JP2018113104A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の向上した表示装置を提供することを目的の一つとする。【解決手段】表示領域内で基板の一表面上に配列され、各々が発光素子を有する複数の画素と、第１隔壁、第２隔壁及び第３隔壁を有する隔壁層と、複数の画素及び隔壁層の上層に設けられ、第１無機絶縁層、第１有機絶縁層及び第２無機絶縁層を含む封止層と、封止層の上層に設けられた保護層と、保護層の外側に配置された複数の接続端子とを備え、第１隔壁は、複数の画素の各々を囲み、第２隔壁は、表示領域を囲み、第３隔壁は、第２隔壁の外側を囲み、第３隔壁と第２隔壁の間に溝部が形成され、第１有機絶縁層は、第１無機絶縁層上に設けられ、第２無機絶縁層は、第１有機絶縁層上に設けられ、第１有機絶縁層は、端部が第１隔壁及び第２隔壁の間または第２隔壁上に配置され、第１無機絶縁層、第２無機絶縁層及び保護層は、端部が第２隔壁の端部より外側に配置されている。【選択図】図２

Description

本発明の一実施形態は、表示装置の封止構造及び当該封止構造を有する表示装置の製造方法に関する。

有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと呼ぶ。）表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。発光素子は、一方をアノード、他方をカソードとして区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「発光層」ともいう）を挟んだ構造を有している。発光層に、カソードから電子が注入され、アノードから正孔が注入されると、電子と正孔が再結合する。これにより放出される余剰なエネルギーによって発光層中の発光分子が励起し、その後脱励起することによって発光する。

有機ＥＬ表示装置においては、発光素子の各々のアノードは画素毎に画素電極として設けられ、カソードは複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通電極の電位に対し、画素電極の電位を画素毎に印加することで、画素の発光を制御している。

有機ＥＬ表示装置の発光層は、水分が侵入すると容易に劣化し、ダークスポットと呼ばれる非点灯領域が発生してしまうという課題がある。このような課題を解決するため、多くの有機ＥＬ表示装置には、水分の侵入を防止するための封止層が設けられている。

例えば特許文献１には、発光領域を有する画素がマトリクス状に配置されると共に、有機絶縁材料からなる有機絶縁層を有する表示領域と、表示領域の周囲にあり、金属配線もしくは薄膜トランジスタを用いた回路が配置され、有機絶縁層を有する周辺回路領域と、表示領域と周辺回路領域との間に形成された遮断領域とを備え、遮断領域は、表示領域を覆い、発光領域を発光させるための２つの電極のうちの一方であり、表示領域から連続して形成された電極層を有し、電極層から基材である絶縁基板までが無機材料の層のみで構成される第１遮断領域と、第１遮断領域を構成する複数の層及び発光有機層のみで構成される第２遮断領域とを有する有機ＥＬ表示装置が開示されている。

特開２０１５−１５０８９号公報

しかしながら、表示装置の製造工程において封止層をパターニングする工程を含む場合、封止層の意図しない領域までエッチングされることによって、水分の侵入を防止する機能が劣化してしまう場合がある。

本発明の一実施形態は、製造工程において封止層の劣化を防止することができる表示装置の製造方法を提供することを目的の一つとする。また、本発明の一実施形態は、それによって製造され、信頼性の向上した表示装置を提供することを目的の一つとする。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、表示領域内で基板の一表面上に配列され、各々が発光素子を有する複数の画素と、第１隔壁、第２隔壁及び第３隔壁を有する隔壁層と、複数の画素及び隔壁層の上層に設けられ、第１無機絶縁層、第１有機絶縁層及び第２無機絶縁層を含む封止層と、封止層の上層に設けられた保護層と、保護層の外側に配置された複数の接続端子とを備え、第１隔壁は、複数の画素の各々を囲み、第２隔壁は、表示領域を囲み、第３隔壁は、第２隔壁の外側を囲み、第３隔壁と第２隔壁の間に溝部が形成され、第１有機絶縁層は、第１無機絶縁層上に設けられ、第２無機絶縁層は、第１有機絶縁層上に設けられ、第１有機絶縁層は、端部が第１隔壁及び第２隔壁の間または第２隔壁上に配置され、第１無機絶縁層、第２無機絶縁層及び保護層は、端部が第２隔壁の端部より外側に配置されている。

本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、基板の一表面上に、表示領域内で各々が発光素子を有する複数の画素と、複数の画素の各々の周縁の第１隔壁、表示領域を囲む第２隔壁及び第２隔壁を囲む第３隔壁を有する隔壁層と、第３隔壁の外側の複数の接続端子とを形成し、第１無機絶縁層と、第１無機絶縁層上であって、外端が第２隔壁の内側に配置される第１有機絶縁層と、第１有機絶縁層上に配置される第２無機絶縁層とを有し、第１無機絶縁層の端部及び第２無機絶縁層の端部が第２隔壁より外側に配置された封止層を複数の画素及び隔壁層の上層に形成し、封止層上、且つ端部が第３隔壁上に配置される保護層を形成し、保護層をマスクとして、封止層をエッチングして複数の接続端子を露出させることを含む。

本発明の一実施形態の表示装置の構成を説明する上面図である。 本発明の一実施形態の表示装置の構成を説明する断面図である。 本発明の一実施形態の表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態の表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態の表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態の表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態の表示装置の製造方法を説明する断面図である。

以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。

本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。

本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、更に別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

図１は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する上面図である。表示装置１００は、表示領域１０２ａと、周辺領域１０２ｂと、屈曲領域１０２ｃと、端子領域１０２ｄとを有している。

表示領域１０２ａは、画像を表示するための領域である。表示領域１０２ａには、複数の画素１１２が配列されている。複数の画素１１２は、互いに交差する２方向に、行列状に配列されている。本実施形態においては、複数の画素１１２は、互いに直交する２方向に、行列状に配列されている。複数の画素１１２は、それぞれ発光素子が設けられている。図１には更に、後述する隔壁層１２２の端部が示されている。隔壁層１２２は、表示領域１０２ａにおいて、複数の画素１１２の各々の周縁に設けられた第１隔壁１２２ａを有する。

周辺領域１０２ｂは、表示領域１０２ａの周縁に接し、表示領域１０２ａを囲む領域である。周辺領域１０２ｂには、複数の画素１１２の発光を制御するための駆動回路が配置されてもよい。前述の隔壁層１２２は、周辺領域１０２ｂにおいて、第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃを有する。第２隔壁１２２ｂは、第１隔壁１２２ａと間隔を有し、第１隔壁１２２ａを囲む周状である。第３隔壁１２２ｃは、第２隔壁１２２ｂと間隔を有し、第２隔壁１２２ｂを囲む周状である。

屈曲領域１０２ｃは、任意の構成であり、表示装置１００を折り曲げることが可能な領域である。表示装置１００では、屈曲領域１０２ｃ内を通る任意の直線を境に折り曲げることにより、端子領域１０２ｄを、表示領域１０２ａの表示面の裏側に折り畳むことができる。

端子領域１０２ｄは、表示装置１００とフレキシブル印刷回路基板（ＦＰＣ基板）１３８等とを接続するための領域である。端子領域１０２ｄは、表示装置１００の一辺に沿って設けられ、複数の接続端子１３０が配列される。

図２は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する断面図であり、図１に示すＡ−Ａ´に沿った断面の構成を示している。表示装置１００は、基板１０２と、回路層１０４と、複数の画素１１２と、隔壁層１２２と、封止層１２４と、第１保護層１２６と、第２保護層１２８と、複数の接続端子１３０と、偏光板１３２と、カバーフィルム１３４とを備えている。封止層１２４は、第１無機絶縁層１２４ａ、第１有機絶縁層１２４ｂ、第３無機絶縁層１２４ｃを含んで構成される。そして、第１保護層１２６、第２保護層１２８は、封止層１２４の上層に設けられている。また、複数の接続端子１３０は、第１保護層１２６の外側に設けられている。

基板１０２は、その一表面側に配置される回路層１０４や複数の画素１１２等の各種素子を支持する。基板１０２の材料としては、ガラス、石英、プラスチック、金属、セラミック等を含むことができる。

表示装置１００に可撓性を付与する場合、基板１０２上に基材を形成すればよい。この場合、基板１０２は支持基板とも呼ばれる。基材は、可撓性を有する絶縁層である。基材の具体的な材料としては、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネートに例示される高分子材料から選択される材料を含むことができる。

回路層１０４は、基板１０２の一表面に設けられ、下地層１０６、トランジスタ１０８、層間絶縁層１１０を含む。回路層１０４には更に、トランジスタ１０８を含む画素回路、駆動回路等が設けられる（図示せず）。画素回路は、表示領域１０２ａ内に配列された複数の画素１１２の各々に設けられ、発光素子１１４の発光を制御する。駆動回路は、周辺領域１０２ｂに設けられ、画素回路を駆動する。

下地層１０６は、任意の構成であり、基板１０２の当該一表面に設けられる。下地層１０６は、基板１０２（および基材）からアルカリ金属などの不純物がトランジスタ１０８等へ拡散することを防ぐための層である。下地層１０６の材料としては、無機絶縁材料を含むことができる。無機絶縁材料としては、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素又は酸化窒化珪素等を含むことができる。下地層１０６中の不純物濃度が小さい場合、下地層１０６は設けないか、あるいは基板１０２の一部のみを覆うように形成してもよい。

トランジスタ１０８は、半導体層１０８ａ、ゲート絶縁層１０８ｂ、ゲート電極１０８ｃ、ソース・ドレイン電極１０８ｄ等を含む。半導体層１０８ａは、下地層１０６上に島状に設けられている。半導体層１０８ａの材料としては、例えば珪素などの１４族元素、酸化物半導体等を含んでもよい。酸化物半導体としては、インジウムやガリウムなどの第１３族元素を含むことができ、例えばインジウムとガリウムの混合酸化物（ＩＧＯ）が挙げられる。半導体層１０８ａに酸化物半導体を用いる場合、更に１２族元素を含んでもよく、一例としてインジウム、ガリウム、および亜鉛を含む混合酸化物（ＩＧＺＯ）が挙げられる。半導体層１０８ａの結晶性に限定はなく、単結晶、多結晶、微結晶又はアモルファスのいずれの結晶状態を含んでもよい。

ゲート絶縁層１０８ｂは、半導体層１０８ａの上層に設けられている。本実施形態においては、ゲート絶縁層１０８ｂは、複数のトランジスタ１０８に亘って設けられている。しかし、ゲート絶縁層１０８ｂは、少なくともゲート電極１０８ｃと重畳する領域に設けられていればよい。ゲート絶縁層１０８ｂの材料としては、下地層１０６に用いることができる材料を用いることができ、単層構造であっても、これらの材料から選択された積層構造であってもよい。

ゲート電極１０８ｃは、ゲート絶縁層１０８ｂを介して半導体層１０８ａと重畳している。半導体層１０８ａにおいて、ゲート電極１０８ｃと重畳する領域がチャネル領域である。ゲート電極１０８ｃの材料としては、チタン、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタル等の金属や、その合金等を用いることができる。これらの材料のいずれかの単層、あるいはこれらから選択された複数の材料の積層構造を有するように形成することができる。例えば、チタン、タングステン、モリブデン等の比較的高い融点を有する金属で、アルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。

層間絶縁層１１０は、ゲート電極１０８ｃの上層に設けられる。層間絶縁層１１０の材料としては、下地層１０６に用いることができる材料を用いることができ、単層構造であっても、これらの材料から選択された積層構造であってもよい。

ソース・ドレイン電極１０８ｄは、層間絶縁層１１０上に設けられ、層間絶縁層１１０及びゲート絶縁層１０８ｂに設けられる開口において、半導体層１０８ａのソース・ドレイン領域と電気的に接続される。層間絶縁層１１０上には更に、端子配線１０８ｅが設けられる。つまり、図２に示すように、端子配線１０８ｅは、ソース・ドレイン電極１０８ｄと同一の層内に存在することができる。また、これに限られず、端子配線１０８ｅはゲート電極１０８ｃと同一の層内に存在するよう構成してもよい（図示せず）。

図２では、トランジスタ１０８は、トップゲート型のトランジスタを例示しているが、トランジスタ１０８の構造に限定はなく、ボトムゲート型トランジスタ、ゲート電極１０８ｃを複数有するマルチゲート型トランジスタ、半導体層１０８ａの上下を二つのゲート電極１０８ｃで挟持する構造を有するデュアルゲート型トランジスタでもよい。また、図２では、各画素１１２に一つのトランジスタ１０８が設けられる例が示されているが、各画素１１２は複数のトランジスタ１０８や容量素子などの半導体素子を更に有してもよい。

複数の画素１１２の各々は、発光素子１１４を有している。発光素子１１４は、基板１０２側から第１電極１１６、発光層１１８及び第２電極１２０が積層された層構造を有している。第１電極１１６及び第２電極１２０からキャリアが発光層１１８へ注入され、キャリアの再結合が発光層１１８内で生じる。これにより、発光層１１８内の発光性分子が励起状態となり、これが基底状態へ緩和するプロセスを経て発光が得られる。

第１電極１１６は、平坦化絶縁層１２２ｄよりも上層に設けられる。第１電極１１６はまた、平坦化絶縁層１２２ｄ及び無機絶縁層１２２ｅに設けられた開口を覆い、ソース・ドレイン電極１０８ｄと電気的に接続されるように設けられる。これにより、トランジスタ１０８を介して電流が発光素子１１４へ供給される。発光素子１１４からの発光を第２電極１２０から取り出す場合、第１電極１１６の材料としては、可視光を反射することができる材料から選択される。この場合、第１電極１１６は、銀やアルミニウムなどの反射率の高い金属やその合金を用いる。あるいはこれらの金属や合金を含む層上に、透光性を有する導電性酸化物の層を形成する。導電酸化物としてはＩＴＯやＩＺＯなどが挙げられる。逆に、発光素子１１４からの発光を第１電極１１６から取り出す場合、第１電極１１６の材料としては、ＩＴＯやＩＺＯを用いればよい。

発光層１１８は、第１電極１１６及び第１隔壁１２２ａを覆うように設けられる。発光層１１８の構成は適宜選択することができ、例えばキャリア注入層、キャリア輸送層、発光層１１８、キャリア阻止層、励起子阻止層などを組み合わせて構成することができる。発光層１１８は、画素１１２毎に異なる材料を含むように構成することができる。発光層１１８に用いる材料を適宜選択することで、画素１１２毎に異なる発光色を得ることができる。あるいは、発光層１１８の構造を画素１１２間で同一としてもよい。このような構成では、各画素１１２の発光層１１８から同一の発光色が出力されるため、例えば発光層１１８を白色発光可能な構成とし、カラーフィルタを用いて種々の色（例えば、赤色、緑色、青色）をそれぞれ画素１１２から取り出してもよい。

第２電極１２０は、発光層１１８の上層に設けられる。第２電極１２０はまた、本実施形態のように、複数の画素１１２に共通して設けられてもよい。発光素子１１４からの発光を第２電極１２０から取り出す場合、第２電極１２０の材料としては、ＩＴＯなどの透光性を有する導電性酸化物等から選択される。あるいは、上述した金属を可視光が透過する程度の厚さで形成することができる。この場合、さらに透光性を有する導電性酸化物を積層してもよい。

隔壁層１２２は、基板１０２の当該一表面上に設けられている。隔壁層１２２は、第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ、第３隔壁１２２ｃ、平坦化絶縁層１２２ｄ及び無機絶縁層１２２ｅを有している。

第１隔壁１２２ａは、平面視において複数の画素１１２の内、隣接する画素１１２の間に設けられ、複数の画素１１２の各々を囲む。第１隔壁１２２ａは、第１電極１１６の発光層１１８側の面の周縁を被覆する。第１隔壁１２２ａは、第１電極１１６の周縁を覆うことで、その上に設けられる発光層１１８や第２電極１２０の断線を防ぐことができる。平面視において、第１電極１１６と発光層１１８が接触する領域が発光領域である。

第２隔壁１２２ｂは、平面視において第１隔壁１２２ａと間隔を有し、第１隔壁１２２ａを囲む周状の形態を有している。第２隔壁１２２ｂは、表示領域を囲むように配置されているともいえる。これによって、第２隔壁１２２ｂ及び第１隔壁１２２ａの間には、周状の溝部１２２ｆが形成されている。詳細は後述するが、製造工程において封止層１２４を構成する第１有機絶縁層１２４ｂを形成する際に、第１有機絶縁層１２４ｂが表示領域１０２ａを覆い、且つ基板１０２の端部に拡がらないように基板１０２の表面内の領域に選択的に形成する必要がある。第１有機絶縁層１２４ｂが基板１０２の端部まで拡がってしまうと、端部から第１有機絶縁層１２４ｂを介して水分が表示装置１００内に侵入することが懸念される。第１有機絶縁層１２４ｂは、例えばインクジェット法を用いて表示領域１０２ａに選択的に塗布される。このとき、第２隔壁１２２ｂは、その外側に第１有機絶縁層１２４ｂが拡がらないように堰き止める機能を有する。

そのため、第２隔壁１２２ｂは、第１隔壁１２２ａとの間隔が１０μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上２００μｍ以下となるように配置される。第２隔壁１２２ｂと第１隔壁１２２ａとの間隔がこの範囲より小さいと、第１有機絶縁層１２４ｂを形成する際に、それを堰き止めるのに十分な機能が得られない。第２隔壁１２２ｂと第１隔壁１２２ａとの間隔がこの範囲より大きいと、表示装置１００の狭額縁化が阻害される。また、第２隔壁１２２ｂは、幅が５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。第２隔壁１２２ｂの幅がこの範囲よりも小さいと、製造工程において十分な高さの第２側壁を形成することが困難になる。第２隔壁１２２ｂの幅がこの範囲よりも大きいと、表示装置１００の狭額縁化が阻害される。また、第２隔壁１２２ｂは、最大高さが、１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。第２隔壁１２２ｂの高さがこの範囲よりも小さいと、第１有機絶縁層１２４ｂを塗布する際に、それを堰き止めるのに十分な機能が得られない。第２隔壁１２２ｂの高さがこの範囲よりも大きいと、隔壁層１２２を形成することが困難になる。

第３隔壁１２２ｃは、平面視において第２隔壁１２２ｂと間隔を有し、第２隔壁１２２ｂを囲む周状の形態を有する。これによって、第３隔壁１２２ｃ及び第２隔壁１２２ｂの間には、周状の溝部１２２ｇが形成されている。詳細は後述するが、製造工程において、複数の接続端子１３０を覆う封止層１２４をパターニングして複数の接続端子１３０を露出させる際に、第１保護層１２６をマスクとして封止層１２４をエッチングする。このエッチングの際、第１保護層１２６の端部が後退する。第１保護層１２６の端部が後退しすぎると、封止層１２４のエッチングにおいて、第１無機絶縁層１２４ａ、第１有機絶縁層１２４ｂ及び第２無機絶縁層１２４ｃの３層が積層された領域までエッチングされ、第１有機絶縁層１２４ｂが露出することが懸念される。第１有機絶縁層１２４ｂが露出すると、そこから水分が侵入し、その後、第１無機絶縁層１２４ａを透過することによって、発光層１１８が劣化してしまう。これによって、表示装置１００の歩留まり及び信頼性が劣化する。第１無機絶縁層１２４ａは、凹凸を有する隔壁層１２２上に設けられるため、クラック等が生じやすく、それが水分の侵入経路となり得る。

そのため、第３隔壁１２２ｃを設け、第３隔壁１２２ｃ上に端部が配置されるように第１保護層１２６を形成すれば、第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃの間の溝部１２２ｇにより、第１保護層１２６の端部近傍の膜厚を厚くすることができる。これによって、封止層１２４のエッチングの際に第１保護層１２６の端部が後退することを防止することができる。これによって、封止層１２４の意図しない領域までエッチングされ、第１有機絶縁層１２４ｂが露出することを防止することができる。

また、後述する工程で、第１保護層１２６をマスクとして、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｂを除去する。このとき、第１保護層１２６が不用意に基板端近くまで流れ出てしまうと、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃが除去されない領域が拡大する。特に、狭額縁化が進むと、表示領域１０２ａと端子領域１０２ｄとの距離が小さくなるため、接続端子１３０の露出を阻害する場合がある。第３隔壁１２２ｃ、及び溝部１２２ｇによって、第１保護層１２６の堰き止め効果が期待できる。

そのため、第３隔壁１２２ｃは、第２隔壁１２２ｂとの間隔が１０μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上２００μｍ以下となるように配置される。第３隔壁１２２ｃと第２隔壁１２２ｂとの間隔がこの範囲よりも小さいと、第１保護層１２６の端部近傍において十分な厚さを有する領域を十分に確保できず、第１保護層１２６の端部の後退を防止する機能が十分に得られない。第３隔壁１２２ｃと第２隔壁１２２ｂとの間隔がこの範囲よりも大きいと、表示装置１００の狭額縁化が阻害される。また、第３隔壁１２２ｃは、最大高さが、１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。第３隔壁１２２ｃの高さがこの範囲よりも小さいと、第１保護層１２６の端部近傍の膜厚を十分に厚くすることができず、第１保護層１２６の端部の後退を防止する機能が十分に得られない。第３隔壁１２２ｃの高さがこの範囲よりも大きいと、隔壁層１２２を形成することが困難になる。

以上、隔壁層１２２の内、第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃの構成について説明したが、これらは平面視において互いに分離されている。第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃの材料としては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂等の有機絶縁材料を用いることができる。

平坦化絶縁層１２２ｄは、回路層１０４の上層、且つ発光素子１１４の下層に配置されている。平坦化絶縁層１２２ｄは、トランジスタ１０８等の半導体素子に起因する凹凸を吸収して平坦な表面を与える。平坦化絶縁層１２２ｄの材料としては、第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃに用いることができる材料を用いることができる。

無機絶縁層１２２ｅは、任意の構成であり、トランジスタ１０８等の半導体素子を保護する機能を有する。更に、発光素子１１４の第１電極１１６と、無機絶縁層１２２ｅの下層に、第１電極１１６と無機絶縁層１２２ｅを挟むように形成される電極（図示せず）との間で容量を形成することができる。

平坦化絶縁層１２２ｄ及び無機絶縁層１２２ｅには、複数の開口が設けられる。その内の一つは、発光素子１１４の第１電極１１６とトランジスタ１０８のソース・ドレイン電極１０８ｄとを電気的に接続するために設けられる。他の一つは、端子配線１０８ｅの一部を露出するように設けられる。この開口によって露出した端子配線１０８ｅは、例えば異方性導電膜１３６等によりＦＰＣ基板１３８と接続される。

封止層１２４は、複数の画素１１２及び隔壁層１２２の上層に設けられている。封止層１２４は、第１無機絶縁層１２４ａ、第１有機絶縁層１２４ｂ及び第２無機絶縁層１２４ｃを有している。

第１無機絶縁層１２４ａは、隔壁層１２２に起因する凹凸表面を被覆する。第１無機絶縁層１２４ａは、端部が第２隔壁１２２ｂの外側であって、第３隔壁１２２ｃ上又は溝部１２２ｇと重なる位置に配置されている。つまり、第１無機絶縁層１２４ａは、第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂの間の溝部１２２ｆの底面及び隔壁を被覆する。更に、第１無機絶縁層１２４ａは、第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃの間の溝部１２２ｇの底面及び側壁を被覆する。

第１無機絶縁層１２４ａは、少なくとも次の２つの役割を有する。１つは、第１無機絶縁層１２４ａの上層に配置され、水分が透過しやすい第１有機絶縁層１２４ｂが発光素子１１４に接触しないように設けられている。これによって、第１有機絶縁層１２４ｂが含有する水分、又は表示装置１００の外部から第１有機絶縁層１２４ｂに侵入した水分が発光層１１８へ到達し、発光層１１８を劣化させることを防止することができる。他の１つは、第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃの間に有機材料を介した水分の侵入経路を生じさせないために設けられている。これによって、第３隔壁１２２ｃが含有する水分、又は表示装置１００の外部から第３隔壁１２２ｃに侵入した水分が、第２隔壁１２２ｂから内側へ侵入し、発光層１１８を劣化させることを防止することができる。

よって、第１無機絶縁層１２４ａの材料としては、透湿性の低い絶縁材料が好ましい。第１無機絶縁層１２４ａの具体的な材料としては、例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム等を使用することができる。また、これらから選択された複数の材料を積層した構造を使用してもよい。

第１有機絶縁層１２４ｂは、第１無機絶縁層１２４ａの上層に設けられている。第１有機絶縁層１２４ｂはまた、端部が第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂの間又は第２隔壁１２２ｂ上に配置されている。第１有機絶縁層１２４ｂは、隔壁層１２２等に起因する凹凸を平坦化するために設けられる。

このような凹凸が十分に平坦化されず、第１有機絶縁層１２４ｂ上に第２無機絶縁層１２４ｃが設けられると、第２無機絶縁層１２４ｃが第１有機絶縁層１２４ｂに残った凹凸を十分に被覆できず、第２無機絶縁層１２４ｃにクラック等の欠陥が生じ、それに起因する水分の侵入経路が生じる場合がある。

第２無機絶縁層１２４ｃは、第１有機絶縁層１２４ｂの上層に設けられている。第２無機絶縁層１２４ｃはまた、端部が第２隔壁１２２ｂの外側であって、第３隔壁１２２ｃの上又は溝部１２２ｇと重なる位置に配置される。本実施形態においては、第２無機絶縁層１２４ｃは、第１無機絶縁層１２４ａの端部に沿って配置されている。そして、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃの端部が第３隔壁１２２ｃの上に配置されることで、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃによって第２隔壁１２２ｂを確実に被覆することができ、表示領域１０２ａに水分が浸入するのを防ぐ効果を高めることができる。そして、第１有機絶縁層１２４ｂは、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃによって密封されている。このような構成を有することによって、第１有機絶縁層１２４ｂを介した、表示装置１００の外部から内部へ水分の侵入経路を遮断することができる。第２無機絶縁層１２４ｃの材料としては、透湿性の低い絶縁材料を用いることが好ましく、第１無機絶縁層１２４ａと同様の材料を用いることができる。

尚、第２無機絶縁層１２４ｃは、必ずしもその端部が第１無機絶縁層１２４ａの端部に沿って配置される必要は無い。第１有機絶縁層１２４ｂが、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃによって密封されるように封止層１２４が構成されればよい。

第１保護層１２６は、封止層１２４の上層、つまり、第２無機絶縁層１２４ｃに設けられている。第１保護層１２６はまた、端部が第２隔壁１２２ｂの外側であって、すなわち第３隔壁１２２ｃ上に配置されている。本実施形態においては、第１保護層１２６は、第１無機絶縁層１２４ａの端部に沿って配置されている。第１保護層１２６はまた、第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃの間の溝部１２２ｇを充填する。これによってあ、第１保護層１２６は、溝部１２２ｇにおける厚みが、第２隔壁１２２ｂ上及び第３隔壁１２２ｃ上よりも厚くなっている。第１保護層１２６の材料としては、前述の第１有機絶縁層１２４ｂに用いることができる材料と同様の材料を用いることができる。第１保護層１２６は、上面における凹凸が隔壁層１２２における凹凸より小さく、特に、第２隔壁１２２ｂの外端上の第１保護層１２６の上面の高さと、第３隔壁１２２ｃの内端上の第１保護層１２６の上面の高さとの差は、溝部１２２ｇの深さより小さい。

第２保護層１２８は、任意の構成であり、表示装置１００を物理的に保護する。第２保護層１２８の材料としては、エステル、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの高分子材料を含むことができる。印刷法やラミネート法などを適用して形成することができる。

複数の接続端子１３０は、基板１０２の当該一表面上に配列されている。複数の接続端子１３０の各々は、無機絶縁層１２２ｅ及び平坦化絶縁層１２２ｄに設けられた開口を介して、接続配線に電気的に接続されている。複数の接続端子１３０はまた、平面視において第１保護層１２６の外側に配置される。

偏光板１３２は、例えばλ／４板１３２ａ及びその上に配置される直線偏光板１３２ｂの積層構造を有することができる。表示装置１００の外から入射する光が直線偏光板１３２ｂを透過して直線偏光となった後、λ／４板１３２ａを通過すると、右回りの円偏光となる。この円偏光が第１電極１１６で反射すると左回りの円偏光となり、これが再度λ／４板１３２ａを透過することで直線偏光となる。このときの直線偏光の偏光面は、反射前の直線偏光と直交する。したがって、直線偏光板１３２ｂを透過することができない。その結果、偏光板１３２を設置することで外光の反射が抑制され、コントラストの高い映像を提供することが可能となる。

カバーフィルム１３４は、任意の構成であり、本実施形態においては、偏光板１３２の上層に設けられている。カバーフィルム１３４は、偏光板１３２を物理的に保護する。

表示装置１００の構成によれば、製造工程において封止層１２４の劣化を防止することができる。これによって、製造歩留まり及び信頼性が向上した表示装置１００を提供することができる。

次いで、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について詳細に説明する。図３乃至図７は、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法を説明する断面図である。

基板１０２は、その一表面側に配置される回路層１０４や複数の画素１１２等の各種素子を支持する。従って、基板１０２には、その上に形成される各種素子のプロセスの温度に対する耐熱性とプロセスで使用される薬品に対する化学的安定性を有する材料を使用すればよい。基板１０２の材料としては、ガラス、石英、プラスチック、金属、セラミック等を含むことができる。

表示装置１００に可撓性を付与する場合、基板１０２上に基材を形成すればよい。この場合、基板１０２は支持基板とも呼ばれる。基材は、可撓性を有する絶縁層である。基材の具体的な材料としては、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナートに例示される高分子材料から選択される材料を含むことができる。基材は、例えば印刷法やインクジェット法、スピンコート法、ディップコーティング法などの湿式成膜法、あるいはラミネート法などを適用して形成することができる。

次いで、図３を用いて、基板１０２の一表面上に、回路層１０４を形成する方法について説明する。先ず、下地層１０６を形成する。下地層１０６の材料としては、無機絶縁材料を含むことができる。無機絶縁材料としては、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素又は酸化窒化珪素等を含むことができる。下地層１０６は、化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法等を適用して、単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。尚、下地層１０６は任意の構成であり、必ずしも設ける必要は無い。

次いで、半導体層１０８ａを形成する。半導体層１０８ａは、前述した珪素などの１４族元素、あるいは半導体層１０８ａは、酸化物半導体を含んでもよい。半導体層１０８ａが珪素を含む場合、半導体層１０８ａは、シランガスなどを原料として用い、ＣＶＤ法によって形成すればよい。これによって得られるアモルファスシリコンに対して加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化を行ってもよい。半導体層１０８ａが酸化物半導体を含む場合、スパッタリング法等を利用して形成することができる。

次いで、半導体層１０８ａを覆うようにゲート絶縁層１０８ｂを形成する。ゲート絶縁層１０８ｂは単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、下地層１０６と同様の手法で形成することができる。

次いで、ゲート絶縁層１０８ｂ上にゲート電極１０８ｃを形成する。ゲート電極１０８ｃは、チタンやアルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金などを用いることができる。これらの材料のいずれかの単層、あるいはこれらから選択された複数の材料の積層構造を有するように形成することができる。例えばチタンやタングステン、モリブデンなどの比較的高い融点を有する金属でアルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。ゲート電極１０８ｃは、スパッタリング法やＣＶＤ法を用いて形成することができる。

次いで、ゲート電極１０８ｃ上に層間絶縁層１１０を形成する。ゲート電極１０８ｃの上層に設けられる。層間絶縁層１１０の材料としては、下地層１０６に用いることができる材料を用いることができ、単層構造であっても、これらの材料から選択された積層構造であってもよい。層間絶縁層１１０は、下地層１０６と同様の手法で形成することができる。積層構造を有する場合、例えば有機材料を含む層を形成した後、無機材料を含む層を積層してもよい。

次に、層間絶縁層１１０とゲート絶縁層１０８ｂに対してエッチングを行い、半導体層１０８ａに達する開口を形成する。開口は、例えばフッ素含有炭化水素を含むガス中でプラズマエッチングを行うことで形成することができる。更に、同一の工程で、屈曲領域１０２ｃにおける回路層１０４の、下地層１０６、ゲート絶縁層１０８ｂ及び層間絶縁層１１０を除去しておく。無機絶縁材料は、屈曲によってクラック等の欠陥が生じやすく、それを起点に水分の侵入経路が生じることが懸念される。そのため、屈曲領域１０２ｃにおける無機絶縁材料を除去しておくことが好ましい。

次いで、開口を覆うように金属層を形成し、エッチングを行って成形することで、ソース・ドレイン電極１０８ｄを形成する。本実施形態では、ソース・ドレイン電極１０８ｄの形成と同時に端子配線１０８ｅを形成する。従って、ソース・ドレイン電極１０８ｄと端子配線１０８ｅは同一の層内に存在することができる。金属層はゲート電極１０８ｃと同様の構造を有することができ、ゲート電極１０８ｃの形成と同様の手法を用いて形成することができる。

次いで、図４を用いて、基板１０２の一表面上に、複数の画素１１２と、隔壁層１２２と、複数の接続端子１３０とを形成する方法について説明する。複数の画素１１２は、各々が発光素子１１４を有する。ここで、隔壁層１２２は、第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ、第３隔壁１２２ｃ、平坦化絶縁層１２２ｄ、無機絶縁層１２２ｅを有する。第１隔壁１２２ａは、複数の画素１１２の各々の周縁に配置され、第２隔壁１２２ｂは、第１隔壁１２２ａを囲み、第３隔壁１２２ｃは、第２隔壁１２２ｂを囲む。接続端子１３０は、第３隔壁１２２ｃの外側に配置される。

先ず、平坦化絶縁層１２２ｄを形成する。平坦化絶縁層１２２ｄは、ソース・ドレイン電極１０８ｄや端子配線１０８ｅを覆うように形成される。平坦化絶縁層１２２ｄは、トランジスタ１０８、端子配線１０８ｅ等に起因する凹凸や傾斜を吸収し、平坦な面を与える機能を有する。平坦化絶縁層１２２ｄの材料としては、有機絶縁材料を用いることができる。有機絶縁材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナート、ポリシロキサン等の高分子材料が挙げられる。成膜方法としては、湿式成膜法等によって形成することができる。

次いで、平坦化絶縁層１２２ｄ上に無機絶縁層１２２ｅを形成する。上述したように、無機絶縁層１２２ｅは、トランジスタ１０８に対する保護層として機能するだけでなく、後に形成される発光素子１１４の第１電極１１６と共に容量を形成する。従って、誘電率の比較的高い材料を用いることが好ましい。例えば窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素等を用いることができる。成膜方法としては、ＣＶＤ法やスパッタリング法を適用することができる。

次いで、ソース・ドレイン電極１０８ｄと端子配線１０８ｅをエッチングストッパとして、無機絶縁層１２２ｅと平坦化絶縁層１２２ｄに対してエッチングを行い、開口を形成する。その後、これらの開口を覆うように第１電極１１６及び接続端子１３０を形成する。

発光素子１１４からの発光を第２電極１２０から取り出す場合、第１電極１１６は可視光を反射するように構成される。この場合、第１電極１１６は、銀やアルミニウムなどの反射率の高い金属やその合金を用いる。あるいはこれらの金属や合金を含む層上に、透光性を有する導電性酸化物の層を形成する。導電酸化物としてはＩＴＯやＩＺＯなどが挙げられる。発光素子１１４からの発光を第１電極１１６から取り出す場合には、ＩＴＯやＩＺＯを用いて第１電極１１６を形成すればよい。

本実施形態においては、第１電極１１６及び接続電極が無機絶縁層１２２ｅ上に形成される。したがって、例えば開口を覆うように上記金属の層を形成し、その後可視光を透過する導電酸化物を含む層を形成し、エッチングによる加工を行って第１電極１１６及び接続電極を形成することができる。

次いで、第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃを形成する。第１隔壁１２２ａにより、第１電極１１６の端部に起因する段差を吸収し、かつ、隣接する画素１１２の第１電極１１６を互いに電気的に絶縁することができる。

後の製造工程において封止層１２４を構成する第１有機絶縁層１２４ｂを形成する際に、第１有機絶縁層１２４ｂが表示領域１０２ａを覆い、且つ基板１０２の端部に拡がらないように基板１０２の表面内の領域に選択的に形成する必要がある。第１有機絶縁層１２４ｂは、例えばインクジェット法を用いて表示領域１０２ａに選択的に形成される。このとき、第２隔壁１２２ｂは、その外側に第１有機絶縁層１２４ｂが拡がらないように堰き止める機能を有する。

また、後の製造工程において封止層１２４をパターニングして複数の接続端子１３０を露出させる際に、第１保護層１２６をマスクとして封止層１２４をエッチングする。このエッチングの際、第１保護層１２６の端部が後退する場合がある。第１保護層１２６の端部が後退し過ぎると、封止層１２４のエッチングにおいて、第１無機絶縁層１２４ａ、第１有機絶縁層１２４ｂ及び第２無機絶縁層１２４ｃの３層が積層された領域までエッチングされ、第１有機絶縁層１２４ｂが露出することが懸念される。第１有機絶縁層１２４ｂが露出すると、それが水分の侵入経路となってしまい、第１有機絶縁層１２４ｂに侵入した水分が第１無機絶縁層１２４ａを透過することによって、発光層１１８が劣化してしまう。これによって、表示装置１００の歩留まり及び信頼性が劣化する。第１無機絶縁層１２４ａは、凹凸を有する隔壁層１２２上に設けられるため、クラック等が生じやすく、それが水分の侵入経路となり得る。

第１保護層１２６の端部の後退を抑制するには、少なくとも第１保護層１２６の端部近傍の膜厚を厚くすればよい。第３隔壁１２２ｃはそのために設けられ、第３隔壁１２２ｃ及び第２隔壁１２２ｂの間の溝部１２２ｇに第１保護層１２６が充填されることによって、第１保護層１２６の端部近傍の膜厚が厚くなる。

第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃは、エポキシ樹脂やアクリル樹脂など、平坦化絶縁層１２２ｄに使用可能な材料を用いることができ、湿式成膜法で形成することができる。

次いで、発光層１１８及び第２電極１２０を、第１電極１１６及び隔壁層１２２を覆うように形成する。発光層１１８は、主に有機化合物を含み、インクジェット法やスピンコート法などの湿式成膜法、あるいは蒸着等の乾式成膜法を適用して形成することができる。

発光素子１１４からの発光を第１電極１１６から取り出す場合、第２電極１２０の材料としては、アルミニウム、マグネシウム、銀等の金属やこれらの合金を用いればよい。逆に発光素子１１４からの発光を第２電極１２０から取り出す場合、第２電極１２０の材料としては、ＩＴＯなどの透光性を有する導電性酸化物などを用いればよい。あるいは、上述した金属を可視光が透過する程度の厚さで形成することができる。この場合、さらに透光性を有する導電性酸化物を積層してもよい。

次いで、図５を用いて、封止層１２４を形成する方法について説明する。ここで、封止層１２４は、第１無機絶縁層１２４ａと、第１有機絶縁層１２４ｂと、第２無機絶縁層１２４ｃとを有する。第１無機絶縁層１２４ａは、基板１０２の表面に亘って配置される。第１有機絶縁層１２４ｂは、第１無機絶縁層１２４ａ上、且つ複数の画素１１２を覆い、第２隔壁１２２ｂの内側に配置される。第２無機絶縁層１２４ｃは、第１有機絶縁層１２４ｂ上、且つ表面に亘って配置される。

先ず、第１無機絶縁層１２４ａを、基板１０２の一表面に亘って形成する。第１無機絶縁層１２４ａは、例えば窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素等の無機材料を含むことができ、下地層１０６と同様の手法で形成することができる。

次いで、第１有機絶縁層１２４ｂを形成する。第１有機絶縁層１２４ｂは、第２隔壁１２２ｂの内側に塗布することによって形成される。第１有機絶縁層１２４ｂは、アクリル樹脂、ポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を含有することができる。また、隔壁層１２２に起因する凹凸を吸収するよう、また、平坦な面を与えるような厚さで形成してもよい。有機絶縁層は、表示領域１０２ａ内に選択的に形成することが好ましい。すなわち有機絶縁層は、接続電極と重ならないように形成することが好ましい。第１有機絶縁層１２４ｂは、インクジェット法等の湿式成膜法によって形成することができる。このとき、表示領域１０２ａに選択的に塗布された第１有機絶縁層１２４ｂは、第２隔壁１２２ｂによって堰き止められ、その外側へ広がることがない。

次いで、第２無機絶縁層１２４ｃを形成する。第２無機絶縁層１２４ｃは、第１無機絶縁層１２４ａと同様の構造を有し、同様の方法で形成することができる。第２無機絶縁層１２４ｃも、第１有機絶縁層１２４ｂのみならず、接続電極を覆うように形成することができる。これにより、第１有機絶縁層１２４ｂを第１無機絶縁層１２４ａと第２無機絶縁層１２４ｃとで封止することができる。

ここまでの工程によって、封止層１２４は、第２隔壁１２２ｂの内側において、第１無機絶縁層１２４ａ、第１有機絶縁層１２４ｂ及び第２無機絶縁層１２４ｃの３層構造を有し、第２隔壁１２２ｂの外側において、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃの２層構造を有する。

次いで、図６を用いて、第１保護層１２６を形成する方法について説明する。第１保護層１２６は、封止層１２４上、且つ端部が第３隔壁１２２ｃ上に配置される。第１保護層１２６は、図６に示すように、表示領域１０２ａ内に選択的に、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃが互いに接する領域を覆い、かつ、接続端子１３０と重ならないように形成することが好ましい。第１保護層１２６は、封止層１２４を構成する第１有機絶縁層１２４ｂと同様の材料を含むことができ、これと同様の方法で形成することができる。

前述のように、第３隔壁１２２ｃ及び第２隔壁１２２ｂの間には、周状の溝部１２２ｇが形成されている。第１保護層１２６は、この周状の溝部１２２ｇを充填する。つまり、この周状の溝部１２２ｇによって、第１保護層１２６の端部近傍の膜厚を厚くすることができる。

溝部１２２ｇに第１保護層１２６が充填されると共に、溝部１２２ｇ及び第３隔壁１２２ｃによって、第１保護層１２６が第３隔壁１２２ｃよりも外側に流出するのを防止することができる。つまり、第３隔壁１２２ｃは、その外側に第１保護層１２６が拡がらないように堰き止める機能を有する。このとき、第１保護層１２６は、後の封止層１２４のエッチング時にマスクとして機能するため、第３隔壁１２２ｃ上に多少拡がり出ていても良い。

次いで、図７を用いて、これまでの工程によって封止層１２４に覆われている複数の接続端子１３０を露出させる方法について説明する。ここでは、第１保護層１２６をマスクとして、封止層１２４をエッチングして複数の接続端子１３０を露出させる。ここで、第１保護層１２６に露出された封止層１２４の領域は、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃの２層構造を有する領域である。

第１保護層１２６は、その端部近傍が前述のように厚膜化されている。このため、封止層１２４をエッチングする工程において、第１保護層１２６の端部が後退することを抑制することができる。第１保護層１２６の端部が後退しすぎると、封止層１２４のエッチングにおいて、第１無機絶縁層１２４ａ、第１有機絶縁層１２４ｂ及び第２無機絶縁層１２４ｃの３層が積層された領域までエッチングされ、第１有機絶縁層１２４ｂが露出することが懸念される。第１有機絶縁層１２４ｂが露出すると、それが水分の侵入経路となってしまい、第１有機絶縁層１２４ｂに侵入した水分が第１無機絶縁層１２４ａを透過することによって、発光層１１８が劣化してしまう。これによって、表示装置１００の歩留まり及び信頼性が劣化する。第１無機絶縁層１２４ａは、凹凸を有する隔壁層１２２上に設けられるため、クラック等が生じやすく、それが水分の侵入経路となり得る。

そのため、第３隔壁１２２ｃを設け、第３隔壁１２２ｃ上に端部を有する第１保護層１２６を形成すれば、第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃの間の溝部１２２ｇにより、第１保護層１２６の端部近傍の膜厚を厚くすることができる。これによって、封止層１２４のエッチングの際に第１保護層１２６の端部が後退することを抑制することができる。これによって、封止層１２４の意図しない領域までエッチングされ、第１有機絶縁層１２４ｂが露出することを防止することができる。そして、第３隔壁１２２ｃ上において、第１無機絶縁層１２４ａ、第２無機絶縁層１２４ｃ及び第１保護層１２６の端部が連続するように形成することができる。これにより周辺領域１０２ｂの幅を縮小することができる。

次いで、第２保護層１２８、偏光板１３２及びカバーフィルム１３４を形成する。第２保護層１２８は、ポリエステル、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの高分子材料を含むことができ、印刷法やラミネート法などを適用して形成することができる。カバーフィルム１３４も第２保護層１２８と同様の高分子材料を含むことができ、上述した高分子材料に加え、ポリオレフィン、ポリイミドなどの高分子材料を適用することも可能である。引き続きコネクタを開口において異方性導電膜１３６などを用いて接続することで、図１及び図２に示す表示装置１００を形成することができる。

本実施形態に係る表示装置１００の製造方法によれば、製造工程において封止層１２４の劣化を防止することができる。これによって、製造歩留まり及び信頼性が向上した表示装置１００を提供することができる。

本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

本明細書においては、一実施形態として発光素子を用いた表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。

上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１００・・・表示装置、１０２・・・基板、１０２ａ・・・表示領域、１０２ｂ・・・周辺領域、１０２ｃ・・・屈曲領域、１０２ｄ・・・端子領域、１０４・・・回路層、１０６・・・下地層、１０８・・・トランジスタ、１０８ａ・・・半導体層、１０８ｂ・・・ゲート絶縁層、１０８ｃ・・・ゲート電極、１０８ｄ・・・ソース・ドレイン電極、１０８ｅ・・・端子配線、１１０・・・層間絶縁層、１１２・・・画素、１１４・・・発光素子、１１６・・・第１電極、１１８・・・発光層、１２０・・・第２電極、１２２・・・隔壁層、１２２ａ・・・第１隔壁、１２２ｂ・・・第２隔壁、１２２ｃ・・・第３隔壁、１２２ｄ・・・平坦化絶縁層、１２２ｅ・・・無機絶縁層、１２２ｆ・・・溝部、１２２ｇ・・・溝部、１２４・・・封止層、１２４ａ・・・第１無機絶縁層、１２４ｂ・・・第１有機絶縁層、１２４ｃ・・・第２無機絶縁層、１２６・・・第１保護層、１２８・・・第２保護層、１３０・・・接続端子、１３２・・・偏光板、１３２ａ・・・λ／４板、１３２ｂ・・・直線偏光板、１３４・・・カバーフィルム、１３６・・・異方性導電膜、１３８・・・フレキシブル印刷回路基板（ＦＰＣ基板）

Claims (20)

1. 表示領域内で基板の一表面上に配列され、各々が発光素子を有する複数の画素と、
   第１隔壁、第２隔壁及び第３隔壁を有する隔壁層と、
   前記複数の画素及び前記隔壁層の上層に設けられ、第１無機絶縁層、第１有機絶縁層及び第２無機絶縁層を含む封止層と、
   前記封止層の上層に設けられた保護層と、
   前記保護層の外側に配置された複数の接続端子とを備え、
   前記第１隔壁は、前記複数の画素の各々を囲み、
   前記第２隔壁は、前記表示領域を囲み、
   前記第３隔壁は、前記第２隔壁の外側を囲み、前記第３隔壁と前記第２隔壁の間に溝部が形成され、
   前記第１有機絶縁層は、前記第１無機絶縁層上に設けられ、
   前記第２無機絶縁層は、前記第１有機絶縁層上に設けられ、
   前記第１有機絶縁層は、端部が前記第１隔壁及び前記第２隔壁の間または前記第２隔壁上に配置され、
   前記第１無機絶縁層、前記第２無機絶縁層及び前記保護層は、端部が前記第２隔壁の端部より外側に配置されている
   ことを特徴とする表示装置。
2. 前記溝部上における前記保護層が、前記第２隔壁上及び前記第３隔壁上の保護層より厚い、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１無機絶縁層及び前記第２無機絶縁層は、端部が前記第３隔壁上または前記溝部上に配置される、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１無機絶縁層及び前記第２無機絶縁層は、端部が前記第３隔壁上に配置される、請求項３に記載の表示装置。
5. 前記第１無機絶縁層及び前記第２無機絶縁層は、端部が前記溝部上に配置される、請求項３に記載の表示装置。
6. 前記第１無機絶縁層、前記第２無機絶縁層及び前記保護層の端部が連続している、請求項２に記載の表示装置。
7. 前記第１有機絶縁層の端部より外側にて、前記第１無機絶縁層と前記第２無機絶縁層とが直接接触している、請求項１に記載の表示装置。
8. 前記端部にて、前記第１無機絶縁層と前記第２無機絶縁層とが直接接触している、請求項７に記載の表示装置。
9. 前記発光素子は、前記基板側から第１電極、発光層及び第２電極が積層され、
   前記第１隔壁は、前記第１電極の前記発光層側の面の周縁を被覆することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
10. 前記隔壁層は、前記発光素子の下層に配置された平坦化絶縁層を更に有する請求項１に記載の表示装置。
11. 前記第３隔壁は、最大高さが、１μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
12. 前記第２隔壁は、最大高さが、１μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
13. 前記第２隔壁は、前記第１隔壁との間隔が１０μｍ以上５００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
14. 前記第３隔壁は、前記第２隔壁との間隔が１０μｍ以上５００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
15. 前記第２隔壁は、幅が５μｍ以上２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
16. 基板の一表面上に、表示領域内で各々が発光素子を有する複数の画素と、前記複数の画素の各々の周縁の第１隔壁、前記表示領域を囲む第２隔壁及び前記第２隔壁を囲む第３隔壁を有する隔壁層と、前記第３隔壁の外側の複数の接続端子とを形成し、
    第１無機絶縁層と、前記第１無機絶縁層上であって、外端が前記第２隔壁の内側に配置される第１有機絶縁層と、
    前記第１有機絶縁層上に配置される第２無機絶縁層とを有し、前記第１無機絶縁層の端部及び前記第２無機絶縁層の端部が前記第２隔壁より外側に配置された封止層を前記複数の画素及び前記隔壁層の上層に形成し、
    前記封止層上、且つ端部が前記第３隔壁上に配置される保護層を形成し、
    前記保護層をマスクとして、前記封止層をエッチングして前記複数の接続端子を露出させることを特徴とする表示装置の製造方法。
17. 前記第１有機絶縁層は、前記第２隔壁の内側に塗布することによって形成されることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
18. 前記第２隔壁と前記第３隔壁との間に溝部が形成されるように、前記第３隔壁を前記第２隔壁の外側を囲んで形成する、請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
19. 前記溝部上において、前記保護層を、前記第２隔壁上及び前記第３隔壁上の保護層より厚く形成する、請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
20. 前記第１無機絶縁層及び前記第２無機絶縁層を、端部が前記第３隔壁上または前記溝部上に配置されるように形成する、請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
    

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