JP2014120664A - Peeling assist method and peeling assist device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、フラッシュ光を透過する基板上に貼り付けられた被剥離層の剥離を補助する剥離補助方法および剥離補助装置に関する。 The present invention relates to a peeling assistance method and a peeling assistance apparatus for assisting the peeling of a layer to be peeled attached on a substrate that transmits flash light.
近年、電子ペーパーの実用化にともない、ポリイミド等のフレキシブルな樹脂フィルム上にTFT素子等の半導体デバイスを形成することが試みられている。可撓性を有する樹脂フィルムはそのままでは搬送等の取り扱いが困難であるため、例えばガラス基板上に樹脂フィルムを形成し、その樹脂フィルム上にデバイスを形成している。ガラス基板を基材とすれば、FPD(Flat Panel Display)製造用途などの既存のプロセス技術および設備を流用することができるため好都合である。そして、デバイス形成のためのプロセスが終了した後、ガラス基板から樹脂フィルムを剥離している。 In recent years, with the practical application of electronic paper, attempts have been made to form semiconductor devices such as TFT elements on flexible resin films such as polyimide. Since a flexible resin film is difficult to handle as it is, for example, a resin film is formed on a glass substrate, and a device is formed on the resin film. Use of a glass substrate as a base material is advantageous because existing process technology and equipment such as FPD (Flat Panel Display) manufacturing applications can be used. And after the process for device formation is complete | finished, the resin film is peeled from the glass substrate.
このような剥離技術として、ガラス基板と樹脂フィルムとの界面にレーザー光をスキャン照射したときに生じるアブレーションにより樹脂フィルムを剥離するEPLaR(Electronics on Plastic by Laser Release)と称されるプロセス技術が開発されている(例えば、特許文献1参照)。レーザー光の照射後は、ベルヌーイチャック等によって樹脂フィルムのみを搬送する。また、樹脂フィルムの端部を把持して機械的に樹脂フィルムをガラス基板から剥離することも行われている。 As such a peeling technique, a process technology called EPLaR (Electronics on Plastic by Laser Release) has been developed that peels the resin film by ablation that occurs when laser light is scanned and irradiated to the interface between the glass substrate and the resin film. (For example, refer to Patent Document 1). After the laser light irradiation, only the resin film is conveyed by a Bernoulli chuck or the like. In addition, the resin film is mechanically peeled from the glass substrate by gripping the end of the resin film.
しかしながら、ガラス基板から樹脂フィルムを剥離する際にレーザー光をスキャン照射した場合には、繰り返しレーザー光を照射することとなるため、ムラが生じやすい。また、レーザー光を照射したときに生じるアブレーションに起因したゴミの問題も発生する。さらに、樹脂フィルムを機械的にガラス基板から剥離した場合には、樹脂フィルム上に形成されたデバイスにダメージを与えるおそれもある。特に、樹脂フィルムの種類によってはガラス基板と樹脂フィルムとの密着性が相当に高いため、樹脂フィルムを強引に剥離すると樹脂フィルム自体が損傷することもあった。 However, when the laser beam is scanned and irradiated when the resin film is peeled from the glass substrate, the laser beam is repeatedly irradiated, and thus unevenness is likely to occur. In addition, there is a problem of dust caused by ablation that occurs when laser light is irradiated. Furthermore, when the resin film is mechanically peeled from the glass substrate, there is a possibility of damaging a device formed on the resin film. In particular, depending on the type of the resin film, the adhesion between the glass substrate and the resin film is considerably high, so that the resin film itself may be damaged if the resin film is forcibly peeled off.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、被剥離層に与えるダメージを抑制しつつ、清浄に被剥離層の剥離を補助することができる剥離補助方法および剥離補助装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and provides a peeling assist method and a peeling assist device that can assist in cleanly peeling the peeled layer while suppressing damage to the peeled layer. With the goal.
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、フラッシュ光を透過する基板上に貼り付けられた被剥離層の剥離を補助する剥離補助方法において、前記基板の線膨張係数と前記被剥離層の線膨張係数とは異なり、前記基板の側からフラッシュ光を照射して前記基板と前記被剥離層との界面に、当該界面と平行な方向のせん断応力を作用させることによって前記界面の結合力を低下させることを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, the invention of
また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る剥離補助方法において、前記基板および前記被剥離層の端縁部のみにフラッシュ光を照射することを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, in the peeling assist method according to the first aspect of the present invention, only the edge portions of the substrate and the layer to be peeled are irradiated with flash light.
また、請求項3の発明は、請求項1の発明に係る剥離補助方法において、前記基板および/または前記被剥離層の端縁部にフラッシュ光の吸収率が所定値以上の光吸収層を設けることを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the peeling assist method according to the first aspect of the present invention, a light absorption layer having a flash light absorption rate of a predetermined value or more is provided at an edge of the substrate and / or the layer to be peeled. It is characterized by that.
また、請求項4の発明は、請求項1から請求項3のいずれかの発明に係る剥離補助方法において、前記被剥離層が貼り付けられた前記基板の周囲の雰囲気を減圧し、前記界面に存在する気泡を膨張させることを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, in the peeling assist method according to any one of the first to third aspects of the present invention, the atmosphere around the substrate to which the layer to be peeled is affixed is reduced to the interface. It is characterized by expanding the existing bubbles.
また、請求項5の発明は、請求項1から請求項4のいずれかの発明に係る剥離補助方法において、前記基板はガラス基板であり、前記被剥離層は樹脂層であることを特徴とする。
The invention according to
また、請求項6の発明は、フラッシュ光を透過する基板上に貼り付けられた被剥離層の剥離を補助する剥離補助装置において、前記基板の線膨張係数と前記被剥離層の線膨張係数とは異なり、前記基板および前記被剥離層を収容するチャンバーと、前記チャンバー内にて、前記被剥離層が貼り付けられた前記基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された前記基板および前記被剥離層に対して前記基板の側からフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、前記フラッシュランプから出射されたフラッシュ光の一部を遮光して前記基板および前記被剥離層の端縁部のみにフラッシュ光を導く遮光部材と、を備えることを特徴とする。 According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a peeling assisting device for assisting in peeling of a layer to be peeled that is attached to a substrate that transmits flash light, and a linear expansion coefficient of the substrate and a linear expansion coefficient of the peeled layer Are different from each other, a chamber that houses the substrate and the layer to be peeled, a holding unit that holds the substrate to which the layer to be peeled is attached, and the substrate that is held by the holding unit. A flash lamp that irradiates flash light to the layer to be peeled from the side of the substrate, and a part of the flash light emitted from the flash lamp is shielded to only the edge of the substrate and the layer to be peeled. A light shielding member for guiding flash light.
また、請求項7の発明は、請求項6の発明に係る剥離補助装置において、前記基板および前記被剥離層の前記端縁部に対向する位置のみにフラッシュランプを配置することを特徴とする。 According to a seventh aspect of the present invention, in the peeling auxiliary device according to the sixth aspect of the present invention, the flash lamp is disposed only at a position facing the edge of the substrate and the layer to be peeled.
また、請求項8の発明は、請求項6または請求項7の発明に係る剥離補助装置において、前記チャンバー内の雰囲気を減圧する減圧手段をさらに備えることを特徴とする。
The invention according to
また、請求項9の発明は、請求項6から請求項8のいずれかの発明に係る剥離補助装置において、前記基板はガラス基板であり、前記被剥離層は樹脂層であることを特徴とする。
The invention according to claim 9 is the peeling assist device according to any one of
請求項1から請求項5の発明によれば、基板の線膨張係数と被剥離層の線膨張係数とは異なり、基板の側からフラッシュ光を照射して基板と被剥離層との界面に、当該界面と平行な方向のせん断応力を作用させることによって界面の結合力を低下させるため、基板と被剥離層との密着性を弱めて被剥離層に与えるダメージを抑制しつつ、清浄に被剥離層の剥離を補助することができる。
According to the invention of
特に、請求項2の発明によれば、基板および被剥離層の端縁部のみにフラッシュ光を照射するため、端縁部よりも内側の領域に形成されているデバイスに熱的ダメージを与えることを防止することができる。 In particular, according to the second aspect of the present invention, only the edge of the substrate and the layer to be peeled is irradiated with flash light, so that the device formed in the region inside the edge is thermally damaged. Can be prevented.
特に、請求項4の発明によれば、被剥離層が貼り付けられた基板の周囲の雰囲気を減圧し、界面に存在する気泡を膨張させるため、基板と被剥離層との密着性をさらに弱めることができる。 In particular, according to the invention of claim 4, the atmosphere around the substrate to which the layer to be peeled is attached is reduced in pressure, and bubbles existing at the interface are expanded, so that the adhesion between the substrate and the layer to be peeled is further weakened. be able to.
また、請求項6から請求項9の発明によれば、保持部に保持された基板および被剥離層に対して基板の側からフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、フラッシュランプから出射されたフラッシュ光の一部を遮光して基板および被剥離層の端縁部のみにフラッシュ光を導く遮光部材と、を備えるため、基板と被剥離層との界面の端縁部に、当該界面と平行な方向のせん断応力を作用させて界面の結合力を低下させ、被剥離層に与えるダメージを抑制しつつ、清浄に被剥離層の剥離を補助することができる。また、端縁部よりも内側の領域に形成されているデバイスに熱的ダメージを与えることを防止することができる。
According to the invention of
特に、請求項8の発明によれば、チャンバー内の雰囲気を減圧する減圧手段をさらに備えるため、基板と被剥離層との界面に存在する気泡を膨張させて基板と被剥離層との密着性をさらに弱めることができる。 In particular, according to the eighth aspect of the present invention, since the pressure reducing means for depressurizing the atmosphere in the chamber is further provided, the bubbles existing at the interface between the substrate and the layer to be peeled are expanded to adhere the substrate and the layer to be peeled. Can be further weakened.
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
<第1実施形態>
図1は、本発明に係る剥離補助装置1の要部構成を示す図である。この剥離補助装置1は、ガラス基板上に樹脂膜を貼り付けた被処理体8にフラッシュ光を照射することによって、その樹脂膜の剥離を補助する装置である。剥離補助装置1は、主たる要素として、被処理体8を収容するチャンバー10と、被処理体8を保持する保持プレート20と、被処理体8にフラッシュ光を照射するフラッシュ光源70と、を備える。また、剥離補助装置1は、装置に設けられた各種動作機構を制御して処理を進行させる制御部3を備える。なお、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a diagram showing a main configuration of a
チャンバー10は、フラッシュ光源70の下方に設けられており、チャンバー側壁11およびチャンバー底部12によって構成される。チャンバー底部12は、チャンバー側壁11の下部を覆う。チャンバー側壁11およびチャンバー底部12によって囲まれる空間が処理空間15として規定される。また、チャンバー10の上部開口にはチャンバー窓18が装着されて閉塞されている。
The
チャンバー10の天井部を構成するチャンバー窓18は、石英により形成された板状部材であり、フラッシュ光源70から照射された光を処理空間15に透過する石英窓として機能する。チャンバー10の本体を構成するチャンバー側壁11およびチャンバー底部12は、例えば、ステンレススチール等の強度と耐熱性に優れた金属材料にて形成されている。
The
また、処理空間15の気密性を維持するために、チャンバー窓18とチャンバー側壁11とは図示省略のOリングによってシールされている。すなわち、チャンバー窓18の下面周縁部とチャンバー側壁11との間にOリングを挟み込み、これらの隙間から気体が流出入するのを防いでいる。
Further, in order to maintain the airtightness of the
チャンバー10の内部には保持プレート20が設けられている。保持プレート20は、金属製(例えば、アルミニウム製)の平坦な板状部材である。保持プレート20の上面には複数の支持ピン22が設けられている。保持プレート20は、チャンバー10内にて複数の支持ピン22によって被処理体8を支持して略水平姿勢に保持する。支持ピン22は、図示省略の昇降駆動機構(例えば、エアシリンダ等)によって昇降可能とされていても良い。
A holding
また、保持プレート20はヒータ21を内蔵する。ヒータ21は、ニクロム線などの抵抗加熱線で構成されており、図外の電力供給源からの電力供給を受けて発熱し、保持プレート20を加熱する。なお、保持プレート20には、ヒータ21に加えて、水冷管等の冷却機構を設けるようにしても良い。
In addition, the holding
保持プレート20には、熱電対を用いて構成された図示省略の温度センサが設けられている。温度センサは保持プレート20の上面近傍の温度を測定し、その測定結果は制御部3に伝達される。制御部3は、温度センサによる測定結果に基づいてヒータ21の出力を制御し、保持プレート20を所定の温度とする。保持プレート20に保持された被処理体8は、保持プレート20のヒータ21によって所定の温度に加熱されることとなる。
The holding
また、剥離補助装置1は、チャンバー10内の処理空間15に処理ガスを供給するガス供給機構40および処理空間15から雰囲気の排気を行う排気機構50を備える。ガス供給機構40は、処理ガス供給源41、供給配管42および供給バルブ43を備える。供給配管42の先端側はチャンバー10内の処理空間15に連通接続され、基端側は処理ガス供給源41に接続される。供給配管42の経路途中に供給バルブ43が設けられる。供給バルブ43を開放することによって、処理ガス供給源41から処理空間15に処理ガスが供給される。処理ガス供給源41は、被処理体8の種類や処理目的に応じた適宜の処理ガスを供給することが可能であるが、本実施形態では窒素ガス(N2)を供給する。
Further, the peeling assist
排気機構50は、排気装置51、排気配管52および排気バルブ53を備える。排気配管52の先端側はチャンバー10内の処理空間15に連通接続され、基端側は排気装置51に接続される。排気配管52の経路途中に排気バルブ53が設けられる。排気装置51は、例えばドライポンプとスロットルバルブとを備える。排気装置51を作動させつつ、排気バルブ53を開放することによって、処理空間15の雰囲気を装置外に排出することができる。これらガス供給機構40および排気機構50によって、処理空間15の雰囲気を調整することができる。また、処理空間15は密閉空間であるため、ガス供給機構40から処理ガスの供給を行うことなく排気機構50による雰囲気排出を行うと、処理空間15内の雰囲気を大気圧未満にまで減圧することができる。
The
フラッシュ光源70は、チャンバー10の上方に設けられている。フラッシュ光源70は、複数本(図1では図示の便宜上11本としているが、これに限定されるものではない)のフラッシュランプFLと、それら全体の上方を覆うように設けられたリフレクタ72と、を備えて構成される。フラッシュ光源70は、チャンバー10内にて保持プレート20に保持される被処理体8に対して石英のチャンバー窓18を介してフラッシュランプFLからフラッシュ光を照射する。
The
複数のフラッシュランプFLは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が水平方向に沿って互いに平行となるように平面状に配列されている。本実施形態では、フラッシュランプFLとしてキセノンフラッシュランプを用いている。キセノンフラッシュランプFLは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管(放電管)と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極と、を備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気が両端電極間の放電によってガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプFLにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが0.1ミリ秒ないし100ミリ秒という極めて短い光パルスに変換されることから、連続点灯のランプに比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。 The plurality of flash lamps FL are rod-shaped lamps each having a long cylindrical shape, and are arranged in a plane so that their longitudinal directions are parallel to each other along the horizontal direction. In the present embodiment, a xenon flash lamp is used as the flash lamp FL. The xenon flash lamp FL has a rod-shaped glass tube (discharge tube) in which xenon gas is sealed and an anode and a cathode connected to a capacitor at both ends thereof, and an outer peripheral surface of the glass tube. A trigger electrode. Since xenon gas is an electrical insulator, electricity does not flow into the glass tube under normal conditions even if electric charges are accumulated in the capacitor. However, when the insulation is broken by applying a high voltage to the trigger electrode, the electricity stored in the capacitor instantaneously flows into the glass tube due to the discharge between the electrodes at both ends, and the excitation of the xenon atoms or molecules at that time Light is emitted. In such a xenon flash lamp FL, the electrostatic energy stored in the condenser in advance is converted into an extremely short light pulse of 0.1 to 100 milliseconds, which is extremely in comparison with a continuously lit lamp. It has the feature that it can irradiate strong light.
また、リフレクタ72は、複数のフラッシュランプFLの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ72の基本的な機能は、複数のフラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光を処理空間15の側に反射するというものである。
Further, the
制御部3は、剥離補助装置1に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部3のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部3は、各種演算処理を行うCPU、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAMおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えて構成される。制御部3のCPUが所定の処理プログラムを実行することによって剥離補助装置1における処理が進行する。
The control unit 3 controls the various operation mechanisms provided in the peeling assist
上記の構成以外にも剥離補助装置1には、種々の構成要素が適宜設けられる。例えば、チャンバー側壁11には、被処理体8を搬入出するための搬送開口部が形設されている。また、フラッシュランプFLからの光照射による過剰な温度上昇を防止するために、チャンバー側壁11に水冷管を設けるようにしても良い。さらに、剥離補助装置1には、チャンバー10内の気圧を測定する圧力計が設けられている。
In addition to the above configuration, the
次に、上記構成を有する剥離補助装置1における処理手順について説明する。図2は、剥離補助装置1における処理手順を示すフローチャートである。以下に説明する剥離補助装置1の処理手順は、制御部3が剥離補助装置1の各動作機構を制御することにより進行する。
Next, a processing procedure in the
まず、チャンバー10内に被処理体8が搬入される(ステップS1)。被処理体8の搬入は、剥離補助装置1外部の搬送ロボットによって行うようにしても良いし、手動にて行うようにしても良い。図3は、被処理体8の構造を示す断面図である。本実施形態の被処理体8は、ガラス基板81の上面にポリイミド膜82が貼り付けられて構成されている。ガラス基板81の材質としては、例えば石英ガラスを用いることができる。石英ガラスのガラス基板81は、フラッシュランプFLから放射されるフラッシュ光を概ね全波長域にわたって透過する。ポリイミドの溶液(厳密には、ポリアミド酸の溶液)をガラス基板81の上面に塗布して乾燥させ、所定温度の熱処理によってイミド化させることにより、ガラス基板81上にポリイミド膜82が形成される。ポリイミドの種類にも依存するが、このような塗布法によって形成されたポリイミド膜82とガラス基板81との密着性は概ね良好である。
First, the
また、ポリイミド膜82の上面にはデバイス83が形成されている。ポリイミド膜82の塗布形成およびデバイス83の形成は剥離補助装置1とは異なる設備にて行われる。リジッド基板であるガラス基板81上にポリイミド膜82を貼り付け、さらにその上にデバイス83を形成しているため、既存の設備の多くを流用してデバイス形成を行うことができる。そして、デバイス83が形成された後に、図3のような被処理体8がチャンバー10内に搬入される。
A
チャンバー10内に搬入された被処理体8は支持ピン22を介して保持プレート20に載置されて保持される(ステップS2)。ここで、被処理体8は、デバイス83が形成された側の面を下側に向けて、つまりガラス基板81を上側に向けて保持プレート20に保持される。また、被処理体8は、複数の支持ピン22によって点接触で支持されて保持プレート20に保持される。複数の支持ピン22は、デバイス83が形成されていないガラス基板81の端縁部を支持するのが好ましい。
The
保持プレート20は、内蔵するヒータ21によって予め所定温度に加熱されている。保持プレート20の温度は制御部3によって制御されている。ガラス基板81にポリイミド膜82が貼り付けられた被処理体8が複数の支持ピン22によって保持プレート20に近接支持されることにより、デバイス83が形成されたポリイミド膜82を含む被処理体8の全体が加熱される。被処理体8を加熱する温度は、デバイス83に熱的ダメージを与えない範囲で適宜に設定される。このときの加熱効率を高めるため、複数の支持ピン22によって支持する被処理体8の高さ位置は保持プレート20の上面に近い方が好ましい。
The holding
また、被処理体8がチャンバー10内に搬入されて、処理空間15が密閉空間とされた後、チャンバー10内が減圧される(ステップS3)。すなわち、ガス供給機構40からのガス供給を行うことなく排気機構50による排気を行うことにより、チャンバー10内の処理空間15の雰囲気が大気圧未満に減圧される。このときに、チャンバー10内の酸素分圧をさらに低下させる必要があれば、ガス供給機構40から窒素ガスを供給して処理空間15を窒素雰囲気に置換した後に、チャンバー10内を減圧するようにしても良い。
Further, after the
保持プレート20に保持された被処理体8が加熱されて所定の温度にまで到達し、チャンバー10内が大気圧未満にまで減圧された後、制御部3の制御によりフラッシュ光源70の複数のフラッシュランプFLが一斉に点灯する(ステップS4)。フラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光(リフレクタ72によって反射されたフラッシュ光を含む)はチャンバー窓18を透過し、処理空間15にて保持プレート20に保持された被処理体8へと向かう。フラッシュランプFLから出射されるフラッシュ光は、予め蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が0.1ミリ秒以上100ミリ秒以下程度の極めて短く強い閃光である。
After the
図4は、被処理体8にフラッシュ光が照射された状態を示す図である。チャンバー10内にて、被処理体8はガラス基板81を上側に向けて保持プレート20に保持されている。チャンバー10の上方に設けられたフラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光は、被処理体8の上側から、つまりガラス基板81の側から照射される。ガラス基板81は、フラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光を透過する。その結果、フラッシュ光は、上側のガラス基板81を透過し、ガラス基板81とポリイミド膜82との界面に照射されることとなる。また、第1実施形態では、フラッシュ光は被処理体8の全面に対して一括して照射される。
FIG. 4 is a view showing a state in which flash light is irradiated on the
ガラス基板81とポリイミド膜82との界面はフラッシュ光を吸収して急激に昇温し、その後急速に降温する。このときに、ガラス基板81およびポリイミド膜82の双方の界面近傍の領域が昇温する。照射時間が0.1ミリ秒以上100ミリ秒以下程度の極めて短いフラッシュ光照射であれば、ガラス基板81とポリイミド膜82との界面近傍のみを選択的に昇温することができる。このため、フラッシュ光照射によってポリイミド膜82上に形成されたデバイス83を必要以上に加熱して熱的ダメージを与えることは防止される。
The interface between the
フラッシュ光照射によってガラス基板81とポリイミド膜82との界面近傍が急速に昇温したときに、ガラス基板81およびポリイミド膜82のそれぞれの界面近傍領域が昇温して熱膨張することとなる。このとき、ガラス基板81とポリイミド膜82とでは線膨張係数が異なるため、同じ温度に昇温したとしても膨張の程度が異なる。ガラス基板81およびポリイミド膜82の種類にも依存するが、一般にはポリイミド膜82の線膨張係数がガラス基板81のそれよりも顕著に大きい(数倍程度以上)。
When the vicinity of the interface between the
また、フラッシュ光照射によって直接的に加熱されるのは界面近傍のポリイミド膜82であり(ガラス基板81はフラッシュ光を透過する)、ガラス基板81は昇温したポリイミド膜82からの熱伝導によって加熱される。よって、フラッシュ光照射時の到達温度自体も通常はポリイミド膜82の方がガラス基板81よりも高い。このため、フラッシュ光照射によってガラス基板81およびポリイミド膜82のそれぞれの界面近傍領域が昇温したときに、ポリイミド膜82の方がガラス基板81よりも大きく熱膨張することとなる。その結果、図4の矢印AR4にて示すように、ガラス基板81とポリイミド膜82との界面には、当該界面と平行な方向に沿ってポリイミド膜82がガラス基板81よりも大きく伸びようとするせん断応力が作用する。
In addition, the
このようなガラス基板81とポリイミド膜82との界面に沿ったせん断応力が作用することにより、その界面におけるガラス基板81とポリイミド膜82との結合力が低下することとなる。これにより、後述するステップS7の剥離工程におけるポリイミド膜82の剥離が極めて容易となる。すなわち、本発明に係る剥離補助装置1での処理は、ガラス基板81上に貼り付けられたポリイミド膜82の剥離を補助するものである。
When such a shearing stress along the interface between the
被処理体8に対するフラッシュ光照射が終了した後、排気機構50による排気が停止されるとともに、ガス供給機構40から処理空間15に窒素ガスが供給されてチャンバー10内が大気圧に復圧される(ステップS5)。その後、チャンバー10から処理後の被処理体8が搬出される(ステップS6)。これにより、剥離補助装置1における一連の剥離補助処理は完了する。
After the flash light irradiation on the
チャンバー10から搬出された被処理体8はポリイミド膜82の剥離処理に供される(ステップS7)。図5は、ガラス基板81から被剥離層たるポリイミド膜82を剥離する様子の一例を示す図である。ポリイミド膜82の端部を剥がして把持部材(図示省略)によって機械的に把持し、その把持部材が図5中の矢印にて示すように移動することによってポリイミド膜82がガラス基板81から剥離される。フラッシュ光照射時にガラス基板81とポリイミド膜82との界面に作用するせん断応力によって界面の結合力が低下し、ガラス基板81とポリイミド膜82との密着が脆弱になっているため、小さな応力にて簡単にポリイミド膜82をガラス基板81から剥離することができる。なお、把持部材に代えて、ポリイミド膜82の端部をドラムに巻き付け、そのドラムを回転させることによってポリイミド膜82をガラス基板81から剥離するようにしても良い。或いは、ベルヌーイチャックによってポリイミド膜82を吸引しつつガラス基板81から剥離するようにしても良い。
The
第1実施形態においては、線膨張係数が異なるガラス基板81とポリイミド膜82との界面にフラッシュ光を照射して加熱し、それらの熱膨張の程度が異なることを利用して当該界面と平行な方向に沿ってせん断応力を生じさせている。このせん断応力が作用することによってガラス基板81とポリイミド膜82との界面の結合力が低下し、それらの密着性が弱まる。このため、ステップS7の剥離工程では、被剥離層たるポリイミド膜82を小さな応力にて容易にガラス基板81から剥離することができる。従って、ポリイミド膜82およびそれに形成されたデバイス83に与える物理的なダメージを最小限に抑制しつつ、ポリイミド膜82を剥離することができる。
In the first embodiment, the interface between the
また、第1実施形態では、ガラス基板81とポリイミド膜82との界面の全面に対してフラッシュ光を一括して照射しているため、界面全面の結合力を均一に低下させて密着性を弱めることができる。照射時間が0.1ミリ秒以上100ミリ秒以下程度のフラッシュ光を一括照射すれば、従来のようにレーザー光をスキャン照射するのと比較して処理時間を顕著に短くすることもできる。
In the first embodiment, since the flash light is collectively irradiated to the entire surface of the interface between the
また、第1実施形態においては、フラッシュ光照射によるガラス基板81とポリイミド膜82との熱膨張の差異を利用して界面の結合力を低下させているため、従来のレーザー光照射によるアブレーションなどと比較してゴミの発生を少なく抑制することができる。すなわち、線膨張係数が異なるガラス基板81とポリイミド膜82との界面にフラッシュ光を照射することにより、被剥離層たるポリイミド膜82に与えるダメージを抑制しつつ、均一かつ清浄に被剥離層の剥離を補助することができるのである。
In the first embodiment, since the bonding force at the interface is reduced by utilizing the difference in thermal expansion between the
また、フラッシュ光照射による剥離補助は大気圧未満の雰囲気にて行われている。ガラス基板81とポリイミド膜82との界面にフラッシュ光を照射して加熱すると、その界面から微量のガスが発生する。被剥離層たるポリイミド膜82が貼り付けられたガラス基板81の周囲の雰囲気を減圧した状態にて界面にフラッシュ光を照射して微量のガスを発生させると、周囲が減圧状態であるためにそのガスの気泡が膨張することとなる。その結果、ガラス基板81とポリイミド膜82との密着性がさらに弱まり、被剥離層たるポリイミド膜82をより簡単にガラス基板81から剥離することができる。
Further, peeling assistance by flash light irradiation is performed in an atmosphere of less than atmospheric pressure. When the interface between the
さらに、第1実施形態においては、フラッシュ光照射前に、保持プレート20が内蔵するヒータ21によって、デバイス83に熱的ダメージを与えない程度の温度に被処理体8を加熱している。これにより、フラッシュ光照射時にガラス基板81とポリイミド膜82との界面の結合力が熱エネルギーによる補助を受けて低下することとなり、ガラス基板81とポリイミド膜82との密着性をさらに弱めることができる。
Furthermore, in the first embodiment, the object to be processed 8 is heated to a temperature at which the
<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図6は、第2実施形態の剥離補助装置1aの要部構成を示す図である。図6において、第1実施形態と同一の要素については、同一の符号を付している。
Second Embodiment
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 is a diagram illustrating a main configuration of the peeling assist
第2実施形態の剥離補助装置1aは、チャンバー10内に遮光板60を備える。図7は、遮光板60を上方から見た平面図である。遮光板60は、平面視矩形の板状部材であり、図示省略の支持部材によってチャンバー10内に固定設置されている。遮光板60は、フラッシュランプFLのフラッシュ光を透過しない材質(例えば、フラッシュ光に対する耐性に優れたアルミニウム等の金属材料)にて形成されている。遮光板60は、チャンバー10内にて保持プレート20よりも上方に設置されており、保持プレート20に保持される被処理体8の大部分を覆うように設けられている。
The peeling
第2実施形態では図7に示すように、保持プレート20に保持される矩形の被処理体8の端縁部のうち、一辺のみが上方のフラッシュ光源70に露出するように遮光板60が設けられている。ここで、被処理体8の端縁部とは、デバイス83が形成されている領域よりも外側の領域である。すなわち、デバイス83はガラス基板81上に貼り付けられたポリイミド膜82の全面にわたって形成されているものではなく、ポリイミド膜82の端部から内側に向けて所定幅の領域には形成されていない。このような、ポリイミド膜82の周縁のデバイス83が形成されていない不要な領域が端縁部であり、その幅は5mm〜10mmである。なお、デバイス83が形成されていないポリイミド膜82の端縁部に対応するガラス基板81の領域をガラス基板81の端縁部と称し、被処理体8の領域を被処理体8の端縁部と称する。
In the second embodiment, as shown in FIG. 7, a
また、第2実施形態においては、図6に示すように、フラッシュ光源70に1本のフラッシュランプFLを備えている。フラッシュランプFLの上方にはリフレクタ72が設けられている。第2実施形態のフラッシュランプFLは、遮光板60によって覆われていない被処理体8の端縁部の直上に設置されている。すなわち、フラッシュランプFLは、遮光板60から露出している被処理体8の端縁部に対向する位置のみに配置されている。このため、フラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光は、遮光板60によって覆われていない被処理体8の端縁部のみに照射されることとなる。
In the second embodiment, as shown in FIG. 6, the
遮光板60およびフラッシュ光源70を除く剥離補助装置1aの残余の構成については第1実施形態の剥離補助装置1と同じである。また、第2実施形態の剥離補助装置1aにおける処理手順も第1実施形態と概ね同様である(図2参照)。
The remaining configuration of the peeling assist
第2実施形態においては、ステップS4のフラッシュ光照射時に、フラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光の一部が遮光板60によって遮光され、保持プレート20に保持された被処理体8のうち遮光板60によって覆われていない端縁部のみにフラッシュ光が導かれて照射される。よって、フラッシュ光は、ガラス基板81とポリイミド膜82との界面のうちの端縁部のみに照射され、その端縁部のみが昇温されることとなる。端縁部にはデバイス83が形成されていないため、第2実施形態ではポリイミド膜82の端縁部表面が相当高温に加熱される程度に強いフラッシュ光を照射するようにしても良い。
In the second embodiment, a part of the flash light emitted from the flash lamp FL is shielded by the
ガラス基板81とポリイミド膜82とでは線膨張係数が異なるため、ガラス基板81とポリイミド膜82との界面の端縁部にフラッシュ光が照射されて加熱されると、それらの熱膨張の差異に起因したせん断応力が当該界面に作用する。このせん断応力が作用することによってガラス基板81とポリイミド膜82との界面端縁部の結合力が低下し、ポリイミド膜82の端縁部がガラス基板81から剥がれることとなる。また、第2実施形態においても、大気圧未満の減圧雰囲気にてフラッシュ光照射を行っているため、加熱により界面端縁部に生じた微量のガスの気泡が膨張してガラス基板81とポリイミド膜82との密着性がさらに弱まってポリイミド膜82の端縁部が確実に剥がれる。
Since the
その後、ステップS7の剥離工程では、フラッシュ光照射により剥がれたポリイミド膜82の端縁部を把持部材によって機械的に把持し、第1実施形態と同様にしてポリイミド膜82の全体をガラス基板81から剥離する。
Thereafter, in the peeling step of step S7, the edge portion of the
第2実施形態においては、遮光板60によってフラッシュ光の一部を遮光することにより、被処理体8の端縁部のみにフラッシュ光を照射してガラス基板81とポリイミド膜82との界面の端縁部のみを加熱している。一般に塗布法によって形成されたポリイミド膜82とガラス基板81との密着性は、中央部近傍よりも端縁部において強くなる傾向が認められる。従って、第2実施形態のように、フラッシュ光照射によりガラス基板81とポリイミド膜82との界面の端縁部のみを加熱して結合力を低下させ、ポリイミド膜82の端縁部をガラス基板81から剥がすようにすれば、ステップS7の剥離工程では、被剥離層たるポリイミド膜82を容易にガラス基板81から剥離することができる。
In the second embodiment, a part of the flash light is shielded by the
また、第1実施形態と同様に、フラッシュ光照射によるガラス基板81とポリイミド膜82との熱膨張の差異を利用して界面の結合力を低下させているため、従来のレーザー光照射によるアブレーションなどと比較してゴミの発生を少なく抑制することができる。よって、第2実施形態のようにしても、被剥離層たるポリイミド膜82に与えるダメージを抑制しつつ、清浄に被剥離層の剥離を補助することができる。
Further, as in the first embodiment, since the bonding force at the interface is reduced by utilizing the difference in thermal expansion between the
特に、第2実施形態においては、デバイス83が形成されていない不要領域である被処理体8の端縁部のみにフラッシュ光を照射して加熱しているため、デバイス83に熱的ダメージを与えることを確実に防止することができる。また、デバイス83に与える熱的ダメージを考慮する必要がないため、フラッシュランプFLの発光強度を相当に強くすることができ、フラッシュ光照射によってポリイミド膜82の端縁部を確実にガラス基板81から剥離することができる。
In particular, in the second embodiment, only the edge portion of the
<第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態について説明する。第3実施形態の剥離補助装置の構成は第1実施形態の剥離補助装置1と全く同じである。また、第3実施形態における処理手順も第1実施形態と概ね同様である(図2参照)。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment of the present invention will be described. The configuration of the peeling assist device of the third embodiment is exactly the same as that of the peeling assist
第3実施形態においては、チャンバー10内に被処理体8を搬入する前に、ガラス基板81の端縁部に黒色の光吸収層85を形成している。図8は、光吸収層85を形成した被処理体8をガラス基板81の側から見た平面図である。矩形の被処理体8の端縁部において、黒色の光吸収層85がガラス基板81の表面に形成されている。具体的には、例えば、ガラス基板81の表面端縁部に黒色の塗料を塗布して光吸収層85を形成すれば良い。なお、被処理体8の端縁部とは、第2実施形態と同様に、デバイス83が形成されている領域よりも外側の領域である。第3実施形態では、矩形の被処理体8の四辺全ての端縁部に光吸収層85が形成されている。
In the third embodiment, the black
このような端縁部に光吸収層85を形成した被処理体8がチャンバー10内に搬入されて保持プレート20に保持される。被処理体8は、ガラス基板81を上側に向けて保持プレート20に保持される。よって、被処理体8の端縁部に形成された光吸収層85も上側を向くこととなる。
The
第3実施形態においては、ステップS4のフラッシュ光照射時に、第1実施形態と同様に被処理体8の全面に対してフラッシュ光が照射される。図9は、第3実施形態における被処理体8にフラッシュ光が照射された状態を示す図である。チャンバー10の上方に設けられたフラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光は、被処理体8の上側から、つまりガラス基板81の側から照射される。光吸収層85は黒色であるため、受光したフラッシュ光を全波長域にわたって吸収する。このため、被処理体8の端縁部においては、フラッシュ光照射によって光吸収層85が著しく昇温し、その光吸収層85からの熱伝導によってガラス基板81とポリイミド膜82との界面の端縁部が集中的に加熱される。被処理体8の端縁部よりも内側の領域においては、第1実施形態と同様にガラス基板81を透過したフラッシュ光によってガラス基板81とポリイミド膜82との界面が加熱されることとなるが、黒色の光吸収層85を設けた界面端縁部の方が内側領域よりも強く加熱される。
In the third embodiment, at the time of flash light irradiation in step S4, the entire surface of the
ガラス基板81とポリイミド膜82とでは線膨張係数が異なるため、ガラス基板81とポリイミド膜82との界面にフラッシュ光が照射されて加熱されると、それらの熱膨張の差異に起因したせん断応力が当該界面に作用する。第3実施形態では、特に、ガラス基板81とポリイミド膜82との界面の端縁部が集中的に加熱されるため、当該界面の端縁部に強いせん断応力が作用する。この強いせん断応力が作用することによってガラス基板81とポリイミド膜82との界面端縁部の結合力が低下し、ポリイミド膜82の端縁部がガラス基板81から剥がれることとなる。また、第3実施形態においても、大気圧未満の減圧雰囲気にてフラッシュ光照射を行っているため、加熱により界面端縁部に生じた微量のガスの気泡が膨張してガラス基板81とポリイミド膜82との密着性がさらに弱まってポリイミド膜82の端縁部が確実に剥がれる。
Since the linear expansion coefficient is different between the
その後、ステップS7の剥離工程では、フラッシュ光照射により剥がれたポリイミド膜82の端縁部を把持部材によって機械的に把持し、第1実施形態と同様にしてポリイミド膜82の全体をガラス基板81から剥離する。
Thereafter, in the peeling step of step S7, the edge portion of the
第3実施形態においては、被処理体8のガラス基板81の端縁部に黒色の光吸収層85を形成し、その被処理体8に対してフラッシュランプFLからフラッシュ光を照射している。光吸収率の高い黒色の光吸収層85はフラッシュ光照射によって著しく昇温し、その光吸収層85からの熱伝導によってガラス基板81とポリイミド膜82との界面の端縁部が集中的に加熱される。既述したように、塗布法によって形成されたポリイミド膜82とガラス基板81との密着性は、中央部近傍よりも端縁部において強くなる傾向が認められる。従って、第3実施形態のように、フラッシュ光照射によりガラス基板81とポリイミド膜82との界面の端縁部を集中的に加熱して結合力を低下させ、ポリイミド膜82の端縁部をガラス基板81から剥がすようにすれば、ステップS7の剥離工程では、被剥離層たるポリイミド膜82を容易にガラス基板81から剥離することができる。
In the third embodiment, a black
また、第1実施形態と同様に、フラッシュ光照射によるガラス基板81とポリイミド膜82との熱膨張の差異を利用して界面の結合力を低下させているため、従来のレーザー光照射によるアブレーションなどと比較してゴミの発生を少なく抑制することができる。よって、第3実施形態のようにしても、被剥離層たるポリイミド膜82に与えるダメージを抑制しつつ、清浄に被剥離層の剥離を補助することができる。
Further, as in the first embodiment, since the bonding force at the interface is reduced by utilizing the difference in thermal expansion between the
<変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態においては、ガラス基板81上に貼り付けられたポリイミド膜82にデバイス83を形成したものを被処理体8としていたが、被処理体8はこれに限定されるものではなく、種々のバリエーションが可能である。
<Modification>
While the embodiments of the present invention have been described above, the present invention can be modified in various ways other than those described above without departing from the spirit of the present invention. For example, in each of the above-described embodiments, the
例えば、ポリイミド膜82に代えてPEN(ポリエチレンナフタレート)、PET(ポリエチレンテレフタレート)などの他の樹脂材料をガラス基板81に貼り付けたものを被処理体8とし、本発明に係る剥離補助装置1,1aによって樹脂層の剥離補助を行うようにしても良い。この場合であっても、フラッシュ光照射により線膨張係数が異なるガラス基板81と樹脂層との界面を加熱し、それらの熱膨張の程度が異なることを利用して当該界面と平行な方向に沿ってせん断応力を生じさせ、界面の結合力を低下させる。
For example, instead of the
また、ガラス基板81とポリイミド膜82等の樹脂層との間に介在層が挟み込まれていても良い。このような介在層としては、接着剤やアモルファスシリコン等の機能層が例示される。ガラス基板81と樹脂層との間に介在層が挟み込まれている場合であっても、フラッシュ光照射によって線膨張係数が異なる介在層と樹脂層との界面を加熱し、それらの熱膨張の程度が異なることを利用して界面にせん断応力を作用させて結合力を低下させることにより、被剥離層たる樹脂層の剥離補助を行うことができる。
An intervening layer may be sandwiched between the
また、第2実施形態においては、矩形の被処理体8の端縁部のうち、一辺のみが上方のフラッシュ光源70に露出するようにしていたが、端縁部の二辺以上がフラッシュ光源70に露出するように遮光板60を設けても良い。このようにしても、フラッシュ光照射によりガラス基板81とポリイミド膜82との界面の端縁部のみを加熱して結合力を低下させ、被剥離層たるポリイミド膜82を容易にガラス基板81から剥離することができる。
In the second embodiment, only one side of the edge of the
被処理体8の端縁部の二辺以上が露出するように遮光板60を設けた場合には、その露出した端縁部の形状に応じてフラッシュランプFLを配置すれば良い。例えば、矩形の被処理体8の四辺全ての端縁部が露出するように遮光板60を設けた場合には、フラッシュ光源70に4本のフラッシュランプFLを四角形に配置する。すなわち、遮光板60から露出している被処理体8の端縁部に対向する位置にフラッシュランプFLを配置する。
In the case where the
また、第2実施形態において、被処理体8の端縁部が露出するように遮光板60を設けるとともに、第1実施形態と同様の複数本のフラッシュランプFLを平行に配置したフラッシュ光源70を設けるようにしても良い。或いは、遮光板60を設けることなく、被処理体8の端縁部に対向する位置のみにフラッシュランプFLを配置するようにしても良い。
In the second embodiment, a
また、第3実施形態においては、矩形の被処理体8の四辺全ての端縁部に光吸収層85を形成していたが、端縁部の一辺以上に光吸収層85を形成すれば良い。このようにしても、光吸収層85がフラッシュ光照射によって著しく昇温し、その光吸収層85からの熱伝導によってガラス基板81とポリイミド膜82との界面の端縁部が集中的に加熱されて結合力が低下され、被剥離層たるポリイミド膜82を容易にガラス基板81から剥離することができる。
Further, in the third embodiment, the
また、第3実施形態においては、ガラス基板81の端縁部に光吸収層85を形成するようにしていたが、これに代えて、ポリイミド膜82の端縁部に黒色の光吸収層85を形成するようにしても良い。或いは、ガラス基板81およびポリイミド膜82の双方の端縁部に黒色の光吸収層85を形成するようにしても良い。
In the third embodiment, the
また、第3実施形態において、光吸収層85は黒色に限定されるものではなく、フラッシュ光の吸収率が所定値以上となる色に着色されていれば良い。
Further, in the third embodiment, the
また、フラッシュ光源70に設ける複数のフラッシュランプFLの配置面積を被処理体8より十分に大きなものとすることによって、被処理体8の端縁部におけるフラッシュ光の照度を端縁部よりも内側の領域より大きくするようにしても良い。すなわち、複数のフラッシュランプFLの配置面積が被処理体8より十分に大きければ、被処理体8の端縁部に影響を与えるフラッシュランプFLの本数が増えることとなり、端縁部におけるフラッシュ光の照度が相対的に増加することとなる。このようにすれば、第3実施形態と同様に、フラッシュ光照射によってガラス基板81とポリイミド膜82との界面の端縁部が集中的に加熱されることとなり、その界面の結合力を低下させて被剥離層たるポリイミド膜82を容易にガラス基板81から剥離することができる。このような被処理体8の端縁部における照度増加効果を得るためには、複数のフラッシュランプFLの配置面積を被処理体8の面積の1.2倍以上とする必要がある。
Further, by making the arrangement area of the plurality of flash lamps FL provided in the
また、第2実施形態と第3実施形態とを組み合わせるようにしても良い。すなわち、第2実施形態の遮光板60から露出した被処理体8の端縁部に第3実施形態の黒色の光吸収層85を形成するようにしても良い。
Further, the second embodiment and the third embodiment may be combined. That is, the black
また、上記実施形態においては、保持プレート20に内蔵されたヒータ21によってフラッシュ光照射前に被処理体8を加熱するようにしていたが、ヒータ21に代えてハロゲンランプによって被処理体8を加熱するようにしても良い。複数の支持ピン22によって支持される被処理体8と保持プレート20の上面との間隔が大きい場合にはハロゲンランプによる加熱が好ましく、樹脂層が透明である場合にはヒータ21によって加熱するのが好ましい。また、フラッシュ光照射のみによって界面の結合力を十分に低下できる場合には、フラッシュ光照射前の加熱は必須ではない。
In the above embodiment, the object to be processed 8 is heated by the
また、上記実施形態では、フラッシュ光源70にキセノンのフラッシュランプFLを備えていたが、これに代えてクリプトンなどの他の希ガスのフラッシュランプを用いるようにしても良い。
In the above embodiment, the
本発明に係る剥離補助方法および剥離補助装置は、基板上に被剥離層を貼り付けた種々の被処理体に適用することができ、特に電子ペーパーなどに用いられるフレキシブルデバイス、フレキシブルディスプレイ、フラットパネルディスプレイ(FPD)、電子機器、太陽電池、燃料電池、半導体デバイスなどに好適に利用することができる。 The peeling assistance method and the peeling assistance apparatus according to the present invention can be applied to various objects to be peeled on a substrate, and in particular, flexible devices, flexible displays, and flat panels used for electronic paper and the like. It can be suitably used for displays (FPD), electronic devices, solar cells, fuel cells, semiconductor devices, and the like.
1,1a 剥離補助装置
3 制御部
8 被処理体
10 チャンバー
15 処理空間
18 チャンバー窓
20 保持プレート
21 ヒータ
22 支持ピン
40 ガス供給機構
50 排気機構
60 遮光板
70 フラッシュ光源
72 リフレクタ
81 ガラス基板
82 ポリイミド膜
83 デバイス
85 光吸収層
FL フラッシュランプ
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記基板の線膨張係数と前記被剥離層の線膨張係数とは異なり、
前記基板の側からフラッシュ光を照射して前記基板と前記被剥離層との界面に、当該界面と平行な方向のせん断応力を作用させることによって前記界面の結合力を低下させることを特徴とする剥離補助方法。 A peeling assist method for assisting in peeling of a layer to be peeled attached on a substrate that transmits flash light,
Unlike the linear expansion coefficient of the substrate and the linear expansion coefficient of the layer to be peeled,
The bonding force of the interface is reduced by irradiating flash light from the substrate side and applying a shear stress in a direction parallel to the interface to the interface between the substrate and the layer to be peeled. Peeling assist method.
前記基板および前記被剥離層の端縁部のみにフラッシュ光を照射することを特徴とする剥離補助方法。 In the peeling assistance method of Claim 1,
A peeling assist method, wherein flash light is irradiated only on an edge portion of the substrate and the layer to be peeled.
前記基板および/または前記被剥離層の端縁部にフラッシュ光の吸収率が所定値以上の光吸収層を設けることを特徴とする剥離補助方法。 In the peeling assistance method of Claim 1,
A peeling assisting method comprising providing a light absorption layer having a flash light absorption rate of a predetermined value or more at an edge of the substrate and / or the layer to be peeled.
前記被剥離層が貼り付けられた前記基板の周囲の雰囲気を減圧し、前記界面に存在する気泡を膨張させることを特徴とする剥離補助方法。 In the peeling auxiliary | assistance method in any one of Claims 1-3,
An exfoliation assisting method, comprising: depressurizing an atmosphere around the substrate to which the layer to be peeled is attached and expanding bubbles present at the interface.
前記基板はガラス基板であり、
前記被剥離層は樹脂層であることを特徴とする剥離補助方法。 In the peeling assistance method in any one of Claims 1-4,
The substrate is a glass substrate;
The peeling assist method, wherein the layer to be peeled is a resin layer.
前記基板の線膨張係数と前記被剥離層の線膨張係数とは異なり、
前記基板および前記被剥離層を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて、前記被剥離層が貼り付けられた前記基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された前記基板および前記被剥離層に対して前記基板の側からフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
前記フラッシュランプから出射されたフラッシュ光の一部を遮光して前記基板および前記被剥離層の端縁部のみにフラッシュ光を導く遮光部材と、
を備えることを特徴とする剥離補助装置。 A peeling auxiliary device for assisting in peeling of a layer to be peeled that is attached on a substrate that transmits flash light,
Unlike the linear expansion coefficient of the substrate and the linear expansion coefficient of the layer to be peeled,
A chamber for housing the substrate and the layer to be peeled;
In the chamber, a holding unit for holding the substrate to which the layer to be peeled is attached,
A flash lamp that irradiates flash light from the substrate side to the substrate and the layer to be peeled held by the holding unit;
A light shielding member that shields a part of the flash light emitted from the flash lamp and guides the flash light only to an edge portion of the substrate and the peeled layer;
A peeling assisting device comprising:
前記基板および前記被剥離層の前記端縁部に対向する位置のみにフラッシュランプを配置することを特徴とする剥離補助装置。 The peeling auxiliary device according to claim 6,
A peeling assisting device, wherein a flash lamp is disposed only at a position facing the edge of the substrate and the layer to be peeled.
前記チャンバー内の雰囲気を減圧する減圧手段をさらに備えることを特徴とする剥離補助装置。 In the peeling auxiliary | assistance apparatus of Claim 6 or Claim 7,
An exfoliation assisting device, further comprising decompression means for decompressing the atmosphere in the chamber.
前記基板はガラス基板であり、
前記被剥離層は樹脂層であることを特徴とする剥離補助装置。 In the peeling auxiliary device according to any one of claims 6 to 8,
The substrate is a glass substrate;
The peeling assisting device, wherein the peelable layer is a resin layer.
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