JP2014232300A - フレキシブル表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】狭額化されたベゼルを備えたフレキシブル表示装置の提供。【解決手段】表示領域及び表示領域の外周であってリンク領域及びパッド領域を有する非表示領域で定義され、且つ柔軟性材料で作られた基板と、基板上の表示領域に複数の画素領域が定義されるように相互に交差する方向に形成されたゲート線及びデータ線と、パッド領域に形成されゲート線とデータ線のいずれか一つの信号線に駆動信号を供給するための外部回路が接続する複数のパッドと、リンク領域に形成され、複数のパッドのそれぞれと信号線とを接続させる複数のリンクと、基板上の全面に形成され、導電層同士を絶縁させる複数の絶縁膜と、非表示領域のうち、複数のパッドが基板の背面に配置されるように曲がるベンディング領域に対応するように形成され、複数の絶縁膜のうち、リンク下部に位置している少なくとも一つを貫通する第１ベンディングホールと、を有するフレキシブル表示装置とする。【選択図】図１

Description

本願は、表示領域の外周枠領域、すなわち、ベゼル(BEZEL）の幅を減少させることができるフレキシブル表示装置及びその製造方法に関する。

本格的な情報化時代の到来に伴い、電気的情報信号を視覚的に表示するディスプレイ（ｄｉｓｐｌａｙ）分野が急速に発展しつつある。そのために、種々の平板表示装置（Ｆｌａｔ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）に対して薄型化、軽量化及び低消費電力化などの性能開発に関する研究も続いている。

このような平板表示装置の代表には、例えば、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ：ＬＣＤ）、プラズマ表示装置（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌｄｅｖｉｃｅ：ＰＤＰ）、電界放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ：ＦＥＤ）、電気発光表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ：ＥＬＤ）、電気湿潤表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｗｅｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ：ＥＷＤ）及び有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙｄｅｖｉｃｅ：ＯＬＥＤ）などが挙げられる。このような平板表示装置はいずれも、映像を具現するための平板表示パネルを必須として有している。平板表示パネルは、固有の発光物質または偏光物質を挟持する一対の基板が貼り合わせられた構造となっている。

近年、平板表示装置として、プラスチック（ｐｌａｓｔｉｃ）のような柔軟性材料のフレキシブル基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）を用いることによって、紙のように曲がっても表示性能をそのまま維持可能なフレキシブル表示装置（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ）が開発されている。

かかるフレキシブル表示装置は、柔軟性のない既存の表示装置に比べて、幅広い適用範囲を有すると期待されており、フレキシブル表示装置を商用化するための研究・開発が続いている。

一方、フレキシブル表示装置をはじめとする平板表示装置は、実質的に映像を表示する表示領域、及び、表示領域以外の領域であって、各種駆動回路または外部回路との接続のための非表示領域を有しているのが一般的である。

ところが、表示領域の外周枠領域、すなわちベゼルの幅が広くなるほど、表示領域が相対的に小さく見え、美観及び作業性などの低下により表示装置の商品価値が低下することがある。

そこで、非表示領域自体の幅を縮めることによってベゼルの幅を縮減する研究・開発が行われている。しかし、非表示領域に配置される各種の駆動回路または外部回路との連結のためのパッドなどに割り当てられる面積領域により、非表示領域の幅を縮めるには限界があった。

本願は、フレキシブル基板の柔軟性を用いて、非表示領域よりも狭い幅のベゼルを有することができるフレキシブル表示装置及びその製造方法を提供することを課題とする。

上記課題を解決するために、本願は、表示領域、及び前記表示領域の外周であって、リンク領域及びパッド領域を有する非表示領域で定義され、且つ柔軟性材料で作られた基板と、前記基板上の表示領域に複数の画素領域が定義されるように相互に交差する方向に形成されたゲートライン及びデータラインと、前記パッド領域に形成され、前記ゲートライン又は／及びデータラインからなる信号線に駆動信号を供給するための外部回路が接続される複数のパッドと、前記リンク領域に形成され、前記複数のパッドのそれぞれと前記信号ラインとを接続させる複数のリンクと、前記基板上に形成され、導電層同士を絶縁させる複数の絶縁膜と、前記非表示領域のうち、前記複数のパッドが前記基板の背面に配置されるように曲がるベンディング領域に形成され、前記リンクと前記基板との間に形成された前記複数の絶縁膜の少なくとも一つを貫通する第１ベンディングホールと、を有するフレキシブル表示装置を提供する。

更に、本願は、表示領域と、前記表示領域の外周であって、リンク領域とパッド領域を有する非表示領域とで定義される基板を、柔軟性材料で形成する工程と、前記基板上にバッファー膜を形成する工程と、前記バッファー膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上の前記表示領域にゲートラインを形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上の全面に、前記ゲートラインを覆う層間絶縁膜を形成する工程と、前記非表示領域のうち前記パッド領域が前記基板の背面に配置されるように曲がるベンディング領域に対応して、少なくとも前記ゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜を貫通する第１ベンディングホールを形成する工程と、前記層間絶縁膜上の前記表示領域に、前記ゲートラインに交差するデータラインを形成し、前記層間絶縁膜上の前記リンク領域と、前記ゲートライン又は／及びデータラインからなる信号線と、を接続する複数のリンクを形成する工程と、前記層間絶縁膜上に、前記データライン及び前記複数のリンクを覆う保護膜を形成する工程と、前記保護膜上に、前記複数のリンクに接続し、前記信号線に駆動信号を供給するための外部回路が接続される複数のパッドを形成する工程と、前記複数のパッドが前記基板の背面に配置されるように、前記ベンディング領域を曲げる工程と、を具備するフレキシブル表示装置の製造方法を提供する。

本願の各実施形態に係るフレキシブル表示装置は、ベンディング領域を曲げて複数のパッドを基板の背面に配置させることによって、非表示領域の幅を縮めることなくベゼルの幅を縮減することができる。これにより、美観及び作業性などを上げ、表示装置の商品価値を向上させることができる。

そして、第１ベンディングホールを形成することによって、ベンディング領域に対応するバッファー膜、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜のそれぞれの一部を除去することができる。これにより、ベンディング領域が曲がる時、バッファー膜、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜などに比較的大きい曲げ応力が加えられて、クラックができ、リンク（配線）が断線するなどの問題点を未然に防止することができる。その結果、表示装置の信頼度及び歩留まりを向上させることができる。

また、非表示領域の一部、すなわち、第１ベンディングホールを含む領域に対応して、基板とバッファー膜との間にエッチング防止層をさらに形成することによって、第１ベンディングホールを形成するためのエッチング工程により基板がエッチングされることを防止することができる。その結果、不良の要因となる異物を未然に防止し、表示装置の信頼度及び歩留まりをより向上させることができる。

本願の第１実施形態に係るフレキシブル表示装置の一部を示す平面図である。 本願の第１実施形態に係る一画素領域を示す断面図である。 図１のフレキシブル表示装置において、基板のベンディング領域を曲げた状態を示す断面図である。 図１のＩ部分をより詳細に示す平面図である。 図４のＩＩ―ＩＩ’線に沿う断面図である。 図４のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿う断面図である。 本願の第２実施形態に係る図１のＩ部分をより詳細に示す平面図である。 図７のＩＶ−ＩＶ’線に沿う断面図である。 本願の第３実施形態に係る図４のＩＩ−ＩＩ’線に沿う断面図である。 本願の第４実施形態に係る図１のＩ部分をより詳細に示す平面図である。 図１０のＶ−Ｖ’線に沿う断面図である。 本願の第１実施形態に係るフレキシブル表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 図１０の「セルアレイ、リンク及びパッドを形成する工程」を示すフローチャートである。 フレキシブル表示装置の製造方法を示す第１の工程図である。 フレキシブル表示装置の製造方法を示す第２の工程図である。 フレキシブル表示装置の製造方法を示す第３の工程図である。 フレキシブル表示装置の製造方法を示す第４の工程図である。 フレキシブル表示装置の製造方法を示す第５の工程図である。 フレキシブル表示装置の製造方法を示す第６の工程図である。 フレキシブル表示装置の製造方法を示す第７の工程図である。 フレキシブル表示装置の製造方法を示す第８の工程図である。 フレキシブル表示装置の製造方法を示す第９の工程図である。 フレキシブル表示装置の製造方法を示す第１０の工程図である。 フレキシブル表示装置の製造方法を示す第１１の工程図である。 フレキシブル表示装置の製造方法を示す第１２の工程図である。 本願の第２実施形態に係るフレキシブル表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 本願の第３実施形態に係るフレキシブル表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 図１８の「プレベンディングホールを形成する工程」を示す工程図である。

以下、本願の各実施形態に係るフレキシブル表示装置及びその製造方法について、添付の図面を参照して詳細に説明する。

まず、図１乃至図６を参照して、本願の第１実施形態に係るフレキシブル表示装置について説明する。

図１は、本願の第１実施形態に係るフレキシブル表示装置の一部を示す平面図である。図２は、本願の第１実施形態に係る一画素領域を示す断面図である。図３は、図１のフレキシブル表示装置において、基板のベンディング領域を曲げた状態を示す断面図である。そして、図４は、図１のＩ部分をより詳細に示す平面図であり、図５は、図４のＩＩ−ＩＩ’線に沿う断面図であり、図６は、図４のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿う断面図である。

図１に示すように、本願の第１実施形態に係るフレキシブル表示装置１００は、基板１０１と、ゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬと、複数のパッドＰＤと、複数のリンクＬＫと、複数の絶縁膜１０２，１０３，１０４，及び１０５（図１には図示せず。後述の図２参照）と、を備えて構成されている。基板１０１は、表示領域ＡＡ、及び表示領域ＡＡの外周であって、リンク領域ＬＫＡ及びパッド領域ＰＤＡを有している非表示領域ＮＡで定義される。基板１０１は、柔軟性材料で作られている。ゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬは、基板１０１上の表示領域ＡＡに複数の画素領域ＰＡが定義されるように、相互に交差する方向に形成されている。複数のパッドＰＤは、パッド領域ＰＤＡに形成される。複数のパッドＰＤは、ゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬのいずれか一つの信号ラインに駆動信号を供給するための外部回路が接続される。複数のリンクＬＫは、リンク領域ＬＫＡに形成される。複数のリンクＬＫは、複数のパッドＰＤのそれぞれと信号ラインＧＬ，ＤＬとを接続する。複数の絶縁膜１０２，１０３，１０４，１０５は、基板上の全面に形成される。複数の絶縁膜１０２，１０３，１０４，１０５は、導電層同士を絶縁させる。

加えて、表示装置１００は、複数の薄膜トランジスタＴＦＴと、発光アレイと、を更に備えている。複数の薄膜トランジスタＴＦＴは、複数の画素領域ＰＡに対応してゲートラインＧＬとデータラインＤＬとの交差領域に形成される。発光アレイは、複数の画素領域ＰＡに対応してそれぞれ形成された複数の発光素子ＥＬを有している。

一例として、図２に示すように、フレキシブル表示装置１００は、柔軟性材料で作られた基板１０１、基板１０１上の全面に形成されているバッファー膜１０２、及びバッファー膜１０２上の表示領域に形成されている複数の薄膜トランジスタＴＦＴ及び複数の発光素子ＥＬを備えている。

基板１０１は、プラスチックまたは金属からなる柔軟性材料で作製することができる。基板１０１がプラスチックで作製される場合、各種薄膜の蒸着及びエッチング工程時に高温雰囲気に露出される点を考慮して、耐熱性の高い材料を選択する。

例えば、基板１０１は、ポリイミド（ＰＩ、ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ、ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｐｈｏｎｅ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ、ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ、ｐｏｌｙｅｈｔｅｒｉｍｉｄｅ）、ポリエチレンナフトレート（ＰＥＴ、ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｎａｐｔｈａｌａｔｅ）及びポリエチレンテレフタルレート（ＰＥＴ、ｐｏｌｙｅｈｔｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｔｈａｌａｔｅ）などのような高分子プラスチック材料で作られている。

または、基板１０１は、アルミニウム及び銅などのような金属材料で作られてもよい。

バッファー膜１０２は、基板１０１を通して発光素子ＥＬに水分及び酸素などの劣化誘発要因が侵入することを防止する。このバッファー膜１０２は、膜厚、成分及び組成比のうち少なくとも一つが相互に異なっている２枚以上の絶縁膜が積層された構造となっている。一例として、バッファー膜１０２の材料はＳｉＮｘまたはＳｉＯｙでよい。

複数の薄膜トランジスタＴＦＴのそれぞれは、活性層１１１と、ゲート絶縁膜１０３と、ゲート電極１１３と、層間絶縁膜１０４と、ソース電極（または、ドレイン電極）１１４ａと、ドレイン電極（または、ソース電極）１１４ｂと、保護膜１０５と、を備えて構成されている。

活性層１１１は、バッファー膜１０２上の各画素領域ＰＡの一部に形成される。活性層１１１は、ゲート電極のゲート電圧に基づいてチャンネルを形成する。活性層１１１は、チャンネル領域１１１ａと、ソース領域１１１ｂと、ドレイン領域１１１ｃと、を備える。チャンネル領域１１１ａは、ゲート絶縁膜１０３上のゲート電極１１３の少なくとも一部とオーバーラップし、ゲート電極１１３の電圧レベルによってチャンネルを形成する。ソース領域１１１ｂ及びドレイン領域１１１ｃは、チャンネル領域１１１ａの両側に構成される。

ゲート絶縁膜１０３は、バッファー膜１０２上の全面に活性層１１１を覆うように形成されている。ゲート電極１１３は、ゲート絶縁膜１０３上に、活性層１１１のチャンネル領域１１１ａに少なくとも一部がオーバーラップするように形成されている。ゲート電極１１３は、ゲートラインＧＬに接続される。層間絶縁膜１０４は、ゲート絶縁膜１０３上にゲート電極１１３を覆うように形成されている。

ソース電極１１４ａは、層間絶縁膜１０４上にソース領域１１１ｂとオーバーラップするように形成される。また、ソース電極１１４ａは、データラインＤＬに接続される。更に、ソース電極１１４ａは、ゲート絶縁膜１０３及び層間絶縁膜１０４を貫通してソース領域１１１ｂの少なくとも一部を露出するように形成されたソースホールＳＨを介してソース領域１１１ｂにも接続される。

ドレイン電極１１４ｂは、層間絶縁膜１０４上にドレイン領域１１１ｃとオーバーラップするように形成され、各画素領域ＰＡ内の発光素子ＥＬに接続される。更に、ドレイン電極１１４ｂは、ゲート絶縁膜１０３及び層間絶縁膜１０４を貫通してドレイン領域１１１ｃの少なくとも一部を露出するように形成されたドレインホールＤＨを介してドレイン領域１１１ｃにも接続される。

保護膜１０５は、層間絶縁膜１０４上にソース電極１１４ａとドレイン電極１１４ｂを覆うように形成される。なお、図２には図示していないが、ゲートライン（図１のＧＬ）がゲート電極１１３と共にゲート絶縁膜１０３上に形成されている。

また、データライン（図１のＤＬ、図２には図示せず）は、ソース電極１１４ａ及びドレイン電極１１４ｂと共に層間絶縁膜１０４上に形成されている。

複数の発光素子ＥＬのそれぞれは、第１電極１２１、バンク１２２、発光層１２３、第２電極１２４を備えて構成されている。第１電極１２１は、保護膜１０５上の各画素領域ＰＡに形成されている。バンク１２２は、保護膜１０５上の各画素領域ＰＡの周囲に形成されており、且つ第１電極１２１の一端の少なくとも一部にオーバーラップするように形成されている。発光層１２３は、第１電極１２１上に形成されている。第２電極１２４は、バンク１２２及び発光層１２３の表面全体の上に形成され、また、発光層１２３を挟んで第１電極１２１と対向するように形成されている。

第１電極１２１は、保護膜１０５を貫通してドレイン電極１１４ｂの少なくとも一部を露出するように形成されたコンタクトホールＣＨを介してドレイン電極１１４ｂに接続する。

第１電極１２１と第２電極１２４との間における発光層１２３は、薄膜トランジスタＴＦＴから印加された電流に基づいて光を放出する。

フレキシブル表示装置１００は、封止層１３０をさらに備えている。封止層１３０は、表示領域ＡＡ内に複数の発光素子ＥＬを含む発光アレイを挟んで基板１０１と対向するように形成されている。封止層１３０は、発光アレイを封止するように構成されている。封止層１３０は、発光素子ＥＬに劣化要因である酸素及び水分などが侵入するのを防止する役割を果たす。

再び図１を参照して説明する。

図１には詳細に図示していないが、一般に、基板１０１の上面は、４つの辺を有する長方形になっている。もし、表示領域ＡＡが基板１０１の上面中央に配置された場合、非表示領域ＮＡは、基板１０１の相互に水平方向及び垂直方向にそれぞれ平行な二組からなる４つの周辺領域（上辺及び下辺、並びに左辺及び右辺）を有することになる。しかし、これは例示に過ぎず、基板１０１の形態、表示領域ＡＡの形態、及び基板１０１に配置された表示領域ＡＡの位置によって、非表示領域ＮＡは１つまたは複数の領域を有してもよい。

図１に示すように、非表示領域ＮＡのいずれか一つの領域（ＮＡ１、図１で表示領域ＡＡの周辺領域の右辺に相応）は、複数のパッドＰＤが配置されているパッド領域ＰＤＡ、及びパッド領域ＰＤＡと表示領域ＡＡとの間に形成されており、複数のリンクＬＫが配置されているリンク領域ＬＫＡを有している。また、一側領域ＮＡ１のうち、基板１０１の一辺に平行な一部領域は、パッドＰＤが基板１０１の背面に配置されるように折り曲がるベンディング領域ＢＡとなっている。

図１では、非表示領域ＮＡのうち、ゲートラインＧＬに対応するパッドＰＤが配置されている右辺の領域ＮＡ１のみがベンディング領域ＢＡを含んでいるとしたが、これは例示に過ぎず、非表示領域ＮＡの周辺領域のそれぞれがベンディング領域ＢＡを含んでいてもよい。すなわち、データラインＤＬに接続しているパッドＰＤが基板１０１の背面に配置されるように、非表示領域ＮＡのうち、データラインＤＬに対応するパッドＰＤが配置されている上辺領域（図１で、表示領域ＡＡの上側の非表示領域ＮＡに相応）もベンディング領域ＢＡを含んでいてもよい。

ここで、リンク領域ＬＫＡの少なくとも一部がベンディング領域ＢＡとなるため、複数のリンクＬＫのそれぞれの一部はベンディング領域ＢＡ上に配置されるようになる。図１では、リンク領域ＬＫの一部がベンディング領域ＢＡになっているとしたが、これは例示に過ぎず、ベンディング領域ＢＡはリンク領域ＬＫＡよりも広くなっていてもよい。

図３に示すように、基板１０１のベンディング領域ＢＡを折り曲げて、パッド領域ＰＤＡのパッド（図１のＰＤ）が基板１０１の背面に配置されるようにする。

ところで、バッファー膜１０２、ゲート絶縁膜１０３、層間絶縁膜１０４の内の少なくとも一つの絶縁材料として、無機絶縁材料が使われることがある。このような絶縁材料は、一般的に、基板１０１に使われる柔軟性材料に比べてより高い剛性を帯びる。よって、絶縁材料、特に、無機絶縁材料がベンディング領域ＢＡに配置されていると、絶縁材料はベンディング領域ＢＡが曲がるに従って曲げ応力を受ける。そのため、絶縁材料にクラックが発生する可能性がある。この絶縁材料のクラックがリンクＬＫにも伝達され、リンクＬＫの断線などの不良につながる原因となる。

このように絶縁材料に加えられる曲げ応力によるリンクＬＫの断線不良を防止するには、ベンディング領域ＢＡに配置される絶縁材料を最小化する必要がある。

そこで、本願の第１実施形態に係るフレキシブル表示装置は、ベンディング領域ＢＡに設けられる第１ベンディングホールをさらに備える。

図４及び図５に示すように、フレキシブル表示装置１００は、エッチング防止層１０６と、第１ベンディングホールＢＨ１と、をさらに備えて構成されている。エッチング防止層１０６は、基板１０１上に非表示領域ＮＡのうち少なくとも一つの領域ＮＡ１内に形成される。第１ベンディングホールＢＨ１は、ベンディング領域ＢＡ内に形成される。ここで、第１ベンディングホールＢＨ１は、バッファー膜１０２、ゲート絶縁膜１０３、層間絶縁膜１０４及び保護膜１０５を含む複数の絶縁膜のうち、リンクＬＫの下部に位置している少なくとも一つを貫通している。

第１ベンディングホールＢＨ１は、エッチング防止層１０６の少なくとも一部を露出させるように形成すればよい。このとき、層間絶縁膜１０４上に形成された各リンクＬＫは、第１ベンディングホールＢＨ１により露出されたエッチング防止層１０６の少なくとも一部と直接接触することとなる。

エッチング防止層１０６は、第１ベンディングホールＢＨ１を形成するための、バッファー膜１０２、ゲート絶縁膜１０３及び層間絶縁膜１０４に対するエッチング工程時に、基板１０１が露出されることを防止する役割を担う。

一例として、バッファー膜１０２、ゲート絶縁膜１０３及び層間絶縁膜１０４がそれぞれ無機絶縁材料からなっている場合、バッファー膜１０２、ゲート絶縁膜１０３及び層間絶縁膜１０４を貫通する第１ベンディングホールＢＨ１を形成するには、主として乾式エッチングを行う。この時、基板１０１がプラスチック材料からなっていると、オーバーエッチング条件により第１ベンディングホールＢＨ１が形成された後にも乾式エッチングが引続き行われ、基板１０１が乾式エッチングに曝されることがある。すると、基板１０１も共にエッチングされて異物を発生させる。この異物は、その後の工程において断線、短絡などの不良を誘発したり、発光層（図２の１２３）の損傷を誘発したりし、結果としてフレキシブル表示装置１００の信頼度を低下させ、歩留まりを低下させる要因となる。

そこで、本願の第１実施形態では、第１ベンディングホールＢＨ１を形成する前に、基板１０１がエッチング工程に露出されるのを防止するためのエッチストッパーとして、エッチング防止層１０６を備えている。このようなエッチング防止層１０６は、第１ベンディングホールＢＨ１が形成されるベンディング領域ＢＡを含む少なくとも一つの領域ＮＡ１内において、基板１０１と複数の絶縁層１０２，１０３，１０４，１０５との間に配置される。

このエッチング防止層１０６の存在により、第１ベンディングホールＢＨ１の形成時に、基板１０１がバッファー膜１０２、ゲート絶縁膜１０３及び層間絶縁膜１０４と共にエッチングされるのを防ぐことができる。これにより、異物の発生が抑止され、フレキシブル表示装置１００の信頼度及び歩留まりを向上させることができる。

このエッチング防止層１０６は、ベンディング領域ＢＡを含む領域ＮＡ１にのみ対応するように形成されてもよく、ベンディング領域ＢＡの有無にかかわらずに非表示領域ＮＡ全体に対応するように形成されてもよい。

また、複数のリンクＬＫは、ソース電極（図２の１１４ａ）及びドレイン電極（図２の１１４ｂ）と同様に、層間絶縁膜１０４上に形成されている。

前述したように、ゲートラインＧＬはゲート電極（図２の１１３）と共にゲート絶縁膜１０３上に形成されている。そのため、ゲートラインＧＬに対応するリンクＬＫは、ゲートラインＧＬの少なくとも一部を露出するように層間絶縁膜１０４を貫通して形成されたリンクホールＬＫＨを通ってゲートラインＧＬに接続する。

そして、データライン（図１のＤＬ）は層間絶縁膜１０４上に形成されている。そのため、データラインＤＬとリンクＬＫとを接続させるための別途のコンタクトホールは不要である。すなわち、データラインＤＬに対応するリンクＬＫは、データラインＤＬから延びたものでよい。

保護膜１０５は、層間絶縁膜１０４上の全面に形成され、ソース電極１１４ａ及びドレイン電極１１４ｂを含め、第１ベンディングホールＢＨ１及び複数のリンクＬＫも覆うようになっている。

複数のパッドＰＤは、保護膜１０５上に形成されており、保護膜１０５を貫通して複数のリンクＬＫのそれぞれの少なくとも一部を露出するように形成されたパッドホールＰＤＨを通って複数のリンクＬＫと接続する。

一方、エッチング防止層１０６は、基板１０１のベンディング領域ＢＡと共に曲がることから、エッチング防止層１０６の材料は、バッファー膜１０２、ゲート絶縁膜１０３及び層間絶縁膜１０４を構成する無機絶縁材料に比べて高い柔軟性を有するものとする。そして、第１ベンディングホールＢＨ１の形成時に、エッチング防止層１０６がゲート絶縁膜１０３及び層間絶縁膜１０４と共にエッチングされるのを最小化するように、エッチング防止層１０６の材料は、ゲート絶縁膜１０３及び層間絶縁膜１０４に比べて低いエッチング比を有するものとする。

このような条件を満たすエッチング防止層１０６の材料は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）のような絶縁性材料を用いることができる。または、工程費用、工程容易性及び普遍性の観点から、ＩＴＯ、Ｍｏ及びＴｉのような導電性の金属性材料を用いてもよい。

なお、複数のリンクＬＫは、第１ベンディングホールＢＨ１により露出されたエッチング防止層１０６の少なくとも一部に接するように形成されている。このように、複数のリンクＬＫがエッチング防止層１０６に接続するので、エッチング防止層１０６が導電性材料及び単一パターンで形成されていると、複数のリンクＬＫがエッチング防止層１０６を介して相互に短絡する問題につながる。

そこで、図４及び図６に示すように、エッチング防止層１０６を、複数のリンクＬＫに対応する複数のエッチング防止パターン１０６ａ，１０６ｂで形成する。ここで、複数のエッチング防止パターン１０６ａ，１０６ｂは、相互につながらない独立したパターンで形成され、複数のリンクＬＫが相互に接続されることを防止する。

そして、エッチング防止層１０６が複数のエッチング防止パターン１０６ａ，１０６ｂで形成される場合に、第１ベンディングホールＢＨ１は、複数のエッチング防止パターン１０６ａ，１０６ｂのそれぞれの少なくとも一部を露出するように、複数個形成されてもよい。すなわち、フレキシブル表示装置１００は、複数のエッチング防止パターン１０６ａ，１０６ｂに対応して形成された複数の第１ベンディングホールＢＨ１を有することができる。

そして、複数のリンクＬＫは、複数の第１ベンディングホールＢＨ１により少なくとも一部が露出された複数のエッチング防止パターン１０６ａ，１０６ｂにそれぞれ接するように形成されている。これにより、エッチング防止層１０６によるリンクＬＫ同士の短絡が防止される。

以上の通り、本願の第１実施形態に係るフレキシブル表示装置１００は、第１ベンディングホールＢＨ１を有している。第１ベンディングホールＢＨ１は、ベンディング領域ＢＡに対応してエッチング防止層１０６が露出されるようにバッファー膜１０２、ゲート絶縁膜１０３及び層間絶縁膜１０４が除去されることにより形成される。第１ベンディングホールＢＨ１により、柔軟性材料の基板１０１に比べてより高い剛性を有する無機絶縁材料からなるバッファー膜１０２、ゲート絶縁膜１０３及び層間絶縁膜１０４に曲げ応力が加えられてクラックができ、このような無機絶縁材料のクラックが伝達されてリンクＬＫが断線する、といった欠陥を防止することが可能になる。

そして、フレキシブル表示装置１００は、エッチング防止層１０６をさらに備えている。エッチング防止層１０６は、第１ベンディングホールＢＨ１が形成される領域及びその周辺に応じて、基板１０１とバッファー膜１０２との間に設けられる。エッチング防止層１０６に使われる材料は、バッファー膜１０２、ゲート絶縁膜１０３及び層間絶縁膜１０４に使われる材料と比較して低いエッチング比を有する。このため、第１ベンディングホールＢＨ１の形成時に、オーバーエッチング条件によってバッファー膜１０２、ゲート絶縁膜１０３及び層間絶縁膜１０４が除去された後に更にエッチングが進行する場合、基板１０１が共にエッチングされることを防止することができる。従って、基板１０１の不所望のエッチングによる異物の発生及びそれによる不良を防止でき、信頼度及び歩留まりを向上させることができる。

次に、図７及び図８を参照して、本願の第２実施形態に係るフレキシブル表示装置について説明する。

図７は、本願の第２実施形態に係る図１のＩ部分をより詳細に示す平面図であり、図８は、図７のＩＶ−ＩＶ’線に沿う断面図である。

図７及び図８に示すように、第２実施形態に係るフレキシブル表示装置は、少なくとも一つの第２ベンディングホールＢＨ２をさらに有する。第２ベンディングホールＢＨ２は、各第１ベンディングホールＢＨ１において、リンクＬＫの周辺に対応して形成される。それ以外は、図１乃至図６に示す第１実施形態のフレキシブル表示装置と同一であり、以下では重複する説明は省略する。

図７及び図８に記載の少なくとも一つの第２ベンディングホールＢＨ２のそれぞれは、第１ベンディングホールＢＨ１内においてリンクＬＫ周辺に残っている曲げ応力要因、すなわち保護膜１０５及びエッチング防止層１０６を除去する役割を果たす。すなわち、各第２ベンディングホールＢＨ２は、第１ベンディングホールＢＨ１内のリンクＬＫの周辺において、保護膜１０５及びエッチング防止層１０６を貫通するように形成され、基板１０１の一部を露出させる。

これにより、少なくとも一つの第２ベンディングホールＢＨ２により、ベンディング領域ＢＡのうち、リンクＬＫを取り囲む領域以外では、保護膜１０５及びエッチング防止層１０６が除去されるため、曲げ応力要因が更に減少し、曲げ応力による不良を更に防止することができる。

次に、図９を参照して、本願の第３実施形態について説明する。

図９は、本願の第３実施形態に係る図４の’ＩＩ−ＩＩ’線に沿う断面図である。

図９に示すように、第３実施形態に係るフレキシブル表示装置は、プレベンディングホールｐｒｅ＿ＢＨ１をさらに有する。プレベンディングホールｐｒｅ＿ＢＨ１は、バッファー膜１０２を形成した後、活性層１１１を形成する前に、ベンディング領域ＢＡに対応して、第１ベンディングホールＢＨ１よりも広い幅でバッファー膜１０２を貫通するように形成される。それ以外は、上述の第１及び第２実施形態と同一であり、以下では重複する説明は省略する。

図９に記載されたようなプレベンディングホールｐｒｅ＿ＢＨ１を活性層１１１の形成前に形成することにより、ベンディング領域ＢＡ内のバッファー膜１０２は第１ベンディングホールＢＨ１の形成前に除去される。、すなわち、第１ベンディングホールＢＨ１形成の際にバッファー膜１０２を除去する必要が無くなり、ゲート絶縁膜１０３と層間絶縁膜１０４のみを除去すればよい。一方でソースホールＳＨ及びドレインホールＤＨは、本実施形態における第１ベンディングホールＢＨ１と同様に、ゲート絶縁膜１０３と層間絶縁膜１０４を貫通して形成される。従って、ソースホールＳＨ及びドレインホールＤＨの形成により露出される活性層１１１が第１ベンディングホールＢＨ１形成の間にオーバーエッチングにより損傷することを最小化することができる。
次に、図１０及び図１１を参照して、本願の第４実施形態に係るフレキシブル表示装置について説明する。

図１０は、本願の第４実施形態に係る図１のＩ部分をより詳細に示す平面図であり、図１１は、図１０の’Ｖ−Ｖ’線に沿う断面図である。

図１０及び図１１に示すように、第４実施形態に係るフレキシブル表示装置は、第１ベンディングホールＢＨ１及びエッチング防止層１０６が、ベンディング領域ＢＡの他、パッド領域ＰＤＡにも対応するように形成される。それ以外は、上述した第１乃至第３実施形態と同一であり、以下では重複する説明は省略する。
次に、図１２、図１３、図１４Ａ乃至図１４Ｃ、図１５Ａ乃至図１５Ｇ、図１６Ａ及び図１６Ｂを参照して、本願の第１実施形態に係るフレキシブル表示装置の製造方法について説明する。

図１２は、本願の第１実施形態に係るフレキシブル表示装置の製造方法を示すフローチャートである。図１２に示すように、本願の第１実施形態に係るフレキシブル表示装置１００の製造方法は、工程Ｓ１１０において、表示領域ＡＡと、表示領域ＡＡの外周であって、リンク領域ＬＫＡ及びパッド領域ＰＤＡを有している非表示領域ＮＡ１とが定義される柔軟性材料の基板１０１を設ける。次いで工程Ｓ１２０において、基板１０１上の非表示領域ＮＡ１の内の少なくとも一部に、エッチング防止層１０６を形成する。次いで工程Ｓ１３０において、基板上の全面にバッファー膜１０２を形成する。

次いで工程Ｓ１４０において、
（１）表示領域ＡＡにて、バッファー膜１０２上にゲートラインＧＬとデータラインＤＬを形成し；
（２）バッファー膜１０２上の全面に複数の絶縁膜を形成し；
（３）非表示領域ＮＡ１内のベンディング領域ＢＡに第１ベンディングホールＢＨ１を形成し；
（４）非表示領域ＮＡ１内のパッド領域ＰＤＡに複数のパッドＰＤを形成し；そして
（５）非表示領域ＮＡ１内のリンク領域ＬＫＡに複数のリンクＬＫを形成する。

ここで、第１ベンディングホールは、非表示領域内のベンディング領域に形成された複数の絶縁膜のうちの少なくとも一つを貫通させることで形成される。また、ベンディング領域は、当該領域が曲げられることにより、パッド領域が基板の背面に配置されるように構成される。また、複数のパッドＰＤは、ゲートライン又はデータラインのいずれかの信号線に駆動信号を供給するための外部回路と接続されるように構成される。また、複数のリンクＬＫは、複数のパッドＰＤと信号線を接続させるように構成される。

次いで工程Ｓ１５０において、複数の画素領域ＰＡ内に複数の発光素子ＥＬを含む発光アレイを形成する。次いで工程Ｓ１６０において、表示領域ＡＡ内に封止層１３０を形成する。封止層１３０は、複数の発光素子ＥＬを挟んで基板１０１に対向するように形成され、複数の発光素子ＥＬを封止する。次いで工程Ｓ１７０において、複数のパッドＰＤが基板の背面に配置されるように、基板中のリンク領域の一部であるベンディング領域ＢＡを折り曲げる。

図１３は、図１０の「セルアレイ、リンク及びパッドを形成する工程」を示すフローチャートである。図１３に示すように、ゲートラインＧＬとデータラインＤＬ、複数の絶縁膜、第１ベンディングホールＢＨ１、複数のパッドＰＤ、及び複数のリンクＬＫを形成する工程（Ｓ１４０）は、以下の工程を含む。
（１）バッファー膜１０２上に各画素領域ＰＡの一部に活性層１１１を形成する（Ｓ１４１）。；
（２）バッファー膜１０２上の全面にゲート絶縁膜１０３を形成する（Ｓ１４２）。；
（３）ゲート絶縁膜１０３上にゲートラインＧＬ及びゲートラインＧＬに接続されるゲート電極１１３を形成する。（Ｓ１４３）；
（４）ゲート絶縁膜１０３上の全面に層間絶縁膜１０４を形成する（Ｓ１４４）。；
（５）層間絶縁膜１０４とゲート絶縁膜１０３を貫通するソースホールＳＨ、ドレインホールＤＨ及びリンクホールＬＫＨ、及び、層間絶縁膜１０４とゲート絶縁膜１０３とバッファー膜１０２とを貫通する第１ベンディングホールＢＨ１を形成する（Ｓ１４５）。；
（６）層間絶縁膜１０４上にデータラインＤＬ、ソース電極１１４ａ、ドレイン電極１１４ｂ及び複数のリンクＬＫを形成する（Ｓ１４６）。；
（７）層間絶縁膜１０４上の全面に保護膜１０５を形成する（Ｓ１４７）。；
（８）保護膜１０５を貫通するパッドホールＰＤＨを形成する（Ｓ１４８）。；そして、
（９）保護膜１０５上に複数のパッドＰＤを形成する（Ｓ１４９）。

図１４Ａは、フレキシブル表示装置の製造方法を示す第１の工程図である。図１４Ａに示すように、まず最初に柔軟性材料の基板１０１が設けられる（Ｓ１１０）。本工程のために、犠牲基板（図示せず）を使用することができる。

図１４Ｂは、フレキシブル表示装置の製造方法を示す第２の工程図である。図１４Ｂに示すように、エッチング防止層１０６が基板１０１上に形成される。（Ｓ１２０）ここで、エッチング防止層１０６は、基板１０１上の非表示領域ＮＡ１内の、少なくともベンディング領域ＢＡを含む領域を覆うように形成される。

このとき、エッチング防止層１０６は、非表示領域ＮＡの全体に形成されてもよく、また、非表示領域ＮＡのうち、後の工程で形成される第１ベンディングホール（図４乃至図６のＢＨ１）を含む一部の領域にのみ選択的に形成されてもよい。

エッチング防止層１０６はベンディング領域ＢＡを含む領域に形成されるので、基板１０１と共に折り曲げられる。なお、第１ベンディングホールＢＨ１を形成するためのエッチング工程がオーバーエッチング条件で行われても、基板１０１がエッチングにより露出したりエッチング防止層１０６から異物が発生したりすることを防止する必要がある。そこで、エッチング防止層１０６は、後の工程で形成されるバッファー膜１０２、ゲート絶縁膜１０３及び層間絶縁膜１０４のそれぞれを形成する無機絶縁材料に比べてより高い柔軟性、及びより低いエッチング比を有する材料で形成することが望ましい。

一例として、エッチング防止層１０６は、工程費用、工程容易性及び普遍性の観点から、ＩＴＯ、Ｍｏ、Ｔｉ及びａ−Ｓｉから選ばれる１種を用いて形成することができる。

なお、エッチング防止層１０６が導電性の材料で形成されると、第１ベンディングホールＢＨ１を通って接続する複数のリンク（図１及び図５などでＬＫ）がエッチング防止層１０６により短絡することがある。これを防止するために、エッチング防止層１０６は、複数のリンクＬＫに対応し、且つ相互に分離された形態である複数のエッチング防止パターンで形成されるとよい。

図１４Ｃは、フレキシブル表示装置の製造方法を示す第３の工程図である。図１４Ｃに示すように、バッファー膜１０２が基板１０１上の全面に形成される（Ｓ１３０）。

図１５Ａは、フレキシブル表示装置の製造方法を示す第４の工程図である。図１５Ａに示すように、活性層１１１がバッファー膜１０２上に形成される（Ｓ１４１）。次いで、ゲート絶縁膜１０３がバッファー膜１０２上の全面に形成される。このとき、ゲート絶縁膜１０３は活性層１１１を覆うように形成すされる（Ｓ１４２）。ここで、活性層１１１は、チャンネル領域１１１ａ、及びチャンネル領域１１１ａ両側のソース領域１１１ｂ及びドレイン領域１１１ｃを有する。

次いで、ゲート電極１１３が、ゲート絶縁膜１０３上に、活性層１１１のチャンネル領域に少なくとも一部がオーバーラップするように形成される。次いで、ゲートライン（図示せず。図１及び図５のＧＬに対応）がゲート電極１１３と電気的に接続するように形成される（Ｓ１４３）。次いで、層間絶縁膜１０４がゲート絶縁膜１０３上の全面に、ゲート電極を覆うように形成される（Ｓ１４４）。

図１５Ｂ及び図１５Ｃは、フレキシブル表示装置の製造方法を示す第５及び６の工程図である。図１５Ｂに示すように、ソースホールＳＨ及びドレインホールＤＨが、層間絶縁膜１０４及びゲート絶縁膜１０３を選択的にパターニングすることにより形成される。同様に、図１５Ｃに示すように、リンクホールＬＫＨ及び第１ベンディングホールＢＨ１が、層間絶縁膜１０４、ゲート絶縁膜１０３及びバッファー膜１０２を選択的にパターニングすることにより形成される（Ｓ１４５）。

ソースホールＳＨは、層間絶縁膜１０４とゲート絶縁膜１０３を貫通してソース領域１１１ｂの少なくとも一部を露出させるように形成される。

ドレインホールＤＨは、層間絶縁膜１０４とゲート絶縁膜１０３を貫通してドレイン領域１１１ｃの少なくとも一部を露出させるように形成される。

リンクホールＬＫＨは、ゲートラインＧＬと、ゲートラインとは異なる層に形成されるリンクＬＫとを接続させるためのコンタクトホールであって、層間絶縁膜１０４とゲート絶縁膜１０３を貫通してゲートラインＧＬの少なくとも一部を露出させるように形成される。

第１ベンディングホールＢＨ１は、ベンディング領域ＢＡが曲げられる際、バッファー膜１０２、ゲート絶縁膜１０３及び層間絶縁膜１０４が基板１０１よりも大きい曲げ応力を受けた結果クラックを発生させることを防止する。このような第１ベンディングホールＢＨ１は、バッファー膜１０２、ゲート絶縁膜１０３及び層間絶縁膜１０４を貫通して、エッチング防止層１０６のうちベンディング領域ＢＡに対応する少なくとも一部を露出させるように形成される。

図１５Ｄ及び図１５Ｅは、フレキシブル表示装置の製造方法を示す第７及び８の工程図である。図１５Ｄ及び図１５Ｅに示すように、層間絶縁膜１０４上に、ソース電極１１４ａ、ドレイン電極１１４ｂ、データライン（図１のＤＬ）、及び複数のリンクＬＫが形成される。データラインは、ソース電極及びドレイン電極のいずれか一方に接続するように形成される。複数のリンクＬＫのそれぞれは、ゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬのいずれか一方に接続するように形成される。複数のリンクＬＫは、パッド領域ＰＤＡまで延びるように構成される。

ソース電極１１４ａは、ソースホールＳＨを通って活性層１１１のソース領域１１１ｂに接続され、ドレイン電極１１４ｂは、ドレインホールＤＨを介して活性層１１１のドレイン領域１１１ｃに接続される。

複数のリンクＬＫのうち、ゲートラインＧＬに対応するリンクは、リンクホールＬＫＨを介してゲートラインＧＬに接続される。また、複数のリンクＬＫのうち、データラインＤＬに対応するリンクは、データラインＤＬから延びるように構成される。

また、複数のリンクＬＫは、ベンディング領域ＢＡにおいて、第１ベンディングホールＢＨ１を介してエッチング防止層１０６に直接接触するように形成される。

仮に、エッチング防止層１０６が導電性材料で形成された場合は、複数のリンクＬＫは、複数の第１ベンディングホールＢＨ１を介して複数のエッチング防止パターン（図３の１０６ａ，１０６ｂに対応）にそれぞれ接触するようにする。

図１５Ｆは、フレキシブル表示装置の製造方法を示す第９の工程図である。図１５Ｆに示すように、保護膜１０５が、層間絶縁膜１０４上の全面に、ソース電極１１４ａ、ドレイン電極１１４ｂ、データラインＤＬ、リンクＬＫ及び第１ベンディングホールＢＨ１を覆うように形成される（Ｓ１４７）。

図１５Ｇは、フレキシブル表示装置の製造方法を示す第１０の工程図である。図１５Ｇに示すように、パッドホールＰＤＨが、パッド領域ＰＤＡにおいて、保護膜１０５を貫通して各リンクＬＫの少なくとも一部を露出させるように形成される（Ｓ１４８）。ついで、複数のパッドＰＤが、保護膜１０５上に、複数のリンクＬＫに接続するように形成される（Ｓ１４９）。

図１６Ａは、フレキシブル表示装置の製造方法を示す第１１の工程図である。図１６Ａに示すように、発光素子ＥＬが保護膜１０５上に形成される。発光素子ＥＬは、第１電極１２１、バンク１２２、発光層１２３及び第２電極１２４により構成されている。このような発光素子ＥＬを複数形成することによって、表示領域に発光アレイが形成される（Ｓ１５０）。

図１６Ｂは、フレキシブル表示装置の製造方法を示す第１２の工程図である。図１６Ｂに示すように、封止層１３０は、表示領域ＡＡ内に、発光素子ＥＬを挟んで基板１０１に対向するように形成される（Ｓ１６０）。また、封止層１３０は、発光アレイＥＬを封止するために形成される。

一方、図示してはいないが、本願の第４実施形態（図１０及び図１１に対応）に係るフレキシブル表示装置の製造方法は、エッチング防止層１０６を形成する工程（Ｓ１２０）において、エッチング防止層１０６がベンディング領域ＢＡの他、パッド領域ＰＤＡにも対応するように形成される以外は、図１４Ｂと同様である。そして、ソースホールＳＨ、ドレインホールＤＨ、リンクホールＬＫＨ及び第１ベンディングホールＢＨ１を形成する工程（Ｓ１４５）において、第１ベンディングホールＢＨ１がベンディング領域ＢＡの他、パッド領域ＰＤＡにも対応するように形成される以外は、図１５Ｃと同様である。そのため、重複する説明は省略する。

次に、図３に示すように、ベンディング領域ＢＡを曲げて、複数のパッドＰＤを基板１０１の背面上に位置させる（Ｓ１７０）。

一方、図１２、図１４Ａ乃至図１４Ｃ、図１５Ａ乃至図１５Ｇ、図１６Ａ及び図１６Ｂには詳細に示していないが、基板１０１を備える工程（Ｓ１１０）において、犠牲基板（図示せず）を使用してもよい。すなわち、犠牲基板（図示せず）上に柔軟性材料を積層して基板１０１を用意することができる。この場合、フレキシブル表示装置の製造方法は、封止層１３０を形成する工程（Ｓ１６０）の後、犠牲基板（図示せず）を除去する工程をさらに具備し、犠牲基板を除去した後、基板１０１のベンディング領域ＢＡを曲げる（Ｓ１７０）。

次に、図１７を参照して、本願の第２実施形態に係るフレキシブル表示装置の製造方法を説明する。

図１７は、本願の第２実施形態に係るフレキシブル表示装置の製造方法を示すフローチャートである。

図１７に示すように、本願の第２実施形態に係るフレキシブル表示装置は、パッドホールを形成する工程（Ｓ１４８’）において、各第１ベンディングホールＢＨ１に対応して少なくとも一つの第２ベンディングホールＢＨ２をさらに形成する。それ以外は、前述した第１実施形態と同一であり、以下では重複する説明は省略する。

図７及び図８を参照すると、第２ベンディングホールＢＨ２は、第１ベンディングホールＢＨ１内のリンクＬＫの周辺に、保護膜１０５及びエッチング防止層１０６を貫通して基板１０１の一部を露出させるように形成される。

このような第２ベンディングホールＢＨ２をさらに形成することによって、ベンディング領域ＢＡにおいてリンクＬＫの周囲の保護膜１０５及びエッチング防止層１０６がさらに除去され、曲げ応力要因が更に減少するため、フレキシブル表示装置の信頼度及び歩留まりを更に向上させることができる。

次に、図１８及び図１９を参照して、本願の第３実施形態に係るフレキシブル表示装置の製造方法、及び該方法により作製されたフレキシブル表示装置について説明する。

図１８は、本願の第３実施形態に係るフレキシブル表示装置の製造方法を示すフローチャートである。図１９は、図１８の「プレベンディングホールを形成する工程」を示す工程図である。

図１８に示すように、本願の第３実施形態に係るフレキシブル表示装置の製造方法は、活性層を形成する工程（Ｓ１４１）の前に、プレベンディングホールｐｒｅ＿ＢＨ１を形成する工程（Ｓ１４００）をさらに具備する。それ以外は、上述した第１実施形態と同一であり、以下では重複する説明は省略する。

図１９に示すように、バッファー層１０２を形成する工程（図１２のＳ１３０）の後、活性層１１１を形成する工程（Ｓ１４１）の前に、プレベンディングホールｐｒｅ＿ＢＨ１がベンディング領域ＢＡに形成される（Ｓ１４００）。プレベンディングホールｐｒｅ＿ＢＨ１は、エッチング防止層１０６の少なくとも一部を露出させるためにバッファー層１０２を貫通するように形成される。

このように、プレベンディングホールｐｒｅ＿ＢＨ１を形成する工程（Ｓ１４００）をさらに具備すると、ソースホールＳＨ、ドレインホールＤＨ、リンクホールＬＫＨ及び第１ベンディングホールＢＨ１を形成する工程（Ｓ１４５）において、第１ベンディングホールＢＨ１を形成するためだけに必要だったバッファー膜１０２のエッチングをする必要がなくなる。その結果、第１ベンディングホールＢＨ１が完全にパターニングされるまでの間に、ソースホールＳＨ、ドレインホールＤＨ及びリンクホールＬＫＨが過度なエッチングされることを防止することができる。これにより、ソースホールＳＨ、ドレインホールＤＨ及びリンクホールＬＫＨにより露出されるソース領域１１１ｂ、ドレイン領域１１１ｃ及びゲートラインＧＬのそれぞれの損傷を減少させることができる。

以上説明した本発明は、上述した実施形態及び添付の図面に限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で種々の置換、変形及び変更が可能であるということは、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者には明らかである。

１００ フレキシブル表示装置
ＡＡ 表示領域
ＮＡ 非表示領域
ＮＡ１ 一側領域
ＰＤＡ パッド領域
ＬＫＡ リンク領域
ＢＡ ベンディング領域
ＧＬ ゲートライン
ＤＬ データライン
ＰＤ パッド
ＬＫ リンク
ＰＡ 画素領域
ＴＦＴ 薄膜トランジスタ
ＥＬ 発光素子
１０１ 柔軟性材料の基板
１０２ バッファー膜
１０３ ゲート絶縁膜
１０４ 層間絶縁膜
１０５ 保護膜
１１１ 活性層
１１３ ゲート電極
１１４ａ，１１４ｂ ソース電極、ドレイン電極
ＳＨ，ＤＨ ソースホール、ドレインホール
ＣＨ コンタクトホール
１０６ エッチング防止層
１０６ａ，１０６ｂ エッチング防止パターン
ＬＫＨ リンクホール
ＰＤＨ パッドホール
ＢＨ１ 第１ベンディングホール
ＢＨ２ 第２ベンディングホール
ｐｒｅ＿ＢＨ１ プレベンディングホール

Claims (19)

1. 表示領域、及び前記表示領域の外周であって、リンク領域及びパッド領域を有する非表示領域で定義され、且つ柔軟性材料で作られた基板と、
   前記基板上の表示領域に複数の画素領域が定義されるように相互に交差する方向に形成されたゲートライン及びデータラインと、
   前記パッド領域に形成され、前記ゲートライン又は／及びデータラインからなる信号線に駆動信号を供給するための外部回路が接続される複数のパッドと、
   前記リンク領域に形成され、前記複数のパッドのそれぞれと前記信号線とを接続させる複数のリンクと、
   前記基板上に形成され、導電層同士を絶縁させる複数の絶縁膜と、
   前記非表示領域のうち、前記複数のパッドが前記基板の背面に配置されるように曲がるベンディング領域に形成され、前記リンクと前記基板との間に形成された前記複数の絶縁膜の少なくとも一つを貫通する第１ベンディングホールと、
   を有するフレキシブル表示装置。
2. 前記非表示領域のうち前記ベンディング領域を含む少なくとも一部の領域において、前記基板と前記複数の絶縁膜との間に形成され、前記第１ベンディングホールにより少なくとも一部が露出されるエッチング防止層をさらに有し、
   前記リンクは、前記ベンディング領域で前記第１ベンディングホールにより露出された前記エッチング防止層の少なくとも一部に直接接触するように形成された、請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
3. 前記第１ベンディングホール内のそれぞれの前記リンクの周辺に形成され、前記複数の絶縁膜の少なくとも１つ及び前記エッチング防止層を貫通することで前記基板の一部をそれぞれ露出させる少なくとも一つの第２ベンディングホールをさらに有する、請求項２に記載のフレキシブル表示装置。
4. 前記ベンディング領域に、前記第１ベンディングホールの形成よりも前に形成され、前記第１ベンディングホールよりも広い幅で前記複数の絶縁膜の少なくとも１つを貫通することで前記エッチング防止層を露出させるプレベンディングホールをさらに有し、
   前記第１ベンディングホールは、前記プレベンディングホールにおいて形成された前記複数の絶縁膜の少なくとも１つを貫通することで前記エッチング防止層を露出させるように形成された、請求項２に記載のフレキシブル表示装置。
5. 前記複数の絶縁膜は、
   前記基板の全面上に前記エッチング防止層を覆うように形成されたバッファー膜と、
   前記バッファー膜と前記ゲートラインとの間に形成されたゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜と前記データラインとの間に形成された層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜上に前記データラインを覆うように形成された保護膜と、を有し、
   前記リンクは、前記層間絶縁膜上に形成され、
   前記パッドは、前記保護膜上に形成された、請求項２に記載のフレキシブル表示装置。
6. 前記第１ベンディングホール内のそれぞれの前記リンクの周辺に形成され、前記保護膜及び前記エッチング防止層を貫通して前記基板の一部をそれぞれ露出させる少なくとも一つの第２ベンディングホールをさらに有する、請求項５に記載のフレキシブル表示装置。
7. 前記ベンディング領域に、前記第１ベンディングホールの形成よりも前に形成され、前記第１ベンディングホールよりも広い幅で前記バッファー膜を貫通して前記エッチング防止層を露出させるプレベンディングホールをさらに有し、
   前記第１ベンディングホールは、前記プレベンディングホールにおいて形成された前記ゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜を貫通して前記エッチング防止層を露出させるように形成された、請求項５又は６に記載のフレキシブル表示装置。
8. 前記第１ベンディングホールは、前記パッド領域にさらに対応するように形成され、
   前記エッチング防止層は、前記パッド領域にさらに対応するように形成された、請求項２乃至７のいずれか一項に記載のフレキシブル表示装置。
9. 前記エッチング防止層は、前記複数の絶縁膜よりも高い柔軟性を有し、前記第１ベンディングホールを形成するためのエッチング工程において前記複数の絶縁膜よりも低いエッチング比を有する材料で形成された、請求項２乃至８のいずれか一項に記載のフレキシブル表示装置。
10. 前記エッチング防止層は、ＩＴＯ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ及びａ−Ｓｉのうち少なくとも一つで形成された、請求項２乃至９のいずれか一項に記載のフレキシブル表示装置。
11. 前記エッチング防止層は、前記複数のリンクに対応して複数のエッチング防止パターンで形成され、
    前記第１ベンディングホールは、前記複数のエッチング防止パターンのそれぞれの少なくとも一部を露出させるように複数個で形成され、
    前記複数のリンクは、前記複数の第１ベンディングホールにより露出された前記複数のエッチング防止パターンにそれぞれ接触するように形成された、請求項２乃至１０のいずれか一項に記載のフレキシブル表示装置。
12. 表示領域と、前記表示領域の外周であって、リンク領域とパッド領域を有する非表示領域とで定義される基板を、柔軟性材料で形成する工程と、
    前記基板上にバッファー膜を形成する工程と、
    前記バッファー膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
    前記ゲート絶縁膜上の前記表示領域にゲートラインを形成する工程と、
    前記ゲート絶縁膜上の全面に、前記ゲートラインを覆う層間絶縁膜を形成する工程と、
    前記非表示領域のうち前記パッド領域が前記基板の背面に配置されるように曲がるベンディング領域に対応して、少なくとも前記ゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜を貫通する第１ベンディングホールを形成する工程と、
    前記層間絶縁膜上の前記表示領域に、前記ゲートラインに交差するデータラインを形成し、前記層間絶縁膜上の前記リンク領域と、前記ゲートライン又は／及びデータラインからなる信号線と、を接続する複数のリンクを形成する工程と、
    前記層間絶縁膜上に、前記データライン及び前記複数のリンクを覆う保護膜を形成する工程と、
    前記保護膜上に、前記複数のリンクに接続し、前記信号線に駆動信号を供給するための外部回路に接続される複数のパッドを形成する工程と、
    前記複数のパッドが前記基板の背面に配置されるように、前記ベンディング領域を曲げる工程と、
    を具備する、フレキシブル表示装置の製造方法。
13. 前記バッファー膜を形成する工程の前に、
    前記基板上に、前記非表示領域のうち前記ベンディング領域を含む少なくとも一部にエッチング防止層を形成する工程をさらに具備し、
    前記第１ベンディングホールを形成する工程において、前記第１ベンディングホールは前記バッファー膜をさらに貫通することにより、前記エッチング防止層の少なくとも一部を露出させるように形成され、
    前記リンクを形成する工程において、前記リンクは、前記ベンディング領域で前記第１ベンディングホールにより露出された前記エッチング防止層の少なくとも一部に直接接触するように形成される、請求項１２に記載のフレキシブル表示装置の製造方法。
14. 前記保護膜を形成する工程の後に、
    前記第１ベンディングホール内の前記各リンクの周辺に、前記基板の一部をそれぞれ露出させるように、前記保護膜及び前記エッチング防止層を貫通する少なくとも一つの第２ベンディングホールを形成する工程をさらに具備する、請求項１３に記載のフレキシブル表示装置の製造方法。
15. 前記エッチング防止層を形成する工程において、前記エッチング防止層は、前記パッド領域にさらに対応するように形成され、
    前記第１ベンディングホールを形成する工程において、前記第１ベンディングホールは、前記パッド領域にさらに対応するように形成される、請求項１３又は１４に記載のフレキシブル表示装置の製造方法。
16. 前記エッチング防止層を形成する工程において、前記エッチング防止層は、前記複数の絶縁膜よりも高い柔軟性を有し、前記第１ベンディングホールを形成するためのエッチング工程において前記複数の絶縁膜よりも低いエッチング比を有する材料で形成される、請求項１３乃至１５のいずれか一項に記載のフレキシブル表示装置の製造方法。
17. 前記エッチング防止層を形成する工程において、前記エッチング防止層は、ＩＴＯ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ及びａ−Ｓｉのうち少なくとも一つで形成される、請求項１３乃至１６のいずれか一項に記載のフレキシブル表示装置の製造方法。
18. 前記エッチング防止層を形成する工程において、
    前記エッチング防止層は、前記複数のリンクに対応する複数のエッチング防止パターンとなるように形成され、
    前記第１ベンディングホールを形成する工程において、
    前記第１ベンディングホールは、前記複数のエッチング防止パターンの少なくとも一部をそれぞれ露出させるように複数個で形成され、
    前記データライン及び前記複数のリンクを形成する工程において、
    前記複数のリンクは、前記複数の第１ベンディングホールにより露出された前記複数のエッチング防止パターンにそれぞれ接触するように形成される、請求項１３乃至１７のいずれか一項に記載のフレキシブル表示装置の製造方法。
19. 前記バッファー膜を形成する工程の前に、
    前記基板上に、前記非表示領域のうち前記ベンディング領域を含む少なくとも一部にエッチング防止層を形成する工程をさらに具備し、
    前記バッファー膜を形成する工程の後に、
    前記ベンディング領域に対応して、前記エッチング防止層の少なくとも一部を露出させるように、前記バッファー膜を貫通するプレベンディングホールを形成する工程をさらに具備し、
    前記第１ベンディングホールを形成する工程において、前記第１ベンディングホールは、前記プレベンディングホールよりも狭い幅で前記プレベンディングホール内の前記ゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜を貫通して前記エッチング防止層を露出させるように形成され、
    前記リンクを形成する工程において、前記リンクは、前記ベンディング領域で前記第１ベンディングホールにより露出された前記エッチング防止層の少なくとも一部に直接接触するように形成される、請求項１２に記載のフレキシブル表示装置の製造方法。

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