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JP2019062064A - Circuit board, electronic apparatus, and manufacturing method of circuit board - Google Patents

Circuit board, electronic apparatus, and manufacturing method of circuit board Download PDF

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JP2019062064A JP2017185061A JP2017185061A JP2019062064A JP 2019062064 A JP2019062064 A JP 2019062064A JP 2017185061 A JP2017185061 A JP 2017185061A JP 2017185061 A JP2017185061 A JP 2017185061A JP 2019062064 A JP2019062064 A JP 2019062064A
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  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】 基板全体の薄型化を図り、かつ高密度配線ができる回路基板、それを備えた電子機器、および回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】 表面に配線パターン8が設けられた基板1と、配線パターン8上に配置されたチップ部品4と、このチップ部品4を覆って保護する封止材9と、配線パターン8におけるチップ部品4が配置されるパターン領域Eの周囲に設けられ、封止材9の流出を防ぐ堰止め溝10と、を備えている。従って、封止材9によってチップ部品4を確実にかつ良好に覆うことができると共に、パターン領域E外への封止材9の流出を封止材9の表面張力によって堰止め溝10の縁部で堰き止めることができる。このため、基板全体の薄型化を図ることができ、かつ配線パターン8の配線密度を高めることができる。【選択図】 図3PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit board capable of thinning the entire substrate and capable of high-density wiring, an electronic device provided with the circuit board, and a method for manufacturing the circuit board. SOLUTION: A substrate 1 having a wiring pattern 8 on its surface, a chip component 4 arranged on the wiring pattern 8, a sealing material 9 for covering and protecting the chip component 4, and a chip in the wiring pattern 8. It is provided around the pattern region E in which the component 4 is arranged, and includes a damming groove 10 for preventing the sealing material 9 from flowing out. Therefore, the chip component 4 can be reliably and satisfactorily covered by the sealing material 9, and the outflow of the sealing material 9 to the outside of the pattern region E is prevented by the surface tension of the sealing material 9 at the edge of the blocking groove 10. Can be dammed up with. Therefore, the thickness of the entire substrate can be reduced, and the wiring density of the wiring pattern 8 can be increased. [Selection diagram] Fig. 3

Description

この発明は、腕時計などの電子機器に用いられる回路基板、それを備えた電子機器、および回路基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a circuit board used in an electronic device such as a watch, an electronic device provided with the circuit board, and a method of manufacturing the circuit board.

例えば、電子機器に組み込まれる回路基板においては、特許文献1に記載されているように、基板上に配線パターンを形成し、この配線パターン上に半導体素子などのチップ部品を搭載し、このチップ部品を封止材でモールドした構造のものが知られている。   For example, in a circuit board to be incorporated in an electronic device, as described in Patent Document 1, a wiring pattern is formed on the substrate, and a chip component such as a semiconductor element is mounted on the wiring pattern. The thing of the structure which was molded with the sealing material is known.

特開2012−19082号公報JP, 2012-19082, A

このような回路基板では、チップ部品をモールドする封止材が周囲に流出するのを防ぐために、チップ部品が搭載されるパターン領域の外周にガラスペーストなどの絶縁材をポッティングしてダム部を形成している。   In such a circuit board, a dam portion is formed by potting an insulating material such as glass paste on the outer periphery of the pattern region on which the chip component is mounted in order to prevent the sealing material for molding the chip component from flowing out to the periphery doing.

しかしながら、このような回路基板では、チップ部品が搭載されるパターン領域の外周にダム部を封止材よりも高く盛り上げて形成しなければならないため、基板全体の厚みが厚くなるという問題がるほか、ダム部によって封止領域全体の面積が広くなるため、配線パターンを基板上に高密度で配線することができないという問題がある。   However, in such a circuit board, since the dam portion must be raised and formed higher than the sealing material on the outer periphery of the pattern area on which the chip component is mounted, there is a problem that the entire board becomes thick. Since the area of the entire sealing region is increased by the dam portion, there is a problem that the wiring pattern can not be wired at a high density on the substrate.

この発明が解決しようとする課題は、基板全体の薄型化を図り、かつ高密度配線ができる回路基板、それを備えた電子機器、および回路基板の製造方法を提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to provide a circuit board capable of reducing the thickness of the entire substrate and enabling high-density wiring, an electronic device provided with the circuit board, and a method of manufacturing the circuit board.

この発明は、表面に配線パターンが設けられた基板と、前記配線パターン上に配置されたチップ部品と、前記チップ部品を覆って保護する封止材と、前記配線パターンにおける前記チップ部品が配置されるパターン領域の周囲に設けられ、前記封止材の流出を防ぐ堰止め溝と、を備えていることを特徴とする回路基板である。   According to the present invention, a substrate provided with a wiring pattern on the surface, a chip component disposed on the wiring pattern, a sealing material for covering and protecting the chip component, and the chip component in the wiring pattern are disposed. And a ditch groove provided around the pattern area to prevent the sealing material from flowing out.

また、この発明は、基板の上面に配線パターンを形成する第1の工程と、前記配線パターンの予め定められたパターン領域の周囲に位置する前記基板に堰止め溝を形成する第2の工程と、前記パターン領域内に位置する前記配線パターン上にチップ部品を配置させて封止材でモールドする第3の工程と、を備えていることを特徴とする回路基板の製造方法である。   Further, according to the present invention, a first step of forming a wiring pattern on the upper surface of the substrate, and a second step of forming a wedging groove in the substrate located around a predetermined pattern area of the wiring pattern And a third step of disposing a chip component on the wiring pattern positioned in the pattern area and molding the same with a sealing material.

この発明によれば、基板全体の薄型化を図ることができると共に、配線パターンの高密度化を図ることができる。   According to the present invention, the thickness of the entire substrate can be reduced, and the density of the wiring pattern can be increased.

この発明を適用した回路基板の一実施形態を示した要部の拡大正面図である。It is an enlarged front view of the principal part which showed one Embodiment of the circuit board to which this invention is applied. 図1に示された回路基板のA−A矢視における要部の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the principal part in the AA arrow of the circuit board shown by FIG. 図2に示された回路基板のB−B矢視における要部の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the principal part in the BB arrow of the circuit board shown by FIG. 図2示された回路基板において、封止材を塗布する前の状態を示した要部の拡大正面図である。FIG. 3 is an enlarged front view of an essential part showing a state before applying a sealing material in the circuit board shown in FIG. 2; 図3に示された回路基板の製造方法を示し、(a)は基板上に配線パターンを形成する第1の工程を示した要部の拡大断面図、(b)は配線パターンの予め定められたパターン領域の周囲に堰止め溝を形成する第2の工程を示した要部の拡大断面図、(c)は配線パターン上にチップ部品を配置させて封止材でモードする第3の工程を示した要部の拡大断面図である。FIG. 4 shows the method of manufacturing the circuit board shown in FIG. 3, wherein (a) is an enlarged cross-sectional view of the main part showing the first step of forming a wiring pattern on the substrate; The enlarged sectional view of the principal part which showed the 2nd process of forming a wedging groove in the circumference of the pattern area, (c) is the 3rd process of arranging the chip parts on the wiring pattern and making the mode with the sealing material It is the expanded sectional view of the principal part which showed. 図4に示された回路基板において、堰止め溝の第1変形例を示した要部の拡大正面図である。The circuit board shown by FIG. 4 WHEREIN: It is an enlarged front view of the principal part which showed the 1st modification of a wedging groove. 図4に示された回路基板において、堰止め溝の第2変形例を示した要部の拡大正面図である。The circuit board shown by FIG. 4 WHEREIN: It is an enlarged front view of the principal part which showed the 2nd modification of a wedging groove.

以下、図1〜図5を参照して、この発明を適用した回路基板の一実施形態について説明する。
この回路基板は、腕時計に組み込まれるものであり、図1に示すように、基板1を備えている。この基板1には、時計の針位置を光学的に検出するための発光部2と受光部3とが設けられている。
An embodiment of a circuit board to which the present invention is applied will be described below with reference to FIGS. 1 to 5.
This circuit board is to be incorporated in a wristwatch and comprises a board 1 as shown in FIG. The substrate 1 is provided with a light emitting unit 2 and a light receiving unit 3 for optically detecting the hand position of the timepiece.

発光部2は、発光素子を備え、指針の運針領域内の所定箇所で光を発光するように構成されている。また、受光部3は、受光素子を備え、発光部2で発光した光が指針に照射された際に、その反射光を受光することにより、針位置を検出するように構成されている。この場合、発光部2と受光部3とは、図2に示すチップ部品4が異なる構造であり、これ以外は同じ構造になっている。このため、以下では、受光部3について説明する。   The light emitting unit 2 includes a light emitting element, and is configured to emit light at a predetermined position in a hand movement region of a pointer. The light receiving unit 3 includes a light receiving element, and is configured to detect the position of the needle by receiving the reflected light when the light emitted from the light emitting unit 2 is irradiated to the pointer. In this case, the light emitting unit 2 and the light receiving unit 3 have a structure different from each other in the chip part 4 shown in FIG. 2, and the other structure is the same. Therefore, the light receiving unit 3 will be described below.

発光部2と受光部3とが設けられる基板1は、図2および図3に示すように、下から順に、ベース層5と、レーザ光線を反射する反射層6と、絶縁層7とを積層した構造になっている。この基板1の絶縁層7上には、図2〜図4に示すように、配線パターン8が設けられている。この配線パターン8は、第1電極8a、第2電極8b、第1配線8c、第2配線8dを備えている。   The substrate 1 on which the light emitting unit 2 and the light receiving unit 3 are provided is, as shown in FIG. The structure is As shown in FIGS. 2 to 4, a wiring pattern 8 is provided on the insulating layer 7 of the substrate 1. The wiring pattern 8 includes a first electrode 8a, a second electrode 8b, a first wiring 8c, and a second wiring 8d.

この場合、第1電極8aには、図4に示すように、第1配線8cが接続されている。第2電極8bは、第1電極8aに隣接して設けられており、この第2電極8bには、第2配線8dが接続されている。この配線パターン8の第1電極8a上には、図2〜図4に示すように、チップ部品4が配置されている。このチップ部品4は、受光部3のフォトトランジスタなどの受光素子である。発光部2の場合には、発光ダイオード(LED)などの発光素子である。   In this case, as shown in FIG. 4, the first wiring 8c is connected to the first electrode 8a. The second electrode 8b is provided adjacent to the first electrode 8a, and the second wiring 8d is connected to the second electrode 8b. As shown in FIGS. 2 to 4, the chip component 4 is disposed on the first electrode 8 a of the wiring pattern 8. The chip component 4 is a light receiving element such as a phototransistor of the light receiving unit 3. The light emitting unit 2 is a light emitting element such as a light emitting diode (LED).

このチップ部品4は、図2〜図4に示すように、その下面が第1電極8a上に半田で接続固定されて第1電極8aと電気的に接続され、上面がボンディングワイヤー4aによって第2電極8bと電気的に接続されている。また、このチップ部品4は、封止材9によってモールドされている。   The lower surface of the chip component 4 is soldered and fixed to the first electrode 8a by solder as shown in FIGS. 2 to 4, and is electrically connected to the first electrode 8a, and the upper surface is secondarily formed by the bonding wire 4a. It is electrically connected to the electrode 8b. Further, this chip part 4 is molded by a sealing material 9.

この場合、配線パターン8におけるチップ部品4が配置されるパターン領域Eの周囲には、図4に示すように、パターン領域E外への封止材9の流出を防ぐ堰止め溝10が設けられている。すなわち、パターン領域Eは、配線パターン8における第1電極8aと第2電極8bとを囲う領域である。   In this case, around the pattern area E where the chip component 4 in the wiring pattern 8 is disposed, as shown in FIG. 4, a damming groove 10 for preventing the sealing material 9 from flowing out of the pattern area E is provided. ing. That is, the pattern area E is an area surrounding the first electrode 8 a and the second electrode 8 b in the wiring pattern 8.

堰止め溝10は、図2〜図4に示すように、レーザ加工によって基板1の絶縁層7を剥離することにより、パターン領域Eの周囲にほぼ長方形の掘状に形成されている。すなわち、この堰止め溝10は、レーザ加工によって絶縁層7を剥離する際に、絶縁層7の下面に設けられた反射層6によってレーザ光線が反射されることにより、絶縁層7のみが剥離されることによって形成されている。この堰止め溝10は、主堰止め溝12と第1、第2補助堰止め溝13、14とを備えている。   As shown in FIGS. 2 to 4, the wedge groove 10 is formed in a substantially rectangular shape around the pattern area E by peeling the insulating layer 7 of the substrate 1 by laser processing. That is, when the insulating groove 7 is peeled off by laser processing, only the insulating layer 7 is peeled off by reflecting the laser beam by the reflective layer 6 provided on the lower surface of the insulating layer 7. It is formed by The hooking groove 10 includes a main hooking groove 12 and first and second auxiliary hooking grooves 13 and 14.

主堰止め溝12は、図4に示すように、パターン領域Eにおける配線パターン8の第1、第2配線8c、8dがそれぞれ引き出される第1、第2配線口11a、11bを除いて、ほぼ長方形状に設けられている。第1、第2補助堰止め溝13、14は、配線パターン8の第1、第2配線8c、8dを避けた状態で、配線パターン8の第1、第2配線口11a、11bに対向して設けられ、第1、第2配線口11a、11bからの封止材9の流出を防ぐように構成されている。   As shown in FIG. 4, the main locking groove 12 is substantially the same except for the first and second wiring ports 11a and 11b from which the first and second wirings 8c and 8d of the wiring pattern 8 in the pattern area E are respectively drawn. It is provided in a rectangular shape. The first and second auxiliary blocking grooves 13 and 14 face the first and second wiring ports 11 a and 11 b of the wiring pattern 8 in a state where the first and second wirings 8 c and 8 d of the wiring pattern 8 are avoided. , And is configured to prevent the flow of the sealing material 9 from the first and second wiring ports 11a and 11b.

すなわち、第1補助堰止め溝13は、図4に示すように、配線パターン8の第1配線8cを避けた状態で、第1配線口11aに対向して設けられている。この第1補助堰止め溝13は、一端部(図4では下端部)が第1配線口11aに位置する主堰止め溝12の端部(図4では下部側の端部)に連続して形成されている。これにより、主堰止め溝12と第1補助堰止め溝13とは、配線パターン8の第1配線8cを遮ることなく形成されている。   That is, as shown in FIG. 4, the first auxiliary hooking groove 13 is provided to face the first wiring port 11 a in a state in which the first wiring 8 c of the wiring pattern 8 is avoided. One end (the lower end in FIG. 4) of the first auxiliary detent groove 13 is continuous with the end (the lower end in FIG. 4) of the main detent groove 12 located at the first wiring port 11a. It is formed. Thus, the main hooking groove 12 and the first auxiliary hooking groove 13 are formed without blocking the first wiring 8 c of the wiring pattern 8.

また、第2補助堰止め溝14は、図4に示すように、配線パターン8の第2配線8dを避けた状態で、第2配線口11bに対向して設けられている。この場合にも、第2補助堰止め溝14は、一端部(図4では左端部)が第2配線口11bに位置する主堰止め溝12の端部(図4では左端部)に連続して形成されている。これにより、主堰止め溝12と第2補助堰止め溝14とは、配線パターン8の第2配線8dを遮ることなく形成されている。   Further, as shown in FIG. 4, the second auxiliary hooking groove 14 is provided to face the second wiring port 11b in a state where the second wiring 8d of the wiring pattern 8 is avoided. Also in this case, the second auxiliary hooking groove 14 is continuous with the end (left end in FIG. 4) of the main hooking groove 12 whose one end (left end in FIG. 4) is located at the second wiring port 11b. It is formed. Thus, the main hooking groove 12 and the second auxiliary hooking groove 14 are formed without blocking the second wiring 8 d of the wiring pattern 8.

このため、封止材9は、図3に示すように、チップ部品4上にポッティングされた際に、チップ部品4を覆った状態で、表面張力によって盛り上がってパターン領域E内に塗布される。すなわち、この封止材9は、チップ部品4を覆ってパターン領域E内に塗布された際に、パターン領域E外に流出することなく、封止材9の表面張力によって堰止め溝10の縁部、つまり主堰止め溝12の縁部および第1、第2補助堰止め溝13、14の縁部で堰き止められ、この状態で硬化されている。   For this reason, as shown in FIG. 3, when potting on the chip component 4, the sealing material 9 swells by surface tension and is applied in the pattern area E in a state of covering the chip component 4. That is, when the sealing material 9 is applied in the pattern area E so as to cover the chip part 4, the sealing material 9 does not flow out of the pattern area E and the edge of the wedge groove 10 by the surface tension of the sealing material 9. The portion, that is, the edge of the main locking groove 12 and the edge of the first and second auxiliary locking grooves 13 and 14 are blocked and hardened in this state.

また、封止材9が堰止め溝10に流れ込んでも堰止め溝10は掘状に形成されているので、封止材9は堰止め溝10に留まり、封止材9は周囲に流出することはなく、堰止め溝10に留まった状態で硬化されている。つまり主堰止め溝12および第1、第2補助堰止め溝13、14に封止材9が流れ込んでも封止材9は主堰止め溝12および第1、第2補助堰止め溝13、14に留まり、封止材9は周囲に流出することはなく、主堰止め溝12および第1、第2補助堰止め溝13、14に留まった状態で硬化されている。   Further, even if the sealing material 9 flows into the damming groove 10, the damming groove 10 is formed in a digging shape, so the sealing material 9 remains in the damming groove 10 and the sealing material 9 flows out to the periphery. It is hardened while staying in the locking groove 10. That is, even if the sealing material 9 flows into the main tacking groove 12 and the first and second auxiliary tacking grooves 13 and 14, the sealing material 9 remains in the main tacking groove 12 and the first and second auxiliary tacking grooves 13 and 14. The sealing material 9 does not flow out to the periphery, and is hardened while remaining in the main locking groove 12 and the first and second auxiliary locking grooves 13 and 14.

次に、図5(a)〜図5(c)を参照して、この回路基板を製造する場合について説明する。
図5(a)に示す第1の工程では、まず、ベース層5と、レーザ光線を反射する反射層6と、絶縁層7とを下から順に積層させて、基板1を形成し、この基板1の絶縁層7上に配線パターン8を形成する。
Next, a case of manufacturing this circuit board will be described with reference to FIGS. 5 (a) to 5 (c).
In the first step shown in FIG. 5A, first, the base layer 5, the reflection layer 6 for reflecting a laser beam, and the insulating layer 7 are laminated in order from the bottom to form the substrate 1, and this substrate is formed. The wiring pattern 8 is formed on the first insulating layer 7.

このときには、絶縁層7上に銅箔をラミネートし、このラミネートされた銅箔をパターニングすることにより、図4に示すように、第1電極8a、第2電極8b、第1配線8c、第2配線8dが配線パターン8として形成される。この場合、第1電極8aと第2電極8bとは互いに接近して配置される。第1配線8cは、第1電極8aから第1配線口11aを通して引き出される。第2配線8dは、第2電極8bから第2配線口11bを通して引き出される。   At this time, a copper foil is laminated on the insulating layer 7 and the laminated copper foil is patterned to form a first electrode 8a, a second electrode 8b, a first wiring 8c, and a second wiring as shown in FIG. The wiring 8 d is formed as the wiring pattern 8. In this case, the first electrode 8a and the second electrode 8b are disposed close to each other. The first wiring 8c is drawn from the first electrode 8a through the first wiring port 11a. The second wiring 8d is drawn from the second electrode 8b through the second wiring port 11b.

図5(b)に示す第2の工程では、配線パターン8の予め定められたパターン領域E、つまり第1電極8aと第2電極8bとを囲うパターン領域Eの周囲に位置する基板1の絶縁層7に堰止め溝10をレーザ加工によって形成する。このレーザ加工は、レーザ光線を絶縁層7に照射させながら走査させることにより、レーザ光線が照射された箇所の絶縁層7を溶融させて飛散させることにより、主堰止め溝12および第1、第2補助堰止め溝13、14を形成する。   In the second step shown in FIG. 5B, the insulation of the substrate 1 located around the predetermined pattern area E of the wiring pattern 8, that is, the pattern area E surrounding the first electrode 8a and the second electrode 8b. The wedging groove 10 is formed in the layer 7 by laser processing. In this laser processing, by scanning the insulating layer 7 while irradiating the laser beam with the laser beam, the insulating layer 7 at the portion where the laser beam is irradiated is melted and scattered, thereby the main wedge holding groove 12 and the first, the first, and the first 2) Form the auxiliary locking grooves 13 and 14.

すなわち、このレーザ加工では、レーザ光線を一定のエネルギーで絶縁層7に照射させながら走査する際に、レーザ光線をミラーで反射させて、絶縁層7に照射させながら、ミラーの角度を少しずつ変えることにより、レーザ光線が配線パターン8を傷付けることがなく、レーザ光線を精度良く正確に走査させる。このときには、絶縁層7の下層に設けられた反射層6によってレーザ光線が反射されるので、絶縁層7のみを一定の深さで剥離して、主堰止め溝12および第1、第2補助堰止め溝13、14を形成する。   That is, in this laser processing, when scanning while irradiating the laser beam to the insulating layer 7 with a constant energy, the laser beam is reflected by the mirror, and the angle of the mirror is changed little by little while irradiating the insulating layer 7 Thus, the laser beam does not damage the wiring pattern 8, and the laser beam is scanned accurately. At this time, since the laser beam is reflected by the reflective layer 6 provided in the lower layer of the insulating layer 7, only the insulating layer 7 is peeled off at a predetermined depth, and the main blocking groove 12 and the first and second auxiliary The locking grooves 13 and 14 are formed.

これにより、主堰止め溝12は、図4に示すように、配線パターン8のパターン領域Eの周囲に、第1、第2配線口11a、11bを除いて、ほぼ長方形の掘状に不連続状態で形成される。第1補助堰止め溝13は、配線パターン8の第1配線8cを避けた位置で、第1配線口11aに対向して設けられる。   Thereby, as shown in FIG. 4, the main hooking groove 12 is discontinuous in a substantially rectangular digging shape around the pattern area E of the wiring pattern 8 except for the first and second wiring ports 11a and 11b. Formed in the state. The first auxiliary hooking groove 13 is provided opposite to the first wiring port 11 a at a position avoiding the first wiring 8 c of the wiring pattern 8.

この場合、第1補助堰止め溝13は、一端部(図4では下端部)が第1配線口11aに位置する主堰止め溝12の端部(図4では下部側の端部)に連続して形成されている。これにより、主堰止め溝12と第1補助堰止め溝13とは、配線パターン8の第1配線8cを遮ることなく形成される。   In this case, the first auxiliary detent groove 13 is continuous with the end (lower end in FIG. 4) of the main detent groove 12 whose one end (lower end in FIG. 4) is located at the first wiring port 11a. It is formed. Thus, the main hooking groove 12 and the first auxiliary hooking groove 13 are formed without blocking the first wiring 8 c of the wiring pattern 8.

また、第2補助堰止め溝14は、図4に示すように、配線パターン8の第2配線8dを避けた状態で、第2配線口11bに対向して設けられる。この場合にも、第2補助堰止め溝14は、一端部(図4では左端部)が第2配線口11bに位置する主堰止め溝12の端部(図4では左端部)に連続して形成されている。これにより、主堰止め溝12と第2補助堰止め溝14とは、配線パターン8の第2配線8dを遮ることなく形成される。   Further, as shown in FIG. 4, the second auxiliary hooking groove 14 is provided to face the second wiring port 11 b in a state in which the second wiring 8 d of the wiring pattern 8 is avoided. Also in this case, the second auxiliary hooking groove 14 is continuous with the end (left end in FIG. 4) of the main hooking groove 12 whose one end (left end in FIG. 4) is located at the second wiring port 11b. It is formed. As a result, the main hooking groove 12 and the second auxiliary hooking groove 14 are formed without blocking the second wiring 8 d of the wiring pattern 8.

図5(c)に示す第3の工程では、基板1の配線パターン8上にチップ部品4を配置させて封止材9でモールドする。すなわち、チップ部品4を配線パターン8の第1電極8a上に半田で接続固定し、このチップ部品4をボンディングワイヤー4aによって第2電極8bと電気的に接続する。これにより、チップ部品4は、その下面が第1電極8a上に半田で接続固定されて第1電極8aと電気的に接続され、上面がボンディングワイヤー4aによって第2電極8bと電気的に接続される。   In the third step shown in FIG. 5C, the chip component 4 is disposed on the wiring pattern 8 of the substrate 1 and molded with the sealing material 9. That is, the chip component 4 is connected and fixed on the first electrode 8 a of the wiring pattern 8 by solder, and the chip component 4 is electrically connected to the second electrode 8 b by the bonding wire 4 a. Thereby, the lower surface of the chip component 4 is connected and fixed on the first electrode 8a by solder and electrically connected to the first electrode 8a, and the upper surface is electrically connected to the second electrode 8b by the bonding wire 4a. Ru.

この状態で、チップ部品4を封止材9でモールドする。このときには、封止材9をチップ部品4上にポッティングする。すると、封止材9がチップ部品4を覆い、表面張力によって盛り上がってパターン領域E内に塗布される。すなわち、この封止材9は、チップ部品4を覆ってパターン領域E内に塗布された際に、封止材9の表面張力によって堰止め溝10の縁部、つまり主堰止め溝12の縁部および第1、第2補助堰止め溝13、14の各縁部によって堰き止められる。   In this state, the chip component 4 is molded with the sealing material 9. At this time, the sealing material 9 is potted on the chip component 4. Then, the sealing material 9 covers the chip component 4, is raised by surface tension, and is applied in the pattern area E. That is, when the sealing material 9 is applied in the pattern area E so as to cover the chip component 4, the surface tension of the sealing groove 9 by the surface tension of the sealing material 9, that is, the edge of the main locking groove 12. It is dammed up by the edges of the part and the first and second auxiliary detent grooves 13 and 14.

このときには、封止材9が表面張力によって堰止め溝10の縁部で堰き止められるので、堰止め溝10内にほとんど流れ込むことがない。また、堰止め溝10内に流れ込んでも堰止め溝10内に留まり、封止材9は周囲に流れ出すことがない。また、封止材9は第1配線口11aから流れ出しても、第1補助堰止め溝13によって堰き止められるので、パターン領域Eの外に流れ出すことがない。   At this time, since the sealing material 9 is blocked at the edge of the locking groove 10 by surface tension, it hardly flows into the locking groove 10. Moreover, even if it flows in in the damming groove 10, it remains in the damming groove 10, and the sealing material 9 does not flow out around. In addition, even if the sealing material 9 flows out from the first wiring port 11a, the sealing material 9 is blocked by the first auxiliary blocking groove 13, and therefore does not flow out of the pattern area E.

同様に、封止材9は第2配線口11bから流れ出しても、第2補助堰止め溝14によって堰き止められるので、パターン領域Eの外に流れ出すことがない。また、第1補助堰止め溝13内又は第2補助堰止め溝14内に流れ込んでも第1補助堰止め溝13内又は第2補助堰止め溝14内に留まり、封止材9は周囲に流れ出すことがない。この状態で、封止材9を硬化させる。   Similarly, the sealing material 9 does not flow out of the pattern area E because it is blocked by the second auxiliary blocking groove 14 even if it flows out from the second wiring port 11 b. In addition, even if it flows into the first auxiliary detent groove 13 or into the second auxiliary detent groove 14, it stays in the first auxiliary detent groove 13 or in the second auxiliary detent groove 14, and the sealing material 9 flows out to the periphery I have not. In this state, the sealing material 9 is cured.

この場合、封止材9は、熱硬化樹脂であっても良く、また紫外線硬化樹脂であっても良い。封止材9が熱硬化樹脂である場合には、チップ部品4を覆って封止材9をパターン領域E内に塗布させた状態で、加熱して乾燥させることにより、簡単に硬化させることができる。また、封止材9が紫外線硬化樹脂である場合には、チップ部品4を覆って封止材9をパターン領域E内に塗布させた状態で、紫外線を照射させることにより、簡単に硬化させることができる。   In this case, the sealing material 9 may be a thermosetting resin or an ultraviolet curing resin. In the case where the sealing material 9 is a thermosetting resin, the chip component 4 is covered and the sealing material 9 is applied in the pattern area E, and is easily cured by heating and drying. it can. In addition, in the case where the sealing material 9 is an ultraviolet curing resin, the chip component 4 is covered and the sealing material 9 is applied in the pattern area E, and then it is easily cured by irradiating ultraviolet light. Can.

このように、この回路基板によれば、表面に配線パターン8が設けられた基板1と、配線パターン8上に配置されたチップ部品4と、このチップ部品4を覆って保護する封止材9と、配線パターン8におけるチップ部品4が配置されるパターン領域Eの周囲に設けられ、封止材9の流出を防ぐ堰止め溝10と、を備えていることにより、基板全体の薄型化を図ることができると共に、配線パターン8の高密度配線を図ることができる。   As described above, according to this circuit board, the substrate 1 on the surface of which the wiring pattern 8 is provided, the chip component 4 disposed on the wiring pattern 8, and the sealing material 9 covering and protecting the chip component 4 And the ditch groove 10 provided around the pattern area E in which the chip component 4 in the wiring pattern 8 is disposed, and preventing the flow of the sealing material 9, thereby achieving thinning of the entire substrate As a result, high density wiring of the wiring pattern 8 can be achieved.

すなわち、この回路基板では、封止材9がチップ部品4を覆ってパターン領域E内に塗布されると、封止材9の表面張力によってチップ部品4を確実にかつ良好に覆うことができると共に、パターン領域E外への封止材9の流出を封止材9の表面張力によって堰止め溝10の縁部で堰き止めることができる。また、封止材9が堰止め溝10内に流れ込んでも堰止め溝10内に留まり、封止材9は周囲に流れ出すことがない。   That is, in this circuit board, when the sealing material 9 covers the chip component 4 and is applied in the pattern region E, the surface tension of the sealing material 9 can reliably and favorably cover the chip component 4. The outflow of the sealing material 9 to the outside of the pattern area E can be blocked by the surface tension of the sealing material 9 at the edge portion of the locking groove 10. Moreover, even if the sealing material 9 flows into the damming groove 10, it remains in the damming groove 10, and the sealing material 9 does not flow out to the periphery.

このため、この回路基板では、パターン領域Eの周囲にダム部を盛り上げて設けた場合に比べて、基板全体の厚みを薄くすることができると共に、堰止め溝10の溝幅をダム部の基礎幅よりも狭くすることができるので、堰止め溝10による封止領域全体の面積をダム部による封止領域全体の面積よりも小さくすることができ、これにより基板1上に設けられる配線パターン8の配線密度を高めることができる。   For this reason, in this circuit board, the thickness of the entire board can be made thinner than when the dam portion is raised and provided around the pattern area E, and the groove width of the dam groove 10 is made the basis of the dam portion. Since the width can be smaller than the width, the area of the entire sealing area by the dam groove 10 can be smaller than the area of the entire sealing area by the dam portion, whereby the wiring pattern 8 provided on the substrate 1 Wiring density can be increased.

また、この回路基板では、堰止め溝10がレーザ加工によって配線パターン8を避けて設けられていることにより、基板1上に配線パターン8が形成されていても、堰止め溝10を狭い溝幅で精度良く正確に形成することができると共に、効率良く形成することができる。すなわち、レーザ加工は、レーザ光線を一定のエネルギーで照射させながら走査することにより、レーザ光線によって配線パターン8を傷付けることがなく、堰止め溝10を狭い溝幅で精度良く正確に形成することができる。   Further, in this circuit board, since the damming grooves 10 are provided so as to avoid the wiring pattern 8 by laser processing, even if the wiring pattern 8 is formed on the substrate 1, the ditch groove 10 has a narrow groove width. Can be formed accurately and accurately, and efficiently. That is, in laser processing, by scanning while irradiating a laser beam with a constant energy, the wiring pattern 8 is not damaged by the laser beam, and the dam groove 10 can be formed accurately with a narrow groove width. it can.

この場合、基板1には、レーザ光線を反射する反射層6が絶縁層7の下面全域に亘って設けられていることにより、レーザ光線を照射させて堰止め溝10を形成する際に、反射層6によってレーザ光線を反射させることができるので、堰止め溝10を一定の深さで形成することができる。このため、レーザ光線によって堰止め溝10を自由な形状に形成することができると共に、精度良く正確に形成することができる。   In this case, the reflection layer 6 for reflecting the laser beam is provided on the entire lower surface of the insulating layer 7 on the substrate 1 so that the laser beam is irradiated to form the damming groove 10 by reflecting the laser beam. The layer 6 makes it possible to reflect the laser beam, so that the weir groove 10 can be formed with a constant depth. Therefore, the wedge groove 10 can be formed into a free shape by the laser beam, and can be formed accurately with high accuracy.

また、この回路基板の製造方法によれば、基板1の上面に配線パターン8を形成する第1の工程と、配線パターン8の予め定められたパターン領域Eの周囲に位置する基板1に堰止め溝10を形成する第2の工程と、パターン領域E内に位置する配線パターン8上にチップ部品4を配置させて封止材9でモールドする第3の工程と、を備えていることにより、基板全体の薄型化を図ることができると共に、配線パターン8を高密度で配線することができる。   Further, according to the circuit board manufacturing method, the first step of forming the wiring pattern 8 on the upper surface of the substrate 1 and the substrate 1 positioned around the predetermined pattern area E of the wiring pattern 8 are clamped. By providing the second step of forming the groove 10 and the third step of arranging the chip component 4 on the wiring pattern 8 positioned in the pattern area E and molding with the sealing material 9, While thinning of the whole board | substrate can be achieved, the wiring pattern 8 can be wired with high density.

すなわち、この回路基板の製造方法では、封止材9がチップ部品4を覆ってパターン領域E内に塗布された際に、封止材9の表面張力によって封止材9を盛り上げることができるので、封止材9によってチップ部品4を確実にかつ良好に覆うことができると共に、パターン領域E外への封止材9の流出を封止材9の表面張力によって堰止め溝10の縁部で堰き止めることができる。また、封止材9が堰止め溝10内に流れ込んでも堰止め溝10内に留まり、封止材9は周囲に流れ出すことがない。   That is, in this method of manufacturing a circuit board, when the sealing material 9 covers the chip component 4 and is applied in the pattern area E, the sealing material 9 can be raised by the surface tension of the sealing material 9. The chip component 4 can be covered reliably and favorably by the sealing material 9, and the outflow of the sealing material 9 to the outside of the pattern area E is caused by the surface tension of the sealing material 9 at the edge of the wedge groove 10. You can stop it. Moreover, even if the sealing material 9 flows into the damming groove 10, it remains in the damming groove 10, and the sealing material 9 does not flow out to the periphery.

このため、この回路基板の製造方法では、パターン領域Eの周囲にダム部を盛り上げて設けた場合に比べて、基板全体の厚みを薄くすることができると共に、堰止め溝10の溝幅をダム部の基礎幅よりも狭くすることができるので、堰止め溝10による封止領域全体の面積をダム部による封止領域全体の面積よりも小さくすることができ、これにより基板1上に設けられる配線パターン8の配線密度を高めることができる。   For this reason, in the method of manufacturing a circuit board, the thickness of the entire board can be made thinner than when the dam portion is raised and provided around the pattern area E, and the groove width of the dam groove 10 is the dam. Since the width can be smaller than the base width of the portion, the area of the entire sealing region by the dam groove 10 can be made smaller than the area of the entire sealing region by the dam portion. The wiring density of the wiring pattern 8 can be increased.

また、この回路基板の製造方法では、第2の工程において、基板1のパターン領域Eの周囲に配線パターン8を避けて堰止め溝10をレーザ加工によって形成することにより、基板1上に配線パターン8が設けられていても、堰止め溝10を狭い溝幅で精度良く正確に形成することができると共に、効率良く形成することができる。すなわち、レーザ加工は、レーザ光線を絶縁層7に照射させながら走査させることにより、レーザ光線が照射された箇所の絶縁層7を溶融させて飛散させることができるので、堰止め溝10を狭い溝幅で精度良く正確に形成することができる。   Further, in the method of manufacturing the circuit board, the wiring pattern is formed on the substrate 1 by forming the wedging grooves 10 by laser processing around the pattern area E of the substrate 1 in the second step, avoiding the wiring pattern 8. Even when the groove 8 is provided, the locking groove 10 can be formed accurately with a narrow groove width with high accuracy and can be formed efficiently. That is, in the laser processing, the insulating layer 7 can be melted and scattered by irradiating the insulating layer 7 with the laser beam while scanning the insulating layer 7. The width can be formed accurately and accurately.

この場合、このレーザ加工では、レーザ光線を一定のエネルギーで照射させながら走査する際に、レーザ光線をミラーで反射させて照射させながら、ミラーの角度を少しずつ変えるだけで、レーザ光線が配線パターン8を傷付けることがなく、レーザ光線を精度良く正確に走査させることができる。このため、堰止め溝10をレーザ加工によって自由な形状に形成することができると共に、効率良く形成することができる。   In this case, in this laser processing, when scanning while irradiating a laser beam with a constant energy, the laser beam is a wiring pattern only by changing the angle of the mirror little by little while reflecting and irradiating the laser beam with the mirror. The laser beam can be scanned accurately and accurately without damaging the laser diode 8. For this reason, while being able to form the wedge groove 10 in a free shape by laser processing, it can be efficiently formed.

また、この回路基板の製造方法では、第1の工程において、基板1にレーザ光線を反射する反射層6を絶縁層7の下面全域に亘って設けていることにより、レーザ光線を照射させて堰止め溝10を形成する際に、反射層6によってレーザ光線を反射させることができるので、堰止め溝10を一定の深さで形成することができ、これによっても堰止め溝10を精度良く正確に形成することができる。   Further, in the method of manufacturing the circuit board, the laser beam is irradiated by providing the reflection layer 6 for reflecting the laser beam on the substrate 1 over the entire lower surface of the insulating layer 7 in the first step. Since the laser beam can be reflected by the reflective layer 6 when forming the locking groove 10, the locking groove 10 can be formed with a constant depth, which also makes the locking groove 10 accurate and accurate. Can be formed.

また、この回路基板の製造方法では、堰止め溝10が、パターン領域Eにおける配線パターン8の第1、第2配線口11a、11bを除いて連続した状態で設けられた主堰止め溝12と、配線パターン8の第1、第2配線口11a、11bに対向して設けられ、第1、第2配線口11a、11bからの封止材9の流出を防ぐ第1、第2補助堰止め溝13、14と、を備えていることにより、パターン領域E外への封止材9の流出を確実にかつ良好に防ぐことができる。   Further, in the method of manufacturing the circuit board, the main locking groove 12 provided in a continuous state except the first and second wiring ports 11a and 11b of the wiring pattern 8 in the pattern area E , And the first and second auxiliary detents provided opposite to the first and second wiring ports 11a and 11b of the wiring pattern 8 and preventing the flow of the sealing material 9 from the first and second wiring ports 11a and 11b By providing the grooves 13 and 14, outflow of the sealing material 9 to the outside of the pattern area E can be reliably and favorably prevented.

すなわち、主堰止め溝12は、パターン領域Eにおける配線パターン8の第1、第2配線口11a、11bを除いて、連続した状態で設けられていることにより、ほぼ長方形の掘状に不連続状態で形成することができ、これによりチップ部品4を覆って封止材9をパターン領域E内に塗布した際に、第1、第2配線口11a、11bを除いて、封止材9をその表面張力によって主堰止め溝12の縁部で確実にかつ良好に堰き止めることができる。   That is, the main hooking groove 12 is provided in a continuous state except for the first and second wiring ports 11a and 11b of the wiring pattern 8 in the pattern area E, so that it is discontinuous in a substantially rectangular digging shape When the sealing material 9 is applied in the pattern area E so as to cover the chip component 4, the sealing material 9 can be formed except for the first and second wiring ports 11 a and 11 b. Due to the surface tension, the edge of the main locking groove 12 can be reliably and well blocked.

また、第1、第2補助堰止め溝13、14は、配線パターン8を避けた状態で、配線パターン8の第1、第2配線口11a、11bに対向して設けられていることにより、チップ部品4を覆ってパターン領域E内に塗布された封止材9が第1、第2配線口11a、11bからパターン領域Eの外部に流出するのを確実にかつ良好に抑えることができる。   Further, the first and second auxiliary locking grooves 13 and 14 are provided facing the first and second wiring ports 11 a and 11 b of the wiring pattern 8 in a state of avoiding the wiring pattern 8, The sealing material 9 applied to the pattern area E so as to cover the chip component 4 can be reliably and favorably suppressed from flowing out of the first and second wiring ports 11a and 11b to the outside of the pattern area E.

すなわち、第1補助堰止め溝13は、配線パターン8の第1配線8cを避けた位置で、第1配線口11aに対向して設けられ、かつ一端部が第1配線口11aに位置する主堰止め溝12の端部に連続して形成されていることにより、封止材9が第1配線口11aから流れ出しても、第1補助堰止め溝13によって封止材9を堰き止めることができるので、封止材9が第1配線口11aからパターン領域Eの外に流れ出すのを防ぐことができる。また、封止材9が第1補助堰止め溝13に流れ込んでも第1補助堰止め溝13に留まり、封止材9は周囲へ流出することがない。   That is, the first auxiliary locking groove 13 is provided opposite to the first wiring port 11a at a position away from the first wiring 8c of the wiring pattern 8, and one end thereof is located at the first wiring port 11a. By continuously forming the end portion of the wedging groove 12, even if the sealing material 9 flows out from the first wiring port 11a, it is possible to catch the sealing material 9 by the first auxiliary wedging groove 13. Since this can be performed, the sealing material 9 can be prevented from flowing out of the first wiring port 11 a to the outside of the pattern area E. Further, even if the sealing material 9 flows into the first auxiliary holding groove 13, it remains in the first auxiliary holding groove 13 and the sealing material 9 does not flow out to the surroundings.

また、第2補助堰止め溝14は、配線パターン8の第2配線8dを避けた状態で、第2配線口11bに対向して設けられ、かつ一端部が第2配線口11bに位置する主堰止め溝12の端部に連続して形成されていることにより、第1補助堰止め溝13と同様、封止材9が第2配線口11bから流れ出しても、第2補助堰止め溝14によって封止材9を堰き止めることができるので、封止材9が第2配線口11bからパターン領域Eの外に流れ出すのを防ぐことができる。また、封止材9が第2補助堰止め溝14に流れ込んでも第2補助堰止め溝14に留まり、封止材9は周囲へ流出することがない。   Further, the second auxiliary hooking groove 14 is provided opposite to the second wiring port 11b in a state of avoiding the second wiring 8d of the wiring pattern 8, and one end thereof is positioned at the second wiring port 11b. The second auxiliary detent groove 14 is formed continuously with the end portion of the detent groove 12 as in the case of the first auxiliary detent groove 13, even if the sealing material 9 flows out from the second wiring port 11 b. Since the sealing material 9 can be stopped by this, it is possible to prevent the sealing material 9 from flowing out of the second wiring port 11 b to the outside of the pattern area E. In addition, even if the sealing material 9 flows into the second auxiliary locking groove 14, it remains in the second auxiliary locking groove 14 and the sealing material 9 does not flow out to the surroundings.

なお、この発明は、上述した実施形態に限らず、例えば図6に示す第1変形例のように堰止め溝20を形成しても良い。すなわち、この第1変形例の堰止め溝20は、図6に示すように、パターン領域Eの周囲に沿って複数の点状部20aと複数の線状部20bとを不連続状態で設けた構造になっている。   The present invention is not limited to the embodiment described above, and for example, the dam groove 20 may be formed as in the first modified example shown in FIG. That is, as shown in FIG. 6, the damming groove 20 of the first modification is provided with a plurality of point portions 20a and a plurality of linear portions 20b in a discontinuous state along the periphery of the pattern area E. It has a structure.

この場合、堰止め溝20は、図6に示すように、全体がほぼ長方形状に形成されている。点状部20aは、円形状の凹部であり、例えば上辺部の両側部と下辺部の中間部との3箇所に設けられている。線状部20bは、直線状の凹溝であり、例えば上辺部の中間部と下辺部の中間部および両側部と両側辺部との6箇所に設けられている。   In this case, as shown in FIG. 6, the locking groove 20 is formed in a substantially rectangular shape as a whole. The point-like portions 20a are circular shaped concave portions, and are provided at, for example, three places of both side portions of the upper side portion and an intermediate portion of the lower side portion. The linear portion 20b is a linear concave groove, and is provided at, for example, six portions, that is, a middle portion of the upper side portion, a middle portion of the lower side portion, and both side portions and both side portions.

また、配線パターン8の第1、第2配線口11a、11bは、図6に示すように、複数の点状部20aと複数の線状部20bとの不連続部分に設けられている。また、複数の点状部20aと複数の線状部20bとの不連続部分の間隔は、点状部20aの直径または線状部20bの溝幅よりも狭く形成されていることが望ましい。   Further, as shown in FIG. 6, the first and second wiring ports 11a and 11b of the wiring pattern 8 are provided at discontinuous portions between the plurality of point portions 20a and the plurality of linear portions 20b. Further, it is desirable that the distance between the discontinuous portions of the plurality of point portions 20a and the plurality of linear portions 20b be smaller than the diameter of the point portions 20a or the groove width of the linear portions 20b.

このような第1変形例の堰止め溝20では、複数の点状部20aと複数の線状部20bとを不連続状態で設けた構造であっても、チップ部品4を覆って封止材9をパターン領域E内に塗布した際に、封止材9の表面張力によって封止材9が複数の点状部20aと複数の線状部20bとの不連続部分から流出することがないので、封止材9を堰止め溝20によって確実にかつ良好に堰き止めることができる。また、封止材9が堰止め溝20に流れ込んでも堰止め溝20に留まり、封止材9は周囲へ流出することがない。   In the damming groove 20 of the first modified example as described above, the chip component 4 is covered and the sealing material is provided even if the plurality of point portions 20a and the plurality of linear portions 20b are provided in a discontinuous state. When 9 is applied in the pattern area E, the surface tension of the sealing material 9 does not cause the sealing material 9 to flow out of the discontinuous portion between the plurality of point portions 20 a and the plurality of linear portions 20 b. The sealing member 9 can be firmly and favorably stopped by the damming groove 20. Moreover, even if the sealing material 9 flows into the damming groove 20, it remains in the damming groove 20, and the sealing material 9 does not flow out to the periphery.

また、この発明は、上述した実施形態および第1変形例に限らず、例えば図7に示す第2変形例のように堰止め溝25を形成しても良い。すなわち、この第2変形例の堰止め溝25は、図7に示すように、配線パターン8の第1電極8aと第2電極8bとを囲うパターン領域Eの周囲にその全周に亘ってほぼ楕円形状に連続して形成されている。   Further, the present invention is not limited to the above-described embodiment and the first modification, and for example, the wedge groove 25 may be formed as in the second modification shown in FIG. That is, as shown in FIG. 7, the damming groove 25 of the second modified example extends substantially around the entire circumference of the pattern area E surrounding the first electrode 8a and the second electrode 8b of the wiring pattern 8. It is continuously formed in an elliptical shape.

この場合の基板26は、多層基板であり、上層基板に配線パターン8が設けられている。この配線パターン8の第1電極8aと第2電極8bとは、スルーホールによって下層基板と電気的に接続されている。このため、配線パターン8は、上層基板に第1電極8aと第2電極8bとが設けられている。この場合には、レーザ光線を反射する反射層6は、上層基板における絶縁層の下面に、チップ部品4が配置される配線パターン8のパターン領域Eの周囲に対応して環状に設けられていれば良い。   The substrate 26 in this case is a multilayer substrate, and the wiring pattern 8 is provided on the upper layer substrate. The first electrode 8 a and the second electrode 8 b of the wiring pattern 8 are electrically connected to the lower layer substrate by through holes. For this reason, in the wiring pattern 8, the first electrode 8a and the second electrode 8b are provided on the upper layer substrate. In this case, the reflecting layer 6 for reflecting the laser beam is provided annularly on the lower surface of the insulating layer in the upper layer substrate corresponding to the periphery of the pattern area E of the wiring pattern 8 in which the chip component 4 is disposed. Just do it.

このような第2変形例の堰止め溝25では、配線パターン8の第1電極8aと第2電極8bとを囲うパターン領域Eの周囲にその全周に亘ってほぼ楕円形状に連続して形成されているので、チップ部品4を覆って封止材9をパターン領域E内に塗布した際に、封止材9の表面張力によってパターン領域E外への封止材9の流出を堰止め溝25によって確実にかつ良好に堰き止めることができる。また、封止材9が堰止め溝25に流れ込んでも堰止め溝25に留まり、封止材9は周囲へ流出することがない。   In the damming groove 25 of the second modification, the entire periphery of the pattern area E surrounding the first electrode 8a and the second electrode 8b of the wiring pattern 8 is continuously formed in a substantially elliptical shape. Because the sealing material 9 is applied to the pattern area E so as to cover the chip component 4, the outflow of the sealing material 9 to the outside of the pattern area E is blocked by the surface tension of the sealing material 9. 25 makes it possible to stop the work well and well. Moreover, even if the sealing material 9 flows into the damming groove 25, it remains in the damming groove 25 and the sealing material 9 does not flow out to the periphery.

また、上述した実施形態および第1、第2変形例では、チップ部品4が受光素子または発光素子である場合について述べたが、この発明は、これに限らず、例えばコンデンサチップや抵抗素子などのチップ部品であっても良い。   In the embodiment and the first and second modifications described above, the chip component 4 is a light receiving element or a light emitting element. However, the present invention is not limited to this. For example, a capacitor chip or a resistance element may be used. It may be a chip part.

また、上述した実施形態および第1、第2変形例では、堰止め溝10、20、25をレーザ加工によって形成した場合について述べたが、この発明はこれに限らず、機械加工によって形成しても良い。   In the above-described embodiment and the first and second modified examples, although the case where the locking grooves 10, 20, 25 are formed by laser processing has been described, the present invention is not limited to this, and the invention is not limited thereto. Also good.

さらに、上述した実施形態および第1、第2変形例では、腕時計に適用した場合について述べたが、この発明は必ずしも腕時計である必要はなく、例えばトラベルウオッチ、目覚まし時計、置き時計、掛け時計などの各種の時計にも適用することができる。また、この発明は、必ずしも時計である必要はなく、携帯電話機や携帯端末機などの各種の電子機器にも適用することができる。   Furthermore, although the case where it applied to a wristwatch in the embodiment and the 1st, 2nd modification which were mentioned was described, this invention does not necessarily need to be a wristwatch, for example, various kinds, such as a travel watch, an alarm clock, a clock, a clock, etc. It can also be applied to watches. Further, the present invention does not necessarily have to be a watch, and can be applied to various electronic devices such as mobile phones and mobile terminals.

以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、これに限られるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲を含むものである。
以下に、本願の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this, The invention described in the claim, and the range of equivalence are included.
The invention described in the claims of the present application is appended below.

(付記)
請求項1に記載の発明は、表面に配線パターンが設けられた基板と、前記配線パターン上に配置されたチップ部品と、前記チップ部品を覆って保護する封止材と、前記配線パターンにおける前記チップ部品が配置されるパターン領域の周囲に設けられ、前記封止材の流出を防ぐ堰止め溝と、を備えていることを特徴とする回路基板である。
(Supplementary note)
The invention according to claim 1 is a substrate provided with a wiring pattern on its surface, a chip component disposed on the wiring pattern, a sealing material for covering and protecting the chip component, and the wiring pattern in the wiring pattern. And a ditch groove provided around the pattern area in which the chip component is disposed to prevent the flow of the sealing material.

請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の回路基板において、前記堰止め溝は、レーザ加工によって前記配線パターンを避けて設けられていることを特徴とする回路基板である。   A second aspect of the present invention is the circuit board according to the first aspect, wherein the dam groove is provided to avoid the wiring pattern by laser processing.

請求項3に記載の発明は、請求項1または請求項2に記載の回路基板において、前記基板の中間層には、レーザ光線を反射する反射層が、少なくとも前記パターン領域の周囲に対応して設けられていることを特徴とする回路基板である。   The invention according to claim 3 is the circuit board according to claim 1 or 2, wherein in the intermediate layer of the substrate, a reflective layer that reflects a laser beam corresponds at least to the periphery of the pattern area. It is a circuit board characterized by being provided.

請求項4に記載の発明は、請求項1〜請求項3のいずれかに記載された回路基板を備えていることを特徴とする電子機器である。   The invention according to claim 4 is an electronic device comprising the circuit board according to any one of claims 1 to 3.

請求項5に記載の発明は、基板の上面に配線パターンを形成する第1の工程と、前記配線パターンの予め定められたパターン領域の周囲に位置する前記基板に堰止め溝を形成する第2の工程と、前記パターン領域内に位置する前記配線パターン上にチップ部品を配置させて封止材でモールドする第3の工程と、を備えていることを特徴とする回路基板の製造方法である。   The invention according to a fifth aspect comprises a first step of forming a wiring pattern on the upper surface of a substrate, and a second step of forming a wedging groove in the substrate located around a predetermined pattern area of the wiring pattern. And a third step of disposing a chip component on the wiring pattern positioned in the pattern area and molding the same with a sealing material. .

請求項6に記載の発明は、請求項5に記載の回路基板の製造方法において、前記第2の工程では、前記基板の前記パターン領域の周囲に前記配線パターンを避けて前記堰止め溝をレーザ加工によって形成することを特徴とする回路基板の製造方法である。   The invention according to a sixth aspect is the method for manufacturing a circuit board according to the fifth aspect, wherein, in the second step, the dammed groove is a laser around the pattern area of the substrate, avoiding the wiring pattern. It is a manufacturing method of the circuit board characterized by forming by processing.

請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の回路基板の製造方法において、前記第1の工程では、前記基板の中間層に、レーザ光線を反射する反射層が、少なくとも前記パターン領域の周囲に対応して設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法である。   The invention according to claim 7 is the method for manufacturing a circuit board according to claim 6, wherein, in the first step, a reflective layer for reflecting a laser beam is at least at the pattern area in the intermediate layer of the substrate. A method of manufacturing a circuit board characterized by being provided corresponding to the periphery.

請求項8に記載の発明は、請求項5〜請求項7のいずれかに記載の回路基板の製造方法において、前記堰止め溝は、前記パターン領域における前記配線パターンの配線口を除いて連続した状態で設けられた主堰止め溝と、前記配線パターンの前記配線口に対向して設けられ、前記配線口からの前記封止材の流出を防ぐ補助堰止め溝と、を備えていることを特徴とする回路基板の製造方法である。   The invention according to claim 8 is the method for manufacturing a circuit board according to any one of claims 5 to 7, wherein the dam groove is continuous except for the wiring port of the wiring pattern in the pattern area. Providing a main hooking groove provided in a state, and an auxiliary hooking groove provided opposite to the wiring port of the wiring pattern to prevent the sealing material from flowing out from the wiring port; It is a manufacturing method of the circuit board made into the characteristics.

請求項9に記載の発明は、請求項8に記載の回路基板の製造方法において、前記補助堰止め溝は、前記配線パターンを避けて一端部が前記主堰止め溝に連続して設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法である。   The invention according to claim 9 is the method for manufacturing a circuit board according to claim 8, wherein the auxiliary detent groove is provided continuously at one end with the main detent groove, avoiding the wiring pattern. A method of manufacturing a circuit board characterized by

請求項10に記載の発明は、請求項5〜請求項7のいずれかに記載の回路基板の製造方法において、前記堰止め溝は、前記パターン領域の周囲に沿って複数の点状部または複数の線状部が不連続状態で設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法である。   The invention according to claim 10 is the method for manufacturing a circuit board according to any one of claims 5 to 7, wherein the wedging groove has a plurality of point portions or a plurality along the periphery of the pattern area. In the method of manufacturing a circuit board, the linear portion is provided in a discontinuous state.

請求項11に記載の発明は、請求項10に記載の回路基板の製造方法において、前記堰止め溝における不連続部の間隔は、前記点状部の直径または前記線状部の溝幅よりも狭く形成されていることを特徴とする回路基板の製造方法である。   The invention according to claim 11 is the circuit board manufacturing method according to claim 10, wherein the distance between the discontinuous portions in the wedging groove is greater than the diameter of the point portion or the groove width of the linear portion. It is a manufacturing method of a circuit board characterized by being narrowly formed.

請求項12に記載の発明は、請求項5〜請求項7のいずれかに記載の回路基板の製造方法において、前記基板は多層基板であり、上層基板の上面に前記配線パターンが設けられており、前記配線パターンはスルーホールによって下層基板に接続されており、前記堰止め溝は前記パターン領域の全周に沿って連続して設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法である。   The invention according to claim 12 is the circuit board manufacturing method according to any one of claims 5 to 7, wherein the substrate is a multilayer substrate, and the wiring pattern is provided on the upper surface of the upper layer substrate. The circuit pattern is characterized in that the wiring pattern is connected to the lower layer substrate by a through hole, and the dam groove is continuously provided along the entire circumference of the pattern area.

請求項13に記載の発明は、請求項12に記載の回路基板の製造方法において、前記反射層は、前記パターン領域の周囲に対応して環状に設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法である。   The invention according to claim 13 is the circuit board manufacturing method according to claim 12, wherein the reflective layer is annularly provided corresponding to the periphery of the pattern area. It is a manufacturing method.

1、26 基板
2 発光部
3 受光部
4 チップ部品
5 ベース層
6 反射層
7 絶縁層
8 配線パターン
8a、8b 第1、第2電極
8c、8d 第1、第2配線
9 封止材
10、20、25 堰止め溝
11a、11b 第1、第2配線口
12 主堰止め溝
13、14 第1、第2補助堰止め溝
20a 点状部
20b 線状部
1 and 26 substrate 2 light emitting unit 3 light receiving unit 4 chip component 5 base layer 6 reflective layer 7 insulating layer 8 wiring pattern 8a and 8b first and second electrodes 8c and 8d first and second wiring 9 sealing materials 10 and 20 , 25 tacking groove 11a, 11b first and second wiring opening 12 main tacking groove 13, 14 first and second auxiliary tacking groove 20a point portion 20b linear portion

Claims (13)

表面に配線パターンが設けられた基板と、
前記配線パターン上に配置されたチップ部品と、
前記チップ部品を覆って保護する封止材と、
前記配線パターンにおける前記チップ部品が配置されるパターン領域の周囲に設けられ、前記封止材の流出を防ぐ堰止め溝と、
を備えていることを特徴とする回路基板。
A substrate provided with a wiring pattern on the surface,
A chip component disposed on the wiring pattern;
An encapsulant that covers and protects the chip component;
A ditch groove which is provided around a pattern area in which the chip component is arranged in the wiring pattern and which prevents the sealing material from flowing out;
A circuit board comprising:
請求項1に記載の回路基板において、前記堰止め溝は、レーザ加工によって前記配線パターンを避けて設けられていることを特徴とする回路基板。   The circuit board according to claim 1, wherein the wedging groove is provided to avoid the wiring pattern by laser processing. 請求項1または請求項2に記載の回路基板において、前記基板の中間層には、レーザ光線を反射する反射層が、少なくとも前記パターン領域の周囲に対応して設けられていることを特徴とする回路基板。   The circuit board according to claim 1 or 2, wherein the intermediate layer of the substrate is provided with a reflective layer for reflecting a laser beam corresponding to at least the periphery of the pattern area. Circuit board. 請求項1〜請求項3のいずれかに記載された回路基板を備えていることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the circuit board according to any one of claims 1 to 3. 基板の上面に配線パターンを形成する第1の工程と、
前記配線パターンの予め定められたパターン領域の周囲に位置する前記基板に堰止め溝を形成する第2の工程と、
前記パターン領域内に位置する前記配線パターン上にチップ部品を配置させて封止材でモールドする第3の工程と、
を備えていることを特徴とする回路基板の製造方法。
A first step of forming a wiring pattern on the upper surface of the substrate;
Forming a dam groove on the substrate located around a predetermined pattern area of the wiring pattern;
A third step of disposing a chip component on the wiring pattern positioned in the pattern area and molding with a sealing material;
A method of manufacturing a circuit board, comprising:
請求項5に記載の回路基板の製造方法において、前記第2の工程では、前記基板の前記パターン領域の周囲に前記配線パターンを避けて前記堰止め溝をレーザ加工によって形成することを特徴とする回路基板の製造方法。   6. The method for manufacturing a circuit board according to claim 5, wherein, in the second step, the wedging groove is formed by laser processing around the pattern area of the substrate, avoiding the wiring pattern. Method of manufacturing a circuit board. 請求項6に記載の回路基板の製造方法において、前記第1の工程では、前記基板の中間層に、レーザ光線を反射する反射層が、少なくとも前記パターン領域の周囲に対応して設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a circuit board according to claim 6, wherein, in the first step, a reflective layer for reflecting a laser beam is provided corresponding to at least the periphery of the pattern area in the intermediate layer of the substrate. A manufacturing method of a circuit board characterized by things. 請求項5〜請求項7のいずれかに記載の回路基板の製造方法において、前記堰止め溝は、前記パターン領域における前記配線パターンの配線口を除いて連続した状態で設けられた主堰止め溝と、前記配線パターンの前記配線口に対向して設けられ、前記配線口からの前記封止材の流出を防ぐ補助堰止め溝と、を備えていることを特徴とする回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a circuit board according to any one of claims 5 to 7, wherein the damming grooves are provided in a continuous state except the wiring port of the wiring pattern in the pattern area. And a supplemental dam groove provided opposite to the wiring port of the wiring pattern to prevent the sealing material from flowing out from the wiring port. 請求項8に記載の回路基板の製造方法において、前記補助堰止め溝は、前記配線パターンを避けて一端部が前記主堰止め溝に連続して設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法。   9. The circuit board manufacturing method according to claim 8, wherein the auxiliary detent groove is provided continuously at one end with the main detent groove so as to avoid the wiring pattern. Production method. 請求項5〜請求項7のいずれかに記載の回路基板の製造方法において、前記堰止め溝は、前記パターン領域の周囲に沿って複数の点状部または複数の線状部が不連続状態で設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a circuit board according to any one of claims 5 to 7, wherein in the dam groove, a plurality of point portions or a plurality of linear portions are discontinuous along the periphery of the pattern area. A method of manufacturing a circuit board, characterized in that the method is provided. 請求項10に記載の回路基板の製造方法において、前記堰止め溝における不連続部の間隔は、前記点状部の直径または前記線状部の溝幅よりも狭く形成されていることを特徴とする回路基板の製造方法。   11. The method for manufacturing a circuit board according to claim 10, wherein the distance between the discontinuous portions in the dam groove is formed narrower than the diameter of the point portion or the groove width of the linear portion. Circuit board manufacturing method. 請求項5〜請求項7のいずれかに記載の回路基板の製造方法において、前記基板は多層基板であり、上層基板の上面に前記配線パターンが設けられており、前記配線パターンはスルーホールによって下層基板に接続されており、前記堰止め溝は前記パターン領域の全周に沿って連続して設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a circuit board according to any one of claims 5 to 7, wherein the substrate is a multilayer substrate, the wiring pattern is provided on the upper surface of the upper layer substrate, and the wiring pattern is a lower layer by a through hole. A method of manufacturing a circuit board, comprising: connecting to a substrate; and the damming grooves being continuously provided along the entire circumference of the pattern area. 請求項12に記載の回路基板の製造方法において、前記反射層は、前記パターン領域の周囲に対応して環状に設けられていることを特徴とする回路基板の製造方法。   The method of manufacturing a circuit board according to claim 12, wherein the reflection layer is annularly provided corresponding to the periphery of the pattern area.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021012963A (en) * 2019-07-08 2021-02-04 沖電気工業株式会社 Printed circuit board and manufacturing method thereof, and printed wiring board
WO2022270971A1 (en) * 2021-06-24 2022-12-29 엘지이노텍 주식회사 Printed circuit board module and electronic device
JP2023544920A (en) * 2021-09-08 2023-10-26 ティーシーエル チャイナスター オプトエレクトロニクス テクノロジー カンパニー リミテッド Light emitting substrate and its manufacturing method

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6395652A (en) * 1986-10-09 1988-04-26 Sony Corp Formation of dam for preventing outflow of protective material
JPH118275A (en) * 1997-06-13 1999-01-12 Nec Corp Manufacture of semiconductor device
JPH11135685A (en) * 1997-10-28 1999-05-21 Hitachi Ltd Semiconductor module and resin sealing method therefor
JP2008028115A (en) * 2006-07-20 2008-02-07 Seiko Epson Corp Semiconductor device, manufacturing method thereof, and wiring board
JP2015023163A (en) * 2013-07-19 2015-02-02 ソニー株式会社 Solid-state imaging device and manufacturing method of solid-state imaging device.
JP2017152484A (en) * 2016-02-23 2017-08-31 京セラ株式会社 Wiring board

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6395652A (en) * 1986-10-09 1988-04-26 Sony Corp Formation of dam for preventing outflow of protective material
JPH118275A (en) * 1997-06-13 1999-01-12 Nec Corp Manufacture of semiconductor device
JPH11135685A (en) * 1997-10-28 1999-05-21 Hitachi Ltd Semiconductor module and resin sealing method therefor
JP2008028115A (en) * 2006-07-20 2008-02-07 Seiko Epson Corp Semiconductor device, manufacturing method thereof, and wiring board
JP2015023163A (en) * 2013-07-19 2015-02-02 ソニー株式会社 Solid-state imaging device and manufacturing method of solid-state imaging device.
JP2017152484A (en) * 2016-02-23 2017-08-31 京セラ株式会社 Wiring board

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021012963A (en) * 2019-07-08 2021-02-04 沖電気工業株式会社 Printed circuit board and manufacturing method thereof, and printed wiring board
WO2022270971A1 (en) * 2021-06-24 2022-12-29 엘지이노텍 주식회사 Printed circuit board module and electronic device
JP2023544920A (en) * 2021-09-08 2023-10-26 ティーシーエル チャイナスター オプトエレクトロニクス テクノロジー カンパニー リミテッド Light emitting substrate and its manufacturing method
US20240030395A1 (en) * 2021-09-08 2024-01-25 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. A light-emitting substrate and a manufacturing method thereof
US12324291B2 (en) * 2021-09-08 2025-06-03 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Light-emitting substrate and a manufacturing method thereof

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