JP2015176960A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】実施形態は、発光色の制御性および光出力を向上させた発光装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る発光装置は、第1面と、前記第1面とは反対側の第2面と、前記第1面および前記第2面をつなぐ側面と、を有する発光体と、前記側面に沿って前記発光体の周りに設けられ、前記発光体から放射される1次光により励起され、前記1次光とは異なる波長の2次光を放射する第1蛍光体を含む第1波長変換体と、前記第1面上に設けられた第2波長変換体であって、前記第1面上の少なくとも一部において、前記第1波長変換体を介在させずに設けられ、前記1次光、および、前記第2次光とは異なる波長の別の2次光を放射する第2蛍光体を含む第2波長変換体と、を備える。【選択図】図1
Description
実施形態は、発光装置に関する。
発光ダイオード等の発光体と、発光体から放射される光で励起され、励起光とは異なる波長の光を放射する蛍光体と、を組み合わせた発光装置の開発が進められている。これらの発光装置では、例えば、青色発光ダイオードと、黄色蛍光体、赤色蛍光体もしくは緑色蛍光体と、を組み合わせることにより、白色光源を実現することができる。一方、白色光源は、さまざまな用途に用いられ、その用途毎に異なる演色性が求められる。このため、発光色の制御が容易で、光出力の高い発光装置が必要とされている。
実施形態は、発光色の制御性および光出力を向上させた発光装置を提供する。
実施形態に係る発光装置は、第1面と、前記第1面とは反対側の第2面と、前記第1面および前記第2面をつなぐ側面と、を有する発光体と、前記側面に沿って前記発光体の周りに設けられ、前記発光体から放射される1次光により励起され、前記1次光とは異なる波長の2次光を放射する第1蛍光体を含む第1波長変換体と、前記第1面上に設けられた第2波長変換体であって、前記第1面上の少なくとも一部において、前記第1波長変換体を介在させずに設けられ、前記1次光、および、前記第2次光とは異なる波長の別の2次光を放射する第2蛍光体を含む第2波長変換体と、を備える。
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。図面中の同一部分には、同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
[第1実施形態]
図1は、第1実施形態に係る発光装置1を表す模式断面図である。
図2は、第1実施形態に係る発光装置1の動作を模式的に表す部分断面図である。
図1および図2に示す発光装置1は、発光体10と、第1波長変換体20と、第2波長変換体30と、を備える。
図1は、第1実施形態に係る発光装置1を表す模式断面図である。
図2は、第1実施形態に係る発光装置1の動作を模式的に表す部分断面図である。
図1および図2に示す発光装置1は、発光体10と、第1波長変換体20と、第2波長変換体30と、を備える。
発光体10は、例えば、窒化ガリウム系半導体を材料とする発光ダイオード(LED)であり、430nm〜480nmの波長範囲に発光スペクトルのピークを有する青色光を放射する。発光体10は、第1面10aと、第1面10aとは反対側の第2面10bと、第1面10aおよび第2面10bをつなぐ側面10cと、を有する。
第1波長変換体20は、側面10cに沿って発光体10の周りに設けられる。波長変換体20は、第1蛍光体21を含む。第1蛍光体21は、発光体10から放射される1次光により励起され、1次光とは異なる波長の2次光を放射する。第1蛍光体21から放射される蛍光スペクトルのピーク波長は、発光体10の発光スペクトルのピーク波長とは異なる。
第2波長変換体30は、第1面10a上に設けられる。第2波長変換体30は、第1面上の少なくとも一部において、第1波長変換体20を介在させずに設けられる。第2波長変換体30は、第2蛍光体31を含む。第2蛍光体31は、発光体10から放射される1次光、および、第1蛍光体21から放射される第2次光とは異なる波長の別の2次光を放射する。
以下、図1、図2を参照して、発光装置1を詳細に説明する。
発光体10は、例えば、第2面10aをベース40に向けてマウントされる。ベース40は、例えば、発光体10の放射光を反射する酸化チタン等を含む樹脂、所謂、白樹脂を用いて形成される。ベース40は、例えば、白樹脂によりモールドされたフレーム41および43を含む。
発光体10は、例えば、第2面10aをベース40に向けてマウントされる。ベース40は、例えば、発光体10の放射光を反射する酸化チタン等を含む樹脂、所謂、白樹脂を用いて形成される。ベース40は、例えば、白樹脂によりモールドされたフレーム41および43を含む。
ベース40の上面40aにおける発光体10をマウントする部分(マウントベッド)は、フレーム41および43が露出するように設けられる。マウントベットに露出するフレーム41、43の表面は、好ましくは、例えば、銀メッキなどが施され、発光体10の放射光を反射する。また、ベース40上には、反射材(以下、リフレクタ45)が設けられる。リフレクタ45は、上方に開口を有し、マウントベット上にマウントされる発光体10を囲むように形成される。リフレクタ45は、例えば、白樹脂を用いて形成される。これにより、ベース40の上面40aには凹部が形成され、その内面は、発光体10の放射光を反射する。リフレクタ45の内面は、例えば、上方に拡開するように形成されることが望ましい。
発光体10は、ベース40の上面40aにマウントされる。そして、発光体10の電極と、フレーム41、43と、の間に、金属ワイヤ13、15がそれぞれボンディングされる。これにより、発光体10と、フレーム41、43と、の間が電気的に接続される。
図1示すように、第1波長変換体20は、発光体10と、リフレクタ45と、の間において、発光体10の側面10cを覆うように設けられる。ここで、「覆う」とは、「覆うもの」が直接「覆われるもの」に接触する場合に限定される訳ではなく、他の要素を介して覆うことを含む。
第1波長変換体20は、例えば、蛍光体21と、散乱体23と、を分散したシリコーン樹脂である。第1波長変換体20は、例えば、ディスペンサを用いて、発光体10と、リフレクタ45と、の間のスペースを充填するように形成される。
第1蛍光体21は、例えば、600nmよりも長い波長範囲に発光ピークを有する。第1蛍光体21は、例えば、窒化物蛍光体を材料とする赤色もしくは橙色蛍光体である。散乱体23は、発光体10の放射光を散乱する。散乱体23には、例えば、シリカフィラーを用いることができる。
第2波長変換体30は、例えば、第2蛍光体31を分散したシリコーン樹脂であり、発光体10の第1面10a上に形成される。第2波長変換体30は、例えば、ポッティング法を用いて形成することができる。
図1に示すように、第2波長変換体30は、第1波長変換体20を介在させないで、第1面10aを覆うように形成することが好ましい。例えば、第1波長変換体20は、側面10cにつながる第1面10aの周辺を覆うように形成しても良いが、第1面10aの中央側では、第2波長変換体30は、第1波長変換体20を介在させないで、第1面10aの少なくとも一部を覆うように形成することが望ましい。
第2波長変換体30は、例えば、第1蛍光体21よりも短波長の蛍光を放射する第2蛍光体31を含むことが望ましい。第2蛍光体31には、例えば、500nm〜600nmの波長範囲に発光ピークを有する黄色蛍光体または緑色蛍光体、もしくは、その両方を用いる。第2蛍光体31には、例えば、YAG蛍光体もしくは窒化物蛍光体を用いることができる。
図2に示すように、発光体10の第1面10aから放射される1次光L1は、第2波長変換体30中を伝播する過程において、その一部が第2蛍光体31に吸収される。1次光L1により励起された第2蛍光体31は、2次光L2を放射する。このように、発光体10の第1面10aの上方(発光体10から第2波長変換体30に向かう方向)には、1次光L1と、2次光L2と、が放射される。
一方、発光体10の側面10cから放射される1次光L1は、第1波長変換体20の中を伝播する過程において、第1蛍光体21に吸収される。1次光L1により励起された第1蛍光体21は、2次光L3を放射する。側面10cから放射される1次光L1は、横方向に伝播し、リフレクタ45により反射される。また、第1波長変換体20の中を伝播する1次光は、散乱体23により散乱される。このため、1次光L1の光路長が長くなり、第1蛍光体21に吸収される割合が大きくなる。
第1波長変換体20に分散する散乱体23の密度を高くし、散乱体23の間のスペースを蛍光体21が埋めるように形成しても良い。これにより、第1蛍光体21の励起効率をさらに向上させることができる。また、散乱体23の密度を高くすることにより、ベース40の方向に伝播する光を低減できる。これにより、フレーム41,43等で吸収される光を抑制することが可能となり、発光装置1の光出力を向上させることができる。
図2に示すように、第2蛍光体31から放射される2次光L2は、第1波長変換体20の方向にも放射され、第1蛍光体21により吸収される。すなわち、第1蛍光体21は、1次光L1および2次光L2の両方により励起され、別の2次光L3を放射する。
本実施形態では、第1蛍光体21を発光体10の側面側、第2蛍光体31を発光体10の上にそれぞれ分離して配置する。これにより、蛍光体間の相互吸収を抑制し、それぞれの波長変換体に含まれる蛍光体を効率良く励起することができる。そして、発光装置1の光出力は、第1蛍光体21および第2蛍光体31を混合して配置する場合よりも高くすることができる。
次に、図3(a)〜図4(b)を参照して、発光装置1の発光特性を説明する。
図3(a)〜図4(b)は、第1実施形態に係る発光装置1の発光特性を表すグラフである。
図3(a)〜図4(b)は、第1実施形態に係る発光装置1の発光特性を表すグラフである。
図3(a)は、平均演色評価数Raと、光束と、の関係を表すグラフである。横軸は、平均演色評価数Raである。縦軸は、光束(ルーメン:lm)である。
図3(a)中に示すES1およびES2は、実施形態に係る発光装置1のデータである。CS1は、比較例に係る発光装置のデータである。比較例に係る発光装置では、発光体10を1つの樹脂層(波長変換体)で覆い、その樹脂層中に赤色蛍光体と、黄色蛍光体と、を混合して分散している。ES1では、第1波長変換体20に含まれる第1蛍光体21(赤色蛍光体)の濃度を20重量%としている。ES2では、第1波長変換体20に含まれる赤色蛍光体の濃度を15重量%としている。CS1の波長変換体は、ES2と同量の蛍光体を含む。そして、図3(a)中の各データは、第2蛍光体31の量を変えたサンプルにおける光束の変化を表している。以下、図3(b)〜図3(d)に示すデータについても同様である。
図3(a)に示すように、各データは、Raが大きくなるにつれて光束が減少することを示している。ES1とES2との間では、光束に差がないことがわかる。一方、ES1およびES2と、CS1と、を比較すると、同じRaに対してES1、ES2の光束の方が約13%高くなることがわかる。
図3(b)は、色温度と、光束と、の関係を表すグラフである。横軸は、色温度であり、縦軸は、光束(ルーメン:lm)である。各データは、色温度が高くなるにつれて光束が減少することを示している。ES1とES2との間では、光束に差はない。一方、ES1およびES2と、CS1と、を比較すると、同じ色温度に対してES1、ES2の光束の方が約13%高くなることがわかる。
図3(c)は、平均演色評価数Raと、色温度と、の関係を表すグラフである。横軸は、平均演色評価数Raであり、縦軸は、色温度である。各データは、Raが高くなるにつれて色温度も高くなることを示している。そして、平均演色評価数Raと色温度との関係は、ES1、ES2およびCS1のそれぞれにおいて、ほぼ直線的に変化することがわかる。すなわち、第1蛍光体21と第2蛍光体31とを別々に配置した場合でも、両者を混合した場合と比べて色温度およびRaの制御性は維持されることを表している。
図3(d)は、発光の色度(x、y)を表すグラフである。横軸は、色度座標xであり、縦軸は、色度座標yである。ES1、ES2およびCS1のそれぞれにおいて、色度は直線的に変化することがわかる。すなわち、第1蛍光体21と第2蛍光体31とを別々に配置した場合と、両者を混合した場合と、の比較において、発光色の制御性は維持されることを表している。
図4(a)は、発光の色度(x、y)を表す別のグラフである。横軸は、色度座標xであり、縦軸は、色度座標yである。
図4(b)は、平均演色評価数Raと、光束と、の関係を表すグラフである。横軸は、平均演色評価数Raである。縦軸は、光束(ルーメン:lm)である。
図4(b)は、平均演色評価数Raと、光束と、の関係を表すグラフである。横軸は、平均演色評価数Raである。縦軸は、光束(ルーメン:lm)である。
図4(a)および図4(b)に示すES3では、第1波長変換体20に含まれる第1蛍光体(赤色蛍光体)の濃度を30重量%としている。一方、CS2の波長変換体は、ES3と同量の蛍光体を含む。
図4(a)に示すように、ES3において色度は直線的に変化しており、発光色の制御性は維持される。一方、図4(b)に示すように、Raが大きくなるにつれて光束は減少する。また、同じRaに対してES3の光束の方がCS1の光束よりも約15%高くなる。
上記の通り、本実施形態では、第1蛍光体21と、第2蛍光体31と、を、発光方向(発光体10から第2波長変換体に向かう方向)に対して横方向に分離して配置する。これにより、例えば、蛍光体間における相互の光吸収を抑制することができ、それぞれの発光効率を向上させることが可能となる。また、発光体10の側面側に配置される第1波長変換体に散乱体23を分散することにより、第1蛍光体の励起効率を向上させることが可能となる。そして、発光装置1では、発光色の制御性を維持しながら、光出力を向上させることができる。また、発光装置1では、第1蛍光体21と第2蛍光体31とを分離して配置したにもかかわらず、色ムラ、色割れ等は見られない。すなわち、均一な発光を実現できる。
次に、図5〜図7を参照して、第1実施形態の変形例に係る発光装置2〜4を説明する。以下の説明では、発光装置1と同じ部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。同じまたは類似する構成要素により実現される利点は、発光装置1と同様に実現することができる。
図5は、第1実施形態の変形例に係る発光装置2を表す模式断面図である。発光装置2では、第1波長変換体20は、第1蛍光体21を含むが、散乱体23を含まない。この例では、発光体10から放射される1次光L1および第2蛍光体31から放射される2次光L2は、リフレクタ45の内面、および、ベース40の上面40aにより反射されながら第1波長変換体20の内部を伝播する。これにより、1次光L1および2次光L2の第1蛍光体21に吸収される確率が高くなり、第1蛍光体21の励起効率を向上させることができる。
図6は、第1実施形態の変形例に係る発光装置3を表す模式断面図である。発光装置3では、発光体10と、リフレクタ45と、の間に、発光体10の側面10cを囲む透明樹脂層50が設けられる。透明樹脂層50は、発光体10の1次光L1、第2蛍光体31の2次光L2および第1蛍光体の2次光L3を透過し、例えば、シリカフィラーもしくは酸化チタンなどの散乱体51を含む。
第2波長変換体30は、発光体10の第1面10a上に設けられる。第1波長変換体20は、第2波長変換体30と、透明樹脂層50と、の間に、発光体10を囲むように設けられる。
この例では、発光体10の側面10cから放射される1次光L1は、散乱体51による散乱、および、リフレクタ45およびベース40の上面40aにおける反射により、第1波長変換体20に向かって伝播する。第1波長変換体20に含まれる第1蛍光体21は、透明樹脂層50から入射する1次光L1、および、第2波長変換体30側から入射する第2蛍光体31の2次光L2により効率良く励起される。これにより、発光装置3の光出力を向上させることができる。
図7は、第1実施形態の変形例に係る発光装置4を表す模式断面図である。発光装置4では、ベース60の上に発光体10がマウントされる。ベース60は、フレーム61、63と、発光体10を囲むリフレクタ65と、を有する。ベース60およびリフレクタ65は、発光体10の放射光(1次光)を反射する材料を含む。
発光体10は、ベース60の上面60aの上にマウントされる。発光体10の側面10cと、リフレクタ65との間には、第1波長変換体20が設けられる。発光体10の第1面10aの上には第2波長変換体30が設けられる。
さらに、この例では、第2波長変換体30およびリフレクタ65の一部を覆うレンズ67が設けられる。レンズ67は、例えば、透明樹脂を用いて形成される。レンズ67は、発光体10の1次光と、第1蛍光体21および第2蛍光体31から放射される2次光とを集光する。すなわち、レンズ67を用いることにより、発光装置4の配向特性を制御することができる。
[第2実施形態]
図8は、第2実施形態に係る発光装置5を表す模式断面図である。
発光装置5は、発光体110と、その側面110cを囲む第1波長変換体20と、発光体110の第1面110aの上に設けられた第2波長変換体30と、を備える。
図8は、第2実施形態に係る発光装置5を表す模式断面図である。
発光装置5は、発光体110と、その側面110cを囲む第1波長変換体20と、発光体110の第1面110aの上に設けられた第2波長変換体30と、を備える。
発光体110は、例えば、n形半導体層103と、p形半導体層105と、発光層107と、を含む。発光層107は、n形半導体層103と、p形半導体層105と、の間に設けられる。
発光体110の第1面110aとは反対側の第2面上には、樹脂層140と、p電極120と、n電極130と、が設けられる。p電極120は、樹脂層140を貫通するように設けられ、p形半導体層105に電気的に接続される。n電極130は、樹脂層140を貫通するように設けられ、n形半導体層103に電気的に接続される。
発光体110では、p電極120とn電極130との間に電圧が印可され、その間を流れる電流により、発光層107が発光する。そして、発光層107の放射光が1次光として外部に放射される。
第1波長変換体20は、例えば、樹脂であり、第1の蛍光体21を含む。第2波長変換体30は、例えば、第1面110aおよび第1波長変換体20を覆う樹脂層であり、第2の蛍光体31を含む。
この例では、発光体110の側面110cから放射される1次光は、第1波長変換体20の内部を伝播し、第1蛍光体21を励起する。一方、発光体110の第1面から放射される1次光は、第2波長変換体30の内部を伝播し、第2蛍光体31を励起する。このように、第1蛍光体21と、第2蛍光体31と、を分離して配置した構造では、蛍光体間の相互吸収を抑制し、それぞれを効率的に励起することができる。これにより、発光装置5の発光効率を向上させることができる。
以上、第1実施形態および第2実施形態係る発光装置1〜5について説明したが、実施形態は、これらの例に限定される訳ではない。例えば、第1蛍光体21および第2蛍光体31は、それぞれ複数の種類の蛍光体を含んでも良い。例えば、第1蛍光体21は、赤色蛍光体および橙色蛍光体を含み、第2蛍光体31は、黄色蛍光体および緑色蛍光体を含むことができる。
また、発光体10、110から放射される1次光は青色光に限らず、例えば、紫外光であっても良い。その場合、第2波長変換体30は、例えば、青色蛍光体を含むことが望ましい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1〜5・・・発光装置、 10、110・・・発光体、 10a、110a・・・第1面、 10b・・・第2面、 10c、110c・・・側面、 13、15・・・金属ワイヤ、 20・・・第1波長変換体、 21・・・第1蛍光体、 23、51・・・散乱体、 30・・・第2波長変換体、 31・・・第2蛍光体、 40、60・・・ベース、 40a、60a・・・上面、 41、43、61、63・・・フレーム、 45、65・・・リフレクタ、 50・・・透明樹脂層、 67・・・レンズ、 103・・・n形半導体層、 105・・・p形半導体層、 107・・・発光層、 120・・・p電極、 130・・・n電極、 140・・・樹脂層
Claims (5)
- 第1面と、前記第1面とは反対側の第2面と、前記第1面および前記第2面をつなぐ側面と、を有する発光体と、
前記側面に沿って前記発光体の周りに設けられ、前記発光体から放射される1次光により励起され、前記1次光とは異なる波長の2次光を放射する第1蛍光体を含む第1波長変換体と、
前記第1面上に設けられた第2波長変換体であって、前記第1面上の少なくとも一部において、前記第1波長変換体を介在させずに設けられ、前記1次光、および、前記第2次光とは異なる波長の別の2次光を放射する第2蛍光体を含む第2波長変換体と、
を備えた発光装置。 - 前記第1蛍光体から放射される2次光のピーク波長は、前記第2蛍光体から放射される2次光のピーク波長よりも長い請求項1記載の発光装置。
- 前記第1波長変換体は、前記1次光を散乱する散乱体を含む請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記発光体を囲み、前記1次光を反射する反射材であって、前記発光体から前記第2波長変換体に向かう方向に開口を有する反射材をさらに備え、
前記第2波長変換体は、前記発光体と、前記反射材と、の間に設けられる請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光装置。 - 前記第2面側に設けられ、前記1次光を反射するベースをさらに備え、
前記発光体は、前記ベース上にマウントされた請求項1〜4のいずれか1つに記載の発光装置。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10559724B2 (en) | 2016-10-19 | 2020-02-11 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing same |
| JP2020161773A (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2021522683A (ja) * | 2018-05-04 | 2021-08-30 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 照明モジュール及び照明装置 |
| JP2022087001A (ja) * | 2020-11-30 | 2022-06-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び面状光源 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015008243A1 (en) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | Koninklijke Philips N.V. | Pc led with optical element and without substrate carrier |
| EP3064166B1 (de) * | 2015-03-06 | 2018-07-04 | Schott AG | Hermetisch abgedichtete led-leuchte sowie verfahren zur herstellung einer hermetisch abgedichteten led-leuchte |
| KR102360957B1 (ko) * | 2015-03-27 | 2022-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
| US9922963B2 (en) | 2015-09-18 | 2018-03-20 | Genesis Photonics Inc. | Light-emitting device |
| DE102016112275B4 (de) | 2016-07-05 | 2022-10-06 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum herstellen einer optoelektronischen leuchtvorrichtung und optoelektronische leuchtvorrichtung |
| US10193043B2 (en) * | 2016-07-28 | 2019-01-29 | Lumileds Llc | Light emitting device package with reflective side coating |
| JP7280820B2 (ja) * | 2016-07-28 | 2023-05-24 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 反射性側面コーティングを伴う発光デバイスの製造方法 |
| JP6597657B2 (ja) * | 2017-01-24 | 2019-10-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| DE102017111426A1 (de) * | 2017-05-24 | 2018-11-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements |
| CN109841721B (zh) * | 2017-11-28 | 2023-05-02 | 首尔半导体股份有限公司 | 发光二极管封装体及其制造方法 |
| KR20220112908A (ko) | 2021-02-04 | 2022-08-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광장치 |
| WO2023107883A1 (en) * | 2021-12-10 | 2023-06-15 | Lumileds Llc | Phosphor converted leds with improved light uniformity including discrete light-scattering layers |
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Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997050132A1 (de) * | 1996-06-26 | 1997-12-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Lichtabstrahlendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement |
| JP5044329B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2012-10-10 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
| JP2010074117A (ja) * | 2007-12-07 | 2010-04-02 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
| TW200932035A (en) * | 2008-01-04 | 2009-07-16 | Lighthouse Technology Co Ltd | Light-emitting element |
| JP5766386B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2015-08-19 | 株式会社東芝 | 発光デバイス及び発光装置 |
| JP5416946B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2014-02-12 | 株式会社東芝 | 蛍光体溶液 |
| CN101752483B (zh) * | 2008-12-15 | 2011-09-28 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 发光二极管 |
| WO2011013188A1 (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-03 | 株式会社 東芝 | 発光装置 |
| KR100986560B1 (ko) * | 2010-02-11 | 2010-10-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
| JP5129283B2 (ja) * | 2010-03-09 | 2013-01-30 | 株式会社東芝 | 蛍光体、蛍光体の製造方法、発光装置及び発光モジュール |
| KR101867106B1 (ko) * | 2010-03-30 | 2018-06-12 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | Led용 수지 부착 리드 프레임, 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 led용 수지 부착 리드 프레임의 제조 방법 |
| JP5325834B2 (ja) * | 2010-05-24 | 2013-10-23 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP4875185B2 (ja) * | 2010-06-07 | 2012-02-15 | 株式会社東芝 | 光半導体装置 |
| JP2012028501A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| US20130154478A1 (en) * | 2010-08-25 | 2013-06-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic light emitting device and antistatic method for the same |
| RU2570356C2 (ru) * | 2010-08-31 | 2015-12-10 | Нития Корпорейшн | Светоизлучающее устройство и способ его изготовления |
| US9070851B2 (en) * | 2010-09-24 | 2015-06-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same |
| KR20120062302A (ko) * | 2010-12-06 | 2012-06-14 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
| KR101812168B1 (ko) * | 2011-04-19 | 2017-12-26 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 이용한 발광 장치 |
| KR20130014256A (ko) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 이용한 조명 시스템 |
| WO2013144834A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Koninklijke Philips N.V. | Light emitting device with wavelength converting side coat |
-
2014
- 2014-03-14 JP JP2014051247A patent/JP2015176960A/ja active Pending
- 2014-06-11 TW TW103120221A patent/TW201535797A/zh unknown
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- 2014-09-03 CN CN201410444280.5A patent/CN104916753A/zh active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10559724B2 (en) | 2016-10-19 | 2020-02-11 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing same |
| US11322664B2 (en) | 2016-10-19 | 2022-05-03 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
| US10896998B2 (en) | 2016-10-19 | 2021-01-19 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
| JP2021522683A (ja) * | 2018-05-04 | 2021-08-30 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 照明モジュール及び照明装置 |
| JP7349451B2 (ja) | 2018-05-04 | 2023-09-22 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 照明装置 |
| KR20230149284A (ko) * | 2018-05-04 | 2023-10-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 조명 장치 |
| US11916177B2 (en) | 2018-05-04 | 2024-02-27 | Lg Innotek Co., Ltd. | Illumination device having a first phosphor layer and second phosphor layer |
| KR102798674B1 (ko) | 2018-05-04 | 2025-04-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 조명 장치 |
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