JP2022002261A - ストレージ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ストレージ装置の基板の実装面に部品を効率的に実装する。【解決手段】ストレージ装置は、基板と、基板の第１面に配置された記憶装置を含む半導体装置と、第１面の上方に位置する中間部を有する第１部品と、第１面の上方において第１面から離間した状態で第１部品に接続する第２部品を備える。第１部品に接続する第２部品は、基板の配線および第１部品を介して、第１面に配置した半導体装置と電気的に接続する。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、記憶装置を有するストレージ装置に関する。

記憶装置を有するストレージ装置として、基板に半導体メモリを実装したSolid State Drive（ＳＳＤ）などが使用されている。基板に実装したコントローラや半導体メモリなどで発生した熱は、例えばヒートパイプを用いて放熱される。

特開２０１９−１０６２２７号公報 米国特許出願公開第２０２０／００８９２９２号明細書

本発明の実施形態が解決しようとする課題は、ストレージ装置の基板の実装面に部品を効率的に実装することである。

実施形態に係るストレージ装置は、基板と、基板の第１面に配置された記憶装置を含む半導体装置と、第１面の上方に位置する部分を有する第１部品と、第１面の上方において第１面から離間した状態で第１部品に接続する第２部品を備える。第１部品に接続する第２部品は、基板の配線および第１部品を介して、第１面に配置した半導体装置と電気的に接続する。

第１の実施形態に係るストレージ装置の構成を示す模式的な平面図である。 第１の実施形態に係るストレージ装置の構成を示す模式的な側面図である。 第１の実施形態に係るストレージ装置のブロック図である。 第１の実施形態に係るストレージ装置のヒートパイプの構造を示す断面図である。 第１の実施形態に係るストレージ装置のヒートパイプとＰＬＰコンデンサの接続を示す模式図である。 第１の実施形態に係るストレージ装置のヒートパイプと基板の接続を示す模式図である。 第１の実施形態の変形例に係るストレージ装置の構成を示す模式的な平面図である。 第１の実施形態の変形例に係るストレージ装置の構成を示す模式的な側面図である。 第１の実施形態の変形例に係るストレージ装置のヒートパイプとＰＬＰコンデンサの接続を示す模式図である。 第２の実施形態に係るストレージ装置の構成を示す模式的な平面図である。 第２の実施形態に係るストレージ装置のヒートパイプとＰＬＰコンデンサの接続を示す模式図である。 第２の実施形態に係るストレージ装置のヒートパイプと基板の接続を示す模式図である。 第３の実施形態に係るストレージ装置の構成を示す模式的な側面図である。 その他の実施形態に係るストレージ装置の構成を示す模式的な側面図である。

以下に、図面を参照して実施形態を説明する。図面の記載において同一部分には同一符号を付して説明を省略する。

（第１の実施形態）
図１に示す第１の実施形態に係るストレージ装置１は、例えばＳＳＤである。ストレージ装置１は、基板１０と、基板１０の第１面１１に配置された、第１の記憶装置３０ａと第２の記憶装置３０ｂを含む複数の半導体装置を備える。更に、ストレージ装置１は、第１面１１に配置された第１部品であるヒートパイプ４０と、ヒートパイプ４０に実装されたＰＬＰコンデンサ５０を更に備える。

図１で、基板１０の第１面１１の面法線方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な平面をＸＹ平面とする（以下において同様）。また、図１の紙面の左右方向をＸ軸方向、紙面の上下方向をＹ軸方向とする。

以下において、第１の記憶装置３０ａと第２の記憶装置３０ｂを含む、基板１０に搭載する記憶装置を総称して「記憶装置３０」とも称する。以下では、記憶装置３０が不揮発性半導体メモリである場合について説明する。記憶装置３０は、例えばＮＡＮＤ型フラッシュメモリである。

図２に示すように、基板１０は、互いに対向する第１面１１と第２面１２を有する。第１面１１と第２面１２のいずれにも、半導体装置や第２部品を搭載可能である。以下において、第１面１１と第２面１２を総称して「実装面」とも称する。基板１０には、実装面に配置された半導体装置や第２部品を相互に電気的に接続する配線が配置されている。基板１０に配置された配線を、以下において「配線パターン」とも称する。基板１０に、printed circuit board（ＰＣＢ）などを使用してもよい。

基板１０の実装面に配置した半導体装置を、以下において「搭載装置」とも称する。ストレージ装置１は、第１面１１に搭載したコントローラ２０、記憶装置３０、Dynamic Random Access Memory (ＤＲＡＭ)６０、電源制御回路７０、ＰＬＰ回路８０を、搭載装置として備える。

更に、ストレージ装置１は、第２面１２に搭載した周辺ＩＣ１０１〜周辺ＩＣ１０３を搭載装置として備える。周辺ＩＣ１０１〜周辺ＩＣ１０３は、例えば、ストレージ装置１の状態をリセットするリセットＩＣ、ストレージ装置１の温度をモニタする温度センサ、ストレージ装置１の動作クロックの基準とする周波数を供給する水晶発振器などである。

いずれの搭載装置も、第１面１１と第２面１２のどちらに搭載してもよい。例えば、上記では周辺ＩＣ１０１〜周辺ＩＣ１０３を第２面１２に搭載する場合を示したが、周辺ＩＣ１０１〜周辺ＩＣ１０３を第１面１１に搭載してもよい。

コントローラ２０は、System-on-a-Chip（ＳｏＣ）のような回路で構成され得る。コントローラ２０は、ストレージ装置１の動作を統括的に制御する。コントローラ２０の各機能は、コントローラ２０がファームウェアを実行することにより実現されてもよい。コントローラ２０の各機能は、コントローラ２０内の専用ハードウェアにより実現されてもよい。

コントローラ２０は、ストレージ装置１に接続可能なホスト機器（図示略）とストレージ装置１との間の通信を制御する。ホスト機器は、基板１０の端部に配置されたカードエッジコネクタ１５を介してストレージ装置１と接続する。

例えば、コントローラ２０は、ホスト機器からのコマンドを受信し、書き込み動作や読み出し動作を実行するように記憶装置３０を制御する。或いは、コントローラ２０は、記憶したデータを消去する消去動作を実行するように記憶装置３０を制御する。

ＤＲＡＭ６０は、記憶装置３０の管理情報の保管やデータのキャッシュに使用される。例えば、コントローラ２０は、ホスト機器から送信されて記憶装置３０に記憶するデータを一時格納するために、ＤＲＡＭ６０を使用する。また、コントローラ２０は、記憶装置３０から読み出してホスト機器に送信するデータを一時格納するために、ＤＲＡＭ６０を使用する。

また、起動時或いはホスト機器からの読み込みコマンドや書き込みコマンドを受信した場合などに、記憶装置３０に記憶されている管理情報の一部または全部が、ＤＲＡＭ６０にロード（キャッシュ）される。コントローラ２０は、ＤＲＡＭ６０にロードされた管理情報を更新し、所定のタイミングで記憶装置３０にバックアップする。この管理情報は、例えば、ホスト機器によって指定される論理アドレスと記憶装置３０の物理アドレスとの対応関係を示すマッピングデータを含む。

電源制御回路７０は、ストレージ装置１の搭載装置に供給する電力のオンオフを制御する。電源制御回路７０は、ストレージ装置１の動作に応じて、コントローラ２０、記憶装置３０、ＤＲＡＭ６０などに対して、電力を供給したり電力の供給を停止したりする。

ＰＬＰ回路８０は、ストレージ装置１の外部からストレージ装置１に供給される電力が喪失した場合にストレージ装置１を保護する電源喪失保護（Power Loss Protection）のための搭載装置である。ＰＬＰ回路８０の詳細は後述する。

ヒートパイプ４０は、図２に示すように、第１面１１に接続する基端部４１０と、基端部４１０に連結し、かつ、第１面１１から離間して第１面１１の上方に位置する中間部４２０を有する。ヒートパイプ４０は管形状であり、ヒートパイプ４０の両端が第１面１１に接続する基端部４１０である。

ヒートパイプ４０は、基板１０の第１面１１に配置された搭載装置の少なくとも一部と熱的に接続する。ストレージ装置１では、コントローラ２０と記憶装置３０が、熱伝導シート９０を介してヒートパイプ４０の中間部４２０と熱的に接続する。コントローラ２０と記憶装置３０に発生した熱は、ヒートパイプ４０を伝搬して熱が輸送されることで、放熱される。熱伝導シート９０には熱伝導率の高い材料を使用する。例えば、熱伝導シート９０に、シリコーン系の樹脂からなるシートなどを使用してもよい。

上記では、ヒートパイプ４０と熱的に接続する搭載装置がコントローラ２０と記憶装置３０である場合を示したが、ヒートパイプ４０と熱的に接続する搭載装置はコントローラ２０と記憶装置３０に限定されない。

ＰＬＰコンデンサ５０は、第１面１１の上方において、第１面１１から離間した状態でヒートパイプ４０に接続する。ＰＬＰ回路が、ＰＬＰコンデンサ５０の充放電を制御する。

図３は、ストレージ装置１の搭載装置に電力を供給する経路を示すブロック図である。以下に、図３を参照してＰＬＰ回路８０と電源制御回路７０の動作を説明する。

ＰＬＰ回路８０は、カードエッジコネクタ１５からストレージ装置１に供給される電力Ｐ１をモニタする。電力Ｐ１が所定の範囲である場合は、ＰＬＰ回路８０は、カードエッジコネクタ１５から供給される電力Ｐ１を、搭載装置に供給する電力ＰＷとして電源制御回路７０に供給する。

ＰＬＰ回路８０は、電力Ｐ１が低下することによりストレージ装置１の予期しない電源喪失を検知すると、コントローラ２０に電源喪失を通知する。コントローラ２０は、電源喪失を通知されると、ＰＬＰ回路８０を制御して、カードエッジコネクタ１５から供給される電力Ｐ１からＰＬＰコンデンサ５０が供給する電力Ｐ２に、電源制御回路７０に供給する電力ＰＷを切り替える。

ＰＬＰコンデンサ５０は、ストレージ装置１の外部からの電力の供給が喪失した場合に、ストレージ装置１に電力を供給する。例えばカードエッジコネクタ１５から電力Ｐ１がストレージ装置１に供給される間、ＰＬＰ回路８０は、ＰＬＰコンデンサ５０に電力Ｐｃを供給してＰＬＰコンデンサ５０を充電する。ＰＬＰコンデンサ５０には、一定の期間にわたってストレージ装置１が動作する電力に相当する電荷が充電される。ＰＬＰコンデンサ５０に、例えば１０μＦ〜１００μＦ程度の容量値のポリマータンタルコンデンサやアルミ電解コンデンサなどを使用してもよい。

上記のように、カードエッジコネクタ１５から供給される電力Ｐ１が低下すると、ＰＬＰコンデンサ５０が放電する電荷がストレージ装置の搭載装置に供給される。コントローラ２０は、ＰＬＰコンデンサ５０が供給する電荷によりストレージ装置１が動作する期間に、通常のシャットダウン時に設定された電源遮断の準備を行う。例えば、コントローラ２０の制御により、ＤＲＡＭ６０が記憶するキャッシュバッファの内容を記憶装置３０に書き込んだり、若しくは消去したり、マッピングテーブルを更新したり記憶装置３０にバックアップしたりする。

上記のように、ＰＬＰコンデンサ５０を有するストレージ装置１では、電源喪失による意図しないシャットダウン時においても、電源遮断のための所定の動作を実行する。これにより、記憶装置３０に記憶されたデータが保護される。なお、ストレージ装置１が５個のＰＬＰコンデンサ５０を有する場合を例示的に示したが、ストレージ装置１のＰＬＰコンデンサ５０の個数は任意に設定できる。

ヒートパイプ４０は、図４に示すように円筒形状の管４０１の内部に作動液４０２を満たした構造である。図４は、図１のＩＶ−ＩＶ方向に沿った断面図である。管４０１は、相互に電気的に絶縁された第１導電部４１と第２導電部４２を有する。具体的には、第１導電部４１と第２導電部４２の間に帯状に配置された絶縁部４３により、第１導電部４１と第２導電部４２とが電気的に絶縁される。絶縁部４３は、管４０１の一方の端部から他方の端部まで、管４０１の延伸方向に沿って延伸する。

このように、ヒートパイプ４０は、第１導電部４１と第２導電部４２の２つの導電性のパートにより構成されている。第１導電部４１と第２導電部４２は、ヒートパイプ４０の基端部４１０から中間部４２０にわたって並行する。

ストレージ装置１では、ヒートパイプ４０の第１導電部４１が基板１０の第１面１１に対向し、第１導電部４１の一部が熱伝導シート９０と接触する。

第１導電部４１と第２導電部４２には、熱伝導率の高い材料を使用する。例えば銅（Ｃｕ）などの金属材を、第１導電部４１と第２導電部４２に使用してもよい。絶縁部４３には、例えばセラミック材や樹脂などを使用してもよい。

ＰＬＰコンデンサ５０は、リードタイプのコンデンサであり、図５に示すように、ＰＬＰコンデンサ５０の第１電極５１のリードは、ヒートパイプ４０の第１導電部４１に接続する。ＰＬＰコンデンサ５０の第２電極５２のリードは、ヒートパイプ４０の第２導電部４２に接続する。例えば、第１電極５１と第１導電部４１の接続や第２電極５２と第２導電部４２の接続を、半田付けにより行ってもよい。

ヒートパイプ４０の基端部４１０は、基板１０に配置された配線と電気的に接続する。図６は、ヒートパイプ４０の基端部４１０が、基板１０の第２面１２に配置した配線と接続する例を示す。図６に示した例では、ヒートパイプ４０の第１導電部４１と第２導電部４２のそれぞれの基端部４１０の柱状に加工した先端が、基板１０の第１面１１から第２面１２に達するスルーホールを貫通する。例えば、第１導電部４１および第２導電部４２の基端部４１０の先端を第１面１１に形成したスルーホールに圧入して、ヒートパイプ４０を基板１０に実装してもよい。

図６に示すように、ヒートパイプ４０の第１導電部４１の基端部４１０の先端は、電源配線パターン１５１と電気的に接続する。電源配線パターン１５１は、ＰＬＰコンデンサ５０を充電するＰＬＰ回路８０に接続する。このように、ＰＬＰコンデンサ５０の第１電極５１は、ヒートパイプ４０の第１導電部４１および電源配線パターン１５１を介してＰＬＰ回路８０に接続する。第１導電部４１との基端部４１０の先端と電源配線パターン１５１は、例えば半田付けにより接続してもよい。

ヒートパイプ４０の第２導電部４２の基端部４１０の先端は、ＧＮＤ配線パターン１５２と電気的に接続する。ＰＬＰコンデンサ５０の第２電極５２は、ヒートパイプ４０の第２導電部４２およびＧＮＤ配線パターン１５２を介してストレージ装置１のＧＮＤに接続する。第２導電部４２の基端部４１０の先端とＧＮＤ配線パターン１５２は、例えば半田付けにより接続してもよい。

図６に配線パターンを基板１０の第２面１２に配置した例を示したが、配線パターンを基板１０の第１面１１や基板１０の内部に配置してもよい。また、ヒートパイプ４０の第１導電部４１がＧＮＤ配線パターン１５２と電気的に接続し、ヒートパイプ４０の第２導電部４２が電源配線パターン１５１と電気的に接続してもよい。

ＰＬＰコンデンサは、ストレージ装置１の電源喪失時に、ヒートパイプ４０および基板１０に配置した配線を介して、基板１０に実装した搭載装置に電荷を供給する。このように、ストレージ装置１では、一般的には電源配線やＧＮＤを配置する構造ではないヒートパイプ４０を、ＰＬＰコンデンサ５０を充放電する電力の経路として使用する。

上記のように、ストレージ装置１では、ヒートパイプ４０にＰＬＰコンデンサ５０を実装して、基板１０の第１面１１から離間した位置にＰＬＰコンデンサ５０を配置する。第１面１１の上方にＰＬＰコンデンサ５０を配置するストレージ装置１によれば、ＰＬＰコンデンサ５０を接続する領域を基板１０の第１面１１に確保する必要がない。

通常、ストレージ装置を小型化すると、ストレージ装置を構成する部品を実装する基板の実装面の面積が狭くなる。このため、ストレージ装置の小型化に伴い、基板に部品を実装することが困難になる。

これに対し、ストレージ装置１では、ＰＬＰコンデンサ５０などのサイズの大きい電子部品を基板１０の第１面１１に直接に配置しない。このため、ヒートパイプ４０に実装した部品以外の搭載装置を配置する第１面１１の領域を広くできる。したがって、ストレージ装置１によれば、基板１０の実装面に搭載装置を実装する際のレイアウト設計の自由度を増大させることができる。

また、ストレージ装置１では、例えば図１に示すように、第１面１１の面法線方向（Ｚ軸方向）から見た平面視で、ＰＬＰコンデンサ５０の少なくとも一部が搭載装置と重なるように、搭載装置を基板１０の第１面１１に配置することができる。

このように、ストレージ装置１では、部品を配置する領域として基板１０の第１面１１の上方の空間を利用することにより、ストレージ装置１を構成する部品を基板１０の第１面１１に効率的に実装できる。

ところで、ストレージ装置１の修理などのリワーク作業において、部品の交換などのためにリフロー加熱を行う。例えば、基板１０から部品を取り外すために、基板１０の全体若しくは交換対象の部品の半田付け部分を溶かすリフロー加熱を行う。或いは、基板１０に部品を半田付けするリフロー加熱を行う。このとき、ＰＬＰコンデンサ５０をリフロー加熱による破損から保護する必要がある。そのため、リフロー加熱の前にＰＬＰコンデンサ５０を基板１０から取り外しておく必要がある。

この場合、ストレージ装置１では、ヒートパイプ４０を基板１０から取り外すだけで、ＰＬＰコンデンサ５０をリフロー加熱による破損から保護することができる。したがって、複数のＰＬＰコンデンサ５０を基板１０の第１面１１に直接に半田付けした場合に比べて、ストレージ装置１では、リワーク作業の作業性を向上することができる。

また、ヒートパイプ４０にＰＬＰコンデンサ５０を実装する工程と、搭載装置などを基板１０に実装する工程を独立して行うことができる。例えば、ＰＬＰコンデンサ５０を実装したヒートパイプ４０を予め用意し、このヒートパイプ４０を搭載装置が実装された基板１０に取り付けてもよい。このようにストレージ装置１の製造工程を効率化することにより、ストレージ装置１の製造コストを低減できる。

以上に説明したように、第１の実施形態に係るストレージ装置１では、ＰＬＰコンデンサ５０は、ヒートパイプ４０に実装され、第１面１１に直接に配置されない。したがって、ストレージ装置１によれば、基板１０の実装面の小面積化により限定されたフォームファクタの空間に、ストレージ装置１を構成する部品を効率的に配置できる。

上記では、ＰＬＰコンデンサ５０をヒートパイプ４０に実装する場合を説明したが、ＰＬＰコンデンサ５０以外のコンデンサをヒートパイプ４０に実装してもよい。例えば、電源ノイズの対策のために基板１０に実装するバイパスコンデンサなどをヒートパイプ４０に実装してもよい。或いは、コンデンサ以外の第２部品をヒートパイプ４０に実装してもよい。第２部品を第１面１１の上方に配置することにより、第１面１１における部品を実装する領域の面積を実質的に増加させることができる。

＜変形例＞
ＰＬＰコンデンサ５０は、チップコンデンサであってもよい。図７および図８に、チップコンデンサのＰＬＰコンデンサ５０をヒートパイプ４０に実装した例を示す。

図９に示すように、チップコンデンサであるＰＬＰコンデンサ５０の一方の端部である第１電極５１が第１導電部４１と電気的に接続し、ＰＬＰコンデンサ５０の他方の端部である第２電極５２が第２導電部４２と電気的に接続する。ＰＬＰコンデンサ５０の電極とヒートパイプ４０は、例えば半田１１５によって電気的に接続してもよい。

（第２の実施形態）
図１０に示す第２の実施形態に係るストレージ装置１ａは、部品コネクタ１１０を介してＰＬＰコンデンサ５０とヒートパイプ４０が電気的に接続する。部品コネクタ１１０は、ヒートパイプ４０の中間部４２０に配置されている。例えば図１１に示すように、ＰＬＰコンデンサ５０の第１電極５１および第２電極５２を部品コネクタ１１０に挿入する。ＰＬＰコンデンサ５０の第１電極５１は、部品コネクタ１１０を介してヒートパイプ４０の第１導電部４１と電気的に接続する。ＰＬＰコンデンサ５０の第２電極５２は、部品コネクタ１１０を介してヒートパイプ４０の第２導電部４２と電気的に接続する。

ＰＬＰコンデンサ５０は、部品コネクタ１１０に着脱自在に接続する。このため、ストレージ装置１ａでは、ＰＬＰコンデンサ５０をヒートパイプ４０に半田付けする場合に比べて、ＰＬＰコンデンサ５０をヒートパイプ４０に実装する作業やＰＬＰコンデンサ５０をヒートパイプ４０から取り外す作業を効率化できる。

また、ストレージ装置１ａでは、実装コネクタ１２０を介してヒートパイプ４０と基板１０の配線パターンが電気的に接続する。実装コネクタ１２０は、例えば図１２に示すような、基板１０に埋め込む埋込型ソケットである。実装コネクタ１２０の第１ソケット１２１および第２ソケット１２２は、例えば、基板１０の第１面１１から第２面１２に貫通するスルーホールに圧入する。

図１２に示す実装コネクタ１２０の第１ソケット１２１に、ヒートパイプ４０の第１導電部４１の基端部４１０の先端を挿入する。第１導電部４１の基端部４１０の先端は、実装コネクタ１２０の第１ソケット１２１を貫通して、基板１０の第２面１２に露出する。そして、第１導電部４１の基端部４１０は、基板１０の第２面１２に配置された電源配線パターン１５１と電気的に接続する。

実装コネクタ１２０の第２ソケット１２２に、ヒートパイプ４０の第２導電部４２の基端部４１０の先端を挿入する。第２導電部４２の基端部４１０の先端は、実装コネクタ１２０の第２ソケット１２２を貫通して、基板１０の第２面１２に露出する。そして、第２導電部４２の基端部４１０は、基板１０の第２面１２に配置されたＧＮＤ配線パターン１５２と電気的に接続する。

ヒートパイプ４０は、実装コネクタ１２０に着脱自在に接続する。したがって、ストレージ装置１ａでは、基板１０にヒートパイプ４０を実装する作業や基板１０からヒートパイプ４０を取り外す作業が容易である。

このため、ストレージ装置１ａによれば、例えばリワーク作業でのリフロー加熱による破損からＰＬＰコンデンサ５０を保護するために、ＰＬＰコンデンサ５０を実装したままでヒートパイプ４０を基板１０から取り外すことが容易である。また、ストレージ装置１ａによれば、ＰＬＰコンデンサ５０を実装したヒートパイプ４０を基板１０に再実装する場合の作業性が向上する。

他は第２の実施形態に係るストレージ装置１ａは第１の実施形態に係るストレージ装置１と実質的に同様であり、重複した説明を省略する。

（第３の実施形態）
第３の実施形態に係るストレージ装置１ｂは、図１３に示すように、ＰＬＰコンデンサ５０の第１電極５１と第２電極５２が、第１面１１と平行な方向（Ｘ軸方向）に沿って配置されている。このため、ヒートパイプ４０の絶縁部４３が、第１電極５１と第１導電部４１との接続箇所および第２電極５２と第２導電部４２との接続箇所を迂回するように曲線状に配置された部分を含む。つまり、絶縁部４３が直線状である第１の実施形態に係るストレージ装置１と、ストレージ装置１ｂはヒートパイプ４０の構成が異なる。

図１に示したストレージ装置１では、ヒートパイプ４０と熱伝導シート９０の接触箇所にＰＬＰコンデンサ５０を実装した場合に、ヒートパイプ４０と熱伝導シート９０の間にＰＬＰコンデンサ５０の電極であるリードが挟まれる構成があり得る。その構成の場合、熱伝導シート９０とヒートパイプ４０の接触面積が減少し、搭載装置からヒートパイプ４０への熱伝導の効率が低下する。

一方、図１３に示したストレージ装置１ｂでは、ヒートパイプ４０と熱伝導シート９０の間にＰＬＰコンデンサ５０の電極であるリードが挟まれない。このため、ストレージ装置１ｂによれば、搭載装置からヒートパイプ４０への熱伝導の効率の低下を低減できる。

（その他の実施形態）
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、書き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

上記ではＰＬＰコンデンサ５０を実装する第１部品がヒートパイプ４０である例を示したが、ＰＬＰコンデンサ５０などの第２部品を第１面１１の上方で実装する第１部品は、ヒートパイプ４０に限られない。つまり、ヒートパイプ４０以外であって、第１面１１から離間して第１面１１の上方に位置する部分を有する第１部品にＰＬＰコンデンサ５０を実装してもよい。

例えば、第１面１１に実装するブスバーの第１面１１から離間した部分に、ＰＬＰコンデンサ５０を第１面１１の上方に位置するように実装してもよい。ブスバーは、電源端子やＧＮＤ端子などを強化する目的で、基板１０の上部に取り付けられる導電性を有するバーである。

また、上記に示したヒートパイプ４０は、第１導電部４１と第２導電部４２の２つの導電性のパートにより構成されているが、導電部が１つのヒートパイプを２本使用してもよい。つまり、ストレージ装置１が、ＰＬＰコンデンサ５０の第１電極５１と電気的に接続する第１ヒートパイプと、ＰＬＰコンデンサ５０の第２電極５２と電気的に接続する第２ヒートパイプを有する構成であってもよい。第１ヒートパイプは電源配線パターン１５１と電気的に接続し、第２ヒートパイプはＧＮＤ配線パターン１５２と電気的に接続する。第１ヒートパイプと第２ヒートパイプとは、電気的に絶縁する。例えば、第１ヒートパイプと第２ヒートパイプの間に絶縁物を配置してもよい。

また、上記では、基板１０の第１面１１にのみ記憶装置３０を配置する例を示したが、第１面１１と第２面１２のそれぞれに記憶装置３０を配置してもよい。例えば、図１４に示すように、第１面１１にコントローラ２０、第１の記憶装置３０ａおよび第２の記憶装置３０ｂを配置し、第２面１２に第３の記憶装置３０ｃおよび第４の記憶装置３０ｄを配置してもよい。なお、図１４では第２面１２にヒートパイプ４０を配置しない例を示したが、第２面１２にヒートパイプ４０を配置してもよいし、第２面１２に配置したヒートパイプ４０にＰＬＰコンデンサ５０を実装してもよい。

１、１ａ、１ｂ…ストレージ装置
１０…基板
１１…第１面
１２…第２面
２０…コントローラ
３０ａ…第１の記憶装置
３０ｂ…第２の記憶装置
４０…ヒートパイプ
４１…第１導電部
４２…第２導電部
４３…絶縁部
５０…ＰＬＰコンデンサ
６０…ＤＲＡＭ
７０…電源制御回路
８０…ＰＬＰ回路
９０…熱伝導シート
１５１…電源配線パターン
１５２…ＧＮＤ配線パターン
４１０…基端部
４２０…中間部

Claims (10)

1. 配線を配置した基板と、
   前記基板の第１面に配置された、記憶装置を含む複数の半導体装置と、
   前記第１面に接続する基端部、および、前記基端部に連結し、かつ、前記第１面から離間して前記第１面の上方に位置する中間部を有する第１部品と、
   前記第１面の上方において前記第１面から離間した状態で前記第１部品に接続し、前記第１部品および前記配線を介して前記半導体装置と電気的に接続する第２部品と
   を備える、ストレージ装置。
2. 前記第１面の面法線方向から見た平面視で、前記第２部品の少なくとも一部が前記半導体装置と重なる、請求項１に記載のストレージ装置。
3. 前記第１部品が、前記中間部で前記半導体装置と熱的に接続し、前記半導体装置に発生した熱を前記半導体装置の外部に放熱するヒートパイプである、請求項１又は２に記載のストレージ装置。
4. 前記ヒートパイプは、相互に電気的に絶縁された第１導電部と第２導電部が前記基端部から前記中間部にわたって並行する構成を有する、請求項３に記載のストレージ装置。
5. 前記第２部品が、前記第１導電部に接続する第１電極および前記第２導電部に接続する第２電極を有するコンデンサである、請求項４に記載のストレージ装置。
6. 前記ヒートパイプは、前記第１導電部と前記第２導電部の間に配置された絶縁部を有し、
   前記絶縁部は、前記第１電極と前記第１導電部との接続箇所および前記第２電極と前記第２導電部との接続箇所を迂回するように曲線状に配置された部分を含む、
   請求項５に記載のストレージ装置。
7. 前記コンデンサは、電源喪失時に前記半導体装置に電荷を供給する、請求項５又は６に記載のストレージ装置。
8. 前記記憶装置が不揮発性半導体メモリであり、
   前記半導体装置に前記不揮発性半導体メモリを制御するコントローラを含む、
   請求項１乃至７のいずれか１項に記載のストレージ装置。
9. 前記第２部品が着脱自在に接続するコネクタを介して、前記第２部品と前記第１部品が接続する、請求項１乃至８のいずれか１項に記載のストレージ装置。
10. 前記第１部品が着脱自在に接続するコネクタを介して、前記第１部品と前記配線が接続する、請求項１乃至９のいずれか１項に記載のストレージ装置。

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