JP2019091660A - 表示装置および表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】フレキシブルディスプレイの製造において、可撓性基材と保護膜との良好な切断実現する。【解決手段】表示装置の製造方法であって、樹脂を含み、複数の画素を備える表示領域が形成された基材に、保護膜を積層して積層体を作製すること、少なくとも一部が前記保護膜に接する光吸収層を形成すること、および、前記積層体の前記基材に対して前記光吸収層が形成されている側から、前記表示領域の外側に位置する所定のラインに沿ってレーザー光を照射して、前記積層体の一部を切断すること、を含み、前記光吸収層は、前記保護膜に比べて前記レーザー光をより吸収可能で、前記所定のラインの少なくとも一部は、前記光吸収層と重なっている。【選択図】図５

Description

本発明は、表示装置および表示装置の製造方法に関する。

有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置や液晶表示装置など、表示領域を備える表示装置において、近年、可撓性を有する基材を用いて、表示パネルを曲げることができるフレキシブルディスプレイの開発が進められている。

ところで、下記特許文献１に開示されるように、表示パネルの表面には保護膜が積層される場合がある。

米国特許出願公開第２０１６／０１７４３０４号明細書

例えば、上記保護膜にサイズのばらつきや積層ずれがある場合、上記可撓性を有する基材および保護膜を切断して、両者の端部を切り揃える場合がある。切断は、通常、レーザー光照射により行う。しかし、基材と保護膜とのレーザー光の吸収度合が異なり、良好に切断されない（例えば、基材が優先的に切断されて基材の切断カスが残存する）場合がある。

本発明は、基材と保護膜との良好な切断を実現する表示装置の製造方法の提供を目的とする。

本発明の１つの局面によれば、表示装置の製造方法が提供される。本発明に係る製造方法は、樹脂を含み、複数の画素を備える表示領域が形成された基材に、保護膜を積層して積層体を作製すること、少なくとも一部が前記保護膜に接する光吸収層を形成すること、および、前記積層体の前記基材に対して前記光吸収層が形成されている側から、前記表示領域の外側に位置する所定のラインに沿ってレーザー光を照射して、前記積層体の一部を切断すること、を含み、前記光吸収層は、前記保護膜に比べて前記レーザー光をより吸収可能で、前記所定のラインの少なくとも一部は、前記光吸収層と重なっている。

本発明の別の局面によれば、表示装置が提供される。本発明に係る表示装置は、樹脂を含み、複数の画素を備える表示領域が形成された基材と、前記基材の少なくとも片側に配置された保護膜と、前記保護膜に比べて所定の波長の光をより吸収可能で、前記基材の前記保護膜が配置される側に、少なくとも一部が前記保護膜に接して配置された光吸収層と、を有し、前記光吸収層は、少なくとも前記基材の端面と前記保護膜の端面とが揃う辺に形成されている。

本発明の１つの実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。 図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。 図２のIII−III断面の一例を示す図である。 図２に示す表示パネルの側面の一例を示す図である。 本発明の１つの実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明するための図である。 本発明の別の実施形態における表示パネルの側面を示す図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に評される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。

図１は、本発明の１つの実施形態に係る表示装置の概略の構成を、有機ＥＬ表示装置を例にして示す模式図である。有機ＥＬ表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。有機ＥＬ表示装置２は、基材として樹脂フィルムを用いたフレキシブルディスプレイであり、この樹脂フィルムで構成された基材の上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの積層構造が形成される。なお、図１に示した概略図は一例であって、本実施形態はこれに限定されるものではない。

画素アレイ部４には、画素に対応してＯＬＥＤ６および画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は複数のＴＦＴ１０，１２やキャパシタ１４で構成される。

上記駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４および制御装置２６を含み、画素回路８を駆動しＯＬＥＤ６の発光を制御する。

走査線駆動回路２０は、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は、制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。

映像線駆動回路２２は、画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は、制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は、書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素のＯＬＥＤ６が発光する。

駆動電源回路２４は、画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２および選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介してＯＬＥＤ６に電流を供給する。

ここで、ＯＬＥＤ６の下部電極は、駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各ＯＬＥＤ６の上部電極は、全画素のＯＬＥＤ６に共通の電極で構成される。下部電極を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極（アノード）となって高電位が入力される。

図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。表示パネル４０の表示領域４２に、図１に示した画素アレイ部４が設けられ、上述したように画素アレイ部４にはＯＬＥＤ６が配列される。上述したようにＯＬＥＤ６を構成する上部電極は、各画素に共通に形成され、表示領域４２全体を覆う。

矩形である表示パネル４０の一辺には、部品実装領域４６が設けられ、表示領域４２につながる配線が配置される。部品実装領域４６には、駆動部を構成するドライバＩＣ４８が搭載されたり、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）５０が接続されたりする。ＦＰＣ５０は、制御装置２６やその他の回路２０，２２，２４等に接続されたり、その上にＩＣを搭載されたりする。

図３は、図２のIII−III断面の一例を示す図である。表示パネル４０は、例えば、樹脂フィルム（樹脂膜）で構成された可撓性を有する基材７０の上に、ＴＦＴ７２などが形成された回路層７４、ＯＬＥＤ６およびＯＬＥＤ６を封止する封止層１０６などが積層された構造を有する。基材７０を構成する樹脂としては、例えば、ポリイミド系樹脂が挙げられる。基材７０は、例えば、ポリイミドなどの樹脂材料を含む樹脂膜を塗布にて成膜して形成される。基材７０の厚みは、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲である。封止層１０６の上には保護膜１１４が積層される。封止層１０６の上に接着層を介してシート状、或いはフィルム状の保護膜１１４を貼り合わせてもよい。

本実施形態においては、画素アレイ部４はトップエミッション型であり、ＯＬＥＤ６で生じた光は、基材７０側とは反対側（図３において上向き）に出射される。なお、有機ＥＬ表示装置２におけるカラー化方式をカラーフィルタ方式とする場合には、例えば、封止層１０６と保護膜１１４との間、または、図示しない対向基板側にカラーフィルタが配置される。このカラーフィルタに、ＯＬＥＤ６にて生成した白色光を通すことで、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の光を作る。

表示領域４２の回路層７４には、上述した画素回路８、走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２などが形成される。駆動部の少なくとも一部分は、基材７０上に回路層７４として表示領域４２に隣接する領域に形成することができる。上述したように、駆動部を構成するドライバＩＣ４８やＦＰＣ５０を、部品実装領域４６にて、回路層７４の配線１１６に接続することができる。

図３に示すように、基材７０上には、無機絶縁材料で形成された下地層８０が配置されている。無機絶縁材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）およびこれらの複合体が用いられる。

表示領域４２においては、下地層８０を介して、基材７０上には、トップゲート型のＴＦＴ７２のチャネル部およびソース・ドレイン部となる半導体領域８２が形成されている。半導体領域８２は、例えば、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）で形成される。半導体領域８２は、例えば、基材７０上に半導体層（ｐ−Ｓｉ膜）を設け、この半導体層をパターニングし、回路層７４で用いる箇所を選択的に残すことにより形成される。

ＴＦＴ７２のチャネル部の上には、ゲート絶縁膜８４を介してゲート電極８６が配置されている。ゲート絶縁膜８４は、代表的には、ＴＥＯＳで形成される。ゲート電極８６は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングして形成される。ゲート電極８６上には、ゲート電極８６を覆うように層間絶縁層８８が配置されている。層間絶縁層８８は、例えば、上記無機絶縁材料で形成される。ＴＦＴ７２のソース・ドレイン部となる半導体領域８２（ｐ−Ｓｉ）には、イオン注入により不純物が導入され、さらにそれらに電気的に接続されたソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂが形成され、ＴＦＴ７２が構成される。

ＴＦＴ７２上には、層間絶縁膜９２が配置されている。層間絶縁膜９２の表面には、配線９４が配置される。配線９４は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングすることにより形成される。配線９４を形成する金属膜と、ゲート電極８６、ソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂの形成に用いた金属膜とで、例えば、配線１１６および図１に示した走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２を多層配線構造で形成することができる。この上に、平坦化膜９６およびパッシベーション膜９８が形成され、表示領域４２において、パッシベーション膜９８上にＯＬＥＤ６が形成されている。平坦化膜９６は、例えば、樹脂材料で形成される。パッシベーション膜９８は、例えば、ＳｉＮ_ｙ等の無機絶縁材料で形成される。

ＯＬＥＤ６は、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を含む。有機材料層１０２は、具体的には、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を含む。ＯＬＥＤ６は、代表的には、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を基材７０側からこの順に積層して形成される。本実施形態では、下部電極１００がＯＬＥＤ６の陽極（アノード）であり、上部電極１０４が陰極（カソード）である。

図３に示すＴＦＴ７２が、ｎチャネルを有した駆動ＴＦＴ１２であるとすると、下部電極１００は、ＴＦＴ７２のソース電極９０ａに接続される。具体的には、上述した平坦化膜９６の形成後、下部電極１００をＴＦＴ７２に接続するためのコンタクトホール１１０が形成され、例えば、平坦化膜９６表面およびコンタクトホール１１０内に形成した導電体部をパターニングすることにより、ＴＦＴ７２に接続された下部電極１００が画素ごとに形成される。下部電極は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の透過性導電材料、Ａｇ、Ａｌ等の金属で形成される。

上記構造上には、画素を分離するリブ１１２が配置されている。例えば、下部電極１００の形成後、画素境界にリブ１１２を形成し、リブ１１２で囲まれた画素の有効領域（下部電極１００の露出する領域）に、有機材料層１０２および上部電極１０４が積層される。上部電極１０４は、例えば、ＭｇとＡｇの極薄合金やＩＴＯ、ＩＺＯ等の透過性導電材料で形成される。

上部電極１０４上には、表示領域４２全体を覆うように封止層１０６が配置されている。封止層１０６は、第１封止膜１６１、封止平坦化膜１６０および第２封止膜１６２をこの順で含む積層構造を有している。第１封止膜１６１および第２封止膜１６２は、無機材料（例えば、無機絶縁材料）で形成される。具体的には、化学気相成長（ＣＶＤ）法によりＳｉＮ_ｙ膜を成膜することにより形成される。封止平坦化膜１６０は、有機材料（例えば、硬化性樹脂組成物等の樹脂材料）を用いて形成される。一方、部品実装領域４６では、封止層１０６は配置されていない。

例えば、機械的な強度を確保するため、表示パネル４０の表面に保護膜が積層される。本実施形態では、封止層１０６の上には表保護膜１１４が接着層（図示せず）を介して積層され、基材７０の裏側（表保護膜１１４が積層される側とは反対側）には裏保護膜１２４が接着層（図示せず）を介して積層されている。表保護膜１１４は、表示領域４２および表示領域４２を囲む額縁領域４４を覆うように積層されている。額縁領域４４は、表示領域４２と比較して、例えば、ＴＦＴ７２と、ＯＬＥＤ６とを含まない点で異なっている。額縁領域４４の回路層７４には、電気配線等が形成されている。そして、回路層７４の上に封止層１０６が配置されている。一方、部品実装領域４６にはＩＣやＦＰＣを接続し易くするため表保護膜１１４を設けない。なお、部品実装領域４６におけるＦＰＣ５０やドライバＩＣ４８を取り付ける部分と表示領域４２との間で表示パネル４０を湾曲させて、ＦＰＣ５０などを表示領域４２の裏側に折り返した状態とする場合、例えば、裏保護膜１２４は、湾曲部を除いた領域にのみ積層してもよい。

保護膜１１４，１２４は、後述の切断に用いられるレーザー光を透過し得る。具体的には、基材７０は、保護膜１１４，１２４に比べて、切断に用いられるレーザー光をより吸収可能である。保護膜１１４，１２４は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル系樹脂フィルム、シクロオレフィン系樹脂フィルム等の樹脂フィルムで構成される。保護膜１１４，１２４の厚みは、例えば、５０μｍ以上２００μｍ以下の範囲である。

図４は、図２に示す表示パネル４０の長辺側の側面の一例を示す図である。表保護膜１１４上には、後述の切断に用いられるレーザー光を吸収可能な光吸収層１１５が隣接して形成されている。具体的には、表保護膜１１４に比べて、切断に用いられるレーザー光をより吸収可能な光吸収層１１５が形成されている。本実施形態では、光吸収層１１５は、基材７０の端面と表保護膜１１４の端面とが揃う辺（具体的には、矩形の表保護膜１１４の三辺１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃ）に形成されているが、例えば、表保護膜１１４全体を覆うように形成されていてもよい。

光吸収層１１５は、表保護膜１１４を構成する樹脂フィルムとは異なる組成を有する材料（代表的には、樹脂）を含む。例えば、光吸収層１１５は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂等の樹脂材料を含む。光吸収層１１５は、例えば、基材７０の厚みよりも厚くなるように形成される。具体的には、光吸収層１１５の厚みは、好ましくは５０μｍ以上、さらに好ましくは６０μｍ以上２００μｍ以下の範囲である。

図５は、本発明の１つの実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明するための図である。具体的には、図５は、基材７０にＴＦＴ７２を含む回路層７４、ＯＬＥＤ６および封止層１０６などを形成した後に、基材７０よりもサイズの大きい保護膜１１４，１２４が積層された積層体（表示パネル中間体と称する）を示す平面図である。

表示パネル４０が得られる前の表示パネル中間体４０ａでは、封止層１０６上に接着層を介して短辺が基材７０より長い矩形の表保護膜１１４が、部品実装領域４６を除く領域に積層されている。また、基材７０の裏側には、接着層を介して基材７０よりもサイズの大きい矩形の裏保護膜１２４が積層されている。通常、接着層は、予め保護膜表面に形成されている。なお、ＴＦＴ７２を含む回路層７４、ＯＬＥＤ６および封止層１０６などの形成は、ハンドリング性等の観点から、代表的には、基板（例えば、ガラス基板）に支持された基材７０に対して行う。この場合、基材７０から基板を剥離した後に、基材７０に裏保護膜１２４を積層する。

例えば、保護膜１１４，１２４にはサイズのばらつきや積層ずれがあるので、表示パネル中間体４０ａの端部を切断し、除去することで、均一なサイズを有する表示パネルを得ることができる。図示例では、カットラインＬ（Ｌ１＋Ｌ２）に沿って、表示パネル中間体４０ａの部品実装領域４６の辺を除く三辺において表保護膜１１４、基材７０および裏保護膜１２４を切断し、基材７０の端面と保護膜１１４，１２４の端面とを揃える。

表保護膜１１４上には、少なくともカットラインＬ上に（カットラインＬに対応して）光吸収層１１５が形成されている。図示例では、光吸収層１１５は、カットラインＬを覆うように、部品実装領域４６に向かって開口するコ字形状に形成されている。光吸収層１１５は、例えば、表保護膜１１４の所定の領域に、光吸収層１１５の形成材料（例えば、樹脂組成物）を塗布し、必要に応じて加熱等の各種処理を施すことにより形成する。光吸収層１１５は、表保護膜１１４を基材７０に積層する前に形成してもよいし、積層した後に形成してもよい。

表示パネル中間体４０ａの切断は、レーザー光照射により行う。具体的には、表示パネル中間体４０ａの基材７０に対して光吸収層１１５が形成されている側から、レーザー光をカットラインＬに沿って照射することにより行う。切断に用いられるレーザー光としては、例えば、基材７０の材質に応じて、適宜選択され得る。例えば、基材７０がポリイミドを含む場合、２００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内の波長を有するレーザー光が選択される。

表保護膜１１４が存在する領域（カットラインＬ１）では、上述のとおり、表保護膜１１４上に、表保護膜１１４に比べて、上記切断に用いられるレーザー光をより吸収し得る光吸収層１１５が形成されている。したがって、照射されたレーザー光は光吸収層１１５に吸収され、そのエネルギー（例えば、熱）は隣接する表保護膜１１４に伝わり、表保護膜１１４が切断され得る。こうして、レーザー光が表保護膜１１４を透過して基材７０が優先的に切断されるのを抑制し得る。その結果、基材７０の切断カス（例えば、樹脂の炭化物）が基材７０と表保護膜１１４の間に残存することなく、良好に切断され得る。表保護膜１１４が存在しない領域（カットラインＬ２）では、基材７０を切断後に裏保護膜１２４が切断される。このように、適切な光吸収層１１５を形成することで、良好な切断を実現し得る。また、切断に用いるレーザー光の種類の選択幅が広がり、加工性の向上にも寄与し得る。

本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。具体例としては、上記実施形態のように表保護膜１１４上に光吸収層１１５を形成するかわりに、例えば、図６に示すように、基材７０と表保護膜１１４との間に、表保護膜１１４に隣接して光吸収層１１５を形成してもよい。この場合も、一旦、表保護膜１１４を透過したレーザー光が光吸収層１１５に吸収され、そのエネルギーは隣接する表保護膜に１１４に伝わり表保護膜１１４が切断され得、基材７０が優先的に切断されるのを抑制し得る。

２ 有機ＥＬ表示装置、４ 画素アレイ部、６ ＯＬＥＤ、８ 画素回路、１０ 点灯ＴＦＴ、１２ 駆動ＴＦＴ、１４ キャパシタ、２０ 走査線駆動回路、２２ 映像線駆動回路、２４ 駆動電源回路、２６ 制御装置、２８ 走査信号線、３０ 映像信号線、３２ 駆動電源線、４０ 表示パネル、４２ 表示領域、４４ 額縁領域、４６ 部品実装領域、４８ ドライバＩＣ、５０ ＦＰＣ、７０ 基材、７２ ＴＦＴ、７４ 回路層、８０ 下地層、８２ 半導体領域、８４ ゲート絶縁膜、８６ ゲート電極、８８ 層間絶縁層、９０ａ ソース電極、９０ｂ ドレイン電極、９２ 層間絶縁膜、９４ 配線、９６ 平坦化膜、９７ ダム、９８ パッシベーション膜、１００ 下部電極、１０２ 有機材料層、１０４ 上部電極、１０６ 封止層、１１０ コンタクトホール、１１２ リブ、１１４ 表保護膜、１１５ 光吸収層、１１６ 配線、１２４ 裏保護膜、１６０ 封止平坦化膜、１６１ 第１封止膜、１６２ 第２封止膜。

Claims (18)

1. 樹脂を含み、複数の画素を備える表示領域が形成された基材に、保護膜を積層して積層体を作製すること、
   少なくとも一部が前記保護膜に接する光吸収層を形成すること、および、
   前記積層体の前記基材に対して前記光吸収層が形成されている側から、前記表示領域の外側に位置する所定のラインに沿ってレーザー光を照射して、前記積層体の一部を切断すること、を含み、
   前記光吸収層は、前記保護膜に比べて前記レーザー光をより吸収可能で、
   前記所定のラインの少なくとも一部は、前記光吸収層と重なる、
   表示装置の製造方法。
2. 前記光吸収層がアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂およびシリコーン系樹脂からなる群から選ばれる一種以上を含む、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
3. 前記基材は、前記保護膜に比べて前記レーザー光をより吸収可能である、請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
4. 前記基材の前記表示領域を覆うように前記保護膜を積層する、請求項１から３のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
5. 前記基材の前記表示領域が形成されていない側に前記保護膜を積層する、請求項１から４のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
6. 前記保護膜の前記基材が配置されていない側に前記光吸収層を形成する、請求項１から５のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
7. 前記基材と前記保護膜との間に前記光吸収層を形成する、請求項１から６のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
8. 前記レーザー光が２００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内の波長を有する、請求項１から７のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
9. 前記光吸収層が、前記保護膜とは異なる組成を有する樹脂材料を含む、請求項１から８に記載の表示装置の製造方法。
10. 樹脂を含み、複数の画素を備える表示領域が形成された基材と、
    前記基材の少なくとも片側に配置された保護膜と、
    前記保護膜に比べて所定の波長の光をより吸収可能で、前記基材の前記保護膜が配置される側に、少なくとも一部が前記保護膜に接して配置された光吸収層と、を有し、
    前記光吸収層は、少なくとも前記基材の端面と前記保護膜の端面とが揃う辺に形成されている、
    表示装置。
11. 前記基材は、前記保護膜に比べて前記所定の波長の光をより吸収可能である、請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記基材がポリイミドを含む、請求項１０または１１に記載の表示装置。
13. 前記保護膜が、ポリエステル系樹脂フィルムおよび／またはシクロオレフィン系樹脂フィルムである、請求項１０から１２のいずれかに記載の表示装置。
14. 前記光吸収層がアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂およびシリコーン系樹脂からなる群から選ばれる一種以上を含む、請求項１０から１３のいずれかに記載の表示装置。
15. 前記所定の波長の光が２００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内の波長を含む、請求項１０から１４のいずれかに記載の表示装置。
16. 前記光吸収層が、前記保護膜の全体を覆う、請求項１０から１５のいずれかに記載の表示装置。
17. 前記光吸収層が、前記保護膜の前記基材とは反対の側に位置する、請求項１０から１６のいずれかに記載の表示装置。
18. 前記光吸収層が、前記保護膜と前記基材との間に位置する、請求項１０から１６のいずれかに記載の表示装置。

Images