JP2014140059A - 基盤ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板のエッジ領域を液浸露光する場合に良好に液浸領域を形成した状態で露光できる基板ステージを提供する。
【解決手段】基板ステージＰＳＴは、被露光対象としての基板Ｐを保持して移動可能である。基板ステージＰＳＴは、第１周壁と、第１周壁の内側に形成された第２周壁３３と、第２周壁３３の内側に形成された支持部３４とを備え、第２周壁３３に囲まれた空間を負圧にすることによって、支持部３４に基板Ｐを保持する。
【選択図】図４

Description

本出願は特願２００３−１６９９０４号（２００３年６月１３日出願）、特願２００３−３８３８８７号（２００３年１１月１３日出願）、および特願２００４−０３９６５４号（２００４年２月１７日出願）を基礎出願とし、その内容を取り込むものとする。
本発明は、投影光学系と液体とを介してパターンの像を基板に露光する露光方法、基板を支持する基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法に関するものである。

半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。近年、デバイスパターンのより一層の高集積化に対応するために投影光学系の更なる高解像度化が望まれている。投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短いほど、また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。そのため、露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大している。そして、現在主流の露光波長はＫｒＦエキシマレーザの２４８ｎｍであるが、更に短波長のＡｒＦエキシマレーザの１９３ｎｍも実用化されつつある。

また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度（ＤＯＦ）も重要となる。解像度Ｒ、及び焦点深度δはそれぞれ以下の式で表される。
Ｒ＝ｋ₁・λ／ＮＡ … （１）
δ＝±ｋ₂・λ／ＮＡ² … （２）

ここで、λは露光波長、ＮＡは投影光学系の開口数、ｋ₁、ｋ₂はプロセス係数である。（１）式、（２）式より、解像度Ｒを高めるために、露光波長λを短くして、開口数ＮＡを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。

焦点深度δが狭くなり過ぎると、投影光学系の像面に対して基板表面を合致させることが困難となり、露光動作時のフォーカスマージンが不足するおそれがある。そこで、実質的に露光波長を短くして、且つ焦点深度を広くする方法として、例えば国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されている液浸法が提案されている。この液浸法は、投影光学系の下面と基板表面との間を水や有機溶媒等の液体で満たして液浸領域を形成し、液体中での露光光の波長が空気中の１／ｎ（ｎは液体の屈折率で通常１．２〜１．６程度）になることを利用して解像度を向上するとともに、焦点深度を約ｎ倍に拡大するというものである。

国際公開第９９／４９５０４号パンフレット

ところで、上記従来技術には以下に述べる問題が存在する。上記従来技術は、投影光学系の像面側の端面と基板（ウエハ）との間を局所的に液体で満たす構成であり、基板の中央付近のショット領域を露光する場合には液体の基板外側への流出は生じない。しかしながら、図２７に示す模式図のように、基板Ｐの周辺領域（エッジ領域）Ｅに投影光学系の投影領域１００をあててこの基板Ｐのエッジ領域Ｅを露光しようとすると、液体は基板Ｐの外側へ流出し、液浸領域が良好に形成されずに投影されるパターン像を劣化させるという不都合が生じる。また、流出した液体により、基板Ｐを支持する基板ステージ周辺の機械部品等に錆びを生じさせたり、あるいはステージ駆動系等の漏電を引き起こすといった不都合も生じる。更に、流出した液体が基板の裏面に回り込んで、基板と基板ステージ（基板ホルダ）との間に浸入すると、基板ステージは基板を良好に保持できないという不都合も生じる。また、基板Ｐと基板ステージとの間の段差や隙間等に起因して液体中に気泡が混入する場合もあり、この場合、気泡の影響により露光光が散乱したり、気泡により基板Ｐ上にパターンが結像しない等の不都合が生じる。また、前記隙間に液体が浸入した場合にも、錆びや漏電を引き起こす可能性がある。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、投影光学系と基板との間を液体で満たして露光処理する場合において、基板のエッジ領域を露光する場合にも良好に液浸領域を形成した状態で露光できる基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す図１〜図２６に対応付けした以下の構成を採用している。

本発明の基板ステージ（ＰＳＴ）は、被露光対象としての基板（Ｐ）を保持して移動可能な基板ステージにおいて、第１周壁（３３）と、第１周壁（３３）の内側に形成された第２周壁（４６）と、第２周壁（４６）の内側に形成された支持部（３４）とを備え、第２周壁（４６）に囲まれた空間（３８）を負圧にすることによって、支持部（３４）に基板（Ｐ）を保持することを特徴とする。

本発明によれば、基板を支持する支持部の周囲に少なくとも二重の周壁を設けたので、基板を囲むように配置された部材と基板の側面との間に液体が浸入しても、基板の裏面側や、空間を負圧にするための真空系への液体の浸入を防止することができる。

本発明の基板ステージ（ＰＳＴ）は、被露光対象としての基板（Ｐ）を保持して移動可能な基板ステージにおいて、基板（Ｐ）を支持する支持部（３４）と、支持部（３４）に支持された基板（Ｐ）の周囲に配置され、基板（Ｐ）の表面とほぼ面一の平坦部（３１）と、支持部（３４）に支持された基板（Ｐ）の切欠部（ＮＴ、ＯＦ）と平坦部（３１）とのギャップを小さくするためのギャップ調整部（１５０、１５１、１５２、１５３）とを備えたことを特徴とする。

本発明によれば、基板の切欠部とその周囲の平坦部とのギャップをギャップ調整部によって小さくすることで、基板の切欠部と平坦部との間への液体の浸入を抑えることができる。したがって、基板の裏面側などへの液体の浸入を防止することができる。

本発明の基板ステージ（ＰＳＴ）は、被露光対象としての基板（Ｐ）を保持して移動可能な基板ステージにおいて、周壁（３３、３３Ｎ、３３Ｆ）と該周壁（３３、３３Ｎ、３３Ｆ）の内側に形成された支持部（３４）とを備え、周壁（３３、３３Ｎ、３３Ｆ）は、基板（Ｐ）の切欠部（ＮＴ、ＯＦ）の形状に合わせて形成されており、周壁（３３、３３Ｎ、３３Ｆ）に囲まれた空間（３８）を負圧にすることによって、支持部（３４）に基板（Ｐ）を保持することを特徴とする。

本発明によれば、基板の切欠部の形状に合わせて周壁を形成することで、基板と周壁との間に大きなギャップが形成される不都合を抑え、周壁に囲まれた空間を円滑に負圧にすることができる。したがって、基板を支持部で良好に保持することができるとともに、基板の裏面側や空間への液体の浸入を抑えることができる。

本発明の基板ステージ（ＰＳＴ）は、被露光対象としての基板（Ｐ）を保持して移動可能な基板ステージにおいて、基板（Ｐ）を支持するための支持部（３４）と、支持部（３４）に基板（Ｐ）を吸着するための複数の吸気口（４１、４１'）とを備え、基板（Ｐ）の切欠部（ＮＴ、ＯＦ）近傍の吸気力を、その周りの吸気力よりも小さくしたことを特徴とする。

本発明によれば、基板と基板ステージとの間に大きなギャップが形成されやすい切欠部近傍の吸気口を介した吸気力を、その周りの吸気口を介した吸気力よりも小さくする（弱くする）ことで、基板の切欠部と基板ステージとの間に液体が浸入する不都合を抑えることができる。したがって、基板の裏面側や吸気口に液体が浸入することを防止できる。

本発明の露光装置（ＥＸ）は、上記記載の基板ステージ（ＰＳＴ）に保持された基板（Ｐ）上に投影光学系（ＰＬ）と液体（ＬＱ）とを介して露光光（ＥＬ）を照射して、その基板（Ｐ）を液浸露光することを特徴とする。本発明のデバイス製造方法は、上記記載の露光装置（ＥＸ）を用いることを特徴とする。

本発明によれば、基板の裏面側や基板ステージ内部、あるいは真空系への液体の浸入を抑えつつ基板を液浸露光することができ、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。

本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。 液体供給機構及び液体回収機構を示す概略構成図である。 基板ステージの平面図である。 本発明の基板ステージの一実施形態を示す要部断面図である。 基板ステージに対して着脱される基板ホルダを示す模式図である。 本発明の基板ステージの他の実施形態を示す要部断面図である。 空間に液体を配置する手順の一例を示す模式図である。 本発明の基板ステージの他の実施形態を示す要部断面図である。 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの平面図である。 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの平面図である。 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの平面図である。 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの平面図である。 本発明の露光方法に係る基板の一実施形態を示す図である。 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの平面図である。 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの平面図である。 本発明の露光方法に係る基板の一実施形態を示す図である。 本発明の露光方法に係る基板の一実施形態を示す図である。 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの平面図である。 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの要部断面図である。 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの要部断面図である。 本発明に係るギャップ調整部の別の実施形態を示す図である。 本発明に係るギャップ調整部の別の実施形態を示す図である。 本発明に係るギャップ調整部の別の実施形態を示す図である。 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの要部断面図である。 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの図である。 半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。 従来の露光方法の課題を説明するための模式図である。

以下、本発明の基板ステージを備えた露光装置について図面を参照しながら説明する。

図１は本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。

図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴと、基板Ｐを支持する基板ステージＰＳＴと、マスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターン像を基板ステージＰＳＴに支持されている基板Ｐに投影露光する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。

本実施形態の露光装置ＥＸは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、基板Ｐ上に液体１を供給する液体供給機構１０と、基板Ｐ上の液体１を回収する液体回収機構２０とを備えている。本実施形態において、液体１には純水が用いられる。露光装置ＥＸは、少なくともマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に転写している間、液体供給機構１０から供給した液体１により投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１を含む基板Ｐ上の少なくとも一部に液浸領域ＡＲ２を形成する。具体的には、露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬの先端部の光学素子２と基板Ｐの表面（露光面）との間に液体１を満たし、この投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間の液体１及び投影光学系ＰＬを介してマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に投影し、基板Ｐを露光する。

ここで、本実施形態では、露光装置ＥＸとしてマスクＭと基板Ｐとを走査方向における互いに異なる向き（逆方向）に同期移動しつつマスクＭに形成されたパターンを基板Ｐに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）を使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと一致する方向をＺ軸方向、Ｚ軸方向に垂直な平面内でマスクＭと基板Ｐとの同期移動方向（走査方向）をＸ軸方向、Ｚ軸方向及びＹ軸方向に垂直な方向（非走査方向）をＹ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわり方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。なお、ここでいう「基板」は半導体ウエハ上に感光性材料であるフォトレジストを塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。

照明光学系ＩＬはマスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ＥＬを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光ＥＬによるマスクＭ上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等を有している。マスクＭ上の所定の照明領域は照明光学系ＩＬにより均一な照度分布の露光光ＥＬで照明される。照明光学系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）や、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ₂レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においてはＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。上述したように、本実施形態における液体１は純水であって、露光光ＥＬがＡｒＦエキシマレーザ光であっても透過可能である。また、純水は紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）も透過可能である。

マスクステージＭＳＴはマスクＭを支持するものであって、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直な平面内、すなわちＸＹ平面内で２次元移動可能及びθＺ方向に微小回転可能である。マスクステージＭＳＴはリニアモータ等のマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤにより駆動される。マスクステージ駆動装置ＭＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴにより制御される。マスクステージＭＳＴ上には移動鏡５０が設けられている。また、移動鏡５０に対向する位置にはレーザ干渉計５１が設けられている。マスクステージＭＳＴ上のマスクＭの２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計５１によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴはレーザ干渉計５１の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤを駆動することでマスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭの位置決めを行う。

投影光学系ＰＬはマスクＭのパターンを所定の投影倍率βで基板Ｐに投影露光するものであって、基板Ｐ側の先端部に設けられた光学素子（レンズ）２を含む複数の光学素子で構成されており、これら光学素子は鏡筒ＰＫで支持されている。本実施形態において、投影光学系ＰＬは、投影倍率βが例えば１／４あるいは１／５の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、本実施形態の投影光学系ＰＬの先端部の光学素子２は鏡筒ＰＫに対して着脱（交換）可能に設けられており、光学素子２には液浸領域ＡＲ２の液体１が接触する。光学素子２は螢石で形成されている。螢石は水との親和性が高いので、光学素子２の液体接触面２ａのほぼ全面に液体１を密着させることができる。すなわち、本実施形態においては光学素子２の液体接触面２ａとの親和性が高い液体（水）１を供給するようにしているので、光学素子２の液体接触面２ａと液体１との密着性が高く、光学素子２と基板Ｐとの間の光路を液体１で確実に満たすことができる。なお、光学素子２は水との親和性が高い石英であってもよい。また光学素子２の液体接触面２ａに親水化（親液化）処理を施して、液体１との親和性をより高めるようにしてもよい。また、鏡筒ＰＫは、その先端付近が液体（水）１に接することになるので、少なくとも先端付近はＴｉ（チタン）等の錆びに対して耐性のある金属で形成される。

基板ステージＰＳＴは、被露光対象としての基板Ｐを支持（保持）して移動可能なものであって、基板Ｐを基板ホルダＰＨを介して保持するＺステージ５２と、Ｚステージ５２を支持するＸＹステージ５３と、ＸＹステージ５３を支持するベース５４とを備えている。基板ステージＰＳＴはリニアモータ等の基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤにより駆動される。基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴにより制御される。Ｚステージ５２を駆動することにより、Ｚステージ５２に保持されている基板ＰのＺ軸方向における位置（フォーカス位置）、及びθＸ、θＹ方向における位置が制御される。また、ＸＹステージ５３を駆動することにより、基板ＰのＸＹ方向における位置（投影光学系ＰＬの像面と実質的に平行な方向の位置）が制御される。すなわち、Ｚステージ５２は、基板Ｐのフォーカス位置及び傾斜角を制御して基板Ｐの表面をオートフォーカス方式、及びオートレベリング方式で投影光学系ＰＬの像面に合わせ込み、ＸＹステージ５３は基板ＰのＸ軸方向及びＹ軸方向における位置決めを行う。なお、ＺステージとＸＹステージとを一体的に設けてよいことは言うまでもない。

基板ステージＰＳＴ（Ｚステージ５２）上には移動鏡５５が設けられている。また、移動鏡５５に対向する位置にはレーザ干渉計５６が設けられている。基板ステージＰＳＴ上の基板Ｐの２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計５６によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴはレーザ干渉計５６の計測結果に基づいて基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤを駆動することで基板ステージＰＳＴに支持されている基板Ｐの位置決めを行う。

また、基板ステージＰＳＴ（Ｚステージ５２）上には基板Ｐを囲むプレート３０が設けられている。プレート部３０はＺステージ５２と一体で設けられており、プレート部３０の内側には凹部３２が形成されている。なお、プレート部３０とＺステージ５２とは別々に設けられていてもよい。基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨは凹部３２に配置されている。プレート部３０は、凹部３２に配置された基板ホルダＰＨに保持されている基板Ｐの表面とほぼ同じ高さの平坦面（平坦部）３１を有している。

液体供給機構１０は所定の液体１を基板Ｐ上に供給するものであって、液体１を供給可能な第１液体供給部１１及び第２液体供給部１２と、第１液体供給部１１に流路を有する供給管１１Ａを介して接続され、この第１液体供給部１１から送出された液体１を基板Ｐ上に供給する供給口１３Ａを有する第１供給部材１３と、第２液体供給部１２に流路を有する供給管１２Ａを介して接続され、この第２液体供給部１２から送出された液体１を基板Ｐ上に供給する供給口１４Ａを有する第２供給部材１４とを備えている。第１、第２供給部材１３、１４は基板Ｐの表面に近接して配置されており、基板Ｐの面方向において互いに異なる位置に設けられている。具体的には、液体供給機構１０の第１供給部材１３は投影領域ＡＲ１に対して走査方向一方側（−Ｘ側）に設けられ、第２供給部材１４は他方側（＋Ｘ側）に設けられている。

第１、第２液体供給部１１、１２のそれぞれは、液体１を収容するタンク、及び加圧ポンプ等を備えており、供給管１１Ａ、１２Ａ及び供給部材１３、１４のそれぞれを介して基板Ｐ上に液体１を供給する。また、第１、第２液体供給部１１、１２の液体供給動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御され、制御装置ＣＯＮＴは第１、第２液体供給部１１、１２による基板Ｐ上に対する単位時間あたりの液体供給量をそれぞれ独立して制御可能である。また、第１、第２液体供給部１１、１２のそれぞれは液体の温度調整機構を有しており、装置が収容されるチャンバ内の温度とほぼ同じ温度（例えば２３℃）の液体１を基板Ｐ上に供給するようになっている。

液体回収機構２０は基板Ｐ上の液体１を回収するものであって、基板Ｐの表面に近接して配置された回収口２３Ａ、２４Ａを有する第１、第２回収部材２３、２４と、この第１、第２回収部材２３、２４に流路を有する回収管２１Ａ、２２Ａを介してそれぞれ接続された第１、第２液体回収部２１、２２とを備えている。第１、第２液体回収部２１、２２は例えば真空ポンプ等の吸引装置、及び回収した液体１を収容するタンク等を備えており、基板Ｐ上の液体１を第１、第２回収部材２３、２４、及び回収管２１Ａ、２２Ａを介して回収する。第１、第２液体回収部２１、２２の液体回収動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御され、制御装置ＣＯＮＴは第１、第２液体回収部２１、２２による単位時間あたりの液体回収量を制御可能である。

上記第１、第２供給部材１３、１４、及び第１、第２回収部材２３、２４のうち少なくとも液体に接触する部分は、ステンレス鋼を含む材料によって形成されている。本実施形態においては、第１、第２供給部材１３、１４、及び第１、第２回収部材２３、２４は、ステンレス鋼のうちＳＵＳ３１６によって形成されている。また、ステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）によって形成された第１、第２供給部材１３、１４、及び第１、第２回収部材２３、２４のうち少なくとも液体に接触する液体接触面は表面処理を施されている。そのような表面処理として、例えば神鋼パンテック社の「GOLDEP」処理あるいは「GOLDEP WHITE」処理が挙げられる。

図２は液体供給機構１０及び液体回収機構２０の概略構成を示す平面図である。図２に示すように、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１はＹ軸方向（非走査方向）を長手方向とするスリット状（矩形状）に設定されており、液体１が満たされた液浸領域ＡＲ２は投影領域ＡＲ１を含むように基板Ｐ上の一部に形成される。そして、投影領域ＡＲ１の液浸領域ＡＲ２を形成するための液体供給機構１０の第１供給部材１３は投影領域ＡＲ１に対して走査方向一方側（−Ｘ側）に設けられ、第２供給部材１４は他方側（＋Ｘ側）に設けられている。

第１、第２供給部材１３、１４のそれぞれは平面視略円弧状に形成されており、その供給口１３Ａ、１４ＡのＹ軸方向におけるサイズは、少なくとも投影領域ＡＲ１のＹ軸方向におけるサイズより大きくなるように設定されている。そして、平面視略円弧状に形成されている供給口１３Ａ、１４Ａは、走査方向（Ｘ軸方向）に関して投影領域ＡＲ１を挟むように配置されている。液体供給機構１０は、第１、第２供給部材１３、１４の供給口１３Ａ、１４Ａを介して投影領域ＡＲ１の両側で液体１を同時に供給する。

液体回収機構２０の第１、第２回収部材２３、２４のそれぞれは基板Ｐの表面に向くように円弧状に連続的に形成された回収口２３Ａ、２４Ａを有している。そして、互いに向き合うように配置された第１、第２回収部材２３、２４により略円環状の回収口が形成されている。第１、第２回収部材２３、２４それぞれの回収口２３Ａ、２４Ａは液体供給機構１０の第１、第２供給部材１３、１４、及び投影領域ＡＲ１を取り囲むように配置されている。また、投影領域ＡＲ１を取り囲むように連続的に形成された回収口の内部に複数の仕切部材２５が設けられている。

第１、第２供給部材１３、１４の供給口１３Ａ、１４Ａから基板Ｐ上に供給された液体１は、投影光学系ＰＬの先端部（光学素子２）の下端面と基板Ｐとの間に濡れ拡がるように供給される。また、投影領域ＡＲ１に対して第１、第２供給部材１３、１４の外側に流出した液体１は、この第１、第２供給部材１３、１４より投影領域ＡＲ１に対して外側に配置されている第１、第２回収部材２３、２４の回収口２３Ａ、２４Ａより回収される。

本実施形態において、基板Ｐを走査露光する際、走査方向に関して投影領域ＡＲ１の手前から供給する単位時間あたりの液体供給量が、その反対側で供給する液体供給量よりも多く設定される。例えば、基板Ｐを＋Ｘ方向に移動しつつ露光処理する場合、制御装置ＣＯＮＴは、投影領域ＡＲ１に対して−Ｘ側（すなわち供給口１３Ａ）からの液体量を＋Ｘ側（すなわち供給口１４Ａ）からの液体量より多くし、一方、基板Ｐを−Ｘ方向に移動しつつ露光処理する場合、投影領域ＡＲ１に対して＋Ｘ側からの液体量を−Ｘ側からの液体量より多くする。また、走査方向に関して、投影領域ＡＲ１の手前での単位時間あたりの液体回収量が、その反対側での液体回収量よりも少なく設定される。例えば、基板Ｐが＋Ｘ方向に移動しているときには、投影領域ＡＲ１に対して＋Ｘ側（すなわち回収口２４Ａ）からの回収量を−Ｘ側（すなわち回収口２３Ａ）からの回収量より多くする。

図３は基板ステージＰＳＴのＺステージ５２を上方から見た平面図である。平面視矩形状のＺステージ５２の互いに垂直な２つの縁部に移動鏡５５が配置されている。また、Ｚステージ５２のほぼ中央部に凹部３２が形成されており、この凹部３２に基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨが配置されている。基板Ｐの周囲には、基板Ｐの表面とほぼ同じ高さの平坦面（平坦部）３１を有するプレート部３０がＺステージ５２と一体で設けられている。

基板ホルダＰＨは、略円環状の周壁部３３と、この周壁部３３の内側に配置され、基板Ｐを保持（支持）する複数の支持部３４とを備えている。周壁部３３は支持部３４の周囲に配置されており、支持部３４は周壁部３３の内側において一様に配置されている。プレート部３０の平坦面３１は、支持部３４に支持された基板Ｐの周囲に配置され、支持部３４に支持された基板Ｐの表面とほぼ面一になるように設けられている。また、基板ホルダＰＨに保持されている基板Ｐの側面ＰＢとプレート部３０との間には所定のギャップＡが形成されている。なお、図においては、周壁部３３の上端面は比較的広い幅を有しているが、実際には１〜２ｍｍ程度の幅しか有していない。

プレート部３０の平坦面３１の２つのコーナーは幅広になっており、その幅広部の１つに、マスクＭ及び基板Ｐを所定位置に対してアライメントする際に使う基準マークＦＭが設けられている。また、基板ステージＰＳＴ上の基板Ｐの周囲には、照度センサ等の各種センサも設けられている。なお、本実施形態では、基準マークＦＭはプレート部３０に設けられているが、プレート部３０とは別に基準マークＦＭを配置するための基準マーク部材を基板ステージＰＳＴ上に設けてもよい。

図４は基板Ｐを保持した基板ステージＰＳＴの要部拡大断面図である。図４において、Ｚステージ５２（プレート部３０）の凹部３２内部に、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨが配置されている。凹部３２は平坦面３１の内側に形成されており、凹部３２の内側面３６は平坦面３１に隣接している。周壁部３３及びその周壁部３３の内側に形成された支持部３４は、基板ホルダＰＨの一部を構成する略円板状のベース部３５上に設けられている。支持部３４のそれぞれは断面視台形状であり、基板Ｐはその裏面ＰＣを複数の支持部３４の上端面３４Ａに保持される。なお、図において支持部３４は比較的大きく示されているが、実際には非常に小さなピン状の支持部が周壁部３３の内側に多数形成されている。

また、周壁部３３の上面３３Ａは平坦面となっている。周壁部３３の高さは支持部３４の高さよりも低くなっており、支持部３４に支持された基板Ｐと周壁部３３との間にはギャップＢが形成されている。ギャップＢは、凹部３２の内側面３６と基板Ｐの側面ＰＢとの間のギャップＡより小さい。例えば、ギャップＡは、基板Ｐの外形の製造誤差や基板Ｐの載置精度等を考慮すると、０．１〜１．０ｍｍ程度が好ましく、ギャップＢは２．０〜５．０μｍ程度である。また、凹部３２の内側面３６と、この内側面３６に対向する基板ホルダＰＨの側面３７との間にギャップＣが形成されている。ここで、基板ホルダＰＨの径は基板Ｐの径より小さく形成されており、ギャップＡはギャップＣより小さい。なお、本実施形態においては、基板Ｐには位置合わせのための切り欠き（オリフラ、ノッチ等）は形成されておらず、基板Ｐはほぼ円形であり、その全周にわたってギャップＡは０．１ｍｍ〜１．０ｍｍになっているため、液体の流入を防止できる。

基板Ｐの露光面である表面ＰＡにはフォトレジスト（感光材）９０が塗布されている。

本実施形態において、感光材９０はＡｒＦエキシマレーザ用の感光材（例えば、東京応化工業株式会社製TARF-P6100）であって撥液性（撥水性）を有しており、その接触角は７０〜８０°程度である。

また、本実施形態において、基板Ｐの側面ＰＢは撥液処理（撥水処理）されている。具体的には、基板Ｐの側面ＰＢにも、撥液性を有する上記感光材９０が塗布されている。更に、基板Ｐの裏面ＰＣにも上記感光材９０が塗布されて撥液処理されている。

Ｚステージ５２（基板ステージＰＳＴ）の一部の表面は撥液処理されて撥液性となっている。本実施形態において、Ｚステージ５２のうち、平坦面３１、及び内側面３６が撥液性を有している。更に、基板ホルダＰＨの一部の表面も撥液処理されて撥液性となっている。本実施形態において、基板ホルダＰＨのうち、周壁部３３の上面３３Ａ、及び側面３７が撥液性を有している。Ｚステージ５２及び基板ホルダＰＨの撥液処理としては、例えば、フッ素系樹脂材料あるいはアクリル系樹脂材料等の撥液性材料を塗布、あるいは前記撥液性材料からなる薄膜を貼付する。撥液性にするための撥液性材料としては液体１に対して非溶解性の材料が用いられる。なお、Ｚステージ５２や基板ホルダＰＨ全体を撥液性を有する材料（フッ素系樹脂など）で形成してもよい。

基板ステージＰＳＴは、基板ホルダＰＨの周壁部３３に囲まれた第１空間３８を負圧にする吸引装置４０を備えている。吸引装置４０は、基板ホルダＰＨのベース部３５上面に設けられた複数の吸引口４１と、基板ステージＰＳＴ外部に設けられた真空ポンプを含むバキューム部４２と、ベース部３５内部に形成され、複数の吸引口４１のそれぞれとバキューム部４２とを接続する流路４３とを備えている。吸引口４１はベース部３５上面のうち支持部３４以外の複数の所定位置にそれぞれ設けられている。吸引装置４０は、周壁部３３と、ベース部３５と、支持部３４に支持された基板Ｐとの間に形成された第１空間３８内部のガス（空気）を吸引してこの第１空間３８を負圧にすることで、支持部３４に基板Ｐを吸着保持する。なお、基板Ｐの裏面ＰＣと周壁部３３の上面３３ＡとのギャップＢは僅かであるので、第１空間３８の負圧は維持される。

基板ステージＰＳＴは、凹部３２の内側面３６と基板ホルダＰＨの側面３７との間の第２空間３９に流入した液体１を回収する回収部（回収手段）６０を備えている。本実施形態において、回収部６０は、液体１を収容可能なタンク６１と、Ｚステージ５２内部に設けられ、空間３９とタンク６１とを接続する流路６２とを有している。そして、この流路６２の内壁面にも撥液処理が施されている。

Ｚステージ５２には、凹部３２の内側面３６と基板ホルダＰＨの側面３７との間の第２空間３９と、Ｚステージ５２外部の空間（大気空間）とを接続する流路４５が形成されている。ガス（空気）は流路４５を介して第２空間３９とＺステージ５２外部とを流通可能となっており、第２空間３９はほぼ大気圧に設定される。

図５に示すように、本実施形態において、基板ホルダＰＨはＺステージ５２に対して着脱可能に設けられている。そして、Ｚステージ５２のうち基板ホルダＰＨとの接触面５７が撥液処理されて撥液性であるとともに、Ｚステージ５２に対する接触面である基板ホルダＰＨの裏面５８も撥液処理されて撥液性を有している。接触面５７や裏面５８に対する撥液処理としては、上述したように、フッ素系樹脂材料やアクリル系樹脂材料等の撥液性材料を塗布する等して行うことができる。

次に、上述した構成を有する露光装置ＥＸにより基板Ｐのエッジ領域Ｅを液浸露光する方法について説明する。

図４に示すように、基板Ｐのエッジ領域Ｅを液浸露光する際、液体１の液浸領域ＡＲ２が、基板Ｐの表面ＰＡの一部及びプレート部３０の平坦面３１の一部を覆うように形成される。このとき、基板Ｐの側面ＰＢ及びこの側面ＰＢに対向する内側面３６は撥液処理されているので、液浸領域ＡＲ２の液体１はギャップＡに浸入し難く、その表面張力によりギャップＡに流れ込むことがほとんどない。したがって、基板Ｐのエッジ領域Ｅを露光する場合にも、投影光学系ＰＬの下に液体１を良好に保持しつつ液浸露光できる。このとき、プレート部３０の平坦面３１も撥液処理されているので、液浸領域ＡＲ２を形成する液体１のプレート部３０外側への過剰な濡れ拡がりが防止され、液浸領域ＡＲ２を良好に形成可能であるとともに、液体１の流出や飛散等の不都合を防止することができる。また、基板Ｐには、ノッチ等の切り欠きが無いので、その切り欠きから液体１が流れ込むこともない。

また、液浸領域ＡＲ２の液体１がギャップＡを介して第２空間３９に僅かに流入した場合でも、基板Ｐの裏面ＰＣ及び周壁部３３の上面３３Ａのそれぞれには撥液処理が施され、ギャップＢは十分小さいので、基板Ｐを支持部３４に対して吸着保持するために負圧に設定されている第１空間３８に液体１は流入しない。これにより、吸引口４１に液体１が流入して基板Ｐを吸着保持できなくなるといった不都合を防止することができる。

そして、第２空間３９に流入した液体１は、流路６２を介して回収部６０のタンク６１に回収され、周辺装置への液体１の流出（漏洩）や飛散等を抑えることができる。このとき、第２空間３９を形成する凹部３２の内側面３６や基板ホルダＰＨの側面３７、あるいは流路６２は撥液性となっているので、第２空間３９に流入した液体１はこの第２空間３９に留まることなく、流路６２を円滑に流れてタンク６１に回収される。

ところで、吸引装置４０の吸引動作により、第２空間３９のガス（空気）がギャップＢを介して第１空間３８に流入し、これに伴って液浸領域ＡＲ２の液体１がギャップＡを介して第２空間３９に浸入して液浸領域ＡＲ２の形成が不安定になる可能性が考えられる。

しかしながら、凹部３２の内側面３６と基板ホルダＰＨの側面３７との間のギャップＣが、基板Ｐの側面ＰＢと凹部３２の内側面３６との間のギャップＡより大きく設定されており第２空間３９は流路４５を介して大気開放されているので、ギャップＢを通過する空気は、流路４５を介して外部から流入しギャップＣを通過した空気が大部分であり、ギャップＡを通過した空気（液体１）は僅かである。したがってギャップＡを介して液体にかかる吸引力を液体１の表面張力より小さくすることができ、ギャップＡを介して液浸領域ＡＲ２の液体１が第２空間３９に流入する不都合を抑制することができる。

なお、流路４５の第２空間３９に接続する一端部とは反対の他端部にガス（空気）供給装置４５'を接続し、凹部３２の内側面３６と基板ホルダＰＨの側面３７との間の第２空間３９を陽圧化、具体的には大気圧より僅かに高く設定するようにしてもよい。これにより、液浸領域ＡＲ２の液体１がギャップＡを介して空間３９に流入する不都合を抑えることができる。なおこの場合、第２空間３９を過剰に陽圧化すると、第２空間３９内部のガス（空気）がギャップＡを介して液浸領域ＡＲ２の液体１に流入し、液体１に気泡が混入する不都合が生じるため、第２空間３９はほぼ大気圧（大気圧より僅かに高い程度）に設定されることが好ましい。

以上説明したように、基板Ｐの側面ＰＢ及びこれに対向する凹部３２の内側面３６を撥液性にしたことにより、ギャップＡを介してＺステージ５２と基板ホルダＰＨとの間の第２空間３９に液体１が浸入する不都合を防止することができる。したがって、基板Ｐのエッジ領域Ｅを露光する際、液体１への気泡の混入等を抑えつつ液浸領域ＡＲ２を良好に形成した状態で露光することができる。また、基板ステージＰＳＴ内部の第２空間３９に対する液体１の流入を防止できるので、装置の錆びや漏電の発生を防止することができる。

また、基板Ｐの裏面ＰＣ及びこれに対向する周壁部３３の上面３３Ａを撥液性にしたことにより、ギャップＢを介して第１空間３８に液体１が浸入する不都合を防止することができる。したがって、吸引口４１に液体１が流入する不都合の発生を回避し、基板Ｐを良好に吸着保持した状態で露光処理できる。

また、本実施形態では、Ｚステージ５２に対して着脱可能な基板ホルダＰＨの裏面５８や、Ｚステージ５２のうち基板ホルダＰＨとの接触面５７に撥液処理を施したことにより、第２空間３９に液体１が流入した場合でも、基板ホルダＰＨの裏面５８とＺステージ５２の接触面５７との間に対する液体１の流入を抑えることができる。したがって、基板ホルダＰＨの裏面５８やＺステージ５２の接触面５７における錆びの発生等を防止することができる。また、基板ホルダＰＨの裏面５８とＺステージ５２の接触面５７との間に液体１が浸入すると、基板ホルダＰＨとＺステージ５２とが接着して分離し難くなる状況が生じるが、撥液性にすることで分離し易くなる。

なお、本実施形態では、基板ホルダＰＨと基板ステージＰＳＴ（Ｚステージ５２）とは着脱可能であるが、基板ホルダＰＨを基板ステージＰＳＴと一体で設けてもよい。

なお、本実施形態では、基板Ｐの表面ＰＡ、側面ＰＢ、及び裏面ＰＣの全面に撥液処理のために感光材９０が塗布されているが、ギャップＡを形成する領域、すなわち基板Ｐの側面ＰＢと、ギャップＢを形成する領域、すなわち基板Ｐの裏面ＰＣのうち周壁部３３の上面３３Ａに対向する領域のみを撥液処理する構成であってもよい。更に、ギャップＡが十分に小さく、また撥液処理するために塗布する材料の撥液性（接触角）が十分に大きければ、ギャップＡを介して第２空間３９に液体１が流入する可能性が更に低くなるため、ギャップＢを形成する基板Ｐの裏面ＰＣには撥液処理を施さず、基板Ｐの側面ＰＢのみを撥液処理する構成であってもよい。

同様に、基板ステージＰＳＴの凹部３２の内側面３６の全面を撥液処理する構成の他に、内側面３６のうち、基板Ｐの側面ＰＢと対向する一部の領域のみを撥液処理するようにしてもよい。また、周壁部３３の上面３３Ａの全面を撥液処理する構成の他に、上面３３Ａのうち例えば内側の一部の領域を環状に撥液処理するようにしてもよい。また、基板ホルダＰＨの側面３７の全面を撥液処理する構成の他に、一部の領域のみを撥液処理するようにしてもよい。

また上述の実施形態においては、基板Ｐの側面とそれに対向する基板ステージＰＳＴの内側面３６、基板ホルダＰＨの側面37とそれに対向する基板ステージＰＳＴの内側面３６、及び基板Ｐの裏面とそれに対向する周壁部３３の上面３３Ａとを撥液処理しているが、対向する面のうちのどちらか一方だけを撥液処理するようにしてもよい。

また本実施形態において、プレート部３０の平坦面３１は撥液処理されているが、例えばプレート部３０の平坦面３１が十分大きい場合や、基板Ｐの液体１に対する走査速度が十分に小さい場合には、液浸領域ＡＲ２の液体１がプレート部３０外部に流出する可能性は低いので、平坦面３１を撥液処理しなくても、液体１の流出や飛散等を防止することができる。また、撥液処理を平坦面３１の全面に施す構成の他に、例えば基板Ｐ直近の一部の領域を環状に撥液処理するようにしてもよい。

また、基板ステージＰＳＴの平坦面３１の撥液性と内側面３６の撥液性とが異なっていてもよい。すなわち、平坦面３１における液体１の接触角と内側面３６における液体１の接触角とが異なっていてもよい。

なお、本実施形態では、周壁部３３の高さは支持部３４の高さより低く、基板Ｐの裏面ＰＣと周壁部３３の上面３３Ａとの間にギャップＢが形成されているが、基板Ｐの裏面ＰＣと周壁部３３の上面３３Ａとが接触してもよい。

本実施形態において、基板Ｐの側面ＰＢ及び裏面ＰＣの撥液処理として、撥液性を有する感光材９０を塗布しているが、側面ＰＢや裏面ＰＣには感光材９０以外の撥液性（撥水性）を有する所定の材料を塗布するようにしてもよい。例えば、基板Ｐの露光面である表面ＰＡに塗布された感光材９０の上層にトップコート層と呼ばれる保護層（液体から感光材９０を保護する膜）を塗布する場合があるが、このトップコート層の形成材料（例えばフッ素系樹脂材料）は、例えば接触角１１０°程度で撥液性（撥水性）を有する。したがって、基板Ｐの側面ＰＢや裏面ＰＣにこのトップコート層形成材料を塗布するようにしてもよい。もちろん、感光材９０やトップコート層形成用材料以外の撥液性を有する材料を塗布するようにしてもよい。

また、本実施形態では、基板ステージＰＳＴや基板ホルダＰＨの撥液処理として、フッ素系樹脂材料やアクリル系樹脂材料を塗布する等しているが、上記感光材やトップコート層形成材料を基板ステージＰＳＴや基板ホルダＰＨに塗布するようにしてもよいし、逆に、基板Ｐの側面ＰＢや裏面ＰＣに、基板ステージＰＳＴや基板ホルダＰＨの撥液処理に用いた材料を塗布するようにしてもよい。

上記トップコート層は、液浸領域ＡＲ２の液体１が感光材９０に浸透するのを防止するために設けられる場合が多いが、例えばトップコート層上に液体１の付着跡（所謂ウォーターマーク）が形成されても、液浸露光後にこのトップコート層を除去することにより、ウォーターマークをトップコート層とともに除去した後に現像処理等の所定のプロセス処理を行うことができる。ここで、トップコート層が例えばフッ素系樹脂材料から形成されている場合、フッ素系溶剤を使って除去することができる。これにより、ウォーターマークを除去するための装置（例えばウォーターマーク除去用基板洗浄装置）等が不要となり、トップコート層を溶剤で除去するといった簡易な構成で、ウォーターマークを除去した後に所定のプロセス処理を良好に行うことができる。

次に、本発明の基板ステージを備えた露光装置の他の実施形態について図６を参照しながら説明する。ここで、以下の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図６に示す基板ステージＰＳＴにおいて、凹部３２の内側面３６と基板ホルダＰＨの側面３７との間の第２空間３９には液体１が保持可能となっている。ここで、本実施形態おける基板Ｐの側面ＰＢには撥液処理が施されていない。また、基板Ｐの裏面ＰＣに対しては、基板ホルダＰＨの周壁部３３の上面３３Ａに対向する一部の領域にのみ撥液処理が施されている。なお、基板Ｐの露光面である表面ＰＡには感光材９０が塗布されている。また、本実施形態において、基板ステージＰＳＴのうち内側面３６及び基板ホルダＰＨの側面３７に撥液処理は施されておらず、基板ホルダＰＨの周壁部３３の上面３３Ａにのみ撥液処理が施されている。

基板ホルダＰＨにおいて、周壁部３３の内側には、第２周壁部４６が形成されている。

基板Ｐを支持する支持部３４は第２周壁部４６の内側に形成されている。周壁部３３の高さと第２周壁部４６の高さとはほぼ同じ高さに形成されている。周壁部３３の高さ及び第２周壁部４６の高さは、支持部３４よりも低くなっている。なお、第２周壁部４６の上面４６Ａの幅は、周壁部３３の上面３３Ａの幅より小さくなっているが、同一でもよいし、第２周壁部４６の上面４６Ａの幅を周壁部３３の上面３３Ａの幅より大きくしてもよい。

また周壁部４６の上面４６Ａの高さは、周壁部３３の上面３３Ａの高さと異ならせてもよく、第２周壁部４６の上面４６Ａは基板Ｐの裏面に接触していてもよい。そして、周壁部３３と第２周壁部４６との間には、環状のバッファ空間４７が形成されている。バッファ空間４７には流路４８が接続されている。この流路４８は一端部をバッファ空間４７に接続し、他端部を基板ステージＰＳＴ外部の空間（大気空間）に接続している。これにより、周壁部３３と第２周壁部４６との間のバッファ空間４７は大気開放され、このバッファ空間４７の圧力はほぼ大気圧に設定される。

また、基板ステージＰＳＴは、第２空間３９に液体を供給可能な液体供給装置７０を備えている。液体供給装置７０は、液体を送出可能な供給部７１と、Ｚステージ５２内部に形成され、一端部を第２空間３９に接続し他端部を供給部７１に接続する流路７２とを備えている。ここで、液体供給装置７０は、第２空間３９の液体１を回収する機能も有している。

図７Ａ〜７Ｃは第２空間３９に液体１を満たす手順を示す図である。図７Ａに示すように、基板Ｐが基板ステージＰＳＴにロード（載置）される前に、第２空間３９における液体１の水位（高さ）が周壁部３３の高さより低く設定される。なお、この状態において第２空間３９から液体１を除去しておいてもよい。次いで、図７Ｂに示すように、基板Ｐが不図示のローダ装置により基板ホルダＰＨにロードされた後、吸引装置４０が、第２周壁部４６で囲まれた第１空間３８のガス（空気）を吸引し、その第１空間３８を負圧にすることによって、基板Ｐは基板ホルダＰＨの支持部３４に吸着保持される。次いで、図７Ｃに示すように、液体供給装置７０により第２空間３９に液体１が供給され、これにより第２空間３９に液体１が満たされる。ここで、液体供給装置７０は、プレート部３０の平坦面３１及び基板ホルダＰＨに保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（水位）になるまで液体１を第２空間３９に供給する。

なお、液浸露光終了後は、図７Ａ〜７Ｃを参照して説明した動作と反対の動作を行えばよい。すなわち、液浸露光終了後、液体回収機能を兼ね備えた液体供給装置７０が第２空間３９の液体１を回収する。次いで、吸引装置４０が基板ホルダＰＨによる基板Ｐに対する吸着保持を解除する。次いで、不図示のアンローダ装置が基板ホルダＰＨ上の基板Ｐをアンロード（搬出）する。

空間３９に液体１を満たすことにより、プレート部３０の平坦面３１と基板Ｐの表面ＰＡとは空間３９の液体１を介してほぼ面一となる。すなわち、平坦部３１と基板Ｐとの隙間が液体１で満たされることになる。これにより、基板Ｐのエッジ領域Ｅを液浸露光するために、ギャップＡ上に液体１を配置しても、液浸領域ＡＲ２の液体１に気泡が混入する等の不都合を防止し、良好に液浸領域ＡＲ２を形成した状態で露光することができる。

このとき、ギャップＢは十分に小さく、周壁部３３の上面３３Ａとこれに対向する基板Ｐの裏面ＰＣの一部の領域とが撥液処理されているので、第２空間３９の液体１がギャップＢを介してバッファ空間４７に流入することがない。更に、バッファ空間４７は流路４８を介して大気開放され、ほぼ大気圧に設定されているので、吸引装置４０が第１空間３８を負圧にした状態でも、第２空間３９に満たされている液体１のバッファ空間４７側への流入を防止することができる。仮にギャップＢを液体が僅かに通過したとしても、バッファ空間４７でその浸入した液体を捕らえることができる。

本実施形態に係る基板ステージＰＳＴは、第２空間３９に液体１を供給可能であるとともに第２空間３９の液体１を回収可能な液体供給装置７０を備えた構成である。これにより、基板Ｐが基板ホルダＰＨに載置されているかどうかに応じて液体１を自在に供給あるいは回収できるので、液体１の周辺装置への流出を防止することができる。すなわち、第２空間３９に液体１を満たす場合、例えばギャップＡ上に液浸領域ＡＲ２の液体１を配置し、流路４８を介してバッファ空間４７を負圧にすることで、ギャップＡ上の液体１を第２空間３９に満たすことも考えられるが、この場合、液浸露光処理終了後、基板Ｐをアンロードするときに、第２空間３９の液体１の水位は周壁部３３の高さより高いので、液体１が例えば周壁部３３の上面３３Ａやバッファ空間４７側に流れ込んでしまう不都合が生じる。しかしながら、第２空間３９に対する液体１の供給及び回収可能な液体供給装置７０を設けたことにより、基板Ｐをアンロードする前に、第２空間３９の液体１を回収すればよいので、液体１の流出を防止することができる。

なお、流路４８のうちバッファ空間４７に接続する一端部とは反対の他端部にガス供給装置４８'を接続し、バッファ空間４７を陽圧化、具体的には大気圧より僅かに高く設定するようにしてもよい。これにより、第２空間３９の液体１がギャップＢを介してバッファ空間４７、ひいては第１空間３８に流入する不都合を防止することができる。なおこの場合、バッファ空間４７を過剰に陽圧化すると、第２空間３９内部の液体１がバッファ空間４７内部のガス（空気）とともにギャップＡを介して液浸領域ＡＲ２の液体１に流入し、液体１に気泡が混入する不都合が生じるため、バッファ空間４７はほぼ大気圧（大気圧より僅かに高い程度）に設定されることが好ましい。また、ガス供給装置４８'に吸引機能を持たせ、ガス供給装置４８'によって、周壁部３３と第２周壁部４６との間のバッファ空間４７の圧力を、例えば大気圧よりも僅かに低く（低負圧）、且つ第１空間３８の圧力よりも高く設定するなど、バッファ空間４７の圧力を任意に調整可能にしてもよい。

なお、本実施形態において、基板Ｐは裏面ＰＣの一部を撥液処理されている構成であるが、裏面ＰＣ全面が撥液処理されてもよいし、側面ＰＢが撥液処理されてもよい。更に、基板ホルダＰＨの側面３７や凹部３２の内側面３６が撥液処理されてもよい。また、基板Ｐの裏面ＰＣとそれに対向する周壁部３３の上面３３Ａのどちらか一方のみを撥液性にしてもよい。また、第２周壁部４６の上面４６Ａに撥液処理を施すなどして、第２周壁部４６の上面を撥液性にしてもよい。当然のことながら、上述の第１の実施形態やその変形例と同様に基板Ｐ、基板ホルダＰＨ、基板ステージＰＳＴに撥液性を持たせてもよい。

図８は本発明の基板ステージＰＳＴの他の実施形態を示す図である。図８において、基板ステージＰＳＴは、凹部３２の内側面３６と基板ホルダＰＨの側面３７との間の第２空間３９の圧力を、周壁部３３に囲まれた第１空間３８の圧力よりも低く設定する第２吸引装置８０を備えている。第２吸引装置８０は、第２空間３９に流路６２を介して接続され、液体１を収容可能なタンク６１と、タンク６１にバルブ６３を介して接続されたポンプ６４とを備えている。第２吸引装置８０及び吸引装置４０の動作は制御装置ＣＯＮＴに制御される。

本実施形態において、基板Ｐの側面ＰＢ及び裏面ＰＣに撥液処理は施されていない。また、凹部３２の内側面３６や、基板ホルダＰＨの側面３７及び周壁部３３の上面３３Ａにも撥液処理は施されていない。

基板Ｐのエッジ領域Ｅを露光する際、制御装置ＣＯＮＴは吸引装置４０及び第２吸引装置８０の動作を制御し、第２空間３９の圧力を第１空間３８の圧力より低くする。これにより、ギャップＡ上の液浸領域ＡＲ２の液体１は、ギャップＡを介して第２空間３９に流入した後、ギャップＢを介して第１空間３８側に流入せずに、第２吸引装置８０のタンク６１に回収される。タンク６１には排出流路６１Ａが設けられており、液体１が所定量溜まったら排出流路６１Ａより排出されるようになっている。

このように、第２空間３９の圧力を第１空間３８の圧力より低くすることで、ギャップＡを通過した液体１は、第１空間３８側に浸入せずに、第２吸引装置８０のタンク６１に回収される。したがって、吸引口４１に対する液体１の流入を防止しつつ基板Ｐを良好に吸着保持した状態で液浸露光することができる。そして、ギャップＡを通過した液体１はタンク６１で回収されるので、装置外部への液体１の流出や飛散等の不都合の発生を回避することができる。

図８の実施形態においても、上述の実施形態やその変形例で説明したように、基板Ｐ（側面など）、基板ホルダＰＨ（周壁部３３の上面３３Ａなど）、基板ステージＰＳＴ（平坦面３１、内側面３６など）の各面の少なくとも一部を撥液性とすることができる。

また、上述の図１〜８の実施形態においては、基板ステージＰＳＴの一部や基板ホルダＰＨの一部表面に撥液処理を施しているが、それらの全ての表面を撥液処理するようにしてもよい。

例えば、基板ホルダＰＨの支持部３４の上面３４Ａを撥液処理してもよい。これにより、支持部３４の上面３４Ａでの液体の付着痕（ウォーターマーク）の形成が抑制され、複数の支持部３４で規定される支持面の平坦性を維持することができる。

要は液体（水）との接触や付着が考えられる表面を撥液処理することにより、液体の浸入、流出、飛散が抑制される。また、液体が付着しても容易に除去することが可能となる。

ところで、上記各実施形態においては基板Ｐはほぼ円形であり、その周りに略円環状のプレート部３０を配置することでプレート部３０（凹部３２の内側面３６）と基板Ｐの側面ＰＢとの間に所定値以下のギャップＡを形成しているが、基板Ｐにノッチ部やオリエンテーションフラット部（オリフラ部）などの切欠部がある場合、プレート部３０（凹部３２の内側面３６）の形状を基板Ｐの切欠部に応じて設定することで、その切欠部においてもギャップＡを所定値以下に保つことができる。

図９は、ノッチ部ＮＴを有する基板Ｐを支持している基板ステージＰＳＴを上方から見た平面図である。図９に示すように、プレート部３０には、基板Ｐのノッチ部ＮＴの形状に対応した突起部１５０が設けられており、Ｚステージ５１の凹部３２の内側面３６には、突起部１５０を形成するように凸部３６Ｎが形成されている。突起部１５０は、支持部３４に支持された基板Ｐのノッチ部ＮＴとプレート部３０の平坦面３１とのギャップを小さくするためのギャップ調整部としての機能を有しており、平坦面３１（プレート部３０）と一体的に形成されている。そして、ノッチ部ＮＴと突起部１５０との間にはギャップＡが形成されている。突起部１５０のうち、基板Ｐ（ノッチ部ＮＴ）と対向する面や上面には、先の実施形態と同様に撥液処理が施されており、基板Ｐのノッチ部ＮＴの側面にも撥液処理が施されている。なお突起部１５０の撥液処理としては、上述したようにフッ素系樹脂材料などを塗布することによって行われ、ノッチ部ＮＴの撥液処理としては感光材を塗布することによって行われる。もちろん、ノッチ部ＮＴにも上述したようなトップコート層形成材料（フッ素系樹脂材料など）を塗布するようにしてもよい。

また、基板ホルダＰＨの側面３７には、凹部３２の内側面３６の凸部３６Ｎと所定のギャップで対向するように、ノッチ部ＮＴの形状に合わせて凹部３７Ｎが形成されている。

更に、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨの上面には、ノッチ部ＮＴの形状に合わせて形成された周壁部３３Ｎが設けられており、この周壁部３３Ｎの内側には、図３と同様に、複数の支持部３４や吸引口４１が設けられている（図９では省略）。また、上述した実施形態同様、周壁部３３Ｎの上面は撥液性となっている。支持部３４に基板Ｐを保持する際には、吸引口４１を介してガスを吸引し、周壁部３３Ｎに囲まれた第１空間３８（図９では省略）を負圧にする。このように、基板ホルダＰＨの周壁部３３Ｎの形状もノッチ部ＮＴに合わせることで、仮にノッチ部ＮＴのギャップＡから液体が浸入したとしても、浸入した液体が周壁部３３Ｎの内側に流れ込むことを防止することができる。なお、図９においては、ノッチ部ＮＴを誇張して示しているが、実際には２〜３ｍｍ程度であり、ノッチ部ＮＴの形状も図９の形状に限るものではない。

図１０は、オリフラ部ＯＦを有する基板Ｐを支持している基板ステージＰＳＴを上方から見た平面図である。図１０に示すように、プレート部３０には、基板Ｐのオリフラ部ＯＦの形状に対応したフラット部１５１が設けられており、Ｚステージ５１の凹部３２の内側面３６には、フラット部１５１を形成するように平坦部３６Ｆが形成されている。フラット部１５１は、支持部３４に支持された基板Ｐのオリフラ部ＯＦとプレート部３０の平坦面３１とのギャップを小さくするためのギャップ調整部としての機能を有しており、平坦面３１（プレート部３０）と一体的に形成されている。そして、オリフラ部ＯＦとフラット部１５１との間にはギャップＡが形成されている。フラット部１５１のうち、基板Ｐ（オリフラ部ＯＦ）と対向する面や上面には撥液処理が施されており、オリフラ部ＯＦにも撥液処理が施されている。なおフラット部１５１の撥液処理としては、上述したようにフッ素系樹脂材料などを塗布することによって行われ、オリフラ部ＯＦの撥液処理としては感光材を塗布することによって行われる。

また、基板ホルダＰＨの側面３７には、凹部３２の内側面３６の平坦部と所定のギャップで対向するように、オリフラ部ＯＦの形状に合わせてフラット部３７Ｆが形成されている。更に、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨの上面には、オリフラ部ＯＦの形状に合わせた周壁部３３Ｆが設けられており、この周壁部３３Ｆの内側には、図３と同様に、複数の支持部３４や吸引口４１が設けられている（図１０では省略）。このように、基板ホルダＰＨの周壁部３３Ｆの形状もオリフラ部ＯＦに合わせることで、仮にオリフラ部ＯＦのギャップＡから液体が浸入したとしても、浸入した液体が周壁部３３Ｆの内側に流れ込むことを防止することができる。

以上説明したように、基板Ｐの切欠部（ノッチ部、オリフラ部）の形状に応じてプレート部３０の形状を設定することによりギャップＡを所定値以下に保つことができ、基板Ｐと基板ステージＰＳＴ（プレート部３０）との間への液体１の浸入を防止することができる。

ところで、複数の基板Ｐを露光するに際し、切欠部（ノッチ部、オリフラ部）の大きさや形状などが基板Ｐによって変化する場合があり、その場合、基板Ｐの切欠部とプレート部３０との間のギャップＡを所定値以下に保つことができない可能性がある。また、基板Ｐの外形の製造誤差や基板Ｐの基板ステージＰＳＴに対する載置精度などによって、基板Ｐの切欠部とプレート部３０との間のギャップＡを所定値以下に保つことができない可能性もある。

そこで、図１１に示すように、基板Ｐのノッチ部ＮＴの形状に応じた突起部１５２Ａを有する突起部材１５２を移動可能に設け、基板Ｐに対して接近及び離間方向に移動することで、ノッチ部ＮＴの大きさなどが変化しても、ノッチ部ＮＴと突起部材１５２との間のギャップＡを所定値以下に保つことができる。図１１に示す例では、突起部材１５２はプレート部３０の一部に設けられた凹部３０Ｄに配置されており、不図示の駆動機構によってＸＹ平面に沿って移動するようになっている。制御装置ＣＯＮＴは前記駆動機構を介して突起部材１５２を移動することで、突起部材１５２とノッチ部ＮＴとの間に所定のギャップＡを形成する。そして、上述同様、突起部材１５２のうち、基板Ｐ（ノッチ部ＮＴ）と対向する面や上面、及びプレート部３０の凹部３０Ｄに対向する側面には撥液処理が施されており、ノッチ部ＮＴにも撥液処理が施されている。ここで、突起部材１５２とプレート部３０（凹部３０Ｄ）との間にはギャップＤが形成されているが、このギャップＤはギャップＡよりも小さく、プレート部３０の凹部３０Ｄや突起部材１５２のうちプレート部３０の凹部３０Ｄに対向する側面は撥液性であるので、ギャップＤに対する液体１の浸入が防止されている。なお、図９と共通する部分については説明を省略する。

図１２は、基板Ｐのオリフラ部ＯＦの形状に応じたフラット面１５３Ａを有する移動可能に設けられたフラット部材１５３を示す図である。フラット部材１５３を基板Ｐに対して接近及び離間方向に移動することで、オリフラ部ＯＦの大きさなどが変化しても、オリフラ部ＯＦとフラット部材１５３との間のギャップＡを所定値以下に保つことができる。

図１２に示す例では、フラット部材１５３はプレート部３０の一部に設けられた凹部３０Ｄに配置されており、不図示の駆動機構によってＸＹ平面に沿って移動するようになっている。制御装置ＣＯＮＴは前記駆動機構を介してフラット部材１５３を移動することで、フラット部材１５３とオリフラ部ＯＦとの間に所定のギャップＡを形成する。そして、上述同様、フラット部材１５３のうち、基板Ｐ（オリフラ部ＯＦ）と対向する面や上面、及びプレート部３０の凹部３０Ｄに対向する側面には撥液処理が施されており、オリフラ部ＯＦにも撥液処理が施されている。ここで、フラット部材１５３とプレート部３０（凹部３０Ｄ）との間にはギャップＤが形成されているが、このギャップＤはギャップＡよりも小さく、プレート部３０の凹部３０Ｄやフラット部材１５３のうちプレート部３０の凹部３０Ｄに対向する側面は撥液性であるので、ギャップＤに対する液体１の浸入が防止されている。なお、図１０と共通する部分については説明を省略する。

なお、突起部材１５２（フラット部材１５３）を基板ステージＰＳＴに対して交換可能に設けるとともに、互いに異なる形状あるいは大きさを有する突起部材１５２（フラット部材１５３）を予め複数用意しておくことにより、基板ステージＰＳＴに載置される基板Ｐの切欠部の形状や大きさなどに応じて突起部材１５２（フラット部材１５３）を交換することで、ギャップＡを所定値以下に保つことができる。

また、突起部材１５２（フラット部材１５３）の大きさや形状のみならず、移動方向などの動き方も、上述の実施形態に限られず、基板Ｐの切欠部付近のギャップＡが所定値以下になればよい。

なお本実施形態においては、基板Ｐの切欠部（ノッチ部、オリフラ部）との間でギャップＡを形成するように突起部材１５２（フラット部材１５３）を移動する構成であるが、基板Ｐの周囲に設けられたプレート部３０をＸＹ平面に沿って移動可能に設け、基板Ｐとプレート部３０との間のギャップＡを所定値以下に調整することもできる。この場合、例えばプレート部３０を複数に分割し、その分割された分割部材のそれぞれを基板Ｐに対してＸＹ平面に沿って接近及び離間方向に移動する構成を採用することができる。このとき、各分割部材どうしの間のギャップを、液体が浸入しない程度に設定しておくことにより、基板ステージＰＳＴ内部に液体が浸入する不都合を回避することができる。

更に基板Ｐを基板ステージＰＳＴ上に搬入（ロード）する前に基板Ｐの大きさや形状（歪み）、あるいは基板Ｐの切欠部の大きさや形状を計測しておき、その計測結果に基づいてギャップＡが所定値以下となるように各部材を動かすようにしてもよい。これによりギャップＡからの液体の浸入をより確実に防止できるばかりでなく、基板Ｐのエッジの破損を防止することもできる。

また上述の図６の実施形態においては、周壁部３３（４６）の上面３３Ａを液体が越えてしまう可能性もあるが、周壁部３３の上面３３Ａを越えた液体はバッファ空間４７で捕らえることができるので、第１空間３８への液体の浸入を防止することができる。なお、そのような場合に備えて、バッファ空間４７に浸入した液体を回収する構造にしてもよい。

以下、本発明の別の実施形態について説明する。図９〜図１２を参照して説明した上記実施形態においては、支持部３４に支持された基板Ｐの切欠部（ノッチ部、オリフラ部）とプレート部３０の平坦面３１との間への液体１の浸入を防止するために、ギャップ調整部としての突起部１５０、フラット部１５１、可動な突起部材１５２、フラット部材１５３を設けた構成である。一方で、図１３の符号ＮＴ'で示すように、液体１が浸入しない程度に、基板Ｐのノッチ部ＮＴ'をできるだけ小さくすることによっても、基板Ｐのノッチ部と基板ステージＰＳＴ（プレート部３０）との間への液体１の浸入を防止することができる。なお、図１３に示すノッチ部は、鋭角部を有しない丸みを帯びた形状となっている。

ところで、基板ステージＰＳＴに基板Ｐを載置するとき、基板Ｐ上に形成する回路のプロセス条件やマスクＭのパターンに応じて、切欠部の位置を異ならせて基板ステージＰＳＴに載置する場合がある。例えば第１の基板を基板ステージＰＳＴに載置するときは、切欠部を−Ｙ側に向けた状態で載置し、第２の基板を基板ステージＰＳＴに載置するときは、切欠部を＋Ｘ側に向けた状態で載置する場合がある。そこで、突起部１５０を有するプレート部３０を回転可能に設けておき、支持部３４に支持される基板Ｐの切欠部の位置に応じて、プレート部３０を回転させるようにしてもよい。例えば、図１４Ａに示すように、ノッチ部ＮＴを−Ｙ側を向けて支持部３４に基板Ｐを保持させるときは、ノッチ部ＮＴの位置に合わせて突起部１５０を−Ｙ側に配置させるようにプレート部３０を回転し、図１４Ｂに示すように、ノッチ部ＮＴを＋Ｘ側に向けて支持部３４に基板Ｐを保持させるときは、ノッチ部ＮＴの位置に合わせて突起部１５０を＋Ｘ側に配置させるようにプレート部３０を回転する。この場合、図１４Ａ〜１４Ｂには示されていないが、凹部３７Ｎを有する周壁部３３Ｎが形成された基板ホルダＰＨも、ノッチ部ＮＴの位置に合わせて回転する。このように、ギャップ調整部である突起部１５０（及び凸部３６Ｎ）を回転方向（θＺ方向）に可動に設けるようにしてもよい。同様に、フラット部１５１を有するプレート部３０及びフラット部３７Ｆを有する周壁部３３Ｆが形成された基板ホルダＰＨも、オリフラ部ＯＦの位置に合わせて回転可能に設けることができる。こうすることによっても、基板Ｐの切欠部の位置に関係なく、プレート部３０と基板Ｐ（切欠部）との間への液体１の浸入を防止することができる。

あるいは、支持部３４に支持された基板Ｐのノッチ部ＮＴの位置にプレート部３０の突起部１５０を合わせるように、基板ステージＰＳＴ全体を回転させるようにしてもよい。

図１５Ａには、ノッチ部ＮＴが−Ｙ側に向けられた状態が示されており、図１５Ｂには、ノッチ部ＮＴが＋Ｘ側に向けられた状態が示されている。ここで、図１５Ａ〜１５Ｂに示すように、基板ステージＰＳＴの例えば＋Ｘ側に離れた位置にレーザ干渉計５６Ｘが配置され、＋Ｙ側に離れた位置にレーザ干渉計５６Ｙが配置されている場合、平面視矩形状に形成された基板ステージＰＳＴの少なくとも３つの縁部のそれぞれに移動鏡５５を配置することで、基板ステージＰＳＴが回転した際にも、レーザ干渉計５６Ｘ、５６Ｙのそれぞれに対していずれかの移動鏡５５を対向させることができる。

ところで、基板Ｐの切欠部は、基板Ｐを基板ステージＰＳＴに載置するときの大まかな位置合わせ処理であるプリアライメント処理時に主に使用される。具体的には、切欠部の位置を光学的に検出し、その検出結果に基づいてプリアライメント処理が行われる。そこで、図１６Ａに示すように、基板Ｐに形成されたノッチ部（切欠部）ＮＴに光透過性を有する被覆部材３００を被せることにより、ノッチ部ＮＴを被覆部材３００を介して光学的に検出可能であるとともに、基板Ｐを基板ステージＰＳＴに載置した際にも、プレート部３０とノッチ部ＮＴ（被覆部材３００）との間に大きなギャップが形成される不都合を防止できる。同様に、オリフラ部ＯＦにも被覆部材を被せることが可能である。

なお、図１６Ｂに示すように、ノッチ部（切欠部）ＮＴが基板Ｐの複数位置のそれぞれに形成されている場合には、その複数のノッチ部ＮＴのそれぞれに被覆部材３００を被せることができる。また、ノッチ部ＮＴが基板Ｐの複数位置のそれぞれに形成されている場合には、被覆部材３００を被せる代わりに、複数のノッチ部ＮＴに応じて、プレート部３０（基板ステージＰＳＴ）に複数の突起部１５０を設けるようにしてもよい。こうすることによっても、プレート部３０と基板Ｐ（切欠部）との間への液体１の浸入を防止することができる。

また、基板Ｐに切欠部を形成する代わりに、基板Ｐの所定位置に穴部を設けることによっても、その穴部を光学的に検出して基板Ｐをプリアライメントすることができる。この場合の穴部は、液体ＬＱを通過させない程度の小径の貫通穴であってもよいし、基板Ｐを貫通しないディンプル状の穴（凹部）であってもよい。図１７には、基板Ｐの所定位置に形成された、例えば直径０．５ｍｍ程度の複数の小さな貫通穴部３０１が形成されている例が示されている。

図１８は本発明の別の実施形態を示す平面図である。なお、図４と同一の部材については同一の符号を付して詳細説明は省略する。図１８において、ギャップ調整部としての突起部材１５２が、支持部３４に支持された基板Ｐの縁部近傍の複数位置のそれぞれに設けられている。図１８に示す例では、基板Ｐの−Ｙ側縁部の近傍に第１の突起部材１５２Ｙが設けられ、＋Ｘ側縁部の近傍に第２の突起部材１５２Ｘが設けられている。これら突起部材１５２Ｙ、１５２Ｘのそれぞれは、Ｚ軸方向に（上下方向に）移動可能に設けられている。また、基板Ｐには、−Ｙ側の縁部近傍に一箇所切欠部（ノッチ部ＮＴ）が形成されている。

図１９Ａは第１の突起部材１５２Ｙ近傍の断面図、図１９Ｂは第２の突起部材１５２Ｘ近傍の断面図である。図１９Ａ〜１９Ｂに示すように、突起部材１５２（１５２Ｙ、１５２Ｘ）は弾性部材３０２によって支持されている。図１９Ａ〜１９Ｂに示す例では、弾性部材はコイルバネ部材によって構成されており、突起部材１５２はコイルバネ部材を介してＺステージ５２の上面（接触面）５７に支持されている。−Ｙ側に向けられた基板Ｐのノッチ部ＮＴと突起部材１５２Ｙとが位置合わせされた状態においては、図１９Ａに示すように、突起部材１５２Ｙは基板Ｐに押さえ付けられずに、コイルバネ部材３０２の上方への付勢力によって、ノッチ部ＮＴの内側に配置される。この突起部材１５２Ｙによって、支持部３４に支持された基板Ｐのノッチ部ＮＴとプレート部３０の平坦面３１とのギャップを小さくすることができる。一方、図１９Ｂに示すように、ノッチ部ＮＴが無い位置に配置されている突起部材１５２Ｘは基板Ｐによって上から押さえ付けられ、コイルバネ部材３０２が縮む。これにより、突起部材１５２Ｘは基板Ｐの下側に配置される。一方、ノッチ部ＮＴを＋Ｘ側に向けた状態で基板Ｐを支持部３４に支持したときには、突起部材１５２Ｘがノッチ部ＮＴの内側に配置され、突起部材１５２Ｙが基板Ｐの下側に配置される。こうすることによっても、支持部３４に支持された基板Ｐのノッチ部ＮＴとプレート部３０の平坦面３１とのギャップを小さくすることができる。更に、プレート部３０の平坦面３１と内側面３６と同様に、突起部材１５２の上面や側面を撥液処理するなどして撥液性にすることで、液体１の浸入をより効果的に防止することができる。

図２０Ａ〜２０Ｂは本発明の別の実施形態を示す断面図である。図２０Ａ〜２０Ｂの実施形態は、図１９Ａ〜１９Ｂの実施形態の変形例であって、同一部材には同一の符号を付してある。図２０において、突起部材１５２の下面は棒状の支持部材３０３の上端部に接続されている。Ｚステージ５２の一部には貫通穴５２Ｋが設けられており、支持部材３０３は貫通穴５２Ｋの内側にＺ軸方向に移動可能に配置されている。支持部材３０３の下端部はＺステージ５２の下側に露出しており、その支持部材３０３の下端部は鍔部材３０４と接続している。また、鍔部材３０４の下面には、Ｚステージ５２の下面に取り付けられた板バネ部材３０５が当接している。図１９Ａ〜１９Ｂの実施形態と同様に、図２０Ａに示すように、基板Ｐのノッチ部ＮＴと突起部材１５２とが位置合わせされている状態においては、板バネ部材３０５の付勢力によって突起部材１５２が上方に持ち上げられ、ノッチ部ＮＴの内側に配置される。一方、図２０Ｂに示すように、基板Ｐのノッチ部ＮＴと突起部材１５２とが位置合わせされていない状態においては、突起部材１５２は基板Ｐによって押さえ付けられて、基板Ｐの下側に配置される。この場合においても、突起部材１５２の上面や側面を撥液性にすることで、液体１の浸入を効果的に防止することができる。

図２１Ａ〜２１Ｂは本発明の別の実施形態を示す断面図である。図２１Ａ〜２１Ｂにおいて、突起部材１５２は、ヒンジ部３０６を介してプレート部３０（あるいは基板ステージＰＳＴの所定位置）に接続されている。図２１Ａ〜２１Ｂにおいて、ヒンジ部３０６は、突起部材１５２をθＹ方向に回動可能に支持している。また、ヒンジ部３０６はバネ部材を内蔵しており、突起部材１５２を図２１Ｂ中、矢印ｙ１方向に付勢するように支持している。つまり、ヒンジ部３０６は、突起部材１５２の上面と基板Ｐ表面とがほぼ面一になる方向に、突起部材１５２に対する付勢力を有している。なお、ヒンジ部３０６にはストッパーが設けられており、突起部１５２の上面と基板Ｐ表面とがほぼ面一になった状態で、突起部材１５２の回動が停止される。そして、図２１Ａに示すように、基板Ｐのノッチ部ＮＴと突起部材１５２とが位置合わせされている状態においては、突起部材１５２がノッチ部ＮＴの内側に配置される。一方、図２１Ｂに示すように、基板Ｐのノッチ部ＮＴと突起部材１５２とが位置合わせされていない状態においては、突起部材１５２は基板Ｐによって押さえ付けられて、基板Ｐの下側に配置される。この場合においても、突起部材１５２の上面や側面を撥液性にすることで、液体１の浸入を効果的に防止することができる。

なお、上述した実施形態においては、突起部材１５２はバネ部材（弾性部材）によって移動する構成であるが、所定のアクチュエータを使って突起部材１５２を移動するようにしてもよい。この場合、例えば基板ステージＰＳＴに基板Ｐを載置する前に、ノッチ部ＮＴの位置情報を求めておく。そして、基板Ｐを基板ステージＰＳＴに載置した後、前記求めた位置情報に基づいて、基板ステージＰＳＴに設けられた複数の突起部材１５２のうち所定の突起部材１５２をアクチュエータを使って駆動し、ノッチ部ＮＴの内側に突起部材１５２を配置するようにしてもよい。あるいは、突起部材１５２を基板ステージＰＳＴに対して脱着可能に設けておき、アクチュエータを使わずに、例えば作業者などが手動で基板ステージＰＳＴ上の基板Ｐのノッチ部ＮＴの内側に突起部材１５２を配置するようにしてもよい。あるいは、基板ステージＰＳＴに対して脱着可能な突起部材１５２を保持可能なロボットアームが、基板ステージＰＳＴ上の基板Ｐのノッチ部ＮＴの内側に突起部材１５２を配置するようにしてもよい。

図２２は、アクチュエータを使って突起部材１５２をノッチ部ＮＴの内側に配置する一例を示す図である。図２２において、突起部材１５２は棒状の支持部材３０７の一端部（先端部）に取り付けられており、支持部材３０７の他端部（基端部）はアクチュエータ３０８に接続されている。アクチュエータ３０８は支持部材３０７の基端部を回動中心として、突起部材１５２を取り付けられた支持部材３０７を回動可能である。図２２において、アクチュエータ３０８は支持部材３０７をθＹ方向に回動する。アクチュエータ３０８は、支持部材３０７を回動することで、支持部材３０７の先端部に取り付けられた突起部材１５２をノッチ部ＮＴの内側に配置可能である。この場合においても、突起部材１５２の上面や側面を撥液性にすることで、液体１の浸入を効果的に防止することができる。また、基板Ｐの液浸露光終了後には、アクチュエータ３０８は、支持部材３０７を反対方向に回動することで、突起部材１５２を基板Ｐのノッチ部ＮＴより外すことができる。

図２３に示すように、ノッチ部ＮＴにシート状部材３０９を被せることで、ノッチ部ＮＴとプレート部３０（平坦面３１）との間への液体１の浸入を抑制することも可能である。シート状部材３０９としては撥液性であることが好ましく、例えばポリ四フッ化エチレン（テフロン（登録商標））からなるシート状部材（テフロンシート）を用いることができる。

なお、シート状部材３０９を輪帯状に形成し、基板Ｐと平坦面３１との隙間全体をシート状部材３０９で覆うようにしてもよい。

なお、上述した各実施形態において、突起部材１５２は交換可能であることが好ましい。突起部材１５２は撥液性であることが好ましいが、その撥液性は経時的に劣化する可能性がある。そこで、撥液性の劣化に応じて突起部材１５２を交換することで、所望の撥液性を有する突起部材１５２を用いて液体１の浸入を効果的に防止することができる。

なお、上述した各実施形態においては、ノッチ部ＮＴに突起部材１５２を配置する場合を例にして説明したが、もちろん、基板Ｐに形成されたオリフラ部ＯＦに対応するフラット部材についても適用可能である。そして、弾性部材（バネ部材）やアクチュエータを使って、フラット部材を所定の位置に配置し、支持部３４に支持された基板Ｐのオリフラ部ＯＦとプレート部３０の平坦面３１とのギャップを小さくすることで、液体１の浸入を防止することができる。

なお、図１〜図８を用いて説明した実施形態やその変形例と、図９〜図２３を用いて説明した実施形態やその変形例とを適宜組み合わせてよいことは言うまでもない。

図２４は本発明の別の実施形態を示す断面図である。なお、図４、図６、図８と同一部材については同一の符号を付して、詳細説明は省略する。図２４において、基板ステージＰＳＴは、周壁部３３と、周壁部３３の内側に形成された第２周壁部４６と、第２周壁部４６の内側に形成された支持部３４とを備えている。吸引装置４０が吸引口４１を介して吸引動作を行い、第２周壁部４６に囲まれた第１空間３８を負圧にすることによって、基板Ｐが支持部３４に吸着保持される。

また、周壁部３３と第２周壁部４６との間のバッファ空間４７の圧力は、第２周壁部４６に囲まれた第１空間３８の圧力よりも高く設定されている。具体的には、図６を参照して説明した実施形態同様、バッファ空間４７は流路４８を介して大気開放されており、バッファ空間４７の圧力はほぼ大気圧に設定されている。あるいは、バッファ空間４７は、圧力調整機能を有するガス供給装置４８'によって、大気圧よりも僅かに高く設定されてもよいし、大気圧よりも低く、且つ第１空間３８の圧力よりも高い程度の圧力（低負圧）に設定されていてもよい。

周壁部３３の高さは、支持部３４よりも低く設けられている。第２周壁部４６の高さも、支持部３４よりも低く設けられている。また、周壁部３３の上面３３Ａは、撥液処理されて撥液性を有している。第２周壁部４６の表面４６Ａも、撥液処理されて撥液性を有している。

なお、第１周壁部３３の上面３３Ａと第２周壁部３６の上面３６Ａのどちらか一方のみを撥液性とすることもできる。

本実施形態において、図６と異なり、凹部３２の内側面３６と基板ホルダＰＨの側面３７との間の第２空間３９には、液体ＬＱは満たされていない。また、第２空間３９には、第２空間３９の圧力調整を行うとともに、ギャップＡを介して第２空間３９に流入した液体ＬＱを回収するための第２吸引装置８０が接続されている。第２吸引装置８０は、図８を参照して説明したものと同等の構成を有し、第２空間３９の圧力をバッファ空間４７の圧力よりも低くすることができる。これにより、ギャップＡから液体１が僅かに浸入しても、その液体１が第1周壁部３３の上面３３Ａと基板Ｐとの間のギャップＢからバッファ空間４７へ浸入するのを抑制することができる。さらに第２空間３９に浸入した液体を回収することもできる。

なお、ポンプ６４やバルブ６３を設けずに、図４のようにタンク６１を設けるだけでもよい。更に、図４のように第２空間３９を大気開放するような構成にしてもよい。

この場合、バッファ空間４７の圧力はガス供給装置４８'を使って大気圧よりも僅かに高く設定しておくのが望ましい。これにより、ギャップＡから液体１が僅かに浸入しても、その液体１が第1周壁部３３の上面３３Ａと基板Ｐとの間のギャップＢからバッファ空間４７へ浸入するのを抑制することができる。さらに第２空間３９に浸入した液体を回収することもできる。

基板Ｐを支持部３４に保持する際には、第１空間３８を負圧にするとともに、バッファ空間４７の圧力を第１空間３８よりも高くする。好ましくは、バッファ空間４７の圧力をほぼ大気圧、又は大気圧よりも高くする。これにより、ギャップＡから第２空間３９に液体１が浸入しても、バッファ空間４７の圧力が高く設定されているので、液体１がバッファ空間４７を介して第１空間３８、ひいては基板Ｐの裏面側や吸引口４１に浸入する不都合が防止される。また、本実施形態においては、周壁部３３の上面３３Ａに基板Ｐの切欠部が配置された場合であっても、切欠部と平坦面３１との間から浸入した液体１がバッファ空間４７や第１空間３８側に浸入する不都合を低減することができる。

また、基板Ｐの切欠部の大きさによっては、周壁部３３の上面３３Ａを液体が越えてしまう可能性もあるが、周壁部３３の上面３３Ａを越えた液体はバッファ空間４７で捕らえることができるので、第１空間３８への液体の浸入を防止することができる。なお、そのような場合に備えて、バッファ空間４７に浸入した液体を回収する構造にしてもよい。

また、詳細な説明は省略したが、図４に示した実施形態のように、基板Ｐの側面ＰＢや裏面ＰＣや、プレート部３０の平坦面３１や内側面３６を撥液性にしてもよい。

すなわち、図４の実施形態やその変形例で説明した基板Ｐ、基板ホルダＰＨ、基板ステージＰＳＴの各面の少なくとも一部の撥液処理は、図２４で説明した実施形態と適宜組み合わせることができる。

なお、図２４の実施形態においては、第１空間３８の負圧は第２周壁部４６で維持することが可能なので、第１周壁部３３の一部にバッファ空間４７と第２空間３９とを連通させる切欠部を設けてもよい。

図２５Ａ〜２５Ｂは本発明の別の実施形態を示す図であって、図２５Ａは平面図、図２５Ｂは図２５ＡのＡ−Ａ断面矢視図である。なお、図３に示した実施形態と同一の部材については同一の符号を付して詳細説明は省略する。図２５Ａ〜２５Ｂにおいて、基板ステージＰＳＴは、支持部３４に基板Ｐを吸着保持するための複数の吸引口（吸気口）４１を備えている。また、周壁部３３の内側の一部には、第２周壁部４６'が局所的に形成されている。

図２５Ａに示すように、第２周壁部４６'は、支持部３４に支持された基板Ｐのノッチ部ＮＴ（又はオリフラ部）に対応する位置に設けられている。第２周壁部４６'は平面視略円弧状の上面４６Ａ'を有しており、両端部を周壁部３３に接続している。そして、周壁部３３と第２周壁部４６'との間には、バッファ空間４７'が形成されている。バッファ空間４７'は、支持部３４に支持された基板Ｐのノッチ部ＮＴの近傍に形成されている。なお本実施形態においても、周壁部３３及び第２周壁部４６'のそれぞれの高さは、支持部３４よりも低く設けられており、それらの上面は撥液性を有している。

第１空間３８に設けられた複数の吸引口４１は、流路４３を介してバキューム部（真空系）４２に接続されている。一方、基板Ｐのノッチ部ＮＴの近傍であるバッファ空間４７'に設けられた吸引口４１'は、第２流路４３'を介して、バキューム部４２とは独立した第２バキューム部（第２真空系）４２'に接続されている。第２バキューム部４２'の吸引力（単位時間当たりの気体吸引量）は、バキューム部４２の吸引力よりも弱くなるように設定されている。すなわち、基板ステージＰＳＴに設けられた複数の吸引口のうち、基板Ｐのノッチ部ＮＴ近傍の吸引口４１'を介した吸気力は、その周りの吸引口４１を介した吸気力よりも小さくなっている。

このように、基板Ｐのノッチ部ＮＴ近傍の吸引口４１'を介した吸気力を、他の吸引口４１を介した吸気力よりも小さくしたので、基板Ｐのノッチ部ＮＴと平坦面３１（プレート部３０）との間のギャップが、ノッチ部ＮＴ以外の基板Ｐの側面ＰＢと平坦面３１との間のギャップよりも大きく、液体１が浸入しやすい構成であっても、ノッチ部ＮＴと平坦面３１との間に液体１が浸入する不都合を抑制できる。

また、仮に基板Ｐの切欠部ＮＴから周壁部３３の上面３３Ａを越えて液体が基板Ｐの裏面側へ浸入したとしても、その液体をバッファ空間４７'で捕らえることができるので、第１空間３８への液体の浸入を阻止することができる。なお、そのような場合に備えて、バッファ空間４７'に浸入した液体を回収する構造にしてもよい。

なお、吸引口４１'に接続されている真空系を、他の吸引口４１に接続された真空系と別々にせずに、基板Ｐのノッチ部ＮＴ近傍の吸引力を小さくするようにしてもよい。例えば、基板Ｐのノッチ部ＮＴ近傍の吸引口４１'の口径を、他の吸引口４１よりも小さくするようにしてもよい。あるいは、複数の吸引口のうち、ノッチ部ＮＴ近傍の吸引口の配置の密度を、その周りの吸引口の配置の密度よりも小さくしてもよい。あるいは、基板Ｐのノッチ部ＮＴの近傍には吸引口を設けない構成としてもよい。更には、例えば吸引口４１'に接続する流路４３'をバルブなどを使って閉じることで、基板Ｐのノッチ部ＮＴの近傍に設けられた吸引口からは吸気を行わないようにしてもよい。

また、基板Ｐの切欠部（ノッチ部）ＮＴ近傍での吸引力を小さくすることによって、基板Ｐの裏面側への液体の浸入が防止できる場合には、第２周壁部４６'を形成しなくてもよい。

また、図２５Ａ〜２５Ｂの実施形態においても、図４に示した実施形態のように、基板Ｐの側面ＰＢや裏面ＰＣや、プレート部３０の平坦面３１や内側面３６を撥液性にしてもよいことは言うまでもない。

なお、上述の実施形態において、液浸領域ＡＲ２を形成する液体の圧力が大きい場合には、基板ステージＰＳＴ上に存在する隙間（基板Ｐ周囲の隙間など）から液体が浸入しやすくなるので、液浸領域ＡＲ２が基板ステージＰＳＴ上の隙間上に形成されているときには、液体の圧力を下げるようにしてもよい。特に液体供給機構１０の供給口１３Ａ、１４Ａの直下は液体の圧力が大きくなる可能性があるので、液体供給機構１０の供給口１３Ａ、１４Ａが基板ステージＰＳＴ上の隙間と対向しているときは、液体の圧力を小さくするようにすると、その隙間からの液体の浸入を抑制することができる。

なお、図２４及び図２５を使って説明した実施形態と、図９〜図２３を用いて説明した実施形態とを適宜組み合わせてよいことは言うまでもない。

上記各実施形態において、液体１は純水により構成されている。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板Ｐ上のフォトレジストや光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Ｐの表面、及び投影光学系ＰＬの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。

そして、波長が１９３ｎｍ程度の露光光ＥＬに対する純水（水）の屈折率ｎはほぼ１．４４と言われており、露光光ＥＬの光源としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いた場合、基板Ｐ上では１／ｎ、すなわち約１３４ｎｍに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約ｎ倍、すなわち約１．４４倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系ＰＬの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。

なお、上述したように液浸法を用いた場合には、投影光学系の開口数ＮＡが０．９〜１．３になることもある。このように投影光学系の開口数ＮＡが大きくなる場合には、従来から露光光として用いられているランダム偏光光では偏光効果によって結像性能が悪化することもあるので、偏光照明を用いるのが望ましい。その場合、マスク（レチクル）のライン・アンド・スペースパターンのラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明を行い、マスク（レチクル）のパターンからは、Ｓ偏光成分（ＴＥ偏光成分）、すなわちラインパターンの長手方向に沿った偏光方向成分の回折光が多く射出されるようにするとよい。投影光学系ＰＬと基板Ｐ表面に塗布されたレジストとの間が液体で満たされている場合、投影光学系ＰＬと基板Ｐ表面に塗布されたレジストとの間が空気（気体）で満たされている場合に比べて、コントラストの向上に寄与するＳ偏光成分（ＴＥ偏光成分）の回折光のレジスト表面での透過率が高くなるため、投影光学系の開口数ＮＡが１．０を越えるような場合でも高い結像性能を得ることができる。また、位相シフトマスクや特開平６−１８８１６９号公報に開示されているようなラインパターンの長手方向に合わせた斜入射照明法（特にダイボール照明法）等を適宜組み合わせると更に効果的である。

また、例えばＡｒＦエキシマレーザを露光光とし、１／４程度の縮小倍率の投影光学系ＰＬを使って、微細なライン・アンド・スペースパターン（例えば２５〜５０ｎｍ程度のライン・アンド・スペース）を基板Ｐ上に露光するような場合、マスクＭの構造（例えばパターンの微細度やクロムの厚み）によっては、Wave guide効果によりマスクＭが偏光板として作用し、コントラストを低下させるＰ偏光成分（ＴＭ偏光成分）の回折光よりＳ偏光成分（ＴＥ偏光成分）の回折光が多くマスクＭから射出されるようになるので、上述の直線偏光照明を用いることが望ましいが、ランダム偏光光でマスクＭを照明しても、投影光学系ＰＬの開口数ＮＡが０．９〜１．３のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。また、マスクＭ上の極微細なライン・アンド・スペースパターンを基板Ｐ上に露光するような場合、Wire Grid効果によりＰ偏光成分（ＴＭ偏光成分）がＳ偏光成分（ＴＥ偏光成分）よりも大きくなる可能性もあるが、例えばＡｒＦエキシマレーザを露光光とし、１／４程度の縮小倍率の投影光学系ＰＬを使って、２５ｎｍより大きいライン・アンド・スペースパターンを基板Ｐ上に露光するような場合には、Ｓ偏光成分（ＴＥ偏光成分）の回折光がＰ偏光成分（ＴＭ偏光成分）の回折光よりも多くマスクＭから射出されるので、投影光学系ＰＬの開口数ＮＡが０．９〜１．３のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。

更に、マスク（レチクル）のラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明（Ｓ偏光照明）だけでなく、特開平６−５３１２０号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の接線（周）方向に直線偏光する偏光照明法と斜入射照明法との組み合わせも効果的である。特に、マスク（レチクル）のパターンが所定の一方向に延びるラインパターンだけでなく、複数の異なる方向に延びるラインパターンが混在する場合には、同じく特開平６−５３１２０号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の接線方向に直線偏光する偏光照明法と輪帯照明法とを併用することによって、投影光学系の開口数ＮＡが大きい場合でも高い結像性能を得ることができる。

本実施形態では、投影光学系ＰＬの先端に光学素子２が取り付けられており、このレンズにより投影光学系ＰＬの光学特性、例えば収差（球面収差、コマ収差等）の調整を行うことができる。なお、投影光学系ＰＬの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系ＰＬの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ＥＬを透過可能な平行平面板であってもよい。

なお、液体１の流れによって生じる投影光学系ＰＬの先端の光学素子と基板Ｐとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。

なお、本実施形態では、投影光学系ＰＬと基板Ｐ表面との間は液体１で満たされている構成であるが、例えば基板Ｐの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体１を満たす構成であってもよい。

なお、本実施形態の液体１は水であるが水以外の液体であってもよい。例えば露光光ＥＬの光源がＦ₂レーザである場合、このＦ₂レーザ光は水を透過しないので、液体１としてはＦ₂レーザ光を透過可能な例えば過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。また、液体１としては、その他にも、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬや基板Ｐ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。この場合も表面処理は用いる液体１の極性に応じて行われる。

なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明は基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第１パターンの縮小像を投影光学系（例えば１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系）を用いて基板Ｐ上に一括露光し、その後に、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第２パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。

また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報などに開示されているツインステージ型の露光装置にも適用できる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

基板ステージＰＳＴやマスクステージＭＳＴにリニアモータ（USP5,623,853またはUSP5,528,118参照）を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージＰＳＴ、ＭＳＴは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。

各ステージＰＳＴ、ＭＳＴの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージＰＳＴ、ＭＳＴを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージＰＳＴ、ＭＳＴに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージＰＳＴ、ＭＳＴの移動面側に設ければよい。

基板ステージＰＳＴの移動により発生する反力は、投影光学系ＰＬに伝わらないように、特開平８−１６６４７５号公報（USP5,528,118）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。

マスクステージＭＳＴの移動により発生する反力は、投影光学系ＰＬに伝わらないように、特開平８−３３０２２４号公報（US S/N 08/416,558）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。

本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図２６に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

本発明によれば、基板のエッジ領域を露光する場合にも良好に液浸領域を形成し、液体の浸入や液体の基板ステージ外部への流出を抑えた状態で露光でき、所望の性能を有するデバイスを製造できる。

１…液体、３０…プレート部（Ｚステージ）、３１…平坦面（平坦部）、３２…凹部、３３…周壁部（周壁）、３３Ａ…上面、３４…支持部、３６…内側面、３８…第１空間、３９…第２空間、４１、４１'…吸引口（吸気口）、４２…バキューム部（真空系）、４２'…第２バキューム部（第２真空系）、４６…第２周壁部（第２周壁）、４６Ａ…上面、４７…バッファ空間、５２…Ｚステージ（基板ステージ）、５７…接触面、５８…裏面、６０…回収部（回収手段）、６１…タンク（回収手段）、１５０…突起部（ギャップ調整部）、１５１…フラット部（ギャップ調整部）、１５２…突起部材（ギャップ調整部）、１５３…フラット部材（ギャップ調整部）、ＥＸ…露光装置、ＮＴ…ノッチ部（切欠部）、ＯＦ…オリフラ部（切欠部）、Ｐ…基板、ＰＡ…基板表面、ＰＢ…基板側面、ＰＣ…基板裏面、ＰＨ…基板ホルダ、ＰＬ…投影光学系、ＰＳＴ…基板ステージ

Claims (8)

1. 被露光対象としての基板を保持して移動可能な基板ステージにおいて、
   第１周壁と、
   前記第１周壁の内側に形成された第２周壁と、
   前記第２周壁の内側に形成された支持部と、を備え、
   前記第２周壁に囲まれた空間を負圧にすることによって、前記支持部に前記基板を保持することを特徴とする基板ステージ。
2. 前記第１周壁と前記第２周壁との間の空間の圧力は、前記第２周壁に囲まれた空間の圧力よりも高く設定されていることを特徴とする請求項１記載の基板ステージ。
3. 前記第１周壁と前記第２周壁との間の空間も負圧にすることを特徴とする請求項２記載の基板ステージ。
4. 前記第１周壁と前記第２周壁との間の空間の圧力はほぼ大気圧、又は大気圧よりも高く設定されていることを特徴とする請求項２記載の基板ステージ。
5. 前記第１周壁と前記第２周壁との間の空間の圧力を調整可能であることを特徴とする請求項２に記載の基板ステージ。
6. 前記第１周壁と前期第２周壁との間の空間の圧力は、前記第１周壁の外側の空間の圧力よりも高く設定されていることを特徴とする請求項２に記載の基板ステージ。
7. 前記第２周壁の高さは、前記支持部よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の基板ステージ。
8. 前記第１周壁の高さは、前記支持部よりも低いことを特徴とする請求項７記載の基板ステージ。

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