JP2019062064A - Circuit board, electronic apparatus, and manufacturing method of circuit board - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板全体の薄型化を図り、かつ高密度配線ができる回路基板、それを備えた電子機器、および回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】 表面に配線パターン8が設けられた基板1と、配線パターン8上に配置されたチップ部品4と、このチップ部品4を覆って保護する封止材9と、配線パターン8におけるチップ部品4が配置されるパターン領域Eの周囲に設けられ、封止材9の流出を防ぐ堰止め溝10と、を備えている。従って、封止材9によってチップ部品4を確実にかつ良好に覆うことができると共に、パターン領域E外への封止材9の流出を封止材9の表面張力によって堰止め溝10の縁部で堰き止めることができる。このため、基板全体の薄型化を図ることができ、かつ配線パターン8の配線密度を高めることができる。【選択図】 図3PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit board capable of thinning the entire substrate and capable of high-density wiring, an electronic device provided with the circuit board, and a method for manufacturing the circuit board. SOLUTION: A substrate 1 having a wiring pattern 8 on its surface, a chip component 4 arranged on the wiring pattern 8, a sealing material 9 for covering and protecting the chip component 4, and a chip in the wiring pattern 8. It is provided around the pattern region E in which the component 4 is arranged, and includes a damming groove 10 for preventing the sealing material 9 from flowing out. Therefore, the chip component 4 can be reliably and satisfactorily covered by the sealing material 9, and the outflow of the sealing material 9 to the outside of the pattern region E is prevented by the surface tension of the sealing material 9 at the edge of the blocking groove 10. Can be dammed up with. Therefore, the thickness of the entire substrate can be reduced, and the wiring density of the wiring pattern 8 can be increased. [Selection diagram] Fig. 3
Description
この発明は、腕時計などの電子機器に用いられる回路基板、それを備えた電子機器、および回路基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a circuit board used in an electronic device such as a watch, an electronic device provided with the circuit board, and a method of manufacturing the circuit board.
例えば、電子機器に組み込まれる回路基板においては、特許文献1に記載されているように、基板上に配線パターンを形成し、この配線パターン上に半導体素子などのチップ部品を搭載し、このチップ部品を封止材でモールドした構造のものが知られている。
For example, in a circuit board to be incorporated in an electronic device, as described in
このような回路基板では、チップ部品をモールドする封止材が周囲に流出するのを防ぐために、チップ部品が搭載されるパターン領域の外周にガラスペーストなどの絶縁材をポッティングしてダム部を形成している。 In such a circuit board, a dam portion is formed by potting an insulating material such as glass paste on the outer periphery of the pattern region on which the chip component is mounted in order to prevent the sealing material for molding the chip component from flowing out to the periphery doing.
しかしながら、このような回路基板では、チップ部品が搭載されるパターン領域の外周にダム部を封止材よりも高く盛り上げて形成しなければならないため、基板全体の厚みが厚くなるという問題がるほか、ダム部によって封止領域全体の面積が広くなるため、配線パターンを基板上に高密度で配線することができないという問題がある。 However, in such a circuit board, since the dam portion must be raised and formed higher than the sealing material on the outer periphery of the pattern area on which the chip component is mounted, there is a problem that the entire board becomes thick. Since the area of the entire sealing region is increased by the dam portion, there is a problem that the wiring pattern can not be wired at a high density on the substrate.
この発明が解決しようとする課題は、基板全体の薄型化を図り、かつ高密度配線ができる回路基板、それを備えた電子機器、および回路基板の製造方法を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide a circuit board capable of reducing the thickness of the entire substrate and enabling high-density wiring, an electronic device provided with the circuit board, and a method of manufacturing the circuit board.
この発明は、表面に配線パターンが設けられた基板と、前記配線パターン上に配置されたチップ部品と、前記チップ部品を覆って保護する封止材と、前記配線パターンにおける前記チップ部品が配置されるパターン領域の周囲に設けられ、前記封止材の流出を防ぐ堰止め溝と、を備えていることを特徴とする回路基板である。 According to the present invention, a substrate provided with a wiring pattern on the surface, a chip component disposed on the wiring pattern, a sealing material for covering and protecting the chip component, and the chip component in the wiring pattern are disposed. And a ditch groove provided around the pattern area to prevent the sealing material from flowing out.
また、この発明は、基板の上面に配線パターンを形成する第1の工程と、前記配線パターンの予め定められたパターン領域の周囲に位置する前記基板に堰止め溝を形成する第2の工程と、前記パターン領域内に位置する前記配線パターン上にチップ部品を配置させて封止材でモールドする第3の工程と、を備えていることを特徴とする回路基板の製造方法である。 Further, according to the present invention, a first step of forming a wiring pattern on the upper surface of the substrate, and a second step of forming a wedging groove in the substrate located around a predetermined pattern area of the wiring pattern And a third step of disposing a chip component on the wiring pattern positioned in the pattern area and molding the same with a sealing material.
この発明によれば、基板全体の薄型化を図ることができると共に、配線パターンの高密度化を図ることができる。 According to the present invention, the thickness of the entire substrate can be reduced, and the density of the wiring pattern can be increased.
以下、図1〜図5を参照して、この発明を適用した回路基板の一実施形態について説明する。
この回路基板は、腕時計に組み込まれるものであり、図1に示すように、基板1を備えている。この基板1には、時計の針位置を光学的に検出するための発光部2と受光部3とが設けられている。
An embodiment of a circuit board to which the present invention is applied will be described below with reference to FIGS. 1 to 5.
This circuit board is to be incorporated in a wristwatch and comprises a
発光部2は、発光素子を備え、指針の運針領域内の所定箇所で光を発光するように構成されている。また、受光部3は、受光素子を備え、発光部2で発光した光が指針に照射された際に、その反射光を受光することにより、針位置を検出するように構成されている。この場合、発光部2と受光部3とは、図2に示すチップ部品4が異なる構造であり、これ以外は同じ構造になっている。このため、以下では、受光部3について説明する。
The
発光部2と受光部3とが設けられる基板1は、図2および図3に示すように、下から順に、ベース層5と、レーザ光線を反射する反射層6と、絶縁層7とを積層した構造になっている。この基板1の絶縁層7上には、図2〜図4に示すように、配線パターン8が設けられている。この配線パターン8は、第1電極8a、第2電極8b、第1配線8c、第2配線8dを備えている。
The
この場合、第1電極8aには、図4に示すように、第1配線8cが接続されている。第2電極8bは、第1電極8aに隣接して設けられており、この第2電極8bには、第2配線8dが接続されている。この配線パターン8の第1電極8a上には、図2〜図4に示すように、チップ部品4が配置されている。このチップ部品4は、受光部3のフォトトランジスタなどの受光素子である。発光部2の場合には、発光ダイオード(LED)などの発光素子である。
In this case, as shown in FIG. 4, the
このチップ部品4は、図2〜図4に示すように、その下面が第1電極8a上に半田で接続固定されて第1電極8aと電気的に接続され、上面がボンディングワイヤー4aによって第2電極8bと電気的に接続されている。また、このチップ部品4は、封止材9によってモールドされている。
The lower surface of the
この場合、配線パターン8におけるチップ部品4が配置されるパターン領域Eの周囲には、図4に示すように、パターン領域E外への封止材9の流出を防ぐ堰止め溝10が設けられている。すなわち、パターン領域Eは、配線パターン8における第1電極8aと第2電極8bとを囲う領域である。
In this case, around the pattern area E where the
堰止め溝10は、図2〜図4に示すように、レーザ加工によって基板1の絶縁層7を剥離することにより、パターン領域Eの周囲にほぼ長方形の掘状に形成されている。すなわち、この堰止め溝10は、レーザ加工によって絶縁層7を剥離する際に、絶縁層7の下面に設けられた反射層6によってレーザ光線が反射されることにより、絶縁層7のみが剥離されることによって形成されている。この堰止め溝10は、主堰止め溝12と第1、第2補助堰止め溝13、14とを備えている。
As shown in FIGS. 2 to 4, the
主堰止め溝12は、図4に示すように、パターン領域Eにおける配線パターン8の第1、第2配線8c、8dがそれぞれ引き出される第1、第2配線口11a、11bを除いて、ほぼ長方形状に設けられている。第1、第2補助堰止め溝13、14は、配線パターン8の第1、第2配線8c、8dを避けた状態で、配線パターン8の第1、第2配線口11a、11bに対向して設けられ、第1、第2配線口11a、11bからの封止材9の流出を防ぐように構成されている。
As shown in FIG. 4, the
すなわち、第1補助堰止め溝13は、図4に示すように、配線パターン8の第1配線8cを避けた状態で、第1配線口11aに対向して設けられている。この第1補助堰止め溝13は、一端部(図4では下端部)が第1配線口11aに位置する主堰止め溝12の端部(図4では下部側の端部)に連続して形成されている。これにより、主堰止め溝12と第1補助堰止め溝13とは、配線パターン8の第1配線8cを遮ることなく形成されている。
That is, as shown in FIG. 4, the first
また、第2補助堰止め溝14は、図4に示すように、配線パターン8の第2配線8dを避けた状態で、第2配線口11bに対向して設けられている。この場合にも、第2補助堰止め溝14は、一端部(図4では左端部)が第2配線口11bに位置する主堰止め溝12の端部(図4では左端部)に連続して形成されている。これにより、主堰止め溝12と第2補助堰止め溝14とは、配線パターン8の第2配線8dを遮ることなく形成されている。
Further, as shown in FIG. 4, the second
このため、封止材9は、図3に示すように、チップ部品4上にポッティングされた際に、チップ部品4を覆った状態で、表面張力によって盛り上がってパターン領域E内に塗布される。すなわち、この封止材9は、チップ部品4を覆ってパターン領域E内に塗布された際に、パターン領域E外に流出することなく、封止材9の表面張力によって堰止め溝10の縁部、つまり主堰止め溝12の縁部および第1、第2補助堰止め溝13、14の縁部で堰き止められ、この状態で硬化されている。
For this reason, as shown in FIG. 3, when potting on the
また、封止材9が堰止め溝10に流れ込んでも堰止め溝10は掘状に形成されているので、封止材9は堰止め溝10に留まり、封止材9は周囲に流出することはなく、堰止め溝10に留まった状態で硬化されている。つまり主堰止め溝12および第1、第2補助堰止め溝13、14に封止材9が流れ込んでも封止材9は主堰止め溝12および第1、第2補助堰止め溝13、14に留まり、封止材9は周囲に流出することはなく、主堰止め溝12および第1、第2補助堰止め溝13、14に留まった状態で硬化されている。
Further, even if the sealing
次に、図5(a)〜図5(c)を参照して、この回路基板を製造する場合について説明する。
図5(a)に示す第1の工程では、まず、ベース層5と、レーザ光線を反射する反射層6と、絶縁層7とを下から順に積層させて、基板1を形成し、この基板1の絶縁層7上に配線パターン8を形成する。
Next, a case of manufacturing this circuit board will be described with reference to FIGS. 5 (a) to 5 (c).
In the first step shown in FIG. 5A, first, the
このときには、絶縁層7上に銅箔をラミネートし、このラミネートされた銅箔をパターニングすることにより、図4に示すように、第1電極8a、第2電極8b、第1配線8c、第2配線8dが配線パターン8として形成される。この場合、第1電極8aと第2電極8bとは互いに接近して配置される。第1配線8cは、第1電極8aから第1配線口11aを通して引き出される。第2配線8dは、第2電極8bから第2配線口11bを通して引き出される。
At this time, a copper foil is laminated on the insulating
図5(b)に示す第2の工程では、配線パターン8の予め定められたパターン領域E、つまり第1電極8aと第2電極8bとを囲うパターン領域Eの周囲に位置する基板1の絶縁層7に堰止め溝10をレーザ加工によって形成する。このレーザ加工は、レーザ光線を絶縁層7に照射させながら走査させることにより、レーザ光線が照射された箇所の絶縁層7を溶融させて飛散させることにより、主堰止め溝12および第1、第2補助堰止め溝13、14を形成する。
In the second step shown in FIG. 5B, the insulation of the
すなわち、このレーザ加工では、レーザ光線を一定のエネルギーで絶縁層7に照射させながら走査する際に、レーザ光線をミラーで反射させて、絶縁層7に照射させながら、ミラーの角度を少しずつ変えることにより、レーザ光線が配線パターン8を傷付けることがなく、レーザ光線を精度良く正確に走査させる。このときには、絶縁層7の下層に設けられた反射層6によってレーザ光線が反射されるので、絶縁層7のみを一定の深さで剥離して、主堰止め溝12および第1、第2補助堰止め溝13、14を形成する。
That is, in this laser processing, when scanning while irradiating the laser beam to the insulating
これにより、主堰止め溝12は、図4に示すように、配線パターン8のパターン領域Eの周囲に、第1、第2配線口11a、11bを除いて、ほぼ長方形の掘状に不連続状態で形成される。第1補助堰止め溝13は、配線パターン8の第1配線8cを避けた位置で、第1配線口11aに対向して設けられる。
Thereby, as shown in FIG. 4, the main hooking
この場合、第1補助堰止め溝13は、一端部(図4では下端部)が第1配線口11aに位置する主堰止め溝12の端部(図4では下部側の端部)に連続して形成されている。これにより、主堰止め溝12と第1補助堰止め溝13とは、配線パターン8の第1配線8cを遮ることなく形成される。
In this case, the first
また、第2補助堰止め溝14は、図4に示すように、配線パターン8の第2配線8dを避けた状態で、第2配線口11bに対向して設けられる。この場合にも、第2補助堰止め溝14は、一端部(図4では左端部)が第2配線口11bに位置する主堰止め溝12の端部(図4では左端部)に連続して形成されている。これにより、主堰止め溝12と第2補助堰止め溝14とは、配線パターン8の第2配線8dを遮ることなく形成される。
Further, as shown in FIG. 4, the second
図5(c)に示す第3の工程では、基板1の配線パターン8上にチップ部品4を配置させて封止材9でモールドする。すなわち、チップ部品4を配線パターン8の第1電極8a上に半田で接続固定し、このチップ部品4をボンディングワイヤー4aによって第2電極8bと電気的に接続する。これにより、チップ部品4は、その下面が第1電極8a上に半田で接続固定されて第1電極8aと電気的に接続され、上面がボンディングワイヤー4aによって第2電極8bと電気的に接続される。
In the third step shown in FIG. 5C, the
この状態で、チップ部品4を封止材9でモールドする。このときには、封止材9をチップ部品4上にポッティングする。すると、封止材9がチップ部品4を覆い、表面張力によって盛り上がってパターン領域E内に塗布される。すなわち、この封止材9は、チップ部品4を覆ってパターン領域E内に塗布された際に、封止材9の表面張力によって堰止め溝10の縁部、つまり主堰止め溝12の縁部および第1、第2補助堰止め溝13、14の各縁部によって堰き止められる。
In this state, the
このときには、封止材9が表面張力によって堰止め溝10の縁部で堰き止められるので、堰止め溝10内にほとんど流れ込むことがない。また、堰止め溝10内に流れ込んでも堰止め溝10内に留まり、封止材9は周囲に流れ出すことがない。また、封止材9は第1配線口11aから流れ出しても、第1補助堰止め溝13によって堰き止められるので、パターン領域Eの外に流れ出すことがない。
At this time, since the sealing
同様に、封止材9は第2配線口11bから流れ出しても、第2補助堰止め溝14によって堰き止められるので、パターン領域Eの外に流れ出すことがない。また、第1補助堰止め溝13内又は第2補助堰止め溝14内に流れ込んでも第1補助堰止め溝13内又は第2補助堰止め溝14内に留まり、封止材9は周囲に流れ出すことがない。この状態で、封止材9を硬化させる。
Similarly, the sealing
この場合、封止材9は、熱硬化樹脂であっても良く、また紫外線硬化樹脂であっても良い。封止材9が熱硬化樹脂である場合には、チップ部品4を覆って封止材9をパターン領域E内に塗布させた状態で、加熱して乾燥させることにより、簡単に硬化させることができる。また、封止材9が紫外線硬化樹脂である場合には、チップ部品4を覆って封止材9をパターン領域E内に塗布させた状態で、紫外線を照射させることにより、簡単に硬化させることができる。
In this case, the sealing
このように、この回路基板によれば、表面に配線パターン8が設けられた基板1と、配線パターン8上に配置されたチップ部品4と、このチップ部品4を覆って保護する封止材9と、配線パターン8におけるチップ部品4が配置されるパターン領域Eの周囲に設けられ、封止材9の流出を防ぐ堰止め溝10と、を備えていることにより、基板全体の薄型化を図ることができると共に、配線パターン8の高密度配線を図ることができる。
As described above, according to this circuit board, the
すなわち、この回路基板では、封止材9がチップ部品4を覆ってパターン領域E内に塗布されると、封止材9の表面張力によってチップ部品4を確実にかつ良好に覆うことができると共に、パターン領域E外への封止材9の流出を封止材9の表面張力によって堰止め溝10の縁部で堰き止めることができる。また、封止材9が堰止め溝10内に流れ込んでも堰止め溝10内に留まり、封止材9は周囲に流れ出すことがない。
That is, in this circuit board, when the sealing
このため、この回路基板では、パターン領域Eの周囲にダム部を盛り上げて設けた場合に比べて、基板全体の厚みを薄くすることができると共に、堰止め溝10の溝幅をダム部の基礎幅よりも狭くすることができるので、堰止め溝10による封止領域全体の面積をダム部による封止領域全体の面積よりも小さくすることができ、これにより基板1上に設けられる配線パターン8の配線密度を高めることができる。
For this reason, in this circuit board, the thickness of the entire board can be made thinner than when the dam portion is raised and provided around the pattern area E, and the groove width of the
また、この回路基板では、堰止め溝10がレーザ加工によって配線パターン8を避けて設けられていることにより、基板1上に配線パターン8が形成されていても、堰止め溝10を狭い溝幅で精度良く正確に形成することができると共に、効率良く形成することができる。すなわち、レーザ加工は、レーザ光線を一定のエネルギーで照射させながら走査することにより、レーザ光線によって配線パターン8を傷付けることがなく、堰止め溝10を狭い溝幅で精度良く正確に形成することができる。
Further, in this circuit board, since the damming
この場合、基板1には、レーザ光線を反射する反射層6が絶縁層7の下面全域に亘って設けられていることにより、レーザ光線を照射させて堰止め溝10を形成する際に、反射層6によってレーザ光線を反射させることができるので、堰止め溝10を一定の深さで形成することができる。このため、レーザ光線によって堰止め溝10を自由な形状に形成することができると共に、精度良く正確に形成することができる。
In this case, the reflection layer 6 for reflecting the laser beam is provided on the entire lower surface of the insulating
また、この回路基板の製造方法によれば、基板1の上面に配線パターン8を形成する第1の工程と、配線パターン8の予め定められたパターン領域Eの周囲に位置する基板1に堰止め溝10を形成する第2の工程と、パターン領域E内に位置する配線パターン8上にチップ部品4を配置させて封止材9でモールドする第3の工程と、を備えていることにより、基板全体の薄型化を図ることができると共に、配線パターン8を高密度で配線することができる。
Further, according to the circuit board manufacturing method, the first step of forming the
すなわち、この回路基板の製造方法では、封止材9がチップ部品4を覆ってパターン領域E内に塗布された際に、封止材9の表面張力によって封止材9を盛り上げることができるので、封止材9によってチップ部品4を確実にかつ良好に覆うことができると共に、パターン領域E外への封止材9の流出を封止材9の表面張力によって堰止め溝10の縁部で堰き止めることができる。また、封止材9が堰止め溝10内に流れ込んでも堰止め溝10内に留まり、封止材9は周囲に流れ出すことがない。
That is, in this method of manufacturing a circuit board, when the sealing
このため、この回路基板の製造方法では、パターン領域Eの周囲にダム部を盛り上げて設けた場合に比べて、基板全体の厚みを薄くすることができると共に、堰止め溝10の溝幅をダム部の基礎幅よりも狭くすることができるので、堰止め溝10による封止領域全体の面積をダム部による封止領域全体の面積よりも小さくすることができ、これにより基板1上に設けられる配線パターン8の配線密度を高めることができる。
For this reason, in the method of manufacturing a circuit board, the thickness of the entire board can be made thinner than when the dam portion is raised and provided around the pattern area E, and the groove width of the
また、この回路基板の製造方法では、第2の工程において、基板1のパターン領域Eの周囲に配線パターン8を避けて堰止め溝10をレーザ加工によって形成することにより、基板1上に配線パターン8が設けられていても、堰止め溝10を狭い溝幅で精度良く正確に形成することができると共に、効率良く形成することができる。すなわち、レーザ加工は、レーザ光線を絶縁層7に照射させながら走査させることにより、レーザ光線が照射された箇所の絶縁層7を溶融させて飛散させることができるので、堰止め溝10を狭い溝幅で精度良く正確に形成することができる。
Further, in the method of manufacturing the circuit board, the wiring pattern is formed on the
この場合、このレーザ加工では、レーザ光線を一定のエネルギーで照射させながら走査する際に、レーザ光線をミラーで反射させて照射させながら、ミラーの角度を少しずつ変えるだけで、レーザ光線が配線パターン8を傷付けることがなく、レーザ光線を精度良く正確に走査させることができる。このため、堰止め溝10をレーザ加工によって自由な形状に形成することができると共に、効率良く形成することができる。
In this case, in this laser processing, when scanning while irradiating a laser beam with a constant energy, the laser beam is a wiring pattern only by changing the angle of the mirror little by little while reflecting and irradiating the laser beam with the mirror. The laser beam can be scanned accurately and accurately without damaging the
また、この回路基板の製造方法では、第1の工程において、基板1にレーザ光線を反射する反射層6を絶縁層7の下面全域に亘って設けていることにより、レーザ光線を照射させて堰止め溝10を形成する際に、反射層6によってレーザ光線を反射させることができるので、堰止め溝10を一定の深さで形成することができ、これによっても堰止め溝10を精度良く正確に形成することができる。
Further, in the method of manufacturing the circuit board, the laser beam is irradiated by providing the reflection layer 6 for reflecting the laser beam on the
また、この回路基板の製造方法では、堰止め溝10が、パターン領域Eにおける配線パターン8の第1、第2配線口11a、11bを除いて連続した状態で設けられた主堰止め溝12と、配線パターン8の第1、第2配線口11a、11bに対向して設けられ、第1、第2配線口11a、11bからの封止材9の流出を防ぐ第1、第2補助堰止め溝13、14と、を備えていることにより、パターン領域E外への封止材9の流出を確実にかつ良好に防ぐことができる。
Further, in the method of manufacturing the circuit board, the
すなわち、主堰止め溝12は、パターン領域Eにおける配線パターン8の第1、第2配線口11a、11bを除いて、連続した状態で設けられていることにより、ほぼ長方形の掘状に不連続状態で形成することができ、これによりチップ部品4を覆って封止材9をパターン領域E内に塗布した際に、第1、第2配線口11a、11bを除いて、封止材9をその表面張力によって主堰止め溝12の縁部で確実にかつ良好に堰き止めることができる。
That is, the main hooking
また、第1、第2補助堰止め溝13、14は、配線パターン8を避けた状態で、配線パターン8の第1、第2配線口11a、11bに対向して設けられていることにより、チップ部品4を覆ってパターン領域E内に塗布された封止材9が第1、第2配線口11a、11bからパターン領域Eの外部に流出するのを確実にかつ良好に抑えることができる。
Further, the first and second
すなわち、第1補助堰止め溝13は、配線パターン8の第1配線8cを避けた位置で、第1配線口11aに対向して設けられ、かつ一端部が第1配線口11aに位置する主堰止め溝12の端部に連続して形成されていることにより、封止材9が第1配線口11aから流れ出しても、第1補助堰止め溝13によって封止材9を堰き止めることができるので、封止材9が第1配線口11aからパターン領域Eの外に流れ出すのを防ぐことができる。また、封止材9が第1補助堰止め溝13に流れ込んでも第1補助堰止め溝13に留まり、封止材9は周囲へ流出することがない。
That is, the first
また、第2補助堰止め溝14は、配線パターン8の第2配線8dを避けた状態で、第2配線口11bに対向して設けられ、かつ一端部が第2配線口11bに位置する主堰止め溝12の端部に連続して形成されていることにより、第1補助堰止め溝13と同様、封止材9が第2配線口11bから流れ出しても、第2補助堰止め溝14によって封止材9を堰き止めることができるので、封止材9が第2配線口11bからパターン領域Eの外に流れ出すのを防ぐことができる。また、封止材9が第2補助堰止め溝14に流れ込んでも第2補助堰止め溝14に留まり、封止材9は周囲へ流出することがない。
Further, the second
なお、この発明は、上述した実施形態に限らず、例えば図6に示す第1変形例のように堰止め溝20を形成しても良い。すなわち、この第1変形例の堰止め溝20は、図6に示すように、パターン領域Eの周囲に沿って複数の点状部20aと複数の線状部20bとを不連続状態で設けた構造になっている。
The present invention is not limited to the embodiment described above, and for example, the
この場合、堰止め溝20は、図6に示すように、全体がほぼ長方形状に形成されている。点状部20aは、円形状の凹部であり、例えば上辺部の両側部と下辺部の中間部との3箇所に設けられている。線状部20bは、直線状の凹溝であり、例えば上辺部の中間部と下辺部の中間部および両側部と両側辺部との6箇所に設けられている。
In this case, as shown in FIG. 6, the locking
また、配線パターン8の第1、第2配線口11a、11bは、図6に示すように、複数の点状部20aと複数の線状部20bとの不連続部分に設けられている。また、複数の点状部20aと複数の線状部20bとの不連続部分の間隔は、点状部20aの直径または線状部20bの溝幅よりも狭く形成されていることが望ましい。
Further, as shown in FIG. 6, the first and
このような第1変形例の堰止め溝20では、複数の点状部20aと複数の線状部20bとを不連続状態で設けた構造であっても、チップ部品4を覆って封止材9をパターン領域E内に塗布した際に、封止材9の表面張力によって封止材9が複数の点状部20aと複数の線状部20bとの不連続部分から流出することがないので、封止材9を堰止め溝20によって確実にかつ良好に堰き止めることができる。また、封止材9が堰止め溝20に流れ込んでも堰止め溝20に留まり、封止材9は周囲へ流出することがない。
In the damming
また、この発明は、上述した実施形態および第1変形例に限らず、例えば図7に示す第2変形例のように堰止め溝25を形成しても良い。すなわち、この第2変形例の堰止め溝25は、図7に示すように、配線パターン8の第1電極8aと第2電極8bとを囲うパターン領域Eの周囲にその全周に亘ってほぼ楕円形状に連続して形成されている。
Further, the present invention is not limited to the above-described embodiment and the first modification, and for example, the
この場合の基板26は、多層基板であり、上層基板に配線パターン8が設けられている。この配線パターン8の第1電極8aと第2電極8bとは、スルーホールによって下層基板と電気的に接続されている。このため、配線パターン8は、上層基板に第1電極8aと第2電極8bとが設けられている。この場合には、レーザ光線を反射する反射層6は、上層基板における絶縁層の下面に、チップ部品4が配置される配線パターン8のパターン領域Eの周囲に対応して環状に設けられていれば良い。
The
このような第2変形例の堰止め溝25では、配線パターン8の第1電極8aと第2電極8bとを囲うパターン領域Eの周囲にその全周に亘ってほぼ楕円形状に連続して形成されているので、チップ部品4を覆って封止材9をパターン領域E内に塗布した際に、封止材9の表面張力によってパターン領域E外への封止材9の流出を堰止め溝25によって確実にかつ良好に堰き止めることができる。また、封止材9が堰止め溝25に流れ込んでも堰止め溝25に留まり、封止材9は周囲へ流出することがない。
In the damming
また、上述した実施形態および第1、第2変形例では、チップ部品4が受光素子または発光素子である場合について述べたが、この発明は、これに限らず、例えばコンデンサチップや抵抗素子などのチップ部品であっても良い。
In the embodiment and the first and second modifications described above, the
また、上述した実施形態および第1、第2変形例では、堰止め溝10、20、25をレーザ加工によって形成した場合について述べたが、この発明はこれに限らず、機械加工によって形成しても良い。
In the above-described embodiment and the first and second modified examples, although the case where the locking
さらに、上述した実施形態および第1、第2変形例では、腕時計に適用した場合について述べたが、この発明は必ずしも腕時計である必要はなく、例えばトラベルウオッチ、目覚まし時計、置き時計、掛け時計などの各種の時計にも適用することができる。また、この発明は、必ずしも時計である必要はなく、携帯電話機や携帯端末機などの各種の電子機器にも適用することができる。 Furthermore, although the case where it applied to a wristwatch in the embodiment and the 1st, 2nd modification which were mentioned was described, this invention does not necessarily need to be a wristwatch, for example, various kinds, such as a travel watch, an alarm clock, a clock, a clock, etc. It can also be applied to watches. Further, the present invention does not necessarily have to be a watch, and can be applied to various electronic devices such as mobile phones and mobile terminals.
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、これに限られるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲を含むものである。
以下に、本願の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this, The invention described in the claim, and the range of equivalence are included.
The invention described in the claims of the present application is appended below.
(付記)
請求項1に記載の発明は、表面に配線パターンが設けられた基板と、前記配線パターン上に配置されたチップ部品と、前記チップ部品を覆って保護する封止材と、前記配線パターンにおける前記チップ部品が配置されるパターン領域の周囲に設けられ、前記封止材の流出を防ぐ堰止め溝と、を備えていることを特徴とする回路基板である。
(Supplementary note)
The invention according to
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の回路基板において、前記堰止め溝は、レーザ加工によって前記配線パターンを避けて設けられていることを特徴とする回路基板である。 A second aspect of the present invention is the circuit board according to the first aspect, wherein the dam groove is provided to avoid the wiring pattern by laser processing.
請求項3に記載の発明は、請求項1または請求項2に記載の回路基板において、前記基板の中間層には、レーザ光線を反射する反射層が、少なくとも前記パターン領域の周囲に対応して設けられていることを特徴とする回路基板である。
The invention according to
請求項4に記載の発明は、請求項1〜請求項3のいずれかに記載された回路基板を備えていることを特徴とする電子機器である。
The invention according to
請求項5に記載の発明は、基板の上面に配線パターンを形成する第1の工程と、前記配線パターンの予め定められたパターン領域の周囲に位置する前記基板に堰止め溝を形成する第2の工程と、前記パターン領域内に位置する前記配線パターン上にチップ部品を配置させて封止材でモールドする第3の工程と、を備えていることを特徴とする回路基板の製造方法である。 The invention according to a fifth aspect comprises a first step of forming a wiring pattern on the upper surface of a substrate, and a second step of forming a wedging groove in the substrate located around a predetermined pattern area of the wiring pattern. And a third step of disposing a chip component on the wiring pattern positioned in the pattern area and molding the same with a sealing material. .
請求項6に記載の発明は、請求項5に記載の回路基板の製造方法において、前記第2の工程では、前記基板の前記パターン領域の周囲に前記配線パターンを避けて前記堰止め溝をレーザ加工によって形成することを特徴とする回路基板の製造方法である。 The invention according to a sixth aspect is the method for manufacturing a circuit board according to the fifth aspect, wherein, in the second step, the dammed groove is a laser around the pattern area of the substrate, avoiding the wiring pattern. It is a manufacturing method of the circuit board characterized by forming by processing.
請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の回路基板の製造方法において、前記第1の工程では、前記基板の中間層に、レーザ光線を反射する反射層が、少なくとも前記パターン領域の周囲に対応して設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法である。
The invention according to
請求項8に記載の発明は、請求項5〜請求項7のいずれかに記載の回路基板の製造方法において、前記堰止め溝は、前記パターン領域における前記配線パターンの配線口を除いて連続した状態で設けられた主堰止め溝と、前記配線パターンの前記配線口に対向して設けられ、前記配線口からの前記封止材の流出を防ぐ補助堰止め溝と、を備えていることを特徴とする回路基板の製造方法である。
The invention according to
請求項9に記載の発明は、請求項8に記載の回路基板の製造方法において、前記補助堰止め溝は、前記配線パターンを避けて一端部が前記主堰止め溝に連続して設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法である。
The invention according to
請求項10に記載の発明は、請求項5〜請求項7のいずれかに記載の回路基板の製造方法において、前記堰止め溝は、前記パターン領域の周囲に沿って複数の点状部または複数の線状部が不連続状態で設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法である。
The invention according to
請求項11に記載の発明は、請求項10に記載の回路基板の製造方法において、前記堰止め溝における不連続部の間隔は、前記点状部の直径または前記線状部の溝幅よりも狭く形成されていることを特徴とする回路基板の製造方法である。
The invention according to claim 11 is the circuit board manufacturing method according to
請求項12に記載の発明は、請求項5〜請求項7のいずれかに記載の回路基板の製造方法において、前記基板は多層基板であり、上層基板の上面に前記配線パターンが設けられており、前記配線パターンはスルーホールによって下層基板に接続されており、前記堰止め溝は前記パターン領域の全周に沿って連続して設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法である。
The invention according to
請求項13に記載の発明は、請求項12に記載の回路基板の製造方法において、前記反射層は、前記パターン領域の周囲に対応して環状に設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法である。
The invention according to
1、26 基板
2 発光部
3 受光部
4 チップ部品
5 ベース層
6 反射層
7 絶縁層
8 配線パターン
8a、8b 第1、第2電極
8c、8d 第1、第2配線
9 封止材
10、20、25 堰止め溝
11a、11b 第1、第2配線口
12 主堰止め溝
13、14 第1、第2補助堰止め溝
20a 点状部
20b 線状部
1 and 26
Claims (13)
前記配線パターン上に配置されたチップ部品と、
前記チップ部品を覆って保護する封止材と、
前記配線パターンにおける前記チップ部品が配置されるパターン領域の周囲に設けられ、前記封止材の流出を防ぐ堰止め溝と、
を備えていることを特徴とする回路基板。 A substrate provided with a wiring pattern on the surface,
A chip component disposed on the wiring pattern;
An encapsulant that covers and protects the chip component;
A ditch groove which is provided around a pattern area in which the chip component is arranged in the wiring pattern and which prevents the sealing material from flowing out;
A circuit board comprising:
前記配線パターンの予め定められたパターン領域の周囲に位置する前記基板に堰止め溝を形成する第2の工程と、
前記パターン領域内に位置する前記配線パターン上にチップ部品を配置させて封止材でモールドする第3の工程と、
を備えていることを特徴とする回路基板の製造方法。 A first step of forming a wiring pattern on the upper surface of the substrate;
Forming a dam groove on the substrate located around a predetermined pattern area of the wiring pattern;
A third step of disposing a chip component on the wiring pattern positioned in the pattern area and molding with a sealing material;
A method of manufacturing a circuit board, comprising:
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