WO2021234843A1 - 表示装置、及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

表示装置（２）は、それぞれが第１電極（２２）、機能層（２４）、及び第２電極（２５）を含み、発光色が互いに異なる複数の発光素子が形成された発光素子層（５）を有する。引き廻し配線（ＨＷ）を介して第２電極（２５）と端子部（ＴＡ）とを電気的に接続するコンタクト部（ＣＰ）と、コンタクト部（ＣＰ）の表示領域側に枠状に設けられて、機能層（２４）がコンタクト部（ＣＰ）上に形成されるのを阻止する阻止構造（ＳＳ）と、を備える。

Description

表示装置、及び表示装置の製造方法

　本発明は、表示装置、及び表示装置の製造方法に関するものである。

近年、非自発光型の液晶表示装置に代えて、自発光型の表示装置の開発・実用化が進められている。このようなバックライト装置を必要としない、表示装置では、例えば、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）やＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）などの発光素子が画素単位に設けられている。

　また、上記のような自発光型の表示装置では、第１電極と、第２電極と、これらの第１電極及び第２電極の間に設置されるとともに、少なくとも発光層を含む機能層とが設けられている。さらに、このような表示装置では、例えば、高精細な表示装置をコスト安価に、かつ、容易に製造するために、機能層に含まれた少なくとも一つの層、例えば、発光層について、既存の蒸着方式を用いて形成するのではなく、スピンコート法やインクジェット塗布法などの液滴の滴下方式を用いて形成することが提案されている（例えば、下記特許文献１を参照。）。

特開２０１２－２３４７４８号公報

　ところで、上記のような従来の表示装置、及び表示装置の製造方法では、例えば、第２電極について、複数の発光素子（複数の画素）に共通する共通層として形成して、表示領域の外側に設けたコンタクト部と引き廻し配線を介して当該第２電極を端子部に接続し、さらに、端子部を介して外部電源に接続することにより、所定の電圧を第２電極に印加している。

　ところが、上記のような従来の表示装置、及び表示装置の製造方法では、滴下方式を用いて機能層を形成した場合、当該機能層を形成するための機能層形成用溶液が上記コンタクト部上に付着して、当該コンタクト部と第２電極との間で電気的な接触不良を生じることがあった。この結果、従来の表示装置、及び表示装置の製造方法では、コンタクト部での抵抗が高抵抗化されて、発光素子が発光することができずに、発光性能が低下するという問題を発生することがあった。

　上記の課題に鑑み、本発明は、滴下方式を用いて機能層を形成する場合でも、表示性能が低下するのを防ぐことができる表示装置、及び表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、複数の画素を有する表示領域と、前記表示領域を囲む額縁領域とを、備えた表示装置であって、
　基材と、
　前記基材上に設けられた薄膜トランジスタ層と、
　前記薄膜トランジスタ層上に設けられるとともに、それぞれが第１電極、機能層、及び第２電極を含み、発光色が互いに異なる複数の発光素子が形成された発光素子層と、が設けられ、
　前記額縁領域に設けられるとともに、引き廻し配線を介して前記第２電極と前記額縁領域に設けられた端子部とを電気的に接続するコンタクト部と、
　前記コンタクト部の前記表示領域側に枠状に設けられて、前記機能層が前記コンタクト部上に形成されるのを阻止する阻止構造と、を備える、ものである。

　上記のように構成された表示装置では、コンタクト部が引き廻し配線を介して第２電極と端子部とを電気的に接続している。また、阻止構造が、コンタクト部の表示領域側に枠状に設けられて、機能層がコンタクト部上に形成されるのを阻止している。これにより、滴下方式を用いて機能層を形成する場合でも、当該機能層がコンタクト部上に形成されるのを防止することができる。この結果、表示性能が低下するのを防ぐことができる表示装置を構成することができる。

　また、本発明に係る表示装置の製造方法は、複数の画素を有する表示領域と前記表示領域を囲む額縁領域とを備え、基材と、前記基材上に設けられた薄膜トランジスタ層と、前記薄膜トランジスタ層上に設けられるとともに、それぞれが第１電極、機能層、及び第２電極を含み、発光色が互いに異なる複数の発光素子が形成された発光素子層と、を具備する表示装置の製造方法であって、
　前記第１電極を形成する第１電極形成工程と、
　引き廻し配線を介して前記第２電極と前記額縁領域に設けられた端子部とを電気的に接続するコンタクト部を、前記額縁領域に形成するコンタクト部形成工程と、
　前記機能層が前記コンタクト部上に形成されるのを阻止する枠状の阻止構造を、前記コンタクト部の前記表示領域側に形成する阻止構造形成工程と、を含む、ものである。

　上記のように構成された表示装置の製造方法では、第１電極形成工程の後に、額縁領域において、引き廻し配線を介して第２電極と端子部とを電気的に接続するコンタクト部を形成するコンタクト部形成工程が行われる。そして、阻止構造形成工程において、上記コンタクト部の表示領域側に、機能層が当該コンタクト部上に形成されるのを阻止する枠状の阻止構造を形成している。これにより、滴下方式を用いて機能層を形成する場合でも、当該機能層がコンタクト部上に形成されるのを防止することができる。この結果、表示性能が低下するのを防ぐことができる表示装置を構成することができる。

　滴下方式を用いて機能層を形成する場合でも、表示性能が低下するのを防ぐことができる。

図１は、本発明の第１の実施形態の表示装置の構成を示す模式図である。 図２は、図１に示した表示装置の要部構成を示す断面図である。 図３は、図２に示した機能層の具体的な構成を示す断面図である。 図４は、図２に示した発光素子の具体的な構成例を示す断面図である。 図５は、上記表示装置でのコンタクト部と阻止構造との関係を説明する図である。 図６は、図５のＶＩ線で囲んだ部分での断面構成を説明する図である。 図７は、上記表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 図８は、上記表示装置の変形例を示す断面図である。 図９は、本発明の第２の実施形態の表示装置の要部の断面構成を説明する図である。 図１０は、図９に示した表示装置の変形例の要部構成を説明する図であり、図１０（ａ）は、当該変形例での第２電極の具体的な構成を示す斜視図であり、図１０（ｂ）は、当該変形例での発光素子層の具体的な構成を示す図であり、図１０（ｃ）は、当該変形例での効果を示すグラフである。 図１１は、本発明の第３の実施形態の表示装置の要部の断面構成を説明する図である。 図１２は、図１１に示した表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 図１３は、本発明の第４の実施形態の表示装置の要部構成を示す断面図である。 図１４は、図１３に示した機能層の具体的な構成を示す断面図である。 図１５は、図１３に示した発光素子の具体的な構成例を示す断面図である。 図１６は、図１３に示した表示装置の変形例を示す断面図である。

　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。また、以下の説明では、「同層」とは同一のプロセス（成膜工程）にて形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。また、各図中の構成部材の寸法は、実際の構成部材の寸法及び各構成部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。

　《第１の実施形態》
　図１は、本発明の第１の実施形態の表示装置の構成を示す模式図である。図２は、図１に示した表示装置の要部構成を示す断面図である。図３は、図２に示した機能層の具体的な構成を示す断面図である。図４は、図２に示した発光素子の具体的な構成例を示す断面図である。

　図１及び図２に示すように、本実施形態の表示装置２では、基材１２上に、バリア層３、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）層４、トップエミッション型の発光素子層５、及び封止層６がこの順に設けられ、表示領域ＤＡに複数のサブ画素ＳＰが形成される。表示領域ＤＡを取り囲む額縁領域ＮＡは４つの辺縁Ｆａ～Ｆｄからなり、辺縁Ｆｄには、電子回路基板（ＩＣチップ、ＦＰＣ等）をマウントするための端子部ＴＡが形成される。端子部ＴＡには、複数の端子ＴＭ１、ＴＭ２、及びＴＭｎ（ｎは２以上の整数）が含まれる。これらの複数の端子ＴＭ１、ＴＭ２、及びＴＭｎは、図１に示すように、表示領域ＤＡの四辺のうち、一辺に沿って設けられている。なお、各辺縁Ｆａ～Ｆｄには、ドライバ回路（図示せず）を形成することができる。

　基材１２は、ガラス基板でもよいし、ポリイミド等の樹脂膜を含む可撓性基板でもよい。また、基材１２は、２層の樹脂膜及びこれらの樹脂膜に挟まれた無機絶縁膜によって可撓性基板を構成することもできる。さらに、基材１２の下面にＰＥＴ等のフィルムを貼ってもよい。また、基材１２に可撓性基板を用いた場合には、可撓性を有する、つまりフレキシブルな表示装置２を形成することもできる。

　バリア層３は、水、酸素等の異物が薄膜トランジスタ層４及び発光素子層５に侵入することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。

　図２に示すように、薄膜トランジスタ層４は、バリア層３よりも上層の半導体層（半導体膜１５を含む）と、半導体層よりも上層の無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、無機絶縁膜１６よりも上層の第１金属層（ゲート電極ＧＥを含む）と、第１金属層よりも上層の無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８よりも上層の第２金属層（容量電極ＣＥを含む）と、第２金属層よりも上層の無機絶縁膜２０と、無機絶縁膜２０よりも上層の第３金属層（データ信号線ＤＬを含む）と、第３金属層よりも上層の平坦化膜２１とを含む。

　上記半導体層は、例えば、アモルファスシリコン、ＬＴＰＳ（低温ポリシリコン）、または酸化物半導体で構成され、ゲート電極ＧＥおよび半導体膜１５を含むように、薄膜トランジスタＴＲが構成される。

　なお、本実施形態では、トップゲート型の薄膜トランジスタＴＲを例示したが、薄膜トランジスタＴＲは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタであってもよい。

　表示領域ＤＡには、サブ画素ＳＰ毎に発光素子Ｘ及びその制御回路が設けられ、薄膜トランジスタ層４には、この制御回路及びこれに接続する配線が形成される。制御回路に接続する配線としては、例えば、第１金属層に形成される、走査信号線ＧＬ及び発光制御線ＥＭ、第２金属層に形成される初期化電源線ＩＬ、第３金属層に形成される、データ信号線ＤＬ及び高電圧側電源線ＰＬ等が挙げられる。制御回路には、発光素子Ｘの電流を制御する駆動トランジスタ、走査信号線と電気的に接続する書き込みトランジスタ、及び発光制御線に電気的に接続する発光制御トランジスタ等が含まれる（図示せず）。また、本実施形態の表示装置２では、後に詳述するように、表示領域ＤＡを囲むように、枠状の阻止構造が設けられており、表示領域ＤＡの外側に設けられたコンタクト部上に発光素子層５に含まれた機能層が形成されるのを阻止するようになっている。

　上記第１金属層、第２金属層、及び第３金属層は、例えば、アルミニウム、タングステン、モリブデン、タンタル、クロム、チタン、及び銅の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは複層膜によって構成される。

　無機絶縁膜１６、１８、及び２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。平坦化膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。

　発光素子層５は、平坦化膜２１よりも上層の第１電極（陽極）２２と、第１電極２２のエッジを覆う絶縁性のエッジカバー膜２３と、エッジカバー膜２３よりも上層の機能層２４と、機能層２４よりも上層の第２電極（陰極）２５とを含む。すなわち、発光素子層５は、それぞれが第１電極２２、機能層２４に含まれた後述の発光層、及び第２電極２５を含み、発光色が互いに異なる複数の発光素子Ｘが形成されている。エッジカバー膜２３は、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂等の有機材料を塗布した後にフォトリソグラフィよってパターニングすることで形成される。また、このエッジカバー膜２３は、島状の第１電極２２の表面の端部と重畳して画素（サブ画素ＳＰ）を規定しており、複数の各発光素子Ｘに対応して、複数の各画素（サブ画素ＳＰ）を区画するバンクである。また、機能層２４は、エレクトロルミネッセンス素子を含んだＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層である。

　発光素子層５には、上記発光素子Ｘに含まれるとともに、発光色が互いに異なる、発光素子Ｘｒ（赤色）、発光素子Ｘｇ（緑色）、及び発光素子Ｘｂ（青色）が形成されている。また、各発光素子Ｘは、第１電極２２、機能層２４（発光層を含む）、及び第２電極２５を含む。第１電極２２は、発光素子Ｘ（つまり、サブ画素ＳＰ）毎に設けられた島状の電極である。第２電極２５は、全ての発光素子Ｘで共通する、ベタ状（共通層）の共通電極である。

　発光素子Ｘｒ、Ｘｇ、及びＸｂは、例えば、後掲の発光層が有機発光層であるＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）であってもよいし、同発光層が量子ドット発光層であるＱＬＥＤ（量子ドット発光ダイオード）であってもよい。

　機能層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層２４ａ、正孔輸送層２４ｂ、発光層２４ｃ、電子輸送層２４ｄ、及び電子注入層２４ｅを積層することで構成される。また、機能層２４には、電子ブロッキング層や正孔ブロッキング層を設けてもよい。発光層２４ｃは、スピンコート法やインクジェット法等の滴下方式によって塗布された後、エッジカバー膜２３の開口（サブ画素ＳＰ毎）に、パターニングにより島状に形成される。他の層は、上記滴下方式等を用いて、島状あるいはベタ状（共通層）に形成する。また、機能層２４では、正孔注入層２４ａ、正孔輸送層２４ｂ、電子輸送層２４ｄ、及び電子注入層２４ｅのうち１以上の層を形成しない構成とすることもできる。

　本実施形態の表示装置２は、図２に例示したように、薄膜トランジスタ層４側から、陽極（第１電極２２）、機能層２４、及び陰極（第２電極２５）の順に設けられた、いわゆるコンベンショナル構造を有する。

　また、図４に示すように、本実施形態の表示装置２では、発光素子Ｘｒ、Ｘｇ、Ｘｂは、バンクとしてのエッジカバー膜２３によって区画されており、発光素子Ｘ毎に、島状の第１電極２２、島状の正孔注入層２４ａ、島状の正孔輸送層２４ｂ、及び島状の発光層２４ｃｒ、２４ｃｇ、２４ｃｂ（発光層２４ｃにて総称。）が設けられている。また、発光素子Ｘでは、全てのサブ画素ＳＰに共通するベタ状の電子輸送層２４ｄ、ベタ状の電子注入層２４ｅ、及びベタ状の第２電極２５が設けられている。

　ＯＬＥＤの有機発光層（発光層２４ｃ）を蒸着形成する場合は、ＦＭＭ（ファインメタルマスク）を用いる。ＦＭＭは多数の開口を有するシート（例えば、インバー材製）であり、１つの開口を通過した有機物質によって島状の有機層（１つのサブ画素ＳＰに対応）が形成される。また、この説明以外に、所定の溶液を用いた滴下方式により、ＯＬＥＤの有機発光層（発光層２４ｃ）を形成することもできる。

　また、発光素子Ｘｒ、Ｘｇ、及びＸｂがＯＬＥＤである場合、第１電極２２及び第２電極２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層２４ｃ内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に遷移する過程で光が放出される。第２電極２５が高い透光性を有し、第１電極２２が光反射性であるため、機能層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。

　ＱＬＥＤの量子ドット発光層（発光層２４ｃ）は、例えば、溶媒中に量子ドットが分散する溶液を塗布し、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることで、島状の量子ドット発光層（１つのサブ画素ＳＰに対応）を形成することができる。

　また、発光素子Ｘｒ、Ｘｇ、及びＸｂがＱＬＥＤである場合、第１電極２２及び第２電極２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層２４ｃ内で再結合し、これによって生じたエキシトンが、量子ドットの伝導帯準位（conduction band）から価電子帯準位（valence band）に遷移する過程で光（蛍光）が放出される。

　発光素子層５には、上述のＯＬＥＤ、ＱＬＥＤ以外の発光素子、例えば無機発光ダイオードを含んだ発光素子等を用いてもよい。

　また、以下の説明では、量子ドットを含んだ量子ドット発光層により、発光層２４ｃを形成した場合を例示して説明する。つまり、本実施形態の表示装置２では、赤色の発光素子Ｘｒは、赤色光を発する赤色量子ドット発光層を含み、緑色の発光素子Ｘｇは、緑色光を発する緑色量子ドット発光層を含み、青色の発光素子Ｘｂは、青色光を発する青色量子ドット発光層を含む。

　量子ドット発光層（発光層２４ｃ）には、当該発光層２４ｃの機能に寄与する機能性材料としての量子ドットが含まれており、各色の発光層２４ｃｒ、２４ｃｇ、２４ｃｂでは、その発光スペクトルに応じて、少なくとも量子ドットの粒径が互いに異なるように構成されている。

　第１電極（陽極）２２は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium zinc Oxide）とＡｇ（銀）もしくはＡｌ、あるいはＡｇやＡｌを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。第２電極（陰極）２５は、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｉｒ、Ａｌの薄膜、ＭｇＡｇ合金の薄膜、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium zinc Oxide）等の透光性の導電材にて構成された透明電極である。尚、この説明以外に、例えば、銀等の金属ナノワイヤを用いて、第２電極２５を形成する構成でもよい。このような金属ナノワイヤを用いて、上層側のベタ状の共通電極である、第２電極２５を形成した場合には、当該金属ナノワイヤを含んだ溶液を塗布することによって第２電極２５を設けることが可能となる。この結果、表示装置２の発光素子層５において、所定の溶液を使用した滴下方式により、第１電極２２以外の、機能層２４の各層及び第２電極２５を形成することが可能となって、製造簡単な表示装置２を容易に構成することができる。

　封止層６は透光性であり、第２電極２５上に直接形成される（第２電極２５と接触する）無機封止膜２６と、無機封止膜２６よりも上層の有機膜２７と、有機膜２７よりも上層の無機封止膜２８とを含む。発光素子層５を覆う封止層６は、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。なお、発光層２４ｃが量子ドット発光層で構成されている場合には、封止層６の設置を省略することもできる。

　有機膜２７は、平坦化効果と透光性を有し、塗布可能な有機材料を用いて、例えばインクジェット塗布によって形成することができる。無機封止膜２６及び２８は無機絶縁膜であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。

　機能フィルム３９は、光学補償機能、タッチセンサ機能、及び保護機能等の少なくとも１つを有する。

　ここで、図５及び図６も参照して、本実施形態の表示装置２の主要部の構成について具体的に説明する。図５は、上記表示装置でのコンタクト部と阻止構造との関係を説明する図である。図６は、図５のＶＩ線で囲んだ部分での断面構成を説明する図である。

　本実施形態の表示装置２では、図５にハッチング部にて例示するように、２つの矩形状のコンタクト部ＣＰが表示領域ＤＡを挟むように額縁領域ＮＡに設けられている。各コンタクト部ＣＰには、図６に示すように、第２電極２５に電気的に接続された導電膜ＡＷが設けられている。また、この導電膜ＡＷには、一端が端子部ＴＡに接続された引き廻し配線ＨＷの他端が電気的に接続されている。また、この導電膜ＡＷは、例えば、第１電極２２と同層で、同一材料により構成されており、表示装置２の製造工程の簡略化が図られている。さらに、上記引き廻し配線ＨＷは、例えば、上記データ信号線ＤＬ（第３金属層）と同層に、かつ、同一材料にて構成されており、表示装置２の製造工程の簡略化が図られている。

　また、本実施形態の表示装置２では、図５に示すように、額縁領域ＮＡにおいて、枠状の阻止構造ＳＳが表示領域ＤＡを囲むように設けられている。また、額縁領域ＮＡでは、図５に点線にて示すように、阻止構造ＳＳの外側（表示領域ＤＡと反対側）に略Ｕ字状のトレンチＴＮが設けられている。具体的にいえば、図６に示すように、薄膜トランジスタ層４は、その最上層に形成された有機絶縁膜によって構成された上記平坦化膜２１を含んでおり、阻止構造ＳＳを囲むように、トレンチＴＮが平坦化膜２１を切り欠くことにより形成されている。さらに、額縁領域ＮＡでは、図５に示すように、枠状の封止用バンクＢＫ１及びＢＫ２がトレンチＴＮを外側に設けられており、これらの封止用バンクＢＫ１及びＢＫ２は封止層６の有機膜２７の端部を規定している。

　また、本実施形態の阻止構造ＳＳは、図６に示すように、薄膜トランジスタ層４から突出するバンクＱによって構成されている。このバンクＱの高さＨは、スピンコート法等の滴下方式を用いて形成される、機能層２４の体積に基づいて決定されている。これにより、バンクＱは、上記機能層２４を形成する機能層形成用溶液が表示装置２の中央部に滴下された後、例えば、スピンコート法を用いて、表示領域ＤＡの全面に拡散塗布されたときでも、当該機能層形成用溶液が表示領域ＤＡよりも外側に拡がるのを防ぐことができ、コンタクト部ＣＰ上に塗布されるのを防止できるようになっている。

　また、上記封止用バンクＢＫ１及びＢＫ２は、図６に例示するように、平坦化膜２１と同層に、かつ、同一材料にて構成された部分と、この部分上に積層されるとともに、エッジカバー膜２３と同層に、かつ、同一材料にて構成された部分とにより、形成されている。尚、この説明以外に、封止用バンクＢＫ１及びＢＫ２は、平坦化膜２１又はエッジカバー膜２３のどちらか一方と同層に、かつ、同一材料にて構成されてもよい。また、封止用バンクＢＫ１は、有機膜２７の形成時の液滴を止める液止め構造物であり、封止用バンクＢＫ２は、封止用バンクＢＫ１を越えた液滴を止める予備的なものである。

　また、上記導電膜ＡＷは、図６に例示するように、トレンチＴＮを跨ぎ、かつ、外側の封止用バンクＢＫ２と重畳するように、額縁領域ＮＡにて延設されている。また、封止用バンクＢＫ１の内側には、平坦化膜２１及びエッジカバー膜２３を貫通するコンタクト溝ＣＭ１が形成されている。また、封止用バンクＢＫ１と封止用バンクＢＫ２との間には、平坦化膜２１及びエッジカバー膜２３を貫通するコンタクト溝ＣＭ２が形成されている。そして、これらコンタクト溝ＣＭ１及びＣＭ２においては、引き廻し配線ＨＷが露出されて、導電膜ＡＷと接触することによって、これら引き廻し配線ＨＷ及び導電膜ＡＷは電気的に接続される。また、この引き廻し配線ＨＷは、端子部ＴＡを介して陰極電源電圧（ＥＬＶＳＳ）に接続されており、当該陰極電源電圧が引き廻し配線ＨＷから導電膜ＡＷを介して第２電極２５に供給されるようになっている。

　次に、図７も参照して、本実施形態の表示装置２の製造方法について具体的に説明する。図７は、上記表示装置の製造方法を示すフローチャートである。

　図７に示すように、本実施形態の表示装置２の製造方法では、まずバリア層３及び薄膜トランジスタ層４を基材１２上に形成する(ステップＳ１)。次に、例えば、スパッタリング法及びフォトリソグラフィ法を用いて、平坦化膜２１上に、第１電極（陽極）２２及びコンタクト部ＣＰを形成する（ステップＳ２）。つまり、第１電極及びコンタクト部形成工程では、第１電極２２を形成する第１電極形成工程と、引き廻し配線ＨＷを介して第２電極２５と額縁領域ＮＡに設けられた端子部ＴＡとを電気的に接続するコンタクト部ＣＰを、額縁領域ＮＡに形成するコンタクト部形成工程とが同時行われる。具体的にいえば、第１電極２２と当該第１電極２２と同層で、同一材料により構成された導電膜ＡＷとが同時に形成されることにより、発光素子Ｘごとの第１電極２２と、コンタクト部ＣＰとが同時に設けられる。続いて、エッジカバー膜２３を形成する（ステップＳ３）。

　その後、機能層２４がコンタクト部ＣＰ上に形成されるのを阻止する枠状の阻止構造ＳＳを、コンタクト部ＣＰの表示領域ＤＡ側に形成する阻止構造形成工程が行われる。本実施形態では、阻止構造ＳＳとして、薄膜トランジス層４から突出するバンクＱが形成される（ステップＳ４）。また、本実施形態では、バンクＱは、例えば、エッジカバー膜２３と同層に、かつ、同一材料にて構成されており、上記ステップＳ３とステップＳ４とを同時に行うことができる。

　次に、インクジェット法などの滴下方式により、正孔注入層（ＨＩＬ）２４ａを形成する（ステップＳ５）。具体的にいえば、この正孔注入層形成工程では、正孔注入層形成用溶液に含まれた溶媒として、例えば、エタノール、２－プロパノール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、安息香酸ブチル、トルエン、クロロベンゼン、テトラヒドロフラン、１，４ジオキサン、ジエチルスルフィドなどが用いられている。また、正孔注入層形成用溶液に含まれた溶質、つまり正孔注入性材料（機能性材料）としては、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳなどのポリチオフェン系導電性材料、酸化ニッケルや酸化タングステン、あるいはチオシアン酸銅といった無機化合物が用いられている。そして、このＨＩＬ層形成工程では、所定の温度により、第１電極２２上に滴下した、上記正孔注入層形成用溶液を焼成することにより、例えば、２０ｎｍ～５０ｎｍの膜厚を有する正孔注入層２４ａを形成する。

　なお、発光素子Ｘｒ、Ｘｇ、及びＸｂがＯＬＥＤである場合、正孔注入層形成用溶液の正孔注入性材料（機能性材料）としては、上述の材料に加えて、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、これらの誘導体、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物、アニリン系化合物などの、鎖状式共役系の有機ポリマーを用いることができる。また、このＯＬＥＤである場合での正孔注入層形成用溶液の溶媒は、上述のＱＬＥＤである場合のものと同一のものを用いることができる。

　続いて、インクジェット法などの滴下方式により、正孔輸送層（ＨＴＬ）２４ｂを形成する（ステップＳ６）。具体的にいえば、この正孔輸送層形成工程では、正孔輸送層形成用溶液に含まれた溶媒として、例えば、クロロベンゼン、トルエン、テトラヒドロフラン、１，４ジオキサン、フェニルシクロヘキサンが用いられている。また、正孔輸送層形成用溶液に含まれた溶質、つまり正孔輸送性材料（機能性材料）としては、例えば、ＴＦＢ、ＰＶＫ、ｐｏｌｙ－ＴＰＤなどの有機高分子化合物、あるいは酸化ニッケルといった無機化合物が用いられている。そして、このＨＴＬ層形成工程では、所定の温度により、正孔注入層２４ａ上に滴下した、上記正孔輸送層形成用溶液を焼成することにより、例えば、２０ｎｍ～５０ｎｍの膜厚を有する正孔輸送層２４ｂを形成する。

　なお、発光素子Ｘｒ、Ｘｇ、及びＸｂがＯＬＥＤである場合、正孔輸送層形成用溶液の正孔輸送性材料（機能性材料）としては、上述の材料に加えて、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、これらの誘導体、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物、アニリン系化合物などの、鎖状式共役系の有機ポリマーを用いることができる。また、このＯＬＥＤである場合での正孔輸送層形成用溶液の溶媒は、上述のＱＬＥＤである場合のものと同一のものを用いることができる。

　次に、インクジェット法などの滴下方式により、発光層（ＥＭＬ）２４ｃを形成する（ステップＳ７）。具体的にいえば、この発光層形成工程では、発光層形成用溶液に含まれた溶媒として、例えば、トルエンやプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、シクロドデセンが用いられている。また、溶質、つまり発光性材料（機能性材料）としては、例えば、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｓ、Ｉｎ、Ｏを含んだ量子ドットが用いられている。また、この発光層形成用溶液には、上述したように、オキセタン系モノマーとエポキシ系モノマーとを含む高分子樹脂材料、及び重合開始剤が含まれている。

　なお、発光素子Ｘｒ、Ｘｇ、及びＸｂがＯＬＥＤである場合、発光層形成用溶液の発光性材料（機能性材料）としては、上述のＣ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｓ、Ｉｎ、Ｏを含んだ量子ドットあるいは有機化合物に加えて、例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、これらの誘導体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニルといった有機発光材料を用いることができる。また、このＯＬＥＤである場合での発光層形成用溶液の溶媒、高分子樹脂材料、及び重合開始剤は、各々上述のＱＬＥＤである場合のものと同一のものを用いることができる。

　次に、インクジェット法又はスピンコート法などの滴下方式により、電子輸送層（ＥＴＬ）２４ｄを形成する（ステップＳ８）。具体的にいえば、この電子輸送層形成工程では、電子輸送層形成用溶液の溶媒として、例えば、2-プロパノール、エタノール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、トルエン、クロロベンゼン、テトラヒドロフラン、１，４ジオキサンが用いられている。また、溶質、つまり電子輸送性材料（機能性材料）としては、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）やマグネシウム添加酸化亜鉛（ＭｇＺｎＯ）のナノ粒子が用いられている。

　なお、発光素子Ｘｒ、Ｘｇ、及びＸｂがＯＬＥＤである場合、電子輸送層形成用溶液の電子輸送性材料（機能性材料）としては、上述の酸化亜鉛（ＺｎＯ）やマグネシウム添加酸化亜鉛（ＭｇＺｎＯ）のナノ粒子に加えて、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、これらの誘導体や金属錯体、より具体的には、例えば、３，３’－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ｍＣＢＰ）、１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾル－２－イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）、３－フェニル－４（１’－ナフチル）－５－フェニル－１，２，４－トリアゾール（ＴＡＺ）、１，１０－フェナントロリン、Ａｌｑ（トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム）を用いることができる。また、このＯＬＥＤである場合での電子輸送層形成用溶液の溶媒は、上述のＱＬＥＤである場合のものと同一のものを用いることができる。

　次に、インクジェット法又はスピンコート法などの滴下方式により、電子注入層（ＥＩＬ）２４ｅを形成する（ステップＳ９）。具体的にいえば、この電子注入層形成工程では、電子注入層形成用溶液の溶媒として、例えば、2-プロパノール、エタノール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、トルエン、クロロベンゼン、テトラヒドロフラン、１，４ジオキサンが用いられている。また、溶質、つまり電子注入性材料（機能性材料）としては、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）やマグネシウム添加酸化亜鉛（ＭｇＺｎＯ）のナノ粒子が用いられている。また、添加材料については、上記正孔注入層形成用溶液と同様に、例えば、四級アンモニウム塩、四フッ化ホウ酸リチウム塩、及びヘキサフルオロリン酸リチウム塩から成る群から選択される有機塩が用いられている。

　なお、発光素子Ｘｒ、Ｘｇ、及びＸｂがＯＬＥＤである場合、電子注入層形成用溶液の電子注入性材料（機能性材料）としては、上述の酸化亜鉛（ＺｎＯ）やマグネシウム添加酸化亜鉛（ＭｇＺｎＯ）のナノ粒子に加えて、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、これらの誘導体や金属錯体、より具体的には、例えば、３，３’－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ｍＣＢＰ）、１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾル－２－イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）、３－フェニル－４（１’－ナフチル）－５－フェニル－１，２，４－トリアゾール（ＴＡＺ）、１，１０－フェナントロリン、Ａｌｑ（トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム）を用いることができる。また、このＯＬＥＤである場合での電子注入層形成用溶液の溶媒は、上述のＱＬＥＤである場合のものと同一のものを用いることができる。

　続いて、電子注入層２４ｅ上に、例えば、蒸着法またはスパッタリング法を用いて、アルミニウム、銀などの金属薄膜が第２電極（陰極）２５として形成される（ステップＳ１０）。

　その後、第２電極２５を覆うように無機封止膜２６を形成した後、当該無機封止膜２６上に、有機膜２７の材料（前駆体）をインクジェット塗布し、硬化させることで有機膜２７を形成し、さらに、有機膜２７の上層に無機封止膜２８を形成する（ステップＳ１１）。この結果、図２に例示したように、ＲＧＢの発光素子Ｘｒ，Ｘｇ、Ｘｂを有する表示装置２が製造される。

　以上のように、表示装置２を製造することができる。

　以上のように構成された本実施形態の表示装置２では、コンタクト部ＣＰが引き廻し配線ＨＷを介して第２電極２５と端子部ＴＡとを電気的に接続している。また、阻止構造ＳＳとしてのバンクＱが、コンタクト部ＣＰの表示領域ＤＡ側に枠状に設けられて、機能層２４がコンタクト部ＣＰ上に形成されるのを阻止している。これにより、本実施形態の表示装置２では、滴下方式を用いて機能層２４を形成する場合でも、当該機能層２４を形成するための機能層形成用溶液がコンタクト部ＣＰ上に塗布されるのを防ぐことができ、当該コンタクト部ＣＰ上に機能層２４が形成されるのを防止することができる。この結果、本実施形態では、従来例と異なり、コンタクト部ＣＰでの抵抗が高抵抗化するのを防止することができ、表示性能が低下するのを防ぐことができる表示装置２を構成することができる。

　《変形例》
　図８は、上記表示装置の変形例を示す断面図である。

　図において、本変形例と上記第１の実施形態との主な相違点は、正孔注入層２４ａと正孔輸送層２４ｂとを全てのサブ画素に共通する共通層として設けた点である。なお、上記第１の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。

　本変形例の表示装置２では、図８に示すように、正孔注入層２４ａ及び正孔輸送層２４ｂは、発光素子Ｘｒ、Ｘｇ、及びＸｂに共通して、ベタ状に形成されている。つまり、正孔注入層２４ａ及び正孔輸送層２４ｂは、各々、第１の実施形態でのインクジェット法だけでなく、スピンコート法などの他の滴下方式により、形成されることができる。

　以上の構成により、本変形例では、上記第１の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。また、正孔注入層２４ａ及び正孔輸送層２４ｂが共通層で形成されているので、表示装置２の製造工程を簡単化することもできる。

　《第２の実施形態》
　図９は、本発明の第２の実施形態の表示装置の要部の断面構成を説明する図である。本実施形態と上記第１の実施形態との主な相違点は、阻止構造として薄膜トランジスタ層に設けられた溝を用いた点である。なお、上記第１の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。

　図において、本実施形態の表示装置２では、阻止構造ＳＳとしての溝Ｍが薄膜トランジスタ層４に設けられている。具体的にいえば、薄膜トランジスタ層４は、基材１２側から順次積層された複数の無機絶縁膜１６、１８、及び２０と、平坦化膜２１とを含んでいる。そして、溝Ｍが、バリア層３を露出するように、例えば、エッチングを行うことによって、平坦化膜２１及び上記複数の無機絶縁膜１６、１８、及び２０を切り欠いて、形成されている。なお、この説明以外に、基材１２を露出するように、平坦化膜２１、上記複数の無機絶縁膜１６、１８、及び２０、及びバリア層３を切り欠くことにより、溝Ｍを形成してもよい。

　また、溝Ｍの体積は、スピンコート法等の滴下方式を用いて形成される、機能層２４の体積に基づいて、決定されている。具体的にいえば、溝Ｍでは、図９に“Ｆ”及び“Ｗ”にてそれぞれ示す深さ寸法（つまり、バリア層３の上面と平坦化膜２１の上面との間の距離）及び幅寸法の積である、当該溝Ｍの断面積の値に、図５に長方形状に示した阻止構造ＳＳの四辺の長さの和の値を乗算することにより、その体積の値を求めることができる。これにより、溝Ｍは、上記機能層２４を形成する機能層形成用溶液が表示装置２の中央部に滴下された後、例えば、スピンコート法を用いて、表示領域ＤＡの全面に拡散塗布されたときでも、当該機能層形成用溶液が溝Ｍの内部に機能層２４として蓄積されて形成される。この結果、本実施形態では、機能層形成用溶液が溝Ｍによって、表示領域ＤＡよりも外側に拡がるのを防ぐことができ、コンタクト部ＣＰ上に塗布されるのを防止できるようになっている。なお、溝Ｍの深さ寸法Ｆは、例えば、５００μｍ以上が好ましく、１０００μｍ～３０００μｍがより好ましい。また、溝Ｍの幅寸法は、例えば、５００μｍ以上が好ましく、１０００μｍ～１５００μｍがより好ましい。

　また、本実施形態の表示装置２の製造方法では、図７にステップＳ３にて示したエッジカバー膜２３の形成工程の後に、同図７にステップＳ４にて示した阻止構造形成工程において、阻止構造ＳＳとして、薄膜トランジスタ層４を切り欠いた溝Ｍが形成される。なお、本実施形態はこれに限定されるものではなく、例えば、絶縁材料からなる絶縁体層を基材１２上に形成し、この溝Ｍを形成した後、薄膜トランジスタ層４、発光素子層５等の上層構造物を絶縁体層上に順次形成する構成でもよい。

　以上の構成により、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。

　《変形例》
　図１０は、図９に示した表示装置の変形例の要部構成を説明する図であり、図１０（ａ）は、当該変形例での第２電極の具体的な構成を示す斜視図であり、図１０（ｂ）は、当該変形例での発光素子層の具体的な構成を示す図であり、図１０（ｃ）は、当該変形例での効果を示すグラフである。

　図において、本変形例と上記第２の実施形態との主な相違点は、電子注入層及び電子輸送層を含んだ第２電極２５を設けた点である。なお、上記第２の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。

　本変形例の表示装置２では、図１０（ａ）に示すように、第２電極２５が、金属ナノワイヤ、例えば、銀ナノワイヤＮＷと、電子注入層材料及び電子輸送材料である酸化亜鉛（ＺｎＯ）ナノ粒子ＮＰとを含んでいる。つまり、銀ナノワイヤ溶液と酸化亜鉛ナノ粒子溶液を所望の比率で混合、撹拌した混合液を塗布（滴下）・乾燥する事で銀ナノワイヤＮＷと酸化亜鉛ナノ粒子ＮＰが混合した第２電極２５が得られる。具体的には、銀ナノワイヤＮＷが三次元的にランダムに配置され、酸化亜鉛ナノ粒子ＮＰ（平均粒径１～３０ｎｍ）の間隙を銀ナノワイヤＮＷが通るような構成とする。

　また、本変形例の表示装置２では、図１０（ｂ）に示すように、第１電極２２（陽極）、ＨＴＬ層（正孔輸送層）２４ｂ、発光層２４ｃ（例えば、量子ドット発光層）、及び電子注入層と電子輸送層とを含んだ第２電極（共通陰極）２５がこの順に設けられた構成となる。

　また、図１０（ａ）に示した構成では、第２電極２５における、銀ナノワイヤＮＷと電子輸送材料である酸化亜鉛ナノ粒子ＮＰとの接触面積が増大するため、図１０（ｃ）に示すように、電流密度０～５０〔ミリアンペア／平方センチメートル〕の範囲において、本変形例２での発光素子Ｘの外部量子効果ＵＢ（基準値に対する規格化値）が、図３に示した構成、つまり電子注入層（酸化亜鉛ナノ粒子層）２４ｅ上に第２電極２５を形成した発光素子Ｘの外部量子効果ＵＡ（各電流密度における基準値＝１）および、一般的な銀薄膜の陰極を有する発光素子の規格化外部量子効率Ｕａ（基準値に対する規格化値）と比較して大幅に向上していることがわかる。

　また、電子輸送層２４ｄと電子注入層２４ｅと第２電極（共通陰極）２５とを別工程で形成する場合と比較して、工程数を削減することができる。

　また、金属ナノワイヤＮＷが過多であれば発光層２４ｃへの電子輸送能力が低下し、金属ナノワイヤＮＷが過少であれば抵抗値が高くなる。よって、ＺｎＯナノ粒子ＮＰに対する金属ナノワイヤＮＷの体積比は、１／４９～１／９である。

　以上の構成により、本変形例では、上記第２の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。

　《第３の実施形態》
　図１１は、本発明の第３の実施形態の表示装置の要部の断面構成を説明する図である。本実施形態と上記第２の実施形態との主な相違点は、機能層と、当該機能層上に設けられた絶縁材料とによって溝の内部を充填した点である。なお、上記第２の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。

　図において、本実施形態の表示装置２では、阻止構造ＳＳとしての溝Ｍの内部には、上記機能層２４と、当該機能層２４上に設けられた絶縁材料ＺＭとが充填されている。この絶縁材料ＺＭの上面は、平坦化膜２１の上面と同一平面を構成するように、溝Ｍの内部に設けられている。これにより、第２電極２５を絶縁材料ＺＭ上に形成したときに当該第２電極２５に段切れ等の発生を容易に防止することができる。なお、ここでいう、同一平面とは、絶縁材料ＺＭの上面と平坦化膜２１の上面との段差の寸法値が、例えば、０ｎｍ～５００ｎｍの範囲内の値に設定されていることをいう。

　また、絶縁材料ＺＭは、例えば、平坦化膜２１と同一の材料により構成されている。このように、平坦化膜２１と同一の材料を絶縁材料ＺＭに用いた場合には、絶縁材料ＺＭと溝Ｍによって分断された平坦化膜２１と接合性を高めることができるとともに、絶縁材料ＺＭの上面と平坦化膜２１の上面との同一平面性を容易に高めて、第２電極２５に段切れ等の発生をより容易に防止することができる。

　また、絶縁材料ＺＭは、例えば、無機絶縁膜材料により構成してもよい。このように、無機絶縁膜材料を絶縁材料ＺＭに用いた場合には、平坦化膜２１の内部での水分等の浸入を当該絶縁材料ＺＭで防ぐことができ、発光素子Ｘの劣化を抑制することができる。また、溝Ｍによって分断された平坦化膜２１の間において、無機絶縁膜材料からなる絶縁材料ＺＭを完全に介在させる場合には、平坦化膜２１の内部を発光素子Ｘ側に浸入する水分を当該絶縁材料ＺＭで遮断することが可能となり、トレンチＴＮの設置を省略することもできる。

　ここで、図１２も参照して、本実施形態の表示装置２の製造方法について、具体的に説明する。図１２は、図１１に示した表示装置の製造方法を示すフローチャートである。

　図１２にステップＳ４にて示すように、阻止構造形成工程が行われた後に、機能層２４の各層が形成される（ステップＳ５～Ｓ９）。続いて、溝Ｍの内部に形成された機能層２４上に、絶縁材料ＺＭを満たして当該機能層２４とともに溝Ｍを充填する溝充填工程が行われる（ステップＳ１２）。その後、第１の実施形態と同様に、ステップＳ１０及びステップＳ１１の工程が順次行われる。

　以上の構成により、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。

　《第４の実施形態》
　図１３は、本発明の第４の実施形態の表示装置の要部構成を示す断面図である。図１４は、図１３に示した機能層の具体的な構成を示す断面図である。図１５は、図１３に示した発光素子の具体的な構成例を示す断面図である。

　図において、本実施形態と上記第１の実施形態との主な相違点は、薄膜トランジスタ層４側から、陰極としての第１電極３５、機能層３４、及び陽極としての第２電極３２が、この順に設けられたインバート構造である点である。なお、上記第１の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。

　本実施形態の表示装置２では、図１３に示すように、発光素子Ｘｒ，Ｘｇ、及びＸｂにおいて、第１電極（陰極）３５、機能層３４、及び第２電極（陽極）３２が薄膜トランジスタ層４上に順次設けられている。また、機能層３４は、図１４に示すように、下層側から順に、電子注入層３４ａ、電子輸送層３４ｂ、発光層３４ｃ、正孔輸送層３４ｄ、及び正孔注入層３４ｅを積層することで構成される。

　また、本実施形態の表示装置２では、図１５に示すように、発光素子Ｘｒ、Ｘｇ、Ｘｂは、バンクとしてのエッジカバー膜２３によって区画されており、発光素子Ｘ毎に、島状の第１電極３５、島状の電子注入層３４ａ、島状の電子輸送層３４ｂ、及び島状の発光層３４ｃｒ、３４ｃｇ、３４ｃｂ（発光層３４ｃにて総称。）が設けられている。また、発光素子Ｘでは、全てのサブ画素ＳＰに共通するベタ状の正孔輸送層３４ｄ、ベタ状の正孔注入層３４ｅ、及びベタ状の第２電極３２が設けられている。

　以上の構成により、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。

　《変形例》
　図１６は、図１３に示した表示装置の変形例を示す断面図である。

　図において、本変形例と上記第４の実施形態との主な相違点は、電子注入層３４ａと電子輸送層３４ｂとを全てのサブ画素に共通する共通層として設けた点である。なお、上記第４の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。

　本変形例の表示装置２では、図１６に示すように、電子注入層３４ａ及び電子輸送層３４ｂは、発光素子Ｘｒ、Ｘｇ、及びＸｂに共通して、ベタ状に形成されている。つまり、電子注入層３４ａ及び電子輸送層３４ｂは、各々、第２の実施形態でのインクジェット法だけでなく、スピンコート法などの他の滴下方式により、形成されることができる。

　以上の構成により、本変形例では、上記第４の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。また、電子注入層３４ａ及び電子輸送層３４ｂが共通層で形成されているので、表示装置２の製造工程を簡単化することもできる。

　なお、上記の説明以外に、各実施形態及び各変形例を適宜組み合わせて構成してもよい。

　本発明は、滴下方式を用いて機能層を形成する場合でも、表示性能が低下するのを防ぐことができる表示装置、及び表示装置の製造方法に有用である。

２　　　　　　　表示装置
ＤＡ　　　　　　表示領域
ＮＡ　　　　　　額縁領域
ＴＡ　　　　　　端子部
４　　　　　　　薄膜トランジスタ層
５　　　　　　　発光素子層
１２　　　　　　基材
２２　　　　　　第１電極（陽極）
２４　　　　　　機能層
２４ａ　　　　　正孔注入層
２４ｂ　　　　　正孔輸送層
２４ｃ　　　　　発光層
２４ｄ　　　　　電子輸送層
２４ｅ　　　　　電子注入層
２５　　　　　　第２電極（陰極）
３２　　　　　　第２電極（陽極）
３４　　　　　　機能層
３４ａ　　　　　電子注入層
３４ｂ　　　　　電子輸送層
３４ｃ　　　　　発光層
３４ｄ　　　　　正孔輸送層
３４ｅ　　　　　正孔注入層
３５　　　　　　第１電極（陰極）
Ｘ　　　　　　　発光素子
２３　　　　　　エッジカバー膜
ＳＳ　　　　　　阻止構造
Ｑ　　　　　　　バンク
Ｍ　　　　　　　溝
ＺＭ　　　　　　絶縁材料
ＨＷ　　　　　　引き廻し配線

Claims (20)

1. 　複数の画素を有する表示領域と、前記表示領域を囲む額縁領域とを、備えた表示装置であって、
   　基材と、
   　前記基材上に設けられた薄膜トランジスタ層と、
   　前記薄膜トランジスタ層上に設けられるとともに、それぞれが第１電極、機能層、及び第２電極を含み、発光色が互いに異なる複数の発光素子が形成された発光素子層と、が設けられ、
   　前記額縁領域に設けられるとともに、引き廻し配線を介して前記第２電極と前記額縁領域に設けられた端子部とを電気的に接続するコンタクト部と、
   　前記コンタクト部の前記表示領域側に枠状に設けられて、前記機能層が前記コンタクト部上に形成されるのを阻止する阻止構造と、を備える、表示装置。
2. 　前記コンタクト部には、前記引き廻し配線及び前記第２電極に電気的に接続されるとともに、前記第１電極と同層で、かつ、同一材料で形成された導電膜が設けられている、請求項１に記載の表示装置。
3. 　前記阻止構造は、前記薄膜トランジスタ層から突出するバンクを含む、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
4. 　前記バンクの突出高さは、前記機能層の体積に基づいて、決定されている、請求項３に記載の表示装置。
5. 　前記阻止構造は、前記薄膜トランジスタ層に形成された溝を含む、請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 　前記薄膜トランジスタ層は、基材側から順次積層された複数の無機絶縁膜と、平坦化膜とを含み、
   　前記溝は、前記平坦化膜及び前記複数の無機絶縁膜を切り欠くことによって、形成されている、請求項５に記載の表示装置。
7. 　前記溝の内部には、前記機能層と、当該機能層上に設けられた絶縁材料とが充填されている、請求項５または請求項６に記載の表示装置。
8. 　前記絶縁材料の上面は、前記平坦化膜の上面と同一平面を構成している、請求項７に記載の表示装置。
9. 　前記絶縁材料は、前記平坦化膜と同一の材料により構成されている、請求項７または請求項８に記載の表示装置。
10. 　前記絶縁材料は、無機絶縁膜材料により構成されている、請求項７または請求項８に記載の表示装置。
11. 　前記溝の体積は、前記機能層の体積に基づいて、決定されている、請求項５～請求項１０のいずれか１項に記載の表示装置。
12. 　前記薄膜トランジスタ層は、その最上層に形成された有機絶縁膜を含み、
    　前記有機絶縁膜には、前記阻止構造を囲むように、トレンチが形成されている、請求項１～請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
13. 　前記機能層は、電荷注入層、電荷輸送層、及び発光層を含み、
    　前記電荷注入層及び前記電荷輸送層の少なくとも一方は、前記複数の発光素子に共通して設けられたベタ状の共通層である、請求項１～請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置。
14. 　前記発光層は、量子ドットを含んだ量子ドット発光層である、請求項１３に記載の表示装置。
15. 　前記量子ドット発光層は、赤色光を発する赤色量子ドット発光層と、緑色光を発する緑色量子ドット発光層と、青色光を発する青色量子ドット発光層とを備える、請求項１４に記載の表示装置。
16. 　複数の画素を有する表示領域と前記表示領域を囲む額縁領域とを備え、基材と、前記基材上に設けられた薄膜トランジスタ層と、前記薄膜トランジスタ層上に設けられるとともに、それぞれが第１電極、機能層、及び第２電極を含み、発光色が互いに異なる複数の発光素子が形成された発光素子層と、を具備する表示装置の製造方法であって、
    　前記第１電極を形成する第１電極形成工程と、
    　引き廻し配線を介して前記第２電極と前記額縁領域に設けられた端子部とを電気的に接続するコンタクト部を、前記額縁領域に形成するコンタクト部形成工程と、
    　前記機能層が前記コンタクト部上に形成されるのを阻止する枠状の阻止構造を、前記コンタクト部の前記表示領域側に形成する阻止構造形成工程と、を含む、表示装置の製造方法。
17. 　前記阻止構造形成工程では、前記阻止構造として、前記薄膜トランジスタ層から突出するバンクを形成する、請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
18. 　前記阻止構造形成工程では、前記阻止構造として、前記薄膜トランジスタ層を切り欠いた溝を形成する、請求項１６または請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
19. 　前記阻止構造形成工程の後に、
    　前記機能層を形成する機能層形成工程と、
    前記溝の内部に形成された前記機能層上に、絶縁材料を満たして当該機能層とともに前記溝を充填する溝充填工程とを行う、請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
20. 　前記コンタクト部形成工程では、前記引き廻し配線及び前記第２電極に電気的に接続されるとともに、前記第１電極と同層で、かつ、同一材料で形成された導電膜が設けられる、請求項１６～請求項１９のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。

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