JP2018028663A - ディスプレイ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ディスプレイ装置を提供する。【解決手段】製造過程または製造後、使用過程での不良発生を最小化させることができるディスプレイ装置のために、第１領域と第２領域との間に位置するベンディング領域を有し、ベンディング軸を中心にベンディングされた基板と、基板上に配置され、ベンディング領域に対応する第１開口または第１凹部を有する無機絶縁層と、第１開口または第１凹部の少なくとも一部を充填し、ベンディング軸方向の基板の両端のエッジに沿って延長された第２開口または第２凹部を有する有機物層と、を具備するディスプレイ装置である。【選択図】図３

Description

本発明は、ディスプレイ装置に係り、さらに詳細には、製造過程または製造以後、使用過程での不良発生を最小化させることができるディスプレイ装置に関する。

一般的に、ディスプレイ装置は、基板上に位置したディスプレイ部を有する。このようなディスプレイ装置において、少なくとも一部をベンディングさせることにより、多様な角度での視認性を向上させたり、非ディスプレイ領域の面積を狭くしたりすることができる。

しかし、従来のディスプレイ装置の場合、このようにベンディングされたディスプレイ装置を製造する過程、または製造後の使用過程において、ベンディング部またはその隣接部で不良が発生するという問題点があった。

本発明は、前述のところのような問題点を含み、多くの問題点を解決するためのものであり、製造過程または製造以後、使用過程での不良発生を最小化させることができるディスプレイ装置を提供することを目的とする。しかし、このような課題は、例示的なものであり、それによって本発明の範囲が限定されるものではない。

本発明の一観点によれば、第１領域と第２領域との間に位置するベンディング領域を有し、ベンディング軸を中心にベンディングされた基板と、前記基板上に配置され、前記ベンディング領域に対応する第１開口または第１凹部を有する無機絶縁層と、前記第１開口または第１凹部の少なくとも一部を充填し、ベンディング軸方向における前記基板の両端の少なくとも一方のエッジに沿って延長された第２開口または第２凹部を有する有機物層と、を具備するディスプレイ装置が提供される。

本願にて、「開口」（opening）の語は、厚み方向に貫通するものをいい、「凹部」(recess)の語は、厚み方向に貫通せず、底部が残るものをいうこととする。第１開口または第１凹部は、ベンディング領域にて、ベンディング軸方向の全寸法にわたって設けられるのが好ましい。また、ベンディング軸に垂直な、基板に沿った方向、ベンディングを行う前の状態で、第１領域から第２領域へと向かう方向をベンディング方向と仮定した場合、ベンディング方向でも、全寸法にわたって設けられるのが好ましい。但し、場合によっては、例えばベンディング方向に断続するものであってもよい。

第２開口及び第２凹部、並びに後述の第３開口及び第３凹部などは、典型的には、前記エッジに沿った方向の寸法が、前記ベンディング軸方向の寸法の２倍以上、特には４倍以上、例えば４〜２００倍であり、スロット(slot)及び溝(groove)と呼ぶことができる。なお、開口または凹部は、幅方向（ベンディング軸方向）外側へと、前記エッジにまで達している場合、すなわち、前記エッジの近傍の抜き部（cut out）などと呼ぶべき場合（本願図１４〜１７）も含めることとする。スロット(slot)や溝(groove)としての開口または凹部の幅は、クラックの伝播を抑えるために必要な程度であればよく、例えば０.１mm〜１０mmまたは０.２mm〜５mmとすることができる。

前記第１開口または前記第１凹部は、前記ベンディング領域と重なるように位置することができる。そして、前記第１開口または第１凹部の面積は、前記ベンディング領域の面積より広くてもよい。さらに、前記第２開口または第２凹部の長さは、前記ベンディング領域の前記第１領域から前記第２領域側への幅より大きくなってもよい。

前記第１領域から、前記ベンディング領域を経て、前記第２領域に延長され、前記有機物層上に位置した第１導電層をさらに具備することができる。

このとき、前記第１開口または第１凹部についての前記第１領域から前記第２領域側への幅または寸法は、前記第２開口または第２凹部の長さより大きいのでありうる。さらに、前記第１導電層及び前記有機物層を覆う追加有機物層をさらに具備し、前記追加有機物層は、前記第２開口または第２凹部に対応するように、前記基板のエッジに沿って延長された第３開口または第３凹部を有することができる。

また、前記第２開口または第２凹部の長さは、前記第３開口または第３凹部の長さより長くともよい。

前記追加有機物層は、前記有機物層の前記第２開口または第２凹部での内側面を覆うことができる。その場合、前記有機物層の前記第２開口または第２凹部での内側面の少なくとも一部に沿って配置された導電残膜をさらに具備し、前記追加有機物層は、前記導電残膜を覆うことができる。そして、前記導電残膜は、前記第１導電層が含む物質のうち少なくとも一部を含んでもよい。

一方、前記第１導電層が位置した層と異なる層に位置するように、前記第１領域または前記第２領域に配置され、前記第１導電層に電気的に連結された第２導電層をさらに具備することができる。その場合、前記第１導電層の延伸率が前記第２導電層の延伸率より大きくなってもよい。すなわち、第１導電層を形成する材料と、第２導電層を形成する材料とを、同一の条件で延伸試験に供した場合、第１導電層を形成する材料の方が高い延伸率を示しうる。言い換えれば、第１導電層の材料が、第２導電層の材料よりも、より高い延性を有しうる。

前記有機物層は、前記第２開口または第２凹部に隣接し、前記基板のエッジに沿って延長された追加開口または追加凹部を有することができる。このとき、前記追加開口または追加凹部の長さは、前記第２開口または第２凹部の長さより短いが、前記追加開口または追加凹部は、前記ベンディング軸と平行であり、前記ベンディング領域の中心を通る仮想直線と交差することができる。

前記第２開口または第２凹部は、前記ベンディング軸と平行であって前記ベンディング領域の中心を通る仮想直線と交差する部分での幅が、少なくとも他の一部分での幅より広くなってもよい。

前記有機物層は、前記第２開口または第２凹部に連結されるとともに、前記第２開口または第２凹部が延長された方向と交差する方向に枝状に延長された補助開口または補助凹部をさらに具備することができる。

前記第２開口または第２凹部を充填するベンディング保護層をさらに具備することができる。このとき、前記ベンディング保護層は、前記ベンディング領域を覆うことができる。

本発明の他の一観点によれば、第１領域と第２領域との間に位置するベンディング領域を有し、ベンディング軸を中心にベンディングされた基板と、前記第１領域から、前記ベンディング領域を経て、前記第２領域に延長された第１導電層と、前記基板と前記第１導電層との間に配置され、前記ベンディング領域において、ベンディング軸方向における前記基板の両端の少なくとも一方のエッジと、前記第１導電層との間に対応するように、前記ベンディング軸と交差する方向に延長された第２開口または第２凹部を有する絶縁層と、を具備するディスプレイ装置が提供される。

本願の「有機物層」及び「ベンディング保護層」は、平坦化層（平坦化膜）または画素定義膜（画素区画バンプ）を形成する樹脂材料と同様の材料で形成することができる。例えば、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、その他の光硬化性または熱硬化性の樹脂、またはこれらを適宜組み合わせた形の樹脂を用いることができる。例えば、ＨＭＤＳＯ（hexamethyl disiloxane）や、ベンゾシクロブテン樹脂などを用いることもできる。特には、これらの中から、弾性及び靭性が比較的高い材料を選択して用いることができる。とりわけ、「ベンディング保護層」の材料には、エラストマー性を有する材料、例えば、透光性接着剤（ＯＣＡ：optically clear adhesive）またはこれに類似の樹脂材料を用いることができる。

「有機物層」の厚みは、第１領域及び第２領域における、第１導電層と接続するための端子部の高さに近い高さとすることができ、例えば、０．１〜０．３μｍとすることができる。また、「ベンディング保護層」の厚みは、第１領域及び第２領域における、平坦化層の上面から偏光板までの厚み方向寸法と同様か、またはこれより小さくすることができる。例えば０．３〜３０μｍ、特には１〜２０μｍとすることができる。

前述のところ以外の他の側面、特徴、利点は、以下の発明を実施するための具体的な内容、特許請求の範囲及び図面から明確になるであろう。

前述のようになされた本発明の一実施形態によれば、製造過程または製造以後、使用過程での不良発生を最小化させることができるディスプレイ装置を具現することができる。ただ、このような効果により、本発明の範囲が限定されるものではないということはいうまでもない。

本発明の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する斜視図である。 図１のディスプレイ装置の一部を概略的に図示する断面図である。 図１のディスプレイ装置の一部を概略的に図示する平面図である。 図３のＩＶ−ＩＶ線に沿って切り取った断面を概略的に図示する断面図である。 本発明の他の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する断面図である。 本発明のさらに他の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する断面図である。 図６のＡ部分を拡大して図示する断面図である。 図３のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って切り取った断面を概略的に図示する断面図である。 本発明のさらに他の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する平面図である。 本発明のさらに他の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する平面図である。 本発明のさらに他の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する平面図である。 本発明のさらに他の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する平面図である。 本発明のさらに他の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する平面図である。 本発明のさらに他の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する平面図である。 図１４のＸＶ−ＸＶ線に沿って切り取った断面を概略的に図示する断面図である。 本発明のさらに他の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する断面図である。 本発明のさらに他の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する断面図である。

本発明は、多様な変換を加えることができ、さまざまな実施形態を有することができるが、特定の実施形態を図面に例示し、詳細な説明によって詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に説明する実施形態を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態に具現されるのである。

以下、添付された図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明するが、図面を参照して説明するとき、同一であるか、あるいは対応する構成要素は、同一図面符号を付し、それに係わる重複説明は省略する。

以下の実施形態において、層、膜、領域、板などの各種構成要素が、異なる構成要素「上に」あるとするとき、それは、他の構成要素の「真上に」ある場合だけではなく、その間に他の構成要素が介在された場合も含む。また、説明の便宜のために、図面においては、構成要素の大きさが、誇張されていることもあり、縮小されていることもある。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示されており、本発明は、必ずしも図示されたところに限定されるものではない。

以下の実施形態において、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、直交座標系上の３つの軸によって限定されるものではなく、それを含む広い意味にも解釈される。例えば、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、互いに直交することもあり、互いに直交せずに、互いに異なる方向を指すこともある。

図１は、本発明の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する斜視図であり、図２は、図１のディスプレイ装置の一部を概略的に図示する断面図であり、図３は、図１のディスプレイ装置の一部を概略的に図示する平面図である。

図１ないし図３に図示されているように、本実施形態によるディスプレイ装置が具備する基板１００は、第１方向（＋ｙ方向）に延長されたベンディング領域ＢＡを有する。該ベンディング領域ＢＡは、第１方向と交差する第２方向（＋ｘ方向）において、第１領域１Ａと第２領域２Ａとの間に位置する。そして、基板１００は、図１に図示されているように、第１方向（＋ｙ方向）に延長されたベンディング軸ＢＡＸを中心にベンディングされている。このような基板１００は、フレキシブルまたは曲げ可能な特性を有する多様な物質（材料；複合材料なども含む）を含んでもよいが、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリレート（polyarylate）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）またはセルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）といった高分子樹脂を含んでもよい。ただし、基板１００は、それぞれにこのような高分子樹脂を含む２つの層と、これらの層の間に介在された、（シリコンオキサイド、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素などの）無機物を含むバリア層とを含む積層構造を有することもできるなど、多様な変形が可能であるということはいうまでもない。

参考までに、図１においては、基板１００が有するｙ軸方向の幅が、第１領域１Ａ、ベンディング領域ＢＡ及び第２領域２Ａにわたって、一定であるように図示されているが、本発明は、それに限定されるものではない。例えば、図３に図示されているように、第１領域１Ａ内に、ｙ軸方向の基板１００の幅が異なる部分が存在しうる。その場合、第１領域１Ａ内における、基板１００の幅が狭い部分の幅は、図３に図示されているように、ベンディング領域ＢＡや、第２領域２Ａでの基板１００の幅と同一でありうる。

第１領域１Ａは、ディスプレイ領域ＤＡを含む。ただし、第１領域１Ａは、図２に図示されているように、ディスプレイ領域ＤＡ以外にも、ディスプレイ領域ＤＡの外側に非ディスプレイ領域を一部含んでもよいということはいうまでもない。第２領域２Ａも、非ディスプレイ領域を含んでもよい。

基板１００のディスプレイ領域ＤＡには、ディスプレイ素子３００以外にも、図２に図示されているように、ディスプレイ素子３００が電気的に連結される薄膜トランジスタ２１０も、位置することができる。図２においては、ディスプレイ素子３００として、有機発光素子がディスプレイ領域ＤＡに位置するものとして図示されている。このような有機発光素子が薄膜トランジスタ２１０に電気的に連結されるということは、画素電極３１０が薄膜トランジスタ２１０に電気的に連結されるというふうに理解される。

薄膜トランジスタ２１０は、非晶質シリコン、多結晶シリコンまたは有機半導体物質を含む半導体層２１１、ゲート電極２１３、ソース電極２１５ａ及びドレイン電極２１５ｂを含んでもよい。半導体層２１１とゲート電極２１３との間の絶縁性を確保するために、シリコンオキサイド、窒化ケイ素及び／または酸窒化ケイ素などの無機物を含むゲート絶縁膜１２０が、半導体層２１１とゲート電極２１３との間に介在されてもよい。また、ゲート電極２１３の上部には、シリコンオキサイド、窒化ケイ素及び／または酸窒化ケイ素などの無機物を含む層間絶縁膜１３０が配置され、ソース電極２１５ａ及びドレイン電極２１５ｂは、このような層間絶縁膜１３０上に配置されてもよい。このような、無機物を含む絶縁膜は、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法またはＡＬＤ（atomic layer deposition；原子層堆積）法によって形成されうる。このことは、後述する実施形態及びその変形例においても同様である。

このような構造の薄膜トランジスタ２１０と、基板１００との間には、シリコンオキサイド、窒化ケイ素及び／または酸窒化ケイ素といった無機物を含むバッファ層１１０が介在されうる。このようなバッファ層１１０は、基板１００の上面の平滑性を高めたり、基板１００などからの不純物が、薄膜トランジスタ２１０の半導体層２１１に侵透することを防止したり最小化させたりする役割を果たすことができる。

そして、薄膜トランジスタ２１０上には、平坦化層１４０が配置されうる。例えば、図２に図示されているように、薄膜トランジスタ２１０の上方に、有機発光素子が配置される場合、平坦化層１４０は、薄膜トランジスタ２１０を覆う保護膜の上面を、ほぼ平坦にする役割を果たすことができる。このような平坦化層１４０は、例えば、アクリル、ＢＣＢ（benzocyclobutene）またはＨＭＤＳＯ（hexamethyl disiloxane）といった有機物によって形成されうる。図２においては、平坦化層１４０が単層であるものとして図示されているが、積層膜として設けるなど、多様な変形が可能である。また、図２に図示されているように、平坦化層１４０が、ディスプレイ領域ＤＡの外側にて開口を有することで、ディスプレイ領域ＤＡの平坦化層１４０の部分と、第２領域２Ａの平坦化層１４０の部分とを物理的に分離させることもできる。これは、外部から浸透した不純物などが、平坦化層１４０の内部を介してディスプレイ領域ＤＡの内部にまで逹することを防止するためである。

基板１００のディスプレイ領域ＤＡ内において、平坦化層１４０上には、ディスプレイ素子３００が位置することができる。ディスプレイ素子３００は、例えば、画素電極３１０と、対向電極３３０と、これらの間に介在され、発光層を含む中間層３２０とを有する有機発光素子でありうる。画素電極３１０は、図２に図示されているように、平坦化層１４０などに形成された開口部を介して、ソース電極２１５ａ及びドレイン電極２１５ｂのうちのいずれか一方の層とコンタクトすることで、薄膜トランジスタ２１０と電気的に連結される。

平坦化層１４０上には、画素定義膜（画素開口の輪郭を画するバンプ部）１５０が配置されてもよい。該画素定義膜１５０は、各副画素（例えば各原色を表示する画素ドット）に対応する開口、すなわち、少なくとも画素電極３１０の中央部を露出させる開口を有することにより、画素の領域の輪郭を定める役割を果たす。また、図２に図示されているような場合、画素定義膜１５０は、画素電極３１０のエッジと、画素電極３１０上部の対向電極３３０との距離を増大させることにより、画素電極３１０のエッジで、アークなどが発生することを防止する役割を果たす。このような画素定義膜１５０は、例えば、ポリイミドまたはＨＭＤＳＯ（hexamethyl disiloxane）といった有機物によって形成されてもよい。

有機発光素子の中間層３２０は、低分子物質または高分子物質を含んでもよい。低分子物質を含む場合、ホール注入層（ＨＩＬ：hole injection layer）、ホール輸送層（ＨＴＬ：hole transport layer）、発光層（ＥＭＬ：emission layer）、電子輸送層（ＥＴＬ：electron transport layer）、電子注入層（ＥＩＬ：electron injection layer）などが単一あるいは複合の構造に積層された構造を有することができ、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを含む多様な有機物質を含みうる。このような層は、真空蒸着法によって形成されうる。

中間層３２０が高分子物質を含む場合には、ほとんどの場合、ホール輸送層（ＨＴＬ）及び発光層（ＥＭＬ）を含む構造を有することができる。ここで、ホール輸送層は、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）を含み、発光層は、ＰＰＶ（poly-phenylenevinylene）系及びポリフルオレン（polyfluorene）系など高分子物質を含むのでありうる。このような中間層３２０は、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、レーザ熱転写法（ＬＩＴＩ）などで形成することができる。

ただし、中間層３２０は、必ずしもこのようなものに限定されるのではなく、多様な構造を有しうることはいうまでもない。そして、中間層３２０は、複数個の画素電極３１０にわたって、一体となった層を含むのであってもよく、複数個の画素電極３１０にそれぞれ対応するようにパターニングされた層を含むのであってもよい。

対向電極３３０は、ディスプレイ領域ＤＡ上に配置されるが、図２に図示されているように、ディスプレイ領域ＤＡの実質上全体を覆うように配置されてもよい。すなわち、対向電極３３０は、複数個の有機発光素子にわたって一体に形成され、複数個の画素電極３１０に対応するのでありうる。

このような有機発光素子は、外部からの水分や酸素などによって容易に損傷を受けるので、封止層４００が、これら有機発光素子を覆い、それらを保護する。封止層４００は、ディスプレイ領域ＤＡの実質上全体を覆うとともに、ディスプレイ領域ＤＡの外側まで延長されてもよい。このような封止層４００は、図２に図示されているように、第１無機封止層４１０、有機封止層４２０及び第２無機封止層４３０を含みうる。

第１無機封止層４１０は、対向電極３３０を覆い、シリコンオキサイド、窒化ケイ素及び／または酸窒化ケイ素などを含むものでありうる。ただし、必要によって、第１無機封止層４１０と対向電極３３０との間に、キャッピング層などの他の層が介在されるということはいうまでもない。このような第１無機封止層４１０は、その下の構造物に沿って形成されるので、図２に図示されているように、上面が平坦ではなくなる。有機封止層４２０は、このような第１無機封止層４１０を覆うが、第１無機封止層４１０と異なり、その上面がほぼ平坦になる。具体的には、有機封止層４２０は、ディスプレイ領域ＤＡに対応する部分では、上面がほぼ平坦になる。このような有機封止層４２０は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレンスルホネート、ポリオキシメチレン、ポリアリレート、ヘキサメチルジシロキサンからなる群から選択された１以上の材料を含んでもよい。第２無機封止層４３０は、有機封止層４２０を覆い、シリコンオキサイド、窒化ケイ素及び／または酸窒化ケイ素などを含むものでありうる。このような第２無機封止層４３０は、ディスプレイ領域ＤＡの外側に位置した縁部が、第１無機封止層４１０とコンタクトすることにより、有機封止層４２０を外部に露出させないようにするのでありうる。

このように封止層４００は、第１無機封止層４１０、有機封止層４２０及び第２無機封止層４３０を含むものでありうるが、このような多層構造により、封止層４００内にクラックが発生するとしても、第１無機封止層４１０と有機封止層４２０との間、または有機封止層４２０と第２無機封止層４３０との間で、このようなクラックが連結しないようにしうる。このことにより、外部からの水分や酸素などが、ディスプレイ領域ＤＡへと侵透する経路について、形成を防止したり、最小化させたりすることができる。

封止層４００上には、透光性接着剤（ＯＣＡ：optically clear adhesive）５１０によって、偏光板５２０が取り付けられうる。このような偏光板５２０は、外光反射を減らす役割を行う。例えば、外光が偏光板５２０を通過し、対向電極３３０の上面で反射した後、さらに偏光板５２０を通過する場合、偏光板５２０を２回通過することにより、その外光の位相が変わる。その結果、反射光の位相が、偏光板５２０に進入する外光の位相と異ならせることにより、消滅干渉を発生させ、結果として、外光反射を減らすことにより、視認性を向上させることができる。このような透光性接着剤５１０と偏光板５２０は、例えば、図２に図示されているように、平坦化層１４０の開口を覆うことができる。ただし、本実施形態によるディスプレイ装置が、常に偏光板５２０を具備するものではなく、必要によって、偏光板５２０を省略したり、他の構成で代替したりしうるということはいうまでもない。例えば、偏光板５２０を省略し、ブラックマットリックスとカラーフィルタとを利用して、外光反射を減らすこともできる。

一方、無機物を含むバッファ層１１０、ゲート絶縁膜１２０及び層間絶縁膜１３０を、総称して、無機絶縁層ということができる。このような無機絶縁層は、図２に図示されているように、ベンディング領域ＢＡに対応する第１開口を有する。すなわち、バッファ層１１０、ゲート絶縁膜１２０及び層間絶縁膜１３０が、いずれもベンディング領域ＢＡに対応する開口１１０ａ，１２０ａ，１３０ａを有するのでありうる。このような第１開口がベンディング領域ＢＡに対応するということは、第１開口がベンディング領域ＢＡと重なり合うものと理解されうる。ここで、第１開口の面積は、ベンディング領域ＢＡの面積より広いのでありうる。そのために、図２においては、第１開口の幅ＯＷが、ベンディング領域ＢＡの幅ＢＡｗより広いものとして図示されている。ここで、第１開口の面積は、バッファ層１１０、ゲート絶縁膜１２０及び層間絶縁膜１３０の開口１１０ａ，１２０ａ，１３０ａのうち、最も狭い面積の開口の面積として定義され、図２においては、バッファ層１１０の開口１１０ａの面積によって、第１開口の面積が規定されるものとして図示されている。

参考として、バッファ層１３０の開口１３０ａを形成した後、ゲート絶縁膜１２０の開口１２０ａと、層間絶縁膜１３０の開口１３０ａは、同時に形成することができる。薄膜トランジスタ２１０を形成するにあたり、ソース電極２１５ａとドレイン電極２１５ｂとを半導体層２１１にコンタクトさせるために、ゲート絶縁膜１２０と層間絶縁膜１３０とを貫通するコンタクトホールを形成しなければならない。このようなコンタクトホールを形成するにあたり、ゲート絶縁膜１２０の開口１２０ａと、層間絶縁膜１３０の開口１３０ａとを同時に形成することができる。それによって、ゲート絶縁膜１２０の開口１２０ａの内側面と、層間絶縁膜１３０の開口１３０ａの内側面は、図２に図示されているように、連続面を形成することができる。

本実施形態によるディスプレイ装置は、このような無機絶縁層の第１開口の少なくとも一部を充填する有機物層１６０を具備する。図２においては、有機物層１６０が、いずれの第１開口をも充填するものとして図示されている。そして、本実施形態によるディスプレイ装置は、第１導電層２１５ｃを具備するのであるが、該第１導電層２１５ｃは、第１領域１Ａから、ベンディング領域ＢＡを経て第２領域２Ａにまで延びており、有機物層１６０上に位置する。ただし、有機物層１６０が存在しないところでは、第１導電層２１５ｃは、層間絶縁膜１３０などの無機絶縁層上に位置しうるということはいうまでもない。このような第１導電層２１５ｃは、ソース電極２１５ａやドレイン電極２１５ｂと同一の物質（材料）によって同時に形成されてもよい。

前述のように、図２では、便宜上、ディスプレイ装置がベンディングされていない状態であるように図示されているが、本実施形態によるディスプレイ装置は、実際には、図１に図示されているように、ベンディング領域ＢＡで、基板１００などがベンディングされた状態である。そのために、製造過程において、図２に図示されているように、基板１００がほぼ平坦な状態でディスプレイ装置を製造し、その後、ベンディング領域ＢＡで、基板１００などをベンディングし、ディスプレイ装置がほぼ図１に図示されているような形状を有するようにする。このとき、基板１００などが、ベンディング領域ＢＡでベンディングされる過程において、第１導電層２１５ｃには、引っ張りストレスが印加されるが、本実施形態によるディスプレイ装置の場合、このようなベンディング過程中に、第１導電層２１５ｃで不良が発生することを防止したり最小化させたりすることができる。

もしバッファ層１１０、ゲート絶縁膜１２０及び／または層間絶縁膜１３０といった無機絶縁層が、ベンディング領域ＢＡで開口を有さず、第１領域１Ａから第２領域２Ａに至るまで連続的な形状を有し、第１導電層２１５ｃが、このような無機絶縁層上に位置するならば、基板１００などがベンディングされる過程において、第１導電層２１５ｃに大きい引っ張りストレスが印加される。特に、該無機絶縁層は、その硬度が該有機物層より高いために、ベンディング領域ＢＡにおいて、無機絶縁層にクラックなどが発生する確率が非常に高く、無機絶縁層にクラックが発生する場合、無機絶縁層上の第１導電層２１５ｃにもクラックなどが発生し、第１導電層２１５ｃの断線などの不良の発生する確率が非常に高くなる。

しかし、本実施形態によるディスプレイ装置の場合、前述のように、無機絶縁層がベンディング領域ＢＡにて第１開口を有し、第１導電層２１５ｃのベンディング領域ＢＡの部分は、無機絶縁層の第１開口の少なくとも一部を充填する有機物層１６０上に位置する。該無機絶縁層は、ベンディング領域ＢＡにおいて、第１開口を有するが、該無機絶縁層におけるクラックなどの発生確率が極めて低くなり、有機物層１６０の場合、有機物を含む特性上、クラックの発生確率が低い。従って、有機物層１６０上に位置する第１導電層２１５ｃのベンディング領域ＢＡの部分に、クラックなどの発生を防止したり、発生確率を最小化させたりすることができる。ただし、有機物層１６０は、その硬度が無機物層より低いために、基板１００などにおいて、ベンディングによって発生する引っ張りストレスを、有機物層１６０が吸収することで、第１導電層２１５ｃに引っ張りストレスが集中することを効果的に最小化させることができる。

図２では、無機絶縁層が第１開口を有するように図示されているが、本発明は、それに限定されるものではない。例えば、無機絶縁層が、第１開口ではない第１凹部を有することもできる。例えば、バッファ層１１０は、図２に図示されたところと異なり、開口１１０ａを有さずに、第１領域１Ａからベンディング領域ＢＡを経て第２領域２Ａまで延長されており、ゲート絶縁膜１２０及び層間絶縁膜１３０だけが開口１２０ａ，１３０ａを有するというのでありうる。その場合にも、無機物を含むバッファ層１１０、ゲート絶縁膜１２０及び層間絶縁膜１３０を、総称して、無機絶縁層ということができる。ただし、その場合、該無機絶縁層は、ベンディング領域ＢＡに対応する第１凹部を有すると理解される。そして、有機物層１６０は、このような第１凹部の少なくとも一部を充填することができる。

このような場合、無機絶縁層がベンディング領域ＢＡで第１凹部を有することにより、結果として、ベンディング領域ＢＡでの無機絶縁層の厚みが薄くなり、基板１００などがベンディングされるとき、ベンディングが円滑に行われるようにする。同時に、有機物層１６０がベンディング領域ＢＡに存在し、このような有機物層１６０上に、第１導電層２１５ｃが位置するので、第１導電層２１５ｃがベンディングによって損傷を受けることを効果的に防止することができる。前述の実施形態、及び後述する実施形態やその変形例においては、便宜上、無機絶縁層が第１開口を有する場合について説明するが、このような実施形態や変形例において、無機絶縁層が前述のように、第１凹部を有することもできるということはいうまでもない。

本実施形態によるディスプレイ装置は、第１導電層２１５ｃ以外に、第２導電層２１３ａ，２１３ｂも具備することができる。このような第２導電層２１３ａ，２１３ｂは、第１導電層２１５ｃが位置した層と異なる層に位置するように、第１領域１Ａまたは第２領域２Ａに配置され、第１導電層２１５ｃに電気的に連結されてもよい。図２においては、第２導電層２１３ａ，２１３ｂが薄膜トランジスタ２１０のゲート電極２１３と同一物質（材料）によって同一層に、すなわち、ゲート絶縁膜１２０上に位置するものとして図示されている。そして、第１導電層２１５ｃが、層間絶縁膜１３０に形成されたコンタクトホールを介して、第２導電層２１３ａ，２１３ｂにコンタクトするものとして図示されている。また、第２導電層２１３ａが第１領域１Ａに位置し、第２導電層２１３ｂが第２領域２Ａに位置するとして図示されている。

第１領域１Ａに位置する第２導電層２１３ａは、ディスプレイ領域ＤＡ内の薄膜トランジスタなどに電気的に連結されるのでありうる。これに伴い、第１導電層２１５ｃが、第２導電層２１３ａを介して、ディスプレイ領域ＤＡ内の薄膜トランジスタなどに電気的に連結されるのでありうる。ここで、第１導電層２１５ｃによって、第２領域２Ａに位置する第２導電層２１３ｂも、ディスプレイ領域ＤＡ内の薄膜トランジスタなどに電気的に連結されるのでありうる。このように、第２導電層２１３ａ，２１３ｂは、ディスプレイ領域ＤＡの外側に位置しながらも、ディスプレイ領域ＤＡ内に位置する構成要素に電気的に連結されうるのであり、また、ディスプレイ領域ＤＡの外側に位置しながらも、ディスプレイ領域ＤＡの方向に延長されて、少なくとも一部が、ディスプレイ領域ＤＡ内に位置しうる。

前述のように、図２においては、便宜上、ディスプレイ装置がベンディングされていない状態で図示されているが、本実施形態によるディスプレイ装置は、実際には、図１に図示されているように、ベンディング領域ＢＡにて、基板１００などがベンディングされた状態である。そのために、製造過程において、図２に図示されているように、基板１００がほぼ平坦な状態でディスプレイ装置を製造し、その後、ベンディング領域ＢＡにて、基板１００などをベンディングし、ディスプレイ装置がほぼ図１に図示されているような形状を有するようにする。このとき、基板１００などが、ベンディング領域ＢＡでベンディングされる過程において、ベンディング領域ＢＡ内に位置する構成要素には、引っ張りストレスが印加される。

従って、ベンディング領域ＢＡを横切る第１導電層２１５ｃの場合、同一延伸条件の延伸率が高い物質、すなわちより延性の高い物質を含むようにすることにより、第１導電層２１５ｃにクラックが発生したり、第１導電層２１５ｃが断線されたりするような不良が発生しないようにする。同時に、第１領域１Ａや第２領域２Ａなどでは、第１導電層２１５ｃよりは延伸率が低いが、第１導電層２１５ｃと異なる電気的／物理的特性を有する物質により、第２導電層２１３ａ，２１３ｂを形成することにより、ディスプレイ装置において、電気的信号伝達の効率性が高くなったり、製造過程での不良発生率が低くなったりしうるのである。

例えば、第２導電層２１３ａ，２１３ｂは、モリブデンを含んでもよく、第１導電層２１５ｃは、アルミニウムを含んでもよい。ただ、第１導電層２１５ｃや第２導電層２１３ａ，２１３ｂは、必要によって、多層構造を有することができるということはいうまでもない。例えば、第１導電層２１５ｃは、チタン層／アルミニウム層／チタン層の積層構造を有することができ、第２導電層２１３ａ，２１３ｂは、モリブデン層／チタン層の積層構造を有することができる。しかし、本発明は、それに限定されるものではなく、第１導電層２１５ｃがディスプレイ領域ＤＡに延長され、薄膜トランジスタ２１０のソース電極２１５ａ、ドレイン電極２１５ｂまたはゲート電極２１３に直接電気的に連結されてもよい。

一方、図２に図示されているように、有機物層１６０が、無機絶縁層の第１開口の内側面を覆うようにすることを考慮することができる。前述のように、第１導電層２１５ｃは、ソース電極２１５ａ及びドレイン電極２１５ｂと同一物質で同時に形成することができるが、そのために、基板１００の全面ほとんどにおいて、層間絶縁膜１３０などの上に導電層を形成した後、それをパターニングし、ソース電極２１５ａ、ドレイン電極２１５ｂ及び第１導電層２１５ｃを形成することができる。もし有機物層１６０がバッファ層１１０の開口１１０ａの内側面や、ゲート絶縁膜１２０の開口１２０ａの内側面や、層間絶縁膜１３０の開口１３０ａの内側面を覆わなければ、導電層をパターニングする過程において、その導電性物質がバッファ層１１０の開口１１０ａの内側面や、ゲート絶縁膜１２０の開口１２０ａの内側面や、層間絶縁膜１３０の開口１３０ａの内側面で除去されず、当該部分に残存することがある。このような場合、残存する導電性物質は、他の導電層との間でショートを引き起こしてしまう。

従って、有機物層１６０を形成するとき、有機物層１６０が、無機絶縁層の第１開口の内側面を覆うようにすることが望ましい。有機物層１６０が無機絶縁層の第１開口の内側面を覆うということは、有機物層１６０の第２開口１６０ａの延長された方向への長さｄより、無機絶縁層の第１開口の第１領域１Ａから第２領域２Ａ側への幅ＯＷがさらに大きいと理解されてもよい。

参考として、図２においては、有機物層１６０が均一な厚みを有するように図示されているが、それと異なり、位置によって異なる厚みを有し、バッファ層１１０の開口１１０ａの内側面や、ゲート絶縁膜１２０の開口１２０ａの内側面や、層間絶縁膜１３０の開口１３０ａの内側面あたりで、有機物層１６０の上面の屈曲の傾斜が緩くなるようにしうる。それによって、ソース電極２１５ａ、ドレイン電極２１５ｂ及び第１導電層２１５ｃを形成するために、導電層をパターニングする過程において、除去されなければならない部分の導電物質が除去されないで残存することを効果的に防止することができる。

一方、ディスプレイ領域ＤＡの外側には、ベンディング保護層（ＢＰＬ：bending protection layer）６００が位置することができる。すなわち、ベンディング保護層６００が、少なくともベンディング領域ＢＡに対応し、第１導電層２１５ｃ上に位置するようにする。

ある積層体をベンディングするとき、その積層体内には、ストレス中性平面（stress neutral plane）が存在する。もし該ベンディング保護層６００が存在しないのであれば、基板１００などのベンディングによって、ベンディング領域ＢＡ内において、第１導電層２１５ｃに過度な引っ張りストレスなどが印加される。それは、第１導電層２１５ｃの位置が、ストレス中性平面に対応しないためである。しかし、ベンディング保護層６００が存在し、その厚み及びモデュラスなどを調節することにより、基板１００、第１導電層２１５ｃ及びベンディング保護層６００などをいずれも含む積層体において、ストレス中性平面の位置を調整することができる。従って、ベンディング保護層６００を介して、ストレス中性平面を、第１導電層２１５ｃ近辺、またはその上部に位置させることにより、第１導電層２１５ｃに印加される引っ張りストレスを最小化させたり、第１導電層２１５ｃには、圧縮ストレスが印加されたりするようにする。このようなベンディング保護層６００は、アクリルなどで形成することができる。参考として、第１導電層２１５ｃに、圧縮ストレスが印加される場合、それによって、第１導電層２１５ｃが損傷される確率は、引っ張りストレスが印加される場合に比べて極めて低い。

図４では、ベンディング保護層６００についての、ベンディング領域ＢＡの一方のエッジ（左右の一方のエッジ）の側（＋ｙ方向）の終端をなす端面が、基板１００などのエッジ端面と一致せず、基板１００内部に位置するものとして図示されている。しかし、本発明は、それに限定されるものではなく、ベンディング保護層６００の基板１００エッジ方向（＋ｙ方向）終端部面が、基板１００などのエッジ端面と一致するなど多様な変形が可能である（図１５など参照）。または、図示されているところと異なり、ベンディング保護層６００から離隔され、ベンディング領域ＢＡのエッジの側（＋ｙ方向）に存在する追加ベンディング保護層が存在しうる。それは、有機物層１６０が、第２開口１６０ａを有するところと類似して、ベンディング保護層６００が、ベンディング保護層６００を上下に貫通する開口を有すると理解される。

特に、１枚の母基板上に、複数個のディスプレイ部を形成し、母基板などをカッティングして複数個のディスプレイ装置を同時に製造する際、カッティングに先立ってベンディング保護層６００を形成することができる。その場合、母基板をカッティングするとき、ベンディング保護層なども、やはり共にカッティングされ、それによって製造されたディスプレイ装置の場合、ベンディング保護層６００の基板１００エッジ方向（＋ｙ方向）終端部面が、基板１００などのエッジ端部面と一致する。参考として、該カッティングは、母基板などにレーザビームを照射して行われる。

一方、図２では、ベンディング保護層６００のディスプレイ領域ＤＡ方向（−ｘ方向）上面が、偏光板５２０の（＋ｚ方向）上面と一致するように図示されているが、本発明は、それに限定されるものではない。例えば、ベンディング保護層６００のディスプレイ領域ＤＡ方向（−ｘ方向）終端が、偏光板５２０のエッジ上面の一部を覆うこともできる。または、ベンディング保護層６００のディスプレイ領域ＤＡ方向（−ｘ方向）終端が、偏光板５２０及び／または透光性接着剤５１０とコンタクトしないこともある。特に、後者の場合、ベンディング保護層６００を形成する過程、またはその形成後、ベンディング保護層６００で生じたガスがディスプレイ領域ＤＡ方向（−ｘ方向）に移動し、有機発光素子のようなディスプレイ素子３００などを劣化させることを防止することができる。

もし図２に図示されているように、ベンディング保護層６００におけるディスプレイ領域ＤＡの側（−ｘ方向）の上面が、偏光板５２０の（＋ｚ方向）の上面と一致するか、ベンディング保護層６００におけるディスプレイ領域ＤＡの側（−ｘ方向）の終端が偏光板５２０のエッジ部の上面の一部を覆うか、または、ベンディング保護層６００のディスプレイ領域ＤＡの側（−ｘ方向）の終端が透光性接着剤５１０とコンタクトするとうい場合、ベンディング保護層６００のディスプレイ領域ＤＡの側（−ｘ方向）の部分の厚みが、ベンディング保護層６００の他の部分の厚みよりも厚い。ベンディング保護層６００を形成するとき、液状またはペースト形態の物質を塗布し、それを硬化させることができるが、硬化過程において、ベンディング保護層６００の体積が小さくなる。このとき、ベンディング保護層６００のディスプレイ領域ＤＡの側（−ｘ方向）の部分が、偏光板５２０及び／または透光性接着剤５１０とコンタクトしている場合、ベンディング保護層６００の当該部分の位置が固定されるので、ベンディング保護層６００の残余部分において、体積減少が発生する。その結果、ベンディング保護層６００のディスプレイ領域ＤＡ方向（−ｘ方向）部分の厚みが、ベンディング保護層６００の他の部分の厚みより厚くなる。

一方、本実施形態によるディスプレイ装置が具備する有機物層１６０は、図３に図示されているように、基板１００のエッジに沿って延長された第２開口１６０ａを有する。図３では、具体的には、有機物層１６０が、第１導電層２１５ｃが延長された方向（＋ｘ方向）に延長されるが基板１００の＋ｙ方向に位置したエッジと、−ｙ方向に位置したエッジとに沿って延長された第２開口１６０ａを有するように図示されている。有機物層１６０が、このような第２開口１６０ａを有することによって、ディスプレイ装置の製造過程またはその製造後、使用過程での不良発生を最小化させることができる。

図３では、便宜上、基板１００などがベンディングされていない状態として図示しているが、本実施形態によるディスプレイ装置は、前述のように、実際には、図１に図示されたように、ベンディング領域ＢＡで基板１００などがベンディングされた状態である。従って、そのようにベンディングされた状態では、ディスプレイ装置の全体的な形状において、ベンディング領域ＢＡが、ディスプレイ装置の先端のエッジに沿って位置するようになる。それにより、製造過程またはその製造後、使用過程において、ベンディング領域ＢＡに衝撃などが加えられることがある。特に、ベンディング領域ＢＡにおいて、＋ｙ方向エッジや、−ｙ方向エッジにおいて、衝撃が加えられる確率が高いが、その場合、図３のＩＶ−ＩＶ線に沿って切り取った断面を概略的に図示する断面図である図４に図示されているように、外部からの衝撃によって、クラックＣＲが有機物層１６０内で発生することがある。このようなクラックＣＲが、ベンディング領域ＢＡの中央部にまで進む場合、第１導電層２１５ｃのような配線にもクラックが発生し、ディスプレイ装置に問題が発生する。

しかし、本実施形態によるディスプレイ装置の場合、前述のように、有機物層１６０が第２開口１６０ａを有する。が第２開口１６０ａは、基板１００のエッジに沿って（ベンディングされた状態を無視する場合、＋ｘ方向に）延長される。従って、図４に図示されているように、有機物層１６０のエッジでクラックＣＲが発生しても、該クラックＣＲがベンディング領域ＢＡの中央部まで進まず、第２開口１６０ａ近辺で進行が止まる。それを介して、製造過程または製造後、使用過程において、ベンディング領域ＢＡの外郭に衝撃が印加されても、ディスプレイ装置において、クラックによる不良発生を防止したり最小化させたりすることができる。

ただ、ベンディング領域ＢＡ全体において、このような不良防止または不良最小化の効果を図るために、有機物層１６０の第２開口１６０ａの延長された方向への長さｄ（図３）が、ベンディング領域ＢＡの第１領域１Ａから第２領域２Ａ側への幅ＢＡｗより大きいようにするということはいうまでもない。それを介して、全体ベンディング領域ＢＡにおいて、基板１００のエッジでの衝撃によるクラック発生不良を防止したり最小化させたりすることができる。

一方、有機物層１６０が、常にこのように有機物層１６０を上下に貫通する第２開口１６０ａを有さなければならないものではない。例えば、本発明の他の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する断面図である図５に図示されているように、有機物層１６０は、第２開口１６０ａではない第２凹部１６０ａを有することもできる。その場合にも、有機物層１６０で発生したクラックＣＲが、ベンディング領域ＢＡ中央側に進むことを第２凹部１６０ａが効果的に防止することができる。前述の第２開口１６０ａに係わる説明、及び後述する第２開口１６０ａに係わる説明は、このような第２凹部１６０ａにも、そのまま適用されるということはいうまでもない。

さらに、本発明のさらに他の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する断面図である図６に図示されているように、有機物層１６０が、第２開口１６０ａを有することに加え、有機物層１６０上に位置した平坦化層１４０も、有機物層１６０の第２開口１６０ａに対応する第３開口１４０ａを有することができる。平坦化層１４０の第３開口１４０ａは、有機物層１６０の第２開口１６０ａと同様に、基板１００のエッジに沿って延長されてもよい。すなわち、平坦化層１４０は、図３に図示された有機物層１６０の第２開口１６０ａと同一または類似して、第１導電層２１５ｃが延長された方向（＋ｘ方向）に延長されるが、基板１００の＋ｙ方向に位置したエッジと、−ｙ方向に位置したエッジとに沿って延長された第３開口１４０ａを有することができる。

第３開口１４０ａは、基板１００のエッジに沿って（ベンディングされた状態を無視する場合、＋ｘ方向に）延長される。従って、図６に図示されているように、有機物層１６０及び／または平坦化層１４０のエッジにおいてクラックＣＲが発生しても、該クラックＣＲがベンディング領域ＢＡの中央部まで進まず、第２開口１６０ａ及び第３開口１４０ａの近辺で進行が止まる。これにより、製造過程または製造後、使用過程においてベンディング領域ＢＡの外郭に衝撃が印加されても、ディスプレイ装置において、クラックによる不良が発生することを防止したり最小化させたりすることができる。

ただ、ベンディング領域ＢＡ全体において、このような不良防止または不良最小化の効果を図るために、平坦化層１４０の第３開口１４０ａの延長された方向への長さも、ベンディング領域ＢＡの第１領域１Ａから第２領域２Ａ側への幅ＢＡｗより大きくするということはいうまでもない。これにより、全体ベンディング領域ＢＡにおいて、基板１００のエッジでの衝撃によるクラック発生不良を防止したり最小化させたりすることができる。

平坦化層１４０は、常にこのように平坦化層１４０を上下に貫通する第３開口１４０ａを有さなければならないものではない。すなわち、平坦化層１４０は、第３開口１４０ａではない第３凹部を有することもできる。それは、前述の実施形態、または後述する実施形態やその変形例においても同様である。また、有機物層１６０は、第２開口１６０ａや第２凹部１６０ａを有さず、平坦化層１４０だけ第３開口１４０ａまたは第３凹部を有することもできるなど、多様な変形が可能であるということはということはいうまでもない。それは、前述の実施形態、または後述する実施形態やその変形例においても同様である。

このように、有機物層１６０が第２開口１６０ａを有し、平坦化層１４０が第３開口１４０ａを有する場合、ベンディング保護層６００が、第２開口１６０ａの少なくとも一部や、第３開口１４０ａの少なくとも一部も充填することができる。ただ、このようなベンディング保護層６００は、第２開口１６０ａの少なくとも一部や、第３開口１４０ａの少なくとも一部を充填することに留まらず、ベンディング領域ＢＡを覆うことができるということはいうまでもない。

前述のように、ベンディング保護層６００は、ストレス中性平面の位置を調節する役割を行う。もしベンディング保護層６００が、第２開口１６０ａや第３開口１４０ａを充填することがなければ、第２開口１６０ａや第３開口１４０ａ、そしてその近辺では、中性平面が、基板１００の上下面間の中央に位置する。それによって、基板１００がベンディングされれば、基板１００の中央から下面側には、圧縮ストレスが印加されるが、基板１００の中央から上面側には、引っ張りストレスが印加され、それによって、基板１００の中央から上面側の部分にクラックが発生したり裂けたりするというような不良が発生してしまう。しかし、ベンディング保護層６００が、第２開口１６０ａの少なくとも一部や、第３開口１４０ａの少なくとも一部を充填し、その部分において、中性平面の位置も調節することにより、基板１００での不良発生を防止したり最小化させたりすることができる。ただ、有機物層１６０及び／または平坦化層１４０においては、クラックＣＲが発生しても、前述のように、第２開口１６０ａや第３開口１４０ａによって、ベンディング領域ＢＡの中央側へのクラックＣＲの進行を防止したり最小化させたりすることができるということはいうまでもない。

一方、図６に図示されているように、平坦化層１４０は、有機物層１６０の第２開口１６０ａでの内側面を覆うことができる。前述のように、第１導電層２１５ｃは、ソース電極２１５ａ及びドレイン電極２１５ｂと同一物質で同時に形成することができるが、そのために、基板１００のほぼ全面にて、有機物層１６０及び／または層間絶縁膜１３０などの上に導電層を形成した後、それをパターニングし、ソース電極２１５ａ、ドレイン電極２１５ｂ及び第１導電層２１５ｃを形成することができる。従って、有機物層１６０の第２開口１６０ａの内側面には、図６のＡ部分を拡大して図示する断面図である図７に図示されているように、導電層をパターニングする過程において、その導電性物質が残存し、第２開口１６０ａの内側面の少なくとも一部に沿って、導電残膜２１５ｃ’が存在する。

このような導電残膜２１５ｃ’は、他の導電層との間のショートを引き起こしたり、不良を引き起こしたりする。例えば、追って画素電極３１０（図２）を形成するとき、画素電極形成用物質が導電残膜２１５ｃ’の近傍で塊になるといった不良が発生する。それは、例えば、導電残膜２１５ｃ’がアルミニウムを含む場合、銀（Ａｇ）を含む物質を利用して、画素電極３１０を形成するとき、銀（Ａｇ）がアルミニウムと反応し、導電残膜２１５ｃ’の近傍に塊を形成するからである。

従って、図７に図示されているように、平坦化層１４０が、有機物層１６０の第２開口１６０ａでの内側面を覆うことにより、このような導電残膜２１５ｃ’も覆い、導電残膜２１５ｃ’を外部に露出させない。それを介して、追って製造過程での不良発生を防止したり最小化させたりすることができる。このような導電残膜２１５ｃ’は、前述のように、第１導電層２１５ｃなどを形成する際に生成されるので、導電残膜２１５ｃ’は、第１導電層２１５ｃが含む物質のうち少なくとも一部を含む。参考として、前述のように、第１導電層２１５ｃは、チタンまたはアルミニウムを含んでもよく、必要であるならば、チタン層／アルミニウム層／チタン層の多層構造を含んでもよい。従って、導電残膜２１５ｃ’も、チタンまたはアルミニウム、またはそれらの混合物や化合物などを含む。

図８は、図３のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って切り取った断面を概略的に図示する断面図である。図８に図示されているように、有機物層１６０の第２開口１６０ａの延長された方向への長さｄ（図３）は、平坦化層１４０の第３開口１４０ａの延長された方向への長さより長い。それは、図７を参照して説明したところと同様に、有機物層１６０の第２開口１６０ａの内側面に残存する導電残膜を平坦化層１４０に覆わせるためである。

以上では、有機物層１６０が、第２開口１６０ａを有する場合について説明したが、本発明は、それに限定されるものではない。本発明のさらに他の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する平面図である図９に図示されているように、有機物層１６０は、追加開口１６０ｂまたは追加凹部も有することもできる。追加開口１６０ｂまたは追加凹部は、第２開口１６０ａに隣接し、基板１００のエッジに沿って延長される。このように、有機物層１６０が、第２開口１６０ａ以外に、追加開口１６０ｂまたは追加凹部を有することにより、クラックＣＲ（図４ないし図６）がベンディング領域ＢＡの中央部への方向に進むことを二重に遮断することができる。

一方、図９では、便宜上、基板１００などがベンディングされていない状態として図示されているが、本実施形態によるディスプレイ装置は、前述のように、実際には、図１に図示されたように、ベンディング領域ＢＡにおいて、基板１００などがベンディングされた状態である。従って、そのようにベンディングされた状態では、ディスプレイ装置の全体的な形状において、ベンディング領域ＢＡがディスプレイ装置のエッジに位置し、特に、ベンディング軸ＢＡＸ（図１）と平行であり、ベンディング領域ＢＡの中心を通る仮想直線ＩＬが位置するベンディング領域ＢＡの部分が、ディスプレイ装置のエッジに位置することになる。従って、仮想直線ＩＬが位置するベンディング領域ＢＡの部分に、外部からの衝撃が印加される可能性が高い。従って、有機物層１６０の追加の開口１６０ｂまたは追加の凹部が、このような仮想直線ＩＬと交差するように位置させ、仮想直線ＩＬが位置するベンディング領域ＢＡの部分において、クラックＣＲがベンディング領域ＢＡ中央部方向に進むことを二重で遮断することが望ましい。すなわち、追加開口１６０ｂまたは追加凹部の延長方向への長さは、第２開口１６０ａの長さより短いとしても、追加開口１６０ｂまたは追加凹部が、前記仮想直線ＩＬと交差するようにすることが望ましい。

または、それと類似した効果を図るために、本発明のさらに他の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する平面図である図１０に図示されているように、有機物層１６０が有する第２開口１６０ａの幅を可変的にすることを考慮することができる。すなわち、ベンディング軸ＢＡＸ（図１）と平行であり、ベンディング領域ＢＡの中心を通る仮想直線ＩＬと交差する部分での第２開口１６０ａの幅が、少なくとも他の一部分での幅より広いようにすることを考慮することができる。第２開口１６０ａの幅が大きいというのは、それほど当該部分でのクラックＣＲの伝播可能性を低くすることができるということを意味する。このとき、本発明のさらに他の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する平面図である図１１に図示されているように、第２開口１６０ａが、全体的には、基板１００のエッジに沿って延長された形状を有するが、その長手方向において、中央部がベンディング領域ＢＡの中心に向けて凹状に湾曲され、第２開口１６０ａが、全体的に三日月のような形状を有するようにすることもできる。

ただ、本発明のさらに他の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する平面図である図１２に図示されているように、有機物層１６０が、補助開口１６０ｃまたは補助凹部をさらに具備することもできるということはいうまでもない。補助開口１６０ｃまたは補助凹部は、第２開口１６０ａに連結され、第２開口１６０ａが延長された方向と交差する方向に枝状に延長された形状を有することができる。有機物層１６０は、このような補助開口１６０ｃまたは補助凹部を複数個有することができ、その場合、補助開口１６０ｃまたは補助凹部は、図１２に図示されているように、第２開口１６０ａが延長された方向において、第２開口１６０ａの両側に交互に位置することができる。

また、本発明のさらに他の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する平面図である図１３に図示されているように、有機物層１６０の第２開口１６０ａは、全体的には、基板１００のエッジに沿って延長された形状を有するが、内部に有機物層１６０のアイランドが複数個位置するようにすることもできる。

一方、これまでは、第２開口または第２凹部がほぼ基板１００のエッジに沿って延長されているところを中心に説明したが、本発明は、それに限定されるものではない。また、このような第２開口または第２凹部は、必ずしも有機物層１６０に形成されるものではなく、他のところに形成されるようにすることもできる。すなわち、基板１００が、第１領域１Ａと第２領域２Ａとの間に位置するベンディング領域ＢＡを有し、ベンディング軸ＢＡＸを中心にベンディングされ、第１導電層２１５ｃが、第１領域１Ａからベンディング領域ＢＡを経て第２領域２Ａに延長されるという場合、基板１００と第１導電層２１５ｃとの間に配置される絶縁層が、ベンディング領域ＢＡにおいて、基板１００の左右のエッジと、第１導電層２１５ｃとの間に対応するように、ベンディング軸ＢＡＸと交差する方向に延長された第１開口または第１凹部を有すればよいといえる。ここで、基板１００の左右のエッジと、第１導電層２１５との間にあるということは、ディスプレイ装置が、複数個の第１導電層２１５ｃを有する場合、基板１００のエッジに最も隣接した第１導電層２１５ｃと、基板１００の左右のエッジとの間と理解される。

図１４は、本発明のさらに他の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する平面図であり、図１５は、図１４のＸＶ−ＸＶ線に沿って切り取った断面を概略的に図示する断面図である。本実施形態によるディスプレイ装置が、図３を参照して説明した実施形態によるディスプレイ装置と異なる点は、有機物層１６０の第２開口１６０ａ’の形状である。図１４及び図１５に図示されているように、有機物層１６０の第２開口１６０ａ’が、基板１００の左右（＋ｙ方向または−ｙ方向）のエッジにまで延長されるようにすることもできる。

その場合、追加有機物層といえる平坦化層１４０が、基板１００の左右のエッジまで延長され、有機物層１６０の延長された第２開口１６０ａ’を充填するようにする。特に、図１５に図示されているように、平坦化層１４０の側端面と、平坦化層１４０上のベンディング保護層６００の側端面とが、基板１００の側端面とほぼ一致することにより、有機物層１６０が延長された形状の第２開口１６０ａ’を有しても、平坦化層１４０及び／またはベンディング保護層６００が、基板１００の左右のエッジの部分を十分に支持する。このことにより、フレキシブルまたは曲げ可能な（flexible or bendable）な基板１００が非常に薄いとしても、基板１００が意図しないように変形されることを効果的に防止することができる。

一方、本発明のさらに他の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する断面図である図１６に図示されているように、有機物層１６０と類似して、平坦化層１４０の第３開口１４０ａ’が、基板１００の（＋ｙ方向または−ｙ方向）エッジ端まで延長されるようにすることもできる。その場合にも、ベンディング保護層６００の側端面が、基板１００の側端面とほぼ一致するようにすることにより、有機物層１６０が延長された形状の第２開口１６０ａ’を有し、平坦化層１４０が延長された形状の第３開口１４０ａ’を有しても、ベンディング保護層６００が、基板１００のエッジ部分を十分に支持する。それを介して、フレキシブルまたは曲げ可能な基板１００が非常に薄いとしても、基板１００が意図しないように変形されることを効果的に防止することができる。

ただ、本発明のさらに他の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を概略的に図示する断面図である図１７に図示されているように、有機物層１６０が、基板１００のエッジまで延長され、その上部の平坦化層１４０が、第３開口１４０ａ’を有するが、平坦化層１４０の第３開口１６０ａ’を、基板１００の左右（＋ｙ方向または−ｙ方向）のエッジ端まで延長させることもできるということはいうまでもない。その場合にも、ベンディング保護層６００の側端面が、基板１００の側端面とほぼ一致するようにする。

図１５ないし図１７においては、有機物層１６０が、基板１００のエッジまで延長された形状の第２開口１６０ａ’を有するか、あるいは平坦化層１４０が、基板１００のエッジまで延長された形状の第３開口１４０ａ’を有するように図示されているが、本発明は、それらに限定されるものではない。例えば、有機物層１６０は、基板１００のエッジまで延長された形状の第２凹部を有することもでき、平坦化層１４０も、基板１００のエッジまで延長された形状の第３凹部を有することもできるように、多様な変形が可能である。

このように、本発明は、図面に図示された実施形態を参照して説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、当該技術分野で当業者であるならば、それらから多様な変形、及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決められるものである。

本発明のディスプレイ装置は、例えば、ディスプレイ関連の技術分野に効果的に適用可能である。

１Ａ 第１領域
２Ａ 第２領域
１００ 基板
１１０ バッファ層
１２０ ゲート絶縁膜
１３０ 層間絶縁膜
１４０ 平坦化層
１４０ａ 第３開口
１５０ 画素定義膜
１６０ 有機物層
１６０ａ 第２開口
１６０ｂ 追加開口
１６０ｃ 補助開口
２１０ 薄膜トランジスタ
２１１ 半導体層
２１３ ゲート電極
２１３ａ，２１３ｂ 第２導電層
２１５ａ ソース電極
２１５ｂ ドレイン電極
２１５ｃ 第１導電層
３００ ディスプレイ素子
３１０ 画素電極
３２０ 中間層
３３０ 対向電極
４００ 封止層
４１０ 第１無機封止層
４２０ 有機封止層
４３０ 第２無機封止層
５１０ 透光性接着剤
５２０ 偏光板
６００ ベンディング保護層
ＢＡＸ ベンディング軸

Claims (20)

1. 第１領域と、第２領域と、これらの間に位置して、ベンディング軸を中心にベンディングされたベンディング領域とを有する基板と、
   前記基板上に配置されており、前記ベンディング領域の少なくとも一部の領域にわたって第１開口または第１凹部を有する無機絶縁層と、
   前記第１開口または第１凹部の少なくとも一部を充填し、ベンディング軸方向における前記基板の両端のエッジに沿って延長された第２開口または第２凹部を有する有機物層と、を具備するディスプレイ装置。
2. 前記第１開口または前記第１凹部は、ベンディング方向で見た場合、前記ベンディング領域についてのベンディング方向の全領域にわたって備えられることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
3. 前記第１開口または第１凹部の面積は、前記ベンディング領域の面積より広いことを特徴とする請求項２に記載のディスプレイ装置。
4. 前記第２開口または第２凹部の長さは、ベンディング軸に垂直に進む方向をベンディング方向と仮定した場合、前記ベンディング領域についてのベンディング方向の寸法、すなわち、ベンディングの前の状態における前記第１領域と前記第２領域側との間の距離より大きいことを特徴とする請求項３に記載のディスプレイ装置。
5. 前記第１領域から、前記ベンディング領域を経て、前記第２領域に延長され、前記有機物層上に位置した第１導電層をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
6. ベンディング軸に垂直に進む方向をベンディング方向と仮定した場合、前記第１開口または第１凹部についてのベンディング方向の寸法、すなわち、ベンディングの前の状態における前記第１領域から前記第２領域側へと向かう方向の寸法は、前記第２開口または第２凹部の長さより大きいことを特徴とする請求項５に記載のディスプレイ装置。
7. 前記第１導電層及び前記有機物層を覆う追加の有機物層をさらに具備し、前記追加の有機物層は、前記第２開口または第２凹部に重なるように、前記エッジに沿って延長された第３開口または第３凹部を有することを特徴とする請求項６に記載のディスプレイ装置。
8. 前記第２開口または第２凹部の長さは、前記第３開口または第３凹部の長さより大きいことを特徴とする請求項７に記載のディスプレイ装置。
9. 前記追加有機物層は、前記有機物層の前記第２開口または第２凹部での内側面を覆うことを特徴とする請求項７に記載のディスプレイ装置。
10. 前記有機物層の前記第２開口または第２凹部での内側面の少なくとも一部に沿って配置された導電残膜をさらに具備し、
    前記追加有機物層は、前記導電残膜を覆うことを特徴とする請求項９に記載のディスプレイ装置。
11. 前記導電残膜は、前記第１導電層が含む物質のうちの少なくとも一部を含むことを特徴とする請求項１０に記載のディスプレイ装置。
12. 前記第１導電層が位置した層と異なる層に位置するように、前記第１領域または前記第２領域に配置され、前記第１導電層に電気的に連結された第２導電層をさらに具備することを特徴とする請求項５に記載のディスプレイ装置。
13. 導電層を形成する材料について同一の条件にて延伸試験を行った場合、前記第１導電層の延伸率が、前記第２導電層の延伸率より大きいことを特徴とする請求項１２に記載のディスプレイ装置。
14. 前記有機物層は、前記第２開口または第２凹部に隣接し、前記エッジに沿って延長された追加の開口または追加の凹部を有することを特徴とする請求項１ないし１３のうちいずれか一項に記載のディスプレイ装置。
15. 前記追加の開口または追加の凹部の長さは、前記第２開口または第２凹部の長さより短いのであり、前記追加の開口または追加の凹部は、前記ベンディング軸と平行であって前記ベンディング領域の中心を通る仮想直線と交差することを特徴とする請求項１４に記載のディスプレイ装置。
16. 前記第２開口または第２凹部は、前記ベンディング軸と平行であって前記ベンディング領域の中心を通る仮想直線と交差する部分での幅が、少なくとも他の一部分での幅より広いことを特徴とする請求項１ないし１３のうちいずれか一項に記載のディスプレイ装置。
17. 前記有機物層は、前記第２開口または第２凹部に連結されるとともに、前記第２開口または第２凹部が延長された方向と交差する方向に枝状に延長された補助開口または補助凹部をさらに具備することを特徴とする請求項１ないし１３のうちいずれか一項に記載のディスプレイ装置。
18. 前記第２開口または第２凹部を充填するベンディング保護層をさらに具備することを特徴とする請求項１ないし１３のうちいずれか一項に記載のディスプレイ装置。
19. 前記ベンディング保護層は、前記ベンディング領域を覆うことを特徴とする請求項１８に記載のディスプレイ装置。
20. 第１領域と第２領域との間に位置するベンディング領域を有し、ベンディング軸を中心にベンディングされた基板と、
    前記第１領域から、前記ベンディング領域を経て、前記第２領域に延長された第１導電層と、
    前記基板と前記第１導電層との間に配置されており、前記ベンディング領域において、ベンディング軸方向における前記基板の両端のエッジと、前記第１導電層との間にて、前記ベンディング軸と交差する方向に延長された第２開口または第２凹部を有する絶縁層と、を具備するディスプレイ装置。

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