JP2014167030A - Sgltの阻害物質として有用な化合物の調製方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)環Aは所望により置換された不飽和の単環式複素環であり、かつ環Bは所望により置換された不飽和の単環式複素環、所望により置換された不飽和の縮合ヘテロ二環式複素環、又は所望により置換されたベンゼン環である;あるいは
(2)環Aは所望により置換されたベンゼン環であり、かつ環Bは所望により置換された不飽和の単環式複素環、又は所望により置換された不飽和の縮合ヘテロ二環式複素環であり、式中、Yは縮合したヘテロ二環式複素環の複素環と結合している;あるいは
(3)環Aは所望により置換された不飽和の縮合ヘテロ二環式複素環であり、式中、糖部分X−(糖)及び部分−Y−(環B)は両方とも、縮合ヘテロ二環式複素環の同じ複素環にあり、かつ環Bは所望により置換された不飽和の単環式複素環、所望により置換された不飽和の縮合ヘテロ二環式複素環、又は所望により置換されたベンゼン環である;のうちの1つであり、
Xは炭素原子であり、
Yは−(CH2)n−であり、ここでnは1又は2であり、
但し環AにおいてはXは不飽和結合の一部である、式(I)の化合物
あるいはそれらの薬剤として許容される塩又は溶媒和物の、調製プロセスであって、
RAはハロゲン又は低級アルキルであり、
環Cはハロゲン、シアノ、低級アルキル、ハロ−低級アルキル、低級アルコキシ、ハロ−低級アルコキシ、メチレンジオキシ、エチレンオキシ、モノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ、カルバモイル、及びモノ−若しくはジ−低級アルキルカルバモイルからなる群から選択される1〜3個の置換基で置換されたフェニルであり、
又は、ハロゲン、シアノ、低級アルキル、ハロ−低級アルキル、低級アルコキシ、ハロ−低級アルコキシ、モノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ、カルバモイル、及びモノ−若しくはジ−低級アルキルカルバモイルからなる群から選択される1〜3個の置換基で置換されたヘテロシクリルである、
式(IA’)の化合物、及びそれらの薬剤として許容される塩の新規の調製プロセスを目的とし、
3−ヘプチニル基、4−ヘプチニル基、3−オクチニル基、3−ノニニル基、4−デシニル基、3−ウンデシニル基、4−ドデシニル基などである。アルキニル基は所望によりかつ独立して、必要に応じて以下に言及するような1〜4個の置換基で置換され得る。
チル基を含む)である。これらの基は所望によりかつ独立して、必要に応じて、以下に言及するような1〜4個の置換基で置換され得る。それに加えて、アリール基は所望により飽和炭化水素環又は不飽和炭化水素環と縮環してもよく(上記飽和炭化水素環及び不飽和炭化水素環は所望により、必要に応じて、環内に酸素原子、窒素原子、硫黄原子、SO又はSO2を含有してもよい)、縮環した飽和炭化水素環又は不飽和炭化水素環は所望によりかつ独立して、以下に言及するような1〜4個の置換基で置換され得る。
くは、「低級アルコキシ」は、1〜4個の炭素原子を有する、直鎖又は分枝鎖のアルキル−オキシ基を意味する。「低級アルコキシ」の例としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、t−ブトキシ、イソブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ及びこれらの様々な分枝鎖異性体が挙げられる。
を意味する。好ましいものは、1〜4個のアルコキシ基で置換されているアルキル基等であり、より好ましいものは、1〜2個のアルコキシ基で置換されているアルキル基などである。
ルオキシ基、シクロアルケニルオキシ基、シクロアルキニルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロシクリルオキシ基、アルカノイル基、アルケニルカルボニル基、アルキニルカルボニル基、シクロアルキルカルボニル基、シクロアルケニルカルボニル基、シクロアルキニルカルボニル基、アリールカルボニル基、ヘテロシクリルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、アルキニルオキシカルボニル基、シクロアルキルオキシカルボニル基、シクロアルケニルオキシカルボニル基、シクロアルキニルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヘテロシクリルオキシカルボニル基、アルカノイルオキシ基、アルケニルカルボニルオキシ基、アルキニルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、シクロアルケニルカルボニルオキシ基、シクロアルキニルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロシクリルカルボニルオキシ基、アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アルキニルチオ基、シクロアルキルチオ基、シクロアルケニルチオ基、シクロアルキニルチオ基、アリールチオ基、ヘテロシクリルチオ基、アミノ基、モノ−又はジ−アルキルアミノ基、モノ−又はジ−アルカノイルアミノ基、モノ−又はジ−アルコキシカルボニルアミノ基、モノ−又はジ−アリールカルボニルアミノ基、アルキルスルフィニルアミノ基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルフィニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基、カルバモイル基、モノ−又はジ−アルキルカルバモイル基、モノ−又はジ−アリールカルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アルケニルスルフィニル基、アルキニルスルフィニル基、シクロアルキルスルフィニル基、シクロアルケニルスルフィニル基、シクロアルキニルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、ヘテロシクリルスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アルケニルスルホニル基、アルキニルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、シクロアルケニルスルホニル基、シクロアルキニルスルホニル基、アリールスルホニル基及びヘテロシクリルスルホニル基からなる群から選択される1〜5個の置換基で置換され得る不飽和の単環式複素環が挙げられ、各置換基は、所望により更にこれらの置換基により置換され得る。
ホニル基、アルケニルスルホニル基、アルキニルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、シクロ−アルケニルスルホニル基、シクロアルキニルスルホニル基、アリールスルホニル基及びヘテロシクリルスルホニル基からなる群から選択される1〜5個の置換基で所望により置換され得る不飽和の縮合ヘテロ二環式の複素環が挙げられ、各置換基は、所望により更にこれらの置換基により置換され得る。
ホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基、アルキルスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ヘテロシクリル基、及びオキソ基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換され得る不飽和の単環式複素環が挙げられる。
所望により置換された不飽和の縮合ヘテロ二環式複素環は、所望によりハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルキリデンメチル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アミノ基、モノ−又はジ−アルキルアミノ基、アルカノイルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、スルファモイル基、モノ−又はジ−アルキル−スルファモイル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、モノ−又はジ−アルキルカルバモイル基、アルカノイル基、アルキルスルホニルアミノ基、フェニル基、フェノキシ基、フェニルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニル基、ヘテロシクリル基及びオキソ基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換され得る不飽和の縮合ヘテロ二環式複素環であり、並びに
所望により置換されたベンゼン環は、所望によりハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルキリデンメチル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル(alklsulfinyl)基、アミノ基、モノ−又はジ−アルキルアミノ基、アルカノイルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、スルファモイル基、モノ−又はジ−アルキルスルファモイル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、モノ−又はジ−アルキルカルバモイル基、アルキルスルホニルアミノ基、フェニル基、フェノキシ基、フェニルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニル基、ヘテロシクリル基、アルキレン基及びアルケニレン基からなる群から独立して選択される1〜3個の置換基で置換され得るベンゼン環であり、
不飽和の単環式複素環、不飽和の縮合ヘテロ二環式複素環及びベンゼン環上の、上述の置換基はそれぞれ更にハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、アルキル基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルカノイル基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、モノ−又はジ−アルキルアミノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、フェニル基、アルキレンオキシ基、アルキレンジオキシ基、オキソ基、カルバモイル基及びモノ−又はジ−アルキルカルバモイル基からなる群から独立して選択される1〜3個の置換基で置換され得る。
所望により置換された不飽和の縮合ヘテロ二環式複素環は、所望によりハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、モノ−又はジ−アルキルアミノ基、アルカノイルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、モノ−又はジ−アルキルカルバモイル基、フェニル基、ヘテロシクリル基及びオキソ基からなる群から独立して選択される1〜3個の置換基で置換され得る不飽和の縮合ヘテロ二環式複素環であり、並びに
所望により置換されたベンゼン環は、所望により、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、モノ−又はジ−アルキルアミノ基、アルカノイルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、モノ−又はジ−アルキルカルバモイル基、フェニル基、ヘテロシクリル基、アルキレン基及びアルケニレン基からなる群から独立して選択される1〜3個の置換基で置換され得るベンゼン環であり、
各不飽和の単環式複素環、不飽和縮合ヘテロ二環式複素環及びベンゼン環上の、上述の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルカノイル基、モノ−又はジ−アルキルアミノ基、カルボキシル基、ヒドロキシ基、フェニル基、アルキレンジオキシ基、アルキレンオキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基及びモノ−又はジ−アルキルカルバモイル基からなる群から独立して選択される1〜3個の置換基で更で置換され得る。
(1)環Aは所望により、独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルキリデンメチル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アミノ基、モノ−又はジ−アルキルアミノ基、スルファモイル基、モノ−又はジ−アルキルスルファモイル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、モノ−又はジ−アルキルカルバモイル基、アルキルスルホニルアミノ
基、フェニル基、フェノキシ基、フェニルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニル基、ヘテロシクリル基、及びオキソ基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換され得る不飽和の単環式複素環であり、
環Bは、不飽和の単環式複素環、不飽和の縮合二環式複素環又はベンゼン環であり、これらはそれぞれ所望により、独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルキリデンメチル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アミノ基、モノ−又はジ−アルキルアミノ基、スルファモイル基、モノ−又はジ−アルキルスルファモイル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、モノ−又はジ−アルキルカルバモイル基、アルキルスルホニルアミノ基、フェニル基、フェノキシ基、フェニルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニル基、ヘテロシクリル基、アルキレン基、及びアルケニレン基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換されてもよく、
(2)環Aは所望により、独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルキリデンメチル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アミノ基、モノ−又はジ−アルキルアミノ基、アルカノイルアミノ基、スルファモイル基、モノ−又はジ−アルキルスルファモイル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、モノ−又はジ−アルキルカルバモイル基、アルキルスルホニルアミノ基、フェニル基、フェノキシ基、フェニルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニル基、ヘテロシクリル基、アルキレン基、及びアルケニレン基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換され得るベンゼン環であり、
環Bは、不飽和の単環式複素環又は不飽和の縮合二環式複素環であり、これらはそれぞれ所望により、独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルキリデンメチル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アミノ基、モノ−又はジ−アルキルアミノ基、スルファモイル基、モノ−又はジ−アルキルスルファモイル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、モノ−又はジ−アルキルカルバモイル基、アルキルスルホニルアミノ基、フェニル基、フェノキシ基、フェニルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニル基、ヘテロシクリル基、アルキレン基、及びオキソ基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換されてもよく、あるいは
(3)環Aは所望により、独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルキリデンメチル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アミノ基、モノ−又はジ−アルキルアミノ基、スルファモイル基、モノ−又はジ−アルキルスルファモイル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、モノ−又はジ−アルキルカルバモイル基、アルキルスルホニルアミノ基、フェニル基、フェノキシ基、フェニルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニル基、ヘテロシクリル基、及びオキソ基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換され得る不飽和の縮合二環式複素環であり、
環Bは、不飽和の単環式複素環、不飽和の縮合二環式複素環又はベンゼン環であり、これらはそれぞれ所望により、独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルキリデンメチル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アミノ基、モノ−又はジ−アルキルアミノ基、スルファモイル基、モノ−又はジ−アルキルスルファモイル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、モノ−又はジ−アルキルカルバモイル基、アルキルスルホニルアミノ基、フェニル基、フェノキシ基、フェニルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニル基、ヘテロシクリル基、アルキレン基、及びオキソ基からなる群から選択される1〜3個の置
換基で置換されてもよく、
ここで環A及び環B上の上述の置換基はそれぞれ、所望により、独立して、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルカノイル基、モノ−又はジ−アルキルアミノ基、カルボキシル基、ヒドロキシ基、フェニル基、アルキレンジオキシ基、アルキレンオキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、及びモノ−又はジ−アルキルカルバモイル基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換され得る。
(1)環Aは、所望によりハロゲン原子、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、又はオキソ基で置換され得る不飽和の単環式複素環であり、かつ環Bは(a)所望によりハロゲン原子;シアノ基;低級アルキル基;ハロ−低級アルキル基;低級アルコキシ基;ハロ−低級アルコキシ基;モノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基で置換され得るベンゼン環;所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、又はモノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基で置換されたフェニル基;あるいは所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、又はモノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基で置換されたヘテロシクリル基;(b)所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロ−低級アルコキシ基、モノ(mo-)−若しくはジ−低級アルキルアミノ基から選択される基で置換され得る不飽和の単環式複素環、ハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、又はモノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基で置換され得るフェニル基;並びに所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、又はモノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基から選択される基で置換され得るヘテロシクリル基;あるいは(c)所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロ−低級アルコキシ基、モノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基で置換され得る不飽和の縮合ヘテロ二環式複素環、ハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、又はモノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基で置換され得るフェニル基;並びに所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、又はモノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基から選択される基で置換され得るヘテロシクリル基;である、
(2)環Aは所望によりハロゲン原子、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェニル基、又は低級アルケニレン基で置換され得るベンゼン環であり、かつ環Bは(a)所望によりハロゲン原子で置換され得る不飽和の単環式複素環;シアノ基;低級アルキル基;ハロ−低級アルキル基;フェニル−低級アルキル基;低級アルコキシ基;ハロ−低級アルコキシ基;モノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基;所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、モノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基、又はカルバモイル基で置換されたフェニル基;あるいは所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、モノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基、又はカルバモイル基で置換され得るヘテロシクリル基;(b)所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、フェニル−低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロ−低級アルコキシ基、モノ(mo-)−若しくはジ−低級アルキルアミノ基、ハロゲン原子で置換され得る不飽和の縮合ヘテロ二環式複素環、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、又はモノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基で置換され得るフェニル基;並びに所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、又はモノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基から選択される基で置換され得るヘテロシクリル基である;あるいは
(3)環Aは所望によりハロゲン原子、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級
アルコキシ基、又はオキソ基で置換され得る不飽和の縮合ヘテロ二環式複素環であり、かつ環Bは(a)所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロ−低級アルコキシ基、モノ(mo-)又はジ−低級アルキルアミノ基から選択される基で置換され得るベンゼン環、ハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基又はモノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基で置換され得るフェニル基;並びに所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、又はモノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基から選択される基で置換され得るヘテロシクリル基である;(b)所望によりハロゲン原子;シアノ基;低級アルキル基;ハロ−低級アルキル基;低級アルコキシ基;ハロ−低級アルコキシ基;モノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基で置換され得る不飽和の単環式複素環;所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、又はモノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基で置換されたフェニル基;あるいは所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、又はモノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基で置換されたヘテロシクリル基である;あるいは(c)所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロ−低級アルコキシ基、モノ(mo-)−又はジ−低級アルキルアミノ基から選択される基で置換され得る不飽和
の縮合ヘテロ二環式複素環、ハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、又はモノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基で置換され得るフェニル基;並びに所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、又はモノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基から選択される基で置換され得るヘテロシクリル基である。
に対してXは1位にあり、環Aは低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、ハロゲン原子、低級アルコキシ基、フェニル基、及び低級アルケニレン基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換されたベンゼン環であり、環Bは低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、フェニル−低級アルキル基、ハロゲン原子、低級アルコキシ基、ハロ−低級アルコキシ基、フェニル基、ハロフェニル基、シアノフェニル基、低級アルキルフェニル基、ハロ−低級アルキルフェニル基、低級アルコキシフェニル基、ハロ−低級アルコキシフェニル基、低級アルキレンジオキシフェニル基、低級アルキレンオキシフェニル基、モノ−若しくはジ−低級アルキルアミノフェニル基、カルバモイルフェニル基、モノ−若しくはジ−低級アルキルカルバモイルフェニル基、ヘテロシクリル基、ハロヘテロシクリル基、シアノへテロシクリル基、低級アルキルへテロシクリル基、低級アルコキシヘテロシクリル基、モノ−若しくはジ−低級アルキルアミノヘテロシクリル(alkylaminoheterocycyclyl)基、カルバモイルヘテロシクリル基、及びモノ−若しくはジ−低級アルキルカルバモイル基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換され得る不飽和の単環式複素環又は不飽和の縮合二環式複素環である。
に対してXは1位にあり、環Aは低級アルキル基、ハロゲン原子、低級アルコキシ基及びオキソ基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換され得る不飽和の単環式複素環であり、環Bはそれぞれ低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、ハロゲン原子、低級アルコキシ基、ハロ−低級アルコキシ基、フェニル基、ハロフェニル基、シアノフェニル基、低級アルキルフェニル基、ハロ−低級アルキルフェニル基、低級アルコキシフェニル基、ハロ−低級アルコキシフェニル基、ヘテロシクリル基、ハロヘテロシクリル基、シアノへテロシクリル基、低級アルキルへテロシクリル基及び低級アルコキシヘテロシクリル基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換され得る、不飽和の単環式複素環又は不飽和の縮合二環式複素環である。
(1)環Aは所望により、独立して、ハロゲン原子、所望によりハロゲン原子又は低級アルコキシ基で置換され得る低級アルキル基、所望によりハロゲン原子又は低級アルコキシ基で置換され得る低級アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、フェニル基及び低級アルケニレン基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換され得るベンゼン環である
環Bは、不飽和の単環式複素環又は不飽和の縮合二環式複素環であり、これらはそれぞれ所望により、独立して、ハロゲン原子、所望により、ハロゲン原子、低級アルコキシ基又はフェニル基で置換され得る低級アルキル基、所望によりハロゲン原子又は低級アルコキシ基で置換され得る低級アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、所望により、ハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロ−低級アルコキシ基又はカルバモイル基で置換され得るフェニル基、所望により、ハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロ−低級アルコキシ基又はカルバモイル基で置換され得るヘテロシクリル基、及びオキソ基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換され得る
(2)環Aは所望により、独立して、ハロゲン原子、所望により低級アルコキシ基で置換され得る低級アルキル基、所望によりハロゲン原子又は低級アルコキシ基で置換され得る低級アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、及びオキソ基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換され得る不飽和の単環式複素環であり、
環Bは所望により、独立して、ハロゲン原子、所望によりハロゲン原子、低級アルコキシ基又はフェニル基で置換され得る低級アルキル基、所望によりハロゲン原子又は低級アルコキシ基で置換され得る低級アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロ−低級アルコキシ基で置換され得るフェニル基、所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロ−低級アルコキシ基で置換され得るヘテロシクリル基、低級アルキレン基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換され得るベンゼン環である
(3)環Aは所望により、独立して、ハロゲン原子、所望によりハロゲン原子又は低級アルコキシ基で置換され得る低級アルキル基、所望によりハロゲン原子又は低級アルコキシ基で置換され得る低級アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、及びオキソ基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換され得る不飽和の単環式複素環であり、
環Bは不飽和の単環式複素環又は不飽和の縮合二環式複素環であり、これらはそれぞれ所望により、独立して、ハロゲン原子、所望によりハロゲン原子、低級アルコキシ基又はフェニル基で置換され得る低級アルキル基、所望によりハロゲン原子又は低級アルコキシ基で置換され得る低級アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基
又はハロ−低級アルコキシ基で置換され得るフェニル基、所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロ−低級アルコキシ基で置換され得るヘテロシクリル基、及びオキソ基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換され得る
(4)環Aは所望により、独立して、ハロゲン原子、所望により低級アルコキシ基で置換され得る低級アルキル基、所望によりハロゲン原子又は低級アルコキシ基で置換され得る低級アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、及びオキソ基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換され得る不飽和の縮合二環式複素環であり、
環Bは所望により、独立して、ハロゲン原子、所望によりハロゲン原子、低級アルコキシ基又はフェニル基で置換され得る低級アルキル基、所望によりハロゲン原子又は低級アルコキシ基で置換され得る低級アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロ−低級アルコキシ基で置換され得るフェニル基、所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロ−低級アルコキシ基で置換され得るヘテロシクリル基、及び低級アルキレン基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換され得るベンゼン環である、あるいは
(5)環Aは所望により独立して、ハロゲン原子、所望により低級アルコキシ基で置換され得る低級アルキル基、所望によりハロゲン原子又は低級アルコキシ基で置換され得る低級アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、及びオキソ基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換され得る不飽和の単環式複素環であり、
環Bは、不飽和の単環式複素環又は不飽和の縮合二環式複素環であり、これらはそれぞれ所望により、独立して、ハロゲン原子、所望によりハロゲン原子、低級アルコキシ基又はフェニル基で置換され得る低級アルキル基、所望によりハロゲン原子又は低級アルコキシ基で置換され得る低級アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロ−低級アルコキシ基で置換され得るフェニル基、所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロ−低級アルコキシ基で置換され得るヘテロシクリル基、及びオキソ基からなる群から選択される1〜3個の置換基で置換され得る。
トロ基、アミノ基、モノ−若しくはジ−アルキルアミノ基、アルカノイルアミノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、モノ−若しくはジ−アルキルカルバモイル基、アルカノイル基、アルキルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、アルキルスルフィニル基、アルキルスルホニル基又はフェニルスルホニル基であり、かつ
環Bは
R4b、R5b、R4c及びR5cはそれぞれ独立して水素原子;ハロゲン原子;ヒドロキシ基;アルコキシ基;アルキル基;ハロアルキル基;ハロアルコキシ基;ヒドロキシアルキル基;アルコキシアルキル基;フェニルアルキル基;アルコキシアルコキシ基;ヒドロキシアルコキシ基;アルケニル基;アルキニル基;シクロアルキル基;シクロアルキリデンメチル基;シクロアルケニル基;シクロアルキルオキシ基;フェニルオキシ基;フェニルアルコキシ基;シアノ基;ニトロ基;アミノ基;モノ−若しくはジ−アルキルアミノ基;アルカノイルアミノ基;カルボキシル基;アルコキシカルボニル基;カルバモイル基;モノ−若しくはジ−アルキルカルバモイル基;アルカノイル基;アルキルスルホニルアミノ基;フェニルスルホニルアミノ基;アルキルスルフィニル基;アルキルスルホニル基;フェニルスルホニル基;所望によりハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、メチレンジオキシ基、エチレンオキシ基、又はモノ−若しくはジ−アルキルアミノ基で置換されたフェニル基;あるいは所望によりハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、ハロアルキル基、アルコキシ基又はハロアルコキシ基で置換されたヘテロシクリル基である化合物が挙げられる。
R4a及びR5aがそれぞれ独立して水素原子;ハロゲン原子;低級アルキル基;ハロ−低級アルキル基;フェニル−低級アルキル基;所望によりハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロ−低級アルコキシ基、メチレ
ンジオキシ基、エチレンオキシ基、モノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基、カルバモイル基、又はモノ−若しくはジ−低級アルキルカルバモイル基で置換されたフェニル基;あるいはハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、カルバモイル基、又はモノ−又はジ−低級アルキルカルバモイル基で所望により置換されたヘテロシクリル基であるか、あるいはR4a及びR5aが互いの末端で結合して低級アルキレン基を形成し;かつ
R4b、R5b、R4c及びR5cがそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、ハロ−低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロ−低級アルコキシ基である化合物である。
R5aは水素原子であり、あるいは
R4a及びR5aは互いの末端で結合して低級アルキレン基を形成する化合物である。
子であり、かつYは−CH2−である化合物である。
式中、R6a及びR7aはそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキル基、ハロアルキル基、ハロアルコキシ基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルキリデンメチル基、シクロアルケニル基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アリールアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、モノ−若しくはジ−アルキルアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、モノ−若しくはジ−アルキルカルバモイル基、アルカノイル基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基、アルキルスルフィニル基、アルキルスルホニル基又はアリールスルホニル基であり、かつR6b及びR7bはそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ハロアルキル基又はアルコキシ基である。
基、モノ−若しくはジ−低級アルキルアミノ基、所望によりハロゲン原子、シアノ基、所望によりハロゲン原子で置換され得る低級アルキル基、所望によりハロゲン原子で置換され得る低級アルコキシ基で置換され得るフェニル基、所望によりハロゲン原子、シアノ基、所望によりハロゲン原子で置換され得る低級アルキル基、所望によりハロゲン原子で置換され得る低級アルコキシ基で置換され得るヘテロシクリル基からなる群から選択される置換基で置換され得るベンゼン環が挙げられる。
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−クロロ−3−(6−エチルベンゾ[b]チオフェン−2−イルメチル)ベンゼン;
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−クロロ−3−[5−(5−チアゾリル)−2−チエニルメチル]ベンゼン;
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−クロロ−3−(5−フェニル−2−チエニル−メチル)ベンゼン;
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−メチル−3−[5−(4−フルオロフェニル)−2−チエニルメチル]ベンゼン;
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−クロロ−3−[5−(2−ピリミジニル)−2−チエニルメチル]ベンゼン;
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−メチル−3−[5−(2−ピリミジニル)−2−チエニルメチル]ベンゼン;
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−クロロ−3−[5−(3−シアノフェニル)−2−チエニルメチル]ベンゼン;
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−クロロ−3−[5−(4−シアノフェニル)−2−チエニルメチル]ベンゼン;
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−メチル−3−[5−(6−フルオロ−2−ピリジル)−2−チエニルメチル]ベンゼン;
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−クロロ−3−[5−(6−フルオロ−2−ピリジル)−2−チエニルメチル]ベンゼン;
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−メチル−3−[5−(3−ジフルオロメチル−フェニル)−2−チエニルメチル]ベンゼン;
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−メチル−3−[5−(3−シアノフェニル)−2−チエニルメチル]ベンゼン;
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−メチル−3−[5−(4−シアノフェニル)−2−チエニルメチル]ベンゼン;
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−クロロ−3−[5−(6−フルオロ−3−ピリジル)−2−チエニルメチル]ベンゼン;
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−フルオロ−3−(5−(3−シアノフェニル)−2−チエニルメチル)ベンゼン;
これらの薬剤として許容される塩:並びにこれらのプロドラッグ。
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−メチル−3−[5−(3−シアノ−フェニル)−2−チエニルメチル]ベンゼン、又はこれらの薬剤として許容される塩又はこれらのプロドラッグ;
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−メチル−3−[5−(4−シアノ−フェニル)−2−チエニルメチル]ベンゼン、又はこれらの薬剤として許容される塩又はこれらのプロドラッグ;
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−メチル−3−[5−(4−フルオロ−フェニル)−2−チエニルメチル]ベンゼン、又はこれらの薬剤として許容される塩又はこれらのプロドラッグ;
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−クロロ−3−[5−(3−シアノ−フェニル)−2−チエニルメチル]ベンゼン、又はこれらの薬剤として許容される塩又はこれらのプロドラッグ;
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−メチル−3−[5−(6−フルオロ−2−ピリジル)−2−チエニルメチル]ベンゼン、又はこれらの薬剤として許容される塩又はこれらのプロドラッグ;
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−クロロ−3−[5−(6−フルオロ−2−ピリジル)−2−チエニルメチル]ベンゼン、又はこれらの薬剤として許容される塩又はこれらのプロドラッグ;
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−クロロ−3−[5−(6−フルオロ−3−ピリジル)−2−チエニルメチル]ベンゼン、又はこれらの薬剤として許容される塩又はこれらのプロドラッグ;並びに
1−(β−D−グルコピラノシル)−4−フルオロ−3−(5−(3−シアノフェニル)−2−チエニルメチル)ベンゼン、又はこれらの薬剤として許容される塩又はこれらのプロドラッグが挙げられる。
セント未満、より好ましくは約0.5モルパーセント未満、最も好ましくは約0.1モルパーセント未満であることを意味する。
上昇、高脂血症、肥満、高トリグリセリド症、シンドロームX、糖尿病性合併症、アテローム性動脈硬化症又は高血圧症の、進行若しくは発症を処置する又は遅延させるのに有用である。特に本発明の化合物は、真性糖尿病(I型及びII型真性糖尿病など)、糖尿病性合併症(糖尿病性網膜症、糖尿病性神経障害、糖尿病性腎症のようなもの)若しくは肥満の処置若しくは処置に有用であり、又は食後の高血糖症の処置に有用である。
に従って行われ、所望の生成物を提供することを認識するであろう。
異性体は、分取クロマトグラフィーのような従来の技術により分離することができる。化合物はラセミ体で調製されてもよく、又は個々のエナンチオマーのエナンチオ選択的合成、又は分割のいずれかにより調製することができる。化合物は例えば標準的な技術、例えば(−)−ジ−p−トルオイル−D−酒石酸及び/又は(+)−ジ−p−トルオイル−L−酒石酸などの光学的に活性な酸と共に塩を形成することによりジアステレオマー対を形成した後、分別結晶化及び遊離塩基の再生を行ってそれらの成分である鏡像異性体に分割することができる。化合物は、ジアステレオマーエステル又はアミドの形成と、その後のクロマトグラフ分離及びキラル補助基の除去により分割することもできる。代替的に、化合物は、キラルHPLCカラムを使用して分割されてもよい。
ウムの複合体又はC1〜4アルキルマグネシウムブロミドと塩化リチウムの複合体と反応させ(ここで、C1〜4アルキルは好ましくはイソプロピル又はsec−ブチル、より好ましくはsec−ブチルであり、ジ(C1〜4アルキル)マグネシウムと塩化リチウムの複合体、又はC1〜4アルキルマグネシウムクロリドと塩化リチウムの複合体、又はC1〜4アルキルマグネシウムブロミドと塩化リチウムの複合体は、好ましくは、約1.0〜1.5モル当量(式(X)の化合物のモル数に対して)の範囲の量、あるいはこの中の任意の範囲、より好ましくは約1.2モル当量で存在する)、対応する式(XI)の化合物(式中、Q1は、対応するMgCl又はMgBrである)を生成させる。
も好ましくは約1.0モル当量で存在する)、対応する式(I)の化合物を生成させる。
ec−ブチル)マグネシウムと塩化リチウムなどのような、ジ(C1〜4アルキル)マグネシウムと塩化リチウムの複合体と、あるいはC1〜4アルキルマグネシウムクロリドと塩化リチウムの複合体又はC1〜4アルキルマグネシウムブロミドと塩化リチウムの複合体と反応させ(ここで、C1〜4アルキルは好ましくはイソプロピル又はsec−ブチル、より好ましくはsec−ブチルであり、ジ(C1〜4アルキル)マグネシウムと塩化リチウムの複合体、又はC1〜4アルキルマグネシウムクロリドと塩化リチウムの複合体、又はC1〜4アルキルマグネシウムブロミドと塩化リチウムの複合体は、好ましくは、約1.0〜1.5モル当量(式(X−S)の化合物のモル数に対して)の範囲の量、あるいはこの中の任意の範囲、より好ましくは約1.2モル当量で存在する)、対応する式(XI−S)の化合物(式中、Q1は、対応するMgCl又はMgBrである)を生成させる。
て(塩基は好ましくは約0.1〜約2.0モル当量の範囲の量、又はこの中の任意の範囲の量、より好ましくは約0.5〜約1.5モル当量の範囲の量、又はこの中の任意の範囲の量、最も好ましくは約1.0モル当量で存在する)、対応する式(I−S)の化合物を生成させる。
工程A:式(I−S)の化合物をエチルアセテート、酢酸イソプロピル、メタノール、エタノール及び同様物など、好ましくはエチルアセテートなどの有機溶媒に溶解させ、次いで得られる混合物を所望により濾過する工程と、
工程B:工程Aの混合物を約25℃〜約45℃の範囲の温度、好ましくは約30℃〜約35℃の範囲の温度へと加熱して、次いで得られた混合物を所望により濾過する工程と、
工程C:工程Bで調製した混合物に水を加える工程(加える水の量は好ましくは約1.0〜約2.0モル当量の範囲の量であり(工程Aで使用した式(I−S)の化合物のモル数に対して)、より好ましくは加える水の量は約1.5モル当量である)と、
工程D:ヘプタン及び同様物などの貧溶媒、好ましくはヘプタンを工程Cで調製した混合物に加える工程(貧溶媒は沈殿を開始させるために加える。加える貧溶媒の量は、好ましくは約1:〜約1:5の有機溶媒(工程Aで選択されるもの):貧溶媒の最終容量:容量比を生成するのに十分な量であり、より好ましくは約1:2の最終容量:容量比を生成するのに十分な量であり、式(I−S)の化合物の沈殿を生成する(沈殿は好ましくは濾過により単離され、及び更には好ましくは既知の方法に従って乾燥される))とを含む。
工程A:式(I−S)の化合物をエチルアセテート、酢酸イソプロピル、メタノール、エタノール及び同様物など、好ましくは酢酸イソプロピルなどの有機溶媒に溶解させて、次いで得られる混合物を所望により濾過する工程と、
工程B:工程Aで調製した混合物に水を加える工程(加える水の量は好ましくは約1.0〜約2.0モル当量(式(I−S)の化合物のモル数に対して)の範囲の量であり、より好ましくは、加える水の量は約1.5モル当量である)と、
工程C:工程Bの混合物を約40℃〜約65℃の範囲の温度、好ましくは約60℃〜約65℃の範囲の温度へと加熱して、次いで得られる混合物を所望により濾過する工程と、
工程D:工程Cで調製した混合物を冷却して、式(I−S)の化合物の沈殿を生成させる工程(沈殿は好ましくは濾過により単離され、及び更には好ましくは既知の方法に従って乾燥される)とを含む。
約−78℃の範囲、又はこの中の任意の範囲の温度にて、好ましくは、約2℃〜約5℃の範囲の温度にて、既知の化合物、又は既知の方法により調製された化合物である、ジ(sec−ブチル)マグネシウムと塩化リチウムなどのような、ジ(C1〜4アルキル)マグネシウムと塩化リチウムの複合体と、あるいはC1〜4アルキルマグネシウムクロリドと塩化リチウムの複合体又はC1〜4アルキルマグネシウムブロミドと塩化リチウムの複合体と反応させ(ここで、C1〜4アルキルは好ましくはイソプロピル又はsec−ブチル、より好ましくはsec−ブチルであり、ジ(C1〜4アルキル)マグネシウムと塩化リチウムの複合体、又はC1〜4アルキルマグネシウムクロリドと塩化リチウムの複合体、又はC1〜4アルキルマグネシウムブロミドと塩化リチウムの複合体は、好ましくは、約1.0〜1.5モル当量(式(X−K)の化合物のモル数に対して)の範囲の量、あるいはこの中の任意の範囲、より好ましくは約1.2モル当量で存在する)、対応する式(XI−K)の化合物(式中、Q1は、対応するMgCl又はMgBrである)を生成させる。
鉄、及び同様物などの、好ましくはBF3・THF又は塩化アルミニウム、より好ましくは塩化アルミニウムなどの、好適に置換されたルイス酸と反応させて(好ましくはルイス酸は約0.5〜約10.0モル当量の範囲の量、又はこの中の任意の範囲の量、より好ましくは約0.5〜約2.5モル当量の範囲の量、最も好ましくは約0.8モル当量で存在し、本発明の一実施形態では塩化アルミニウムとテトラメチルジシロキサンの比は約1:1.25である)、対応する式(XIV−K)の化合物を生成させる。
らの混合物中で、好ましくはメタノール中で、好ましくは約室温にて、LiOH、NaOH、NaOCH3などの、好ましくはNaOCH3などの好適に選択された塩基と反応させて(塩基は好ましくは約0.1〜約2.0モル当量の範囲の量、又はこの中の任意の範囲の量、より好ましくは約0.5〜約1.5モル当量の範囲の量、又はこの中の任意の範囲の量、最も好ましくは約1.0モル当量で存在する)、対応する式(I−K)の化合物を生成させる。
物などであり、好ましくはブロモである)を、THF、2−メチル−THF、ジブチルエーテル、ジエチルエーテル、及び同様物などの好適に選択された有機溶媒中で、Mg、イソプロピルMgCl、イソプロピルMgCl・LiCl、sec−ブチルMgCl・Li、ジ−(sec−ブチル)Mg、トリ−(n−ブチル)MgLi、及び同様物などの好適に選択されたマグネシウム剤と反応させて、対応するグリニャール誘導体である式(XVII−S)の化合物を生成する(Q3は、対応するグリニャール種、より具体的には対応
するMgBr、MgCl、MgI、又は対応するLiCl付加化合物(MgBr・LiCl、MgCl・LiCl、MgI・LiCl)である)。
ィノ)−1,1’−ビナフチル(BINAP)、ビス(2−ジフェニルホスフィノフェニル)エーテル(DPEphos)、4,5−ビス(ジフェニルホスフィノ)−9,9−ジメチルキサンテン(Xantphos)、dppb、dppe、dppf、dppp又はt−Bu3P・HBF4、好ましくはdppf、dppp、t−Bu3P・HBF4、キサントホス、トリシクロヘキシルホスフィン、又はキサントホス、より好ましくはdppp又はキサントホスなど)の存在下で(配位子は好ましくは約0.0001モル%〜約10モル%(式(XV−S)の化合物の量に基づいて)の範囲の量で、より好ましくは約0.001モル%〜約1モル%の範囲の量で、より好ましくは約0.01モル%〜約0.1モル%の範囲の量で存在する)、室温より低い温度、室温又は室温より高い温度、好ましくは約−20℃〜約150℃の範囲の温度、より好ましくは約30℃〜約80℃の範囲の温度、より好ましくは約40℃〜約60℃の範囲の温度にて、2−ブロモチオフェンとしても既知である式(XV−S)の化合物と反応させて、対応する式(XVIII−S)の化合物を生成させる(式(XVII−S)の化合物は約0.8〜約3.0モル当量の範囲の量で、好ましくは約1.0〜約2.0モル当量の範囲の量で、より好ましくは約1.05〜約1.2モル当量の範囲の量で存在する)。
BINAP)、ビス(2−ジフェニルホスフィノフェニル)エーテル(DPEphos)、4,5−ビス(ジフェニルホスフィノ)−9,9−ジメチルキサンテン(キサントホス)、dppb、dppe、dppf、dppp又はt−Bu3P・HBF4、好ましくはdppf、dppp、t−Bu3P・HBF4、キサントホス、トリシクロヘキシルホスフィン又はキサントホス、より好ましくはdppp又はキサントホスなどの好適に選択された配位子の存在下(好ましくは配位子は約0.0001モル%〜約10モル%(式(XV−S)の化合物の量に基づいて)、より好ましくは約0.001モル%〜約1モル%の範囲の量で、より好ましくは約0.01モル%〜約0.1モル%の範囲の量で存在し)で、室温より低い温度、室温又は室温より高い温度にて、好ましくは約−20℃〜約150℃の範囲の温度、より好ましくは約30℃〜約80℃の範囲の温度、より好ましくは約40℃〜約60℃の範囲の温度にて、2−ブロモチオフェンとしても既知の式(XV−K)の化合物と反応させて(式(XVII−K)の化合物は約0.8〜約3.0モル当量の範囲の量で、好ましくは約1.0〜約2.0モル当量の範囲の量で、より好ましくは約1.05〜約1.2モル当量の範囲の量で存在する)、対応する式(XVIII−K)の化合物を生成させる。
、室温又は室温より高い温度でも脱保護反応が実施され得ることを認識するであろう。好ましくは、脱保護反応は約−20℃〜約150℃の範囲の温度、より好ましくは約20℃〜約50℃の範囲の温度にて実施される。
あるいは好適に選択されたアルキルマグネシウムクロリド/リチウムクロリド剤(i−プロピルマグネシウムクロリド/リチウムクロリド、s−ブチルマグネシウムクロリド/リチウムクロリド、及び同様物など)と反応させ、対応する式(L)の化合物を生成させる(ここで、i−プロピルマグネシウムクロリド/リチウムクロリドは式(L)の化合物の調製のために使用され、式中、X0はCl・LiClであり、i−プロピルマグネシウムクロリド/リチウムクロリドは好ましくは約0.95〜約1.6モル当量の範囲で、より好ましくは約1.05〜約1.10モル当量の範囲で存在する)。
ルシラン及び同様物など)又はポリアルキルシラン(ポリ(メチルヒドロシロキサン)及び同様物など)など)と反応させることにより還元することができる。
パラジウム(II)、ビス(アセトニトリル)ジクロロパラジウム(II)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)、[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II)とジクロロメタンの複合体、トリス(ジベンジリデン−アセトン)ジパラジウム(0)−クロロホルム付加化合物、塩化パラジウム(II)及び同様物など)の存在下で、好適に選択された塩基(アルカリ金属炭酸塩(炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム及び同様物など)、アルカリ金属リン酸塩(三塩基性リン酸カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸水素ナトリウム及び同様物など)、有機塩基(N,N−ジイソプロピルエチルアミン及び同様物など)又はアルカリ金属フッ化物(フッ化セシウム、フッ化カリウム及び同様物など)など)の存在下で、所望により好適に選択された配位子(トリシクロヘキシルホスフィン、トリ(o−トリル)ホスフィン及び同様物など)の存在下で、所望により好適に選択された添加剤(ヨウ化銅(I)及び同様物など)の存在下で、周囲温度又は高温(例えば約25℃〜約150℃の範囲の温度、好ましくは約80℃〜約150℃の範囲の温度)にて、既知の化合物又は既知の方法により調製された化合物である好適に置換された式(LXIV)の化合物と反応させて、対応する式(LXII)の化合物を生成させる。
効成分を含有する。本明細書の医薬組成物は、投薬量単位(例えば錠、カプセル、粉末、注射、坐剤、茶さじ及び同様物など)当たり約0.01〜約1000mg又はこの中の任意の量若しくは範囲を含有し得、約0.01〜約300mg/kg/日、又はこの中の任意の量若しくは範囲、好ましくは約0.1〜約50mg/kg/日、又はこの中の任意の量若しくは範囲の投薬量で与えてもよい。しかしながら、投与量は、患者の要求量、治療されている病状の重篤度、及び使用される化合物に応じて変動し得る。連日投与又は断続的(post-periodic)投与の使用のいずれかを用いることができる。
周囲温度にてトルエン(0.75L/モル)に2−(4−フルオロ−フェニル)−5−(5−ヨード−2−メチル−ベンジル)−チオフェン(122.48g、0.3モル)を加えて撹拌し、次いで−10℃へと冷却した次いで得られた混合物に、アルゴン下で、−5℃〜−7℃にて約45分かけて滴加漏斗を介してsec−ブチルMgCl・LiCl(THF中約15%;269.70g、0.36モル)を加え、得られる暗緑色の溶液を−5℃〜0℃の間で1時間にわたって撹拌した。
3(R),4(S),5(R)−トリアセトキシ−6−オキソ−テトラヒドロ−ピラン−2(R)−イルメチルエステル酢酸(トルエン中約50%、0.39モル)をTHF(0.25L/モル)で希釈して、得られた溶液を−35℃に冷却した。次いで混合物に、
アルゴン下で約1時間以上かけて約−35℃未満で、上記工程Aで調製した溶液を注射器/滴加漏斗を介して加えた。−35℃での15分間の撹拌後、酢酸(23mL)と水(225mL)の混合物を、約5分かけて加えた。次いで得られた混合物25℃に加温した。得られた2相の混合物の層を分離し、上部の有機層を水(100mL)で2回洗浄した。次いで溶媒を蒸留させることにより有機層を濃縮したところ、残留物が生成した。次いで残留物にアセトニトリル(420mL)を加え、得られた混合物をメチルシクロヘキサン(300mL)で洗浄した。得られた混合物は、素早く分離する2つの有機層からなった。表題化合物を含有するアセトニトリル溶液を、表題化合物を更に精製あるいは単離することなく次工程で使用した。
周囲温度にて2−(4−フルオロ−フェニル)−5−(5−ヨード−2−メチル−ベンジル)−チオフェン(204.14g、0.5モル)をトルエン(0.3L/モル)でスラリー化し、得られた混合物を2℃に冷却した。2〜5℃にてsec−ブチルMgCl・LiCl(THF中約15%;1.2モル/モル−純度LR)を滴加漏斗を介して1時間以上かけて加えた。次いで得られた暗褐色の溶液を、2℃にて2時間にわたって撹拌した。
3(R),4(S),5(R)−トリアセトキシ−6−オキソ−テトラヒドロ−ピラン−2(R)−イルメチルエステル酢酸(トルエン中約50%、0.65モル)をTHF(0.2L/モル)で希釈し、得られた混合物を−40℃に冷却した。次いで−35°〜−40℃にて、混合物に注射器を介して1/2時間かけて上記の工程Aで調製した混合物を加えた。次いで得られた混合物を−40℃に冷却し、30分にわたって撹拌した。次いでHCl(59.8mL)と水(100mL)の混合物を、−40℃にて10分間かけて加えた。得られた混合物を15分以上20℃に加温し、次いで更に水(150mL)で希釈した。得られた二相性の混合を分離し、トルエン(100mL)を有機層に加えた。次いで有機層を水(250mL)で洗浄し、5kPa(50mbar)の最低圧力下で70℃にてロータリーエバポレーターで層を分離し、有機層を濃縮して、表題化合物が残留物として生成した(この残留物は更に精製することなく次の合成工程に使用した)。
AVANCE−400MHz NMRスペクトロメーターを使用して、1次元プロトン及びカーボンスペクトルを収集した。
H)1.96(s,3H)2.05(s,3H)2.07(s,3H)2.31(s,3H)3.13(br.s.,1H)4.11(d,J=3.02Hz,2H)4.19(dd,J=12.34,2.52Hz,1H)4.31(dd,J=12.34,4.28Hz,1H)4.38〜4.43(m,1H)5.08(d,J=9.82Hz,1H)5.27(t,J=9.82Hz,1H)5.59(t,J=9.82Hz,1H)6.59(d,J=3.53Hz,1H)6.98〜7.05(m,3H)7.18(d,
J=7.81Hz,1H)7.36(dd,J=7.81,2.01Hz,1H)7.39(d,J=1.76Hz,1H)7.44〜7.48(m,2H)
スペクトルを記録した。Bruker 5mm BBO CPDUL 1H/2H−13C Z−GRD勾配高解像プローブを装備し、XWIN−NMR 3.5.6ソフトウェアを実行しているBruker AVANCE−400MHz NMRスペクトロメーターを使用して、1次元プロトン及びカーボンスペクトルを収集した。
融点=161.8℃
した。次いで得られた混合物を還流温度に加熱し、約82mLの溶媒を蒸留して次いで30分以上にわたって2℃に冷却した。得られた混合物に酢酸(4.68mL、81.60mモル)を加えた。次いで冷却しながら水(114mL)を約15分かけて加え、得られた混合物を22℃に加温した。得られた混合物に先ほど調製した材料(300mg)を加え、次いで22℃で19時間にわたって撹拌した。追加の水(49mL)を2.5時間以上かけて加え(メタノール:水の比が50:50になるように)、得られた混合物を15分以上0℃に冷却し、次いで0℃にて2時間にわたって撹拌した。得られた懸濁液を濾過し、固体をメタノール:水が50:50の混合物(総量20mL)で洗浄し、次いで真空下で18時間にわたって50℃にて乾燥させたところ、表題化合物が固体として生成した。
NMRスペクトルを記録した。Bruker 5 mm CPDUL 1H/2H−13C Z−GRD勾配高解像プローブを装備し、XWIN−NMR 3.5.6ソフトウェアを実行しているBruker AVANCE−600 MHz NMRスペクトロメーターを使用した。
,1H)3.25〜3.29(m,1H)3.42〜3.47(m,1H)3.68〜3.73(m,1H)3.97(d,J=9.44Hz,1H)4.07〜4.17(m,2H)4.44(t,J=6.04Hz,1H)4.73(d,J=5.67Hz,1H)4.93(d,J=4.91Hz,2H)6.80(d,J=3.78Hz,1H)7.12(d,J=7.55Hz,1H)7.15(dd,J=7.55,1.51Hz,1H)7.20(t,J=8.69Hz,2H)7.23(d,J=1.13Hz,1H)7.28(d,J=3.40Hz,1H)7.57〜7.61(m,2H)
,16379g)を一度に加え、得られた混合物を15分にわたって撹拌した。次いで混合物に、15℃にて約3時間以上にわたって3(R),4(S),5(R)−トリアセトキシ−6−{3−[5−(4−フルオロ−フェニル)−チオフェン−2−イルメチル]−4−メチル−フェニル}−6−ヒドロキシ−テトラヒドロ−ピラン−2(R)−イルメチルエステル酢酸(1.0当量、146.46mL(145.26g、アセトニトリル中54.10% w/w))を加えた。添加に続いて、得られた混合物を15℃にて15分にわたって撹拌し、次いで約30分以上にわたって45℃に加温した。得られた混合物に、4−メチル−2−ペンタノン(32.92mL、26.29g)を約15分以上にわたって加え、これを次いで50℃に加温し、50℃にて1時間にわたって撹拌した。次いで滴
加漏斗を介してNH4Clを加え、得られた混合物を約15分以上にわたって65℃に加
温し、次いで15分にわたって65℃にて撹拌した。得られた層は分離し、有機層と水層の間の無色の層が上方の有機層を保持した。有機層を65℃にて水(20.00mL)中塩化アンモニウム(3.21g)溶液で洗浄し、得られた3層を分離した。有機層を約15分以上にわたって65℃に加熱し、15分以上にわたって55℃に冷却し、次いで3(R),4(R),5(S)−トリアセトキシ−6(S)−{3−[5−(4−フルオロ−フェニル)−チオフェン−2−イルメチル]−4−メチル−フェニル}−テトラヒドロ−ピラン−2(R)−イルメチルエステル酢酸(1.15g)を加えた。得られた混合物を6時間にわたって55℃にて撹拌し、約15時間以上にわたって1℃に冷却し、次いで5時間にわたって1℃にて撹拌した。得られた沈殿物を濾過し、メタノール(2×114mL)で洗浄し、次いで減圧下60℃にて乾燥したところ、表題化合物が固体として生成した。
2−Me−THF(80mL、0.1L/モル)をMg(19.44g、0.8モル)に加え、得られた混合物を低速で撹拌した。1−ブロモ−4−フルオロ−ベンゼン(142.8g、0.816モル)を2−Me−THF(200mL、0.25L/モル)に溶解し、この溶液をMg混合物に25mL加えた。得られた混合物を約43℃に加熱し、残りの1−ブロモ−4−フルオロベンゼン溶液を約40分かけて加えつつ、混合物を還流温度に維持した。1−ブロモ−4−フルオロベンゼンを加えるのに使用した滴加漏斗を2−メチル−THF(40mL)ですすぎ、このすすぎ液を加えた。得られた混合物を1時間にわたって90℃にて撹拌し、次いで20℃に冷却したところ、4−フルオロ−フェニルマグネシウムブロミドを含有している茶色−緑色溶液が生成した。
2−ブロモチオフェン(130.4g、0.8モル)を2−Me−THF(240mL、0.3L/モル)に溶解させ、得られた混合物を2℃に冷却した。NiCl2(dpp
e)(2.11g、4.0mモル)を添加した後に、上記の工程Aの通りに調製した4−フルオロ−フェニルマグネシウムブロミド溶液を約40分以上にわたって、≦30℃にて加えたところ、暗赤色の溶液が生成した。この溶液を次いで22℃にて1.5時間にわたって撹拌した。次いで水(240mL、0.3L/モル)中酢酸(91.7mL、1.6モル)溶液を加え、得られた混合物を15分にわたって強く撹拌した。得られた層を分離し、有機層を水(80mL、0.1L/モル)で洗浄し、次いで減圧下で75℃にて濃縮したところ、2−(4−フルオロフェニル)チオフェンが茶色の油として生成した。
オフェン
DCM(350mL、1L/モル)を91.7gの5−ヨード−2−メチル安息香酸(91.7g、0.35モル)に加え、得られた不均質な混合物を22℃にて撹拌した。次いで得られた混合物に滴加漏斗を介して塩化チオニル(42.5g、0.35モル)を加えた。得られた混合物をゆっくりと還流温度に加温し(加温時間を通して混合物は無色の溶液になり、ガスの発生が観察された)、次いで1時間にわたって撹拌し、次いで2℃に冷却した。得られた混合物に塩化アルミニウム粒(56.0g、0.42モル)を加え、次いで2℃にて15分にわたって撹拌した。次いで滴加漏斗を介して2−(4−フルオロフェニル)チオフェン(0.35モル,89.7% w/w)のDCM(0.5L/モル)溶液を10分かけて加え、添加時に温度を10℃に上昇させた。得られた混合物を20℃にて2時間にわたって撹拌し、次いで2℃に冷却した。追加の塩化アルミニウム粒(107.3g、0.805モル)を加え、得られた混合物を15分にわたって撹拌した。滴加漏斗を介してアセトニトリル(210mL、0.6L/モル)を≦20℃にて20分かけて加えた。次いで滴加漏斗を介してテトラメチルジシロキサン(131.6g、0.98モル)を5分かけて加えた。得られた混合物をゆっくりと還流温度(42℃)に加温し、還流温度にて3時間維持し、22℃に冷却し、次いで16時間にわたって撹拌した。T≦35℃にて30分かけて水(420mL、1.2L/モル)を加え、得られた混合物を15分にわたって強く撹拌した。得られた層を分離し、有機層を水(70mL、0.2L/モル)で洗浄し、次いで減圧下50℃にて濃縮したところ、表題化合物が残留物として生成した。
窒素雰囲気下で、5−ブロモ−2−フルオロピリジン(8.8g、50mモル)を脱水THF(50mL)に溶解させた。得られた混合物に、次いでsec−ブチルMgCl・LiCl(THF中15%、1.5当量)を室温にて約30分かけて加え、得られた混合物を室温にて2時間にわたって撹拌した。
別個の反応槽に、窒素雰囲気下でNiCl2(dppp)(0.02当量、0.60g
)とTHF(50mL)を加えた。2−ブロモチオフェン(8.1g、4.81mL、50mモル、1当量)を加え、得られた溶液を2分にわたって撹拌した。次いで、得られた混合物に、上記の工程Aで調製した混合物を0℃にて約30分かけて加え、次いで撹拌しながら室温へと加温した。次いで得られた混合物にジエチルエーテルを加え、次いで0℃に冷却し、1NのHClで処理した得られた混合物をジエチルエーテルで抽出し(3X)、層を分離し、有機層をMgSO4上で乾燥し、次いで濾過し、濾液を濃縮して、2−フルオロ−5−(チオフェン−2−イル)ピリジンを液体残留物として得た。
窒素雰囲気下で、DCM(30mL)と1滴のDMFの混合物に、5−ブロモ−2−クロロ安息香酸(5.26g、22.3mモル)を加えた。得られた混合物に次いで塩化オキサリル(4.26g、2.93mL、33.5mモル、1.5当量)を加え、次いで2時間にわたって撹拌した。得られた混合物を残留物へと濃縮した。残留物にDCM(30mL)を加え、混合物を濃縮した。このDCMの添加操作を2回繰り返した。得られた残留物に次いでDCM(40mL)中のAlCl3(3.6g、1.2当量)を滴加し、得られた混合物を室温で2時間にわたって攪拌した。次いで反応を水でクエンチし、得られた層を分離し、水層をDCMで抽出した。混合した有機画分をK2CO3で洗浄し、次いでMgSO4上で乾燥し、濾過し、濃縮したところ、(5−ブロモ−2−クロロフェニル)(5−(6−フルオロピリジン−3−イル)チオフェン−2−イル)メタノンが残留物として生成した。
窒素雰囲気下で、(5−ブロモ−2−クロロフェニル)(5−(6−フルオロピリジン−3−イル)チオフェン−2−イル)メタノン(1.96g、4.9mモル)をDCM(12.5mL)に溶解した。次いで得られた混合物にアセトニトリル(12.5mL)とEt3SiH(2.29mL、14.3mモル、2.9当量)を加え、黄色い懸濁液の形成を得た。懸濁液を0℃に冷却し、次いでBF3・OEt2(13.8mモル、1.75mL、2.8当量)を滴加して処理した。得られた混合物を一晩室温へと加温した。飽和Na2CO3(6mL)を加え、得られた混合物をクロロホルムで抽出し、得られた相を分離して、有機層をMgSO4上で乾燥させて濃縮したところ、残留物が生成した。残留物を
酢酸エチルに溶解させ、次いでメタノールで処理したところ、結果として沈殿物が形成され、これを濾過したところ、5−(5−(5−ブロモ−2−クロロベンジル)チオフェン−2−イル)−2−フルオロピリジンが固体として生成した。
次いで一晩攪拌した。固体を分離し、廃棄した。液体を水で洗浄した(2×500mL)。混合した水層をジエチルエーテルで抽出した(2×500mL)。混合した有機層を次いでNaCl上で乾燥させ、濃縮し、フラスコ蒸留により精製したところ、表題化合物が白色の固体として精製した。
(3R,4S,5S,6R)−2−(3−((5−(4−フルオロフェニル)チオフェン−2−イル)メチル)−4−メチルフェニル)−6−(ヒドロキシメチル)−2−メトキシテトラヒドロ−2H−ピラン−3,4,5−トリオール
(3R,4S,5R,6R)−6−(アセトキシメチル)−2−(3−((5−(4−フルオロフェニル)チオフェン−2−イル)メチル)−4−メチルフェニル)−2−メトキシテトラヒドロ−2H−ピラン−3,4,5−トリル三酢酸
は6〜7に維持した。水を混合物に加え、分離した。有機層を水とブラインで洗浄し、無水MgSO4上で乾燥させて濾過した。濾液を減圧下で濃縮して、メチル2,3,4,6−テトラ−O−アセチル−1−C−(3−{[5−(4−フルオロフェニル)−2−チエニル]メチル}−4−メチルフェニル)−D−グルコピラノシド(17.59g)を黄色い油として得た。
(2R,3R,4R,5S,6S)−2−(アセトキシメチル)−6−(3−((5−(4−フルオロフェニル)チオフェン−2−イル)メチル)−4−メチルフェニル)テトラヒドロ−2H−ピラン−3,4,5−トリル三酢酸
にて4時間にわたって攪拌した。混合物を、冷却下で10%のK2CO3水溶液(156.8mL)でクエンチした。この混合物を室温に加温し、15分にわたって攪拌した。分離後、水と酢酸エチルを有機層に加えた。有機層をブラインで洗浄し、濾過した。濾液を減圧下で濃縮した。得られた残留物をエタノールに懸濁し、濃縮した(2回)。残留物にエタノールを加え、得られた混合物を50℃にて30分にわたって撹拌し、次いで氷浴で冷却した。沈殿物を濾過し、エタノールで2回洗浄し、次いで乾燥したところ、(1S)−2,3,4,6−テトラ−O−アセチル−1,5−アンヒドロ−1−(3−{[5−(4−フルオロフェニル)−2−チエニル]メチル}−4−メチルフェニル)−D−グルシトール(11.12g)を白色の結晶として得た。
(2S,3R,4R,5S,6R)−2−(3−((5−(4−フルオロフェニル)チオフェン−2−イル)メチル)−4−メチルフェニル)−6−(ヒドロキシメチル)テトラヒドロ−2H−ピラン−3,4,5−トリオール
2−(4−フルオロフェニル)−5−(5−ヨード−2−メチルベンジル)チオフェン
g)を加え、得られた混合物を撹拌した。次いで混合物を濾過し、濾液を濃縮したところ、表題化合物が残留物として生成し、これを更に精製することなく使用した。
経口固形製剤−予想される実施例(Prophetic Example)
経口組成物の具体的な実施形態として、上記実施例5又は実施例6で調製した化合物100mgを、十分な微粉乳糖と共に配合して、580〜590mgの合計量を達成し、サイズOの硬質ゲルカプセル剤に充填した。
Claims (8)
- 式中、Q2がブロモであり、Q3がMgBrである、請求項1に記載のプロセス。
- 前記マグネシウム剤がマグネシウムである、請求項1に記載のプロセス。
- 前記Ni又はPd触媒がNiCl2(dppe)である、請求項1に記載のプロセス。
- 前記式(XV−S)の化合物を、配位子の存在下で前記式(XVII−S)の化合物と反応させる、請求項1に記載のプロセス。
- 前記Ni又はPd触媒がPd(OAc)2であり、前記配位子が1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパンである、請求項5に記載のプロセス。
- 式中、Q0がヨードである、請求項7に記載のプロセス。
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