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JP2019091660A - Display and method for manufacturing display - Google Patents

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JP2019091660A
JP2019091660A JP2017221151A JP2017221151A JP2019091660A JP 2019091660 A JP2019091660 A JP 2019091660A JP 2017221151 A JP2017221151 A JP 2017221151A JP 2017221151 A JP2017221151 A JP 2017221151A JP 2019091660 A JP2019091660 A JP 2019091660A
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JP
Japan
Prior art keywords
protective film
display device
absorption layer
light absorption
display
Prior art date
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Pending
Application number
JP2017221151A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
宏一 松橋
Koichi Matsuhashi
宏一 松橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Inc
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Publication date
Application filed by Japan Display Inc filed Critical Japan Display Inc
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Abstract

【課題】フレキシブルディスプレイの製造において、可撓性基材と保護膜との良好な切断実現する。【解決手段】表示装置の製造方法であって、樹脂を含み、複数の画素を備える表示領域が形成された基材に、保護膜を積層して積層体を作製すること、少なくとも一部が前記保護膜に接する光吸収層を形成すること、および、前記積層体の前記基材に対して前記光吸収層が形成されている側から、前記表示領域の外側に位置する所定のラインに沿ってレーザー光を照射して、前記積層体の一部を切断すること、を含み、前記光吸収層は、前記保護膜に比べて前記レーザー光をより吸収可能で、前記所定のラインの少なくとも一部は、前記光吸収層と重なっている。【選択図】図5An object of the present invention is to realize good cutting between a flexible base material and a protective film in manufacturing a flexible display. A method of manufacturing a display device includes forming a laminate by laminating a protective film on a substrate containing a resin and having a display region having a plurality of pixels formed thereon; Forming a light absorbing layer in contact with the protective film, and along a predetermined line located outside the display area from the side of the base material of the laminate where the light absorbing layer is formed irradiating a laser beam to cut a portion of the laminate, wherein the light absorption layer can absorb the laser beam more than the protective film, and at least a portion of the predetermined line. overlaps with the light absorption layer. [Selection drawing] Fig. 5

Description

本発明は、表示装置および表示装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a display device and a method of manufacturing the display device.

有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置や液晶表示装置など、表示領域を備える表示装置において、近年、可撓性を有する基材を用いて、表示パネルを曲げることができるフレキシブルディスプレイの開発が進められている。   In a display device including a display region such as an organic electroluminescence (EL) display device or a liquid crystal display device, development of a flexible display capable of bending a display panel using a flexible base material has recently been advanced. There is.

ところで、下記特許文献1に開示されるように、表示パネルの表面には保護膜が積層される場合がある。   By the way, as disclosed in the following Patent Document 1, a protective film may be laminated on the surface of the display panel.

米国特許出願公開第2016/0174304号明細書US Patent Application Publication No. 2016/0174304

例えば、上記保護膜にサイズのばらつきや積層ずれがある場合、上記可撓性を有する基材および保護膜を切断して、両者の端部を切り揃える場合がある。切断は、通常、レーザー光照射により行う。しかし、基材と保護膜とのレーザー光の吸収度合が異なり、良好に切断されない(例えば、基材が優先的に切断されて基材の切断カスが残存する)場合がある。   For example, in the case where the protective film has a variation in size or a misalignment in lamination, the flexible base material and the protective film may be cut to cut the ends of the both. The cutting is usually performed by laser light irradiation. However, the degree of absorption of the laser light between the substrate and the protective film may be different, and the substrate may not be cut well (for example, the substrate may be cut preferentially and cutting debris of the substrate may remain).

本発明は、基材と保護膜との良好な切断を実現する表示装置の製造方法の提供を目的とする。   An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a display device that achieves good cutting of a substrate and a protective film.

本発明の1つの局面によれば、表示装置の製造方法が提供される。本発明に係る製造方法は、樹脂を含み、複数の画素を備える表示領域が形成された基材に、保護膜を積層して積層体を作製すること、少なくとも一部が前記保護膜に接する光吸収層を形成すること、および、前記積層体の前記基材に対して前記光吸収層が形成されている側から、前記表示領域の外側に位置する所定のラインに沿ってレーザー光を照射して、前記積層体の一部を切断すること、を含み、前記光吸収層は、前記保護膜に比べて前記レーザー光をより吸収可能で、前記所定のラインの少なくとも一部は、前記光吸収層と重なっている。   According to one aspect of the present invention, a method of manufacturing a display device is provided. The manufacturing method according to the present invention is to form a laminate by laminating a protective film on a base material including a resin and having a display region including a plurality of pixels, and at least a part of which is in contact with the protective film. Forming an absorption layer, and irradiating a laser beam along a predetermined line located outside the display area from the side of the laminate on which the light absorption layer is formed with respect to the base material of the laminate; Cutting a portion of the laminate, wherein the light absorbing layer can absorb the laser light more than the protective film, and at least a portion of the predetermined line absorbs the light. It overlaps with the layer.

本発明の別の局面によれば、表示装置が提供される。本発明に係る表示装置は、樹脂を含み、複数の画素を備える表示領域が形成された基材と、前記基材の少なくとも片側に配置された保護膜と、前記保護膜に比べて所定の波長の光をより吸収可能で、前記基材の前記保護膜が配置される側に、少なくとも一部が前記保護膜に接して配置された光吸収層と、を有し、前記光吸収層は、少なくとも前記基材の端面と前記保護膜の端面とが揃う辺に形成されている。   According to another aspect of the present invention, a display device is provided. A display device according to the present invention includes a substrate on which a display region including a plurality of pixels is formed, a protective film disposed on at least one side of the substrate, and a predetermined wavelength compared to the protective film. A light absorbing layer which can absorb more light, and at least a part of which is disposed in contact with the protective film on the side of the base on which the protective film is disposed; At least the end face of the base material and the end face of the protective film are formed on the same side.

本発明の1つの実施形態に係る有機EL表示装置の概略の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows schematic structure of the organic electroluminescence display which concerns on one Embodiment of this invention. 図1に示す有機EL表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the display panel of the organic electroluminescence display shown in FIG. 図2のIII−III断面の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the III-III cross section of FIG. 図2に示す表示パネルの側面の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the side of the display panel shown in FIG. 本発明の1つの実施形態における有機EL表示装置の製造方法について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescence display in one Embodiment of this invention. 本発明の別の実施形態における表示パネルの側面を示す図である。It is a figure which shows the side of the display panel in another embodiment of this invention.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に評される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The disclosure is merely an example, and it is naturally included within the scope of the present invention as to what can be easily conceived of by those skilled in the art as to appropriate changes while maintaining the gist of the invention. In addition, the drawings may be schematically referred to with respect to the width, thickness, shape, etc. of each part in comparison with the actual embodiment in order to clarify the description, but this is merely an example, and the interpretation of the present invention There is no limitation on In the present specification and the drawings, the same elements as those described above with reference to the drawings may be denoted by the same reference numerals and detailed description may be omitted as appropriate.

図1は、本発明の1つの実施形態に係る表示装置の概略の構成を、有機EL表示装置を例にして示す模式図である。有機EL表示装置2は、画像を表示する画素アレイ部4と、画素アレイ部4を駆動する駆動部とを備える。有機EL表示装置2は、基材として樹脂フィルムを用いたフレキシブルディスプレイであり、この樹脂フィルムで構成された基材の上に薄膜トランジスタ(TFT)や有機発光ダイオード(OLED)などの積層構造が形成される。なお、図1に示した概略図は一例であって、本実施形態はこれに限定されるものではない。   FIG. 1 is a schematic view showing a schematic configuration of a display device according to an embodiment of the present invention, taking an organic EL display device as an example. The organic EL display device 2 includes a pixel array unit 4 that displays an image, and a drive unit that drives the pixel array unit 4. The organic EL display device 2 is a flexible display using a resin film as a substrate, and a laminated structure such as a thin film transistor (TFT) or an organic light emitting diode (OLED) is formed on the substrate formed of the resin film. Ru. Note that the schematic diagram shown in FIG. 1 is an example, and the present embodiment is not limited to this.

画素アレイ部4には、画素に対応してOLED6および画素回路8がマトリクス状に配置される。画素回路8は複数のTFT10,12やキャパシタ14で構成される。   In the pixel array unit 4, the OLEDs 6 and the pixel circuits 8 are arranged in a matrix corresponding to the pixels. The pixel circuit 8 is composed of a plurality of TFTs 10 and 12 and a capacitor 14.

上記駆動部は、走査線駆動回路20、映像線駆動回路22、駆動電源回路24および制御装置26を含み、画素回路8を駆動しOLED6の発光を制御する。   The drive unit includes a scanning line drive circuit 20, a video line drive circuit 22, a drive power supply circuit 24, and a control device 26, and drives the pixel circuit 8 to control light emission of the OLED 6.

走査線駆動回路20は、画素の水平方向の並び(画素行)ごとに設けられた走査信号線28に接続されている。走査線駆動回路20は、制御装置26から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線28を順番に選択し、選択した走査信号線28に、点灯TFT10をオンする電圧を印加する。   The scanning line drive circuit 20 is connected to a scanning signal line 28 provided for each horizontal row (pixel row) of pixels. The scanning line driving circuit 20 sequentially selects the scanning signal lines 28 in accordance with the timing signal input from the control device 26, and applies a voltage to turn on the lighting TFTs 10 to the selected scanning signal lines 28.

映像線駆動回路22は、画素の垂直方向の並び(画素列)ごとに設けられた映像信号線30に接続されている。映像線駆動回路22は、制御装置26から映像信号を入力され、走査線駆動回路20による走査信号線28の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線30に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯TFT10を介してキャパシタ14に書き込まれる。駆動TFT12は、書き込まれた電圧に応じた電流をOLED6に供給し、これにより、選択された走査信号線28に対応する画素のOLED6が発光する。   The video line drive circuit 22 is connected to a video signal line 30 provided for each vertical row (pixel row) of pixels. The video line drive circuit 22 receives a video signal from the control device 26, and in accordance with the selection of the scanning signal line 28 by the scanning line drive circuit 20, a voltage corresponding to the video signal of the selected pixel row is Output to 30. The voltage is written to the capacitor 14 via the lighting TFT 10 in the selected pixel row. The drive TFT 12 supplies a current corresponding to the written voltage to the OLED 6, whereby the OLED 6 of the pixel corresponding to the selected scanning signal line 28 emits light.

駆動電源回路24は、画素列ごとに設けられた駆動電源線32に接続され、駆動電源線32および選択された画素行の駆動TFT12を介してOLED6に電流を供給する。   The drive power supply circuit 24 is connected to the drive power supply line 32 provided for each pixel column, and supplies a current to the OLED 6 through the drive power supply line 32 and the drive TFT 12 of the selected pixel row.

ここで、OLED6の下部電極は、駆動TFT12に接続される。一方、各OLED6の上部電極は、全画素のOLED6に共通の電極で構成される。下部電極を陽極(アノード)として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極(カソード)となって低電位が入力される。下部電極を陰極(カソード)として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極(アノード)となって高電位が入力される。   Here, the lower electrode of the OLED 6 is connected to the drive TFT 12. On the other hand, the upper electrode of each OLED 6 is formed of an electrode common to the OLEDs 6 of all the pixels. When the lower electrode is configured as an anode (anode), a high potential is input, the upper electrode is a cathode (cathode), and a low potential is input. When the lower electrode is configured as a cathode (cathode), a low potential is input, the upper electrode is an anode (anode), and a high potential is input.

図2は、図1に示す有機EL表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。表示パネル40の表示領域42に、図1に示した画素アレイ部4が設けられ、上述したように画素アレイ部4にはOLED6が配列される。上述したようにOLED6を構成する上部電極は、各画素に共通に形成され、表示領域42全体を覆う。   FIG. 2 is a schematic plan view showing an example of the display panel of the organic EL display device shown in FIG. The pixel array unit 4 shown in FIG. 1 is provided in the display area 42 of the display panel 40, and the OLEDs 6 are arranged in the pixel array unit 4 as described above. As described above, the upper electrode constituting the OLED 6 is formed in common to each pixel, and covers the entire display area 42.

矩形である表示パネル40の一辺には、部品実装領域46が設けられ、表示領域42につながる配線が配置される。部品実装領域46には、駆動部を構成するドライバIC48が搭載されたり、フレキシブルプリント基板(FPC)50が接続されたりする。FPC50は、制御装置26やその他の回路20,22,24等に接続されたり、その上にICを搭載されたりする。   A component mounting area 46 is provided on one side of the rectangular display panel 40, and a wire connected to the display area 42 is disposed. In the component mounting area 46, a driver IC 48 constituting a drive unit is mounted, or a flexible printed circuit (FPC) 50 is connected. The FPC 50 is connected to the control device 26 and the other circuits 20, 22, 24 and the like, and an IC is mounted thereon.

図3は、図2のIII−III断面の一例を示す図である。表示パネル40は、例えば、樹脂フィルム(樹脂膜)で構成された可撓性を有する基材70の上に、TFT72などが形成された回路層74、OLED6およびOLED6を封止する封止層106などが積層された構造を有する。基材70を構成する樹脂としては、例えば、ポリイミド系樹脂が挙げられる。基材70は、例えば、ポリイミドなどの樹脂材料を含む樹脂膜を塗布にて成膜して形成される。基材70の厚みは、例えば、10μm以上100μm以下の範囲である。封止層106の上には保護膜114が積層される。封止層106の上に接着層を介してシート状、或いはフィルム状の保護膜114を貼り合わせてもよい。   FIG. 3 is a view showing an example of the III-III cross section of FIG. The display panel 40 is, for example, a sealing layer 106 for sealing the circuit layer 74 on which the TFTs 72 and the like are formed, the OLED 6 and the OLED 6 on a flexible base 70 made of a resin film (resin film). Etc. has a stacked structure. As resin which comprises the base material 70, a polyimide-type resin is mentioned, for example. The base 70 is formed by coating a resin film containing a resin material such as polyimide, for example. The thickness of the base 70 is, for example, in the range of 10 μm to 100 μm. A protective film 114 is stacked on the sealing layer 106. A sheet-like or film-like protective film 114 may be attached to the sealing layer 106 via an adhesive layer.

本実施形態においては、画素アレイ部4はトップエミッション型であり、OLED6で生じた光は、基材70側とは反対側(図3において上向き)に出射される。なお、有機EL表示装置2におけるカラー化方式をカラーフィルタ方式とする場合には、例えば、封止層106と保護膜114との間、または、図示しない対向基板側にカラーフィルタが配置される。このカラーフィルタに、OLED6にて生成した白色光を通すことで、例えば、赤(R)、緑(G)、青(B)の光を作る。   In the present embodiment, the pixel array unit 4 is a top emission type, and the light generated by the OLED 6 is emitted on the side opposite to the substrate 70 side (upward in FIG. 3). In the case where the coloring method in the organic EL display device 2 is a color filter method, for example, a color filter is disposed between the sealing layer 106 and the protective film 114 or on the opposite substrate side (not shown). By passing the white light generated in the OLED 6 through this color filter, for example, light of red (R), green (G) and blue (B) is produced.

表示領域42の回路層74には、上述した画素回路8、走査信号線28、映像信号線30、駆動電源線32などが形成される。駆動部の少なくとも一部分は、基材70上に回路層74として表示領域42に隣接する領域に形成することができる。上述したように、駆動部を構成するドライバIC48やFPC50を、部品実装領域46にて、回路層74の配線116に接続することができる。   In the circuit layer 74 of the display area 42, the pixel circuit 8, the scanning signal line 28, the video signal line 30, the driving power supply line 32, and the like described above are formed. At least a portion of the drive unit can be formed on the substrate 70 as a circuit layer 74 in an area adjacent to the display area 42. As described above, the driver IC 48 and the FPC 50 that constitute the drive unit can be connected to the wiring 116 of the circuit layer 74 in the component mounting area 46.

図3に示すように、基材70上には、無機絶縁材料で形成された下地層80が配置されている。無機絶縁材料としては、例えば、窒化シリコン(SiN)、酸化シリコン(SiO)およびこれらの複合体が用いられる。 As shown in FIG. 3, an underlayer 80 formed of an inorganic insulating material is disposed on the base material 70. As the inorganic insulating material, for example, silicon nitride (SiN y ), silicon oxide (SiO x ) and their composites are used.

表示領域42においては、下地層80を介して、基材70上には、トップゲート型のTFT72のチャネル部およびソース・ドレイン部となる半導体領域82が形成されている。半導体領域82は、例えば、ポリシリコン(p−Si)で形成される。半導体領域82は、例えば、基材70上に半導体層(p−Si膜)を設け、この半導体層をパターニングし、回路層74で用いる箇所を選択的に残すことにより形成される。   In the display region 42, a semiconductor region 82 serving as a channel portion and a source / drain portion of the top gate TFT 72 is formed on the base material 70 via the base layer 80. The semiconductor region 82 is formed of, for example, polysilicon (p-Si). The semiconductor region 82 is formed, for example, by providing a semiconductor layer (p-Si film) on the base material 70, patterning the semiconductor layer, and selectively leaving portions used in the circuit layer 74.

TFT72のチャネル部の上には、ゲート絶縁膜84を介してゲート電極86が配置されている。ゲート絶縁膜84は、代表的には、TEOSで形成される。ゲート電極86は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングして形成される。ゲート電極86上には、ゲート電極86を覆うように層間絶縁層88が配置されている。層間絶縁層88は、例えば、上記無機絶縁材料で形成される。TFT72のソース・ドレイン部となる半導体領域82(p−Si)には、イオン注入により不純物が導入され、さらにそれらに電気的に接続されたソース電極90aおよびドレイン電極90bが形成され、TFT72が構成される。   A gate electrode 86 is disposed on the channel portion of the TFT 72 via the gate insulating film 84. Gate insulating film 84 is typically formed of TEOS. The gate electrode 86 is formed, for example, by patterning a metal film formed by sputtering or the like. An interlayer insulating layer 88 is disposed on the gate electrode 86 so as to cover the gate electrode 86. The interlayer insulating layer 88 is formed of, for example, the above-described inorganic insulating material. In the semiconductor region 82 (p-Si) to be a source / drain portion of the TFT 72, an impurity is introduced by ion implantation, and further, a source electrode 90a and a drain electrode 90b electrically connected to them are formed. Be done.

TFT72上には、層間絶縁膜92が配置されている。層間絶縁膜92の表面には、配線94が配置される。配線94は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングすることにより形成される。配線94を形成する金属膜と、ゲート電極86、ソース電極90aおよびドレイン電極90bの形成に用いた金属膜とで、例えば、配線116および図1に示した走査信号線28、映像信号線30、駆動電源線32を多層配線構造で形成することができる。この上に、平坦化膜96およびパッシベーション膜98が形成され、表示領域42において、パッシベーション膜98上にOLED6が形成されている。平坦化膜96は、例えば、樹脂材料で形成される。パッシベーション膜98は、例えば、SiN等の無機絶縁材料で形成される。 An interlayer insulating film 92 is disposed on the TFT 72. A wire 94 is disposed on the surface of interlayer insulating film 92. The wiring 94 is formed, for example, by patterning a metal film formed by sputtering or the like. The metal film forming the wiring 94 and the metal film used for forming the gate electrode 86, the source electrode 90a, and the drain electrode 90b, for example, the wiring 116 and the scanning signal line 28 and the video signal line 30 shown in FIG. The drive power supply line 32 can be formed in a multilayer wiring structure. A planarization film 96 and a passivation film 98 are formed thereon, and the OLED 6 is formed on the passivation film 98 in the display area 42. The planarization film 96 is formed of, for example, a resin material. The passivation film 98 is formed of, for example, an inorganic insulating material such as SiN y .

OLED6は、下部電極100、有機材料層102および上部電極104を含む。有機材料層102は、具体的には、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を含む。OLED6は、代表的には、下部電極100、有機材料層102および上部電極104を基材70側からこの順に積層して形成される。本実施形態では、下部電極100がOLED6の陽極(アノード)であり、上部電極104が陰極(カソード)である。   The OLED 6 includes a lower electrode 100, an organic material layer 102 and an upper electrode 104. Specifically, the organic material layer 102 includes a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and the like. The OLED 6 is typically formed by laminating the lower electrode 100, the organic material layer 102, and the upper electrode 104 in this order from the substrate 70 side. In the present embodiment, the lower electrode 100 is an anode (anode) of the OLED 6 and the upper electrode 104 is a cathode (cathode).

図3に示すTFT72が、nチャネルを有した駆動TFT12であるとすると、下部電極100は、TFT72のソース電極90aに接続される。具体的には、上述した平坦化膜96の形成後、下部電極100をTFT72に接続するためのコンタクトホール110が形成され、例えば、平坦化膜96表面およびコンタクトホール110内に形成した導電体部をパターニングすることにより、TFT72に接続された下部電極100が画素ごとに形成される。下部電極は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)等の透過性導電材料、Ag、Al等の金属で形成される。   Assuming that the TFT 72 shown in FIG. 3 is the drive TFT 12 having an n-channel, the lower electrode 100 is connected to the source electrode 90 a of the TFT 72. Specifically, after the formation of the planarizing film 96 described above, a contact hole 110 for connecting the lower electrode 100 to the TFT 72 is formed. For example, a conductor portion formed on the surface of the planarizing film 96 and in the contact hole 110 By patterning the lower electrode 100, the lower electrode 100 connected to the TFT 72 is formed for each pixel. The lower electrode is formed of, for example, a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide), or a metal such as Ag or Al.

上記構造上には、画素を分離するリブ112が配置されている。例えば、下部電極100の形成後、画素境界にリブ112を形成し、リブ112で囲まれた画素の有効領域(下部電極100の露出する領域)に、有機材料層102および上部電極104が積層される。上部電極104は、例えば、MgとAgの極薄合金やITO、IZO等の透過性導電材料で形成される。   On the above structure, ribs 112 for separating pixels are disposed. For example, after the lower electrode 100 is formed, the rib 112 is formed at the pixel boundary, and the organic material layer 102 and the upper electrode 104 are stacked in the effective area of the pixel surrounded by the rib 112 (the area where the lower electrode 100 is exposed). Ru. The upper electrode 104 is formed of, for example, an ultrathin alloy of Mg and Ag, or a transparent conductive material such as ITO or IZO.

上部電極104上には、表示領域42全体を覆うように封止層106が配置されている。封止層106は、第1封止膜161、封止平坦化膜160および第2封止膜162をこの順で含む積層構造を有している。第1封止膜161および第2封止膜162は、無機材料(例えば、無機絶縁材料)で形成される。具体的には、化学気相成長(CVD)法によりSiN膜を成膜することにより形成される。封止平坦化膜160は、有機材料(例えば、硬化性樹脂組成物等の樹脂材料)を用いて形成される。一方、部品実装領域46では、封止層106は配置されていない。 A sealing layer 106 is disposed on the upper electrode 104 so as to cover the entire display area 42. The sealing layer 106 has a stacked structure including the first sealing film 161, the sealing planarization film 160, and the second sealing film 162 in this order. The first sealing film 161 and the second sealing film 162 are formed of an inorganic material (for example, an inorganic insulating material). Specifically, it is formed by depositing a SiN y film by a chemical vapor deposition (CVD) method. The sealing and planarizing film 160 is formed using an organic material (for example, a resin material such as a curable resin composition). On the other hand, in the component mounting area 46, the sealing layer 106 is not disposed.

例えば、機械的な強度を確保するため、表示パネル40の表面に保護膜が積層される。本実施形態では、封止層106の上には表保護膜114が接着層(図示せず)を介して積層され、基材70の裏側(表保護膜114が積層される側とは反対側)には裏保護膜124が接着層(図示せず)を介して積層されている。表保護膜114は、表示領域42および表示領域42を囲む額縁領域44を覆うように積層されている。額縁領域44は、表示領域42と比較して、例えば、TFT72と、OLED6とを含まない点で異なっている。額縁領域44の回路層74には、電気配線等が形成されている。そして、回路層74の上に封止層106が配置されている。一方、部品実装領域46にはICやFPCを接続し易くするため表保護膜114を設けない。なお、部品実装領域46におけるFPC50やドライバIC48を取り付ける部分と表示領域42との間で表示パネル40を湾曲させて、FPC50などを表示領域42の裏側に折り返した状態とする場合、例えば、裏保護膜124は、湾曲部を除いた領域にのみ積層してもよい。   For example, in order to ensure mechanical strength, a protective film is laminated on the surface of the display panel 40. In the present embodiment, the front protective film 114 is laminated on the sealing layer 106 via the adhesive layer (not shown), and the back side of the base 70 (the opposite side to the side on which the front protective film 114 is laminated) And a back protective film 124 is laminated via an adhesive layer (not shown). The front protective film 114 is stacked so as to cover the display area 42 and the frame area 44 surrounding the display area 42. The frame area 44 is different from the display area 42 in that it does not include, for example, the TFT 72 and the OLED 6. In the circuit layer 74 of the frame area 44, an electrical wiring or the like is formed. The sealing layer 106 is disposed on the circuit layer 74. On the other hand, the front surface protective film 114 is not provided in the component mounting area 46 in order to facilitate the connection of the IC and the FPC. In the case where the display panel 40 is curved between the portion to which the FPC 50 or the driver IC 48 is attached in the component mounting area 46 and the display area 42 and the FPC 50 or the like is folded on the back side of the display area 42, for example, back protection The film 124 may be laminated only in the area excluding the curved portion.

保護膜114,124は、後述の切断に用いられるレーザー光を透過し得る。具体的には、基材70は、保護膜114,124に比べて、切断に用いられるレーザー光をより吸収可能である。保護膜114,124は、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のポリエステル系樹脂フィルム、シクロオレフィン系樹脂フィルム等の樹脂フィルムで構成される。保護膜114,124の厚みは、例えば、50μm以上200μm以下の範囲である。   The protective films 114 and 124 can transmit laser light used for cutting described later. Specifically, the substrate 70 can absorb more laser light used for cutting than the protective films 114 and 124. The protective films 114 and 124 are made of, for example, a polyester-based resin film such as polyethylene terephthalate (PET) or a resin film such as a cycloolefin-based resin film. The thickness of the protective films 114 and 124 is, for example, in the range of 50 μm to 200 μm.

図4は、図2に示す表示パネル40の長辺側の側面の一例を示す図である。表保護膜114上には、後述の切断に用いられるレーザー光を吸収可能な光吸収層115が隣接して形成されている。具体的には、表保護膜114に比べて、切断に用いられるレーザー光をより吸収可能な光吸収層115が形成されている。本実施形態では、光吸収層115は、基材70の端面と表保護膜114の端面とが揃う辺(具体的には、矩形の表保護膜114の三辺114a,114b,114c)に形成されているが、例えば、表保護膜114全体を覆うように形成されていてもよい。   FIG. 4 is a view showing an example of the side surface on the long side of the display panel 40 shown in FIG. A light absorbing layer 115 capable of absorbing a laser beam used for cutting described later is formed on the front protective film 114 so as to be adjacent thereto. Specifically, as compared with the front surface protective film 114, the light absorption layer 115 capable of absorbing the laser beam used for cutting is formed. In the present embodiment, the light absorption layer 115 is formed on the side where the end face of the base 70 and the end face of the front surface protective film 114 are aligned (specifically, the three sides 114a, 114b and 114c of the front surface protective film 114). However, for example, it may be formed to cover the entire front surface protective film 114.

光吸収層115は、表保護膜114を構成する樹脂フィルムとは異なる組成を有する材料(代表的には、樹脂)を含む。例えば、光吸収層115は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂等の樹脂材料を含む。光吸収層115は、例えば、基材70の厚みよりも厚くなるように形成される。具体的には、光吸収層115の厚みは、好ましくは50μm以上、さらに好ましくは60μm以上200μm以下の範囲である。   The light absorption layer 115 contains a material (typically, a resin) having a composition different from that of the resin film constituting the front surface protective film 114. For example, the light absorption layer 115 contains a resin material such as an acrylic resin, an epoxy resin, or a silicone resin. The light absorption layer 115 is formed, for example, to be thicker than the thickness of the substrate 70. Specifically, the thickness of the light absorption layer 115 is preferably in the range of 50 μm or more, and more preferably in the range of 60 μm to 200 μm.

図5は、本発明の1つの実施形態における有機EL表示装置の製造方法について説明するための図である。具体的には、図5は、基材70にTFT72を含む回路層74、OLED6および封止層106などを形成した後に、基材70よりもサイズの大きい保護膜114,124が積層された積層体(表示パネル中間体と称する)を示す平面図である。   FIG. 5 is a figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescence display in one Embodiment of this invention. Specifically, in FIG. 5, after forming the circuit layer 74 including the TFT 72, the OLED 6, the sealing layer 106, and the like on the base material 70, the protective films 114 and 124 larger in size than the base material 70 are stacked. It is a top view which shows a body (it calls a display panel intermediate body).

表示パネル40が得られる前の表示パネル中間体40aでは、封止層106上に接着層を介して短辺が基材70より長い矩形の表保護膜114が、部品実装領域46を除く領域に積層されている。また、基材70の裏側には、接着層を介して基材70よりもサイズの大きい矩形の裏保護膜124が積層されている。通常、接着層は、予め保護膜表面に形成されている。なお、TFT72を含む回路層74、OLED6および封止層106などの形成は、ハンドリング性等の観点から、代表的には、基板(例えば、ガラス基板)に支持された基材70に対して行う。この場合、基材70から基板を剥離した後に、基材70に裏保護膜124を積層する。   In the display panel intermediate 40 a before the display panel 40 is obtained, a rectangular surface protective film 114 whose short side is longer than the base 70 on the sealing layer 106 via the adhesive layer is in a region excluding the component mounting region 46. It is stacked. In addition, on the back side of the base 70, a rectangular back protective film 124 larger in size than the base 70 is stacked via an adhesive layer. Usually, the adhesive layer is formed in advance on the surface of the protective film. The circuit layer 74 including the TFT 72, the OLED 6, and the sealing layer 106 are typically formed on the base material 70 supported by a substrate (for example, a glass substrate) from the viewpoint of handling and the like. . In this case, after peeling the substrate from the substrate 70, the back protective film 124 is laminated on the substrate 70.

例えば、保護膜114,124にはサイズのばらつきや積層ずれがあるので、表示パネル中間体40aの端部を切断し、除去することで、均一なサイズを有する表示パネルを得ることができる。図示例では、カットラインL(L1+L2)に沿って、表示パネル中間体40aの部品実装領域46の辺を除く三辺において表保護膜114、基材70および裏保護膜124を切断し、基材70の端面と保護膜114,124の端面とを揃える。   For example, since the protective films 114 and 124 have variations in size and misalignment, the end portion of the display panel intermediate 40 a may be cut and removed to obtain a display panel having a uniform size. In the illustrated example, the front surface protective film 114, the base 70, and the rear surface protective film 124 are cut along the cut line L (L1 + L2) at three sides excluding the side of the component mounting area 46 of the display panel intermediate 40a. The end face of 70 and the end faces of the protective films 114 and 124 are aligned.

表保護膜114上には、少なくともカットラインL上に(カットラインLに対応して)光吸収層115が形成されている。図示例では、光吸収層115は、カットラインLを覆うように、部品実装領域46に向かって開口するコ字形状に形成されている。光吸収層115は、例えば、表保護膜114の所定の領域に、光吸収層115の形成材料(例えば、樹脂組成物)を塗布し、必要に応じて加熱等の各種処理を施すことにより形成する。光吸収層115は、表保護膜114を基材70に積層する前に形成してもよいし、積層した後に形成してもよい。   A light absorbing layer 115 is formed on the front protective film 114 at least on the cut line L (corresponding to the cut line L). In the illustrated example, the light absorption layer 115 is formed in a U-shape opening toward the component mounting area 46 so as to cover the cut line L. The light absorption layer 115 is formed, for example, by applying a forming material (for example, a resin composition) of the light absorption layer 115 to a predetermined region of the front surface protective film 114 and performing various treatments such as heating as necessary. Do. The light absorption layer 115 may be formed before laminating the front surface protective film 114 to the base 70, or may be formed after laminating.

表示パネル中間体40aの切断は、レーザー光照射により行う。具体的には、表示パネル中間体40aの基材70に対して光吸収層115が形成されている側から、レーザー光をカットラインLに沿って照射することにより行う。切断に用いられるレーザー光としては、例えば、基材70の材質に応じて、適宜選択され得る。例えば、基材70がポリイミドを含む場合、200nm〜400nmの範囲内の波長を有するレーザー光が選択される。   The cutting of the display panel intermediate body 40a is performed by laser light irradiation. Specifically, laser light is applied along the cut line L from the side on which the light absorbing layer 115 is formed with respect to the base material 70 of the display panel intermediate 40 a. As a laser beam used for cutting, it can be suitably selected according to the material of substrate 70, for example. For example, when the substrate 70 includes a polyimide, laser light having a wavelength in the range of 200 nm to 400 nm is selected.

表保護膜114が存在する領域(カットラインL1)では、上述のとおり、表保護膜114上に、表保護膜114に比べて、上記切断に用いられるレーザー光をより吸収し得る光吸収層115が形成されている。したがって、照射されたレーザー光は光吸収層115に吸収され、そのエネルギー(例えば、熱)は隣接する表保護膜114に伝わり、表保護膜114が切断され得る。こうして、レーザー光が表保護膜114を透過して基材70が優先的に切断されるのを抑制し得る。その結果、基材70の切断カス(例えば、樹脂の炭化物)が基材70と表保護膜114の間に残存することなく、良好に切断され得る。表保護膜114が存在しない領域(カットラインL2)では、基材70を切断後に裏保護膜124が切断される。このように、適切な光吸収層115を形成することで、良好な切断を実現し得る。また、切断に用いるレーザー光の種類の選択幅が広がり、加工性の向上にも寄与し得る。   In the region where the front protective film 114 is present (cut line L1), as described above, the light absorption layer 115 which can absorb the laser beam used for the cutting more than the front protective film 114 on the front protective film 114. Is formed. Therefore, the irradiated laser light is absorbed by the light absorption layer 115, and its energy (for example, heat) is transmitted to the adjacent front surface protective film 114, so that the front surface protective film 114 may be cut. In this manner, laser light can be prevented from being transmitted through the front surface protective film 114 to cut the substrate 70 preferentially. As a result, the cut residue (e.g., a carbide of a resin) of the base 70 can be well cut without remaining between the base 70 and the front surface protective film 114. In the region where the front protective film 114 is not present (cut line L2), the back protective film 124 is cut after the base 70 is cut. Thus, by forming the appropriate light absorption layer 115, good cutting can be realized. In addition, the selection range of the type of laser light used for cutting is broadened, which can also contribute to the improvement of the processability.

本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。具体例としては、上記実施形態のように表保護膜114上に光吸収層115を形成するかわりに、例えば、図6に示すように、基材70と表保護膜114との間に、表保護膜114に隣接して光吸収層115を形成してもよい。この場合も、一旦、表保護膜114を透過したレーザー光が光吸収層115に吸収され、そのエネルギーは隣接する表保護膜に114に伝わり表保護膜114が切断され得、基材70が優先的に切断されるのを抑制し得る。   The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible. For example, the present invention can be replaced by a configuration that is substantially the same as the configuration shown in the above embodiment, a configuration that achieves the same effect, or a configuration that can achieve the same purpose. As a specific example, instead of forming the light absorption layer 115 on the front surface protective film 114 as in the above embodiment, for example, as shown in FIG. The light absorption layer 115 may be formed adjacent to the protective film 114. Also in this case, the laser light transmitted through the front surface protective film 114 is absorbed by the light absorption layer 115, the energy thereof is transmitted to the adjacent front surface protective film 114, and the front surface protective film 114 can be cut. Can be suppressed.

2 有機EL表示装置、4 画素アレイ部、6 OLED、8 画素回路、10 点灯TFT、12 駆動TFT、14 キャパシタ、20 走査線駆動回路、22 映像線駆動回路、24 駆動電源回路、26 制御装置、28 走査信号線、30 映像信号線、32 駆動電源線、40 表示パネル、42 表示領域、44 額縁領域、46 部品実装領域、48 ドライバIC、50 FPC、70 基材、72 TFT、74 回路層、80 下地層、82 半導体領域、84 ゲート絶縁膜、86 ゲート電極、88 層間絶縁層、90a ソース電極、90b ドレイン電極、92 層間絶縁膜、94 配線、96 平坦化膜、97 ダム、98 パッシベーション膜、100 下部電極、102 有機材料層、104 上部電極、106 封止層、110 コンタクトホール、112 リブ、114 表保護膜、115 光吸収層、116 配線、124 裏保護膜、160 封止平坦化膜、161 第1封止膜、162 第2封止膜。   2 organic EL display device, 4 pixel array unit, 6 OLED, 8 pixel circuit, 10 lighting TFT, 12 driving TFT, 14 capacitor, 20 scanning line driving circuit, 22 video line driving circuit, 24 driving power supply circuit, 26 control device, 28 scanning signal line, 30 video signal line, 32 driving power supply line, 40 display panel, 42 display area, 44 frame area, 46 component mounting area, 48 driver IC, 50 FPC, 70 base material, 72 TFT, 74 circuit layer, 80 base layer, 82 semiconductor region, 84 gate insulating film, 86 gate electrode, 88 interlayer insulating layer, 90 a source electrode, 90 b drain electrode, 92 interlayer insulating film, 94 wiring, 96 planarization film, 97 dam, 98 passivation film, 100 lower electrode, 102 organic material layer, 104 upper electrode, 106 sealing layer, 110 Contact hole, 112 rib, 114 surface protective film, 115 light absorption layer, 116 wiring, 124 back protective film, 160 sealing flattening film, 161 first sealing film, 162 second sealing film.

Claims (18)

樹脂を含み、複数の画素を備える表示領域が形成された基材に、保護膜を積層して積層体を作製すること、
少なくとも一部が前記保護膜に接する光吸収層を形成すること、および、
前記積層体の前記基材に対して前記光吸収層が形成されている側から、前記表示領域の外側に位置する所定のラインに沿ってレーザー光を照射して、前記積層体の一部を切断すること、を含み、
前記光吸収層は、前記保護膜に比べて前記レーザー光をより吸収可能で、
前記所定のラインの少なくとも一部は、前記光吸収層と重なる、
表示装置の製造方法。
Producing a laminate by laminating a protective film on a base material including a resin and having a display region including a plurality of pixels;
Forming a light absorbing layer at least a part of which is in contact with the protective film;
By irradiating a laser beam along a predetermined line located outside the display area from the side of the laminate on which the light absorption layer is formed with respect to the base material of the laminate, a portion of the laminate is obtained. Including cutting,
The light absorbing layer can absorb the laser light more than the protective film,
At least a portion of the predetermined line overlaps the light absorption layer,
Method of manufacturing a display device
前記光吸収層がアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂およびシリコーン系樹脂からなる群から選ばれる一種以上を含む、請求項1に記載の表示装置の製造方法。   The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein the light absorption layer contains one or more selected from the group consisting of an acrylic resin, an epoxy resin and a silicone resin. 前記基材は、前記保護膜に比べて前記レーザー光をより吸収可能である、請求項1または2に記載の表示装置の製造方法。   The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein the base material can absorb the laser beam more than the protective film. 前記基材の前記表示領域を覆うように前記保護膜を積層する、請求項1から3のいずれかに記載の表示装置の製造方法。   The manufacturing method of the display apparatus in any one of Claim 1 to 3 which laminates | stacks the said protective film so that the said display area of the said base material may be covered. 前記基材の前記表示領域が形成されていない側に前記保護膜を積層する、請求項1から4のいずれかに記載の表示装置の製造方法。   The manufacturing method of the display apparatus in any one of Claim 1 to 4 which laminates | stacks the said protective film in the side in which the said display area of the said base material is not formed. 前記保護膜の前記基材が配置されていない側に前記光吸収層を形成する、請求項1から5のいずれかに記載の表示装置の製造方法。   The manufacturing method of the display apparatus in any one of Claim 1 to 5 which forms the said light absorption layer in the side in which the said base material of the said protective film is not arrange | positioned. 前記基材と前記保護膜との間に前記光吸収層を形成する、請求項1から6のいずれかに記載の表示装置の製造方法。   The manufacturing method of the display apparatus in any one of Claim 1 to 6 which forms the said light absorption layer between the said base material and the said protective film. 前記レーザー光が200nm〜400nmの範囲内の波長を有する、請求項1から7のいずれかに記載の表示装置の製造方法。   The manufacturing method of the display apparatus in any one of Claim 1 to 7 in which the said laser beam has a wavelength within the range of 200 nm-400 nm. 前記光吸収層が、前記保護膜とは異なる組成を有する樹脂材料を含む、請求項1から8に記載の表示装置の製造方法。   The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein the light absorption layer includes a resin material having a composition different from that of the protective film. 樹脂を含み、複数の画素を備える表示領域が形成された基材と、
前記基材の少なくとも片側に配置された保護膜と、
前記保護膜に比べて所定の波長の光をより吸収可能で、前記基材の前記保護膜が配置される側に、少なくとも一部が前記保護膜に接して配置された光吸収層と、を有し、
前記光吸収層は、少なくとも前記基材の端面と前記保護膜の端面とが揃う辺に形成されている、
表示装置。
A substrate including a resin and having a display area formed of a plurality of pixels;
A protective film disposed on at least one side of the substrate;
A light absorbing layer capable of absorbing light of a predetermined wavelength as compared to the protective film, and at least a portion of which is disposed in contact with the protective film on the side of the base on which the protective film is disposed; Have
The light absorption layer is formed on the side where at least the end face of the base and the end face of the protective film are aligned.
Display device.
前記基材は、前記保護膜に比べて前記所定の波長の光をより吸収可能である、請求項10に記載の表示装置。   The display device according to claim 10, wherein the base material can absorb light of the predetermined wavelength more than the protective film. 前記基材がポリイミドを含む、請求項10または11に記載の表示装置。   The display device according to claim 10, wherein the substrate comprises a polyimide. 前記保護膜が、ポリエステル系樹脂フィルムおよび/またはシクロオレフィン系樹脂フィルムである、請求項10から12のいずれかに記載の表示装置。   The display device according to any one of claims 10 to 12, wherein the protective film is a polyester resin film and / or a cycloolefin resin film. 前記光吸収層がアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂およびシリコーン系樹脂からなる群から選ばれる一種以上を含む、請求項10から13のいずれかに記載の表示装置。   The display device according to any one of claims 10 to 13, wherein the light absorption layer contains one or more selected from the group consisting of an acrylic resin, an epoxy resin and a silicone resin. 前記所定の波長の光が200nm〜400nmの範囲内の波長を含む、請求項10から14のいずれかに記載の表示装置。   The display device according to any one of claims 10 to 14, wherein the light of the predetermined wavelength includes a wavelength within a range of 200 nm to 400 nm. 前記光吸収層が、前記保護膜の全体を覆う、請求項10から15のいずれかに記載の表示装置。   The display device according to any one of claims 10 to 15, wherein the light absorption layer covers the entire protective film. 前記光吸収層が、前記保護膜の前記基材とは反対の側に位置する、請求項10から16のいずれかに記載の表示装置。   The display device according to any one of claims 10 to 16, wherein the light absorption layer is located on the side of the protective film opposite to the substrate. 前記光吸収層が、前記保護膜と前記基材との間に位置する、請求項10から16のいずれかに記載の表示装置。   The display device according to any one of claims 10 to 16, wherein the light absorption layer is located between the protective film and the substrate.
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