JP2514981B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2514981B2 JP2514981B2 JP62230354A JP23035487A JP2514981B2 JP 2514981 B2 JP2514981 B2 JP 2514981B2 JP 62230354 A JP62230354 A JP 62230354A JP 23035487 A JP23035487 A JP 23035487A JP 2514981 B2 JP2514981 B2 JP 2514981B2
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- epoxy resin
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、信頼性の優れた半導体装置に関するもの
である。
である。
トランジスタ,IC,LSI等の半導体素子は、通常セラミ
ツクパツケージもしくはプラスチツクパツケージ等によ
り封止され半導体装置化されている。上記セラミツクパ
ツケージは、構成材料そのものが耐熱性を有し、しか
も、透湿性が小さいうえに中空パツケージであるため、
耐熱性，耐湿性に優れた封止が可能である。しかし、構
成材料が比較的高価であることと、量産性に劣る欠点が
ある。したがつて、最近では、コスト，量産性の観点か
らプラスチツクパツケージを用いた樹脂封止が主流にな
つている。この種の樹脂封止には、従来からエポキシ樹
脂が使用されており、良好な成績を収めている。しかし
ながら、半導体分野の技術革新によつて集積度の向上と
ともに素子サイズの大形化，配線の微細化が進み、パツ
ケージも小形化，薄形化する傾向にあり、これに伴つて
封止材料に対してより以上の信頼性の向上が要望されて
いる。特に、エポキシ樹脂組成物の、硬化温度から室温
までの冷却による収縮に起因する内部応力がこれら信頼
性を減じているため、内部応力の低減が重要となつてい
る。このような要求に対して、シリコーン系化合物をエ
ポキシ樹脂組成物に添加することにより封止された半導
体装置の内部応力の低減が図られている。
ツクパツケージもしくはプラスチツクパツケージ等によ
り封止され半導体装置化されている。上記セラミツクパ
ツケージは、構成材料そのものが耐熱性を有し、しか
も、透湿性が小さいうえに中空パツケージであるため、
耐熱性，耐湿性に優れた封止が可能である。しかし、構
成材料が比較的高価であることと、量産性に劣る欠点が
ある。したがつて、最近では、コスト，量産性の観点か
らプラスチツクパツケージを用いた樹脂封止が主流にな
つている。この種の樹脂封止には、従来からエポキシ樹
脂が使用されており、良好な成績を収めている。しかし
ながら、半導体分野の技術革新によつて集積度の向上と
ともに素子サイズの大形化，配線の微細化が進み、パツ
ケージも小形化，薄形化する傾向にあり、これに伴つて
封止材料に対してより以上の信頼性の向上が要望されて
いる。特に、エポキシ樹脂組成物の、硬化温度から室温
までの冷却による収縮に起因する内部応力がこれら信頼
性を減じているため、内部応力の低減が重要となつてい
る。このような要求に対して、シリコーン系化合物をエ
ポキシ樹脂組成物に添加することにより封止された半導
体装置の内部応力の低減が図られている。
このように、シリコーン系化合物をエポキシ樹脂組成
物に添加することにより、封止された半導体装置の内部
応力の低減が図られているが、樹脂硬化体が柔軟化され
ることにより、イオン性不純物に起因して耐湿性が低下
するという難点が生じている。このような問題を解決す
る一つの方法として、イオントラツプ剤を使用する方法
がある。上記イオントラツプ剤としては、カチオンを捕
捉するものとアニオンを捕捉するものとがある。カチオ
ントラツプ剤は、半導体装置のアルミニウム配線の陰極
側の腐食を生起するカチオンを捕捉して腐食抑制効果を
奏し、アニオントラツプ剤は陽極側の腐食を抑制する効
果を有している。しかしながら、上記イオントラツプ剤
を使用して耐湿信頼性の向上を図る場合には、アニオン
およびカチオンの双方のトラツプ剤を使用する必要があ
る。片方だけを単独で使用する場合には、アニオンおよ
びカチオンのうちのいずれか一方のイオンが捕捉されず
に残ることとなり、その残存イオンによつて、アルミニ
ウム配線の陰極側もしくは陽極側の腐食が起こり、結
局、耐湿信頼性の向上効果が得られなくなる。しかし、
従来では、このようなアニオンおよびカチオンの双方の
イオンを捕捉し、かつその使用によつて何ら弊害を生じ
ないというようなものが見いだされていないのが実情で
ある。
物に添加することにより、封止された半導体装置の内部
応力の低減が図られているが、樹脂硬化体が柔軟化され
ることにより、イオン性不純物に起因して耐湿性が低下
するという難点が生じている。このような問題を解決す
る一つの方法として、イオントラツプ剤を使用する方法
がある。上記イオントラツプ剤としては、カチオンを捕
捉するものとアニオンを捕捉するものとがある。カチオ
ントラツプ剤は、半導体装置のアルミニウム配線の陰極
側の腐食を生起するカチオンを捕捉して腐食抑制効果を
奏し、アニオントラツプ剤は陽極側の腐食を抑制する効
果を有している。しかしながら、上記イオントラツプ剤
を使用して耐湿信頼性の向上を図る場合には、アニオン
およびカチオンの双方のトラツプ剤を使用する必要があ
る。片方だけを単独で使用する場合には、アニオンおよ
びカチオンのうちのいずれか一方のイオンが捕捉されず
に残ることとなり、その残存イオンによつて、アルミニ
ウム配線の陰極側もしくは陽極側の腐食が起こり、結
局、耐湿信頼性の向上効果が得られなくなる。しかし、
従来では、このようなアニオンおよびカチオンの双方の
イオンを捕捉し、かつその使用によつて何ら弊害を生じ
ないというようなものが見いだされていないのが実情で
ある。
この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、
他の諸特性を損なう事なく、半導体装置の耐湿信頼性を
大幅に向上させることをその目的とする。
他の諸特性を損なう事なく、半導体装置の耐湿信頼性を
大幅に向上させることをその目的とする。
上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置
は、下記（Ａ）〜（Ｅ）成分を含有するエポキシ樹脂組
成物を用いて、半導体素子を封止するという構成をと
る。
は、下記（Ａ）〜（Ｅ）成分を含有するエポキシ樹脂組
成物を用いて、半導体素子を封止するという構成をと
る。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）ノボラツク型フエノール樹脂。
（Ｃ）シリコーン化合物。
（Ｄ）ハイドロタルサイト類化合物。
（Ｅ）五酸化アンチモン。
すなわち、本発明者らは、使用により何ら弊害を生じ
ず、しかも、それぞれアニオン，カチオンに対する良好
な捕捉性能を発揮しうるトラツプ剤を求めて研究を重ね
た。その結果、アニオントラツプ剤としてハイドロタル
サイト類化合物を用い、かつカチオントラツプ剤として
五酸化アンチモン（無水物，含水物）を用い、この両者
を、上記シリコーン化合物と組み合わせて使用すると、
所期の目的を達成しうることを見いだした。
ず、しかも、それぞれアニオン，カチオンに対する良好
な捕捉性能を発揮しうるトラツプ剤を求めて研究を重ね
た。その結果、アニオントラツプ剤としてハイドロタル
サイト類化合物を用い、かつカチオントラツプ剤として
五酸化アンチモン（無水物，含水物）を用い、この両者
を、上記シリコーン化合物と組み合わせて使用すると、
所期の目的を達成しうることを見いだした。
この発明は、エポキシ樹脂（Ａ成分）とノボラツク型
フエノール樹脂（Ｂ成分）とシリコーン化合物（Ｃ成
分）とハイドロタルサイト類化合物（Ｄ成分）と五酸化
アンチモン（Ｅ成分）とを用いて得られるものであつ
て、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレツト状
になつている。
フエノール樹脂（Ｂ成分）とシリコーン化合物（Ｃ成
分）とハイドロタルサイト類化合物（Ｄ成分）と五酸化
アンチモン（Ｅ成分）とを用いて得られるものであつ
て、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレツト状
になつている。
このようなエポキシ樹脂組成物は、特に上記D,E成分
の使用により、耐湿信頼性の極めて優れたプラチツクパ
ツケージになりうるものであり、その使用によつて信頼
度の高い半導体装置が得られるものである。
の使用により、耐湿信頼性の極めて優れたプラチツクパ
ツケージになりうるものであり、その使用によつて信頼
度の高い半導体装置が得られるものである。
上記エポキシ樹脂組成物のＡ成分となるエポキシ樹脂
は、１分子中に平均２個以上のエポキシ基を有するエポ
キシ化合物であれば特に制限するものではない。すなわ
ち、従来の半導体装置の封止樹脂の主流であるノボラツ
ク型エポキシ樹脂、あるいはその他ビスフエノールＡの
ジグリシジルエーテルやその多量体であるエピビス型エ
ポキシ樹脂、ビスフエノールＦ型エポキシ樹脂、脂乾式
エポキシ樹脂も使用可能である。この中で特に好適なフ
エノールノボラツク型エポキシ樹脂としては、通常、エ
ポキシ当量160〜250,軟化点50〜130℃のものが用いら
れ、クレゾールノボラツク型エポキシ樹脂としては、上
記エポキシ当量170〜230,軟化点60〜110℃のものが一般
に用いられる。
は、１分子中に平均２個以上のエポキシ基を有するエポ
キシ化合物であれば特に制限するものではない。すなわ
ち、従来の半導体装置の封止樹脂の主流であるノボラツ
ク型エポキシ樹脂、あるいはその他ビスフエノールＡの
ジグリシジルエーテルやその多量体であるエピビス型エ
ポキシ樹脂、ビスフエノールＦ型エポキシ樹脂、脂乾式
エポキシ樹脂も使用可能である。この中で特に好適なフ
エノールノボラツク型エポキシ樹脂としては、通常、エ
ポキシ当量160〜250,軟化点50〜130℃のものが用いら
れ、クレゾールノボラツク型エポキシ樹脂としては、上
記エポキシ当量170〜230,軟化点60〜110℃のものが一般
に用いられる。
上記Ａ成分のエポキシ樹脂とともに用いられるＢ成分
のノボラツク型フエノール樹脂は、上記エポキシ樹脂の
硬化剤として作用するものであり、水酸基当量が80〜18
0,軟化点が50〜130℃のものを用いることが好ましい。
のノボラツク型フエノール樹脂は、上記エポキシ樹脂の
硬化剤として作用するものであり、水酸基当量が80〜18
0,軟化点が50〜130℃のものを用いることが好ましい。
上記Ａ成分のエポキシ樹脂とＢ成分のノボラツク型フ
エノール樹脂との配合比は、上記エポキシ樹脂中のエポ
キシ基１当量当たりフエノール樹脂中の水酸基が0.8〜
1.2当量となるように配合することが好適である。この
当量比が１に近いほど好結果が得られる。
エノール樹脂との配合比は、上記エポキシ樹脂中のエポ
キシ基１当量当たりフエノール樹脂中の水酸基が0.8〜
1.2当量となるように配合することが好適である。この
当量比が１に近いほど好結果が得られる。
上記Ａ成分とＢ成分とともに用いられるＣ成分のシリ
コーン化合物は、封止樹脂の内部応力の低減に作用する
ものであり、通常、下記の一般式（Ｉ）で表される。
コーン化合物は、封止樹脂の内部応力の低減に作用する
ものであり、通常、下記の一般式（Ｉ）で表される。
このように、Ｃ成分のシリコーン化合物としては、上
記式（Ｉ）で表されるものが好ましく、特にランダム共
重合体を用いることが好ましい。なお、上記式（Ｉ）で
表されるシリコーン化合物と、それ以外のシリコーン化
合物を併用しても支障はない。
記式（Ｉ）で表されるものが好ましく、特にランダム共
重合体を用いることが好ましい。なお、上記式（Ｉ）で
表されるシリコーン化合物と、それ以外のシリコーン化
合物を併用しても支障はない。
上記Ｃ成分のシリコーン化合物の含有量は、Ａ成分の
エポキシ樹脂とＢ成分のノボラツク型フエノール樹脂の
合計量の１〜50重量％（以下「％」と略す）に設定する
ことが好適である。より好適なのは５〜30％である。す
なわち、上記Ｃ成分の添加量が１％を下回ると、充分な
低応力化効果がみられなくなり、逆に50％を上回ると、
樹脂強度の低下がみられるからである。
エポキシ樹脂とＢ成分のノボラツク型フエノール樹脂の
合計量の１〜50重量％（以下「％」と略す）に設定する
ことが好適である。より好適なのは５〜30％である。す
なわち、上記Ｃ成分の添加量が１％を下回ると、充分な
低応力化効果がみられなくなり、逆に50％を上回ると、
樹脂強度の低下がみられるからである。
また、上記Ａ成分,B成分およびＣ成分とともに用いら
れるＤ成分のハイドロタルサイト類化合物は、エポキシ
樹脂組成物中に不純物イオンとして存在するクロルイオ
ンあるいはブロムイオン等のアニオンを有効にトラツプ
する成分である。上記ハイドロタルサイト類化合物は、
例えば、下記の式で表される。
れるＤ成分のハイドロタルサイト類化合物は、エポキシ
樹脂組成物中に不純物イオンとして存在するクロルイオ
ンあるいはブロムイオン等のアニオンを有効にトラツプ
する成分である。上記ハイドロタルサイト類化合物は、
例えば、下記の式で表される。
MgxAly（OH）2x+3y-2z（CO3）２・mH2O その一例として、協和化学工業社製,KW−2000があげ
られる。
られる。
上記ハイドロタルサイト類化合物は、カツプリング剤
で表面処理することによりエポキシ樹脂組成物に対する
分散性が向上し、よりイオントラツプ効果が増すことに
なる。このようなカツプリング剤としては、エポキシシ
ラン，アミノシラン，メルカプトシラン等のシラン系カ
ツプリング剤があげられる。なお、上記カツプリング剤
によるハイドロタルサイト類化合物の表面処理は従来公
知の方法により行われる。
で表面処理することによりエポキシ樹脂組成物に対する
分散性が向上し、よりイオントラツプ効果が増すことに
なる。このようなカツプリング剤としては、エポキシシ
ラン，アミノシラン，メルカプトシラン等のシラン系カ
ツプリング剤があげられる。なお、上記カツプリング剤
によるハイドロタルサイト類化合物の表面処理は従来公
知の方法により行われる。
さらに、上記Ａ成分のエポキシ樹脂、Ｂ成分のノボラ
ツク型フエノール樹脂、Ｃ成分のシリコーン化合物、Ｄ
成分のハイドロタルサイト類化合物とともに用いられる
Ｅ成分の五酸化アンチモンは、Sb2O5で表されるもので
あり、無水物でも、結晶水を含む含水物でもよい。この
ものは、エポキシ樹脂組成物中に存在するナトリウムイ
オン等のカチオンを有効にトラツプする成分である。こ
の一例として東亜合成社製,AK−300（Sb2O5・4H2O）お
よびAHK−600があげられる。
ツク型フエノール樹脂、Ｃ成分のシリコーン化合物、Ｄ
成分のハイドロタルサイト類化合物とともに用いられる
Ｅ成分の五酸化アンチモンは、Sb2O5で表されるもので
あり、無水物でも、結晶水を含む含水物でもよい。この
ものは、エポキシ樹脂組成物中に存在するナトリウムイ
オン等のカチオンを有効にトラツプする成分である。こ
の一例として東亜合成社製,AK−300（Sb2O5・4H2O）お
よびAHK−600があげられる。
上記五酸化アンチモンについても、Ｄ成分のハイドロ
タルサイト類化合物と同様カツプリング剤で表面処理す
るようにしてもよい。
タルサイト類化合物と同様カツプリング剤で表面処理す
るようにしてもよい。
上記Ｄ成分のハイドロタルサイト類化合物の含有量お
よび上記Ｅ成分の五酸化アンチモンの含有量は、それぞ
れ、カツプリング剤による表面処理の有無を問わず、Ａ
成分のエポキシ樹脂とＢ成分のノボラツク型フエノール
樹脂の合計量の１〜10％に設定するのが好ましい。さら
に、Ｄ成分のハイドロタルサイト類化合物とＥ成分の五
酸化アンチモンの合計量が、Ａ成分のエポキシ樹脂とＢ
成分のノボラツク型フエノール樹脂と合計量の15％以下
になるように設定することが好適であり、特に10％以下
になるようにすることが好結果をもたらす。すなわち、
合計量が15％を上回ると、封止樹脂の耐湿信頼性以外の
諸特性に悪影響が現れる傾向がみられるからである。
よび上記Ｅ成分の五酸化アンチモンの含有量は、それぞ
れ、カツプリング剤による表面処理の有無を問わず、Ａ
成分のエポキシ樹脂とＢ成分のノボラツク型フエノール
樹脂の合計量の１〜10％に設定するのが好ましい。さら
に、Ｄ成分のハイドロタルサイト類化合物とＥ成分の五
酸化アンチモンの合計量が、Ａ成分のエポキシ樹脂とＢ
成分のノボラツク型フエノール樹脂と合計量の15％以下
になるように設定することが好適であり、特に10％以下
になるようにすることが好結果をもたらす。すなわち、
合計量が15％を上回ると、封止樹脂の耐湿信頼性以外の
諸特性に悪影響が現れる傾向がみられるからである。
また、この発明では、上記Ａ成分,B成分,C成分,D成分
およびＥ成分以外に必要に応じて硬化促進剤，充填剤，
離型剤等を用いることができる。硬化促進剤としてはフ
エノール硬化エポキシ樹脂の硬化反応の触媒となるもの
は全て用いることができ、例えば、２−メチルイミダゾ
ール、2,4,6−トリ（ジメチルアミノメチル）フエノー
ル、1,8−ジアザビシクロ〔5,4,0〕ウンデセン−７、ト
リフエニルホスフイン等をあげることができる。充填剤
としては、石英ガラス粉，タルク粉等をあげることがで
きる。また、離型剤としては従来公知のステアリン酸，
パルミチン酸等の長鎖カルボン酸、ステアリン酸亜鉛，
ステアリン酸カルシウム等の長鎖カルボン酸の金属塩、
カルナバワツクス，モンタンワツクス等のワツクス類等
を用いることができる。上記硬化促進剤および離型剤と
して例示した化合物は、単独でもしくは併せて用いるこ
とができる。
およびＥ成分以外に必要に応じて硬化促進剤，充填剤，
離型剤等を用いることができる。硬化促進剤としてはフ
エノール硬化エポキシ樹脂の硬化反応の触媒となるもの
は全て用いることができ、例えば、２−メチルイミダゾ
ール、2,4,6−トリ（ジメチルアミノメチル）フエノー
ル、1,8−ジアザビシクロ〔5,4,0〕ウンデセン−７、ト
リフエニルホスフイン等をあげることができる。充填剤
としては、石英ガラス粉，タルク粉等をあげることがで
きる。また、離型剤としては従来公知のステアリン酸，
パルミチン酸等の長鎖カルボン酸、ステアリン酸亜鉛，
ステアリン酸カルシウム等の長鎖カルボン酸の金属塩、
カルナバワツクス，モンタンワツクス等のワツクス類等
を用いることができる。上記硬化促進剤および離型剤と
して例示した化合物は、単独でもしくは併せて用いるこ
とができる。
この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、例えばつぎ
のようにして製造することができる。すなわち、エポキ
シ樹脂（Ａ成分）とノボラツク型フエノール樹脂（Ｂ成
分）とシリコーン化合物（Ｃ成分）とハイドロタルサイ
ト類化合物（Ｄ成分）と五酸化アンチモン（Ｅ成分）お
よび必要に応じて硬化促進剤，充填剤，離型剤を配合
し、常法に準じてドライブレンド法または、溶融ブレン
ド法を適宜採用して混合，混練することにより製造する
ことができる。
のようにして製造することができる。すなわち、エポキ
シ樹脂（Ａ成分）とノボラツク型フエノール樹脂（Ｂ成
分）とシリコーン化合物（Ｃ成分）とハイドロタルサイ
ト類化合物（Ｄ成分）と五酸化アンチモン（Ｅ成分）お
よび必要に応じて硬化促進剤，充填剤，離型剤を配合
し、常法に準じてドライブレンド法または、溶融ブレン
ド法を適宜採用して混合，混練することにより製造する
ことができる。
なお、上記製造過程において、予めエポキシ樹脂（Ａ
成分）もしくはノボラツク型フエノール樹脂（Ｂ成分）
にハイドロタルサイト類化合物（Ｄ成分）および五酸化
アンチモン（Ｅ成分）を溶融混合した後、粉砕し、これ
を用い、上記と同様、他の原料を配合し、ドライブレン
ドまたは溶融ブレンドすることにより製造することも可
能である。この場合、上記配合に先立つてシリコーン化
合物（Ｃ成分）とエポキシ樹脂（Ａ成分）もしくはノボ
ラツク型フエノール樹脂（Ｂ成分）とを予備加熱混合す
ると、シリコーン化合物（Ｃ成分）の樹脂に対するなじ
み性が向上し好ましい。
成分）もしくはノボラツク型フエノール樹脂（Ｂ成分）
にハイドロタルサイト類化合物（Ｄ成分）および五酸化
アンチモン（Ｅ成分）を溶融混合した後、粉砕し、これ
を用い、上記と同様、他の原料を配合し、ドライブレン
ドまたは溶融ブレンドすることにより製造することも可
能である。この場合、上記配合に先立つてシリコーン化
合物（Ｃ成分）とエポキシ樹脂（Ａ成分）もしくはノボ
ラツク型フエノール樹脂（Ｂ成分）とを予備加熱混合す
ると、シリコーン化合物（Ｃ成分）の樹脂に対するなじ
み性が向上し好ましい。
このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体封止
は特に限定されるものではなく、例えば、トランスフア
ー成形等の公知のモールド方法により行うことができ
る。
は特に限定されるものではなく、例えば、トランスフア
ー成形等の公知のモールド方法により行うことができ
る。
このようにして得られる半導体装置は、極めて優れた
耐湿信頼性を有している。
耐湿信頼性を有している。
以上のように、この発明の半導体装置は、シリコーン
化合物を含み、かつアニオントラツプ剤としてハイドロ
タルサイト類化合物を、カチオントラツプ剤として五酸
化アンチモンを含む特殊なエポキシ樹脂組成物によつて
封止されており、その封止プラスチツクパツケージにお
いてアニオン，カチオンの双方が上記トラツプ剤に捕捉
されるため、耐湿信頼性が極めて高い。特に上記特殊な
エポキシ樹脂組成物による封止により、超LSIの封止に
充分対応でき、素子上のAl配線が２μｍ以下の特殊な半
導体装置を、高温高湿下の厳しい条件下に曝しても、高
い信頼性が得られるようになるのであり、これが大きな
特徴である。
化合物を含み、かつアニオントラツプ剤としてハイドロ
タルサイト類化合物を、カチオントラツプ剤として五酸
化アンチモンを含む特殊なエポキシ樹脂組成物によつて
封止されており、その封止プラスチツクパツケージにお
いてアニオン，カチオンの双方が上記トラツプ剤に捕捉
されるため、耐湿信頼性が極めて高い。特に上記特殊な
エポキシ樹脂組成物による封止により、超LSIの封止に
充分対応でき、素子上のAl配線が２μｍ以下の特殊な半
導体装置を、高温高湿下の厳しい条件下に曝しても、高
い信頼性が得られるようになるのであり、これが大きな
特徴である。
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
〔実施例１〜13、比較例１〜６〕 後記の第１表に従つて、各原料を配合し、ミキシング
ロール機（ロール温度100℃）で10分間溶融混練を行
い、冷却固化後粉砕を行つて目的とする微粉末状のエポ
キシ樹脂組成物を得た。
ロール機（ロール温度100℃）で10分間溶融混練を行
い、冷却固化後粉砕を行つて目的とする微粉末状のエポ
キシ樹脂組成物を得た。
〔実施例14〜26、比較例７〜12〕 後記の第１表に示すエポキシシランで表面処理された
ハイドロタルサイト類化合物、かつ同じくエポキシシラ
ンで表面処理された五酸化アンチモンを用いた。それ以
外は実施例１〜13と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得
た。
ハイドロタルサイト類化合物、かつ同じくエポキシシラ
ンで表面処理された五酸化アンチモンを用いた。それ以
外は実施例１〜13と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得
た。
なお、上記実施例および比較例で用いたシリコーン化
合物ａ〜ｆは、第２表の通りである。
合物ａ〜ｆは、第２表の通りである。
以上の実施例および比較例によつて得られた微粉末状
のエポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスフ
アーモールドすることにより半導体装置を得た。このよ
うにして得られた半導体装置について、室温での曲げ試
験、ガラス転移温度Tg、−50℃/5分〜150℃/5分の1000
回の温度サイクルテスト（以下「TCTテスト」と略
す）、ピエゾ抵抗による内部応力、121℃,2気圧の条件
下で10ボルトのバイアスを印加してプレツシヤークツカ
ーバイアステスト（以下「PCBTテスト」と略す）を行つ
た。その結果は第３表のとおりである。
のエポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスフ
アーモールドすることにより半導体装置を得た。このよ
うにして得られた半導体装置について、室温での曲げ試
験、ガラス転移温度Tg、−50℃/5分〜150℃/5分の1000
回の温度サイクルテスト（以下「TCTテスト」と略
す）、ピエゾ抵抗による内部応力、121℃,2気圧の条件
下で10ボルトのバイアスを印加してプレツシヤークツカ
ーバイアステスト（以下「PCBTテスト」と略す）を行つ
た。その結果は第３表のとおりである。
第３表の結果から、実施例品は、各テストの成績がよ
く、特にPCBTテストにおいて陽極および陰極腐食の寿命
が両方そろつて著しく長くなつており、耐湿信頼性が比
較例品に比べて著しく向上していることがわかる。
く、特にPCBTテストにおいて陽極および陰極腐食の寿命
が両方そろつて著しく長くなつており、耐湿信頼性が比
較例品に比べて著しく向上していることがわかる。
Claims (3)
- 【請求項１】下記（Ａ）〜（Ｅ）成分を含有するエポキ
シ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体
装置。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）ノボラツク型フエノール樹脂。 （Ｃ）シリコーン化合物。 （Ｄ）ハイドロタルサイト類化合物。 （Ｅ）五酸化アンチモン。 - 【請求項２】上記Ｄ成分のハイドロタルサイト類化合物
がカツプリング剤で表面処理されている特許請求の範囲
第１項記載の半導体装置。 - 【請求項３】上記Ｅ成分の五酸化アンチモンがカツプリ
ング剤で表面処理されている特許請求の範囲第１項また
は第２項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62230354A JP2514981B2 (ja) | 1987-05-28 | 1987-09-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13431887 | 1987-05-28 | ||
| JP62-134318 | 1987-05-28 | ||
| JP62230354A JP2514981B2 (ja) | 1987-05-28 | 1987-09-14 | 半導体装置 |
Publications (2)
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|---|---|
| JPS6464243A JPS6464243A (en) | 1989-03-10 |
| JP2514981B2 true JP2514981B2 (ja) | 1996-07-10 |
Family
ID=26468448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62230354A Expired - Lifetime JP2514981B2 (ja) | 1987-05-28 | 1987-09-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2514981B2 (ja) |
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-
1987
- 1987-09-14 JP JP62230354A patent/JP2514981B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6464243A (en) | 1989-03-10 |
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