JP2019080039A - Printed circuit board - Google Patents
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Abstract
【課題】単位層間接続構造としてのペーストと内部配線との間の密着力及び接続性に優れたプリント回路基板を提供する。【解決手段】一面に金属パッド１１０が形成された絶縁層１００と、金属パッド１１０の一面上に位置し、絶縁層１００を貫通する開口部１０と、開口部内に位置し、金属パッド１１０の一面に形成される第１突出部１２０と、金属パッド１１０の他面に形成される第２突出部２２０と、第１突出部１２０と接触するように開口部内に充填される充填部材Ｐ１と、を含む。充填部材Ｐ１の溶融点は、金属パッド１１０の溶融点よりも低く、絶縁層１００の他面に投影された第２突出部２２０は、絶縁層１００の他面においての開口部面積内に位置する。【選択図】図２PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a printed circuit board having excellent adhesion and connectivity between a paste as a unit interlayer connection structure and internal wiring. SOLUTION: An insulating layer 100 having a metal pad 110 formed on one surface thereof, an opening 10 located on one surface of the metal pad 110 and penetrating the insulating layer 100, and one surface of the metal pad 110 located in the opening. The first protruding portion 120 formed in the metal pad 110, the second protruding portion 220 formed on the other surface of the metal pad 110, and the filling member P1 filled in the opening so as to come into contact with the first protruding portion 120. Including. The melting point of the filling member P1 is lower than the melting point of the metal pad 110, and the second protruding portion 220 projected on the other surface of the insulating layer 100 is located within the opening area on the other surface of the insulating layer 100. .. [Selection diagram] Fig. 2
Description
本発明は、プリント回路基板（ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ） に関する。 The present invention relates to a printed circuit board.
プリント回路基板の製造方法においての積層方式には、一括積層及び順次積層がある。一括積層工法の適用は、高温圧着により実施され、順次積層工法の適用は、低温圧着により実施される。一括積層工法を適用する場合は、単位層間接続構造としてペースト（ｐａｓｔｅ）を用いることができ、この場合には、内部配線とペーストとの間の密着力及び接続性が低下するという問題があった。 As a lamination method in the method of manufacturing a printed circuit board, there is batch lamination and sequential lamination. The application of the single layer lamination method is carried out by high temperature pressure bonding, and the application of the sequential lamination method is carried out by low temperature pressure bonding. In the case of applying the batch lamination method, paste can be used as a unit interlayer connection structure. In this case, there has been a problem that the adhesion and connectivity between the internal wiring and the paste decrease. .
本発明は、層間密着力及び接続性に優れたプリント回路基板を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a printed circuit board excellent in interlayer adhesion and connectivity.
本発明の一側面によれば、一面に金属パッドが形成された絶縁層と、上記金属パッドの一面上に位置し、上記絶縁層を貫通する開口部と、上記開口部内に位置し、上記金属パッドの一面に形成される第１突出部と、上記金属パッドの他面に形成される第２突出部と、上記第１突出部と接触するように上記開口部内に充填される充填部材と、を含み、上記充填部材の溶融点は、上記金属パッドの溶融点よりも低く、上記絶縁層の他面に投影された上記第２突出部は、上記絶縁層の他面において上記開口部面積内に位置するプリント回路基板が提供される。 According to one aspect of the present invention, an insulating layer having a metal pad formed on one surface, an opening located on one surface of the metal pad and penetrating the insulating layer, and located in the opening, the metal A first protrusion formed on one surface of the pad, a second protrusion formed on the other surface of the metal pad, and a filling member filled in the opening to be in contact with the first protrusion; The melting point of the filler member is lower than the melting point of the metal pad, and the second projection projected onto the other surface of the insulating layer is within the opening area on the other surface of the insulating layer. A printed circuit board is provided.
本発明の他の側面によれば、一面に第１金属パッドが形成され、他面に第２金属パッドが埋め込まれた絶縁層と、上記第１金属パッドと上記第２金属パッドとの間に位置し、上記絶縁層を貫通する開口部と、上記開口部内に位置し、上記第１金属パッドの一面から上記第２金属パッド側に突出する第１突出部と、上記開口部内に位置し、上記第２金属パッドの一面から上記第１金属パッド側に突出する第２突出部と、上記第１突出部及び上記第２突出部と接触するように、上記開口部内に形成される充填部材と、を含み、上記充填部材の溶融点は、上記第１金属パッドの溶融点よりも低いプリント回路基板が提供される。 According to another aspect of the present invention, an insulating layer having a first metal pad formed on one side and a second metal pad embedded on the other side, and between the first metal pad and the second metal pad An opening passing through the insulating layer, a first projection located in the opening and projecting from one surface of the first metal pad toward the second metal pad, and an opening located in the opening; A second protruding portion protruding from one surface of the second metal pad toward the first metal pad, and a filling member formed in the opening to be in contact with the first protruding portion and the second protruding portion And the melting point of the filler member is lower than the melting point of the first metal pad.
本発明に係るプリント回路基板の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。 The embodiments of the printed circuit board according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and the same or corresponding components will be denoted by the same reference numerals as in the description with reference to the accompanying drawings. Duplicate descriptions will be omitted.
また、以下で使用する「第１」、「第２」等の用語は、同一または対応する構成要素を区別するための識別記号に過ぎず、同一または対応する構成要素が第１、第２等の用語により限定されることはない。 Further, the terms "first", "second" and the like used in the following are merely identification symbols for distinguishing identical or corresponding components, and identical or corresponding components are first, second, etc. It is not limited by the term of.
また、「結合」とは、各構成要素間の接触関係において、各構成要素が物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、該他の構成に、構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。 In addition, “coupling” does not mean only when each component is in direct physical contact in the contact relationship between each component, and another configuration is interposed between each component, Other configurations are used as an inclusive concept until each component is in contact.
図１は、本発明の第１実施例に係るプリント回路基板を示す図である。 FIG. 1 is a view showing a printed circuit board according to a first embodiment of the present invention.
図１を参照すると、本発明の第１実施例に係るプリント回路基板は、金属パッド１１０が形成された絶縁層１００と、絶縁層１００に形成された開口部１０と、第１突出部１２０と、第２突出部２２０と、開口部１０内に充填される充填部材Ｐ１と、を含む。ここで、充填部材Ｐ１は、金属パウダーを含むペースト（ｐａｓｔｅ）であってもよい。 Referring to FIG. 1, the printed circuit board according to the first embodiment of the present invention includes an insulating layer 100 in which a metal pad 110 is formed, an opening 10 formed in the insulating layer 100, and a first protrusion 120. , The second protrusion 220, and the filling member P1 to be filled in the opening 10. Here, the filling member P1 may be a paste containing metal powder.
絶縁層１００は、樹脂などの絶縁物質で組成される資材である。絶縁層１００の樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂など様々な材料を用いることができる。 The insulating layer 100 is a material composed of an insulating material such as a resin. As a resin of the insulating layer 100, various materials such as a thermosetting resin and a thermoplastic resin can be used.
絶縁層１００は、誘電率（誘電定数、Ｄｋ）及び誘電損失（誘電正接、Ｄｆ）の低い材料で形成することができる。特に、絶縁層１００は、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｅｔｈｅｒ）、ＣＯＰ（Ｃｙｃｌｏ Ｏｌｅｆｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＦＡ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏａｌｋｏｘｙ）のうちの少なくとも１種を用いて形成することができるが、これらに限定されず、誘電率及び誘電損失の低い材料であれば、いずれも適用可能である。これらの材料は、高周波信号を伝送する基板において信号損失を低減するために好適である。 The insulating layer 100 can be formed of a material with low dielectric constant (dielectric constant, Dk) and dielectric loss (dielectric loss tangent, Df). In particular, the insulating layer 100 can be formed using at least one of LCP (Liquid Crystal Polymer), PTFE (Polytetrafluoroethylene), PPE (Polyphenylene Ether), COP (Cyclo Olefin Polymer), and PFA (Perfluoroalkoxy). However, the present invention is not limited thereto, and any material having low dielectric constant and dielectric loss is applicable. These materials are suitable for reducing signal loss in substrates carrying high frequency signals.
しかし、絶縁層１００は、上記の材料に限定されず、その他にもエポキシ樹脂またはポリイミドなどを用いることができる。ここで、エポキシ樹脂としては、例えば、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック系エポキシ樹脂、クレゾールノボラック系エポキシ樹脂、ゴム変性型エポキシ樹脂、環型脂肪族系エポキシ樹脂、シリコン系エポキシ樹脂、窒素系エポキシ樹脂、リン系エポキシ樹脂などが挙げられるが、これらに限定されることがない。 However, the insulating layer 100 is not limited to the above-described materials, and in addition, an epoxy resin or a polyimide can be used. Here, as the epoxy resin, for example, naphthalene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, rubber modified epoxy resin, cyclic aliphatic type epoxy resin Although a resin, a silicone type epoxy resin, a nitrogen-type epoxy resin, a phosphorus type epoxy resin etc. are mentioned, it is not limited to these.
絶縁層１００は、上記樹脂にガラス繊維（ｇｌａｓｓ ｃｌｏｔｈ）等の繊維補強材が含まれたプリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇと、ＰＰＧ）であってもよい。絶縁層１００は、上記樹脂にシリカ等の無機フィラー（ｆｉｌｌｅｒ）が充填された形態のビルドアップフィルム（ｂｕｉｌｄ ｕｐ ｆｉｌｍ）であってもよい。このビルドアップフィルムとしては、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ Ｆｉｌｍ）等を用いることができる。 The insulating layer 100 may be a prepreg (Prepreg and PPG) in which a fiber reinforcing material such as glass fiber is contained in the above-mentioned resin. The insulating layer 100 may be a build up film in which the resin is filled with an inorganic filler such as silica. As this buildup film, ABF (Ajinomoto Build-up Film) etc. can be used.
絶縁層１００の一面には、回路１１１及び金属パッド１１０が形成される。回路１１１は、電気信号を伝達するためにパターン化された伝導体である。金属パッド１１０は、回路１１１の端部に接続される伝導体である。回路１１１及び金属パッド１１０は、電気伝導特性を考慮して、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などの金属またはこれらの合金で形成することができる。 The circuit 111 and the metal pad 110 are formed on one surface of the insulating layer 100. Circuit 111 is a conductor that has been patterned to transmit electrical signals. The metal pad 110 is a conductor connected to the end of the circuit 111. The circuit 111 and the metal pad 110 are made of copper (Cu), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni), titanium (Ti), gold (Au), platinum (Pt) in consideration of the electrical conductivity. Etc. can be formed of metals such as or alloys of these.
また、絶縁層１００には開口部１０が形成される。開口部１０は、金属パッド１１０の一面１１０ａ上に位置するように絶縁層１００を貫通する。すなわち、開口部１０を介して金属パッド１１０の一面１１０ａの少なくとも一部が露出される。開口部１０は、円柱状に形成することができ、互いに対向する一面と他面との面積が異なってもよい。すなわち、開口部１０の横断面積は、加工面に行くほど大きくなることができる。 Further, the opening 10 is formed in the insulating layer 100. The opening 10 penetrates the insulating layer 100 so as to be located on one surface 110 a of the metal pad 110. That is, at least a portion of the surface 110 a of the metal pad 110 is exposed through the opening 10. The openings 10 may be formed in a cylindrical shape, and the areas of one surface and the other surface facing each other may be different. That is, the cross-sectional area of the opening 10 can be larger as it goes to the processing surface.
第１突出部１２０は、金属パッド１１０の一面１１０ａに形成され、開口部１０内に位置する。第１突出部１２０は、金属パッド１１０の一面１１０ａから上側に突出する。 The first protrusion 120 is formed on the surface 110 a of the metal pad 110 and is located in the opening 10. The first protrusion 120 protrudes upward from the surface 110 a of the metal pad 110.
第１突出部１２０は、電気伝導特性を考慮して、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などの金属またはこれらの合金で形成することができ、回路１１１及び金属パッド１１０と同じ金属で形成することが可能である。 The first protrusion 120 may be made of copper (Cu), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni), titanium (Ti), gold (Au), platinum (Pt), etc., in consideration of the electrical conductivity. It is possible to form with the same metal as the circuit 111 and the metal pad 110.
第１突出部１２０の高さ（突出の長さ）は、開口部１０の高さ（厚さ）よりも小さい。また第１突出部１２０と金属パッド１１０とが接する面積は、開口部１０と金属パッド１１０とが接する面積（金属パッド１１０が開口部１０を介して露出される面積）以下であってもよい。 The height (protrusion length) of the first protrusion 120 is smaller than the height (thickness) of the opening 10. The area in which the first protrusion 120 and the metal pad 110 are in contact may be equal to or less than the area in which the opening 10 and the metal pad 110 are in contact (the area in which the metal pad 110 is exposed through the opening 10).
第１突出部１２０の側面と絶縁層１００との間には、空間が形成され得る。第１突出部１２０と金属パッド１１０とが接する面積が、開口部１０と金属パッド１１０とが接する面積（金属パッド１１０が開口部１０を介して露出される面積）と同一である場合にも、上記空間は存在可能である。 A space may be formed between the side surface of the first protrusion 120 and the insulating layer 100. Even when the area in which the first protrusion 120 and the metal pad 110 are in contact is the same as the area in which the opening 10 and the metal pad 110 are in contact (the area where the metal pad 110 is exposed through the opening 10), The above space can exist.
第２突出部２２０は、金属パッド１１０の他面１１０ｂ（一面と対向しており、一面の反対側に位置する面）に形成される。第２突出部２２０は、第１突出部１２０と反対方向に突出する。第２突出部２２０は、電気伝導特性を考慮して、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などの金属またはこれらの合金で形成可能であり、回路１１１及び金属パッド１１０と同じ金属で形成可能である。 The second protrusion 220 is formed on the other surface 110 b of the metal pad 110 (a surface opposite to the one surface and located on the opposite side of the one surface). The second protrusion 220 protrudes in the opposite direction to the first protrusion 120. The second protrusion 220 is made of copper (Cu), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni), titanium (Ti), gold (Au), platinum (Pt), or the like in consideration of the electrical conductivity. And the alloys thereof, and may be formed of the same metal as the circuit 111 and the metal pad 110.
第２突出部２２０を絶縁層１００の他面に投映すると、絶縁層１００の他面に投影された第２突出部２２０は、絶縁層１００の他面においての開口部１０の面積内に位置する。すなわち、第２突出部２２０の上面を絶縁層１００の他面まで平行移動した場合、第２突出部２２０は、開口部１０内に位置する。さらに、第２突出部２２０を、金属パッド１１０を基準にして面対称移動する場合、第２突出部２２０は開口部１０内に位置することができる。 When the second protrusion 220 is projected on the other surface of the insulating layer 100, the second protrusion 220 projected on the other surface of the insulating layer 100 is located within the area of the opening 10 on the other surface of the insulating layer 100. . That is, when the top surface of the second protrusion 220 is translated to the other surface of the insulating layer 100, the second protrusion 220 is positioned in the opening 10. Furthermore, when the second protrusion 220 is moved in plane symmetry with respect to the metal pad 110, the second protrusion 220 may be positioned in the opening 10.
第２突出部２２０の高さ（突出の長さ）は、開口部１０の高さ（厚さ）よりも小さい。 The height (protrusion length) of the second protrusion 220 is smaller than the height (thickness) of the opening 10.
一方、回路１１１及び金属パッドの表面に無電解めっき層１３０を形成することができる。無電解めっき層１３０は、回路１１１及び金属パッドの表面の絶縁層１００と接しない表面に形成可能である。特に、金属パッド１１０の他面１１０ｂ及び側面１１０ｃに無電解めっき層１３０を形成することができる。この無電解めっき層１３０は、金属パッド１１０の一面１１０ａには形成されなくてもよい。 Meanwhile, the electroless plating layer 130 can be formed on the surface of the circuit 111 and the metal pad. The electroless plating layer 130 can be formed on the surface of the circuit 111 and the surface of the metal pad not in contact with the insulating layer 100. In particular, the electroless plating layer 130 can be formed on the other surface 110 b and the side surface 110 c of the metal pad 110. The electroless plating layer 130 may not be formed on the surface 110 a of the metal pad 110.
第２突出部２２０は、金属パッド１１０の他面１１０ｂに形成された無電解めっき層１３０上に形成可能である。無電解めっき層１３０は、第１突出部１２０及び第２突出部２２０が電気めっきにより形成される場合に引込線となる。 The second protrusion 220 may be formed on the electroless plating layer 130 formed on the other surface 110 b of the metal pad 110. The electroless plating layer 130 is a lead-in wire when the first protrusion 120 and the second protrusion 220 are formed by electroplating.
充填部材Ｐ１は、開口部１０内に充填され、第１突出部１２０と接触する。充填部材Ｐ１は、開口部１０の高さ以上に充填されることができる。充填部材Ｐ１は伝導性を有し、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）などの金属を含むペースト（ｐａｓｔｅ）であってもよいが、これらに制限されず、伝導性を有する材料であればいずれも使用できる。 The filling member P <b> 1 is filled in the opening 10 and contacts the first protrusion 120. The filling member P1 can be filled to the height of the opening 10 or more. The filler member P1 has conductivity, and may be a paste containing a metal such as copper (Cu), tin (Sn), silver (Ag), etc., but is not limited thereto and has conductivity. Any material can be used.
充填部材Ｐ１の溶融点は、プリント回路基板内の他の伝導体の溶融点よりも低くてもよい。特に、充填部材Ｐ１の溶融点は、回路１１１、金属パッド１１０、第１突出部１２０及び第２突出部２２０のうちの少なくとも１つの溶融点よりも低くてもよい。好ましくは、充填部材Ｐ１の溶融点は、プリント回路基板において最も低くてもよい。 The melting point of the filler member P1 may be lower than the melting points of other conductors in the printed circuit board. In particular, the melting point of the filling member P1 may be lower than the melting point of at least one of the circuit 111, the metal pad 110, the first protrusion 120, and the second protrusion 220. Preferably, the melting point of the filling member P1 may be lowest in the printed circuit board.
第１突出部１２０の側面と絶縁層１００との間に空間が形成される場合、充填部材Ｐ１は、上記空間に充填されることができる。 When a space is formed between the side surface of the first protrusion 120 and the insulating layer 100, the filling member P1 may be filled in the space.
図２は、本発明の第２実施例に係るプリント回路基板を示す図である。 FIG. 2 is a view showing a printed circuit board according to a second embodiment of the present invention.
図２を参照すると、本発明の第２実施例に係るプリント回路基板は、第１金属パッド１１０及び第２金属パッド２１０が形成された絶縁層１００と、絶縁層１００に形成された開口部１０と、第１突出部１２０と、第２突出部２２０と、開口部１０内に充填される充填部材Ｐ１と、を含む。ここで充填部材Ｐ１は、金属パウダーを含むペースト（ｐａｓｔｅ）であってもよい。 Referring to FIG. 2, the printed circuit board according to the second embodiment of the present invention includes an insulating layer 100 in which a first metal pad 110 and a second metal pad 210 are formed, and an opening 10 formed in the insulating layer 100. , A first protrusion 120, a second protrusion 220, and a filling member P1 to be filled in the opening 10. Here, the filling member P1 may be a paste containing metal powder.
絶縁層１００は、樹脂等の絶縁物質で組成される資材である。絶縁層１００の樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの様々な材料を用いることができる。 The insulating layer 100 is a material composed of an insulating material such as a resin. As the resin of the insulating layer 100, various materials such as a thermosetting resin and a thermoplastic resin can be used.
絶縁層１００は、誘電率（Ｄｋ）及び誘電損失（Ｄｆ）の低い材料で形成可能である。特に、絶縁層１００は、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｅｔｈｅｒ）、ＣＯＰ（Ｃｙｃｌｏ Ｏｌｅｆｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＦＡ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏａｌｋｏｘｙ）のうちの少なくとも１種で形成可能であるが、この材料に限定されず、誘電率（Ｄｋ）及び誘電損失（Ｄｆ）の低い材料であれば、いずれも適用できる。この材料は、高周波信号を伝送する基板において、信号損失を低減するために好適である。 The insulating layer 100 can be formed of a material with low dielectric constant (Dk) and dielectric loss (Df). In particular, the insulating layer 100 can be formed of at least one of LCP (Liquid Crystal Polymer), PTFE (Polytetrafluoroethylene), PPE (Polyphenylene Ether), COP (Cyclo Olefin Polymer), and PFA (Perfluoroalkoxy). The material is not limited to any material, and any material with low dielectric constant (Dk) and low dielectric loss (Df) can be applied. This material is suitable for reducing signal loss in substrates carrying high frequency signals.
しかし、絶縁層１００は、上記材料に限定されず、その他にもエポキシ樹脂またはポリイミドなどを用いることができる。これに対する説明は、上述した通りである。 However, the insulating layer 100 is not limited to the above materials, and in addition, an epoxy resin, a polyimide, or the like can be used. The explanation for this is as described above.
絶縁層１００の一面に第１回路１１１及び第１金属パッド１１０が形成される。また、絶縁層１００の他面には第２回路２１１及び第２金属パッド２１０が形成される。第１回路１１１及び第２回路２１１は、電気信号を伝達するためにパターン化された伝導体である。第１金属パッド１１０は、第１回路１１１の端部に接続される伝導体であり、第２金属パッド２１０は、第２回路２１１の端部に接続される伝導体である。 The first circuit 111 and the first metal pad 110 are formed on one surface of the insulating layer 100. In addition, the second circuit 211 and the second metal pad 210 are formed on the other surface of the insulating layer 100. The first circuit 111 and the second circuit 211 are conductors patterned to transmit electrical signals. The first metal pad 110 is a conductor connected to the end of the first circuit 111, and the second metal pad 210 is a conductor connected to the end of the second circuit 211.
第１回路１１１及び第１金属パッド１１０は、絶縁層１００の一面上に形成され、第２回路２１１及び第２金属パッド２１０は、絶縁層１００の他面に埋め込まれて形成されることができる。 The first circuit 111 and the first metal pad 110 may be formed on one surface of the insulating layer 100, and the second circuit 211 and the second metal pad 210 may be embedded on the other surface of the insulating layer 100. .
一方、第１回路１１１、第２回路２１１、第１金属パッド１１０及び第２金属パッド２１０は、電気伝導特性を考慮して、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などの金属またはこれらの合金で形成することができる。 On the other hand, the first circuit 111, the second circuit 211, the first metal pad 110 and the second metal pad 210 are made of copper (Cu), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel ( It can be formed of a metal such as Ni), titanium (Ti), gold (Au), platinum (Pt) or an alloy thereof.
絶縁層１００には、開口部１０が形成される。開口部１０は、第１金属パッド１１０と第２金属パッド２１０との間に位置するように絶縁層１００を貫通する。開口部１０は、第１金属パッド１１０の一面１１０ａ及び第２金属パッド２１０の一面２１０ａと接する。 An opening 10 is formed in the insulating layer 100. The opening 10 penetrates the insulating layer 100 so as to be located between the first metal pad 110 and the second metal pad 210. The opening 10 is in contact with one surface 110 a of the first metal pad 110 and one surface 210 a of the second metal pad 210.
開口部１０は、円柱状に形成することができ、開口部１０の横断面積は、第１金属パッド１１０から第２金属パッド２１０に行くほど大きくなることができる。 The opening 10 may be formed in a cylindrical shape, and the cross-sectional area of the opening 10 may increase from the first metal pad 110 to the second metal pad 210.
第１突出部１２０は、第１金属パッド１１０の一面１１０ａに形成され、開口部１０内に位置する。第１突出部１２０は、第１金属パッド１１０の一面１１０ａから第２金属パッド２１０側に突出する。第１突出部１２０は、電気伝導特性を考慮して、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などの金属またはこれらの合金で形成することができる。 The first protrusion 120 is formed on one surface 110 a of the first metal pad 110 and is located in the opening 10. The first protrusion 120 protrudes from the surface 110 a of the first metal pad 110 toward the second metal pad 210. The first protrusion 120 may be made of copper (Cu), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni), titanium (Ti), gold (Au), platinum (Pt), etc., in consideration of the electrical conductivity. Or their alloys.
第１突出部１２０の高さ（突出の長さ）は、開口部１０の高さ（厚さ）よりも小さい。また第１突出部１２０と第１金属パッド１１０とが接する面積は、開口部１０と第１金属パッド１１０とが接する面積（第１金属パッド１１０が開口部１０を介して露出される面積）以下であってもよい。 The height (protrusion length) of the first protrusion 120 is smaller than the height (thickness) of the opening 10. Further, the area where the first protrusion 120 and the first metal pad 110 are in contact is less than the area where the opening 10 and the first metal pad 110 are in contact (the area where the first metal pad 110 is exposed through the opening 10). It may be
第１突出部１２０の側面と絶縁層１００との間には、空間が形成され得る。第１突出部１２０と第１金属パッド１１０とが接する面積が、開口部１０と第１金属パッド１１０とが接する面積（第１金属パッド１１０が開口部１０を介して露出される面積）と同じである場合にも、上記空間は存在可能である。 A space may be formed between the side surface of the first protrusion 120 and the insulating layer 100. The area in which the first protrusion 120 and the first metal pad 110 are in contact is the same as the area in which the opening 10 and the first metal pad 110 are in contact (the area where the first metal pad 110 is exposed through the opening 10). Also in the case of the above, the above space can exist.
第２突出部２２０は、第２金属パッド２１０の一面２１０ａに形成され、開口部１０内に位置する。第２突出部２２０は、第２金属パッド２１０の一面２１０ａから第１金属パッド１１０側に突出する。第２突出部２２０は、電気伝導特性を考慮して、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などの金属またはこれらの合金で形成することができる。 The second protrusion 220 is formed on one surface 210 a of the second metal pad 210 and located in the opening 10. The second protrusion 220 protrudes from the surface 210 a of the second metal pad 210 toward the first metal pad 110. The second protrusion 220 is made of copper (Cu), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni), titanium (Ti), gold (Au), platinum (Pt), or the like in consideration of the electrical conductivity. Or their alloys.
第１突出部１２０と同じ構造の第３突出部１２０'が第２金属パッド２１０の他面に形成され得る。また、第２突出部２２０と同じ構造の第４突出部２２０'が第１金属パッド１１０の他面１１０ｂに形成され得る。すなわち、絶縁層１００の一面及び他面において金属パッド１１０及び突出部の構造が繰り返して形成されることができる。ただし、第１から第４突出部がすべてともに形成される必要はなく、第３突出部１２０'及び第４突出部２２０'は必要によって形成することができる。例えば、後述するが、絶縁層１００の上下部に追加の絶縁層１００が積層され、ビアを介して層間接続が行われる場合、第３突出部１２０'または第４突出部２２０'がビアと接触することができる。 A third protrusion 120 ′ having the same structure as the first protrusion 120 may be formed on the other surface of the second metal pad 210. Also, a fourth protrusion 220 ′ having the same structure as the second protrusion 220 may be formed on the other surface 110 b of the first metal pad 110. That is, the structure of the metal pad 110 and the protrusion may be repeatedly formed on one surface and the other surface of the insulating layer 100. However, the first to fourth protrusions do not have to be formed together, and the third protrusions 120 'and the fourth protrusions 220' can be formed as needed. For example, as described later, when the additional insulating layer 100 is stacked on the upper and lower portions of the insulating layer 100 and interlayer connection is performed via the via, the third protrusion 120 ′ or the fourth protrusion 220 ′ is in contact with the via can do.
一方、第１回路１１１及び第１金属パッド１１０の表面、また第２回路２１１及び第２金属パッド２１０の表面に無電解めっき層１３０を形成することができる。無電解めっき層１３０は、第１回路１１１及び第１金属パッド１１０が絶縁層１００と接しない表面に形成される。また、無電解めっき層１３０は、第２回路２１１及び第２金属パッド２１０が絶縁層１００と接する表面に形成される。特に、無電解めっき層１３０は、第１金属パッド１１０の他面１１０ｂ及び側面１１０ｃ、また第２金属パッド２１０の一面２１０ａ及び側面に形成可能である。 Meanwhile, the electroless plating layer 130 can be formed on the surfaces of the first circuit 111 and the first metal pad 110 and on the surfaces of the second circuit 211 and the second metal pad 210. The electroless plating layer 130 is formed on the surface where the first circuit 111 and the first metal pad 110 are not in contact with the insulating layer 100. In addition, the electroless plating layer 130 is formed on the surface where the second circuit 211 and the second metal pad 210 are in contact with the insulating layer 100. In particular, the electroless plating layer 130 may be formed on the other surface 110 b and the side surface 110 c of the first metal pad 110 and on one surface 210 a and the side surface of the second metal pad 210.
第２突出部２２０は、第２金属パッド２１０の一面２１０ａに形成された無電解めっき層１３０上に形成可能である。また、第４突出部２２０'は、第１金属パッド１１０の他面１１０ｂに形成された無電解めっき層１３０上に形成可能である。無電解めっき層１３０は、第１から第４突出部が電気めっきにより形成される場合に引込線となる。 The second protrusion 220 may be formed on the electroless plating layer 130 formed on the surface 210 a of the second metal pad 210. Also, the fourth protrusion 220 ′ may be formed on the electroless plating layer 130 formed on the other surface 110 b of the first metal pad 110. The electroless plating layer 130 is a lead-in wire when the first to fourth protrusions are formed by electroplating.
充填部材Ｐ１は、開口部１０内に充填され、第１突出部１２０及び第２突出部２２０と接触する。充填部材Ｐ１は、伝導性を有し、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）等の金属を含むペースト（ｐａｓｔｅ）であってもよいが、これに制限されず、伝導性を有する材料であればいずれも使用できる。充填部材Ｐ１の溶融点は、プリント回路基板内の他の伝導体の溶融点より低くてもよい。特に、充填部材Ｐ１の溶融点は、回路１１１、金属パッド１１０、第１突出部１２０及び第２突出部２２０のうちの少なくとも１つの溶融点より低くてもよい。好ましくは、充填部材Ｐ１の溶融点は、プリント回路基板において最も低くてもよい。 The filling member P <b> 1 is filled in the opening 10 and is in contact with the first protrusion 120 and the second protrusion 220. The filler member P1 has conductivity and may be a paste containing a metal such as copper (Cu), tin (Sn), silver (Ag), etc., but is not limited thereto, and conductivity Any material can be used as long as it has the material. The melting point of the filler member P1 may be lower than the melting points of other conductors in the printed circuit board. In particular, the melting point of the filling member P1 may be lower than the melting point of at least one of the circuit 111, the metal pad 110, the first protrusion 120, and the second protrusion 220. Preferably, the melting point of the filling member P1 may be lowest in the printed circuit board.
第１突出部１２０の側面と絶縁層１００との間に空間が形成される場合は、充填部材Ｐ１が上記空間に充填されることができる。 When a space is formed between the side surface of the first protrusion 120 and the insulating layer 100, the filling member P1 may be filled in the space.
図３を参照すると、本発明の第３実施例に係るプリント回路基板は、図１または図２で説明した絶縁層１００の上部及び／または下部に追加の絶縁層２００、３００が積層された構造を有する。 Referring to FIG. 3, the printed circuit board according to the third embodiment of the present invention has a structure in which additional insulating layers 200 and 300 are stacked on the upper and / or lower side of the insulating layer 100 described in FIG. Have.
具体的に、本発明の第３実施例に係るプリント回路基板は、絶縁層１００、突出部、充填部材Ｐ１の他に、上部絶縁層２００、下部絶縁層３００、ビアＰ２、Ｐ３等をさらに含むことができる。 Specifically, the printed circuit board according to the third embodiment of the present invention further includes an upper insulating layer 200, a lower insulating layer 300, vias P2, P3, etc. in addition to the insulating layer 100, the protrusion, and the filling member P1. be able to.
上部絶縁層２００は、絶縁層１００の上部に積層され、下部絶縁層３００は、絶縁層１００の下部に積層されるが、それに関する具体的な説明は、上述した絶縁層１００についての説明と同様である。 The upper insulating layer 200 is stacked on the upper portion of the insulating layer 100, and the lower insulating layer 300 is stacked on the lower portion of the insulating layer 100. The specific description thereof is the same as the description of the insulating layer 100 described above. It is.
上部絶縁層２００及び下部絶縁層３００は、絶縁層１００の上下部に必ずしもともに積層される必要はなく、選択的に積層されることができる。すなわち、上述した絶縁層１００が多層プリント回路基板において最上部または最下部に位置したものであると、絶縁層１００には上部絶縁層２００または下部絶縁層３００が積層されることになる。 The upper insulating layer 200 and the lower insulating layer 300 do not have to be stacked together on the upper and lower portions of the insulating layer 100, and can be selectively stacked. That is, when the insulating layer 100 described above is positioned at the uppermost or lowermost portion of the multilayer printed circuit board, the upper insulating layer 200 or the lower insulating layer 300 is stacked on the insulating layer 100.
上部絶縁層２００は、ビアＰ２を含むことができる。上部絶縁層２００のビアＰ２は、第２金属パッド２１０の他面上に位置し、上部絶縁層２００を貫通する。ここで、第２金属パッド２１０の他面に形成された第３突出部１２０'がビアＰ２内部に含浸され得る。特に、ビアＰ２が、ビアホール２０内に金属ペーストの充填により形成された場合は、一括積層工法により、第３突出部１２０'がビアＰ２内部に含浸され得る。ビアＰ２は、上述した開口部１０内の充填部材Ｐ１と同一であってもよい。 The upper insulating layer 200 may include the via P2. The via P 2 of the upper insulating layer 200 is located on the other surface of the second metal pad 210 and penetrates the upper insulating layer 200. Here, the third protrusion 120 ′ formed on the other surface of the second metal pad 210 may be impregnated into the via P2. In particular, when the via P2 is formed by filling metal paste in the via hole 20, the third protrusion 120 'may be impregnated inside the via P2 by a single layer stacking method. The via P2 may be the same as the filling member P1 in the opening 10 described above.
下部絶縁層３００にもビアＰ３が含まれる。下部絶縁層３００のビアＰ３は、第１金属パッド１１０の他面１１０ｂ下に位置し、下部絶縁層３００を貫通する。ここで、第１金属パッド１１０の他面１１０ｂに形成された第４突出部２２０'がビアＰ３内部に含浸され得る。特に、ビアＰ３が、ビアホール３０内に金属ペーストの充填により形成された場合、一括積層工法により第４突出部２２０'がビアＰ３内部に含浸され得る。ビアＰ３は、上述した開口部１０内の充填部材Ｐ１と同一であってもよい。 The lower insulating layer 300 also includes the via P3. The via P3 of the lower insulating layer 300 is located below the other surface 110b of the first metal pad 110 and penetrates the lower insulating layer 300. Here, the fourth protrusion 220 ′ formed on the other surface 110b of the first metal pad 110 may be impregnated into the via P3. In particular, when the via P3 is formed by filling metal paste in the via hole 30, the fourth protrusion 220 'may be impregnated into the inside of the via P3 by a single layer stacking method. The via P3 may be the same as the filling member P1 in the opening 10 described above.
この突出部の構造は、複数の絶縁層１００、２００、３００に繰り返して形成可能である。しかし、複数の絶縁層１００、２００、３００のすべてに突出部の構造を形成する必要はなく、必要な層に選択的に突出部を形成することができる。 The structure of the protrusion can be repeatedly formed on the plurality of insulating layers 100, 200, 300. However, it is not necessary to form the structure of the protrusions in all of the plurality of insulating layers 100, 200, and 300, and the protrusions can be selectively formed in the necessary layers.
一方、絶縁層１００の開口部１０と上記ビアＰ２、Ｐ３は、垂直方向に互いに重なるように配置することが可能である。好ましくは、開口部１０とビアＰ２、Ｐ３とが一列に上下に配列されることができる。 On the other hand, the opening 10 of the insulating layer 100 and the vias P2 and P3 can be arranged to overlap each other in the vertical direction. Preferably, the openings 10 and the vias P2 and P3 can be arranged in a line in the vertical direction.
図４は、本発明の第４実施例に係るプリント回路基板を示す図である。 FIG. 4 is a view showing a printed circuit board according to a fourth embodiment of the present invention.
図４を参照すると、本発明の第４実施例に係るプリント回路基板は、第１実施例から第３実施例に比べると、第１突出部１２０の側面と絶縁層１００との間には、空間が形成されなくてもよい。すなわち、第１突出部１２０の側面と絶縁層１００とは、互いに接触することが可能である。この場合、第１突出部１２０は、開口部１０と金属パッド１１０とが接する面積（金属パッド１１０が開口部１０を介して露出される面積）全体に形成される。 Referring to FIG. 4, the printed circuit board according to the fourth embodiment of the present invention has a gap between the side surface of the first protrusion 120 and the insulating layer 100 in comparison with the first to third embodiments. A space may not be formed. That is, the side surface of the first protrusion 120 and the insulating layer 100 can be in contact with each other. In this case, the first protrusion 120 is formed over the entire area where the opening 10 and the metal pad 110 are in contact (the area where the metal pad 110 is exposed through the opening 10).
その他には、第１実施例から第３実施例の説明と同様であるので、説明を省略する。 The other aspects are similar to the descriptions of the first to third examples, so the description will be omitted.
図５は、本発明の第５実施例に係るプリント回路基板を示す図である。 FIG. 5 is a view showing a printed circuit board according to a fifth embodiment of the present invention.
図５を参照すると、本発明の第４実施例に係るプリント回路基板を、第２実施例及び第３実施例と比べると、第１突出部１２０と第２突出部２２０とが互いに接する。この場合、第１突出部１２０の高さと第２突出部２２０の高さとの和は、上記開口部１０の厚さ以上であってもよい。信号の層間伝達は、第１突出部１２０及び第２突出部２２０により行われて、信号伝達の速度が速くなり得る。 Referring to FIG. 5, when the printed circuit board according to the fourth embodiment of the present invention is compared with the second and third embodiments, the first protrusion 120 and the second protrusion 220 are in contact with each other. In this case, the sum of the height of the first protrusion 120 and the height of the second protrusion 220 may be equal to or greater than the thickness of the opening 10. Interlayer transfer of signals may be performed by the first and second protrusions 120 and 220 to increase the speed of signal transfer.
図６は、本発明の第６実施例に係るプリント回路基板を示す図である。 FIG. 6 is a view showing a printed circuit board according to a sixth embodiment of the present invention.
図６を参照すると、本発明の第６実施例に係るプリント回路基板は、第１金属パッド１１０及び第２金属パッド２１０が形成された絶縁層１００と、絶縁層１００に形成された開口部１０と、第１突出部１２０と、第２突出部２２０と、開口部１０内に充填される充填部材Ｐ１と、を含む。充填部材Ｐ１は、金属パウダーを含有する金属ペーストであってもよい。 Referring to FIG. 6, the printed circuit board according to the sixth embodiment of the present invention includes the insulating layer 100 on which the first metal pad 110 and the second metal pad 210 are formed, and the opening 10 formed on the insulating layer 100. , A first protrusion 120, a second protrusion 220, and a filling member P1 to be filled in the opening 10. The filling member P1 may be a metal paste containing metal powder.
絶縁層１００は、樹脂等の絶縁物質で組成される資材である。絶縁層１００の樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの様々な材料を用いることができる。 The insulating layer 100 is a material composed of an insulating material such as a resin. As the resin of the insulating layer 100, various materials such as a thermosetting resin and a thermoplastic resin can be used.
絶縁層１００は、誘電率及び誘電損失の低い材料で形成することができる。特に、絶縁層１００は、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｅｔｈｅｒ）、ＣＯＰ（Ｃｙｃｌｏ Ｏｌｅｆｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＦＡ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏａｌｋｏｘｙ）のうちの少なくとも１種で形成することができる。この材料は、高周波信号を伝送する基板において信号損失の低減に好適である。 The insulating layer 100 can be formed of a material with low dielectric constant and dielectric loss. In particular, the insulating layer 100 can be formed of at least one of LCP (Liquid Crystal Polymer), PTFE (Polytetrafluoroethylene), PPE (Polyphenylene Ether), COP (Cyclo Olefin Polymer), and PFA (Perfluoroalkoxy). This material is suitable for reducing signal loss in a substrate that transmits high frequency signals.
しかし、絶縁層１００は上記の材料に限定されず、その他にもエポキシ樹脂またはポリイミドなどを用いることができる。これについての説明は、上述した通りである。 However, the insulating layer 100 is not limited to the above-described materials, and in addition, an epoxy resin or a polyimide can be used. The description of this is as described above.
絶縁層１００の一面に第１回路１１１及び第１金属パッド１１０が形成される。また、絶縁層１００の他面には、第２回路２１１及び第２金属パッド２１０が形成される。 The first circuit 111 and the first metal pad 110 are formed on one surface of the insulating layer 100. In addition, the second circuit 211 and the second metal pad 210 are formed on the other surface of the insulating layer 100.
第１回路１１１及び第１金属パッド１１０は、絶縁層１００の一面上に形成され、第２回路２１１及び第２金属パッド２１０は、絶縁層１００の他面に埋め込まれて形成されることができる。 The first circuit 111 and the first metal pad 110 may be formed on one surface of the insulating layer 100, and the second circuit 211 and the second metal pad 210 may be embedded on the other surface of the insulating layer 100. .
第１回路１１１、第２回路２１１、第１金属パッド１１０及び第２金属パッド２１０は、電気伝導特性を考慮して、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などの金属またはこれらの合金で形成可能である。 The first circuit 111, the second circuit 211, the first metal pad 110, and the second metal pad 210 may be made of copper (Cu), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni) in consideration of the electrical conductivity. And metals such as titanium (Ti), gold (Au), platinum (Pt) or alloys of these.
絶縁層１００には、開口部１０が形成される。開口部１０は、第１金属パッド１１０と第２金属パッド２１０との間に位置して絶縁層１００を貫通する。 An opening 10 is formed in the insulating layer 100. The opening 10 is positioned between the first metal pad 110 and the second metal pad 210 and penetrates the insulating layer 100.
開口部１０は、第１金属パッド１１０の一面１１０ａ及び第２金属パッド２１０の一面２１０ａと接する。開口部１０は、円柱状に形成できるが、開口部１０の横断面積は、第１金属パッド１１０から第２金属パッド２１０に行くほど大きくなってもよい。 The opening 10 is in contact with one surface 110 a of the first metal pad 110 and one surface 210 a of the second metal pad 210. The opening 10 may be formed in a cylindrical shape, but the cross-sectional area of the opening 10 may be larger from the first metal pad 110 to the second metal pad 210.
第１突出部１２０は、第１金属パッド１１０の一面１１０ａに形成され、開口部１０内に位置する。第１突出部１２０は、第１金属パッド１１０の一面１１０ａから第２金属パッド２１０側に突出する。第１突出部１２０は、電気伝導特性を考慮して、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などの金属またはこれらの合金で形成することができる。 The first protrusion 120 is formed on one surface 110 a of the first metal pad 110 and is located in the opening 10. The first protrusion 120 protrudes from the surface 110 a of the first metal pad 110 toward the second metal pad 210. The first protrusion 120 may be made of copper (Cu), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni), titanium (Ti), gold (Au), platinum (Pt), etc., in consideration of the electrical conductivity. Or their alloys.
第１突出部１２０の側面と絶縁層１００とは、互いに接触することができる。この場合、第１突出部１２０は、開口部１０と金属パッド１１０とが接する面積（金属パッド１１０が開口部１０を介して露出される面積）全体に形成される。 The side surface of the first protrusion 120 and the insulating layer 100 may be in contact with each other. In this case, the first protrusion 120 is formed over the entire area where the opening 10 and the metal pad 110 are in contact (the area where the metal pad 110 is exposed through the opening 10).
本発明の第６実施例に係るプリント回路基板は、第１突出部１２０から開口部１０の内側壁に沿って延長する電解めっき層１４０をさらに含む。この場合、第１突出部１２０と電解めっき層１４０は、電解めっきにより同時に形成されるため、第１突出部１２０と電解めっき層１４０との間には界面が形成されないようにできる。 The printed circuit board according to the sixth embodiment of the present invention further includes an electrolytic plating layer 140 extending from the first protrusion 120 along the inner sidewall of the opening 10. In this case, since the first protrusion 120 and the electrolytic plating layer 140 are simultaneously formed by electrolytic plating, an interface can be prevented from being formed between the first protrusion 120 and the electrolytic plating layer 140.
図６（ａ）に示すように、第１突出部１２０と電解めっき層１４０とは、同じ厚さに形成されてもよいが、図６（ｂ）に示すように、第１突出部１２０の厚さが電解めっき層１４０の厚さよりも大きくてもよい。後者の場合は、第１突出部１２０と電解めっき層１４０とが等方性電解めっきにより形成されることにより、第１突出部１２０の厚さが相対的に大きくなることができる。 As shown in FIG. 6A, the first protrusion 120 and the electrolytic plating layer 140 may be formed to have the same thickness, but as shown in FIG. The thickness may be larger than the thickness of the electrolytic plating layer 140. In the latter case, the thickness of the first protrusion 120 can be relatively increased by forming the first protrusion 120 and the electrolytic plating layer 140 by isotropic electrolytic plating.
一方、本発明の第６実施例に係るプリント回路基板は、第１突出部１２０及び電解めっき層１４０の下部にシード層１５０を備えることができる。すなわち、シード層１５０は、開口部１０を介して露出する第１金属パッド１１０の一面１１０ａ及び開口部１０の内側壁に沿って形成されることができる。シード層１５０は、無電解めっきにより形成可能であり、電解めっきのための引込線となる。シード層１５０は、２μｍ以下の厚さを有することができる。 Meanwhile, the printed circuit board according to the sixth embodiment of the present invention may include the seed layer 150 under the first protrusion 120 and the electrolytic plating layer 140. That is, the seed layer 150 may be formed along the surface 110 a of the first metal pad 110 exposed through the opening 10 and the inner sidewall of the opening 10. The seed layer 150 can be formed by electroless plating and serves as a lead-in wire for electrolytic plating. The seed layer 150 can have a thickness of 2 μm or less.
第２突出部２２０は、第２金属パッド２１０の一面２１０ａに形成され、開口部１０内に位置する。第２突出部２２０は、第２金属パッド２１０の一面２１０ａから第１金属パッド１１０側に突出する。第２突出部２２０は、電気伝導特性を考慮して、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などの金属またはこれらの合金で形成することができる。 The second protrusion 220 is formed on one surface 210 a of the second metal pad 210 and located in the opening 10. The second protrusion 220 protrudes from the surface 210 a of the second metal pad 210 toward the first metal pad 110. The second protrusion 220 is made of copper (Cu), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni), titanium (Ti), gold (Au), platinum (Pt), or the like in consideration of the electrical conductivity. Or their alloys.
図６に示すように、第２突出部２２０は、電解めっき層１４０と接触しないように形成できるが、これと異なって、第２突出部２２０は、電解めっき層１４０と接触するように形成されることもできる。 As shown in FIG. 6, the second protrusion 220 can be formed not to be in contact with the electrolytic plating layer 140, but unlike this, the second protrusion 220 can be formed to be in contact with the electrolytic plating layer 140. You can also
第１突出部１２０と同じ構造の第３突出部１２０'を第２金属パッド２１０の他面に形成することができる。ここで、電解めっき層１４０も、第３突出部１２０'から延長して形成することができる。また、第２突出部２２０と同じ構造の第４突出部２２０'を第１金属パッド１１０の他面１１０ｂに形成することができる。すなわち、絶縁層１００の一面及び他面において金属パッド１１０及び突出部の構造が繰り返して形成されることが可能である。しかし、第１から第４突出部のすべてがともに形成される必要はなく、第３突出部１２０'及び第４突出部２２０'は、必要によって形成することができる。 A third protrusion 120 ′ having the same structure as the first protrusion 120 may be formed on the other surface of the second metal pad 210. Here, the electrolytic plating layer 140 can also be formed extending from the third protrusion 120 ′. Also, the fourth protrusion 220 ′ having the same structure as the second protrusion 220 may be formed on the other surface 110 b of the first metal pad 110. That is, the structure of the metal pad 110 and the protrusion may be repeatedly formed on one surface and the other surface of the insulating layer 100. However, it is not necessary for all of the first to fourth protrusions to be formed together, and the third protrusion 120 'and the fourth protrusion 220' can be formed as necessary.
充填部材Ｐ１は、開口部１０内に充填され、第１突出部１２０及び第２突出部２２０と接触する。充填部材Ｐ１は、伝導性を有し、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）などの金属を含むペースト（ｐａｓｔｅ）であってもよいが、これに制限されず、伝導性を有する材料であればいずれも使用できる。充填部材Ｐ１の溶融点は、プリント回路基板内の他の伝導体の溶融点よりも低くてもよい。特に、充填部材Ｐ１の溶融点は、回路１１１、金属パッド１１０、第１突出部１２０及び第２突出部２２０のうちの少なくとも１つの溶融点より低くてもよい。好ましくは、充填部材Ｐ１の溶融点は、プリント回路基板において最も低くてもよい。 The filling member P <b> 1 is filled in the opening 10 and is in contact with the first protrusion 120 and the second protrusion 220. The filling member P1 has conductivity and may be a paste containing a metal such as copper (Cu), tin (Sn), silver (Ag) or the like, but is not limited thereto, and the conductivity is not limited. Any material can be used as long as it has the material. The melting point of the filler member P1 may be lower than the melting points of other conductors in the printed circuit board. In particular, the melting point of the filling member P1 may be lower than the melting point of at least one of the circuit 111, the metal pad 110, the first protrusion 120, and the second protrusion 220. Preferably, the melting point of the filling member P1 may be lowest in the printed circuit board.
以下では、プリント回路基板の製造方法について説明する。 Hereinafter, a method of manufacturing a printed circuit board will be described.
図７から図１９は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。 7 to 19 are views showing a method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.
図７を参照すると、絶縁層１００の一面及び他面にそれぞれ金属箔Ｍの積層された原資材を準備する。 Referring to FIG. 7, a raw material in which metal foils M are laminated is prepared on one side and the other side of the insulating layer 100.
金属箔Ｍは、回路１１１及び金属パッド１１０となる母体であり、銅などの金属であってもよい。金属箔Ｍは、１８μｍの厚さを有することができる。また、絶縁層１００は、ＬＣＰ等の絶縁材であって、５０μｍの厚さを有することができる。 The metal foil M is a base to be the circuit 111 and the metal pad 110, and may be a metal such as copper. The metal foil M can have a thickness of 18 μm. In addition, the insulating layer 100 is an insulating material such as LCP, and can have a thickness of 50 μm.
図８を参照すると、絶縁層１００の他面に積層された金属箔Ｍを除去する。金属箔Ｍの除去は、ハーフエッチング（ｈａｌｆ ｅｔｃｈｉｎｇ）などの方式により実施できる。ハーフエッチングの場合は、エッチングされない金属箔Ｍ上には発泡テープ等のフィルム（図示せず）が積層されて、エッチングマスクとしての役割をすることができる。ただし、原資材の準備段階において、絶縁層１００の一面のみに金属箔Ｍが積層された原資材を用いると、図７及び図８の工程を省略できる。 Referring to FIG. 8, metal foil M laminated on the other surface of insulating layer 100 is removed. The removal of the metal foil M can be performed by a method such as half etching. In the case of half etching, a film (not shown) such as a foam tape can be laminated on the metal foil M which is not etched, and can serve as an etching mask. However, if the raw material in which the metal foil M is laminated only on one surface of the insulating layer 100 is used in the preparation step of the raw material, the steps of FIGS. 7 and 8 can be omitted.
図９及び図１０を参照すると、金属箔Ｍ上にレジストフィルムＲ１を塗布する。レジストフィルムＲ１は、ドライフィルム（ｄｒｙ ｆｉｌｍ）であってもよい。絶縁層１００において金属箔Ｍの形成されていない面には、発泡テープ等のフィルム（図示せず）を積層して当該面を保護することができる。 Referring to FIGS. 9 and 10, a resist film R1 is applied on the metal foil M. The resist film R1 may be a dry film. A film (not shown) such as a foam tape can be laminated on the surface of the insulating layer 100 where the metal foil M is not formed to protect the surface.
レジストフィルムＲ１は感光性であり、マスク（ｍａｓｋ）を用いてレジストフィルムＲ１を選択的に露光する。レジストフィルムＲ１がネガ型である場合は、レジストフィルムＲ１において回路１１１及び金属パッド１１０が形成される領域以外の領域を露光して光硬化する。以後、現像工程により回路１１１及び金属パッド１１０が形成される領域のレジストフィルムＲ１を除去し、当該領域にめっき工程などにより伝導体を形成する。 The resist film R1 is photosensitive and selectively exposes the resist film R1 using a mask. When resist film R1 is a negative type, it exposes and photocures area | regions other than the area | region in which the circuit 111 and the metal pad 110 are formed in resist film R1. Thereafter, the resist film R1 in the area where the circuit 111 and the metal pad 110 are to be formed is removed by the developing process, and a conductor is formed in the area by the plating process or the like.
図１１を参照すると、回路１１１と金属パッド１１０の表面、及び絶縁層１００の一面に連続して無電解めっき層１３０を形成する。無電解めっき層１３０は、銅などの金属が無電解めっきにより形成可能である。 Referring to FIG. 11, the electroless plating layer 130 is formed continuously on the surface of the circuit 111 and the metal pad 110 and on one surface of the insulating layer 100. The electroless plating layer 130 can be formed of a metal such as copper by electroless plating.
図１２を参照すると、無電解めっき層１３０上にレジストフィルムＲ２を再び塗布し、第２突出部２２０が形成される領域のレジストフィルムＲ２を選択的に除去する。この場合、フォトリソグラフィ工法によりレジストフィルムＲ２を選択的に除去することができる。 Referring to FIG. 12, a resist film R2 is again applied on the electroless plating layer 130, and the resist film R2 in the region where the second protrusion 220 is to be formed is selectively removed. In this case, the resist film R2 can be selectively removed by photolithography.
図１３及び図１４を参照すると、絶縁層１００の他面に保護フィルムＦ１を付着し、絶縁層１００の他面を加工面にして開口部１０を加工することができる。開口部１０は、ＣＯ２レーザ等のレーザ加工により形成できる。保護フィルムＦ１は、ＰＥＴであってもよく、レーザ加工時に発生可能なバリ（ｂｕｒｒ）を防止することができる。 13 and 14, the protective film F1 can be attached to the other surface of the insulating layer 100, and the opening 10 can be processed using the other surface of the insulating layer 100 as a processing surface. The opening 10 can be formed by laser processing such as a CO 2 laser. The protective film F1 may be PET, and can prevent burrs that may occur during laser processing.
開口部１０は、第１金属パッド１１０上に形成され、第１金属パッド１１０の一面１１０ａを露出する。開口部１０の下面の直径は、第１金属パッド１１０の直径よりも小さく形成される。 The opening 10 is formed on the first metal pad 110 and exposes one surface 110 a of the first metal pad 110. The diameter of the lower surface of the opening 10 is smaller than the diameter of the first metal pad 110.
図１５を参照すると、第１突出部１２０及び第２突出部２２０がめっきにより形成される。第１突出部１２０及び第２突出部２２０は、無電解めっき層１３０を引込線とし、電解めっきにより形成可能である。一方、第２突出部２２０の形成を完了すると、レジストフィルムＲ２を剥離する。 Referring to FIG. 15, the first protrusion 120 and the second protrusion 220 are formed by plating. The first protrusion 120 and the second protrusion 220 can be formed by electrolytic plating using the electroless plating layer 130 as a lead-in wire. On the other hand, when the formation of the second protrusion 220 is completed, the resist film R2 is peeled off.
めっき条件を調整することにより、第１突出部１２０の側面が絶縁層１００と離隔したり、接触したりすることができる。 By adjusting the plating conditions, the side surface of the first protrusion 120 can be separated from or in contact with the insulating layer 100.
図１６を参照すると、不要な無電解めっき層１３０をエッチングにより除去し、絶縁層１００の一面上にバックマスク Ｂ（ｂａｃｋ ｍａｓｋ）を付着する。バックマスクＢは、工程でのハンドリングのときに基板が受ける衝撃を最小化することができる。 Referring to FIG. 16, the unnecessary electroless plating layer 130 is etched away, and a back mask B is deposited on one surface of the insulating layer 100. The back mask B can minimize the impact that the substrate receives during handling in the process.
図１７を参照すると、開口部１０内に充填部材Ｐ１が充填される。 Referring to FIG. 17, filling member P <b> 1 is filled in opening 10.
充填部材Ｐ１は、金属を含有するペーストであってもよく、この充填部材Ｐ１は、真空または大気圧条件下で開口部１０内に印刷されるが、スクリーンプリンティングなどの方式により印刷されることができる。 The filling member P1 may be a paste containing a metal, and the filling member P1 is printed in the opening 10 under vacuum or atmospheric conditions, but may be printed by a method such as screen printing it can.
図１８を参照すると、保護フィルムＦ１及びバックマスクＢが除去され、単位基板が完成される。この単位基板は、複数形成される。 Referring to FIG. 18, the protective film F1 and the back mask B are removed to complete a unit substrate. A plurality of unit substrates are formed.
図１９を参照すると、複数の単位基板１、２、３を位置合わせして上下に配置した後に、仮付けして、３００℃以上の高温で加圧して一括積層する。この一括積層により、第２及び第４突出部２２０は、相対的に柔らかい充填部材Ｐ１の内部に含浸される。上記開口部１０内に充填された充填部材Ｐ１は、層間信号伝達をすることができる。 Referring to FIG. 19, a plurality of unit substrates 1, 2 and 3 are aligned and arranged vertically, and then temporarily attached and pressurized at a high temperature of 300 ° C. or higher to collectively stack them. By this batch lamination, the second and fourth protrusions 220 are impregnated into the inside of the relatively soft filling member P1. The filling member P1 filled in the opening 10 can perform interlayer signal transmission.
一方、第２突出部２２０は、充填部材Ｐ１内部に含浸されて、第１突出部１２０は、充填部材Ｐ１の内部に位置し、第１突出部１２０及び第２突出部２２０が充填部材Ｐ１内で互いに接触することができる。 On the other hand, the second protrusion 220 is impregnated inside the filling member P1, and the first protrusion 120 is positioned inside the filling member P1, and the first protrusion 120 and the second protrusion 220 are inside the filling member P1. Can touch each other.
図２０から図２９は、本発明の他の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。 20 to 29 are views showing a method of manufacturing a printed circuit board according to another embodiment of the present invention.
図２０を参照すると、絶縁層１００の一面のみに金属箔が積層された原資材を準備し、上記金属箔Ｍをパターニングして回路１１１及び金属パッド１１０を形成する。この原資材は、絶縁層１００の一面及び他面にそれぞれ金属箔Ｍが積層されている原資材を準備した後に、絶縁層１００の他面に積層されている金属箔Ｍを除去することにより準備することができる。また、回路１１１及び金属パッド１１０は、レジストフィルムを用いたフォトリソグラフィー工程により形成することができる。 Referring to FIG. 20, a raw material in which a metal foil is laminated on only one surface of the insulating layer 100 is prepared, and the metal foil M is patterned to form the circuit 111 and the metal pad 110. This raw material is prepared by removing the metal foil M laminated on the other surface of the insulating layer 100 after preparing the raw material in which the metal foil M is laminated on one surface and the other surface of the insulating layer 100 respectively. can do. The circuit 111 and the metal pad 110 can be formed by a photolithography process using a resist film.
図２１を参照すると、回路１１１及び金属パッド１１０をカバーするレジストフィルムＲ３を絶縁層１００の一面上に積層し、レジストフィルムＲ３において第２突出部２２０が形成される領域を除去する。レジストフィルムＲ３の除去は、露光及び現像工程により実施できる。 Referring to FIG. 21, a resist film R3 covering the circuit 111 and the metal pad 110 is laminated on one surface of the insulating layer 100, and a region of the resist film R3 where the second protrusion 220 is formed is removed. The removal of the resist film R3 can be carried out by the exposure and development steps.
図２２及び図２３を参照すると、絶縁層１００の他面に保護フィルムＦ１を付着し、絶縁層１００の他面を加工面にして開口部１０を加工することができる。開口部１０は、ＣＯ２レーザ等のレーザ加工により形成可能である。保護フィルムＦ１は、ＰＥＴであってもよく、レーザ加工時に発生可能なバリ（ｂｕｒｒ）を防止することができる。 22 and 23, the protective film F1 may be attached to the other surface of the insulating layer 100, and the opening 10 may be processed with the other surface of the insulating layer 100 as a processing surface. The opening 10 can be formed by laser processing such as a CO 2 laser. The protective film F1 may be PET, and can prevent burrs that may occur during laser processing.
開口部１０は、第１金属パッド１１０上に形成され、第１金属パッド１１０の一面１１０ａを露出する。開口部１０の下面直径は、第１金属パッド１１０の直径よりも小さく形成される。 The opening 10 is formed on the first metal pad 110 and exposes one surface 110 a of the first metal pad 110. The lower surface diameter of the opening 10 is smaller than the diameter of the first metal pad 110.
図２４を参照すると、シード層１５０が開口部１０の内部及び絶縁層１００の他面に形成される。シード層１５０は、無電解めっきにより形成可能である。保護フィルムＦ１が除去された後にシード層１５０を形成することができる。 Referring to FIG. 24, a seed layer 150 is formed inside the opening 10 and on the other surface of the insulating layer 100. The seed layer 150 can be formed by electroless plating. The seed layer 150 can be formed after the protective film F1 is removed.
図２５を参照すると、シード層１５０上に第１突出部１２０及び電解めっき層１４０を形成し、レジストフィルムＲ３を除去する。第１突出部１２０は、金属パッド１１０の一面上に形成され、電解めっき層１４０は、開口部１０の内壁に沿って第１突出部１２０から延長して形成される。第１突出部１２０及び電解めっき層１４０は、電解めっきにより同時に形成されることができる。 Referring to FIG. 25, the first protrusion 120 and the electrolytic plating layer 140 are formed on the seed layer 150, and the resist film R3 is removed. The first protrusion 120 is formed on one surface of the metal pad 110, and the electrolytic plating layer 140 is formed to extend from the first protrusion 120 along the inner wall of the opening 10. The first protrusion 120 and the electrolytic plating layer 140 may be simultaneously formed by electrolytic plating.
図２５（ａ）に示すように、第１突出部１２０及び電解めっき層１４０の厚さは、互いに同一であってもよい。また、図２５（ｂ）に示すように、図２５（ａ）よりもめっき時間を長くして、第１突出部１２０の厚さを電解めっき層１４０の厚さよりも大きくすることができる。 As shown in FIG. 25A, the thicknesses of the first protrusion 120 and the electrolytic plating layer 140 may be identical to each other. Further, as shown in FIG. 25 (b), the thickness of the first protrusion 120 can be made larger than the thickness of the electrolytic plating layer 140 by making the plating time longer than that of FIG. 25 (a).
図２６及び図２７を参照すると、絶縁層１００の一面にはバックマスクＢを、絶縁層１００の他面には保護フィルムＦ２を付着した後に、開口部１０内に充填部材Ｐ１を充填する。保護フィルムＦ２は、ＰＥＴであってもよい。充填部材Ｐ１は、金属を含有するペーストであってもよく、この充填部材Ｐ１は、スクリーンプリンティング工法により開口部１０内に印刷することができる。 26 and 27, a back mask B is attached to one surface of the insulating layer 100, and a protective film F2 is attached to the other surface of the insulating layer 100, and then the opening 10 is filled with the filling member P1. The protective film F2 may be PET. The filling member P1 may be a paste containing a metal, and the filling member P1 can be printed in the opening 10 by a screen printing method.
図２８を参照すると、バックマスクＢ及び保護フィルムＦ２をすべて剥離し、複数の単位基板を形成することができる。 Referring to FIG. 28, the back mask B and the protective film F2 can all be peeled off to form a plurality of unit substrates.
図２９を参照すると、複数の単位基板１、２、３を仮付けした後に、一括積層して、最終的に図２９（ａ）は、図６（ａ）のものとなり、図２９（ｂ）は、図６（ｂ）のものとなる。一括積層時に、最外層回路層Ｃもともに積層されることができる。 Referring to FIG. 29, after temporarily attaching a plurality of unit substrates 1, 2, 3 and collectively laminating them, finally FIG. 29 (a) becomes that of FIG. 6 (a) and FIG. 29 (b) Is as shown in FIG. 6 (b). The outermost circuit layer C can also be laminated together at the time of collective lamination.
以上、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば特許請求の範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、削除または追加などにより本発明を多様に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。 While one embodiment of the present invention has been described above, those skilled in the art can add or change components without departing from the concept of the present invention described in the claims. The present invention can be variously modified and changed by deleting, adding, etc., and this can also be said to be included in the scope of the present invention.
１００、２００、３００ 絶縁層
１１０ 第１金属パッド
１１０ａ 第１金属パッドの一面
１１０ｂ 第１金属パッドの他面
１１０ｃ 第１金属パッドの側面
１１１ 第１回路
１２０ 第１突出部
１３０ 無電解めっき層
１４０ 電解めっき層
１５０ シード層
２１０ 第２金属パッド
２１０ａ 第２金属パッドの一面
２１１ 第２回路
２２０ 第２突出部
２３０ 無電解めっき層
３００ 第３絶縁層
１０ 開口部
２０、３０ ビアホール
Ｐ１ 充填部材
Ｐ２、Ｐ３ ビア
100, 200, 300 Insulating Layer 110 First Metal Pad 110a One Side of First Metal Pad 110b Other Side of First Metal Pad 110c Side of First Metal Pad 111 First Circuit 120 First Projection 130 Electroless Plating Layer 140 Electrolysis Plated layer 150 Seed layer 210 Second metal pad 210a One surface of second metal pad 211 Second circuit 220 Second protrusion 230 Electroless plating layer 300 Third insulating layer 10 Opening 20, 30 Via hole P1 Filling member P2, P3 Via
Claims (27)
前記金属パッドの一面上に位置し、前記絶縁層を貫通する開口部と、
前記開口部内に位置し、前記金属パッドの一面に形成される第１突出部と、
前記金属パッドの他面に形成される第２突出部と、
前記第１突出部と接触するように前記開口部内に充填される充填部材と、を含み、
前記充填部材の溶融点は、前記金属パッドの溶融点よりも低く、
前記絶縁層の他面に投影された前記第２突出部は、前記絶縁層の他面においての前記開口部の面積内に位置するプリント回路基板。 An insulating layer having a metal pad formed on one side,
An opening located on one surface of the metal pad and penetrating the insulating layer;
A first protrusion located in the opening and formed on one surface of the metal pad;
A second protrusion formed on the other surface of the metal pad;
And a filling member filled in the opening to be in contact with the first protrusion.
The melting point of the filler member is lower than the melting point of the metal pad,
The printed circuit board in which the 2nd projection projected on the other side of the insulating layer is located within the area of the opening in the other side of the insulating layer.
前記第１金属パッドと前記第２金属パッドとの間に位置し、前記絶縁層を貫通する開口部と、
前記開口部内に位置し、前記第１金属パッドの一面から前記第２金属パッド側に突出する第１突出部と、
前記開口部内に位置し、前記第２金属パッドの一面から前記第１金属パッド側に突出する第２突出部と、
前記第１突出部及び前記第２突出部と接触するように、前記開口部内に形成される充填部材と、を含み、
前記充填部材の溶融点は、前記第１金属パッドの溶融点よりも低いプリント回路基板。 An insulating layer having a first metal pad formed on one side and a second metal pad embedded on the other side;
An opening located between the first metal pad and the second metal pad and penetrating the insulating layer;
A first protrusion located in the opening and protruding from one surface of the first metal pad toward the second metal pad;
A second protrusion located in the opening and protruding from one surface of the second metal pad toward the first metal pad;
A filling member formed in the opening to be in contact with the first protrusion and the second protrusion;
The printed circuit board, wherein the melting point of the filling member is lower than the melting point of the first metal pad.
前記第２金属パッドの他面上に位置し、前記上部絶縁層を貫通して形成されるビアをさらに含む請求項１１から２１のいずれか一項に記載のプリント回路基板。 An upper insulating layer stacked on top of the insulating layer;
The printed circuit board according to any one of claims 11 to 21, further comprising a via located on the other surface of the second metal pad and formed through the upper insulating layer.
前記第２金属パッドの他面上に位置し、前記上部絶縁層を貫通して形成されるビアと、をさらに含み、
前記第３突出部は、前記ビア内部に含浸される請求項２１に記載のプリント回路基板。 An upper insulating layer stacked on top of the insulating layer;
And a via formed on the other surface of the second metal pad and formed through the upper insulating layer.
22. The printed circuit board of claim 21, wherein the third protrusion is impregnated into the via.
前記第１金属パッドの他面の下に位置し、前記下部絶縁層を貫通して形成されるビアと、をさらに含む請求項１１から２５のいずれか一項に記載のプリント回路基板。 A lower insulating layer stacked under the insulating layer;
The printed circuit board according to any one of claims 11 to 25, further comprising: a via located under the other surface of the first metal pad and penetrating the lower insulating layer.
前記第１金属パッドの他面の下に位置し、前記下部絶縁層を貫通して形成されるビアと、をさらに含み、
前記第４突出部は、前記ビア内に含浸される請求項２５に記載のプリント回路基板。 A lower insulating layer stacked under the insulating layer;
And a via located under the other surface of the first metal pad and formed through the lower insulating layer.
The printed circuit board of claim 25, wherein the fourth protrusion is impregnated in the via.
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