DE10117481A1 - Katadioptrisches Projektionsobjektiv - Google Patents
Katadioptrisches ProjektionsobjektivInfo
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- 238000001393 microlithography Methods 0.000 title claims 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 15
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000276 deep-ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0892—Catadioptric systems specially adapted for the UV
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein katadioptrisches Projektionsobjektiv mit DOLLAR A einer Objektebene mit einem rechteckigen Objektfeld DOLLAR A einem physikalischen Strahlteiler DOLLAR A einem Konkavspiegel DOLLAR A einer Bildebene DOLLAR A einem ersten Objektivteil, wobei der erste Objektivteil zwischen Objektebene und physikalischem Strahlteiler angeordnet ist DOLLAR A einem zweiten Objektivteil DOLLAR A einem dritten Objektivteil. DOLLAR A Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß DOLLAR A der zweite Objektivteil einen Abbildungsmaßstab von 1,0 +- 0,2 aufweist, DOLLAR A der physikalische Strahlteiler nahe der Objektebene oder einer zur Objektebene konjugierten Ebene angeordnet ist DOLLAR A und DOLLAR A der physikalische Strahlteiler als Strahlteilerprisma ausgebildet ist, dessen Seitenflächen einen dem Objektfeld als Rechteck mit Aspektverhältnis > 1 angepaßten Querschnitt aufweist.
Description
Die Erfindung betrifft ein katadioptrisches Projektionsobjektiv mit einer
Objektebene mit einem rechteckigen Objektfeld, einem physikalischen
Strahlteiler, einem Konkavspiegel, einer Bildebene, einem ersten Objektivteil,
wobei der erste Objektivteil zwischen Objektebene und physikalischem
Strahlteiler angeordnet ist, einem zweiten Objektivteil sowie einem dritten
Objektivteil. Eine bevorzugte Verwendung derartiger Projektionsobjektive ist
die Abbildung von Objekten mit Licht einer Wellenlänge < 258 nm.
Für Projektionsbelichtungsvorrichtungen, mit denen Muster von Fotomasken
oder Strichplatten, die nachfolgend allgemein als Masken bezeichnet werden,
auf mit lichtempfindlichen Materialien beschichtete Halbleiter-Wafer oder
Glasplatten projizieren und belichtet werden, verwendet man optische
Projektionssysteme höchster Auflösung. Um die Strukturbreite, die im
wesentlichen durch die beugungsbegrenzte Auflösung limitiert ist, weiter zu
verringern, werden für kleinste Strukturen bevorzugt VUV-Strahlen mit einer
Wellenlänge von ≦ 258 nm verwendet. Ein Projektionssystem zum Einsatz im
tiefen UV-Bereich ist aus der EP 0475020 A2 bekannt geworden.
Das in der EP 0475020 A2 gezeigte System umfaßt wenigstens ein
katadioptrisches Eingangssystem sowie ein dioptrisches Ausgangssystem.
Die abzubildende Maske liegt direkt auf einem Strahlteiler, vorzugsweise
einem Würfel auf. Mit Hilfe des Strahlteilers wird ein Teil des von
katadioptrischem System reflektierten Lichtes zum dioptrischen System hin
abgelenkt.
Nachteilig an der Anordnung gemäß der EP 0475020 ist zum einen, daß
ausschließlich Intensitätsstrahlteiler Verwendung finden, zum anderen, daß
das abzubildende Objekt direkt auf dem Strahlteiler angeordnet ist.
Die Verwendung von Intensitätsstrahlteilern hat den Nachteil, daß nur ein
Bruchteil, beispielsweise 25% des die Maske durchtretenden Lichtes zum zu
belichtenden Objekt, im vorliegenden Fall dem Wafer, gelangt.
Aus der US 5636066 ist ein katadioptrisches Projektionssystem mit
Zwischenbild bekanntgeworden. Die Strahlteilung erfolgt geometrisch mit Hilfe
eines Umlenkspiegels, der in der Spiegelmitte durchbrochen ist und für den
vom katadioptrischen Teil am Hohlspiegel reflektierten Strahl eine Blende
darstellt. Das System gemäß der US 5636066 ist derart aufgebaut, daß das
Zwischenbild in der Blendenebene des Umlenkspiegels ausgebildet ist.
Ein weiteres System mit geometrischem Strahlteiler, der als Ablenkspiegel
ausgeführt ist, ist aus der US-A-5691802 bekannt geworden. Bei dem aus der
US-A-5691802 bekannten Projektionsobjektiv handelt es sich um ein solches
mit Zwischenbild, wobei das Zwischenbild vor dem katadioptrischen
Teilobjektiv im Bereich des ersten Teilobjektives ausgebildet wird. Nachteilig
an dem aus der US-A-5691802 bekannten System ist, daß es sich aufgrund
der geometrischen Strahlteilung zwingend um ein außeraxiales System
handelt.
Bei der US-A-4302079 handelt es sich um ein System mit
polarisationsoptischem Strahlteiler. Die Änderung der Polarisationsrichtung
des von dem Konkavspiegel im katadioptrischen Objektivteil reflektierten
Strahles wird mit Hilfe von induzierter Doppelbrechung geändert.
Die US-A-4896952 zeigt ein System mit polarisationsoptischem Strahlteiler,
wobei die Änderung der Polarisationsrichtung in katadioptrischem Objektivteil
mittels einer λ/4-Platte erreicht wird.
Die DD-C-215179 zeigt ebenfalls ein System mit physikalischem Strahlteiler,
der als teildurchlässiger Strahlteilerwürfel ausgebildet ist. Das System gemäß
der DD-C-215179 weist zwei identische Spiegel an zwei der vier Seiten des
Strahlteilerwürfels senkrecht zu einer vorgegebenen Ebene sowie zwei
dioptrische Baugruppen an den anderen zwei Seiten des Strahlteilerwürfels
auf. Die dioptrischen Baugruppen sind so ausgeführt, daß die Petzvalsumme
von beiden Systemen die des Spiegels weitgehend kompensiert.
Aus der EP-A-0350955 ist ein katadioptrisches Projektionsobjektiv ohne
Zwischenbild bekannt geworden, bei dem zwischen Objekt - dem Retikel -
und dem physikalischen Strahlteiler eine erste Linsengruppe bzw. ein erstes
Teilobjektiv, zwischen physikalischem Strahlteiler und Hohlspiegel eine zweite
Linsengruppe und zwischen physikalischem Strahlteiler und der Bildebene
eine dritte Linsengruppe vorgesehen ist.
Die US-A-5808805 und die US-A-5999333 zeigen ein katadioptrisches Objektiv
mit Zwischenbild und Strahlteiler sowie wenigstens zwei Teilobjektiven, wobei
die Teilobjektive derart aufgebaut sind, daß das Zwischenbild in der Nähe der
Strahlteilerfläche des physikalischen Strahlteilers zu liegen kommt. Als
Strahlteiler wird gemäß der US 5808805 ein physikalischer Strahlteiler,
beispielsweise ein Strahlteilerwürfel, verwandt; die US 5999333 zeigt auch die
Verwendung eines Spiegels als geometrischen Strahlteiler.
Nachteilig an dem System mit geometrischer Strahlteilung ist, daß es sich
hierbei um ein außeraxiales System handelt. Sowohl das aus der US-A-
5808805 bekannte System wie das aus der US-A-5999333 weisen einen sehr
großen Inzidenzwinkelbereich der auf die Strahlteilerfläche auftreffenden vom
Konkavspiegel reflektierten rücklaufenden Strahlen auf.
Die US-A-5861997 zeigt ein System ähnlich der US-A-5808805 sowie der US-
A-5999333 mit zwei Zwischenbildern, wobei ein Zwischenbild wiederum in der
Nähe des Strahlteilers zum Liegen kommt, so daß am Strahlteiler große
Inzidenzwinkel auftreten.
Durch den großen Winkelbereich, der auf die Strahlteilerschicht auftreffenden
Strahlung wird die Bildqualität verringert, da die Reflektivität und die
Transmission der Strahlteilerschicht vom Einfallswinkel auf die
Strahlteilerschicht abhängen und insoweit bei unterschiedlichen
Einfallswinkeln unterschiedliche Intensitätsverteilungen resultieren.
Um diesen Nachteil zu vermeiden, schlägt die EP-A-0602923 vor, vor den
physikalischen Strahlteilern eine Linse vorzusehen, mit der die auf dem
Strahlteiler auftreffende Strahlung parallelisiert wird.
Ein parallelisierter Strahlengang wird auch bei dem aus der US-A-5771125
bekannten katadioptrischen Projektionssystem realisiert. Nachteilig an der
Anordnung gemäß der EP-A-0602923 und der US-A-5771125 ist, daß die
positive Brechkraft des Spiegels im katadioptrischen Teil nicht kompensiert
wird. Dies bedeutet, daß zwar der auf die Strahlteilerschicht auftreffende Strahl
parallelisiert ist, nicht jedoch der nach der Reflexion am Konkavspiegel
rücklaufende Strahl. Die Strahlteilerschicht wird dann in einer Richtung unter
größeren Aperturwinkeln belastet. Dies wiederum hat zur Folge, daß keine
reine Aufspaltung in die Polarisationsrichtungen erfolgen kann. Hieraus
resultieren Doppelbilder und ein Kontrastverlust.
Um die Indizenzwinkel auf der Strahlteilerschicht zu minimieren, schlägt die
DE-A-44 17 489 vor, bei einem katadioptrischen Projektionssystem mit
physikalischen Strahlteiler objektseitig vor dem physikalischen Strahlteiler
wenigstens eine Sammellinse zur Parallelisierung des auf die
Strahlteilerschicht auftreffenden Lichtstrahles anzuordnen und nach dem
physikalischen Strahlteiler im katadioptrischen Objektivteil eine zerstreuende
Linsengruppe mit einer Zerstreulinse, um die Wirkung der Sammellinse zur
Parallelisierung des auf die Strahlteilerschicht auftreffenden Strahles zu
kompensieren. Des weiteren ist eine weitere Sammellinse bildseitig nach dem
Strahlteilerprisma vorgesehen, um die Wirkung der zerstreuenden
Linsengruppe bei einem von dem Konkavspiegel zurücklaufenden Strahl im
doppelten Durchtritt zu kompensieren.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Anordnung anzugeben, mit der die
Nachteile des Standes der Technik vermieden werden. Insbesondere soll eine
Anordnung angegeben werden, die das Problem einer Erwärmung des
Strahlteilers durch Strahlenbelastung vermeidet.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß bei einem
gattungsgemäßen Gerät der physikalische Strahlteiler nahe der Objektebene
oder einer zur Objektebene konjugierten Ebene angeordnet ist und der
Strahlteiler als Strahlteilerprisma ausgebildet ist, deren Seitenflächen ein dem
Objektfeld als Rechteck mit Aspektverhältnis < 1 angepaßten Querschnitt
aufweist.
Durch die Anordnung des Strahlteilers nahe der Objektebene oder einer zur
Objektebene konjugierten Ebene kann der Strahlteiler in Form einer
aufgespaltetenen Säule ausgebildet werden. Zwar ist die Wärmebelastung bei
einem derartigen Strahlteiler pro Volumeneinheit sehr groß, allerdings ist der
Weg nach außen sehr kurz, so daß über die Außenflächen des Strahlteilers
die Wärme sehr schnell abgeführt werden kann. Um die Inzidenzwinkel auf
der Strahlteilerschicht zu minimieren, kann objektseitig vor dem
physikalischen Strahlteiler eine Sammellinse bzw. eine sammelnde
Linsengruppe zur Parallelisierung des auf die Strahlteilerschicht auftreffenden
Lichtstrahls angeordnet sein.
Bevorzugt ist das Strahlteilerprisma ein polarisationsoptischer Strahlteiler,
wobei der polarisationsoptische Strahlteiler ein polarisationsabhängiges,
reflektierendes Schichtsystem umfaßt.
Um mit einem möglichst dünnen Schichtsystem für die polarisationsoptische
Strahlteilung auszukommen, ist vorgesehen, den Strahlteiler derart
anzuordnen, daß der Einfallswinkel auf das reflektierende Schichtsystem im
wesentlichen den Brewster-Winkel des Schichtsystemes bei der jeweiligen
Wellenlänge der Beleuchtungslichtquelle entspricht. Dies ist insbesondere
deswegen von Vorteil, da die Schichtdicken bei einer Anordnung unter
diesem Winkel nur sehr dünn sein müssen, um die Totalreflektion zu
gewährleisten, was wiederum eine geringere Erwärmung des Strahlteilers und
damit weniger optische Fehler beispielsweise aufgrund von
Wärmeausdehnung etc. bedeutet.
Um eine Erwärmung des Strahlteilers durch Strahlungsbelastung zu
verringern, ist in einer vorteilhaften Ausführungsform vorgesehen,
Kühleinrichtungen an den optisch nicht benötigten Flächen anzuordnen. Diese
Kühleinrichtungen transportieren die Wärme, die im wesentlichen aus
Absorptionen in der Teilerschicht herrühren, sehr schnell ab und verhindern
so einen Wärmestau im Strahlteiler. Hierdurch gelingt es, die geometrische
Abbildung in Reflektion stabil zu halten. Auch die induzierte
Spannungsdoppelbrechung aufgrund eines Wärmegefälles ist vermindert.
Bevorzugt sind die Kühleinrichtungen Peltierelemente oder Luftkühler. Auch
andere Ausführungsformen, beispielsweise wassergekühlte Kühleinrichtungen,
sind denkbar.
Zur Farbkorrektur ist mit Vorteil vorgesehen, daß das katadioptrische
Teilobjektiv wenigstens zum Teil Negativlinsen aufweist.
Neben dem katadioptrischen Projektionsobjektiv stellt die Erfindung auch eine
Projektionsbelichtungsanordnung mit einem derartigen Projektionsobjektiv zur
Verfügung.
Besonders bevorzugt ist es, wenn man die Mittel zur Erzeugung von
polarisiertem Licht in einer Blendenebene des Beleuchtungssystems der
Projektionsbelichtungsanordnung anordnet, wobei die Blendenebene in einer
zur Objektebene konjugierten Ebene liegt.
Generell sind zwei Ausführungsformen der Projektionsbelichtungsanordnung
denkbar. Bei einer ersten Ausführungsform umfassen die Mittel zur Erzeugung
von polarisiertem Licht in der Blendenebene Mittel zur Erzeugung von
senkrecht zur Einfallsebene polarisiertem Licht.
Alternativ hierzu kann vorgesehen sein, daß das Licht parallel zur
Einfallsebene polarisiert ist.
Als Mittel zur Änderung des Polarisationszustandes im zweiten Teilobjektiv
des Projektionsobjektives kann ein λ/4-Plättchen niedrigster Ordnung
vorgesehen sein. Hierdurch wird sichergestellt, daß trotz einer Konvergenz im
Strahlweg noch eine im katadioptrischen Teilobjektiv λ/4 -Wirkung erreicht
wird. Die λ/4 -Plättchen niedrigster Ordnung können vorzugsweise aus
synthetischem Quarzkristall gefertigt sein.
Eine bevorzugte Verwendung der erfindungsgemäßen optischen
Projektionsvorrichtung ist die Abbildung von Maskenmuster mit tiefem UV-
Licht, vorzugsweise einer Wellenlänge die kleiner 258 nm ist. Bevorzugt wird
zur Beleuchtung Laserlicht eingesetzt mit einer Wellenlänge von 193, 157 und
126 nm.
Obige bevorzugte Verwendung soll keinesfalls als einschränkend, sondern
lediglich beispielhaft für den Einsatzbereich der erfindungsgemäßen
Vorrichtung aufgefaßt werden.
Die erfindungsgemäße Anordnung zeichnet sich durch einen geringen
Intensitätsverlust und kompakte Bauform aus. So wird gegenüber anderen
bekannten Lösungen in katadioptrischer Bauform, beispielsweise Lösungen
mit Spiegelstrahlteilern, bei dem erfindungsgemäßen System kein Überformat
benötigt. Dadurch kann das System um etwa ein Drittel gegenüber bekannten
Lösungen kleiner ausgeführt werden. Durch die Erfindung wird die
Brauchbarkeit katadioptrischer Systeme für die tiefe UV-Lithographie erheblich
gesteigert, insbesondere im Blick auf noch größere Aperturen.
Die Erfindung soll nachfolgend anhand der Zeichnungen beispielhaft
beschrieben werden.
Es zeigen:
Fig. 1 eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen
Projektionsobjektives.
Fig. 2 eine erste Ausführungsform einer erfindungsgemäßen
Projektionsbelichtungsanordnung, bei der das auf die
reflektierende Schicht des Strahlteilers auftreffende Licht
senkrecht zur Einfallsebene polarisiert ist.
Fig. 3 eine zweite Ausführungsform der
Projektionsbelichtungsanordnung, bei der der einfallende
polarisierte Lichtstrahl parallel zur Einfallsebene der
reflektierenden Schicht polarisiert ist.
In Fig. 1 ist eine erste Ausführungsform eines erfindungsgemäßen
katadioptrischen Projektionsobjektives gezeigt. Der erste Objektivteil 100, der
zwischen der Objektebene 1 und dem Strahlteiler 1000 liegt, der als
Polarisationsstrahlteiler ausgelegt ist, umfaßt eine Sammellinse 101 mit
Flächen 2, 3. An den ersten Objektivteil 100 schließt sich der
Polarisationstrahlteiler 1000 an. Der zweite Objektivteil 200 umfaßt sechs
Linsen mit Flächen 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17 im ersten Durchtritt
sowie Flächen 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31 im zweiten
Durchtritt. Der Konkavspiegel mit Fläche 18 zählt nicht zum zweiten
Objektivteil.
Der Polarisationstrahlteiler 1000 ist des weiteren im zweiten Durchtritt direkt
vor dem Zwischenbild angeordnet. An das Zwischenbild Z schließt sich der
dritte Objektivteil 300 an, der vorliegend nicht näher dargestellt ist. Die
Sammellinse 101 im ersten Objektivteil 100 dient dazu, die von der
Objektebene 1 einlaufenden Strahlen weitgehend zu parallelisieren, so daß im
Bereich der Strahlteilerschicht des Strahlteilerprisma 1000 nur eine geringe
Variation der Inzidenzwinkel der auftreffenden Strahlen vorliegt. Die refraktiven
Elemente im zweiten Objektivteil sorgen mit ihrer zerstreuenden Wirkung
dafür, daß die Wirkung der Sammellinse 101, die in der Parallelisierung der
auf die Strahlteilerschicht auftreffenden Strahlung liegt, weitgehend
kompensiert wird und daß ein divergentes Strahlbündel auf den
Konkavspiegel 18 trifft. Gemäß der Erfindung ist das Strahlteilerprisma 1000
ein polarisationsoptisches Strahlteilerprisma, dessen Seitenflächen einen dem
Objektfeld als Rechteck mit Aspektverhältnis < 1 angepaßten Querschnitt
aufweist.
Der polarisationsoptische Strahlteiler; hat dann die Form einer Säule, mit
kurzen Wegen zur Wärmeabfuhr.
Der dritte Objektivteil 300 ist in Fig. 1 nicht vollständig dargestellt.
In Fig. 2 ist eine erste Ausführungsform einer Projektionsbelichtungsanlage
mit einem erfindungsgemäßen Projektionsobjektiv schematisch dargestellt.
Das in eine Bildebene 1034 mit dem erfindungsgemäßen Projektionsobjektiv
abzubildende liegende Objekt bzw. Retide wird mit Objektebene 1 wird mit
linear polarisiertem Licht vom Beleuchtungssystem 1004 der
Projektionsbelichtungsanlage her beleuchtet. In einer Blendenebene 1003 des
Beleuchtungssystems 1004, die zur Objektebene 1 konjugiert ist, sind Mittei
zur Erzeugung polarisierter Strahlung angeordnet.
Das linear senkrecht zur Einfallsebene der Strahlteilerschicht 1016 polarisierte
Licht wird an der Strahlteilerschicht nahezu vollständig in das zweite
Teilobjektiv 200 des erfindungsgemäßen Projektionsobjektives reflektiert.
Damit möglichst geringe Intensitätsverluste auftreten, wird der Strahlteiler mit
der Strahlteilerschicht 1016 derart angeordnet, daß das linear polarisierte Licht
im wesentlichen unter dem Brewster-Winkel einfällt. Die für eine nahezu
vollständige Reflektion erforderlichen Schichtaufbauten bzw. Schichtdesigns
können dann sehr dünn ausgebildet werden, was insbesondere im Hinblick
auf eine Erwärmung des Strahlteilers vorteilhaft ist. Außerdem ist es in einem
solchen Fall möglich, daß die aufgrund der endlichen Schrittweite im
Einfallswinkel gering variierenden Strahlen durch eine stetig variierende
Bedampfungsschicht kompensiert werden können, um Phasenvariationen zu
vermeiden und Helligkeitsvariationen zu verkleinern.
Das an der Schicht 1016 reflektierte Licht 1020 trifft hinter den Strahlteilern auf
ein λ/4 -Plättchen 1022. Nach Durchgang durch das λ/4 -Plättchen ist der
Strahl 1020 zirkular polarisiert. Mit Hilfe der Negativlinsen 1024 im zweiten
Objektivteil 200 des erfindungsgemäßen Projektionsobjektives werden
Farbfehler korrigiert. Das auf den Spiegel 18 auftreffende Licht wird im
wesentlichen vollständig reflektiert und die Richtung der Zirkularpolarisation
hierbei um 180° von beispielsweise links nach rechts drehend geändert. Das
reflektierte, zirkular polarisierte Licht tritt wiederum durch das im zweiten
Teilobjektiv 200 angeordnete λ/4-Plättchen. Hierdurch wird eine Änderung
der Polarisation von zirkular polarisiert zu linear polarisiert erreicht. Der
nochmalige Durchtritt durch das λ/4 -Plättchen bewirkt eine lineare Polarisation
parallel zur Einfallsebene auf die Schicht 1016. Der linear polarisierte Strahl
wird aufgrund seiner Polarisation durch Schicht 1016 nicht reflektiert, sondern
transmittiert den Strahlteiler. Das transmittierte Licht wird an der Grenzschicht
des Strahlteilers 1028 in Richtung des dritten Teilobjektives 300 reflektiert.
Kurz hinter dem Strahlteiler 1000 wird ein Zwischenbild Z aufgebaut. Durch
die Anordnung des Strahlteilers in der Nähe bzw. der Objektebene 1
bekommt der Strahlteiler die Form einer aufgespaltenen Säule. Durch einen
derartigen Strahlteiler kann die Erwärmung derselben aufgrund von
Strahlungsbelastung erheblich verringert werden. Um die Wärmeabfuhr aus
dem Strahlteiler zu unterstützen, ist in einer bevorzugten Ausführungsform
vorgesehen, zusätzlich noch an den Stellen des Strahlteilers, die optisch nicht
gebraucht werden, Kühleinrichtungen 1036 anzuordnen. Diese unterstützen
die effiziente Wärmeabfuhr aus dem Strahlteiler.
Durch Einbringen eines zweiten λ/4 -Plättchen 1038 im dritten Objektivteil 300
kann das Licht wieder zirkular polarisiert werden. Hierdurch können
beispielsweise Schwankungen in der Helligkeitsintensität und Asymmetrien in
der Abbildung vermindert werden. In der Bildebene 1034 befindet sich das zu
belichtende Material, bspw. der Halbleiter Wafer.
In einer alternativen in Fig. 3 dargestellten Ausführungsform der Erfindung
wird als Strahlteiler wiederum ein optischer Strahlteiler eingesetzt, dessen
reflektierende Schicht 1016 wiederum unter dem Brewster-Winkel angeordnet
ist. Gleiche Bauteile wie in Fig. 2 werden in Fig. 3 mit denselben
Bezugsziffern gekennzeichnet. Gegenüber Fig. 2 wird das Licht in der
Blendenebene des Beleuchtungssystems parallel zur Einfallsebene polarisiert.
Dementsprechend tritt es durch die reflektierende Schicht 1016 hindurch in
das zweite Teilobjektiv 200. Im zweiten Teilobjektiv 200 ist wiederum ein λ/4-
Plättchen 1022 zur Polarisationsumkehr angeordnet. Das vom Spiegel 18 des
katadioptrischen Teilobjektives reflektierte Licht ist nach nochmaligem
Durchgang durch das λ/4-Plättchen senkrecht zur Einfallsebene polarisiert
und wird dementsprechend durch die Schicht 1016 vollständig reflektiert.
Wiederum ist der Strahlteilerwürfel in der Nähe des Zwischenbildes z
angeordnet.
Um zu einer kompakten Bauform zu gelangen, kann im dritten Teilobjektiv
300 ein Umlenkspiegel 1052 vorgesehen sein.
Als bevorzugtes Material finden für die optische Elemente wie Linsen,
Strahlteiler, etc. abhängig von der Wellenlänge der Beleuchtungsquelle
unterschiedliche Materialien Verwendung. Bei einer Wellenlänge von 193 nm
wird bevorzugt Quarzglas verwendet, das sich neben einer hohen
Durchlässigkeit bei dieser Wellenlänge insbesondere auch durch einen sehr
niedrigen Ausdehnungskoeffizienten von nur 0,5 × 10-6 auszeichnet. Bei
Wellenlängen von 157 nm wird bevorzugt CaF2 als Material für die optischen
Komponenten verwendet, bei einer Wellenlänge von 126 nm ein Material, das
zumindest teilweise LiF umfaßt.
Mit der Erfindung wird erstmals ein Projektionsobjektiv vorgestellt, das sich
durch eine sehr effiziente Wärmeabfuhr auszeichnet.
1
Objektebene
2, 3
Flächen im 1. Objektivteil
6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17
Flächen im zweiten Objektivteil im ersten Durchtritt
18
Fläche des Konkavspiegels
19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31
Flächen im zweiten Objektivteil im zweiten Durchtritt
100
erster Objektivteil
101
dritter Objektivteil
1000
Strahlteilprisma
1003
Blendenebene
1004
Beleuchtungssystem
1016
Strahlteilerschicht
1020
im Strahlteiler reflektiertes Licht
1022
erstes λ
/4
-Plättchen
1024
Negativlinsen
1028
Grenzschicht des Strahlteilers
1034
Bildebene
1036
Kühleinrichtung
1038
zweites λ
/4
-Plättchen
1052
Umlenkspiegel
Z Zwischenbild
Z Zwischenbild
Claims (10)
1. Katadioptrisches Projektionsobjektiv
mit
- 1. 1.1 einer Objektebene (1) mit einem rechteckigen Objektfeld
- 2. 1.2 einem physikalischen Strahlteiler (1000)
- 3. 1.3 einem Konkavspiegel (18)
- 4. 1.4 einer Bildebene (1034)
- 5. 1.5 einem ersten Objektivteil (100), wobei der erste Objektivteil zwischen Objektebene (1) und physikalischem Strahlteiler angeordnet ist
- 6. 1.6 einem zweiten Objektivteil (200)
- 7. 1.7 einem dritten Objektivteil (300) dadurch gekennzeichnet, daß
- 8. 1.8 der zweite Objektivteil (200) einen Abbildungsmaßstab von 1,0 ± 0,2 aufweist,
- 9. 1.9 der physikalische Strahlteiler nahe der Objektebene (1) oder einer zur Objektebene (1) konjugierten Ebene (1003) angeordnet ist und
- 10. 1.10 der physikalische Strahlteiler als Strahlteilerprisma (1000) ausgebildet ist, dessen Seitenfläche einen dem Objektfeld (1) als Rechteck mit Aspektverhältnis < 1 angepaßten Querschnitt aufweist.
2. Katadioptrisches Projektionsobjektiv nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Strahlteilerprisma (1000) nach einer sammelnden Linse (101) oder
Linsengruppe angeordnet ist.
3. Katadioptrisches Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 1 bis
2,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Strahlteilerprisma ein polarisationsoptischer Strahlteiler ist, wobei
der polarisationsoptische Strahlteiler ein polarisationsabhängiges,
reflektierendes Schichtsystem (1028) umfaßt.
4. Katadioptrisches Projektionsobjektiv gemäß Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
der polarisationsoptische Strahlteiler derart angeordnet ist, daß der
Einfallswinkel des polarisierten Lichtes auf das reflektierende
Schichtsystem (1028) im wesentlichen der Brewster-Winkel des
Schichtsystems ist.
5. Katadioptrisches Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 1 bis
4,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Strahlteilerprisma Kühleinrichtungen (1036) umfaßt.
6. Katadioptrisches Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 3 bis
5,
dadurch gekennzeichnet, daß
der zweite Objektivteil (200) Mittel zur Änderung des
Polarisationszustandes umfaßt.
7. Katadioptrisches Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 1 bis
6,
dadurch gekennzeichnet, daß
der zweite Objektivteil Elemente (1024) mit negativer Brechkraft
umfasst.
8. Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
mit
- 1. 8.1 einer Lichtquelle
- 2. 8.2 einem Beleuchtungssystem (1004) zum Beleuchten der Objektebene
(1) eines Projektionsobjektives gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7,
wobei das Beleuchtungssystem (1004) eine Blendenebene (1003) umfaßt, die in einer zur Objektebene konjugierten Ebene liegt,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Projektionsbelichtungsanlage - 3. 8.3 ein Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7 umfaßt.
9. Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
dadurch gekennzeichnet, daß
in der Blendenebene Mittel (1003) zur Erzeugung von polarisiertem
Licht angeordnet sind.
10. Verfahren zur Herstellung von mikroelektronischen Bauteilen mit einer
Projektionsbelichtungsanlage gemäß einem der Ansprüche 8 bis 9.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10117481A DE10117481A1 (de) | 2001-04-07 | 2001-04-07 | Katadioptrisches Projektionsobjektiv |
| US10/114,919 US7099087B2 (en) | 2001-04-07 | 2002-04-03 | Catadioptric projection objective |
| JP2002104342A JP2002328303A (ja) | 2001-04-07 | 2002-04-05 | 反射屈折投影光学系 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10117481A DE10117481A1 (de) | 2001-04-07 | 2001-04-07 | Katadioptrisches Projektionsobjektiv |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE10117481A1 true DE10117481A1 (de) | 2002-10-10 |
Family
ID=7680824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE10117481A Withdrawn DE10117481A1 (de) | 2001-04-07 | 2001-04-07 | Katadioptrisches Projektionsobjektiv |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7099087B2 (de) |
| JP (1) | JP2002328303A (de) |
| DE (1) | DE10117481A1 (de) |
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- 2002-04-03 US US10/114,919 patent/US7099087B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7099087B2 (en) | 2006-08-29 |
| US20020167734A1 (en) | 2002-11-14 |
| JP2002328303A (ja) | 2002-11-15 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ON | Later submitted papers | ||
| 8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: CARL ZEISS SMT AG, 73447 OBERKOCHEN, DE |
|
| 8141 | Disposal/no request for examination |