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TW201818538A - 具有減少缺陷的顯示設備 - Google Patents

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TW201818538A
TW201818538A TW106127813A TW106127813A TW201818538A TW 201818538 A TW201818538 A TW 201818538A TW 106127813 A TW106127813 A TW 106127813A TW 106127813 A TW106127813 A TW 106127813A TW 201818538 A TW201818538 A TW 201818538A
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崔允瑄
金鉉哲
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南韓商三星顯示器有限公司
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Abstract

本發明提供了一種能夠在製造顯示設備的期間或在製造後的使用中減少缺陷產生的顯示設備。顯示設備包含：基板，其包含在第一區域和第二區域之間的彎曲區域，基板圍繞彎曲軸在彎曲區域中彎曲；在基板上方的無機絕緣層，並且包含作為第一開口或第一凹槽的第一特徵，第一特徵被定位為對應於彎曲區域；以及至少部分地填充該第一特徵的有機材料層；以及包含作為第二開口或第二凹槽的第二特徵，第二特徵沿著基板的邊緣延伸。

Description

具有減少缺陷的顯示設備
相關申請的交叉引用
本申請要求在2016年8月18日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請案No.10-2016-0104990的權益，其公開內容透過引用併入本文。
一個或多個實施例涉及顯示設備，更具體地，涉及能夠在製造期間或隨後之使用中減少缺陷發生的顯示設備。
通常，顯示設備包含在基板上方的顯示單元。當這種顯示設備至少部分地彎曲時，可以改善各種角度的可見度或者可以減小非顯示區域的尺寸。
然而，在根據現有技術的顯示設備中，在製造過程或其後的使用期間，可能在彎曲部分或其附近發生缺陷。
一個或多個實施例包含能夠在製造顯示設備的製造期間或在製造後的使用中減少缺陷的發生的顯示設備。
其他方面將在下面的描述中部分地闡述，並且部分地將透過描述而變得顯而易見，或者可以透過實驗所呈現的或其他實施例來了解。
根據一個或多個實施例，顯示設備包含：基板，包含在第一區域和第二區域之間的彎曲區域，基板在彎曲區域中圍繞彎曲軸彎曲；在基板上方的無機絕緣層，並且包含作為第一開口或第一凹槽的第一特徵，第一特徵被定位成對應於彎曲區域；以及至少部分地填充第一特徵的有機材料層，並且包含作為第二開口或第二凹槽的第二特徵，第二特徵沿著基板的邊緣延伸。
第一開口和第一凹槽中的至少一個可以與彎曲區域重疊。第一開口或第一凹槽的區域可以大於彎曲區域的面積。第二開口或第二凹槽的長度可以大於彎曲區域在從第一區域往第二區域的方向上的寬度。
顯示設備還可以包含有機材料層上的第一導電層，第一導電層從第一區域穿過彎曲區域延伸到第二區域。
第一開口和第一凹槽中的一個的寬度可以大於第二開口和第二凹槽中的一個的長度。顯示設備還可以包含覆蓋第一導電層和有機材料層的附加有機材料層，其中附加有機材料層可以包含作為第三開口或第三凹槽的第三特徵，第三特徵沿著基板的邊緣延伸以對應於第二開口或第二凹槽。
第二開口和第二凹槽中的一個的長度可以大於第三開口和第三凹槽中的一個的長度。
附加有機材料層可以覆蓋第二開口或第二凹槽的一側。顯示設備還可以包含在第二開口或第二凹槽的一側的至少一部分上的導電剩餘層，其中附加有機材料層可以覆蓋導電剩餘層。導電剩餘層可以包含與第一導電層相同的材料。
顯示設備還可以包含在第一區域或第二區域中的第二導電層，使其位於與第一導電層所在的層不同的層上，第二導電層電連接到第一導電層。第一導電層的延長率可以大於第二導電層的延長率。
有機材料層可以包含沿著基板的邊緣延伸以與第二開口或第二凹槽相鄰的附加開口或附加凹槽。附加開口或附加凹槽的長度可以小於第二開口或第二凹槽的長度，並且附加開口或附加凹槽可以穿過平行於彎曲軸延伸並穿過彎曲區域的中心的虛擬線。
第二開口或第二凹槽可以在靠近彎曲區域的中心的第一部分處具有第一寬度，以及遠離第一部分處具有第二寬度，第一寬度大於第二寬度。
有機材料層還可以包含連接到第二開口或第二凹槽並且沿著與第二開口或第二凹槽延伸的方向交叉的方向延伸的輔助開口或輔助凹槽。
顯示設備還可以包含填充第二開口或第二凹槽的彎曲保護層。彎曲保護層可以覆蓋彎曲區域。
根據一個或多個實施例，顯示設備包含：基板，包含在第一區域和第二區域之間的彎曲區域，基板在彎曲區域中圍繞彎曲軸彎曲；從第一區域穿過彎曲區域延伸到第二區域的第一導電層；以及在基板和第一導電層之間並且包含開口或凹槽的絕緣層，開口或凹槽沿著與彎曲軸交叉的方向延伸，以對應於基板的邊緣和在彎曲區域的第一導電層之間的部分。
現在將詳細參考實施例，其例示在附圖中示出，其中相同的元件符號始終表示相同的元件。在這方面，實施例可以具有不同的形式，並且不應被解釋為限於本文所闡述的描述。因此，下面僅透過參考附圖來描述實施例以解釋本說明書的各方面。如本文所用，用語「和/或(and/or)」包含一個或複數個相關列出的項目的任一和所有組合。諸如「至少一個(at least one of)」的表達方式在物件列表之前修改整個物件列表，並且不修改列表的各個物件。所有數值都是近似值，可能有所不同。具體材料和組合物的所有實例僅被視為非限制性和例示性的。可以使用其它合適的材料和組合物。
在下文中，將透過參考附圖解釋本發明構思的較佳實施例來詳細描述。附圖中相同的元件符號表示相同的元件。
為了便於說明，附圖中的部件的尺寸可能被放大。換句話說，為了便於說明，附圖中的部件的尺寸和厚度被任意地示出，以下實施例不限於此，並且附圖不一定按比例繪製。
在下面的例子中，x軸、y軸和z軸不限於直角坐標系的三個軸，並且可以從廣義上解釋。例如，x軸、y軸和z軸可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
第1圖是根據實施例的顯示設備的示意性透視圖，第2圖是第1圖的顯示設備的一部分的示意性截面圖，第3圖是第1圖的顯示設備的一部分的示意性平面圖。
如第1圖至第3圖所示，根據實施例的顯示設備中的基板100包含沿著第一方向(+y方向)延伸的彎曲區域BA。在與第一方向交叉的第二方向(+x方向)上，彎曲區域BA在第一區域1A和第二區域2A之間。此外，如第1圖所示，基板100圍繞沿著第一方向(+y方向)延伸的彎曲軸BAX彎曲。基板100可以包含具有可撓性或可彎曲特性的各種材料，例如聚合物樹脂如聚醚碸(polyethersulfone，PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚醯亞胺(polyetherimide，PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate，PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate，PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide，PPS)、聚芳酯( polyarylate)、聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、和乙酸丙酸纖維素(cellulose acetate propionate，CAP)。基板100可以具有包含具有一個或多個上述聚合物樹脂的兩層的多層結構，以及在兩層之間包含諸如氧化矽、氮化矽和氧氮化矽的無機材料的阻擋層。
在第1圖中，基板100在整個第一區域1A、彎曲區域BA和第二區域2A中沿著y軸方向具有恆定的寬度，但不限於此。例如，如第3圖所示，基板100可以具有在第一區域1A內在y軸方向上變化的寬度。在這種情況下，如第3圖所示，第一區域1A內的基板100的較窄寬度可以等於彎曲區域BA或第二區域2A內的基板的寬度。
第一區域1A包含顯示區域DA。除了顯示區域DA之外，第一區域1A還可以包含顯示區域DA外部的非顯示區域的一部分，如第2圖所示。第二區域2A還可以包含非顯示區域。
在基板100的顯示區域DA中，除了顯示裝置300之外，還包含與顯示裝置300電連接的薄膜電晶體(TFT)210，如第2圖所示。在第2圖中，有機發光裝置位於顯示區域DA中作為顯示裝置300。有機發光裝置與TFT210的電連接可以被理解為像素電極310與TFT210電連接。
TFT210可以包含含有非晶矽、多晶矽或有機半導體材料的半導體層211。TFT210還可以包含閘極電極213、源極電極215a和汲極電極215b。為了確保半導體層211和閘極電極213之間的絕緣，可以在半導體層211和閘極電極213之間形成閘極絕緣層120，其中閘極絕緣層120包含無機材料如氧化矽、氮化矽和/或氮氧化矽。此外，層間絕緣層130可以在閘極電極213上，而源極電極215a和汲極電極215b可以在層間絕緣層130上，其中層間絕緣層130包含無機材料如氧化矽，氮化矽和/或氮氧化矽。包含無機材料的絕緣層可以透過化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)或原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)形成。這將被應用於稍後將描述的其它實施例及其修改。
緩衝層110可以在具有上述結構的TFT210和基板100之間。緩衝層110可以包含無機材料，例如氧化矽、氮化矽和/或氮氧化矽。緩衝層110可以改善基板100的上表面的平滑度，或者防止或減少雜質從基板100滲透到TFT210的半導體層211中。
平坦化層140可以佈置在TFT210上。例如，如第2圖所示，當有機發光裝置在TFT210上時，平坦化層140可以平坦化TFT210的上部。平坦化層140可以包含例如有機材料，例如丙烯酸(acryl)、苯並環丁烯(benzocyclobutene，BCB)和六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane，HMDSO)。在第2圖中，雖然平坦化層140具有單層結構，但可以對平坦化層140進行各種修改。例如，平坦化層140可以具有多層結構。此外，如第2圖所示，平坦化層140可以具有在顯示區域DA外部的開口，使得顯示區域DA中的平坦化層140的一部分和第二區域2A中的平坦化層140的一部分可以在物理上彼此分開。因此，來自外部的雜質將不會經由平坦化層140到達顯示區域DA。
在基板100的顯示區域DA中，顯示裝置300可以在平坦化層140上。顯示裝置300可以是包含像素電極310、相對電極330和在像素電極310和相對電極330之間以及包含發光層的中間層320的有機發光裝置。像素電極310可以經由形成在平坦化層140中的開口接觸源極電極215a和汲極電極215b中的一個，並且可以電連接到TFT210，如第2圖所示。
像素定義層150可以在平坦化層140上。像素定義層150包含分別對應於子像素的開口，即暴露像素電極310的中心部分的至少一個開口以定義像素。此外，在第2圖所示的例示中，像素定義層150增加像素電極310的邊緣和像素電極310上方的相對電極330之間的距離，以防止在像素電極310的邊緣處產生電弧。像素定義層150可以包含有機材料，例如PI或HMDSO。
有機發光裝置的中間層320可以包含低分子量有機材料或聚合物材料。當中間層320包含低分子量有機材料時，中間層320可以包含單層或多層結構的電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發光層(EML)、電子傳輸層(ETL)，以及電子注入層(EIL)，而有機材料的例子可包含銅酞菁(copper phthalocyanine，CuPc)、N，N'-二(萘-1-基)-N，二苯基聯苯胺(N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine，NPB)和三-8-羥基喹啉鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum ，Alq 3)。低分子量有機材料可以透過真空沉積法沉積。
當中間層320包含聚合物材料時，中間層320可以包含HTL和EML。這裡，HTL可以包含聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene，PEDOT)，並且EML可以包含基於聚亞苯基亞乙烯基(poly-phenylenevinylene，PPV)或聚芴類(polyfluorene-based)的聚合物材料。上述中間層320可以透過絲網印刷法(screen printing method)，噴墨印刷法或雷射光誘導熱成像法(laser induced thermal imaging，LITI)形成。
然而，中間層320不限於上述例示，並且可以具有各種結構。此外，中間層320可以包含跨越複數個像素電極310一體形成的層，或者被圖樣化以對應於複數個像素電極310中的每一個的層。
相對電極330設置在顯示區域DA的上方，且如第2圖所示，可以覆蓋顯示區域DA。也就是說，相對於複數個有機發光裝置，相對電極330可以一體地形成，使其對應於複數個像素電極310。
由於有機發光裝置可能容易被外部水分或氧氣損壞，所以封裝層400可以覆蓋有機發光裝置以保護有機發光裝置。封裝層400覆蓋顯示區域DA，也可以在顯示區域DA外延伸。封裝層400可以包含第一無機封裝層410、有機封裝層420和第二無機封裝層430，如第2圖所示。
第一無機封裝層410覆蓋相對電極330，並且可以包含氧化矽、氮化矽、和/或氮氧化矽。如果需要，可以在第一無機封裝層410和相對電極330之間佈置諸如覆蓋層(capping layer)的其它層。由於第一無機封裝層410根據其下面的結構成形，所以第一無機封裝層410可能具有不均勻的上表面。有機封裝層420覆蓋第一無機封裝層410，並且與第一無機封裝層410不同，有機封裝層420可具有均勻或基本平坦的上表面。更詳細地說，有機封裝層420可以在對應於顯示區域DA的部分基本上具有均勻的上表面。有機封裝層420可以包含選自PET、PEN、PC、PI、聚乙烯磺酸酯(polyethylene sulfonate)、聚甲醛(polyoxymethylene)、聚芳酯(polyarylate)和六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane)中的至少一種材料。第二無機封裝層430覆蓋有機封裝層420，並且可以包含氧化矽、氮化矽和/或氮氧化矽。第二無機封裝層430可以在顯示區域DA外部的邊緣處接觸第一無機封裝層410，以使有機封裝層420不暴露於外部。
如上所述，由於在封裝層400包含第一無機封裝層410、有機封裝層420和第二無機封裝層430，即使在上述封裝層400的多層結構中出現裂紋，裂紋也會在第一無機封裝層410和有機封裝層420之間、或有機封裝層420和第二無機封裝層430之間斷開。因此，可以減少形成外部水分或氧氣滲透到顯示區域DA中的路徑的可能性。
偏振板(polarization plate)520可以透過光學透明黏合劑(optically clear adhesive，OCA)510附著在封裝層400上。偏振板520可以減少外部光的反射。例如，當通過偏振板520的外部光被相對電極330的上表面反射，然後再次通過偏振板520時，外部光通過偏振板520兩次，並且外部光的相位可能會改變。因此，反射光的相位與進入偏振板520的外部光的相位不同，而發生破壞性干涉(destructive interference)。因此，可以減少外部光的反射，並且可以提高可視性(visibility)。如第2圖所示，OCA510和偏振板520可以覆蓋平坦化層140中的開口。根據一個或多個實施例，可以不必包含偏振板520的顯示設備，並且如果需要，偏振板520可以被省略或由其它元素代替。例如，可以省略偏振板520，並且可以使用黑矩陣(black matrix)和濾色器(color filter)來減少外部光的反射。
此外，包含無機材料的緩衝層110、閘極絕緣層120和層間絕緣層130可以統稱為無機絕緣層。無機絕緣層可以包含作為對應於彎曲區域BA的第一開口的第一特徵，如第2圖所示。也就是說，緩衝層110、閘極絕緣層120和層間絕緣層130可以分別包含對應於彎曲區域BA的開口110a、120a和130a。第一開口對應於彎曲區域BA可以表示開口與彎曲區域BA重疊。這裡，第一開口的面積可以大於彎曲區域BA的面積。為此，在第2圖中，第一開口的寬度OW大於彎曲區域BA的寬度BAw。這裡，第一開口的面積可以被定義為是緩衝層110的開口110a、閘極絕緣層120的開口120a和層間絕緣層130的開口和130a中的面積最小的。在第2圖中，第一開口的區域由緩衝層110中的開口110a的區域定義。
在緩衝層110中形成開口110a之後，可以同時形成閘極絕緣層120的開口120a和層間絕緣層130的開口130a。當形成TFT210時，為了使源極電極215a和汲極電極215b接觸半導體層211，必須形成貫穿閘極絕緣層120和層間絕緣層130的接觸孔。因此，當形成接觸孔時，可以同時形成閘極絕緣層120的開口120a和層間絕緣層130的開口130a。因此，如第2圖所示，閘極絕緣層120的開口120a的內表面和層間絕緣層130的開口130a的內表面可以形成單個連續表面。
根據實施例的顯示設備包含至少部分地填充無機絕緣層的第一開口的有機材料層160。在第2圖中，有機材料層160完全填充第一開口。此外，根據實施例的顯示設備包含第一導電層215c，並且第一導電層215c跨越彎曲區域BA並且在有機材料層160上方從第一區域1A延伸到第二區域2A。第一導電層215c也可以在無機絕緣層上延伸，例如當不存在有機材料層160時會在層間絕緣層130上延伸。第一導電層215c可以透過使用與源極電極215a或汲極電極215b相同的材料與源極電極215a或汲極電極215b同時形成。
如上所述，儘管第2圖示出了顯示設備為了方便描述而不彎曲的狀態，但是根據本實施例的顯示設備實際上如第1圖所示處於基板100在彎曲區域BA處彎曲的狀態。為此，如第2圖所示，製造顯示設備後使基板100平坦，然後基板100在彎曲區域BA處彎曲，使得顯示設備可以具有如第1圖所示的形狀。這裡，當基板100在彎曲區域BA彎曲時，可以在第一導電層215c中引起拉伸應力(tensile stress)。然而，在根據本實施例的顯示設備中，可以防止或減少在彎曲過程中第一導電層215c中的缺陷的發生。
如果諸如緩衝層110、閘極絕緣層120和/或層間絕緣層130的無機絕緣層不包含對應於彎曲區域BA的開口，而是從第一區域1A連續延伸到第二區域2A，並且如果第一導電層215c在這樣的無機絕緣層上，則在基板100的彎曲期間，將對第一導電層215c施加大的拉伸應力。特別是由於無機絕緣層的硬度比有機材料層的硬度大，所以在彎曲區域BA中的無機絕緣層中容易形成裂紋，在無機絕緣層發生裂紋時，裂紋也可能出現在無機絕緣層上的第一導電層215c中，因此產生諸如於第一導電層215c中的斷開(disconnection)之類的缺陷的可能性大大增加。
然而，根據本實施例的顯示設備，無機絕緣層包含對應於彎曲區域BA的第一開口，並且與彎曲區域BA對應的第一導電層215c的部分位於至少部分地填充第一開口的有機材料層160上。由於無機絕緣層包含對應於彎曲區域BA的第一開口，因此在無機絕緣層中發生裂縫的可能性大大降低，並且由於有機材料的特性，有機材料層160不太可能具有裂紋。因此，可以防止或減少有機材料層160上的第一導電層215c的部分中的裂紋的發生，其中第一導電層215c的部分對應於彎曲區域BA。由於有機材料層160具有比無機材料層低的硬度，所以有機材料層160可以吸收由於基板100的彎曲而產生的拉伸應力，從而降低第一導電性層215c的拉伸應力集中度。
在第2圖中，無機絕緣層具有第一開口，但不限於此。例如，無機絕緣層可以具有作為第一凹槽而不是第一開口的第一特徵。例如，與第2圖所示的實施例不同，緩衝層110可以不包含開口110a，但是可以連續地從第一區域1A穿過彎曲區域BA延伸到第二區域2A。然後，閘極絕緣層120和層間絕緣層130可以僅包含開口120a和130a。在這種情況下，包含無機材料的緩衝層110、閘極絕緣層120和層間絕緣層130可以統稱為無機絕緣層，在這種情況下，無機絕緣層可以理解為具有對應於彎曲區域BA的第一凹槽。此外，有機材料層160可以至少部分地填充第一凹槽。
在上述情況下，由於無機絕緣層具有對應於彎曲面積BA的第一凹槽，所以無機絕緣層的厚度在彎曲區域BA中減小，因此基板100可能更容易彎曲。此外，由於有機材料層160在彎曲區域BA中，並且第一導電層215c在有機材料層160上方，因此可以有效地防止在彎曲操作期間損壞第一導電層215c。為了便於說明，在上述實施例和後述的其他實施例以及其它實施例中描述了無機絕緣層包括第一開口的的例子或其變化，但是無機絕緣層可以替代地包含如上所述的第一凹槽。
除了第一導電層215c之外，根據實施例的顯示設備可以包含第二導電層213a和213b。第二導電層213a和213b位於與第一導電層215c不同層的第一區域1A或第二區域2A的上方，並且可以電連接到第一導電層215c。在第2圖中，第二導電層213a和213b處於相同的層，即在閘極絕緣層120上，並且使用與閘極電極213相同的材料。此外，第一導電層215c經由層間絕緣層130中的接觸孔與第二導電層213a和213b接觸。此外，第二導電層213a在第一區域1A中，第二導電層213b在第二區域2A中。
第一區域1A中的第二導電層213a可以電連接到顯示區域DA中的TFT210，因此，第一導電層215c可以經由第二導電層213a電連接到顯示區域DA中的TFT210。第二區域2A中的第二導電層213b也可以經由第一導電層215c電連接到顯示區域DA的TFT210。這樣，在顯示區域DA外部的第二導電層213a和213b可以電連接到顯示區域DA中的元件，或者可以朝著顯示區域DA延伸，使得第二導電層213a和213b的至少一些部分可以位於顯示區域DA中。
如上所述，儘管第2圖示出了顯示設備為了方便描述而不彎曲的狀態，但是根據本實施例的顯示設備實際上處於如第1圖所示的基板100在彎曲區域BA處彎曲的狀態。為此，如第2圖所示，製造顯示設備使得基板100平坦，然後基板100在彎曲區域BA處彎曲，使得顯示設備可以具有如第1圖所示的形狀。這裡，當基板100在彎曲區域BA處彎曲時，拉伸應力可以施加到彎曲區域BA中的元件。
因此，穿過彎曲區域BA的第一導電層215c包含具有高延伸率的材料，從而可以防止第一導電層215c中的裂紋或第一導電層215c的斷開等缺陷。此外，在第一區域1A和第二區域2A中形成第二導電層213a和213b，其包含具有低於第一導電層215c的延長率的材料和與第一導電層215c不同的電/物理特性，因此可以提高顯示設備中的電訊號的傳送效率，或者可以降低顯示裝置的製造過程中的缺陷率。
例如，第二導電層213a和213b可以包含鉬，並且第一導電層215c可以包含鋁。如果需要，第一導電層215c和第二導電層213a和213b可以具有多層結構。例如，第一導電層215c可以具有鈦層/鋁層/鈦層結構等多層結構，第二導電層213a、213b也可以具有多層結構，例如鉬層/鈦層結構。然而，一個或多個實施例不限於此，也就是說，第一導電層215c可以延伸到顯示區域，以直接電連接到TFT210的源極電極215a、汲極電極215b或閘極電極213。
此外，如第2圖所示，有機材料層160可以覆蓋無機絕緣層的第一開口的內表面。如上所述，由於第一導電層215c可以包含與源極電極215a和汲極電極215b同樣的材料，也可以與源極電極215a和汲極電極215b同時形成，所以可以在基板100的整個表面上的層間絕緣層130上形成導電層，並且可以被圖樣化以形成源極電極215a、汲極電極215b和第一導電層215c。如果有機材料層160不覆蓋緩衝層110中的開口110a的內側表面、閘極絕緣層120中的開口120a或層間絕緣層130中的開口130a，則導電層的導電材料可能不會從這些內側表面移除，而是可能保留在這些內側表面上。在這種情況下，剩餘導電材料可能導致不同導電層之間的短路。
因此，當形成有機材料層160時，有機材料層160可以覆蓋無機絕緣層中的第一開口的內側表面。如果有機材料層160包含作為稍後將描述的第二開口160a的第二特徵，為了使有機材料層160覆蓋無機絕緣層中的第一開口的內表面，從第一區域1A朝向第二區域2A的方向的無機絕緣層的寬度OW可以大於有機材料層160的第二開口160a在第二開口160a延伸的方向上的長度d。
在第2圖中，有機材料層160被顯示為具有很大恒定的厚度，但有機材料層160可以具有根據其位置而變化的厚度，使得有機材料層160的上表面可以在緩衝層110中的開口110a、閘極絕緣層120中的開口120a和層間絕緣層130中的開口130a的邊緣附近具有漸變曲線。因此，為了形成源極電極215a、汲極電極215b和第一導電層215c，在圖樣化導電層期間可以防止應該去除的剩餘導電材料。
此外，彎曲保護層(bending protection layer，BPL)600可以位於顯示區域DA的外部。也就是說，BPL600可以位於第一導電層215c的上方，其至少對應於彎曲區域BA。
當堆疊結構彎曲時，堆疊結構中存在應力中性平面(stress neutral plane)。如果沒有BPL600，則當基板100彎曲時，由於第一導電層215c的位置可能不對應於應力中性平面，所以可能對彎曲區域BA中的第一導電層215c施加過大的拉伸應力。但是，透過形成BPL600和調整BPL600的厚度及模數(modulus)，包含基板100、第一導電層215c、和BPL600的結構上的應力中性平面的位置可被調整。因此，可以經由BPL600將應力中性平面調整為圍繞第一導電層215c，因此施加到第一導電層215c的拉伸應力可能降低，或者可以對第一導電層215c施加壓縮應力(compressive stress)。BPL600可以包含丙烯酸。當對第一導電層215c施加壓縮應力時，損傷第一導電層215c的可能性遠小於當拉伸應力施加到第一導電層215c時。
在第4圖中，面對基板100的邊緣(+y方向)的BPL600的端面與基板100的端面不一致，但位於基板100的頂表面。然而，一個或多個實施例不限於此，也就是說，BPL600的端面可以對應於基板100的端面(參見第15圖)。否則，與第4圖所示的例子不同，可以提供與BPL600間隔開以更靠近基板100的邊緣(+y方向)的附加BPL。這可以理解為，BPL600具有類似於稍後將描述的有機材料層160的第二開口160a的沿著上下方向穿透BPL的開口。
具體來說，當在母基板(mother substrate)上形成複數個顯示單元，然後切割母板以同時製造複數個顯示設備時，可以在切割處理之前形成BPL600。在這種情況下，當切割母基板時也會切斷BPL，因此BPL600的端面可對應於基板100的端面。可以透過向母基板照射雷射光來進行切割。
此外，在第2圖中，BPL600在朝向顯示區域DA(-x方向)的方向的上表面對應於偏振板520的上表面(在+z方向) ，但不限於此。例如，在朝向顯示區域DA(-x方向)的方向上的BPL600的端部可以部分地覆蓋偏振板520的邊緣處的上表面。否則，在朝向顯示區域DA(-x方向)的方向上的BPL600的端部可能不接觸偏振板520和/或OCA510。在後一種情況下，在形成BPL600期間或之後，可以防止氣體從顯示區域DA(-x方向)朝向顯示區域DA(-x方向)的移動，這樣會降低或是防止顯示裝置300退化的風險。
如第2圖所示，如果在朝向顯示區域DA(-x方向)的方向上的BPL600的上表面與偏振板520的上表面在+z方向上重合、或如果顯示區域DA方向(-x方向)上的BPL600的端部部分地覆蓋偏振板520的端部的上表面、或者如果顯示區域DA方向(-x方向)的BPL600的端部與OCA510接觸，則對應於顯示區域DA(-x方向)的BPL600的厚度可以大於BPL600中的其它部分的厚度。由於液相材料或糊狀材料可以施加並硬化以形成BPL600，所以可以藉由硬化過程減小BPL600的體積。這裡，如果對應於顯示區域DA(-x方向)的BPL600的部分與偏振板520和/或OCA510接觸，那麼BPL600的部分固定在那個位置，且因此BPL600的剩餘部分的體積減小。因此，對應於或接近顯示區域DA(-x方向)的BPL600的厚度可以大於BPL600的其餘部分的厚度。
此外，根據實施例的顯示設備中的有機材料層160包含沿著基板100的邊緣延伸的第二開口160a，如第3圖所示。在第3圖中，有機材料層160包含鄰近基板100的邊緣延伸的第二開口160a。由於有機材料層160具有第二開口160a，可以減少在製造顯示設備或使用製造的顯示設備時發生缺陷。
儘管第3圖示出了為了便於描述而基板100不彎曲的狀態，但是根據實施例的顯示設備實際上在彎曲區域BA處彎曲，如第1圖所示。因此，彎曲區域BA位於顯示設備的邊緣。在製造過程中或之後，可以對彎曲區域BA施加衝擊。具體來說，在+y方向或-y方向的衝擊更可能施加於彎曲區域BA的邊緣，並且在這種情況下，如第4圖所示，其為沿著線的第3圖的IV-IV線的示意性截面圖，由於外部衝擊，有機材料層160中可能發生裂紋CR。如果這樣的裂紋CR到達彎曲區域BA的中心部分，則在諸如第一導電層215c的導線中也可能發生裂紋，從而在顯示設備中產生缺陷。
然而，根據本實施例的顯示設備，有機材料層160包含如上所述的第二開口160a。第二開口160a沿著基板100的邊緣(當基板100視為不彎曲時，在+x方向上)延伸。因此，如第4圖所示，即使裂紋CR發生在有機材料層160的邊緣，裂紋CR也不會到達彎曲區域BA的中心部分，而可以被第二開口160a阻止。因此，即使在製造過程中或之後對彎曲區域BA的外部施加衝擊，也可以防止或減少由於顯示設備中的裂紋引起的缺陷的產生。
為了促進整個彎曲區域BA的缺陷預防或減少效果，第二開口160a的長度方向(參見第3圖)的長度d可以大於從第一區域1A到第二區域2A的彎曲區域BA的寬度BAw。因此，可以防止或減少由於施加到基板100的邊緣的衝擊而導致的整個彎曲區域BA中的裂紋的發生。
此外，如上所述，有機材料層160的第二開口160a可能不需要穿透有機材料層160。例如，如第5圖所示，其係為根據實施例的顯示設備的一部分的示意性截面圖，有機材料層160可以包含作為第二凹槽160a1 的第二特徵，而不是第二開口160a。在這種情況下，可以透過第二凹槽160a1 有效地防止在有機材料層160中產生的裂紋CR向彎曲區域BA的中心部分的傳播。第二開口160a的上述和其它描述可以應用於第二凹槽160a1 。
此外，如第6圖所示，作為根據實施例的顯示設備的一部分的示意性截面圖，除了包含第二開口160a的有機材料層160之外，在有機材料層160上方的平坦化層140還可以包含第三特徵，其係為對應於第二開口160a的第三開口140a。平坦化層140的第三開口140a可以如同有機材料層160的第二開口160a一樣沿著基板100的邊緣延伸。也就是說，類似於第3圖所示的第二開口160a，平坦化層140可以具有沿著基板100的邊緣延伸的第三開口140a。
第三開口140a沿著基板100的邊緣(當基板100視為未被彎曲時，在+x方向上)延伸。因此，如第6圖所示，即使在有機材料層160和/或平坦化層140的邊緣產生裂紋CR，裂紋CR也可能不到達彎曲區域BA的中心部分，而是可以停止於第二開口160a和第三開口140a周圍。因此，即使在製造過程中的彎曲區域BA的外部施加衝擊，或者在製造之後，也可以防止或減少由顯示設備中的裂紋引起的缺陷。
為了促進整個彎曲區域BA的缺陷預防或減少效果，平坦化層140的第三開口140a的長度可以大於從第一區域1A到第二區域2A的彎曲區域BA的寬度BAw。因此，可以防止或減少由於施加到基板100的邊緣的衝擊而導致的整個彎曲區域BA中的裂紋的發生。
如上所述，平坦化層140可以不必須具有穿過平坦化層140的第三開口140a。也就是說，平坦化層140可以包含作為第三凹槽的第三特徵，而不是第三開口140a。這也適用於上述實施例，稍後將描述的實施例或其修改的例子。此外，該實施例可以進行各種修改，例如，有機材料層160可以不包含第二開口160a或第二凹槽160a1 ，並且平坦化層140可以僅包含第三開口140a或第三凹槽。這也適用於上述實施例，稍後將描述的實施例或其修改的例子。
如上所述，當有機材料層160具有第二開口160a並且平坦化層140具有第三開口140a時，BPL600可以至少部分地填充第二開口160a或至少部分地填充第三開口140a。BPL600可以至少部分地填充第二開口160a或第三開口140a，但也可以覆蓋彎曲區域BA。
如上所述，BPL600調節應力中性平面的位置。如果BPL600不填充第二開口160a或第三開口140a，則應力中性面位於第二開口160a或第三開口140a下的基板100的上表面和下表面之間的中間部分，以及周邊部分。因此，當基板100彎曲時，對基板100的部分(例如，從中心部分朝向下表面)施加壓縮應力，但是拉伸應力被施加到例如從中心部分朝向基板100的上表面。因此，在基板100的中心部分和上表面之間可能發生裂紋或撕裂。然而，BPL600至少部分地填充第二開口160a或第三開口140a，使其調整應力中性平面的位置，從而可以防止或減少基板100中的缺陷的發生。即使在有機材料層160和/或平坦化層140中發生裂紋CR，第二開口160a或第三開口140a可以防止或減少裂紋CR朝向彎曲區域BA的中心部分的傳播。
此外，如第6圖所示，平坦化層140可以覆蓋有機材料層160中的第二開口160a的內側表面。如上所述，第一導電層215c可以透過使用與源極和汲極215a和215b相同的材料與源極電極215a和汲極電極215b同時形成。為了實現這一點，在基板100的幾乎整個表面上，在有機材料層160和/或層間絕緣層130的上方形成導電層，然後將其圖樣化以形成源極電極215a、汲極電極215b和第一導電層215c。因此，如第7圖所示的是第6圖的A部分的放大截面圖，導電材料可以保留在有機材料層160中的第二開口160a的內側表面上，因此導電剩餘層215c'可以至少部分地沿著第二開口160a的內側表面剩餘。
導電剩餘層215c'可能導致兩個不同導電層之間的短路，或引起缺陷。例如，當形成像素電極310(參見第2圖)時，用於形成像素電極310的材料可以在導電剩餘層215c'周圍附聚(agglomerate)。這是因為，如果導電剩餘層215c'包含鋁，並且像素電極310包含銀(Ag)、則銀可以與鋁反應以在導電剩餘層215c'周圍形成塊狀。
因此，如第7圖所示，由於平坦化層140覆蓋有機材料層160中的第二開口160a的內側表面以覆蓋導電剩餘層215c'，所以導電剩餘層215c'可能不暴露。因此，可以防止或減少製造過程中的缺陷的發生。由於當如上所述形成第一導電層215c時可以產生導電剩餘層215c'，導電剩餘層215c'可以包含在第一導電層215c中的至少一些材料。如上所述，第一導電層215c可以包含鈦或鋁，並且如果需要，可以具有包含鈦層/鋁層/鈦層的多層結構。因此，導電剩餘層215c'也可以包含鈦、鋁或其混合物或其化合物。
第8圖是沿著第3圖的線VIII-VIII截取的示意性截面圖。如第8圖所示，有機材料層160中的第二開口160a的長度d(參見第3圖)可以大於平坦化層140中的第三開口140a的長度。因此，如上參照第7圖所述，平坦化層140可以覆蓋可能保留在第二開口160a的內側表面上的導電材料。
在上面的描述中，描述了有機材料層160包含第二開口160a的情況，但是一個或多個實施例不限於此。如第9圖所示，其係為根據實施例的顯示設備的一部分的示意性平面圖，有機材料層160可以包含附加開口160b或附加凹槽。附加開口160b或附加凹槽可以沿著與第二開口160a相鄰的基板100的邊緣延伸。如上所述，由於有機材料層160除了第二開口160a之外還包含附加開口160b或附加凹槽，所以裂紋CR(參見第4圖至第6圖)朝向彎曲區域BA的中心部分的傳播可以說是被封鎖了兩次。
此外，儘管第9圖示出了為了便於描述而基板100不彎曲的狀態，但是根據實施例的顯示設備實際上在彎曲區域BA處彎曲，如第1圖所示。因此，與第9圖所示不同，彎曲區域BA位於顯示設備的邊緣，而且特別是與彎曲軸BAX(參照第1圖)平行並穿過彎曲區域BA的中心的虛擬線IL，其位於顯示設備的邊緣。因此，可以對虛擬線IL所在的彎曲區域BA的部分施加外部衝擊。因此，有機材料層160的附加開口160b或附加凹槽被定位成穿過虛擬線IL，使其雙重防止裂紋CR向彎曲區域BA的中心部分前進。也就是說，儘管附加開口160b或附加凹槽的長度可以小於第二開口160a的長度，但附加開口160b或附加凹槽仍然可以穿過虛擬線IL。
否則，為了實現與上述相似的效果，如第10圖所示，作為根據實施例的顯示設備的一部分的示意性平面圖，有機材料層160中的第二開口160a可以具有可變寬度。也就是說，第二開口160a在與彎曲軸BAX(參見第1圖)平行並且穿過彎曲區域BA的中心的虛擬線IL的相交部分處的寬度可以大於至少一個其他部分的寬度。第二開口160a的寬度越大，在該位置傳播裂紋CR的可能性越小。此外，如第11圖所示，其係為根據實施例的顯示設備的一部分的示意性平面圖，第二開口160a沿著基板100的邊緣延伸，但是第二開口160a的中間部分的長度其方向朝向彎曲區域BA的中心彎曲，使得第二開口160a可具有彎月面形狀(meniscus shape)。
如第12圖所示，根據實施例的顯示設備的一部分的示意性平面圖，有機材料層160還可以包含輔助開口160c或輔助凹槽。輔助開口160c或輔助凹槽可以連接到第二開口160a，並且可以沿著與第二開口160a的長度方向交叉的方向延伸。有機材料層160可以具有複數個輔助開口160c或複數個輔助凹槽，在這種情況下，輔助開口160c或輔助凹槽可以在第二開考160a延伸的方向上交替地位於第二開口160a的相對側。
此外，如第13圖所示，作為根據實施例的顯示設備的一部分的示意性平面圖，有機材料層160的第二開口160a沿著基板100的邊緣延伸，並且有機材料層160的複數個島可以位於其中。
此外，上面描述了第二開口或第二凹槽沿著基板100的邊緣延伸，但是一個或多個實施例不限於此。此外，第二開口或第二凹槽可以不形成在有機材料層160中，而可以形成在另一部分中。也就是說，當包含第一區域1A和第二區域2A之間的彎曲區域BA的基板100圍繞彎曲軸BAX彎曲並且第一導電層215c從第一區域1A經由彎曲區域BA延伸到第二區域2A時，設置在基板100和第一導電層215c之間的絕緣層可以具有沿著與彎曲軸BAX交叉的方向延伸的第一開口或第一凹槽，以對應於基板100的邊緣與第一導電層215c在彎曲區域BA的部分。這裡，如果顯示設備包含複數個第一導電層215c，則基板100的邊緣與第一導電層215c之間的部分可以被理解為在基板100的邊緣和第一導電層之間的部分之間複數個最靠近基板100的邊緣的第一導電層215c的部分。
第14圖是根據實施例的顯示設備的一部分的示意性平面圖，第15圖是沿著第14圖的XV-XV線的示意性截面圖。考慮到有機材料層160中的第二開口160a'的形狀，根據實施例的顯示設備與參照第3圖示出的根據前述實施例的顯示設備不同。如第14圖和第15圖所示，有機材料層160的第二開口160a'可以延伸到基板100的端部(在+y方向或-y方向)。
在這種情況下，平坦化層140，即附加有機材料層可以延伸到基板100的邊緣，使其填充有機材料層160延伸的第二開口160a'。具體來說，如第15圖所示，平坦化層140的側端面和BPL600的側端面大致對應於基板100的側端面，因此基板100的邊緣可以為即使當有機材料層160包含第二開口160a'時，也被平坦化層140和/或BPL600充分支撐。因此，即使可撓性或可彎曲的基板100的厚度非常小，也可以有效地防止基板100的意外的變形。
此外，如第16圖所示，作為根據實施例的顯示設備的一部分的示意性截面圖，類似於有機材料層160，平坦化層140的第三開口140a'可以延伸到基板100的端部(在+y方向或-y方向)。在這種情況下，BPL600的側端面大致對應於基板100的側端面，因此即使當有機材料層160包含延伸的第二部分160a'且平坦化層140包含延伸的第三開口140a'時，BPL600也可以充分地支撐基板100的邊緣。因此，即使可撓性或可彎曲的基板100的厚度非常小，也可以有效地防止基板100的意外的變形。
如第17圖所示，作為根據實施例的顯示設備的一部分的示意性截面圖，有機材料層160可以延伸到基板100的邊緣，並且平坦化層140具有第三開口140a'其可以延伸到基板100的端部(在+y方向或-y方向)。在這種情況下，BPL600的側端面可以大致對應於基板100的側端面。
在第15圖至第17圖中，有機材料層160包含延伸到基板100的邊緣的第二開口160a'，或者平坦化層140包含延伸到基板100的邊緣的第三開口140a'，但是一個或多個實施例不限於此。例如，有機材料層160可以包含延伸到基板100的邊緣的第二凹槽，並且平坦化層140可以包含延伸到基板100的邊緣的第三凹槽。
根據一個或多個實施例，可以實現能夠在製造期間或之後減少缺陷產生的顯示設備。然而，本發明構思的範圍不限於上述效果。
應當理解，本文描述的實施例應僅在描述性意義上被考慮，而不是為了限制的目的。在其他實施例中，每個實施例中的特徵或方面的描述通常應被認為可用於其他類似特徵或方面。
雖然已經參考附圖描述了一個或多個實施例，但是本領域普通技術人員將會理解，在不脫離由以下申請專利範圍定義的精神和範圍的情況下，可以對其形式和細節進行各種改變。上述和其它實施例的各種特徵可以以任何方式混合和匹配，以產生與本發明一致的其它實施例。
100‧‧‧基板
110‧‧‧緩衝層
110a、120a、130a‧‧‧開口
120‧‧‧閘極絕緣層
130‧‧‧層間絕緣層
140‧‧‧平坦化層
140a'、140a‧‧‧第三開口
150‧‧‧像素定義層
160‧‧‧有機材料層
160a'、160a‧‧‧第二開口
160a1‧‧‧第二凹槽
160b‧‧‧附加開口
160c‧‧‧輔助開口
1A‧‧‧第一區域
210‧‧‧薄膜電晶體(TFT)
211‧‧‧半導體層
213‧‧‧閘極電極
213a、213b‧‧‧第二導電層
215a‧‧‧源極電極
215b‧‧‧汲極電極
215c‧‧‧第一導電層
215c'‧‧‧導電剩餘層
2A‧‧‧第二區域
300‧‧‧顯示裝置
310‧‧‧像素電極
320‧‧‧中間層
330‧‧‧相對電極
400‧‧‧封裝層
410‧‧‧第一無機封裝層
420‧‧‧有機封裝層
430‧‧‧第二無機封裝層
510‧‧‧光學透明黏合劑(OCA)
520‧‧‧偏振板
600‧‧‧彎曲保護層(BPL)
BA‧‧‧彎曲區域
BAw‧‧‧彎曲曲域的寬度
BAX‧‧‧彎曲軸
CR‧‧‧裂紋
DA‧‧‧顯示區域
OW‧‧‧第一開口的寬度
IL‧‧‧虛擬線
從以下結合附圖對實施例的描述中，這些和/或其他方面將變得顯而易見並且更容易理解，其中：
第1圖是根據實施例的顯示設備的一部分的示意性透視圖；
第2圖是第1圖的顯示設備的一部分的示意性截面圖。
第3圖是第1圖的顯示設備的一部分的示意性平面圖。
第4圖是沿著第3圖的線IV-IV截取的示意性截面圖。
第5圖是根據實施例的顯示設備的一部分的示意性截面圖；
第6圖是根據實施例的顯示設備的一部分的示意性截面圖；
第7圖是第6圖的部分A的放大截面圖。
第8圖是沿著第3圖的線VIII-VIII截取的示意性截面圖。
第9圖是根據實施例的顯示設備的一部分的示意性平面圖；
第10圖是根據實施例的顯示設備的一部分的示意性平面圖。
第11圖是根據實施例的顯示設備的一部分的示意性平面圖。
第12圖是根據實施例的顯示設備的一部分的示意性平面圖。
第13圖是根據實施例的顯示設備的一部分的示意性平面圖。
第14圖是根據實施例的顯示設備的一部分的示意性平面圖。
第15圖是沿著第14圖的XV-XV線的示意性截面圖。
第16圖是根據實施例的顯示設備的一部分的示意性截面圖；以及
第17圖是根據實施例的顯示設備的一部分的示意性截面圖。

Claims (20)

  1. 一種顯示設備，包含： 一基板，包含在一第一區域和一第二區域之間的一彎曲區域，該基板在該彎曲區域中圍繞一彎曲軸彎曲； 一無機絕緣層，位於該基板上方，並且包含作為一第一開口或一第一凹槽的一第一特徵，該第一特徵被定位為對應於該彎曲區域；以及 一有機材料層，至少部分地填充該第一特徵，並且包含作為一第二開口或一第二凹槽的一第二特徵，該第二特徵沿著該基板的邊緣延伸。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備，其中，該第一開口和該第一凹槽中的至少一個與該彎曲區域重疊。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之顯示設備，其中，該第一開口或該第一凹槽的面積大於該彎曲區域的面積。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之顯示設備，其中，該第二開口或該第二凹槽的長度大於該彎曲區域在從該第一區域往該第二區域的方向上的寬度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備，更進一步包含在該有機材料層上的一第一導電層，該第一導電層從該第一區域穿過該彎曲區域延伸到該第二區域。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之顯示設備，其中，該第一開口和該第一凹槽中的一個的寬度大於該第二開口和該第二凹槽中的一個的長度。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之顯示設備，更進一步包含覆蓋該第一導電層和該有機材料層的一附加有機材料層，其中該附加有機材料層包含作為一第三開口或一第三凹槽的一第三特徵，該第三特徵沿著基板的邊緣延伸，以對應於該第二開口或該第二凹槽。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之顯示設備，其中，該第二開口和該第二凹槽中的一個的長度大於該第三開口和該第三凹槽中的一個的長度。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之顯示設備，其中該附加有機材料層覆蓋該第二開口或該第二凹槽的一側。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之顯示設備，更進一步包含在該第二開口或該第二凹槽的一側的至少一部分上的一導電剩餘層， 其中該附加有機材料層覆蓋該導電剩餘層。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之顯示設備，其中該導電剩餘層包含與該第一導電層相同的材料。
  12. 如申請專利範圍第5項所述之顯示設備，更進一步包含在該第一區域或該第二區域中的一第二導電層，使其位於與該第一導電層所在的層不同的層上，該第二導電層電連接到該第一導電層。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之顯示設備，其中，該第一導電層的延長率大於該第二導電層的延長率。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備，其中該有機材料層包含一附加開口或一附加凹槽，沿著該基板的邊緣延伸以與該第二開口或該第二凹槽相鄰。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之顯示設備，其中，該附加開口或該附加凹槽的長度小於該第二開口或該第二凹槽的長度，並且該附加開口或該附加凹槽穿過與該彎曲軸平行延伸並穿過該彎曲區域的中心的一虛擬線。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備，其中該第二開口或該第二凹槽在靠近該彎曲區域的中心的一第一部分處具有一第一寬度，以及遠離該第一部分處具有一第二寬度，該第一寬度大於該第二寬度。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備，其中，該有機材料層還包含與該第二開口或該第二凹槽連接並且沿著與該第二開口或該第二凹槽延伸的方向交叉的方向延伸的一輔助開口或一輔助凹槽。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備，更進一步包含填充該第二開口或該第二凹槽的一彎曲保護層。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之顯示設備，其中，該彎曲保護層覆蓋該彎曲區域。
  20. 一種顯示設備，包含： 一基板，其包含在一第一區域和一第二區域之間的一彎曲區域，該基板在該彎曲區域中圍繞一彎曲軸彎曲； 一第一導電層，從該第一區域穿過該彎曲區域延伸到該第二區域；以及 在該基板和該第一導電層之間的一絕緣層，並且包含一開口或一凹槽，該開口或該凹槽沿著與該彎曲軸交叉的方向延伸，使其對應於該基板的邊緣和該第一導電層的彎曲區域之間的一部分。
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