JP2015142098A - 圧電デバイス用パッケージ及び圧電デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】圧電振動片をパッケージ本体に搭載する際、圧電振動片の裏面に沿って拡がる接着剤の流れの方向を規制することにより、接着剤が振動部に向けて拡がるのを抑制し、圧電振動片のCI値の悪化を防止する。
【解決手段】圧電振動片50を保持するパッケージ本体10aを有し、圧電振動片50に形成された励振電極53、54と電気的に接続される接続電極23、24をパッケージ本体10aに備える圧電デバイス用パッケージ10であって、接続電極23、24は、パッケージ本体10aに保持される圧電振動片50の振動部51側を切り欠いた状態の切り欠き部25、26を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、圧電デバイス用パッケージ及び圧電デバイスに関する。
携帯端末や携帯電話などの電子機器では、圧電振動子や発振器などの圧電デバイスが搭載されている。圧電デバイスとしては、パッケージ本体内のキャビティーに水晶振動片などの圧電振動片が収容されて構成される。このような圧電デバイスの構成の一例としては、振動部に形成された励振電極から引き出された引出電極を備える圧電振動片と、接続電極が形成されたパッケージ本体とを有し、引出電極と接続電極との間に配置される導電性接着剤により圧電振動片をパッケージ本体に保持するものが知られている(例えば、特許文献1参照)。
圧電振動片をパッケージ本体に保持する際、例えば、予め接続電極の表面に導電性の接着剤を塗布し、この接着剤上に圧電振動片を載置し、圧電振動片を若干押圧した状態で接着剤を硬化させている。その際、接着剤は、接着強度の確保や、引出電極と接続電極との電気的な接続を確保するために十分な量が塗布される。そのため、圧電振動片の押圧により、導電性接着剤は、圧電振動片の裏面(接着側の表面)に沿って拡がってしまう。その結果、圧電振動片のCI値(クリスタルインピーダンス値)が大きくなり、振動特性を悪化させるといった問題が生じる。
また、圧電振動片は、振動部での振動を閉じ込めるため、ベベル加工等により周辺部より中央部分を厚くすることが一般的である。このような中央部分が肉厚の圧電振動片では、パッケージ本体への搭載時に、中央部分とパッケージ本体との隙間が周辺部に対して狭くなる。そのため、接着剤は、圧電振動片の中央部分(振動部)に向けて拡がる傾向を示し、CI値の悪化を招きやすくなる。
以上のような事情に鑑み、本発明では、圧電振動片をパッケージ本体に搭載する際、圧電振動片の裏面に沿って拡がる接着剤の流れの方向を規制することにより、接着剤が振動部に向けて拡がるのを抑制し、圧電振動片のCI値の悪化を防止することが可能な圧電デバイス用パッケージ及び圧電デバイスを提供することを目的とする。
本発明では、圧電振動片を保持するパッケージ本体を有し、圧電振動片に形成された励振電極と電気的に接続される接続電極をパッケージ本体に備える圧電デバイス用パッケージであって、接続電極は、パッケージ本体に保持される圧電振動片の振動部側を切り欠いた状態の切り欠き部を備える。
また、切り欠き部は、接続電極から振動部の中心部に向かう方向に対して交差する方向に直線状に切り欠いて形成されてもよい。また、切り欠き部は、略矩形状の接続電極の4つの角部のうち振動部に近い1つの角部を直線状に切り欠いて形成されてもよい。また、接続電極は、励振電極側の端部が励振電極に対して所定距離だけ離れるように形成されてもよい。また、パッケージ本体は、ベースと、ベースに形成された段部と、を有し、接続電極は、段部に形成されてもよい。
また、本発明は、上記した圧電デバイス用パッケージと、導電性接着剤によってパッケージ本体に保持されかつ接続電極と電気的に接続される励振電極を備える圧電振動片と、を含む圧電デバイスである。
また、圧電振動片は、励振電極が形成される振動部の厚さが周辺部に対して厚く形成されてもよい。また、圧電振動片は、パッケージ本体に接着される側の表面が曲面状であってもよい。
本発明によれば、圧電振動片とパッケージ本体との接着時に、導電性接着剤は、接続電極の切り欠き部によって圧電振動片の振動部に向けて拡がることが規制される。これにより、圧電振動片のCI値が上昇するのを低減でき、品質の高い圧電デバイスを提供することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。また、以下の実施形態を説明するため、図面においては一部分を大きくまたは強調して記載するなど適宜縮尺を変更して表現している。また、図面においてハッチングした部分は、電極及び導電性接着剤を表している。
以下の各図において、XYZ座標系を用いて図中の方向を説明する。このXYZ座標系においては、圧電振動片の表面に平行な平面をXZ平面とする。このXZ平面において長手方向をX方向と表記し、X方向に直交する方向をZ方向と表記する。XZ平面に垂直な方向(圧電振動片の厚さ方向)はY方向と表記する。X方向、Y方向及びZ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が+方向であり、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとして説明する。
<圧電デバイス用パッケージ及び圧電デバイス>
実施形態に係る圧電デバイス用パッケージ及び圧電デバイスの一例について、図面を参照して説明する。図1は、実施形態に係る圧電デバイス用パッケージ10を示しており、図2(a)は、圧電デバイス100の平面図、(b)は(a)のA−A線に沿った断面図である。なお、図1及び図2(a)では、カバー(リッド)30及びシールリング60を透過して表わしている。図1及び図2に示すように、圧電デバイス用パッケージ10は、後述する圧電振動片50をパッケージ本体10aに保持しかつ収容する。パッケージ本体10aは、ベース20と、カバー30(図2(b)参照)とを有している。
実施形態に係る圧電デバイス用パッケージ及び圧電デバイスの一例について、図面を参照して説明する。図1は、実施形態に係る圧電デバイス用パッケージ10を示しており、図2(a)は、圧電デバイス100の平面図、(b)は(a)のA−A線に沿った断面図である。なお、図1及び図2(a)では、カバー(リッド)30及びシールリング60を透過して表わしている。図1及び図2に示すように、圧電デバイス用パッケージ10は、後述する圧電振動片50をパッケージ本体10aに保持しかつ収容する。パッケージ本体10aは、ベース20と、カバー30(図2(b)参照)とを有している。
ベース20は、Y方向から見てZ方向を短辺、X方向を長辺とする略矩形状に形成される。ベース20の表面(+Y側の面)には、凹部21と、凹部21を囲む接合面22とが形成される。凹部21は、キャビティー(圧電振動片を収容する空間)40として用いられる。凹部21には、底部21aと段部21bとが形成される。段部21bは、底部21aを囲むように形成され、底部21aに対して+Y方向に突出するように形成される。これにより、底部21aと段部21bの表面とは、所定の段差(Y方向の距離)が形成される。この段差の距離は、後述する電子デバイス80等(図7参照)の高さに応じて設定されてもよい。
ベース20は、安価で形成が容易なセラミック材料から形成され、例えば、ガラス−セラミックやアルミナセラミック等が用いられる。なお、ベース20は、このようなセラミック材料に代えて、ガラス、シリコン、樹脂、金属等が用いられてもよい。以下に説明する変形例についても同様である。
ベース20は、図2(b)に示すように、第1セラミック部20aと、第1セラミック部20aの上側(+Y側)に配置された第2セラミック部20bと、第2セラミック部20bの上側(+Y側)に配置された第3セラミック部20cと、から構成される。ベース20は、これら第1〜3セラミック部20a〜20cが積層された状態で形成される。第1セラミック部20aは板状部材であり、ベース20の底部21cを形成する。第2及び第3セラミック部20b、20cは、キャビティー40を形成する部分が抜かれた枠状の部材である。また、第2セラミック部20bは、段部21bを形成する部材であり、第2セラミック部20bの厚さ(Y方向の長さ)が段部21bの高さ(Y方向の長さ)となっている。なお、ベース20は、このような積層構造に限定されず、例えば一体として形成されてもよい。
第1〜3セラミック部20a〜20cは、全て同一の厚さを有し、かつ同種類のセラミック材料から形成される。ただし、これらの一部又は全部は、異なる厚さあるいは異なる種類のセラミック材料から形成されてもよい。
ベース20は、上記した構成に限定されず、例えば、Y方向から見たときの形状として、正方形、円形、楕円形、長円形等の形状であってもよい。また、ベース20には、凹部21が設けられなくてもよい。また、凹部21において、段部21bは設けられなくてもよい。また、段部21bは、Y方向から見て矩形状の領域が形成されることに限定されず、例えば、Y方向から見て正方形や円形等の領域が形成されるものでもよい。また、段部21bは、ベース20において複数が形成されてもよい。また、ベース20には、例えば角部あるいは側面の一部をY方向に沿って切り欠いて形成されるキャスタレーションが設けられてもよい。
図1に示すように、段部21bの+Y側の表面には、接続電極23、24が形成される。接続電極23、24は、それぞれZ方向に並んで配置される。また、接続電極23と接続電極24とは、振動部51の中心部Oを通りかつX軸に平行な直線に対して対称となるように配置される。接続電極23、24は、図2に示すように、導電性接着剤71、72を介して、圧電振動片50の裏面(−Y側の面)の−X側の周辺部52と接合する。これにより、ベース20に圧電振動片50が保持されるとともに、接続電極23、24は、それぞれ後述する励振電極53、54と電気的に接続される。
接続電極23、24は、圧電デバイス用パッケージ10に保持される圧電振動片50の振動部51側を切り欠いた状態の切り欠き部25、26をそれぞれ備えている。切り欠き部25は、接続電極23、24を含んでX方向及びZ方向に平行な辺を有する略矩形の領域から、4つの角部のうち振動部51に近い1つの角部(+Xかつ−Z側の角部)を切り欠いた状態で形成される。切り欠き部26も同様に、略矩形の領域から4つの角部のうち振動部51に近い1つの角部(+Xかつ+Z側の角部)を切り欠いた状態で形成される。切り欠き部25、26は、それぞれ、接続電極23、24から振動部51の中心部Oに向かう方向D1、D2に対して交差する方向D3、D4に直線状に切り欠いて形成される。なお、方向D3、D4は、方向D1、D2に対して直交する方向に設定されてもよい。
接続電極23、24の励振電極53、54側(+X側)の端部(辺部)は、励振電極53、54に対してそれぞれ所定距離W1、W2だけ離れるように形成される。所定距離W1、W2は同一の値に設定されるが、異なる値であってもよい。また、接続電極23の+Z側の端部及び接続電極24の−Z側の端部は、それぞれ第3セラミック部20cの積層部分まで形成される。
接続電極23、24は、中心部Oを通りかつX軸に平行な直線に対して対称となる形状に形成される。従って、接続電極23、24は、ほぼ同一の面積に形成される。また、接続電極23、24は、同一の金属膜の構成により形成される。このような金属膜の構成としては、段部21bの+Y側の表面に、ベース20との密着性を高める下地層としてニッケル(Ni)が成膜され、この下地層の上に主電極層として金(Au)が成膜された2層構造が採用される。また、それぞれの金属膜の膜厚は、例えば、ニッケル(Ni)の層が2〜6μm、金(Au)の層が0.3〜0.7μmに設定される。この金属膜の膜厚により、接続電極23、24の表面(+Y側の面)と段部21bの表面との間には段差が生じる。
接続電極23、24は、例えばメタルマスク等を用いた真空蒸着やスパッタ蒸着等により導電性の金属膜が成膜されて形成される。なお、接続電極23、24は、フォトリソグラフィー法及びエッチングにより形成されてもよく、金属ペーストや導電性フィラーを用いてスクリーン印刷などの印刷手法により形成された下地層の表面にめっきを施して形成されてもよい。
なお、接続電極23、24の形状は、上記した構成に限定されない。例えば、接続電極23、24は、Y方向から見た場合、略矩形状から振動部51側を切り欠いた形状となっているが、これに代えて、四角以外の多角形状、円形状、長円形状、又は楕円形状などの形状から振動部51側を切り欠いた状態の形状であってもよい。また、接続電極23、24は、同一の面積であることに限定されず、互いに異なる面積に設定されてもよい。また、接続電極23、24は、Z方向に並んで配置されることに限定されず、例えば、Z方向に対して傾斜する方向に並んで配置されてもよい。これらの事項については、後述する変形例において適用されてもよい。
また、接続電極23、24の−X側の端部(辺部)は、第3セラミック部20c(図2(a)参照)から離間して配置されるが、例えば、第3セラミック部20cまで形成されてもよい。また、接続電極23の+Z側の端部または接続電極24の−Z側の端部は、第3セラミック部20cまで形成されるが、例えば、第3セラミック部20cからそれぞれ離間するように形成されてもよい。また、接続電極23、24の一方には、切り欠き部25、26が形成されなくてもよい。なお、切り欠き部25、26が形成されない接続電極23、24の形状、大きさ、及び構成については、任意である。
また、接続電極23、24は、上記した金属膜により形成されることに限定されず、下地層としては、タングステン(W)や、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、チタン(Ti)、あるいはニッケルクロム(NiCr)や、ニッケルチタン(NiTi)、ニッケルタングステン(NiW)合金などが採用されてもよく、主電極層としては、銀(Ag)や銅(Cu)などの金属、あるいはこれらの金属を含む合金などが採用されてもよい。また、金属膜の構成は、2層構造に限定されず、1層構造あるいは3層以上の構造であってもよい。
ベース20には、貫通電極25a、25bが形成される。貫通電極25a、25bは、それぞれ、接続電極23、24からベース20の第1及び第2セラミック部20a、20bを−Y方向に貫通して形成される。貫通電極25a、25bは、それぞれ後述する外部電極26a、26bと電気的に接続する。
貫通電極25a、25bは、段部21bの+Y側の面から−Y方向にかけて徐々に口径が拡がる略円錐台状に形成される。貫通電極25a、25bは、例えば銀(Ag)ペーストが貫通孔に充填されて形成されるが、これに代えて、金(Au)、銅(Cu)などの金属、もしくは、これらの金属を含む合金、金属以外の導体を含んだペーストが充填されてもよく、あるいは、貫通孔の側面に導電性の金属膜が成膜されて形成されてもよい。
貫通電極25a、25bは、上記の構成に限定されず、例えば円柱形状や角柱形状であってもよい。また、このような貫通電極25a、26bの一部あるいは全部は、設けられなくてもよい。この場合、ベース20に上記したキャスタレーションが設けられ、キャスタレーションの表面に、接続電極23、24と外部電極26a、26bとを接続するキャスタレーション電極が形成されてもよい。
ベース20の裏面(−Y側の面)には、4つの外部電極26a〜26dが形成される。外部電極26a〜26dは、それぞれY方向から見て略矩形状に形成されており、ベース20の裏面(−Y側の面)の4つの角部側の領域に形成されている。外部電極26a、26bは、−X側の領域にZ方向に並んで形成され、他の基板等に実装される際の一対の実装端子として用いられる。外部電極26a、26bは、それぞれ貫通電極25a、25bに接続されており、これら貫通電極25a、25bを介して接続電極23、24と電気的に接続されている。なお、外部電極26a〜26dの形状は、略矩形状に限定されず、例えば四角以外の多角形状、円形状、長円形状、楕円形状であってもよい。なお、外部電極26c、26dは、ダミー電極である。
外部電極26a〜26bは、上記した接続電極23、24と同一の金属膜の構成であるが、異なってもよい。また、外部電極26a〜26bの形成についても、接続電極23、24と同様の方法が用いられるが、異なってもよい。
ベース20は、図2(b)に示すように、シールリング60を介してカバー30の接合面32と接合される。シールリング60は、枠状に形成され、ベース20の接合面22に、例えば銀ろうなどのろう材(不図示)を介して接合される。シールリング60は、カバー30と同一の材料から形成されるが、異なる材料が用いられてもよい。
カバー30は、Y方向から見てZ方向を短辺、X方向を長辺とする略矩形状の板状部材である。カバー30としては、例えばニッケル(Ni)、42アロイ(Fe−Ni)、コバール(Fe−Ni−Co)、鉄(Fe)、銅(Cu)などの金属材料が用いられる。カバー30は、裏面(−Y側の面)がシールリング60の表面(+Y側の面)に接合される。これにより、圧電デバイス用パッケージ10の内部にはキャビティー40が形成される。キャビティー40は、真空雰囲気あるいは窒素などの圧電振動片50に対して不活性なガス雰囲気となっている。
なお、カバー30は上記した構成に限定されず、例えばY方向から見た形状は、略矩形以外の種々の形状であってよい。また、カバー30は、金属材料に代えて、例えば、セラミックスや、シリコン、ガラス、樹脂などが用いられてもよい。また、カバー30は、ベース20と同一の材料により形成されてもよい。また、カバー30の裏面(−Y側の面)の接合面32に囲まれた領域に、キャビティー40を形成するための凹部が設けられてもよい。
カバー30とベース20との接合は、シールリング60を用いて行うことに限定されず、例えば、ろう材、はんだ、各種接合材を介して接合されてもよく、接合材などを用いずに直接接合されてもよい。なお、これらの場合、ベース20の接合面22には、シールリング60は配置されない。
圧電デバイス100は、図2に示すように、圧電デバイス用パッケージ10と、圧電振動片50と、を含んで構成される。この圧電デバイス100は、圧電振動子である。圧電振動片50は、ベース20の段部21bにおいて片持ちされた状態で支持され、キャビティー40に収容される。圧電振動片50は、例えばATカットの水晶振動片が用いられる。ATカットは、圧電振動子が常温付近で使用されるにあたって良好な周波数特性が得られる等の利点があり、人工水晶の3つの結晶軸である電気軸、機械軸及び光学軸のうち、光学軸に対して結晶軸周りに35°15′だけ傾いた角度で切り出す加工手法である。
図2(a)に示すように、圧電振動片50は、Y方向から見てX方向を長辺かつZ方向を短辺とする略矩形に形成される。圧電振動片50は、圧電デバイス用パッケージ10のキャビティー40内に収容可能な寸法に形成される。また、図2(b)に示すように、圧電振動片50の表面(+Y側の面)及び裏面(−Y側の面)は、曲面状に形成され、励振電極53、54が形成される振動部51の厚さが周辺部52に対して厚く形成される。このように、振動部51が周辺部52より厚く形成されることにより、板状の場合に比べて振動エネルギーを振動部51に閉じ込めることが可能となる。
圧電振動片50の振動部51の表面(+Y側の面)及び裏面(−Y側の面)には、それぞれ励振電極53、54が形成される。圧電振動片50の表面(+Y側の面)には、励振電極53から−X方向に引き出された引出電極55が形成される。引出電極55は、励振電極53から引き出された後、圧電振動片50の側面を通って裏面に引き出される。また、圧電振動片50の裏面には、励振電極54から同じく−X方向に引き出された引出電極56が形成される。
励振電極53、54及び引出電極55、56は、例えば導電性の金属膜により形成される。この金属膜としては、例えば水晶材との密着性を高める下地層としてクロム(Cr)や、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、あるいはニッケルクロム(NiCr)や、ニッケルチタン(NiTi)、ニッケルタングステン(NiW)合金などが成膜され、この下地層の上に金(Au)や銀(Ag)などの主電極層が成膜された2層構造が採用される。
圧電振動片50は、励振電極53、54に所定の電圧が印加されることにより所定の振動数で振動する。引出電極55は、導電性接着剤71を介して接続電極23と電気的に接続され、引出電極56は、導電性接着剤72(導電性接着剤71に対して−Z方向に位置している。)を介して接続電極24と電気的に接続される。従って、励振電極53、54のそれぞれは、引出電極55、56、接続電極23、24、及び貫通電極25a、25bを介して、外部電極26a、26bに電気的に接続される。
導電性接着剤71、72としては、例えば揮発しにくく作業性に優れ、高温雰囲気下においても性能劣化が生じにくいシリコン系導電性接着剤が用いられるが、ポリイミド系、ウレタン系、あるいはエポキシ系の導電性接着剤などが用いられてもよい。また、導電性接着剤71、72には、それぞれ同一の種類の接着剤が用いられるが、異なる種類が用いられてもよい。
なお、圧電振動片50は、上記した構成に限定されず、例えば、BTカットやGTカットや、XTカットなどの水晶振動片が用いられてもよい。また、圧電振動片50は、水晶材に限定されず、タンタル酸リチウム(LiTaO3)やニオブ酸リチウム(LiNbO3)などが用いられてもよい。また、圧電振動片50は、Y方向から見たときに四角以外の多角形状等、種々の形状であってもよく、音叉型であってもよい。
また、圧電振動片50は、振動部51の厚さが周辺部52に対して厚く形成されることに限定されず、例えば、厚さ(Y方向の距離)が一定に形成された板状であってもよい。また、圧電振動片50の表面及び裏面の一方または双方が曲面状に形成されなくてもよい。また、圧電振動片50の表面等が曲面状に形成されることに代えて、例えば、振動部51の表面及び裏面の一方または双方に、周辺部52に対して段階的に盛り上がった形状のメサ部が形成されてもよい。このメサ部により、振動エネルギーを振動部51に閉じ込めることができる。また、メサ部は、コンベックス加工等により、表面が曲面状に形成されてもよい。
次に、圧電デバイス用パッケージ10及び圧電デバイス100の製造方法の一例について説明する。ベース20は、先ず、第1セラミック部20aを多面取りする第1シート、第2セラミック部20bを多面取りする第2シート、第3セラミック部20cを多面取りする第3シートが用意される。これらの第1〜第3シートは、例えば、所定の厚さのグリーンシートが用いられる。グリーンシートは、例えばガラスやアルミナなどを主原料とするセラミック粉末やバインダーなどの混合物から形成される。
続いて、第1シートの所定位置には貫通孔が形成される。第2シートの所定位置には、貫通孔が形成されるとともに、段部21bを形成するためにプレス等により所定形状が抜かれる。第3シートは、キャビティー40を形成するためにプレス等により所定形状が抜かれる。これら第1シート、第2シート、及び第3シートは、位置合わせされ、かつこの順で積層された後、切断されて個別化され、さらに加熱されて焼成される。なお、貫通孔には、銀ペースト等が充填され、貫通電極25a等が形成される。
続いて、ベース20の段部21bの+Y側の面の所定の領域には、メタルマスクを介して、スパッタ蒸着または真空蒸着等によりニッケル(Ni)及び金(Au)の金属膜が、この順で成膜され、接続電極23、24が形成される。同様に、ベース20の裏面(−Y側の面)の所定の領域には、外部電極26a〜26dが形成される。なお、接続電極23、24は、フォトリソグラフィー法及びエッチングによる手法や、スクリーン印刷などの印刷手法等が用いられてもよい点は上記のとおりである。
カバー30は、先ず、所定の厚さに形成された板状の金属部材が用意される。続いて、この金属部材を所定の略矩形状に切断することによりカバー30が形成される。カバー30は、ベース20に圧電振動片50を搭載した後に、シールリング60を介してベース20に接合される。
圧電振動片50は、先ず、水晶結晶体からATカットにより所定の厚さで切り出された圧電ウェハ(水晶ウェハ)が用いられる。この圧電ウェハは、所定寸法に切断されて水晶片が形成される。水晶片は、ベベル加工等が施されることにより、表面及び裏面の中央部分が周辺部分より厚くなった曲面状に形成される。この中央部分は振動部51に相当し、周辺部分は周辺部52に相当する。なお、水晶片をベベル加工等するか否かは任意である。続いて、水晶片は、洗浄された後、表面の所定の領域に励振電極53、54及び引出電極55、56が形成されて、圧電振動片50が完成する。
励振電極53、54及び引出電極55、56は、水晶片の表面に、メタルマスクを介して、スパッタ蒸着や真空蒸着により、下地層、主電極層の順で金属膜が成膜されて形成される。励振電極53、54及び引出電極55、56は、例えば同一材料により、かつ一体的に形成される。なお、励振電極53等は、フォトリソグラフィー法及びエッチングによる手法や、印刷手法等により形成されてもよい。また、水晶片に切断する前に、フォトリソグラフィー法及びエッチングによって圧電ウェハの表面や裏面にメサ部が形成されてもよい。メサ部は、圧電振動片50の振動部51に対応する位置に形成される。
圧電振動片50は、導電性接着剤71、72により、ベース20の段部21bに形成された接続電極23、24に保持される。図3は、接続電極24上の導電性接着剤72を示す平面図であり、(a)は圧電振動片50の接着前、(b)は圧電振動片50の接着後である。先ず、ベース20の接続電極23、24の表面には、それぞれ導電性接着剤71、72が配置される。導電性接着剤71、72は、例えばディスペンサーにより塗布される。その際、例えばカメラ等により、塗布された導電性接着剤71、72の画像が取得され、所定量が接続電極23、24の所定位置に配置されていることが確認されてもよい。なお、塗布された導電性接着剤71、72は、図3(a)に示すように、接続電極23、24上においてY方向から見て略円形状となっている。
続いて、圧電振動片50の引出電極55、56と、接続電極23、24とを位置合わせした状態で圧電振動片50が載置され、−Y方向に若干押圧される。導電性接着剤71、72は、Y方向に潰れるように変形し、接続電極23、24及び圧電振動片50の裏面に沿って拡がる。
圧電振動片50は、振動部51の厚さが周辺部52に対して厚いため、接続電極23、24と圧電振動片50の裏面との間隔は、振動部51の中心部Oの方向に向けて徐々に狭くなっている。そのため、導電性接着剤71、72は、間隔が狭い方向に向けて拡がるが、その方向には切り欠き部25、26が形成されているので、図3(a)に示すように切り欠き部26に沿って向きを変えて拡がることになる。その結果、図3(b)に示すように、導電性接着剤72は、切り欠き部26にせき止められて、Y方向から見ると、切り欠き部26を底とする山形状または略台形状となる。接続電極23に塗布された導電性接着剤71についても、上記した導電性接着剤72と同様である。なお、接続電極23、24は、段部21bに対して所定高さを持つため、切り欠き部25、26を境界として導電性接着剤71、72が振動部51の方向に拡がるのを規制する効果も加わっているものと考えられる。
導電性接着剤71、72は、この状態で、加熱処理されあるいは常温で硬化し、圧電振動片50のベース20に対する接着は完了する。導電性接着剤71、72を介して、接続電極23、24と引出電極55、56とが電気的に接続される。なお、導電性接着剤71、72は、接続電極23、24に塗布されることに代えて、圧電振動片50の引出電極55、56に塗布されてもよく、この場合の導電性接着剤71、72についても、接着時の状態は上記と同様である。
続いて、真空雰囲気あるいは窒素など圧電振動片50に対して不活性なガス雰囲気に形成されたチャンバー内で、カバー30がシールリング60とシーム溶接により接合される。これにより、圧電振動片50は、圧電デバイス用パッケージ10のキャビティー40内に気密封止された状態で収容され、圧電デバイス100が完成する。
このように、本実施形態によれば、接続電極23、24が切り欠き部25、26を備えるので、導電性接着剤71、72は切り欠き部25、26によって振動部51の方向に拡がるのを規制することができる。これにより、導電性接着剤71、72が振動部51に付着してCI値を上昇させることを防止できる。また、切り欠き部25、26は、接続電極23、24から振動部51の中心部Oに向かう方向D1、D2に対して、それぞれ交差する方向D3、D4に直線状に形成されるので、導電性接着剤71、72の流れを、方向D3、D4に向けることにより、振動部51への導電性接着剤71、72の付着を確実に防止できる。また、接続電極23、24は、切り欠き部25、26を除いて略矩形状に形成されるため、引出電極55、56に対して十分な接続面積を確保することができる。
また、接続電極23、24は、励振電極53、54側の端部23a、24aが励振電極53、54に対して所定距離W1、W2だけ離れるため、接続電極23、24と振動部51との距離を確保し、導電性接着剤71、72が接続電極23、24を超えて振動部51の方向に流れた場合であっても、振動部51まで到達するのを抑制することにより、CI値の上昇を防止できる。また、接続電極23、24は、段部21bに形成されることにより、圧電振動片50と底部21aとの間には所定間隔が形成され、導電性接着剤71、72が振動部51に付着するのを防止できる。
また、圧電振動片50のように、振動部51の厚さが周辺部52に対して厚く形成されたものでも、切り欠き部25、26によって導電性接着剤71、72が振動部51に付着するのを防止でき、特に、圧電振動片50の裏面が曲面状であっても導電性接着剤71、72が振動部51に付着するのを防止できる。
なお、接続電極23の+Z側及び−X側の端部、接続電極24の−Z側及び−X側の端部が第3セラミック部20cの積層部分まで形成される場合、接続電極23、24の画像を例えばカメラ等により取得したときに、位置や形状などの誤認識が生じることを低減できる。
図4は、本実施形態に係る圧電デバイス100と比較例について、温度変化に対するCI値を示すグラフであり、図4(a)は圧電デバイス100の測定結果、(b)は比較例の測定結果を示している。図4(a)及び(b)において、縦軸はCI値、横軸は温度を示す。なお、測定された圧電デバイス100及び比較例のサンプル数は、それぞれ43個、50個である。比較例は、接続電極として、切り欠き部を有しない矩形状のものが用いられ、その他の構成については圧電デバイス100と同一である。
図4(a)に示すように、圧電デバイス100は、除々に温度を低下させるとCI値は緩やかに上昇していくことが確認された。また、図4(b)に示すように、比較例についても、同様に、温度の低下に伴いCI値は上昇するが、20℃付近を境界にして急激に上昇するとともに、圧電デバイス100に比べて全体的にCI値が高いことが確認された。このような結果から、接続電極23、24に切り欠き部25、26が形成される場合、形成されない場合と比べて例えば低温時等にCI値の上昇が抑制され、振動特性が向上することが確認された。
<接続電極の変形例>
図5は、接続電極の第1〜第3変形例を示し、図6は、接続電極の第4〜第6変形例を示している。なお、図5及び図6は、いずれも段部21b上の−Z側の接続電極を示しているが、+Z側には特に説明しない限り対称形状の接続電極が形成される。図5(a)〜(c)に示すように、第1〜第3変形例に係る接続電極124、224、324は、いずれもX及びZ方向に平行な辺を有する略矩形状の領域から4つの角部のうち振動部51に近い1つの角部(+Xかつ+Z側の角部)を切り欠いた状態で形成される。
図5は、接続電極の第1〜第3変形例を示し、図6は、接続電極の第4〜第6変形例を示している。なお、図5及び図6は、いずれも段部21b上の−Z側の接続電極を示しているが、+Z側には特に説明しない限り対称形状の接続電極が形成される。図5(a)〜(c)に示すように、第1〜第3変形例に係る接続電極124、224、324は、いずれもX及びZ方向に平行な辺を有する略矩形状の領域から4つの角部のうち振動部51に近い1つの角部(+Xかつ+Z側の角部)を切り欠いた状態で形成される。
第1変形例に係る接続電極124は、図5(a)に示すように、切り欠き部126の形状が、それぞれX方向、Z方向に平行な2本の直線部を有する折れ線状となっている。この直線部の長さは、それぞれ同一であるが、異ならせてもよい。また、このような直線部は、X方向あるいはZ方向に対して傾斜する方向に沿って形成されてもよく、3本以上を有してもよい。また、切り欠き部126の形状の一部に曲線部を含んでもよい。
第2変形例に係る接続電極224は、図5(b)に示すように、切り欠き部226の形状が、内側に向けた円弧状となっている。この円弧の曲率は任意に設定されてよい。また、切り欠き部226の形状は、このような内側に向けた円弧を含んだ形状であってもよい。
第3変形例に係る接続電極324は、図5(c)に示すように、切り欠き部326の形状が、外側に向けた円弧状となっている。この円弧の曲率は任意に設定されてよい。また、切り欠き部326の形状は、このような外側に向けた円弧を含んだ形状であってもよい。また、内側に向けた円弧と外側に向けた円弧とを組み合わせたものでもよい。
図6(a)〜(c)に示すように、第4〜第6変形例に係る接続電極424、524、624は、いずれもX及びZ方向に平行な辺を有する略矩形状の領域から+X側を切り欠いた状態で形成される。
第4変形例に係る接続電極424は、図6(a)に示すように、切り欠き部426の形状が直線状となっている。切り欠き部426の形状は、直線状に代えて、複数の直線部を有する折れ線状であってもよく、曲線部を含んだ形状であってもよい。
第5変形例に係る接続電極524は、図6(b)に示すように、切り欠き部526の形状が、内側に向けて引っ込んだ状態の曲線部となっている。この曲線部は、位置によって曲率を変化させているが、一定の曲率を有する円弧に設定されてよい。また、切り欠き部526の形状は、このような曲線部を含んだ形状であってもよい。
第6変形例に係る接続電極624は、図6(c)に示すように、切り欠き部626の形状が、外側に向けて張り出した状態の曲線部となっている。この曲線部は、位置によって曲率を変化させているが、一定の曲率を有する円弧に設定されてよい。また、切り欠き部626の形状は、このような曲線部を含んだ形状であってもよい。
以上の第1〜6変形例に係る接続電極124〜624は、上記した接続電極24と同様の効果を有する。また、第4〜6変形例では、振動部51に近い+X側が切り欠かれるので、接続電極424等が振動部51から離れた状態となり、導電性接着剤72が振動部51まで達するのを防止することができる。
<圧電デバイス用パッケージ及び圧電デバイスの変形例>
図7は、第1変形例に係る圧電デバイス用パッケージ210及び圧電デバイス200を示す断面図である。以下の説明において、上記した圧電デバイス用パッケージ10及び圧電デバイス100と同一または同等の構成部分については同一符号を付けて説明を省略または簡略化する。
図7は、第1変形例に係る圧電デバイス用パッケージ210及び圧電デバイス200を示す断面図である。以下の説明において、上記した圧電デバイス用パッケージ10及び圧電デバイス100と同一または同等の構成部分については同一符号を付けて説明を省略または簡略化する。
図7に示すように、圧電デバイス用パッケージ210は、圧電振動片50をパッケージ本体210aに保持しかつ収容する。パッケージ本体210aは、ベース220とカバー30とを有している。ベース220には、電子デバイス80が搭載される。ベース220の底部21aの表面(+Y側の面)には、例えば6つの接続用電極227が形成される。接続用電極227は、それぞれ、電子デバイス80の6つの端子の各位置に対応する領域に形成される。
接続用電極227は、不図示の引回し電極に接続される。引回し電極は、接続電極23、24及び外部電極26a〜26dに接続される。このような引回し電極は、例えば、第1セラミック部20aや第2セラミック部20bを貫通する電極や、第1あるいは第2セラミック部20a、20bなどの角部又は側面部においてY方向に沿って形成されるキャスタレーション電極などが用いられる。例えば、6つの接続用電極227のうち2つは、引回し電極及び接続電極23、24を介して励振電極53、54と電気的に接続される。また、残りの4つの接続用電極227は、引回し電極を介して外部電極26a〜26dと電気的に接続される。
圧電デバイス200は、図7に示すように、圧電デバイス用パッケージ210と、圧電振動片50と、電子デバイス80とを有する。なお、圧電デバイス200は、発振器である。電子デバイス80は、ベース220の底部21aの+Y側の面に、例えば、バンプ90によって保持される。バンプ90としては、例えば、金バンプ、はんだバンプ、はんだボールなどが用いられる。
電子デバイス80の6つの端子81のうち2つの端子81は、励振電極53、54と電気的に接続される。残りの4つの端子81は、それぞれ、発振回路からの出力用端子、駆動用電圧用端子、グラウンド用端子、スタンバイ機能用端子である。これらの6つの端子は、それぞれバンプ90を介して接続用電極227と電気的に接続される。なお、電子デバイス80としては、例えばICやLSIなどの集積回路であってもよい。また、電子デバイス80の端子数は6つ以外であってもよい。なお、この場合、接続用電極227は、端子数に対応して形成される。後述する接続用電極327についても同様である。
圧電デバイス200(圧電デバイス用パッケージ210)の製造方法は、上記した圧電デバイス100(圧電デバイス用パッケージ10)の製造方法とほぼ同様である。ただし、電子デバイス80は、圧電振動片50の搭載前に、例えばチップマウンタにより接続用電極227と端子81との位置合わせを行いつつ、底部21aに搭載される。なお、底部21aの表面と電子デバイス80との隙間は、樹脂等が充填されてもよい。
図8は、第2変形例に係る圧電デバイス用パッケージ310及び圧電デバイス300を示す断面図である。図8に示すように、圧電デバイス用パッケージ310は、圧電振動片50をパッケージ本体310aに保持しかつ収容する。パッケージ本体310aは、ベース320とカバー30とを有している。ベース320は、第1セラミック部20aの−Y側に、第4セラミック部320aが積層された構成を有する。第4セラミック部320aは、第1〜第3セラミック部20a等と同一の厚さを有し、かつ同種のセラミック材料から形成される。なお、第4セラミック部320aは、第1〜第3セラミック部20a等とは異なる厚さで形成されてもよく、例えば電子デバイス80の高さ(Y方向の距離)に合わせた厚さに形成されてもよい。また、第1〜第3セラミック部20a等と異なるセラミック材料から形成されてもよい。
第4セラミック部320aは、中央部分の領域がY方向に貫通した枠状の部材であり、ベース320の裏面(−Y側の面)には、凹部321が形成される。凹部321は、電子デバイス80が収容可能に形成される。凹部321の−Y側の面には、例えば、6つの接続用電極327が形成される。接続用電極327は、それぞれ電子デバイス80の6つの端子の各位置に対応する領域に形成される。また、第4セラミック部320aの−Y側の凹部321を囲んだ面には、それぞれ4つ角部に、略矩形状の外部電極326a〜326dが形成される。
接続用電極327は、不図示の引回し電極に接続される。引回し電極は、接続電極23、24及び外部電極326a〜326dに接続される。このような引回し電極は、例えば、第1セラミック部20aや第2セラミック部220bを貫通する電極や、第1あるいは第2、第4セラミック部20a、20b、320aなどの角部又は側面部においてY方向に沿って形成されるキャスタレーション電極などが用いられる。例えば、6つの接続用電極327のうち2つは、引回し電極及び接続電極23、24を介して励振電極53、54と電気的に接続される。また、残りの4つの接続用電極327は、引回し電極を介して外部電極326a〜326dと電気的に接続される。
圧電デバイス300は、図8に示すように、圧電デバイス用パッケージ310と、圧電振動片50と、電子デバイス80とを有する。なお、圧電デバイス300は、発振器である。電子デバイス80は、ベース320の−Y側に形成された凹部321の−Y側の面に配置される。電子デバイス80は、例えばバンプ90によって、圧電デバイス用パッケージ310に保持される。電子デバイス80の6つの端子81は、バンプ90を介して、それぞれ接続電極327と電気的に接続される。
圧電デバイス300(圧電デバイス用パッケージ310)の製造方法は、上記した、圧電デバイス100の製造方法とほぼ同様である。ただし、第4セラミック部320aは、次のように形成される。先ず、多面取り用の第4シートが用意される。この第4シートは、所定の厚さを有するグリーンシートである。次いで、第4シートのうち、凹部321を形成する部分の領域がプレス抜きされる。次いで、第1〜第3シートが積層される工程において、第1シートの裏面(第2シートと反対側の面)に第4シートが積層された後、積層シートは切断かつ焼成され、所定の電極が設けられる。このようにして、第4セラミック部320aが形成される。また、凹部321の−Y側の面と電子デバイス80との隙間は、樹脂等で充填されてもよい。
以上、本発明の圧電デバイス用パッケージ及び圧電デバイスについて説明したが、本発明は、上記した説明に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。例えば、上記した実施形態及び変形例の構成の一部を組み合わせてもよい。また、圧電デバイス100〜300は、圧電振動子あるいは発振器に限定されず、フィルタやSAWデバイスなどであってもよい。
また、圧電デバイス100〜300において、キャビティー40にサーミスタ等のデバイスが収容されてもよい。サーミスタが搭載されることにより、この圧電デバイスは、例えば温度補償機能を備える。また、サーミスタはキャビティー40に収容されるため、温度補償機能の精度を向上できる。
D1、D2、D3、D4…方向
O…中心部
W1、W2…所定距離
10、210、310…圧電デバイス用パッケージ
10a、210a、310a…パッケージ本体
20、220、320…ベース
21b…段部
23、24、124、224、324、424、524、624…接続電極
23a、24a…端部
25、26、126、226、326、426、526、626…切り欠き部
50…圧電振動片
51…振動部
52…周辺部
53、54…励振電極
71、72…導電性接着剤
100、200、300…圧電デバイス
O…中心部
W1、W2…所定距離
10、210、310…圧電デバイス用パッケージ
10a、210a、310a…パッケージ本体
20、220、320…ベース
21b…段部
23、24、124、224、324、424、524、624…接続電極
23a、24a…端部
25、26、126、226、326、426、526、626…切り欠き部
50…圧電振動片
51…振動部
52…周辺部
53、54…励振電極
71、72…導電性接着剤
100、200、300…圧電デバイス
Claims (8)
- 圧電振動片を保持するパッケージ本体を有し、前記圧電振動片に形成された励振電極と電気的に接続される接続電極を前記パッケージ本体に備える圧電デバイス用パッケージであって、
前記接続電極は、前記パッケージ本体に保持される前記圧電振動片の振動部側を切り欠いた状態の切り欠き部を備える圧電デバイス用パッケージ。 - 前記切り欠き部は、前記接続電極から前記振動部の中心部に向かう方向に対して交差する方向に直線状に切り欠いて形成される請求項1記載の圧電デバイス用パッケージ。
- 前記切り欠き部は、略矩形状の前記接続電極の4つの角部のうち前記振動部に近い1つの角部を直線状に切り欠いて形成される請求項2記載の圧電デバイス用パッケージ。
- 前記接続電極は、前記励振電極側の端部が前記励振電極に対して所定距離だけ離れるように形成される請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の圧電デバイス用パッケージ。
- 前記パッケージ本体は、ベースと、前記ベースに形成された段部と、を有し、
前記接続電極は、前記段部に形成される請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の圧電デバイス用パッケージ。 - 請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の圧電デバイス用パッケージと、
導電性接着剤によって前記パッケージ本体に保持されかつ前記接続電極と電気的に接続される励振電極を備える圧電振動片と、を含む圧電デバイス。 - 前記圧電振動片は、前記励振電極が形成される振動部の厚さが周辺部に対して厚く形成される請求項6記載の圧電デバイス。
- 前記圧電振動片は、前記パッケージ本体に接着される側の表面が曲面状である請求項7記載の圧電デバイス。
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