JP2001323050A

JP2001323050A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Info

Publication number: JP2001323050A
Application number: JP2000140138A
Authority: JP
Inventors: Makoto Matsuo; 誠松尾
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 2000-05-12
Filing date: 2000-05-12
Publication date: 2001-11-20

Abstract

(57)【要約】【課題】ハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化合物を
含まず、成形性、難燃性、高温保管特性、耐湿信頼性及
び半田クラック性に半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
提供すること。【解決手段】エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促
進剤、無機充填材、金属水酸化物固溶体及びほう酸亜鉛
をチタネート系カップリング剤により表面処理した難燃
剤からなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハロゲン系難燃
剤、アンチモン化合物を含まず、難燃性、高温保管特性
に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスタ、集積
回路等の電子部品は、主にエポキシ樹脂組成物で封止さ
れている。これらのエポキシ樹脂組成物中には、難燃性
を付与するためにハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化
合物が配合されている。ところが、環境・衛生の点から
ハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化合物を使用しない
で、難燃性に優れた樹脂組成物の開発が要求されてい
る。又、ハロゲン系難燃剤及びアンチモン化合物を含む
エポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置を高温下で
保管した場合、これらの難燃剤成分から熱分解したハロ
ゲン化物が遊離し、半導体素子の接合部を腐食し、半導
体装置の信頼性を損なうことが知られており、難燃剤と
してハロゲン系難燃剤とアンチモン化合物を使用しなく
ても難燃グレードＶ−０を達成できるエポキシ樹脂組成
物が要求されている。このように、半導体装置を高温下
（例えば、１８５℃等）に保管した後の半導体素子の接
合部（ボンディングパッド部）の耐腐食性のことを高温
保管特性といい、この高温保管特性を改善する手法とし
ては、五酸化二アンチモンを使用する方法（特開昭５５
−１４６９５０号公報）や、酸化アンチモンと有機ホス
フィンとを組み合わせる方法（特開昭６１−５３３２１
号公報）等が提案され、効果が確認されているが、最近
の半導体装置に対する高温保管特性の高い要求レベルに
対して、エポキシ樹脂組成物の種類によっては不満足な
ものもある。

【０００３】又、難燃剤としてほう酸亜鉛が提案されて
おり、多量に添加することにより難燃グレードＶ−０を
達成でき、高温保管特性も問題ないが、添加量が多いこ
とにより耐湿信頼性、成形性、耐半田クラック性が低下
するという問題がある。前記欠点を改良した技術とし
て、特定の金属水酸化物と特定の金属酸化物の併用、或
いは特定の金属水酸化物と特定の金属酸化物の複合化金
属水酸化物を用いることにより、難燃性と耐湿信頼性を
解決する提案がされているが（特開平１０−２５１４８
６号公報、特開平１１−１１９４５号公報等）、十分な
難燃性を発現させるためには、多量の添加を必要とし、
そのため成形性、耐半田クラック性の低下を引きおこす
問題がある。即ち、難燃性を維持し、成形性、高温保管
特性、耐湿信頼性及び耐半田クラック性に優れ、ハロゲ
ン系難燃剤、及びアンチモン化合物を使用しないエポキ
シ樹脂組成物が求められている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、ハロゲン系
難燃剤、及びアンチモン化合物を含まず成形性、難燃
性、高温保管特性、耐湿信頼性及び耐半田クラック性に
優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用
いて半導体素子を封止してなる半導体装置を提供するも
のである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）エポキ
シ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、
（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）水酸化マグネシウム、水酸化
アルミニウム、モリブデン酸亜鉛、一般式（１）で示さ
れる金属水酸化物固溶体、又は一般式（２）で示される
ほう酸亜鉛を一般式（３）で示されるチタネート系カッ
プリング剤、或いは一般式（４）で示されるアルミニウ
ム系カップリング剤により表面処理されたものの中から
選ばれる１種以上を必須成分とすることを特徴とする半
導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導
体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置であ
る。Ｍｇ_1-yＭ²⁺y （ＯＨ）₂ （１）（式中Ｍ²⁺は、Ｍｎ²⁺、Ｆｅ²⁺、Ｃｏ²⁺、Ｎｉ²⁺、Ｃｕ
²⁺及びＺｎ²⁺からなる群から選ばれた少なくとも１種の
二価金属イオンを示し、ｙは０．０１≦ｙ≦０．５であ
る。）ｐＺｎＯ・ｑＢ₂Ｏ₃・ｒＨ₂Ｏ（２）（式中ｐ、ｑ、ｒは正数。）

【化３】（式中Ｒ₁は炭素数１〜６のアルキル基を示す。Ｘは
Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｓ、Ｏ、Ｈからなる有機基の中から選択さ
れる基である。式中Ｒ₂、Ｒ₃は炭素数１〜２０の有機基
であり、酸素原子を含んでいてもよく、これらは互いに
結合してもよい。式中Ｒ₄は炭素数１〜２０の有機基で
あり、酸素原子を含んでいてもよい。式中Ｒ₅は炭素数
１〜２０のアルキル基を示す。）

【０００６】

【化４】（式中Ｒ₆は炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲンの中
から選択される原子又は基を示す。）

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明に用いるエポキシ樹脂とし
ては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、その分子量、分
子構造を特に限定するものではないが、例えば、ビフェ
ニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、
スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ト
リフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリ
フェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エ
ポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エ
ポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂（フ
ェニレン骨格、ジフェニレン骨格等を有する）等が挙げ
られ、これらは単独でも混合して用いても差し支えな
い。

【０００８】本発明に用いるフェノール樹脂としては、
１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、その分子量、分
子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノ
ールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシ
クロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フ
ェノール樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、フェノー
ルアラルキル樹脂（フェニレン骨格、ジフェニレン骨格
等を有する）等が挙げられ、これらは単独でも混合して
用いても差し支えない。特に、フェノールノボラック樹
脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、フェノ
ールアラルキル樹脂、テルペン変性フェノール樹脂等が
好ましい。これらの配合量としては、全エポキシ樹脂の
エポキシ基数と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基
数の比が０．８〜１．３が好ましい。

【０００９】本発明に用いる硬化促進剤としては、エポ
キシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させる
ものであればよく、一般に封止材料に用いられているも
のを使用することができる。例えば、１，８−ジアザビ
シクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリフェニルホ
スフィン、２−メチルイミダゾール、テトラフェニルホ
スホニウム・テトラフェニルボレート等が挙げられ、こ
れらは単独でも混合して用いても差し支えない。

【００１０】本発明に用いる無機充填材としては、一般
に封止材料に使用されているものを使用することができ
る。例えば、溶融シリカ粉末、結晶シリカ粉末、タル
ク、アルミナ、窒化珪素等が挙げられ、これらは単独で
も混合して用いても差し支えない。無機充填材の配合量
としては、本発明で言う難燃剤と前記無機充填材との合
計量が、成形性と耐半田クラック性のバランスから、全
エポキシ樹脂組成物中に６０〜９５重量％含有すること
が好ましい。６０重量％未満だと、吸水率の上昇に伴う
耐半田クラック性が低下し、９５重量％を越えると、ワ
イヤースィープ及びパッドシフト等の成形性の問題が生
じ、好ましくない。

【００１１】本発明に用いる一般式（３）で示されるチ
タネート系カップリング剤及び一般式（４）で示される
アルミニウム系カップリング剤は、１分子中に無機物と
結合する部分と有機物に親和する部分を有する。本発明
で言う難燃剤をチタネート系カップリング剤、或いはア
ルミニウム系カップリング剤で表面処理することによ
り、カップリング剤が難燃剤表面に化学的に結合し、有
機物と親和し易い被膜を形成するため、樹脂との相溶性
に優れ、樹脂中への難燃剤の分散性が向上する。このた
め、少量の添加で十分な難燃性を発現させることがで
き、難燃剤添加による硬化性低下、吸湿率増大、強度低
下、流動性低下を抑えることができる。チタネート系カ
ップリング剤、或いはアルミニウム系カップリング剤で
難燃剤の表面を処理する手法としては、常温で難燃剤を
スーパーミキサーにて予備混合した後、カップリング剤
をそのまま、或いは適当な溶剤に希釈して滴下し、更に
攪拌を行って処理した難燃剤を得る方法等が挙げられ
る。本発明で用いられるチタネート系カップリング剤及
びアルミニウム系カップリング剤の具体例としては、以
下の化合物が挙げられるが、これらに限定されるもので
はない。

【化５】

【００１２】

【化６】

【００１３】

【化７】

【００１４】

【化８】

【００１５】本発明に用いる水酸化マグネシウム、水酸
化アルミニウム、モリブデン酸亜鉛、一般式（１）で示
される金属水酸化物固溶体、又は一般式（２）で示され
るほう酸亜鉛は、難燃剤として作用するものである。水
酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム及び一般式
（１）で示される金属水酸化物固溶体の難燃機構として
は、燃焼時に金属水酸化物が脱水を開始し、吸熱するこ
とによって燃焼反応を阻害するものである。又樹脂硬化
物の炭化を促進することが知られており、硬化物表面に
酸素を遮断する難燃層を形成すると考えられる。更に、
一般式（１）で示される金属水酸化物固溶体は、吸熱開
始温度を適度に下げ、難燃性能を向上する効果がある。
吸熱開始温度が低いと成形性、信頼性に悪影響を及ぼ
し、又吸熱開始温度が樹脂硬化物の分解温度より高いと
難燃性が低下するが、本発明に用いる金属水酸化物固溶
体の吸熱開始温度は、３００〜３５０℃近辺で適正な値
である。一般式（１）の内で特に好ましいＭ²⁺として
は、Ｎｉ ²⁺、Ｚｎ²⁺である。一般式（１）で示される金
属水酸化物固溶体の平均粒径は、０．５〜３０μｍ、よ
り好ましくは０．５〜１０μｍである。

【００１６】本発明に用いる一般式（２）で示されるほ
う酸亜鉛は、難燃性と耐湿信頼性との兼ね合いから２Ｚ
ｎＯ・３Ｂ₂Ｏ₃・３．５Ｈ₂Ｏや４ＺｎＯ・Ｂ₂Ｏ₃・Ｈ₂
Ｏ等が挙げられ、特に、２ＺｎＯ・３Ｂ₂Ｏ₃・３．５Ｈ
₂Ｏが高い難燃性を示す。平均粒径としては、１〜３０
μｍ、より好ましくは５〜２０μｍである。

【００１７】本発明に用いるモリブデン酸亜鉛は、従来
塩化ビニル樹脂の発煙抑制剤、難燃剤として有効である
ことが知られている。その難燃機構については、燃焼時
にモリブデン酸亜鉛が、樹脂硬化物の炭化を促進するこ
とが知られており、これにより空気中の酸素との遮断が
起こり、燃焼が止まり難燃化が達成されると考えられ
る。又モリブデン酸亜鉛は単独で用いてもよいが、吸湿
し易い傾向があり、配合量が多くなると半導体装置の吸
湿率が高くなり、耐湿信頼性が低下するおそれがあり、
更に成形性も低下する。従って、溶融球状シリカ、タル
ク等の無機系物質をコア材としてモリブデン酸亜鉛で被
覆することにより、難燃剤として表面のモリブデン酸亜
鉛のみが作用することとなり、モリブデン酸亜鉛単独配
合による吸湿率の上昇を抑え、成形性も改良することが
できる。溶融球状シリカ、タルク等をモリブデン酸亜鉛
で被覆したものの平均粒径としては、０．５〜３０μ
ｍ、最大粒径としては７５μｍ以下が好ましい。

【００１８】水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウ
ム、モリブデン酸亜鉛、一般式（１）で示される金属水
酸化物固溶体、又は一般式（２）で示されるほう酸亜鉛
は、各々単独でも難燃性を付与する性質があるが、十分
な難燃性を発現させるには、多量の配合量が必要とな
る。多量に配合することにより、成形性及び強度の低
下、吸水率の増加を引き起こす傾向にあり、耐半田クラ
ック性が低下する。これらの諸特性の低下を防ぐために
も配合量は極力少なくする必要がある。各々の難燃剤を
併用することにより、その相乗効果として更に難燃性が
向上し、配合量を低減させることが可能となる。各々の
難燃剤とも燃焼時の吸熱を発生させると共に、水酸化マ
グネシウム、水酸化アルミニウム、一般式（１）で示さ
れる金属水酸化物固溶体、又はモリブデン酸亜鉛は、樹
脂硬化物の炭化を促進させ、一般式（２）のほう酸亜鉛
は、ガラス状被膜形成による炭化層の強度向上の作用が
ある。理由は定かでないがこれらを併用することによ
り、互いの能力を補い合い、その相乗効果として高い難
燃性を得ることができる。その結果として、配合量を少
なくしても難燃性を維持し、成形性及び強度の低下、吸
水率の増加等を防ぐことができる。

【００１９】本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成
分を必須成分とするが、これ以外に必要に応じてシラン
カップリング剤、カーボンブラック等の着色剤、天然ワ
ックス、合成ワックス等の離型剤、及びシリコーンオイ
ル、ゴム等の低応力添加剤等の種々の添加剤を適宜配合
しても差し支えない。又、本発明の樹脂組成物は、
（Ａ）〜（Ｅ）成分、及びその他の添加剤等をミキサー
等を用いて充分に均一に混合した後、更に熱ロール又は
ニーダー等で溶融混練し、冷却後粉砕して得られる。本
発明の樹脂組成物を用いて、半導体等の各種の電子部品
を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファー
モールド、コンプレッションモールド、インジェクショ
ンモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよ
い。

【００２０】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。配合割合は重量部とす
る。なお、実施例、及び比較例で用いたエポキシ樹脂、
フェノール樹脂、カップリング剤にて処理を行った難燃
剤の詳細を以下にまとめて示す。エポキシ樹脂Ａ：ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ
当量１９０ｇ／ｅｑ）エポキシ樹脂Ｂ：ジシクロペンタジエン変性フェノール
型エポキシ樹脂（エポキシ当量２６５ｇ／ｅｑ）フェノール樹脂Ａ：フェノールアラルキル樹脂（水酸基
当量１６５ｇ／ｅｑ）フェノール樹脂Ｂ：フェノールノボラック樹脂（水酸基
当量１０４ｇ／ｅｑ）

【００２１】カップリング剤処理した難燃剤の製造例難燃剤Ａ：金属水酸化物固溶体（Ｍｇ_0.8Ｚｎ_0.2（Ｏ
Ｈ）₂、平均粒径１μｍ）５０重量部とほう酸亜鉛（２Ｚ
ｎＯ・３Ｂ₂Ｏ₃・３．５Ｈ₂Ｏ、平均粒径１０μｍ）５
０重量部を常温でスーパーミキサーを用いて攪拌しなが
ら、式（５）で示されるチタネート系カップリング剤１
重量部を滴下して加え、そのまま攪拌を５分間継続した
後、室温で４時間放置し難燃剤Ａを得た。難燃剤Ｂ：平均粒径１８μｍ、比表面積２．０ｍ²/ｇの
溶融球状シリカ８重量部当たりモリブデン酸亜鉛２重量
部で被覆した難燃剤（平均粒径２４μｍ）５０重量部と
ほう酸亜鉛（２ＺｎＯ・３Ｂ₂Ｏ₃・３．５Ｈ₂Ｏ、平均
粒径１０μｍ）５０重量部を常温でスーパーミキサーを
用いて攪拌しながら、式（５）で示されるチタネート系
カップリング剤１重量部を滴下して加え、そのまま攪拌
を５分間継続した後、室温で４時間放置し難燃剤Ｂを得
た。難燃剤Ｃ：金属水酸化物固溶体（Ｍｇ_0.8Ｚｎ_0.2（Ｏ
Ｈ）₂ 、平均粒径１μｍ）５０重量部とほう酸亜鉛（２
ＺｎＯ・３Ｂ₂Ｏ₃・３．５Ｈ₂Ｏ、平均粒径１０μｍ）
５０重量部を常温でスーパーミキサーを用いて攪拌しな
がら、式（６）で示されるアルミニウム系カップリング
剤１重量部を滴下して加え、そのまま攪拌を５分間継続
した後、室温で４時間放置し難燃剤Ｃを得た。難燃剤Ｄ：金属水酸化物固溶体（Ｍｇ_0.8Ｚｎ_0.2（Ｏ
Ｈ）₂、平均粒径１μｍ）５０重量部とほう酸亜鉛（２Ｚ
ｎＯ・３Ｂ₂Ｏ₃・３．５Ｈ₂Ｏ、平均粒径１０μｍ）５
０重量部を常温でスーパーミキサーを用いて攪拌しなが
ら、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１重
量部を滴下して加え、そのまま攪拌を５分間継続した
後、室温で４時間放置し難燃剤Ｄを得た。

【化９】

【００２２】

【化１０】

【００２３】実施例１エポキシ樹脂Ａ７７重量部フェノール樹脂Ａ６８重量部１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという）２重量部溶融球状シリカ８００重量部難燃剤Ａ４０重量部エポキシシランカップリング剤５重量部カーボンブラック３重量部カルナバワックス５重量部を常温でスーパーミキサーを用いて混合し、７０〜１０
０℃でロール混練し、冷却後粉砕して樹脂組成物とし
た。得られた樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果
を表１に示す。

【００２４】評価方法スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパラ
ルフロー測定用金型を用いて、金型温度１７５℃、圧力
７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間１２０秒で測定した。硬化性：（株）オリエンテック・製、ＪＳＲキュラスト
メーターＩＶＰＳを用いて、ダイスの直径３５ｍｍ、振
幅角１°、成形温度１７５℃、成形開始９０秒後のトル
ク値を測定した。数値が小さいものは硬化が遅い。単位
はｋｇｆ・ｃｍ。難燃性：低圧トランスファー成形機を用いて成形温度１
７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間１２０秒で試
験片（１２７ｍｍ×１２．７ｍｍ×３．２ｍｍ）を成形
し、アフターベークとして１７５℃、８時間処理した
後、ＵＬ−９４垂直法に準じてΣＦ、Ｆmaxを測定し、
難燃性の判定をした。熱時強度：低圧トランスファー成形機を用いて成形温度
１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間１２０秒で
試験片（８０ｍｍ×１０ｍｍ×４ｍｍ）を成形し、アフ
ターベークとして１７５℃、８時間処理した後、２４０
℃での曲げ強度をＪＩＳＫ６９１１に準じて測定し
た。単位はＮ／ｍｍ²。吸水率：低圧トランスファー成形機を用いて成形温度１
７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間１２０秒で試
験円盤（直径５０ｍｍ、厚さ４ｍｍ）を成形し、アフタ
ーベークとして１７５℃、８時間処理した後、１５０℃
で１６時間乾燥処理を行い、８５℃、相対湿度８５％で
１６８時間処理を行ったものについて、初期重量に対す
る増加重量の百分率を求めた。単位は％。耐半田クラック性：低圧トランスファー成形機を用い、
成形温度１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間１
２０秒で、８０ｐＱＦＰ（２ｍｍ厚、チップサイズ９．
０ｍｍ×９．０ｍｍ）を成形し、アフターベークとして
１７５℃、８時間処理した後、８５℃、相対湿度８５％
で９６時間の処理を行い、ＩＲリフロー処理（２４０
℃、１０秒）を行った。処理済みのパッケージを超音波
探傷機を用いて観察し、パッケージ内部の剥離、クラッ
ク等の不良を観察。６個のパッケージ中の不良パッケー
ジ数を示す。高温保管特性：低圧トランスファー成形機を用いて成形
温度１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間１２０
秒で１６ｐＤＩＰ（チップサイズ３．０ｍｍ×３．５ｍ
ｍ）を成形し、アフターベークとして１７５℃、８時間
処理した後、高温保管試験（１８５℃、１０００時間）
を行い、配線間の電気抵抗値が初期値に対し２０％増加
したパッケージを不良と判定した。１５パッケージ中の
不良率を百分率で示した。単位は％。

【００２５】実施例２〜７、比較例１〜７表１の配合に従い、実施例１と同様にして樹脂組成物を
作製し、実施例１と同様にして評価した。結果を表１に
示す。比較例１に用いる臭素化ビスフェノールＡ型エポ
キシ樹脂のエポキシ当量は、３６５ｇ／ｅｑ．。

【表１】

【００２６】

【発明の効果】本発明に従うと、ハロゲン系難燃剤、及
びアンチモン化合物を含まず、成形性に優れた半導体封
止用エポキシ樹脂組成物が得られ、これを用いた半導体
装置は難燃性、高温保管特性、耐湿信頼性及び半田クラ
ック性に優れる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０８Ｌ 63/00 Ｃ０８Ｌ 63/00 ＣＨ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 CC03X CC10X CD04W CD05W CD06W CD07W CD18W DE077 DE147 DE187 DJ006 DJ016 DJ046 DK007 EU118 EU208 EW138 FB087 FB167 FD016 FD137 FD14X FD158 GQ05 4J036 AC02 AC18 AD07 AD08 AD10 AE05 AF06 AF07 AK02 DC41 DC46 DD07 FA02 FA04 FA05 FA06 FB07 FB08 GA06 GA23 JA07 4M109 AA01 EA02 EB03 EB06 EB07 EB12 EC20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）水
酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、モリブデン酸
亜鉛、一般式（１）で示される金属水酸化物固溶体、又
は一般式（２）で示されるほう酸亜鉛を一般式（３）で
示されるチタネート系カップリング剤、或いは一般式
（４）で示されるアルミニウム系カップリング剤により
表面処理されたものの中から選ばれる１種以上を必須成
分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組
成物。Ｍｇ_1-yＭ²⁺y （ＯＨ）₂ （１）（式中Ｍ²⁺は、Ｍｎ²⁺、Ｆｅ²⁺、Ｃｏ²⁺、Ｎｉ²⁺、Ｃｕ
²⁺及びＺｎ²⁺の群から選ばれた少なくとも１種の二価金
属イオンを示し、ｙは０．０１≦ｙ≦０．５である。）ｐＺｎＯ・ｑＢ₂Ｏ₃・ｒＨ₂Ｏ（２）（式中ｐ、ｑ、ｒは正数。）【化１】（式中Ｒ₁は炭素数１〜６のアルキル基を示す。Ｘは
Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｓ、Ｏ、Ｈからなる有機基の中から選択さ
れる基である。式中Ｒ₂、Ｒ₃は炭素数１〜２０の有機基
であり、酸素原子を含んでいてもよく、これらは互いに
結合してもよい。式中Ｒ₄は炭素数１〜２０の有機基で
あり、酸素原子を含んでいてもよい。式中Ｒ₅は炭素数
１〜２０のアルキル基を示す。）【化２】（式中Ｒ₆は炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲンの中
から選択される原子又は基を示す。）
【請求項２】請求項１記載のエポキシ樹脂組成物を用
いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体
装置。