[go: up one dir, main page]

JP2014120664A - Peeling assist method and peeling assist device - Google Patents

Peeling assist method and peeling assist device Download PDF

Info

Publication number
JP2014120664A
JP2014120664A JP2012275770A JP2012275770A JP2014120664A JP 2014120664 A JP2014120664 A JP 2014120664A JP 2012275770 A JP2012275770 A JP 2012275770A JP 2012275770 A JP2012275770 A JP 2012275770A JP 2014120664 A JP2014120664 A JP 2014120664A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
peeling
peeled
layer
substrate
glass substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012275770A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takahiro Kimura
貴弘 木村
Koji Shibuta
浩二 渋田
Yutaka Kuwata
豊 鍬田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2012275770A priority Critical patent/JP2014120664A/en
Publication of JP2014120664A publication Critical patent/JP2014120664A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a peeling assist method and a peeling assist device capable of assisting the peeling of a peeled layer cleanly, while suppressing damage on the peeled layer.SOLUTION: A device 83 is formed on a polyimide film 82 stuck to a glass substrate 81 transmitting the flash light. The boundary surface of the glass substrate 81 and polyimide film 82 having different linear expansion coefficients is irradiated with flash light and heated, and a shear stress is generated in a direction parallel with the boundary surface, by utilizing the fact that the degree of thermal expansion is different. Binding power of the boundary surface of the glass substrate 81 and polyimide film 82 decreases due to action of the shear stress, and thereby the peeled layer, i.e., the polyimide film 82, can be peeled easily from the glass substrate 81 with a small stress. Consequently, the polyimide film 82 can be peeled cleanly while physical damage on the polyimide film 82 and the device 83 formed thereon is minimized.

Description

本発明は、フラッシュ光を透過する基板上に貼り付けられた被剥離層の剥離を補助する剥離補助方法および剥離補助装置に関する。   The present invention relates to a peeling assistance method and a peeling assistance apparatus for assisting the peeling of a layer to be peeled attached on a substrate that transmits flash light.

近年、電子ペーパーの実用化にともない、ポリイミド等のフレキシブルな樹脂フィルム上にTFT素子等の半導体デバイスを形成することが試みられている。可撓性を有する樹脂フィルムはそのままでは搬送等の取り扱いが困難であるため、例えばガラス基板上に樹脂フィルムを形成し、その樹脂フィルム上にデバイスを形成している。ガラス基板を基材とすれば、FPD(Flat Panel Display)製造用途などの既存のプロセス技術および設備を流用することができるため好都合である。そして、デバイス形成のためのプロセスが終了した後、ガラス基板から樹脂フィルムを剥離している。   In recent years, with the practical application of electronic paper, attempts have been made to form semiconductor devices such as TFT elements on flexible resin films such as polyimide. Since a flexible resin film is difficult to handle as it is, for example, a resin film is formed on a glass substrate, and a device is formed on the resin film. Use of a glass substrate as a base material is advantageous because existing process technology and equipment such as FPD (Flat Panel Display) manufacturing applications can be used. And after the process for device formation is complete | finished, the resin film is peeled from the glass substrate.

このような剥離技術として、ガラス基板と樹脂フィルムとの界面にレーザー光をスキャン照射したときに生じるアブレーションにより樹脂フィルムを剥離するEPLaR(Electronics on Plastic by Laser Release)と称されるプロセス技術が開発されている(例えば、特許文献1参照)。レーザー光の照射後は、ベルヌーイチャック等によって樹脂フィルムのみを搬送する。また、樹脂フィルムの端部を把持して機械的に樹脂フィルムをガラス基板から剥離することも行われている。   As such a peeling technique, a process technology called EPLaR (Electronics on Plastic by Laser Release) has been developed that peels the resin film by ablation that occurs when laser light is scanned and irradiated to the interface between the glass substrate and the resin film. (For example, refer to Patent Document 1). After the laser light irradiation, only the resin film is conveyed by a Bernoulli chuck or the like. In addition, the resin film is mechanically peeled from the glass substrate by gripping the end of the resin film.

特開2003−163338号公報JP 2003-163338 A

しかしながら、ガラス基板から樹脂フィルムを剥離する際にレーザー光をスキャン照射した場合には、繰り返しレーザー光を照射することとなるため、ムラが生じやすい。また、レーザー光を照射したときに生じるアブレーションに起因したゴミの問題も発生する。さらに、樹脂フィルムを機械的にガラス基板から剥離した場合には、樹脂フィルム上に形成されたデバイスにダメージを与えるおそれもある。特に、樹脂フィルムの種類によってはガラス基板と樹脂フィルムとの密着性が相当に高いため、樹脂フィルムを強引に剥離すると樹脂フィルム自体が損傷することもあった。   However, when the laser beam is scanned and irradiated when the resin film is peeled from the glass substrate, the laser beam is repeatedly irradiated, and thus unevenness is likely to occur. In addition, there is a problem of dust caused by ablation that occurs when laser light is irradiated. Furthermore, when the resin film is mechanically peeled from the glass substrate, there is a possibility of damaging a device formed on the resin film. In particular, depending on the type of the resin film, the adhesion between the glass substrate and the resin film is considerably high, so that the resin film itself may be damaged if the resin film is forcibly peeled off.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、被剥離層に与えるダメージを抑制しつつ、清浄に被剥離層の剥離を補助することができる剥離補助方法および剥離補助装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and provides a peeling assist method and a peeling assist device that can assist in cleanly peeling the peeled layer while suppressing damage to the peeled layer. With the goal.

上記課題を解決するため、請求項1の発明は、フラッシュ光を透過する基板上に貼り付けられた被剥離層の剥離を補助する剥離補助方法において、前記基板の線膨張係数と前記被剥離層の線膨張係数とは異なり、前記基板の側からフラッシュ光を照射して前記基板と前記被剥離層との界面に、当該界面と平行な方向のせん断応力を作用させることによって前記界面の結合力を低下させることを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problems, the invention of claim 1 is directed to a peeling assisting method for assisting in peeling of a layer to be peeled that is attached to a substrate that transmits flash light. Unlike the linear expansion coefficient, the bonding force of the interface is obtained by irradiating flash light from the substrate side and applying a shear stress in a direction parallel to the interface to the interface between the substrate and the layer to be peeled. It is characterized by lowering.

また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る剥離補助方法において、前記基板および前記被剥離層の端縁部のみにフラッシュ光を照射することを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, in the peeling assist method according to the first aspect of the present invention, only the edge portions of the substrate and the layer to be peeled are irradiated with flash light.

また、請求項3の発明は、請求項1の発明に係る剥離補助方法において、前記基板および/または前記被剥離層の端縁部にフラッシュ光の吸収率が所定値以上の光吸収層を設けることを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, in the peeling assist method according to the first aspect of the present invention, a light absorption layer having a flash light absorption rate of a predetermined value or more is provided at an edge of the substrate and / or the layer to be peeled. It is characterized by that.

また、請求項4の発明は、請求項1から請求項3のいずれかの発明に係る剥離補助方法において、前記被剥離層が貼り付けられた前記基板の周囲の雰囲気を減圧し、前記界面に存在する気泡を膨張させることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the peeling assist method according to any one of the first to third aspects of the present invention, the atmosphere around the substrate to which the layer to be peeled is affixed is reduced to the interface. It is characterized by expanding the existing bubbles.

また、請求項5の発明は、請求項1から請求項4のいずれかの発明に係る剥離補助方法において、前記基板はガラス基板であり、前記被剥離層は樹脂層であることを特徴とする。   The invention according to claim 5 is the peeling assist method according to any one of claims 1 to 4, wherein the substrate is a glass substrate and the layer to be peeled is a resin layer. .

また、請求項6の発明は、フラッシュ光を透過する基板上に貼り付けられた被剥離層の剥離を補助する剥離補助装置において、前記基板の線膨張係数と前記被剥離層の線膨張係数とは異なり、前記基板および前記被剥離層を収容するチャンバーと、前記チャンバー内にて、前記被剥離層が貼り付けられた前記基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された前記基板および前記被剥離層に対して前記基板の側からフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、前記フラッシュランプから出射されたフラッシュ光の一部を遮光して前記基板および前記被剥離層の端縁部のみにフラッシュ光を導く遮光部材と、を備えることを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a peeling assisting device for assisting in peeling of a layer to be peeled that is attached to a substrate that transmits flash light, and a linear expansion coefficient of the substrate and a linear expansion coefficient of the peeled layer Are different from each other, a chamber that houses the substrate and the layer to be peeled, a holding unit that holds the substrate to which the layer to be peeled is attached, and the substrate that is held by the holding unit. A flash lamp that irradiates flash light to the layer to be peeled from the side of the substrate, and a part of the flash light emitted from the flash lamp is shielded to only the edge of the substrate and the layer to be peeled. A light shielding member for guiding flash light.

また、請求項7の発明は、請求項6の発明に係る剥離補助装置において、前記基板および前記被剥離層の前記端縁部に対向する位置のみにフラッシュランプを配置することを特徴とする。   According to a seventh aspect of the present invention, in the peeling auxiliary device according to the sixth aspect of the present invention, the flash lamp is disposed only at a position facing the edge of the substrate and the layer to be peeled.

また、請求項8の発明は、請求項6または請求項7の発明に係る剥離補助装置において、前記チャンバー内の雰囲気を減圧する減圧手段をさらに備えることを特徴とする。   The invention according to claim 8 is the peeling assisting device according to claim 6 or claim 7, further comprising a decompression means for decompressing the atmosphere in the chamber.

また、請求項9の発明は、請求項6から請求項8のいずれかの発明に係る剥離補助装置において、前記基板はガラス基板であり、前記被剥離層は樹脂層であることを特徴とする。   The invention according to claim 9 is the peeling assist device according to any one of claims 6 to 8, wherein the substrate is a glass substrate and the layer to be peeled is a resin layer. .

請求項1から請求項5の発明によれば、基板の線膨張係数と被剥離層の線膨張係数とは異なり、基板の側からフラッシュ光を照射して基板と被剥離層との界面に、当該界面と平行な方向のせん断応力を作用させることによって界面の結合力を低下させるため、基板と被剥離層との密着性を弱めて被剥離層に与えるダメージを抑制しつつ、清浄に被剥離層の剥離を補助することができる。   According to the invention of claim 1 to claim 5, unlike the linear expansion coefficient of the substrate and the linear expansion coefficient of the layer to be peeled, the flash light is irradiated from the substrate side to the interface between the substrate and the layer to be peeled. In order to reduce the bonding force at the interface by applying a shear stress in a direction parallel to the interface, the adhesion between the substrate and the layer to be peeled is weakened and the damage given to the layer to be peeled is suppressed, and the film is peeled cleanly. Delamination can be assisted.

特に、請求項2の発明によれば、基板および被剥離層の端縁部のみにフラッシュ光を照射するため、端縁部よりも内側の領域に形成されているデバイスに熱的ダメージを与えることを防止することができる。   In particular, according to the second aspect of the present invention, only the edge of the substrate and the layer to be peeled is irradiated with flash light, so that the device formed in the region inside the edge is thermally damaged. Can be prevented.

特に、請求項4の発明によれば、被剥離層が貼り付けられた基板の周囲の雰囲気を減圧し、界面に存在する気泡を膨張させるため、基板と被剥離層との密着性をさらに弱めることができる。   In particular, according to the invention of claim 4, the atmosphere around the substrate to which the layer to be peeled is attached is reduced in pressure, and bubbles existing at the interface are expanded, so that the adhesion between the substrate and the layer to be peeled is further weakened. be able to.

また、請求項6から請求項9の発明によれば、保持部に保持された基板および被剥離層に対して基板の側からフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、フラッシュランプから出射されたフラッシュ光の一部を遮光して基板および被剥離層の端縁部のみにフラッシュ光を導く遮光部材と、を備えるため、基板と被剥離層との界面の端縁部に、当該界面と平行な方向のせん断応力を作用させて界面の結合力を低下させ、被剥離層に与えるダメージを抑制しつつ、清浄に被剥離層の剥離を補助することができる。また、端縁部よりも内側の領域に形成されているデバイスに熱的ダメージを与えることを防止することができる。   According to the invention of claim 6 to claim 9, a flash lamp that irradiates flash light from the substrate side to the substrate and the layer to be peeled held by the holding portion, and flash light emitted from the flash lamp. A light shielding member that shields a part of the substrate and guides flash light only to the edge of the substrate and the layer to be peeled, and in a direction parallel to the interface at the edge of the interface between the substrate and the layer to be peeled It is possible to cleanly assist the peeling of the layer to be peeled while reducing the bonding force at the interface by applying the shear stress of the above and suppressing damage to the layer to be peeled. Further, it is possible to prevent thermal damage to the device formed in the region inside the edge portion.

特に、請求項8の発明によれば、チャンバー内の雰囲気を減圧する減圧手段をさらに備えるため、基板と被剥離層との界面に存在する気泡を膨張させて基板と被剥離層との密着性をさらに弱めることができる。   In particular, according to the eighth aspect of the present invention, since the pressure reducing means for depressurizing the atmosphere in the chamber is further provided, the bubbles existing at the interface between the substrate and the layer to be peeled are expanded to adhere the substrate and the layer to be peeled. Can be further weakened.

本発明に係る剥離補助装置の要部構成を示す図である。It is a figure which shows the principal part structure of the peeling assistance apparatus which concerns on this invention. 剥離補助装置における処理手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process sequence in a peeling assistance apparatus. 被処理体の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of a to-be-processed object. 被処理体にフラッシュ光が照射された状態を示す図である。It is a figure which shows the state by which flash light was irradiated to the to-be-processed object. ガラス基板から被剥離層たるポリイミド膜を剥離する様子の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a mode that the polyimide film | membrane which is a layer to be peeled is peeled from a glass substrate. 第2実施形態の剥離補助装置の要部構成を示す図である。It is a figure which shows the principal part structure of the peeling auxiliary | assistance apparatus of 2nd Embodiment. 遮光板を上方から見た平面図である。It is the top view which looked at the light-shielding plate from upper direction. 光吸収層を形成した被処理体の平面図である。It is a top view of the to-be-processed object in which the light absorption layer was formed. 第3実施形態における被処理体にフラッシュ光が照射された状態を示す図である。It is a figure which shows the state by which flash light was irradiated to the to-be-processed object in 3rd Embodiment.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

<第1実施形態>
図1は、本発明に係る剥離補助装置1の要部構成を示す図である。この剥離補助装置1は、ガラス基板上に樹脂膜を貼り付けた被処理体8にフラッシュ光を照射することによって、その樹脂膜の剥離を補助する装置である。剥離補助装置1は、主たる要素として、被処理体8を収容するチャンバー10と、被処理体8を保持する保持プレート20と、被処理体8にフラッシュ光を照射するフラッシュ光源70と、を備える。また、剥離補助装置1は、装置に設けられた各種動作機構を制御して処理を進行させる制御部3を備える。なお、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a diagram showing a main configuration of a peeling assist device 1 according to the present invention. The peeling assisting device 1 is a device that assists the peeling of the resin film by irradiating flash light onto the object 8 having a resin film stuck on the glass substrate. The peeling assisting apparatus 1 includes, as main elements, a chamber 10 that houses the object 8 to be processed, a holding plate 20 that holds the object 8 to be processed, and a flash light source 70 that irradiates the object 8 with flash light. . Moreover, the peeling assistance apparatus 1 is provided with the control part 3 which advances the process by controlling various operation mechanisms provided in the apparatus. In FIG. 1 and the subsequent drawings, the size and number of each part are exaggerated or simplified as necessary for easy understanding.

チャンバー10は、フラッシュ光源70の下方に設けられており、チャンバー側壁11およびチャンバー底部12によって構成される。チャンバー底部12は、チャンバー側壁11の下部を覆う。チャンバー側壁11およびチャンバー底部12によって囲まれる空間が処理空間15として規定される。また、チャンバー10の上部開口にはチャンバー窓18が装着されて閉塞されている。   The chamber 10 is provided below the flash light source 70, and includes a chamber side wall 11 and a chamber bottom 12. The chamber bottom 12 covers the lower part of the chamber side wall 11. A space surrounded by the chamber side wall 11 and the chamber bottom 12 is defined as a processing space 15. A chamber window 18 is attached to the upper opening of the chamber 10 to close it.

チャンバー10の天井部を構成するチャンバー窓18は、石英により形成された板状部材であり、フラッシュ光源70から照射された光を処理空間15に透過する石英窓として機能する。チャンバー10の本体を構成するチャンバー側壁11およびチャンバー底部12は、例えば、ステンレススチール等の強度と耐熱性に優れた金属材料にて形成されている。   The chamber window 18 constituting the ceiling portion of the chamber 10 is a plate-like member formed of quartz, and functions as a quartz window that transmits the light emitted from the flash light source 70 to the processing space 15. The chamber side wall 11 and the chamber bottom 12 constituting the main body of the chamber 10 are formed of a metal material having excellent strength and heat resistance such as stainless steel, for example.

また、処理空間15の気密性を維持するために、チャンバー窓18とチャンバー側壁11とは図示省略のOリングによってシールされている。すなわち、チャンバー窓18の下面周縁部とチャンバー側壁11との間にOリングを挟み込み、これらの隙間から気体が流出入するのを防いでいる。   Further, in order to maintain the airtightness of the processing space 15, the chamber window 18 and the chamber side wall 11 are sealed by an O-ring (not shown). That is, an O-ring is sandwiched between the peripheral edge of the lower surface of the chamber window 18 and the chamber side wall 11 to prevent gas from flowing in and out from these gaps.

チャンバー10の内部には保持プレート20が設けられている。保持プレート20は、金属製(例えば、アルミニウム製)の平坦な板状部材である。保持プレート20の上面には複数の支持ピン22が設けられている。保持プレート20は、チャンバー10内にて複数の支持ピン22によって被処理体8を支持して略水平姿勢に保持する。支持ピン22は、図示省略の昇降駆動機構(例えば、エアシリンダ等)によって昇降可能とされていても良い。   A holding plate 20 is provided inside the chamber 10. The holding plate 20 is a flat plate member made of metal (for example, aluminum). A plurality of support pins 22 are provided on the upper surface of the holding plate 20. The holding plate 20 supports the object 8 to be processed by a plurality of support pins 22 in the chamber 10 and holds it in a substantially horizontal posture. The support pin 22 may be movable up and down by a lift drive mechanism (not shown) (for example, an air cylinder).

また、保持プレート20はヒータ21を内蔵する。ヒータ21は、ニクロム線などの抵抗加熱線で構成されており、図外の電力供給源からの電力供給を受けて発熱し、保持プレート20を加熱する。なお、保持プレート20には、ヒータ21に加えて、水冷管等の冷却機構を設けるようにしても良い。   In addition, the holding plate 20 includes a heater 21. The heater 21 is configured by a resistance heating wire such as a nichrome wire, and generates heat when receiving power supply from a power supply source (not shown) to heat the holding plate 20. In addition to the heater 21, the holding plate 20 may be provided with a cooling mechanism such as a water cooling tube.

保持プレート20には、熱電対を用いて構成された図示省略の温度センサが設けられている。温度センサは保持プレート20の上面近傍の温度を測定し、その測定結果は制御部3に伝達される。制御部3は、温度センサによる測定結果に基づいてヒータ21の出力を制御し、保持プレート20を所定の温度とする。保持プレート20に保持された被処理体8は、保持プレート20のヒータ21によって所定の温度に加熱されることとなる。   The holding plate 20 is provided with a temperature sensor (not shown) configured using a thermocouple. The temperature sensor measures the temperature near the upper surface of the holding plate 20, and the measurement result is transmitted to the control unit 3. The control unit 3 controls the output of the heater 21 based on the measurement result by the temperature sensor, and sets the holding plate 20 to a predetermined temperature. The object to be processed 8 held on the holding plate 20 is heated to a predetermined temperature by the heater 21 of the holding plate 20.

また、剥離補助装置1は、チャンバー10内の処理空間15に処理ガスを供給するガス供給機構40および処理空間15から雰囲気の排気を行う排気機構50を備える。ガス供給機構40は、処理ガス供給源41、供給配管42および供給バルブ43を備える。供給配管42の先端側はチャンバー10内の処理空間15に連通接続され、基端側は処理ガス供給源41に接続される。供給配管42の経路途中に供給バルブ43が設けられる。供給バルブ43を開放することによって、処理ガス供給源41から処理空間15に処理ガスが供給される。処理ガス供給源41は、被処理体8の種類や処理目的に応じた適宜の処理ガスを供給することが可能であるが、本実施形態では窒素ガス(N)を供給する。 Further, the peeling assist device 1 includes a gas supply mechanism 40 that supplies a processing gas to the processing space 15 in the chamber 10 and an exhaust mechanism 50 that exhausts the atmosphere from the processing space 15. The gas supply mechanism 40 includes a processing gas supply source 41, a supply pipe 42 and a supply valve 43. The distal end side of the supply pipe 42 is connected to the processing space 15 in the chamber 10, and the proximal end side is connected to the processing gas supply source 41. A supply valve 43 is provided in the course of the supply pipe 42. By opening the supply valve 43, the processing gas is supplied from the processing gas supply source 41 to the processing space 15. The processing gas supply source 41 can supply an appropriate processing gas according to the type of the object to be processed 8 and the processing purpose. In the present embodiment, the processing gas supply source 41 supplies nitrogen gas (N 2 ).

排気機構50は、排気装置51、排気配管52および排気バルブ53を備える。排気配管52の先端側はチャンバー10内の処理空間15に連通接続され、基端側は排気装置51に接続される。排気配管52の経路途中に排気バルブ53が設けられる。排気装置51は、例えばドライポンプとスロットルバルブとを備える。排気装置51を作動させつつ、排気バルブ53を開放することによって、処理空間15の雰囲気を装置外に排出することができる。これらガス供給機構40および排気機構50によって、処理空間15の雰囲気を調整することができる。また、処理空間15は密閉空間であるため、ガス供給機構40から処理ガスの供給を行うことなく排気機構50による雰囲気排出を行うと、処理空間15内の雰囲気を大気圧未満にまで減圧することができる。   The exhaust mechanism 50 includes an exhaust device 51, an exhaust pipe 52, and an exhaust valve 53. The distal end side of the exhaust pipe 52 is connected to the processing space 15 in the chamber 10, and the proximal end side is connected to the exhaust device 51. An exhaust valve 53 is provided in the course of the exhaust pipe 52. The exhaust device 51 includes, for example, a dry pump and a throttle valve. By opening the exhaust valve 53 while operating the exhaust device 51, the atmosphere of the processing space 15 can be exhausted outside the device. The atmosphere of the processing space 15 can be adjusted by the gas supply mechanism 40 and the exhaust mechanism 50. In addition, since the processing space 15 is a sealed space, if the atmosphere is exhausted by the exhaust mechanism 50 without supplying the processing gas from the gas supply mechanism 40, the atmosphere in the processing space 15 is reduced to below atmospheric pressure. Can do.

フラッシュ光源70は、チャンバー10の上方に設けられている。フラッシュ光源70は、複数本(図1では図示の便宜上11本としているが、これに限定されるものではない)のフラッシュランプFLと、それら全体の上方を覆うように設けられたリフレクタ72と、を備えて構成される。フラッシュ光源70は、チャンバー10内にて保持プレート20に保持される被処理体8に対して石英のチャンバー窓18を介してフラッシュランプFLからフラッシュ光を照射する。   The flash light source 70 is provided above the chamber 10. The flash light source 70 includes a plurality of flash lamps FL (11 for convenience of illustration in FIG. 1, but is not limited thereto), a reflector 72 provided so as to cover the entire upper part, It is configured with. The flash light source 70 emits flash light from the flash lamp FL through the quartz chamber window 18 to the object 8 held by the holding plate 20 in the chamber 10.

複数のフラッシュランプFLは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が水平方向に沿って互いに平行となるように平面状に配列されている。本実施形態では、フラッシュランプFLとしてキセノンフラッシュランプを用いている。キセノンフラッシュランプFLは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管(放電管)と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極と、を備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気が両端電極間の放電によってガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプFLにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが0.1ミリ秒ないし100ミリ秒という極めて短い光パルスに変換されることから、連続点灯のランプに比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。   The plurality of flash lamps FL are rod-shaped lamps each having a long cylindrical shape, and are arranged in a plane so that their longitudinal directions are parallel to each other along the horizontal direction. In the present embodiment, a xenon flash lamp is used as the flash lamp FL. The xenon flash lamp FL has a rod-shaped glass tube (discharge tube) in which xenon gas is sealed and an anode and a cathode connected to a capacitor at both ends thereof, and an outer peripheral surface of the glass tube. A trigger electrode. Since xenon gas is an electrical insulator, electricity does not flow into the glass tube under normal conditions even if electric charges are accumulated in the capacitor. However, when the insulation is broken by applying a high voltage to the trigger electrode, the electricity stored in the capacitor instantaneously flows into the glass tube due to the discharge between the electrodes at both ends, and the excitation of the xenon atoms or molecules at that time Light is emitted. In such a xenon flash lamp FL, the electrostatic energy stored in the condenser in advance is converted into an extremely short light pulse of 0.1 to 100 milliseconds, which is extremely in comparison with a continuously lit lamp. It has the feature that it can irradiate strong light.

また、リフレクタ72は、複数のフラッシュランプFLの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ72の基本的な機能は、複数のフラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光を処理空間15の側に反射するというものである。   Further, the reflector 72 is provided above the plurality of flash lamps FL so as to cover all of them. The basic function of the reflector 72 is to reflect flash light emitted from a plurality of flash lamps FL toward the processing space 15.

制御部3は、剥離補助装置1に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部3のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部3は、各種演算処理を行うCPU、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAMおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えて構成される。制御部3のCPUが所定の処理プログラムを実行することによって剥離補助装置1における処理が進行する。   The control unit 3 controls the various operation mechanisms provided in the peeling assist device 1. The configuration of the control unit 3 as hardware is the same as that of a general computer. That is, the control unit 3 stores a CPU that performs various arithmetic processes, a ROM that is a read-only memory that stores basic programs, a RAM that is a readable and writable memory that stores various information, control software, data, and the like. It is configured with a magnetic disk. When the CPU of the control unit 3 executes a predetermined processing program, the processing in the peeling assisting device 1 proceeds.

上記の構成以外にも剥離補助装置1には、種々の構成要素が適宜設けられる。例えば、チャンバー側壁11には、被処理体8を搬入出するための搬送開口部が形設されている。また、フラッシュランプFLからの光照射による過剰な温度上昇を防止するために、チャンバー側壁11に水冷管を設けるようにしても良い。さらに、剥離補助装置1には、チャンバー10内の気圧を測定する圧力計が設けられている。   In addition to the above configuration, the peeling assisting device 1 is appropriately provided with various components. For example, the chamber side wall 11 is formed with a transfer opening for loading and unloading the workpiece 8. Further, in order to prevent an excessive temperature rise due to light irradiation from the flash lamp FL, a water cooling tube may be provided on the chamber side wall 11. Further, the peeling assist device 1 is provided with a pressure gauge for measuring the atmospheric pressure in the chamber 10.

次に、上記構成を有する剥離補助装置1における処理手順について説明する。図2は、剥離補助装置1における処理手順を示すフローチャートである。以下に説明する剥離補助装置1の処理手順は、制御部3が剥離補助装置1の各動作機構を制御することにより進行する。   Next, a processing procedure in the peeling assisting apparatus 1 having the above configuration will be described. FIG. 2 is a flowchart showing a processing procedure in the peeling assisting apparatus 1. The processing procedure of the peeling assisting device 1 described below proceeds by the control unit 3 controlling each operation mechanism of the peeling assisting device 1.

まず、チャンバー10内に被処理体8が搬入される(ステップS1)。被処理体8の搬入は、剥離補助装置1外部の搬送ロボットによって行うようにしても良いし、手動にて行うようにしても良い。図3は、被処理体8の構造を示す断面図である。本実施形態の被処理体8は、ガラス基板81の上面にポリイミド膜82が貼り付けられて構成されている。ガラス基板81の材質としては、例えば石英ガラスを用いることができる。石英ガラスのガラス基板81は、フラッシュランプFLから放射されるフラッシュ光を概ね全波長域にわたって透過する。ポリイミドの溶液(厳密には、ポリアミド酸の溶液)をガラス基板81の上面に塗布して乾燥させ、所定温度の熱処理によってイミド化させることにより、ガラス基板81上にポリイミド膜82が形成される。ポリイミドの種類にも依存するが、このような塗布法によって形成されたポリイミド膜82とガラス基板81との密着性は概ね良好である。   First, the workpiece 8 is carried into the chamber 10 (step S1). The workpiece 8 may be carried in by a transfer robot outside the peeling assisting device 1 or manually. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the structure of the workpiece 8. The object to be processed 8 of the present embodiment is configured by bonding a polyimide film 82 on the upper surface of a glass substrate 81. As a material of the glass substrate 81, for example, quartz glass can be used. The quartz glass substrate 81 transmits the flash light emitted from the flash lamp FL over almost the entire wavelength range. A polyimide film 82 is formed on the glass substrate 81 by applying a polyimide solution (strictly, a solution of polyamic acid) to the upper surface of the glass substrate 81, drying it, and imidizing it by heat treatment at a predetermined temperature. Although it depends on the type of polyimide, the adhesion between the polyimide film 82 formed by such a coating method and the glass substrate 81 is generally good.

また、ポリイミド膜82の上面にはデバイス83が形成されている。ポリイミド膜82の塗布形成およびデバイス83の形成は剥離補助装置1とは異なる設備にて行われる。リジッド基板であるガラス基板81上にポリイミド膜82を貼り付け、さらにその上にデバイス83を形成しているため、既存の設備の多くを流用してデバイス形成を行うことができる。そして、デバイス83が形成された後に、図3のような被処理体8がチャンバー10内に搬入される。   A device 83 is formed on the upper surface of the polyimide film 82. The coating formation of the polyimide film 82 and the formation of the device 83 are performed by equipment different from that of the peeling assisting apparatus 1. Since the polyimide film 82 is pasted on the glass substrate 81 which is a rigid substrate and the device 83 is formed on the polyimide film 82, the device can be formed using a lot of existing equipment. Then, after the device 83 is formed, the object 8 as shown in FIG. 3 is carried into the chamber 10.

チャンバー10内に搬入された被処理体8は支持ピン22を介して保持プレート20に載置されて保持される(ステップS2)。ここで、被処理体8は、デバイス83が形成された側の面を下側に向けて、つまりガラス基板81を上側に向けて保持プレート20に保持される。また、被処理体8は、複数の支持ピン22によって点接触で支持されて保持プレート20に保持される。複数の支持ピン22は、デバイス83が形成されていないガラス基板81の端縁部を支持するのが好ましい。   The workpiece 8 carried into the chamber 10 is placed and held on the holding plate 20 via the support pins 22 (step S2). Here, the workpiece 8 is held by the holding plate 20 with the surface on which the device 83 is formed facing downward, that is, with the glass substrate 81 facing upward. Further, the object 8 is supported by the plurality of support pins 22 by point contact and is held by the holding plate 20. The plurality of support pins 22 preferably support the edge portion of the glass substrate 81 where the device 83 is not formed.

保持プレート20は、内蔵するヒータ21によって予め所定温度に加熱されている。保持プレート20の温度は制御部3によって制御されている。ガラス基板81にポリイミド膜82が貼り付けられた被処理体8が複数の支持ピン22によって保持プレート20に近接支持されることにより、デバイス83が形成されたポリイミド膜82を含む被処理体8の全体が加熱される。被処理体8を加熱する温度は、デバイス83に熱的ダメージを与えない範囲で適宜に設定される。このときの加熱効率を高めるため、複数の支持ピン22によって支持する被処理体8の高さ位置は保持プレート20の上面に近い方が好ましい。   The holding plate 20 is preheated to a predetermined temperature by a built-in heater 21. The temperature of the holding plate 20 is controlled by the control unit 3. The object to be processed 8 including the polyimide film 82 on which the device 83 is formed is supported by the supporting plate 22 in proximity to the holding plate 20 by the object 8 having the polyimide film 82 attached to the glass substrate 81. The whole is heated. The temperature at which the workpiece 8 is heated is appropriately set within a range in which the device 83 is not thermally damaged. In order to increase the heating efficiency at this time, the height position of the workpiece 8 supported by the plurality of support pins 22 is preferably closer to the upper surface of the holding plate 20.

また、被処理体8がチャンバー10内に搬入されて、処理空間15が密閉空間とされた後、チャンバー10内が減圧される(ステップS3)。すなわち、ガス供給機構40からのガス供給を行うことなく排気機構50による排気を行うことにより、チャンバー10内の処理空間15の雰囲気が大気圧未満に減圧される。このときに、チャンバー10内の酸素分圧をさらに低下させる必要があれば、ガス供給機構40から窒素ガスを供給して処理空間15を窒素雰囲気に置換した後に、チャンバー10内を減圧するようにしても良い。   Further, after the workpiece 8 is carried into the chamber 10 and the processing space 15 is closed, the inside of the chamber 10 is depressurized (step S3). That is, by exhausting by the exhaust mechanism 50 without supplying gas from the gas supply mechanism 40, the atmosphere of the processing space 15 in the chamber 10 is reduced to less than atmospheric pressure. At this time, if it is necessary to further reduce the oxygen partial pressure in the chamber 10, the inside of the chamber 10 is decompressed after supplying the nitrogen gas from the gas supply mechanism 40 to replace the processing space 15 with a nitrogen atmosphere. May be.

保持プレート20に保持された被処理体8が加熱されて所定の温度にまで到達し、チャンバー10内が大気圧未満にまで減圧された後、制御部3の制御によりフラッシュ光源70の複数のフラッシュランプFLが一斉に点灯する(ステップS4)。フラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光(リフレクタ72によって反射されたフラッシュ光を含む)はチャンバー窓18を透過し、処理空間15にて保持プレート20に保持された被処理体8へと向かう。フラッシュランプFLから出射されるフラッシュ光は、予め蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が0.1ミリ秒以上100ミリ秒以下程度の極めて短く強い閃光である。   After the workpiece 8 held on the holding plate 20 is heated to reach a predetermined temperature and the inside of the chamber 10 is reduced to below atmospheric pressure, a plurality of flashes of the flash light source 70 are controlled by the control unit 3. The lamps FL are turned on all at once (step S4). Flash light (including flash light reflected by the reflector 72) emitted from the flash lamp FL passes through the chamber window 18 and travels toward the object 8 to be processed held by the holding plate 20 in the processing space 15. The flash light emitted from the flash lamp FL is a very short and strong flash light whose irradiation time is about 0.1 milliseconds or more and 100 milliseconds or less, in which electrostatic energy stored in advance is converted into an extremely short light pulse. .

図4は、被処理体8にフラッシュ光が照射された状態を示す図である。チャンバー10内にて、被処理体8はガラス基板81を上側に向けて保持プレート20に保持されている。チャンバー10の上方に設けられたフラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光は、被処理体8の上側から、つまりガラス基板81の側から照射される。ガラス基板81は、フラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光を透過する。その結果、フラッシュ光は、上側のガラス基板81を透過し、ガラス基板81とポリイミド膜82との界面に照射されることとなる。また、第1実施形態では、フラッシュ光は被処理体8の全面に対して一括して照射される。   FIG. 4 is a view showing a state in which flash light is irradiated on the object 8 to be processed. In the chamber 10, the workpiece 8 is held on the holding plate 20 with the glass substrate 81 facing upward. Flash light emitted from a flash lamp FL provided above the chamber 10 is irradiated from above the object 8 to be processed, that is, from the glass substrate 81 side. The glass substrate 81 transmits the flash light emitted from the flash lamp FL. As a result, the flash light passes through the upper glass substrate 81 and is irradiated onto the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82. In the first embodiment, the flash light is irradiated to the entire surface of the object 8 to be processed.

ガラス基板81とポリイミド膜82との界面はフラッシュ光を吸収して急激に昇温し、その後急速に降温する。このときに、ガラス基板81およびポリイミド膜82の双方の界面近傍の領域が昇温する。照射時間が0.1ミリ秒以上100ミリ秒以下程度の極めて短いフラッシュ光照射であれば、ガラス基板81とポリイミド膜82との界面近傍のみを選択的に昇温することができる。このため、フラッシュ光照射によってポリイミド膜82上に形成されたデバイス83を必要以上に加熱して熱的ダメージを与えることは防止される。   The interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 absorbs flash light, rapidly increases in temperature, and then rapidly decreases in temperature. At this time, the temperature in the vicinity of the interface between both the glass substrate 81 and the polyimide film 82 rises. If the irradiation time is an extremely short flash light irradiation of about 0.1 milliseconds to 100 milliseconds, only the vicinity of the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 can be selectively heated. For this reason, the device 83 formed on the polyimide film 82 by flash light irradiation is prevented from being heated more than necessary and causing thermal damage.

フラッシュ光照射によってガラス基板81とポリイミド膜82との界面近傍が急速に昇温したときに、ガラス基板81およびポリイミド膜82のそれぞれの界面近傍領域が昇温して熱膨張することとなる。このとき、ガラス基板81とポリイミド膜82とでは線膨張係数が異なるため、同じ温度に昇温したとしても膨張の程度が異なる。ガラス基板81およびポリイミド膜82の種類にも依存するが、一般にはポリイミド膜82の線膨張係数がガラス基板81のそれよりも顕著に大きい(数倍程度以上)。   When the vicinity of the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 is rapidly heated by flash light irradiation, the vicinity of the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 is heated and thermally expanded. At this time, since the linear expansion coefficient is different between the glass substrate 81 and the polyimide film 82, the degree of expansion is different even if the temperature is increased to the same temperature. Although depending on the types of the glass substrate 81 and the polyimide film 82, in general, the linear expansion coefficient of the polyimide film 82 is significantly larger than that of the glass substrate 81 (several times or more).

また、フラッシュ光照射によって直接的に加熱されるのは界面近傍のポリイミド膜82であり(ガラス基板81はフラッシュ光を透過する)、ガラス基板81は昇温したポリイミド膜82からの熱伝導によって加熱される。よって、フラッシュ光照射時の到達温度自体も通常はポリイミド膜82の方がガラス基板81よりも高い。このため、フラッシュ光照射によってガラス基板81およびポリイミド膜82のそれぞれの界面近傍領域が昇温したときに、ポリイミド膜82の方がガラス基板81よりも大きく熱膨張することとなる。その結果、図4の矢印AR4にて示すように、ガラス基板81とポリイミド膜82との界面には、当該界面と平行な方向に沿ってポリイミド膜82がガラス基板81よりも大きく伸びようとするせん断応力が作用する。   In addition, the polyimide film 82 in the vicinity of the interface is directly heated by the flash light irradiation (the glass substrate 81 transmits the flash light), and the glass substrate 81 is heated by the heat conduction from the heated polyimide film 82. Is done. Therefore, the ultimate temperature itself at the time of flash light irradiation is usually higher in the polyimide film 82 than in the glass substrate 81. For this reason, when the vicinity of the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 is heated by the flash light irradiation, the polyimide film 82 is more thermally expanded than the glass substrate 81. As a result, as indicated by an arrow AR4 in FIG. 4, the polyimide film 82 tends to extend larger than the glass substrate 81 along the direction parallel to the interface at the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82. Shear stress acts.

このようなガラス基板81とポリイミド膜82との界面に沿ったせん断応力が作用することにより、その界面におけるガラス基板81とポリイミド膜82との結合力が低下することとなる。これにより、後述するステップS7の剥離工程におけるポリイミド膜82の剥離が極めて容易となる。すなわち、本発明に係る剥離補助装置1での処理は、ガラス基板81上に貼り付けられたポリイミド膜82の剥離を補助するものである。   When such a shearing stress along the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 acts, the bonding force between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 at the interface decreases. Thereby, peeling of the polyimide film 82 in the peeling process of step S7 described later becomes extremely easy. That is, the process in the peeling assist device 1 according to the present invention assists the peeling of the polyimide film 82 attached on the glass substrate 81.

被処理体8に対するフラッシュ光照射が終了した後、排気機構50による排気が停止されるとともに、ガス供給機構40から処理空間15に窒素ガスが供給されてチャンバー10内が大気圧に復圧される(ステップS5)。その後、チャンバー10から処理後の被処理体8が搬出される(ステップS6)。これにより、剥離補助装置1における一連の剥離補助処理は完了する。   After the flash light irradiation on the workpiece 8 is completed, the exhaust by the exhaust mechanism 50 is stopped, and nitrogen gas is supplied from the gas supply mechanism 40 to the processing space 15 to return the pressure inside the chamber 10 to atmospheric pressure. (Step S5). Thereafter, the processed object 8 is unloaded from the chamber 10 (step S6). Thereby, a series of peeling assistance processing in the peeling assistance apparatus 1 is completed.

チャンバー10から搬出された被処理体8はポリイミド膜82の剥離処理に供される(ステップS7)。図5は、ガラス基板81から被剥離層たるポリイミド膜82を剥離する様子の一例を示す図である。ポリイミド膜82の端部を剥がして把持部材(図示省略)によって機械的に把持し、その把持部材が図5中の矢印にて示すように移動することによってポリイミド膜82がガラス基板81から剥離される。フラッシュ光照射時にガラス基板81とポリイミド膜82との界面に作用するせん断応力によって界面の結合力が低下し、ガラス基板81とポリイミド膜82との密着が脆弱になっているため、小さな応力にて簡単にポリイミド膜82をガラス基板81から剥離することができる。なお、把持部材に代えて、ポリイミド膜82の端部をドラムに巻き付け、そのドラムを回転させることによってポリイミド膜82をガラス基板81から剥離するようにしても良い。或いは、ベルヌーイチャックによってポリイミド膜82を吸引しつつガラス基板81から剥離するようにしても良い。   The object 8 to be processed carried out from the chamber 10 is subjected to a peeling process of the polyimide film 82 (step S7). FIG. 5 is a diagram showing an example of a state in which the polyimide film 82 that is the layer to be peeled is peeled from the glass substrate 81. The end portion of the polyimide film 82 is peeled off and mechanically held by a holding member (not shown), and the holding member moves as shown by an arrow in FIG. The The shearing stress acting on the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 during flash light irradiation reduces the bonding force at the interface, and the adhesion between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 is fragile. The polyimide film 82 can be easily peeled from the glass substrate 81. Instead of the gripping member, the polyimide film 82 may be peeled from the glass substrate 81 by winding the end of the polyimide film 82 around a drum and rotating the drum. Or you may make it peel from the glass substrate 81, attracting | sucking the polyimide film 82 with a Bernoulli chuck.

第1実施形態においては、線膨張係数が異なるガラス基板81とポリイミド膜82との界面にフラッシュ光を照射して加熱し、それらの熱膨張の程度が異なることを利用して当該界面と平行な方向に沿ってせん断応力を生じさせている。このせん断応力が作用することによってガラス基板81とポリイミド膜82との界面の結合力が低下し、それらの密着性が弱まる。このため、ステップS7の剥離工程では、被剥離層たるポリイミド膜82を小さな応力にて容易にガラス基板81から剥離することができる。従って、ポリイミド膜82およびそれに形成されたデバイス83に与える物理的なダメージを最小限に抑制しつつ、ポリイミド膜82を剥離することができる。   In the first embodiment, the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 having different linear expansion coefficients is heated by irradiating flash light, and the degree of thermal expansion is different, so that the interface is parallel to the interface. Shear stress is generated along the direction. Due to the action of the shear stress, the bonding force at the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 is reduced, and the adhesion thereof is weakened. For this reason, at the peeling process of step S7, the polyimide film 82 which is a layer to be peeled can be easily peeled from the glass substrate 81 with a small stress. Therefore, the polyimide film 82 can be peeled while minimizing physical damage to the polyimide film 82 and the device 83 formed thereon.

また、第1実施形態では、ガラス基板81とポリイミド膜82との界面の全面に対してフラッシュ光を一括して照射しているため、界面全面の結合力を均一に低下させて密着性を弱めることができる。照射時間が0.1ミリ秒以上100ミリ秒以下程度のフラッシュ光を一括照射すれば、従来のようにレーザー光をスキャン照射するのと比較して処理時間を顕著に短くすることもできる。   In the first embodiment, since the flash light is collectively irradiated to the entire surface of the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82, the bonding force of the entire interface is lowered uniformly to weaken the adhesion. be able to. If flash light with an irradiation time of about 0.1 milliseconds to 100 milliseconds is collectively irradiated, the processing time can be significantly shortened as compared with the conventional laser light irradiation.

また、第1実施形態においては、フラッシュ光照射によるガラス基板81とポリイミド膜82との熱膨張の差異を利用して界面の結合力を低下させているため、従来のレーザー光照射によるアブレーションなどと比較してゴミの発生を少なく抑制することができる。すなわち、線膨張係数が異なるガラス基板81とポリイミド膜82との界面にフラッシュ光を照射することにより、被剥離層たるポリイミド膜82に与えるダメージを抑制しつつ、均一かつ清浄に被剥離層の剥離を補助することができるのである。   In the first embodiment, since the bonding force at the interface is reduced by utilizing the difference in thermal expansion between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 due to flash light irradiation, the conventional ablation by laser light irradiation, etc. In comparison, the generation of dust can be reduced. That is, by irradiating flash light onto the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 having different linear expansion coefficients, the damage to the polyimide film 82 as the layer to be peeled is suppressed and the layer to be peeled off is uniformly and cleanly. Can help.

また、フラッシュ光照射による剥離補助は大気圧未満の雰囲気にて行われている。ガラス基板81とポリイミド膜82との界面にフラッシュ光を照射して加熱すると、その界面から微量のガスが発生する。被剥離層たるポリイミド膜82が貼り付けられたガラス基板81の周囲の雰囲気を減圧した状態にて界面にフラッシュ光を照射して微量のガスを発生させると、周囲が減圧状態であるためにそのガスの気泡が膨張することとなる。その結果、ガラス基板81とポリイミド膜82との密着性がさらに弱まり、被剥離層たるポリイミド膜82をより簡単にガラス基板81から剥離することができる。   Further, peeling assistance by flash light irradiation is performed in an atmosphere of less than atmospheric pressure. When the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 is irradiated with flash light and heated, a trace amount of gas is generated from the interface. When a slight amount of gas is generated by irradiating the interface with flash light in a state where the atmosphere around the glass substrate 81 to which the polyimide film 82 as the layer to be peeled is attached is reduced in pressure, the surroundings are in a reduced pressure state. Gas bubbles will expand. As a result, the adhesion between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 is further weakened, and the polyimide film 82 as the layer to be peeled can be peeled off from the glass substrate 81 more easily.

さらに、第1実施形態においては、フラッシュ光照射前に、保持プレート20が内蔵するヒータ21によって、デバイス83に熱的ダメージを与えない程度の温度に被処理体8を加熱している。これにより、フラッシュ光照射時にガラス基板81とポリイミド膜82との界面の結合力が熱エネルギーによる補助を受けて低下することとなり、ガラス基板81とポリイミド膜82との密着性をさらに弱めることができる。   Furthermore, in the first embodiment, the object to be processed 8 is heated to a temperature at which the device 83 is not thermally damaged by the heater 21 built in the holding plate 20 before the flash light irradiation. As a result, the bonding force at the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 decreases with the aid of thermal energy during flash light irradiation, and the adhesion between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 can be further weakened. .

<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図6は、第2実施形態の剥離補助装置1aの要部構成を示す図である。図6において、第1実施形態と同一の要素については、同一の符号を付している。
Second Embodiment
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 is a diagram illustrating a main configuration of the peeling assist device 1a according to the second embodiment. In FIG. 6, the same elements as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.

第2実施形態の剥離補助装置1aは、チャンバー10内に遮光板60を備える。図7は、遮光板60を上方から見た平面図である。遮光板60は、平面視矩形の板状部材であり、図示省略の支持部材によってチャンバー10内に固定設置されている。遮光板60は、フラッシュランプFLのフラッシュ光を透過しない材質(例えば、フラッシュ光に対する耐性に優れたアルミニウム等の金属材料)にて形成されている。遮光板60は、チャンバー10内にて保持プレート20よりも上方に設置されており、保持プレート20に保持される被処理体8の大部分を覆うように設けられている。   The peeling assist device 1 a of the second embodiment includes a light shielding plate 60 in the chamber 10. FIG. 7 is a plan view of the light shielding plate 60 as viewed from above. The light shielding plate 60 is a plate member having a rectangular shape in plan view, and is fixedly installed in the chamber 10 by a support member (not shown). The light shielding plate 60 is formed of a material that does not transmit the flash light of the flash lamp FL (for example, a metal material such as aluminum having excellent resistance to the flash light). The light shielding plate 60 is installed above the holding plate 20 in the chamber 10 and is provided so as to cover most of the object 8 to be processed held by the holding plate 20.

第2実施形態では図7に示すように、保持プレート20に保持される矩形の被処理体8の端縁部のうち、一辺のみが上方のフラッシュ光源70に露出するように遮光板60が設けられている。ここで、被処理体8の端縁部とは、デバイス83が形成されている領域よりも外側の領域である。すなわち、デバイス83はガラス基板81上に貼り付けられたポリイミド膜82の全面にわたって形成されているものではなく、ポリイミド膜82の端部から内側に向けて所定幅の領域には形成されていない。このような、ポリイミド膜82の周縁のデバイス83が形成されていない不要な領域が端縁部であり、その幅は5mm〜10mmである。なお、デバイス83が形成されていないポリイミド膜82の端縁部に対応するガラス基板81の領域をガラス基板81の端縁部と称し、被処理体8の領域を被処理体8の端縁部と称する。   In the second embodiment, as shown in FIG. 7, a light shielding plate 60 is provided so that only one side of the edge of the rectangular object 8 held by the holding plate 20 is exposed to the upper flash light source 70. It has been. Here, the edge part of the to-be-processed object 8 is an area | region outside the area | region in which the device 83 is formed. That is, the device 83 is not formed over the entire surface of the polyimide film 82 adhered on the glass substrate 81, and is not formed in a region having a predetermined width from the end of the polyimide film 82 to the inside. Such an unnecessary region where the device 83 on the periphery of the polyimide film 82 is not formed is an edge portion, and the width thereof is 5 mm to 10 mm. In addition, the area | region of the glass substrate 81 corresponding to the edge part of the polyimide film 82 in which the device 83 is not formed is called the edge part of the glass substrate 81, and the area | region of the to-be-processed object 8 is the edge part of the to-be-processed object 8. Called.

また、第2実施形態においては、図6に示すように、フラッシュ光源70に1本のフラッシュランプFLを備えている。フラッシュランプFLの上方にはリフレクタ72が設けられている。第2実施形態のフラッシュランプFLは、遮光板60によって覆われていない被処理体8の端縁部の直上に設置されている。すなわち、フラッシュランプFLは、遮光板60から露出している被処理体8の端縁部に対向する位置のみに配置されている。このため、フラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光は、遮光板60によって覆われていない被処理体8の端縁部のみに照射されることとなる。   In the second embodiment, as shown in FIG. 6, the flash light source 70 includes one flash lamp FL. A reflector 72 is provided above the flash lamp FL. The flash lamp FL of the second embodiment is installed immediately above the edge of the workpiece 8 that is not covered by the light shielding plate 60. That is, the flash lamp FL is disposed only at a position facing the end edge of the object 8 exposed from the light shielding plate 60. For this reason, the flash light emitted from the flash lamp FL is applied only to the edge portion of the workpiece 8 that is not covered by the light shielding plate 60.

遮光板60およびフラッシュ光源70を除く剥離補助装置1aの残余の構成については第1実施形態の剥離補助装置1と同じである。また、第2実施形態の剥離補助装置1aにおける処理手順も第1実施形態と概ね同様である(図2参照)。   The remaining configuration of the peeling assist device 1a excluding the light shielding plate 60 and the flash light source 70 is the same as that of the peeling assist device 1 of the first embodiment. Moreover, the processing procedure in the peeling assisting apparatus 1a of the second embodiment is substantially the same as that of the first embodiment (see FIG. 2).

第2実施形態においては、ステップS4のフラッシュ光照射時に、フラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光の一部が遮光板60によって遮光され、保持プレート20に保持された被処理体8のうち遮光板60によって覆われていない端縁部のみにフラッシュ光が導かれて照射される。よって、フラッシュ光は、ガラス基板81とポリイミド膜82との界面のうちの端縁部のみに照射され、その端縁部のみが昇温されることとなる。端縁部にはデバイス83が形成されていないため、第2実施形態ではポリイミド膜82の端縁部表面が相当高温に加熱される程度に強いフラッシュ光を照射するようにしても良い。   In the second embodiment, a part of the flash light emitted from the flash lamp FL is shielded by the light shielding plate 60 during the flash light irradiation in step S <b> 4, and the light shielding plate among the objects 8 to be processed held by the holding plate 20. The flash light is guided and irradiated only to the edge portion not covered with 60. Therefore, the flash light is applied only to the edge portion of the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82, and only the edge portion is heated. Since the device 83 is not formed on the edge portion, in the second embodiment, flash light strong enough to heat the edge surface of the polyimide film 82 to a considerably high temperature may be irradiated.

ガラス基板81とポリイミド膜82とでは線膨張係数が異なるため、ガラス基板81とポリイミド膜82との界面の端縁部にフラッシュ光が照射されて加熱されると、それらの熱膨張の差異に起因したせん断応力が当該界面に作用する。このせん断応力が作用することによってガラス基板81とポリイミド膜82との界面端縁部の結合力が低下し、ポリイミド膜82の端縁部がガラス基板81から剥がれることとなる。また、第2実施形態においても、大気圧未満の減圧雰囲気にてフラッシュ光照射を行っているため、加熱により界面端縁部に生じた微量のガスの気泡が膨張してガラス基板81とポリイミド膜82との密着性がさらに弱まってポリイミド膜82の端縁部が確実に剥がれる。   Since the glass substrate 81 and the polyimide film 82 have different linear expansion coefficients, if the edge of the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 is heated by being irradiated with flash light, it is caused by the difference in thermal expansion between them. The shear stress applied acts on the interface. By acting on this shear stress, the bonding force at the interface edge between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 is lowered, and the edge of the polyimide film 82 is peeled off from the glass substrate 81. Also in the second embodiment, since flash light irradiation is performed in a reduced-pressure atmosphere less than atmospheric pressure, a small amount of gas bubbles generated at the interface edge due to heating expand, and the glass substrate 81 and the polyimide film The adhesiveness with 82 is further weakened, and the edge portion of the polyimide film 82 is surely peeled off.

その後、ステップS7の剥離工程では、フラッシュ光照射により剥がれたポリイミド膜82の端縁部を把持部材によって機械的に把持し、第1実施形態と同様にしてポリイミド膜82の全体をガラス基板81から剥離する。   Thereafter, in the peeling step of step S7, the edge portion of the polyimide film 82 peeled off by flash light irradiation is mechanically held by the holding member, and the entire polyimide film 82 is removed from the glass substrate 81 in the same manner as in the first embodiment. Peel off.

第2実施形態においては、遮光板60によってフラッシュ光の一部を遮光することにより、被処理体8の端縁部のみにフラッシュ光を照射してガラス基板81とポリイミド膜82との界面の端縁部のみを加熱している。一般に塗布法によって形成されたポリイミド膜82とガラス基板81との密着性は、中央部近傍よりも端縁部において強くなる傾向が認められる。従って、第2実施形態のように、フラッシュ光照射によりガラス基板81とポリイミド膜82との界面の端縁部のみを加熱して結合力を低下させ、ポリイミド膜82の端縁部をガラス基板81から剥がすようにすれば、ステップS7の剥離工程では、被剥離層たるポリイミド膜82を容易にガラス基板81から剥離することができる。   In the second embodiment, a part of the flash light is shielded by the light shielding plate 60, so that the flash light is irradiated only to the edge portion of the object 8 to be processed, and the edge of the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 is irradiated. Only the edge is heated. In general, the adhesion between the polyimide film 82 formed by the coating method and the glass substrate 81 tends to be stronger at the edge than in the vicinity of the center. Therefore, as in the second embodiment, only the edge portion of the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 is heated by flash light irradiation to reduce the bonding force, and the edge portion of the polyimide film 82 is changed to the glass substrate 81. If it is made to peel from, the polyimide film 82 which is a layer to be peeled can be easily peeled off from the glass substrate 81 in the peeling step of step S7.

また、第1実施形態と同様に、フラッシュ光照射によるガラス基板81とポリイミド膜82との熱膨張の差異を利用して界面の結合力を低下させているため、従来のレーザー光照射によるアブレーションなどと比較してゴミの発生を少なく抑制することができる。よって、第2実施形態のようにしても、被剥離層たるポリイミド膜82に与えるダメージを抑制しつつ、清浄に被剥離層の剥離を補助することができる。   Further, as in the first embodiment, since the bonding force at the interface is reduced by utilizing the difference in thermal expansion between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 caused by flash light irradiation, conventional ablation by laser light irradiation, etc. The generation of dust can be reduced compared to the above. Therefore, even in the second embodiment, it is possible to assist the peeling of the peeled layer cleanly while suppressing damage to the polyimide film 82 that is the peeled layer.

特に、第2実施形態においては、デバイス83が形成されていない不要領域である被処理体8の端縁部のみにフラッシュ光を照射して加熱しているため、デバイス83に熱的ダメージを与えることを確実に防止することができる。また、デバイス83に与える熱的ダメージを考慮する必要がないため、フラッシュランプFLの発光強度を相当に強くすることができ、フラッシュ光照射によってポリイミド膜82の端縁部を確実にガラス基板81から剥離することができる。   In particular, in the second embodiment, only the edge portion of the object 8 to be processed, which is an unnecessary area where the device 83 is not formed, is heated by irradiating flash light, and thus the device 83 is thermally damaged. This can be surely prevented. Further, since it is not necessary to consider the thermal damage given to the device 83, the light emission intensity of the flash lamp FL can be considerably increased, and the edge portion of the polyimide film 82 is surely removed from the glass substrate 81 by the flash light irradiation. Can be peeled off.

<第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態について説明する。第3実施形態の剥離補助装置の構成は第1実施形態の剥離補助装置1と全く同じである。また、第3実施形態における処理手順も第1実施形態と概ね同様である(図2参照)。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment of the present invention will be described. The configuration of the peeling assist device of the third embodiment is exactly the same as that of the peeling assist device 1 of the first embodiment. The processing procedure in the third embodiment is also substantially the same as that in the first embodiment (see FIG. 2).

第3実施形態においては、チャンバー10内に被処理体8を搬入する前に、ガラス基板81の端縁部に黒色の光吸収層85を形成している。図8は、光吸収層85を形成した被処理体8をガラス基板81の側から見た平面図である。矩形の被処理体8の端縁部において、黒色の光吸収層85がガラス基板81の表面に形成されている。具体的には、例えば、ガラス基板81の表面端縁部に黒色の塗料を塗布して光吸収層85を形成すれば良い。なお、被処理体8の端縁部とは、第2実施形態と同様に、デバイス83が形成されている領域よりも外側の領域である。第3実施形態では、矩形の被処理体8の四辺全ての端縁部に光吸収層85が形成されている。   In the third embodiment, the black light absorption layer 85 is formed on the edge of the glass substrate 81 before the object 8 is carried into the chamber 10. FIG. 8 is a plan view of the object 8 on which the light absorption layer 85 is formed as viewed from the glass substrate 81 side. A black light absorption layer 85 is formed on the surface of the glass substrate 81 at the edge of the rectangular object 8. Specifically, for example, the light absorbing layer 85 may be formed by applying a black paint to the surface edge of the glass substrate 81. In addition, the edge part of the to-be-processed object 8 is an area | region outside the area | region in which the device 83 is formed similarly to 2nd Embodiment. In the third embodiment, the light absorption layer 85 is formed on the end edges of all four sides of the rectangular object 8.

このような端縁部に光吸収層85を形成した被処理体8がチャンバー10内に搬入されて保持プレート20に保持される。被処理体8は、ガラス基板81を上側に向けて保持プレート20に保持される。よって、被処理体8の端縁部に形成された光吸収層85も上側を向くこととなる。   The workpiece 8 having the light absorption layer 85 formed on the end edge is carried into the chamber 10 and held by the holding plate 20. The workpiece 8 is held by the holding plate 20 with the glass substrate 81 facing upward. Therefore, the light absorption layer 85 formed on the edge of the object 8 also faces upward.

第3実施形態においては、ステップS4のフラッシュ光照射時に、第1実施形態と同様に被処理体8の全面に対してフラッシュ光が照射される。図9は、第3実施形態における被処理体8にフラッシュ光が照射された状態を示す図である。チャンバー10の上方に設けられたフラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光は、被処理体8の上側から、つまりガラス基板81の側から照射される。光吸収層85は黒色であるため、受光したフラッシュ光を全波長域にわたって吸収する。このため、被処理体8の端縁部においては、フラッシュ光照射によって光吸収層85が著しく昇温し、その光吸収層85からの熱伝導によってガラス基板81とポリイミド膜82との界面の端縁部が集中的に加熱される。被処理体8の端縁部よりも内側の領域においては、第1実施形態と同様にガラス基板81を透過したフラッシュ光によってガラス基板81とポリイミド膜82との界面が加熱されることとなるが、黒色の光吸収層85を設けた界面端縁部の方が内側領域よりも強く加熱される。   In the third embodiment, at the time of flash light irradiation in step S4, the entire surface of the workpiece 8 is irradiated with flash light as in the first embodiment. FIG. 9 is a diagram illustrating a state in which flash light is irradiated on the object 8 to be processed according to the third embodiment. Flash light emitted from a flash lamp FL provided above the chamber 10 is irradiated from above the object 8 to be processed, that is, from the glass substrate 81 side. Since the light absorption layer 85 is black, the received flash light is absorbed over the entire wavelength range. For this reason, at the edge of the object 8 to be processed, the temperature of the light absorption layer 85 is remarkably increased by flash light irradiation, and the edge of the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 due to heat conduction from the light absorption layer 85. The edges are heated intensively. In the region inside the edge of the object 8 to be processed, the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 is heated by the flash light transmitted through the glass substrate 81 as in the first embodiment. The interface edge portion provided with the black light absorption layer 85 is heated more strongly than the inner region.

ガラス基板81とポリイミド膜82とでは線膨張係数が異なるため、ガラス基板81とポリイミド膜82との界面にフラッシュ光が照射されて加熱されると、それらの熱膨張の差異に起因したせん断応力が当該界面に作用する。第3実施形態では、特に、ガラス基板81とポリイミド膜82との界面の端縁部が集中的に加熱されるため、当該界面の端縁部に強いせん断応力が作用する。この強いせん断応力が作用することによってガラス基板81とポリイミド膜82との界面端縁部の結合力が低下し、ポリイミド膜82の端縁部がガラス基板81から剥がれることとなる。また、第3実施形態においても、大気圧未満の減圧雰囲気にてフラッシュ光照射を行っているため、加熱により界面端縁部に生じた微量のガスの気泡が膨張してガラス基板81とポリイミド膜82との密着性がさらに弱まってポリイミド膜82の端縁部が確実に剥がれる。   Since the linear expansion coefficient is different between the glass substrate 81 and the polyimide film 82, when the flash light is irradiated to the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 and heated, the shear stress due to the difference in thermal expansion between them is Acts on the interface. In the third embodiment, in particular, since the edge portion of the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 is intensively heated, a strong shear stress acts on the edge portion of the interface. Due to the action of this strong shear stress, the bonding force at the interface edge between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 is reduced, and the edge of the polyimide film 82 is peeled off from the glass substrate 81. Also in the third embodiment, since flash light irradiation is performed in a reduced-pressure atmosphere less than atmospheric pressure, a small amount of gas bubbles generated at the interface edge due to heating expand and the glass substrate 81 and the polyimide film The adhesiveness with 82 is further weakened, and the edge portion of the polyimide film 82 is surely peeled off.

その後、ステップS7の剥離工程では、フラッシュ光照射により剥がれたポリイミド膜82の端縁部を把持部材によって機械的に把持し、第1実施形態と同様にしてポリイミド膜82の全体をガラス基板81から剥離する。   Thereafter, in the peeling step of step S7, the edge portion of the polyimide film 82 peeled off by flash light irradiation is mechanically held by the holding member, and the entire polyimide film 82 is removed from the glass substrate 81 in the same manner as in the first embodiment. Peel off.

第3実施形態においては、被処理体8のガラス基板81の端縁部に黒色の光吸収層85を形成し、その被処理体8に対してフラッシュランプFLからフラッシュ光を照射している。光吸収率の高い黒色の光吸収層85はフラッシュ光照射によって著しく昇温し、その光吸収層85からの熱伝導によってガラス基板81とポリイミド膜82との界面の端縁部が集中的に加熱される。既述したように、塗布法によって形成されたポリイミド膜82とガラス基板81との密着性は、中央部近傍よりも端縁部において強くなる傾向が認められる。従って、第3実施形態のように、フラッシュ光照射によりガラス基板81とポリイミド膜82との界面の端縁部を集中的に加熱して結合力を低下させ、ポリイミド膜82の端縁部をガラス基板81から剥がすようにすれば、ステップS7の剥離工程では、被剥離層たるポリイミド膜82を容易にガラス基板81から剥離することができる。   In the third embodiment, a black light absorption layer 85 is formed on the edge of the glass substrate 81 of the object 8 to be processed, and the flash light is irradiated from the flash lamp FL to the object 8 to be processed. The black light absorption layer 85 having a high light absorption rate is remarkably heated by flash light irradiation, and the edge of the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 is intensively heated by heat conduction from the light absorption layer 85. Is done. As described above, the adhesion between the polyimide film 82 formed by the coating method and the glass substrate 81 tends to be stronger at the edge than in the vicinity of the center. Therefore, as in the third embodiment, the edge of the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 is intensively heated by flash light irradiation to reduce the bonding force, and the edge of the polyimide film 82 is made of glass. If it is made to peel from the board | substrate 81, the polyimide film 82 which is a to-be-separated layer can be easily peeled from the glass substrate 81 at the peeling process of step S7.

また、第1実施形態と同様に、フラッシュ光照射によるガラス基板81とポリイミド膜82との熱膨張の差異を利用して界面の結合力を低下させているため、従来のレーザー光照射によるアブレーションなどと比較してゴミの発生を少なく抑制することができる。よって、第3実施形態のようにしても、被剥離層たるポリイミド膜82に与えるダメージを抑制しつつ、清浄に被剥離層の剥離を補助することができる。   Further, as in the first embodiment, since the bonding force at the interface is reduced by utilizing the difference in thermal expansion between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 caused by flash light irradiation, conventional ablation by laser light irradiation, etc. The generation of dust can be reduced compared to the above. Therefore, even if it is like 3rd Embodiment, peeling of a to-be-separated layer can be assisted cleanly, suppressing the damage given to the polyimide film 82 which is to-be-separated layer.

<変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態においては、ガラス基板81上に貼り付けられたポリイミド膜82にデバイス83を形成したものを被処理体8としていたが、被処理体8はこれに限定されるものではなく、種々のバリエーションが可能である。
<Modification>
While the embodiments of the present invention have been described above, the present invention can be modified in various ways other than those described above without departing from the spirit of the present invention. For example, in each of the above-described embodiments, the object 8 is formed by forming the device 83 on the polyimide film 82 attached to the glass substrate 81. However, the object 8 is not limited to this. Various variations are possible.

例えば、ポリイミド膜82に代えてPEN(ポリエチレンナフタレート)、PET(ポリエチレンテレフタレート)などの他の樹脂材料をガラス基板81に貼り付けたものを被処理体8とし、本発明に係る剥離補助装置1,1aによって樹脂層の剥離補助を行うようにしても良い。この場合であっても、フラッシュ光照射により線膨張係数が異なるガラス基板81と樹脂層との界面を加熱し、それらの熱膨張の程度が異なることを利用して当該界面と平行な方向に沿ってせん断応力を生じさせ、界面の結合力を低下させる。   For example, instead of the polyimide film 82, a material to which the other substrate material such as PEN (polyethylene naphthalate) or PET (polyethylene terephthalate) is attached is used as the object 8 to be processed, and the peeling assist device 1 according to the present invention. , 1a may assist the peeling of the resin layer. Even in this case, the interface between the glass substrate 81 and the resin layer having different linear expansion coefficients by flash light irradiation is heated, and the degree of their thermal expansion is utilized to make a difference along the direction parallel to the interface. This generates shear stress and reduces the bond strength at the interface.

また、ガラス基板81とポリイミド膜82等の樹脂層との間に介在層が挟み込まれていても良い。このような介在層としては、接着剤やアモルファスシリコン等の機能層が例示される。ガラス基板81と樹脂層との間に介在層が挟み込まれている場合であっても、フラッシュ光照射によって線膨張係数が異なる介在層と樹脂層との界面を加熱し、それらの熱膨張の程度が異なることを利用して界面にせん断応力を作用させて結合力を低下させることにより、被剥離層たる樹脂層の剥離補助を行うことができる。   An intervening layer may be sandwiched between the glass substrate 81 and the resin layer such as the polyimide film 82. Examples of such intervening layers include functional layers such as adhesives and amorphous silicon. Even when an intervening layer is sandwiched between the glass substrate 81 and the resin layer, the interface between the intervening layer and the resin layer having different linear expansion coefficients is heated by flash light irradiation, and the degree of their thermal expansion By utilizing the fact that the two are different from each other and applying a shear stress to the interface to reduce the bonding force, it is possible to assist the peeling of the resin layer as the layer to be peeled.

また、第2実施形態においては、矩形の被処理体8の端縁部のうち、一辺のみが上方のフラッシュ光源70に露出するようにしていたが、端縁部の二辺以上がフラッシュ光源70に露出するように遮光板60を設けても良い。このようにしても、フラッシュ光照射によりガラス基板81とポリイミド膜82との界面の端縁部のみを加熱して結合力を低下させ、被剥離層たるポリイミド膜82を容易にガラス基板81から剥離することができる。   In the second embodiment, only one side of the edge of the rectangular object 8 is exposed to the flash light source 70 above, but two or more sides of the edge are exposed to the flash light source 70. A light shielding plate 60 may be provided so as to be exposed to the light. Even in this case, only the edge part of the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 is heated by flash light irradiation to reduce the bonding force, and the polyimide film 82 as the peeled layer can be easily peeled off from the glass substrate 81. can do.

被処理体8の端縁部の二辺以上が露出するように遮光板60を設けた場合には、その露出した端縁部の形状に応じてフラッシュランプFLを配置すれば良い。例えば、矩形の被処理体8の四辺全ての端縁部が露出するように遮光板60を設けた場合には、フラッシュ光源70に4本のフラッシュランプFLを四角形に配置する。すなわち、遮光板60から露出している被処理体8の端縁部に対向する位置にフラッシュランプFLを配置する。   In the case where the light shielding plate 60 is provided so that two or more sides of the edge of the workpiece 8 are exposed, the flash lamp FL may be arranged according to the shape of the exposed edge. For example, when the light shielding plate 60 is provided so that the end edges of all four sides of the rectangular object 8 are exposed, four flash lamps FL are arranged in a square shape in the flash light source 70. That is, the flash lamp FL is disposed at a position facing the edge of the workpiece 8 exposed from the light shielding plate 60.

また、第2実施形態において、被処理体8の端縁部が露出するように遮光板60を設けるとともに、第1実施形態と同様の複数本のフラッシュランプFLを平行に配置したフラッシュ光源70を設けるようにしても良い。或いは、遮光板60を設けることなく、被処理体8の端縁部に対向する位置のみにフラッシュランプFLを配置するようにしても良い。   In the second embodiment, a light shielding plate 60 is provided so that the edge of the object 8 is exposed, and a flash light source 70 in which a plurality of flash lamps FL similar to those in the first embodiment are arranged in parallel is provided. You may make it provide. Alternatively, the flash lamp FL may be disposed only at a position facing the edge of the object 8 without providing the light shielding plate 60.

また、第3実施形態においては、矩形の被処理体8の四辺全ての端縁部に光吸収層85を形成していたが、端縁部の一辺以上に光吸収層85を形成すれば良い。このようにしても、光吸収層85がフラッシュ光照射によって著しく昇温し、その光吸収層85からの熱伝導によってガラス基板81とポリイミド膜82との界面の端縁部が集中的に加熱されて結合力が低下され、被剥離層たるポリイミド膜82を容易にガラス基板81から剥離することができる。   Further, in the third embodiment, the light absorption layer 85 is formed on the edge portions of all four sides of the rectangular object 8, but the light absorption layer 85 may be formed on one side or more of the edge portions. . Even in this case, the temperature of the light absorption layer 85 is remarkably increased by the flash light irradiation, and the edge of the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 is intensively heated by the heat conduction from the light absorption layer 85. As a result, the bonding force is reduced, and the polyimide film 82 as the layer to be peeled can be easily peeled from the glass substrate 81.

また、第3実施形態においては、ガラス基板81の端縁部に光吸収層85を形成するようにしていたが、これに代えて、ポリイミド膜82の端縁部に黒色の光吸収層85を形成するようにしても良い。或いは、ガラス基板81およびポリイミド膜82の双方の端縁部に黒色の光吸収層85を形成するようにしても良い。   In the third embodiment, the light absorption layer 85 is formed on the edge portion of the glass substrate 81. Instead, the black light absorption layer 85 is formed on the edge portion of the polyimide film 82. You may make it form. Alternatively, the black light absorption layer 85 may be formed on both edge portions of the glass substrate 81 and the polyimide film 82.

また、第3実施形態において、光吸収層85は黒色に限定されるものではなく、フラッシュ光の吸収率が所定値以上となる色に着色されていれば良い。   Further, in the third embodiment, the light absorption layer 85 is not limited to black, and it is sufficient that the light absorption layer 85 is colored in a color having a flash light absorption rate equal to or greater than a predetermined value.

また、フラッシュ光源70に設ける複数のフラッシュランプFLの配置面積を被処理体8より十分に大きなものとすることによって、被処理体8の端縁部におけるフラッシュ光の照度を端縁部よりも内側の領域より大きくするようにしても良い。すなわち、複数のフラッシュランプFLの配置面積が被処理体8より十分に大きければ、被処理体8の端縁部に影響を与えるフラッシュランプFLの本数が増えることとなり、端縁部におけるフラッシュ光の照度が相対的に増加することとなる。このようにすれば、第3実施形態と同様に、フラッシュ光照射によってガラス基板81とポリイミド膜82との界面の端縁部が集中的に加熱されることとなり、その界面の結合力を低下させて被剥離層たるポリイミド膜82を容易にガラス基板81から剥離することができる。このような被処理体8の端縁部における照度増加効果を得るためには、複数のフラッシュランプFLの配置面積を被処理体8の面積の1.2倍以上とする必要がある。   Further, by making the arrangement area of the plurality of flash lamps FL provided in the flash light source 70 sufficiently larger than that of the object 8 to be processed, the illuminance of the flash light at the end edge of the object 8 to be processed is inside the edge. It may be made larger than this area. That is, if the arrangement area of the plurality of flash lamps FL is sufficiently larger than the object 8 to be processed, the number of flash lamps FL affecting the edge of the object 8 to be processed increases, and the flash light at the edge is increased. Illuminance will increase relatively. In this way, as in the third embodiment, the edge of the interface between the glass substrate 81 and the polyimide film 82 is intensively heated by the flash light irradiation, and the bonding force at the interface is reduced. Thus, the polyimide film 82 as the layer to be peeled can be easily peeled from the glass substrate 81. In order to obtain such an illuminance increasing effect at the edge of the object 8 to be processed, it is necessary that the arrangement area of the plurality of flash lamps FL be 1.2 times or more the area of the object 8 to be processed.

また、第2実施形態と第3実施形態とを組み合わせるようにしても良い。すなわち、第2実施形態の遮光板60から露出した被処理体8の端縁部に第3実施形態の黒色の光吸収層85を形成するようにしても良い。   Further, the second embodiment and the third embodiment may be combined. That is, the black light absorption layer 85 of the third embodiment may be formed on the edge of the object 8 exposed from the light shielding plate 60 of the second embodiment.

また、上記実施形態においては、保持プレート20に内蔵されたヒータ21によってフラッシュ光照射前に被処理体8を加熱するようにしていたが、ヒータ21に代えてハロゲンランプによって被処理体8を加熱するようにしても良い。複数の支持ピン22によって支持される被処理体8と保持プレート20の上面との間隔が大きい場合にはハロゲンランプによる加熱が好ましく、樹脂層が透明である場合にはヒータ21によって加熱するのが好ましい。また、フラッシュ光照射のみによって界面の結合力を十分に低下できる場合には、フラッシュ光照射前の加熱は必須ではない。   In the above embodiment, the object to be processed 8 is heated by the heater 21 built in the holding plate 20 before the flash light irradiation, but the object to be processed 8 is heated by a halogen lamp instead of the heater 21. You may make it do. Heating with a halogen lamp is preferable when the distance between the workpiece 8 supported by the plurality of support pins 22 and the upper surface of the holding plate 20 is large, and heating with the heater 21 when the resin layer is transparent. preferable. Further, when the bonding force at the interface can be sufficiently reduced only by flash light irradiation, heating before flash light irradiation is not essential.

また、上記実施形態では、フラッシュ光源70にキセノンのフラッシュランプFLを備えていたが、これに代えてクリプトンなどの他の希ガスのフラッシュランプを用いるようにしても良い。   In the above embodiment, the flash light source 70 is provided with the xenon flash lamp FL, but another rare gas flash lamp such as krypton may be used instead.

本発明に係る剥離補助方法および剥離補助装置は、基板上に被剥離層を貼り付けた種々の被処理体に適用することができ、特に電子ペーパーなどに用いられるフレキシブルデバイス、フレキシブルディスプレイ、フラットパネルディスプレイ(FPD)、電子機器、太陽電池、燃料電池、半導体デバイスなどに好適に利用することができる。   The peeling assistance method and the peeling assistance apparatus according to the present invention can be applied to various objects to be peeled on a substrate, and in particular, flexible devices, flexible displays, and flat panels used for electronic paper and the like. It can be suitably used for displays (FPD), electronic devices, solar cells, fuel cells, semiconductor devices, and the like.

1,1a 剥離補助装置
3 制御部
8 被処理体
10 チャンバー
15 処理空間
18 チャンバー窓
20 保持プレート
21 ヒータ
22 支持ピン
40 ガス供給機構
50 排気機構
60 遮光板
70 フラッシュ光源
72 リフレクタ
81 ガラス基板
82 ポリイミド膜
83 デバイス
85 光吸収層
FL フラッシュランプ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,1a Peeling auxiliary | assistance apparatus 3 Control part 8 To-be-processed object 10 Chamber 15 Processing space 18 Chamber window 20 Holding plate 21 Heater 22 Support pin 40 Gas supply mechanism 50 Exhaust mechanism 60 Light-shielding plate 70 Flash light source 72 Reflector 81 Glass substrate 82 Polyimide film 83 Device 85 Light absorption layer FL Flash lamp

Claims (9)

フラッシュ光を透過する基板上に貼り付けられた被剥離層の剥離を補助する剥離補助方法であって、
前記基板の線膨張係数と前記被剥離層の線膨張係数とは異なり、
前記基板の側からフラッシュ光を照射して前記基板と前記被剥離層との界面に、当該界面と平行な方向のせん断応力を作用させることによって前記界面の結合力を低下させることを特徴とする剥離補助方法。
A peeling assist method for assisting in peeling of a layer to be peeled attached on a substrate that transmits flash light,
Unlike the linear expansion coefficient of the substrate and the linear expansion coefficient of the layer to be peeled,
The bonding force of the interface is reduced by irradiating flash light from the substrate side and applying a shear stress in a direction parallel to the interface to the interface between the substrate and the layer to be peeled. Peeling assist method.
請求項1記載の剥離補助方法において、
前記基板および前記被剥離層の端縁部のみにフラッシュ光を照射することを特徴とする剥離補助方法。
In the peeling assistance method of Claim 1,
A peeling assist method, wherein flash light is irradiated only on an edge portion of the substrate and the layer to be peeled.
請求項1記載の剥離補助方法において、
前記基板および/または前記被剥離層の端縁部にフラッシュ光の吸収率が所定値以上の光吸収層を設けることを特徴とする剥離補助方法。
In the peeling assistance method of Claim 1,
A peeling assisting method comprising providing a light absorption layer having a flash light absorption rate of a predetermined value or more at an edge of the substrate and / or the layer to be peeled.
請求項1から請求項3のいずれかに記載の剥離補助方法において、
前記被剥離層が貼り付けられた前記基板の周囲の雰囲気を減圧し、前記界面に存在する気泡を膨張させることを特徴とする剥離補助方法。
In the peeling auxiliary | assistance method in any one of Claims 1-3,
An exfoliation assisting method, comprising: depressurizing an atmosphere around the substrate to which the layer to be peeled is attached and expanding bubbles present at the interface.
請求項1から請求項4のいずれかに記載の剥離補助方法において、
前記基板はガラス基板であり、
前記被剥離層は樹脂層であることを特徴とする剥離補助方法。
In the peeling assistance method in any one of Claims 1-4,
The substrate is a glass substrate;
The peeling assist method, wherein the layer to be peeled is a resin layer.
フラッシュ光を透過する基板上に貼り付けられた被剥離層の剥離を補助する剥離補助装置であって、
前記基板の線膨張係数と前記被剥離層の線膨張係数とは異なり、
前記基板および前記被剥離層を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて、前記被剥離層が貼り付けられた前記基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された前記基板および前記被剥離層に対して前記基板の側からフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
前記フラッシュランプから出射されたフラッシュ光の一部を遮光して前記基板および前記被剥離層の端縁部のみにフラッシュ光を導く遮光部材と、
を備えることを特徴とする剥離補助装置。
A peeling auxiliary device for assisting in peeling of a layer to be peeled that is attached on a substrate that transmits flash light,
Unlike the linear expansion coefficient of the substrate and the linear expansion coefficient of the layer to be peeled,
A chamber for housing the substrate and the layer to be peeled;
In the chamber, a holding unit for holding the substrate to which the layer to be peeled is attached,
A flash lamp that irradiates flash light from the substrate side to the substrate and the layer to be peeled held by the holding unit;
A light shielding member that shields a part of the flash light emitted from the flash lamp and guides the flash light only to an edge portion of the substrate and the peeled layer;
A peeling assisting device comprising:
請求項6記載の剥離補助装置において、
前記基板および前記被剥離層の前記端縁部に対向する位置のみにフラッシュランプを配置することを特徴とする剥離補助装置。
The peeling auxiliary device according to claim 6,
A peeling assisting device, wherein a flash lamp is disposed only at a position facing the edge of the substrate and the layer to be peeled.
請求項6または請求項7に記載の剥離補助装置において、
前記チャンバー内の雰囲気を減圧する減圧手段をさらに備えることを特徴とする剥離補助装置。
In the peeling auxiliary | assistance apparatus of Claim 6 or Claim 7,
An exfoliation assisting device, further comprising decompression means for decompressing the atmosphere in the chamber.
請求項6から請求項8のいずれかに記載の剥離補助装置において、
前記基板はガラス基板であり、
前記被剥離層は樹脂層であることを特徴とする剥離補助装置。
In the peeling auxiliary device according to any one of claims 6 to 8,
The substrate is a glass substrate;
The peeling assisting device, wherein the peelable layer is a resin layer.
JP2012275770A 2012-12-18 2012-12-18 Peeling assist method and peeling assist device Pending JP2014120664A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012275770A JP2014120664A (en) 2012-12-18 2012-12-18 Peeling assist method and peeling assist device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012275770A JP2014120664A (en) 2012-12-18 2012-12-18 Peeling assist method and peeling assist device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014120664A true JP2014120664A (en) 2014-06-30

Family

ID=51175247

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012275770A Pending JP2014120664A (en) 2012-12-18 2012-12-18 Peeling assist method and peeling assist device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2014120664A (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016147958A1 (en) * 2015-03-13 2016-09-22 旭化成株式会社 Polyimide precursor resin composition
JP2016219405A (en) * 2015-05-22 2016-12-22 株式会社Screenホールディングス Peeling method of heat-resistant organic polymer layer, and manufacturing method of flexible wiring board
JP2017198987A (en) * 2016-04-26 2017-11-02 株式会社半導体エネルギー研究所 Peeling method and flexible device manufacturing method
CN108962723A (en) * 2018-07-13 2018-12-07 安徽建筑大学 A kind of water base microelectronics removing cleaning combination agent
KR20190017884A (en) * 2016-06-06 2019-02-20 엔씨씨 나노, 엘엘씨 Method for carrying out peeling of polymer film
JP2021049768A (en) * 2019-09-20 2021-04-01 テグ キョンブク インスティトゥート オブ サイエンス アンド テクノロジー Method of manufacturing electronic device
WO2022018994A1 (en) 2020-07-21 2022-01-27 東洋紡株式会社 Multilayer body and method for producing flexible device
WO2022070617A1 (en) 2020-09-29 2022-04-07 東洋紡株式会社 Layered body including inorganic substrate and polyamic acid cured product

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6021807A (en) * 1983-07-19 1985-02-04 Ricoh Co Ltd Flash annealing method of hydrogenated amorphous silicon
JPS6027115A (en) * 1983-07-25 1985-02-12 Ushio Inc Heat treatment of semiconductor wafer by light irradiation furnace
JPS6242519A (en) * 1985-08-20 1987-02-24 Sony Corp Manufacture of semiconductor device
JPS63227014A (en) * 1987-03-17 1988-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Lamp heater
JPH10125929A (en) * 1996-08-27 1998-05-15 Seiko Epson Corp Peeling method
JPH1197379A (en) * 1997-07-25 1999-04-09 Denso Corp Semiconductor substrate and its manufacture
JP2003163338A (en) * 2001-08-22 2003-06-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Stripping method and semiconductor device manufacturing method
JP2007525018A (en) * 2003-10-01 2007-08-30 ウェーハマスターズ・インコーポレイテッド Selective heating using flash annealing
JP2008177182A (en) * 2007-01-16 2008-07-31 Seiko Epson Corp Thin film device manufacturing method
JP2010278340A (en) * 2009-05-29 2010-12-09 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Manufacturing method of bonded wafer
JP2011138932A (en) * 2009-12-28 2011-07-14 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Sos substrate reducing stress

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6021807A (en) * 1983-07-19 1985-02-04 Ricoh Co Ltd Flash annealing method of hydrogenated amorphous silicon
JPS6027115A (en) * 1983-07-25 1985-02-12 Ushio Inc Heat treatment of semiconductor wafer by light irradiation furnace
JPS6242519A (en) * 1985-08-20 1987-02-24 Sony Corp Manufacture of semiconductor device
JPS63227014A (en) * 1987-03-17 1988-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Lamp heater
JPH10125929A (en) * 1996-08-27 1998-05-15 Seiko Epson Corp Peeling method
JPH1197379A (en) * 1997-07-25 1999-04-09 Denso Corp Semiconductor substrate and its manufacture
JP2003163338A (en) * 2001-08-22 2003-06-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Stripping method and semiconductor device manufacturing method
JP2007525018A (en) * 2003-10-01 2007-08-30 ウェーハマスターズ・インコーポレイテッド Selective heating using flash annealing
JP2008177182A (en) * 2007-01-16 2008-07-31 Seiko Epson Corp Thin film device manufacturing method
JP2010278340A (en) * 2009-05-29 2010-12-09 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Manufacturing method of bonded wafer
JP2011138932A (en) * 2009-12-28 2011-07-14 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Sos substrate reducing stress

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10711105B2 (en) 2015-03-13 2020-07-14 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Polyimide precursor resin composition
JPWO2016147958A1 (en) * 2015-03-13 2017-09-28 旭化成株式会社 Polyimide precursor resin composition
CN107429057A (en) * 2015-03-13 2017-12-01 旭化成株式会社 Polyimide precursor resin composition
WO2016147958A1 (en) * 2015-03-13 2016-09-22 旭化成株式会社 Polyimide precursor resin composition
JP2016219405A (en) * 2015-05-22 2016-12-22 株式会社Screenホールディングス Peeling method of heat-resistant organic polymer layer, and manufacturing method of flexible wiring board
JP2017198987A (en) * 2016-04-26 2017-11-02 株式会社半導体エネルギー研究所 Peeling method and flexible device manufacturing method
KR20190017884A (en) * 2016-06-06 2019-02-20 엔씨씨 나노, 엘엘씨 Method for carrying out peeling of polymer film
JP2019520250A (en) * 2016-06-06 2019-07-18 エヌシーシー ナノ, エルエルシー Method for carrying out peeling of polymer film
KR102632428B1 (en) * 2016-06-06 2024-01-31 엔씨씨 나노, 엘엘씨 Method for performing delamination of a polymer film
CN108962723A (en) * 2018-07-13 2018-12-07 安徽建筑大学 A kind of water base microelectronics removing cleaning combination agent
US11367647B2 (en) 2019-09-20 2022-06-21 Daegu Gyeongbuk Institute Of Science And Technology Method of manufacturing electronic device
JP2021049768A (en) * 2019-09-20 2021-04-01 テグ キョンブク インスティトゥート オブ サイエンス アンド テクノロジー Method of manufacturing electronic device
WO2022018994A1 (en) 2020-07-21 2022-01-27 東洋紡株式会社 Multilayer body and method for producing flexible device
KR20220166333A (en) 2020-07-21 2022-12-16 도요보 가부시키가이샤 Methods for manufacturing laminates and flexible devices
US11833795B2 (en) 2020-07-21 2023-12-05 Toyobo Co., Ltd. Multilayer body and method for producing flexible device
KR20230030640A (en) 2020-09-29 2023-03-06 도요보 가부시키가이샤 Laminate of inorganic substrate and cured polyamic acid
WO2022070617A1 (en) 2020-09-29 2022-04-07 東洋紡株式会社 Layered body including inorganic substrate and polyamic acid cured product
US12391813B2 (en) 2020-09-29 2025-08-19 Toyobo Co., Ltd. Layered body including inorganic substrate and polyamic acid cured product
KR20250150695A (en) 2020-09-29 2025-10-20 도요보 가부시키가이샤 Layered body including inorganic substrate and polyamic acid cured product

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014120664A (en) Peeling assist method and peeling assist device
JP6411478B2 (en) Polyimide film manufacturing method, electronic device manufacturing method, and coating film peeling method
TWI505332B (en) Heat treatment method and heat treatment device
JP6126360B2 (en) Peeling assist method
US20150340647A1 (en) Packaging method and display device
US20110132259A1 (en) Electrostatic chuck and vacuum processing apparatus
EP3590904B1 (en) Method for manufacturing pillar supply sheet, method for manufacturing glass panel unit and method for manufacturing glass window
TWI494174B (en) Substrate surface treatment equipment
JP4942207B2 (en) Airtight container manufacturing method
WO2018030255A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus
JP5951209B2 (en) Heat treatment method
JP2011040476A (en) Device and method for applying energy
CN111755325A (en) Bonding method and bonding device
JP6573231B2 (en) Plasma processing method
JP2016072293A (en) Exfoliation supporting device and exfoliation supporting method
JP2016096218A (en) Method of manufacturing lamination substrate, and method of manufacturing electronic device
JP7585320B2 (en) Method for bonding two substrates
JP2012176341A (en) Light processing device
JP2006165136A (en) Etching method
US9941147B2 (en) Transfer apparatus and laser annealing apparatus
JP6093136B2 (en) Heat treatment method and heat treatment apparatus
JP5138351B2 (en) Manufacturing method of semiconductor substrate with electric wire and manufacturing apparatus of semiconductor substrate with electric wire
TWI775127B (en) Heat treatment method and heat treatment apparatus
JP6501519B2 (en) Multilayer resist removal method and plasma processing apparatus
US20130189893A1 (en) Method for disassembling plasma display device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150619

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160216

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160413

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160920