JP2535971B2 - ペリクル - Google Patents
ペリクルInfo
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- JP2535971B2 JP2535971B2 JP27962787A JP27962787A JP2535971B2 JP 2535971 B2 JP2535971 B2 JP 2535971B2 JP 27962787 A JP27962787 A JP 27962787A JP 27962787 A JP27962787 A JP 27962787A JP 2535971 B2 JP2535971 B2 JP 2535971B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellicle
- film
- adhesive substance
- layer
- foreign matter
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0002—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits for manufacturing artworks for printed circuits
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/3154—Of fluorinated addition polymer from unsaturated monomers
- Y10T428/31544—Addition polymer is perhalogenated
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T428/3188—Next to cellulosic
- Y10T428/31884—Regenerated or modified cellulose
- Y10T428/31888—Addition polymer of hydrocarbon[s] only
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はフォトマスクやレチクルの露光時における防
塵カバーとして使用されるペリクルに関するものであ
る。
塵カバーとして使用されるペリクルに関するものであ
る。
フォトリソグラフィ工程では、ガラス板表面にクロム
等の蒸着膜で回路パターンを形成したフォトマスクやレ
チクル等（以下単にマスクという）を使用し、その回路
パターンをレジストを塗布したシリコンウエハー上に転
写する作業が行われる。この工程ではマスク上の回路パ
ターンに塵埃等の異物が付着した状態で露光が行われる
と、ウエハー上にも上記異物が転写され、不良製品とな
る。ことに前記露光をステッパーで行う場合には、ウエ
ハー上に形成される全てのチップが不良となる可能性が
高くなり、マスク等の回路パターンへの異物の付着は大
きな問題となる。この問題を解決するため近年、ペリク
ルが開発され使用され始めてきた。
等の蒸着膜で回路パターンを形成したフォトマスクやレ
チクル等（以下単にマスクという）を使用し、その回路
パターンをレジストを塗布したシリコンウエハー上に転
写する作業が行われる。この工程ではマスク上の回路パ
ターンに塵埃等の異物が付着した状態で露光が行われる
と、ウエハー上にも上記異物が転写され、不良製品とな
る。ことに前記露光をステッパーで行う場合には、ウエ
ハー上に形成される全てのチップが不良となる可能性が
高くなり、マスク等の回路パターンへの異物の付着は大
きな問題となる。この問題を解決するため近年、ペリク
ルが開発され使用され始めてきた。
ペリクルは一般にアルミニウム製のペリクル枠の一側
面にニトロセルロース等からなる透明膜を張設してなる
もので、他側端面に両面粘着テープを貼着してマスク上
に取付けられるようになっている。これによれば、外部
からの異物の侵入を防ぐことができ、また仮に膜上に異
物が付着するようなことがあっても露光時にはピンボケ
の状態で転写されるため問題は生じないが、既に膜やペ
リクル枠の内側に付着していた異物はマスク上へペリク
ルを取付けたのちには最早除去することができず、この
ようなペリクルを使用する際、ペリクルの内側に付着し
た異物がフォトマスクやレチクル上に落下して露光を妨
げるのを防ぐため、ペリクル枠の内側面に粘着膜を設け
たペリクルが提案されている（特開昭60−57841号）。
面にニトロセルロース等からなる透明膜を張設してなる
もので、他側端面に両面粘着テープを貼着してマスク上
に取付けられるようになっている。これによれば、外部
からの異物の侵入を防ぐことができ、また仮に膜上に異
物が付着するようなことがあっても露光時にはピンボケ
の状態で転写されるため問題は生じないが、既に膜やペ
リクル枠の内側に付着していた異物はマスク上へペリク
ルを取付けたのちには最早除去することができず、この
ようなペリクルを使用する際、ペリクルの内側に付着し
た異物がフォトマスクやレチクル上に落下して露光を妨
げるのを防ぐため、ペリクル枠の内側面に粘着膜を設け
たペリクルが提案されている（特開昭60−57841号）。
一方、ペリクル膜としては、従来ニトロセルロースの
単層薄膜が主として利用されているが、露光工程におけ
る光透過率の安定性の向上等を目的として、ニトロセル
ロースの透明薄膜上にフッ素系ポリマーまたはシリコン
系ポリマー等からなる反射防止膜を有するペリクル膜が
提案されている（例えば特開昭60−237450号）。
単層薄膜が主として利用されているが、露光工程におけ
る光透過率の安定性の向上等を目的として、ニトロセル
ロースの透明薄膜上にフッ素系ポリマーまたはシリコン
系ポリマー等からなる反射防止膜を有するペリクル膜が
提案されている（例えば特開昭60−237450号）。
しかし、前述（特開昭60−57841号）のようなペリク
ルでは、ペリクル枠とマスク等の接着面に両面粘着テー
プを使用しているため、両面粘着テープの基材である発
泡テープからゴミ等の異物が発生し、これが汚染源とな
る。
ルでは、ペリクル枠とマスク等の接着面に両面粘着テー
プを使用しているため、両面粘着テープの基材である発
泡テープからゴミ等の異物が発生し、これが汚染源とな
る。
そのため、特願昭62−205533号では、接着面に両面粘
着テープを使用しないペリクルが提案されている。しか
し、これらの方法を用いてもペリクル膜内面に付着した
異物が使用時衝撃等によりマスク上に落下して、不良LS
I製造の原因となることがある。
着テープを使用しないペリクルが提案されている。しか
し、これらの方法を用いてもペリクル膜内面に付着した
異物が使用時衝撃等によりマスク上に落下して、不良LS
I製造の原因となることがある。
一方ペリクル膜は露光時の防塵膜として使用され、高
い光線透過率が要求されるため、異物の付着が極度に嫌
われ、異物付着性の少ない材質のものが使用されてい
る。前記特開昭60−237450号のように反射防止膜を形成
する場合も、異物の付着を防止するため、表面のベタツ
キのない材質を使用することが必要とされている。とこ
ろがこのような表面のベタツキのない材質の膜は異物が
付着しにくいが、誤って付着した異物が落下しやすく、
これが露光を妨げるという問題点があった。
い光線透過率が要求されるため、異物の付着が極度に嫌
われ、異物付着性の少ない材質のものが使用されてい
る。前記特開昭60−237450号のように反射防止膜を形成
する場合も、異物の付着を防止するため、表面のベタツ
キのない材質を使用することが必要とされている。とこ
ろがこのような表面のベタツキのない材質の膜は異物が
付着しにくいが、誤って付着した異物が落下しやすく、
これが露光を妨げるという問題点があった。
本発明の目的は上記問題点を解決するため、ペリクル
膜の内面に光線透過率の高い粘着性物質層を形成して、
異物を付着させ、異物のフォトマスクまたはレチクル上
への落下を防止できるペリクルを提供することである。
膜の内面に光線透過率の高い粘着性物質層を形成して、
異物を付着させ、異物のフォトマスクまたはレチクル上
への落下を防止できるペリクルを提供することである。
本発明は、ペリクル枠と、ペリクル枠の一側面に張設
された透明薄膜からなるペリクル膜と、このペリクル膜
の内側面に形成された光線透過率の高い非液体粘着性物
質層とを有するペリクルである。
された透明薄膜からなるペリクル膜と、このペリクル膜
の内側面に形成された光線透過率の高い非液体粘着性物
質層とを有するペリクルである。
本発明において使用されるペリクル枠としては特に制
限はなく、従来より用いられているアルマイト処理した
アルミニウム枠などが使用可能であり、他の材質のもの
でもよい。ペリクル枠の形状としては、円形、角形な
ど、任意の形状のものでよい。このペリクル枠の内側面
にも粘着性物質層を形成するのが好ましい。
限はなく、従来より用いられているアルマイト処理した
アルミニウム枠などが使用可能であり、他の材質のもの
でもよい。ペリクル枠の形状としては、円形、角形な
ど、任意の形状のものでよい。このペリクル枠の内側面
にも粘着性物質層を形成するのが好ましい。
本発明においてペリクル膜の本体となる透明薄膜とし
ては、露光に採用される350〜450nmの波長における平均
光線透過率の大きいものであればよいが、ニトロセルロ
ース、エチルセルロース、プロピオン酸セルロース等の
セルロース誘導体薄膜が好ましい。これらのうちでも、
350〜450nm間の平均光線透過率および膜強度の面から、
ニトロセルロースが好ましい。ニトロセルロースは11〜
12.5％、特に11.5〜12.2％の硝化度（Ｎ％）、および5
0,000〜350,000、特に70,00〜320,000の平均分子量（重
量平均、ｗ）を有するものが好ましい。ここで平均光
線透過率とは、350〜450nmの間で起こる光線透過率の干
渉波の山部と谷部を同数とり平均した値である。
ては、露光に採用される350〜450nmの波長における平均
光線透過率の大きいものであればよいが、ニトロセルロ
ース、エチルセルロース、プロピオン酸セルロース等の
セルロース誘導体薄膜が好ましい。これらのうちでも、
350〜450nm間の平均光線透過率および膜強度の面から、
ニトロセルロースが好ましい。ニトロセルロースは11〜
12.5％、特に11.5〜12.2％の硝化度（Ｎ％）、および5
0,000〜350,000、特に70,00〜320,000の平均分子量（重
量平均、ｗ）を有するものが好ましい。ここで平均光
線透過率とは、350〜450nmの間で起こる光線透過率の干
渉波の山部と谷部を同数とり平均した値である。
透明薄膜の厚みは、350〜450nm間の目的とする波長に
対する透過率が高くなるように選択されるが、現在使用
されている露光波長の436nm＋405nm＋365nm付近に対す
る透過率を高くするには通常2.85μｍ、また436nmの透
過率を高くするには0.865μｍが選択される。
対する透過率が高くなるように選択されるが、現在使用
されている露光波長の436nm＋405nm＋365nm付近に対す
る透過率を高くするには通常2.85μｍ、また436nmの透
過率を高くするには0.865μｍが選択される。
このようなペリクル幕の本体となる透明薄膜の内側面
に粘着性物質層を形成するための粘着性物質としては、
光線透過率が高く、かつ非液体で粘着性を有するもので
あればよいが、粘着性異物が付着した状態で保持され、
落下しない程度のものが好ましい。粘着性物質の屈折率
が透明薄膜の屈折率以下のもの、350〜450nmの光線によ
り分解しないものが好ましい。また使用する粘着性物質
に反射防止効果を持たせても良い。
に粘着性物質層を形成するための粘着性物質としては、
光線透過率が高く、かつ非液体で粘着性を有するもので
あればよいが、粘着性異物が付着した状態で保持され、
落下しない程度のものが好ましい。粘着性物質の屈折率
が透明薄膜の屈折率以下のもの、350〜450nmの光線によ
り分解しないものが好ましい。また使用する粘着性物質
に反射防止効果を持たせても良い。
このような粘着性物質としては、例えばフッ素系ポリ
マー、シリコン系ポリマーなどがあげられる。フッ素系
ポリマーとしては、アクリル系フッ素ポリマーが好まし
く、例えばCH2＝CHCOOR1あるいはCH2＝Ｃ（CH3）COOR2
〔但しR1、R2は間にエーテル酸素原子を含んでいてもよ
いフルオロアルキル基〕から選ばれるモノマーの少なく
とも１種からなるポリフルオロ（メタ）アクリレート、
すなわち含フッ素アクリレート類の単独重合体、共重合
体、含フッ素メタクリレート類の単独重合体、共重合
体、含フッ素アクリレート類と含フッ素メタクリレート
類との共重合体が好ましく、R1およびR2のフルオロアル
キル基の種類、共重合組成物等を適宜変化させることに
よって所望のフッ素含有率のポリマーを使用することが
できる。
マー、シリコン系ポリマーなどがあげられる。フッ素系
ポリマーとしては、アクリル系フッ素ポリマーが好まし
く、例えばCH2＝CHCOOR1あるいはCH2＝Ｃ（CH3）COOR2
〔但しR1、R2は間にエーテル酸素原子を含んでいてもよ
いフルオロアルキル基〕から選ばれるモノマーの少なく
とも１種からなるポリフルオロ（メタ）アクリレート、
すなわち含フッ素アクリレート類の単独重合体、共重合
体、含フッ素メタクリレート類の単独重合体、共重合
体、含フッ素アクリレート類と含フッ素メタクリレート
類との共重合体が好ましく、R1およびR2のフルオロアル
キル基の種類、共重合組成物等を適宜変化させることに
よって所望のフッ素含有率のポリマーを使用することが
できる。
ここで前記式におけるR1、R2としては、−CH2CF3、−
CH2C2F5、−CH2C3F7、−CH2C4F9、−CH2C5F11、−CH2C7
F15、−CH2C8F17、−CH2C9F19、−CH2C10F21、−CH2CH2
CF3、−CH2CH2C2F5、−CH2CH2C3F7、−CH2CH2C4F9、−C
H2CH2C5F11、−CH2CH2C7F15、−CH2CH2C8F17、−CH2CH2
C9F19、−CH2CH2C10F21、−CH2（CF2）2H、−CH2（C
F2）4H、−CH2（CF2）6H、−CH2（CF2）8H、−CH2（C
F2）10H、−CH（CF3）２、−CF（CF3）２、−（CH2）5O
CF（CF3）２、−（CH2）11OCF（CF3）２、−CH2O（C
F2）OCF3、−CH2O（CF2）OC2F5、−CH2O（CF2）2OC
3F7、−CH2O（CF2）2OC4F9などが例示できる。
CH2C2F5、−CH2C3F7、−CH2C4F9、−CH2C5F11、−CH2C7
F15、−CH2C8F17、−CH2C9F19、−CH2C10F21、−CH2CH2
CF3、−CH2CH2C2F5、−CH2CH2C3F7、−CH2CH2C4F9、−C
H2CH2C5F11、−CH2CH2C7F15、−CH2CH2C8F17、−CH2CH2
C9F19、−CH2CH2C10F21、−CH2（CF2）2H、−CH2（C
F2）4H、−CH2（CF2）6H、−CH2（CF2）8H、−CH2（C
F2）10H、−CH（CF3）２、−CF（CF3）２、−（CH2）5O
CF（CF3）２、−（CH2）11OCF（CF3）２、−CH2O（C
F2）OCF3、−CH2O（CF2）OC2F5、−CH2O（CF2）2OC
3F7、−CH2O（CF2）2OC4F9などが例示できる。
本発明では、このうち50重量％以上のフッ素含有率を
有するポリフルオロ（メタ）アクレートを使用するのが
好ましい。
有するポリフルオロ（メタ）アクレートを使用するのが
好ましい。
これらのうち最も好ましい粘着性物質は、トリフルオ
ロエチルアクリレートとパーフルオロオクチルエチルア
クリレートの共重合体であるポリフルオロアクリレート
である。この共重合体のモノマー（Ａ）のトリフルオロ
エチルアクリレートはCH2＝CHCOOCH2CF3で表わされ、モ
ノマー（Ｂ）のパーフルオロオクチルエチルアクリレー
トはCH2＝CHCOOC2H4C8F17で表わされる。
ロエチルアクリレートとパーフルオロオクチルエチルア
クリレートの共重合体であるポリフルオロアクリレート
である。この共重合体のモノマー（Ａ）のトリフルオロ
エチルアクリレートはCH2＝CHCOOCH2CF3で表わされ、モ
ノマー（Ｂ）のパーフルオロオクチルエチルアクリレー
トはCH2＝CHCOOC2H4C8F17で表わされる。
上記ポリフルオロ（メタ）アクリレートは反射防止作
用も有する。粘着性物質層は上記粘着性物質によりセル
ロース誘導体等の透明薄膜の内側面に形成されるが、そ
の際の膜厚はターゲットとする光の波長の1/4n（ｎは屈
折率）とするのが好ましい。
用も有する。粘着性物質層は上記粘着性物質によりセル
ロース誘導体等の透明薄膜の内側面に形成されるが、そ
の際の膜厚はターゲットとする光の波長の1/4n（ｎは屈
折率）とするのが好ましい。
ペリクル膜の本体となる透明薄膜の外側面には、従来
のものと同様に反射防止層等の層を形成することができ
る。この場合、外側面に形成する反射防止層等の層は非
粘着性物質層とするのが好ましい。非粘着性物質層とし
ては、従来より反射防止層に使用されている非粘着性の
フッ素系ポリマーまたはシリコン系ポリマーなどが使用
可能である。上記のフッ素系ポリマーとしてはテトラフ
ルオロエチレンとビニリデンクロライドの共重合体、テ
トラフルオロエチレンとビニルデンクロライドとヘキサ
フルオロプロピレンの三元共重合体などがあげられる。
のものと同様に反射防止層等の層を形成することができ
る。この場合、外側面に形成する反射防止層等の層は非
粘着性物質層とするのが好ましい。非粘着性物質層とし
ては、従来より反射防止層に使用されている非粘着性の
フッ素系ポリマーまたはシリコン系ポリマーなどが使用
可能である。上記のフッ素系ポリマーとしてはテトラフ
ルオロエチレンとビニリデンクロライドの共重合体、テ
トラフルオロエチレンとビニルデンクロライドとヘキサ
フルオロプロピレンの三元共重合体などがあげられる。
また透明薄膜の内側面および外側面に形成される層は
それぞれ単層でも複層でもよいが、複層の場合は最内層
に粘着性物質層、最外層に非粘着性物質層を形成するこ
とができる。
それぞれ単層でも複層でもよいが、複層の場合は最内層
に粘着性物質層、最外層に非粘着性物質層を形成するこ
とができる。
粘着性物質層を有するペリクル膜を製造する方法は、
セルロース誘導体透明薄膜に、ポリフルオロアクリレー
トからなる粘着性物質層を形成する場合について説明す
ると、次のように行われる。
セルロース誘導体透明薄膜に、ポリフルオロアクリレー
トからなる粘着性物質層を形成する場合について説明す
ると、次のように行われる。
すなわち、まずガラス等の平滑な基板上にセルロース
誘導体溶液を供給し、回転製膜法によってセルロース誘
導体の透明薄膜を形成する。セルロース誘導体は良溶媒
に溶解し、必要に応じて濾過等の精製を行った溶液を使
用する。溶媒としてはメチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、メチルエチルケトン、アセトン等のケト
ン類、酢酸ブチル、酢酸イソブチル等の低級脂肪酸エス
テル類、これらの溶媒とイソプロピルアルコール等のア
ルコール類との混合物などが使用される。形成される透
明薄膜の厚みは、溶液粘度や基板の回転速度を変化させ
ることにより適宜変化させることができる。
誘導体溶液を供給し、回転製膜法によってセルロース誘
導体の透明薄膜を形成する。セルロース誘導体は良溶媒
に溶解し、必要に応じて濾過等の精製を行った溶液を使
用する。溶媒としてはメチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、メチルエチルケトン、アセトン等のケト
ン類、酢酸ブチル、酢酸イソブチル等の低級脂肪酸エス
テル類、これらの溶媒とイソプロピルアルコール等のア
ルコール類との混合物などが使用される。形成される透
明薄膜の厚みは、溶液粘度や基板の回転速度を変化させ
ることにより適宜変化させることができる。
基板上に形成されたセルロース誘導体透明薄膜は、熱
風や赤外線ランプ照射等の手段によって乾燥させ、残存
溶媒を除去する。
風や赤外線ランプ照射等の手段によって乾燥させ、残存
溶媒を除去する。
次いで、乾燥されたセルロース誘導体薄膜上に前記ポ
リフルオロアクリレート等の粘着性物質溶液を供給し、
セルロース誘導体薄膜と同様に回転性膜法によりフッ素
ポリマーからなる粘着性物質層を形成する。この際、ポ
リフルオロアクリレートを溶解させる溶媒は、メタキシ
レンヘキサフルオライド ベンゾトリフルオライド および五フッ化プロパノールの中から選ばれ、これらの
中でもとくにメタキシレンヘキサフルオライドが好まし
い。これら特定の溶媒を使用することにより、回転製膜
性の良好なポリフルオロアクリレート溶液が得られるう
え、ポリフルオロアクリレート反射防止膜形成時に、基
層となるセルロース誘導体薄膜を溶解させたり膨潤させ
たりする悪影響を防止できる。
リフルオロアクリレート等の粘着性物質溶液を供給し、
セルロース誘導体薄膜と同様に回転性膜法によりフッ素
ポリマーからなる粘着性物質層を形成する。この際、ポ
リフルオロアクリレートを溶解させる溶媒は、メタキシ
レンヘキサフルオライド ベンゾトリフルオライド および五フッ化プロパノールの中から選ばれ、これらの
中でもとくにメタキシレンヘキサフルオライドが好まし
い。これら特定の溶媒を使用することにより、回転製膜
性の良好なポリフルオロアクリレート溶液が得られるう
え、ポリフルオロアクリレート反射防止膜形成時に、基
層となるセルロース誘導体薄膜を溶解させたり膨潤させ
たりする悪影響を防止できる。
粘着性物質層の厚みは、セルロース誘導体薄膜と同様
に溶液粘度、基板の回転速度等を適宜変化させることに
より制御できる。粘着性物質層も前記と同様に乾燥さ
れ、非液体の粘着性物質層とされる。
に溶液粘度、基板の回転速度等を適宜変化させることに
より制御できる。粘着性物質層も前記と同様に乾燥さ
れ、非液体の粘着性物質層とされる。
一方、片面に粘着性物質層および他の面に非粘着性物
質層を有するペリクル膜を製造する場合には、上記によ
り得られた片面に粘着性物質層を有する透明薄膜を基板
から剥離して仮枠に貼付け、粘着性物質層の形成されて
いない面に、例えばテトラフルオロエチレン／ビニルデ
ンクロライド／ヘキサフルオロプロピレン三元共重合体
（50/29/21重量比）をパーフルオロ−２−メチル−１−
オキシ−３−チアシクロヘキサン−3,3−ジオキシド等
の溶媒に溶解した溶液を塗布して、非粘着性物質層から
なる反射防止層を形成することができる。
質層を有するペリクル膜を製造する場合には、上記によ
り得られた片面に粘着性物質層を有する透明薄膜を基板
から剥離して仮枠に貼付け、粘着性物質層の形成されて
いない面に、例えばテトラフルオロエチレン／ビニルデ
ンクロライド／ヘキサフルオロプロピレン三元共重合体
（50/29/21重量比）をパーフルオロ−２−メチル−１−
オキシ−３−チアシクロヘキサン−3,3−ジオキシド等
の溶媒に溶解した溶液を塗布して、非粘着性物質層から
なる反射防止層を形成することができる。
また粘着性物質層および非粘着性物質層を有するペリ
クル膜を連続的に製造する方法としては、ガラス等の平
滑基板上にポリフルオロアクリレート溶液（但し、溶媒
はとくに前述の溶媒に限定されず、同ポリマーを溶解で
きるものであればよい）を供給し、回転製膜法によって
ポリフルオロアクリレート薄膜を形成し、熱風や赤外線
ランプ照射等の手段によって乾燥させ、残存溶媒を除去
する。その後、この薄膜上に前記と同様の操作を行っ
て、セルロース誘導体の透明薄膜を形成したのち、さら
にテトラフルオロエチレン／ビニリデンクロライド／ヘ
キサフルオロプロピレン三元共重合体溶液を供給して比
粘着製物質層を形成し、三層構造のペリクル膜を製造で
きる。
クル膜を連続的に製造する方法としては、ガラス等の平
滑基板上にポリフルオロアクリレート溶液（但し、溶媒
はとくに前述の溶媒に限定されず、同ポリマーを溶解で
きるものであればよい）を供給し、回転製膜法によって
ポリフルオロアクリレート薄膜を形成し、熱風や赤外線
ランプ照射等の手段によって乾燥させ、残存溶媒を除去
する。その後、この薄膜上に前記と同様の操作を行っ
て、セルロース誘導体の透明薄膜を形成したのち、さら
にテトラフルオロエチレン／ビニリデンクロライド／ヘ
キサフルオロプロピレン三元共重合体溶液を供給して比
粘着製物質層を形成し、三層構造のペリクル膜を製造で
きる。
このようにして、基板上に形成された粘着性物質層を
有するペリクル膜はペリクルとして使用するために基板
から剥離する。この場合、たとえば基板上に形成される
積層膜の最外層すなわち外気と接しているポリフルオロ
アクリレート膜上にセロハンテープや接着剤を塗布した
枠状治具をあてがって接着し、セロハンテープや枠状治
具を手や機械的手段によって一端から持ち上げることに
よって基板上から直接引き剥すことができる。この際、
セルロース誘導体層とポリフルオロアクリレート層の層
間接着力が大きいので、膜が分離することなく引き剥さ
れ、こうして得られたペリクル膜はペリクル膜に張付け
てペリクルが形成される。
有するペリクル膜はペリクルとして使用するために基板
から剥離する。この場合、たとえば基板上に形成される
積層膜の最外層すなわち外気と接しているポリフルオロ
アクリレート膜上にセロハンテープや接着剤を塗布した
枠状治具をあてがって接着し、セロハンテープや枠状治
具を手や機械的手段によって一端から持ち上げることに
よって基板上から直接引き剥すことができる。この際、
セルロース誘導体層とポリフルオロアクリレート層の層
間接着力が大きいので、膜が分離することなく引き剥さ
れ、こうして得られたペリクル膜はペリクル膜に張付け
てペリクルが形成される。
こうして製造されたペリクルは、従来のものと同様に
フォトマスクまたはレチクルに重ねて露光時の防塵カバ
ーとして使用される。ペリクルの製造に際しては、ゴミ
等の異物が付着しないようにして製造されるが、誤って
持込まれた異物は粘着性物質層に付着し、フォトマスク
等の上に落下しない。ペリクルの外側面に付着した異物
はエアブロー等により除去されるが、内側面に付着した
異物は、粘着性物質層に付着したまた落下しなければ、
約50μｍ以下のものは転写面に像を結ばないため転写さ
れず、不良LSI製造の原因とならない。
フォトマスクまたはレチクルに重ねて露光時の防塵カバ
ーとして使用される。ペリクルの製造に際しては、ゴミ
等の異物が付着しないようにして製造されるが、誤って
持込まれた異物は粘着性物質層に付着し、フォトマスク
等の上に落下しない。ペリクルの外側面に付着した異物
はエアブロー等により除去されるが、内側面に付着した
異物は、粘着性物質層に付着したまた落下しなければ、
約50μｍ以下のものは転写面に像を結ばないため転写さ
れず、不良LSI製造の原因とならない。
以下、本発明の実施例を図面により説明する。第１図
は実施例のペリクルを示す一部の断面図である。図にお
いて、１はペリクルで、ペリクル枠２の一側面にペリク
ル膜３が張設されている。ペリクル膜３の内側面には粘
着性物質層４が形成され、外側面には非粘着性物質層５
が形成されており、反射防止層としても利用されてい
る。ペリクル枠２の内側面および下側面にも粘着性物質
層６、７が形成されており、粘着性物質層７はフォトマ
スク、レチクル等の披着体８との接着に使用されてい
る。
は実施例のペリクルを示す一部の断面図である。図にお
いて、１はペリクルで、ペリクル枠２の一側面にペリク
ル膜３が張設されている。ペリクル膜３の内側面には粘
着性物質層４が形成され、外側面には非粘着性物質層５
が形成されており、反射防止層としても利用されてい
る。ペリクル枠２の内側面および下側面にも粘着性物質
層６、７が形成されており、粘着性物質層７はフォトマ
スク、レチクル等の披着体８との接着に使用されてい
る。
上記構成のペリクル１は粘着性物質層７を利用して被
着体８に接着して露光時の防塵カバーとして使用され
る。このとき非粘着性物質層５に付着する異物はエアブ
ロー等により除去されるが、粘着性物質層４、６に付着
する異物はそのまま付着した状態で落下せず、露光を妨
害しない。
着体８に接着して露光時の防塵カバーとして使用され
る。このとき非粘着性物質層５に付着する異物はエアブ
ロー等により除去されるが、粘着性物質層４、６に付着
する異物はそのまま付着した状態で落下せず、露光を妨
害しない。
実施例、比較例 ニトロセルロースをメチルイソブチルケトンに溶解さ
せて６重量％溶液とした。またトリフルオロエチルアク
リレートとパーフルオロオクチルエチルアクリレートの
共重合体（トリフルオロエチルアクリレート67モル％、
パーフルオロオクチルエチルアクリレート33モル％、フ
ッ素含有率52.8重量％）をメタキシレンヘキサフルオラ
イドに溶解させて1.0重量％溶液とした。
せて６重量％溶液とした。またトリフルオロエチルアク
リレートとパーフルオロオクチルエチルアクリレートの
共重合体（トリフルオロエチルアクリレート67モル％、
パーフルオロオクチルエチルアクリレート33モル％、フ
ッ素含有率52.8重量％）をメタキシレンヘキサフルオラ
イドに溶解させて1.0重量％溶液とした。
回転塗布法により、基板上に上記フッ素ポリマー溶液
を滴下し、500RPMで60秒間回転させて製膜し、粘着性物
質層を形成したのち、ニトロセルロースの透明薄膜を形
成し乾燥させた。さらにテトラフルオロエチレン／ビニ
リデンクロライド／ヘキサフルオロプロピレン三元共重
合体（50/29/21重量比）をパーフルオロ−２−メチル−
１−オキシ−３−チアシクロヘキサン−3,3−ジオキシ
ドに0.6重量％の濃度で溶解した溶液を滴下して非粘着
性物質層を形成した。このペクリル膜を基板より剥離
し、粘着性物質層が内側面にくるようにペクリル枠に張
設してペリクルを得た。
を滴下し、500RPMで60秒間回転させて製膜し、粘着性物
質層を形成したのち、ニトロセルロースの透明薄膜を形
成し乾燥させた。さらにテトラフルオロエチレン／ビニ
リデンクロライド／ヘキサフルオロプロピレン三元共重
合体（50/29/21重量比）をパーフルオロ−２−メチル−
１−オキシ−３−チアシクロヘキサン−3,3−ジオキシ
ドに0.6重量％の濃度で溶解した溶液を滴下して非粘着
性物質層を形成した。このペクリル膜を基板より剥離
し、粘着性物質層が内側面にくるようにペクリル枠に張
設してペリクルを得た。
このペリクルの内側に５〜10μｍの異物を12個付けた
後石英基板に貼り付け、5cmの高さから３回落下させ
て、その異物を調べたところ、落下前に付いていた位置
から変っておらず、石英基板上に落下してもいなかっ
た。
後石英基板に貼り付け、5cmの高さから３回落下させ
て、その異物を調べたところ、落下前に付いていた位置
から変っておらず、石英基板上に落下してもいなかっ
た。
一方、ニトロセルロース単独のペリクルを用いて同様
の実験を行ったところ（付着異物８個）、石英基板上に
３個落下していた。またペリクル上の残り５個の異物の
付着位置も変化していた。
の実験を行ったところ（付着異物８個）、石英基板上に
３個落下していた。またペリクル上の残り５個の異物の
付着位置も変化していた。
以上の通り、本発明によれば、ペリクル膜の内側面に
粘着性物質層を形成したので、ペリクルの内側に付着し
た異物がフォトマスク等の被着体上に落下して露光を妨
害するのを防止することができる。また粘着性物質層は
非液体であるため、垂れ、にじみ、浸透等によるマスク
等の汚染を防止することができる。
粘着性物質層を形成したので、ペリクルの内側に付着し
た異物がフォトマスク等の被着体上に落下して露光を妨
害するのを防止することができる。また粘着性物質層は
非液体であるため、垂れ、にじみ、浸透等によるマスク
等の汚染を防止することができる。
第１図は実施例のペリクルを示す一部の断面図であり、
１はペリクル、２はペリクル枠、３はペリクル膜、４、
６、７は粘着性物質層、５は非粘着性物質層、８は被着
体である。
１はペリクル、２はペリクル枠、３はペリクル膜、４、
６、７は粘着性物質層、５は非粘着性物質層、８は被着
体である。
Claims (3)
- 【請求項１】ペリクル枠と、ペリクル枠の一側面に張設
された透明薄膜からなるペリクル膜と、このペリクル膜
の内側面に形成された光線透過率の高い非液体粘着性物
質層とを有するペリクル。 - 【請求項２】粘着性物質の屈折率がペリクル膜本体の屈
折率以下である特許請求の範囲第１項記載のペリクル。 - 【請求項３】粘着性物質がアクリル系フッ素ポリマーで
ある特許請求の範囲第１項または第２項記載のペリク
ル。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27962787A JP2535971B2 (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | ペリクル |
| DE88310357T DE3883707T2 (de) | 1987-11-05 | 1988-11-03 | Membranabdeckung. |
| KR1019880014436A KR910004848B1 (ko) | 1987-11-05 | 1988-11-03 | 박 피(pellicle) |
| EP88310357A EP0315450B1 (en) | 1987-11-05 | 1988-11-03 | Pellicle |
| AT88310357T ATE93978T1 (de) | 1987-11-05 | 1988-11-03 | Membranabdeckung. |
| CA000582249A CA1305627C (en) | 1987-11-05 | 1988-11-04 | Pellicle |
| US07/267,380 US4996106A (en) | 1987-11-05 | 1988-11-04 | Pellicle |
| MYPI88001262A MY103634A (en) | 1987-11-05 | 1988-11-04 | Pellicle |
| SG48394A SG48394G (en) | 1987-11-05 | 1994-04-09 | Pellicle |
| HK84494A HK84494A (en) | 1987-11-05 | 1994-08-18 | Pellicle |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27962787A JP2535971B2 (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | ペリクル |
| SG48394A SG48394G (en) | 1987-11-05 | 1994-04-09 | Pellicle |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120555A JPH01120555A (ja) | 1989-05-12 |
| JP2535971B2 true JP2535971B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=26553411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4996106A (ja) |
| EP (1) | EP0315450B1 (ja) |
| JP (1) | JP2535971B2 (ja) |
| DE (1) | DE3883707T2 (ja) |
| HK (1) | HK84494A (ja) |
| SG (1) | SG48394G (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5573930A (en) * | 1985-02-05 | 1996-11-12 | Cetus Oncology Corporation | DNA encoding various forms of colony stimulating factor-1 |
| US6156300A (en) * | 1985-02-05 | 2000-12-05 | Chiron Corporation | Point mutants of N∇2 CSF-1 and carboxy truncated fragments thereof |
| US6146851A (en) * | 1985-02-05 | 2000-11-14 | Chiron Corporation | DNA encoding NV2 (long form) and carboxy truncated fragments thereof |
| US5339197A (en) * | 1989-03-31 | 1994-08-16 | Yen Yung Tsai | Optical pellicle with controlled transmission peaking |
| US4970099A (en) * | 1989-05-19 | 1990-11-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Perfluoropolymer coated pellicles |
| JP2714450B2 (ja) * | 1989-08-10 | 1998-02-16 | ダイセル化学工業株式会社 | 防塵膜 |
| DE69130280T2 (de) * | 1990-10-16 | 1999-04-08 | Mitsui Chemicals, Inc., Tokio/Tokyo | Verwendung eines hochlichtdurchlässigen staubschützenden Films, Verfahren zu dessen Herstellung und staubschützendes Element |
| JP3037745B2 (ja) * | 1990-11-29 | 2000-05-08 | 三井化学株式会社 | ペリクル構造体 |
| WO1992021066A1 (en) * | 1991-05-17 | 1992-11-26 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Pressure relieving pellicle |
| JP2938636B2 (ja) * | 1991-09-26 | 1999-08-23 | 信越化学工業株式会社 | リソグラフィ−用ペリクル |
| JP2945201B2 (ja) * | 1992-01-31 | 1999-09-06 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル |
| US5422704A (en) * | 1992-07-13 | 1995-06-06 | Intel Corporation | Pellicle frame |
| KR970003593B1 (en) * | 1992-09-03 | 1997-03-20 | Samsung Electronics Co Ltd | Projection exposure method and device using mask |
| JP3027073B2 (ja) * | 1993-07-28 | 2000-03-27 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル |
| US5741576A (en) * | 1995-09-06 | 1998-04-21 | Inko Industrial Corporation | Optical pellicle with controlled transmission peaks and anti-reflective coatings |
| TW337002B (en) * | 1996-11-19 | 1998-07-21 | Mitsui Kagaku Kk | Pellicle |
| JP4011687B2 (ja) * | 1997-10-01 | 2007-11-21 | キヤノン株式会社 | マスク構造体、該マスク構造体を用いた露光装置、該マスク構造体を用いた半導体デバイス製造方法 |
| JP3434731B2 (ja) * | 1999-06-09 | 2003-08-11 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | ペリクル及びそのケース |
| US7351503B2 (en) * | 2001-01-22 | 2008-04-01 | Photronics, Inc. | Fused silica pellicle in intimate contact with the surface of a photomask |
| US6524754B2 (en) | 2001-01-22 | 2003-02-25 | Photronics, Inc. | Fused silica pellicle |
| KR20100049445A (ko) * | 2008-11-03 | 2010-05-12 | (주)엠에스티테크놀로지 | 리소그래피용 펠리클 |
| CN104471479B (zh) * | 2012-08-02 | 2019-01-18 | 三井化学株式会社 | 防护膜组件 |
| EP3472887A1 (en) * | 2016-06-20 | 2019-04-24 | Solvay SA | Fluoropolymer film |
| US12474630B2 (en) | 2019-12-13 | 2025-11-18 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle demounting method and pellicle demounting preprocessing device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4470508A (en) * | 1983-08-19 | 1984-09-11 | Micro Lithography, Inc. | Dustfree packaging container and method |
| JPS6057841A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-03 | Hitachi Ltd | 異物固定方法及び装置 |
| JPS60237450A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-26 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 非反射性フオトマスク・レチクル用防塵カバ−体及びその製造方法 |
| US4833051A (en) * | 1984-08-20 | 1989-05-23 | Nippon Kogaku K.K. | Protective device for photographic masks |
| EP0252574A2 (en) * | 1986-07-07 | 1988-01-13 | YEN, Yung-Tsai | Method and apparatus for reducing particulates on photomasks |
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-
1987
- 1987-11-05 JP JP27962787A patent/JP2535971B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-11-03 DE DE88310357T patent/DE3883707T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-03 EP EP88310357A patent/EP0315450B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-11-04 US US07/267,380 patent/US4996106A/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-04-09 SG SG48394A patent/SG48394G/en unknown
- 1994-08-18 HK HK84494A patent/HK84494A/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
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| HK84494A (en) | 1994-08-26 |
| EP0315450A2 (en) | 1989-05-10 |
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| DE3883707T2 (de) | 1993-12-16 |
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