JP2017072678A - 露光装置、露光方法、及び物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る走査型露光装置EEの構成を示す概略図である。走査型露光装置EEは、原版Mを照明する照明系IL、原版Mを保持する原版保持部MST、平板ガラス41を含む投影光学系PO、基板Pを保持する基板保持部PST、計測光源13、センサ(受光部)15、駆動部(補正手段)42および制御部51を備える。図中、原版Mおよび基板Pの表面に沿う面をXY平面とし、XY平面に垂直な方向をZ軸、原版Mおよび基板Pの走査方向をY軸とし、Y軸に直交する非走査方向をX軸とする。
第1実施形態では、照明系ILと原版Mとの間に計測マークを1カ所のみに設置している。これに対し、第2実施形態では、複数箇所に設置する点を特徴とする。図6は、第2実施形態に係る走査型露光装置EEの構成を示す概略図である。第1実施形態と異なる点は、計測光510を出射する計測光源513、計測光源513を検出するセンサ515および駆動部43を備える点である。
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。さらに、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
IL 照明光学系
PO 投影光学系
13 計測光源
15 受光部
42 補正手段
51 制御部
Claims (9)
- 原版に露光光を照射する照明光学系と、前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系とを備え、前記基板と前記原版とを移動させながら、前記基板を走査露光する露光装置であって、
マークに計測光を照射する計測光源と、
前記投影光学系を介して前記マークの投影像を受光する受光部と、
前記受光部で受光された該投影像から前記マークの位置情報を算出し、算出された位置情報に基づいた補正を行う補正手段を制御する制御部と、を有し、
前記マークは、前記原版を照明する露光光の光路外に配置されている、
ことを特徴とする露光装置。 - 前記原版を保持する原版保持部において、前記計測光が通過する部分が走査方向に延在していることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記マークが設けられた部材および前記受光部が共通の構造体に固定されていることを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。
- 第2のマークに第2の計測光を照射する第2の計測光源と、
前記投影光学系を介して前記第2のマークの第2の投影像を受光する第2の受光部と、を有し、
前記制御部は、前記投影像に加え、前記第2の投影像に基づいて前記補正手段を制御し、
前記第2のマークは、前記露光光および前記計測光の光路外に配置されている、ことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記原版を保持する原版保持部において、前記第2の計測光が通過する部分が走査方向に延在していることを特徴とする請求項4に記載の露光装置。
- 前記マークが設けられた部材、前記受光部、前記第2のマークが設けられた第2の部材、前記第2の受光部が共通の構造体に固定されていることを特徴とする請求項4または5に記載の露光装置。
- 前記補正手段は、前記投影光学系に含まれる光学部材、前記原版を保持する原版保持部、前記基板を保持する基板保持部のうち少なくとも1つを駆動する駆動部であることを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の露光装置。
- 露光光が照射された原版のパターンを基板に投影する投影光学系を備え、前記基板と前記原版とを移動させながら、前記基板を走査露光する露光方法であって、
前記走査露光中に、露光光とは別の光が照射されたマークの投影像を、前記投影光学系を介して受光し、
前記投影像から前記マークの位置情報を算出し、算出された位置情報に基づいた補正を行う補正手段を制御することを特徴とする露光方法。 - 請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載の露光装置または請求項8に記載の露光方法を用いて基板を露光する工程と、
前記露光された前記基板を現像する工程と、を含む
ことを特徴とする物品の製造方法。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210092130A (ko) | 2020-01-15 | 2021-07-23 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광 장치, 및 물품의 제조 방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0883744A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
| JPH11133621A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-21 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JP2001215718A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-08-10 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
| JP2002110541A (ja) * | 1993-11-12 | 2002-04-12 | Canon Inc | 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法 |
| JP2006196559A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Nikon Corp | 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2704660B1 (fr) * | 1993-04-27 | 1995-07-13 | Sgs Thomson Microelectronics | Masques pour une machine d'insolation double face. |
| KR20010042133A (ko) * | 1998-03-26 | 2001-05-25 | 오노 시게오 | 노광방법, 노광장치, 포토마스크, 포토마스크의 제조방법,마이크로디바이스, 및 마이크로디바이스의 제조방법 |
| JP5203992B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-06-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 |
| US20100092599A1 (en) * | 2008-10-10 | 2010-04-15 | Molecular Imprints, Inc. | Complementary Alignment Marks for Imprint Lithography |
| JP5499398B2 (ja) * | 2009-05-11 | 2014-05-21 | Nskテクノロジー株式会社 | 露光装置及び露光方法 |
| CN102156392A (zh) * | 2010-02-11 | 2011-08-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光刻机对准参数的检测装置及其检测方法 |
| WO2011101184A1 (en) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method of producing a reference substrate |
| JP5933289B2 (ja) * | 2012-02-23 | 2016-06-08 | 三菱電機株式会社 | Soiウエハおよびその製造方法 |
-
2015
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110541A (ja) * | 1993-11-12 | 2002-04-12 | Canon Inc | 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法 |
| JPH0883744A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
| JPH11133621A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-21 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JP2001215718A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-08-10 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
| JP2006196559A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Nikon Corp | 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210092130A (ko) | 2020-01-15 | 2021-07-23 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광 장치, 및 물품의 제조 방법 |
| JP2021110905A (ja) * | 2020-01-15 | 2021-08-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置、および物品の製造方法 |
| JP7453790B2 (ja) | 2020-01-15 | 2024-03-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置、および物品の製造方法 |
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