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JP2018106803A - Organic EL display device and method of manufacturing organic EL display device - Google Patents

Organic EL display device and method of manufacturing organic EL display device Download PDF

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JP2018106803A
JP2018106803A JP2016248868A JP2016248868A JP2018106803A JP 2018106803 A JP2018106803 A JP 2018106803A JP 2016248868 A JP2016248868 A JP 2016248868A JP 2016248868 A JP2016248868 A JP 2016248868A JP 2018106803 A JP2018106803 A JP 2018106803A
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JP
Japan
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material layer
organic material
bank
organic
display device
Prior art date
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Pending
Application number
JP2016248868A
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Japanese (ja)
Inventor
典久 前田
Norihisa Maeda
典久 前田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Inc
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Publication date
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Abstract

【課題】有機EL表示装置において、隣接する画素間でのリーク電流をより確実に抑制する。
【解決手段】有機EL表示装置であって、基板と、前記基板上に配置され、複数の画素に対応する下部電極と、前記基板上の隣接する前記下部電極間に配置され、前記複数の画素を区画するバンクと、前記下部電極およびバンク上に配置される有機材料層と、を有し、前記バンク上に、部分的に前記有機材料層の少なくとも一部が存在しない非存在領域が形成されている。
【選択図】図3
In an organic EL display device, leakage current between adjacent pixels is more reliably suppressed.
An organic EL display device includes a substrate, a lower electrode disposed on the substrate and corresponding to a plurality of pixels, and disposed between the adjacent lower electrodes on the substrate. And a lower electrode and an organic material layer disposed on the bank, and a non-existing region in which at least a part of the organic material layer does not partially exist is formed on the bank. ing.
[Selection] Figure 3

Description

本発明は、有機EL表示装置および有機EL表示装置の製造方法に関する。   The present invention relates to an organic EL display device and a method for manufacturing the organic EL display device.

有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置は、基板上に薄膜トランジスタ(TFT)や有機発光ダイオード(OLED)などが形成された表示パネルを有する。OLEDは、一対の電極間に有機材料層を備える。有機材料層は、例えば、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等が積層されて構成される。このような有機材料層は、代表的には、画素を区画するために予め設けられた凸状のバンクで囲まれた領域に形成される。ここで、例えば、正孔輸送層等の導電性の材料を複数の画素間で共通に設けると、隣接する画素間でリーク電流が流れてしまうという問題がある。具体的には、リーク電流により本来発光すべきでない隣接の画素が発光し、コントラストや色純度の低下を招くという問題がある。このような問題は、高精細化(例えば、隣接する画素間の距離が短くなる)や駆動電圧の低減化(例えば、高移動度材料の採用)が進むほど、顕著に発生し得る。   An organic electroluminescence (EL) display device has a display panel in which a thin film transistor (TFT), an organic light emitting diode (OLED), and the like are formed on a substrate. An OLED includes an organic material layer between a pair of electrodes. The organic material layer is configured by stacking, for example, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and the like. Such an organic material layer is typically formed in a region surrounded by a convex bank provided in advance for partitioning pixels. Here, for example, when a conductive material such as a hole transport layer is provided in common between a plurality of pixels, there is a problem that a leak current flows between adjacent pixels. Specifically, there is a problem in that adjacent pixels that should not emit light due to a leak current emit light, leading to a decrease in contrast and color purity. Such a problem may become more prominent as the definition becomes higher (for example, the distance between adjacent pixels becomes shorter) and the driving voltage is reduced (for example, adoption of a high mobility material).

上記のような問題に対し、例えば、下記特許文献1では、バンク上の有機材料層にエネルギー線を照射して、有機材料層に含まれる導電性の層を変質させて不導体化する方法が提案されている。   For example, in Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2004-228620, for example, a method of irradiating an organic material layer on a bank with energy rays to denature a conductive layer included in the organic material layer to make it nonconductive. Proposed.

特開2016−18759号公報JP 2016-18759 A

しかし、隣接する画素間でのリーク電流をより確実に抑制することが望まれている。   However, it is desired to more reliably suppress the leakage current between adjacent pixels.

本発明は、上記に鑑み、隣接する画素間でのリーク電流をより確実に抑制し得る有機EL表示装置およびその製造方法の提供を目的とする。   In view of the above, an object of the present invention is to provide an organic EL display device that can more reliably suppress a leakage current between adjacent pixels and a manufacturing method thereof.

本発明の有機EL表示装置は、基板と、前記基板上に配置され、複数の画素に対応する下部電極と、前記基板上の隣接する前記下部電極間に配置され、前記複数の画素を区画するバンクと、前記下部電極およびバンク上に配置される有機材料層と、を有し、前記バンク上に、部分的に前記有機材料層の少なくとも一部が存在しない非存在領域が形成されている。   The organic EL display device of the present invention is disposed between a substrate, a lower electrode disposed on the substrate and corresponding to a plurality of pixels, and an adjacent lower electrode on the substrate, and partitions the plurality of pixels. A non-existing region that includes a bank and the lower electrode and an organic material layer disposed on the bank and in which at least a part of the organic material layer does not partially exist is formed on the bank.

1つの実施形態においては、上記有機材料層の一部は正孔輸送層を含む。   In one embodiment, a part of the organic material layer includes a hole transport layer.

1つの実施形態においては、上記有機EL表示装置は、上記有機材料層上に配置される上部電極を有し、上記バンク上の非存在領域において、上記バンクに前記上部電極が接触している。   In one embodiment, the organic EL display device includes an upper electrode disposed on the organic material layer, and the upper electrode is in contact with the bank in a non-existing region on the bank.

本発明の別の局面によれば、有機EL表示装置の製造方法が提供される。この有機EL表示装置の製造方法は、基板上に、複数の画素に対応する下部電極を形成すること、前記基板上の隣接する前記下部電極間に、前記複数の画素を区画するバンクを形成すること、前記下部電極および前記バンク上に有機材料層を形成すること、前記バンク上に存在する前記有機材料層を除去すること、をこの順で含む。   According to another aspect of the present invention, a method for manufacturing an organic EL display device is provided. In this method of manufacturing an organic EL display device, a lower electrode corresponding to a plurality of pixels is formed on a substrate, and a bank for partitioning the plurality of pixels is formed between adjacent lower electrodes on the substrate. Forming an organic material layer on the lower electrode and the bank, and removing the organic material layer existing on the bank in this order.

1つの実施形態においては、上記バンク上に存在する上記有機材料層を粘着シートに転写させることにより除去する。   In one embodiment, the organic material layer existing on the bank is removed by transferring it to an adhesive sheet.

1つの実施形態においては、上記製造方法において、上記有機材料層は正孔輸送層を含む。   In one embodiment, in the manufacturing method, the organic material layer includes a hole transport layer.

1つの実施形態においては、上記製造方法は、上記除去後、上記有機材料層上に上部電極を形成することをさらに含む。   In one embodiment, the manufacturing method further includes forming an upper electrode on the organic material layer after the removal.

本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の概略の構成を示す模式図である。1 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention. 図1に示す有機EL表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view illustrating an example of a display panel of the organic EL display device illustrated in FIG. 1. 図2のIII−III断面の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the III-III cross section of FIG. 非存在領域の形成方法を説明するための概略断面図である。It is a schematic sectional drawing for demonstrating the formation method of a non-existing area | region. 非存在領域の形成方法を説明するための概略断面図である。It is a schematic sectional drawing for demonstrating the formation method of a non-existing area | region.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面については、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略することがある。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, about drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same or equivalent element, and the overlapping description may be abbreviate | omitted.

図1は、本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の概略の構成を示す模式図である。有機EL表示装置2は、画像を表示する画素アレイ部4と、画素アレイ部4を駆動する駆動部とを備える。有機EL表示装置2は、基板上にTFTやOLEDなどの積層構造が形成された表示パネルを有する。なお、図1に示した概略図は一例であって、本実施形態はこれに限定されるものではない。   FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention. The organic EL display device 2 includes a pixel array unit 4 that displays an image and a drive unit that drives the pixel array unit 4. The organic EL display device 2 has a display panel in which a laminated structure such as TFT and OLED is formed on a substrate. The schematic diagram shown in FIG. 1 is an example, and the present embodiment is not limited to this.

画素アレイ部4には、画素に対応してOLED6および画素回路8がマトリクス状に配置される。画素回路8は複数のTFT10,12やキャパシタ14で構成される。   In the pixel array unit 4, OLEDs 6 and pixel circuits 8 are arranged in a matrix corresponding to the pixels. The pixel circuit 8 includes a plurality of TFTs 10 and 12 and a capacitor 14.

上記駆動部は、走査線駆動回路20、映像線駆動回路22、駆動電源回路24および制御装置26を含み、画素回路8を駆動しOLED6の発光を制御する。   The drive unit includes a scanning line drive circuit 20, a video line drive circuit 22, a drive power supply circuit 24, and a control device 26, and drives the pixel circuit 8 to control light emission of the OLED 6.

走査線駆動回路20は、画素の水平方向の並び(画素行)ごとに設けられた走査信号線28に接続されている。走査線駆動回路20は、制御装置26から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線28を順番に選択し、選択した走査信号線28に、点灯TFT10をオンする電圧を印加する。   The scanning line driving circuit 20 is connected to a scanning signal line 28 provided for each horizontal arrangement (pixel row) of pixels. The scanning line driving circuit 20 sequentially selects the scanning signal lines 28 according to the timing signal input from the control device 26, and applies a voltage for turning on the lighting TFT 10 to the selected scanning signal lines 28.

映像線駆動回路22は、画素の垂直方向の並び(画素列)ごとに設けられた映像信号線30に接続されている。映像線駆動回路22は、制御装置26から映像信号を入力され、走査線駆動回路20による走査信号線28の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線30に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯TFT10を介してキャパシタ14に書き込まれる。駆動TFT12は、書き込まれた電圧に応じた電流をOLED6に供給し、これにより、選択された走査信号線28に対応する画素のOLED6が発光する。   The video line driving circuit 22 is connected to a video signal line 30 provided for each vertical arrangement (pixel column) of pixels. The video line driving circuit 22 receives a video signal from the control device 26, and in accordance with the selection of the scanning signal line 28 by the scanning line driving circuit 20, a voltage corresponding to the video signal of the selected pixel row is applied to each video signal line. Output to 30. The voltage is written into the capacitor 14 via the lighting TFT 10 in the selected pixel row. The driving TFT 12 supplies a current corresponding to the written voltage to the OLED 6, whereby the OLED 6 of the pixel corresponding to the selected scanning signal line 28 emits light.

駆動電源回路24は、画素列ごとに設けられた駆動電源線32に接続され、駆動電源線32および選択された画素行の駆動TFT12を介してOLED6に電流を供給する。   The drive power supply circuit 24 is connected to a drive power supply line 32 provided for each pixel column, and supplies a current to the OLED 6 through the drive power supply line 32 and the drive TFT 12 of the selected pixel row.

ここで、OLED6の下部電極は、駆動TFT12に接続される。一方、各OLED6の上部電極は、全画素のOLED6に共通の電極で構成される。下部電極を陽極(アノード)として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極(カソード)となって低電位が入力される。下部電極を陰極(カソード)として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極(アノード)となって高電位が入力される。   Here, the lower electrode of the OLED 6 is connected to the driving TFT 12. On the other hand, the upper electrode of each OLED 6 is configured by an electrode common to the OLED 6 of all pixels. When the lower electrode is configured as an anode (anode), a high potential is input, and the upper electrode is a cathode (cathode) and a low potential is input. When the lower electrode is configured as a cathode (cathode), a low potential is input, and the upper electrode is an anode (anode) and a high potential is input.

図2は、図1に示す有機EL表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。表示パネル40の表示領域42に、図1に示した画素アレイ部4が設けられ、上述したように画素アレイ部4にはOLEDが配列される。上述したようにOLED6を構成する上部電極44は、各画素に共通に形成され、表示領域42全体を覆う。   FIG. 2 is a schematic plan view showing an example of the display panel of the organic EL display device shown in FIG. The pixel array unit 4 shown in FIG. 1 is provided in the display area 42 of the display panel 40, and the OLEDs are arranged in the pixel array unit 4 as described above. As described above, the upper electrode 44 constituting the OLED 6 is formed in common for each pixel and covers the entire display region 42.

矩形である表示パネル40の一辺には、部品実装領域46が設けられ、表示領域42につながる配線が配置される。部品実装領域46には、駆動部を構成するドライバ集積回路(IC)48が搭載されたり、FPC50が接続されたりする。フレキシブルプリント基板(FPC)50は、制御装置26やその他の回路20,22,24等に接続されたり、その上にICを搭載されたりする。   A component mounting area 46 is provided on one side of the rectangular display panel 40, and wirings connected to the display area 42 are arranged. In the component mounting area 46, a driver integrated circuit (IC) 48 constituting a driving unit is mounted or an FPC 50 is connected. A flexible printed circuit board (FPC) 50 is connected to the control device 26 and other circuits 20, 22, 24, etc., and an IC is mounted thereon.

図3は、図2のIII−III断面の一例を示す図である。表示パネル40は、基板70の上にTFT72などからなる回路層、OLED6およびOLED6を封止する封止層106などが積層された構造を有する。基板70は、例えば、ガラス板、樹脂フィルムで構成される。本実施形態においては、画素アレイ部4はトップエミッション型であり、OLED6で生じた光は、基板70側とは反対側(図3において上向き)に出射される。   FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a III-III cross section of FIG. 2. The display panel 40 has a structure in which a circuit layer made of a TFT 72 and the like, an OLED 6 and a sealing layer 106 for sealing the OLED 6 are stacked on a substrate 70. The board | substrate 70 is comprised with a glass plate and a resin film, for example. In the present embodiment, the pixel array unit 4 is a top emission type, and the light generated by the OLED 6 is emitted to the side opposite to the substrate 70 side (upward in FIG. 3).

表示領域42の回路層には、上述した画素回路8、走査信号線28、映像信号線30、駆動電源線32などが形成される。駆動部の少なくとも一部分は、基板70上に回路層として表示領域42に隣接する領域に形成することができる。上述したように、駆動部を構成するドライバIC48やFPC50を、部品実装領域46にて、回路層の配線116に接続することができる。   In the circuit layer of the display area 42, the pixel circuit 8, the scanning signal line 28, the video signal line 30, the drive power supply line 32, and the like are formed. At least a part of the driving unit can be formed as a circuit layer on the substrate 70 in a region adjacent to the display region 42. As described above, the driver IC 48 and the FPC 50 constituting the driving unit can be connected to the wiring 116 of the circuit layer in the component mounting region 46.

図3に示すように、基板70上には、無機絶縁材料で形成された下地層80が配置される。無機絶縁材料としては、例えば、窒化シリコン(SiN)、酸化シリコン(SiO)およびこれらの複合体が用いられる。 As shown in FIG. 3, a base layer 80 made of an inorganic insulating material is disposed on the substrate 70. As the inorganic insulating material, for example, silicon nitride (SiN y ), silicon oxide (SiO x ), and a composite thereof are used.

表示領域42においては、下地層80を介して、基板70上には、トップゲート型のTFT72のチャネル部およびソース・ドレイン部となる半導体領域82が形成される。半導体領域82は、例えば、ポリシリコン(p−Si)で形成される。半導体領域82は、例えば、基板70上に半導体層(p−Si膜)を設け、この半導体層をパターニングし、回路層で用いる箇所を選択的に残すことにより形成される。TFT72のチャネル部の上には、ゲート絶縁膜84を介してゲート電極86が配置される。ゲート絶縁膜84は、代表的には、TEOSで形成される。ゲート電極86は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングして形成される。ゲート電極86上には、ゲート電極86を覆うように層間絶縁層88が配置される。層間絶縁層88は、例えば、上記無機絶縁材料で形成される。TFT72のソース・ドレイン部となる半導体領域82(p−Si)には、イオン注入により不純物が導入され、さらにそれらに電気的に接続されたソース電極90aおよびドレイン電極90bが形成され、TFT72が構成される。   In the display region 42, a semiconductor region 82 serving as a channel portion and a source / drain portion of the top gate TFT 72 is formed on the substrate 70 through the base layer 80. The semiconductor region 82 is formed of, for example, polysilicon (p-Si). The semiconductor region 82 is formed, for example, by providing a semiconductor layer (p-Si film) on the substrate 70, patterning the semiconductor layer, and selectively leaving a portion used in the circuit layer. A gate electrode 86 is disposed on the channel portion of the TFT 72 via a gate insulating film 84. The gate insulating film 84 is typically formed of TEOS. The gate electrode 86 is formed by patterning a metal film formed by sputtering or the like, for example. An interlayer insulating layer 88 is disposed on the gate electrode 86 so as to cover the gate electrode 86. The interlayer insulating layer 88 is formed of, for example, the above inorganic insulating material. Impurities are introduced into the semiconductor region 82 (p-Si) serving as the source / drain portion of the TFT 72 by ion implantation, and further, a source electrode 90a and a drain electrode 90b electrically connected thereto are formed, and the TFT 72 is configured. Is done.

TFT72上には、層間絶縁膜92が配置される。層間絶縁膜92の表面には、配線94が配置される。配線94は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングすることにより形成される。配線94を形成する金属膜と、ゲート電極86、ソース電極90aおよびドレイン電極90bの形成に用いた金属膜とで、例えば、配線116および図1に示した走査信号線28、映像信号線30、駆動電源線32を多層配線構造で形成することができる。この上に、例えば、アクリル系樹脂等の樹脂材料により平坦化膜96が形成され、表示領域42において、平坦化膜96上にOLED6が形成される。   An interlayer insulating film 92 is disposed on the TFT 72. A wiring 94 is disposed on the surface of the interlayer insulating film 92. For example, the wiring 94 is formed by patterning a metal film formed by sputtering or the like. The metal film forming the wiring 94 and the metal film used for forming the gate electrode 86, the source electrode 90a, and the drain electrode 90b include, for example, the wiring 116 and the scanning signal line 28, the video signal line 30, and the like shown in FIG. The drive power supply line 32 can be formed with a multilayer wiring structure. On this, for example, a planarizing film 96 is formed of a resin material such as acrylic resin, and the OLED 6 is formed on the planarizing film 96 in the display region 42.

OLED6は、下部電極100、有機材料層102および上部電極104を含む。有機材料層102は、例えば、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を積層して形成される。OLED6は、代表的には、下部電極100、有機材料層102および上部電極104を基板70側からこの順に積層して形成される。本実施形態では、下部電極100がOLEDの陽極(アノード)であり、上部電極104が陰極(カソード)である。なお、有機材料層は、上記以外の他の層を有し得る。他の層としては、例えば、アノードと発光層との間に配置される正孔注入層や電子ブロック層、カソードと発光層との間に配置される電子注入層や正孔ブロック層が挙げられる。   The OLED 6 includes a lower electrode 100, an organic material layer 102, and an upper electrode 104. The organic material layer 102 is formed by stacking, for example, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer. The OLED 6 is typically formed by laminating the lower electrode 100, the organic material layer 102, and the upper electrode 104 in this order from the substrate 70 side. In this embodiment, the lower electrode 100 is an anode (anode) of the OLED, and the upper electrode 104 is a cathode (cathode). Note that the organic material layer may have a layer other than the above. Examples of the other layers include a hole injection layer and an electron blocking layer disposed between the anode and the light emitting layer, and an electron injection layer and a hole blocking layer disposed between the cathode and the light emitting layer. .

図3に示すTFT72が、nチャネルを有した駆動TFT12であるとすると、下部電極100は、TFT72のソース電極90aに接続される。具体的には、上述した平坦化膜96の形成後、下部電極100をTFT72に接続するためのコンタクトホール110が形成され、例えば、平坦化膜96表面およびコンタクトホール110内に形成した導電体部をパターニングすることにより、TFT72に接続された下部電極100が画素ごとに形成される。   If the TFT 72 shown in FIG. 3 is a driving TFT 12 having an n channel, the lower electrode 100 is connected to the source electrode 90 a of the TFT 72. Specifically, after the above-described planarization film 96 is formed, a contact hole 110 for connecting the lower electrode 100 to the TFT 72 is formed. For example, the surface of the planarization film 96 and the conductor portion formed in the contact hole 110. By patterning, the lower electrode 100 connected to the TFT 72 is formed for each pixel.

上記構造上には、画素を区画するバンク112が配置される。例えば、下部電極100の形成後、画素境界にバンク112を形成し、バンク112で囲まれた画素の有効領域(下部電極100の露出する領域)に、有機材料層102および上部電極104が積層される。バンク112は、代表的には、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂等の樹脂材料で形成される。上部電極104は、代表的には、透明電極材料で形成される。バンク112の上には、有機材料層102が実質的に存在しない非存在領域108が形成されている。非存在領域108において、バンク112に上部電極104が接触している。隣接する画素間において、有機材料層102が連続して形成されないことで、上述のリーク電流の発生が効果的に抑制される。なお、非存在領域108において、図示例とは異なり、有機材料層102を構成する層の一部(例えば、膜厚が比較的厚い正孔輸送層)が選択的に存在しない状態であってもよい。また、非存在領域108は、全ての画素間において形成されてもよいし、特定の画素の周囲に選択的に(例えば、赤(R)、緑(G)、青(B)の中でもリーク電流による色純度の低下が顕著なG画素の周囲に選択的に)形成されてもよい。   On the above structure, banks 112 for partitioning pixels are arranged. For example, after the formation of the lower electrode 100, a bank 112 is formed at the pixel boundary, and the organic material layer 102 and the upper electrode 104 are stacked in an effective region (region where the lower electrode 100 is exposed) surrounded by the bank 112. The The bank 112 is typically formed of a resin material such as polyimide resin or acrylic resin. The upper electrode 104 is typically formed of a transparent electrode material. A non-existing region 108 in which the organic material layer 102 does not substantially exist is formed on the bank 112. In the nonexistent region 108, the upper electrode 104 is in contact with the bank 112. Since the organic material layer 102 is not continuously formed between adjacent pixels, generation of the above-described leakage current is effectively suppressed. Note that, in the non-existing region 108, unlike the illustrated example, even if a part of the layer constituting the organic material layer 102 (for example, a relatively thick hole transport layer) is not selectively present. Good. Further, the non-existing region 108 may be formed between all the pixels, or selectively leaks around a specific pixel (for example, among red (R), green (G), and blue (B)). May be selectively formed around the G pixel in which the color purity is significantly reduced.

図4Aおよび図4Bは、非存在領域108の形成方法を説明するための概略断面図である。なお、図4Aおよび図4Bにおいて、図3に示す表示パネル40の積層構造のうち、基板70上の下地層80から平坦化膜96までの積層構造を上部構造層114として簡略化して示している。図4Aに示すように、基板70上の隣接する下部電極100,100間に、下部電極100の端部を保護するように、画素を区画するバンク112を形成し、下部電極100およびバンク112上に連続して有機材料層102を形成する。例えば、トリフェニルアミン構造を有する化合物を含む正孔輸送層102aを下部電極100およびバンク112上に連続的に形成し(複数の画素間で共通に設け)、正孔輸送層102a上に、各画素の色に対応した発光層102bを各画素領域に形成し、発光層102bを覆うように(複数の画素間で共通に)電子輸送層102cを形成し、有機材料層102を形成する。形成された有機材料層102上に粘着シート60の粘着面を貼り合わせ、図4Bに示すように、バンク112上に存在する有機材料層102dを粘着シート60に転写させる。こうして、有機材料層の一部102dを除去してバンク112上に非存在領域108を形成した後、有機材料層102上に上部電極104を形成する。なお、上述のように、正孔輸送層102aを選択的に除去する場合は、例えば、正孔輸送層102a形成直後に粘着シート60をバンク112上に貼り合わせる。   4A and 4B are schematic cross-sectional views for explaining a method for forming the non-existing region 108. 4A and 4B, the stacked structure from the base layer 80 to the planarizing film 96 on the substrate 70 in the stacked structure of the display panel 40 shown in FIG. . As shown in FIG. 4A, between the adjacent lower electrodes 100, 100 on the substrate 70, a bank 112 for partitioning pixels is formed so as to protect the end portion of the lower electrode 100, and the lower electrode 100 and the bank 112 are formed. The organic material layer 102 is formed continuously. For example, a hole transport layer 102a containing a compound having a triphenylamine structure is continuously formed on the lower electrode 100 and the bank 112 (provided in common among a plurality of pixels). A light emitting layer 102b corresponding to the color of the pixel is formed in each pixel region, an electron transport layer 102c is formed so as to cover the light emitting layer 102b (common to a plurality of pixels), and an organic material layer 102 is formed. The adhesive surface of the adhesive sheet 60 is bonded onto the formed organic material layer 102, and the organic material layer 102d existing on the bank 112 is transferred to the adhesive sheet 60 as shown in FIG. 4B. In this way, after removing a part 102 d of the organic material layer and forming the non-existing region 108 on the bank 112, the upper electrode 104 is formed on the organic material layer 102. As described above, when the hole transport layer 102a is selectively removed, for example, the adhesive sheet 60 is bonded onto the bank 112 immediately after the formation of the hole transport layer 102a.

粘着シート60は、例えば、基材とこの基材の片側に形成された粘着剤層とを含む積層体である。有機材料層102の一部を除去する際、粘着シート60は、シート状であってもよいし、ロール状に巻回されていてもよい。   The pressure-sensitive adhesive sheet 60 is, for example, a laminate including a base material and a pressure-sensitive adhesive layer formed on one side of the base material. When removing a part of the organic material layer 102, the pressure-sensitive adhesive sheet 60 may be in a sheet shape or may be wound in a roll shape.

上部電極104上には、封止層106が配置される。封止層106は、例えば、OLED6を水分等から保護する保護層として機能し得るため、表示領域42の全体を覆うように形成される。封止層106は、例えば、化学気相成長(CVD)法によりSiN等の無機絶縁材料膜を成膜することにより形成される。また、図示しないが、例えば、表示パネル40の表面の機械的な強度を確保するため、表示領域42の表面には保護膜が配置され得る。この場合、部品実装領域46では、ICやFPCを接続し易くするため、通常、保護膜は設けない。FPC50の配線やドライバIC48の端子は、例えば、配線116に電気的に接続される。 A sealing layer 106 is disposed on the upper electrode 104. The sealing layer 106 can function as a protective layer that protects the OLED 6 from moisture or the like, and is formed so as to cover the entire display region 42. The sealing layer 106 is formed, for example, by depositing an inorganic insulating material film such as SiN y by a chemical vapor deposition (CVD) method. Although not shown, for example, a protective film may be disposed on the surface of the display region 42 in order to ensure the mechanical strength of the surface of the display panel 40. In this case, in the component mounting region 46, a protective film is usually not provided in order to facilitate connection of an IC or FPC. The wiring of the FPC 50 and the terminal of the driver IC 48 are electrically connected to the wiring 116, for example.

本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。具体的には、上記実施形態では、非存在領域108は、粘着シートを用いて有機材料層102を部分的に除去することにより形成されているが、例えば、レーザー加工(切断、アブレーション)による除去やカッターを用いた加工(切断、切削)による除去により形成されてもよい。   The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made. For example, it can be replaced with a configuration that is substantially the same as the configuration shown in the above embodiment, a configuration that exhibits the same operational effects, or a configuration that can achieve the same purpose. Specifically, in the above-described embodiment, the non-existing region 108 is formed by partially removing the organic material layer 102 using an adhesive sheet. For example, the non-existing region 108 is removed by laser processing (cutting, ablation). Or by removal (cutting, cutting) using a cutter or a cutter.

2 有機EL表示装置、4 画素アレイ部、6 OLED、8 画素回路、10 点灯TFT、12 駆動TFT、14 キャパシタ、20 走査線駆動回路、22 映像線駆動回路、24 駆動電源回路、26 制御装置、28 走査信号線、30 映像信号線、32 駆動電源線、40 表示パネル、42 表示領域、44 上部電極、46 部品実装領域、48 ドライバIC、50 FPC、60 粘着シート、70 基板、72 TFT、80 下地層、82 半導体領域、84 ゲート絶縁膜、86 ゲート電極、88 層間絶縁層、90a ソース電極、90b ドレイン電極、92 層間絶縁膜、94 配線、96 平坦化膜、100 下部電極、102 有機材料層、104 上部電極、106 封止層、108 非存在領域、110 コンタクトホール、112 バンク、114 上部構造層、116 配線。   2 organic EL display device, 4 pixel array unit, 6 OLED, 8 pixel circuit, 10 lighting TFT, 12 driving TFT, 14 capacitor, 20 scanning line driving circuit, 22 video line driving circuit, 24 driving power supply circuit, 26 control device, 28 scanning signal lines, 30 video signal lines, 32 drive power supply lines, 40 display panel, 42 display area, 44 upper electrode, 46 component mounting area, 48 driver IC, 50 FPC, 60 adhesive sheet, 70 substrate, 72 TFT, 80 Base layer, 82 semiconductor region, 84 gate insulating film, 86 gate electrode, 88 interlayer insulating layer, 90a source electrode, 90b drain electrode, 92 interlayer insulating film, 94 wiring, 96 planarization film, 100 lower electrode, 102 organic material layer 104 Upper electrode 106 Sealing layer 108 Non-existing region 110 Contact hole Le, 112 banks, 114 upper structural layer, 116 a wiring.

Claims (7)

基板と、
前記基板上に配置され、複数の画素に対応する下部電極と、
前記基板上の隣接する前記下部電極間に配置され、前記複数の画素を区画するバンクと、
前記下部電極およびバンク上に配置される有機材料層と、を有し、
前記バンク上に、部分的に前記有機材料層の少なくとも一部が存在しない非存在領域が形成されている、
有機EL表示装置。
A substrate,
A lower electrode disposed on the substrate and corresponding to a plurality of pixels;
A bank disposed between adjacent lower electrodes on the substrate and defining the plurality of pixels;
An organic material layer disposed on the lower electrode and the bank,
A non-existing region in which at least a part of the organic material layer does not exist partially is formed on the bank.
Organic EL display device.
前記有機材料層の一部が正孔輸送層を含む、請求項1に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein a part of the organic material layer includes a hole transport layer. 前記有機材料層上に配置される上部電極を有し、
前記バンク上の非存在領域において、前記バンクに前記上部電極が接触している、請求項1または2に記載の有機EL表示装置。
An upper electrode disposed on the organic material layer;
The organic EL display device according to claim 1, wherein the upper electrode is in contact with the bank in a non-existing region on the bank.
基板上に、複数の画素に対応する下部電極を形成すること、
前記基板上の隣接する前記下部電極間に、前記複数の画素を区画するバンクを形成すること、
前記下部電極および前記バンク上に有機材料層を形成すること、
前記バンク上に存在する前記有機材料層を除去すること、
をこの順で含む、有機EL表示装置の製造方法。
Forming a lower electrode corresponding to a plurality of pixels on a substrate;
Forming a bank for partitioning the plurality of pixels between the adjacent lower electrodes on the substrate;
Forming an organic material layer on the lower electrode and the bank;
Removing the organic material layer present on the bank;
In this order.
前記バンク上に存在する前記有機材料層を粘着シートに転写させることにより除去する、請求項4に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 4, wherein the organic material layer existing on the bank is removed by being transferred to an adhesive sheet. 前記有機材料層が正孔輸送層を含む、請求項4または5に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 4, wherein the organic material layer includes a hole transport layer. 前記除去後、前記有機材料層上に上部電極を形成することをさらに含む、請求項4から6のいずれかに記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 4, further comprising forming an upper electrode on the organic material layer after the removal.
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