JP2019062064A - 回路基板、電子機器、および回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 基板全体の薄型化を図り、かつ高密度配線ができる回路基板、それを備えた電子機器、および回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】 表面に配線パターン８が設けられた基板１と、配線パターン８上に配置されたチップ部品４と、このチップ部品４を覆って保護する封止材９と、配線パターン８におけるチップ部品４が配置されるパターン領域Ｅの周囲に設けられ、封止材９の流出を防ぐ堰止め溝１０と、を備えている。従って、封止材９によってチップ部品４を確実にかつ良好に覆うことができると共に、パターン領域Ｅ外への封止材９の流出を封止材９の表面張力によって堰止め溝１０の縁部で堰き止めることができる。このため、基板全体の薄型化を図ることができ、かつ配線パターン８の配線密度を高めることができる。【選択図】 図３

Description

この発明は、腕時計などの電子機器に用いられる回路基板、それを備えた電子機器、および回路基板の製造方法に関する。

例えば、電子機器に組み込まれる回路基板においては、特許文献１に記載されているように、基板上に配線パターンを形成し、この配線パターン上に半導体素子などのチップ部品を搭載し、このチップ部品を封止材でモールドした構造のものが知られている。

特開２０１２−１９０８２号公報

このような回路基板では、チップ部品をモールドする封止材が周囲に流出するのを防ぐために、チップ部品が搭載されるパターン領域の外周にガラスペーストなどの絶縁材をポッティングしてダム部を形成している。

しかしながら、このような回路基板では、チップ部品が搭載されるパターン領域の外周にダム部を封止材よりも高く盛り上げて形成しなければならないため、基板全体の厚みが厚くなるという問題がるほか、ダム部によって封止領域全体の面積が広くなるため、配線パターンを基板上に高密度で配線することができないという問題がある。

この発明が解決しようとする課題は、基板全体の薄型化を図り、かつ高密度配線ができる回路基板、それを備えた電子機器、および回路基板の製造方法を提供することである。

この発明は、表面に配線パターンが設けられた基板と、前記配線パターン上に配置されたチップ部品と、前記チップ部品を覆って保護する封止材と、前記配線パターンにおける前記チップ部品が配置されるパターン領域の周囲に設けられ、前記封止材の流出を防ぐ堰止め溝と、を備えていることを特徴とする回路基板である。

また、この発明は、基板の上面に配線パターンを形成する第１の工程と、前記配線パターンの予め定められたパターン領域の周囲に位置する前記基板に堰止め溝を形成する第２の工程と、前記パターン領域内に位置する前記配線パターン上にチップ部品を配置させて封止材でモールドする第３の工程と、を備えていることを特徴とする回路基板の製造方法である。

この発明によれば、基板全体の薄型化を図ることができると共に、配線パターンの高密度化を図ることができる。

この発明を適用した回路基板の一実施形態を示した要部の拡大正面図である。 図１に示された回路基板のＡ−Ａ矢視における要部の拡大断面図である。 図２に示された回路基板のＢ−Ｂ矢視における要部の拡大断面図である。 図２示された回路基板において、封止材を塗布する前の状態を示した要部の拡大正面図である。 図３に示された回路基板の製造方法を示し、（ａ）は基板上に配線パターンを形成する第１の工程を示した要部の拡大断面図、（ｂ）は配線パターンの予め定められたパターン領域の周囲に堰止め溝を形成する第２の工程を示した要部の拡大断面図、（ｃ）は配線パターン上にチップ部品を配置させて封止材でモードする第３の工程を示した要部の拡大断面図である。 図４に示された回路基板において、堰止め溝の第１変形例を示した要部の拡大正面図である。 図４に示された回路基板において、堰止め溝の第２変形例を示した要部の拡大正面図である。

以下、図１〜図５を参照して、この発明を適用した回路基板の一実施形態について説明する。
この回路基板は、腕時計に組み込まれるものであり、図１に示すように、基板１を備えている。この基板１には、時計の針位置を光学的に検出するための発光部２と受光部３とが設けられている。

発光部２は、発光素子を備え、指針の運針領域内の所定箇所で光を発光するように構成されている。また、受光部３は、受光素子を備え、発光部２で発光した光が指針に照射された際に、その反射光を受光することにより、針位置を検出するように構成されている。この場合、発光部２と受光部３とは、図２に示すチップ部品４が異なる構造であり、これ以外は同じ構造になっている。このため、以下では、受光部３について説明する。

発光部２と受光部３とが設けられる基板１は、図２および図３に示すように、下から順に、ベース層５と、レーザ光線を反射する反射層６と、絶縁層７とを積層した構造になっている。この基板１の絶縁層７上には、図２〜図４に示すように、配線パターン８が設けられている。この配線パターン８は、第１電極８ａ、第２電極８ｂ、第１配線８ｃ、第２配線８ｄを備えている。

この場合、第１電極８ａには、図４に示すように、第１配線８ｃが接続されている。第２電極８ｂは、第１電極８ａに隣接して設けられており、この第２電極８ｂには、第２配線８ｄが接続されている。この配線パターン８の第１電極８ａ上には、図２〜図４に示すように、チップ部品４が配置されている。このチップ部品４は、受光部３のフォトトランジスタなどの受光素子である。発光部２の場合には、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの発光素子である。

このチップ部品４は、図２〜図４に示すように、その下面が第１電極８ａ上に半田で接続固定されて第１電極８ａと電気的に接続され、上面がボンディングワイヤー４ａによって第２電極８ｂと電気的に接続されている。また、このチップ部品４は、封止材９によってモールドされている。

この場合、配線パターン８におけるチップ部品４が配置されるパターン領域Ｅの周囲には、図４に示すように、パターン領域Ｅ外への封止材９の流出を防ぐ堰止め溝１０が設けられている。すなわち、パターン領域Ｅは、配線パターン８における第１電極８ａと第２電極８ｂとを囲う領域である。

堰止め溝１０は、図２〜図４に示すように、レーザ加工によって基板１の絶縁層７を剥離することにより、パターン領域Ｅの周囲にほぼ長方形の掘状に形成されている。すなわち、この堰止め溝１０は、レーザ加工によって絶縁層７を剥離する際に、絶縁層７の下面に設けられた反射層６によってレーザ光線が反射されることにより、絶縁層７のみが剥離されることによって形成されている。この堰止め溝１０は、主堰止め溝１２と第１、第２補助堰止め溝１３、１４とを備えている。

主堰止め溝１２は、図４に示すように、パターン領域Ｅにおける配線パターン８の第１、第２配線８ｃ、８ｄがそれぞれ引き出される第１、第２配線口１１ａ、１１ｂを除いて、ほぼ長方形状に設けられている。第１、第２補助堰止め溝１３、１４は、配線パターン８の第１、第２配線８ｃ、８ｄを避けた状態で、配線パターン８の第１、第２配線口１１ａ、１１ｂに対向して設けられ、第１、第２配線口１１ａ、１１ｂからの封止材９の流出を防ぐように構成されている。

すなわち、第１補助堰止め溝１３は、図４に示すように、配線パターン８の第１配線８ｃを避けた状態で、第１配線口１１ａに対向して設けられている。この第１補助堰止め溝１３は、一端部（図４では下端部）が第１配線口１１ａに位置する主堰止め溝１２の端部（図４では下部側の端部）に連続して形成されている。これにより、主堰止め溝１２と第１補助堰止め溝１３とは、配線パターン８の第１配線８ｃを遮ることなく形成されている。

また、第２補助堰止め溝１４は、図４に示すように、配線パターン８の第２配線８ｄを避けた状態で、第２配線口１１ｂに対向して設けられている。この場合にも、第２補助堰止め溝１４は、一端部（図４では左端部）が第２配線口１１ｂに位置する主堰止め溝１２の端部（図４では左端部）に連続して形成されている。これにより、主堰止め溝１２と第２補助堰止め溝１４とは、配線パターン８の第２配線８ｄを遮ることなく形成されている。

このため、封止材９は、図３に示すように、チップ部品４上にポッティングされた際に、チップ部品４を覆った状態で、表面張力によって盛り上がってパターン領域Ｅ内に塗布される。すなわち、この封止材９は、チップ部品４を覆ってパターン領域Ｅ内に塗布された際に、パターン領域Ｅ外に流出することなく、封止材９の表面張力によって堰止め溝１０の縁部、つまり主堰止め溝１２の縁部および第１、第２補助堰止め溝１３、１４の縁部で堰き止められ、この状態で硬化されている。

また、封止材９が堰止め溝１０に流れ込んでも堰止め溝１０は掘状に形成されているので、封止材９は堰止め溝１０に留まり、封止材９は周囲に流出することはなく、堰止め溝１０に留まった状態で硬化されている。つまり主堰止め溝１２および第１、第２補助堰止め溝１３、１４に封止材９が流れ込んでも封止材９は主堰止め溝１２および第１、第２補助堰止め溝１３、１４に留まり、封止材９は周囲に流出することはなく、主堰止め溝１２および第１、第２補助堰止め溝１３、１４に留まった状態で硬化されている。

次に、図５（ａ）〜図５（ｃ）を参照して、この回路基板を製造する場合について説明する。
図５（ａ）に示す第１の工程では、まず、ベース層５と、レーザ光線を反射する反射層６と、絶縁層７とを下から順に積層させて、基板１を形成し、この基板１の絶縁層７上に配線パターン８を形成する。

このときには、絶縁層７上に銅箔をラミネートし、このラミネートされた銅箔をパターニングすることにより、図４に示すように、第１電極８ａ、第２電極８ｂ、第１配線８ｃ、第２配線８ｄが配線パターン８として形成される。この場合、第１電極８ａと第２電極８ｂとは互いに接近して配置される。第１配線８ｃは、第１電極８ａから第１配線口１１ａを通して引き出される。第２配線８ｄは、第２電極８ｂから第２配線口１１ｂを通して引き出される。

図５（ｂ）に示す第２の工程では、配線パターン８の予め定められたパターン領域Ｅ、つまり第１電極８ａと第２電極８ｂとを囲うパターン領域Ｅの周囲に位置する基板１の絶縁層７に堰止め溝１０をレーザ加工によって形成する。このレーザ加工は、レーザ光線を絶縁層７に照射させながら走査させることにより、レーザ光線が照射された箇所の絶縁層７を溶融させて飛散させることにより、主堰止め溝１２および第１、第２補助堰止め溝１３、１４を形成する。

すなわち、このレーザ加工では、レーザ光線を一定のエネルギーで絶縁層７に照射させながら走査する際に、レーザ光線をミラーで反射させて、絶縁層７に照射させながら、ミラーの角度を少しずつ変えることにより、レーザ光線が配線パターン８を傷付けることがなく、レーザ光線を精度良く正確に走査させる。このときには、絶縁層７の下層に設けられた反射層６によってレーザ光線が反射されるので、絶縁層７のみを一定の深さで剥離して、主堰止め溝１２および第１、第２補助堰止め溝１３、１４を形成する。

これにより、主堰止め溝１２は、図４に示すように、配線パターン８のパターン領域Ｅの周囲に、第１、第２配線口１１ａ、１１ｂを除いて、ほぼ長方形の掘状に不連続状態で形成される。第１補助堰止め溝１３は、配線パターン８の第１配線８ｃを避けた位置で、第１配線口１１ａに対向して設けられる。

この場合、第１補助堰止め溝１３は、一端部（図４では下端部）が第１配線口１１ａに位置する主堰止め溝１２の端部（図４では下部側の端部）に連続して形成されている。これにより、主堰止め溝１２と第１補助堰止め溝１３とは、配線パターン８の第１配線８ｃを遮ることなく形成される。

また、第２補助堰止め溝１４は、図４に示すように、配線パターン８の第２配線８ｄを避けた状態で、第２配線口１１ｂに対向して設けられる。この場合にも、第２補助堰止め溝１４は、一端部（図４では左端部）が第２配線口１１ｂに位置する主堰止め溝１２の端部（図４では左端部）に連続して形成されている。これにより、主堰止め溝１２と第２補助堰止め溝１４とは、配線パターン８の第２配線８ｄを遮ることなく形成される。

図５（ｃ）に示す第３の工程では、基板１の配線パターン８上にチップ部品４を配置させて封止材９でモールドする。すなわち、チップ部品４を配線パターン８の第１電極８ａ上に半田で接続固定し、このチップ部品４をボンディングワイヤー４ａによって第２電極８ｂと電気的に接続する。これにより、チップ部品４は、その下面が第１電極８ａ上に半田で接続固定されて第１電極８ａと電気的に接続され、上面がボンディングワイヤー４ａによって第２電極８ｂと電気的に接続される。

この状態で、チップ部品４を封止材９でモールドする。このときには、封止材９をチップ部品４上にポッティングする。すると、封止材９がチップ部品４を覆い、表面張力によって盛り上がってパターン領域Ｅ内に塗布される。すなわち、この封止材９は、チップ部品４を覆ってパターン領域Ｅ内に塗布された際に、封止材９の表面張力によって堰止め溝１０の縁部、つまり主堰止め溝１２の縁部および第１、第２補助堰止め溝１３、１４の各縁部によって堰き止められる。

このときには、封止材９が表面張力によって堰止め溝１０の縁部で堰き止められるので、堰止め溝１０内にほとんど流れ込むことがない。また、堰止め溝１０内に流れ込んでも堰止め溝１０内に留まり、封止材９は周囲に流れ出すことがない。また、封止材９は第１配線口１１ａから流れ出しても、第１補助堰止め溝１３によって堰き止められるので、パターン領域Ｅの外に流れ出すことがない。

同様に、封止材９は第２配線口１１ｂから流れ出しても、第２補助堰止め溝１４によって堰き止められるので、パターン領域Ｅの外に流れ出すことがない。また、第１補助堰止め溝１３内又は第２補助堰止め溝１４内に流れ込んでも第１補助堰止め溝１３内又は第２補助堰止め溝１４内に留まり、封止材９は周囲に流れ出すことがない。この状態で、封止材９を硬化させる。

この場合、封止材９は、熱硬化樹脂であっても良く、また紫外線硬化樹脂であっても良い。封止材９が熱硬化樹脂である場合には、チップ部品４を覆って封止材９をパターン領域Ｅ内に塗布させた状態で、加熱して乾燥させることにより、簡単に硬化させることができる。また、封止材９が紫外線硬化樹脂である場合には、チップ部品４を覆って封止材９をパターン領域Ｅ内に塗布させた状態で、紫外線を照射させることにより、簡単に硬化させることができる。

このように、この回路基板によれば、表面に配線パターン８が設けられた基板１と、配線パターン８上に配置されたチップ部品４と、このチップ部品４を覆って保護する封止材９と、配線パターン８におけるチップ部品４が配置されるパターン領域Ｅの周囲に設けられ、封止材９の流出を防ぐ堰止め溝１０と、を備えていることにより、基板全体の薄型化を図ることができると共に、配線パターン８の高密度配線を図ることができる。

すなわち、この回路基板では、封止材９がチップ部品４を覆ってパターン領域Ｅ内に塗布されると、封止材９の表面張力によってチップ部品４を確実にかつ良好に覆うことができると共に、パターン領域Ｅ外への封止材９の流出を封止材９の表面張力によって堰止め溝１０の縁部で堰き止めることができる。また、封止材９が堰止め溝１０内に流れ込んでも堰止め溝１０内に留まり、封止材９は周囲に流れ出すことがない。

このため、この回路基板では、パターン領域Ｅの周囲にダム部を盛り上げて設けた場合に比べて、基板全体の厚みを薄くすることができると共に、堰止め溝１０の溝幅をダム部の基礎幅よりも狭くすることができるので、堰止め溝１０による封止領域全体の面積をダム部による封止領域全体の面積よりも小さくすることができ、これにより基板１上に設けられる配線パターン８の配線密度を高めることができる。

また、この回路基板では、堰止め溝１０がレーザ加工によって配線パターン８を避けて設けられていることにより、基板１上に配線パターン８が形成されていても、堰止め溝１０を狭い溝幅で精度良く正確に形成することができると共に、効率良く形成することができる。すなわち、レーザ加工は、レーザ光線を一定のエネルギーで照射させながら走査することにより、レーザ光線によって配線パターン８を傷付けることがなく、堰止め溝１０を狭い溝幅で精度良く正確に形成することができる。

この場合、基板１には、レーザ光線を反射する反射層６が絶縁層７の下面全域に亘って設けられていることにより、レーザ光線を照射させて堰止め溝１０を形成する際に、反射層６によってレーザ光線を反射させることができるので、堰止め溝１０を一定の深さで形成することができる。このため、レーザ光線によって堰止め溝１０を自由な形状に形成することができると共に、精度良く正確に形成することができる。

また、この回路基板の製造方法によれば、基板１の上面に配線パターン８を形成する第１の工程と、配線パターン８の予め定められたパターン領域Ｅの周囲に位置する基板１に堰止め溝１０を形成する第２の工程と、パターン領域Ｅ内に位置する配線パターン８上にチップ部品４を配置させて封止材９でモールドする第３の工程と、を備えていることにより、基板全体の薄型化を図ることができると共に、配線パターン８を高密度で配線することができる。

すなわち、この回路基板の製造方法では、封止材９がチップ部品４を覆ってパターン領域Ｅ内に塗布された際に、封止材９の表面張力によって封止材９を盛り上げることができるので、封止材９によってチップ部品４を確実にかつ良好に覆うことができると共に、パターン領域Ｅ外への封止材９の流出を封止材９の表面張力によって堰止め溝１０の縁部で堰き止めることができる。また、封止材９が堰止め溝１０内に流れ込んでも堰止め溝１０内に留まり、封止材９は周囲に流れ出すことがない。

このため、この回路基板の製造方法では、パターン領域Ｅの周囲にダム部を盛り上げて設けた場合に比べて、基板全体の厚みを薄くすることができると共に、堰止め溝１０の溝幅をダム部の基礎幅よりも狭くすることができるので、堰止め溝１０による封止領域全体の面積をダム部による封止領域全体の面積よりも小さくすることができ、これにより基板１上に設けられる配線パターン８の配線密度を高めることができる。

また、この回路基板の製造方法では、第２の工程において、基板１のパターン領域Ｅの周囲に配線パターン８を避けて堰止め溝１０をレーザ加工によって形成することにより、基板１上に配線パターン８が設けられていても、堰止め溝１０を狭い溝幅で精度良く正確に形成することができると共に、効率良く形成することができる。すなわち、レーザ加工は、レーザ光線を絶縁層７に照射させながら走査させることにより、レーザ光線が照射された箇所の絶縁層７を溶融させて飛散させることができるので、堰止め溝１０を狭い溝幅で精度良く正確に形成することができる。

この場合、このレーザ加工では、レーザ光線を一定のエネルギーで照射させながら走査する際に、レーザ光線をミラーで反射させて照射させながら、ミラーの角度を少しずつ変えるだけで、レーザ光線が配線パターン８を傷付けることがなく、レーザ光線を精度良く正確に走査させることができる。このため、堰止め溝１０をレーザ加工によって自由な形状に形成することができると共に、効率良く形成することができる。

また、この回路基板の製造方法では、第１の工程において、基板１にレーザ光線を反射する反射層６を絶縁層７の下面全域に亘って設けていることにより、レーザ光線を照射させて堰止め溝１０を形成する際に、反射層６によってレーザ光線を反射させることができるので、堰止め溝１０を一定の深さで形成することができ、これによっても堰止め溝１０を精度良く正確に形成することができる。

また、この回路基板の製造方法では、堰止め溝１０が、パターン領域Ｅにおける配線パターン８の第１、第２配線口１１ａ、１１ｂを除いて連続した状態で設けられた主堰止め溝１２と、配線パターン８の第１、第２配線口１１ａ、１１ｂに対向して設けられ、第１、第２配線口１１ａ、１１ｂからの封止材９の流出を防ぐ第１、第２補助堰止め溝１３、１４と、を備えていることにより、パターン領域Ｅ外への封止材９の流出を確実にかつ良好に防ぐことができる。

すなわち、主堰止め溝１２は、パターン領域Ｅにおける配線パターン８の第１、第２配線口１１ａ、１１ｂを除いて、連続した状態で設けられていることにより、ほぼ長方形の掘状に不連続状態で形成することができ、これによりチップ部品４を覆って封止材９をパターン領域Ｅ内に塗布した際に、第１、第２配線口１１ａ、１１ｂを除いて、封止材９をその表面張力によって主堰止め溝１２の縁部で確実にかつ良好に堰き止めることができる。

また、第１、第２補助堰止め溝１３、１４は、配線パターン８を避けた状態で、配線パターン８の第１、第２配線口１１ａ、１１ｂに対向して設けられていることにより、チップ部品４を覆ってパターン領域Ｅ内に塗布された封止材９が第１、第２配線口１１ａ、１１ｂからパターン領域Ｅの外部に流出するのを確実にかつ良好に抑えることができる。

すなわち、第１補助堰止め溝１３は、配線パターン８の第１配線８ｃを避けた位置で、第１配線口１１ａに対向して設けられ、かつ一端部が第１配線口１１ａに位置する主堰止め溝１２の端部に連続して形成されていることにより、封止材９が第１配線口１１ａから流れ出しても、第１補助堰止め溝１３によって封止材９を堰き止めることができるので、封止材９が第１配線口１１ａからパターン領域Ｅの外に流れ出すのを防ぐことができる。また、封止材９が第１補助堰止め溝１３に流れ込んでも第１補助堰止め溝１３に留まり、封止材９は周囲へ流出することがない。

また、第２補助堰止め溝１４は、配線パターン８の第２配線８ｄを避けた状態で、第２配線口１１ｂに対向して設けられ、かつ一端部が第２配線口１１ｂに位置する主堰止め溝１２の端部に連続して形成されていることにより、第１補助堰止め溝１３と同様、封止材９が第２配線口１１ｂから流れ出しても、第２補助堰止め溝１４によって封止材９を堰き止めることができるので、封止材９が第２配線口１１ｂからパターン領域Ｅの外に流れ出すのを防ぐことができる。また、封止材９が第２補助堰止め溝１４に流れ込んでも第２補助堰止め溝１４に留まり、封止材９は周囲へ流出することがない。

なお、この発明は、上述した実施形態に限らず、例えば図６に示す第１変形例のように堰止め溝２０を形成しても良い。すなわち、この第１変形例の堰止め溝２０は、図６に示すように、パターン領域Ｅの周囲に沿って複数の点状部２０ａと複数の線状部２０ｂとを不連続状態で設けた構造になっている。

この場合、堰止め溝２０は、図６に示すように、全体がほぼ長方形状に形成されている。点状部２０ａは、円形状の凹部であり、例えば上辺部の両側部と下辺部の中間部との３箇所に設けられている。線状部２０ｂは、直線状の凹溝であり、例えば上辺部の中間部と下辺部の中間部および両側部と両側辺部との６箇所に設けられている。

また、配線パターン８の第１、第２配線口１１ａ、１１ｂは、図６に示すように、複数の点状部２０ａと複数の線状部２０ｂとの不連続部分に設けられている。また、複数の点状部２０ａと複数の線状部２０ｂとの不連続部分の間隔は、点状部２０ａの直径または線状部２０ｂの溝幅よりも狭く形成されていることが望ましい。

このような第１変形例の堰止め溝２０では、複数の点状部２０ａと複数の線状部２０ｂとを不連続状態で設けた構造であっても、チップ部品４を覆って封止材９をパターン領域Ｅ内に塗布した際に、封止材９の表面張力によって封止材９が複数の点状部２０ａと複数の線状部２０ｂとの不連続部分から流出することがないので、封止材９を堰止め溝２０によって確実にかつ良好に堰き止めることができる。また、封止材９が堰止め溝２０に流れ込んでも堰止め溝２０に留まり、封止材９は周囲へ流出することがない。

また、この発明は、上述した実施形態および第１変形例に限らず、例えば図７に示す第２変形例のように堰止め溝２５を形成しても良い。すなわち、この第２変形例の堰止め溝２５は、図７に示すように、配線パターン８の第１電極８ａと第２電極８ｂとを囲うパターン領域Ｅの周囲にその全周に亘ってほぼ楕円形状に連続して形成されている。

この場合の基板２６は、多層基板であり、上層基板に配線パターン８が設けられている。この配線パターン８の第１電極８ａと第２電極８ｂとは、スルーホールによって下層基板と電気的に接続されている。このため、配線パターン８は、上層基板に第１電極８ａと第２電極８ｂとが設けられている。この場合には、レーザ光線を反射する反射層６は、上層基板における絶縁層の下面に、チップ部品４が配置される配線パターン８のパターン領域Ｅの周囲に対応して環状に設けられていれば良い。

このような第２変形例の堰止め溝２５では、配線パターン８の第１電極８ａと第２電極８ｂとを囲うパターン領域Ｅの周囲にその全周に亘ってほぼ楕円形状に連続して形成されているので、チップ部品４を覆って封止材９をパターン領域Ｅ内に塗布した際に、封止材９の表面張力によってパターン領域Ｅ外への封止材９の流出を堰止め溝２５によって確実にかつ良好に堰き止めることができる。また、封止材９が堰止め溝２５に流れ込んでも堰止め溝２５に留まり、封止材９は周囲へ流出することがない。

また、上述した実施形態および第１、第２変形例では、チップ部品４が受光素子または発光素子である場合について述べたが、この発明は、これに限らず、例えばコンデンサチップや抵抗素子などのチップ部品であっても良い。

また、上述した実施形態および第１、第２変形例では、堰止め溝１０、２０、２５をレーザ加工によって形成した場合について述べたが、この発明はこれに限らず、機械加工によって形成しても良い。

さらに、上述した実施形態および第１、第２変形例では、腕時計に適用した場合について述べたが、この発明は必ずしも腕時計である必要はなく、例えばトラベルウオッチ、目覚まし時計、置き時計、掛け時計などの各種の時計にも適用することができる。また、この発明は、必ずしも時計である必要はなく、携帯電話機や携帯端末機などの各種の電子機器にも適用することができる。

以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、これに限られるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲を含むものである。
以下に、本願の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。

（付記）
請求項１に記載の発明は、表面に配線パターンが設けられた基板と、前記配線パターン上に配置されたチップ部品と、前記チップ部品を覆って保護する封止材と、前記配線パターンにおける前記チップ部品が配置されるパターン領域の周囲に設けられ、前記封止材の流出を防ぐ堰止め溝と、を備えていることを特徴とする回路基板である。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の回路基板において、前記堰止め溝は、レーザ加工によって前記配線パターンを避けて設けられていることを特徴とする回路基板である。

請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の回路基板において、前記基板の中間層には、レーザ光線を反射する反射層が、少なくとも前記パターン領域の周囲に対応して設けられていることを特徴とする回路基板である。

請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３のいずれかに記載された回路基板を備えていることを特徴とする電子機器である。

請求項５に記載の発明は、基板の上面に配線パターンを形成する第１の工程と、前記配線パターンの予め定められたパターン領域の周囲に位置する前記基板に堰止め溝を形成する第２の工程と、前記パターン領域内に位置する前記配線パターン上にチップ部品を配置させて封止材でモールドする第３の工程と、を備えていることを特徴とする回路基板の製造方法である。

請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の回路基板の製造方法において、前記第２の工程では、前記基板の前記パターン領域の周囲に前記配線パターンを避けて前記堰止め溝をレーザ加工によって形成することを特徴とする回路基板の製造方法である。

請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の回路基板の製造方法において、前記第１の工程では、前記基板の中間層に、レーザ光線を反射する反射層が、少なくとも前記パターン領域の周囲に対応して設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法である。

請求項８に記載の発明は、請求項５〜請求項７のいずれかに記載の回路基板の製造方法において、前記堰止め溝は、前記パターン領域における前記配線パターンの配線口を除いて連続した状態で設けられた主堰止め溝と、前記配線パターンの前記配線口に対向して設けられ、前記配線口からの前記封止材の流出を防ぐ補助堰止め溝と、を備えていることを特徴とする回路基板の製造方法である。

請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の回路基板の製造方法において、前記補助堰止め溝は、前記配線パターンを避けて一端部が前記主堰止め溝に連続して設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法である。

請求項１０に記載の発明は、請求項５〜請求項７のいずれかに記載の回路基板の製造方法において、前記堰止め溝は、前記パターン領域の周囲に沿って複数の点状部または複数の線状部が不連続状態で設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法である。

請求項１１に記載の発明は、請求項１０に記載の回路基板の製造方法において、前記堰止め溝における不連続部の間隔は、前記点状部の直径または前記線状部の溝幅よりも狭く形成されていることを特徴とする回路基板の製造方法である。

請求項１２に記載の発明は、請求項５〜請求項７のいずれかに記載の回路基板の製造方法において、前記基板は多層基板であり、上層基板の上面に前記配線パターンが設けられており、前記配線パターンはスルーホールによって下層基板に接続されており、前記堰止め溝は前記パターン領域の全周に沿って連続して設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法である。

請求項１３に記載の発明は、請求項１２に記載の回路基板の製造方法において、前記反射層は、前記パターン領域の周囲に対応して環状に設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法である。

１、２６ 基板
２ 発光部
３ 受光部
４ チップ部品
５ ベース層
６ 反射層
７ 絶縁層
８ 配線パターン
８ａ、８ｂ 第１、第２電極
８ｃ、８ｄ 第１、第２配線
９ 封止材
１０、２０、２５ 堰止め溝
１１ａ、１１ｂ 第１、第２配線口
１２ 主堰止め溝
１３、１４ 第１、第２補助堰止め溝
２０ａ 点状部
２０ｂ 線状部

Claims (13)

1. 表面に配線パターンが設けられた基板と、
   前記配線パターン上に配置されたチップ部品と、
   前記チップ部品を覆って保護する封止材と、
   前記配線パターンにおける前記チップ部品が配置されるパターン領域の周囲に設けられ、前記封止材の流出を防ぐ堰止め溝と、
   を備えていることを特徴とする回路基板。
2. 請求項１に記載の回路基板において、前記堰止め溝は、レーザ加工によって前記配線パターンを避けて設けられていることを特徴とする回路基板。
3. 請求項１または請求項２に記載の回路基板において、前記基板の中間層には、レーザ光線を反射する反射層が、少なくとも前記パターン領域の周囲に対応して設けられていることを特徴とする回路基板。
4. 請求項１〜請求項３のいずれかに記載された回路基板を備えていることを特徴とする電子機器。
5. 基板の上面に配線パターンを形成する第１の工程と、
   前記配線パターンの予め定められたパターン領域の周囲に位置する前記基板に堰止め溝を形成する第２の工程と、
   前記パターン領域内に位置する前記配線パターン上にチップ部品を配置させて封止材でモールドする第３の工程と、
   を備えていることを特徴とする回路基板の製造方法。
6. 請求項５に記載の回路基板の製造方法において、前記第２の工程では、前記基板の前記パターン領域の周囲に前記配線パターンを避けて前記堰止め溝をレーザ加工によって形成することを特徴とする回路基板の製造方法。
7. 請求項６に記載の回路基板の製造方法において、前記第１の工程では、前記基板の中間層に、レーザ光線を反射する反射層が、少なくとも前記パターン領域の周囲に対応して設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法。
8. 請求項５〜請求項７のいずれかに記載の回路基板の製造方法において、前記堰止め溝は、前記パターン領域における前記配線パターンの配線口を除いて連続した状態で設けられた主堰止め溝と、前記配線パターンの前記配線口に対向して設けられ、前記配線口からの前記封止材の流出を防ぐ補助堰止め溝と、を備えていることを特徴とする回路基板の製造方法。
9. 請求項８に記載の回路基板の製造方法において、前記補助堰止め溝は、前記配線パターンを避けて一端部が前記主堰止め溝に連続して設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法。
10. 請求項５〜請求項７のいずれかに記載の回路基板の製造方法において、前記堰止め溝は、前記パターン領域の周囲に沿って複数の点状部または複数の線状部が不連続状態で設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法。
11. 請求項１０に記載の回路基板の製造方法において、前記堰止め溝における不連続部の間隔は、前記点状部の直径または前記線状部の溝幅よりも狭く形成されていることを特徴とする回路基板の製造方法。
12. 請求項５〜請求項７のいずれかに記載の回路基板の製造方法において、前記基板は多層基板であり、上層基板の上面に前記配線パターンが設けられており、前記配線パターンはスルーホールによって下層基板に接続されており、前記堰止め溝は前記パターン領域の全周に沿って連続して設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法。
13. 請求項１２に記載の回路基板の製造方法において、前記反射層は、前記パターン領域の周囲に対応して環状に設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法。

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