JP2014505174A - 非金属被覆およびその生産方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図4
Description
50mmx50mmx1mmの寸法を有するAl6082合金の板の形の基板を、上述および図1に示されたような装置内で処理した。電解液を含有するタンクを備えた装置、ならびに基板および電極を、上述および図3に示されたようにパルス電源に結合した。基板および電極を電解液と接触するように配置した。
25mmx25mmx2mmの寸法を有するAl5251合金の板の形の基板を、例1に対して使用されたものと同じ装置を使用して処理した。
Al7075合金で作成されるAlディスクから形成され、直径30mmおよび厚さ2mmを有する基板を、図2に示されたような装置内で処理した。
AZ91合金から作成されたMg板試料の形をし、50mmx50mmx1mmの寸法を有する基板を、図2に示されたような装置内で処理した。
Ti6Al4V合金から作成されたTiねじ山付きロッド試料からなり、5mmの直径および40mmの長さを有する基板を、図2に示されたような装置内で処理した。
本発明の実施態様を下記の項目1〜38に列記する。
[項目1]
非金属被覆を金属または半金属基板の表面上に形成する方法であって、
前記基板を水性電解液および電極を含有する電解チャンバ内に配置するステップであって、少なくとも前記基板の前記表面および前記電極の一部を、前記水性電解液と接触させて配置するステップと、
所定の時間、一連の交流極性の電圧パルスを印加することにより、前記基板を前記電極に対して電気的に偏らせるステップであって、正電圧パルスは前記基板を前記電極に対して陽極に偏らせ、負電圧パルスは前記基板を前記電極に対して陰極に偏らせるステップとを含み、
前記正電圧パルスの振幅を定電圧制御し、前記負電圧パルスの振幅を定電流制御する、方法。
[項目2]
前記正電圧パルスおよび負電圧パルスの両方は、実質的に台形の形状である、項目1に記載の方法。
[項目3]
前記正電圧パルスのそれぞれの振幅は、前記所定の時間に亘って一定である、項目1または2に記載の方法。
[項目4]
前記正電圧パルスのそれぞれの振幅は、200ボルト〜2000ボルト、好ましくは250ボルト〜900ボルト、たとえば、600ボルトまたは650ボルトまたは700ボルトである、項目3に記載の方法。
[項目5]
連続する負電圧パルスの振幅は、前記所定の時間に亘って増加する、項目1乃至4のいずれか一つに記載の方法。
[項目6]
連続する負電圧パルスの振幅は、前記所定の時間に亘って約1ボルト〜最高1000ボルトまで、好ましくは、約1ボルト〜最高400ボルトまで、または約1ボルト〜最高350ボルトまで増加する、項目5に記載の方法。
[項目7]
前記電圧パルスは、0.1〜20KHz、好ましくは1.5〜15、または2〜10KHz、たとえば、2.5KHzもしくは3KHzもしくは4KHzのパルス繰り返し周波数を有する、項目1乃至6のいずれか一つに記載の方法。
[項目8]
各正電圧パルスは、前記電圧が増加する間隔(T ai )、および電圧が低減する間隔(T ad )を含み、かつ/または各負電圧パルスは、前記電圧が増加する間隔(T ci )、および電圧が低減する間隔(T cd )を含み、好ましくは、電圧が増加されるか、または低減する前記間隔のそれぞれは、合計パルス持続期間の3%〜30%、特に好ましくは合計パルス持続期間の5%〜10%を含む、項目1乃至7のいずれか一つに記載の方法。
[項目9]
各正電圧パルスは、電圧が実質的に一定であるように維持する間隔(T ac )をさらに含み、かつ/または各負電圧パルスは、電圧が一定であるように維持する間隔(T cc )をさらに含み、好ましくは、電圧が一定であるように維持する前記またはそれぞれの間隔は、合計パルス持続期間の40%〜94%を含む、項目8に記載の方法。
[項目10]
電圧が増加するか、もしくは低減する前記またはそれぞれの間隔が、10マイクロ秒以上である、項目8または9に記載の方法。
[項目11]
電圧が一定であるように維持する前記またはそれぞれの間隔が、持続期間にして10〜9000マイクロ秒の範囲内である、項目9に記載の方法。
[項目12]
前記電解液は、アルカリ性溶液であり、好ましくは9以上のpHを有し、好ましくは1mScm -1 を超える電気伝導率を有する、項目1乃至11のいずれか一つに記載の方法。
[項目13]
前記電解液は、アルカリ性金属水酸化物を含み、好ましくは、前記電解液は、水酸化カリウムまたは水酸化ナトリウムを含む、項目1乃至12のいずれか一つに記載の方法。
[項目14]
前記電解液はコロイド状であり、水相内に分散した固体粒子を含み、好ましくは、前記電解液は、100ナノメートル未満の粒子寸法を有する固体粒子の割合を含む、項目1乃至13のいずれか一つに記載の方法。
[項目15]
前記固体粒子は特有の等電点を有し、この等電点のpHは前記電解液のpHと1.5以上異なる、項目14に記載の方法。
[項目16]
前記固体粒子は、セラミック粒子、たとえば結晶性セラミック粒子またはガラス粒子である、項目14または15に記載の方法。
[項目17]
前記固体粒子は、金属酸化物または水酸化物、好ましくは、シリコン、アルミニウム、チタニウム、鉄、マグネシウム、タンタル、および希土類金属を含む群から選択された元素の酸化物または水酸化物である、項目14または15に記載の方法。
[項目18]
固体粒子を、前記電解液から前記非金属被覆内に取り込むステップを含む、項目14乃至17のいずれか一つに記載の方法。
[項目19]
局所的なプラズママイクロ放電が、前記非金属被覆の形成中に発生しない、項目1乃至18のいずれか一つに記載の方法。
[項目20]
非金属被覆を金属または半金属基板の表面上に形成する方法であって、
前記基板を水相内に分散した固体粒子を含むコロイド電解液を含有する電解チャンバ内に配置するステップであって、前記チャンバは電極も含み、少なくとも前記基板の前記表面および前記電極の一部を、電解液に接触させて配置するステップと、
前記基板の前記極性が、前記電極に対して陽極である状態から、前記電極に対して陰極である状態に循環するように、一連の双極電気パルスを印加することにより、非金属層を前記基板の前記表面上に生成するために、前記基板を前記電極に対して所定の時間電気的に偏らせるステップであって、前記非金属層が、前記基板が前記電極に対して陽極である前記循環の期間中に形成するステップとを含み、
前記固体粒子は特有の等電点を有し、この等電点に関連するpHは、前記電解液の前記水相のpHと1.5以上異なり、前記固体粒子は、印加した電界の影響下で前記基板の前記表面に向かって移動し、前記非金属層に取り込まれて前記非金属被覆を形成する、方法。
[項目21]
前記コロイド電解液の前記水相はアルカリ性であり、好ましくは9を超えるpHを有する、項目20に記載の方法。
[項目22]
前記電解液は、100ナノメートル未満の粒子寸法を有する固体粒子を含む、項目20または21のいずれか一つに記載の方法。
[項目23]
前記固体粒子は特有の等電点を有し、この等電点に関連するpHは、前記電解液の前記水相のpHと1.5以上異なる、項目20乃至22のいずれか一つに記載の方法。
[項目24]
前記固体粒子は、セラミック粒子、たとえば結晶性セラミックまたはガラス粒子であり、たとえば前記固体粒子は、金属酸化物または水酸化物、好ましくは、シリコン、アルミニウム、チタニウム、鉄、マグネシウム、タンタル、および希土類金属を含む群から選択された元素の酸化物または水酸化物である、項目20乃至23のいずれか一つに記載の方法。
[項目25]
前記所定の時間は、1分〜2時間、好ましくは2分〜30分、または3分〜15分である、項目1乃至24のいずれか一つに記載の方法。
[項目26]
前記電解液を摂氏10〜40度、たとえば摂氏20〜30度の温度に維持するさらなるステップを含む、項目1乃至25のいずれか一つに記載の方法。
[項目27]
前記電解液を循環させるステップをさらに含む、項目1乃至26のいずれか一つに記載の方法。
[項目28]
前記基板は、アルミニウム、マグネシウム、チタニウム、ジルコニウム、タンタル、ベリリウム、またはあらゆるこれらの金属の合金または金属間化合物からなる群から選択された金属を含む、項目1乃至27のいずれか一つに記載の方法。
[項目29]
前記基板は半導体、たとえばシリコン、ゲルマニウムまたはヒ化ガリウムである、項目1乃至27のいずれか一つに記載の方法。
[項目30]
水性電解液を含む電解チャンバ、前記電解チャンバ内に配置できる電極、および前記基板と前記電極との間に交流極性の一連の電圧パルスを印加できる電源を含む、非金属被覆を金属または半金属基板の表面上に形成するための装置であって、前記電源は、前記基板を前記電極に対して陽極に偏らせるために、定電圧制御した一連の正電圧パルスを発生するための第1のパルス発生器、および前記基板を前記電極に対して陰極に偏らせるために、一連の定電流制御した負電圧パルスを発生するための第2のパルス発生器を含む、装置。
[項目31]
水相内に分散した固体粒子を含むコロイド電解液をさらに含む、項目30に記載の装置。
[項目32]
項目1乃至29のいずれか一つに記載の方法によって形成された非金属被覆を備える、製品。
[項目33]
金属または半金属基板上に形成された、500ナノメートル〜500マイクロメートルの厚さの非金属被覆であって、前記被覆は、前記基板の金属または半金属の酸化物を含み、前記非金属被覆の表面に画定された孔は、500ナノメートル未満の平均直径を有する、非金属被覆。
[項目34]
前記孔は、400ナノメートル未満、好ましくは300ナノメートル未満の平均直径を有する、項目33に記載の被覆。
[項目35]
前記被覆は、50〜120KVmm -1 の絶縁強度、および5〜14W/mKの熱伝導率を有する、項目33または34に記載の被覆。
[項目36]
前記被覆は、100ナノメートル未満の平均サイズを有する粒子または結晶を含む、項目33乃至35のいずれか一つに記載の被覆。
[項目37]
図を参照して実質的にここに記載されたような、非金属被覆を基板の表面上に形成する、方法。
[項目38]
図を参照して実質的にここに記載されたような、非金属被覆。
Claims (38)
- 非金属被覆を金属または半金属基板の表面上に形成する方法であって、
前記基板を水性電解液および電極を含有する電解チャンバ内に配置するステップであって、少なくとも前記基板の前記表面および前記電極の一部を、前記水性電解液と接触させて配置するステップと、
所定の時間、一連の交流極性の電圧パルスを印加することにより、前記基板を前記電極に対して電気的に偏らせるステップであって、正電圧パルスは前記基板を前記電極に対して陽極に偏らせ、負電圧パルスは前記基板を前記電極に対して陰極に偏らせるステップとを含み、
前記正電圧パルスの振幅を定電圧制御し、前記負電圧パルスの振幅を定電流制御する、方法。 - 前記正電圧パルスおよび負電圧パルスの両方は、実質的に台形の形状である、請求項1に記載の方法。
- 前記正電圧パルスのそれぞれの振幅は、前記所定の時間に亘って一定である、請求項1または2に記載の方法。
- 前記正電圧パルスのそれぞれの振幅は、200ボルト〜2000ボルト、好ましくは250ボルト〜900ボルト、たとえば、600ボルトまたは650ボルトまたは700ボルトである、請求項3に記載の方法。
- 連続する負電圧パルスの振幅は、前記所定の時間に亘って増加する、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の方法。
- 連続する負電圧パルスの振幅は、前記所定の時間に亘って約1ボルト〜最高1000ボルトまで、好ましくは、約1ボルト〜最高400ボルトまで、または約1ボルト〜最高350ボルトまで増加する、請求項5に記載の方法。
- 前記電圧パルスは、0.1〜20KHz、好ましくは1.5〜15、または2〜10KHz、たとえば、2.5KHzもしくは3KHzもしくは4KHzのパルス繰り返し周波数を有する、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の方法。
- 各正電圧パルスは、前記電圧が増加する間隔(Tai)、および電圧が低減する間隔(Tad)を含み、かつ/または各負電圧パルスは、前記電圧が増加する間隔(Tci)、および電圧が低減する間隔(Tcd)を含み、好ましくは、電圧が増加されるか、または低減する前記間隔のそれぞれは、合計パルス持続期間の3%〜30%、特に好ましくは合計パルス持続期間の5%〜10%を含む、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の方法。
- 各正電圧パルスは、電圧が実質的に一定であるように維持する間隔(Tac)をさらに含み、かつ/または各負電圧パルスは、電圧が一定であるように維持する間隔(Tcc)をさらに含み、好ましくは、電圧が一定であるように維持する前記またはそれぞれの間隔は、合計パルス持続期間の40%〜94%を含む、請求項8に記載の方法。
- 電圧が増加するか、もしくは低減する前記またはそれぞれの間隔が、10マイクロ秒以上である、請求項8または9に記載の方法。
- 電圧が一定であるように維持する前記またはそれぞれの間隔が、持続期間にして10〜9000マイクロ秒の範囲内である、請求項9に記載の方法。
- 前記電解液は、アルカリ性溶液であり、好ましくは9以上のpHを有し、好ましくは1mScm-1を超える電気伝導率を有する、請求項1乃至11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記電解液は、アルカリ性金属水酸化物を含み、好ましくは、前記電解液は、水酸化カリウムまたは水酸化ナトリウムを含む、請求項1乃至12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記電解液はコロイド状であり、水相内に分散した固体粒子を含み、好ましくは、前記電解液は、100ナノメートル未満の粒子寸法を有する固体粒子の割合を含む、請求項1乃至13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記固体粒子は特有の等電点を有し、この等電点のpHは前記電解液のpHと1.5以上異なる、請求項14に記載の方法。
- 前記固体粒子は、セラミック粒子、たとえば結晶性セラミック粒子またはガラス粒子である、請求項14または15に記載の方法。
- 前記固体粒子は、金属酸化物または水酸化物、好ましくは、シリコン、アルミニウム、チタニウム、鉄、マグネシウム、タンタル、および希土類金属を含む群から選択された元素の酸化物または水酸化物である、請求項14または15に記載の方法。
- 固体粒子を、前記電解液から前記非金属被覆内に取り込むステップを含む、請求項14乃至17のいずれか一項に記載の方法。
- 局所的なプラズママイクロ放電が、前記非金属被覆の形成中に発生しない、請求項1乃至18のいずれか一項に記載の方法。
- 非金属被覆を金属または半金属基板の表面上に形成する方法であって、
前記基板を水相内に分散した固体粒子を含むコロイド電解液を含有する電解チャンバ内に配置するステップであって、前記チャンバは電極も含み、少なくとも前記基板の前記表面および前記電極の一部を、電解液に接触させて配置するステップと、
前記基板の前記極性が、前記電極に対して陽極である状態から、前記電極に対して陰極である状態に循環するように、一連の双極電気パルスを印加することにより、非金属層を前記基板の前記表面上に生成するために、前記基板を前記電極に対して所定の時間電気的に偏らせるステップであって、前記非金属層が、前記基板が前記電極に対して陽極である前記循環の期間中に形成するステップとを含み、
前記固体粒子は特有の等電点を有し、この等電点に関連するpHは、前記電解液の前記水相のpHと1.5以上異なり、前記固体粒子は、印加した電界の影響下で前記基板の前記表面に向かって移動し、前記非金属層に取り込まれて前記非金属被覆を形成する、方法。 - 前記コロイド電解液の前記水相はアルカリ性であり、好ましくは9を超えるpHを有する、請求項20に記載の方法。
- 前記電解液は、100ナノメートル未満の粒子寸法を有する固体粒子を含む、請求項20または21のいずれか一項に記載の方法。
- 前記固体粒子は特有の等電点を有し、この等電点に関連するpHは、前記電解液の前記水相のpHと1.5以上異なる、請求項20乃至22のいずれか一項に記載の方法。
- 前記固体粒子は、セラミック粒子、たとえば結晶性セラミックまたはガラス粒子であり、たとえば前記固体粒子は、金属酸化物または水酸化物、好ましくは、シリコン、アルミニウム、チタニウム、鉄、マグネシウム、タンタル、および希土類金属を含む群から選択された元素の酸化物または水酸化物である、請求項20乃至23のいずれか一項に記載の方法。
- 前記所定の時間は、1分〜2時間、好ましくは2分〜30分、または3分〜15分である、請求項1乃至24のいずれか一項に記載の方法。
- 前記電解液を摂氏10〜40度、たとえば摂氏20〜30度の温度に維持するさらなるステップを含む、請求項1乃至25のいずれか一項に記載の方法。
- 前記電解液を循環させるステップをさらに含む、請求項1乃至26のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板は、アルミニウム、マグネシウム、チタニウム、ジルコニウム、タンタル、ベリリウム、またはあらゆるこれらの金属の合金または金属間化合物からなる群から選択された金属を含む、請求項1乃至27のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板は半導体、たとえばシリコン、ゲルマニウムまたはヒ化ガリウムである、請求項1乃至27のいずれか一項に記載の方法。
- 水性電解液を含む電解チャンバ、前記電解チャンバ内に配置できる電極、および前記基板と前記電極との間に交流極性の一連の電圧パルスを印加できる電源を含む、非金属被覆を金属または半金属基板の表面上に形成するための装置であって、前記電源は、前記基板を前記電極に対して陽極に偏らせるために、定電圧制御した一連の正電圧パルスを発生するための第1のパルス発生器、および前記基板を前記電極に対して陰極に偏らせるために、一連の定電流制御した負電圧パルスを発生するための第2のパルス発生器を含む、装置。
- 水相内に分散した固体粒子を含むコロイド電解液をさらに含む、請求項30に記載の装置。
- 請求項1乃至29のいずれか一項に記載の方法によって形成された非金属被覆を備える、製品。
- 金属または半金属基板上に形成された、500ナノメートル〜500マイクロメートルの厚さの非金属被覆であって、前記被覆は、前記基板の金属または半金属の酸化物を含み、前記非金属被覆の表面に画定された孔は、500ナノメートル未満の平均直径を有する、非金属被覆。
- 前記孔は、400ナノメートル未満、好ましくは300ナノメートル未満の平均直径を有する、請求項33に記載の被覆。
- 前記被覆は、50〜120KVmm-1の絶縁強度、および5〜14W/mKの熱伝導率を有する、請求項33または34に記載の被覆。
- 前記被覆は、100ナノメートル未満の平均サイズを有する粒子または結晶を含む、請求項33乃至35のいずれか一項に記載の被覆。
- 図を参照して実質的にここに記載されたような、非金属被覆を基板の表面上に形成する、方法。
- 図を参照して実質的にここに記載されたような、非金属被覆。
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