JP2019091642A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】有機ＥＬ素子を覆う封止層は、剥離しないように、下地面との密着力を高める必要がある。【解決手段】表示装置は、複数の画素が配列された表示部と、表示部を覆う封止層と、表示部の外側の共通接続部とを有する。複数の画素は、第１電極と、第１電極上に配置され表示部の全体を覆い共通接続部の一部と重なる第２電極と、第１電極と第２電極との間の有機層とを有する。共通接続部は、第２電極の外側に配置された金属層を含み、封止層は、少なくとも一層の無機絶縁層を含み、無機絶縁層の端部は第２電極の外側に配置される。無機絶縁層は、第２電極と接する第１領域と、第１領域の外側で、金属層と接する第２領域とを有する。【選択図】図２

Description

本発明一実施形態は、複数の画素が配列された領域を覆う封止層を有する表示装置に関する。

有機エレクトロルミネセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」又は単に「発光素子」ともいう。）は、陽極及び陰極と区別される一対の電極間に有機エレクトロルミネセンス材料を含む有機層が積層された構造を有する。有機ＥＬ素子で画素が構成される表示装置は、複数の画素が設けられる領域（以下、「表示部」ともいう。）を覆う封止層が設けられている。有機ＥＬ素子は、水分の影響を受けると劣化することが知られている。そのため、封止層は、高い水蒸気バリア性が求められている。有機ＥＬ素子を封止するための封止層の構造として、例えば、第１無機封止層と第２無封止層との間に有機封止層が積層された構造が開示されている（特許文献１参照。）。

特開２０１７−１５７４０６号公報

有機ＥＬ素子を覆う封止層は、剥離しないように、下地面との密着力（密着強度、付着強度）を高める必要がある。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、複数の画素が配列された表示部と、表示部を覆う封止層と、表示部の外側の共通接続部とを有する。複数の画素は、第１電極と、第１電極上に配置され表示部の全体を覆い共通接続部の一部と重なる第２電極と、第１電極と第２電極との間の有機層とを有する。共通接続部は、第２電極の外側に配置された金属層を含み、封止層は、少なくとも一層の無機絶縁層を含み、無機絶縁層の端部は第２電極の外側に配置される。無機絶縁層は、第２電極と接する第１領域と、第１領域の外側で、金属層と接する第２領域とを有する。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、トランジスタと、トランジスタ上の層間絶縁層と、層間絶縁層上のコモン配線と、層間絶縁層上に配置されトランジスタを埋設する平坦化層と、平坦化層上の発光素子と、層間絶縁層上に配置され発光素子を囲む隔壁層と、発光素子及び隔壁層を覆う封止層とを含む。発光素子は、平坦化層上の第１電極と、第１電極上及び隔壁層上の第２電極と、第１電極と第２電極との間の有機層とを有する。コモン配線は、平坦化層及び隔壁層から露出され、第２電極は隔壁層上から延伸されコモン配線と重なる領域を有する。封止層は、少なくとも一層の無機絶縁層を含み、無機絶縁層の端部が第２電極の外側に配置される。無機絶縁層は、第２電極と接する第１領域と、第１領域の外側でコモン配線と重なる第２領域とを有する。第２領域は、無機絶縁層とコモン配線との間に金属層を含む。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、第１絶縁層と、第１絶縁層上の半導体層と、半導体層上の第２絶縁層と、第２絶縁層上で半導体層と重なる領域を有するゲート電極と、第２絶縁層及びゲート電極上の第３絶縁層と、第３絶縁層上の第１配線及びコモン配線と、第３絶縁層、第１配線及びコモン配線上の平坦化層と、平坦化層上の第１電極と、第１電極と重なる領域に開口部を有する隔壁層と、第１電極上及び隔壁層上の第２電極と、第１電極及び第２電極との間の有機層と、第２電極上の封止層とを有する。平坦化層は、コモン配線を露出させる開口溝を有し、第２電極は、隔壁層上から延伸されコモン配線と重なる領域を有する。封止層は、少なくとも一層の無機絶縁層を含み、無機絶縁層の端部が第２電極の外側に配置される。無機絶縁層は、第２電極と接する第１領域と、第１領域の外側でコモン配線と重なる第２領域とを有する。第２領域は、無機絶縁層とコモン配線との間に金属層を含む。

本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構造を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構造を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の構造を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の共通接続部の構造を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図であるって、共通接続部の状態を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。

以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後にａ、ｂなどを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。

本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視においては、基板の一主面に対して画素領域、タッチセンサが配置される側を「上方」に該当するとして説明する。

本明細書において、ある部材の「上に」、「上方に」という場合、特段の断りのない限り、ベース部材を基準として、離れる方向を指すものとする。例えば、ベース部材の第１面に、第１の層、第２の層がこの順番に積層されている場合、第１の層上に第２の層が配置されている（設けられている）というものとする。

本発明の一実施形態に係る表示装置１００の構成を図１に示す。図１は、表示装置１００を構成する各要素の平面的な配置を示す。表示装置１００は、ベース部材１０２を含む。ベース部材１０２は、第１面と、この第１面とは反対側の第２面を有する。ベース部材１０２の一方の面（例えば、第１面）に表示部１０４が設けられる。表示部１０４は、複数の画素１０６が配列される。表示部１０４には、複数の画素１０６の配列に対応して、第１駆動回路１１２ａから伸びる走査信号線１０８、及び第２駆動回路１１２ｂから伸びる映像信号線１１０が、それぞれ複数本配設される。

第１駆動回路１１２ａ、第２駆動回路１１２ｂ、及び端子部１１４は、表示部１０４の外側の領域に配置される。第１駆動回路１１２ａは、表示部１０４の少なくとも一辺に沿って配置され、第２駆動回路１１２ｂは、当該一辺と交差する一辺に沿って配置される。第１駆動回路１１２ａは走査信号線１０８に走査信号を出力し、第２駆動回路１１２ｂは映像信号線１１０に映像信号を出力する。さらに、表示部１０４の外側の領域には、表示部１０４に配列される複数の画素１０６に共通電位を与える共通接続部１１８（コモンコンタクト）が配置される。図１は、共通接続部１１８が、第１駆動回路１１２ａの外側に配置される態様を示す。共通接続部１１８は、表示部１０４の３辺を囲むように設けられている。共通接続部１１８を、表示部１０４を囲むように配置することで、複数の画素１０６それぞれに印加される電位の均一化を図っている。

ベース部材１０２は、樹脂材料、金属材料、ガラス材料によって形成される。ベース部材１０２は、フィルム状、板状の形態を有する。外観形状からベース部材１０２は、フィルム、シート、又は基板と呼ぶこともできる。好適な一実施形態において、フィルム状の部材がベース部材１０２として用いられる。具体的に、ベース部材１０２としてポリイミドフィルムが用いられる。ベース部材１０２としてのポリイミドフィルムは、５μｍ〜５０μｍ、例えば、１０μｍ程度の厚さを有する。このような厚さを有するベース部材１０２は、可撓性を有する。詳細は後述されるが、表示部１０４及び駆動回路１１２は、金属、半導体、絶縁体等の薄膜で各種の素子及び回路が作製される。薄膜で作製された各種の素子及び回路は、ベース部材１０２と共に曲げることが出来るので、可撓性の表示装置１００を得ることができる。また、ベース部材１０２を構成する他の部材として、厚さ１００μｍ〜２００μｍ程度のガラス基板を用いることもできる。この場合、脆性を改善するために有機樹脂フィルムが付着されていることが好ましい。

ベース部材１０２が可撓性を有する場合、表示部１０４と第２駆動回路１１２ｂとの間は、折り曲げ領域１２０として用いることができる。折り曲げ領域１２０でベース部材１０２を背面（表示部１０４と反対側の面）に折り曲げることで、表示部１０４に対する周辺部分（この領域は「額縁領域」とも呼ばれる。）の面積を見かけ上縮小することができる。すなわち、表示装置１００の狭額縁化を図ることができる。

画素１０６は、表示素子と表示素子を駆動する駆動素子とにより構成される。表示素子として、有機エレクトロルミネセンス材料で発光層が形成される発光素子が用いられる。駆動素子として、半導体膜にチャネル領域が形成されるトランジスタ（「薄膜トランジスタ」とも呼ばれる。）が用いられる。発光素子及びトランジスタの詳細は後述される。第１駆動回路１１２ａは、シフトレジスタ等を含む回路がトランジスタにより形成される。一方、第２駆動回路１１２ｂは、例えば、ベアチップのシリコン集積回路が用いられ、ベース部材１０２に実装される。端子部１１４は、複数の端子電極１１６が配列される。複数の端子電極１１６のそれぞれは、図示されないフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ基板）と接続される。

図２は、図１に示すＡ１−Ａ２線に沿った、表示装置１００の簡略化された断面構造を示す。表示装置１００は、ベース部材１０２の第１面に、駆動素子層１２２、表示素子層１２４、及び封止層１２６が積層された構造を有する。表示部１０４は、薄膜トランジスタ等の素子が形成される駆動素子層１２２と、発光素子１４８が形成される表示素子層１２４とが積層された構造を有する。

駆動素子層１２２はトランジスタ１４４を含む。駆動素子層１２２は、トランジスタ１４４の他に、キャパシタ、抵抗等の受動素子がさらに含まれていてもよく、これらの素子により画素回路が形成される。駆動素子層１２２は、これらの素子を形成する、絶縁層、半導体層、導電層が適宜積層された構造を有する。表示素子層１２４は発光素子１４８を含む。発光素子１４８はそれぞれの画素１０６に設けられる。発光素子１４８は、画素ごとに設けられる第１電極１７２と、第１電極１７２に対向する第２電極１７６と、第１電極１７２と第２電極１７６との間の有機層１７４とを有する。有機層１７４は、有機エレクトロルミネセンス材料を含み、発光媒体として用いられる。有機層１７４は、図２に示すように、複数の発光素子１４８に亘って連続的に形成されても良いし、個々の発光素子１４８に対して、互いに離間するように設けられても良い。この場合は、例えば表示色ごとに有機層１７４が個別に形成される。駆動素子層１２２と表示素子層１２４とは積層され、トランジスタ１４４と発光素子１４８とは電気的に接続される。第１駆動回路１１２ａは、駆動素子層１２２に形成される。第１駆動回路１１２ａは、トランジスタによって駆動回路が形成される。

第２電極１７６は、複数の画素１０６に亘って設けられる。第２電極１７６は、複数の画素１０６が共有する共通電極である。第２電極１７６は、表示部１０４の全体に広がり、さらに表示部１０４の外側に配置される共通接続部１１８でコモン配線１３４と電気的に接続される。コモン配線１３４は、一部の領域が第２電極１７６と重なり、それ以外の領域は第２電極１７６から露出する。コモン配線１３４は、表示部１０４の外周部を囲むように設けられる。コモン配線１３４の上面部は、駆動素子層１２２に設けられる第１開口溝１３２ａにより露出される。共通接続部１１８において、コモン配線１３４を幅広に設け、コモン配線１３４の外端部が第２電極１７６の外側に位置するように配置することで、第２電極１７６とコモン配線１３４とは確実に接続される。別言すれば、ベース部材１０２上に第２電極１７６のパターンを形成するとき、コモン配線１３４が幅広に設けられていることで、アライメントマージンが広がり、共通接続部１１８のどの箇所においても第２電極１７６とコモン配線１３４とを確実に電気的に接続することができる。

金属層１３６は、コモン配線１３４が第２電極１７６から露出する領域に設けられる。金属層１３６は、第２電極１７６と異なる金属材料で作製される。

表示素子層１２４は封止層１２６で覆われる。封止層１２６は、少なくとも１層の無機絶縁層を含む。図２は、封止層１２６が、表示素子層１２４の側から、第１無機絶縁層１２８ａ、有機絶縁層１３０、第２無機絶縁層１２８ｂが積層される態様を示す。有機絶縁層１３０は、表示部１０４の全面を覆い、共通接続部１１８が設けられる領域まで広がるように設けられる。有機絶縁層１３０の端部は、駆動素子層１２２の端部には達しないように設けられる。
一方、第１無機絶縁層１２８ａ及び第２無機絶縁層１２８ｂの端部は、有機絶縁層１３０の端部より外側に設けられる。このような構成により、封止層１２６は、有機絶縁層１３０の、上面、下面、及び側面が、無機絶縁層１２８によって覆われた構造となる。

封止層１２６（具体的には、第１無機絶縁層１２８ａ）は、第２電極１７６と接する第１領域１３８と、第２電極の外側で、金属層１３６と重なる第２領域１４０、及び第２領域１４０の外側の第３領域１４２に区分することができる。第１領域１３８及び第２領域１４０は、第１無機絶縁層１２８ａ、有機絶縁層１３０及び第２無機絶縁層１２８ｂが積層された構造を含み、第３領域１４２は、第１無機絶縁層１２８ａ及び第２無機絶縁層１２８ｂが積層された構造を有する。

封止層１２６は、発光素子１４８の水分による劣化を防止するために、表示部１０４を覆うように設けられる。第１無機絶縁層１２８ａ及び第２無機絶縁層１２８ｂは、窒化シリコン膜、窒酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等の、水蒸気透過率が低いとされる無機絶縁材料で形成される。有機絶縁層１３０は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂材料で形成される。第１無機絶縁層１２８ａの上に、有機絶縁層１３０を設け、さらにその上層に第２無機絶縁層１２８ｂを設けることで、封止層１２６の封止性能を高めることが可能となる。例えば、第１無機絶縁層１２８ａにピンホールが含まれたとしても、有機絶縁層１３０がこれを埋め込み、第２無機絶縁層１２８ｂで覆うことで、第１無機絶縁層１２８ａのピンホールを埋め込んで封止性能を維持することが可能となる。また、有機絶縁層１３０が第１無機絶縁層１２８ａ及び第２無機絶縁層１２８ｂで囲まれることにより、有機絶縁層１３０の端部から水分が浸入することが防止される。封止層１２６は、有機絶縁層１３０が無機絶縁層１２８に内包される構造を有することで、封止性能が高められている。

なお、本実施形態では、封止層１２６が、第１無機絶縁層１２８ａ、有機絶縁層１３０及び第２無機絶縁層１２８ｂが積層された態様を示すが、本発明はこの態様に限定されない。封止層１２６は、第１無機絶縁層１２８ａの単層、又は第１無機絶縁層１２８ａ及び第２無機絶縁層１２８ｂが積層された構造を有していてもよい。また、有機絶縁層１３０を複数の層で構成し、各層間に無機絶縁層１２８が設けられた構造を有していてもよい。

封止層１２６は、下地面との密着力（「密着性」とも言われる。）が高いことが望ましい。封止層１２６の下地面に対する密着力が低いと、表示素子層１２４から剥離してしまい、封止性能が低下する。封止層１２６は、第１無機絶縁層１２８ａが、第２電極１７６と重なる第１領域１３８と、金属層１３６と重なる第２領域１４０とを含む。封止層１２６は、第１無機絶縁層１２８ａが下地面の材質が異なる複数の領域に亘って設けられることで、密着性の改善を図ることが可能となる。別言すれば、封止層１２６が設けられる領域に、異なる材質で形成された表面を有する第１領域１３８と第２領域１４０とが設けられていることで、下地面との密着性の改善を図ることができる。例えば、第１領域１３８の密着力が低い場合に、第２領域１４０の密着力が高くなるように金属層１３６を形成する材料を選択することで、封止層１２６の密着性を高めることができる。

なお、密着とは、２つの材料間に界面を隔てて相互作用が働き、原子的な結合や、機械的作用によって接合している状態を示し、密着力（adhesion）とは、両者を引き剥がすときに必要なエネルギーをいうものとする。具体的には、第１層と第２層とが界面エネルギーγ₀で密着した状態から、第１層の表面エネルギーγ₁と、第２層の表面エネルギーγ₂からなる２つの自由表面に等温可逆的に分離するために必要なエネルギーを密着力という。この関係は、よく知られたDupreの式：Ｗ_A＝γ₁＋γ₂−γ₀で表され、Ｗ_Aを剥離仕事と呼ぶ。しかし、現実に観察する密着又は剥離という現象は、積層体の界面のみならず界面近傍全体が関係し、接触する２つの層の結合力が影響する場合がある。

図３は、図１に示すＢ１−Ｂ２線に沿った断面構造を示す。表示装置１００は、画素１０６を含む表示部１０４、第１駆動回路１１２ａ、共通接続部１１８を含む。表示部１０４は、駆動素子層１２２及び表示素子層１２４により構成される。第１駆動回路１１２ａは駆動素子層１２２に形成される。

図３は、画素１０６に第１トランジスタ１４４ａ、第１容量素子１４６ａ、第２容量素子１４６ｂが含まれ、第１駆動回路１１２ａに第２トランジスタ１４４ｂ及び第３トランジスタ１４４ｃが含まれる態様を例示する。第１トランジスタ１４４ａ、第２トランジスタ１４４ｂ、第３トランジスタ１４４ｃ、第１容量素子１４６ａ、及び第２容量素子１４６ｂは駆動素子層に形成される。画素１０６及び第１駆動回路１１２ａに含まれるこれらの素子が例示であり、実際には任意の数のトランジスタ、容量素子、抵抗等の回路素子により、画素回路及び駆動回路が形成される。図３で例示される第１トランジスタ１４４ａはｎチャネル型又はｐチャネル型であり、第２トランジスタ１４４ｂ及び第３トランジスタ１４４ｃは、一方がｎチャネル型であり他方がｐチャネル型である。第１トランジスタ１４４ａ、第２トランジスタ１４４ｂ、及び第３トランジスタ１４４ｃは、同じ積層構造を有する。

駆動素子層１２２は、第１絶縁層１５０、第２絶縁層１５４、第３絶縁層１６０、第４絶縁層１６４、及び第５絶縁層１６８に加え、これらの絶縁層の間に半導体層や導電層が適宜積層された構造を有する。また、表示素子層１２４は、発光素子１４８を構成する各層と、第６絶縁層１７０を含む。機能的な観点から、第１絶縁層１５０は下地絶縁層、第２絶縁層１５４はゲート絶縁層、第３絶縁層１６０は層間絶縁層、第５絶縁層は平坦化層と呼ばれることもある。第６絶縁層１７０は、画素間に設けられる絶縁層であり、バンク、隔壁、画素定義膜と呼ばれることもある。第１絶縁層１５０、第２絶縁層１５４、第３絶縁層１６０、及び第５絶縁層１６８は、酸化シリコン、窒化シリコン又は酸窒化シリコン等の無機絶縁材料を用いて作製される。第４絶縁層１６４及び第６絶縁層１７０は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂材料で作製される。

発光素子１４８は、第１電極１７２、有機層１７４、第２電極１７６が積層された構造を有する。第２電極１７６は、第１電極１７２上及び第６絶縁層１７０上に設けられる。有機層１７４は、少なくとも第１電極１７２と第２電極１７６が重なる領域に設けられる。コモン配線１３４は共通接続部１１８に設けられる。コモン配線１３４の上面は、その上層側に配置される絶縁層から露出された構造を有する。図３は、コモン配線１３４が第３絶縁層１６０の上に設けられ、上層側の第４絶縁層１６４、第５絶縁層１６８、及び第６絶縁層から露出する構造を示す。第２電極１７６は、共通接続部１１８まで伸ばされて、コモン配線１３４と電気的に接続される。

図４は、図１に示すＣ１−Ｃ２線に沿った断面構造を示す。図４は、画素１０６を含む表示部１０４、共通接続部１１８、折り曲げ領域１２０、及び端子部１１４を含む。折り曲げ領域１２０は、共通接続部１１８と端子部１１４との間に配置される。折り曲げ領域１２０において、第１絶縁層１５０、第２絶縁層１５４、及び第３絶縁層１６０が除去されている。折り曲げ領域１２０は、このような構造を有することにより、ベース部材１０２を折り曲げた際に、無機絶縁膜で形成される第１絶縁層１５０、第２絶縁層１５４及び第３絶縁層１６０にクラックが発生すること、及び当該絶縁層に発生したクラックが表示部１０４に広がることを防止することができる。

図４は、第２絶縁層１５４と第３絶縁層１６０との間にゲート電極１５６と同層に形成される第３配線１６２ｃが配設され、コモン配線１３４と同層に形成される第４配線１６２ｄが折り曲げ領域１２０を横断して端子電極１１６に接続される構成を示す。第４配線１６２ｄは、金属材料で形成されるため展延性を有し、ベース部材１０２を折り曲げたとしても破断せず、ベース部材１０２と共に曲げられる。

端子電極１１６は、端子電極層１８０の上に第３金属酸化物層１７８ｃが積層された構造を有する。第３金属酸化物層１７８ｃは端子電極層１８０の露出部を覆うように設けられ、保護膜として設けられている。

図３及び図４に示す画素１０６の詳細な構造を、図５を参照して説明する。図５は画素１０６の断面構造を示す。画素１０６は、駆動素子層１２２に形成される第１トランジスタ１４４ａと、表示素子層１２４に形成される発光素子１４８を含む。画素１０６は、駆動素子層１２２に、さらに第1容量素子１４６ａ、第２容量素子１４６ｂが含まれていてもよい。第１トランジスタ１４４ａと発光素子１４８とは電気的に接続される。また、第１容量素子１４６ａと第２容量素子１４６ｂは第１トランジスタ１４４ａと電気的に接続される。例えば、第1容量素子１４６ａは第１トランジスタ１４４ａのゲート−ソース間に、第２容量素子１４６ｂは、第１トランジスタ１４４ａのドレインと任意の定電位線との間に、それぞれ電気的に接続される。

第１トランジスタ１４４ａはゲートに印加される電圧によってソース−ドレイン間を流れる電流（ドレイン電流）が制御される。発光素子１４８は第１トランジスタ１４４ａのドレイン電流によって発光強度が制御される。第１容量素子１４６ａは、第１トランジスタ１４４ａのゲート−ソース間に接続されることによりゲート電圧が印加され、ゲート−ソース間電圧を一定に保つために設けられ、第２容量素子１４６ｂは第１電極１７８の電位を安定化させるために設けられる。

第１トランジスタ１４４ａは、第１絶縁層１５０の上に設けられる半導体層１５２、第２絶縁層１５４及びゲート電極１５６が積層された構造を有する。また、第１容量素子１４６ａは、半導体層１５２、第２絶縁層１５４、第１容量電極１５８ａが積層された構造を有する。半導体層１５２は、非晶質シリコン又は多結晶のシリコン、若しくは金属酸化物等の半導体材料で作製される。半導体層１５２は第２絶縁層１５４によってゲート電極１５６と絶縁される。ゲート電極１５６及び第１容量電極１５８ａの上層側には第３絶縁層１６０が設けられる。第３絶縁層１６０の上層側には第１配線１６２ａ及び第２配線１６２ｂが設けられる。図４との対比で明らかなように、図５は第１配線１６２ａ及び第２配線１６２ｂが、コモン配線１３４と同じ層に設けられる一例を示す。

第１配線１６２ａ及び第２配線１６２ｂは、第３絶縁層１６０に形成されたコンタクトホールを介して半導体層１５２と接触する。ゲート電極１５６及び第１容量電極１５８ａは、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン−タングステン（ＭｏＷ）合金等が用いられ、第１配線１６２ａ及び第２配線１６２ｂは、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン−タングステン（ＭｏＷ）合金等の金属材料を用いて作製される。例えば、第１配線１６２ａ及び第２配線１６２ｂは、アルミニウム（Ａｌ）の上層側及び下層側に、チタン（Ｔｉ）又はモリブデン−タングステン（ＭｏＷ）合金の被膜が積層された構造で作製される。

第１配線１６２ａ及び第２配線１６２ｂの上層には、第４絶縁層１６４が設けられる。第４絶縁層１６４は、半導体層１５２、ゲート電極１５６、及び第１配線１６２ａ及び第２配線１６２ｂ等による凹凸面を埋め込み、表面を平坦化する平坦化膜として用いられる。第４絶縁層１６４は、前述のように、有機樹脂材料で作製される。

第４絶縁層１６４には、第１配線１６２ａの一部を露出させるコンタクトホール１６６が設けられる。コンタクトホール１６６の配置に合わせて第１金属酸化物層１７８ａが設けられ、第４絶縁層１６４の上面に第２容量電極１５８ｂが設けられる。第１金属酸化物層１７８ａ及び第２容量電極１５８ｂは、導電性の金属酸化物材料を用いて作製される。金属酸化物材料としては、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等が用いられる。第１金属酸化物層１７８ａは第１配線１６２ａの露出部を覆うように設けられ、以降の工程で第１配線１６２ａの露出部がダメージを負わないように保護膜として設けることを目的の一つとしている。

第１金属酸化物層１７８ａ及び第２容量電極１５８ｂの上には第５絶縁層１６８が積層される。第５絶縁層１６８の上面には、第１電極１７２が設けられる。第１電極１７２は、第５絶縁層１６８及び第４絶縁層１６４を貫通するコンタクトホール１６６を介して第１配線１６２ａと電気的に接続される。第１電極１７２は、第５絶縁層１６８を挟んで第２容量電極１５８ｂと重なるように設けられる。第２容量素子１４６ｂは、第２容量電極１５８ｂ、第５絶縁層１６８、及び第１電極１７２が重なる領域に形成される。第２容量素子１４６ｂの誘電体膜として用いられる第５絶縁層１６８は、窒化シリコン、酸化シリコン、窒酸化シリコン等の無機絶縁材料で作製される。

表示素子層１２４は、実質的に第５絶縁層１６８の上層に配置される。第５絶縁層１６８上には、第１電極１７２の周縁部を覆い内側領域を露出する第６絶縁層１７０が設けられる。有機層１７４は、第１電極１７２上面から第６絶縁層１７０の表面を覆うように設けられる。また、第２電極１７６は、有機層１７４及び第６絶縁層１７０の上面を覆うように設けられる。発光素子１４８は、第１電極１７２、有機層１７４及び第２電極１７６によって形成される。第１電極１７２、有機層１７４及び第２電極１７６が重畳する領域が発光素子１４８の発光領域となる。第６絶縁層１７０は、第１電極１７２を露出する開口端において滑らかな段差を形成するために有機樹脂材料で作製される。有機樹脂材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂及びポリアミド樹脂等が用いられる。

有機層１７４は、低分子系又は高分子系の有機ＥＬ材料を用いて作製される。低分子系の有機ＥＬ材料を用いる場合、発光層として、例えば、ゲスト−ホスト型の有機ＥＬ材料が用いられる。さらに、発光層を挟むようにキャリア注入層（正孔注入層、電子注入層）、キャリア輸送層（正孔輸送層、電子輸送層）等が適宜設けられる。例えば、有機層１７４は、発光層を正孔注入層と電子注入層とで挟んだ構造とされる。また、有機層１７４は、正孔注入層と電子注入層に加え、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層などを適宜付加される。

発光素子１４８は、ボトムエミッション型の場合（ベース部材１０２の第２面側から画面を視認する構成の場合）、第１電極１７２が酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）及び酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の透明導電膜で形成され、第２電極１７６がアルミニウム等の金属膜で形成される。また、発光素子１４８は、トップエミッション型の場合（封止層１２６側から画面を視認する構成の場合）、第１電極１７２がアルミニウム又は銀等の金属膜により形成され（例えば、銀膜を上下２層のＩＴＯ膜で挟んだ構造）、第２電極がリチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、バリウム（Ｂａ）、マグネシウム（Ｍｓ）等の仕事関数の小さい金属とアルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）等の金とを用いて作製される。例えば、第２電極１７６は、ＩＴＯ、及びＩＺＯ等の透明導電膜、あるいは透光性を有する程度に薄く形成されたマグネシウム−銀（ＭｇＡｇ）膜、アルミニウム−リチウム（ＡｌＬｉ）膜により作製される。第１電極１７２は、画素１０６ごとに設けられ、第２電極１７６は、複数の画素１０６に広がって設けられる。

封止層１２６は、第２電極１７６の上面に設けられる。封止層１２６は、無機絶縁層、又は無機絶縁層及び有機絶縁層を用いて作製される。例えば、封止層１２６は、第１無機絶縁層１２８ａ、有機絶縁層１３０、及び第２無機絶縁層１２８ｂが積層された構造を有する。第１無機絶縁層１２８ａ及び第２無機絶縁層１２８ｂとしては、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等の無機絶縁材料が用いられる。有機絶縁層１３０としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂等が用いられる。

なお、図５では図示されていないが、封止層１２６の上層側には保護フィルム等の保護部材、偏光フィルム、反射防止フィルム等の光学フィルムが設けられてもよい。

図６は、図３及び図４に示す共通接続部１１８の詳細を示す。共通接続部１１８はコモン配線１３４を含む。コモン配線１３４は発光素子１４８の第２電極１７６と接続される。第２電極１７６はコモン配線１３４によって電位が制御される。コモン配線１３４は、第１配線１６２ａ又はゲート電極１５６と同じ層構造で作製される。コモン配線１３４は、ゲート電極１５６と同層に設けられる場合、第２絶縁層１５４上に配置される。また、コモン配線１３４は、第１電極１７２ａと同層に設けられる場合、第３絶縁層１６０上に配置される。図６は、コモン配線１３４が第３絶縁層１６０上に配置される態様を示す。コモン配線１３４が第１配線１６２ａと同層で形成される場合、アルミニウム（Ａｌ）の上層側及び下層側に、チタン（Ｔｉ）又はモリブデン−タングステン（ＭｏＷ）合金の被膜が積層された構造を有する。

コモン配線１３４の上層には第４絶縁層１６４が配置される。共通接続部１１８においてコモン配線１３４は、第４絶縁層１６４に設けられる第１開口溝１３２ａによって、第４絶縁層１６４から露出される。第１開口溝１３２ａによって第４絶縁層１６４から露出するコモン配線１３４の上面には、第２金属酸化物層１７８ｂが設けられる。第２金属酸化物層１７８ｂは、導電性の金属酸化物材料を用いて作製される。金属酸化物材料としては、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等が用いられる。第２金属酸化物層１７８ｂはコモン配線１３４の露出部を覆うように設けられ、以降の工程でコモン配線１３４の露出部がダメージを負わないように保護膜として設けることを目的の一つとしている。

第２電極１７６の端部は、第１開口溝１３２ａに達している。第２電極１７６の一部は、コモン配線１３４の一部と重畳し、第２金属酸化物層１７８ｂと接触している。これにより、第２電極１７６は、コモン配線１３４と電気的に接続される。

コモン配線１３４は、第２電極１７６と重なる領域と、第２電極１７６と重ならない領域とを有する。別言すれば、コモン配線１３４の内側領域（表示部１０４側の領域）は第２電極１７６と重り、外側領域（ベース部材１０２の端部側の領域）は第２電極１７６と重ならない領域を有する。

コモン配線１３４が第２電極１７６と重ならない領域に、金属層１３６が設けられる。金属層１３６は、第２電極１７６とは異なる材質で形成される。金属層１３６は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウム（Ｇａ）、及びインジウム（Ｉｎ）から選ばれた一種又は複数種の元素を含む金属材料で形成される。金属層１３６は、１ｎｍ〜１００ｎｍ、好ましくは５ｎｍ〜１０ｎｍの厚さで設けられる。このような金属層１３６を設けることで、第１無機絶縁層１２８ａは、第２金属酸化物層１７８ｂと直接接しない構造となり、密着性の改善を図ることができる。さらに、共通接続部１１８において、第１無機絶縁層１２８ａが第２電極１７６と金属層１３６との２種類の金属と接することで、下地面との密着性の改善を図ることができる。

なお、図６は、第２電極１７６と金属層１３６の端部が隣接する態様を示すが、共通接続部１１８はこのような形態に限定されない。他の形態として、第２電極１７６と金属層１３６一部が重なっていてもよい。例えば、第２電極１７６の上に金属層１３６の一部が重なっていてもよい。

図３及び図４で示すように、封止層１２６を構成する第１無機絶縁層１２８ａは、第２電極１７６と接する第１領域１３８を有する。第１領域１３８は、表示部１０４と、共通接続部１１８の一部に広がっている。また、第１無機絶縁層１２８ａは、金属層１３６と接する第２領域１４０を有する。さらに、第１無機絶縁層１２８ａは、第２領域１４０の外側（ベース部材１０２の端部側）の領域で、有機絶縁層１３０が設けられず、第２無機絶縁層１２８ｂが積層される第３領域１４２を有する。第１領域１３８は第１開口溝１３２ａの一部と重なり、第２領域１４０は第１開口溝１３２ａと重なっている。第１無機絶縁層１２８ａは、共通接続部１１８において第２電極１７６及び金属層１３６が設けられることにより、第２金属酸化物層１７８ｂと直接接しない構造を有する。第２領域１４０は、コモン配線１３４、第２金属酸化物層１７８ｂ、金属層１３６が積層された構造を有する。

封止層１２６の密着性は、直接的には第１無機絶縁層１２８ａと下地面との密着性に帰結する。第１無機絶縁層１２８ａは表示部１０４において、第２電極１７６が下地面となり、共通接続部１１８においては第２電極１７６及び金属層１３６が下地面となる。仮に、共通接続部１１８に金属層１３６が設けられない場合、第２金属酸化物層１７８ｂが第１無機絶縁層１２８ａの下地面となる。この場合において、第２金属酸化物層１７８ｂの表面の凹凸や、第２金属酸化物層１７８ｂの表面の残渣物に起因して第１無機絶縁層１２８ａの密着性が低下することが問題となる。しかしながら、本実施形態においては、第２金属酸化物層１７８ｂの上に金属層１３６が設けられていることにより、第１無機絶縁層１２８ａが直接的に第２金属酸化物層１７８ｂと接触することが防止される。金属層１３６と第２金属酸化物層１７８ｂとは、同種又は同類（遷移金属）の金属が含まれることにより、第１無機絶縁層１２８ａと接する場合に比べ密着性が向上する。すなわち、共通接続部１１８において、第２金属酸化物層１７８ｂの上面を第２電極１７６と金属層１３６で被覆することにより、第１無機絶縁層１２８ａの下地面に対する密着力を高めることが可能となる。

本実施形態によれば、共通接続部１１８に金属層１３６を設けることにより、封止層１２６の密着性を改善することができる。それにより、封止層１２６の剥離が防止され、表示装置１００の信頼性の向上を図ることができる。

なお、図３及び図６で示すように、共通接続部１１８において、第１絶縁層１５０、第２絶縁層１５４、第３絶縁層１６０が積層された構造を有する。そして、共通接続部１１８では、少なくとも第４絶縁層１６４及び第６絶縁層１７０が除去された構造を有する。前述のように、第１絶縁層１５０、第２絶縁層１５４、及び第３絶縁層１６０は、いずれも無機絶縁材料で作製される。したがって、共通接続部１１８は、有機絶縁層が除去され、無機絶縁層が積層された領域となる。

第４絶縁層１６４及び第６絶縁層１７０が除去された第１開口溝１３２ａは、表示部１０４の外周を囲むように設けられる。第１開口溝１３２ａの外側（ベース部材１０２の端部側）には、同様に第１絶縁層１５０、第２絶縁層１５４、第３絶縁層１６０が積層され、第４絶縁層１６４及び第６絶縁層１７０が設けられない第２開口溝１３２ｂが設けられていてもよい。第２開口溝１３２ｂは表示部１０４を囲むように設けられる。第１開口溝１３２ａは封止層１２６で埋め込まれる。第２開口溝１３２ｂは、封止層１２６を構成する第１無機絶縁層１２８ａ及び第２無機絶縁層１２８ｂが開口に沿って設けられる。このような構造により、第４絶縁層１６４及び第６絶縁層１７０は外部に露出しない構成となる。すなわち、無機絶縁膜と比べて水蒸気透過率が相対的に高いとされる有機絶縁膜が外面に露出しない構造となる。それにより、第４絶縁層１６４及び第６絶縁層１７０への水分（水蒸気）の浸透を防止することができる。

封止層１２６のうち、有機絶縁層１３０は、共通接続部１１８の第１開口溝１３２ａを充填するように設けられる。有機絶縁層１３０は、有機樹脂材料の前駆体と溶媒を含む組成物を塗布することで作製される。この場合において、流動性を有する塗膜は第４絶縁層１６４ｂ及び第６絶縁層１７０ｂによるリブにより堰き止められ、第１開口溝１３２ａより外側に流出することが防止される。第１開口溝１３２ａにより、封止層１２６の端部で有機絶縁層１３０の露出が防止される。一方、第１無機絶縁層１２８ａ及び第２無機絶縁層１２８ｂは、第１開口溝１３２ａの外側まで設けられ、第２開口溝１３２ｂに沿って設けられる。これにより、有機絶縁層１３０は、第１無機絶縁層１２８ａ及び第２無機絶縁層１２８ｂに内包され、外部に露出しない構造となる。封止層１２６は、有機絶縁層１３０が外部に露出しない構造を有するので、水蒸気等のガスバリア性を高めることができる。

図３及び図６で示される、封止層１２６、第１開口溝１３２ａ及び第２開口溝１３２ｂを含む領域は、表示部１０４に水分が浸入することを防止する機能を有することから、「水分遮断領域」とも呼ばれる。表示装置１００は、このような水分遮断構造を有することにより、発光素子１４８への水分の浸透が低減される。さらに、本実施形態に係る表示装置１００は、共通接続部１１８で封止層１２６の密着力が維持されているので、表示部１０４にダークスポットと呼ばれる非発光画素の発生を防止する効果を高めることができる。

次に、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の製造方法を説明する。以下の説明においては、図１に示すＢ１−Ｂ２線に沿った断面構造に基づいて、表示装置１００の製造方法を説明する。

図７は、ベース部材１０２の第１面に、第１トランジスタ１４４ａ、第２トランジスタ１４４ｂ、第３トランジスタ１４４ｃ、第１容量素子１４６ａが形成され、これらの素子を覆うように第４絶縁層１６４が形成された段階を示す。第３絶縁層１６０と第４絶縁層１６４の間には、コモン配線１３４が形成されている。第４絶縁層１６４は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の有機樹脂材料で形成される。第４絶縁層１６４は、０．５μｍ〜５μｍの厚さで形成される。第４絶縁層１６４は、有機樹脂材料の前駆体を含む組成物をベース部材１０２上に付着させたときの流動性を利用して表面が平坦化される。

図８は、平坦化された第４絶縁層１６４の上面に金属酸化物層１７８、第２容量電極１５８ｂ、及び第５絶縁層１６８が形成される段階を示す。第４絶縁層１６４に、第１配線１６２ａを露出させるコンタクトホール１６６が形成される。また、第４絶縁層１６４には、コモン配線１３４を露出させる第１開口溝１３２ａ、及び第１開口溝１３２ａの外側の第２開口溝１３２ｂが形成される。コンタクトホール１６６、第１開口溝１３２ａ、及び第２開口溝１３２ｂは同時形成されてもよい。

コンタクトホール１６６が形成された領域には、第１配線１６２ａを覆うように第１金属酸化物層１７８ａが形成される。第１開口溝１３２ａには、露出されたコモン配線１３４を覆うように第２金属酸化物層１７８ｂが形成される。その後、第５絶縁層１６８が形成される。第５絶縁層１６８には、第１金属酸化物層１７８ａを露出させるように、コンタクトホール１６６と重なる位置に開口部が形成される。また、第５絶縁層１６８は、第１開口溝１３２ａ及び第２開口溝１３２ｂと重なる領域に開口部が形成される。または、第５絶縁層１６８は、第１開口溝１３２ａより外側（ベース部材１０２の端部側）がエッチングにより除去される。第５絶縁層１６８は、窒化シリコン膜、窒酸化シリコン膜等の無機絶縁膜で形成される。

図９は、第５絶縁層１６８上に第１電極１７２を形成し、さらに第６絶縁層１７０を形成する段階を示す。図９では詳細に示されないが、第１電極１７２は、透明導電膜と金属膜とを積層して形成される。例えば、第１電極１７２は、ＩＺＯ膜、アルミニウム膜、及びＩＺＯ膜の３層がこの順に積層された構造を有する。第１電極１７２は、このような積層構造を有することで光反射面が形成される。第１電極１７２は、第５絶縁層１６８を挟んで第２容量電極１５８ｂと重なるように形成される。第１電極１７２、第５絶縁層１６８、及び第２容量電極１５８ｂが重なる領域に第２容量素子１４６ｂが形成される。

第６絶縁層１７０は、第１電極１７２の周縁部を覆い、内側領域を露出させる開口部が形成される。また、第１開口溝１３２ａ及び第２開口溝１３２ｂを露出させる開口部が形成される。第６絶縁層１７０は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等であって感光性の有機樹脂材料を用いて形成される。第６絶縁層１７０は、感光性の有機樹脂材料を塗布した後、所定の開口部が形成されるように露光及び現像処理をすることで形成される。感光性の有機樹脂材料による塗膜は、ベース部材１０２の略全面に塗布される。このとき、図９に示すように、第１電極１７２の周縁部を除く内側領域、第１開口溝１３２ａ、第２開口溝１３２ｂが露出するように露光処理が行われる。このようにして、第４絶縁層１６４上に第６絶縁層１７０が形成され、開口溝が設けられる領域の第４絶縁層１６４ｂの上に第６絶縁層１７０ｂが形成される。

図１０は、有機層１７４、及び第２電極１７６を形成する段階を示す。有機層１７４は、蒸着法又は印刷法により作製される。有機層１７４は、有機ＥＬ材料を含む発光層の他に、キャリア注入層（正孔注入層、電子注入層）、キャリア輸送層（正孔輸送層、電子輸送層）、キャリアブロック層（正孔ブロック層、電子ブロック層）が適宜設けられた構造で作製される。有機層１７４は、シャドーマスク（ファインマスク）が用いられ、表示部１０４に成膜される。第２電極１７６は、マグネシウム−銀（ＭｇＡｇ）膜、アルミニウム−リチウム（ＡｌＬｉ）膜等で作製される。第２電極１７６は、透光性を有する厚さで作製される。例えば、第２電極１７６は、０．１μｍ〜０．２μｍの厚さで作製される。

第２電極１７６を形成する金属膜は、シャドーマスク１８２（ファインマスク）を用いて、表示部１０４の全面を覆うように、蒸着法により成膜される。このとき第２電極１７６は、第１開口溝１３２ａにおいて、コモン配線１３４の一部の領域と重なるように成膜される。コモン配線１３４の上には、第２金属酸化物層１７８ｂが設けられている。第２電極１７６は第２金属酸化物層１７８ｂを介してコモン配線１３４と重なるように形成される。第２電極１７６は、第１開口溝１３２ａで露出されるコモン配線１３４の全体を覆うように形成することが好ましいが、成膜時に用いるシャドーマスク１８２のアライメント精度を考慮して、第２電極１７６が第１開口溝１３２ａの外側にはみ出さないように（共通接続部１１８からはみ出さないように）形成される。すなわち、第２電極１７６の端部は、コモン配線１３４の外側の端部より外側に配置されないように形成される。

第２電極１７６をこのような配置で形成することで、第２電極１７６は後の工程で作製される封止層１２６で確実に覆われるようにすることができる。これにより、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）のように水分（水蒸気又は湿気）と反応する金属を含む第２電極１７６を第１開口溝１３２ａからはみ出さないように設けることで、発光素子１４８の劣化を防止することができる。

第２電極１７６の上には、図４にて説明したように、封止層１２６が形成される。この段階では、コモン配線１３４は、一部の領域が第２電極１７６で覆われていない状態となる。封止層１２６は、封止性能を維持するために下地面との密着力を高め、剥離しないように作製する必要がある。封止層１２６の下地面は、第２電極１７６が設けられている領域と、第２電極１７６以外が設けられている領域に大別される。詳細には、図１０に示すように、封止層１２６の下地面（別言すれば、第１無機絶縁層１２８ａの下地面）は、第２電極１７６が設けられた第１領域１３８と、共通接続部１１８においてコモン配線１３４が第２電極１７６から露出する第２領域１４０（別言すれば、第２金属酸化物層１７８ｂが第２電極１７６から露出される領域）と、共通接続部１１８より外側で、第６絶縁層１７０、第４絶縁層１６４、又は第３絶縁層１６０が露出する第３領域１４２とに分類することができる。

この場合において、封止層１２６（第１無機絶縁層１２８ａ）は、第２領域１４０の密着性に留意する必要がある。この場合において、第２金属酸化物層１７８ｂは、ＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜等の金属酸化物で形成されている。第２金属酸化物層１７８ｂは、金属酸化物の被膜をベース部材１０２の略全面に形成後、エッチングにより成形される。このような金属酸化物のエッチングには、ヨウ化水素（ＨＩ）、シュウ化水素（ＢｒＨ）、塩化第二鉄＋塩酸（ＦｅＣｌ₃＋ＨＣｌ）等の溶液を用いたウェットエッチング、又はハロゲンガス系、有機ガス系を用いたドライエッチングにより行われる。

金属酸化物膜のエッチング後には、例えば、図１１に示すように、第２金属酸化物層１７８ｂの表面に残渣物１９９が残る場合がある。残渣物１９９は金属酸化物をエッチングする過程で生成される反応副生成物であると考えられる。このような残渣物１９９は、洗浄によっては容易に除去できない一方で、下地面との密着性が低いことが問題となる。例えば、第２金属酸化物層１７８ｂの上に封止層１２６として第１無機絶縁層１２８ａを形成した場合、残渣物１９９と第２金属酸化物層１７８ｂとの間で剥離してしまうことが問題となる。また、残渣物１９９が大きい場合、第１無機絶縁層１２８ａが十分に被覆することができず、やはり、第２金属酸化物層１７８ｂとの界面で剥離しやすくなることが問題となる。

図１２は、第２領域１４０（共通接続部１１８において第２電極１７６で覆われていない領域）に金属層１３６を形成する段階を示す。金属層１３６は、第２領域１４０を露出し、他の領域を遮蔽するシャドーマスク１８２を用い、スパッタリングにより作製される。金属層１３６は、第２電極１７６とは異なる材質で作製される。金属層１３６は、１ｎｍ〜１００ｎｍ、好ましくは５ｎｍ〜１０ｎｍの厚さで形成される。金属層１３６は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）のターゲットを用い、アルゴン等の不活性ガスをスパッタリングにより作製される。また、金属層１３６を、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン−タングステン（ＭｏＷ）等の金属材料で形成してもよい。さらに、金属層１３６を、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）等の金属材料を用い蒸着法により形成してもよい。

図１３は、封止層１２６を構成する第１無機絶縁層１２８ａを形成する段階を示す。第１無機絶縁層１２８ａは、表示部１０４、及び共通接続部１１８を含む周辺領域の略全面に形成される。第１無機絶縁層１２８ａは、窒化シリコン膜、窒酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等の、水蒸気透過率が低いとされる無機絶縁膜で、０．１μｍ〜５μｍ程度の厚さで形成される。第１無機絶縁層１２８ａは、前述のような無機絶縁膜を、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により作製される。

第１無機絶縁層１２８ａが形成される領域は、第２電極１７６と接する第１領域１３８、金属層１３６と接する第２領域１４０、及び第２領域１４０の外側の第３領域１４２とに区分することができる。第１無機絶縁層１２８ａは、第１領域１３８において第２電極１７６と密着して形成される。第１無機絶縁層１２８ａは、第２領域１４０において金属層１３６と密着して形成される。第２領域１４０は、第２金属酸化物層１７８ｂをエッチング加工する工程で付着した残渣物が残っていたとしても、当該残渣物が金属層１３６で被覆されているので、第１無機絶縁層１２８ａの剥離が防止される。また、第３領域１４２では、有機樹脂材料で形成される第４絶縁層１６４及び第６絶縁層１７０の表面が第１無機絶縁層１２８ａで覆われるので、第４絶縁層１６４及び第６絶縁層１７０への水分の浸入が防止される。

第１無機絶縁層１２８ａを形成した後、有機絶縁層１３０、第２無機絶縁層１２８ｂを形成することで、図３に示す表示装置１００が作製される。有機絶縁層１３０は表示部１０４を覆い、第１開口溝１３２ａを充填するように形成される。有機絶縁層１３０は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂材料を用いで印刷法により形成される。例えば、有機絶縁層１３０は、インクジェット印刷法により５μｍ〜２０μｍの厚さで形成される。有機絶縁層１３０は、端部が第１開口溝１３２ａを越えないように形成される。有機絶縁層１３０が塗布される過程で、第１開口溝１３２ａを充填するように形成される。有機絶縁層１３０の上には、第２無機絶縁層１２８ｂは、第１無機絶縁層１２８ａと同様に、窒化シリコン膜、窒酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等の、水蒸気透過率が低いとされる無機絶縁膜で形成される。

本実施形態によれば、共通接続部１１８において、第２電極１７６に隣接して金属層１３６を設けることで、封止層１２６の剥離を防止することができる。別言すれば、封止層１２６の下地面に第２電極１７６以外の金属層１３６を設け、その下層側に残存する残渣物と封止層１２６が接触しない構造とすることで、封止層１２６の剥離を防止することができる。

１００・・・表示装置、１０２・・・ベース部材、１０４・・・表示部、１０６・・・画素、１０８・・・走査信号線、１１０・・・映像信号線、１１２・・・駆動回路、１１４・・・端子部、１１６・・・端子電極、１１８・・・共通接続部、１２０・・・折り曲げ領域、１２２・・・駆動素子層、１２４・・・表示素子層、１２６・・・封止層、１２８・・・無機絶縁層、１３０・・・有機絶縁層、１３２・・・開口溝、１３４・・・コモン配線、１３６・・・金属層、１３８・・・第１領域、１４０・・・第２領域、１４２・・・第３領域、１４４・・・トランジスタ、１４６・・・容量素子、１４８・・・発光素子、１５０・・・第１絶縁層、１５２・・・半導体層、１５４・・・第２絶縁層、１５６・・・ゲート電極、１５８・・・容量電極、１６０・・・第３絶縁層、１６２・・・配線、１６４・・・第４絶縁層、１６６・・・コンタクトホール、１６８・・・第５絶縁層、１７０・・・第６絶縁層、１７２・・・第１電極、１７４・・・有機層、１７６・・・第２電極、１７８・・・金属酸化物層、１８０・・・端子電極層、１８２・・・シャドーマスク、１９９・・・残渣物

Claims (20)

1. 複数の画素が配列された表示部と、
   前記表示部を覆う封止層と、
   前記表示部の外側の共通接続部と、を有し、
   前記複数の画素は、
   第１電極と、
   前記第１電極上に配置され前記表示部の全体を覆い前記共通接続部の一部と重なる第２電極と、
   前記第１電極と前記第２電極との間の有機層と、を有し、
   前記共通接続部は、前記第２電極の外側に配置された金属層を含み、
   前記封止層は、
   少なくとも一層の無機絶縁層を含み、
   前記無機絶縁層の端部は前記第２電極の外側に配置され、
   前記無機絶縁層は、
   前記第２電極と接する第１領域と、
   前記第１領域の外側で、前記金属層と接する第２領域と、を有する、
   ことを特徴とする表示装置。
2. 前記封止層は、
   第１無機絶縁層と、
   前記第１無機絶縁層上に配置される第２無機絶縁層と、
   前記第１無機絶縁層と前記第２無機絶縁層との間の有機絶縁層と、を含み、
   前記第１無機絶縁層は、
   前記第２電極と接する第１領域と、
   前記第１領域の外側で、前記金属層と接する第２領域と、を有する、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１無機絶縁層及び前記第２無機絶縁層は、窒化シリコン膜又は窒酸化シリコン膜である、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記金属層は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウム（Ｇａ）、及びインジウム（Ｉｎ）から選ばれた一種又は複数種の元素を含む、請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第２電極は、アルミニウム（Ａｌ）及び銀（Ａｇ）から選ばれた一種の元素と、リチウム（Ｌｉ）及びマグネシウム（Ｍｇ）から選ばれた一種の元素を含む、請求項１に記載の表示装置。
6. 前記第２電極と前記金属層とは、重なる領域を有する、請求項１に記載の表示装置。
7. トランジスタと、
   前記トランジスタ上の層間絶縁層と、
   前記層間絶縁層上のコモン配線と、
   前記層間絶縁層上に配置され前記トランジスタを埋設する平坦化層と、
   前記平坦化層上の発光素子と、
   前記層間絶縁層上に配置され前記発光素子を囲む隔壁層と、
   前記発光素子及び前記隔壁層を覆う封止層と、を含み、
   前記発光素子は、
   前記平坦化層上の第１電極と、
   前記第１電極上及び前記隔壁層上の第２電極と、
   前記第１電極と前記第２電極との間の有機層と、を有し、
   前記コモン配線は、前記平坦化層及び前記隔壁層から露出され、
   前記第２電極は前記隔壁層上から延伸され前記コモン配線と重なる領域を有し、
   前記封止層は、
   少なくとも一層の無機絶縁層を含み、
   前記無機絶縁層の端部が前記第２電極の外側に配置され、
   前記無機絶縁層は、
   前記第２電極と接する第１領域と、
   前記第１領域の外側で前記コモン配線と重なる第２領域と、を有し、
   前記第２領域は、
   前記無機絶縁層と前記コモン配線との間に金属層を含む、
   ことを特徴とする表示装置。
8. 前記封止層は、
   第１無機絶縁層と、
   前記第１無機絶縁層上に配置される第２無機絶縁層と、
   前記第１無機絶縁層と前記第２無機絶縁層との間の有機絶縁層と、を含み、
   前記第１無機絶縁層は、
   前記第２電極と接する第１領域と、
   前記第１領域の外側で前記コモン配線と重なる第２領域と、を有し、
   前記第２領域は、
   前記第１無機絶縁層と前記コモン配線との間に金属層を含む、
   請求項７に記載の表示装置。
9. 前記第１無機絶縁層及び前記第２無機絶縁層は、窒化シリコン膜又は窒酸化シリコン膜である、請求項８に記載の表示装置。
10. 前記金属層は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウム（Ｇａ）、及びインジウム（Ｉｎ）から選ばれた一種又は複数種の元素を含む、請求項７に記載の表示装置。
11. 前記第２電極は、アルミニウム（Ａｌ）及び銀（Ａｇ）から選ばれた一種の元素と、リチウム（Ｌｉ）及びマグネシウム（Ｍｇ）から選ばれた一種の元素を含む、請求項７に記載の表示装置。
12. 前記第２電極と前記金属層とは、重なる領域を有する、請求項７に記載の表示装置。
13. 第１絶縁層と、
    前記第１絶縁層上の半導体層と、
    前記半導体層上の第２絶縁層と、
    前記第２絶縁層上で前記半導体層と重なる領域を有するゲート電極と、
    前記第２絶縁層及び前記ゲート電極上の第３絶縁層と、
    前記第３絶縁層上の第１配線及びコモン配線と、
    前記第３絶縁層、前記第１配線及び前記コモン配線上の平坦化層と、
    前記平坦化層上の第１電極と、
    前記第１電極と重なる領域に開口部を有する隔壁層と、
    前記第１電極上及び前記隔壁層上の第２電極と、
    前記第１電極及び前記第２電極との間の有機層と、
    前記第２電極上の封止層と、を有し、
    前記平坦化層は、前記コモン配線を露出させる開口溝を有し、
    前記第２電極は、前記隔壁層上から延伸され前記コモン配線と重なる領域を有し、
    前記封止層は、
    少なくとも一層の無機絶縁層を含み、
    前記無機絶縁層の端部が前記第２電極の外側に配置され、
    前記無機絶縁層は、
    前記第２電極と接する第１領域と、
    前記第１領域の外側で前記コモン配線と重なる第２領域と、を有し、
    前記第２領域は、
    前記無機絶縁層と前記コモン配線との間に金属層を含む、
    ことを特徴とする表示装置。
14. 前記第１領域は、前記開口溝の一部と重なる領域を含み、前記第２領域は、前記開口溝と重なる、請求項１３に記載の表示装置。
15. 前記第２領域は、前記コモン配線と前記金属層との間に金属酸化物層を含む、請求項１３に記載の表示装置。
16. 前記封止層は、
    第１無機絶縁層と、
    前記第１無機絶縁層上に配置される第２無機絶縁層と、
    前記第１無機絶縁層と前記第２無機絶縁層との間の有機絶縁層と、を含み、
    前記第１無機絶縁層は、
    前記第２電極と接する第１領域と、
    前記第１領域の外側で前記コモン配線と重なる第２領域と、を有し、
    前記第２領域は、
    前記第１無機絶縁層と前記コモン配線との間に金属層を含む、
    請求項１３に記載の表示装置。
17. 前記第１無機絶縁層及び前記第２無機絶縁層は、窒化シリコン膜又は窒酸化シリコン膜である、請求項１６に記載の表示装置。
18. 前記金属層は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウム（Ｇａ）、及びインジウム（Ｉｎ）から選ばれた一種又は複数種の元素を含む、請求項１３に記載の表示装置。
19. 前記第２電極は、アルミニウム（Ａｌ）及び銀（Ａｇ）から選ばれた一種の元素と、リチウム（Ｌｉ）及びマグネシウム（Ｍｇ）から選ばれた一種の元素を含む、請求項１３に記載の表示装置。
20. 前記第２電極と前記金属層とは、重なる領域を有する、請求項１３に記載の表示装置。

Images