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JP2019061370A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】封止膜上に設けられるセンサ電極の断線を防止するタッチセンサを有する表示装置を提供する。【解決手段】表示装置１００は、発光素子を含む画素を複数有する表示領域１０３と、表示領域上に設けられた封止膜と、封止膜上に設けられた絶縁層と、封止膜に少なくとも一部が埋め込まれ、かつ、絶縁層に覆われた接続電極１１６並びに絶縁層上に設けられた第１導電層及び第２導電層を有する第１センサ電極１１４と、絶縁層上に設けられた第２センサ電極１１５と、を有する。第１導電層及び第２導電層は、接続電極１１６を介して互いに接続され、接続電極１１６は、第２センサ電極１１５の少なくとも一部と交差する領域を有する。【選択図】図２

Description

本発明の実施形態の一つは、タッチセンサが搭載された表示装置に関する。例えば、タッチセンサが搭載された有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置に関する。
ユーザが表示装置に対して情報を入力するためのインターフェースとして、タッチセンサが知られている。タッチセンサを表示装置の画面と重なるように設置することで、画面上に表示される入力ボタンやアイコンなどをユーザが操作することができ、表示装置へ容易に情報を入力することができる。例えば特許文献１では、有機ＥＬ表示装置にタッチセンサが搭載された電子機器が開示されている。ここでは、有機ＥＬ素子（以下、発光素子と記す）上に封止膜を形成し、その上にタッチセンサ用のセンサ電極が形成されている。
特開２０１５−７２６６２号公報
本発明は、タッチセンサを有する表示装置において、封止膜上に設けられるセンサ電極の断線を防止することを目的の一つとする。
本発明の一実施形態に係る表示装置は、発光素子を含む画素を複数有する表示領域と、表示領域上に設けられた封止膜と、封止膜上に設けられた絶縁層と、封止膜に少なくとも一部が埋め込まれ、かつ絶縁層に覆われた接続電極、並びに絶縁層上に設けられた第１導電層及び第２導電層を有する第１センサ電極と、絶縁層上に設けられた第２センサ電極と、を有し、第１導電層及び第２導電層は、接続電極を介して互いに接続され、接続電極は、第２センサ電極の少なくとも一部と交差する領域を有する。
また、本発明の一実施形態に係る表示装置は、発光素子を含む画素を複数有する表示領域と、表示領域上に設けられた封止膜と、封止膜上に設けられた絶縁層と、封止膜に少なくとも一部が埋め込まれ、かつ絶縁層に覆われた第１導電層及び第２導電層、並びに絶縁層上に設けられた接続電極を有する第１センサ電極と、封止膜に少なくとも一部が埋め込まれた第２センサ電極と、を有し、第１導電層及び第２導電層は、接続電極を介して互いに接続され、接続電極は、第２センサ電極の少なくとも一部と交差する領域を有する。
本発明の実施形態に係る表示装置の表示領域を示す概略図。 本発明の実施形態に係る表示装置のタッチセンサを示す概略図。 本発明の実施形態に係る表示装置のタッチセンサを示す概略図。 本発明の実施形態に係る表示装置のタッチセンサを示す概略図。 本発明の実施形態に係る表示装置を示す断面図。 本発明の実施形態に係る表示装置のセンサ電極を示す断面図。 本発明の実施形態に係る表示装置のセンサ電極を示す断面図。 本発明の実施形態に係る表示装置のセンサ電極のレイアウト。 本発明の実施形態に係る表示装置のタッチセンサを示す断面図。 本発明の実施形態に係る表示装置の封止膜及びタッチセンサの製造方法。 本発明の実施形態に係る表示装置の封止膜及びタッチセンサの製造方法。 本発明の実施形態に係る表示装置の封止膜及びタッチセンサの製造方法。 本発明の実施形態に係る表示装置の封止膜及びタッチセンサの製造方法。 本発明の実施形態に係る表示装置の封止膜及びタッチセンサの製造方法。 本発明の実施形態に係る表示装置の封止膜及びタッチセンサの製造方法。 本発明の実施形態に係る表示装置のタッチセンサを示す概略図。 本発明の実施形態に係る表示装置のセンサ電極を示す断面図。 本発明の実施形態に係る表示装置のセンサ電極を示す断面図。 本発明の実施形態に係る表示装置のタッチセンサを示す概略図。 本発明の実施形態に係る表示装置のタッチセンサを示す断面図。 本発明の実施形態に係る表示装置の封止膜及びタッチセンサの製造方法。 本発明の実施形態に係る表示装置の封止膜及びタッチセンサの製造方法。 本発明の実施形態に係る表示装置の封止膜及びタッチセンサの製造方法。 本発明の実施形態に係る表示装置の封止膜及びタッチセンサの製造方法。 本発明の実施形態に係る表示装置の封止膜及びタッチセンサの製造方法。 本発明の実施形態に係る表示装置の封止膜及びタッチセンサの製造方法。 封止膜及びタッチセンサの構造の比較例を示す図。
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
（第１実施形態）
本実施形態に係る表示装置１００について、図１乃至図９Ｆを参照して説明する。
［表示領域］
図１は、本実施形態に係る表示装置１００の表示領域１０３を示した概略図であり、表示領域１０３を平面視した場合における概略図を示している。本明細書等では、表示装置１００を画面（表示領域１０３）に垂直な方向から見た様子を「平面視」と呼ぶ。
図１に示すように、表示装置１００は、絶縁表面上に形成された表示領域１０３と、走査線駆動回路１０４と、ドライバＩＣ１０６と、を有する。ここで、絶縁表面は、基板１０１の表面である。基板１０１として、可撓性を有する樹脂基板（ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、環状オレフィン・コポリマー、シクロオレフィンポリマー、その他の可撓性を有する樹脂基板）を用いることができる。可撓性を有する樹脂基板を用いることにより、表示装置を折り曲げることが可能となる。また、基板１０１として、光を透過する材料であることが好ましい。また、基板１０２も、基板１０１と同様の基板を使用することができる。なお、表示装置を折り曲げる必要がない場合には、ガラス基板、金属基板、セラミックス基板、又は半導体基板などを用いることができる。
表示領域１０３には、発光素子を有する画素１０９が複数設けられている。また、表示領域１０３の周囲を周辺領域１１０が取り囲んでいる。ドライバＩＣ１０６は、走査線駆動回路１０４に信号を与える制御部として機能する。そして、ドライバＩＣ１０６内には、信号線駆動回路が組み込まれている。また、図１では、ドライバＩＣ１０６は、基板１０１上に設けられる例について示しているが、フレキシブルプリント基板１０８上に設けて外付けされていてもよい。フレキシブルプリント基板１０８は、周辺領域１１０に設けられた複数の端子１０７と接続される。
また、表示領域１０３には、第１方向に沿って設けられた複数の走査線１１１と、第１方向と交差する第２方向に沿って設けられた複数の信号線１１２と、が設けられている。また、走査線１１１と信号線１１２とに接続される画素１０９が、マトリクス状に配置されている。画素１０９は、発光素子と、トランジスタとを含む。発光素子は、画素電極（アノード）、画素電極上に積層された発光層を含む有機層（発光部）、及び陰極（カソード）を少なくとも有する。複数の画素１０９の各々には、信号線駆動回路から信号線１１２を介して画像データに応じたデータ信号が与えられる。そして、データ信号に従って、複数の画素１０９の各々に設けられた画素電極に電気的に接続されたトランジスタを駆動し、画像データに応じた画面表示を行うことができる。トランジスタとしては、典型的には、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を用いることができる。但し、薄膜トランジスタに限らず、電流制御機能を備える素子であれば、如何なる素子を用いても良い。
図１には図示しないが、表示領域１０３上には、発光素子を水分や酸素から保護するための封止膜が設けられている。封止膜としては、例えば、無機絶縁層と有機絶縁層とが交互に積層された構成が採用されている。封止膜２２０の構成については、後に詳述する（図９Ａ参照）。
［タッチセンサ］
図２は、本実施形態に係る表示装置１００のタッチセンサ１１３を示した概略図であり、表示領域１０３を平面視した場合における概略図を示している。
タッチセンサ１１３は、表示領域１０３上に重なるように設けられている。また、タッチセンサ１１３は、行方向にストライプ状に配列される複数のセンサ電極１１４と、列方向にストライプ状に配列される複数のセンサ電極１１５と、を有する。センサ電極１１４とセンサ電極１１５の一方は送信電極（Ｔｘ）、他方は受信電極（Ｒｘ）とも呼ばれる。各センサ電極１１４と各センサ電極１１５は互いに離間しており、これらの間で容量が形成される。例えば、人の指等がセンサ電極１１４とセンサ電極１１５を介して表示領域１０３に触れる（以下、タッチとする）ことで容量が変化し、この変化を読み取ることでタッチの位置が決定される。このように、センサ電極１１４とセンサ電極１１５により、いわゆる投影型静電容量方式のタッチセンサ１１３が形成される。
以下の説明において、センサ電極１１４とセンサ電極１１５とを区別するために、異なるハッチングを付して図示しているが、センサ電極１１４とセンサ電極１１５とは同じ導電層から形成されるものである。
センサ電極１１４は、表示領域１０３の周辺領域１１０に配置される配線１１７と電気的に接続される。配線１１７は、周辺領域１１０において延伸し、コンタクトホール１１８において配線１１９と電気的に接続される。配線１１９は、周辺領域１１０の端部付近で露出されて端子１２１を形成する。端子１２１は、フレキシブルプリント基板１２７と接続され、ドライバＩＣ１２２からタッチセンサ用信号が、端子１２１を経由してセンサ電極１１４に与えられる。なお、配線１１７は、走査線駆動回路１０４と重なる領域に設けられていてもよい。
同様に、センサ電極１１５は、表示領域１０３の周辺領域１１０に配置される配線１２３と電気的に接続される。配線１２３は、周辺領域１１０において延伸し、コンタクトホール１２４を介して、配線１２５と電気的に接続される。配線１２５は、周辺領域１１０の端部付近で露出されて端子１２６を形成する。端子１２６は、フレキシブルプリント基板１２７と接続され、ドライバＩＣ１２２からタッチセンサ用信号が、端子１２６を介してセンサ電極１１５に与えられる。なお、端子１０７、端子１２１、及び端子１２６は、基板１０１の一辺に沿って設けられている。また、周辺領域１１０において、表示領域１０３を囲むようにバンク２３４が設けられている。
［センサ電極］
タッチセンサ１１３は、行方向に配列された複数のセンサ電極１１４及び列方向に配列された複数のセンサ電極１１５を有している。図３に、図２に示す領域１２０の拡大図を示す。センサ電極１１４はほぼ四角形の形状を有する複数の導電層１３１と、接続電極１１６と、を有している。また、センサ電極１１５もほぼ四角形の形状を有する複数の導電層１３１と、接続領域１３９と、を有している。また、センサ電極１１４と、センサ電極１１５と、は互いに離間しており、電気的に独立している。
次に、図４に、図３に示す領域１３０の拡大図を示す。また、センサ電極１１４において、左右に隣り合う導電層１３１は、接続電極１１６を介して接続されている。センサ電極１１５において、上下に隣り合う導電層１３２は、接続領域１３９を介して接続されている。センサ電極１１４が有する複数の導電層１３１は、複数の開口１３４を有しており、センサ電極１１５が有する複数の導電層１３２は、複数の開口１３５を有している。導電層１３１及び導電層１３２のそれぞれにおいて、複数の開口１３４及び複数の開口１３５は、マトリクス状に配列されている。これにより、導電層１３１及び導電層１３２は、メッシュ状の形状を有している。ここで、導電層１３１を構成する配線の幅ｌは、１μｍ以上１０μｍ以下または２μｍ以上８μｍ以下、典型的には５μｍである。同様に、導電層１３２を構成する配線の幅ｍは、１μｍ以上１０μｍ以下または２μｍ以上８μｍ以下、典型的には５μｍである。
図４に示すように、左右に隣り合う導電層１３１を接続する接続電極１１６は、第１方向に沿って設けられており、上下に隣り合う導電層１３２を接続する接続領域１３９は、第１方向と交差する第２方向に沿って設けられている。換言すると、接続電極１１６は、センサ電極１１５の一部と交差する領域を有している。なお、図４において、接続電極１１６の幅は、導電層１３１の幅ｌと同じ幅で図示しているが、導電層１３１の幅ｌよりも大きくてもよい。接続電極１１６は、画素の発光素子の発光領域と重ならないことが好ましい。
［表示装置の断面構成］
次に、図１に示す表示領域１０３から端子１０７までの領域を含む範囲における表示装置１００の断面構成について、図５を参照して説明する。図５は、図１に示すＡ１−Ａ２線で切断した断面の構成を示す図である。
図５に示すように、表示装置１００は、基板１０１、基板１０２、及び支持基板２０１を有する。基板１０１、基板１０２、及び支持基板２０１として、ガラス基板、石英基板、フレキシブル基板（ポリイミド、ポリエチレンテレフタラート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、環状オレフィン・コポリマー、シクロオレフィンポリマー、その他の可撓性を有する樹脂基板）を用いることができる。
基板１０１上には、下地膜２０２が設けられる。下地膜２０２は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機絶縁材料で構成される絶縁層である。下地膜２０２は、単層に限定されるものではなく、例えば、酸化シリコン層と窒化シリコン層とを組み合わせた積層構造を有してもよい。この構成は、基板１０１との密着性や、トランジスタ２４０に対するガスバリア性を考慮して適宜決定すればよい。
下地膜２０２上には、トランジスタ２４０が設けられる。トランジスタ２４０の構造は、トップゲート型であっても、ボトムゲート型であってもよい。本実施形態では、トランジスタ２４０は、下地膜２０２上に設けられた半導体層２０３、半導体層２０３を覆うゲート絶縁膜２０４、ゲート絶縁膜２０４上に設けられたゲート電極２０５を含む。
トランジスタ２４０を構成する各層について説明する。半導体層２０３としては、ポリシリコン、アモルファスシリコン、又は酸化物半導体を用いることができる。ゲート絶縁膜２０４として、酸化シリコン又は窒化シリコンを用いることができる。ゲート電極２０５として、銅、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウム等の金属材料で構成される。
また、トランジスタ２４０上には、ゲート電極２０５を覆う層間絶縁層２０６が設けられ、層間絶縁層２０６にはコンタクトホールが設けられている。層間絶縁層２０６上に、ソース電極又はドレイン電極２０７、２０８が設けられ、層間絶縁層２０６のコンタクトホールを介して、半導体層２０３と接続されている。層間絶縁層２０６として、酸化シリコン又は窒化シリコンを用いることができる。ソース電極又はドレイン電極２０７、ソース電極又はドレイン電極２０８は、それぞれ、銅、チタン、モリブデン、アルミニウムなどの金属材料、又はこれらの合金材料で構成される。
なお、図５には図示しないが、ゲート電極２０５と同じ層には、ゲート電極２０５を構成する金属材料と同一の金属材料で構成された走査線１１１を設けることができる。走査線１１１は、走査線駆動回路１０４と接続される。また、ソース電極又はドレイン電極２０７、２０８と同じ層には走査線１１１と交差する方向に延在する信号線１１２を設けることができる。信号線１１２は、ドライバＩＣ１０６と接続される。
層間絶縁層２０６上には、平坦化膜２０９が設けられる。平坦化膜２０９として、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、エポキシ等の有機材料を用いることができる。これらの材料は、溶液塗布法により形成することができ、平坦化効果が高い。特に図示しないが、平坦化膜２０９は、単層構造に限定されず、有機絶縁層と無機絶縁層との積層構造であってもよい。
平坦化膜２０９上には、保護膜２１１が設けられる。保護膜２１１は、水分や酸素に対するバリア機能を有することが好ましく、例えば、窒化シリコン膜や酸化アルミニウム膜などを用いて形成することが好ましい。
平坦化膜２０９及び保護膜２１１には、コンタクトホールが設けられている。保護膜２１１上には、画素電極２１２が設けられ、コンタクトホールを介して、画素電極２１２とソース電極又はドレイン電極２０７とが接続されている。本実施形態に係る表示装置１００において、画素電極２１２は、発光素子２５０を構成する陽極（アノード）として機能する。画素電極２１２は、トップエミッション型であるか、ボトムエミッション型であるかで、構成が異なる。トップエミッション型である場合は、画素電極２１２として反射率が高い金属を用いるか、酸化インジウム系の透明導電層（例えば、ＩＴＯ）や酸化亜鉛系の透明導電層（例えば、ＩＺＯ、ＺｎＯ）といった仕事関数の高い透明導電層と金属膜との積層構造を用いる。また、ボトムエミッション型である場合は、画素電極２１２として上記の透明導電層を用いる。本実施形態では、トップエミッション型である場合について説明する。
画素電極２１２上には、絶縁層２１３が設けられる。絶縁層２１３としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、エポキシ、又はシロキサンなどを用いることができる。絶縁層２１３は、画素電極２１２上の一部に開口部を有する。絶縁層２１３から露出された画素電極２１２の一部が、発光素子２５０の発光領域ＬＡとなる。
また、絶縁層２１３は、互いに隣接する画素電極２１２の間に、画素電極２１２の端部（エッジ部）を覆うように設けられ、隣接する画素電極２１２を隔離する部材として機能する。このため、絶縁層２１３は、一般的に「隔壁」、「バンク」とも呼ばれる。絶縁層２１３の開口部は、内壁がテーパー形状となるようにしておくことが好ましい。これにより、後述する有機層の形成時のカバレッジ不良を低減することができる。
画素電極２１２上には、有機層が設けられる。有機層は、少なくとも有機材料で構成される発光層２１５を有し、発光素子２５０の発光部として機能する。発光層２１５は、所望の色の光を発する。つまり、複数の画素１０９に、画素電極２１２上に異なる発光層２１５を含む有機層を設けることで、ＲＧＢの各色を表示できる。
有機層には、発光層２１５以外に、正孔注入層及び／又は正孔輸送層２１４、並びに電子注入層及び／又は電子輸送層２１６が設けられる。なお、正孔注入層及び／又は正孔輸送層２１４、並びに電子注入層及び／又は電子輸送層２１６は、複数の画素に亘って延在している。また、発光層２１５は、複数の画素１０９それぞれに設けられている。
電子注入層及び／又は電子輸送層２１６並びに絶縁層２１３上に、対向電極２１７が設けられる。対向電極２１７は、発光素子２５０を構成する陰極（カソード）として機能する。本実施形態の表示装置１００は、トップエミッション型であるため、対向電極２１７として透明導電層を用いる。透明導電層としては、例えば、ＭｇＡｇ薄膜、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどを用いることができる。対向電極２１７は、複数の画素に亘って延在している。対向電極２１７は、表示領域１０３の周辺領域において、下層の導電層を介して端子１０７へと電気的に接続される。図５では、画素電極２１２、正孔注入層及び／又は正孔輸送層２１４、発光層２１５、電子注入層及び／又は電子輸送層２１６、並びに対向電極２１７が重畳する領域を発光素子２５０と呼ぶ。また、表示領域１０３において、発光素子を有する複数の画素１０９や、走査線駆動回路１０４が設けられる層を素子形成層２１０と呼ぶ。
発光素子２５０上には、封止膜２２０が設けられる。発光素子２５０上に封止膜２２０を設けることにより、発光素子２５０に水や酸素が侵入することを抑制することができるため、発光素子２５０の劣化を低減することができる。これにより、表示装置１００の信頼性を向上させることができる。
封止膜２２０上には、絶縁層１３７が設けられる。絶縁層１３７は、無機絶縁材料が用いられている。封止膜２２０には、接続電極１１６の少なくとも一部が埋め込まれており、絶縁層１３７上には複数の導電層１３１、及びセンサ電極１１５が設けられている。左右に隣り合う導電層１３１は、接続電極１１６を介して互いに接続されている。また、接続電極１１６は、センサ電極１１５の少なくとも一部と交差する領域を有している。センサ電極１１４及びセンサ電極１１５により、タッチセンサが構成される。
ここで、センサ電極１１５の一部は、周辺領域１１０まで延伸し、コンタクトホール１１８において、配線１１９と電気的に接続される。具体的には、センサ電極１１５の一部は、保護膜２１１及び平坦化膜２０９に設けられたコンタクトホール１１８に設けられた導電層２２１を介して、配線１１９と接続されている。導電層２２１は、画素電極２１２と同じ工程で形成される膜であるため、画素電極２１２と同じ材料で構成される。
また、配線１１９は、周辺領域１１０の端部付近で露出される。具体的には、保護膜２１１及び平坦化膜２０９に設けられたコンタクトホール２２２に設けられた導電層２２３と、異方性導電膜２２４を介して、フレキシブルプリント基板１０８と接続される。
また、周辺領域１１０において、保護膜２１１上にバンク２３４が設けられている。バンク２３４は、少なくとも表示領域１０３を囲むように設けられている。なお、バンク２３４は、表示領域１０３と走査線駆動回路１０４を囲むように設けられていてもよい。バンク２３４は、有機絶縁層２３２が広がるのをせき止める働きがある。また、バンク２３４上で、無機絶縁層２３１と無機絶縁層２３３とが接することで、有機絶縁層２３２から水分や酸素が侵入することを抑制することができる。これにより、発光素子２５０に水分や酸素が侵入することを抑制できるため、発光素子２５０の劣化を低減することができる。その結果、表示装置１００の信頼性を向上させることができる。
表示領域１０３及びセンサ電極１１５と配線１１９との接続領域を覆うように、粘着材２２５が設けられている。粘着材２２５は、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコーン系、ウレタン系の粘着材を用いることができる。また、粘着材２２５には、カルシウムやゼオライトなどの吸水物質が含まれていてもよい。粘着材２２５に吸水物質が含まれることにより、表示装置１００の内部に水分が侵入した場合であっても、発光素子２５０に水分が到達することを遅らせることができる。
センサ電極１１４及びセンサ電極１１５上には、円偏光板２２８が設けられている。具体的には、センサ電極１１４及びセンサ電極１１５上に粘着材２２５を介して円偏光板２２８が設けられている。円偏光板２２８は、１／４波長板２２６と、直線偏光板２２７とを含む積層構造を有している。この構成により、発光領域ＬＡからの光が基板１０２の表示側の面から外部に放出することができる。
次に、図６Ａに、図４に示すＢ１−Ｂ２線に沿った断面図を示し、図６Ｂに、図４に示すＣ１−Ｃ２線に沿った断面図を示す。
図６Ａ及び図６Ｂに示すように、基板１０１上に素子形成層２１０が設けられている。素子形成層２１０上には、封止膜２２０が設けられている。
図６Ａ及び図６Ｂに示すように、接続電極１１６は、封止膜２２０に埋め込まれている。具体的には、接続電極１１６の側面及び底面が封止膜２２０に接している。封止膜２２０及び接続電極１１６上には、絶縁層１３７が設けられている。絶縁層１３７は、センサ電極１１４とセンサ電極１１５とを電気的に絶縁し、かつセンサ電極１１４とセンサ電極１１５との間で容量を形成するための誘電体としても機能する。図６Ａに示すように、絶縁層１３７には、コンタクトホール１３６が設けられている。また、絶縁層１３７上には、センサ電極１１４及びセンサ電極１１５が設けられている。センサ電極１１４の導電層１３１は、絶縁層１３７のコンタクトホール１３６を介して、接続電極１１６と接続されている。つまり、接続電極１１６によって、左右に隣り合う導電層１３１を、電気的に接続することができる。
図６Ａに示すように、センサ電極１１４及びセンサ電極１１５は、絶縁層１３７上に設けることができる。具体的には、導電層１３１及び導電層１３２は、同一層上に設けることができる。これにより、両者の反射特性などの光学特性をほぼ同じにすることができる。その結果、センサ電極１１４及びセンサ電極１１５を視認しにくくする、すなわち、目立たなくすることができる。
このように、行方向に配列された複数のセンサ電極３１４及び列方向に配列された複数のセンサ電極３１５を同じ層上に設ける場合、センサ電極１１４とセンサ電極１１５とが交差する領域において、センサ電極１１４とセンサ電極１１５とが接触することを防止する必要がある。
例えば、図１５に示すように、センサ電極３１４とセンサ電極３１５とが接触することを防止するために、センサ電極３１４とセンサ電極３１５との下層に絶縁層３３７を設ける。そして、当該絶縁層３３７を介して、センサ電極３１４の左右に隣り合う導電層３３１を接続するための接続電極３１６を設ける。これにより、センサ電極３１４とセンサ電極３１５とが交差する領域において、センサ電極３１４とセンサ電極３１５とが接触することを防止できる。
しかしながら、封止膜２２０上に左右に隣り合う導電層３３１を接続するための接続電極３１６を設けると、接続電極３１６上に設けられる絶縁層３３７に段差が生じる。絶縁層３３７の段差上に、センサ電極３１４が形成されると、領域３２０において、センサ電極３１４のメッシュ状の配線が断線する可能性が高くなる。例えば、センサ電極３１４として、チタン、アルミニウム、及びチタンの積層構造で形成した場合、チタンの膜厚は数十ｎｍと薄いため、領域３２０において断線しやすくなる。当該断線した部分では、タッチを検出できなくなるおそれがある。
そこで、本実施形態に係る表示装置では、隣り合う導電層１３１を接続する接続電極１１６を、封止膜２２０に埋め込んでいる。そして、接続電極１１６の絶縁層１３７側の面を、封止膜２２０の絶縁層１３７側の面と一致させるか、封止膜２２０の絶縁層１３７側の面よりも低い位置にする。これにより、センサ電極１１４及びセンサ電極１１５が設けられる層の表面をほぼ平坦とすることができる。よって、接続電極１１６の端部において、メッシュ状のセンサ電極１１４及びセンサ電極１１５が断線することを低減することができる。
［センサ電極と画素のレイアウト］
本実施形態に係るセンサ電極１１４及びセンサ電極１１５の各々は、格子状の形状を有するメッシュ配線である。換言すると、それぞれマトリクス状に配置される開口を有する。
図７に、ストライプに配列された副画素２６１、２６２、２６３と、センサ電極１１４について示す。図７に示すように、センサ電極１１４の開口は、各副画素２６１、２６２、２６３の発光領域と重なる。換言すると、各副画素２６１、２６２、２６３の発光領域は、センサ電極１１４の開口１３４と重なる領域に配置され、センサ電極１１４のメッシュ配線とは重ならない。
ここで、副画素２６１、２６２、２６３をそれぞれ第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素とし、それぞれが与える色を第１の色、第２の色、第３の色とし、第１の色、第２の色、および第３の色は互いに異なるとする。表示領域１０３において、一つの開口１３４と重なる副画素２６１の数、副画素２６２の数、副画素２６３の数のうち、いずれか一つの副画素の数は、他の二つの副画素の数とは異なっていてもよい。例えば、図７で示した構成では、一つの開口１３４には、副画素２６１が３つ、副画素２６２が６つ、副画素２６３が６つ配置されており、副画素２６１の数は、副画素２６２の数及び副画素２６３の数と異なっている。
図７に示すように、開口１３４を形成する一辺の長さＬоは、画素１０９の一辺の長さＬpの（ｎ＋ｋ／ｍ）倍となるよう、開口１３４を設けることができる。ここで、長さＬоのベクトルと長さＬpのベクトルは平行であり、ｎは任意の自然数、ｍは一つの画素２６０に含まれる副画素が、長さＬpのベクトルに垂直な方向に延伸する列の数、ｋはｍより小さい自然数である。図７で示したストライプ配列では、ｍは３であり、ＬоはＬpの（１＋２／３）倍となっている。なお、長さＬоのベクトルと長さＬpのベクトルは、例えば、走査線駆動回路１０４から伸び、表示領域１０３を横断する走査線と平行であってもよい。
また、センサ電極１１４の一部は、走査線駆動回路１０４から伸び、表示領域１０３を横断する走査線１１１に沿って設けられており、走査線１１１と重なる領域を有していてもよい。また、センサ電極１１４の一部は、ドライバＩＣ１０６から延び、表示領域１０３を縦断する信号線１１２に沿って設けられており、信号線１１２と重なる領域を有していてもよい。
図８に、図４に示すＢ１−Ｂ２線に沿って切断した詳細な断面図を示す。接続電極１１６は、走査線１１１に沿って設けられており、走査線１１１と重なる領域を有している。このように、センサ電極１１４、センサ電極１１５、及び接続電極１１６を走査線１１１に沿って重畳して設けることにより、画素１０９の発光素子の発光領域に重なることを抑制することができる。これにより、画素１０９の開口率の低下を抑制することができる。
上述したセンサ電極１１４のレイアウトを採用することで、与える色の異なる副画素が同じ確率でメッシュ状の配線に隣接する。そのため、各副画素が与える、色度に対する視野角依存性が均等になる。その結果、画像全体に対して与える色の視野角依存性を解消することが可能となる。
なお、図７においては、センサ電極１１４のレイアウトについて説明したが、センサ電極１１５においても、同様のレイアウトを採用できる。
以上説明したように、本実施形態に係る表示装置では、隣り合う導電層１３１を接続する接続電極１１６を、封止膜２２０に埋め込むように形成する。そして、接続電極１１６の絶縁層１３７側の面を、封止膜２２０の絶縁層１３７側の面と一致させるか、封止膜２２０の絶縁層１３７側の面よりも低い位置となるように形成する。これにより、センサ電極１１４及びセンサ電極１１５が設けられる層の表面はほぼ平坦とすることができる。よって、接続電極１１６の端部において、メッシュ状のセンサ電極１１４及びセンサ電極１１５が断線することを低減することができる。
［封止膜及びタッチセンサの製造方法］
次に、本実施形態に係る表示装置が有する封止膜及びタッチセンサの製造方法について、図９Ａ乃至図９Ｆを参照して説明する。なお、図９Ａ乃至図９Ｆは、図４に示すＤ１−Ｄ２線に沿った断面図である。
まず、図９Ａに示すように、素子形成層２１０上に、封止膜２２０を形成する。具体的には、発光素子の陰極上に、封止膜２２０を形成する。本実施形態において封止膜２２０として、無機絶縁層２３１、有機絶縁層２３２、及び無機絶縁層２３３を順に形成する。無機絶縁層２３１及び無機絶縁層２３３は、水分が透過するのを防止するために緻密な膜であることが好ましい。また、封止膜を無機絶縁層だけで形成した場合には、表示装置を折り曲げた際に封止膜が割れてしまうおそれがある。そのため、無機絶縁層よりも柔軟性が高い有機絶縁層を用い、無機絶縁層と有機絶縁層とを交互に積層して封止膜２２０を形成することが好ましい。
無機絶縁層２３１及び無機絶縁層２３３として、例えば、窒化シリコン（ＳｉxＮy）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯxＮy）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮxＯy）、酸化アルミニウム（ＡｌxＯy）、窒化アルミニウム（ＡｌxＮy）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌxＯyＮz））、窒化酸化アルミニウム（ＡｌxＮyＯz）等の膜などを用いることができる（ｘ、ｙ、ｚは任意）。無機絶縁層２３１の膜厚は、５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましく、無機絶縁層２３３の膜厚は、５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。また、有機絶縁層２３２として、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂などを用いることができる。有機絶縁層２３２の膜厚は、５μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。無機絶縁層２３１、有機絶縁層２３２、無機絶縁層２３３の膜厚がそれぞれ上記の範囲にあることで、水分や酸素が透過して発光素子に到達することを抑制しつつ、表示装置の柔軟性を確保できるため好ましい。
次に、封止膜２２０上にタッチセンサ１１３を形成する。まず、図９Ｂに示すように、無機絶縁層２３３に、凹部１３８を形成する。凹部１３８は、無機絶縁層２３３上にマスクを形成して、無機絶縁層２３３をエッチングすることにより、形成することができる。凹部１３８の深さは、後に形成される接続電極１１６の厚さに合わせることが好ましく、例えば、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすることが好ましい。
次に、図９Ｃに示すように、無機絶縁層２３３に形成された凹部１３８に、導電層１１６ａを成膜する。導電層１１６ａは、例えば、銀ペーストなどの導電性ペーストを印刷または塗布することで成膜することができる。また、導電層１１６ａは、例えば、金属ナノワイヤを含有する組成物を印刷または塗布することで成膜することができる。金属ナノワイヤとしては、金、銀、白金、銅等があるが、導電性と視認性が優れる点で、銀ナノワイヤが好ましい。
次に、図９Ｄに示すように、無機絶縁層２３３の凹部１３８に導電層１１６ａを形成した後、導電層１１６ａ及び無機絶縁層２３３の表面に平坦化処理を行う。平坦化処理として、例えば、化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）や、エッチバック処理を行うことが好ましい。なお、エッチバック処理とは、異方性の高いエッチング（例えば、ドライエッチング）により、膜の表面を厚さ方向に後退させることをいう。導電層１１６ａ及び無機絶縁層２３３の表面に平坦化処理を行うことにより、接続電極１１６を形成することができる。接続電極１１６は、少なくとも一部が無機絶縁層２３３に埋め込まれている。具体的には、接続電極１１６は、側面及び底面が、無機絶縁層２３３に接して設けられる。また、接続電極１１６と、有機絶縁層２３２との間には、無機絶縁層２３３が設けられる。ここで、接続電極１１６の絶縁層１３７側の面が、封止膜の絶縁層１３７側の面と略一致させることが好ましい。ここで略一致とは、接続電極１１６の上面が、無機絶縁層２３３の絶縁層１３７側の面に対して、±１０ｎｍ程度の範囲にあれば、略一致ということができる。また、接続電極１１６の膜厚は、無機絶縁層２３３に設けられた凹部１３８の深さによって決定される。
次に、図９Ｅに示すように、接続電極１１６及び無機絶縁層２３３上に、絶縁層１３７を成膜する。絶縁層１３７として、例えば、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜などの無機絶縁層を用いることができる。絶縁層１３７の膜厚は、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが好ましい。次に、絶縁層１３７にコンタクトホール１３６を形成することにより、接続電極１１６の一部を露出させる。
次に、絶縁層１３７上に、導電膜を形成する。導電膜として、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、ビスマス（Ｂｉ）などを使用することができる。また、これらの金属の合金を使用してもよい。また、ＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）、ＩＧＯ（酸化インジウム・ガリウム）、ＩＺＯ（酸化インジウム・亜鉛）、ＧＺＯ（ガリウムがドーパントとして添加された酸化亜鉛）等の導電性酸化物を使用してもよい。また、導電膜は、単層構造であっても、積層構造であってもよい。
次に、導電膜上にマスクを形成し、エッチングを行うことにより、複数の導電層１３１及び複数の導電層１３２を形成する。このエッチングにより、複数の導電層１３１のそれぞれに、複数の開口１３４がマトリクス状に配列されるように形成する。同様に、複数の導電層１３２のそれぞれに、複数の開口１３５がマトリクス状に配列されるように形成する。これにより、導電層１３１及び導電層１３２を、メッシュ状の形状とすることができる。また、隣り合う導電層１３１は、接続領域１３９によって接続されることで、センサ電極１１４として機能させることができる。また、隣り合う導電層１３２は、無機絶縁層２３３に埋め込まれた接続電極１１６を介して接続されることで、センサ電極１１５として機能させることができる。
以上の工程により、封止膜及びタッチセンサ１１３を形成することができる（図９Ｆ参照）。
本実施形態に係る表示装置では、隣り合う導電層１３１を接続する接続電極１１６を、封止膜２２０に埋め込むように形成する。そして、接続電極１１６の絶縁層１３７側の面を、封止膜２２０の絶縁層１３７側の面と略一致させるか、封止膜２２０の絶縁層１３７側の面よりも低い位置となるように形成する。これにより、センサ電極１１４及びセンサ電極１１５が設けられる層の表面はほぼ平坦とすることができる。よって、接続電極１１６の端部において、メッシュ状のセンサ電極１１４及びセンサ電極１１５が断線することを低減することができる。
（第２実施形態）
本実施形態では、センサ電極１１４及びセンサ電極１１５を、封止膜２２０に埋め込み、絶縁層１３７上に接続電極１１６を設ける構成にについて、図１０、図１１Ａ、及び図１１Ｂを参照して説明する。
図１０に、タッチセンサの一部の領域を拡大した拡大図を示す。図４に示すタッチセンサと同様に、センサ電極１１４において、左右に隣り合う導電層１３１は、接続電極１１６を介して接続されている。また、センサ電極１１５において、上下に隣り合う導電層１３２は、接続領域１３９を介して接続されている。センサ電極１１４が有する複数の導電層１３１は、複数の開口１３４を有しており、センサ電極１１５が有する複数の導電層１３２は、複数の開口１３５を有している。導電層１３１及び導電層１３２のそれぞれにおいて、複数の開口１３４及び複数の開口１３５は、マトリクス状に配列されている。これにより、導電層１３１及び導電層１３２は、メッシュ状の形状を有している。ここで、導電層１３１を構成する配線の幅ｌは、１μｍ以上１０μｍ以下または２μｍ以上８μｍ以下、典型的には５μｍである。同様に、導電層１３２を構成する配線の幅ｍは、１μｍ以上１０μｍ以下または２μｍ以上８μｍ以下、典型的には５μｍである。
図１０には図示されていないが、第１実施形態の図９Ａと同様に、封止膜２２０が、無機絶縁層２３１、有機絶縁層２３２、及び無機絶縁層２３３をさらに有していてもよい。無機絶縁層２３１、有機絶縁層２３２、及び無機絶縁層２３３が発光素子２５０側から順に積層されている場合には、導電層１３１及び導電層１３２の少なくとも一部は、無機絶縁層２３３に埋め込まれる。つまり、導電層１３１の側面及び底面、並びに導電層１３２の側面及び底面は、無機絶縁層２３３に接している。
図１０に示すように、左右に隣り合う導電層１３１を接続する接続電極１１６は、第１方向に沿って設けられており、上下に隣り合う導電層１３２を接続する接続領域１３９は、第１方向と交差する第２方向に沿って設けられている。換言すると、接続電極１１６は、センサ電極１１５の一部と交差する領域を有している。
次に、図１１Ａに、図１０に示すＥ１−Ｅ２線に沿った断面図を示し、図１１Ｂに、図１０に示すＦ１−Ｆ２線に沿った断面図を示す。
図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、基板１０１上に素子形成層２１０が設けられており、素子形成層２１０上には、封止膜２２０が設けられている。
図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、センサ電極１１４及びセンサ電極１１５は、封止膜２２０に埋め込まれている。絶縁層１３７は、センサ電極１１４とセンサ電極１１５とを電気的に絶縁するための誘電体としても機能する。図１１Ａに示すように、絶縁層１３７には、コンタクトホール１３６が設けられている。また、絶縁層１３７上には、接続電極１１６が設けられている。センサ電極１１４の導電層１３１は、絶縁層１３７のコンタクトホール１３６を介して、接続電極１１６と接続されている。つまり、接続電極１１６によって、左右に隣り合う導電層１３１を、電気的に接続することができる。
図１１Ａに示すように、センサ電極１１４及びセンサ電極１１５は、封止膜２２０に埋め込むことができる。これにより、両者の反射特性などの光学特性をほぼ同じにすることができる。その結果、センサ電極１１４及びセンサ電極１１５を視認しにくくする、すなわち、目立たなくすることができる。
また、本実施形態に係る表示装置では、センサ電極１１４及びセンサ電極１１５を、封止膜２２０に埋め込んでいる。そして、センサ電極１１４及びセンサ電極１１５の絶縁層１３７側の面を、封止膜２２０の絶縁層１３７側の面と一致させるか、封止膜２２０の絶縁層１３７側の面よりも低い位置にする。これにより、メッシュ状のセンサ電極１１４及びセンサ電極１１５が断線することを低減することができる。
（第３実施形態）
本実施形態では、第１実施形態に示すタッチセンサのセンサ電極１１４及びセンサ電極１１５のレイアウトとは一部異なるレイアウトについて図１２及び図１３を参照して説明する。
次に、図１２に、タッチセンサの一部の拡大図を示す。また、センサ電極１１４において、上下に隣り合う導電層１３１は、接続電極１１６を介して接続されている。センサ電極１１５において、左右に隣り合う導電層１３２は、接続領域１３９を介して接続されている。センサ電極１１４が有する複数の導電層１３１は、複数の開口１３４を有しており、センサ電極１１５が有する複数の導電層１３２は、複数の開口１３５を有している。導電層１３１及び導電層１３２のそれぞれにおいて、複数の開口１３４及び複数の開口１３５は、マトリクス状に配列されている。これにより、導電層１３１及び導電層１３２は、メッシュ状の形状を有している。
図１２に示すように、上下に隣り合う導電層１３１を接続する接続電極１１６は、第２方向に沿って設けられており、左右に隣り合う導電層１３２を接続する接続領域１３９は、第１方向に沿って設けられている。換言すると、接続電極１１６は、センサ電極１１５の一部と交差する領域を有している。なお、図１３において、接続電極１１６の幅は、導電層１３１の幅ｌと同じ幅で図示しているが、導電層１３１の幅ｌよりも大きくてもよい。接続電極１１６は、画素の発光素子の発光領域と重ならないことが好ましい。
また、センサ電極１１４の一部は、走査線駆動回路１０４から伸び、表示領域１０３を横断する走査線１１１に沿って設けられており、走査線１１１と重なる領域を有していてもよい。また、センサ電極１１４の一部は、ドライバＩＣ１０６から延び、表示領域１０３を縦断する信号線１１２に沿って設けられており、信号線１１２と重なる領域を有していてもよい。
図１３に、図１２に示すＧ１−Ｇ２線に沿って切断した詳細な断面図を示す。接続電極１１６は、信号線１１２に沿って設けられており、信号線１１２と重なる領域を有している。このように、センサ電極１１４、センサ電極１１５、及び接続電極１１６を信号線１１２に沿って重畳して設けることにより、画素１０９の発光素子の発光領域に重なることを抑制することができる。これにより、画素１０９の開口率の低下を抑制することができる。
（第４実施形態）
本実施形態では、図９Ａ乃至図９Ｆに示す封止膜及びタッチセンサの製造方法とは一部異なる製造方法について、図１４Ａ乃至図１４Ｆを参照して説明する。また、図１４Ａ乃至図１４Ｆは、図４に示すＤ１−Ｄ２線に沿った断面図である。なお、図９Ａ乃至図９Ｆと同様の工程については、説明を省略することがある。
まず、素子形成層２１０上に封止膜２２０を形成する。封止膜２２０は、無機絶縁層２３１、有機絶縁層２３２、および無機絶縁層２３３の積層構造で形成される。封止膜２２０に関する詳細な説明は図９Ａの記載を参照できる。
次に、図１４Ａに示すように、封止膜２２０の無機絶縁層２３３に、凹部１３８を形成する。凹部１３８は、無機絶縁層２３３上にマスクを形成して、無機絶縁層２３３をエッチングすることにより、形成することができる。例えば、凹部１３８の深さは、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすることが好ましい。
次に、図１４Ｂに示すように、封止膜２２０上に導電層１１６ｂを形成する。導電層１１６ｂは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、ビスマス（Ｂｉ）などを使用することができる。また、これらの金属の合金を使用してもよい。また、ＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）、ＩＧＯ（酸化インジウム・ガリウム）、ＩＺＯ（酸化インジウム・亜鉛）、ＧＺＯ（ガリウムがドーパントとして添加された酸化亜鉛）等の導電性酸化物を使用してもよい。また、接続電極１１６は、単層構造であっても、積層構造であってもよい。導電層１１６ｂは、例えば、チタン、アルミニウム、及びチタンの積層構造で形成される。また、導電層１１６ｂの膜厚は、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすることが好ましい。
次に、図１４Ｃに示すように、凹部１３８及び導電層１１６ｂによって形成された凹部に、レジスト２４１を形成する。次に、図１４Ｄに示すように、導電層１１６ｂにエッチバック処理を行うことにより、無機絶縁層２３３の表面を露出させる。その後、図１４Ｅに示すように、レジスト２４１を除去することにより、接続電極１１６を形成することができる。接続電極１１６は、側面及び底面が、無機絶縁層２３３に接して設けられる。また、接続電極１１６と、有機絶縁層２３２との間には、無機絶縁層２３３が設けられる。ここで、接続電極１１６の絶縁層１３７側の面が、封止膜の絶縁層１３７側の面よりも低いことが好ましい。具体的には、無機絶縁層２３３の絶縁層１３７側の面に対して、１０ｎｍよりも低い位置にあることが好ましい。
次に、図９Ｅに示す工程と同様に、接続電極１１６及び無機絶縁層２３３上に、絶縁層１３７を成膜する。絶縁層１３７として、例えば、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜などの無機絶縁層を用いることができる。絶縁層１３７の膜厚は、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが好ましい。次に、絶縁層１３７にコンタクトホール１３６を形成することにより、接続電極１１６の一部を露出させる。
次に、図９Ｆに示す工程と同様に、絶縁層１３７上に、導電膜を形成する。次に、導電膜上にマスクを形成し、エッチングを行うことにより、複数の導電層１３１及び複数の導電層１３２を形成する。このエッチングにより、複数の導電層１３１のそれぞれに、複数の開口１３４がマトリクス状に配列されるように形成する。同様に、複数の導電層１３２のそれぞれに、複数の開口１３５がマトリクス状に配列されるように形成する。これにより、導電層１３１及び導電層１３２を、メッシュ状の形状とすることができる。また、隣り合う導電層１３１は、接続領域１３９によって接続されることで、センサ電極１１４として機能させることができる。また、隣り合う導電層１３２は、無機絶縁層２３３に埋め込まれた接続電極１１６を介して接続されることで、センサ電極１１５として機能させることができる。
以上の工程により、封止膜２２０及びタッチセンサ１１３を形成することができる（図１４Ｆ参照）。
本実施形態に係る表示装置では、隣り合う導電層１３１を接続する接続電極１１６を、封止膜２２０に埋め込むように形成する。そして、接続電極１１６の絶縁層１３７側の面を、封止膜２２０の絶縁層１３７側の面よりも低い位置となるように形成する。これにより、センサ電極１１４及びセンサ電極１１５が設けられる層の表面はほぼ平坦とすることができる。よって、接続電極１１６の端部において、メッシュ状のセンサ電極１１４及びセンサ電極１１５が断線することを低減することができる。
なお、図１４Ａ乃至図１４Ｆに示す封止膜２２０及びタッチセンサ１１３の製造方法において、接続電極１１６を、無機絶縁層２３３に埋め込む方法について説明したが、本発明はこれに限定されない。センサ電極１１４及びセンサ電極１１５を、無機絶縁層２３３に埋め込んでもよい。
具体的には、第２実施形態で説明したように、センサ電極１１４が有する導電層１３１及びセンサ電極１１５を、封止膜２２０に埋め込むように形成する。つまり、センサ電極１１４が有する導電層１３１及びセンサ電極１１５は、側面及び底面が、無機絶縁層２３３に接して設けられる。また、センサ電極１１４が有する導電層１３１及びセンサ電極１１５と、有機絶縁層２３２との間には、無機絶縁層２３３が設けられる。そして、センサ電極１１４が有する導電層１３１及びセンサ電極１１５を、封止膜２２０の絶縁層１３７側の面よりも低い位置となるように形成する。これにより、センサ電極１１４及びセンサ電極１１５が設けられる層の表面をほぼ平坦とすることができる。よって、センサ電極１１５の端部において、センサ電極１１４が有する接続電極１１６が断線することを低減することができる。
以上、本発明に係る実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
１００：表示装置、１０１：基板、１０２：基板、１０３：表示領域、１０４：走査線駆動回路、１０６：ドライバＩＣ、１０７：端子、１０８：フレキシブルプリント基板、１０９：画素、１１０：周辺領域、１１１：走査線、１１２：信号線、１１３：タッチセンサ、１１４：センサ電極、１１５：センサ電極、１１６：接続電極、１１６ａ：導電層、１１７：配線、１１８：コンタクトホール、１１９：配線、１２０：領域、１２１：端子、１２２：ドライバＩＣ、１２３：配線、１２４：コンタクトホール、１２５：配線、１２６：端子、１２７：フレキシブルプリント基板、１３０：領域、１３１：導電層、１３２：導電層、１３４：開口、１３５：開口、１３６：コンタクトホール、１３７：絶縁層、１３８：凹部、１３９：接続領域、２０１：支持基板、２０２：下地膜、２０３：半導体層、２０４：ゲート絶縁膜、２０５：ゲート電極、２０６：層間絶縁層、２０７：ドレイン電極、２０８：ドレイン電極、２０９：平坦化膜、２１０：素子形成層、２１１：保護膜、２１２：画素電極、２１３：絶縁層、２１４：正孔輸送層、２１５：発光層、２１６：電子輸送層、２１７：対向電極、２２０：封止膜、２２１：導電層、２２２：コンタクトホール、２２３：導電層、２２４：異方性導電膜、２２５：粘着材、２２６：１／４波長板、２２７：直線偏光板、２２８：円偏光板、２３１：無機絶縁層、２３２：有機絶縁層、２３３：無機絶縁層、２３４：バンク、２４０：トランジスタ、２４１：レジスト、２５０：発光素子、２６０：画素、２６１：副画素、２６２：副画素、２６３：副画素、３１４：センサ電極、３１５：センサ電極、３１６：接続電極、３２０：領域、３３１：導電層、３３７：絶縁層

Claims (20)

  1. 発光素子を含む画素を複数有する表示領域と、
    前記表示領域上に設けられた封止膜と、
    前記封止膜上に設けられた絶縁層と、
    前記封止膜に少なくとも一部が埋め込まれ、かつ前記絶縁層に覆われた接続電極、並びに前記絶縁層上に設けられた第１導電層及び第２導電層を有する第１センサ電極と、
    前記絶縁層上に設けられた第２センサ電極と、を有し、
    前記第１導電層及び前記第２導電層は、前記接続電極を介して互いに接続され、
    前記接続電極は、前記第２センサ電極の少なくとも一部と交差する領域を有する、表示装置。
  2. 前記絶縁層は、無機絶縁材料からなる、請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記表示領域の周辺領域において、
    前記表示領域を囲むバンクをさらに有し、
    前記第１導電層又は前記第２導電層の一方は、前記バンクと重なる領域を有する、請求項１に記載の表示装置。
  4. 前記第１センサ電極及び前記第２センサ電極上に、円偏光板をさらに有する、請求項１に記載の表示装置。
  5. 第１方向に延在する走査線と、
    前記第１方向と交差する第２方向に延在する信号線と、をさらに有し、
    前記接続電極は、前記走査線と重なる領域を有する、請求項１に記載の表示装置。
  6. 前記第１センサ電極及び前記第２センサ電極は、それぞれ複数の開口を有し、
    前記複数の開口は、少なくとも一つの前記画素が有する前記発光素子の発光領域と重なる、請求項１に記載の表示装置。
  7. 前記封止膜は、前記表示領域側から積層された第１無機絶縁層と有機絶縁層と第２無機絶縁層とをさらに有し、
    前記接続電極の少なくとも一部は、第２無機絶縁層に埋め込まれる、請求項１に記載の表示装置。
  8. 前記接続電極と、前記有機絶縁層との間に前記第２無機絶縁層が設けられる、請求項７に記載の表示装置。
  9. 前記接続電極の前記絶縁層側の面は、前記封止膜の前記絶縁層側の面と略一致する、請求項１に記載の表示装置。
  10. 前記接続電極の前記絶縁層側の面は、前記封止膜の前記絶縁層側の面よりも低い位置にある、請求項１に記載の表示装置。
  11. 発光素子を含む画素を複数有する表示領域と、
    前記表示領域上に設けられた封止膜と、
    前記封止膜上に設けられた絶縁層と、
    前記封止膜に少なくとも一部が埋め込まれ、かつ前記絶縁層に覆われた第１導電層及び第２導電層、並びに前記絶縁層上に設けられた接続電極を有する第１センサ電極と、
    前記封止膜に少なくとも一部が埋め込まれた第２センサ電極と、を有し、
    前記第１導電層及び第２導電層は、前記接続電極を介して互いに接続され、
    前記接続電極は、前記第２センサ電極の少なくとも一部と交差する領域を有する、表示装置。
  12. 前記絶縁層は、無機絶縁材料からなる、請求項１１に記載の表示装置。
  13. 前記表示領域の周辺領域において、
    前記表示領域を囲むバンクをさらに有し、
    前記第１導電層又は前記第２導電層の一方は、前記バンクと重なる領域を有する、請求項１１に記載の表示装置。
  14. 前記第１センサ電極及び前記第２センサ電極上に、円偏光板をさらに有する、請求項１１に記載の表示装置。
  15. 第１方向に延在する走査線と、
    前記第１方向と交差する第２方向に延在する信号線と、をさらに有し、
    前記接続電極は、前記走査線と重なる領域を有する、請求項１１に記載の表示装置。
  16. 前記第１センサ電極及び前記第２センサ電極は、それぞれ複数の開口を有し、
    前記複数の開口は、少なくとも一つの前記画素が有する前記発光素子の発光領域と重なる、請求項１１に記載の表示装置。
  17. 前記封止膜は、前記表示領域側から積層された第１無機絶縁層と有機絶縁層と第２無機絶縁層とをさらに有し、
    前記第１センサ電極及び前記第２センサ電極の少なくとも一部は、第２無機絶縁層に埋め込まれる、請求項１１に記載の表示装置。
  18. 前記第１導電層、前記第２導電層、及び第２センサ電極と、前記有機絶縁層との間に、前記第２無機絶縁層が設けられる、請求項１７に記載の表示装置。
  19. 前記接続電極の前記絶縁層側の面は、前記封止膜の前記絶縁層側の面と略一致する、請求項１１に記載の表示装置。
  20. 前記接続電極の前記絶縁層側の面は、前記封止膜の前記絶縁層側の面よりも低い位置にある、請求項１１に記載の表示装置。
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