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JP2018166136A - Die bonding device and manufacturing method for semiconductor device - Google Patents

Die bonding device and manufacturing method for semiconductor device Download PDF

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JP2018166136A JP2017062308A JP2017062308A JP2018166136A JP 2018166136 A JP2018166136 A JP 2018166136A JP 2017062308 A JP2017062308 A JP 2017062308A JP 2017062308 A JP2017062308 A JP 2017062308A JP 2018166136 A JP2018166136 A JP 2018166136A
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Abstract

【課題】ダイボンディング装置の装置構成を複雑化することなく、プリメンテナンス時期を判断可能なダイボンディング装置を提供する。【解決手段】ダイボンディング装置は、ダイ供給部から供給されたダイを基板供給部から供給された基板にボンディングするボンディング部と、ボンディング部を制御する制御部と、を備える。前記制御部は、(a)前記基板を撮像装置で撮像して前記基板の位置を認識し、(b)前記基板および前記基板にボンディングされたダイを前記撮像装置で撮像して前記基板と前記基板にボンディングされたダイの位置を認識して、前記基板と前記ダイの相対位置を検査し、(c)前記(a)で認識した基板の位置と前記(b)で認識した基板の位置とに基づいて、基板の固定状態を診断する。【選択図】図5A die bonding apparatus capable of determining a pre-maintenance time without complicating the apparatus configuration of the die bonding apparatus. A die bonding apparatus includes a bonding unit that bonds a die supplied from a die supply unit to a substrate supplied from a substrate supply unit, and a control unit that controls the bonding unit. The control unit (a) images the substrate with an imaging device to recognize the position of the substrate, and (b) images the substrate and a die bonded to the substrate with the imaging device, and the substrate and the substrate Recognizing the position of the die bonded to the substrate and inspecting the relative position of the substrate and the die, (c) the position of the substrate recognized in (a) and the position of the substrate recognized in (b) Based on the above, the fixed state of the substrate is diagnosed. [Selection] Figure 5

Description

本開示はダイボンディング装置に関し、例えば自己診断機能を備えるダイボンディング装置に適用可能である。   The present disclosure relates to a die bonding apparatus, and is applicable to, for example, a die bonding apparatus having a self-diagnosis function.

半導体装置の製造工程の一部に半導体チップ(以下、単にダイという。)を配線基板やリードフレーム等(以下、単に基板という。)に搭載してパッケージを組み立てる工程があり、パッケージを組み立てる工程の一部に、半導体ウェハ(以下、単にウェハという。)からダイを分割する工程(ダイシング工程)と、分割したダイを基板の上に搭載するボンディング工程とがある。ボンディング工程に使用される半導体製造装置がダイボンダ等のダイボンディング装置である。   As part of the manufacturing process of a semiconductor device, there is a process of assembling a package by mounting a semiconductor chip (hereinafter simply referred to as a die) on a wiring board, a lead frame or the like (hereinafter simply referred to as a substrate). In part, there are a step of dicing a die from a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) (dicing step) and a bonding step of mounting the divided die on a substrate. A semiconductor manufacturing apparatus used in the bonding process is a die bonding apparatus such as a die bonder.

特開平7−141021号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-141021

従来のダイボンダでは、不良品が発生するまで装置動作の不具合が分からなかった。そこで、装置動作の不具合によるボンディング不良を防止するために、ダイボンダのプリメンテナンスを定期的に、或いは生産数に応じて実施していた。しかしながら、この方法では、不良を完全に防止するためには安全裕度を大きくとる必要があるため、メンテナンス回数が多くなり、スループットが低下する。   In the conventional die bonder, the malfunction of the apparatus was not known until a defective product was generated. Therefore, in order to prevent a bonding failure due to a malfunction of the apparatus, pre-maintenance of the die bonder has been performed regularly or according to the number of production. However, with this method, it is necessary to increase the safety margin in order to completely prevent defects, so that the number of maintenance increases and the throughput decreases.

本開示の目的は、ダイボンディング装置の装置構成を複雑化することなく、プリメンテナンス時期を判断可能なダイボンディング装置を提供することにある。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
An object of the present disclosure is to provide a die bonding apparatus capable of determining the pre-maintenance time without complicating the apparatus configuration of the die bonding apparatus.
Other problems and novel features will become apparent from the description of the specification and the accompanying drawings.

本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、ダイボンディング装置は、ダイ供給部と、基板供給部と、前記ダイ供給部から供給されたダイを前記基板供給部から供給された基板又は前記基板に既にボンディングされたダイ上にボンディングするボンディング部と、ダイ供給部と基板供給部とボンディング部とを制御する制御部と、を備える。前記ボンディング部は、前記ダイを吸着するコレットを備えたボンディングヘッドと、前記基板および前記基板にボンディングされたダイを撮像可能な第一撮像装置と、を備える。前記制御部は、(a)前記基板を前記第一撮像装置で撮像して前記基板の位置を認識し、(b)前記基板および前記基板にボンディングされたダイを前記第一撮像装置で撮像して前記基板と前記基板にボンディングされたダイの位置を認識して、前記基板と前記ダイの相対位置を検査し、(c)前記(a)で認識した基板の位置と前記(b)で認識した基板の位置とに基づいて、基板の固定状態を診断する。
An outline of typical ones of the present disclosure will be briefly described as follows.
In other words, the die bonding apparatus bonds a die supply unit, a substrate supply unit, and a die supplied from the die supply unit on a substrate supplied from the substrate supply unit or a die already bonded to the substrate. And a control unit that controls the die supply unit, the substrate supply unit, and the bonding unit. The bonding unit includes a bonding head including a collet that adsorbs the die, and a first imaging device capable of imaging the substrate and the die bonded to the substrate. The control unit (a) images the substrate with the first imaging device to recognize the position of the substrate, and (b) images the substrate and the die bonded to the substrate with the first imaging device. The position of the substrate and the die bonded to the substrate are recognized, the relative position of the substrate and the die is inspected, and (c) the position of the substrate recognized in (a) and the recognition in (b) The fixed state of the substrate is diagnosed based on the substrate position.

上記ダイボンディング装置によれば、ダイボンディング装置の装置構成を複雑化することなく、プリメンテナンス時期が判断可能である。   According to the die bonding apparatus, the pre-maintenance time can be determined without complicating the apparatus configuration of the die bonding apparatus.

実施例に係るダイボンダを示す概略上面図Schematic top view showing a die bonder according to an embodiment 図1に示す矢印A方向から見たボンディングヘッド等の動きを説明するための概略側面図Schematic side view for explaining the movement of the bonding head and the like as seen from the direction of arrow A shown in FIG. ダイ供給部の外観斜視図を示す図The figure which shows the external appearance perspective view of a die supply part ダイ供給部の主要部を示す概略断面図Schematic sectional view showing the main part of the die supply unit 図1のボンディング動作を示すフローチャートThe flowchart which shows the bonding operation | movement of FIG. ボンディング前後の基板認識の結果を示す図The figure which shows the result of substrate recognition before and after bonding 変形例1に係るボンディング動作を示すフローチャートThe flowchart which shows the bonding operation | movement which concerns on the modification 1. 変形例2に係るボンディング動作を示すフローチャートThe flowchart which shows the bonding operation | movement which concerns on the modification 2. ボンディング前後のダイ認識の結果を示す図Diagram showing the results of die recognition before and after bonding 変形例3に係るダイボンダを示す概略全体上面図Schematic overall top view showing a die bonder according to modification 3 図10に示す矢印A方向から見たピックアップヘッド、ボンディングヘッド等の動きを説明するための概略側面図Schematic side view for explaining the movement of the pick-up head, bonding head, etc. as seen from the direction of arrow A shown in FIG.

発明者等は、プリメンテナンスの時期を精度よく判断する方法について検討した結果、連続動作中(生産中)の認識結果を用いてボンディング精度に影響する機構などを診断することにより、その時期を判断できるとの知見を得た。本発明はこの新たな知見に基づいて生まれたものである。   As a result of examining the method for accurately determining the pre-maintenance time, the inventors determined the time by diagnosing the mechanism that affects bonding accuracy using the recognition result during continuous operation (during production). I learned that I can do it. The present invention was born based on this new knowledge.

例えば、基板を正常に固定できていない場合は、ボンディング精度が安定しない。基板固定が正常であるかどうかは2回以上の認識で判断することができる。また、ボンディング前のダイ位置および安定性とボンディング後のダイ外観結果との比較によって状態の悪いプロセスが限定される。   For example, when the substrate is not normally fixed, the bonding accuracy is not stable. Whether or not the substrate fixing is normal can be determined by two or more recognitions. Also, bad processes are limited by comparing the die position and stability before bonding with the die appearance results after bonding.

具体的には、例えば基板の認識を通常ボンディング前とボンディング後(外観検査)で行うが前後の比較をして基板固定状態を診断したり、ボンディング前にダイ裏面によるダイ位置を監視し、ダイのピックアップ状態、ボンディング状態を診断したりする。   Specifically, for example, substrate recognition is normally performed before bonding and after bonding (appearance inspection), but before and after comparison, the substrate fixing state is diagnosed, and the die position on the back surface of the die is monitored before bonding. Diagnose the pickup status and bonding status.

これにより、新たな機構などを追加することなくボンディング精度に影響する機構の不具合を発見することができる。また、プリメンテナンスの時期を正確に判断することができ、品質を低下することなく、スループットの向上を図ることができる。   As a result, it is possible to find a malfunction of the mechanism that affects the bonding accuracy without adding a new mechanism. In addition, it is possible to accurately determine the pre-maintenance time, and it is possible to improve the throughput without deteriorating the quality.

以下、実施例および変形例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。   Hereinafter, examples and modifications will be described with reference to the drawings. However, in the following description, the same components may be denoted by the same reference numerals and repeated description may be omitted. In order to clarify the description, the drawings may be schematically represented with respect to the width, thickness, shape, etc. of each part as compared to the actual embodiment, but are merely examples, and the interpretation of the present invention is not limited to them. It is not limited.

図1は実施例に係るダイボンダの概略上面図である。図2は、図1の矢印Aから見たボンディングヘッド及びその周辺部における概略構成とその動作を説明するための概略側面図である。   FIG. 1 is a schematic top view of a die bonder according to an embodiment. FIG. 2 is a schematic side view for explaining a schematic configuration and operation of the bonding head and its peripheral portion as seen from the arrow A in FIG.

ダイボンダ10は、単一の搬送レーンと単一のボンディングヘッドを有するダイボンダである。ダイボンダ10は、大別して、配線を含む一つ又は複数の最終1パッケージとなる製品エリア(以下、パッケージエリアPという。)(図1では15箇所)をプリントした基板9に実装するダイDを供給するダイ供給部1と、ダイ供給部1からダイDをピックアップし基板9又は既にボンディングされたダイDの上にボンディングするボンディング部4と、基板9を実装位置に搬送する搬送部5、搬送部5に基板9を供給する基板供給部6と、実装された基板9を受け取る基板搬出部7と、各部の動作を監視し制御する制御部8とを有する。   The die bonder 10 is a die bonder having a single transport lane and a single bonding head. The die bonder 10 is roughly divided to supply a die D to be mounted on a printed circuit board 9 on which a product area (hereinafter referred to as a package area P) (15 locations in FIG. 1) to be one or a plurality of final packages including wirings is printed. Die supply unit 1 for picking up, bonding unit 4 for picking up die D from die supply unit 1 and bonding it onto substrate 9 or already bonded die D, transport unit 5 for transporting substrate 9 to the mounting position, transport unit 5, a substrate supply unit 6 that supplies the substrate 9 to the substrate 5, a substrate carry-out unit 7 that receives the mounted substrate 9, and a control unit 8 that monitors and controls the operation of each unit.

まず、ダイ供給部1は、複数のグレードのダイDを有するウェハ11を保持するウェハ保持台12とウェハ11からダイDを突き上げる点線で示す突上げユニット13とを有する。ダイ供給部1において、ウェハ保持台12はその下部に配置された図示しない駆動手段によってXY方向に移動され、ダイDをウェハ11からピックアップする際に所定のダイが突上げユニット13と平面的に重なる位置となるように移動される。   First, the die supply unit 1 includes a wafer holding table 12 that holds a wafer 11 having a plurality of grades of die D, and a push-up unit 13 indicated by a dotted line that pushes up the die D from the wafer 11. In the die supply unit 1, the wafer holder 12 is moved in the X and Y directions by a driving unit (not shown) disposed below the die supply unit 1, and when a die D is picked up from the wafer 11, a predetermined die is planar with the push-up unit 13. It is moved so that it is in the overlapping position.

ボンディング部4は、突上げユニット13で突き上げられたダイDを先端に吸着保持するコレット42を有し、ダイDをピックアップし、搬送されてきた基板9のパッケージエリアPにボンディングするボンディングヘッド41と、ボンディングヘッド41をY方向に移動させるY駆動部43と、搬送されてきた基板9のパッケージエリアPの位置認識マーク(図示せず)を撮像し、ボンディングすべきダイDのボンディング位置を認識する基板認識カメラ(第一撮像装置)44と、ピックアップされたダイDの裏面を撮像し、ダイの位置を認識するダイ認識カメラ(第二撮像装置)45と、を有する。ピックアップは、ウェハ11の有するダイのグレードを示す分類マップに基づいて行う。分類マップは制御部8に予め記憶されている。なお、ボンディングヘッド41は、コレット42を昇降及びX方向移動させる図示しない各駆動部を有し、図2に矢印で示すように上下左右に移動可能である。   The bonding unit 4 includes a collet 42 that sucks and holds the die D pushed up by the push-up unit 13 at the tip, and a bonding head 41 that picks up the die D and bonds it to the package area P of the substrate 9 that has been conveyed. The Y drive unit 43 that moves the bonding head 41 in the Y direction and the position recognition mark (not shown) of the package area P of the substrate 9 that has been conveyed are imaged to recognize the bonding position of the die D to be bonded. A substrate recognition camera (first imaging device) 44 and a die recognition camera (second imaging device) 45 that images the back surface of the picked up die D and recognizes the position of the die. The pickup is performed based on a classification map indicating the grade of the die that the wafer 11 has. The classification map is stored in the control unit 8 in advance. The bonding head 41 has driving units (not shown) that move the collet 42 up and down and move in the X direction, and is movable up and down and left and right as indicated by arrows in FIG.

このような構成によって、ボンディングヘッド41は、ダイ認識カメラ45の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、からダイDをピックアップし、基板認識カメラ44の撮像データに基づいて基板9のパッケージエリアPにダイDをボンディングする。   With such a configuration, the bonding head 41 corrects the pickup position / orientation based on the imaging data of the die recognition camera 45, picks up the die D, and then packages the substrate 9 based on the imaging data of the substrate recognition camera 44. The die D is bonded to the area P.

搬送部5は、基板9を搬送する2本の搬送シュートを有する。例えば、基板9は2本搬送シュートに設けられた図示しない搬送ベルトで移動する。   The transport unit 5 includes two transport chutes that transport the substrate 9. For example, the substrate 9 is moved by a conveyance belt (not shown) provided on the two conveyance chutes.

このような構成によって、基板9は、基板供給部6で搬送レーン51に載置され、搬送シュートに沿ってボンディング位置まで移動し、ボンディング後基板搬出部7まで移動する。なお、その後基板搬出部7から基板供給部6へ向けて移動することにより、基板9の別のパッケージエリアへダイをボンディングしたり、ダイの上へ更にダイをボンディングしたりすることもできる。基板供給部6と基板搬出部7との間を複数回往復し、ダイを多層にダイボンディングすることもできる。   With such a configuration, the substrate 9 is placed on the transfer lane 51 by the substrate supply unit 6, moves to the bonding position along the transfer chute, and moves to the post-bonding substrate unloading unit 7. It is also possible to bond the die to another package area of the substrate 9 or further bond the die onto the die by moving from the substrate carry-out unit 7 to the substrate supply unit 6 thereafter. It is also possible to reciprocate a plurality of times between the substrate supply unit 6 and the substrate carry-out unit 7 to bond the dies in multiple layers.

次に、ダイ供給部1の構成について図3および図4を用いて説明する。図3はダイ供給部の外観斜視図を示す図である。図4はダイ供給部の主要部を示す概略断面図である。   Next, the configuration of the die supply unit 1 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 3 is an external perspective view of the die supply unit. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the main part of the die supply unit.

ダイ供給部1は、水平方向(XY方向)に移動するウェハ保持台12と、上下方向に移動する突上げユニット13と、を備える。ウェハ保持台12は、ウェハリング14を保持するエキスパンドリング15と、ウェハリング14に保持され複数のダイDが接着されたダイシングテープ16を水平に位置決めする支持リング17と、を有する。突上げユニット13は支持リング17の内側に配置される。   The die supply unit 1 includes a wafer holding table 12 that moves in the horizontal direction (XY direction) and a push-up unit 13 that moves in the vertical direction. The wafer holder 12 includes an expand ring 15 that holds the wafer ring 14 and a support ring 17 that horizontally positions the dicing tape 16 that is held by the wafer ring 14 and to which a plurality of dies D are bonded. The push-up unit 13 is disposed inside the support ring 17.

ダイ供給部1は、ダイDの突き上げ時に、ウェハリング14を保持しているエキスパンドリング15を下降させる。その結果、ウェハリング14に保持されているダイシングテープ16が引き伸ばされダイDの間隔が広がり、突上げユニット13によりダイD下方よりダイDを突き上げ、ダイDのピックアップ性を向上させている。ウェハ11とダイシングテープ16との間にダイアタッチフィルム(DAF)18と呼ばれるフィルム状の接着材料を貼り付けている。ダイアタッチフィルム18を有するウェハ11では、ダイシングは、ウェハ11とダイアタッチフィルム18に対して行なわれる。従って、剥離工程では、ウェハ11とダイアタッチフィルム18をダイシングテープ16から剥離する。   The die supply unit 1 lowers the expand ring 15 holding the wafer ring 14 when the die D is pushed up. As a result, the dicing tape 16 held on the wafer ring 14 is stretched to widen the distance between the dies D, and the die D is pushed up from below the die D by the push-up unit 13 to improve the pick-up property of the die D. A film-like adhesive material called a die attach film (DAF) 18 is attached between the wafer 11 and the dicing tape 16. In the wafer 11 having the die attach film 18, dicing is performed on the wafer 11 and the die attach film 18. Therefore, in the peeling process, the wafer 11 and the die attach film 18 are peeled from the dicing tape 16.

制御部8は、ダイボンダ10の各部の動作を監視し制御するプログラム(ソフトウェア)を格納するメモリと、メモリに格納されたプログラムを実行する中央処理装置(CPU)と、を備える。例えば、制御部8は、基板認識カメラ44及び基板認識カメラ44からの画像情報、ボンディングヘッド41の位置などの各種情報を取り込み、ボンディングヘッド41のボンディング動作など各構成要素の各動作を制御する。   The control unit 8 includes a memory that stores a program (software) that monitors and controls the operation of each unit of the die bonder 10, and a central processing unit (CPU) that executes the program stored in the memory. For example, the control unit 8 takes in various information such as the substrate recognition camera 44 and image information from the substrate recognition camera 44 and the position of the bonding head 41 and controls each operation of each component such as the bonding operation of the bonding head 41.

上述したように、ダイボンダ10は、ウェハ11上のダイDの姿勢を認識するウェハ認識カメラ24と、ピックアップされたダイDの裏面を撮像し、ダイの位置を認識するダイ認識カメラ45とボンディングステージBS上の実装位置を認識する基板認識カメラ44とを有する。認識カメラ間の姿勢ずれ補正しなければならないのは、ボンディングヘッド41によるピックアップに関与するウェハ認識カメラ24およびダイ認識カメラ45と、ボンディングヘッド41による実装位置へのボンディングに関与する基板認識カメラ44である。本実施例ではウェハ認識カメラ24を用いてダイDの位置決めを行い、基板認識カメラ44を用いてパッケージエリアPの位置決めおよびパッケージエリアPとパッケージエリアPにボンディングされたダイの相対位置の検査を行う。   As described above, the die bonder 10 includes the wafer recognition camera 24 that recognizes the posture of the die D on the wafer 11, the die recognition camera 45 that recognizes the position of the die by imaging the back surface of the picked up die D, and the bonding stage. And a substrate recognition camera 44 for recognizing the mounting position on the BS. It is the wafer recognition camera 24 and the die recognition camera 45 that are involved in the pickup by the bonding head 41 and the substrate recognition camera 44 that is involved in the bonding to the mounting position by the bonding head 41 that needs to correct the posture deviation between the recognition cameras. is there. In this embodiment, the wafer recognition camera 24 is used to position the die D, and the substrate recognition camera 44 is used to position the package area P and to check the relative position of the die bonded to the package area P and the package area P. .

図5は実施例に係るダイボンディング装置におけるダイボンディング工程を説明するフローチャートである。
実施例のダイボンディング工程では、まず、制御部8は、ウェハ11を保持しているウェハリング14をウェハカセットから取り出してウェハ保持台12に載置し、ウェハ保持台12をダイDのピックアップが行われる基準位置まで搬送する(ウェハローディング)。次いで、制御部8は、ウェハ認識カメラ24によって取得した画像から、ウェハ11の配置位置がその基準位置と正確に一致するように微調整を行う。
FIG. 5 is a flowchart for explaining a die bonding process in the die bonding apparatus according to the embodiment.
In the die bonding process of the embodiment, first, the control unit 8 takes out the wafer ring 14 holding the wafer 11 from the wafer cassette and places it on the wafer holding table 12, and the wafer holding table 12 is picked up by the die D. Transfer to a reference position to be performed (wafer loading). Next, the control unit 8 performs fine adjustment from the image acquired by the wafer recognition camera 24 so that the arrangement position of the wafer 11 exactly matches the reference position.

次に、制御部8は、ウェハ11が載置されたウェハ保持台12を所定ピッチでピッチ移動させ、水平に保持することによって、最初にピックアップされるダイDをピックアップ位置に配置する(ダイ搬送)。ウェハ11は、予めプローバ等の検査装置により、ダイ毎に検査され、ダイ毎に良、不良を示すマップデータが生成され、制御部8の記憶装置に記憶される。ピックアップ対象となるダイDが良品であるか、不良品であるかの判定はマップデータにより行われる。制御部8は、ダイDが不良品である場合は、ウェハ11が載置されたウェハ保持台12を所定ピッチでピッチ移動させ、次にピックアップされるダイDをピックアップ位置に配置し、不良品のダイDをスキップする。   Next, the control unit 8 moves the wafer holding table 12 on which the wafer 11 is placed at a predetermined pitch and holds it horizontally to place the die D to be picked up first at the pickup position (die transfer). ). The wafer 11 is inspected in advance for each die by an inspection device such as a prober, and map data indicating good and defective for each die is generated and stored in the storage device of the control unit 8. Whether the die D to be picked up is a non-defective product or a defective product is determined based on the map data. When the die D is defective, the control unit 8 moves the wafer holding table 12 on which the wafer 11 is placed at a predetermined pitch, and arranges the die D to be picked up next at the pickup position. Die D is skipped.

制御部8は、ウェハ認識カメラ24によってピックアップ対象のダイDの主面(上面)を撮影し、取得した画像からピックアップ対象のダイDの上記ピックアップ位置からの位置ずれ量を算出する。制御部8は、この位置ずれ量を基にウェハ11が載置されたウェハ保持台12を移動させ、ピックアップ対象のダイDをピックアップ位置に正確に配置する(ダイ確認(ステップS1))。   The control unit 8 images the main surface (upper surface) of the die D to be picked up by the wafer recognition camera 24, and calculates the amount of positional deviation from the pickup position of the die D to be picked up from the acquired image. The control unit 8 moves the wafer holding table 12 on which the wafer 11 is placed based on the positional deviation amount, and accurately places the die D to be picked up at the pick-up position (die check (step S1)).

制御部8は、基板供給部6で基板9を搬送レーン51に載置する(基板ローディング)。制御部8は、基板9をボンディング位置まで移動させる(基板搬送)。   The control unit 8 places the substrate 9 on the transport lane 51 by the substrate supply unit 6 (substrate loading). The controller 8 moves the substrate 9 to the bonding position (substrate transport).

制御部8は、ボンディングするためボンディング前に基板認識カメラ44にて基板を撮像して基板9のパッケージエリアPの位置を認識して位置決めを行う(基板認識(ステップS4))。   The controller 8 images the substrate with the substrate recognition camera 44 before bonding and recognizes the position of the package area P of the substrate 9 for bonding (substrate recognition (step S4)).

制御部8は、ピックアップ対象のダイDを正確にピックアップ位置に配置した後、コレット42を含むボンディングヘッド41によってダイシングテープ16からダイDをピックアップし(ステップS2)、ステップS4の基板認識結果に基づいて基板9のパッケージエリアPまたは既に基板9のパッケージエリアPにボンディングされているダイにダイボンディングする(ステップS5)。ピックアップしたダイDの裏面をダイ認識カメラ45で撮像し、ダイDの位置を検査してもよい(ステップS3)。このステップはオプション(OPTION)である。   The controller 8 accurately arranges the die D to be picked up at the pick-up position, then picks up the die D from the dicing tape 16 by the bonding head 41 including the collet 42 (step S2), and based on the substrate recognition result in step S4. Then, die bonding is performed on the package area P of the substrate 9 or a die already bonded to the package area P of the substrate 9 (step S5). The back surface of the picked up die D may be imaged by the die recognition camera 45, and the position of the die D may be inspected (step S3). This step is optional.

制御部8は、ダイDをボンディングした後、そのボンディング位置が正確になされているかを検査する。制御部8は、ボンディング実装結果を検査するために再度、基板認識カメラ44にて基板9のパッケージエリアPを撮像して基板9のパッケージエリアPの位置認識を行う(ステップS6)。制御部8は、基板認識カメラ44にてダイDを撮像してダイDの位置認識を行い(ステップS7)、基板認識およびダイ認識結果からボンディングしたダイDの位置の検査を行う。制御部8は、事前に登録しているボンディング位置と比較し数値出力と検査・判定を行う。   After the die D is bonded, the control unit 8 inspects whether the bonding position is made accurately. In order to inspect the bonding mounting result, the control unit 8 captures the package area P of the substrate 9 again with the substrate recognition camera 44 and recognizes the position of the package area P of the substrate 9 (step S6). The control unit 8 images the die D with the substrate recognition camera 44, recognizes the position of the die D (step S7), and inspects the position of the bonded die D from the substrate recognition and the die recognition result. The control unit 8 performs numerical output and inspection / determination in comparison with bonding positions registered in advance.

制御部8は後述する自己診断を行い(ステップS9)、異常がなければ次のボンディングを行う(ステップS8)。   The controller 8 performs a self-diagnosis described later (step S9), and if there is no abnormality, performs the next bonding (step S8).

以後、同様の手順に従ってダイDが1個ずつ基板9のパッケージエリアPにボンディングする。1つの基板のボンディングが完了すると、基板9を基板搬出部7まで移動して(基板搬送)、基板搬出部7に基板9を渡す(基板アンローディング)。   Thereafter, the die D is bonded to the package area P of the substrate 9 one by one according to the same procedure. When the bonding of one substrate is completed, the substrate 9 is moved to the substrate unloading unit 7 (substrate transfer), and the substrate 9 is transferred to the substrate unloading unit 7 (substrate unloading).

また、同様の手順に従ってダイDが1個ずつダイシングテープ16から剥がされる。不良品を除くすべてのダイDのピックアップが完了すると、それらダイDをウェハ11の外形で保持していたダイシングテープ16およびウェハリング14等をウェハカセットへアンローディングする。   Further, the dies D are peeled from the dicing tape 16 one by one according to the same procedure. When the pickup of all the dies D excluding defective products is completed, the dicing tape 16 and the wafer ring 14 that hold the dies D in the outer shape of the wafer 11 are unloaded to the wafer cassette.

次に、自己診断(ステップS9)について図6を用いて説明する。図6は基板認識結果と外観検査結果を示す図であり、図6(A)は基板固定不十分の場合、図6(B)は基板固定正常の場合である。図6の横軸はボンディング回数(着工回数)を示し、縦軸は基準に対する基板の位置(μm)を示している。図6(B)のボンディング回数は1〜304で、図6(A)のボンディング回数は870〜1000である。   Next, the self-diagnosis (step S9) will be described with reference to FIG. 6A and 6B are diagrams showing a substrate recognition result and an appearance inspection result. FIG. 6A shows a case where the substrate is not sufficiently fixed, and FIG. 6B shows a case where the substrate is fixed normally. The horizontal axis in FIG. 6 indicates the number of bondings (starting times), and the vertical axis indicates the position (μm) of the substrate with respect to the reference. The number of bondings in FIG. 6B is 1 to 304, and the number of bondings in FIG. 6A is 870 to 1000.

制御部8は、ボンディング前後の基板認識結果を比較し基板の位置移動量を算出し、基板の位置移動量が所定量以上の場合は、基板固定不十分と判断し警告する。   The controller 8 compares the substrate recognition results before and after bonding to calculate the amount of movement of the substrate, and if the amount of movement of the substrate is greater than or equal to a predetermined amount, determines that the substrate is insufficiently fixed and gives a warning.

具体的には、制御部8は、ステップS4の基板認識でのパッケージエリアPの位置(PS4)とステップS6の基板認識でのパッケージエリアPの位置(PS6)とを比較し、その差(基板の位置移動量)を算出する。着工回数の大きい図6(A)ではPS4およびPS6の変動が大きく、基板の位置移動量も大きい。着工回数の小さい図6(B)ではPS4およびPS6の変動は図6(A)よりも小さく、基板の位置移動量も小さい。なお、図6(A)(B)には基板の位置移動量は示されていないが、基板の位置移動量はボンディング前後の基板の位置の差であり、図から容易に把握することができる。制御部8は、図6(A)に示すように、基板の位置移動量が大きい場合、基板固定不十分と判定し、図6(B)に示すように、基板の位置移動量が小さい場合、基板固定正常と判定する。 Specifically, the control unit 8 compares the position (P S4 ) of the package area P in the substrate recognition in step S4 with the position (P S6 ) of the package area P in the substrate recognition in step S6, and the difference Calculate (the amount of movement of the substrate position). In FIG. 6A where the number of starts is large, fluctuations in P S4 and P S6 are large, and the amount of movement of the substrate is also large. In FIG. 6B where the number of starts is small, the fluctuations of P S4 and P S6 are smaller than those in FIG. 6A and 6B do not show the amount of movement of the substrate, but the amount of movement of the substrate is a difference in the position of the substrate before and after bonding, and can be easily grasped from the drawings. . As shown in FIG. 6A, the control unit 8 determines that the substrate is not sufficiently fixed when the substrate position movement amount is large, and the substrate position movement amount is small as shown in FIG. 6B. Then, it is determined that the substrate is fixed normally.

例えば、制御部8は、基板の位置移動量が、1〜5μmの場合は基板固定十分(正常)、5〜10μmの場合は通常ばらつき範囲、10μm以上の場合は基板固定不十分と判定する。基板固定不十分と判定された場合、例えば機械的クランプ不十分、吸着による固定不十分、カメラ・レンズ固定不十分が考えられ、機械的クランプが不十分であれば高さを見直し、吸着による固定が不十分であればリークや配管折れを見直し、カメラ・レンズ固定が不十分であればゆるみ、剥がれを見直する。   For example, the control unit 8 determines that the substrate is sufficiently fixed (normal) when the position movement amount of the substrate is 1 to 5 μm (normal), the normal variation range when it is 5 to 10 μm, and the substrate fixing is insufficient when it is 10 μm or more. If it is determined that the substrate is not fixed enough, for example, insufficient mechanical clamping, insufficient fixation due to suction, or insufficient camera / lens fixation may be considered. If the mechanical clamp is insufficient, review the height and fix by suction. If there is not enough, review leaks and broken pipes, and if the camera and lens are not sufficiently fixed, loosen and peel off.

以上実施例によれば、ダイボンダの装置構成を複雑化することなく、プリメンテナンス時期を判断可能なダイボンダおよびボンディング方法を提供することができる。これにより、高精度のダイボンダを提供することができ、高精度を維持することができる。   According to the above-described embodiments, it is possible to provide a die bonder and a bonding method capable of determining the pre-maintenance time without complicating the device configuration of the die bonder. Thereby, a highly accurate die bonder can be provided and high accuracy can be maintained.

<変形例>
以下、代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施例にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施例と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施例における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施例の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。
<Modification>
Hereinafter, some typical modifications will be exemplified. In the following description of the modified examples, the same reference numerals as those in the above-described embodiments can be used for portions having the same configurations and functions as those described in the above-described embodiments. And about description of this part, the description in the above-mentioned Example shall be used suitably in the range which is not technically consistent. In addition, a part of the above-described embodiments and all or a part of the plurality of modified examples can be appropriately combined in a range not technically inconsistent.

(変形例1)
実施例ではステップS3はオプション(OPTION)であるが、変形例1ではステップS3を行う。変形例1は、自己診断を除き実施例と同様である。変形例1に係る自己診断(ステップSA)について図7を用いて説明する。図7は変形例1に係るボンディング動作を示すフローチャートである。
(Modification 1)
In the embodiment, Step S3 is an option, but in Modification 1, Step S3 is performed. Modification 1 is the same as the embodiment except for self-diagnosis. A self-diagnosis (step SA) according to the first modification will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a flowchart showing a bonding operation according to the first modification.

制御部8は、ボンディング前にダイ裏面の位置検査を行う(位置検査結果に基づいて位置補正はしてもよいし、しなくても良い)。ステップS3のダイ裏面位置検査におけるダイDの位置と登録されているダイの位置とを比較し、その差(ダイの位置移動量)を算出する。   The control unit 8 performs a position inspection on the back surface of the die before bonding (position correction may or may not be performed based on the position inspection result). The position of the die D in the die back surface position inspection in step S3 is compared with the registered die position, and the difference (the amount of movement of the die position) is calculated.

例えば、制御部8は、ダイの位置移動量が、1〜5μmの場合はダイ認識・ピックアップ正常、5〜10μmの場合は通常ばらつき範囲、10μm以上の場合はピックアップ位置異常と判定する。ピックアップ位置異常と判定された場合、例えばダイ認識不具合またはピックアップ時ずれが考えられ、ダイ認識不具合であれば分解能、登録パターン等を見直し、ピックアップ時ずれであれば吸着圧、タイミング、高さを見直しする。   For example, the control unit 8 determines that the die recognition / pickup is normal when the die position movement amount is 1 to 5 μm, the normal variation range is 5 μm, and the pickup position is abnormal when it is 10 μm or more. If it is determined that the pickup position is abnormal, for example, there may be a die recognition failure or a pickup shift, and if it is a die recognition failure, review the resolution, registration pattern, etc. To do.

(変形例2)
実施例ではステップS3はオプション(OPTION)であるが、変形例2では変形例1と同様にステップS3を行う。変形例2は、自己診断を除き実施例と同様である。変形例2に係る自己診断(ステップS9、SB)について図8、9を用いて説明する。
(Modification 2)
In the embodiment, step S3 is an option, but in the second modification, step S3 is performed as in the first modification. Modification 2 is the same as the embodiment except for self-diagnosis. The self-diagnosis (steps S9 and SB) according to the modified example 2 will be described with reference to FIGS.

図8は変形例2に係るボンディング動作を示すフローチャートである。図9はピックアップ異常でありボンディング正常の場合のダイ裏面位置検査結果と外観検査結果を示す図である。図9の横軸はボンディング回数(着工回数)を示し、縦軸は基準に対するダイの位置(μm)を示している。図9のボンディング回数は1〜320である。   FIG. 8 is a flowchart showing a bonding operation according to the second modification. FIG. 9 is a diagram showing the die back surface position inspection result and the appearance inspection result when the pickup is abnormal and the bonding is normal. The horizontal axis in FIG. 9 indicates the number of bondings (starting times), and the vertical axis indicates the die position (μm) with respect to the reference. The number of times of bonding in FIG.

制御部8は、ボンディング前後のダイ認識結果を比較しダイの位置移動量を算出し、ボンディング前のダイ裏面位置と外観検査結果が大きく異なる場合、基板固定状態やボンディングプロセスに不具合有と判断し警告する。   The control unit 8 compares the die recognition results before and after bonding to calculate the die position movement amount. If the die back surface position before bonding and the appearance inspection result are greatly different, it is determined that there is a defect in the substrate fixing state or the bonding process. Warning.

具体的には、制御部8は、ステップS3のダイ裏面位置検査におけるダイDの位置(PS3)とステップS7のダイ位置認識におけるダイの位置(PS7)とを比較し、その差(ダイの位置移動量)を算出する。図9ではPS3およびPS7の変動方向は同傾向にあり、位置移動量は比較的小さい。 Specifically, the control unit 8 compares the position of the die D (P S3 ) in the die back surface position inspection in step S3 with the position of the die (P S7 ) in the die position recognition in step S7, and the difference (die Position movement amount) is calculated. In FIG. 9, the fluctuation directions of P S3 and P S7 have the same tendency, and the position movement amount is relatively small.

例えば、制御部8は、ダイの位置移動量が、1〜5μmの場合(ダイの基準に対する位置ずれがボンディング前後で同傾向である場合)は基板固定十分(正常)およびボンディング正常、5〜10μmの場合(ダイの基準に対する位置ずれがボンディング前後で同傾向である場合)は通常ばらつき範囲、10μm以上の場合は基板固定不十分またはボンディング異常と判定する。制御部8は、基板固定不十分またはボンディング異常と判定した場合、ボンディング前後の基板認識結果を比較し基板の位置移動量を算出し、基板の位置移動量が所定量以上の場合は、基板固定不十分と判定する。制御部8は、基板固定正常と判定された場合はボンディング異常と判定する。ボンディング異常と判定された場合は、ボンディングヘッドまたはコレット異常、もしくはボンディング圧着不良が考えられ。ボンディングヘッドまたはコレット異常であれば機械的ガタを確認し、ボンディング圧着不良であれば高さや温度を見直しする。   For example, the control unit 8 determines that the substrate is sufficiently fixed (normal) and the bonding is normal and the bonding is normal, 5 to 10 μm when the amount of movement of the die is 1 to 5 μm (when the positional deviation with respect to the die reference is the same before and after bonding). In the case of (when the positional deviation with respect to the reference of the die has the same tendency before and after bonding), it is determined that the substrate is insufficiently fixed or the bonding is abnormal when the variation range is 10 μm or more. When the controller 8 determines that the substrate is not sufficiently fixed or the bonding is abnormal, the control unit 8 compares the substrate recognition results before and after the bonding and calculates the amount of movement of the substrate. If the amount of movement of the substrate is equal to or larger than the predetermined amount, the substrate is fixed. Judge as insufficient. When it is determined that the substrate fixing is normal, the control unit 8 determines that the bonding is abnormal. If it is determined that the bonding is abnormal, it may be a bonding head or collet abnormality or a bonding press failure. If the bonding head or collet is abnormal, check the mechanical backlash. If the bonding pressure is poor, review the height and temperature.

(変形例3)
実施例はボンディングヘッド41でウェハからダイDをピックアップする構成としているが、変形例3はボンディングヘッド41の移動距離を短くし処理時間を短縮するために、ダイ供給部1とボンディング部4との間に中間ステージ31を設ける。
(Modification 3)
In the embodiment, the die D is picked up from the wafer by the bonding head 41. However, in the third modification, in order to shorten the moving distance of the bonding head 41 and shorten the processing time, the die supply unit 1 and the bonding unit 4 An intermediate stage 31 is provided between them.

変形例3に係るダイボンダについて図10、11を用いて説明する。図10は変形例3に係るダイボンダの概略上面図である。図11は、図10の矢印Aから見たピックアップヘッドやボンディングヘッド及びその周辺部における概略構成とその動作を説明するための概略側面図である。   A die bonder according to Modification 3 will be described with reference to FIGS. FIG. 10 is a schematic top view of a die bonder according to Modification 3. FIG. 11 is a schematic side view for explaining a schematic configuration and operation of the pickup head, the bonding head, and the peripheral portion thereof viewed from the arrow A in FIG.

変形例に係るダイボンダ10Aは、単一の搬送レーンと単一のボンディングヘッドを有するダイボンダである。ダイボンダ10Aは、大別して、基板9のパッケージエリアPに実装するダイDを供給するダイ供給部1と、ダイ供給部1からダイをピックアップするピックアップ部2と、ピックアップされたダイDを中間的に一度載置するアライメント部3と、アライメント部のダイDをピックアップし基板9のパッケージエリアP又は既にボンディングされたダイDの上にボンディングするボンディング部4と、基板9を実装位置に搬送する搬送部5、搬送部5に基板9を供給する基板供給部6と、実装された基板9を受け取る基板搬出部7と、各部の動作を監視し制御する制御部8と、を有する。   A die bonder 10A according to the modification is a die bonder having a single transport lane and a single bonding head. The die bonder 10A is roughly divided into a die supply unit 1 for supplying a die D to be mounted on the package area P of the substrate 9, a pickup unit 2 for picking up a die from the die supply unit 1, and the picked up die D in the middle. Alignment unit 3 once mounted, bonding unit 4 that picks up die D of the alignment unit and bonds it onto package area P of substrate 9 or die D that has already been bonded, and transport unit that transports substrate 9 to the mounting position 5. A substrate supply unit 6 that supplies the substrate 9 to the transfer unit 5, a substrate carry-out unit 7 that receives the mounted substrate 9, and a control unit 8 that monitors and controls the operation of each unit.

ピックアップ部2は、突上げユニット13で突き上げられたダイDを先端に吸着保持するコレット22を有し、ダイDをピックアップし、アライメント部3に載置するピックアップヘッド21と、ピックアップヘッド21をY方向に移動させるピックアップヘッドのY駆動部23とを有する。ピックアップは、ウェハ11の有するダイのグレードを示す分類マップに基づいて行う。分類マップは制御部8に予め記憶されている。なお、ピックアップヘッド21は、コレット22を昇降及びX方向移動させる図示しない各駆動部を有し、図2に矢印で示すように上下左右に移動可能である。   The pickup unit 2 has a collet 22 that sucks and holds the die D pushed up by the push-up unit 13 at the tip, picks up the die D, and places the pickup head 21 on the alignment unit 3 and the pickup head 21 as Y And a Y drive unit 23 of the pickup head that is moved in the direction. The pickup is performed based on a classification map indicating the grade of the die that the wafer 11 has. The classification map is stored in the control unit 8 in advance. The pickup head 21 has driving units (not shown) that move the collet 22 up and down and move in the X direction, and is movable up and down and left and right as indicated by arrows in FIG.

アライメント部3は、ダイDを一時的に載置する中間ステージ31と、中間ステージ31上のダイDを認識する為のステージ認識カメラ32とを有する。   The alignment unit 3 includes an intermediate stage 31 on which the die D is temporarily placed, and a stage recognition camera 32 for recognizing the die D on the intermediate stage 31.

ボンディング部4は、ピックアップヘッド21と同じ構造を有し、中間ステージ31からダイDをピックアップし、搬送されてきた基板9のパッケージエリアPにボンディングするボンディングヘッド41と、ボンディングヘッド41の先端に装着されダイDを吸着保持するコレット42と、ボンディングヘッド41をY方向に移動させるY駆動部43と、搬送されてきた基板9のパッケージエリアPの位置認識マーク(図示せず)を撮像し、ボンディングすべきダイDのボンディング位置を認識する基板認識カメラ44と、を有する。BSはボンディング領域を示す。なお、ボンディングヘッド41は、コレット42を昇降及びX方向移動させる図示しない各駆動部を有し、図11に矢印で示すように上下左右に移動可能である。   The bonding unit 4 has the same structure as the pickup head 21, picks up the die D from the intermediate stage 31, and bonds it to the package area P of the substrate 9 that has been transported, and is attached to the tip of the bonding head 41. Then, the collet 42 that sucks and holds the die D, the Y drive unit 43 that moves the bonding head 41 in the Y direction, and the position recognition mark (not shown) of the package area P of the substrate 9 that has been conveyed are imaged and bonded. A substrate recognition camera 44 for recognizing the bonding position of the die D to be obtained. BS indicates a bonding area. The bonding head 41 has driving units (not shown) that move the collet 42 up and down and move in the X direction, and is movable up and down and left and right as indicated by arrows in FIG.

このような構成によって、ボンディングヘッド41は、ステージ認識カメラ32の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ31からダイDをピックアップし、基板認識カメラ44の撮像データに基づいて基板9のパッケージエリアPにダイDをボンディングする。   With such a configuration, the bonding head 41 corrects the pickup position / orientation based on the imaging data of the stage recognition camera 32, picks up the die D from the intermediate stage 31, and the substrate based on the imaging data of the substrate recognition camera 44. The die D is bonded to the 9 package area P.

次に、変形例3に係るダイボンダにおけるダイボンディング工程について図5を用いて説明する。変形例3のダイボンディング工程はステップS2のピックアップを除いて実施例と同様である。   Next, a die bonding process in the die bonder according to Modification 3 will be described with reference to FIG. The die-bonding process of the modification 3 is the same as that of an Example except the pick-up of step S2.

制御部8は、ピックアップ対象のダイDを正確にピックアップ位置に配置した後、コレット22を含むピックアップヘッド21によってダイDをダイシングテープ16からピックアップし、中間ステージ31に載置する(ダイハンドリング)。制御部8は、中間ステージ31に載置したダイの姿勢ずれ(回転ずれ)の検出をステージ認識カメラ32にて撮像して行う。制御部8は、姿勢ずれがある場合は中間ステージ31に設けられた旋回駆動装置(不図示)によって実装位置を有する実装面に平行な面で中間ステージ31を旋回させて姿勢ずれを補正する。   The controller 8 places the die D to be picked up accurately at the pick-up position, then picks up the die D from the dicing tape 16 by the pickup head 21 including the collet 22 and places it on the intermediate stage 31 (die handling). The control unit 8 detects the posture deviation (rotational deviation) of the die placed on the intermediate stage 31 by imaging with the stage recognition camera 32. When there is a posture deviation, the control unit 8 rotates the intermediate stage 31 on a plane parallel to the mounting surface having the mounting position by a turning drive device (not shown) provided in the intermediate stage 31 to correct the posture deviation.

制御部8は、コレット42を含むボンディングヘッド41によって中間ステージ31からダイDをピックアップし(ステップS2)、基板9のパッケージエリアPまたは既に基板9のパッケージエリアPにボンディングされているダイにダイボンディングする(ステップS5)。ピックアップしたダイDの裏面をダイ認識カメラ45で撮像し、ダイ裏面位置を検査してもよい(ステップS3)。   The control unit 8 picks up the die D from the intermediate stage 31 by the bonding head 41 including the collet 42 (step S2), and performs die bonding to the package area P of the substrate 9 or the die already bonded to the package area P of the substrate 9. (Step S5). The back surface of the picked up die D may be imaged by the die recognition camera 45 and the die back surface position may be inspected (step S3).

変形例3に係るダイボンダは実施例、変形例1,2と同様な自己診断を行うことができる。また、ダイボンダ10Aはステージ認識カメラ32を備えているので、ダイ認識カメラ45の代わりにステージ認識カメラ32を用いて変形例1,2の自己診断を行うようにしてもよい。ダイ認識カメラ45の代わりにまたはと共に、ピックアップヘッドでピックアップされたダイの裏面を撮像する認識カメラ25を用いてもよい。   The die bonder according to the modified example 3 can perform the same self-diagnosis as in the example and modified examples 1 and 2. Since the die bonder 10A includes the stage recognition camera 32, the stage recognition camera 32 may be used in place of the die recognition camera 45 to perform the self-diagnosis of the first and second modifications. Instead of or together with the die recognition camera 45, a recognition camera 25 that images the back surface of the die picked up by the pickup head may be used.

以上、本発明者によってなされた発明を実施形態、実施例および変形例に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施形態、実施例および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。   As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, examples, and modifications. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, examples, and modifications, and various modifications can be made. It goes without saying that it is possible.

変形例1、2ではボンディング前のダイの位置認識にダイ裏面を撮像するダイ認識カメラを用いたが、ウェハ認識カメラを用いてもよい。   In Modifications 1 and 2, the die recognition camera that images the back side of the die is used for position recognition of the die before bonding, but a wafer recognition camera may be used.

また、コレットを回転する駆動部を設け、ピックアップしたダイの上下を反転可能なフリップヘッドとするフリップチップボンダであってもよい。また、ピックアップ部とアライメント部とボンディング部を含む実装部及び搬送レーンを複数組備えたダイボンダであってもよいし、ピックアップ部とアライメント部とボンディング部を含む実装部を複数組と単一の搬送レーンとを備えたダイボンダであってもよい。   Further, it may be a flip chip bonder provided with a drive unit for rotating the collet and having a flip head capable of inverting the picked up die. The die bonder may include a plurality of mounting units including a pickup unit, an alignment unit, and a bonding unit, and a plurality of conveyance lanes. Alternatively, the mounting unit including the pickup unit, the alignment unit, and the bonding unit may be transported in a single set. A die bonder including a lane may be used.

1…ダイ供給部、11…ウェハ、12…ウェハ保持台、13…突上げユニット、2…ピックアップ部、21…ピックアップヘッド、22…コレット、23…ピックアップのY駆動部、3…アライメント部、31…中間ステージ、32…ステージ認識カメラ、4…ボンディング部、41…ボンディングヘッド、42…コレット、43…ボンディングヘッドのY駆動部、44…基板認識カメラ、5…搬送部、51…搬送レーン、6…基板供給部、7…基板搬出部、8…制御部、9…基板、10…ダイボンダ、BS…ボンディング領域、D…ダイ、P…パッケージエリア。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Die supply part, 11 ... Wafer, 12 ... Wafer holding stand, 13 ... Push-up unit, 2 ... Pick-up part, 21 ... Pick-up head, 22 ... Collet, 23 ... Y drive part of pick-up, 3 ... Alignment part, 31 ... Intermediate stage, 32 ... Stage recognition camera, 4 ... Bonding part, 41 ... Bonding head, 42 ... Collet, 43 ... Y drive part of bonding head, 44 ... Substrate recognition camera, 5 ... Transport part, 51 ... Transport lane, 6 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Substrate supply part, 7 ... Substrate carry-out part, 8 ... Control part, 9 ... Substrate, 10 ... Die bonder, BS ... Bonding area, D ... Die, P ... Package area.

Claims (16)

ダイ供給部と、
基板供給部と、
前記ダイ供給部から供給されたダイを前記基板供給部から供給された基板又は前記基板に既にボンディングされたダイ上にボンディングするボンディング部と、
ダイ供給部と基板供給部とボンディング部とを制御する制御部と、
を備え、
前記ボンディング部は、
前記ダイを吸着するコレットを備えたボンディングヘッドと、
前記基板および前記基板にボンディングされたダイを撮像可能な第一撮像装置と、
を備え、
前記制御部は、
(a)前記基板を前記第一撮像装置で撮像して前記基板の位置を認識し、
(b)前記基板および前記基板にボンディングされたダイを前記第一撮像装置で撮像して前記基板と前記基板にボンディングされたダイの位置を認識して、前記基板と前記ダイの相対位置を検査し、
(c)前記(a)で認識した基板の位置と前記(b)で認識した基板の位置とに基づいて、基板の固定状態を診断する
ダイボンディング装置。
A die supply unit;
A substrate supply unit;
A bonding unit for bonding a die supplied from the die supply unit onto a substrate supplied from the substrate supply unit or a die already bonded to the substrate;
A control unit for controlling the die supply unit, the substrate supply unit, and the bonding unit;
With
The bonding part is
A bonding head provided with a collet for adsorbing the die;
A first imaging device capable of imaging the substrate and a die bonded to the substrate;
With
The controller is
(A) recognizing the position of the substrate by imaging the substrate with the first imaging device;
(B) Imaging the substrate and the die bonded to the substrate with the first imaging device, recognizing the position of the substrate and the die bonded to the substrate, and inspecting the relative position of the substrate and the die And
(C) A die bonding apparatus that diagnoses the fixed state of the substrate based on the position of the substrate recognized in (a) and the position of the substrate recognized in (b).
請求項1において、
前記制御部は、前記(a)で認識した基板の位置と前記(b)で認識した基板の位置の差である基板位置移動量を算出し、前記基板位置移動量が所定量以上である場合、前記基板が固定不十分であると判定するダイボンディング装置。
In claim 1,
The control unit calculates a substrate position movement amount that is a difference between the substrate position recognized in (a) and the substrate position recognized in (b), and the substrate position movement amount is equal to or larger than a predetermined amount. A die bonding apparatus that determines that the substrate is not sufficiently fixed.
ダイ供給部と、
基板供給部と、
前記ダイ供給部から供給されたダイを前記基板供給部から供給された基板又は前記基板に既にボンディングされたダイ上にボンディングするボンディング部と、
ダイ供給部と基板供給部とボンディング部とを制御する制御部と、
を備え、
前記ボンディング部は、
前記ダイを吸着するコレットを備えたボンディングヘッドと、
前記ボンディングヘッドでピックアップされたダイの裏面を撮像可能な第二撮像装置と、
を備え、
前記制御部は、
(a)前記ダイを前記第二撮像装置で撮像して前記ダイの位置を認識し、
(b)前記(a)で認識したダイの位置と予め登録されたダイの位置とに基づいて、ダイのピックアップずれまたはダイ認識状態を診断する
ダイボンディング装置。
A die supply unit;
A substrate supply unit;
A bonding unit for bonding a die supplied from the die supply unit onto a substrate supplied from the substrate supply unit or a die already bonded to the substrate;
A control unit for controlling the die supply unit, the substrate supply unit, and the bonding unit;
With
The bonding part is
A bonding head provided with a collet for adsorbing the die;
A second imaging device capable of imaging the back surface of the die picked up by the bonding head;
With
The controller is
(A) recognizing the position of the die by imaging the die with the second imaging device;
(B) A die bonding apparatus for diagnosing die pickup deviation or die recognition state based on the die position recognized in (a) and the previously registered die position.
請求項3において、
前記制御部は、前記(a)で認識したダイの位置と予め登録されたダイの位置の差であるダイ位置移動量を算出し、前記ダイ位置移動量が所定量以上である場合、前記ダイのピックアップずれまたはダイ認識不具合であると判定するダイボンディング装置。
In claim 3,
The control unit calculates a die position movement amount that is a difference between a die position recognized in (a) and a pre-registered die position, and when the die position movement amount is a predetermined amount or more, Die bonding apparatus that determines that there is a pickup deviation or die recognition failure.
ダイ供給部と、
基板供給部と、
前記ダイ供給部から供給されたダイを前記基板供給部から供給された基板又は前記基板に既にボンディングされたダイ上にボンディングするボンディング部と、
ダイ供給部と基板供給部とボンディング部とを制御する制御部と、
を備え、
前記ボンディング部は、
前記ダイを吸着するコレットを備えたボンディングヘッドと、
前記基板および前記基板にボンディングされたダイを撮像可能な第一撮像装置と、
前記ボンディングヘッドでピックアップされたダイの裏面を撮像可能な第二撮像装置と、
を備え、
前記制御部は、
(a)前記基板を前記第一撮像装置で撮像して前記基板の位置を認識し、
(b)前記ダイを前記第二撮像装置で撮像して前記ダイの位置を認識し、
(c)前記基板および前記基板にボンディングされたダイを前記第一撮像装置で撮像して前記基板と前記基板にボンディングされたダイの位置を認識して、前記基板と前記ダイの相対位置を検査し、
(d)前記(b)で認識したダイの位置と前記(c)で認識したダイの位置とに基づいて、基板固定状態およびボンディング状態を診断する
ダイボンディング装置。
A die supply unit;
A substrate supply unit;
A bonding unit for bonding a die supplied from the die supply unit onto a substrate supplied from the substrate supply unit or a die already bonded to the substrate;
A control unit for controlling the die supply unit, the substrate supply unit, and the bonding unit;
With
The bonding part is
A bonding head provided with a collet for adsorbing the die;
A first imaging device capable of imaging the substrate and a die bonded to the substrate;
A second imaging device capable of imaging the back surface of the die picked up by the bonding head;
With
The controller is
(A) recognizing the position of the substrate by imaging the substrate with the first imaging device;
(B) imaging the die with the second imaging device to recognize the position of the die;
(C) The first imaging device images the substrate and the die bonded to the substrate, recognizes the position of the substrate and the die bonded to the substrate, and inspects the relative position of the substrate and the die. And
(D) A die bonding apparatus that diagnoses a substrate fixing state and a bonding state based on the die position recognized in (b) and the die position recognized in (c).
請求項5において、
前記制御部は、前記(b)で認識したダイの位置と前記(c)で認識したダイの位置の差であるダイ位置移動量を算出し、前記ダイ位置移動量が所定量以上である場合、前記基板の固定不十分またはボンディング異常であると判定するダイボンディング装置。
In claim 5,
The control unit calculates a die position movement amount that is a difference between the die position recognized in (b) and the die position recognized in (c), and the die position movement amount is equal to or larger than a predetermined amount. A die bonding apparatus that determines that the substrate is not sufficiently fixed or that bonding is abnormal.
請求項6において、
前記制御部は、前記基板の固定不十分またはボンディング異常であると判定した場合、
前記(a)で認識した基板の位置と前記(c)で認識した基板の位置の差である基板位置移動量を算出し、前記基板位置移動量が所定量以上である場合、前記基板が固定不十分であると判定し、
前記基板位置移動量が所定量未満である場合、ボンディング異常であると判定するダイボンディング装置。
In claim 6,
When the control unit determines that the substrate is insufficiently fixed or a bonding abnormality,
A substrate position movement amount that is a difference between the position of the substrate recognized in (a) and the position of the substrate recognized in (c) is calculated, and the substrate is fixed when the substrate position movement amount is a predetermined amount or more. Judge that it is insufficient,
The die bonding apparatus which determines that it is bonding abnormality when the said board | substrate position movement amount is less than predetermined amount.
請求項1乃至7のいずれか1項において、
前記ダイ供給部は前記ダイが貼り付けられたダイシングテープを保持するウェハリングを保持し、
前記ボンディングヘッドは、前記ダイを前記ダイシングテープからピックアップするダイボンディング装置。
In any one of Claims 1 thru | or 7,
The die supply unit holds a wafer ring that holds a dicing tape to which the die is attached,
The bonding head is a die bonding apparatus that picks up the die from the dicing tape.
請求項1乃至7のいずれか1項において、
さらに、前記ダイ供給部と前記ボンディング部との間にピックアップ部とアライメント部とを有し、
前記ピックアップ部は、前記ダイを吸着するコレットを備えたピックアップヘッドを有し、
前記アライメント部は、前記ピックアップヘッドがピックアップしたダイを載置する中間ステージを有し、
前記ボンディングヘッドは、前記ダイを前記中間ステージからピックアップするダイボンディング装置。
In any one of Claims 1 thru | or 7,
Furthermore, it has a pickup part and an alignment part between the die supply part and the bonding part,
The pickup unit has a pickup head provided with a collet that adsorbs the die,
The alignment unit has an intermediate stage on which a die picked up by the pickup head is placed.
The bonding head is a die bonding apparatus that picks up the die from the intermediate stage.
(a)基板を撮像して前記基板の位置を認識する工程と、
(b)ダイを前記基板又は前記基板に既にボンディングされたダイ上にボンディングする工程と、
(c)前記基板および前記基板にボンディングされたダイを撮像して前記基板と前記基板にボンディングされたダイの位置を認識して、前記基板と前記ダイの相対位置を検査する工程と、
(d)前記(a)工程で認識した基板の位置と前記(c)工程で認識した基板の位置とに基づいて、基板の固定状態を診断する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
(A) imaging the substrate and recognizing the position of the substrate;
(B) bonding the die onto the substrate or a die already bonded to the substrate;
(C) imaging the substrate and the die bonded to the substrate, recognizing the position of the substrate and the die bonded to the substrate, and inspecting the relative position of the substrate and the die;
(D) diagnosing the fixed state of the substrate based on the position of the substrate recognized in the step (a) and the position of the substrate recognized in the step (c);
A method for manufacturing a semiconductor device comprising:
請求項10において、
前記(d)工程は、前記(a)工程で認識した基板の位置と前記(c)工程で認識した基板の位置の差である基板位置移動量を算出し、前記基板位置移動量が所定量以上である場合、前記基板が固定不十分であると判定する半導体装置の製造方法。
In claim 10,
The step (d) calculates a substrate position movement amount that is a difference between the substrate position recognized in the step (a) and the substrate position recognized in the step (c), and the substrate position movement amount is a predetermined amount. When it is above, The manufacturing method of the semiconductor device which determines with the said board | substrate being inadequate fixation.
(a)ボンディングヘッドでピックアップされたダイの裏面を撮像して前記ダイの位置を認識する工程と、
(b)前記ダイを前記基板又は前記基板に既にボンディングされたダイ上にボンディングする工程と、
(c)前記(a)で認識したダイの位置と予め登録されたダイの位置とに基づいて、ダイのピックアップずれまたはダイ認識状態を診断する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
(A) recognizing the position of the die by imaging the back surface of the die picked up by the bonding head;
(B) bonding the die onto the substrate or a die already bonded to the substrate;
(C) diagnosing die pickup deviation or die recognition state based on the die position recognized in (a) and the previously registered die position;
A method for manufacturing a semiconductor device comprising:
請求項12において、
前記(c)工程は、前記(a)で認識したダイの位置と予め登録されたダイの位置の差であるダイ位置移動量を算出し、前記ダイ位置移動量が所定量以上である場合、前記ダイのピックアップずれまたはダイ認識不具合であると判定する半導体装置の製造方法。
In claim 12,
The step (c) calculates a die position movement amount that is a difference between a die position recognized in the step (a) and a pre-registered die position, and when the die position movement amount is a predetermined amount or more, A method of manufacturing a semiconductor device, which is determined to be a pick-up deviation of the die or a die recognition defect.
(a)基板を撮像して前記基板の位置を認識する工程と、
(b)ボンディングヘッドでピックアップされたダイの裏面を撮像して前記ダイの位置を認識する工程と、
(c)ダイを前記基板又は前記基板に既にボンディングされたダイ上にボンディングする工程と、
(d)前記基板および前記基板にボンディングされたダイを撮像して前記基板と前記基板にボンディングされたダイの位置を認識して、前記基板と前記ダイの相対位置を検査する工程と、
(e)前記(b)工程で認識したダイの位置と前記(d)工程で認識したダイの位置とに基づいて、基板認識およびボンディング状態を診断する半導体装置の製造方法。
(A) imaging the substrate and recognizing the position of the substrate;
(B) recognizing the position of the die by imaging the back surface of the die picked up by the bonding head;
(C) bonding the die onto the substrate or a die already bonded to the substrate;
(D) imaging the substrate and the die bonded to the substrate to recognize the position of the substrate and the die bonded to the substrate, and inspecting the relative position of the substrate and the die;
(E) A method of manufacturing a semiconductor device for diagnosing substrate recognition and a bonding state based on a die position recognized in the step (b) and a die position recognized in the step (d).
請求項14において、
前記(e)工程は、前記(b)で認識したダイの位置と前記(d)で認識したダイの位置の差であるダイ位置移動量を算出し、前記ダイ位置移動量が所定量以上である場合、前記基板の固定不十分またはボンディング異常であると判定する半導体装置の製造方法。
In claim 14,
The step (e) calculates a die position movement amount that is a difference between the die position recognized in the step (b) and the die position recognized in the step (d), and the die position movement amount is a predetermined amount or more. In some cases, the method of manufacturing a semiconductor device determines that the substrate is insufficiently fixed or that bonding is abnormal.
請求項15において、
前記(e)工程は、前記基板の固定不十分またはボンディング異常であると判定した場合、
前記(a)工程で認識した基板の位置と前記(d)工程で認識した基板の位置の差である基板位置移動量を算出し、前記基板位置移動量が所定量以上である場合、前記基板が固定不十分であると判定し、
前記基板位置移動量が所定量未満である場合、ボンディング異常であると判定する半導体装置の製造方法。
In claim 15,
When it is determined that the step (e) is insufficient fixing of the substrate or a bonding abnormality,
When the substrate position movement amount, which is the difference between the position of the substrate recognized in the step (a) and the position of the substrate recognized in the step (d), is calculated, and the substrate position movement amount is a predetermined amount or more, the substrate Is determined to be insufficiently fixed,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein when the substrate position movement amount is less than a predetermined amount, a bonding abnormality is determined.
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