JP2018072541A - パターン形成方法、基板の位置決め方法、位置決め装置、パターン形成装置、及び、物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 基板の外形が変わっても基板を高精度に位置決めする【解決手段】 ステージ上に配置された基板の基準辺の位置の計測値に基づいて基板を位置決めすることよって、基板上にアライメントマークを含むパターンを形成する第１工程と、アライメントマークを含むパターンが形成された基板上にパターンを形成する第２工程と、を有し、第１工程において基板の基準辺に対する対辺の位置を計測し、第１工程において計測された基準辺の位置と対辺の位置の計測値に基づいて対辺とアライメントマークとの相対位置を求め、第２工程において、パターンが形成された基板をステージ上に配置して、パターンが形成された基板の対辺の位置を計測して、パターンが形成された基板の対辺の位置の計測値と上記相対位置に基づいてパターンが形成された基板を位置決めすることによって、パターンが形成された基板上にパターンを形成する。【選択図】 図５

Description

本発明は、パターン形成方法、基板の位置決め方法、位置決め装置、パターン形成装置、及び、物品の製造方法に関する。

半導体デバイスや液晶表示装置等を製造するために基板上にパターンを形成するリソグラフィ工程が行われる。この工程では、例えば、照明光学系によりマスク（レチクル）を照明して、感光性のレジスト層が塗布された基板に投影光学系を介してマスクのパターンの像を投影する露光装置が用いられる。露光装置では、基板の処理、例えば、基板を露光する露光処理或いは基板を検査する検査処理に先だって基板の位置決めを行うプリアライメントと呼ばれる工程がある。プリアライメント工程は、基板ステージ上で基板を処理する前に、基板ステージ上に載置される基板の位置ずれ量が所定の範囲内に収まるように粗い精度で基板の位置決めを行う工程である。その後、狭い視野のスコープを用いてアライメントマークを計測して高い精度で基板の位置決めを行って、基板の処理が行われる。プリアライメント工程では、基板の外周の基準部位、例えば、基板のエッジの位置を計測して、計測結果に基づいて粗い位置決めを行う（例えば、特許文献１）。

特開２００５−１１６７７９号公報

従来のプリアライメント工程では、基板の特定の端辺を基準辺として、基準辺の位置の計測値を用いて、基板の第一のレイヤを露光する際の露光位置や第二のレイヤを露光するための基板の目標位置を算出している。従来、複数のレイヤの各々で基板の目標位置を求めるにあたり、共通の基準辺からの相対位置で管理していた。

しかし、例えば、基板の加工や変形により基板の外形が変わると、基準辺から基板上の所定の位置、例えばアライメントマークまでの相対距離が変動する。そのため、従来のように、複数のレイヤで共通の基準辺の位置の計測値を用いてプリアライメントを行うと、基板の位置がずれてしまったり、アライメントマークの計測エラーが生じたりする。例えば、基板に形成されたアライメントマークがスコープの視野内に収まらず、アライメントマークを検出できないため、基板を高精度に位置決めすることができない場合がある。

そこで本発明は、基板の外形が変わっても基板を高精度に位置決めすることを目的とする。

上記課題を解決する本発明の一側面としての、基板上にパターンを形成する形成方法は、ステージ上に配置された基板の基準辺の位置の計測値に基づいて前記基板を位置決めすることよって、前記基板上にアライメントマークを含むパターンを形成する第１工程と、前記アライメントマークを含むパターンが形成された基板上にパターンを形成する第２工程と、を有し、前記第１工程において前記基板の基準辺に対する対辺の位置を計測し、前記第１工程において計測された前記基準辺の位置と前記対辺の位置の計測値に基づいて、前記対辺と前記アライメントマークとの相対位置を求め、前記第２工程において、前記パターンが形成された基板をステージ上に配置して、前記パターンが形成された基板の前記対辺の位置を計測して、前記パターンが形成された基板の前記対辺の位置の計測値と前記相対位置に基づいて前記パターンが形成された基板を位置決めすることによって、前記パターンが形成された基板上にパターンを形成する、ことを特徴とする。

本発明によれば、基板の外形が変わっても基板を高精度に位置決めすることができる。

露光装置１００を示す概略図である。 パターン形成方法のフローチャートである。 第１プリアライメント工程における位置決めの様子を示す図である。 第２工程における位置決めの様子を示す図である。 位置決め方法のフローチャートを示す図である。 基板を分割する例を説明するための図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。

（実施形態１）
本実施形態では、基板にパターンを形成するパターン形成装置（リソグラフィ装置）の一例として、原版および投影光学系を介して感光性の基板を露光する露光装置について説明する。本実施形態の露光装置１００について、図１を参照しながら説明する。図１は、本実施形態の露光装置１００を示す概略図である。第１実施形態の露光装置１００は、一例として、液晶表示デバイス（液晶パネル）の製造工程におけるリソグラフィ工程に採用されるものとする。露光装置１００はステップ・アンド・スキャン方式にて、マスク１に形成されているパターンを、投影光学系４を介して表面にレジスト（感光剤）層が形成された基板である基板（ガラスプレート）５上に露光する走査型投影露光装置である。なお、図１では、鉛直方向であるＺ軸に垂直な平面内で露光時のマスク１および基板５の走査（移動）方向にＹ軸をとり、Ｙ軸に直交する非走査方向にＸ軸をとっている。露光装置１００は、マスクステージ２と、照明光学系３と、投影光学系４と、基板ステージ６と、アライメントスコープ（マーク検出装置）７と、制御部８とを有する。また、マスク１はマスクステージ２に、基板５は基板ステージ６に保持されている。

照明光学系３は、例えば、Ｈｇランプなどの光源３ａから発せられた光を受けて、マスク１に対してスリット状に形成された照明光を照射する。マスク１は、例えば、露光されるべき微細なパターン（例えば回路パターン）が描画されたガラス製の原版である。マスクステージ２は、例えば真空吸着によりマスク１を保持しつつ、少なくともＹ軸方向に可動である。投影光学系４は、マスク１と、基板ステージ６に保持された基板５とを光学的に共役な関係に維持し、基板５上に等倍でパターン像を投影する。

アライメントスコープ７は、マスク１のアライメントマークと基板５のアライメントマークとを、投影光学系４を介して検出する。制御部８は、ＣＰＵやメモリを含み、露光装置１００の各部構成を制御する。メモリは、ＣＰＵによって実行される制御プログラムや各種データを記憶している。制御部８は、例えば、マルチコアＣＰＵやＧＰＵ、ＦＰＧＡを搭載した制御ボード等でも実現されうる。ただし、その構成はこれらに限定するものではない。制御部８は、マスク１のパターンを基板５に転写する処理（基板５を走査露光する処理）を制御する。

次に、基板上にパターンを形成する方法を説明する。図２に、パターン形成方法のフローチャートを示す。まず、基板上の第１層にパターンを形成する（第１工程Ｓ３０１）。第１工程Ｓ３０１では、まず、未露光の基板の位置を計測し、その計測結果を用いて粗い精度で位置決め（プリアライメント）を行う（第１プリアライメント工程Ｓ３０３）。次に、位置決めされた基板の第１層上の感光剤にパターンを露光する（１ｓｔ露光工程Ｓ３０４）。１ｓｔ露光工程Ｓ３０４において、露光装置１００は、マスク１と基板５とを同期走査させ、マスク１の照明範囲に存在するパターンの像を基板５上のあるショット領域に露光する。そして、パターンが露光された基板上の感光剤を現像し、エッチング等を行うことによって基板上の第１層にパターンが形成される。

次に、基板の第１層の上の第２層にパターンを形成する（第２工程Ｓ３０２）。第２工程Ｓ３０２では、まず、第１層にパターンが形成された基板の位置を計測し、その計測結果を用いて粗い精度で位置決めを行う（第２プリアライメント工程Ｓ３０５）。次に、基板の第１層にデバイスの回路用パターンと一緒に形成されたアライメントマークをマスク１のアライメントマークと同時にアライメントスコープ７で検出して、アライメントマークの位置情報を得る。そして、アライメントマークの位置に基づいて精度よくパターンが重なり合って形成されるように基板を位置決めする（アライメント工程Ｓ３０６）。次に、照明光学系３と投影光学系４を含むパターン形成部を有する露光装置１００を用いて、位置決めされた基板の第２層の上の感光剤にマスクのパターンを露光する。そして、パターンが露光された感光剤を現像し、エッチング等を行うことによって基板上の第２層にパターンが形成される（２ｎｄ露光工程Ｓ３０７）。

次に、プリアライメント工程で用いられる位置決め装置を説明する。図３に、位置決め装置とともに、第１プリアライメント工程における位置決めの様子を示す。位置決め装置２００は、露光装置１００内に構成され、基板５を保持して移動する基板ステージ６と、制御部８の一部を構成する。基板ステージ６には、基板５を真空吸着により保持するチャック２０８と、バーミラー２１４、２１５と、基板の端辺（エッジ）の位置を計測する計測部２３０、２３１と、が設けられている。干渉計２１１、２１２は、バーミラー２１５のＹ方向の位置、干渉計２１３はバーミラー２１４のＸ方向の位置を計測する。干渉計２１１、２１２によるバーミラー２１５の２か所のＹ方向の位置から基板ステージ６のＺ軸回りの角度を求めることができる。また、位置決め装置２００は、計測部２３０、２３１の計測値に基づいて基板ステージ６の目標位置を算出する算出部２１６と、算出部２１６の算出結果をもとに基板ステージ６の制御を行うステージ制御部２１７を有する。また、位置決め装置２００は、干渉計による計測値を取得して干渉計を制御する干渉計制御部２１８と、基板５の位置情報などを記憶する記憶部２１９とを有する。なお、記憶部２１９は、メモリ等で構成され、位置決め装置２００とは異なる装置に設置されてもよい。

図３に示すように、基板５は長方形形状である。基板５の各辺を、第一の基準辺２０１、第一の基準辺２０１に対して垂直な端辺である第二の基準辺２０２、第一の基準辺２０１に対する対辺である第一の対辺２０３、第二の基準辺２０２に対する対辺である第二の対辺２０４、と称する。計測部２３０は、不図示の基板搬送ロボットにより基板ステージ６上に搬送された基板５の第一の基準辺２０１と第二の基準辺２０２の位置を計測する。計測部２３１は、第一の対辺２０３の位置を計測する。算出部２１６は、計測部２３０と計測部２３１で計測された計測値を取得する。ステージ制御部２１７は、算出部２１６から得られる目標位置と、干渉計によって計測され、干渉計制御部２１８を介して得られる基板ステージ６の実際の位置情報と、にもとづき、基板ステージ６の位置や角度を制御する。

次に、パターンを形成する工程の詳細について説明する。第１プリアライメント工程Ｓ３０３では、基板ステージ６上に置かれた基板５の第一の基準辺２０１と第二の基準辺２０２の位置を計測部２３０により計測する。そして、第一の基準辺２０１と第二の基準辺２０２の位置の計測値に基づいて、１ｓｔ露光工程Ｓ３０４において基板上にアライメントマークを含むパターンを形成するための基板ステージ６の第１目標位置を算出する。なお、目標位置は、Ｘ、Ｙ方向の位置、Ｚ軸回りの回転角度を含む。そして、算出された第１目標位置に基づいて基板ステージ６の位置や角度を制御して基板５を位置決めする（プリアライメント）。この工程Ｓ３０３では、第一の対辺２０３の位置を計測部２３１により計測しておき、算出部２１６が第一の対辺２０３の位置の計測値を取得する。工程Ｓ３０３で計測部２３０により計測された第一の基準辺２０１の計測値と、工程Ｓ３０３で計測部２３１により計測された第一の対辺２０３の計測値を用いて、算出部２１６が第一の基準辺２０１と第一の対辺２０３の相対位置を算出する。算出された第一の基準辺２０１と第一の対辺２０３の相対位置は、記憶部２１９に送信され、記憶部２１９に記憶される。１ｓｔ露光工程Ｓ３０４では、第一の基準辺２０１と第二の基準辺２０２の位置の計測値に基づいて位置決めされた基板５の第１層上の感光剤にパターンを露光する際、アライメントマークも露光する。そして、基板５の第１層にアライメントマーク２０５を形成する。また、算出された第一の基準辺２０１と第一の対辺２０３の相対位置に基づいて、アライメントマーク２０５の位置と第一の対辺２０３の位置と相対関係を求め、それらの相対関係の情報を記憶部２１９に送信し、記憶部２１９に記憶する。

ここで、第１工程（第１プリアライメント工程）と第２工程（第２プリアライメント工程）の間において基板の加工や変形によって、基板の外形が変わってしまう場合がある。例えば、第１工程と第２工程の間において基板が熱変形をしてしまう場合が想定される。また、第２プリアライメント工程のときに、第２プリアライメント工程を行う位置決め装置において、第一の基準辺２０１の位置を計測することができない場合も想定される。

図４に、位置決め装置とともに、第２工程における位置決めの様子を示す。第２プリアライメント工程Ｓ３０５では、基板ステージ６上に置かれ、第１層にパターンが形成された基板５の第一の対辺２０３の位置を計測部２３１により計測し、算出部２１６が第一の対辺２０３の位置の計測値を取得する。また、基板５の第二の基準辺２０２を計測部２３０により計測する。第２プリアライメント工程Ｓ３０５において、第一の基準辺２０１の位置を計測していない。算出部２１６は、第１工程Ｓ３０１で記憶部２１９に記憶された、アライメントマーク２０５の位置と第一の対辺２０３の位置の相対関係を取得する。算出部２１６は、第２プリアライメント工程Ｓ３０５において計測された第一の対辺２０３の位置と、取得したアライメントマーク２０５の位置と第一の対辺２０３の位置の相対関係に基づいて、基板ステージ６の第２目標位置を算出する。第２目標位置は、アライメントスコープ２２０でアライメントマーク２０５を検出可能な位置であって、検出後に基板のアライメントを行って、基板上にパターンを形成するための位置でもある。そして、ステージ制御部２１７は、算出された第２目標位置を用いて目標位置に基板ステージ６を移動させることにより、第１層にパターンが形成された基板５のプリアライメントを行う。

アライメント工程Ｓ３０６では、アライメントスコープ２２０でマーク２０５を検出して、マーク２０５の位置から算出部２１６が基板ステージ６の目標位置を算出する。そして、基板ステージ６を制御し、２ｎｄ露光工程Ｓ３０７のために要求される高い精度で基板５を位置決めする。

以上のように、第１工程Ｓ３０１において、ステージ上に配置された基板の基準辺の位置の計測値に基づいて基板を位置決めすることよって、基板上にアライメントマークを含むパターンを形成する。そして、第２工程Ｓ３０２において、アライメントマークを含むパターンが形成された基板上にパターンを形成する。なお、第１工程において基板の基準辺に対する対辺の位置を計測し、第１工程において計測された基準辺の位置と対辺の位置の計測値に基づいて、対辺とアライメントマークとの相対位置を求める。また、第２工程において、パターンが形成された基板をステージ上に配置して、パターンが形成された基板の対辺の位置を計測する。そして、パターンが形成された基板の対辺の位置の計測値と相対位置に基づいてパターンが形成された基板を位置決めすることによって、パターンが形成された基板上にパターンを形成する。

なお、基板を位置決めする位置決め方法に着目したフローチャートを図５に示す。本実施形態の位置決め方法では、ステージ上に配置された第１基板の基準辺の位置及び基板の基準辺に対する対辺の位置の計測値を取得する（取得工程Ｓ４０１）。次に、基板上にアライメントマークを含むパターンを形成するためのステージの第１目標位置を基準辺の位置の計測値に基づいて算出し、算出された第１目標位置に基づいてステージの位置や角度を制御して基板を位置決めする（第１位置決め工程Ｓ４０２）。次に、取得工程において取得された基準辺の位置と対辺の位置の計測値に基づいて、対辺とアライメントマークとの相対位置を求める（Ｓ４０３）。ステージ上に配置され、パターンが形成された第２基板の対辺の位置の計測値を取得する。そして、第２基板の対辺の位置の計測値と、Ｓ４０３で求めた相対位置に基づいて、第２基板上にパターンを形成するためのステージの第２目標位置を算出する。そして、算出された第２目標位置に基づいてステージの位置や角度を制御して、第２基板を位置決めする（第２位置決め工程Ｓ４０４）。また、位置決め方法は、その機能を実現するソフトウェア（プログラム）を、ネットワークや記憶媒体を介してシステムや装置に供給し、システムや装置のコンピュータ（制御部、ＣＰＵやＭＰＵ等）がプログラムを読み出して実行する処理によっても実現される。

本実施形態によれば、基板の加工や変形によって基板の外形が変わってしまう場合でも、第２工程において基板のプリアライメントを精度良く行うことができ、基板を高精度に位置決めすることができる。

なお、基板５の第一の基準辺２０１と第一の対辺２０３の位置関係を計測する場合、計測部２３１は２個以上配置されることが望ましい。計測部２３１が単数だった場合、第一の基準辺と第一の対辺の位置関係のうち回転成分を算出することができない。そのため、１つの辺の複数の箇所の位置を計測するように複数の計測部を設けることで、第一の基準辺２０１と第一の対辺２０３の位置関係を算出する際、その回転成分を算出することが可能となる。そして、不図示の回転機構において基板５の回転成分を調整することで、プリアライメントの精度を向上させることができる。

なお、第１プリアライメント工程Ｓ３０３において、第一の基準辺２０１と第二の基準辺２０２を計測したが、計測対象となる基準辺とそれに直交する２つ目の基準辺の組み合わせはこれに限らない。例えば、辺２０２を第一の基準辺、辺２０３を第二の基準辺とする場合、辺２０３を第一の基準辺、辺２０４を第二の基準辺とする場合、或いは辺２０４を第一の基準辺、辺２０１を第二の基準辺とする場合、の何れかでもよい。

また、第２工程Ｓ３０２では、第１工程と同じ露光装置を用いて露光することを前提として説明したが、第１工程Ｓ３０１で用いた露光装置とは別の露光装置を用いてもよい。つまり、第２プリアライメント工程Ｓ３０５において、第１プリアライメント工程Ｓ３０３で用いた位置決め装置とは別の位置決め装置を用いてもよい。

（実施形態２）
本実施形態では、基板の外形が変わってしまう場合の例として、第１工程Ｓ３０１の後に基板を２つに分割して、分割された各基板に対して第２工程Ｓ３０２を行う場合を挙げる。図６に基板を分割する例を示す。第１プリアライメント工程Ｓ３０３において、図６（ａ）のように、基板ステージ６上で計測部２３０により基板５の第一の基準辺２０１の位置を計測する。そして、第一の基準辺２０１を基準として、１ｓｔ露光工程Ｓ３０４を行うことによって、基板５上にアライメントマーク２０５ａ、２０５ｂが形成される。そして、第１工程Ｓ３０１の後に基板５を２つに分割する。次に、図６（ｂ）のように、第２プリアライメント工程Ｓ３０５において、基板ステージ６上に分割された２つの基板５ａ（第１基板）、基板５ｂ（第２基板）を配置する。基板５ａには、第一の対辺２０３とアライメントマーク２０５ａがあり、基板５ｂには、第一の基準辺２０１とアライメントマーク２０５ｂがある。図６（ｂ）に示すように、基板５を分割した後は、第一の基準辺２０１の位置とアライメントマーク２０５ａの位置との相対関係が、基板５を分割する前の状態（図６（ａ））とは異なってしまう。ただし、アライメントマーク２０５ａは第一の対辺２０３に近く形成されており、基板５を分割しても第一の対辺２０３の位置とアライメントマーク２０５ａの位置との相対関係がずれていない場合がある。

そこで、第２プリアライメント工程Ｓ３０５において、基板５ａの第一の対辺２０３の位置を計測部２３１により計測する。以下、詳細を説明する。第２プリアライメント工程Ｓ３０５では、基板ステージ６上に置かれ、第１層にパターンが形成された基板５ａの第一の対辺２０３の位置を計測部２３１により計測し、算出部２１６が第一の対辺２０３の位置の計測値を取得する。算出部２１６は、第１工程Ｓ３０１で記憶部２１９に記憶された、アライメントマーク２０５ａの位置と第一の対辺２０３の位置の相対関係を取得する。算出部２１６は、第２プリアライメント工程Ｓ３０５で計測された第一の対辺２０３の位置と、取得したアライメントマーク２０５ａの位置と第一の対辺２０３の位置の相対関係に基づいて、基板ステージ６の第２目標位置を算出する。第２目標位置は、アライメントスコープ２２０でアライメントマーク２０５ａを検出可能な位置であって、検出後に基板５ａのアライメントを行って、基板５ａ上にパターンを形成するための位置でもある。そして、ステージ制御部２１７は、算出された第２目標位置を用いて目標位置に基板ステージ６を移動させることにより、第１層にパターンが形成された基板５ａのプリアライメントを行う。

アライメント工程Ｓ３０６では、アライメントスコープ２２０でマーク２０５ａを検出して、マーク２０５ａの位置から算出部２１６が基板ステージ６の目標位置を算出する。そして、基板ステージ６を制御し、２ｎｄ露光工程Ｓ３０７で要求される高い精度で基板５ａを位置決めする。２ｎｄ露光工程では、照明光学系３と投影光学系４を含むパターン形成部を有する露光装置１００を用いて、位置決めされた基板５ａの第２層の上の感光剤にマスクのパターンを露光する。

次に、基板５ｂを露光する工程を説明する。第２プリアライメント工程Ｓ３０５において、基板５ｂの第一の基準辺２０１の位置を計測部２３０により計測する。算出部２１６は、工程Ｓ３０５で計測された第一の基準辺２０１の位置に基づいて、基板ステージ６の目標位置を算出する。目標位置は、スコープ２２０でマーク２０５ｂを検出可能な位置であって、検出後に基板５ｂのアライメントを行って、基板５ｂ上にパターンを形成するための位置でもある。そして、ステージ制御部２１７は、算出された目標位置を用いて目標位置に基板ステージ６を移動させて、第１層にパターンが形成された基板５ｂのプリアライメントを行う。アライメント工程Ｓ３０６では、スコープ２２０でマーク２０５ｂを検出して、マーク２０５ｂの位置から算出部２１６が基板ステージ６の目標位置を算出する。そして、基板ステージ６を制御し、２ｎｄ露光工程Ｓ３０７で要求される高い精度で基板５ｂを位置決めする。２ｎｄ露光工程では、照明光学系３と投影光学系４を含むパターン形成部を有する露光装置１００を用いて、位置決めされた基板５ｂの第２層の上の感光剤にマスクのパターンを露光する。

本実施形態によれば、基板を分割することによって基板の外形が変わってしまう場合でも、第２工程において基板のプリアライメントを精度良く行うことができ、基板を高精度に位置決めすることができる。

（物品の製造方法）
次に、前述の露光装置を利用した物品（半導体ＩＣ素子、液晶表示素子、カラーフィルタ、ＭＥＭＳ等）の製造方法を説明する。物品は、前述の露光装置を使用して、感光剤が塗布された基板（ウェハ、ガラス基板等）を露光する工程と、その基板（感光剤）を現像する工程と、現像された基板を他の周知の工程で処理することにより製造される。他の周知の工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等が含まれる。本デバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

基板にパターンを形成するリソグラフィ装置として露光装置を説明したが、これに限らず、型と基板上のインプリント材（樹脂等）を接触させてパターンを形成するインプリント装置や電子線描画装置にも適用することができる。インプリント装置を利用した物品の製造方法では、型と基板上のインプリント材を接触させてパターンを形成する基板上にパターンを形成し、パターンが形成された基板をエッチング、ダイシング等で加工することによって物品を製造する。

Claims (12)

1. 基板上にパターンを形成する形成方法において、
   ステージ上に配置された基板の基準辺の位置の計測値に基づいて前記基板を位置決めすることよって、前記基板上にアライメントマークを含むパターンを形成する第１工程と、
   前記アライメントマークを含むパターンが形成された基板上にパターンを形成する第２工程と、を有し、
   前記第１工程において前記基板の基準辺に対する対辺の位置を計測し、
   前記第１工程において計測された前記基準辺の位置と前記対辺の位置の計測値に基づいて、前記対辺と前記アライメントマークとの相対位置を求め、
   前記第２工程において、前記パターンが形成された基板をステージ上に配置して、前記パターンが形成された基板の前記対辺の位置を計測して、前記パターンが形成された基板の前記対辺の位置の計測値と前記相対位置に基づいて前記パターンが形成された基板を位置決めすることによって、前記パターンが形成された基板上にパターンを形成する、ことを特徴とする形成方法。
2. 基板を保持して移動させるステージを制御して前記基板を位置決めする位置決め方法において、
   前記ステージ上に配置された基板の基準辺の位置及び前記基板の基準辺に対する対辺の位置の計測値を取得する取得工程と、
   前記基板上にアライメントマークを含むパターンを形成するための前記ステージの第１目標位置を前記基準辺の位置の計測値に基づいて算出し、算出された前記第１目標位置に基づいて前記ステージを制御して前記基板を位置決めする第１位置決め工程と、
   前記第１位置決め工程で位置決めされて前記アライメントマークを含むパターンが形成された基板を前記ステージ上に配置して、前記ステージを制御して前記パターンが形成された基板を位置決めする第２位置決め工程と、を有し、
   前記取得工程において取得された前記基準辺の位置と前記対辺の位置の計測値に基づいて、前記対辺と前記アライメントマークとの相対位置を求め、
   前記第２位置決め工程において、前記ステージ上に配置された前記パターンが形成された基板の前記対辺の位置の計測値を取得し、前記パターンが形成された基板の前記対辺の位置の計測値と前記相対位置に基づいて前記パターンが形成された基板上にパターンを形成するための前記ステージの第２目標位置を算出し、算出された前記第２目標位置に基づいて前記ステージを制御して前記パターンが形成された基板を位置決めする、ことを特徴とする位置決め方法。
3. 前記基板は長方形形状であり、
   前記基板の基準辺は、前記長方形の第一の基準辺と、前記第一の基準辺に対して垂直な第二の基準辺を含む、ことを特徴とする請求項２に記載の位置決め方法。
4. 前記取得工程において、前記基板の基準辺における複数の箇所の位置を計測し、前記基板の回転成分を求める、ことを特徴とする請求項２又は３に記載の位置決め方法。
5. 前記第１位置決め工程と前記第２位置決め工程との間において、前記パターンが形成された基板を複数に分割し、
   前記第２位置決め工程において、分割された基板を位置決めすることを特徴とする、請求項２乃至４の何れか１項に記載の位置決め方法。
6. 分割された基板は、前記対辺を含む第１基板と、前記基準辺を含む第２基板を含み、
   前記第２位置決め工程において、
   前記ステージ上に配置された前記第１基板の前記対辺の位置の計測値を取得し、前記第１基板の前記対辺の位置の計測値と前記相対位置に基づいて前記第１基板上にパターンを形成するための前記ステージの目標位置を算出し、前記ステージを制御して前記第１基板を位置決めし、
   前記ステージ上に配置された前記第２基板の前記基準辺の位置の計測値を取得し、前記第２基板の前記基準辺の位置の計測値に基づいて前記第２基板上にパターンを形成するための前記ステージの目標位置を算出し、前記ステージを制御して前記第２基板を位置決めする、ことを特徴とする請求項５に記載の位置決め方法。
7. 前記第２位置決め工程の後、前記基板のアライメントマークを検出し、前記アライメントマークの位置に基づいて前記基板を位置決めする、ことを特徴とする請求項２乃至４の何れか１項に記載の位置決め方法。
8. 前記基板のアライメントマークは、前記基板の基準辺よりも前記対辺に近い、ことを特徴とする請求項７に記載の位置決め方法。
9. 前記第２位置決め工程において前記第１基板を位置決めした後、前記第１基板のアライメントマークを検出し、前記第１基板のアライメントマークの位置に基づいて前記第１基板を位置決めし、
   前記第２位置決め工程において前記第２基板を位置決めした後、前記第２基板のアライメントマークを検出し、前記第２基板のアライメントマークの位置に基づいて前記第２基板を位置決めする、ことを特徴とする請求項６に記載の位置決め方法。
10. 基板を位置決めする位置決め装置において、
    前記基板を保持して移動させるステージと、
    前記ステージを制御する制御部と、を有し、
    前記制御部は、
    前記ステージ上に配置された基板の基準辺の位置及び前記基板の基準辺に対する対辺の位置の計測値を取得し、
    前記基板上にアライメントマークを含むパターンを形成するための前記ステージの第１目標位置を前記基準辺の位置の計測値に基づいて算出し、算出された前記第１目標位置に基づいて前記ステージを制御して前記基板を位置決めし、
    取得された前記基準辺の位置と前記対辺の位置の計測値に基づいて、前記対辺と前記アライメントマークとの相対位置を求め、
    前記ステージ上に配置された前記パターンが形成された基板の前記対辺の位置の計測値を取得し、前記パターンが形成された基板の前記対辺の位置の計測値と前記相対位置に基づいて前記パターンが形成された基板上にパターンを形成するための前記ステージの第２目標位置を算出し、算出された前記第２目標位置に基づいて前記ステージを制御して前記パターンが形成された基板を位置決めする、ことを特徴とする位置決め装置。
11. 基板上にパターンを形成するパターン形成装置において、
    請求項１０に記載の、基板を位置決めする位置決め装置と、
    前記位置決め装置によって位置決めされた基板上にパターンを形成する形成部と、を有することを特徴とするパターン形成装置。
12. 請求項１１に記載のパターン形成装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
    前記パターンが形成された基板を加工して物品を製造する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。

Images