KR20170041145A - 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents
노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170041145A KR20170041145A KR1020160128189A KR20160128189A KR20170041145A KR 20170041145 A KR20170041145 A KR 20170041145A KR 1020160128189 A KR1020160128189 A KR 1020160128189A KR 20160128189 A KR20160128189 A KR 20160128189A KR 20170041145 A KR20170041145 A KR 20170041145A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mark
- substrate
- exposure
- light
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 65
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 15
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 2
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 2
- 206010034719 Personality change Diseases 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
- G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
도 2는 원판 보유 지지부 근방의 조감도.
도 3은 원판 보유 지지부 근방의 단면도.
도 4는 기판 보유 지지부 근방의 도면.
도 5는 기판 보유 지지부 근방의 도면.
도 6은 제2 실시예에 따르는 주사 투영 노광 장치의 구성을 도시하는 개략도.
도 7은 원판 보유 지지부 근방의 조감도.
도 8은 원판 보유 지지부 근방의 단면도.
도 9는 기판 보유 지지부 근방의 도면.
Claims (9)
- 노광 광으로 마스크를 조명하도록 구성된 조명 광학계 및 마스크의 패턴을 기판 상에 투영하도록 구성된 투영 광학계를 구비하며, 상기 기판과 상기 마스크를 이동시키면서 상기 기판의 주사 노광을 수행하는 노광 장치이며,
계측 광으로 마크를 조사하도록 구성되는 계측 광원,
상기 투영 광학계를 개재하여 상기 마크의 투영 화상을 수광하도록 구성되는 수광부, 및
제어 유닛으로서, 상기 수광부 상에 수광된 상기 투영 화상에 기초하여 상기 마크의 위치 정보를 산출하고 산출된 위치 정보에 기초하여 보정을 수행하도록 구성된 보정 유닛을 제어하도록 구성되는, 제어 유닛을 포함하고,
상기 마크는 상기 마스크 상에 조명되는 노광 광의 광로 외부에 배치되는, 노광 장치. - 제1항에 있어서,
상기 계측 광이 통과하는 영역은 상기 마스크를 보유 지지하도록 구성된 원판 보유 지지부 상의 상기 기판의 주사 방향으로 연장하는, 노광 장치. - 제1항에 있어서,
상기 수광부 및 상기 마크가 설치된 부재는 공통의 구조체에 고정되는, 노광 장치. - 제1항에 있어서,
제2 마크를 제2 계측 광으로 조사하도록 구성되는 제2 계측 광원, 및
상기 투영 광학계를 개재하여 상기 제2 마크의 제2 투영 화상을 수광하도록 구성되는 제2 수광부를 포함하고,
상기 제어 유닛은 상기 제2 투영 화상에 기초하여 상기 보정 유닛을 제어하도록 구성되고,
상기 제2 마크는 상기 노광 광 및 상기 계측 광의 광로 외부에 배치되는, 노광 장치. - 제4항에 있어서,
상기 제2 계측 광이 통과하는 영역은 상기 마스크를 보유 지지하도록 구성된 원판 보유 지지부 상의 상기 기판의 주사 방향으로 연장하는, 노광 장치. - 제4항에 있어서,
상기 마크가 설치된 부재, 상기 수광부, 상기 제2 마크가 설치된 제2 부재, 및 상기 제2 수광부는 공통의 구조체에 고정되는, 노광 장치. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 보정 유닛은 상기 투영 광학계에 포함되는 광학 부재, 상기 마스크를 보유 지지하도록 구성된 원판 보유 지지부 및 상기 기판을 보유 지지하도록 구성된 기판 보유 지지부 중 하나 이상을 구동하도록 구성된 구동부인, 노광 장치. - 노광 광으로 조사된 마스크의 패턴을 기판 상에 투영하도록 구성된 투영 광학계를 사용하여 상기 기판 및 마스크를 이동시키면서 상기 기판의 주사 노광을 수행하는 노광 방법이며,
상기 주사 노광 중에 상기 노광 광과 상이한 광으로 조사된 마크의 투영 화상을 수광하는 단계,
상기 투영 화상에 기초하여 상기 마크의 위치 정보를 산출하고 산출된 위치 정보에 기초하여 보정을 수행하도록 구성된 보정 유닛을 제어하는 단계를 포함하는, 노광 방법. - 물품의 제조 방법이며, 상기 제조 방법은,
노광 광으로 조사된 마스크의 패턴을 기판 상에 투영하도록 구성된 투영 광학계를 사용하여 상기 기판 및 마스크를 이동시키면서 주사 노광을 수행하는 단계, 및
노광된 상기 기판을 현상하는 단계를 포함하고,
상기 주사 노광은,
상기 투영 광학계를 개재하여 상기 노광 광과 상이한 광으로 조사된 마크의 투영 화상을 수광하는 단계, 및
상기 투영 화상에 기초하여 상기 마크의 위치 정보를 산출하고 산출된 위치 정보에 기초하여 보정을 수행하도록 구성된 보정 유닛을 제어하는 단계를 포함하는, 물품의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2015-198420 | 2015-10-06 | ||
| JP2015198420A JP2017072678A (ja) | 2015-10-06 | 2015-10-06 | 露光装置、露光方法、及び物品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170041145A true KR20170041145A (ko) | 2017-04-14 |
Family
ID=58485736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160128189A Withdrawn KR20170041145A (ko) | 2015-10-06 | 2016-10-05 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2017072678A (ko) |
| KR (1) | KR20170041145A (ko) |
| CN (1) | CN106560745A (ko) |
| TW (1) | TWI655511B (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7453790B2 (ja) | 2020-01-15 | 2024-03-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置、および物品の製造方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2704660B1 (fr) * | 1993-04-27 | 1995-07-13 | Sgs Thomson Microelectronics | Masques pour une machine d'insolation double face. |
| JP3467031B2 (ja) * | 1993-11-12 | 2003-11-17 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法 |
| JPH0883744A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
| JPH11133621A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-21 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| KR20010042133A (ko) * | 1998-03-26 | 2001-05-25 | 오노 시게오 | 노광방법, 노광장치, 포토마스크, 포토마스크의 제조방법,마이크로디바이스, 및 마이크로디바이스의 제조방법 |
| JP2001215718A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-08-10 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
| JP2006196559A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Nikon Corp | 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
| JP5203992B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-06-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 |
| US20100092599A1 (en) * | 2008-10-10 | 2010-04-15 | Molecular Imprints, Inc. | Complementary Alignment Marks for Imprint Lithography |
| JP5499398B2 (ja) * | 2009-05-11 | 2014-05-21 | Nskテクノロジー株式会社 | 露光装置及び露光方法 |
| CN102156392A (zh) * | 2010-02-11 | 2011-08-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光刻机对准参数的检测装置及其检测方法 |
| WO2011101184A1 (en) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method of producing a reference substrate |
| JP5933289B2 (ja) * | 2012-02-23 | 2016-06-08 | 三菱電機株式会社 | Soiウエハおよびその製造方法 |
-
2015
- 2015-10-06 JP JP2015198420A patent/JP2017072678A/ja active Pending
-
2016
- 2016-09-22 TW TW105130643A patent/TWI655511B/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-09-30 CN CN201610870966.XA patent/CN106560745A/zh active Pending
- 2016-10-05 KR KR1020160128189A patent/KR20170041145A/ko not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI655511B (zh) | 2019-04-01 |
| JP2017072678A (ja) | 2017-04-13 |
| TW201714024A (zh) | 2017-04-16 |
| CN106560745A (zh) | 2017-04-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101444981B1 (ko) | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 | |
| KR100365602B1 (ko) | 노광방법및장치와반도체디바이스제조방법 | |
| JPH1145846A (ja) | 走査型露光方法及び装置 | |
| KR20090089820A (ko) | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
| US7474381B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| US10488764B2 (en) | Lithography apparatus, lithography method, and method of manufacturing article | |
| CN107305320B (zh) | 检测装置、检测方法、程序、光刻装置和物品制造方法 | |
| KR20170041145A (ko) | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 | |
| KR101870001B1 (ko) | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스의 제조 방법 | |
| JP6139870B2 (ja) | 露光方法、露光装置および物品の製造方法 | |
| JP2017156512A (ja) | 露光装置、及び物品の製造方法 | |
| US7733498B2 (en) | Exposure apparatus, method of controlling the same, and manufacturing method | |
| JPH11307436A (ja) | 投影露光装置及びレチクル及びレチクルの位置決め方法 | |
| JP5773735B2 (ja) | 露光装置、および、デバイス製造方法 | |
| JP6861503B2 (ja) | 走査露光装置およびその制御方法ならびに物品製造方法 | |
| KR20200049538A (ko) | 스테이지 장치, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법 | |
| KR102797118B1 (ko) | 노광 장치, 노광 방법 및 물품의 제조 방법 | |
| JP2000021711A (ja) | 露光装置及びその焦点検出方法 | |
| JP6929041B2 (ja) | 露光装置及び物品の製造方法 | |
| JP6053316B2 (ja) | リソグラフィー装置、および、物品製造方法 | |
| JP2010251409A (ja) | 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| WO1999005707A1 (en) | Focusing method, exposure method, and aligner | |
| TW200923589A (en) | Positioning apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| JP2009170664A (ja) | 面位置検出装置、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
| JP2016062921A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20161005 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20180405 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20161005 Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20190502 Patent event code: PE09021S01D |
|
| PC1202 | Submission of document of withdrawal before decision of registration |
Comment text: [Withdrawal of Procedure relating to Patent, etc.] Withdrawal (Abandonment) Patent event code: PC12021R01D Patent event date: 20190812 |
|
| WITB | Written withdrawal of application |