[go: up one dir, main page]

JP2019029650A - Semiconductor chip pickup device, semiconductor chip mounting apparatus and mounting method - Google Patents

Semiconductor chip pickup device, semiconductor chip mounting apparatus and mounting method Download PDF

Info

Publication number
JP2019029650A
JP2019029650A JP2018116661A JP2018116661A JP2019029650A JP 2019029650 A JP2019029650 A JP 2019029650A JP 2018116661 A JP2018116661 A JP 2018116661A JP 2018116661 A JP2018116661 A JP 2018116661A JP 2019029650 A JP2019029650 A JP 2019029650A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor chip
push
adhesive sheet
pressure
negative pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018116661A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2019029650A5 (en
Inventor
康一 志賀
Koichi Shiga
康一 志賀
宣明 小西
Nobuaki Konishi
宣明 小西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Priority to KR1020180084558A priority Critical patent/KR102120185B1/en
Priority to TW107125644A priority patent/TWI677061B/en
Priority to TW108119920A priority patent/TWI690038B/en
Publication of JP2019029650A publication Critical patent/JP2019029650A/en
Publication of JP2019029650A5 publication Critical patent/JP2019029650A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

【課題】半導体チップを粘着シートから安定して剥離する。【解決手段】粘着シート11に貼着保持された半導体チップtを粘着シート11からピックアップする半導体チップのピックアップ装置であって、粘着シート11から半導体チップtをピックアップするピックアップ機構と、軸心を同じにして配置され互いに軸心方向に移動自在に設けられた複数の押し上げ体62a〜62dを有する。粘着シート11においてピックアップされる半導体チップtが位置する部分に、半導体チップtとは反対側から負圧を作用させ、この半導体チップtがピックアップ機構によってピックアップされるときに、この半導体チップtを複数の押し上げ体62a〜62dによって突き上げる突き上げ機構60と、負圧の大きさをゲージ圧で−85kPa以下に設定する負圧調整機構63bと、を備える。【選択図】図3PROBLEM TO BE SOLVED: To stably peel a semiconductor chip from an adhesive sheet. SOLUTION: This is a semiconductor chip pickup device that picks up a semiconductor chip t attached and held on an adhesive sheet 11 from the adhesive sheet 11, and has the same axis as a pickup mechanism that picks up the semiconductor chip t from the adhesive sheet 11. It has a plurality of push-up bodies 62a to 62d which are arranged so as to be movable in the axial direction of each other. A negative pressure is applied to the portion of the pressure-sensitive adhesive sheet 11 where the semiconductor chip t to be picked up is located from the side opposite to the semiconductor chip t, and when the semiconductor chip t is picked up by the pickup mechanism, a plurality of the semiconductor chips t are used. It is provided with a push-up mechanism 60 that is pushed up by the push-up bodies 62a to 62d, and a negative pressure adjusting mechanism 63b that sets the magnitude of the negative pressure to −85 kPa or less in gauge pressure. [Selection diagram] Fig. 3

Description

本発明は、半導体チップのピックアップ装置、半導体チップの実装装置および実装方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor chip pickup device, a semiconductor chip mounting apparatus, and a mounting method.

半導体チップをリードフレームや配線基板、インターポーザ基板等の基板上に実装する実装工程が知られている。この実装工程では、ウエーハリング上から、半導体チップを1つずつ取り出し、基板上に移送して実装することが行われている。ウエーハリングは、半導体チップ毎に切断されて個片化された半導体ウエーハが貼着された粘着シートを保持するリング状の部材である。ウエーハリングからの半導体チップの取り出しには、半導体チップを吸着する吸着ノズルを有するピックアップ機構と、吸着ノズルに吸着された半導体チップを下面から突上げピンで突き上げて、粘着シートから半導体チップの剥離および取り出しを補助する突き上げ機構と、を備えるピックアップ装置が用いられている。 A mounting process for mounting a semiconductor chip on a substrate such as a lead frame, a wiring substrate, or an interposer substrate is known. In this mounting process, semiconductor chips are taken out one by one from the wafer ring, transferred onto a substrate, and mounted. The wafer ring is a ring-shaped member that holds an adhesive sheet to which a semiconductor wafer cut and separated into individual semiconductor chips is attached. For taking out the semiconductor chip from the wafer ring, a pickup mechanism having an adsorption nozzle for adsorbing the semiconductor chip and a semiconductor chip adsorbed to the adsorption nozzle are pushed up from the lower surface by a push-up pin, and the semiconductor chip is peeled off from the adhesive sheet. 2. Description of the Related Art A pickup device is used that includes a push-up mechanism that assists removal.

ところで、最近の半導体チップは、その厚さが50μm以下というように薄化が進められている。そのような薄い半導体チップを先端の尖った突き上げピンで単に突き上げた場合、半導体チップが割れるなどの損傷を生じるおそれが大きくなる。そこで、特許文献1に示されるように、複数の押し上げ体を有するピックアップ装置が開発されている。複数の押し上げ体は、軸線を一致させて同心的に設けられ、半導体チップの下面に貼着された粘着シートの剥離が半導体チップの周辺部から中心部に向かって徐々に進行するように作動する。複数の押し上げ体の上面形状は、通常、ピックアップされる半導体チップと同じ形状、例えば四角形に形成されている。 By the way, recent semiconductor chips are being thinned to have a thickness of 50 μm or less. If such a thin semiconductor chip is simply pushed up with a push-up pin with a sharp tip, the risk of damage such as breaking of the semiconductor chip increases. Therefore, as shown in Patent Document 1, a pickup device having a plurality of push-up bodies has been developed. The plurality of push-up bodies are provided concentrically with their axes aligned, and operate so that the peeling of the adhesive sheet attached to the lower surface of the semiconductor chip gradually proceeds from the periphery to the center of the semiconductor chip. . The upper surface shape of the plurality of push-up bodies is usually formed in the same shape as the semiconductor chip to be picked up, for example, a quadrangle.

このようなピックアップ装置においては、まず複数の押し上げ体を同時に所定の高さまで上昇させて、ピックアップされる半導体チップの下面全体を押し上げる。その後、最も外側に位置する押し上げ体を残し、他の押し上げ体を所定の高さまでさらに上昇させる。次いで、2番目の押し上げ体を残して他の押し上げ体を上昇させる。半導体チップの下面の押し上げ体による支持は、周辺から中心部に向かって順次開放される。そのため、粘着シートは、半導体チップの外周側から徐々に剥離される。さらに、半導体チップの下面からの粘着シートの剥離を促進するために、押し上げ体の粘着シートとの接触面(上面)に、粘着シートとの間に吸引力を作用させるための凹部を設けることが提案されている。押し上げ体に設けられた凹部は、粘着シートが半導体チップから剥離し始める個所となり、粘着テープの半導体チップからの剥離を促進することができる。 In such a pickup device, first, a plurality of push-up bodies are simultaneously raised to a predetermined height to push up the entire lower surface of the semiconductor chip to be picked up. Then, the push-up body located on the outermost side is left, and the other push-up bodies are further raised to a predetermined height. Next, the other push-up body is raised while leaving the second push-up body. Support by the push-up body on the lower surface of the semiconductor chip is sequentially released from the periphery toward the center. Therefore, the adhesive sheet is gradually peeled from the outer peripheral side of the semiconductor chip. Furthermore, in order to promote the peeling of the pressure-sensitive adhesive sheet from the lower surface of the semiconductor chip, a concave portion for applying a suction force to the pressure-sensitive adhesive sheet may be provided on the contact surface (upper surface) of the push-up body with the pressure-sensitive adhesive sheet. Proposed. The concave portion provided in the push-up body becomes a place where the pressure-sensitive adhesive sheet starts to peel from the semiconductor chip, and can promote the peeling of the pressure-sensitive adhesive tape from the semiconductor chip.

特開2010−056466号公報JP 2010-056466 A

しかしながら、上述したようなピックアップ装置を用いた場合においても、半導体チップに破損を生じることがあることを本願発明者等は発見した。すなわち、本願発明者等が実験用として使用している実装装置において、複数の品種の半導体チップを用いて実装実験を行なっていたところ、粘着シートから剥離してピックアップする際に破損が生じる半導体チップがあることが確認された。 However, the present inventors have found that the semiconductor chip may be damaged even when the above-described pickup device is used. That is, in the mounting apparatus used by the inventors of the present invention for experiments, a mounting experiment was performed using a plurality of types of semiconductor chips. It was confirmed that there is.

本願発明者等が鋭意検討したところ、半導体チップの厚さが概ね30μm以下の半導体チップで破損が比較的生じやすいことを突き止めた。そこで、30μm以下の複数の品種の半導体チップを用いて、所定の単位数の半導体チップをピックアップする実験を行なった。その結果、同じ品種の半導体チップであっても単位数毎に破損の発生頻度が大きく異なる場合があることが判明した。具体的には、厚さが27μmの半導体チップについて、ある日の午前中に行なったピックアップの実験では、破損の発生率が92%であった。対して、翌日の午前中に同じ品種の半導体チップで行なったピックアップの実験では、破損の発生頻度が4%であった。また、さらに別の日に行った実験では、所定の単位数のうち、前半に破損が集中し、後半では破損がほとんど見られないものがあった。 As a result of intensive studies by the inventors of the present application, it has been found that a semiconductor chip having a thickness of approximately 30 μm or less is relatively easily damaged. Therefore, an experiment was conducted in which a predetermined number of semiconductor chips were picked up using a plurality of semiconductor chips of 30 μm or less. As a result, it has been found that even in the case of semiconductor chips of the same type, the frequency of breakage may vary greatly depending on the number of units. Specifically, in a pickup experiment conducted in the morning of a certain day for a semiconductor chip having a thickness of 27 μm, the occurrence rate of breakage was 92%. On the other hand, in the pickup experiment conducted with the same type of semiconductor chip in the morning of the next day, the occurrence frequency of breakage was 4%. Further, in an experiment conducted on another day, there was a certain number of units in which damage was concentrated in the first half and almost no damage was seen in the second half.

これらの結果を受け発明者等が更に鋭意検討した結果、押し上げ時に押し上げ体と粘着シートの間に作用させている吸引力が変動していることを突き止めた。すなわち、吸引力は、実験室に設備されている負圧供給用の配管設備から得ている。この配管設備の負圧が、共に負圧を利用する他の実験装置の使用状況によって変動していたのである。つまり、本願発明者等は、半導体チップの破損と突き上げ時の吸引力との間には密接な関係があることを突き止めた。 As a result of further intensive studies by the inventors and others based on these results, it has been found that the suction force acting between the push-up body and the pressure-sensitive adhesive sheet at the time of push-up varies. That is, the suction force is obtained from a negative pressure supply piping facility installed in the laboratory. The negative pressure of this piping facility fluctuated depending on the use situation of other experimental devices that both use negative pressure. That is, the inventors of the present application have found that there is a close relationship between the damage of the semiconductor chip and the suction force at the time of pushing up.

本発明の目的は、半導体チップを粘着シートから安定して剥離することができる半導体チップのピックアップ装置、半導体チップの実装装置および実装方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a semiconductor chip pickup device, a semiconductor chip mounting apparatus, and a mounting method that can stably peel the semiconductor chip from the adhesive sheet.

本実施形態の半導体チップのピックアップ装置は、粘着シートに貼着保持された半導体チップを前記粘着シートからピックアップする半導体チップのピックアップ装置であって、前記粘着シートから前記半導体チップをピックアップするピックアップ機構と、軸心を同じにして配置され互いに軸心方向に移動自在に設けられた複数の押し上げ体を有し、前記粘着シートにおいて前記ピックアップ機構によってピックアップされる半導体チップが位置する部分に、前記半導体チップとは反対側から負圧を作用させ、当該半導体チップが前記ピックアップ機構によってピックアップされるときに、当該半導体チップを前記複数の押し上げ体によって突き上げる突き上げ機構と、前記負圧の大きさをゲージ圧で−85kPa以下に設定する負圧調整機構と、を備える。 The semiconductor chip pickup device of the present embodiment is a semiconductor chip pickup device that picks up a semiconductor chip adhered and held on an adhesive sheet from the adhesive sheet, and a pickup mechanism that picks up the semiconductor chip from the adhesive sheet; A plurality of push-up bodies that are arranged with the same axial center and are provided so as to be movable in the axial direction with respect to each other, and the semiconductor chip is located in a portion where the semiconductor chip picked up by the pickup mechanism is located in the adhesive sheet When the semiconductor chip is picked up by the pickup mechanism by applying a negative pressure from the opposite side, a push-up mechanism that pushes up the semiconductor chip by the plurality of push-up bodies, and the magnitude of the negative pressure is a gauge pressure. Negative pressure adjustment set to -85 kPa or less It includes a structure, a.

本実施形態の半導体チップの実装装置は、半導体チップを貼着保持した粘着シートを保持する供給装置と、基板を載置する基板ステージと、前記供給装置が保持した前記粘着シートから前記半導体チップをピックアップする前記ピックアップ装置と、前記ピックアップ装置によって取り出された前記半導体チップを、前記基板に実装する実装機構と、を備える。 The semiconductor chip mounting apparatus of the present embodiment includes a supply device that holds an adhesive sheet on which a semiconductor chip is adhered and held, a substrate stage on which a substrate is placed, and the semiconductor chip from the adhesive sheet that is held by the supply device. The pickup device for picking up, and a mounting mechanism for mounting the semiconductor chip taken out by the pickup device on the substrate.

本実施形態の半導体チップの実装方法は、粘着シートに貼着保持された半導体チップを前記粘着シートからピックアップし、ピックアップした半導体チップを基板上に実装する半導体チップの実装方法であって、前記粘着シートから前記半導体チップをピックアップするピックアップ機構によって前記半導体チップを前記粘着シートからピックアップするときに、当該半導体チップとは反対側から、前記粘着シートに負圧を作用させるとともに、軸心を同じにして配置され互いに軸心方向に移動自在に設けられた複数の押し上げ体によって当該半導体チップを突き上げるにあたり、前記負圧の大きさをゲージ圧で−85kPa以下に設定する。 The semiconductor chip mounting method of the present embodiment is a semiconductor chip mounting method for picking up a semiconductor chip adhered and held on an adhesive sheet from the adhesive sheet, and mounting the picked-up semiconductor chip on a substrate. When picking up the semiconductor chip from the pressure-sensitive adhesive sheet by a pickup mechanism for picking up the semiconductor chip from the sheet, a negative pressure is applied to the pressure-sensitive adhesive sheet from the opposite side of the semiconductor chip and the axis is made the same When the semiconductor chip is pushed up by a plurality of push-up members that are arranged and are movable in the axial direction, the magnitude of the negative pressure is set to −85 kPa or less in terms of gauge pressure.

本発明によれば、半導体チップを粘着シートから安定して剥離することができる。 According to the present invention, the semiconductor chip can be stably peeled from the adhesive sheet.

実施形態の半導体チップの実装装置の概略構成を示す側面図である。It is a side view showing a schematic structure of a mounting device of a semiconductor chip of an embodiment. 実施形態の半導体チップのピックアップ装置の突き上げ機構を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the pushing-up mechanism of the pick-up apparatus of the semiconductor chip of embodiment. 図2に示す突き上げ機構を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the pushing-up mechanism shown in FIG. 図3に示す押し上げ機構の押し上げ体を示す平面図である。It is a top view which shows the raising body of the raising mechanism shown in FIG. 実施形態のピックアップ装置の動作を示す断面図である。It is sectional drawing which shows operation | movement of the pick-up apparatus of embodiment. 実施形態のピックアップ装置の動作を示す断面図である。It is sectional drawing which shows operation | movement of the pick-up apparatus of embodiment. 実施形態のピックアップ装置の動作を示す断面図である。It is sectional drawing which shows operation | movement of the pick-up apparatus of embodiment.

以下、本発明の実施の形態(以下、実施形態と呼ぶ)について、図面を参照して具体的に説明する。なお、各構成部の位置及び大きさ等は、構造を分かり易くするための便宜的な表現に過ぎない。 Hereinafter, embodiments of the present invention (hereinafter referred to as embodiments) will be specifically described with reference to the drawings. Note that the position and size of each component are merely convenient for easy understanding of the structure.

図1は、実施形態の半導体チップの実装装置の概略構成を示す側面図である。半導体チップの実装装置1は、半導体チップtを供給する供給装置10、半導体チップtが実装される基板Kを載置する基板ステージ20、この供給装置10と基板ステージ20との間に配置され、半導体チップtを載置する中間ステージ30、供給装置10から半導体チップtを一つずつピックアップして中間ステージ30に移送するピックアップ機構40、中間ステージ30に載置された半導体チップtを吸着保持し、基板ステージ20上に載置された基板K上の所定の位置に実装する実装機構50、供給装置10内に配置され、ピックアップ機構40でピックアップされる半導体チップtを押し上げる突き上げ機構60、および、供給装置10、基板ステージ20、ピックアップ機構40、実装機構50、突き上げ機構60等を制御する制御装置70、を備える。なお、ピックアップ機構40と突き上げ機構60は、ピックアップ装置の構成要素である。 FIG. 1 is a side view showing a schematic configuration of a semiconductor chip mounting apparatus according to an embodiment. The semiconductor chip mounting apparatus 1 is disposed between a supply device 10 for supplying a semiconductor chip t, a substrate stage 20 for placing a substrate K on which the semiconductor chip t is mounted, and between the supply device 10 and the substrate stage 20. The intermediate stage 30 on which the semiconductor chip t is placed, the pickup mechanism 40 that picks up the semiconductor chip t from the supply device 10 one by one and transfers it to the intermediate stage 30, and the semiconductor chip t placed on the intermediate stage 30 is sucked and held. A mounting mechanism 50 that mounts at a predetermined position on the substrate K placed on the substrate stage 20; a push-up mechanism 60 that is disposed in the supply device 10 and pushes up the semiconductor chip t picked up by the pickup mechanism 40; and Control supply device 10, substrate stage 20, pickup mechanism 40, mounting mechanism 50, push-up mechanism 60, and the like Controller 70 comprises a. The pickup mechanism 40 and the push-up mechanism 60 are components of the pickup device.

供給装置10は、半導体ウエーハWが切断されて個片化された複数の半導体チップtが貼着された粘着シート11を保持するウエーハリング12が、不図示のウエーハリング供給装置によって供給されるウエーハテーブル13を有する。ウエーハテーブル13は、不図示のXYθ方向駆動装置によってX、Y、θ(水平回転)方向に移動可能とされる。X方向、Y方向は、互いに直交する水平方向である。図示のZ方向は、水平方向に対して垂直な方向である。 In the supply apparatus 10, a wafer ring 12 that holds an adhesive sheet 11 to which a plurality of semiconductor chips t separated by cutting a semiconductor wafer W is attached is supplied by a wafer ring supply apparatus (not shown). It has a table 13. The wafer table 13 can be moved in the X, Y, and θ (horizontal rotation) directions by an XYθ direction driving device (not shown). The X direction and the Y direction are horizontal directions orthogonal to each other. The Z direction shown in the figure is a direction perpendicular to the horizontal direction.

基板ステージ20は、不図示の基板搬入装置によって実装前の基板Kが供給載置され、半導体チップtが実装された後の基板Kが不図示の基板搬出装置によって取り出されて搬出される。基板ステージ20は、不図示のXYθ方向駆動装置に支持され、X、Y、θ(水平回転)方向に移動可能とされる。 The substrate stage 20 is supplied and mounted with the substrate K before mounting by a substrate carry-in device (not shown), and the substrate K after the semiconductor chip t is mounted is taken out and carried out by a substrate carry-out device (not shown). The substrate stage 20 is supported by an XYθ direction driving device (not shown) and is movable in the X, Y, and θ (horizontal rotation) directions.

中間ステージ30は、ピックアップ機構40がピックアップした半導体チップtを実装機構50に受け渡す際に、半導体チップtを一時的に載置するステージである。 The intermediate stage 30 is a stage on which the semiconductor chip t is temporarily placed when the semiconductor chip t picked up by the pickup mechanism 40 is transferred to the mounting mechanism 50.

ピックアップ機構40は、半導体チップtを吸着保持する吸着ノズル41と、この吸ノズル41を、図1に破線矢印で示すように、供給装置10と中間ステージ30との間で移動させる駆動装置(不図示)とを備える。 The pickup mechanism 40 includes a suction nozzle 41 that sucks and holds the semiconductor chip t, and a drive device (not configured) that moves the suction nozzle 41 between the supply device 10 and the intermediate stage 30 as indicated by broken line arrows in FIG. As shown).

実装機構50は、半導体チップtを吸着保持し、吸着保持した半導体チップtを基板K上の所定の位置に加圧(加熱を併用する場合もある。)して実装する実装ツール51と、この実装ツール51を、破線矢印で示すように、中間ステージ30と基板ステージ20との間で移動させる駆動装置(不図示)とを備える。 The mounting mechanism 50 sucks and holds the semiconductor chip t, and presses and mounts the sucked and held semiconductor chip t on a predetermined position on the substrate K (in some cases, heating may be used together), A drive device (not shown) is provided for moving the mounting tool 51 between the intermediate stage 30 and the substrate stage 20 as indicated by a broken line arrow.

次に、突き上げ機構60について、さらに図2および図3を用いて説明する。 Next, the push-up mechanism 60 will be further described with reference to FIGS.

突き上げ機構60は、ウエーハテーブル13に支持された粘着シート11の下面に対向して設けられたバックアップ体61と、バックアップ体61に内蔵され、粘着シート11に貼着された半導体チップtを突き上げる押し上げ機構62とを備える。 The push-up mechanism 60 pushes up the semiconductor chip t built in the backup body 61 and attached to the pressure-sensitive adhesive sheet 11 so as to face the lower surface of the pressure-sensitive adhesive sheet 11 supported by the wafer table 13. And a mechanism 62.

バックアップ体61は、吸着ノズル41による半導体チップtのピックアップ位置に合わせて固定的に配置される。バックアップ体61は、上下面が閉塞された中空の円柱形状を成しており、その上面は、粘着シート11を下側から吸着支持するバックアップ面61aとされている。また、バックアップ体61の中空部分は、内部空間61bとなっている。 The backup body 61 is fixedly arranged in accordance with the pickup position of the semiconductor chip t by the suction nozzle 41. The backup body 61 has a hollow cylindrical shape whose upper and lower surfaces are closed, and the upper surface thereof is a backup surface 61a that sucks and supports the adhesive sheet 11 from the lower side. The hollow portion of the backup body 61 is an internal space 61b.

バックアップ面61aには、ピックアップされる半導体チップtの周囲に位置する粘着シート11を吸着するための環状の吸引溝61cと複数の吸引孔61dが設けられる。これらの吸引溝61cと複数の吸引孔61dは、連通溝61eや不図示の連通孔を介してバックアップ体61の内部空間61bに連通している。すなわち、バックアップ体61の内部空間61bには、吸引ポンプ63に連通する真空配管63aが接続されており、内部空間61b内に負圧を供給できるようになっている。内部空間61b内を負圧にすることによって、吸引溝61cと複数の吸引孔61dに負圧を作用させることができるようになっている。また、真空配管63aには、電空レギュレータ等の圧力制御装置63bと、電磁弁等の開閉弁63cとが、吸引ポンプ63側からこの順で設けられており、吸引溝61cと複数の吸引孔61dに作用させる負圧のオン・オフ、および負圧の大きさを制御できるようになっている。圧力制御装置63bは、負圧調整機構として機能する。圧力制御装置63bは、ゲージ圧で−85kPa以下、好ましくは−90kPa以下の負圧が吸引溝61cと複数の吸引孔61dに作用するように設定するとよい。本実施形態では、−90kPaとした例で説明する。ここで、ゲージ圧とは、大気圧を基準(0kPa)とした相対的な圧力のことである。したがって、ゲージ圧で−85kPa以下とは、大気圧よりも85kPa低い圧力を含み、この圧力(−85kPa)よりも真空度が高い圧力のことを指す。つまり、−90kPaは、−85kPaよりも真空度が高い圧力である。また、「−85kPa以下の負圧」、「負圧の大きさを−85kPa」等の表現をすることがあるが、いずれもゲージ圧での圧力値を指すものである。 The backup surface 61a is provided with an annular suction groove 61c and a plurality of suction holes 61d for sucking the adhesive sheet 11 positioned around the semiconductor chip t to be picked up. The suction grooves 61c and the plurality of suction holes 61d communicate with the internal space 61b of the backup body 61 through the communication grooves 61e and communication holes (not shown). That is, a vacuum pipe 63a communicating with the suction pump 63 is connected to the internal space 61b of the backup body 61 so that a negative pressure can be supplied into the internal space 61b. A negative pressure can be applied to the suction groove 61c and the plurality of suction holes 61d by making the internal space 61b a negative pressure. Further, the vacuum pipe 63a is provided with a pressure control device 63b such as an electropneumatic regulator and an on-off valve 63c such as an electromagnetic valve in this order from the suction pump 63 side, and the suction groove 61c and a plurality of suction holes are provided. The negative pressure on / off applied to 61d and the magnitude of the negative pressure can be controlled. The pressure control device 63b functions as a negative pressure adjustment mechanism. The pressure control device 63b may be set so that a negative pressure of −85 kPa or less, preferably −90 kPa or less in terms of gauge pressure acts on the suction groove 61c and the plurality of suction holes 61d. In the present embodiment, an example in which −90 kPa is used will be described. Here, the gauge pressure is a relative pressure with reference to atmospheric pressure (0 kPa). Therefore, the gauge pressure of −85 kPa or less includes a pressure lower than the atmospheric pressure by 85 kPa, and indicates a pressure having a higher degree of vacuum than this pressure (−85 kPa). That is, -90 kPa is a pressure having a higher degree of vacuum than -85 kPa. In addition, expressions such as “negative pressure of −85 kPa or less” and “negative pressure magnitude of −85 kPa” may be used, and both indicate pressure values at gauge pressure.

なお、圧力制御装置63bに設定した圧力がそのまま内部空間61bおよび吸引溝61c、吸引孔61dに作用すると考えられる。そこで、本実施形態では、真空配管63aにおける開閉弁63cと内部空間61bの間の部分に圧力検出器63dを設けている。そして、圧力検出器63dの検出値が−90kPaになるように、圧力制御装置63bの制御圧力を設定している。なお、内部空間61b、或いは、吸引溝61cや複数の吸引孔61dに作用する圧力を検出し、この検出値が上記の圧力範囲となるように圧力制御装置63bの制御圧力を設定するようにしてもよい。また、吸引ポンプ63は、実装装置1に部品として組み込まれるものとしてもよいが、これに限らず、実装装置1とは別に用意されたものであってもよいし、例えば、工場等に設備されている負圧供給用の配管設備であってもよい。要は、圧力制御装置63bにゲージ圧で−85kPa以下の負圧を安定して供給することができる負圧源であればよい。 Note that the pressure set in the pressure control device 63b is considered to act on the internal space 61b, the suction groove 61c, and the suction hole 61d as they are. Therefore, in the present embodiment, the pressure detector 63d is provided in a portion between the on-off valve 63c and the internal space 61b in the vacuum pipe 63a. The control pressure of the pressure control device 63b is set so that the detection value of the pressure detector 63d is −90 kPa. The pressure acting on the internal space 61b, or the suction groove 61c or the plurality of suction holes 61d is detected, and the control pressure of the pressure control device 63b is set so that the detected value falls within the above pressure range. Also good. The suction pump 63 may be incorporated as a component in the mounting apparatus 1, but is not limited thereto, and may be prepared separately from the mounting apparatus 1, for example, installed in a factory or the like. It may be a piping facility for supplying negative pressure. In short, any negative pressure source that can stably supply a negative pressure of −85 kPa or less as a gauge pressure to the pressure control device 63b may be used.

押し上げ機構62は、第1〜第4の押し上げ体62a、62b、62c、62dと、第1〜第4の押し上げ体62a〜62dに対応して設けられ、第1〜第4の押し上げ体62a〜62dを個別に昇降動させる第1〜第4の昇降駆動装置62e、62f、62g、62hと、を備える。 The push-up mechanism 62 is provided corresponding to the first to fourth push-up bodies 62a, 62b, 62c, 62d and the first to fourth push-up bodies 62a to 62d, and the first to fourth push-up bodies 62a to 62d. 1st-4th raising / lowering drive device 62e, 62f, 62g, 62h which raises / lowers 62d separately is provided.

第1〜第4の押し上げ体62a〜62dのうち、第1〜第3の押し上げ体62a〜62cは平面視で矩形の角筒状を成し、軸心を同じにした三重構造となっている。第4の押し上げ体62dは角柱状を成し、第1〜第3の押し上げ体62a〜62cと軸心を同じにしてこれらの中央に配置されている。なお、本実施形態では、4個の押し上げ体62a〜62dを設けたが、4個に限られるものでは無く、2個、3個、或いは5個以上であってもよい。 Among the first to fourth push-up bodies 62a to 62d, the first to third push-up bodies 62a to 62c have a rectangular prismatic shape in plan view and have a triple structure with the same axis. . The fourth push-up body 62d has a prismatic shape and is arranged at the center with the same axis as the first to third push-up bodies 62a to 62c. In the present embodiment, four push-up bodies 62a to 62d are provided, but the number is not limited to four, and may be two, three, or five or more.

第1の押し上げ体62aは、最も外側に位置する押し上げ体であり、バックアップ体61の上面、つまり、バックアップ面61aの中央に設けられた矩形の開口部61f内に、この開口部61fの縁との間に隙間を設けて配置される。すなわち、開口部61fは、第1の押し上げ体62aの外形と相似形で、第1の押し上げ体62aの外形よりもわずかに大きく形成されている。また、第1の押し上げ体62aの先端面は、平面視において、押し上げる対象となる半導体チップtと相似形状であって半導体チップtよりもわずかに小さな大きさに形成されている。したがって、半導体チップtを押し上げたとき、半導体チップtの縁部が第1の押し上げ体62aの周囲からわずかにはみ出すようになっている。 The first push-up body 62a is the push-up body located on the outermost side, and the edge of the opening 61f is placed in the upper surface of the backup body 61, that is, in the rectangular opening 61f provided at the center of the backup surface 61a. Are arranged with a gap between them. That is, the opening 61f is similar to the outer shape of the first push-up body 62a, and is slightly larger than the outer shape of the first push-up body 62a. The front end surface of the first push-up body 62a has a shape similar to that of the semiconductor chip t to be pushed up and is slightly smaller than the semiconductor chip t in plan view. Therefore, when the semiconductor chip t is pushed up, the edge of the semiconductor chip t slightly protrudes from the periphery of the first push-up body 62a.

第2の押し上げ体62bは、第1の押し上げ体62aの内側に、第1の押し上げ体62aの内側面にガイドされる状態で配置される。第3の押し上げ体62cは、第2の押し上げ体62bの内側に、第2の押し上げ体62bの内側面にガイドされる状態で配置される。第4の押し上げ体62dは、第3の押し上げ体62cの内側に、第3の押し上げ体62cの内側面にガイドされる状態で配置される。 The second push-up body 62b is disposed inside the first push-up body 62a so as to be guided by the inner surface of the first push-up body 62a. The third push-up body 62c is arranged inside the second push-up body 62b so as to be guided by the inner surface of the second push-up body 62b. The fourth push-up body 62d is arranged inside the third push-up body 62c while being guided by the inner surface of the third push-up body 62c.

これらの押し上げ体62a〜62dは、第1〜第4の昇降駆動装置62e〜62hによって、予め設定された動作条件に従って上下動する。本実施形態では、最初に全ての押し上げ体62a〜62dがバックアップ面61aの高さから所定量突出する高さまで上昇する。この後、外側から順、つまり、第1、第2、第3、第4の押し上げ体の順でバックアップ面61aの高さ以下まで順次下降するように、動作条件が設定されている。なお、動作条件は、ピックアップ対象の半導体チップt、半導体チップtが貼着される粘着シート11の品種等に応じた動作に設定すればよい。 These push-up bodies 62a to 62d move up and down according to preset operation conditions by the first to fourth elevating drive devices 62e to 62h. In the present embodiment, first, all the push-up bodies 62a to 62d are raised from the height of the backup surface 61a to a height protruding by a predetermined amount. Thereafter, the operating conditions are set so as to descend sequentially from the outer side, that is, in order of the first, second, third, and fourth push-up bodies to the height of the backup surface 61a or less. In addition, what is necessary is just to set operation conditions to the operation | movement according to the kind etc. of the semiconductor sheet t of pick-up object, the adhesive sheet 11 to which the semiconductor chip t is stuck.

また、第1〜第3の押し上げ体62a〜62cの上端部には、図4(A)に示すように、それぞれ凸部64、65と凹部66が設けられる。なお、図4では、凹部66の形成位置に斜線を付し、凸部64、65との区別を明確にしている。第1の押し上げ体62aの矩形枠状を成す上端面の4つのコーナー部にはそれぞれ凸部64Aが形成される。また、第1の押し上げ体62aの矩形枠状の上端面の4つの側辺部には、略均等の間隔で複数の凸部65Aがそれぞれ設けられる。そして、凸部64Aと凸部65Aの間および凸部65A同士の間にはそれぞれ凹部66Aが設けられる。第2の押し上げ体62bの矩形枠状の上端面の4つのコーナー部にはそれぞれ凸部64Bが形成される。また、第2の押し上げ体62bの矩形枠状の上端面の4つの側辺部には、略均等の間隔で複数の凸部65Bがそれぞれ設けられる。そして、凸部64Bと凸部65Bの間および凸部64B同士の間にはそれぞれ凹部66Bが設けられる。また、第2の押し上げ体62bの凸部65Bと凹部66Bの配置は、第1の押し上げ体62aの凸部65Aと凹部66Aの配置に対して互い違いの関係となっている。第3の押し上げ体62cの矩形枠状の上端面にも、第1、第2の押し上げ体62a、62bと同様に、凸部64C、65Cと凹部66Cが形成される。第3の押し上げ体62cの凸部65Cと凹部66Cの配置は、第2の押し上げ体62bの凸部65Bと凹部66Bの配置に対して互い違いの関係となっている。これらの凸部64A〜64C、65A〜65Cの上面および第4の押し上げ体62dの上面は、バックアップ面61aと同一平面上で粘着シート11を支持できるように形成されている。そして、凸部64A〜64C、65A〜65Cの上面と第4の押し上げ体62dの上面によって形成される平面の面精度が20μm以下となるように形成されている。 Further, as shown in FIG. 4A, convex portions 64 and 65 and a concave portion 66 are provided at the upper end portions of the first to third push-up bodies 62a to 62c, respectively. In FIG. 4, the formation position of the concave portion 66 is hatched to clearly distinguish the convex portions 64 and 65 from each other. Convex portions 64A are respectively formed at the four corner portions of the upper end surface forming the rectangular frame shape of the first push-up body 62a. A plurality of convex portions 65A are provided at substantially equal intervals on the four side portions of the upper end surface of the rectangular frame shape of the first push-up body 62a. And the recessed part 66A is provided between the convex part 64A and the convex part 65A, and between convex parts 65A, respectively. Convex portions 64B are respectively formed at the four corner portions of the upper end surface of the rectangular frame shape of the second push-up body 62b. A plurality of convex portions 65B are provided at substantially equal intervals on the four side portions of the upper end surface of the rectangular frame of the second push-up body 62b. And the recessed part 66B is provided between the convex part 64B and the convex part 65B, and between convex parts 64B, respectively. In addition, the arrangement of the convex portions 65B and the concave portions 66B of the second push-up body 62b has an alternating relationship with the arrangement of the convex portions 65A and the concave portions 66A of the first push-up body 62a. Similarly to the first and second push-up bodies 62a and 62b, convex portions 64C and 65C and a concave portion 66C are also formed on the upper end surface of the third push-up body 62c in the rectangular frame shape. The arrangement of the convex portions 65C and the concave portions 66C of the third push-up body 62c has an alternating relationship with the arrangement of the convex portions 65B and the concave portions 66B of the second push-up body 62b. The upper surfaces of the convex portions 64A to 64C and 65A to 65C and the upper surface of the fourth push-up body 62d are formed so as to support the adhesive sheet 11 on the same plane as the backup surface 61a. Then, the surface accuracy of the plane formed by the upper surfaces of the convex portions 64A to 64C and 65A to 65C and the upper surface of the fourth push-up body 62d is 20 μm or less.

また、側辺部に設けられた各凸部65A〜65Cは、側辺部に沿う方向の長さが0.4mm以上2.0mm以下となるように形成することが好ましい。また、各凹部66A〜66Cは、側辺部に沿う方向の長さが、凸部65A〜65Cの長さと同じとしてもよいし、異なってもよいが、凸部65A〜65Cと同様に、側辺部に沿う方向の長さが0.4mm以上2.0mm以下となるように形成することが好ましい。また、隣接する凹部66Aと凹部66Bおよび凹部66Bと凹部66Cは、一部が重なるような配置としてもよいが、重なる部分の長さは、側辺部に沿う方向における凹部66A〜66Cの長さの20%以下とすることが好ましい。したがって、凹部66A〜66Cの長さは、凸部65A〜65Cの長さに対して0.8倍以上1.2倍以下となるように形成することが好ましい。 Moreover, it is preferable to form each convex part 65A-65C provided in the side part so that the length of the direction along a side part may be 0.4 mm or more and 2.0 mm or less. Further, the lengths of the concave portions 66A to 66C in the direction along the side portions may be the same as or different from the lengths of the convex portions 65A to 65C, but as with the convex portions 65A to 65C, The length in the direction along the side is preferably 0.4 mm or more and 2.0 mm or less. The adjacent recesses 66A and 66B and the recesses 66B and 66C may be arranged so as to partially overlap, but the length of the overlapping portions is the length of the recesses 66A to 66C in the direction along the side portion. It is preferable to make it 20% or less. Therefore, the length of the recesses 66A to 66C is preferably formed to be 0.8 times or more and 1.2 times or less than the length of the projections 65A to 65C.

さらに、第1〜第4の押し上げ体62a〜62dがバックアップ体61と共に粘着シート11を支持した状態で、第1〜第4の押し上げ体62a〜62dの上端面と粘着シート11との間には、負圧を作用させることができるようになっている。すなわち、バックアップ体61の開口部61fは内部空間61bに連通しており、第1の押し上げ体62aと開口部61fの縁との間には隙間がある。また、押し上げ体62a〜62d同士の間にも隙間がある。したがって、これらの隙間を通して内部空間61b内の負圧が第1〜第4の押し上げ体62a〜62dの上端面と粘着シート11との間に作用する。つまり、突き上げ機構60と粘着シート11との間には、上述の圧力範囲に設定された負圧、具体的には、−90kPaの負圧が作用するように構成されている。 Further, in a state where the first to fourth push-up bodies 62a to 62d support the adhesive sheet 11 together with the backup body 61, between the upper end surfaces of the first to fourth push-up bodies 62a to 62d and the adhesive sheet 11. The negative pressure can be applied. That is, the opening 61f of the backup body 61 communicates with the internal space 61b, and there is a gap between the first push-up body 62a and the edge of the opening 61f. There is also a gap between the push-up bodies 62a to 62d. Therefore, the negative pressure in the internal space 61 b acts between the upper end surfaces of the first to fourth push-up bodies 62 a to 62 d and the adhesive sheet 11 through these gaps. That is, the negative pressure set in the above-described pressure range, specifically, the negative pressure of −90 kPa is applied between the push-up mechanism 60 and the adhesive sheet 11.

制御装置70は、記憶部71を備える。記憶部71には、押し上げ体62a〜62dの動作条件など、実装装置1の動作に必要なデータが記憶される。制御装置70は、記憶部71に記憶されたデータを参照し、供給装置10、基板ステージ20、ピックアップ機構40、実装機構50、突き上げ機構60等を制御する。
(作動の説明)
次に、実装装置1およびピックアップ装置の作動について、図1及び図5〜図7を用いて説明する。
The control device 70 includes a storage unit 71. The storage unit 71 stores data necessary for the operation of the mounting apparatus 1 such as the operating conditions of the push-up bodies 62a to 62d. The control device 70 refers to the data stored in the storage unit 71 and controls the supply device 10, the substrate stage 20, the pickup mechanism 40, the mounting mechanism 50, the push-up mechanism 60, and the like.
(Description of operation)
Next, operations of the mounting apparatus 1 and the pickup apparatus will be described with reference to FIGS. 1 and 5 to 7.

まず、粘着シート11に複数の半導体チップtが貼着されたウエーハリング12が、供給装置10のウエーハテーブル13にセットされる。また、基板ステージ20には、不図示の基板搬入装置によって実装前の基板Kが載置される。 First, the wafer ring 12 in which a plurality of semiconductor chips t are bonded to the adhesive sheet 11 is set on the wafer table 13 of the supply device 10. A substrate K before mounting is placed on the substrate stage 20 by a substrate carry-in device (not shown).

この状態で、ピックアップ機構40の吸着ノズル41は、供給装置10上でピックアップ位置に位置付けられた半導体チップtをピックアップして中間ステージ30に移送する。実装機構50の実装ツール51は、中間ステージ30に移送された半導体チップtを受取り、基板ステージ20に載置された基板Kの所定の実装位置に実装する。このような動作を繰り返し実行し、半導体チップtを基板Kの各実装位置に順次実装する。 In this state, the suction nozzle 41 of the pickup mechanism 40 picks up the semiconductor chip t positioned at the pickup position on the supply device 10 and transfers it to the intermediate stage 30. The mounting tool 51 of the mounting mechanism 50 receives the semiconductor chip t transferred to the intermediate stage 30 and mounts it on a predetermined mounting position of the substrate K placed on the substrate stage 20. Such an operation is repeatedly executed, and the semiconductor chip t is sequentially mounted on each mounting position of the substrate K.

なお、ピックアップ装置によるピックアップの際、すなわち、吸着ノズル41が半導体チップtをピックアップする際、突上げ機構60は次のように作動する。 When picking up by the pickup device, that is, when the suction nozzle 41 picks up the semiconductor chip t, the push-up mechanism 60 operates as follows.

図5(A)に示すように、突き上げ機構60の直上、つまり、ピックアップ位置にピックアップ対象の半導体チップtが位置付けられると、突上げ装置60はバックアップ面61aによって粘着シート11の下面を支持する。そして、開閉弁63cを開くことによって吸引溝61cおよび吸引孔61dに所定の負圧(−90kPaの負圧)を作用させて粘着シート11を吸着保持する。 As shown in FIG. 5A, when the semiconductor chip t to be picked up is positioned immediately above the push-up mechanism 60, that is, at the pickup position, the push-up device 60 supports the lower surface of the adhesive sheet 11 by the backup surface 61a. Then, by opening the on-off valve 63c, a predetermined negative pressure (negative pressure of −90 kPa) is applied to the suction groove 61c and the suction hole 61d to hold the adhesive sheet 11 by suction.

バックアップ面61aによって粘着シート11を吸着保持したならば、図5(B)に示すように、吸着ノズル41を下降させて半導体チップtに当接させ、半導体チップtを吸着保持させる。 If the adhesive sheet 11 is sucked and held by the backup surface 61a, the suction nozzle 41 is lowered and brought into contact with the semiconductor chip t as shown in FIG. 5B, and the semiconductor chip t is sucked and held.

吸着ノズル41が半導体チップtを吸着したならば、図5(C)に示すように、第1〜第4の押し上げ体62a〜62dを予め設定された高さだけ上昇させる。このとき、吸着ノズル41は同期して上昇する。これにより、粘着シート11は、第1〜第4の押し上げ体62a〜62dによって凸状に押し上げられる。このとき、粘着シート11とバックアップ面61aおよび第1〜第4の押し上げ体62a〜62dの上端面との間には−90kPaの負圧が作用されている。そのため、粘着シート11において第1〜第4の押し上げ体62a〜62dによって押し上げられて傾斜した部分11aには、負圧によって引き下げられる力が作用する。これにより、半導体チップtの外縁部、より具体的には、半導体チップtにおいて第1の押し上げ体62aからはみ出した外縁部において、粘着シート11には半導体チップtから引き剥がそうとする力が作用する。これにより、半導体チップtの前記外縁部から粘着シート11が剥離する。なおこのとき、半導体チップtのはみ出し量がわずかであるから、半導体チップtの各辺の全域で一度に粘着シートtの剥離を開始したとしても、半導体チップtの損傷が発生することがない。 If the suction nozzle 41 sucks the semiconductor chip t, as shown in FIG. 5C, the first to fourth push-up bodies 62a to 62d are raised by a preset height. At this time, the suction nozzle 41 rises synchronously. Thereby, the adhesive sheet 11 is pushed up convexly by the 1st-4th push-up body 62a-62d. At this time, a negative pressure of −90 kPa is applied between the adhesive sheet 11, the backup surface 61a, and the upper end surfaces of the first to fourth push-up bodies 62a to 62d. Therefore, in the pressure-sensitive adhesive sheet 11, a force that is pulled down by negative pressure acts on the inclined portion 11 a that is pushed up by the first to fourth push-up bodies 62 a to 62 d. As a result, at the outer edge portion of the semiconductor chip t, more specifically, at the outer edge portion of the semiconductor chip t that protrudes from the first push-up body 62a, the adhesive sheet 11 is subjected to a force for peeling off from the semiconductor chip t. To do. Thereby, the adhesive sheet 11 peels from the said outer edge part of the semiconductor chip t. At this time, since the protruding amount of the semiconductor chip t is small, even if the peeling of the adhesive sheet t is started all at once in the entire area of each side of the semiconductor chip t, the semiconductor chip t is not damaged.

またこのとき、第1の押し上げ体62aの凹部66Aにも−90kPaの負圧が作用する。そのため、半導体チップtの縁のうち凹部66Aに対向する部分では、粘着シート11に作用する負圧により、半導体チップtからの粘着シート11の剥離が他の縁よりも促進される。図4(B)は、凹部66において粘着シート11の剥離が進行した状態を模式的に示した平面図であるが、凹部66には、図中に符号Pで示すような概略三日月形状(斜線で示した凹部66内の白抜き部分)の剥離部が生じる。なお、図4(B)では、全ての凹部66A、66B、66Cに剥離部Pを示しているが、この段階では概ね第1の押し上げ体62aの凹部66Aの部分にのみ剥離部Pが生じる。また、この剥離部Pは、後述の第2の押し上げ体62bが下降を開始するまでの間に負圧の作用によって第2の押し上げ体62bに向けて伸長するように拡大する。 At this time, a negative pressure of −90 kPa also acts on the recess 66A of the first push-up body 62a. Therefore, in the portion of the edge of the semiconductor chip t facing the recess 66A, the negative pressure acting on the pressure-sensitive adhesive sheet 11 promotes the peeling of the pressure-sensitive adhesive sheet 11 from the semiconductor chip t more than other edges. FIG. 4B is a plan view schematically showing a state in which the peeling of the pressure-sensitive adhesive sheet 11 has progressed in the concave portion 66, and the concave portion 66 has a roughly crescent shape (diagonal line) as indicated by a symbol P in the drawing. The exfoliation part of the white part in the crevice 66 shown in Drawing 5 arises. In FIG. 4B, the peeling portions P are shown in all the concave portions 66A, 66B, 66C. However, at this stage, the peeling portions P are formed only in the concave portions 66A of the first push-up body 62a. Further, the peeling portion P expands so as to extend toward the second push-up body 62b by the action of the negative pressure until the later-described second push-up body 62b starts to descend.

第1〜第4の押し上げ体62a〜62dが上昇してから所定の待機時間が経過した後、図6(A)に示すように、第1の押し上げ体62aが下降する。第1の押し上げ体62aは、第1の押し上げ体62aの上端面がバックアップ面61aよりも所定の高さ低くなる位置まで下降する。これにより、第1の押し上げ体62aは半導体チップtから離間する。第1の押し上げ体62aが下降することで、粘着シート11のうち今まで第1の押し上げ体62aで支持されていた部分には、自身の張力と負圧によって引き下げる方向、つまり、半導体チップtから引き剥がす方向に力が作用する。この力により、半導体チップtの中央に向けて粘着シート11の剥離が進行する。図6(A)に示す状態は、第1の押し上げ体62aで支持されていた粘着シート11が半導体チップtから引き剥がされた状態である。またこのとき、第2の押し上げ体62bの凹部66Bにも負圧が作用するので、凹部66Bに対向する部分で粘着シート11の剥離が進行する。これにより、図4(B)に示すように、第2の押し上げ体62bの凹部66Bに対応する部分に剥離部Pが生じる。 After a predetermined waiting time elapses after the first to fourth push-up bodies 62a to 62d are lifted, the first push-up body 62a is lowered as shown in FIG. The first push-up body 62a is lowered to a position where the upper end surface of the first push-up body 62a is lower than the backup surface 61a by a predetermined height. As a result, the first pusher 62a is separated from the semiconductor chip t. When the first push-up body 62a is lowered, the portion of the adhesive sheet 11 that has been supported by the first push-up body 62a until now is pulled down by its own tension and negative pressure, that is, from the semiconductor chip t. A force acts in the direction of peeling. Due to this force, the peeling of the adhesive sheet 11 proceeds toward the center of the semiconductor chip t. The state shown in FIG. 6A is a state in which the adhesive sheet 11 supported by the first pusher 62a is peeled off from the semiconductor chip t. At this time, since negative pressure also acts on the recess 66B of the second push-up body 62b, peeling of the adhesive sheet 11 proceeds at a portion facing the recess 66B. As a result, as shown in FIG. 4B, a peeling portion P is generated at a portion corresponding to the recess 66B of the second push-up body 62b.

更に、所定の待機時間が経過した後、図6(B)に示すように、第2の押し上げ体62bが、第1の押し上げ体62aの位置まで下降する。このときにも、第1の押し上げ体62aが下降したときと同様に、粘着シート11のうち第2の押し上げ体62bで支持されていた部分の剥離が進行する。また、図6(B)に示すように、第3の押し上げ体62cの凹部66Cに対向する部分で粘着シート11の剥離が進行し、剥離部Pが生じる。また更に所定の待機時間が経過した後、図6(C)に示すように、第3の押し上げ体62cが第1、第2の押し上げ体62a、62bの位置まで下降する。このときにも、第1、第2の押し上げ体62a、62bが下降したときと同様に、粘着シート11のうち第3の押し上げ体62cで支持されていた部分の剥離が進行する。 Further, after a predetermined waiting time has elapsed, as shown in FIG. 6B, the second push-up body 62b is lowered to the position of the first push-up body 62a. At this time, as in the case where the first push-up body 62a is lowered, the peeling of the portion of the adhesive sheet 11 supported by the second push-up body 62b proceeds. Further, as shown in FIG. 6B, the peeling of the pressure-sensitive adhesive sheet 11 proceeds at a portion facing the recess 66C of the third push-up body 62c, and a peeling portion P is generated. Further, after a predetermined waiting time has elapsed, as shown in FIG. 6C, the third push-up body 62c is lowered to the positions of the first and second push-up bodies 62a and 62b. At this time, as in the case where the first and second push-up bodies 62a and 62b are lowered, the part of the pressure-sensitive adhesive sheet 11 supported by the third push-up body 62c is peeled off.

第3の押し上げ体62cが下降してから所定の待機時間が経過した後、図7(A)に示すように、第4の押し上げ体62dが、第1〜第3の押し上げ体62a〜62cの位置まで下降する。これにより、粘着シート11のうち第4の押し上げ体62dで支持されていた部分の剥離が進行する。図7(A)に示す状態は、この剥離の進行過程を示す。 After a predetermined waiting time has elapsed since the third push-up body 62c is lowered, as shown in FIG. 7A, the fourth push-up body 62d is replaced with the first to third push-up bodies 62a to 62c. Lower to position. Thereby, peeling of the part currently supported by the 4th push-up body 62d among the adhesive sheets 11 advances. The state shown in FIG. 7A shows the progress of this peeling.

なお、各押し上げ体62a〜62dを下降させるまでの待機時間は、同じ時間に設定してもよいし、個別の時間を設定してもよい。ただし、この待機時間を長く設定することは、生産性を低下させることにつながるので、生産性を考慮して設定するとよい。すなわち、半導体チップtの実装工程で用いられる実装装置1において、1時間当たりに実装可能な半導体チップtの数を表すUPH(Unit Per Hour)は生産性を左右する重要な要素である。そのため、生産性の向上を図るためには、UPHの数値が高い方が好ましい。この数値を高めるためには、一つ一つの半導体チップtの実装を極力短い時間で行うことが必要である。この際、半導体チップtを基板Kに対して加圧接合(加熱を併用することもある)する時間、所謂、ボンディング時間は短くすることができない。そこで、半導体チップtの加圧接合と同時並行的に実行される半導体チップtの移送に要する時間をボンディング時間内で納めることが要求される。なお、移送に要する時間とは、吸着ノズル41が、ピックアップ位置の直上に位置してからピックアップ位置に位置付けられた半導体チップtに向けて下降し、半導体チップtをピックアップし、中間ステージ30上に移送して載置するまでに要する時間のことである。 Note that the standby time until the pushers 62a to 62d are lowered may be set to the same time, or may be set to individual times. However, setting this standby time long leads to a decrease in productivity, so it is preferable to set it in consideration of productivity. That is, UPH (Unit Per Hour) representing the number of semiconductor chips t that can be mounted per hour in the mounting apparatus 1 used in the mounting process of the semiconductor chip t is an important factor that affects productivity. Therefore, in order to improve productivity, it is preferable that the UPH value is high. In order to increase this numerical value, it is necessary to mount each semiconductor chip t in as short a time as possible. At this time, it is not possible to shorten the time during which the semiconductor chip t is pressure bonded to the substrate K (heating may be used together), so-called bonding time. Therefore, it is required that the time required for transferring the semiconductor chip t, which is executed in parallel with the pressure bonding of the semiconductor chip t, be within the bonding time. Note that the time required for the transfer is that the suction nozzle 41 descends toward the semiconductor chip t positioned at the pickup position after the suction nozzle 41 is positioned immediately above the pickup position, picks up the semiconductor chip t, and moves onto the intermediate stage 30. It is the time required to transfer and place.

そこで、上述した待機時間は、移送に要する時間がボンディング時間以内となる条件で設定することが要求される。例えば、ボンディング時間が1.2秒であり、ピックアップ位置の直上に位置した吸着ノズル41が半導体チップtまで下降する時間および吸着ノズル41がピックアップした半導体チップtを中間ステージ30に移送して載置するまでの時間が合わせて0.5秒であった場合、押し上げ機構62による半導体チップtの突き上げに使える時間は、1.2秒−0.5秒=0.7秒足らずとなる。この場合、上述の待機時間は、0.1秒弱〜0.3秒程度に設定する必要が生じる。すなわち、待機時間は、設定可能な範囲がボンディング時間によって極めて短い時間の範囲内に制限されるものであり、ピックアップ装置にはこの短い時間内に粘着シート11を半導体チップtから剥離することが求められるのである。 Therefore, the above-described standby time is required to be set under the condition that the time required for transfer is within the bonding time. For example, the bonding time is 1.2 seconds, the time when the suction nozzle 41 positioned immediately above the pickup position is lowered to the semiconductor chip t, and the semiconductor chip t picked up by the suction nozzle 41 is transferred to the intermediate stage 30 and placed. When the total time required for this is 0.5 seconds, the time available for pushing up the semiconductor chip t by the push-up mechanism 62 is less than 1.2 seconds−0.5 seconds = 0.7 seconds. In this case, the above-described standby time needs to be set to about 0.1 seconds to about 0.3 seconds. That is, the settable range of the waiting time is limited to a very short time range by the bonding time, and the pickup device is required to peel the adhesive sheet 11 from the semiconductor chip t within this short time. It is done.

本実施形態のように、突き上げ機構60と粘着シート11との間に上述の圧力範囲に設定された負圧を作用させることで、上述の待機時間が0.1秒弱〜0.3秒程度の短い時間に設定されたとしても、その間に、押し上げ体62a〜62cの支持が解除された粘着シート11の部分を半導体チップtから剥離させることができるだけの力を十分に作用させることが可能となる。 As in the present embodiment, by applying a negative pressure set in the above-described pressure range between the push-up mechanism 60 and the adhesive sheet 11, the above-described standby time is about 0.1 seconds to about 0.3 seconds. Even if the time is set to a short time, it is possible to sufficiently apply a force capable of separating the portion of the pressure-sensitive adhesive sheet 11 from which the support of the push-up bodies 62a to 62c is released from the semiconductor chip t. Become.

なお、第4の押し上げ体62dが下降してから所定の待機時間が経過した後、図7(B)に示すように、吸着ノズル41を上昇させて、半導体チップtをピックアップする。また、開閉弁63cが閉じられて負圧が停止され、第1〜第4の押し上げ体62a〜62dがもとの高さ、つまり、上端がバックアップ面61aに一致する高さまで上昇する。
(作用効果)
このような実施形態の実装装置1によれば、ピックアップ機構40と突き上げ機構60を有して構成されるピックアップ装置を備え、ピックアップ機構40の吸着ノズル41によって粘着シート11から半導体チップtをピックアップする際、突き上げ機構60の押し上げ機構62を用いて、ピックアップされる半導体チップtを粘着シート11の下側から突き上げる。この突き上げの際に、突き上げ機構60と粘着シート11との間に作用させる負圧の大きさを、ゲージ圧で−85kPa以下に設定した。突き上げ機構60と粘着シート11との間に作用させる負圧とは、具体的には、バックアップ体61の吸引溝61cと吸引孔61d、および、各押し上げ体62a〜62dと粘着シート11との間、押し上げ体62a〜62dの凹部66A〜66C内に作用させる負圧のことである。
Note that, after a predetermined waiting time has elapsed after the fourth push-up body 62d is lowered, the suction nozzle 41 is raised to pick up the semiconductor chip t as shown in FIG. 7B. Further, the on-off valve 63c is closed and the negative pressure is stopped, and the first to fourth push-up bodies 62a to 62d are raised to the original height, that is, the height where the upper end coincides with the backup surface 61a.
(Function and effect)
According to the mounting apparatus 1 of such an embodiment, the pickup apparatus including the pickup mechanism 40 and the push-up mechanism 60 is provided, and the semiconductor chip t is picked up from the adhesive sheet 11 by the suction nozzle 41 of the pickup mechanism 40. At this time, the picked-up semiconductor chip t is pushed up from the lower side of the adhesive sheet 11 by using the push-up mechanism 62 of the push-up mechanism 60. The magnitude of the negative pressure applied between the push-up mechanism 60 and the pressure-sensitive adhesive sheet 11 during the push-up was set to −85 kPa or less in terms of gauge pressure. Specifically, the negative pressure applied between the push-up mechanism 60 and the adhesive sheet 11 is the suction groove 61c and the suction hole 61d of the backup body 61, and between the push-up bodies 62a to 62d and the adhesive sheet 11. The negative pressure applied to the recesses 66A to 66C of the push-up bodies 62a to 62d.

このような負圧を作用させることにより、押し上げ機構62で粘着シート11の下から半導体チップtを突き上げる際、複数の押し上げ体62a〜62dによる半導体チップtの支持面積を段階的に減少させていくときに、支持面積の減少に追従して粘着シートを半導体チップtから剥離させることができる。 By applying such a negative pressure, when the semiconductor chip t is pushed up from under the adhesive sheet 11 by the push-up mechanism 62, the support area of the semiconductor chip t by the push-up bodies 62a to 62d is gradually reduced. Sometimes, the pressure-sensitive adhesive sheet can be peeled off from the semiconductor chip t following the decrease in the support area.

また、設定する負圧の圧力範囲を−85kPa以下としたので、複数の押し上げ体62a〜62dのうちの1つを半導体チップtから離間させてから次の押し上げ体が離間するまでの時間(上述の待機時間)が0.1秒弱〜0.3秒程度と短い時間であっても、この間に、押し上げ体62a〜62cの支持が解除された粘着シート11の部分を半導体チップtから剥離させることができる。このため、30μm以下の厚みの半導体チップであっても、粘着シート11から迅速に剥離することが可能となり、生産性を損ねることが防止できる。 Further, since the pressure range of the negative pressure to be set is set to −85 kPa or less, the time from when one of the plurality of push-up bodies 62a to 62d is separated from the semiconductor chip t until the next push-up body is separated (described above) In the meantime, the portion of the pressure-sensitive adhesive sheet 11 from which the support of the push-up bodies 62a to 62c is released is peeled off from the semiconductor chip t. be able to. For this reason, even a semiconductor chip having a thickness of 30 μm or less can be quickly peeled off from the pressure-sensitive adhesive sheet 11, and productivity can be prevented from being impaired.

また、第1〜第3の押し上げ体62a〜62cの上端部に凸部64、65と凹部66を交互に形成した。これにより、凸部64と凸部65の間および凸部65同士の間に設けられた凹部66に対向する粘着シート11の部位には、上述の圧力範囲に設定された負圧(−85kPa以下の負圧)が作用する。そのため、凹部66に対応する粘着シート11の部分においては、押し上げ体62a〜62cの下降(半導体チップtからの離間)を待たずして、半導体チップtからの粘着シート11の剥離を進行させることが可能となる。この結果、押し上げ体62a〜62cを下降させた際、半導体チップtからの粘着シート11の剥離をより一層迅速に進行させることができる。しかも、押し上げ体62a〜62cが下降し始めたときには、当該押し上げ体62a〜62cの凹部66に対応する粘着シート11の部分では半導体チップtからの剥離が進行している。そのため、押し上げ体62a〜62cで支持されていた部分の粘着シート11の剥離が2回に分けて行われることになるので、押し上げ体62a〜62cが下降して初めて当該部分の剥離が一斉に始まる場合に比べて、半導体チップtに作用するストレスを格段に低減させることができる。このため、破損が生じやすい厚みの薄い半導体チップt、例えば、30μm以下の厚みの半導体チップtであっても良好にピックアップすることができる。さらに、凹部66に対応する粘着シート11の部分が半導体チップtから剥離するときには、半導体チップtは凹部66の両側(半導体チップtの辺に沿う方向の両側)と中央側の三方側から凸部64、65によって支持されている。そのため、粘着シート11に半導体チップtから引き剥がす方向の力が作用したとしても、半導体チップtの周縁部の全域の支持が解除された状態で粘着シート11に力が作用する場合に比べて、半導体チップtに生じるストレスを格段に低減させることができる。 Moreover, the convex parts 64 and 65 and the recessed part 66 were formed in the upper end part of the 1st-3rd push-up body 62a-62c alternately. Thereby, in the site | part of the adhesive sheet 11 which opposes the recessed part 66 provided between the convex parts 64 and the convex parts 65, and between the convex parts 65, the negative pressure (-85 kPa or less) set to the above-mentioned pressure range is carried out. Negative pressure). Therefore, in the part of the pressure-sensitive adhesive sheet 11 corresponding to the recess 66, the peeling of the pressure-sensitive adhesive sheet 11 from the semiconductor chip t is allowed to proceed without waiting for the pushers 62a to 62c to descend (separate from the semiconductor chip t). Is possible. As a result, when the push-up bodies 62a to 62c are lowered, the peeling of the pressure-sensitive adhesive sheet 11 from the semiconductor chip t can be advanced more rapidly. Moreover, when the push-up bodies 62a to 62c begin to descend, peeling from the semiconductor chip t is progressing in the portion of the adhesive sheet 11 corresponding to the recess 66 of the push-up bodies 62a to 62c. For this reason, the part of the pressure-sensitive adhesive sheet 11 that is supported by the push-up bodies 62a to 62c is peeled off in two steps. Therefore, the peel-off of the parts starts only when the push-up bodies 62a to 62c are lowered. Compared to the case, the stress acting on the semiconductor chip t can be remarkably reduced. Therefore, even a thin semiconductor chip t that is easily damaged, for example, a semiconductor chip t with a thickness of 30 μm or less can be picked up satisfactorily. Further, when the portion of the adhesive sheet 11 corresponding to the recess 66 is peeled off from the semiconductor chip t, the semiconductor chip t protrudes from both sides of the recess 66 (both sides in the direction along the side of the semiconductor chip t) and from the three sides on the center side. 64, 65. Therefore, even when a force in the direction of peeling from the semiconductor chip t is applied to the adhesive sheet 11, compared to a case where the force is applied to the adhesive sheet 11 in a state where the support of the entire peripheral portion of the semiconductor chip t is released, The stress generated in the semiconductor chip t can be significantly reduced.

また、矩形の第1〜第3の押し上げ体62a〜62cの上端部に設けた凹部66の周方向に沿う長さ、つまり、側辺部に沿う方向の長さが、0.4mm以上2.0mm以下となるように形成した。凹部66の長さが0.4mmよりも短い場合、凹部66内に−85kPa以下の負圧を作用させたとしても、粘着シート11において負圧が作用する面積が過少となり、剥離部Pを良好に形成することが困難になる。一方、凹部66の長さが2.0mmよりも長い場合、粘着シート11において負圧が作用する面積が過大となり、剥離部Pが形成されるときに半導体チップtに過度のストレスが加わり、破損を生じるおそれがある。凹部66の長さを0.4mm以上2.0mm以下とすることにより、半導体チップtの支持性を確保しつつ、粘着シート11の剥離性が確保できる。その結果、半導体チップtに加わるストレスを抑制しつつ良好に剥離部Pを形成することが可能となり、半導体チップtを粘着シート11から迅速かつ良好に剥離することができる。 Moreover, the length along the circumferential direction of the recessed part 66 provided in the upper end part of the rectangular 1st-3rd push-up body 62a-62c, ie, the length along the side part, is 0.4 mm or more. It formed so that it might become 0 mm or less. When the length of the concave portion 66 is shorter than 0.4 mm, even if a negative pressure of −85 kPa or less is applied in the concave portion 66, the area where the negative pressure acts on the pressure-sensitive adhesive sheet 11 becomes too small, and the peeling portion P is good. It becomes difficult to form. On the other hand, if the length of the recess 66 is longer than 2.0 mm, the area where the negative pressure acts on the pressure-sensitive adhesive sheet 11 becomes excessive, and excessive stress is applied to the semiconductor chip t when the peeling portion P is formed, causing damage. May occur. By making the length of the recessed part 66 0.4 mm or more and 2.0 mm or less, the peelability of the adhesive sheet 11 can be ensured while ensuring the supportability of the semiconductor chip t. As a result, it becomes possible to form the peeling part P satisfactorily while suppressing the stress applied to the semiconductor chip t, and the semiconductor chip t can be peeled from the adhesive sheet 11 quickly and satisfactorily.

また、四角形の第1〜第3の押し上げ体62a〜62cの上端部に設けた凹部66の周方向に沿う長さ、つまり、側辺部に沿う方向の長さを、凸部65における側辺部に沿う方向の長さに対して0.8倍以上1.2倍以下に設定した。0.8倍よりも小さい場合、各押し上げ体62a〜62cの側辺部の長さに対して、剥離部Pの形成される領域の割合が少なくなる。そのため、その後の押し上げ体62a、62b、62cの下降による粘着シート11の剥離の際に、隔離の起点となる剥離部Pが小さく、剥離の進行が滞る確率が高くなる。反対に、1.2倍よりも大きい場合、各押し上げ体62a〜62cの側辺部の長さに対して凸部64、65によって支持される領域の割合が少なくなる。そのため、剥離部Pが形成されるときに半導体チップtに加わるストレスが大きくなり、半導体チップtの破損の確率が高くなる。また、凹部66A、66B、66C同士を互い違いの位置関係で形成することで、剥離部Pが半導体チップtの中央まで連続して形成されることを防止し、半導体チップtに加わるストレスの軽減を図っている。しかしながら、凹部66の長さが1.2倍を超えると、隣接する凹部66A、66Bおよび66B、66Cを伝って剥離部Pが半導体チップtの中央まで広がり易くなる。そうすると、凹部66A、66B、66C同士を互い違いに形成したことによるダメージの抑制効果が低下してしまう。したがって、凹部66は凸部65の0.8倍以上1.2倍以下の長さに設定することが好ましい。   Further, the length along the circumferential direction of the concave portion 66 provided at the upper ends of the first to third push-up bodies 62 a to 62 c having a square shape, that is, the length in the direction along the side portion is set as the side edge of the convex portion 65. It was set to 0.8 to 1.2 times the length in the direction along the part. When smaller than 0.8 times, the ratio of the area | region where the peeling part P is formed becomes small with respect to the length of the side part of each pushing-up body 62a-62c. Therefore, when the pressure-sensitive adhesive sheet 11 is peeled by the subsequent lowering of the push-up bodies 62a, 62b, and 62c, the peeling portion P serving as a separation starting point is small, and the probability that the progress of peeling is delayed increases. On the contrary, when larger than 1.2 times, the ratio of the area | region supported by the convex parts 64 and 65 with respect to the length of the side part of each pushing-up body 62a-62c decreases. Therefore, the stress applied to the semiconductor chip t when the peeling portion P is formed increases, and the probability of damage to the semiconductor chip t increases. Further, by forming the recesses 66A, 66B, and 66C in an alternate positional relationship, it is possible to prevent the peeling portion P from being continuously formed to the center of the semiconductor chip t, and to reduce the stress applied to the semiconductor chip t. I am trying. However, if the length of the concave portion 66 exceeds 1.2 times, the peeling portion P easily spreads to the center of the semiconductor chip t through the adjacent concave portions 66A, 66B and 66B, 66C. If it does so, the inhibitory effect of the damage by forming recessed part 66A, 66B, 66C by turns will fall. Therefore, the recess 66 is preferably set to a length that is 0.8 times or more and 1.2 times or less that of the projection 65.

(他の実施の形態)
なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、上記の実装形態において、突き上げ機構60の第1〜第4の押し上げ体62a〜62dの動作を、第1〜第4の押し上げ体62a〜62dを一緒に上昇させた後、外側に位置する第1の押し上げ体62aから順に下降させる例としたが、これに限られるものでは無い。例えば、第1〜第4の押し上げ体62a〜62dを、内側に位置する押し上げ体ほど高くなるように上昇動作させるようにしてもよい。すなわち、第1〜第4の押し上げ体62a〜62dを所定高さだけ一緒に上昇させた後、第2〜第4の押し上げ体62b〜62dを更に所定高さ上昇させ、その後、第3〜第4の押し上げ体62c〜62dを更に所定高さ上昇させ、最後に第4の押し上げ体62dを更に所定高さ上昇させるようにしてもよい。要は、複数の押し上げ体62a〜62dが半導体チップtから順次離間するように動作させればよい。
(Other embodiments)
In addition, this invention is not limited to said embodiment. For example, in the above-described mounting form, the operations of the first to fourth push-up bodies 62a to 62d of the push-up mechanism 60 are positioned outside after the first to fourth push-up bodies 62a to 62d are lifted together. Although it was set as the example which descends in order from the 1st push-up body 62a, it is not restricted to this. For example, you may make it raise the 1st-4th push-up body 62a-62d so that the push-up body located inside may become so high. That is, after the first to fourth push-up bodies 62a to 62d are raised together by a predetermined height, the second to fourth push-up bodies 62b to 62d are further raised to a predetermined height, and then the third to third The fourth push-up bodies 62c to 62d may be further raised by a predetermined height, and finally the fourth push-up body 62d may be further raised by a predetermined height. In short, the plurality of push-up bodies 62a to 62d may be operated so as to be sequentially separated from the semiconductor chip t.

また、上記実施形態において、基板ステージとして、基板KをXYθ方向に移動する基板ステージ20の例で説明したが、これに限られるものでは無い。例えば、供給装置10と中間ステージ30の配列方向とは交差する方向に沿って一対のガイドレールを配置し、このガイドレール上を基板Kが、実装機構50による実装作業位置に搬送位置決めされるように構成してもよい。すなわち、基板Kを、実装機構50による実装作業位置に搬入し、実装作業位置に位置付け、実装作業位置から搬出する搬送部も基板ステージに含まれる。 In the above embodiment, the substrate stage 20 that moves the substrate K in the XYθ direction has been described as the substrate stage. However, the present invention is not limited to this. For example, a pair of guide rails are arranged along a direction intersecting the arrangement direction of the supply device 10 and the intermediate stage 30 so that the substrate K is transported and positioned on the guide rails at the mounting work position by the mounting mechanism 50. You may comprise. That is, the substrate stage also includes a transport unit that carries the substrate K into the mounting work position by the mounting mechanism 50, positions the board K at the mounting work position, and carries it out of the mounting work position.

(実施例と比較例)
次に、本発明の実施例とその評価結果について述べる。
(Examples and comparative examples)
Next, examples of the present invention and evaluation results thereof will be described.

上述した実施形態の実装装置1により、以下の条件でピックアップ試験を行なった。なお、ピックアップ機構40でピックアップした半導体チップtは、実装機構50によって基板ステージ20に載置した試験用のガラス基板の上に配置した。ガラス基板には粘着性を有するフィルムを貼付しておき、配置した半導体チップtが基板ステージ20の移動中に動かないようにした。突き上げ機構には、図3に示した突き上げ機構60を使用し、図5〜7に示した動作で突き上げを行なった。 A pick-up test was performed under the following conditions by the mounting apparatus 1 of the above-described embodiment. The semiconductor chip t picked up by the pickup mechanism 40 was placed on a test glass substrate placed on the substrate stage 20 by the mounting mechanism 50. An adhesive film was attached to the glass substrate so that the arranged semiconductor chip t did not move during the movement of the substrate stage 20. As the push-up mechanism, the push-up mechanism 60 shown in FIG. 3 was used, and the push-up was performed by the operation shown in FIGS.

直径300mmのウエーハから半導体チップtを50個ピックアップし、ピックアップ時に割れが発生した半導体チップtの数を計測した。具体的には、ピックアップの前に、ピックアップ対象の50個の半導体チップtに割れが無いことを確認し、ガラス基板に配置された50個の半導体チップtの中に割れが発生している半導体チップtがいくつあるかを数えることで、ピックアップ時に割れが発生した半導体チップtの数を計測した。 Fifty semiconductor chips t were picked up from a wafer having a diameter of 300 mm, and the number of semiconductor chips t that were cracked during pick-up was measured. Specifically, before picking up, it is confirmed that 50 semiconductor chips t to be picked up are not cracked, and a semiconductor in which cracks are generated in the 50 semiconductor chips t arranged on the glass substrate. By counting the number of chips t, the number of semiconductor chips t that were cracked during pickup was measured.

<試験条件>
・半導体チップの大きさ:3×4mm
・半導体チップの厚さ:35μm、25μm、15μmの3種類
・突き上げ機構60と粘着シート11との間に作用させる負圧の大きさ:−90kPa、−88kPa、−85kPa。−83kPa、−80kPaの5条件
・突き上げ量:1mm
※突き上げ量は、図5(C)に示す第1〜第4の押し上げ体62a〜62dを上昇させる量のこと。
・待機時間:0.2秒
<Test conditions>
・ Semiconductor chip size: 3 × 4mm
・ Thickness of semiconductor chip: three types of 35 μm, 25 μm, and 15 μm. ・ Negative pressure applied between push-up mechanism 60 and adhesive sheet 11: −90 kPa, −88 kPa, −85 kPa. 5 conditions of -83 kPa and -80 kPa ・ Push-up amount: 1 mm
* The push-up amount is an amount by which the first to fourth push-up bodies 62a to 62d shown in FIG.
・ Standby time: 0.2 seconds

(実施例1)
上記試験条件のうち、負圧の大きさを−90kPaとし、厚さ35μmの半導体チップtを用いてピックアップ試験を行なった。結果は、表1に示す。
(実施例2)
上記試験条件のうち、負圧の大きさを−90kPaとし、厚さ25μmの半導体チップtを用いてピックアップ試験を行なった。結果は、表1に示す。
(実施例3)
上記試験条件のうち、負圧の大きさを−90kPaとし、厚さ15μmの半導体チップtを用いてピックアップ試験を行なった。結果は、表1に示す。
(実施例4)
上記試験条件のうち、負圧の大きさを−88kPaとし、厚さ35μmの半導体チップtを用いてピックアップ試験を行なった。結果は、表1に示す。
(実施例5)
上記試験条件のうち、負圧の大きさを−88kPaとし、厚さ25μmの半導体チップtを用いてピックアップ試験を行なった。結果は、表1に示す。
(実施例6)
上記試験条件のうち、負圧の大きさを−88kPaとし、厚さ15μmの半導体チップtを用いてピックアップ試験を行なった。結果は、表1に示す。
(実施例7)
上記試験条件のうち、負圧の大きさを−85kPaとし、厚さ35μmの半導体チップtを用いてピックアップ試験を行なった。結果は、表1に示す。
(実施例8)
上記試験条件のうち、負圧の大きさを−85kPaとし、厚さ25μmの半導体チップtを用いてピックアップ試験を行なった。結果は、表1に示す。
(実施例9)
上記試験条件のうち、負圧の大きさを−85kPaとし、厚さ15μmの半導体チップtを用いてピックアップ試験を行なった。結果は、表1に示す。
Example 1
Among the above test conditions, a negative pressure was set to −90 kPa, and a pickup test was performed using a semiconductor chip t having a thickness of 35 μm. The results are shown in Table 1.
(Example 2)
Among the above test conditions, a negative pressure was set to −90 kPa, and a pick-up test was performed using a semiconductor chip t having a thickness of 25 μm. The results are shown in Table 1.
(Example 3)
Among the above test conditions, a negative pressure was set to −90 kPa, and a pickup test was performed using a semiconductor chip t having a thickness of 15 μm. The results are shown in Table 1.
Example 4
Among the above test conditions, a negative pressure was set to −88 kPa, and a pick-up test was performed using a semiconductor chip t having a thickness of 35 μm. The results are shown in Table 1.
(Example 5)
Among the above test conditions, a negative pressure was set to −88 kPa, and a pickup test was performed using a semiconductor chip t having a thickness of 25 μm. The results are shown in Table 1.
(Example 6)
Among the above test conditions, a negative pressure was set to −88 kPa, and a pickup test was performed using a semiconductor chip t with a thickness of 15 μm. The results are shown in Table 1.
(Example 7)
Among the above test conditions, a negative pressure was set to −85 kPa, and a pickup test was performed using a semiconductor chip t having a thickness of 35 μm. The results are shown in Table 1.
(Example 8)
Among the above test conditions, a pick-up test was performed using a semiconductor chip t with a negative pressure of −85 kPa and a thickness of 25 μm. The results are shown in Table 1.
Example 9
Among the above test conditions, a negative pressure was set to −85 kPa, and a pickup test was performed using a semiconductor chip t having a thickness of 15 μm. The results are shown in Table 1.

(比較例1)
上記試験条件のうち、負圧の大きさを−83kPaとし、厚さ35μmの半導体チップtを用いてピックアップ試験を行なった。結果は、表1に示す。
(比較例2)
上記試験条件のうち、負圧の大きさを−83kPaとし、厚さ25μmの半導体チップtを用いてピックアップ試験を行なった。結果は、表1に示す。
(比較例3)
上記試験条件のうち、負圧の大きさを−83kPaとし、厚さ15μmの半導体チップtを用いてピックアップ試験を行なった。結果は、表1に示す。
(比較例4)
上記試験条件のうち、負圧の大きさを−80kPaとし、厚さ35μmの半導体チップtを用いてピックアップ試験を行なった。結果は、表1に示す。
(比較例5)
上記試験条件のうち、負圧の大きさを−80kPaとし、厚さ25μmの半導体チップtを用いてピックアップ試験を行なった。結果は、表1に示す。
(比較例6)
上記試験条件のうち、負圧の大きさを−80kPaとし、厚さ15μmの半導体チップtを用いてピックアップ試験を行なった。結果は、表1に示す。
(Comparative Example 1)
Among the above test conditions, a negative pressure was set to −83 kPa, and a pickup test was performed using a semiconductor chip t having a thickness of 35 μm. The results are shown in Table 1.
(Comparative Example 2)
Among the above test conditions, a pick-up test was performed using a semiconductor chip t with a negative pressure of −83 kPa and a thickness of 25 μm. The results are shown in Table 1.
(Comparative Example 3)
Among the above test conditions, a pick-up test was performed using a semiconductor chip t having a negative pressure of −83 kPa and a thickness of 15 μm. The results are shown in Table 1.
(Comparative Example 4)
Among the above test conditions, a negative pressure was set to −80 kPa, and a pickup test was performed using a semiconductor chip t having a thickness of 35 μm. The results are shown in Table 1.
(Comparative Example 5)
Among the above test conditions, a negative pressure was set to −80 kPa, and a pickup test was performed using a semiconductor chip t with a thickness of 25 μm. The results are shown in Table 1.
(Comparative Example 6)
Among the above test conditions, a negative pressure was set to −80 kPa, and a pickup test was performed using a semiconductor chip t having a thickness of 15 μm. The results are shown in Table 1.

Figure 2019029650
Figure 2019029650

以上、本発明の実施形態および実施例、比較例を説明したが、これらは発明の範囲を限定することを意図していない。上述した新規の実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。   The embodiments, examples, and comparative examples of the present invention have been described above, but these are not intended to limit the scope of the invention. The above-described novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention and included in the invention described in the claims.

1 実装装置
10 供給装置
11 粘着シート
12 ウエーハリング
13 ウエーハテーブル
20 基板ステージ
30 中間ステージ
40 ピックアップ機構
41 吸着ノズル
50 実装機構
51
60 突き上げ機構
61 バックアップ体
61a バックアップ面
61b 内部空間
61c 吸引溝
61d 吸引孔
61e 連通溝
61f 開口部
62 押し上げ機構
62a 第1の押し上げ体
62b 第2の押し上げ体
62c 第3の押し上げ体
62d 第4の押し上げ体
62e 昇降駆動装置
62f 昇降駆動装置
62g 昇降駆動装置
62h 昇降駆動装置
63 吸引ポンプ
63a 真空配管
63b 圧力制御装置(負圧調整機構)
63c 開閉弁
63d 圧力検出器
64 凸部
65 凸部
66 凹部
70 制御装置
71 記憶部
t 半導体チップ
K 基板
W ウエーハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mounting apparatus 10 Supply apparatus 11 Adhesive sheet 12 Wafer ring 13 Wafer table 20 Substrate stage 30 Intermediate stage 40 Pickup mechanism 41 Adsorption nozzle 50 Mounting mechanism 51
60 Push-up mechanism 61 Backup body 61a Backup surface 61b Internal space 61c Suction groove 61d Suction hole 61e Communication groove 61f Opening part 62 Push-up mechanism 62a First push-up body 62b Second push-up body 62c Third push-up body 62d Fourth push-up Body 62e Lift drive device 62f Lift drive device 62g Lift drive device 62h Lift drive device 63 Suction pump 63a Vacuum piping 63b Pressure control device (negative pressure adjustment mechanism)
63c On-off valve 63d Pressure detector 64 Convex part 65 Convex part 66 Concave part 70 Control device 71 Storage part t Semiconductor chip K Substrate W Wafer

Claims (7)

粘着シートに貼着保持された半導体チップを前記粘着シートからピックアップする半導体チップのピックアップ装置であって、
前記粘着シートから前記半導体チップをピックアップするピックアップ機構と、
軸心を同じにして配置され互いに軸心方向に移動自在に設けられた複数の押し上げ体を有し、前記粘着シートにおいて前記ピックアップ機構によってピックアップされる前記半導体チップが位置する部分に、前記半導体チップとは反対側から負圧を作用させ、当該半導体チップが前記ピックアップ機構によってピックアップされるときに、当該半導体チップを前記複数の押し上げ体によって突き上げる突き上げ機構と、
前記負圧の大きさをゲージ圧で−85kPa以下に設定する負圧調整機構と、を備える
ことを特徴とする半導体チップのピックアップ装置。
A semiconductor chip pick-up device for picking up a semiconductor chip adhered and held on an adhesive sheet from the adhesive sheet,
A pickup mechanism for picking up the semiconductor chip from the adhesive sheet;
The semiconductor chip has a plurality of push-up bodies that are arranged with the same axial center and are provided so as to be movable in the axial direction. The semiconductor chip is located in the adhesive sheet where the semiconductor chip picked up by the pickup mechanism is located. A push-up mechanism that applies a negative pressure from the opposite side and pushes up the semiconductor chip by the plurality of push-up bodies when the semiconductor chip is picked up by the pickup mechanism;
And a negative pressure adjusting mechanism for setting the magnitude of the negative pressure to -85 kPa or less as a gauge pressure.
前記複数の押し上げ体は、中央に配置された角柱状の押し上げ体と、この角柱状の押し上げ体と軸心を同じにして配置された少なくとも1つの角筒状の押し上げ体とを有することを特徴とする請求項1記載の半導体チップのピックアップ装置。   The plurality of push-up bodies include a prismatic push-up body arranged in the center, and at least one square tube-like push-up body arranged with the same axis as that of the prismatic push-up body. 2. The semiconductor chip pick-up device according to claim 1. 前記角筒状の押し上げ体は、複数設けられ、軸心を同じにして多重に配置されてなることを特徴とする請求項2記載の半導体チップのピックアップ装置。   3. The semiconductor chip pick-up device according to claim 2, wherein a plurality of the rectangular cylindrical push-up bodies are provided and are arranged in multiples with the same axis. 前記角筒状の押し上げ体は、その上端部に周方向に沿って凸部と凹部とが交互に設けられてなることを特徴とする請求項2または3記載の半導体チップのピックアップ装置。   4. The pick-up device for a semiconductor chip according to claim 2, wherein the square cylindrical push-up body has a convex portion and a concave portion provided alternately along the circumferential direction at an upper end portion thereof. 前記凹部の前記周方向に沿う長さは、前記凸部の前記周方向に沿う長さに対して、0.8倍以上1.2倍以下に設定されることを特徴とする請求項4記載の半導体チップのピックアップ装置。   The length along the circumferential direction of the concave portion is set to be 0.8 times or more and 1.2 times or less than the length of the convex portion along the circumferential direction. Semiconductor chip pickup device. 半導体チップを貼着保持した粘着シートを保持する供給装置と、
基板を載置する基板ステージと、
前記供給装置が保持した前記粘着シートから前記半導体チップをピックアップするピックアップ装置と、
前記ピックアップ装置によって取り出された前記半導体チップを、前記基板に実装する実装機構と、を備え、
前記ピックアップ装置は、請求項1〜5いずれかに記載のピックアップ装置である
ことを特徴とする半導体チップの実装装置。
A supply device for holding an adhesive sheet on which a semiconductor chip is adhered and held;
A substrate stage on which the substrate is placed;
A pickup device that picks up the semiconductor chip from the adhesive sheet held by the supply device;
A mounting mechanism for mounting the semiconductor chip taken out by the pickup device on the substrate,
6. A semiconductor chip mounting apparatus, wherein the pickup apparatus is the pickup apparatus according to claim 1.
粘着シートに貼着保持された半導体チップを前記粘着シートからピックアップし、ピックアップした半導体チップを基板上に実装する半導体チップの実装方法であって、
前記粘着シートから前記半導体チップをピックアップするピックアップ機構によって前記半導体チップを前記粘着シートからピックアップするときに、当該半導体チップとは反対側から、前記粘着シートに負圧を作用させるとともに、軸心を同じにして配置され互いに軸心方向に移動自在に設けられた複数の押し上げ体によって当該半導体チップを突き上げるにあたり、
前記負圧の大きさをゲージ圧で−85kPa以下に設定する
ことを特徴する半導体チップの実装方法。
A semiconductor chip mounting method for picking up a semiconductor chip adhered and held on an adhesive sheet from the adhesive sheet and mounting the picked-up semiconductor chip on a substrate,
When picking up the semiconductor chip from the pressure-sensitive adhesive sheet by a pickup mechanism that picks up the semiconductor chip from the pressure-sensitive adhesive sheet, negative pressure is applied to the pressure-sensitive adhesive sheet from the opposite side to the semiconductor chip, and the axis is the same When the semiconductor chip is pushed up by a plurality of push-up bodies arranged in such a manner as to be movable in the axial direction with respect to each other,
A semiconductor chip mounting method, wherein the negative pressure is set to a gauge pressure of −85 kPa or less.
JP2018116661A 2017-07-26 2018-06-20 Semiconductor chip pickup device, semiconductor chip mounting apparatus and mounting method Pending JP2019029650A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180084558A KR102120185B1 (en) 2017-07-26 2018-07-20 Device for picking up semiconductor chip, device and method for mounting semiconductor chip
TW107125644A TWI677061B (en) 2017-07-26 2018-07-25 Semiconductor wafer pickup device, semiconductor wafer packaging device
TW108119920A TWI690038B (en) 2017-07-26 2018-07-25 Semiconductor wafer pick-up device, semiconductor wafer packaging device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017144685 2017-07-26
JP2017144685 2017-07-26

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021006711A Division JP7241786B2 (en) 2017-07-26 2021-01-19 Semiconductor chip pickup device, semiconductor chip mounting device and mounting method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019029650A true JP2019029650A (en) 2019-02-21
JP2019029650A5 JP2019029650A5 (en) 2019-07-04

Family

ID=65476651

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018116661A Pending JP2019029650A (en) 2017-07-26 2018-06-20 Semiconductor chip pickup device, semiconductor chip mounting apparatus and mounting method
JP2021006711A Active JP7241786B2 (en) 2017-07-26 2021-01-19 Semiconductor chip pickup device, semiconductor chip mounting device and mounting method

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021006711A Active JP7241786B2 (en) 2017-07-26 2021-01-19 Semiconductor chip pickup device, semiconductor chip mounting device and mounting method

Country Status (2)

Country Link
JP (2) JP2019029650A (en)
TW (2) TWI690038B (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021086914A (en) * 2019-11-27 2021-06-03 三菱電機株式会社 Semiconductor manufacturing device
CN114792647A (en) * 2021-01-26 2022-07-26 捷进科技有限公司 Chip mounting apparatus and method for manufacturing semiconductor device
CN116156784A (en) * 2023-04-25 2023-05-23 四川托璞勒科技有限公司 PCB brown ization processing apparatus
JP2023087030A (en) * 2019-03-25 2023-06-22 ファスフォードテクノロジ株式会社 Semiconductor manufacturing equipment and semiconductor device manufacturing method
JP2024092928A (en) * 2022-12-26 2024-07-08 梭特科技股▲分▼有限公司 Die peeling method combining extrusion means and air pressure control means

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102221703B1 (en) * 2019-04-19 2021-03-02 세메스 주식회사 Die ejector and apparatus for picking up dies including the same
DE102022118873B4 (en) * 2022-07-27 2024-02-08 ASMPT GmbH & Co. KG Method and device for removing chips from a wafer film frame, placement system and computer program

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09162204A (en) * 1995-12-05 1997-06-20 Toshiba Corp Push-up pin, semiconductor manufacturing apparatus, and semiconductor device manufacturing method
JP2004152858A (en) * 2002-10-29 2004-05-27 Renesas Technology Corp Semiconductor manufacturing equipment and method therefor
JP2008004936A (en) * 2006-06-19 2008-01-10 Samsung Electronics Co Ltd Semiconductor chip detaching apparatus having a pair of ejectors and semiconductor chip detaching method using the same
JP2008066452A (en) * 2006-09-06 2008-03-21 Renesas Technology Corp Manufacturing method of semiconductor device
JP2010056466A (en) * 2008-08-29 2010-03-11 Shibaura Mechatronics Corp Device and method for picking up semiconductor chip
WO2013171869A1 (en) * 2012-05-17 2013-11-21 富士機械製造株式会社 Die peeling apparatus
JP2016195194A (en) * 2015-04-01 2016-11-17 富士ゼロックス株式会社 Semiconductor manufacturing device and semiconductor piece manufacturing method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008103493A (en) * 2006-10-18 2008-05-01 Lintec Corp Method and apparatus for picking up chip
JP4825637B2 (en) * 2006-10-31 2011-11-30 芝浦メカトロニクス株式会社 Semiconductor chip pickup device
TW201011857A (en) * 2008-09-02 2010-03-16 Gallant Prec Machining Co Ltd Peeling off method and device
JP2012508460A (en) * 2008-11-12 2012-04-05 エセック アーゲー Method for peeling and removing a semiconductor chip from a foil
CN102472790B (en) * 2009-08-02 2015-01-28 Qmc株式会社 Pickup apparatus and LED chip classification apparatus including same
JP2011216529A (en) * 2010-03-31 2011-10-27 Furukawa Electric Co Ltd:The Method for manufacturing semiconductor device
WO2015059749A1 (en) * 2013-10-21 2015-04-30 富士機械製造株式会社 Pickup device and push-up pot

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09162204A (en) * 1995-12-05 1997-06-20 Toshiba Corp Push-up pin, semiconductor manufacturing apparatus, and semiconductor device manufacturing method
JP2004152858A (en) * 2002-10-29 2004-05-27 Renesas Technology Corp Semiconductor manufacturing equipment and method therefor
JP2008004936A (en) * 2006-06-19 2008-01-10 Samsung Electronics Co Ltd Semiconductor chip detaching apparatus having a pair of ejectors and semiconductor chip detaching method using the same
JP2008066452A (en) * 2006-09-06 2008-03-21 Renesas Technology Corp Manufacturing method of semiconductor device
JP2010056466A (en) * 2008-08-29 2010-03-11 Shibaura Mechatronics Corp Device and method for picking up semiconductor chip
WO2013171869A1 (en) * 2012-05-17 2013-11-21 富士機械製造株式会社 Die peeling apparatus
JP2016195194A (en) * 2015-04-01 2016-11-17 富士ゼロックス株式会社 Semiconductor manufacturing device and semiconductor piece manufacturing method

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023087030A (en) * 2019-03-25 2023-06-22 ファスフォードテクノロジ株式会社 Semiconductor manufacturing equipment and semiconductor device manufacturing method
JP7472367B2 (en) 2019-03-25 2024-04-22 ファスフォードテクノロジ株式会社 Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
US12374576B2 (en) 2019-03-25 2025-07-29 Fasford Technology Co., Ltd. Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method for semiconductor device
JP2021086914A (en) * 2019-11-27 2021-06-03 三菱電機株式会社 Semiconductor manufacturing device
JP7259714B2 (en) 2019-11-27 2023-04-18 三菱電機株式会社 Semiconductor manufacturing equipment
CN114792647A (en) * 2021-01-26 2022-07-26 捷进科技有限公司 Chip mounting apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JP2022114399A (en) * 2021-01-26 2022-08-05 ファスフォードテクノロジ株式会社 Die bonding apparatus and manufacturing method of semiconductor device
JP7607462B2 (en) 2021-01-26 2024-12-27 ファスフォードテクノロジ株式会社 Die bonding apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JP2024092928A (en) * 2022-12-26 2024-07-08 梭特科技股▲分▼有限公司 Die peeling method combining extrusion means and air pressure control means
CN116156784A (en) * 2023-04-25 2023-05-23 四川托璞勒科技有限公司 PCB brown ization processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
TW201911498A (en) 2019-03-16
TWI677061B (en) 2019-11-11
JP2021064813A (en) 2021-04-22
JP7241786B2 (en) 2023-03-17
TWI690038B (en) 2020-04-01
TW201935635A (en) 2019-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102120185B1 (en) Device for picking up semiconductor chip, device and method for mounting semiconductor chip
JP7241786B2 (en) Semiconductor chip pickup device, semiconductor chip mounting device and mounting method
US6561743B1 (en) Pellet picking method and pellet picking apparatus
US9039867B2 (en) Method for detaching a semiconductor chip from a foil
JP7023590B2 (en) Semiconductor chip pickup and mounting equipment
JP6301565B1 (en) Method and apparatus for separating a microchip from a wafer and mounting the microchip on a substrate
TW202013476A (en) Wafer breaking device, inverting device, and conveyance system
JP2015076410A (en) Bonding method and die bonder
KR20160007360A (en) Grinding apparatus, method for attaching protective tape and protective tape
JP5287276B2 (en) Electronic component pickup method and pickup device
JP6633446B2 (en) Wafer processing method
JPH09181150A (en) Semiconductor chip pickup device and pickup method using the same
JP4924316B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method
JP4735829B2 (en) Chip push-up device
JPWO2008004270A1 (en) Pickup method and pickup device
JP2014239090A (en) Pickup system
JP5075769B2 (en) Semiconductor chip pickup device and semiconductor chip pickup method using the same
WO2014185446A1 (en) Semiconductor-chip pickup device
CN101512746A (en) Pickup method and pickup apparatus
JP5214739B2 (en) Chip peeling method, semiconductor device manufacturing method, and chip peeling apparatus
JP2013219245A (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP4816622B2 (en) Chip peeling device, chip peeling method, and chip pickup device
JP6907384B1 (en) Pickup device
JP7458773B2 (en) Pick-up equipment and mounting equipment for electronic components
JP2017199781A (en) Wafer processing method

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190530

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190530

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200312

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200317

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200330

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200602

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200731

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20201020

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210119

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20210119

C11 Written invitation by the commissioner to file amendments

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C11

Effective date: 20210202

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20210303

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20210309

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20210409

C211 Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211

Effective date: 20210413

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20210511

C23 Notice of termination of proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23

Effective date: 20210629

C03 Trial/appeal decision taken

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03

Effective date: 20210803

C30A Notification sent

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012

Effective date: 20210803