JP2002179773A

JP2002179773A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Info

Publication number: JP2002179773A
Application number: JP2000382101A
Authority: JP
Inventors: Fumihiro Umiga; 文広海賀
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 2000-12-15
Filing date: 2000-12-15
Publication date: 2002-06-26

Abstract

(57)【要約】【課題】成形性、耐湿信頼性、耐半田クラック性、
高温保管性、難燃性に優れ、ハロゲン系難燃剤、アンチ
モン化合物、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム
等の従来の難燃剤を使用しない半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を得ること。【解決手段】一般式（１）で示されるエポキシ樹脂、
一般式（２）で示されるフェノール樹脂、硬化促進剤、
無機充填材、一般式（３）及び／又は一般式（４）で示
される化合物を必須成分とすることを特徴とする半導体
封止用エポキシ樹脂組成物。Ｍｇ_aＡｌ_b（ＯＨ）_c（ＣＯ₃）_d （３）Ｍｇ_xＡｌ_yＯ_z （４）（式中のａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｘ、ｙ、ｚは０．１以上の正
数）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、耐半田クラック性
に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来からダイオード、トランジスタ、集
積回路等の電子部品は、主にエポキシ樹脂組成物を用い
て封止されている。特に集積回路では、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂、及び溶融シリカ、結晶シリカ等の無機
充填材を配合した耐熱性、耐湿性に優れたエポキシ樹脂
組成物が用いられている。ところが近年、集積回路の高
集積化に伴い半導体素子は大型化し、かつ半導体装置は
従来のＤＩＰタイプから表面実装化された小型、薄型の
ＱＦＰ、ＳＯＰ、ＳＯＪ、ＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ、ＰＬＣ
Ｃ、ＢＧＡタイプに変わってきている。即ち、大型の半
導体素子を小型で薄い半導体装置に封入することにな
り、熱応力によるクラックが発生し易く、これらのクラ
ックによる耐湿性の低下等の問題が大きくクローズアッ
プされてきている。特に半田付け工程において、急激に
２００℃以上の高温にさらされることによって、半導体
装置の割れやエポキシ樹脂組成物の硬化物と半導体素子
との界面での剥離といった問題点が出てきている。従っ
てこれらの大型の半導体素子を封入するのに適した、耐
半田クラック性に優れるエポキシ樹脂組成物の開発が望
まれている。一方、半導体装置は自動車等の屋外使用機
器にも多数搭載される様になってきており、屋内機器で
用いられる場合よりも一層厳しい環境に耐え得る信頼性
を要求される様になってきている。よって実装時の熱応
力に耐え得る様にするため、これらの表面実装型の半導
体装置に使用されるエポキシ樹脂組成物は、低粘度性の
樹脂成分を配合し無機充填材を高充填化して、硬化物の
強度を上げ吸湿率を低下させたり、従来のオルソクレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂に替えてより強靱性が得
られるビフェニル型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹
脂や低吸湿性のジシクロペンタジエン変性フェノール型
エポキシ樹脂等の低分子量で官能基の少ない樹脂を用い
る様になってきている。しかし、これらのエポキシ樹脂
の化学構造から、これらのエポキシ樹脂を使用したエポ
キシ樹脂組成物は、硬化物のガラス転移温度が従来より
も低くなるため、高温又は多湿下ではエポキシ樹脂組成
物に含まれるＣｌ^-、Ｂｒ^-、Ｎａ⁺等のイオン性不純物
の影響で半導体回路の腐食が進み易く、他の要求項目で
ある耐湿信頼性、及び１５０℃程度の高温雰囲気下でも
半導体装置がその機能を維持できる保存信頼性（以下、
高温保管性という）に難点がある。

【０００３】又、エポキシ樹脂組成物中には、難燃性を
付与するためにハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化合
物が配合されている。近年、地球環境に配慮した企業活
動の重視によりこれらの物質の削減・撤廃の動きがあ
り、ハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化合物を使用し
ないで、難燃性に優れたエポキシ樹脂組成物の開発が要
求されている。これらに代わる環境対応型の難燃剤とし
ては、水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウム等の金
属水酸化物や赤燐を含むエポキシ樹脂組成物が提案され
る様になってきているが、これらの難燃剤も、これを用
いた半導体装置の耐湿信頼性、高温保管性に影響を及ぼ
し、更には、成形性、硬化性とも、十分に満足の得られ
るエポキシ樹脂組成物が得られないという問題があり、
全ての要求に応えることができなかった。ハロゲン系難
燃剤、及びアンチモン化合物を使用せず、成形性に優
れ、耐半田クラック性、難燃性に優れたエポキシ樹脂組
成物という観点から考慮すると、エポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂として低吸湿性、低弾性特性、及び難燃性を有
する一般式（１）のビフェニレン骨格を有するフェノー
ルアラルキル型エポキシ樹脂や一般式（２）のビフェニ
レン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂を使用した
エポキシ樹脂組成物が知られている。しかし、単にこれ
らのエポキシ樹脂及びフェノール樹脂を用いただけのエ
ポキシ樹脂組成物は、耐半田クラック性が良好である点
では良いが、難燃性については、高い難燃性を有してい
るものの、全く難燃剤を使用せずにＵＬ−９４のＶ−０
を達成するためには、無機充填材を高充填化する必要が
ある。ところが流動性の低下による成形性の低下を考慮
すると、この系のみではＶ−０達成はかなり困難であ
る。又、この系でもイオン性不純物の影響で耐湿信頼
性、高温保管性に難点がある。このため、難燃剤を使用
せずに、流動性を確保しつつも難燃性（ＵＬ−９４のＶ
−０）を有し、なお且つ耐湿信頼性、高温保管性に優れ
たエポキシ樹脂組成物が望まれている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、成形性、耐
湿信頼性、耐半田クラック性、高温保管性を有し、ハロ
ゲン系難燃剤、アンチモン化合物、水酸化アルミニウ
ム、水酸化マグネシウム等の従来の難燃剤を使用してい
ない半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用い
て半導体素子を封止してなる半導体装置を提供するもの
である。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）一般式
（１）で示されるエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（２）で
示されるフェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無
機充填材、及び（Ｅ）一般式（３）で示される化合物及
び／又は一般式（４）で示される化合物を必須成分とす
ることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
及びこのエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止
してなることを特徴とする半導体装置である。

【化３】（式中のＲは、水素原子又は炭素数１〜９までのアルキ
ル基から選択される基であり、互いに同一であっても異
なっていても良い。ｎは平均値で、１〜５の正数）

【０００６】

【化４】（式中のＲは、水素原子又は炭素数１〜９までのアルキ
ル基から選択される基であり、互いに同一であっても異
なっていても良い。ｎは平均値で、１〜５の正数）Ｍｇ_aＡｌ_b（ＯＨ）_c（ＣＯ₃）_d （３）Ｍｇ_xＡｌ_yＯ_z （４）（式中のａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｘ、ｙ、ｚは０．１以上の正
数）

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明で用いられる一般式（１）
で示されるエポキシ樹脂は、１分子中にエポキシ基を２
個以上有し、各エポキシ基間に疎水性の構造を有するこ
とを特徴とする。一般式（１）で示されるエポキシ樹脂
を用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は架橋密度が低
く、疎水性の構造を多く有することから吸湿率が低く、
又、Ｔｇを越えた高温域での弾性率が低いという特徴を
もつため、表面実装の半田付け時における熱応力を低減
し、耐半田クラック性、半田処理後の基材との密着性に
優れるという特徴をもつ。一方、エポキシ基間の疎水性
の構造が剛直なビフェニレン骨格であることから、架橋
密度が低い割には耐熱性の低下が少ないという特徴をも
つ。一般式（１）で示されるエポキシ樹脂の具体例を以
下に示すが、これらに限定されるものではない。特に、
無機充填材を高充填化するためには、常温で結晶性の固
体であり成形温度で溶融粘度が極めて低くなる様な結晶
性を有するものが好ましい。

【化５】又、これらのエポキシ樹脂は単独でも２種類以上併用し
て用いても差し支えない。一般式（１）で示されるエポ
キシ樹脂の特徴を損なわない範囲で、他のエポキシ樹脂
を併用しても差し支えない。併用できるエポキシ樹脂と
しては、分子内にエポキシ基を有するモノマー、オリゴ
マー、及びポリマー全般を言い、例えば、ビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ
樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラ
ック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ
樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂（フェニレ
ン骨格、ビフェニレン骨格等を有する）、ジシクロペン
タジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、トリフェノー
ルメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノール
メタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂
等が挙げられ、これらは単独でも２種類以上併用して用
いても差し支えない。一般式（１）で示されるエポキシ
樹脂の配合量としては、全エポキシ樹脂中に５０％重量
以上が好ましく、更に好ましくは７０重量％以上であ
る。５０重量％未満だとエポキシ樹脂組成物が燃焼し易
くなったり、吸湿率、弾性率が増大し、耐半田クラック
性を低下させる可能性がある。又、一般式（２）で示さ
れるフェノール樹脂を用いたり、無機充填材の配合量を
増加すれば、全エポキシ樹脂中の一般式（１）で示され
るエポキシ樹脂の配合量を下げても、難燃性が保たれ
る。

【０００８】本発明に用いられる一般式（２）で示され
るフェノール樹脂は、１分子中にフェノール性水酸基を
２個以上有し、各フェノール性水酸基間に疎水性の構造
を有することを特徴とする。エポキシ樹脂との硬化物は
架橋密度が低く、疎水性の構造を多く有することから吸
湿率が低く、又、Ｔｇを越えた高温域での弾性率が低い
という特徴をもつため、表面実装の半田付け時における
熱応力を低減し、耐半田クラック性、半田処理後の基材
との密着性に優れるという特徴をもつ。一方、フェノー
ル性水酸基間の疎水性の構造が剛直なビフェニレン骨格
であることから、架橋密度が低い割には耐熱性の低下が
少ないという特徴をもつ。一般式（１）で示されるエポ
キシ樹脂と一般式（２）で示されるフェノール樹脂とを
組み合わせた場合には、半導体装置の低吸湿性、吸湿後
半田処理での耐半田クラック性、密着性などの信頼性で
最大の効果が得られる。一般式（２）で示されるフェノ
ール樹脂の具体例を以下に示すが、これに限定されるも
のでない。

【化６】又、これらのフェノール樹脂は単独でも２種類以上併用
して用いても差し支えない。一般式（２）で示されるフ
ェノール樹脂の特徴を損なわない範囲で、他のフェノー
ル樹脂を併用しても差し支えない。併用できるフェノー
ル樹脂としては、分子内にフェノール性水酸基を有する
モノマー、オリゴマー、及びポリマー全般を言い、例え
ば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック
樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキ
ル樹脂（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有す
る）、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジ
エン変性フェノール樹脂、ビスフェノールＡ、トリフェ
ノールメタン型樹脂等が挙げられる。これらは単独でも
２種類以上併用して用いても差し支えない。一般式
（２）で示されるフェノール樹脂の配合量としては、全
フェノール樹脂中に５０重量％以上が好ましく、更に好
ましくは７０重量％以上である。５０重量％未満だと燃
焼しやすくなったり、吸湿率、弾性率が増大し、耐半田
クラック性を低下させる可能性がある。又、一般式
（１）で示されるエポキシ樹脂を用いたり、無機充填材
の配合量を増加すれば、全フェノール樹脂中の一般式
（２）で示されるフェノール樹脂の配合量を下げても、
難燃性が保たれる。一般式（１）で示されるエポキシ樹
脂と一般式（２）で示されるフェノール樹脂とを組合せ
て用いた場合には、半導体装置の低吸湿性、吸湿後の半
田処理での耐半田クラック性、密着性等の信頼性で最大
の効果が得られるので好ましい。全エポキシ樹脂のエポ
キシ基と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基の当量
比については、エポキシ基数／フェノール性水酸基数＝
０．７〜１．５が好ましく、０．７未満であっても、
１．５を越えても、エポキシ樹脂組成物の硬化性の低
下、或いは硬化物のＴｇの低下、耐湿信頼性の低下等が
生じる可能性がある。

【０００９】本発明に用いる硬化促進剤は、エポキシ基
とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させるもので
あればよく、一般に封止材料に使用されているものを広
く使用することができる。例えば、トリブチルアミン、
１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７
等のアミン系化合物、テトラフェニルホスホニウム・テ
トラナフトイックアシッドボレート、トリフェニルホス
フィン等の有機リン系化合物、２−メチルイミダゾール
等のイミダゾール化合物等が挙げられ、これらの内で
は、特に１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデ
セン−７が各種基材に対する密着性の向上のために有効
であり、更にテトラフェニルホスホニウム・テトラナフ
トイックアシッドボレートはエポキシ樹脂組成物の常温
保管特性を大幅に向上させる効果がある。これらの硬化
促進剤は、単独でも２種類以上併用して用いても差し支
えない。

【００１０】本発明で用いられる無機充填材は、例え
ば、溶融シリカ、球状シリカ、結晶シリカ、２次凝集シ
リカ、多孔質シリカ、２次凝集シリカ又は多孔質シリカ
を粉砕したシリカ、アルミナ、窒化珪素等が挙げられる
が、溶融シリカ、結晶シリカが好ましい。又、無機充填
材の形状としては、破砕状でも球状でもかまわないが、
耐半田クラック性を向上させるために高充填化する点
や、流動特性、機械強度及び熱的特性のバランスの点か
らは、球状溶融シリカが好ましい。最大粒径としては７
５μｍ以下が好ましく、平均粒径としては５〜２５μｍ
が好ましい。粒度分布としては広いものが、成形時のエ
ポキシ樹脂組成物の溶融粘度を低減するために有効であ
る。これらの無機充填材は単独でも２種類以上併用して
用いても差し支えない。更に、シランカップリング剤等
で予め表面処理をしたものを用いてもよい。無機充填材
の含有量としては、全エポキシ樹脂組成物中に６５〜９
５重量％が好ましい。６５重量％未満だと、エポキシ樹
脂組成物の硬化物の吸湿量が増大し、しかも半田処理温
度での強度が低下してしまうため半田処理時に半導体装
置にクラックが生じ易くなり、一方、９５重量％を越え
ると、エポキシ樹脂組成物の成形時の流動性が低下し未
充填やチップシフト、パッドシフトが発生し易くなる可
能性がある。

【００１１】本発明に用いられる一般式（３）で示され
る化合物、一般式（４）で示される化合物は、エポキシ
樹脂組成物中に含まれるイオン性不純物を捕捉する作用
を有する。一般式（４）で示される化合物は、一般式
（３）で示されるハイドロタルサイト類化合物を焼成し
て得ることもできる。又、一般式（３）で示される化合
物、一般式（４）で示される化合物は、結晶水を有して
いてもよい。これらは単独でも２種類以上併用して用い
ても差し支えない。一般式（３）で示される化合物、一
般式（４）で示される化合物は、イオン性不純物を捕捉
すると自身の中にイオン性不純物を吸収する構造とな
り、イオン性不純物を捕捉して不活性化させる。従っ
て、これらを配合したエポキシ樹脂組成物は、イオン性
不純物による半導体回路の腐食を抑え、耐湿信頼性、高
温保管性の向上が認められる。一般式（４）で示される
化合物は、一般式（３）で示されるハイドロタルサイト
類化合物と比較するとイオン捕捉能が高く、耐湿信頼性
や高温保管性の向上には効果が高いが、一方では、その
分子構造上、粒子間に隙間がたくさんあるため多湿下で
は吸湿性が高くなり、耐半田クラック性を低下させ易い
ので、配合量には注意を払う必要がある。又、一般式
（３）で示される化合物、一般式（４）で示される化合
物は、若干の難燃性を付与する効果もある。これらの難
燃剤としての効果は、従来の難燃剤として使用される水
酸化アルミニウムや水酸化マグネシウム等には及ばない
が、難燃機構は水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウ
ム等と同様で、燃焼時に燃焼反応を阻害するものであ
る。本発明の一般式（１）のエポキシ樹脂及び一般式
（２）のフェノール樹脂を使用したエポキシ樹脂組成物
は高い難燃性を示すものの、一般式（１）のエポキシ樹
脂と一般式（２）のフェノール樹脂との系のみでは、Ｕ
Ｌ−９４のＶ−０という難燃性を達成するまでには至ら
ない。そこで、このエポキシ樹脂組成物中に一般式
（３）で示される化合物及び／又は一般式（４）で示さ
れる化合物を用いると難燃性が向上しＵＬ−９４のＶ−
０を達成することが可能となる。

【００１２】一般式（３）で示される化合物及び一般式
（４）で示される化合物は、流動性、充填性を考慮する
と、最大粒径としては７５μｍ以下が好ましく、平均粒
径は０．５〜２５μｍが好ましい。粒度分布の広いもの
が、成形時のエポキシ樹脂組成物の溶融粘度を低減する
ために有効である。又、一般式（３）で示される化合物
と一般式（４）で示される化合物との合計量としては、
全エポキシ樹脂組成物中に０．０５〜５重量％が好まし
い。０．０５重量％未満だと、イオン捕捉効果が小さい
ので耐湿信頼性や高温保管性を向上する効果が低く、
又、難燃性付与という点でも不十分となる可能性があ
る。５重量％を越えるとエポキシ樹脂組成物の硬化性が
低下し、又、半導体素子を搭載する基板との密着力の低
下、更には、一般式（４）で示される化合物ではエポキ
シ樹脂組成物の吸湿率が大きくなり耐半田クラック性が
低下する可能性がある。

【００１３】本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｅ）成分の他、必要に応じてカップリング剤、カーボ
ンブラック、ベンガラ等の着色剤、天然ワックス、合成
ワックス等の離型剤、シリコーンオイル、難燃剤、ゴム
等の低応力添加剤等の種々の添加剤等を適宜配合しても
差し支えない。特に無機充填材と有機物の両者に反応性
を有しているカップリング剤は、半導体素子を搭載する
基板とエポキシ樹脂組成物の硬化物との接着界面に作用
し、接着力を向上させ、耐半田クラック性等の信頼性を
向上させるので好ましい。本発明のエポキシ樹脂組成物
は、（Ａ）〜（Ｅ）成分、及びその他の添加剤等をミキ
サー等を用いて充分に均一に常温混合した後、熱ロール
又はニーダー等で溶融混練し、冷却後粉砕して得られ
る。本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子
等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、ト
ランスファーモールド、コンプレッションモールド、イ
ンジェクションモールド等の成形方法で成形硬化すれば
よい。

【００１４】

【実施例】以下に実施例を挙げて詳細に説明するが、本
発明はこれら実施例によりなんら限定されるものでな
い。配合単位は重量部とする。式（５）で示されるエポキシ樹脂Ａ（軟化点６０℃、エポキシ当量２７０）７．７重量部

【化７】

【００１５】式（６）で示されるフェノール樹脂Ｃ（軟化点７５℃、水酸基当量１９５）５．３重量部

【化８】１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという）０．２重量部球状溶融シリカ（平均粒径２２μｍ）８５．０重量部Ｍｇ_0.7Ａｌ_0.3Ｏ_1.15（平均粒径３μｍ。以下、Ｍ１という）０．５重量部カーボンブラック０．３重量部カルナバワックス０．３重量部その他の添加剤０．７重量部をミキサーを用いて常温で混合し、７０〜１１０℃でロ
ールを用いて混練し、冷却後粉砕し、タブレット化して
エポキシ樹脂組成物を得た。このエポキシ樹脂組成物を
以下の方法で評価した。結果を表１に示す。

【００１６】評価方法・スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパ
イラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５
℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で測定し
た。単位はｃｍ。・熱時曲げ強度・熱時曲げ弾性率：低圧トランスファー
成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９Ｍ
Ｐａ、硬化時間１２０秒の条件で試験片を成形し、熱時
曲げ強度、及び熱時曲げ弾性率をＪＩＳＫ６９１１
に準じて（２４０℃で）測定した。単位はいずれもＮ／
ｍｍ²。・吸湿率：低圧トランスファー成形機を用いて金型温度
１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間１２０秒の
条件で直径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの円盤状試験片を成形
し、ポストキュアとして１７５℃で８時間処理した。試
験片の吸湿処理前と８５℃、相対湿度８５％の環境下で
１６８時間処理した後の重量変化を測定し、試験片の吸
湿率を百分率で示した。単位は重量％。・耐湿信頼性：低圧トランスファー成形機を用いて、金
型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間１２
０秒の条件で１６ＳＯＰ（厚さ１．９５ｍｍ、チップサ
イズ３．５ｍｍ×３．０ｍｍ）を成形した。ポストキュ
アとして１７５℃で８時間処理した。封止したテスト用
素子のプレッシャークッカー試験（１２５℃、圧力２．
２×１０⁵Ｐａ）を行い、回路のオープン不良を測定
し、不良発生時間で表した。単位は時間。・耐半田クラック性：得られた材料をタブレット化し、
低圧トランスファー成形機を用いて金型温度１７５℃、
注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で８０
ｐＱＦＰ（厚さ２．０ｍｍ、チップサイズ６ｍｍ×６ｍ
ｍ）を成形した。ポストキュアとして１７５℃で８時間
処理したパッケージ６個を、８５℃、相対湿度８５％の
環境下で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー処理（２
６０℃）を行った。処理後の内部の剥離及びクラックの
有無を超音波探傷装置で観察し、不良パッケージの個数
を数えた。不良パッケージの個数がｎ個であるとき、ｎ
／６と表示する。・高温保管性：低圧トランスファー成形機を用いて金型
温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０
秒の条件で１６ｐＤＩＰ（チップサイズ３ｍｍ×３．５
ｍｍ）成形した。ポストキュアとして１７５℃で８時間
処理後、高温保管試験（１５０℃、１０００時間及び１
８５℃、１０００時間）を行い、配線間の電気抵抗値が
初期値に対し２０％増加したパッケージを不良と判定し
た。１０配線間中の不良率を百分率で示した。単位は
％。・難燃性：得られた材料をタブレット化し、低圧トラン
スファー成形機を用いて、１７５℃、注入圧力６．９Ｍ
Ｐａ、硬化時間１２０秒の条件で試験片を成形し、ＵＬ
−９４垂直試験（試験片厚さ１／８ｉｎｃｈ）を行っ
た。

【００１７】実施例２〜６、比較例１〜４表１の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂
組成物を作製し、実施例１と同様にして評価した。結果
を表１に示す。又、実施例１以外で用いた材料を以下に
示す。ビフェニル型エポキシ樹脂Ｂ（融点１０５℃、エ
ポキシ当量１９３）、フェノールアラルキル樹脂Ｄ（ビ
フェニレン骨格は含有していない。軟化点７５℃、水酸
基当量１７５）、Ｍｇ_0.7Ａｌ_0.3（ＯＨ）_1.2（ＣＯ₃）
_0.6（平均粒径３μｍ。以下、Ｍ２という）。

【表１】

【００１８】

【発明の効果】本発明に従うと、成形性に優れ、ハロゲ
ン系難燃剤、アンチモン化合物、水酸化アルミニウム、
水酸化マグネシウム等の従来の難燃剤を使用していない
半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られ、これを用い
た半導体装置は、耐湿信頼性、耐半田クラック性、高温
保管性、難燃性に優れている。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 CD071 CE002 DE146 DE186 EN027 EU117 EU137 EW017 EW177 FD010 FD157 GQ05 4J036 AB16 AC02 AD07 AD08 AD10 AE05 AE07 AF05 AF06 AF08 DC05 DC06 DC41 DC46 DD07 FA01 FA03 FA05 FB06 FB08 JA07 4M109 AA01 BA01 CA21 EA03 EB03 EB04 EB07 EB12 EB18 EC01 EC05 EC20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ
樹脂、（Ｂ）一般式（２）で示されるフェノール樹脂、
（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材、及び（Ｅ）一般
式（３）で示される化合物及び／又は一般式（４）で示
される化合物を必須成分とすることを特徴とする半導体
封止用エポキシ樹脂組成物。【化１】（式中のＲは、水素原子又は炭素数１〜９までのアルキ
ル基から選択される基であり、互いに同一であっても異
なっていても良い。ｎは平均値で、１〜５の正数）【化２】（式中のＲは、水素原子又は炭素数１〜９までのアルキ
ル基から選択される基であり、互いに同一であっても異
なっていても良い。ｎは平均値で、１〜５の正数）Ｍｇ_aＡｌ_b（ＯＨ）_c（ＣＯ₃）_d （３）Ｍｇ_xＡｌ_yＯ_z （４）（式中のａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｘ、ｙ、ｚは０．１以上の正
数）
【請求項２】請求項１記載のエポキシ樹脂組成物を用
いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体
装置。