JP2018200787A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高い信頼性を有する表示装置、およびその製造方法を提供する【解決手段】表示装置は表示領域、および表示領域を取り囲む周辺領域を有する基板と、表示領域上に位置する画素と、画素上のパッシベーション膜と、パッシベーション膜上の樹脂層と、周辺領域上に位置し、表示領域を取り囲む第１のダムと、第１のダムを取り囲む第２のダムを有しする。パッシベーション膜は、無機化合物を含む第１の層と、第１の層上に位置し、有機化合物を含む第２の層と、第２の層上に位置し、無機化合物を含む第３の層を有有する。第２の層は第１のダムによって囲まれる領域内に選択的に配置される。樹脂層は、第２のダムによって囲まれる領域内に選択的に配置される。【選択図】図４

Description

本発明は、表示装置、および表示装置の製造方法に関する。例えば、有機発光素子を各画素に有する表示装置、およびその製造方法に関する。

表示装置の代表例として、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置が知られている。有機ＥＬ表示装置は、基板上に形成された複数の画素内の各々に有機発光素子（以下、発光素子）を有している。発光素子は一対の電極間に有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層、あるいは有機層と記す）を有しており、一対の電極間に電流を供給することで駆動される。発光素子の駆動中、有機化合物は酸化あるいは還元されて荷電された状態をとり、さらこれらが再結合することによって励起状態が生じる。このような荷電状態や励起状態の活性種は電気的に中性の状態、あるいは基底状態と比べて反応性が高いため、他の有機化合物と反応する、あるいは発光素子に浸入した水や酸素などの不純物と容易に反応する。反応の結果生じる生成物は発光素子の特性に影響を与え、発光素子の効率の低下や寿命の低減の原因となる。

このような特性劣化を抑制する方法として特許文献１では、発光素子を含む表示領域とそれを取り囲む周辺領域との間に不純物を遮断するための領域（遮断領域）を形成することが開示されている。遮断領域を形成することで、特に基板端部からの不純物の侵入を効果的に防ぐことができ、表示装置の信頼性を向上することができる。

特開２０１５−１５０８０号公報

本発明に係る実施形態の一つは、高い信頼性を有する表示装置、およびその製造方法を提供することを目的の一つとする。

本発明の実施形態の一つは表示装置である。この表示装置は、表示領域、および表示領域を取り囲む周辺領域を有する基板と、表示領域上に位置する画素と、画素上のパッシベーション膜と、パッシベーション膜上の樹脂層と、周辺領域上に位置し、表示領域を取り囲む第１のダムと、第１のダムを取り囲む第２のダムを有する。パッシベーション膜は、無機化合物を含む第１の層と、第１の層上に位置し、有機化合物を含む第２の層と、第２の層上に位置し、無機化合物を含む第３の層を有する。第２の層は第１のダムによって囲まれる領域内に選択的に配置される。樹脂層は、第２のダムによって囲まれる領域内に選択的に配置される。

本発明の実施形態の一つは表示装置である。この表示装置は、表示領域、および表示領域を取り囲む周辺領域を有する基板と、表示領域上に位置する画素と、周辺領域上に位置し、表示領域を取り囲む補助配線を有する。画素は、電極、対向電極、および画素電極と対向電極に挟まれる有機層を含む発光素子、ならびに画素電極の端部を覆う隔壁を有する。画素電極と補助配線は同一の積層構造を有し、補助配線と対向電極は互いに電気的に接続される。隔壁は表示領域から周辺領域へ延在し、補助配線の第１の端部と、第１の端部に対向する第２の端部を覆う。

本発明の実施形態の一つは表示装置である。この表示装置は、表示領域、および表示領域を取り囲む周辺領域を有する基板と、表示領域上の画素と、周辺領域上に位置し、表示領域を取り囲む第１のダムを有する。画素は、トランジスタと、トランジスタ上の平坦化膜と、平坦化膜上に位置し、画素電極、対向電極、および画素電極と対向電極の間の有機層を含む発光素子、ならびに画素電極の端部を覆い、画素電極と有機層の間に挟まれる隔壁を有する。隔壁は、周辺領域へ延在し、第１のダムと重なる。

本発明の表示装置の模式的上面図。 本発明の表示装置の断面模式図。 本発明の表示装置の模式的上面図。 本発明の表示装置の模式的断面図。 本発明の表示装置の模式的上面図。 本発明の表示装置の模式的断面図。 本発明の表示装置の模式的上面図。 本発明の表示装置の模式的断面図。 本発明の表示装置の模式的上面図。 本発明の表示装置の模式的断面図。 本発明の表示装置の模式的断面図。 本発明の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の表示装置の模式的断面図。 本発明の表示装置の模式的断面図。 本発明の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の表示装置の模式的断面図。 本発明の表示装置の模式的断面図。 本発明の表示装置の模式的断面図。 本発明の表示装置の製造工程を示す模式的断面図。 本発明の表示装置の模式的断面図。 本発明の表示装置の模式的断面図。 本発明の表示装置の模式的断面図。

以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。

本明細書と請求項において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。

本明細書および請求項において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

本明細書および請求項において、「ある構造体が他の構造体から露出するという」という表現は、ある構造体の一部が他の構造体によって覆われていない態様を意味し、この他の構造体によって覆われていない部分は、さらに別の構造体によって覆われる態様も含む。

＜第１実施形態＞
［１．全体構成］
本発明の一実施形態の表示装置１００の模式的上面図を図１に示す。表示装置１００は、発光素子を表示素子として含む表示装置である。

図１に示すように表示装置１００は、基板１０２を有し、その上に複数の画素１０４が設けられる。画素１０４が設けられる領域、およびこれを取り囲む領域がそれぞれ基板１０２の表示領域１０６と周辺領域として定義される。周辺領域には画素１０４を駆動するための駆動回路が設けられる。図１に示した例では、表示領域１０６を挟む二つのゲート側駆動回路１０８や、アナログスイッチなどを含むソース側駆動回路１１８が設けられる。表示領域１０６やゲート側駆動回路１０８、ソース側駆動回路１１８からは図示しない配線が基板１０２の一辺へ延び、基板１０２の端部で露出されて端子１１２を形成する。端子１１２はフレキシブル印刷回路（ＦＰＣ）基板などのコネクタ１１４と電気的に接続される。コネクタ１１４上、あるいは基板１０２上には画素１０４を制御するためのドライバＩＣ１１０をさらに搭載してもよい。なお、ソース側駆動回路１１８を周辺領域上に設けず、この機能をドライバＩＣ１１０によって実現してもよい。各画素１０４には発光素子１６０が設けられ、発光素子１６０はゲート側駆動回路１０８やソース側駆動回路１１８などによって制御され、これにより画像を表示領域１０６に表示することが可能となる。

以下に詳述するように、表示装置１００は、周辺領域に表示領域１０６を取り囲む補助配線２０４を有する。補助配線２０４は図１に示すように、表示領域１０６を連続的に取り囲んでもよい。さらに周辺領域には、補助配線２０４を取り囲むように設けられる障壁（以下、ダムと記す）を有する。具体的には、表示領域１０６、および補助配線２０４を連続的に取り囲む第１のダム２１０、および第１のダム２１０を取り囲む第２のダム２１２を有する。

［２．画素］
２−１．画素回路
図２（Ａ）に、隣接する二つの画素１０４の断面模式図を示す。各画素１０４には、発光素子１６０とともにトランジスタや容量素子などの種々の素子を含む画素回路が形成される。これらの素子の数や接続関係に制約はない。図２（Ａ）には一例として、発光素子１６０と、これに接続される保持容量１４０、トランジスタ１３０が図示されている。画素回路や発光素子１６０は、基板１０２と対向基板１１６の間に設けられる。

トランジスタ１３０と保持容量１４０は、基板１０２上にアンダーコート１２０を介して設けられる。基板１０２は、この上に形成される回路を支持する機能を有し、ガラスや石英、あるいは高分子を含むことができる。基板１０２や対向基板１１６にポリイミドやポリアミド、ポリカーボナートなどの高分子を用いることで、表示装置１００に可撓性を付与することができ、いわゆるフレキシブルディスプレイを提供することも可能である。アンダーコート１２０は基板１０２からの不純物の拡散を防ぐために設けられる絶縁膜である。

トランジスタ１３０は、半導体膜１３２、半導体膜１３２上のゲート絶縁膜１２２、ゲート絶縁膜１２２上のゲート電極１３４、ゲート電極１３４上の第１の層間膜１２４、第１の層間膜１２４上の第２の層間膜１２６、第２の層間膜１２６上のソース／ドレイン電極１３６、１３８などを有する。半導体膜１３２は活性領域１３２ａ、活性領域１３２ａを挟持する低濃度不純物領域１３２ｂ、およびこれらを挟持する高濃度不純物領域１３２ｃなどを有することができる。図２（Ａ）ではトランジスタ１３０はトップゲート構造のトランジスタとして描かれているが、画素回路を構成するトランジスタの構造に制約はなく、種々の構造のトランジスタを利用することができる。なお、第２の層間膜１２６は任意の構成であり、省いてもよい。

保持容量１４０は、半導体膜１３２の一部（高濃度不純物領域１３２ｃ）、その上のゲート絶縁膜１２２、ゲート電極１３４と同一層に存在する容量電極１４２、容量電極１４２上の第１の層間膜１２４、第２の層間膜１２６、およびソース／ドレイン電極１３８の一部によって構成される。ここでゲート絶縁膜１２２、第１の層間膜１２４、第２の層間膜１２６は保持容量１４０の誘電体として機能する。アンダーコート１２０、ゲート絶縁膜１２２、第１の層間膜１２４、第２の層間膜１２６には、例えばケイ素を含む無機化合物を用いることができる。ケイ素を含む無機化合物としては、酸素とケイ素を含む酸化ケイ素、酸素とケイ素、および窒素を含む窒化ケイ素や酸化窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素などが挙げられる。これらの膜は単層構造を有していてもよく、積層構造を有していてもよい。

トランジスタ１３０や保持容量１４０の上にはさらに、平坦化膜１５０が設けられる。平坦化膜１５０によってトランジスタ１３０や保持容量１４０などを含む画素回路に起因する凹凸が吸収され、平坦な面を与えることができる。平坦化膜１５０は高分子を含むことができ、高分子としてはアクリル樹脂やエポキシ樹脂、ポリシロキサン、ポリイミド、ポリアミドなどが例示される。図示しないが、任意の構成として、平坦化膜１５０とソース／ドレイン電極１３６、１３８の間に、無機化合物を含む絶縁膜を層間膜としてさらに設けてもよい。

平坦化膜１５０にはソース／ドレイン電極１３８に達する開口が設けられ、この開口と平坦化膜１５０の一部を覆う接続電極１５２がソース／ドレイン電極１３８と接するように設けられる。接続電極１５２を覆うように第３の層間膜１５４がさらに形成される。第３の層間膜１５４も絶縁膜であり、上述したケイ素含有無機化合物を用いることができ、典型的には窒化ケイ素が用いられる。第３の層間膜１５４は、平坦化膜１５０に設けられた開口において接続電極１５２の一部を覆わず、接続電極１５２の底面を露出する。これにより、その上に設けられる画素電極１６２と接続電極１５２間の電気的接続が可能となる。第３の層間膜１５４には、その上に設けられる隔壁（リブ、あるいはバンクとも呼ばれる）１７０と平坦化膜１５０の接触を許容するための開口１５５を設けてもよい。なお、接続電極１５２や開口１５５の形成は任意である。接続電極１５２を設けることで、引き続くプロセスにおいてソース／ドレイン電極１３８の表面の酸化を防止することができ、これによる接触抵抗の増大を抑制することができる。開口１５５は、平坦化膜１５０から水や酸素などの不純物を放出するための開口として機能することができ、これを設けることで画素回路中の半導体素子や発光素子１６０の信頼性を向上させることができる。

第３の層間膜１５４上には、接続電極１５２を覆うように、画素電極１６２が設けられる。画素電極１６２は、平坦化膜１５０に設けられる開口において、接続電極１５２を介してソース／ドレイン電極１３８と電気的に接続される。

２−２．発光素子
画素電極１６２は、可視光に対して透過性を示す導電性材料、あるいは銀やアルミニウムなどの金属、これらの金属から選択される一つ、あるいは複数を含有する合金を含むことができる。画素電極１６２は単層構造、積層構造のいずれを有してもよい。積層構造を有する場合、例えば図２（Ｂ）に示すように、第１の導電層１６２＿１、第１の導電層１６２＿１上の第２の導電層１６２＿２、および第２の導電層１６２＿２上の第３の導電層１６２＿３が順に積層された構造を採用することができる。

第１の導電層１６２＿１は可視光に対して透過性を有し、例えばインジウムとスズの混合酸化物（ＩＴＯ）やインジウムと亜鉛の混合酸化物（ＩＺＯ）などを含むことができる。第１の導電層１６２＿１は第２の導電層１６２＿２と第３の層間膜１５４とをより強固に密着させる働きがある。第２の導電層１６２＿２は、可視光に対する反射率が高いことが好ましく、例えば０価の銀やアルミニウム、マグネシウム、あるいはこれらから選択される金属を含有する合金を含むことができる。第２の導電層１６２＿２の厚さは、１００ｎｍ以上２００ｎｍ、１２０ｎｍ以上１６０ｎｍ、あるいは１２０ｎｍ以上１４０ｎｍ、典型的には１３０ｎｍとすることができる。このような厚さは可視光の透過を許容しないため、第２の導電層１６２＿２は高い反射率を示す。このため、発光素子１６０から得られる発光が効率よく反射し、対向基板１１６を通して取り出すことが可能となる。さらに、このような厚さで第２の導電層１６２＿２を形成することで、十分に低い電気抵抗を得ることができる。第３の導電層１６２＿３は可視光に対して透過性を有し、典型的にはＩＴＯやＩＺＯを含むことができる。ＩＴＯやＩＺＯは仕事関数が比較的大きいため、画素電極１６２を陽極として機能させる場合、効率よく有機層１６４へホールを注入することができる。

画素電極１６２、隔壁１７０を覆うように有機層１６４、およびその上の対向電極１６６が設けられる。画素電極１６２、有機層１６４、対向電極１６６によって発光素子１６０が形成される。本明細書と請求項において有機層１６４とは、画素電極１６２と対向電極１６６の間に設けられる層全体を指す。画素電極１６２と対向電極１６６から有機層１６４に電荷（電子、ホール）が注入され、電荷の再結合によって生じる励起状態からの輻射失活過程により発光が得られる。

図２（Ａ）では、有機層１６４は単層構造を有するように示されているが、有機層１６４は複数の層から構成することができ、例えば電荷注入層、電荷輸送層、発光層、電荷ブロック層、励起子ブロック層など、種々の機能を有する層を組み合わせて形成することができる。有機層１６４の構造は、すべての画素１０４間で同一でも良く、隣接する画素１０４間で構造が異なるように有機層１６４を形成してもよい。例えば発光層の構造や材料を隣接する画素１０４間で異なるように有機層１６４を形成することで、隣接する画素１０４から異なる発光を得ることができる。すべての画素１０４において同一の有機層１６４を用いる場合には、対向基板１１６にカラーフィルタを設けることで、複数の発光色を得ることが可能となる。

対向電極１６６は複数の画素１０４にわたって形成される。すなわち、対向電極１６６は複数の画素１０４によって共有される。対向電極１６６は可視光に対して透過性を示し、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの透光性を有する導電性酸化物を用いて形成することができる。あるいは銀やアルミニウム、マグネシウム、もしくはこれらから選択される金属を含む合金を可視光が透過可能な厚さで形成することで、対向電極１６６を形成してもよい。

２−３．その他の構成
発光素子１６０上には、発光素子１６０を保護するための保護膜（以下、パッシベーション膜）１８０が設けられる。パッシベーション膜１８０の構造は任意に選択することができるが、例えば図２（Ａ）に示すように、無機化合物を含む第１の層１８２、有機化合物を含む第２の層１８４、および無機化合物を含む第３の層１８６を有する積層構造をパッシベーション膜１８０に適用することができる。この場合、無機化合物としては上述したケイ素を含有する無機化合物を使用することができる。有機化合物としては、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などの高分子材料を使用することができる。

第２の層１８４は比較的大きな厚さを有することができ、これにより、隔壁１７０に起因する凹凸を吸収して平坦な上面が与えられ、この上に第３の層１８６を形成することができる。このため、第３の層１８６の平坦性が向上するとともに、第３の層１８６で亀裂やピンホールが発生することを防ぐことができ、不純物の侵入を効果的に抑制することができる。

パッシベーション膜１８０上には、樹脂層１９０が設けられる。樹脂層１９０は、端子１１２上に形成される第１の層１８２や第３の層１８６をエッチング処理によって除去し、端子１１２を露出するためのマスクとして用いられる層であり、エッチング処理の際、パッシベーション膜１８０を保護する機能を有する。樹脂層１９０はアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの高分子材料を含む。

対向基板１１６は、発光素子１６０や画素回路を挟持するよう、有機材料で構成される接着層１９２によって基板１０２に固定される。これにより、発光素子１６０や画素回路が封止される。図示していないが、パッシベーション膜１８０と樹脂層１９０の間にタッチセンサを形成してもよい。

［３．周辺領域］
上述したように、表示装置１００は周辺領域に補助配線２０４やこれを取り囲む第１のダム２１０、第２のダム２１２を有する。これらの構造を以下に述べる。

３−１．基板上辺の構造
基板１０２の、端子１１２が設けられる辺に対向する辺（以下、上辺、あるいは第１の辺と記す）の近傍の周辺領域と表示領域１０６（図１における領域１０２＿１）の上面模式図を図３（Ａ）に、図３（Ａ）の鎖線Ａ−Ａ´に沿った断面模式図を図４に示す。図３（Ａ）、図４に示すように、表示領域１０６と基板１０２の上辺との間の周辺領域には、基板１０２の上辺とほぼ平行に延伸する配線２２０、２２２が設けられる。配線２２０、２２２の数や用途、機能には制約はないが、例えば画素電極１６２に一定電位を供給するための電源線、駆動回路に種々の信号を伝達するための信号線として機能することができる。図４に示した例では、配線２２０、２２２はソース／ドレイン電極１３６、１３８と同一の層内に存在する例が示されているが、配線２２０、２２２はゲート電極１３４と同一の層に存在してもよい。

画素１０４に設けられる平坦化膜１５０は、配線２２０、２２２を覆うように、基板１０２の上辺方向にも延在する（図４）。しかしながら周辺領域では、平坦化膜１５０の一部は除去され、残存する平坦化膜１５０によって第１のダム２１０と第２のダム２１２が形成される。このため、第１のダム２１０、第２のダム２１２、および平坦化膜１５０は互いに同一の組成を有し、互いに離間する。

第３の層間膜１５４は表示領域１０６内では第２の層間膜１２６（第２の層間膜１２６を設けない場合には第１の層間膜１２４）と離間するが、周辺領域においては第３の層間膜１５４が第２の層間膜１２６、あるいは第１の層間膜１２４と接する領域（以下、遮断領域）１５６が存在する。遮断領域１５６は少なくとも二つ設けられ、二つの遮断領域１５６＿１、１５６＿２の間には、平坦化膜１５０と同一の層に存在する第１のダム２１０が位置する。また、遮断領域１５６＿２と基板１０２の上辺との間には、平坦化膜１５０と同一の層に存在する第２のダム２１２が位置する。したがって、遮断領域１５６＿２は第１のダム２１０と第２のダム２１２に挟まれた領域であり、遮断領域１５６＿１は第１のダム２１０と平坦化膜１５０に挟まれた領域である。

周辺領域にはさらに、画素電極１６２と同一の層内に存在する補助配線２０４が設けられる。補助配線２０４は配線２２０、２２２、あるいは平坦化膜１５０と重なるように設けてもよい。画素電極１６２と補助配線２０４は互いに物理的には接続されないが、同一の工程で形成することができるため、同一の積層構造を有することができる。例えば補助配線２０４は図２（Ｂ）に示すように、第１の導電層１６２＿１、第２の導電層１６２＿２、第３の導電層１６２＿３がこの順で積層した構造を有することができる。

ここで、図４に示すように、補助配線２０４の一部は遮断領域１５６＿１内にも位置する。また、補助配線２０４の端部（表示領域１０６とは反対側の端部。以下、第１の端部と記す。）は第１のダム２１０と重なってもよい。すなわち、第１の端部が第１のダム２１０の側壁と重なるように、補助配線２０４を配置することができる。あるいは、図５に示すように、補助配線２０４の第１の端部は第１のダム２１０の側壁と重ならず、第１のダム２１０と平坦化膜１５０の間に位置してもよい。

図４に示すように、隔壁１７０は表示領域１０６のみならず、周辺領域にも延在し、一部が遮断領域１５６＿１と重なり、第１のダム２１０を覆う。より具体的には、図２、図３（Ａ）、図４から理解されるように、隔壁１７０は、表示領域１０６においては画素電極１６２と重なる複数の開口を有し、これによって画素電極１６２と有機層１６４との接触を可能にする。同時に、隔壁１７０は周辺領域においては、補助配線２０４の第１の端部に対向する端部（表示領域１０６側の端部。以下、第２の端部と記す。）を覆うだけでなく、補助配線２０４と重なる複数の開口２１４を有する。開口２１４により、対向電極１６６が補助配線２０４と電気的に接続される。補助配線２０４には一定電位が印加され、後述するように、対向電極１６６の周囲と接続される。このため、対向電極１６６の全体にわたって一定の電位を維持することができる。

図４に示すように、遮断領域１５６＿１では、補助配線２０４の上面は隔壁１７０によって覆うことができる。補助配線２０４の上面、特に端部の上面には凹凸が発生しやすい。このため、補助配線２０４がパッシベーション膜１８０の第１の層１８２と接すると、第１の層１８２にピンホールが発生しやすくなる。しかしながら隔壁１７０によって補助配線２０４の上面を覆うことで、ピンホールの発生を防ぐことができる。なお、隔壁１７０は必ずしも補助配線２０４の上面全体を覆う必要は無く、例えば図６に示すように、補助配線２０４の第１の端部と第２の端部を選択的に覆い、これら端部以外の上面が第１の層１８２と接することを許容してもよい。

図３（Ａ）で示した例では、対向電極１６６と補助配線２０４の電気的接続には複数の開口２１４が用いられるが、開口２１４の数には制約はなく、図３（Ｂ）に示すように、上辺に平行に延伸する単一の開口２１４を形成し、対向電極１６６と補助配線２０４を接続してもよい。

パッシベーション膜１８０の第１の層１８２と第３の層１８６は、第１のダム２１０と第２のダム２１２と重なるように設けられる。これに対して第２の層１８４は、表示領域１０６、および第１のダム２１０によって囲まれた周辺領域に選択的に配置される。あるいは、第２の層１８４は、第１のダム２１０の側壁と重なるものの、第１のダム２１０を乗り越えないように設けられる。

樹脂層１９０は、パッシベーション膜１８０上に設けられ、第２の層１８４を樹脂層１９０と第１の層１８２で封じ込めるように形成される。したがって、樹脂層１９０の端部は第２の層１８４のそれと比較し、より表示領域１０６から遠く、基板１０２の上辺に近い。なお、樹脂層１９０は、第２のダム２１２の側壁と重なるものの、第２のダム２１２を乗り越えないように設けられる。

樹脂層１９０と対向基板１１６は、接着層１９２によって互いに固定される。図４に示すように、接着層１９２は樹脂層１９０の側面や、第２のダムの外側（表示領域１０６に対して反対側）を覆うように設けてもよい。

上述したように、樹脂層１９０は第２のダム２１２に囲まれた領域内に選択的に設けられ、一方パッシベーション膜１８０は第１のダム２１０に囲まれた領域内に選択的に設けられる。したがって、樹脂層１９０をマスクとしてエッチングを行う際、パッシベーション膜１８０は樹脂層１９０によって保護される。その結果、パッシベーション膜１８０がダメージを受けることを防止することができ、パッシベーション膜１８０が有する高い封止能力を維持することができる。

また、補助配線２０４の第１の端部と第２の端部はともに隔壁１７０によって覆われる。このため、補助配線２０４の端部の劣化や、補助配線２０４の端部からの不純物の侵入を抑制することができ、高い信頼性を有する表示装置を提供することが可能となる。

第２実施形態で述べるように、対向電極１６６は銀やマグネシウムなどの金属を蒸着することによって形成することができ、その形状はメタルマスクを用いて調整される。しかしながらメタルマスクを用いて金属膜を形成する際、金属の蒸気はメタルマスクの開口部から回り込みやすく、対向電極１６６の端部を精密に制御することは比較的難しい。このため、メタルマスクのアライメント精度や蒸着条件によっては、対向電極１６６の一部がパッシベーション膜１８０で覆われた領域外に形成されることがある。この場合、対向電極１６６の端部がパッシベーション膜１８０によって保護されないため、端部から水や酸素が侵入し、発光素子１６０の劣化に至る。

一方、補助配線２０４の第２の導電層１６２＿２に用いられる金属（例えば銀とマグネシウムの合金）も比較的水や酸素を通しやすく、発光素子１６０の劣化の原因となる。しかしながら補助配線２０４はレジストマスクを用いるフォトリソグラフィーを利用して形成するため、その形状を精度よく制御することができる。

従って上述した構成で示したように、補助配線２０４の第２の端部側に開口２１４を設けることにより、対向電極１６６の端部がパッシベーション膜１８０に覆われない領域まで形成される確率を大幅に低下させることができる。その結果、上述した問題を回避し、高い信頼性を表示装置１００に与えることができる。

３−２．基板長辺の構造
基板１０２の上辺に垂直な辺（以下、長辺、あるいは第２、第３の辺と記す）の近傍の周辺領域と表示領域１０６（図１における領域１０２＿２、１０２＿３）の構造を以下に説明する。上述した構造と同様の構造に関しては説明を省略することがある。

領域１０２＿２、１０２＿３の上面模式図をそれぞれ図７、図９に示す。図７の鎖線Ｂ−Ｂ´、および図９の鎖線Ｃ−Ｃ´に沿った断面模式図を図８、図１０にそれぞれに示す。これらの図に示すように、表示領域１０６と基板１０２の長辺との間の周辺領域にはゲート側駆動回路１０８が設けられ、ゲート側駆動回路１０８と基板１０２の端部との間には、ゲート側駆動回路１０８へ種々の信号を供給するための配線２２４が設けられる。図７から図１０に示した例では、配線２２４はゲート電極１３４と同一の層内に存在する例が示されているが、配線２２４はソース／ドレイン電極１３６、１３８と同一の層内に存在してもよい。

基板１０２の上辺近傍の周辺領域と表示領域１０６の構造と同様、平坦化膜１５０が表示領域１０６から周辺領域へ伸び、ゲート側駆動回路１０８を覆う。周辺領域にはさらに、平坦化膜１５０と同一の層内に存在する第１のダム２１０、第１のダム２１０を取り囲む第２のダム２１２が設けられる。第３の層間膜１５４は第１のダム２１０と第２のダム２１２を覆う。

平坦化膜１５０上には、画素電極１６２と同一の層内に存在する補助配線２０４が形成される。補助配線２０４は第１のダム２１０に囲まれる領域内に選択的に設けられる。図８、図１０に示すように、補助配線２０４はゲート側駆動回路１０８や配線２２４と重なってもよい。

隔壁１７０は、画素電極１６２を露出するための開口を表示領域１０６有するとともに、対向電極１６６と補助配線２０４との電気的接続のための開口２１４を有する。上述したように、開口２１４は必ずしも複数設ける必要は無く、基板１０２の長辺に平行な方向に延伸する単一の開口２１４によって電気的接続を行ってもよい。隔壁１７０は、表示領域１０６においては画素電極１６２の端部を覆い、周辺領域においては補助配線２０４の第１の端部、第２の端部、および第１のダム２１０を覆う。

パッシベーション膜１８０は第１のダム２１０に囲まれる領域内に選択的に形成される。また、樹脂層１９０は第２のダム２１２に囲まれる領域内に選択的に形成される。したがって、樹脂層１９０をマスクとするエッチングにおいて、パッシベーション膜１８０を樹脂層１９０によって保護することができ、高い信頼性を表示装置１００に与えることができる。

３−３．基板下辺の構造
基板１０２の下辺、すなわち、端子１１２が設けられる辺（第４の辺とも記す）の近傍の周辺領域と表示領域１０６（図１における領域１０２＿４）の構造を以下に説明する。上述した構造と同様の構造に関しては説明を省略することがある。

領域１０２＿４の上面模式図を図１１に、図１１の鎖線Ｄ−Ｄ´に沿った断面模式図を図１２に示す。図１１に示すように、表示領域１０６と下辺の間にはアナログスイッチなどを含むソース側駆動回路１１８が設けられ、ソース側駆動回路１１８から端子１１２へ配線２２６が延伸する。図１１に示すように、配線２２６は基板１０２の長辺や短辺から傾くように設けてもよい。配線２２６によって映像信号が画素１０４に供給される。図１２に示すように、図１１で示す例では、配線２２６はゲート電極１３４と同一の層に存在するが、ソース／ドレイン電極１３６、１３８と同一の層を用いて配線２２０を形成してもよい。

周辺領域にはさらに、配線２２８、２３０などが設けられる。これらの配線２２８、２３０の機能や用途に限定は無く、例えば画素電極１６２や対向電極１６６に電位を供給するための配線、各画素１０４に初期化電位を供給するための配線、あるいは駆動回路を制御するための信号を供給するための配線として用いることができる。また、配線２２６と異なる層であれば、配線２２８、２３０はソース／ドレイン電極１３６、１３８と同一の層、あるいは第１の層間膜１２４と第２の層間膜１２６の間に設けられてもよい。図１１、図１２に示した例では、配線２２８は、第１の層間膜１２４と第２の層間膜１２６の間に設けられる。一方、配線２３０は、ソース／ドレイン電極１３６、１３８と同一の層を用いて形成され、補助配線２０４と電気的に接続され、対向電極１６６に一定電位を供給する。

基板１０２の上辺近傍の周辺領域と表示領域１０６の構造と同様、平坦化膜１５０が表示領域１０６から周辺領域へ伸び、ソース側駆動回路１１８を覆う。周辺領域にはさらに、平坦化膜１５０と同一の層内に存在する第１のダム２１０、第１のダム２１０を取り囲む第２のダム２１２が設けられる。

平坦化膜１５０上には、画素電極１６２と同一の層内に存在する補助配線２０４が形成される。補助配線２０４は第１のダム２１０に囲まれる領域内に選択的に設けられる。図１１、図１２に示すように、補助配線２０４はソース側駆動回路１１８や配線２２６、配線２２８と重なってもよい。平坦化膜１５０と第１のダム２１０に囲まれた領域において、補助配線２０４は第３の層間膜１５４に設けられた開口を介して配線２３０と電気的に接続される。配線２３０には一定電位が印加され、これにより、対向電極１６６に一定電位が供給される。

隔壁１７０は、画素電極１６２を露出するための開口を表示領域１０６有するとともに、対向電極１６６と補助配線２０４との電気的接続のための開口２１４を有する。上述したように、開口２１４は必ずしも複数設ける必要は無く、基板１０２の下辺に平行な方向に延伸する単一の開口２１４を設けてもよい。隔壁１７０は、表示領域１０６においては画素電極１６２の端部を覆い、周辺領域においては補助配線２０４の第１の端部、第２の端部、および第１のダム２１０を覆う。

パッシベーション膜１８０は第１のダム２１０に囲まれる領域内に選択的に形成される。また、樹脂層１９０は第２のダム２１２に囲まれる領域内に選択的に形成される。したがって、樹脂層１９０をマスクとするエッチングにおいて、パッシベーション膜１８０を樹脂層１９０によって保護することができ、高い信頼性を表示装置１００に与えることができる。

図１３、図１４に、配線２２６の一部がゲート電極１３４と同一の層内（すなわち、ゲート絶縁膜１２２と第１の層間膜１２４との間）と、第１の層間膜１２４と第２の層間膜１２６の間に含まれる例を示す。図１３は領域１０２＿４の上面模式図であり、図１４は図１３の鎖線Ｅ−Ｅ´に沿った断面模式図である。

図１３に示すように、ソース側駆動回路１１８からは、ゲート電極１３４と同一の層内に存在する配線２２６＿１が基板１０２の長辺や短辺に斜めの方向に延伸する。これらの配線２２６＿１の各々は、周辺領域において屈曲し、長辺にほぼ平行な部分を有する。さらにこれらの配線２２６＿１は、一つ置きに、第１の層間膜１２４と第２の層間膜１２６の間に存在する配線２２６＿２に接続される。配線２２６＿２も基板１０２の長辺や短辺に斜めの方向に延伸する。

対向電極１６６に供給される電位は、ソース／ドレイン電極１３６、１３８と同一の層内に存在する配線２３０＿２に与えられる。配線２３０＿２は配線２２６＿１、２２６＿２と重なるように設けることができる。配線２２６＿１、２２６＿２は、配線２３０＿２の下で交互する。配線２３０＿２は、第２の層間膜１２６に設けられる開口を介し、第１の層間膜１２４と第２の層間膜１２６の間に配置される配線２２８と電気的に接続される。さらに配線２２８は、第２の層間膜１２６に設けられる開口を介し、ソース／ドレイン電極１３６、１３８と同一の層内に存在する配線２３０＿１と接続される。この配線２３０＿１は、平坦化膜１５０と第３の層間膜１５４に形成される開口において補助配線２０４と接続される。

図１３や図１４で示した例では、第１のダム２１０と第２のダム２１２は配線２２８と重なるように設けられるが、第１のダム２１０と第２のダム２１２の位置関係はこれに限られない。この例においても、パッシベーション膜１８０は第１のダム２１０に囲まれる領域内に選択的に形成され、樹脂層１９０は第２のダム２１２に囲まれる領域内に選択的に形成される。したがって、高い信頼性を表示装置１００に与えることができる。

図１、および第１から第４の辺の近傍の周辺領域の構造から理解されるように、補助配線２０４は表示領域１０６を取り囲む閉じた形状を有し、対向電極１６６と電気的に接続される。また、上述したように、補助配線２０４は画素電極１６２と同一の積層構造を有することができるため、十分に低い電気抵抗を有する。したがって、対向電極１６６のシート抵抗が高い場合でも、対向電極１６６の電位を均一にすることができる。その結果、表示領域１０６内で輝度の斑が発生せず、表示装置１００は高品質な画像を提供することが可能となる。

＜第２実施形態＞
本実施形態では、表示装置１００の製造方法を、第１の辺の近傍の周辺領域と表示領域１０６を例示して説明する。第１実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。

図１５（Ａ）は、基板１０２上にアンダーコート１２０、トランジスタ１３０、および配線２２０、２２２が形成された状態を示す。これらは公知の材料、手法を用いて形成することができるため、説明は省略する。この状態からトランジスタ１３０や配線２２０、２２２上に平坦化膜１５０を形成するとともに、第１のダム２１０と第２のダム２１２を形成する。具体的には、第１実施形態で述べた高分子材料のモノマー、あるいはオリゴマーをスピンコート法、印刷法、インクジェット法などの湿式成膜法を用いてトランジスタ１３０、配線２２０、２２２上に塗布し（図１５（Ｂ））、これに対してフォトマスクを介して露光を行い、その後現像を行う。露光後に加熱を行ってモノマーやオリゴマーの硬化をさらに進行させてもよい。これにより、ソース／ドレイン電極１３８を露出するための開口を有する平坦化膜１５０、および第１のダム２１０と第２のダム２１２が形成される（図１６（Ａ））。

その後、上記開口を覆い、ソース／ドレイン電極１３８と接する接続電極１５２を形成する（図１６（Ａ））。接続電極１５２は、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの透光性を有する導電性酸化物を含むことができ、スパッタリング法を適用して形成することができる。

引き続き、第３の層間膜１５４を平坦化膜１５０、第１のダム２１０、第２のダム２１２を覆うように形成する。第３の層間膜１５４はスパッタリング法、あるいは化学気相堆積（ＣＶＤ）法を用いて形成される。その後第３の層間膜１５４に対してエッチングを行い、接続電極１５２の底面を露出する開口を設ける（図１６（Ｂ））。平坦化膜１５０と隔壁１７０が直接接するための開口（図２参照）も同時に形成してもよい。

その後、画素電極１６２と補助配線２０４を同時に形成する。画素電極１６２と補助配線２０４が図２（Ｂ）に示した積層構造を有する場合、例えば透光性を有する導電性酸化物をスパッタリングすることで第１の導電層１６２＿１を形成し、銀やアルミニウムなどの金属を含む第２の導電層１６２＿２をスパッタリング法、あるいはＣＶＤ法を用いて形成し、最後に透光性を有する導電性酸化物をスパッタリングすることで第３の導電層１６２＿３を形成する。その後画素電極１６２と補助配線２０４が互いに物理的に分離されるようエッチングを行い、画素電極１６２と補助配線２０４が得られる（図１６（Ｂ））。

次に、隔壁１７０を形成する。具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、あるいはポリイミドなどの高分子の材料となるモノマー、あるいはオリゴマーを湿式成膜法を用いて塗布した後、露光、現像を行うことで、隔壁１７０が形成される（図１７（Ａ））。画素電極１６２を露出する開口、および補助配線２０４を露出する開口２１４が隔壁１７０に設けられるよう、フォトマスクが設計される。第１実施形態で述べたように、隔壁１７０は画素電極１６２の端部や補助配線２０４の第１の端部と第２の端部、および第１のダム２１０を覆う。また、図１７（Ａ）に示すように、隔壁１７０の開口の端部はテーパー形状を有することが好ましい。

引き続き、隔壁１７０と画素電極１６２を覆うように有機層１６４を形成する（図１７（Ａ））。有機層１６４は蒸着法、あるいは湿式成膜法を適用して形成することができる。その後有機層１６４を覆い、およびに開口２１４において補助配線２０４と接するように対向電極１６６を形成する（図１７（Ｂ））。対向電極も蒸着法、あるいはスパッタリング法を用いて形成することができる。以上の工程により、発光素子１６０が形成される。

その後パッシベーション膜１８０を形成する。具体的には図１８（Ａ）に示すように、まず、スパッタリング法やＣＶＤ法を用いて第１の層１８２を対向電極１６６や遮断領域１５６＿１と重なる隔壁１７０、第１のダム２１０、第２のダム２１２を覆うように形成する。この時、端子１１２上にも第１の層１８２が形成される。次に第２の層１８４を第１の層１８２の上に形成する。第２の層１８４はエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの高分子材料の原料となるモノマー、あるいはオリゴマーを湿式成膜法によって塗布、硬化することで形成することができる。あるいはモノマーやオリゴマーを減圧下で霧状あるいはガス状にし、これを第１の層１８２上に吹き付け、重合することによって形成してもよい。

この時、第１のダム２１０、およびこれに起因して隔壁１７０に形成される凸部により、モノマーやオリゴマーを第１のダム２１０に取り囲まれる領域に選択的に塗布することができる。すなわち、モノマーやオリゴマーが遮断領域１５６＿２や、第１のダム２１０の外側へ流出することを防ぐことができる。その結果、第２の層１８４を第１のダム２１０に取り囲まれる領域に選択的に形成することができる。

次に第２の層１８４、第１のダム２１０、第２のダム２１２を覆うように第３の層１８６を形成する。第３の層１８６は第１の層１８２と同様の手法で形成することができる。第３の層１８６も端子１１２と重なるように形成される。これにより、第２の層１８４を第１の層１８２と第３の層１８６によって封止することができる。図示しないが、第１の層１８２と第３の層１８６は、図１に示した端子１１２上にも形成される。

引き続き、樹脂層１９０を形成する。樹脂層１９０は、第１実施形態で述べた高分子材料の原料となるモノマー、あるいはオリゴマーを湿式成膜法を用いて塗布した後、露光、現像を行うことで形成される。この時、第２のダム２１２、およびこれに起因して第１の層１８２や第３の層１８６に形成される凸部により、モノマーやオリゴマーを第２のダム２１２に取り囲まれる領域に選択的に塗布することができる（図１８（Ｂ））。換言すると、第２のダム２１２に取り囲まれる領域に選択的に樹脂層１９０が形成される。その後、樹脂層１９０をマスクとしてエッチング（例えばドライエッチング）を行い、端子１１２上に形成される第１の層１８２と第３の層１８６を除去し、端子１１２を露出する。この時、図１８（Ｂ）に示すように、第１の辺の近傍においても、樹脂層１９０に覆われていない第１の層１８２や第３の層１８６が除去され、パッシベーション膜１８０の端部の位置が決定される。したがって、樹脂層１９０の側面の底辺は、第３の層１８６の側壁の上面と一致する。また、第１の層１８２の側面と第３の層１８６の側面は、同一平面上に存在することができる。

こののち、例えばアクリル系、エポキシ系、あるいはアクリレート系の接着剤を用いて接着層１９２を形成するとともに対向基板１１６を樹脂層１９０上に固定する。接着層１９２は樹脂層１９０の側面を覆うように形成してもよい（図４）。以上の工程により、表示装置１００が製造される。

上述したように、樹脂層１９０は湿式成膜法で形成されるため、その端部の位置を精密に制御することは必ずしも容易ではない。このため、樹脂層１９０が完全にパッシベーション膜１８０を覆わず、パッシベーション膜１８０が樹脂層１９０から一部露出すると、引き続くエッチングにおいてパッシベーション膜１８０が損傷し、比較的親水性の高い第２の層１８４を通して水や酸素などの不純物が表示領域１０６へ侵入する。その結果、発光素子１６０が劣化し、表示装置１００の信頼性が低下する。

しかしながら上述したように、第２の層１８４は第１の層１８２と第３の層１８６によって封止され、第２の層１８４を与えるモノマーやオリゴマーは第１のダム２１０によってその広がりに規制を受ける。このため、第２の層１８４は第１のダム２１０に取り囲まれる領域に選択的に形成される。同様に、樹脂層１９０を与えるモノマーやオリゴマーは第２のダム２１２によってその広がりが規制され、樹脂層１９０は第２のダム２１２に取り囲まれる領域に選択的に形成されれる。したがって、第１の層１８２、第２の層１８４、第３の層１８６の積層構造は、樹脂層１９０によって覆われ、樹脂層１９０から露出しない。このため、端子１１２を露出するエッチングにおいて、第１の層１８２、第２の層１８４、第３の層１８６の積層構造がエッチングによるダメージを受けることが無く、パッシベーション膜１８０の高い封止機能を損なうことがない。このため、表示装置１００に高い信頼性を付与することが可能となる。

＜第３実施形態＞
本実施形態では、表示装置１００の変形例を示す。図１９、図２０、図２１に、領域１０２＿１、１０２＿２、１０２＿４の断面模式図をそれぞれ示す。これらの図に示すように本変形例は、第１のダム２１０を覆う隔壁１７０＿２が、画素電極１６２の端部を覆う隔壁１７０＿１から離間している点において、表示装置１００と構造が異なる。隔壁１７０＿１は補助配線２０４を露出する開口２１４を有し、この開口において補助配線２０４と対向電極１６６が電気的に接続される。図６に示した表示装置１００と同様、遮断領域１５６＿１において補助配線２０４は第１の層１８２と接する。

樹脂層１９０を与えるモノマーやオリゴマーの粘性、あるいはこれらを含む混合物の粘性が著しく高い、もしくは塗布量が不足する場合、樹脂層１９０がパッシベーション膜１８０の端部を覆うことができないことがある（図２２（Ａ））。この場合、図２２（Ｂ）に示すように、引き続くエッチング工程においてパッシベーション膜１８０の端部がエッチングされ、樹脂層に覆われない部分が消失すし、隔壁１７０＿２が露出する。しかしながら本実施形態で示す変形例では、隔壁１７０＿２が発光素子１６０と接する隔壁１７０＿１と離間しているため、水や酸素などの不純物が隔壁１７０＿２へ輸送される経路が存在しない。その結果、発光素子１６０に対する影響がなく、表示装置１００の信頼性を確保することができる。

＜第４実施形態＞
本実施形態では、表示装置１００の変形例を示す。図２３、図２４、図２５に、領域１０２＿１、１０２＿２、１０２＿４の断面模式図をそれぞれ示す。これらの図に示すように本変形例は、周辺領域に単一のダム（第１のダム２１０）が設けられる点で表示装置１００や第３実施形態で述べた変形例と異なる。この場合、第１の層１８２や第３の層１８６は、端子１１２をマスクで覆いながらスパッタリング法を適用して形成することが好ましい。本変形例では、第１の層１８２や第３の層１８６のエッチング工程が不要となるだけでなく、第２のダム２１２と遮断領域１５６＿２を設ける必要が無い。したがって、周辺領域の面積を小さくすることができ、広い表示領域１０６を有する表示装置を製造することができる。

本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

本明細書においては、開示例として主にＥＬ表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。

上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１００：表示装置、１０２：基板、１０２＿１：領域、１０２＿２：領域、１０２＿３：領域、１０２＿４：領域、１０４：画素、１０６：表示領域、１０８：ゲート側駆動回路、１１２：端子、１１４：コネクタ、１１６：対向基板、１１８：ソース側駆動回路、１２０：アンダーコート、１２２：ゲート絶縁膜、１２４：第１の層間膜、１２６：第２の層間膜、１３０：トランジスタ、１３２：半導体膜、１３２ａ：活性領域、１３２ｂ：低濃度不純物領域、１３２ｃ：高濃度不純物領域、１３４：ゲート電極、１３６：ソース／ドレイン電極、１３８：ソース／ドレイン電極、１４０：保持容量、１４２：容量電極、１５０：平坦化膜、１５２：接続電極、１５４：第３の層間膜、１５６：ｊ、１５６＿１：遮断領域、１５６＿２：遮断領域、１６０：発光素子、１６２：画素電極、１６２＿１：第１の導電層、１６２＿２：第２の導電層、１６２＿３：第３の導電層、１６４：有機層、１６６：対向電極、１７０：隔壁、１８０：パッシベーション膜、１８２：第１の層、１８４：第２の層、１８６：第３の層、１９０：樹脂層、１９２：接着層、２０４：補助配線、２１０：第１のダム、２１２：第２のダム、２１４：開口、２２０：配線、２２２：配線、２２４：配線、２２６：配線、２２８：配線、２３０：配線

Claims (19)

1. 表示領域、および前記表示領域を取り囲む周辺領域を有する基板と、
   前記表示領域上に位置する画素と、
   前記画素上のパッシベーション膜と、
   前記パッシベーション膜上の樹脂層と、
   前記周辺領域上に位置し、前記表示領域を取り囲む第１のダムと、
   前記第１のダムを取り囲む第２のダムを有し、
   前記パッシベーション膜は、
   無機化合物を含む第１の層と、
   前記第１の層上に位置し、有機化合物を含む第２の層と、
   前記第２の層上に位置し、無機化合物を含む第３の層を有し、
   前記第２の層は前記第１のダムによって囲まれる領域内に選択的に配置され、
   前記樹脂層は、前記第２のダムによって囲まれる領域内に選択的に配置される表示装置。
2. 前記画素は、
   トランジスタと、
   前記トランジスタ上の平坦化膜と、
   前記平坦化膜上の発光素子を有し、
   前記第１のダムと前記第２のダムは、前記平坦化膜と同一の層内に存在し、
   前記第１のダム、前記第２のダム、および前記平坦化膜は互いに離間する、請求項１に記載の表示装置。
3. 隔壁をさらに有し、
   前記発光素子は、
   画素電極と、
   前記画素電極上の有機層と、
   前記有機層上の対向電極を有し、
   前記隔壁は前記画素電極の端部、および前記第１のダムを覆う、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記画素電極と同一層内に存在する補助配線を前記周辺領域上にさらに有し、
   前記隔壁は、前記補助配線と重なる開口を有し、
   前記開口において前記対向電極と前記補助配線が電気的に接続される、請求項３に記載の表示装置。
5. 表示領域、および前記表示領域を取り囲む周辺領域を有する基板と、
   前記表示領域上に位置する画素と、
   前記周辺領域上に位置し、前記表示領域を取り囲む補助配線を有し、
   前記画素は、
   画素電極、対向電極、および前記画素電極と前記対向電極に挟まれる有機層を含む発光素子、ならびに
   前記画素電極の端部を覆う隔壁を有し、
   前記画素電極と前記補助配線は同一の積層構造を有し、
   前記補助配線と前記対向電極は互いに電気的に接続され、
   前記隔壁は前記表示領域から前記周辺領域へ延在し、前記補助配線の第１の端部と、前記第１の端部に対向する第２の端部を覆う表示装置。
6. 前記補助配線と前記画素電極は同一の層内に存在する、請求項５に記載の表示装置。
7. 前記画素電極と電気的に接続されるトランジスタと、
   前記トランジスタと前記画素電極の間の平坦化膜と、
   前記周辺領域上に位置し、前記表示領域を取り囲む第１のダムと、
   前記第１のダムを取り囲む第２のダムをさらに有する、請求項５に記載の表示装置。
8. 前記平坦化膜、前記第１のダム、前記第２のダムは同一の層内に存在する、請求項７に記載の表示装置。
9. 前記補助配線の第２の端部は前記第１のダムの側壁と重なる、請求項７に記載の表示装置。
10. 前記第１のダムは前記隔壁に覆われる、請求項７に記載の表示装置。
11. 表示領域、および前記表示領域を取り囲む周辺領域を有する基板と、
    前記表示領域上の画素と、
    前記周辺領域上に位置し、前記表示領域を取り囲む第１のダムを有し、
    前記画素は、
    トランジスタと、
    前記トランジスタ上の平坦化膜と、
    前記平坦化膜上に位置し、画素電極、対向電極、および前記画素電極と前記対向電極の間の有機層を含む発光素子と、
    前記画素電極の端部を覆い、前記画素電極と前記有機層の間に挟まれる隔壁を有し、
    前記隔壁は、前記周辺領域へ延在し、前記第１のダムと重なる表示装置。
12. 前記第１のダムは、前記平坦化膜と同一の層内に存在する、請求項１１に記載の表示装置。
13. 前記第１のダムを取り囲む第２のダムをさらに有し、
    前記第２のダムは、前記平坦化膜と同一の層内に存在し、
    前記第１のダム、前記第２のダム、前記平坦化膜は互いに離間する、請求項１１に記載の表示装置。
14. 前記平坦化膜と前記画素電極の間に絶縁膜をさらに有し、
    前記トランジスタは、
    半導体膜と、
    ゲート電極と、
    前記半導体膜と前記ゲート電極の間のゲート絶縁膜と、
    前記半導体膜とゲート電極の上の層間膜と、
    前記層間膜上のソース／ドレイン電極を有し、
    前記絶縁膜は、前記平坦化膜と前記第１のダムの間で前記層間膜と接する、請求項１１に記載の表示装置。
15. 前記周辺領域上に位置し、前記表示領域を取り囲む補助配線をさらに有し、
    前記対向電極は前記補助配線と電気的に接続される、請求項１１に記載の表示装置。
16. 前記補助配線は、前記画素電極と同一の積層構造を有する、請求項１５に記載の表示装置。
17. 前記補助配線と前記画素電極の各々は、
    透光性導電酸化物を含む第１の導電層と、
    前記第１の導電層上に位置し、金属を含む第２の導電層と、
    前記第２の導電層上に位置し、透光性導電酸化物を含む第３の導電層を有する、請求項１５に記載の表示装置。
18. 前記発光素子上にパッシベーション膜をさらに有し、
    前記パッシベーション膜は、
    無機化合物を含む第１の層と、
    前記第１の層上に位置し、有機化合物を含む第２の層と、
    前記第２の層上に位置し、無機化合物を含む第３の層を有し、
    前記第２の層は、前記第１のダムに囲まれる領域内に選択的に配置される、請求項１３に記載の表示装置。
19. 前記パッシベーション膜上の樹脂層をさらに有し、
    前記樹脂層は、前記第２のダムに囲まれる領域内に選択的に配置される、請求項１８に記載の表示装置。

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