斂群Ｇ
3 は、レチクル１０に凹面を向けた正メニスカスレンズ
Ｌ31、凸レンズＬ32、レチクル１０に凹面を向けた正メ
ニスカスレンズＬ 33、凸レンズＬ34、凸レンズＬ35、レ
チクル１０に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ36、凹
レンズＬ37、凸レンズＬ38、凸レンズＬ39、レチクル１
０に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ3A、凸レンズＬ
3B、レチクル１０に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ
3C、レチクル１０に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ
3D、及びレチクル１０に凸面を向けた負メニスカスレン
ズＬ3Eより構成されている。
はレチクル１０側から順に、レチクル１０に凸面を向け
た正メニスカスレンズＬ11、レチクル１０に凸面を向け
た負メニスカスレンズＬ12、両凸レンズ（以下、単に
「凸レンズ」という）Ｌ13及び両凹レンズ（以下、単に
「凹レンズ」という）Ｌ14より構成され、第２収斂群Ｇ
2 は、レチクル１０に凹面を向けた負メニスカスレンズ
Ｌ20及び凹面反射鏡Ｍ2よりなる。更に、第３収斂群Ｇ
3 は、レチクル１０に凹面を向けた正メニスカスレンズ
Ｌ31、凸レンズＬ32、レチクル１０に凹面を向けた正メ
ニスカスレンズＬ 33、凸レンズＬ34、凸レンズＬ35、レ
チクル１０に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ36、凹
レンズＬ37、凸レンズＬ38、凸レンズＬ39、レチクル１
０に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ3A、凸レンズＬ
3B、レチクル１０に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ
3C、レチクル１０に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ
3D、及びレチクル１０に凸面を向けた負メニスカスレン
ズＬ3Eより構成されている。
【００３７】全系の倍率は１／４倍（縮小）であり、ウ
エハ１１側（像側）の開口数ＮＡは０．４、物体高は３
０ｍｍである。屈折レンズは全て溶融石英よりなる一種
類の光学ガラスを使っているが、紫外線エキシマレーザ
ー光の１９３ｎｍの波長における、１ｎｍの波長幅に対
して、軸上及び倍率の色収差が補正されている。また、
球面収差、コマ収差、非点収差、及び歪曲収差もそれぞ
れ無収差に近い状態まで良好に補正された優れた結像性
能の光学系であり、図２の光学系を２〜３倍に比例拡大
して使用しても、良好な結像性能を保持できる。
エハ１１側（像側）の開口数ＮＡは０．４、物体高は３
０ｍｍである。屈折レンズは全て溶融石英よりなる一種
類の光学ガラスを使っているが、紫外線エキシマレーザ
ー光の１９３ｎｍの波長における、１ｎｍの波長幅に対
して、軸上及び倍率の色収差が補正されている。また、
球面収差、コマ収差、非点収差、及び歪曲収差もそれぞ
れ無収差に近い状態まで良好に補正された優れた結像性
能の光学系であり、図２の光学系を２〜３倍に比例拡大
して使用しても、良好な結像性能を保持できる。
【００３８】図２の第１実施例における曲率半径ｒi 、
面間隔ｄi 及び硝材を次の表１に示す。以下の表におい
て、第１５面は凹面反射鏡を展開光路図で表すための仮
想面である。
面間隔ｄi 及び硝材を次の表１に示す。以下の表におい
て、第１５面は凹面反射鏡を展開光路図で表すための仮
想面である。
【００３９】
【表１】
【００４０】また、図３（ａ）〜（ｃ）は第１実施例の
縦収差図、図３（ｄ）は第１実施例の倍率色収差図、図
３（ｅ）は第１実施例の横収差図を示す。これらの収差
図において、符号Ｊ、Ｐ及びＱは使用波長を基準波長に
対して所定範囲で変えた場合の特性を示す。これら収差
図より、本例においては開口数が０．４と大きいにも拘
らず、広いイメージサークルの領域内で諸収差が良好に
補正されていることが分かる。また、色収差も良好に補
正されている。
縦収差図、図３（ｄ）は第１実施例の倍率色収差図、図
３（ｅ）は第１実施例の横収差図を示す。これらの収差
図において、符号Ｊ、Ｐ及びＱは使用波長を基準波長に
対して所定範囲で変えた場合の特性を示す。これら収差
図より、本例においては開口数が０．４と大きいにも拘
らず、広いイメージサークルの領域内で諸収差が良好に
補正されていることが分かる。また、色収差も良好に補
正されている。
【００４１】［第２実施例］この第２実施例は倍率が１
／４倍の、走査露光方式の投影露光装置に好適な投影光
学系である。この第２実施例は、図１の光学系を変形し
た実施例でもある。図４（ａ）は第２実施例の投影光学
系の展開光路図であり、図４（ｂ）はレチクル１０上の
照明領域を示す。この図４（ｂ）に示すように、レチク
ル１０上の円弧状の照明領域１２が不図示の照明光学系
により照明されている。そして、図４（ａ）において、
レチクル１０上の照明領域１２内のパターンからの光
が、４枚の屈折レンズよりなる第１収斂群Ｇ1 を経て、
立方体状の部分反射ビームスプリッター６Ｂの接合面の
透過部を透過する。この部分反射ビームスプリッター６
Ｂの接合面の周辺部に反射率がほぼ１００％の反射膜６
Ｂａが形成され、この反射膜６Ｂａ以外の部分は透過率
がほぼ１００％の透過面となっている。
／４倍の、走査露光方式の投影露光装置に好適な投影光
学系である。この第２実施例は、図１の光学系を変形し
た実施例でもある。図４（ａ）は第２実施例の投影光学
系の展開光路図であり、図４（ｂ）はレチクル１０上の
照明領域を示す。この図４（ｂ）に示すように、レチク
ル１０上の円弧状の照明領域１２が不図示の照明光学系
により照明されている。そして、図４（ａ）において、
レチクル１０上の照明領域１２内のパターンからの光
が、４枚の屈折レンズよりなる第１収斂群Ｇ1 を経て、
立方体状の部分反射ビームスプリッター６Ｂの接合面の
透過部を透過する。この部分反射ビームスプリッター６
Ｂの接合面の周辺部に反射率がほぼ１００％の反射膜６
Ｂａが形成され、この反射膜６Ｂａ以外の部分は透過率
がほぼ１００％の透過面となっている。
【００４２】この反射光は、負メニスカスレンズＬ20及
び凹面反射鏡Ｍ2 よりなる第２収斂群Ｇ2 に至り、第２
収斂群Ｇ2 で反射された光が部分反射ビームスプリッタ
ー６Ｂ内の反射膜６Ｂａの近傍に照明領域１２内のパタ
ーンの中間像を結像する。そして、この中間像からの光
が、反射膜６Ｂａで反射され、屈折レンズ１４枚からな
る第３収斂群Ｇ3 を経て、ウエハ１１の表面にそのパタ
ーンの第２中間像を結像する。レチクル１０からウエハ
１１への投影倍率をβとして、レチクル１２を上方向に
所定速度ＶR で走査するのと同期して、ウエハ１１を上
方向に速度β・ＶR で走査することにより、走査露光方
式で露光が行われる。
び凹面反射鏡Ｍ2 よりなる第２収斂群Ｇ2 に至り、第２
収斂群Ｇ2 で反射された光が部分反射ビームスプリッタ
ー６Ｂ内の反射膜６Ｂａの近傍に照明領域１２内のパタ
ーンの中間像を結像する。そして、この中間像からの光
が、反射膜６Ｂａで反射され、屈折レンズ１４枚からな
る第３収斂群Ｇ3 を経て、ウエハ１１の表面にそのパタ
ーンの第２中間像を結像する。レチクル１０からウエハ
１１への投影倍率をβとして、レチクル１２を上方向に
所定速度ＶR で走査するのと同期して、ウエハ１１を上
方向に速度β・ＶR で走査することにより、走査露光方
式で露光が行われる。
【００４３】また、図４（ａ）に示すように、第１収斂
群Ｇ1 はレチクル１０側から順に、凸レンズＬ11、凹レ
ンズＬ12、レチクル１０に凹面を向けた正メニスカスレ
ンズＬ13及び凹レンズＬ14より構成され、第２収斂群Ｇ
2 は、レチクル１０に凹面を向けた負メニスカスレンズ
Ｌ20及び凹面反射鏡Ｍ2 よりなる。更に、第３収斂群Ｇ
3 は、レチクル１０に凹面を向けた正メニスカスレンズ
Ｌ31、凸レンズＬ32、レチクル１０に凹面を向けた正メ
ニスカスレンズＬ33、凸レンズＬ34、凸レンズＬ35、レ
チクル１０に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ36、凹
レンズＬ37、レチクル１０に凹面を向けた正メニスカス
レンズＬ38、凸レンズＬ39、レチクル１０に凹面を向け
た負メニスカスレンズＬ3A、凸レンズＬ3B、レチクル１
０に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ3C、レチクル１
０に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ3D、及びレチク
ル１０に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ3Eより構成
されている。
群Ｇ1 はレチクル１０側から順に、凸レンズＬ11、凹レ
ンズＬ12、レチクル１０に凹面を向けた正メニスカスレ
ンズＬ13及び凹レンズＬ14より構成され、第２収斂群Ｇ
2 は、レチクル１０に凹面を向けた負メニスカスレンズ
Ｌ20及び凹面反射鏡Ｍ2 よりなる。更に、第３収斂群Ｇ
3 は、レチクル１０に凹面を向けた正メニスカスレンズ
Ｌ31、凸レンズＬ32、レチクル１０に凹面を向けた正メ
ニスカスレンズＬ33、凸レンズＬ34、凸レンズＬ35、レ
チクル１０に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ36、凹
レンズＬ37、レチクル１０に凹面を向けた正メニスカス
レンズＬ38、凸レンズＬ39、レチクル１０に凹面を向け
た負メニスカスレンズＬ3A、凸レンズＬ3B、レチクル１
０に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ3C、レチクル１
０に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ3D、及びレチク
ル１０に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ3Eより構成
されている。
【００４４】全系の倍率は１／４倍（縮小）であり、ウ
エハ１１側（像側）の開口数ＮＡは０．５、物体高は２
２ｍｍである。なお、一括露光方式で使用することもで
きる。また、屈折レンズは全て溶融石英よりなる一種類
の光学ガラスを使っているが、紫外線エキシマレーザー
光の１９３ｎｍの波長における、１ｎｍの波長幅に対し
て、軸上及び倍率の色収差が補正されている。また、球
面収差、コマ収差、非点収差、及び歪曲収差もそれぞれ
無収差に近い状態まで良好に補正された優れた結像性能
の光学系である。
エハ１１側（像側）の開口数ＮＡは０．５、物体高は２
２ｍｍである。なお、一括露光方式で使用することもで
きる。また、屈折レンズは全て溶融石英よりなる一種類
の光学ガラスを使っているが、紫外線エキシマレーザー
光の１９３ｎｍの波長における、１ｎｍの波長幅に対し
て、軸上及び倍率の色収差が補正されている。また、球
面収差、コマ収差、非点収差、及び歪曲収差もそれぞれ
無収差に近い状態まで良好に補正された優れた結像性能
の光学系である。
【００４５】図４（ａ）の第２実施例における曲率半径
ｒi 、面間隔ｄi 及び硝材を次の表２に示す。以下の表
において、第１４面は凹面反射鏡を展開光路図で表すた
めの仮想面である。
ｒi 、面間隔ｄi 及び硝材を次の表２に示す。以下の表
において、第１４面は凹面反射鏡を展開光路図で表すた
めの仮想面である。
【００４６】
【表２】
【００４７】また、図５（ａ）〜（ｃ）は第２実施例の
縦収差図、図５（ｄ）は第２実施例の倍率色収差図、図
５（ｅ）は第２実施例の横収差図を示す。これら収差図
より、本例においては開口数が０．５と大きいにも拘ら
ず、広いイメージサークルの領域内で諸収差が良好に補
正されていることが分かる。また、色収差も良好に補正
されている。
縦収差図、図５（ｄ）は第２実施例の倍率色収差図、図
５（ｅ）は第２実施例の横収差図を示す。これら収差図
より、本例においては開口数が０．５と大きいにも拘ら
ず、広いイメージサークルの領域内で諸収差が良好に補
正されていることが分かる。また、色収差も良好に補正
されている。
【００４８】［第３実施例］この第３実施例は倍率が１
／４倍の、走査露光方式の投影露光装置に好適な投影光
学系である。この第３実施例は、部分ミラーを用いる光
学系の実施例でもある。図６（ａ）は第３実施例の投影
光学系の展開光路図であり、図６（ｂ）はレチクル１０
上の照明領域を示す。この図６（ｂ）に示すように、レ
チクル１０上の円弧状の照明領域１２が不図示の照明光
学系により照明されている。そして、図６（ａ）におい
て、レチクル１０上の照明領域１２内のパターンからの
光が、４枚の屈折レンズよりなる第１収斂群Ｇ1 を経
て、部分ミラー８の側面を通過する。
／４倍の、走査露光方式の投影露光装置に好適な投影光
学系である。この第３実施例は、部分ミラーを用いる光
学系の実施例でもある。図６（ａ）は第３実施例の投影
光学系の展開光路図であり、図６（ｂ）はレチクル１０
上の照明領域を示す。この図６（ｂ）に示すように、レ
チクル１０上の円弧状の照明領域１２が不図示の照明光
学系により照明されている。そして、図６（ａ）におい
て、レチクル１０上の照明領域１２内のパターンからの
光が、４枚の屈折レンズよりなる第１収斂群Ｇ1 を経
て、部分ミラー８の側面を通過する。
【００４９】この通過光は、負メニスカスレンズＬ20及
び凹面反射鏡Ｍ2 よりなる第２収斂群Ｇ2 に至り、第２
収斂群Ｇ2 で反射された光が部分ミラー８の近傍に照明
領域１２内のパターンの中間像を結像する。そして、こ
の中間像からの光が、部分ミラー８で反射された後、屈
折レンズ１４枚からなる第３収斂群Ｇ3 を経て、ウエハ
１１の表面にそのパターンの第２中間像を結像する。ま
た、第３収斂群Ｇ3 内のフーリエ変換面、即ち凸レンズ
Ｌ34と凸レンズＬ35との間に開口絞り４が配置されてい
る。この場合、レチクル１０からウエハ１１への投影倍
率をβとして、レチクル１２を上方向に所定速度ＶR で
走査するのと同期して、ウエハ１１を上方向に速度β・
ＶR で走査することにより、走査露光方式で露光が行わ
れる。
び凹面反射鏡Ｍ2 よりなる第２収斂群Ｇ2 に至り、第２
収斂群Ｇ2 で反射された光が部分ミラー８の近傍に照明
領域１２内のパターンの中間像を結像する。そして、こ
の中間像からの光が、部分ミラー８で反射された後、屈
折レンズ１４枚からなる第３収斂群Ｇ3 を経て、ウエハ
１１の表面にそのパターンの第２中間像を結像する。ま
た、第３収斂群Ｇ3 内のフーリエ変換面、即ち凸レンズ
Ｌ34と凸レンズＬ35との間に開口絞り４が配置されてい
る。この場合、レチクル１０からウエハ１１への投影倍
率をβとして、レチクル１２を上方向に所定速度ＶR で
走査するのと同期して、ウエハ１１を上方向に速度β・
ＶR で走査することにより、走査露光方式で露光が行わ
れる。
【００５０】また、図６（ａ）に示すように、第１収斂
群Ｇ1 はレチクル１０側から順に、レチクル１０に凸面
を向けた正メニスカスレンズＬ11、レチクル１０に凸面
を向けた負メニスカスレンズＬ12、凸レンズＬ13及び凹
レンズＬ14より構成され、第２収斂群Ｇ2 は、レチクル
１０に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ20及び凹面反
射鏡Ｍ2 よりなる。更に、第３収斂群Ｇ3 は、レチクル
１０に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ31、レチクル
１０に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ32、レチクル
１０に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ33、凸レンズ
Ｌ34、凸レンズＬ35、レチクル１０に凸面を向けた正メ
ニスカスレンズＬ36、凹レンズＬ37、レチクル１０に凹
面を向けた正メニスカスレンズＬ38、凸レンズＬ39、レ
チクル１０に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ3A、凸
レンズＬ3B、レチクル１０に凸面を向けた負メニスカス
レンズＬ3C、レチクル１０に凸面を向けた正メニスカス
レンズＬ3D、及びレチクル１０に凸面を向けた負メニス
カスレンズＬ3Eより構成されている。
群Ｇ1 はレチクル１０側から順に、レチクル１０に凸面
を向けた正メニスカスレンズＬ11、レチクル１０に凸面
を向けた負メニスカスレンズＬ12、凸レンズＬ13及び凹
レンズＬ14より構成され、第２収斂群Ｇ2 は、レチクル
１０に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ20及び凹面反
射鏡Ｍ2 よりなる。更に、第３収斂群Ｇ3 は、レチクル
１０に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ31、レチクル
１０に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ32、レチクル
１０に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ33、凸レンズ
Ｌ34、凸レンズＬ35、レチクル１０に凸面を向けた正メ
ニスカスレンズＬ36、凹レンズＬ37、レチクル１０に凹
面を向けた正メニスカスレンズＬ38、凸レンズＬ39、レ
チクル１０に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ3A、凸
レンズＬ3B、レチクル１０に凸面を向けた負メニスカス
レンズＬ3C、レチクル１０に凸面を向けた正メニスカス
レンズＬ3D、及びレチクル１０に凸面を向けた負メニス
カスレンズＬ3Eより構成されている。
【００５１】全系の倍率は１／４倍（縮小）であり、ウ
エハ１１側（像側）の開口数ＮＡは０．４、物体高は２
６ｍｍである。なお、一括露光方式で使用することもで
きる。また、屈折レンズは全て溶融石英よりなる一種類
の光学ガラスを使っているが、紫外線エキシマレーザー
光の１９３ｎｍの波長における、１ｎｍの波長幅に対し
て、軸上及び倍率の色収差が補正されている。また、球
面収差、コマ収差、非点収差、及び歪曲収差もそれぞれ
無収差に近い状態まで良好に補正された優れた結像性能
の光学系であり、光学系を２〜３倍に比例拡大して使用
しても、良好な結像性能が保持できる。
エハ１１側（像側）の開口数ＮＡは０．４、物体高は２
６ｍｍである。なお、一括露光方式で使用することもで
きる。また、屈折レンズは全て溶融石英よりなる一種類
の光学ガラスを使っているが、紫外線エキシマレーザー
光の１９３ｎｍの波長における、１ｎｍの波長幅に対し
て、軸上及び倍率の色収差が補正されている。また、球
面収差、コマ収差、非点収差、及び歪曲収差もそれぞれ
無収差に近い状態まで良好に補正された優れた結像性能
の光学系であり、光学系を２〜３倍に比例拡大して使用
しても、良好な結像性能が保持できる。
【００５２】図６（ａ）の第３実施例における曲率半径
ｒi 、面間隔ｄi 及び硝材を次の表３に示す。以下の表
において、第１４面は凹面反射鏡を展開光路図で表すた
めの仮想面である。
ｒi 、面間隔ｄi 及び硝材を次の表３に示す。以下の表
において、第１４面は凹面反射鏡を展開光路図で表すた
めの仮想面である。
【００５３】
【表３】
【００５４】また、図７（ａ）〜（ｃ）は第３実施例の
縦収差図、図７（ｄ）は第３実施例の倍率色収差図、図
７（ｅ）は第３実施例の横収差図を示す。これら収差図
より、本例においては開口数が０．４と大きいにも拘ら
ず、広いイメージサークルの領域内で諸収差が良好に補
正されていることが分かる。また、色収差も良好に補正
されている。
縦収差図、図７（ｄ）は第３実施例の倍率色収差図、図
７（ｅ）は第３実施例の横収差図を示す。これら収差図
より、本例においては開口数が０．４と大きいにも拘ら
ず、広いイメージサークルの領域内で諸収差が良好に補
正されていることが分かる。また、色収差も良好に補正
されている。
【００５５】［第４実施例］この第４実施例は倍率が１
／４倍で、一括露光方式の投影露光装置（ステッパー
等）に好適な投影光学系である。この第４実施例は、図
１の光学系を変形させた実施例でもある。図８は第４実
施例の投影光学系の展開光路図であり、この図８に示す
ように、レチクル１０上のパターンからの光が、４枚の
屈折レンズからなる第１収斂群Ｇ1 を経て、直方体状の
偏光ビームスプリッター６Ｃのビームスプリッター面６
Ｃａに入射する。本実施例の偏光ビームスプリッター６
Ｃは、直方体状であり、照明光の入射面（ｒ9 ）は、ビ
ームスプリッター面６Ｃａの射影像よりも領域１３だけ
広くなっている。これにより、この図８の偏光ビームス
プリッター６Ｃは図２の偏光ビームスプリッター６Ａよ
りも薄くできる。
／４倍で、一括露光方式の投影露光装置（ステッパー
等）に好適な投影光学系である。この第４実施例は、図
１の光学系を変形させた実施例でもある。図８は第４実
施例の投影光学系の展開光路図であり、この図８に示す
ように、レチクル１０上のパターンからの光が、４枚の
屈折レンズからなる第１収斂群Ｇ1 を経て、直方体状の
偏光ビームスプリッター６Ｃのビームスプリッター面６
Ｃａに入射する。本実施例の偏光ビームスプリッター６
Ｃは、直方体状であり、照明光の入射面（ｒ9 ）は、ビ
ームスプリッター面６Ｃａの射影像よりも領域１３だけ
広くなっている。これにより、この図８の偏光ビームス
プリッター６Ｃは図２の偏光ビームスプリッター６Ａよ
りも薄くできる。
【００５６】そのビームスプリッター面６Ｃａを透過し
た光束は、１／４波長板（不図示）を経て、負メニスカ
スレンズＬ20及び凹面反射鏡Ｍ2 よりなる第２収斂群Ｇ
2 に至り、第２収斂群Ｇ2 で反射された光が１／４波長
板（不図示）を経て、偏光ビームスプリッター６Ａ内の
ビームスプリッター面６Ｃａで反射された後、その偏光
ビームスプリッター６Ａに近接した位置にそのパターン
の中間像を結像する。
た光束は、１／４波長板（不図示）を経て、負メニスカ
スレンズＬ20及び凹面反射鏡Ｍ2 よりなる第２収斂群Ｇ
2 に至り、第２収斂群Ｇ2 で反射された光が１／４波長
板（不図示）を経て、偏光ビームスプリッター６Ａ内の
ビームスプリッター面６Ｃａで反射された後、その偏光
ビームスプリッター６Ａに近接した位置にそのパターン
の中間像を結像する。
【００５７】そして、この中間像からの光束が、屈折レ
ンズ１４枚からなる第３収斂群Ｇ3を経て、ウエハ１１
の表面にそのパターンの第２中間像を結像する。この場
合、第３収斂群Ｇ3 内のフーリエ変換面、即ち正メニス
カスレンズＬ38と凸レンズＬ 39との間に開口絞り４が配
置されている。また、図８に示すように、第１収斂群Ｇ
1 はレチクル１０側から順に、レチクル１０に凸面を向
けた正メニスカスレンズＬ11、凹レンズＬ12、凸レンズ
Ｌ13及び凹レンズＬ14より構成され、第２収斂群Ｇ
2 は、レチクル１０に凹面を向けた負メニスカスレンズ
Ｌ20及び凹面反射鏡Ｍ2 よりなる。更に、第３収斂群Ｇ
3 は、レチクル１０に凹面を向けた正メニスカスレンズ
Ｌ31、凸レンズＬ32、レチクル１０に凹面を向けた負メ
ニスカスレンズＬ33、凸レンズＬ34、凸レンズＬ35、レ
チクル１０に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ36、凹
レンズＬ37、レチクル１０に凹面を向けた正メニスカス
レンズＬ38、凸レンズＬ39、レチクル１０に凹面を向け
た負メニスカスレンズＬ3A、凸レンズＬ3B、レチクル１
０に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ3C、レチクル１
０に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ 3D、及びレチク
ル１０に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ3Eより構成
されている。
ンズ１４枚からなる第３収斂群Ｇ3を経て、ウエハ１１
の表面にそのパターンの第２中間像を結像する。この場
合、第３収斂群Ｇ3 内のフーリエ変換面、即ち正メニス
カスレンズＬ38と凸レンズＬ 39との間に開口絞り４が配
置されている。また、図８に示すように、第１収斂群Ｇ
1 はレチクル１０側から順に、レチクル１０に凸面を向
けた正メニスカスレンズＬ11、凹レンズＬ12、凸レンズ
Ｌ13及び凹レンズＬ14より構成され、第２収斂群Ｇ
2 は、レチクル１０に凹面を向けた負メニスカスレンズ
Ｌ20及び凹面反射鏡Ｍ2 よりなる。更に、第３収斂群Ｇ
3 は、レチクル１０に凹面を向けた正メニスカスレンズ
Ｌ31、凸レンズＬ32、レチクル１０に凹面を向けた負メ
ニスカスレンズＬ33、凸レンズＬ34、凸レンズＬ35、レ
チクル１０に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ36、凹
レンズＬ37、レチクル１０に凹面を向けた正メニスカス
レンズＬ38、凸レンズＬ39、レチクル１０に凹面を向け
た負メニスカスレンズＬ3A、凸レンズＬ3B、レチクル１
０に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ3C、レチクル１
０に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ 3D、及びレチク
ル１０に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ3Eより構成
されている。
【００５８】全系の倍率は１／４倍（縮小）であり、ウ
エハ１１側（像側）の開口数ＮＡは０．６、物体高は２
０ｍｍである。屈折レンズは全て溶融石英よりなる一種
類の光学ガラスを使っているが、紫外線エキシマレーザ
ー光の１９３ｎｍの波長における、１ｎｍの波長幅に対
して、軸上及び倍率の色収差が補正されている。また、
球面収差、コマ収差、非点収差、及び歪曲収差もそれぞ
れ無収差に近い状態まで良好に補正された優れた結像性
能の光学系であり、図８の光学系を２〜３倍に比例拡大
して使用しても、良好な結像性能を保持できる。
エハ１１側（像側）の開口数ＮＡは０．６、物体高は２
０ｍｍである。屈折レンズは全て溶融石英よりなる一種
類の光学ガラスを使っているが、紫外線エキシマレーザ
ー光の１９３ｎｍの波長における、１ｎｍの波長幅に対
して、軸上及び倍率の色収差が補正されている。また、
球面収差、コマ収差、非点収差、及び歪曲収差もそれぞ
れ無収差に近い状態まで良好に補正された優れた結像性
能の光学系であり、図８の光学系を２〜３倍に比例拡大
して使用しても、良好な結像性能を保持できる。
【００５９】図８の第４実施例における曲率半径ｒi 、
面間隔ｄi 及び硝材を次の表４に示す。以下の表におい
て、第１４面は凹面反射鏡を展開光路図で表すための仮
想面である。
面間隔ｄi 及び硝材を次の表４に示す。以下の表におい
て、第１４面は凹面反射鏡を展開光路図で表すための仮
想面である。
【００６０】
【表４】
【００６１】また、図９（ａ）〜（ｃ）は第４実施例の
縦収差図、図９（ｄ）は第４実施例の倍率色収差図、図
９（ｅ）は第４実施例の横収差図を示す。これら収差図
より、本例においては開口数が０．６と大きいにも拘ら
ず、広いイメージサークルの領域内で諸収差が良好に補
正されていることが分かる。また、色収差も良好に補正
されている。
縦収差図、図９（ｄ）は第４実施例の倍率色収差図、図
９（ｅ）は第４実施例の横収差図を示す。これら収差図
より、本例においては開口数が０．６と大きいにも拘ら
ず、広いイメージサークルの領域内で諸収差が良好に補
正されていることが分かる。また、色収差も良好に補正
されている。
【００６２】次に、本発明では条件式（１）〜（６）を
満足することが望ましいとされているが、以下に、上述
の各実施例とそれらの条件式との対応につき説明する。
先ず、上述の各実施例における凹面反射鏡Ｍ2 の曲率半
径ｒ、第ｉ収斂群Ｇi(ｉ＝１〜３）の焦点距離ｆi 、ペ
ッツバール和ｐi 、見かけの屈折率ｎi 、結像倍率
β i 、第１収斂群Ｇ1 と第２収斂群Ｇ2 との合成系の倍
率β12、第３収斂群Ｇ3 の結像倍率β3 、全系のペッツ
バール和ｐ、及び全系の倍率βは表５〜表８のようにな
っている。但し、全系をＧT で表し、全系ＧT に対応す
るペッツバール和ｐ i 及び結像倍率βi の欄にはそれぞ
れ全系のペッツバール和及び結像倍率を示している。
満足することが望ましいとされているが、以下に、上述
の各実施例とそれらの条件式との対応につき説明する。
先ず、上述の各実施例における凹面反射鏡Ｍ2 の曲率半
径ｒ、第ｉ収斂群Ｇi(ｉ＝１〜３）の焦点距離ｆi 、ペ
ッツバール和ｐi 、見かけの屈折率ｎi 、結像倍率
β i 、第１収斂群Ｇ1 と第２収斂群Ｇ2 との合成系の倍
率β12、第３収斂群Ｇ3 の結像倍率β3 、全系のペッツ
バール和ｐ、及び全系の倍率βは表５〜表８のようにな
っている。但し、全系をＧT で表し、全系ＧT に対応す
るペッツバール和ｐ i 及び結像倍率βi の欄にはそれぞ
れ全系のペッツバール和及び結像倍率を示している。
【００６３】
【表５】
【００６４】
【表６】
【００６５】
【表７】
【００６６】
【表８】
【００６７】更に、表５〜表８に基づいて、各実施例に
おいて、（ｐ1 ＋ｐ3 ）、ｐ2 、｜ｐ1 ＋ｐ2 ＋ｐ
3 ｜、｜β12｜、｜β3 ｜、及び｜β｜の値を求めると
次の表９のようになる。
おいて、（ｐ1 ＋ｐ3 ）、ｐ2 、｜ｐ1 ＋ｐ2 ＋ｐ
3 ｜、｜β12｜、｜β3 ｜、及び｜β｜の値を求めると
次の表９のようになる。
【００６８】
【表９】
【００６９】この表より、上述の各実施例では何れも条
件式（１）〜（６）の条件が満足されていることが分か
る。なお、上述の各実施例においては、屈折光学系を構
成する硝材として石英が使用されているが、蛍石等の光
学ガラスを使用してもよい。このように、本発明は上述
実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
種々の構成を取り得る。
件式（１）〜（６）の条件が満足されていることが分か
る。なお、上述の各実施例においては、屈折光学系を構
成する硝材として石英が使用されているが、蛍石等の光
学ガラスを使用してもよい。このように、本発明は上述
実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
種々の構成を取り得る。
【００７０】
【発明の効果】本発明の第１の反射屈折投影光学系によ
れば、凹面反射鏡と第２面（像面）との間で一度結像を
行っているため、小型のプリズム型ビームスプリッター
を使用できると共に、凹面反射鏡から像面までの光路を
長く取れる利点がある。従って、ビームスプリッターの
半透過面における特性の不均一性に起因する結像特性の
悪化を小さくできると共に、作動距離を長くできる。
れば、凹面反射鏡と第２面（像面）との間で一度結像を
行っているため、小型のプリズム型ビームスプリッター
を使用できると共に、凹面反射鏡から像面までの光路を
長く取れる利点がある。従って、ビームスプリッターの
半透過面における特性の不均一性に起因する結像特性の
悪化を小さくできると共に、作動距離を長くできる。
【００７１】また、軸外光束を用いて輪帯部のみを投影
するリング視野光学系とは異なり、高い開口数で一括露
光方式を取ることができる利点がある。また、第２結像
光学系中に開口絞りを置くことができるので、コヒーレ
ンスファクタであるσ値を自由に制御できる利点があ
る。また、従来の反射屈折光学系においては、光軸が偏
心するために調整作業が困難で、なかなか設計通りの結
像性能を実現することができなかった。しかしながら、
本発明による反射屈折投影光学系では、第１結像光学系
と第２結像光学系とがそれぞれ独立に調整でき、その後
で２つの結像光学系を光軸をほぼ垂直にして配置すれば
よいため、偏心等の調整がし易くなっている。
するリング視野光学系とは異なり、高い開口数で一括露
光方式を取ることができる利点がある。また、第２結像
光学系中に開口絞りを置くことができるので、コヒーレ
ンスファクタであるσ値を自由に制御できる利点があ
る。また、従来の反射屈折光学系においては、光軸が偏
心するために調整作業が困難で、なかなか設計通りの結
像性能を実現することができなかった。しかしながら、
本発明による反射屈折投影光学系では、第１結像光学系
と第２結像光学系とがそれぞれ独立に調整でき、その後
で２つの結像光学系を光軸をほぼ垂直にして配置すれば
よいため、偏心等の調整がし易くなっている。
【００７２】また第１結像光学系による結像倍率を自由
に選ぶことができるので、優れた光学性能状態を実現で
きる。この場合、プリズム型ビームスプリッターの内部
に中間像を形成することにより、そのビームスプリッタ
ーをより小型化できる利点がある。次に、本願の請求項
１に係る発明（本発明の第２の反射屈折投影光学系）に
よれば、凹面反射鏡と第２面（像面）との間で一度結像
を行っているため、小型の部分ミラーを使用できると共
に、凹面反射鏡から像面までの光路を長く取れる利点が
ある。更に、部分ミラーを使用した場合には、良好な結
像範囲が例えば光軸から偏心した円弧状又はスリット状
となるが、このような結像範囲は走査露光方式の投影露
光装置に好適である。
に選ぶことができるので、優れた光学性能状態を実現で
きる。この場合、プリズム型ビームスプリッターの内部
に中間像を形成することにより、そのビームスプリッタ
ーをより小型化できる利点がある。次に、本願の請求項
１に係る発明（本発明の第２の反射屈折投影光学系）に
よれば、凹面反射鏡と第２面（像面）との間で一度結像
を行っているため、小型の部分ミラーを使用できると共
に、凹面反射鏡から像面までの光路を長く取れる利点が
ある。更に、部分ミラーを使用した場合には、良好な結
像範囲が例えば光軸から偏心した円弧状又はスリット状
となるが、このような結像範囲は走査露光方式の投影露
光装置に好適である。
【００７３】次に、条件式（１）〜（３）を満足するよ
うにした場合には、容易に光学系全体のペッツバール和
がほぼ０となり、投影像面がほぼ平坦になる。更に、条
件式（４）及び（５）を満足することにより、倍率配分
に無理がなくなり、容易に光学系を構成できるようにな
る。
うにした場合には、容易に光学系全体のペッツバール和
がほぼ０となり、投影像面がほぼ平坦になる。更に、条
件式（４）及び（５）を満足することにより、倍率配分
に無理がなくなり、容易に光学系を構成できるようにな
る。
【図１】本発明による反射屈折投影光学系の基本構成を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図２】本発明の第１実施例の投影露光装置の展開光路
図である。
図である。
【図３】第１実施例の収差図である。
【図４】第２実施例の投影光学系の展開光路図である。
【図５】第２実施例の収差図である。
【図６】第３実施例の投影光学系の展開光路図である。
【図７】第３実施例の収差図である。
【図８】第４実施例の投影光学系の展開光路図である。
【図９】第４実施例の収差図である。
【図１０】従来の反射屈折投影光学系の構成を示す概略
図である。
図である。
１ 物体面
２ 像面
３ １／４波長板
４ 開口絞り
１０ レチクル
１１ ウエハ
Ｇ1 第１収斂群
Ｇ2 第２収斂群
Ｇ3 第３収斂群
Ｍ2 凹面反射鏡
６，６Ａ，６Ｃ 偏光ビームスプリッター
６Ｂ 部分反射ビームスプリッター
８ 部分ミラー
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02B 17/08
Claims (8)
- 【請求項１】 第１面のパターンの像を第２面上に投影
する光学系において、 前記第１面のパターンの中間像を形成する第１結像光学
系と、 前記中間像の像を前記第２面上に形成する第２結像光学
系と、を有し、 前記第１結像光学系は、 屈折レンズ成分を含み前記第１面のパターンからの光束
を収斂する正屈折力の第１群と； 凹面反射鏡を含み前記第１群からの光束を収斂する第２
群と；前記第１群と前記第２群との間の光路中に 前記第１群の
光軸に対して斜めに配置された反射面を備える部分ミラ
ーと；を備え、 前記第２群は、 前記部分ミラーの前記反射面の付近に前
記パターンの中間像を形成し、 前記第２群により収斂された光束は、前記第２結像光学
系へ導かれることを特徴とする反射屈折投影光学系。 - 【請求項２】 前記第１群、第２群、及び第２結像光学
系の個別のペッツバール和をそれぞれｐ1 、ｐ2 及びｐ
3 としたとき、 ｐ1 ＋ｐ3 ＞０、ｐ2 ＜０、及び｜ｐ1 ＋ｐ2 十ｐ3 ｜＜０．１ の条件を満足すると共に、前記第１面上のパターンから
前記中間像への倍率をβ12とし、前記中間像から前記第
２面上の像への倍率をβ3 としたとき、 ０．１＜｜β12｜＜０．５、及び０．２５＜｜β3 ｜＜２ の条件を満足することを特徴とする請求項１記載の反射
屈折投影光学系。 - 【請求項３】 前記第２結像光学系は、コヒーレンスフ
ァクタを調節するための開口絞りを有していることを特
徴とする請求項１又は２記載の反射屈折投影光学系。 - 【請求項４】 前記第１結像光学系と前記第２結像光学
系とは独立の構造であることを特徴とする請求項１、
２、又は３記載の反射屈折投影光学系。 - 【請求項５】 前記反射屈折投影光学系は少なくとも像
面側でテレセントリックであることを特徴とする請求項
１〜４の何れか一項記載の反射屈折投影光学系。 - 【請求項６】 前記反射屈折投影光学系の結像範囲はス
リット状又は円弧状であることを特徴とする請求項１〜
５の何れか一項記載の反射屈折投影光学系。 - 【請求項７】 レチクルとウエハとを走査しつつ、前記
レチクルのパターンの像を前記ウエハ上に投影する走査
型投影露光装置において、 請求項１〜６の何れか一項記載の反射屈折投影光学系を
備え、 前記レチクルから前記ウエハヘの投影倍率をβとし、前
記レチクルの走査速度をＶR とするとき、前記ウエハを
速度β・ＶR で走査することを特徴とする走査型投影露
光装置。 - 【請求項８】 レチクルとウエハとを走査しつつ、前記
レチクルのパターンの像を前記ウエハ上に投影する走査
投影露光方法において、 請求項１〜６の何れか一項記載の反射屈折投影光学系を
用いて前記パターンの像を前記ウエハ上に投影し、 前記レチクルから前記ウエハヘの投影倍率をβとし、前
記レチクルの走査速度をＶR とするとき、前記ウエハを
速度β・ＶR で走査することを特徴とする走査投影露光
方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09083794A JP3395801B2 (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 |
| US08/429,970 US5808805A (en) | 1994-04-28 | 1995-04-27 | Exposure apparatus having catadioptric projection optical system |
| US08/987,852 US5999333A (en) | 1994-04-28 | 1997-12-09 | Exposure apparatus having catadioptric projection optical system |
| US09/665,184 USRE39024E1 (en) | 1994-04-28 | 2000-09-15 | Exposure apparatus having catadioptric projection optical system |
| US09/764,157 USRE38421E1 (en) | 1994-04-28 | 2001-01-19 | Exposure apparatus having catadioptric projection optical system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09083794A JP3395801B2 (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002350511A Division JP2003241099A (ja) | 2002-12-02 | 2002-12-02 | 反射屈折投影光学系、並びに投影露光方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07294819A JPH07294819A (ja) | 1995-11-10 |
| JP3395801B2 true JP3395801B2 (ja) | 2003-04-14 |
Family
ID=14009705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09083794A Expired - Lifetime JP3395801B2 (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US5808805A (ja) |
| JP (1) | JP3395801B2 (ja) |
Families Citing this family (84)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09311278A (ja) | 1996-05-20 | 1997-12-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
| JP3395801B2 (ja) | 1994-04-28 | 2003-04-14 | 株式会社ニコン | 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 |
| USRE38438E1 (en) | 1994-08-23 | 2004-02-24 | Nikon Corporation | Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same |
| JPH08179204A (ja) | 1994-11-10 | 1996-07-12 | Nikon Corp | 投影光学系及び投影露光装置 |
| JP3454390B2 (ja) | 1995-01-06 | 2003-10-06 | 株式会社ニコン | 投影光学系、投影露光装置及び投影露光方法 |
| US6512631B2 (en) * | 1996-07-22 | 2003-01-28 | Kla-Tencor Corporation | Broad-band deep ultraviolet/vacuum ultraviolet catadioptric imaging system |
| US6157498A (en) | 1996-06-19 | 2000-12-05 | Nikon Corporation | Dual-imaging optical system |
| JP3812051B2 (ja) * | 1997-04-30 | 2006-08-23 | 株式会社ニコン | 反射屈折投影光学系 |
| JP3784136B2 (ja) * | 1997-06-02 | 2006-06-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | 投影露光装置および投影露光方法 |
| JPH11249018A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Canon Inc | 光学素子及びそれを用いた光学系 |
| EP1079253A4 (en) | 1998-04-07 | 2004-09-01 | Nikon Corp | DEVICE AND PROCESS FOR PROJECTION EXPOSURE, AND OPTICAL SYSTEM WITH REFLECTION AND REFRACTION |
| EP1293831A1 (en) | 1998-06-08 | 2003-03-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
| DE69933973T2 (de) * | 1998-07-29 | 2007-06-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Katadioptrisches optisches system und damit ausgestattete belichtungsvorrichtung |
| US6324016B1 (en) * | 1998-11-18 | 2001-11-27 | Spencer D. Luster | Telecentric lens |
| US6457832B1 (en) * | 1999-02-19 | 2002-10-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination apparatus and projection apparatus compensating for transverse aberration at an illumination surface |
| EP1102100A3 (de) | 1999-11-12 | 2003-12-10 | Carl Zeiss | Katadioptrisches Objektiv mit physikalischem Strahlteiler |
| US6995930B2 (en) * | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
| US7414785B2 (en) * | 2000-02-24 | 2008-08-19 | Asml Holding N.V. | Ultraviolet polarization beam splitter with minimum apodization |
| US6480330B1 (en) | 2000-02-24 | 2002-11-12 | Silicon Valley Group, Inc. | Ultraviolet polarization beam splitter for microlithography |
| US7136234B2 (en) * | 2000-09-12 | 2006-11-14 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Broad band DUV, VUV long-working distance catadioptric imaging system |
| US6842298B1 (en) | 2000-09-12 | 2005-01-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Broad band DUV, VUV long-working distance catadioptric imaging system |
| US7136159B2 (en) * | 2000-09-12 | 2006-11-14 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Excimer laser inspection system |
| DE10104177A1 (de) | 2001-01-24 | 2002-08-01 | Zeiss Carl | Katadioptrisches Reduktionsobjektiv |
| DE10117481A1 (de) | 2001-04-07 | 2002-10-10 | Zeiss Carl | Katadioptrisches Projektionsobjektiv |
| DE10127227A1 (de) * | 2001-05-22 | 2002-12-05 | Zeiss Carl | Katadioptrisches Reduktionsobjektiv |
| US7136220B2 (en) * | 2001-08-21 | 2006-11-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric reduction lens |
| TW575904B (en) * | 2001-08-21 | 2004-02-11 | Asml Us Inc | Optical projection for microlithography |
| US20040075894A1 (en) * | 2001-12-10 | 2004-04-22 | Shafer David R. | Catadioptric reduction objective |
| US7046459B1 (en) | 2001-12-18 | 2006-05-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric reductions lens |
| JP4292497B2 (ja) * | 2002-04-17 | 2009-07-08 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置および露光方法 |
| WO2004010164A2 (en) * | 2002-07-18 | 2004-01-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
| US6731374B1 (en) * | 2002-12-02 | 2004-05-04 | Asml Holding N.V. | Beam-splitter optics design that maintains an unflipped (unmirrored) image for a catadioptric lithographic system |
| US7639419B2 (en) * | 2003-02-21 | 2009-12-29 | Kla-Tencor Technologies, Inc. | Inspection system using small catadioptric objective |
| US7180658B2 (en) * | 2003-02-21 | 2007-02-20 | Kla-Tencor Technologies Corporation | High performance catadioptric imaging system |
| US7869121B2 (en) | 2003-02-21 | 2011-01-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Small ultra-high NA catadioptric objective using aspheric surfaces |
| US7646533B2 (en) * | 2003-02-21 | 2010-01-12 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Small ultra-high NA catadioptric objective |
| US7884998B2 (en) | 2003-02-21 | 2011-02-08 | Kla - Tencor Corporation | Catadioptric microscope objective employing immersion liquid for use in broad band microscopy |
| US7672043B2 (en) * | 2003-02-21 | 2010-03-02 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Catadioptric imaging system exhibiting enhanced deep ultraviolet spectral bandwidth |
| DE10316428A1 (de) * | 2003-04-08 | 2004-10-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Katadioptrisches Reduktionsobjektiv |
| KR101861493B1 (ko) | 2003-04-11 | 2018-05-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
| JP4437474B2 (ja) | 2003-06-19 | 2010-03-24 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7085075B2 (en) * | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
| US8208198B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
| US20050185269A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
| US20080151364A1 (en) | 2004-01-14 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
| US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| KR101213831B1 (ko) | 2004-05-17 | 2012-12-24 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
| KR101248328B1 (ko) * | 2004-06-04 | 2013-04-01 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 강도 변동이 보상된 투사 시스템 및 이를 위한 보상 요소 |
| US20060026431A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-02 | Hitachi Global Storage Technologies B.V. | Cryptographic letterheads |
| TWI262717B (en) * | 2005-05-24 | 2006-09-21 | Benq Corp | Optical system and imaging method for projector |
| EP1837695A1 (en) * | 2006-03-22 | 2007-09-26 | Carl Zeiss SMT AG | Catadioptric imaging system with beam splitter |
| US8665536B2 (en) | 2007-06-19 | 2014-03-04 | Kla-Tencor Corporation | External beam delivery system for laser dark-field illumination in a catadioptric optical system |
| DE102007043896A1 (de) | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrooptik zur Messung der Position eines Luftbildes |
| TWI475124B (zh) | 2009-05-22 | 2015-03-01 | Samsung Display Co Ltd | 薄膜沉積設備 |
| JP5620146B2 (ja) | 2009-05-22 | 2014-11-05 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 薄膜蒸着装置 |
| KR101117719B1 (ko) * | 2009-06-24 | 2012-03-08 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
| KR20110014442A (ko) * | 2009-08-05 | 2011-02-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
| JP5328726B2 (ja) * | 2009-08-25 | 2013-10-30 | 三星ディスプレイ株式會社 | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法 |
| JP5677785B2 (ja) | 2009-08-27 | 2015-02-25 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 |
| US8876975B2 (en) | 2009-10-19 | 2014-11-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| KR101084184B1 (ko) * | 2010-01-11 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
| KR101174875B1 (ko) | 2010-01-14 | 2012-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
| KR101193186B1 (ko) | 2010-02-01 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
| KR101156441B1 (ko) | 2010-03-11 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
| KR101202348B1 (ko) | 2010-04-06 | 2012-11-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| US8894458B2 (en) | 2010-04-28 | 2014-11-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| KR101223723B1 (ko) | 2010-07-07 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
| KR101723506B1 (ko) | 2010-10-22 | 2017-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
| KR101738531B1 (ko) | 2010-10-22 | 2017-05-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
| KR20120045865A (ko) | 2010-11-01 | 2012-05-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기층 증착 장치 |
| KR20120065789A (ko) | 2010-12-13 | 2012-06-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기층 증착 장치 |
| KR101760897B1 (ko) | 2011-01-12 | 2017-07-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치 |
| KR101840654B1 (ko) | 2011-05-25 | 2018-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
| KR101852517B1 (ko) | 2011-05-25 | 2018-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
| KR101857249B1 (ko) | 2011-05-27 | 2018-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
| KR20130004830A (ko) | 2011-07-04 | 2013-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR101826068B1 (ko) | 2011-07-04 | 2018-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 |
| KR102015872B1 (ko) | 2012-06-22 | 2019-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
| KR101411428B1 (ko) * | 2012-07-12 | 2014-06-24 | 한국과학기술원 | 집광식 휴대용 형광 검출 시스템 |
| JP6069941B2 (ja) * | 2012-08-08 | 2017-02-01 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP5924542B2 (ja) * | 2013-02-15 | 2016-05-25 | 輝 矢部 | 撮像光学系 |
| KR102081284B1 (ko) | 2013-04-18 | 2020-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치 |
| KR102386492B1 (ko) * | 2017-03-21 | 2022-04-15 | 삼성전자주식회사 | 렌즈 어셈블리 및 그를 포함하는 광학 장치 |
| KR102721980B1 (ko) | 2022-02-24 | 2024-10-25 | 삼성전자주식회사 | 기판 정렬 장치 및 이를 이용한 기판 정렬 방법 |
Family Cites Families (69)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3504961A (en) | 1968-04-01 | 1970-04-07 | Perkin Elmer Corp | Modified double gauss objective |
| US3897138A (en) | 1971-11-24 | 1975-07-29 | Canon Kk | Projection lens for mask pattern printing |
| US3737215A (en) | 1972-04-06 | 1973-06-05 | Eastman Kodak Co | Six element unit magnification lens |
| JPS5336326B2 (ja) | 1972-12-26 | 1978-10-02 | ||
| JPS5416410B2 (ja) | 1974-03-07 | 1979-06-22 | ||
| JPS5820402B2 (ja) | 1975-10-14 | 1983-04-22 | オリンパス光学工業株式会社 | チヨウコウカイゾウリヨクシユクシヨウレンズ |
| JPS56165111A (en) | 1980-05-26 | 1981-12-18 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Telecentric illuminating system |
| JPS584112A (ja) | 1981-06-30 | 1983-01-11 | Olympus Optical Co Ltd | 画角の広い標準レンズ |
| JPS5878115A (ja) | 1981-11-04 | 1983-05-11 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | テレセントリツク照明用補助コンデンサ−レンズ |
| JPS58147708A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-02 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 照明用光学装置 |
| JPS58150924A (ja) | 1982-03-04 | 1983-09-07 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 二重共役維持光学系 |
| US4666273A (en) * | 1983-10-05 | 1987-05-19 | Nippon Kogaku K. K. | Automatic magnification correcting system in a projection optical apparatus |
| US4812028A (en) * | 1984-07-23 | 1989-03-14 | Nikon Corporation | Reflection type reduction projection optical system |
| US4701035A (en) * | 1984-08-14 | 1987-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflection optical system |
| US4779966A (en) * | 1984-12-21 | 1988-10-25 | The Perkin-Elmer Corporation | Single mirror projection optical system |
| JPS61156737A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-16 | Canon Inc | 回路の製造方法及び露光装置 |
| US4757354A (en) | 1986-05-02 | 1988-07-12 | Matsushita Electrical Industrial Co., Ltd. | Projection optical system |
| EP0266203B1 (en) | 1986-10-30 | 1994-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | An illumination device |
| JPH0812329B2 (ja) | 1986-11-06 | 1996-02-07 | 株式会社シグマ | 投影レンズ |
| US4770477A (en) * | 1986-12-04 | 1988-09-13 | The Perkin-Elmer Corporation | Lens usable in the ultraviolet |
| US4747678A (en) | 1986-12-17 | 1988-05-31 | The Perkin-Elmer Corporation | Optical relay system with magnification |
| JPH0786647B2 (ja) | 1986-12-24 | 1995-09-20 | 株式会社ニコン | 照明装置 |
| US4953960A (en) | 1988-07-15 | 1990-09-04 | Williamson David M | Optical reduction system |
| US5253110A (en) * | 1988-12-22 | 1993-10-12 | Nikon Corporation | Illumination optical arrangement |
| US5220454A (en) * | 1990-03-30 | 1993-06-15 | Nikon Corporation | Cata-dioptric reduction projection optical system |
| JP2847883B2 (ja) | 1990-03-30 | 1999-01-20 | 株式会社ニコン | 反射屈折縮小投影光学系 |
| JPH0442208A (ja) | 1990-06-08 | 1992-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | テレセントリック投影レンズ |
| US5241423A (en) * | 1990-07-11 | 1993-08-31 | International Business Machines Corporation | High resolution reduction catadioptric relay lens |
| US5089913A (en) * | 1990-07-11 | 1992-02-18 | International Business Machines Corporation | High resolution reduction catadioptric relay lens |
| US5052763A (en) * | 1990-08-28 | 1991-10-01 | International Business Machines Corporation | Optical system with two subsystems separately correcting odd aberrations and together correcting even aberrations |
| JP3041939B2 (ja) | 1990-10-22 | 2000-05-15 | 株式会社ニコン | 投影レンズ系 |
| US5402267A (en) * | 1991-02-08 | 1995-03-28 | Carl-Zeiss-Stiftung | Catadioptric reduction objective |
| NL194844C (nl) | 1991-02-08 | 2003-04-03 | Zeiss Carl Fa | Catadioptrisch reductie-objectief. |
| JP2830492B2 (ja) * | 1991-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| US5506684A (en) * | 1991-04-04 | 1996-04-09 | Nikon Corporation | Projection scanning exposure apparatus with synchronous mask/wafer alignment system |
| US5668673A (en) * | 1991-08-05 | 1997-09-16 | Nikon Corporation | Catadioptric reduction projection optical system |
| EP0554440B1 (en) | 1991-08-23 | 1997-11-12 | Eastman Kodak Company | High aperture lens system and printer using the lens system |
| US5251070A (en) * | 1991-09-28 | 1993-10-05 | Nikon Corporation | Catadioptric reduction projection optical system |
| JP3298131B2 (ja) | 1991-10-24 | 2002-07-02 | 株式会社ニコン | 縮小投影レンズ |
| US5212593A (en) * | 1992-02-06 | 1993-05-18 | Svg Lithography Systems, Inc. | Broad band optical reduction system using matched multiple refractive element materials |
| US5333035A (en) * | 1992-05-15 | 1994-07-26 | Nikon Corporation | Exposing method |
| US5383052A (en) | 1992-05-27 | 1995-01-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Afocal optical system and multibeam recording apparatus comprising the same |
| JP3374413B2 (ja) * | 1992-07-20 | 2003-02-04 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、投影露光方法、並びに集積回路製造方法 |
| US5406415A (en) * | 1992-09-22 | 1995-04-11 | Kelly; Shawn L. | Imaging system for a head-mounted display |
| JP2750062B2 (ja) * | 1992-12-14 | 1998-05-13 | キヤノン株式会社 | 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
| US5537260A (en) * | 1993-01-26 | 1996-07-16 | Svg Lithography Systems, Inc. | Catadioptric optical reduction system with high numerical aperture |
| US5323263A (en) * | 1993-02-01 | 1994-06-21 | Nikon Precision Inc. | Off-axis catadioptric projection system |
| US5591958A (en) * | 1993-06-14 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
| US5592329A (en) * | 1993-02-03 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Catadioptric optical system |
| JP3635684B2 (ja) * | 1994-08-23 | 2005-04-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置 |
| JPH09311278A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-12-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
| JP3747958B2 (ja) | 1995-04-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
| JP3747951B2 (ja) | 1994-11-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
| US5636066A (en) * | 1993-03-12 | 1997-06-03 | Nikon Corporation | Optical apparatus |
| JPH06313845A (ja) | 1993-04-28 | 1994-11-08 | Olympus Optical Co Ltd | 投影レンズ系 |
| US5534970A (en) * | 1993-06-11 | 1996-07-09 | Nikon Corporation | Scanning exposure apparatus |
| US5515207A (en) * | 1993-11-03 | 1996-05-07 | Nikon Precision Inc. | Multiple mirror catadioptric optical system |
| JP3360387B2 (ja) | 1993-11-15 | 2002-12-24 | 株式会社ニコン | 投影光学系及び投影露光装置 |
| JP3396935B2 (ja) | 1993-11-15 | 2003-04-14 | 株式会社ニコン | 投影光学系及び投影露光装置 |
| JP3395801B2 (ja) * | 1994-04-28 | 2003-04-14 | 株式会社ニコン | 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 |
| DE4417489A1 (de) * | 1994-05-19 | 1995-11-23 | Zeiss Carl Fa | Höchstaperturiges katadioptrisches Reduktionsobjektiv für die Miktrolithographie |
| JPH08179204A (ja) | 1994-11-10 | 1996-07-12 | Nikon Corp | 投影光学系及び投影露光装置 |
| JP3500745B2 (ja) | 1994-12-14 | 2004-02-23 | 株式会社ニコン | 投影光学系、投影露光装置及び投影露光方法 |
| JPH08203812A (ja) | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Nikon Corp | 反射屈折縮小投影光学系及び露光装置 |
| JP3624973B2 (ja) | 1995-10-12 | 2005-03-02 | 株式会社ニコン | 投影光学系 |
| US6157498A (en) * | 1996-06-19 | 2000-12-05 | Nikon Corporation | Dual-imaging optical system |
| JPH1010431A (ja) | 1996-06-20 | 1998-01-16 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
| JP3282527B2 (ja) | 1996-12-27 | 2002-05-13 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像符号化装置 |
| DE69933973T2 (de) | 1998-07-29 | 2007-06-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Katadioptrisches optisches system und damit ausgestattete belichtungsvorrichtung |
-
1994
- 1994-04-28 JP JP09083794A patent/JP3395801B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-04-27 US US08/429,970 patent/US5808805A/en not_active Ceased
-
1997
- 1997-12-09 US US08/987,852 patent/US5999333A/en not_active Ceased
-
2000
- 2000-09-15 US US09/665,184 patent/USRE39024E1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-01-19 US US09/764,157 patent/USRE38421E1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5999333A (en) | 1999-12-07 |
| JPH07294819A (ja) | 1995-11-10 |
| USRE38421E1 (en) | 2004-02-10 |
| US5808805A (en) | 1998-09-15 |
| USRE39024E1 (en) | 2006-03-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3395801B2 (ja) | 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 | |
| JP3635684B2 (ja) | 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置 | |
| JP3747951B2 (ja) | 反射屈折光学系 | |
| US5289312A (en) | Catadioptric reduction projection optical system | |
| US7075726B2 (en) | Projection optical system and projection exposure apparatus | |
| USRE39296E1 (en) | Catadioptric projection systems | |
| US6118596A (en) | Catadioptric reduction projection optical system and method | |
| JPH08334695A (ja) | 反射屈折光学系 | |
| JP2007532938A (ja) | カタジオプトリック投影対物レンズ | |
| USRE38438E1 (en) | Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same | |
| JPH103041A (ja) | 反射屈折縮小光学系 | |
| JP2001343589A (ja) | 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法 | |
| US6081382A (en) | Catadioptric reduction projection optical system | |
| JPH1010431A (ja) | 反射屈折光学系 | |
| EP0902329A1 (en) | Catadioptric reduction optical system | |
| JP2002244046A (ja) | カタディオプトリック縮小レンズ | |
| JP3812051B2 (ja) | 反射屈折投影光学系 | |
| US7372634B2 (en) | Reticle-masking objective with aspherical lenses | |
| JP2003233009A (ja) | 反射屈折投影光学系、反射屈折光学系、投影露光装置、及び投影露光方法 | |
| JP2003241099A (ja) | 反射屈折投影光学系、並びに投影露光方法及び装置 | |
| JP3455992B2 (ja) | 投影光学系、それを備えた走査型投影露光装置、及び素子製造方法 | |
| JPH1010429A (ja) | ２回結像光学系 | |
| JPH11109244A (ja) | 反射屈折光学系 | |
| JP2003295062A (ja) | 反射屈折型結像光学系 | |
| JPH09311277A (ja) | 反射屈折光学系 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030108 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120207 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120207 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150207 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |