JP2014170066A - 光学体、撮像装置、電子機器、および原盤 - Google Patents

Abstract

【課題】可視光の波長以下の波長を持つ波面が、頂部および底部間に凹状に湾曲した曲面を含む場合であっても、反射防止特性を向上できる光学体を提供する。
【解決手段】反射防止機能を有する光学体は、可視光の波長以下の波長を持つ波面を有する。波面は、頂部および底部間に凹状に湾曲した曲面を有する。波面の振動方向に垂直な平面で切断した断面の面積の変曲点は、振動の中心よりも波面の底部寄りに位置している。
【選択図】図１

Description

本技術は、光学体、撮像装置、電子機器、および原盤に関する。詳しくは、反射防止機能を有する光学体に関する。

反射防止技術として、多層のコーティング膜またはナノ構造体を表面に形成することで、表面反射を抑制する技術が知られている。これらの技術のうちでも、ナノ構造体を表面に形成する技術は、比較的広帯域で反射防止を実現できるため、近年特に注目されている。

特許文献１には、複数のナノ構造体を基体表面に２次元配列し、基体表面に波面を形成することにより、表面反射を抑制する技術が記載されている。ナノ構造体としては、基体表面に対して凸状を有するナノ構造体（例えば図２参照）、および基体表面に対して凹状を有するナノ構造体（孔部）（例えば図１８参照）が開示されている。

従来、基体表面に対して凸状を有するナノ構造体に関しては、反射防止特性を向上することができる形状について種々検討されている。しかしながら、基体表面に対して凹状を有するナノ構造体（孔部）に関しても反射防止特性の向上が求められ、このような凹状のナノ構造体により構成される波面のうちでも特に、頂部および底部間に凹状に湾曲した曲面を含む波面について、反射防止特性の向上が望まれる。

特許第４４０４１６１号公報

したがって、本技術の目的は、可視光の波長以下の波長を持つ波面が、頂部および底部間に凹状に湾曲した曲面を含む場合であっても、反射防止特性を向上できる光学体、撮像装置、電子機器、および原盤を提供することにある。

上述の課題を解決するために、第１の技術は、
可視光の波長以下の波長を持つ波面を有し、
波面は、頂部および底部間に凹状に湾曲した曲面を有し、
波面の振動方向に垂直な平面で切断した断面の面積の変曲点は、振動の中心よりも波面の底部寄りに位置している、反射防止機能を有する光学体である。

第２の技術は、
可視光の波長以下の波長を持つ波面を有し、
波面は、頂部および底部間に凸状に湾曲した曲面を有し、
波面の振動方向に垂直な平面で切断した断面の面積の変曲点は、振動の中心よりも波面の頂部寄りに位置している原盤である。

第３の技術は、
反射防止機能を有する光学体が設けられた光学系を備え、
光学体は、
可視光の波長以下の波長を持つ波面を有し、
波面は、頂部および底部間に凹状に湾曲した曲面を有し、
波面の振動方向に垂直な平面で切断した断面の面積の変曲点は、振動の中心よりも波面の底部寄りに位置している撮像装置である。

第４の技術は、
反射防止機能を有する光学体が設けられた表示装置を備え、
光学体は、
可視光の波長以下の波長を持つ波面を有し、
波面は、頂部および底部間に凹状に湾曲した曲面を有し、
波面の振動方向に垂直な平面で切断した断面の面積の変曲点は、振動の中心よりも波面の底部寄りに位置している電子機器である。

第１、第３および第４の技術では、光学体に可視光の波長以下の波長を持つ波面を設け、その波面の振動方向に垂直な平面で切断した断面の面積Ｓの変曲点を、振動の中心よりも波面の底部寄りに位置させている。したがって、波面が頂点および底点間に凹状の曲面を有する場合であっても、反射防止特性を向上できる。

第２の技術では、原盤に可視光の波長以下の波長を持つ波面を設け、その波面の振動方向に垂直な平面で切断した断面の面積の変曲点を、振動の中心よりも波面の頂部寄りに位置させている。したがって、振動方向に垂直な平面で切断した断面の面積Ｓの変曲点が、振動の中心よりも波面の底部寄りに位置する波面を、原盤の転写により成形することができる。

以上説明したように、本技術によれば、波面が頂点および底点間に凹状の曲面を有する場合であっても、反射防止特性を向上できる。

図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る光学体の構成の一例を示す平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示した光学体の表面の一部を拡大して表す斜視図である。 図２Ａは、図１Ａに示した光学体の表面の一部を拡大して表す平面図である。図２Ｂは、図２ＡのＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図２Ｃは、図２ＡのＣ−Ｃ線に沿った断面図である。 図３は、図２Ｂの一部を拡大して表す断面図である。 図４は、光学体の波面の振幅Ａに対する波面の断面の面積Ｓの変化を示す図である。 図５Ａは、本技術の第１の実施形態に係る複製原盤の構成の一例を示す平面図である。図５Ｂは、図５Ａに示した複製原盤の表面の一部を拡大して表す斜視図である。 図６Ａは、図５Ａに示した複製原盤の表面の一部を拡大して表す平面図である。図６Ｂは、図６ＡのＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図６Ｃは、図６ＡのＣ−Ｃ線に沿った断面図である。 図７は、図６Ｂの一部を拡大して表す断面図である。 図８は、複製原盤の波面の振幅Ａに対する波面の断面の面積Ｓの変化を示す図である。 図９Ａは、ロール原盤の構成の一例を示す斜視図である。図９Ｂは、図９Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す平面図である。図９Ｃは、図９ＢのＣ−Ｃ線に沿った断面図である。図９Ｄは、図９ＢのＤ−Ｄ線に沿った断面図である。 図１０は、ロール原盤を作製するためのロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。 図１１Ａ〜図１１Ｃは、本技術の第１の実施形態に係る光学体の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１２Ａ〜図１２Ｃは、本技術の第１の実施形態に係る光学体の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１３Ａ〜図１３Ｄは、本技術の第１の実施形態に係る光学体の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１４Ａは、第１の変形例に係る光学体の一構成例を示す断面図である。図１４Ｂは、第２の変形例に係る複製原盤の一構成例を示す断面図である。 図１５は、第２の変形例に係る光学体の一構成例を示す断面図である。 図１６は、本技術の第２の実施形態に係る撮像装置の構成の一例を示す概略図である。 図１７は、本技術の第３の実施形態に係る撮像装置の構成の一例を示す概略図である。 図１８は、本技術の第４の実施形態に係る表示装置の一構成例を示す斜視図である。 図１９Ａは、本技術の第５の実施形態に係る表示装置の一構成例を示す斜視図である。図１９Ｂは、変形例に係る表示装置の一構成例を示す分解斜視図である。 図２０Ａは、テレビ装置の例を示す外観図である。図２０Ｂは、ノート型パーソナルコンピュータの例を示す外観図である。 図２１Ａは、携帯電話の一例を示す外観図である。図２１Ｂは、タブレット型コンピュータの一例を示す外観図である。 図２２は、実施例１−１〜１−４、２−１〜２−５、比較例１、２の複製原盤の無機層の厚さと光学シートの平均反射率との関係を示す図である。 図２３は、実施例１−１、１−２、比較例３、４の光学シートの反射スペクトルを示す図である。

＜概要＞
本発明者らは上述の課題を解決すべく鋭意検討を行った。波面が頂部および底部間に凹状に湾曲した曲面を含む場合には、波面が頂部および底部間に凸状に湾曲した曲面を含む場合に比して、広帯域（例えば可視域全体）で反射率の上昇を抑制することは困難となり、反射防止特性が低下する。

本発明者らの知見によれば、波面の波長λに対する振動の幅ａの比率（ａ／λ）（すなわち波面の振動の幅ａ）を大きくすることで、広帯域で反射率の上昇を抑制することができる。しかしながら、このような抑制が可能となるように比率（ａ／λ）を大きくすることは、シミュレーション上では可能であるが、実際の光学体の作製プロセスでは困難である。

なお、多層のコーティング膜でも、広帯域で反射率の上昇を抑制することは困難である。多層のコーティング膜において帯域を広くしようとすると、コーティング膜の積層数が増えてしまう。このため、コスト、スループットおよび膜応力の観点で、多層のコーティング膜において高帯域化を実現することは困難である。

そこで、本発明者らは、実際の光学体の作製プロセスでも実現可能な比率（ａ／λ）の範囲で、広帯域で反射率を抑制する技術について鋭意検討を行った。その結果、光学体の波面の形状をコントロールして、波面の振動方向に垂直な平面で切断した断面の面積Ｓの変曲点を、振動の中心よりも波面の底部寄りに位置させる構成を見出すに至った。
また、光学体の波面の形状をコントロールする方法としては、原盤（マスター）の成形面（波面）に表面層を成膜し、成形面の形状に補正を施し、この補正を施した原盤からレプリカとしての光学体を取る技術を見出すに至った。

＜実施形態＞
本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態（反射防止機能を有する光学体の例）
２．第２の実施形態（撮像装置の例）
３．第３の実施形態（撮像装置の例）
４．第４の実施形態（表示装置の例）
５．第５の実施形態（表示装置の例）
６．第６の実施形態（電子機器の例）

＜１．第１の実施形態＞
［光学体の構成］
図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る光学体の構成の一例を示す平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示した光学体の表面の一部を拡大して表す斜視図である。図２Ａは、図１Ａに示した光学体の表面の一部を拡大して表す平面図である。図２Ｂは、図２ＡのＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図２Ｃは、図２ＡのＣ−Ｃ線に沿った断面図である。本明細書では、光学体１の表面の面内で互いに直交する２方向をそれぞれＸ軸方向、およびＹ軸方向と称し、その表面に垂直な方向をＺ軸方向と称する。また、光学体１の面内（ＸＹ平面内）においてＸ軸方向に対して所定の角度θをなす方向をθ方向と称する。

光学体１は、反射防止機能を有する光学体であり、光が入射する表面に適用して好適なものである。より具体的には、光学体１は、光学素子、光学系、光学機器、撮像装置および電子機器などの表面に適用して好適なものである。光学素子としては、例えば、レンズ、フィルタ、半透過型ミラー、調光素子、プリズム、偏光素子などが挙げられるが、これに限定されるものではない。撮像装置としては、例えば、カメラ、ビデオカメラなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。光学機器としては、例えば、望遠鏡、顕微鏡、露光装置、測定装置、検査装置、分析機器などが挙げられるが、これに限定されるものではない。電子機器としては、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、タッチパネル（入力装置）、表示装置、テレビ装置、パーソナルコンピュータ、携帯電話、タブレット型コンピュータなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。

光学体１は、少なくとも一方の表面に波面Ｓｗを有する。なお、図２Ｂおよび図２Ｃでは、光学体１が一方の表面に波面Ｓｗを有する構成例が示されている。光学体１は、形状層３を備える。光学体１が、必要に応じて基体２をさらに備え、この基体２の少なくとも一方の表面に形状層３を設けるようにしてもよい。形状層３を単独で光学体１とする構成を採用する場合には、形状層３はレンズやフィルタなどの光学部材の表面に直接的に設けることが好ましい。光学体１は可撓性を有していることが好ましい。これにより、表示面や入力面などの表面に対して光学体１の適用が容易となるからである。

（基体）
基体２は、例えば、透明性を有する基体である。基体２の材料としては、例えば、プラスチック材料などの有機材料、ガラスなどの無機材料を用いることができ、耐光性の観点からすると、ガラスなどの無機材料を用いることが好ましい。

ガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなど（「化学便覧」基礎編、P.I-537、日本化学会編参照）が用いられる。プラスチック材料としては、透明性、屈折率、および分散などの光学特性、さらには耐衝撃性、耐熱性、および耐久性などの諸特性の観点から、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（CR-39）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体および共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）、シクロオレフィンコポリマーなどが好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。

基体２としてプラスチック材料を用いる場合、プラスチック表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性、平面性などをより改善するために、表面処理として下塗り層を設けるようにしてもよい。この下塗り層としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタンなどが挙げられる。また、下塗り層を設けるのと同様の効果を得るために、基体２の表面に対してコロナ放電、ＵＶ照射処理などを行うようにしてもよい。

基体２の形状としては、例えば、フィルム状、板状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、フィルム状にはシート状が含まれるものと定義する。基体２の厚さは、例えば２５μｍ〜５００μｍ程度である。基体２がプラスチックフィルムである場合には、基体２は、例えば、上述の樹脂を伸延、または溶剤に希釈後フィルム状に成膜して乾燥するなどの方法で得ることができる。基体２が、光学体１の適用対象となる部材や機器などの構成要素であってもよい。

基体２の表面形状は平面に限定されるものではなく、凹凸面、多角形面、曲面またはこれらの形状の組み合わせであってもよい。曲面としては、例えば、部分球面、部分楕円面、部分放物面、自由曲面などが挙げられる。ここで、部分球面、部分楕円面、部分放物面はそれぞれ、球面、楕円面、放物面の一部の面のことを意味する。

（形状層）
形状層３は、例えば、透明性を有している。形状層３は、例えば、エネルギー線硬化性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物および熱可塑性樹脂組成物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる。形状層３は、必要に応じて、重合開始剤、光安定剤、紫外線吸収剤、触媒、帯電防止剤、滑剤、レベリング剤、消泡剤、重合促進剤、酸化防止剤、難燃剤、赤外線吸収剤、界面活性剤、表面改質剤、チキソトロピー剤、可塑剤などの添加剤をさらに含んでいてもよい。

形状層３は、３次元的な波面Ｓｗを有している。この波面Ｓｗにより、光学体１の表面に反射防止機能を付与することができる。なお、図２Ｂおよび図２Ｃでは、光学体１の一方の表面に波面Ｓｗが設けられた例が示されている。

波面Ｓｗは、例えば、光学体１の面内方向（ＸＹ平面の面内方向）に周期性を有している。図２Ａ〜図２Ｃでは、波面Ｓｗは、例えば、Ｘ軸方向およびθ方向に周期性を有する例が示されている。波面Ｓｗの波長λは、光学体１の面内方向（ＸＹ平面の面内方向）で異方性を有していてもよい。図２Ａ〜図２Ｃでは、波面Ｓｗの波長λがＸ軸方向およびθ方向に異方性を有し、Ｘ軸方向の波長λが波長λ１であり、θ方向の波長λが波長λ２である例が示されている。Ｘ軸方向の波長λ１、θ方向の波長λ２は、例えば、λ１＞λ２の関係を満たす。波面Ｓｗの振動の幅ａは、光学体１の面内方向（ＸＹ平面の面内方向）で異方性を有していてもよい。図２Ｂ、図２Ｃでは、波面Ｓｗの振動の幅ａがＸ軸方向およびθ方向に異方性を有し、Ｘ軸方向の振動の幅ａが幅ａ１であり、θ方向の振動の幅ａが幅ａ２である例が示されている。Ｘ軸方向の振動の幅ａ１、θ方向の振動の幅ａ２は、例えば、ａ１＜ａ２の関係を満たす。

波面Ｓｗの波長λは、好ましくは可視光の波長以下である。波面Ｓｗの波長λが可視光の波長以下であると、可視光に対する反射防止機能を光学体１の表面に付与することができる。ここで、波面Ｓｗの波長λが異方性を有する場合には、波面Ｓｗの波長λとは、波面Ｓｗの最長波長を意味するものとする。図２Ａ〜図２Ｃに示すように、Ｘ軸方向の波長λが波長λ１であり、θ方向の波長λが波長λ２（＜λ１）である場合、波面Ｓｗの波長λとは、波面Ｓｗの最長波長であるＸ軸方向の波長λ１を意味する。また、可視光の波長λとは、３６０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の波長帯域の波長をいう。

波面Ｓｗの波長λは、好ましくは１３０ｎｍ以上である。波面Ｓｗの波長λが１３０ｎｍ以上であると、良好な形状を作製できる。ここで、波面Ｓｗの波長λが異方性を有する場合には、波面Ｓｗの波長λとは、波面Ｓｗの最短波長を意味するものとする。図２Ａ〜図２Ｃに示すように、Ｘ軸方向の波長λが波長λ１であり、θ方向の波長λが波長λ２（＜λ１）である場合、波面Ｓｗの波長λとは、波面Ｓｗの最短波長であるθ方向の波長λ２を意味する。

波面Ｓｗの振動の幅ａは、好ましくは１３０ｎｍ以上である。波面Ｓｗの振動の幅ａが１３０ｎｍ以上であると、良好な形状を作製できる。ここで、波面Ｓｗの振動の幅ａが異方性を有する場合には、波面Ｓｗの振動の幅ａとは、波面Ｓｗの最小の振動の幅を意味するものとする。図２Ｂ、図２Ｃに示すように、Ｘ軸方向の振動の幅ａが振動の幅ａ１であり、θ方向の振動の幅ａが振動の幅ａ２（＞ａ１）である場合、波面Ｓｗの振動の幅ａとは、波面Ｓｗの最小の振動の幅であるＸ軸方向の振動の幅ａ１を意味する。

波面Ｓｗの振動の幅ａは、好ましくは４００ｎｍ以下である。波面Ｓｗの振動の幅ａが４００ｎｍ以下であると、回折光の発生を抑制できる。ここで、波面Ｓｗの振動の幅ａが異方性を有する場合には、波面Ｓｗの振動の幅ａとは、波面Ｓｗの最大の振動の幅を意味するものとする。図２Ｂ、図２Ｃに示すように、Ｘ軸方向の振動の幅ａが振動の幅ａ１であり、θ方向の振動の幅ａが振動の幅ａ２（＞ａ１）である場合、波面Ｓｗの振動の幅ａとは、波面Ｓｗの最大の振動の幅であるθ方向の振動の幅ａ２を意味する。

図３は、図２Ｂの一部を拡大して表す断面図である。波面Ｓｗは、その頂部Ｐｔおよび底部Ｐｂの間に光学体１の表面に対して凹状に湾曲した曲面ｃを有している。この曲面ｃの傾きは、頂部Ｐｔから底部Ｐｂに向かって緩やかになることが好ましい。ここで、曲面ｃの傾きとは、波面Ｓｗの底点を含み、かつ、波面Ｓｗの振動方向（Ｚ軸方向）に平行な平面で波面Ｓｗを切断したときの断面の形状（すなわち断面プロファイル）の傾きである。

図４は、光学体の波面の振幅Ａに対する波面の断面の面積Ｓの変化を示す図である。図４では、波面Ｓｗの振動の最小位置Ｐ_minを基準値「０」とし、波面Ｓｗの振動の最大位置Ｐ_maxを「＋ａ」としている。波面Ｓｗの振動の最大位置Ｐ_maxとは、光学体１の表面（ＸＹ平面）において波面Ｓｗが最も高くなる位置を意味する。波面Ｓｗの振動の最小位置Ｐ_minとは、光学体１の表面（ＸＹ平面）において波面Ｓｗが最も低くなる位置を意味する。

ここで、図３に示すように、波面Ｓｗをその振動方向に垂直な平面で切断した断面の面積を面積Ｓと定義する。断面の面積Ｓの変曲点Ｐｉは、図４に示すように、波面Ｓｗの振動の方向に対して変化を有している。断面の面積Ｓの変曲点Ｐｉは、波面Ｓｗの振動の中心よりも波面Ｓｗの底部Ｐｂ寄りに位置している。これにより、波面Ｓｗが頂部Ｐｔおよび底部Ｐｂの間に凹状に湾曲した曲面ｃを含む場合であっても、反射防止特性を向上できる。なお、波面Ｓｗの振動の中心は、波面Ｓｗの振動の最小位置_minを基準としてＺ軸方向に向かってａ／２の位置である。また、波面Ｓｗの振動方向とは、ＸＹ平面に対して垂直なＺ軸方向である。

波面Ｓｗの振動の最大位置Ｐ_maxから−Ｚ軸方向に向けてａ／１０（但し、ａは波面Ｓｗの振動の幅である。）の位置までの範囲の波面要素の体積ｖａと、波面Ｓｗの振動の最小位置Ｐ_minから＋Ｚ軸方向に向けてａ／１０の位置までの範囲の波面要素の体積ｖｂとは、ｖａ＜ｖｂの関係を満たしていることが好ましい。このような関係を満たすことで、反射防止の性能を向上できる。ここで、波面Ｓｗが設けられた表面側から見て、波面Ｓｗから遠ざかる方向を「＋Ｚ軸方向」とし、波面Ｓｗに対して近づく方向を「−Ｚ軸方向」とする。

波面Ｓｗの最小位置Ｐ_minから波面Ｓｗの振動の最大位置Ｐ_maxまでの範囲の波面要素の体積を体積Ｖと定義すると、体積Ｖに対する体積ｖａの比率Ｒ（＝（ｖａ／Ｖ）×１００）は、１０％以下であることが好ましい。比率Ｒを１０％以下にすることで、反射防止の性能を向上できる。

波面Ｓｗは、図１Ｂに示すように、可視光の波長以下のピッチで複数の孔部４を２次元配列することにより構成されている。光学体１が基体２を備える場合には、孔部４と基体２との間に中間層５を備えるようにしてもよい。孔部４は、図２Ａに示すように、光学体１の表面において複数列のトラックＴ１，Ｔ２，Ｔ３，・・・（以下総称して「トラックＴ」ともいう。）をなすような配置形態を有する。本明細書において、トラックとは、孔部４が列をなして直線状に連なった部分のことをいう。また、列方向とは、基体２の表面（ＸＹ面）において、トラックの延在方向（Ｘ方向）に直交する方向のことをいう。

孔部４は、隣接する２つのトラックＴ間において、半ピッチずれた位置に配置されている。具体的には、隣接する２つのトラックＴ間において、一方のトラック（例えばＴ１）に配列された孔部４の中間位置（半ピッチずれた位置）に、他方のトラック（例えばＴ２）の孔部４が配置されている。その結果、図２Ａに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に孔部４の中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように孔部４が配置されている。ここで、六方格子とは、正六角形状の格子のことをいう。準六方格子とは、正六角形状の格子とは異なり、歪んだ正六角形状の格子のことをいう。例えば、孔部４が直線状に配置されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた六方格子のことをいう。孔部４が蛇行して配列されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を孔部４の蛇行配列により歪ませた六方格子、または正六角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、孔部４の蛇行配列により歪ませた六方格子のことをいう。

孔部４が準六方格子パターンを形成するように配置されている場合には、図２Ａに示すように、同一トラック（例えばＴ１）内における孔部４の配置ピッチｐ１（ａ１−ａ２間距離）は、隣接する２つのトラック（例えばＴ１およびＴ２）間における孔部４の配置ピッチ、すなわちトラックの延在方向（Ｘ軸方向）に対して±θ方向における孔部４の配置ピッチｐ２（例えばａ１−ａ７、ａ２−ａ７間距離）よりも長くなっているようにしてもよい。

孔部４が、成形の容易さの観点から、錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。孔部４が、軸対称な錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。

後述の製造方法を用いて光学体１を作製する観点からすると、孔部４は、トラックの延在方向（Ｘ軸方向）の幅がこの延在方向とは直交する列方向（Ｙ軸方向）の幅よりも大きい底面を有する錐体形状であることが好ましい。具体的には、孔部４は、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵形の錐体構造で、頂部が曲面である楕円錐形状であることが好ましい。

図１Ａ〜図２Ｃでは、各孔部４は、それぞれ同一の形状を有しているが、孔部４の形状はこれに限定されるものではなく、基体表面に２種以上の形状の孔部４が形成されていてもよい。

孔部４は、例えば、光学体１の面内方向（ＸＹ平面の面内方向）に所定の方向に所定の配置ピッチで設けられている。図２Ａ〜図２Ｃでは、孔部４は、例えば、Ｘ軸方向およびθ方向に所定の配置ピッチで設けられた例が示されている。孔部４の配置ピッチｐは、光学体１の面内方向（ＸＹ平面の面内方向）で異方性を有していてもよい。図２Ａ〜図２Ｃでは、孔部４の配置ピッチｐがＸ軸方向およびθ方向に異方性を有し、Ｘ軸方向の配置ピッチｐが配置ピッチｐ１であり、θ方向の配置ピッチｐが配置ピッチｐ２である例が示されている。配置ピッチｐ１、ｐ２は、例えばｐ１＞ｐ２の関係を満たしている。孔部４の深さｄは、光学体１の面内方向（ＸＹ平面の面内方向）で異方性を有していてもよい。図２Ｂ、図２Ｃでは、孔部４の深さｄがＸ軸方向およびθ方向に異方性を有し、Ｘ軸方向の孔部４の深さｄが深さｄ１であり、θ方向の孔部４の深さｄが深さｄ２である例が示されている。孔部４の深さｄ１、ｄ２は、例えばｄ１＜ｄ２の関係を満たしている。

孔部４の配置ピッチｐは、好ましくは可視光の波長以下である。孔部４の配置ピッチｐが可視光の波長以下であると、可視光に対する反射防止機能を光学体１の表面に付与することができる。ここで、孔部４の配置ピッチｐが異方性を有する場合には、孔部４の配置ピッチｐとは、孔部４の最大配置ピッチを意味するものとする。図２Ａ〜図２Ｃに示すように、Ｘ軸方向の配置ピッチｐが配置ピッチｐ１であり、θ方向の配置ピッチｐが配置ピッチｐ２（＜ｐ１）である場合、孔部４の配置ピッチｐとは、孔部４の最大配置ピッチであるＸ軸方向の配置ピッチｐ１を意味する。

孔部４の配置ピッチｐは、好ましくは１３０ｎｍ以上である。孔部４の配置ピッチｐが１３０ｎｍ以上であると、良好な形状を作製できる。ここで、孔部４の配置ピッチｐが異方性を有する場合には、孔部４の配置ピッチｐとは、孔部４の最小配置ピッチを意味するものとする。図２Ａ〜図２Ｃに示すように、Ｘ軸方向の配置ピッチｐが配置ピッチｐ１であり、θ方向の配置ピッチｐが配置ピッチｐ２（＜ｐ１）である場合、孔部４の配置ピッチｐとは、孔部４の最小配置ピッチであるθ方向の配置ピッチｐ２を意味する。

孔部４の深さｄは、好ましくは１３０ｎｍ以上である。孔部４の深さｄが１３０ｎｍ以上であると、良好な形状を作製できる。ここで、孔部４の深さｄが異方性を有する場合には、孔部４の深さｄとは、孔部４の最小の深さｄを意味するものとする。図２Ｂ、図２Ｃに示すように、Ｘ軸方向の孔部４の深さｄが孔部４の深さｄ１であり、θ方向の孔部４の深さｄが孔部４の深さｄ２（＞ｄ１）である場合、孔部４の深さｄａとは、孔部４の最小の深さｄであるＸ軸方向の孔部４の深さｄ１を意味する。

孔部４の深さｄは、好ましくは４００ｎｍ以下である。孔部４の深さｄが４００ｎｍ以下であると、回折光の発生を抑制できる。ここで、孔部４の深さｄが異方性を有する場合には、孔部４の深さｄとは、孔部４の最大の深さｄを意味するものとする。図２Ｂ、図２Ｃに示すように、Ｘ軸方向の孔部４の深さｄが孔部４の深さｄ１であり、θ方向の孔部４の深さｄが振動の孔部４の深さｄ２（＞ｄ１）である場合、孔部４の深さｄとは、孔部４の最大の深さｄあるθ方向の孔部４の深さｄ２を意味する。

各孔部４の深さｄが同一である構成に限定されるものではなく、各孔部４が一定の深さ分布をもつように構成されていてもよい。ここで、深さ分布とは、２種以上の深さｄを有する孔部４が基体２の表面に設けられていることを意味する。すなわち、基準となる深さｄを有する孔部４と、この孔部４とは異なる深さｄを有する孔部４とが基体２の表面に設けられていることを意味する。基準とは異なる深さｄを有する孔部４は、例えば基体２の表面に周期的または非周期的（ランダム）に設けられている。その周期性の方向としては、例えばトラックの延在方向（Ｘ軸方向）、列方向（Ｙ軸方向）などが挙げられる。

隣接する孔部４の開口端部同士を繋げるようにしてもよい。例えば、トラック方向（Ｘ軸方向）、θ方向、またはそれら両方向において、孔部４の開口端部同士を繋げるようにしてもよい。

［複製原盤の構成］
図５Ａは、本技術の第１の実施形態に係る複製原盤の構成の一例を示す平面図である。図５Ｂは、図５Ａに示した複製原盤の表面の一部を拡大して表す斜視図である。図６Ａは、図５Ａに示した複製原盤の表面の一部を拡大して表す平面図である。図６Ｂは、図６ＡのＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図６Ｃは、図６ＡのＣ−Ｃ線に沿った断面図である。本明細書では、複製原盤１１の表面の面内で互いに直交する２方向をそれぞれＸ軸方向、およびＹ軸方向と称し、その表面に垂直な方向をＺ軸方向と称する。また、複製原盤１１の面内（ＸＹ平面内）においてＸ軸方向に対して所定の角度θをなす方向をθ方向と称する。

複製原盤１１は、上述した構成を有する光学体１を作製するための原盤、より具体的には、上述した光学体１の表面に波面Ｓｗを成形するための原盤である。複製原盤１１は、例えば、フィルム状、板状、ブロック状を有し、その表面が光学体１の表面に波面Ｓｗを形成するための成形面とされる。この成形面には３次元的な波面Ｓｗ１が設けられている。波面Ｓｗ１の波長λは、好ましくは可視光の波長以下である。

複製原盤１１は、波面Ｓｗ１（第１の波面）と、波面Ｓｗ１の表面上に設けられた波面Ｓｗ２（第２の波面）とを有する。波面Ｓｗ２の振動の幅ａは、波面Ｓｗ１の振動の幅ａよりも大きいことが好ましい。これにより、反射防止特性を向上できる。

複製原盤１１は、一方の表面に波面Ｓｗ２を有する。複製原盤１１は、表面形状層１３を備える。複製原盤１１が、必要に応じて基体１２をさらに備え、この基体１２の一方の表面に表面形状層１３を設けるようにしてもよい。複製原盤１１は可撓性を有していてもよい。

（基体）
基体１２は、光学体１の基体２と同様である。

（表面形状層）
表面形状層１３は、基底形状層１４と、この基底形状層１４の表面に設けられた表面層１５とを備える。複製原盤１１が基体１２を有する場合には、基底形状層１４が基体２の表面に設けられる。複製原盤１１が表面形状層１３単独で構成される場合には、基底形状層１４が複製原盤１１の本体となる。一方、複製原盤１１が基体１２をさらに備える場合には、基体２と基底形状層１４とにより複製原盤１１の本体が構成される。

基底形状層１４は、例えば、透明性または不透明性を有している。基底形状層１４は、無機材料および有機材料の少なくとも一方を含んでいる。有機材料としては、例えば、エネルギー線硬化性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物および熱可塑性樹脂組成物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる。基底形状層１４は、必要に応じて、重合開始剤、光安定剤、紫外線吸収剤、触媒、着色剤、帯電防止剤、滑剤、レベリング剤、消泡剤、重合促進剤、酸化防止剤、難燃剤、赤外線吸収剤、界面活性剤、表面改質剤、チキソトロピー剤、可塑剤などの添加剤をさらに含んでいてもよい。

表面層１５は、例えば、透明性または不透明性を有している。表面層１５は、無機材料および有機材料の少なくとも一方を含んでいる。無機材料は、誘電体、透明導電体、金属または半導体を含んでいる。

誘電体としては、例えば、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物またはその混合物を用いることができる。酸化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＢｉおよびＭｇからなる群から選ばれる１種以上の元素の酸化物が挙げられる。窒化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＴａおよびＺｎからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物、好ましくはＳｉ、ＧｅおよびＴｉからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物が挙げられる。硫化物としては、例えば、Ｚｎ硫化物が挙げられる。炭化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物、好ましくはＳｉ、Ｔｉ、およびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物が挙げられる。フッ化物としては、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、ＣａおよびＬａからなる群より選ばれる１種以上の元素のフッ化物が挙げられる。これらの混合物としては、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂、ＳｉＯ₂−Ｃｒ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂（ＳＣＺ）、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂（ＩＴＯ）、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＣｅＯ₂（ＩＣＯ）、Ｉｎ₂Ｏ₃−Ｇａ₂Ｏ₃（ＩＧＯ）、Ｓｎ₂Ｏ₃−Ｔａ₂Ｏ₅（ＴＴＯ）、ＴｉＯ₂−ＳｉＯ₂などが挙げられる。

金属としては、例えば遷移金属を用いることができる。遷移金属としては、例えば、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ａｇ等が挙げられる。

半導体としては、透明酸化物半導体を用いることが好ましい。透明酸化物半導体としては、例えば、ＳｎＯ₂、ＩｎＯ₂、ＺｎＯおよびＣｄＯなどの二元化合物、二元化合物の構成元素であるＳｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも一つの元素を含む三元化合物、または多元系（複合）酸化物を用いることができる。透明酸化物半導体の具体例としては、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ（Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ））、ＳＺＯ、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃、ＺｎＯ））などが挙げられる。特に、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が好ましい。透明酸化物半導体の状態としては、例えば、アモルファス状態、結晶状態、アモルファスと多結晶との混合状態などが挙げられる。

波面Ｓｗ２の振動の最大位置Ｐ_maxにおける表面層１５の厚さＤ１、波面Ｓｗ２の傾斜面における表面層１５の厚さをＤ２、波面Ｓｗ２の振動の最小位置Ｐ_minにおける表面層１５の厚さをＤ３としたときに、厚さＤ１、Ｄ２、Ｄ３が、好ましくはＤ１＞Ｄ３、より好ましくはＤ１＞Ｄ３＞Ｄ２の関係を満たしている。

波面Ｓｗ２の振動の最大位置Ｐ_maxにおける表面層１５の厚さは、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍの範囲内である。表面層１５の厚さが１０ｎｍ以上であると、反射防止特性を向上できる。また、表面層１５の厚さが１００ｎｍを超えると、反射防止特性が悪化する。

表面層１５の表面には、波面Ｓｗ２が設けられている。波面Ｓｗ２は、例えば、波面Ｓｗ１に倣うように表面層１５を設けることで構成されている。より具体的には、波面Ｓｗ２は、２次元配列された複数の表面構造体１７により構成されている。表面構造体１７は、複製原盤１１の表面に対して凸状を有している。表面構造体１７は、基底構造体１６と、この基底構造体１６の表面に倣うように設けられた表面層１５とを備える。

基底形状層１４の表面には、波面Ｓｗ１が設けられている。この波面Ｓｗ１は、例えば、２次元配列された複数の基底構造体１６により構成されている。基底構造体１６は、複製原盤１１の表面に対して凸状を有している。基底形状層１４が、必要に応じて基体１２と基底構造体１６との間に中間層１８をさらに備えるようにしてもよい。中間層１８は、基底構造体１６の底面側に基底構造体１６と一体成形される層であり、基底構造体１６と同一の材料により構成される。

複製原盤１１の波面Ｓｗ２と、光学体１の波面Ｓｗとは、反転した凹凸関係にある。すなわち、複製原盤１１の波長λ、振動の幅ａなどは、光学体１の波面Ｓｗと同様である。

複製原盤１１の成形面に設けられた複数の表面構造体１７と、上述の光学体１の表面に設けられた複数の孔部４とは、反転した凹凸関係にある。すなわち、複製原盤１１の表面構造体１７の配列、大きさ、形状、配置ピッチｐおよび高さｈなどは、上述の光学体１の孔部４と同様である。但し、複製原盤１１の表面構造体１７の高さｈは、光学体１の孔部４の深さｄに対応する。

図７は、図６Ｂの一部を拡大して表す断面図である。波面Ｓｗ２は、その頂部Ｐｔおよび底部Ｐｂの間に光学体１の表面に対して凸状に湾曲した曲面ｃを有している。この曲面ｃの傾きは、頂部Ｐｔから底部Ｐｂに向かって急峻になることが好ましい。ここで、曲面ｃの傾きは、波面Ｓｗ２の頂点を含み、かつ、波面Ｓｗ２の振動方向（Ｚ軸方向）に平行な平面で波面Ｓｗを切断したときの断面の形状（すなわち断面プロファイル）の傾きである。

図８は、複製原盤の波面の振幅Ａに対する波面の断面の面積Ｓの変化を示す図である。図８では、波面Ｓｗ２の振動の最小位置Ｐ_minを基準値「０」とし、波面Ｓｗ２の振動の最大位置Ｐ_maxを「＋ａ」としている。波面Ｓｗ２の振動の最大位置Ｐ_maxとは、複製原盤１１の表面（ＸＹ平面）において波面Ｓｗ２が最も高くなる位置を意味する。波面Ｓｗ２の振動の最小位置Ｐ_minとは、複製原盤１１の表面（ＸＹ平面）において波面Ｓｗ２が最も低くなる位置を意味する。

ここで、波面Ｓｗ２をその振動方向に垂直な平面で切断した断面の面積を面積Ｓと定義する。断面の面積Ｓの変曲点Ｐｉは、図８に示すように、波面Ｓｗ２の振動の方向に対して変化を有している。断面の面積Ｓの変曲点Ｐｉは、波面Ｓｗの振動の中心よりも波面Ｓｗの頂部Ｐｔ寄りに位置している。なお、波面Ｓｗ２の振動の中心は、波面Ｓｗ２の振動の最小位置_minを基準としてＺ軸方向に向かってａ／２の位置である。また、波面Ｓｗ２の振動方向とは、ＸＹ平面に対して垂直なＺ軸方向である。

［ロール原盤の構成］
図９Ａは、ロール原盤の構成の一例を示す斜視図である。図９Ｂは、図９Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す平面図である。図９Ｃは、図９ＢのＣ−Ｃ線に沿った断面図である。図９Ｄは、図９ＢのＤ−Ｄ線に沿った断面図である。本明細書では、ロール原盤２１の表面の面内で互いに直交する２方向をそれぞれＸ軸方向、およびＹ軸方向と称し、その表面に垂直な方向をＺ軸方向と称する。また、ロール原盤２１の面内（ＸＹ平面内）においてＸ軸方向に対して所定の角度θをなす方向をθ方向と称する。

ロール原盤２１は、上述した構成を有する複製原盤１１を作製するための原盤、より具体的には、上述した複製原盤１１の基底形状層１４の表面に波面Ｓｗ１を成形するための原盤である。ロール原盤２１は、例えば、円柱状または円筒状の形状を有し、その円柱面または円筒面が複製原盤１１の基底形状層１４の表面に波面Ｓｗ１を形成するための成形面とされる。この成形面には波面Ｓｗ３が設けられている。波面Ｓｗ３は、例えば、２次元配列された複数の孔部２２により構成されている。孔部２２は、成形面に対して凹状を有している。ロール原盤２１の材料としては、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。

ロール原盤２１の波面Ｓｗ３と、複製原盤１１の波面Ｓｗ１とは、反転した凹凸関係にある。すなわち、ロール原盤２１の波面Ｓｗ３の波長λ、振動の幅ａなどは、複製原盤１１の波面Ｓｗ１と同様である。

ロール原盤２１の成形面に配置された複数の孔部２２と、上述の複製原盤１１の表面に配置された複数の表面構造体１７とは、反転した凹凸関係にある。すなわち、ロール原盤２１の孔部２２の配列、大きさ、形状、配置ピッチｐおよび深さｄなどは、複製原盤１１の基底構造体１６と同様である。但し、ロール原盤２１の孔部２２の深さｄは、複製原盤１１の基底構造体１６の高さｈに対応する。

［露光装置の構成］
図１０は、ロール原盤を作製するためのロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。このロール原盤露光装置は、光学ディスク記録装置をベースとして構成されている。

レーザー光源３１は、記録媒体としてのロール原盤２１の表面に着膜されたレジスト層を露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光２４を発振するものである。レーザー光源３１から出射されたレーザー光２４は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Electro Optical Modulator）３２へ入射する。電気光学素子３２を透過したレーザー光２４は、ミラー３３で反射され、変調光学系３５に導かれる。

ミラー３３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー３３を透過した偏光成分はフォトダイオード３４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子３２を制御してレーザー光２４の位相変調を行う。

変調光学系３５において、レーザー光２４は、集光レンズ３６により、ガラス（ＳｉＯ₂）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Acousto-Optic Modulator）３７に集光される。レーザー光２４は、音響光学素子３７により強度変調され発散した後、レンズ３８によって平行ビーム化される。変調光学系３５から出射されたレーザー光２４は、ミラー４２によって反射され、移動光学テーブル４３上に水平かつ平行に導かれる。

移動光学テーブル４３は、ビームエキスパンダ４４、および対物レンズ４５を備えている。移動光学テーブル４３に導かれたレーザー光２４は、ビームエキスパンダ４４により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ４５を介して、ロール原盤２１上のレジスト層へ照射される。ロール原盤２１は、スピンドルモータ４６に接続されたターンテーブル４７の上に載置されている。そして、ロール原盤２１を回転させると共に、レーザー光２４をロール原盤２１の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光２４を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光２４の移動は、移動光学テーブル４３の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。

露光装置は、上述したロール原盤２１の孔部２２の２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構４１を備えている。制御機構４１は、フォマッター３９とドライバ４０とを備える。フォマッター３９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光２４の照射タイミングを制御する。ドライバ４０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子３７を制御する。

このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォマッター信号と回転コントロラーを同期させて信号を発生し、音響光学素子３７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、六方格子パターンなどの２次元パターンを記録することができる。

［光学体の製造方法］
図１１Ａ〜図１３Ｄは、本技術の第１の実施形態に係る光学体の製造方法の一例を説明するための工程図である。

（レジスト成膜工程）
まず、図１１Ａに示すように、円柱状または円筒状のロール原盤２１を準備する。このロール原盤２１は、例えばガラス原盤である。次に、図１１Ｂに示すように、ロール原盤２１の表面にレジスト層２３を形成する。レジスト層２３の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストなどを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、金属化合物を用いることができる。

（露光工程）
次に、図１１Ｃに示すように、ロール原盤２１の表面に形成されたレジスト層２３に、レーザー光（露光ビーム）２４を照射する。具体的には、図１０に示したロール原盤露光装置のターンテーブル４７上にロール原盤２１を載置し、ロール原盤２１を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）２４をレジスト層２３に照射する。このとき、レーザー光２４をロール原盤２１の高さ方向（円柱状または円筒状のロール原盤２１の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光２４を間欠的に照射することで、レジスト層２３を全面にわたって露光する。これにより、レーザー光２４の軌跡に応じた潜像２５が、レジスト層２３の全面にわたって形成される。

潜像２５は、例えば、ロール原盤表面において複数列のトラックＴをなすと共に、所定の格子パターンをなすように形成される。潜像２５は、例えば、円形状または楕円形状である。潜像２５が楕円形状を有する場合には、その楕円形状はトラックＴの延在方向に長軸方向を有することが好ましい。

（現像工程）
次に、例えば、ロール原盤２１を回転させながら、レジスト層２３上に現像液を滴下して、レジスト層２３を現像処理する。これにより、図１２Ａに示すように、レジスト層２３に複数の開口部２６が形成される。レジスト層２３をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光２４で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、図１２Ａに示すように、潜像（露光部）２５に応じたパターンがレジスト層２３に形成される。開口部２６のパターンは、例えば所定の格子パターンである。

（エッチング工程）
次に、ロール原盤２１の表面に形成されたレジスト層２３のパターン（レジストパターン）をマスクとして、ロール原盤２１の表面をエッチング処理する。これにより、図１２Ｂに示すように、例えば、錐体形状を有する孔部２２を得ることができる。錐体形状は、例えばトラックＴの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状であることが好ましい。エッチングとしては、例えばドライエッチング、ウエットエッチングを用いることができる。このとき、エッチング処理とアッシング処理とを交互に行うことにより、例えば、錐体状の孔部２２のパターンを形成することができる。以上により、目的とするロール原盤２１が得られる。

（複製原盤作製工程）
次に、図１２Ｃに示すように、ロール原盤２１を回転させながら、ロール原盤２１と、基体１２の表面に塗布された転写材料２７とを密着させると共に、紫外線などのエネルギー線をエネルギー線源２８から転写材料２７に照射して転写材料２７を硬化させる。次に、ロール原盤２１の回転を維持しつつ、硬化した転写材料２７と一体となった基体１２をロール原盤２１の成形面から剥離する。これにより、図１３Ａに示すように、複数の基底構造体１６を有する基底形状層１４が基体１２の表面に形成される。すなわち、波面Ｓｗ１を有する基底形状層１４が基体１２の表面に形成される。この際、必要に応じて基底構造体１６と基体１２との間に中間層１８を形成するようにしてもよい。

エネルギー線源２８としては、電子線、紫外線、赤外線、レーザー光線、可視光線、電離放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線など）、マイクロ波、または高周波などエネルギー線を放出可能なものであればよく、特に限定されるものではない。

転写材料２７としては、エネルギー線硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。エネルギー線硬化性樹脂組成物としては、紫外線硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。エネルギー線硬化性樹脂組成物が、必要に応じてフィラーや機能性添加剤などを含んでいてもよい。

紫外線硬化性樹脂組成物は、例えばアクリレートおよび開始剤を含んでいる。紫外線硬化性樹脂組成物は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどを含み、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。

単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチル アクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチルー２−ヒドロキシプロピル アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル アクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチル アクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。

二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン ジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。

多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。

開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。

フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、金属酸化物を含む微粒子を挙げることができる。金属酸化物としては、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）、酸化チタン（ＴｉＯ₂）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、酸化スズ（ＳｎＯ₂）および酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）などからなる群より選ばれる１種以上を用いることができる。

機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。基体１２の材料としては、例えば、メチルメタクリレート（共）重合体、ポリカーボネート、スチレン（共）重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、ガラスなどが挙げられる。

基体１２の成形方法は特に限定されるものではなく、射出成形法、押し出し成形法およびキャスト成形法のいずれの方法を用いてもよい。必要に応じて、コロナ処理などの表面処理を基体表面に施すようにしてもよい。

複製原盤１１の離型性向上の観点からすると、複製原盤１１の表面にシリコーン系離型剤またはフッ素系離型剤などの離型剤を塗布する、もしくは転写材料２７にフッ素系添加材またはシリコーン系添加材などの添加剤をさらに添加することが好ましい。

次に、図１３Ｂに示すように、基底形状層１４の波面Ｓｗ１上に表面層１５を形成することにより、基底形状層１４の波面Ｓｗ１のプロファイルを補正し、波面Ｓｗ２とする。表面層１５の形成法としては、スパッタリング法を用いることが好ましい。以上により、目的とする複製原盤１１が得られる。

（光学体作製工程）
次に、図１３Ｄに示すように、複製原盤１１と、基体２の表面に塗布された転写材料２９とを密着させると共に、紫外線などのエネルギー線をエネルギー線源３０から転写材料２９に照射して転写材料２９を硬化させる。次に、硬化した転写材料２９と一体となった基体２を複製原盤１１の成形面から剥離する。これにより、図１３Ｄに示すように、複数の孔部４を有する形状層３が基体２の表面に形成される。この際、必要に応じて孔部４と基体２との間に中間層５を形成するようにしてもよい。以上により、目的とする光学体１が得られる。

［効果］
第１の実施形態によれば、波面Ｓｗの振動方向に垂直な平面で切断した断面の面積Ｓの変曲点を、振動の中心よりも波面Ｓｗの底部Ｐｂ寄りに位置させているので、波面Ｓｗが頂部Ｐｔおよび底部Ｐｂ間に凹状の曲面を有する場合であっても、反射防止特性を向上できる。

本技術では、波面Ｓｗを光学体１の表面に設けることで反射防止効果を得ることができる。したがって、多層膜とは異なる技術により、反射防止効果を得ることができる。

従来、ロール原盤の作製方法では、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術とが用いられているが、これらの技術では、ロール原盤の成形面である波面のプロファイルを補正することは困難である。このため、反射防止帯域を広げることは困難である。これに対して、本実施形態では、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術とを用いて作製したロール原盤２１から複製原盤１１を作製し、この複製原盤（マスター）１１の波面（成形面）Ｓｗ１に薄膜の選択成長性を利用して表面層１５を形成する。これにより、複製原盤１１の波面Ｓｗ１のプロファイルを補正し、波面Ｓｗ２とすることができる。すなわち、複製原盤１１の波面の断面の面積Ｓの変曲点の位置を調整することができる。したがって、反射防止帯域を広げることができる。

従来の多層膜積層方式によるＡＲ（Anti-Reflection）膜では、３８０〜７８０ｎｍの平均反射率が３％程度である。また、高さ２００ｎｍ前後のパラボラ形状の構造体を２次元配列することにより構成された波面では、３８０〜７８０ｎｍの平均反射率は０．４％程度である。これに対して、本実施形態の波面Ｓｗでは、複製原盤１１の表面層１５の厚さを所定の範囲に調整することで、平均０．３５％以下の平均反射率を実現することができる。

［変形例］
（第１の変形例）
図１４Ａは、第１の変形例に係る光学体の一構成例を示す断面図である。上述の第１の実施形態では、光学体１が形状層３と必要に応じて基体２とを備え、形状層３に波面Ｓｗを設けた例について説明したが、基体２の表面に波面Ｓｗを直接設けるようにしてもよい。

図１４Ｂは、第１の変形例に係る複製原盤の一構成例を示す断面図である。上述の第１の実施形態では、複製原盤１１が基底形状層１４と表面層１５と必要に応じて基体１２とを備え、基底形状層１４に波面Ｓｗ１を設けた例について説明したが、基体１２の表面に波面Ｓｗ１を直接設けるようにしてもよい。この場合、基体１２が複製原盤１１の本体がとなる。

（第２の変形例）
図１５は、第２の変形例に係る光学体の一構成例を示す断面図である。第２の変形例に係る光学体１は、複数の孔部４が、隣接する３列のトラックＴ間において四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。

ここで、四方格子とは、正四角形状の格子のことをいう。準四方格子とは、正四角形状の格子とは異なり、歪んだ正四角形状の格子のことをいう。例えば、孔部４が直線上に配置されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた四方格子のことをいう。孔部４が蛇行して配列されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を孔部４の蛇行配列により歪ませた四方格子をいう。または、正四角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、孔部４の蛇行配列により歪ませた四方格子のことをいう。

光学体１の孔部４の配列パターンとして四方格子パターンを採用する場合、複製原盤１１の表面構造体１７、およびロール原盤２１の孔部２２の配列パターンも同様に、四方格子パターンまたは準四方格子パターンが採用される。光学体１の格子パターンは、上述の六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンおよび準四方格子パターンに限定されるものではなく、これら以外の格子パターンを採用することも可能である。

（第３の変形例）
上述の実施形態では、波面Ｓｗの波長λが可視光の波長帯域以下である構成を例として説明したが、波面Ｓｗの波長λの範囲はこの例に限定されるものではなく、反射の低減を目的とする所望の光の波長帯域以下に設定することが可能である。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ以上３６０ｎｍ以下の波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ以上１ｍｍ以下の波長帯域をいう。

（第４の変形例）
上述の第１の実施形態では、エネルギー線硬化性樹脂を用いて複製原盤１１の基底形状層１４および光学体１の形状層３を形成する例について説明したが、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を用いて複製原盤１１の基底形状層１４および光学体１の形状層３を形成してもよい。

熱硬化性樹脂を用いて複製原盤１１の基底形状層１４および光学体１の形状層３を形成する場合には、複製原盤１１またはロール原盤２１を熱硬化性樹脂に押しつけ、複製原盤１１またはロール原盤２１により熱硬化性樹脂を硬化温度まで加熱し、硬化させることにより、複製原盤１１またはロール原盤２１の成形面の形状を熱硬化性樹脂に形状転写する。

熱可塑性樹脂を用いて複製原盤１１の基底形状層１４および光学体１の形状層３を形成する場合には、複製原盤１１またはロール原盤２１を熱可塑性樹脂に押しつけ両者を密着させると共に、例えば熱可塑性樹脂をそのガラス転移点付近またはそれ以上に加熱することにより、複製原盤１１またはロール原盤２１の成形面の形状を熱可塑性樹脂に形状転写する。

上述の複製原盤１１は、その成形面とは反対外の面にヒータなどの熱源を備えており、複製原盤１１の成形面に密着した熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を加熱可能に構成されている。また、ロール原盤２１は、その内部にヒータなどの熱源を備えており、ロール原盤２１の成形面に密着した熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を加熱可能に構成されている。

＜２．第２の実施形態＞
［撮像装置の構成］
図１６は、本技術の第２の実施形態に係る撮像装置の構成の一例を示す概略図である。図１６に示すように、第２の実施形態に係る撮像装置（電子機器）１００は、いわゆるデジタルカメラ（デジタルスチルカメラ）であって、筐体１０１と、筐体１０１内に設けられた撮像光学系１０２とを備える。

撮像光学系１０２は、レンズ１１１と、半透過型ミラー１１２と、撮像素子１１３と、オートフォーカスセンサ１１４とを備える。撮像光学系１０２は、これらの複数の構成部材のうちの少なくとも一つの表面に反射防止機能を有する光学体を備える。このような光学体としては、上述の第１の実施形態またはその変形例に係る光学体１が用いられる。光学体１が備えられる表面として、例えば、被写体からの光Ｌが入射する入射面、およびこの入射面から入射した光Ｌが出射される出射面の少なくとも一方が挙げられるが、入射面に設けることが好ましい。

レンズ１１１は、被写体からの光Ｌを撮像素子１１３に向けて集光する。半透過型ミラー１１２は、レンズ１１１により集光された光Ｌの一部をオートフォーカスセンサ１１４に向けて反射するのに対して、光Ｌの残りを撮像素子１１３に向けて透過する。撮像素子１１３は、半透過型ミラー１１２を透過した光Ｌを受光し、受光した光を電気信号に変換し、信号処理回路に出力する。オートフォーカスセンサ１１４は、半透過型ミラー１１２により反射された光を受光し、受光した光を電気信号に変換し、制御回路に出力する。

［効果］
第２の実施形態によれば、撮像光学系１０２の構成部材の表面に、反射防止機能を有する光学体が設けられているので、構成部材の表面における光の反射を低減することができる。したがって、被写体からの光Ｌの利用効率を向上することができる。

＜３．第３の実施形態＞
上述の第２の実施形態では、撮像装置としてデジタルカメラ（デジタルスチルカメラ）に本技術を適用する場合を例として説明したが、本技術の適用例はこれに限定されるものではない。本技術の第３の実施形態では、デジタルビデオカメラに本技術を適用した例について説明する。

図１７は、本技術の第３の実施形態に係る撮像装置の構成の一例を示す概略図である。図１７に示すように、第３の実施形態に係る撮像装置（電子機器）２０１は、いわゆるデジタルビデオカメラであって、レンズ第１群Ｌ１、レンズ第２群Ｌ２、レンズ第３群Ｌ３、レンズ第４群Ｌ４、固体撮像素子２０２、ローパスフィルタ２０３、フィルタ２０４、モータ２０５、アイリス羽根２０６および電気調光素子２０７を備える。この撮像装置２０１では、レンズ第１群Ｌ１、レンズ第２群Ｌ２、レンズ第３群Ｌ３、レンズ第４群Ｌ４、固体撮像素子２０２、ローパスフィルタ２０３、フィルタ２０４、アイリス羽根２０６および電気調光素子２０７により撮像光学系が構成される。

撮像光学系は、これらの複数の構成部材のうちの少なくとも一つの表面に反射防止機能を有する光学体を備える。このような光学体としては、上述の第１の実施形態またはその変形例に係る光学体１が用いられる。光学体１が備えられる表面として、例えば、被写体からの光Ｌが入射する入射面、およびこの入射面から入射した光Ｌが出射される出射面の少なくとも一方が挙げられるが、入射面に設けることが好ましい。

レンズ第１群Ｌ１およびレンズ第３群Ｌ３は、固定レンズである。レンズ第２群Ｌ２は、ズーム用レンズである。レンズ第４群は、フォーカス用レンズである。

固体撮像素子２０２は、入射された光を電気信号に変換し、図示を省略した信号処理部に供給する。この固体撮像素子２０２は、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device：電荷結合素子）などである。

ローパスフィルタ２０３は、例えば、固体撮像素子２０２の前面に設けられる。ローパスフィルタ２０３は、画素ピッチに近い縞模様の像などを撮影した場合に生じる偽信号（モワレ）を抑制するためのものであり、例えば、人工水晶から構成される。

フィルタ２０４は、例えば、固体撮像素子２０２に入射する光の赤外域をカットするとともに、近赤外域（６３０ｎｍ〜７００ｎｍ）の分光の浮きを抑え、可視域帯（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）の光強度を一様にするためのものである。このフィルタ２０４は、例えば、赤外光カットフィルタ（以下、ＩＲカットフィルタ）４ａと、このＩＲカットフィルタ２０４ａ上にＩＲカットコートを積層させて形成されたＩＲカットコート層２０４ｂとから構成される。ここで、ＩＲカットコート層２０４ｂは、例えば、ＩＲカットフィルタ２０４ａの被写体側の面およびＩＲカットフィルタ２０４ａの固体撮像素子２０２側の面の少なくとも一方に形成される。図１７では、ＩＲカットフィルタ２０４ａの被写体側の面にＩＲカットコート層２０４ｂが形成される例が示されている。

モータ２０５は、図示を省略した制御部から供給された制御信号に基づき、レンズ第４群Ｌ４を移動する。アイリス羽根２０６は、固体撮像素子２０２に入射する光量を調整するためのものであり、図示を省略したモータにより駆動される。

電気調光素子２０７は、固体撮像素子２０２に入射する光の光量を調整するためのものである。この電気調光素子２０７は、少なくとも染料系色素を含んだ液晶からなる電気調光素子であり、例えば、２色性ＧＨ液晶からなる電気調光素子である。

［効果］
第３の実施形態によれば、上述の第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。

＜４．第４の実施形態＞
図１８は、本技術の第４の実施形態に係る表示装置の一構成例を示す斜視図である。電子機器である表示装置３０１の表示面Ｓには、反射防止機能を有する光学体１が設けられている。このような光学体１としては、上述の第１の実施形態またはその変形例に係る光学体１が用いられる。光学体１が基体２を備える場合には、光学体１は、例えば貼合層を介して表示装置３０１の表示面Ｓに貼り合わされている。光学体１が基体２を備えず形状層３のみからなる場合には、この光学体１を表示装置３０１の表示面Ｓに直接的に形成するようにしてもよい。

表示装置３０１としては、例えば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）などの各種表示装置を用いることができる。

［効果］
第４の実施形態によれば、表示装置３０１の表示面Ｓに光学体１が設けられているので、表示装置３０１の表示面Ｓの視認性を向上することができる。

＜５．第５の実施形態＞
図１９Ａは、本技術の第５の実施形態に係る表示装置の一構成例を示す斜視図である。図１９Ａに示すように、電子機器である表示装置３０１の表示面Ｓ₁に入力装置３０２が設けられている。そして、入力装置３０２の入力面Ｓ₂には、反射防止機能を有する光学体１が設けられている。このような光学体１としては、上述の第１の実施形態またはその変形例に係る光学体１が用いられる。

入力装置３０２としては、例えば、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを用いることができるが、タッチパネルの方式はこれに限定されるものではない。抵抗膜方式のタッチパネルとしては、例えば、マトリックス抵抗膜方式のタッチパネルが挙げられる。静電容量方式のタッチパネルとしては、例えば、Ｗｉｒｅ Ｓｅｎｓｏｒ方式またはＩＴＯ Ｇｒｉｄ方式の投影型静電容量方式タッチパネルが挙げられる。

［効果］
第５の実施形態によれば、入力装置３０２の入力面Ｓ₂に光学体１が設けられているので、入力装置３０２が設けられた表示装置３０１の視認性を向上することができる。

［変形例］
図１９Ｂは、変形例に係る表示装置の一構成例を示す分解斜視図である。図１９Ｂに示すように、入力装置３０２の入力面Ｓ₂にフロントパネル（表面部材）３０３をさらに備えるようにしてもよい。この場合、フロントパネル３０３のパネル表面Ｓ₃に、反射防止機能を有する光学体１が設けられる。入力装置３０２とフロントパネル（表面部材）３０３とは、例えば粘着剤などからなる貼合層により貼り合わされる。

＜６．第６の実施形態＞
本技術の第６の実施形態に係る電子機器は、第４の実施形態、第５の実施形態またはその変形例に係る表示装置３０１を備えている。以下に、本技術の第６の実施形態に係る電子機器の例として、テレビ装置、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話およびタブレット型コンピュータについて説明する。なお、電子機器はこの例に限定されるものではなく、これ以外の電気機器にも本技術は適用可能である。

図２０Ａは、テレビ装置の例を示す外観図である。テレビ装置３１１は、筐体３１２と、この筐体３１２に収容された表示装置３１３とを備える。ここで、表示装置３１３は、第５の実施形態、第６の実施形態またはその変形例に係る表示装置３０１である。

図２０Ｂは、ノート型パーソナルコンピュータの例を示す外観図である。ノート型パーソナルコンピュータ３２１は、コンピュータ本体３２２と、表示装置３２５とを備える。コンピュータ本体３２２および表示装置３２５はそれぞれ、筐体１２３および筐体３２４に収容されている。ここで、表示装置３２５は、第５の実施形態、第６の実施形態またはその変形例に係る表示装置３０１である。

図２１Ａは、携帯電話の一例を示す外観図である。携帯電話３３１は、いわゆるスマートフォンであり、筐体３３２と、この筐体３３２に収容された表示装置３３３とを備える。ここで、表示装置３３３は、第６の実施形態またはその変形例に係る表示装置３０１である。

図２１Ｂは、タブレット型コンピュータの一例を示す外観図である。タブレット型コンピュータ３４１は、筐体３４２と、この筐体３４２に収容された表示装置３４３とを備える。ここで、表示装置３４３は、第６の実施形態またはその変形例に係る表示装置３０１である。

［効果］
第６の実施形態によれば、電子機器が第４の実施形態、第５の実施形態またはその変形例に係る表示装置３０１を備えているので、電子機器の表示面の視認性を向上することができる。

以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

（構造体の高さｈ、配置ピッチｐ）
本実施例において、複製原盤の構造体の高さｈおよび配置ピッチｐは以下のようにして求めた。まず、複製原盤を構造体の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）にて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、複製原盤の構造体の高さｈおよび配置ピッチｐを求めた。

（無機層（表面層）の厚さ）
本実施例において、無機層の厚さは以下のようにして求めた。まず、複製原盤を構造体の頂部を含むように切断し、その断面をＴＥＭにて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体における頂部における無機層の厚さを求めた。

（実施例１−１）
まず、外径１２６ｍｍのガラスロール原盤を準備し、このガラスロール原盤の表面に以下のようにしてレジスト層を着膜した。すなわち、シンナーでフォトレジストを１／１０に希釈し、この希釈レジストをディッピング法によりガラスロール原盤の円柱面上に厚さ７０ｎｍ程度に塗布することにより、レジスト層を着膜した。次に、記録媒体としてのガラスロール原盤を、図１０に示したロール原盤露光装置に搬送し、レジスト層を露光することにより、１つの螺旋状に連なるとともに、隣接する３列のトラック間において六方格子パターンをなす潜像がレジスト層にパターニングされた。

具体的には、六方格子状の露光パターンが形成されるべき領域に対して、前記ガラスロール原盤表面まで露光するパワー０．５０ｍＷ／ｍのレーザー光を照射し凹形状の六方格子状の露光パターンを形成した。なお、トラック列の列方向のレジスト層の厚さは６０ｎｍ程度、トラックの延在方向のレジスト厚さは５０ｎｍ程度であった。

次に、ガラスロール原盤上のレジスト層に現像処理を施して、露光した部分のレジスト層を溶解させて現像を行った。具体的には、図示しない現像機のターンテーブル上に未現像のガラスロール原盤を載置し、ターンテーブルごと回転させつつガラスロール原盤の表面に現像液を滴下してその表面のレジスト層を現像した。これにより、レジスト層が六方格子パターンに開口しているレジストガラス原盤が得られた。

次に、ロールエッチング装置を用い、ＣＨＦ₃ガス雰囲気中でのプラズマエッチングを行った。これにより、ガラスロール原盤の表面において、レジスト層から露出している六方格子パターンの部分のみエッチングが進行し、その他の領域はレジスト層がマスクとなりエッチングはされず、楕円錐形状の孔部がガラスロール原盤に形成された。この際、エッチング量（深さ）は、エッチング時間によって調整した。最後に、Ｏ₂アッシングにより完全にレジスト層を除去することにより、凹形状の六方格子パターンを有するガラスロール原盤が得られた。列方向における凹部の深さは、トラックの延在方向における凹部の深さより深かった。

次に、上記ガラスロール原盤と、紫外線硬化樹脂を塗布したＴＡＣ（トリアセチルセルロース）シートを密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離した。これにより、凸状を有する複数の構造体（基底構造体）が、六方格子パターンでＴＡＣシートの表面に２次元的に形成されて、複製原盤が得られた。
以下に、複製原盤の構造体の構成を示す。
構造体の形状（波面の形状）：放物面状
構造体の高さｈ（波面の振動の幅ａ）：２４０ｎｍ
構造体の配置ピッチｐ（波面の波長λ）：１３０ｎｍ
構造体のアスペクト比（ｈ／ｐ）（波面の比率（ａ／λ）：１．８５

次に、スパッタリング法により、複製原盤の構造体上に無機層として厚さ１５ｎｍのＮｂ₂Ｏ₃層を形成し、複製原盤の構造体のプロファイルを補正した。次に、プロファイル補正した複製原盤と、紫外線硬化樹脂を塗布したＴＡＣシートを密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離した。以上により、目的とする光学シートが得られた。

（実施例１−２）
無機層の厚さを３０ｎｍとする以外は実施例１−１と同様にして、光学シートを得た。

（実施例１−３）
無機層の厚さを５０ｎｍとする以外は実施例１−１と同様にして、光学シートを得た。

（実施例１−４）
無機層の厚さを７５ｎｍとする以外は実施例１−１と同様にして、光学シートを得た。

（比較例１）
無機層を形成する工程を省略する以外は実施例１−１と同様にして、光学シートを得た。

（実施例２−１）
露光工程およびエッチング工程の条件を調整することにより、以下の構造体（基底構造体）を複製原盤の表面に形成すること、無機層として厚さ１５ｎｍのＩＴＯ層を形成すること以外は実施例１−１と同様にして光学シートを得た。
構造体の形状（波面の形状）：放物面状
構造体の高さｈ（波面の振動の幅ａ）：２００ｎｍ
構造体の配置ピッチｐ（波面の波長λ）：２５０ｎｍ
構造体のアスペクト比（ｈ／ｐ）（波面の比率（ａ／λ）：０．８

（実施例２−２）
無機層の厚さを３０ｎｍとする以外は実施例２−１と同様にして、光学シートを得た。

（実施例２−３）
無機層の厚さを５０ｎｍとする以外は実施例２−１と同様にして、光学シートを得た。

（実施例２−４）
無機層の厚さを７５ｎｍとする以外は実施例２−１と同様にして、光学シートを得た。

（実施例２−５）
無機層の厚さを１００ｎｍとする以外は実施例２−１と同様にして、光学シートを得た。

（比較例２）
無機層を形成する工程を省略する以外は実施例２−１と同様にして、光学シートを得た。

（比較例３）
実施例１−１と同様にして、放物面状を有する複数の構造体（基底構造体）が表面に形成され複製原盤を得た。この複製原盤を光学シートとして用いた。なお、この複製原盤には、プロファイル補正は施さなかった。

（比較例４）
高屈折率層および低屈折率層を交互にＴＡＣシートの表面に積層して、４層の積層膜からなる反射防止層を表面に有する光学シートを得た。

（分光反射特性の評価）
上述のようにして得られた光学シートの分光反射特性を以下のようにして評価した。まず、複数の構造体が形成された光学シートの裏面にブラックテープを貼り合わせた。次に、ブラックテープが貼り合わされた側とは反対側となる表面から光を入射して、光学シートの反射スペクトル（波長帯域３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）を、日本分光社製の評価装置（Ｖ−５５０）を測定した。次に、求めた反射スペクトル用いて波長帯域３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの平均反射率（平均変化率）を求めた。

（評価結果）
図２２は、実施例１−１〜１−４、２−１〜２−５、比較例１、２の複製原盤の無機層の厚さと光学シートの平均反射率との関係を示す。なお、図２２には、参考のために、比較例３、４の光学シートの平均反射率も示した。図２３は、実施例１−１、１−２、比較例３、４の光学シートの反射スペクトルを示す。

図２２から以下のことがわかる。
無機層（表面層）によりプロファイル補正を施した複製原盤では、無機層（表面層）によりプロファイル補正を施さなかった複製原盤に比して、作製した光学シートの平均反射率を低下させることができる。これは、無機層（表面層）によりプロファイル補正を施したことにより、断面の面積Ｓの変曲点Ｐｉが、波面の頂部寄りの位置から底部寄りにシフトしたためと考えられる。ここで、波面の断面は、振動方向に垂直な平面で光学シートの波面を切断して得られる断面である。
波長２５０ｎｍの波面では、無機層の膜厚を３０ｎｍ以上にすると、凸状の構造体により構成される波面に比して、優れた反射防止特性が得られた。なお、波長１３０ｎｍの波面では、無機層の膜厚を１０ｎｍにすると、無機層が不連続膜になり、効果がなくなった。
波長１３０ｎｍの波面では、無機層の膜厚を１００ｎｍ以上にすると、反射防止の効果が低下した。これは、プロファイル補正の進行により、断面の面積Ｓの変曲点Ｐｉが、振動の中心よりも波面Ｓｗの頂部寄りに再度シフトしたためと考えられる。

図２３から以下のことがわかる。
波長１３０ｎｍ、無機層の厚さ１５ｎｍの複製原盤を用いて作製した光学シートでは、４層の積層膜からなる反射防止層を表面に有する光学シート、および凸状の構造体により波面が構成された光学シートに比して、ほぼ可視域（３８０ｎｍから７８０ｎｍ）の全体で反射防止特性を向上することができる。
波長２５０ｎｍ、無機層の厚さ１５ｎｍの複製原盤を用いて作製した光学シートでも同様に、４層の積層膜からなる反射防止層を表面に有する光学シート、および凸状の構造体により波面が構成された光学シートに比して、ほぼ可視域（３８０ｎｍから７８０ｎｍ）の全体で反射防止特性を向上することができる。

以上により、複数の孔部により構成された波面では、反射防止特性を向上する観点からすると、波面Ｓｗをその振動方向に垂直な平面で切断した断面の面積Ｓの変曲点Ｐｉが、振動の中心よりも波面Ｓｗの底部寄りに位置することが好ましい。
変曲点Ｐｉを振動の中心よりも波面Ｓｗの底部寄りに位置させるためには、凸状の構造体により構成される複製原盤の波面に、スパッタリング法により表面層を形成し、波面のプロファイル補正を施すことが好ましい。

以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。

また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
可視光の波長以下の波長を持つ波面を有し、
上記波面は、頂部および底部間に凹状に湾曲した曲面を有し、
上記波面の振動方向に垂直な平面で切断した断面の面積の変曲点は、上記振動の中心よりも上記波面の底部寄りに位置している、反射防止機能を有する光学体。
（２）
上記波面の振動の最大位置からａ／１０（但し、ａは上記波面の振動の幅である。）の位置までの範囲の体積ｖａと、上記波面の振動の最小位置からａ／１０の位置までの範囲の体積ｖｂとは、ｖａ＜ｖｂの関係を満たしている（１）に記載の光学体。
（３）
上記波面の振動の最小位置から最大位置までの体積Ｖに対する上記体積ｖａの比率（（ｖａ／Ｖ）×１００）は、１０％以下である（２）に記載の光学体。
（４）
上記波面の波長および振動の幅は、１３０ｎｍ以上である（１）から（３）のいずれかに記載の光学体。
（５）
上記波面の振動方向に平行な平面で切断した断面の形状の傾きは、上記頂部から上記底部に向かって緩やかになる（１）から（４）のいずれかに記載の光学体。
（６）
上記波面は、可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の孔部により構成されている（１）から（５）のいずれかに記載の光学体。
（７）
可視光の波長以下の波長を持つ波面を有し、
上記波面は、頂部および底部間に凸状に湾曲した曲面を有し、
上記波面の振動方向に垂直な平面で切断した断面の面積の変曲点は、上記振動の中心よりも上記波面の頂部寄りに位置している原盤。
（８）
第１の波面を有する本体と、
上記第１の波面上に設けられた、第２の波面を有する表面層と
を備え、
上記第２の波面は、上記可視光の波長以下の波長を持つ波面であり、上記第１の波面に倣って設けられている（７）に記載の原盤。
（９）
上記第２の波面の振動の幅は、上記第１の波面の振動の幅よりも大きい（８）に記載の原盤。
（１０）
上記表面層は、無機材料を含んでいる（８）から（９）のいずれかに記載の原盤。
（１１）
上記無機材料は、誘電体、透明導電体、金属または半導体を含んでいる（１０）に記載の原盤。
（１２）
上記本体は、有機材料を含んでいる（７）から（１１）のいずれかに記載の原盤。
（１３）
上記波面の振動の最大位置における表面層の厚さは、１０ｎｍ以上である（８）から（１２）のいずれかに記載の原盤。
（１４）
上記波面は、可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の構造体により構成されている（７）から（１３）のいずれかに記載の原盤。
（１５）
反射防止機能を有する光学体が設けられた光学系を備え、
上記光学体は、
可視光の波長以下の波長を持つ波面を有し、
上記波面は、頂部および底部間に凹状に湾曲した曲面を有し、
上記波面の振動方向に垂直な平面で切断した断面の面積の変曲点は、上記振動の中心よりも上記波面の底部寄りに位置している撮像装置。
（１６）
反射防止機能を有する光学体が設けられた表示装置を備え、
上記光学体は、
可視光の波長以下の波長を持つ波面を有し、
上記波面は、頂部および底部間に凹状に湾曲した曲面を有し、
上記波面の振動方向に垂直な平面で切断した断面の面積の変曲点は、上記振動の中心よりも上記波面の底部寄りに位置している電子機器

１ 光学体
２ 基体
３ 形状層
４ 孔部
５、１８ 中間層
１１ 複製原盤
１２ 基体
１３ 表面形状層
１４ 基底表面層
１５ 表面層
１６ 基底構造体
１７ 表面構造体
２１ ロール原盤
２２ 孔部
１００、２０１ 撮像装置
１０２ 撮像光学系
３０１ 表示装置
３０２ 入力装置
Ｓｗ、Ｓｗ１、Ｓｗ２、Ｓｗ３ 波面
Ｓ 断面の面積
Ｐｔ 頂部
Ｐｂ 底部
Ｐｉ 変曲点

Claims (16)

1. 可視光の波長以下の波長を持つ波面を有し、
   上記波面は、頂部および底部間に凹状に湾曲した曲面を有し、
   上記波面の振動方向に垂直な平面で切断した断面の面積の変曲点は、上記振動の中心よりも上記波面の底部寄りに位置している、反射防止機能を有する光学体。
2. 上記波面の振動の最大位置からａ／１０（但し、ａは上記波面の振動の幅である。）の位置までの範囲の体積ｖａと、上記波面の振動の最小位置からａ／１０の位置までの範囲の体積ｖｂとは、ｖａ＜ｖｂの関係を満たしている請求項１に記載の光学体。
3. 上記波面の振動の最小位置から最大位置までの体積Ｖに対する上記体積ｖａの比率（（ｖａ／Ｖ）×１００）は、１０％以下である請求項２に記載の光学体。
4. 上記波面の波長および振動の幅は、１３０ｎｍ以上である請求項１に記載の光学体。
5. 上記波面の振動方向に平行な平面で切断した断面の形状の傾きは、上記頂部から上記底部に向かって緩やかになる請求項１に記載の光学体。
6. 上記波面は、可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の孔部により構成されている請求項１に記載の光学体。
7. 可視光の波長以下の波長を持つ波面を有し、
   上記波面は、頂部および底部間に凸状に湾曲した曲面を有し、
   上記波面の振動方向に垂直な平面で切断した断面の面積の変曲点は、上記振動の中心よりも上記波面の頂部寄りに位置している原盤。
8. 第１の波面を有する本体と、
   上記第１の波面上に設けられた、第２の波面を有する表面層と
   を備え、
   上記第２の波面は、上記可視光の波長以下の波長を持つ波面であり、上記第１の波面に倣って設けられている請求項７に記載の原盤。
9. 上記第２の波面の振動の幅は、上記第１の波面の振動の幅よりも大きい請求項８に記載の原盤。
10. 上記表面層は、無機材料を含んでいる請求項８に記載の原盤。
11. 上記無機材料は、誘電体、透明導電体、金属または半導体を含んでいる請求項１０に記載の原盤。
12. 上記本体は、有機材料を含んでいる請求項７に記載の原盤。
13. 上記波面の振動の最大位置における表面層の厚さは、１０ｎｍ以上である請求項８に記載の原盤。
14. 上記波面は、可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の構造体により構成されている請求項７に記載の原盤。
15. 反射防止機能を有する光学体が設けられた光学系を備え、
    上記光学体は、
    可視光の波長以下の波長を持つ波面を有し、
    上記波面は、頂部および底部間に凹状に湾曲した曲面を有し、
    上記波面の振動方向に垂直な平面で切断した断面の面積の変曲点は、上記振動の中心よりも上記波面の底部寄りに位置している撮像装置。
16. 反射防止機能を有する光学体が設けられた表示装置を備え、
    上記光学体は、
    可視光の波長以下の波長を持つ波面を有し、
    上記波面は、頂部および底部間に凹状に湾曲した曲面を有し、
    上記波面の振動方向に垂直な平面で切断した断面の面積の変曲点は、上記振動の中心よりも上記波面の底部寄りに位置している電子機器。

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