JP2014049625A - Ｌｅｄモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】光取り出し効率の向上を図ることが可能なＬＥＤモジュールを提供する。
【解決手段】ＬＥＤモジュール１は、基板２と、基板２の一表面側で規定方向に配列された複数個のＬＥＤチップ６と、各ＬＥＤチップ６の各々の第１電極（図示せず）及び第２電極（図示せず）がワイヤ７を介して電気的に接続される配線部８とを備える。ＬＥＤモジュール１は、基板２が長尺状の形状であり、基板２の長手方向を前記規定方向としてある。さらに、ＬＥＤモジュール１は、前記規定方向に配列された各ＬＥＤチップ６及び各ＬＥＤチップ６の各々に接続された各ワイヤ７を覆うライン状の封止部１１を備える。封止部１１は、蛍光体を含有する樹脂からなる。封止部１１は、前記規定方向において隣り合うＬＥＤチップ６同士の間に、ＬＥＤチップ６から放射される光の全反射を抑制する凹部１１ｂが設けられている。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＬＥＤモジュールに関するものである。

従来から、ライン状光源として、例えば、図１１に示すようなＬＥＤモジュール４０が提案されている（特許文献１）。

ＬＥＤモジュール４０は、ＣＯＢ型（Chip On Boad）の発光モジュールであって、ライン状に光を発するライン状光源である。ＬＥＤモジュール４０は、実装基板４１と、実装基板４１上に配列された複数のＬＥＤ４２と、ＬＥＤ４２を封止する封止部材４３とを備えている。さらに、ＬＥＤモジュール４０は、配線４４、静電保護素子４５、電極端子４６及びワイヤ４７を備えている。

実装基板４１は、ＬＥＤ４２を実装するためのＬＥＤ実装用基板であって、長尺矩形状の基板である。実装基板４１としては、アルミナ又は透光性の窒化アルミニウムからなるセラミックス基板、アルミニウム合金からなるアルミニウム基板、透明なガラス基板又は樹脂からなる可撓性のフレキシブル基板（ＦＰＣ）等を用いることができる。

複数のＬＥＤ４２は、実装基板４１上に直接実装されている。複数のＬＥＤ４２は、実装基板４１の長手方向に沿ってライン状（一直線状）に一列に配列されている。各ＬＥＤ４２は、単色の可視光を発するベアチップであり、ダイアタッチ材（ダイボンド材）によって実装基板４１上にダイボンディングされている。各ＬＥＤ４２としては、例えば青色光を発光する青色発光ＬＥＤチップが用いられる。青色発光ＬＥＤチップとしては、例えばＩｎＧａＮ系の材料によって構成された、中心波長が４４０ｎｍ〜４７０ｎｍの窒化ガリウム系の半導体発光素子を用いることができる。

封止部材４３は、光波長変換体である蛍光体を含む蛍光体含有樹脂であって、ＬＥＤ４２からの光を波長変換するとともに、実装基板４１上の全てのＬＥＤ４２を一括封止してＬＥＤ４２を保護する。封止部材４３は、断面形状が上に凸の略半円状のドーム形状であり、実装基板４１上の全てのＬＥＤ４２を覆うようにＬＥＤ４２の配列方向に沿って直線状に形成されている。また、封止部材４３は、実装基板４１の一方の短辺の端面から対向する他方の短辺の端面まで途切れることなく形成されている。封止部材４３としては、例えば、ＬＥＤ４２が青色発光ＬＥＤチップである場合、白色光を得るために、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系の黄色蛍光体粒子をシリコーン樹脂に分散させた蛍光体含有樹脂を用いることができる。

配線４４は、タングステン（Ｗ）又は銅（Ｃｕ）等からなる金属配線であり、複数のＬＥＤ４２同士を電気的に接続するために所定形状にパターン形成されている。

ワイヤ４７は、ＬＥＤ４２と配線４４とを電気的に接続するための電線であり、例えば、金ワイヤで構成される。ＬＥＤ４２のチップ上面には電流を供給するためのｐ側電極及びｎ側電極が形成されており、ｐ側電極及びｎ側電極のそれぞれと配線４４とがワイヤ４７によってワイヤボンディングされている。

また、従来から、図１２に示すように、蛍光体１１６を含む第１透明樹脂層１１２を半円柱状の形状に形成する方法として、ライン塗布法が知られている（例えば、特許文献２）。

特許文献２では、ライン塗布法について次のように説明されている。

ライン塗布法とは、図１２（ａ）に示すように、ディスペンサ１２４から所定量の第１透明樹脂を吐出させながら、ディスペンサ１２４を発光ダイオード１０８の配列に沿って移動させ、ライン状につながった樹脂層を形成する方法である。ライン塗布法で形成した場合には、第１透明樹脂層１１２の形状を、樹脂の表面張力によって決めることができる。例えば、負電極１０４及び正電極１０６の外縁は、その厚み分だけ絶縁基板１０２の表面よりも高い位置にある。従って、両者の高さの差が十分にあれば、図１２（ｂ）及び図１２（ｃ）に示すように、第１透明樹脂層１１２は表面張力によって負電極１０４及び正電極１０６の外縁１０４ａ及び１０６ａから先には流れ出さない。また、第１透明樹脂層１１２は、吐出量を適切にすれば、表面張力によってワイヤ１１０を少し越えた高さで維持させることができる。さらに、第１透明樹脂層１１２の断面形状は、図１２（ｃ）に示すように、略半円形又は略半楕円形となる。このようにライン塗布法によれば、極めて簡易な構成によって短時間に多数のチップを同時処理でき、しかも形状が安定する。従って、ライン塗布法によって第１透明樹脂層１１２を形成すれば、量産性が高く、また色調バラツキが少なくなるという利点が得られる。

また、長方形状の実装基板上に配された複数の発光素子を線状に覆う蛍光体層を形成する方法としては、ディスペンサによるラインポッティングで半円柱状の蛍光体層を形成する方法が知られている（特許文献３）。

特開２０１２−１４２１６８号公報 特開２００６−２２９０５５号公報 特開２００８−４７８５１号公報

ところで、上述のＬＥＤモジュール４０の封止部材４３は、断面形状が上に凸の略半円状のドーム形状であり、実装基板４１上の全てのＬＥＤ４２を覆うようにＬＥＤ４２の配列方向に沿って直線状に形成されている。このため、上述のＬＥＤモジュール４０では、ＬＥＤ４２から放射され封止部材４３と空気との境界面に臨界角を超えて入射する光が全反射され、光取り出し効率が低下してしまうものと推考される。

本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、光取り出し効率の向上を図ることが可能なＬＥＤモジュールを提供することにある。

本発明のＬＥＤモジュールは、基板と、前記基板の一表面側で規定方向に配列された複数個のＬＥＤチップと、前記各ＬＥＤチップの各々の第１電極及び第２電極がワイヤを介して電気的に接続される配線部と、蛍光体を含有する樹脂からなり前記規定方向に配列された前記各ＬＥＤチップ及び前記各ＬＥＤチップの各々に接続された前記各ワイヤを覆うライン状の封止部とを備え、前記封止部は、前記規定方向において隣り合う前記ＬＥＤチップ同士の間に、前記ＬＥＤチップから放射される光の全反射を抑制する凹部が設けられていることを特徴とする。

このＬＥＤモジュールにおいて、前記封止部は、前記各ＬＥＤチップの各々を覆う各凸部が、半球状に形成されてなることが好ましい。

このＬＥＤモジュールにおいて、前記配線部と前記各ワイヤの各々との接続部は、前記規定方向における前記各ＬＥＤチップの各々の両側にあることが好ましい。

このＬＥＤモジュールにおいて、前記ＬＥＤチップの各々と前記実装基板との間に配置される複数個のサブマウント部材を備え、前記サブマウント部材の平面サイズは、前記ＬＥＤチップの平面サイズよりも大きいことが好ましい。

このＬＥＤモジュールにおいて、前記サブマウント部材は、光拡散性を有する透光性部材であり、前記封止部の幅方向に沿った方向における両端部が、前記封止部に覆われずに露出していることが好ましい。

このＬＥＤモジュールにおいて、前記実装基板が長尺状の形状であり、前記実装基板の長手方向を前記規定方向としてあることが好ましい。

本発明のＬＥＤモジュールにおいては、封止部のうち、規定方向において隣り合うＬＥＤチップ同士の間に、前記ＬＥＤチップから放射される光の全反射を抑制する凹部が設けられているので、封止部と空気との境界面での全反射を抑制することが可能となり、光取り出し効率の向上を図ることが可能となる。

（ａ）は実施形態１のＬＥＤモジュールの概略斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ概略断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ概略断面図である。 実施形態１のＬＥＤモジュールの要部概略斜視図である。 実施形態１のＬＥＤモジュールの製造方法の説明図である。 （ａ）は比較例１のＬＥＤモジュールの概略斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ概略断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ概略断面図である。 比較例１におけるＬＥＤチップからの光線の進行経路の模式的な説明図である。 比較例１におけるＬＥＤチップからの光線の進行経路の模式的な説明図である。 （ａ）は比較例２のＬＥＤモジュールの概略斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ概略断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ概略断面図、（ｄ）は比較例２のＬＥＤモジュールの一部破断した要部概略斜視図である。 （ａ）は実施形態２のＬＥＤモジュールの概略斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ概略断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ概略断面図である。 実施形態２のＬＥＤモジュールの他の構成例の概略斜視図である。 （ａ）は図９のＡ−Ａ概略断面図、（ｂ）は図９のＢ−Ｂ概略断面図である。 （ａ）はＬＥＤモジュールの構成を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。 （ａ）は第１透明樹脂層をライン塗布法で形成する様子を示す模式図、（ｂ）は第１透明樹脂層をライン塗布法で形成する様子を示す平面図、（ｃ）は第１透明樹脂層をライン塗布法で形成する様子を示す断面図である。

（実施形態１）
以下では、本実施形態のＬＥＤモジュール１について図１〜図３に基づいて説明する。

ＬＥＤモジュール１は、基板２と、基板２の一表面側で規定方向に配列された複数個のＬＥＤチップ６と、各ＬＥＤチップ６の各々の第１電極（図示せず）及び第２電極（図示せず）がワイヤ７を介して電気的に接続される配線部８とを備える。各ＬＥＤチップ６の各々は、基板２の前記一表面側に接合部（図示せず）を介して接合されている。ＬＥＤモジュール１は、基板２が長尺状の形状であり、基板２の長手方向（図１（ｂ）の左右方向）を前記規定方向としてある。ＬＥＤモジュール１は、基板２と配線部８とで、各ＬＥＤチップ６が実装される実装基板を構成している。

さらに、ＬＥＤモジュール１は、前記規定方向に配列された各ＬＥＤチップ６及び各ＬＥＤチップ６の各々に接続された各ワイヤ７を覆うライン状の封止部１１を備える。封止部１１は、蛍光体を含有する樹脂からなる。この封止部１１は、前記規定方向において隣り合うＬＥＤチップ６同士の間に、ＬＥＤチップ６から放射される光の全反射を抑制する凹部１１ｂが設けられている。

以下、ＬＥＤモジュール１の各構成要素について詳細に説明する。

基板２は、例えば、透光性基板でもよいし、不透光基板でもよい。

透光性基板の材質としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウムなどを採用することができる。

不透光基板とは、可視波長域の光を透過しない不透光媒質（不透明体）であり、可視波長域の光を透過しない不透過基板である。不透光基板は、紫外光及び可視光の透過率が０％〜１０％であるのが好ましく、０〜５％であるのがより好ましい。また、不透光基板は、紫外光及び可視光の反射率が９０％以上であるのが好ましく、９５％以上であるのがより好ましい。なお、透過率や反射率は、積分球を利用して測定した値である。

不透光基板の材質としては、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銅、リン青銅、銅合金（例えば、４２アロイなど）、ニッケル合金などを採用することができる。

不透光基板は、上述の材質からなる母材の表面に、母材に比べてＬＥＤチップ６から放射される光に対する反射率の高い反射層（図示せず）を設けたものでもよい。反射層としては、例えば、白色系のレジスト層を採用することができる。このレジスト層の材料としては、例えば、二酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ_４）などのフィラーを含有した樹脂（例えば、シリコーン系樹脂など）からなる白色レジストを採用することができる。レジスト層は、例えば、シリコーン系樹脂にＴｉＯ_２、ＺｎＯ、ＢａＳＯ_４のいずれかのフィラーを混練したものを採用すれば、耐熱性を向上させることが可能となり、変色しにくくなるので好ましい。白色レジストとしては、例えば、株式会社朝日ラバーのシリコーン製の白色レジスト材“ASA COLOR RESIST INK”などを採用することができる。白色系のレジスト層は、例えば、塗布法により形成することができる。また、反射層としては、例えば、銀膜、ニッケル膜とパラジウム膜と金膜との積層膜、ニッケル膜と金膜との積層膜、銀膜とパラジウム膜と金銀合金膜との積層膜などを採用することができる。金属材料を利用した反射層は、めっき層などにより構成することが好ましい。要するに、反射層は、めっき法により形成することが好ましい。

不透光基板としては、母材であるアルミニウム板の一表面側にアルミニウム板よりも高純度のアルミニウム膜が積層され、このアルミニウム膜上に、屈折率の異なる２種類の誘電体膜からなる増反射膜が積層された高反射基板を用いることもできる。ここで、２種類の誘電体膜としては、例えば、ＳｉＯ_２膜とＴｉＯ_２膜とを採用することが好ましい。ＬＥＤモジュール１は、不透光基板として高反射基板を用いることにより、可視光に対する反射率を９５％以上とすることが可能となる。この高反射基板としては、例えば、アラノッド（alanod）社のＭＩＲＯ２、ＭＩＲＯ（登録商標）を用いることができる。上述のアルミニウム板としては、表面が陽極酸化処理されたものを用いてもよい。

また、不透光基板は、樹脂に反射率を高めるためのフィラーを添加した材料から形成された絶縁性基板でもよい。このような絶縁性基板については、例えば、樹脂として不飽和ポリエステルを採用し、フィラーとしてチタニアを採用することができる。絶縁性基板の樹脂としては、不飽和ポリエステルに限らず、例えば、ビニルエステルなどを採用することができる。また、フィラーとしては、チタニアに限らず、例えば、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、水酸化アルミニウムなどを用いることができる。また、不透光基板としては、白色樹脂により形成された樹脂基板や、白色樹脂により形成された反射層を有する樹脂基板でもよい。また、不透光基板は、白色樹脂により形成された反射層を有するセラミック基板でもよい。また、不透光基板は、白色以外の樹脂により形成された樹脂基板や不透光性のセラミックでもよい。

ＬＥＤモジュール１は、基板２が、ヒートシンクの機能を有することが好ましい。この場合、ＬＥＤモジュール１は、基板２の材料として例えばアルミニウムや銅などの熱伝導率の高い金属を採用することにより、基板２にヒートシンクの機能を持たせることが可能となる。これにより、ＬＥＤモジュール１は、ＬＥＤチップ６で発生する熱をより効率的に放熱させることが可能となり、光出力の高出力化を図ることが可能となる。

基板２の上記一表面側には、ＬＥＤチップ６への給電用の配線部８が設けられている。配線部８は、所定形状にパターン化された導体部（導体パターン）により構成されている。ＬＥＤチップ６は、電極（第１電極、第２電極）がワイヤ７を介して配線部８と電気的に接続されている。ワイヤ７としては、例えば、金ワイヤ、アルミニウムワイヤなどを採用することができる。配線部８の材料としては、例えば、銅、リン青銅、銅合金（例えば、４２アロイなど）、ニッケル合金、アルミニウム、アルミニウム合金などを採用することができる。配線部８は、例えば、リードフレーム、金属箔、金属膜などを利用して形成することができる。基板２が導電性を有している場合、基板２と配線部８との間には、絶縁層を設ければよい。なお、上述の反射層として白色系のレジスト層を採用する場合には、このレジスト層により絶縁層を構成することができる。

配線部８は、前記所定形状として、複数個のＬＥＤチップ６を並列接続することが可能となる形状にパターン化されている。配線部８は、複数個のＬＥＤチップ６を直列接続することが可能となる形状にパターン化されていてもよいし、複数個のＬＥＤチップ６を直並列接続することが可能となる形状にパターン化されていてもよい。要するに、ＬＥＤモジュール１は、複数個のＬＥＤチップ６が並列接続された回路構成を有していてもよいし、複数個のＬＥＤチップ６が直列接続された回路構成を有してもよいし、複数個のＬＥＤチップ６が直並列接続された回路構成を有してもよい。

実装基板は、一表面側にＬＥＤチップ６が配列される不透光基板と、この不透光基板の他表面側に配置され各ＬＥＤチップ６が電気的に接続される配線部８とを備えたものでもよい。このような実装基板としては、例えば、配線部８が、導電板（例えば、リードフレーム）、金属箔などから形成されたものを採用することができる。ここで、不透光基板には、ＬＥＤチップ６と配線部８とを電気的に接続する各ワイヤ７の各々が通る複数の第１貫通孔が形成されている。また、このような実装基板は、不透光基板と配線部８との間に、不透光基板と配線部８とを電気的に絶縁する絶縁層を備えている。絶縁層には、不透光基板の第１貫通孔の各々に連通する複数の第２貫通孔が形成されている。絶縁層は、例えば、シリカやアルミナなどのフィラーからなる充填材を含有したエポキシ樹脂層により構成することができる。エポキシ樹脂層の厚みは、例えば、５０μｍ〜１５０μｍ程度の範囲で適宜設定すればよい。また、エポキシ樹脂層の熱伝導率は、４Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。

ＬＥＤチップ６は、このＬＥＤチップ６の厚み方向の一面側に、アノード電極である前記第１電極と、カソード電極である前記第２電極とが設けられている。

ＬＥＤチップ６は、ｎ形半導体層、発光層及びｐ形半導体層を有するＬＥＤ構造部を、結晶成長用基板などからなる支持基板の主表面側に備えている。前記ｎ形半導体層、前記発光層及び前記ｐ形半導体層の積層順は、前記支持基板に近い側から順に、前記ｎ形半導体層、前記発光層、前記ｐ形半導体層としてあるが、これに限らず、前記ｐ形半導体層、前記発光層、前記ｎ形半導体層の順でもよい。ＬＥＤチップ６は、前記支持基板が結晶成長用基板である場合、前記ＬＥＤ構造部と前記支持基板との間に、バッファ層を設けてある構造が、より好ましい。前記発光層は、単一量子井戸構造や多重量子井戸構造を有することが好ましいが、これに限らない。例えば、ＬＥＤチップ６は、前記ｎ形半導体層と前記発光層と前記ｐ形半導体層とでダブルヘテロ構造を構成するようにしてもよい。なお、ＬＥＤチップ６の構造は、特に限定するものではない。ＬＥＤチップ６としては、内部にブラッグ反射器などの反射部を備えたＬＥＤチップを採用することもできる。また、ＬＥＤチップ６は、前記支持基板が、結晶成長用基板の主表面側に前記ＬＥＤ構造部を形成した後に前記ＬＥＤ構造部に張り合わされたものでもよい。この場合のＬＥＤチップ６は、前記支持基板を前記ＬＥＤ構造部に張り合わせた後に、前記結晶成長用基板が除去されている。

ＬＥＤチップ６は、このＬＥＤチップ６の厚み方向の他面側が前記接合部を介して基板２に接合されている。そして、ＬＥＤチップ６は、前記第１電極及び前記第２電極の各々がワイヤ７を介して配線部８と電気的に接続されている。前記接合部は、ダイボンド材により形成することができる。

ＬＥＤチップ６は、青色光を放射する青色ＬＥＤチップである。青色ＬＥＤチップは、前記発光層の材料として窒化ガリウム系材料が採用されており、前記支持基板としてサファイア基板を備えたものを用いている。ただし、ＬＥＤチップ６の前記支持基板は、サファイア基板に限らず、例えば、窒化ガリウム基板、炭化シリコン基板、シリコン基板などでもよい。

ＬＥＤチップ６は、平面形状が長方形状のものを採用しているが、これに限らず、例えば、平面形状が正方形状のものを採用することもできる。

ＬＥＤチップ６のチップサイズは、０．５ｍｍ×１．０ｍｍとしてあるが、特に限定するものではない。また、ＬＥＤチップ６としては、例えば、チップサイズが０．３ｍｍ□（０．３ｍｍ×０．３ｍｍ）や０．４５ｍｍ□や１ｍｍ□のものなどを用いることができる。

また、ＬＥＤチップ６は、前記発光層の材料や発光色を特に限定するものではない。すなわち、ＬＥＤチップ６としては、青色ＬＥＤチップに限らず、例えば、紫色ＬＥＤチップ、紫外ＬＥＤチップ、赤色ＬＥＤチップ、緑色ＬＥＤチップなどを用いてもよい。

前記ダイボンド材としては、例えば、シリコーン系のダイボンド材、エポキシ系のダイボンド材、銀ペーストなどを用いることができる。

ＬＥＤモジュール１は、基板２として不透光基板を採用する場合、前記接合部がＬＥＤチップ６から放射される光を透過可能であることが、好ましい。これにより、ＬＥＤモジュール１は、ＬＥＤチップ６の前記発光層で発光し、ＬＥＤチップ６内及び前記接合部を通過した光の一部が基板２の上記一表面で反射される。

また、ワイヤ７としては、例えば、金ワイヤ、銀ワイヤ、銅ワイヤ、アルミニウムワイヤなどを用いることができる。

配線部８は、ＬＥＤチップ６の前記第１電極が接続される第１配線パターン部（第１パターン）８ａと、ＬＥＤチップ６の前記第２電極が接続される第２配線パターン部（第２パターン）８ｂとを有している。

第１配線パターン部８ａと第２配線パターン部８ｂとは、平面形状がそれぞれ櫛形状に形成されている。そして、第１配線パターン部８ａと第２配線パターン８ｂとは、基板２の短手方向に沿った方向において互いに入り組むように配置されている。ここで、配線部８は、第１配線パターン部８ａの第１櫛骨部８ａａと第２配線パターン部８ｂの第２櫛骨部８ｂａとが対向している。配線部８は、基板２の長手方向に沿った方向において第１配線パターン部８ａの第１櫛歯部８ａｂと第２配線パターン部８ｂの第２櫛歯部８ｂｂとが隙間を介して交互に並んでいる。

ＬＥＤモジュール１は、基板２の長手方向（つまり、規定方向）に配列された複数個（図示例では、９個）のＬＥＤチップ６が並列接続されている。ＬＥＤモジュール１は、これら複数個のＬＥＤチップ６が並列接続された並列回路に対して給電可能となっている。要するに、ＬＥＤモジュール１は、第１配線パターン部８ａと第２配線パターン部８ｂとの間に給電することにより、全てのＬＥＤチップ６に対して給電することができる。また、複数個のＬＥＤモジュール１を並べて用いるような場合には、隣り合うＬＥＤモジュール１同士を、導電性部材や、送り配線用の電線（図示せず）やコネクタ（図示せず）などにより電気的に接続するようにすればよい。この場合には、複数個のＬＥＤモジュール１に対して、１つの電源ユニットから電力を供給して、各ＬＥＤモジュール１の全てのＬＥＤチップ６を発光させることが可能となる。

配線部８は、表面処理層（図示せず）が形成されていることが好ましい。表面処理層は、配線部８の材料に比べて、耐酸化性及び耐腐食性の高い金属材料からなることが好ましい。配線部８の材料が銅の場合、表面処理層としては、例えば、ニッケル膜、ニッケル膜と金膜との積層膜、ニッケル膜とパラジウム膜と金膜との積層膜、ニッケル膜とパラジウム膜との積層膜などを形成することが好ましい。ここで、表面処理層は、低コスト化の観点から、ニッケル膜とパラジウム膜との積層膜がより好ましい。なお、表面処理層は、例えば、めっき法により形成すればよい。

封止部１１は、蛍光体を含有する樹脂からなる。封止部１１は、前記樹脂に前記蛍光体が分散されているのが好ましい。封止部１１の前記樹脂は、ＬＥＤチップ６及び前記蛍光体それぞれから放射される光を透過する材料であれば、特に限定するものではない。

封止部１１の前記樹脂としては、例えば、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、ポリカーボネイト樹脂などを採用することができる。前記樹脂としては、耐熱性、耐候性の観点から、シリコーン樹脂が好ましく、温度サイクルによる熱応力によってワイヤ７が切れるのを抑制する観点から、ゴム状シリコーンが、より好ましい。

前記蛍光体は、ＬＥＤチップ６から放射される光を当該光よりも長波長の光に変換する波長変換材料として機能する。これにより、ＬＥＤモジュール１は、ＬＥＤチップ６から放射される光と前記蛍光体から放射される光との混色光を得ることが可能となる。要するに、封止部１１は、各ＬＥＤチップ６及び各ワイヤ７を封止する封止層としての機能だけでなく、ＬＥＤチップ６から放射される光を当該光よりも長波長の光に変換する波長変換層としての機能を備えている。

ＬＥＤモジュール１は、例えば、ＬＥＤチップ６として青色ＬＥＤチップを採用し、前記波長変換材料である前記蛍光体として黄色蛍光体を採用すれば、白色光を得ることが可能となる。すなわち、ＬＥＤモジュール１は、ＬＥＤチップ６から放射された青色光と前記黄色蛍光体から放射された光とが封止部１１の表面から出射可能となり、白色光を得ることが可能となる。

前記波長変換材料である前記蛍光体としては、前記黄色蛍光体だけに限らず、例えば、前記黄色蛍光体と赤色蛍光体とを採用したり、前記赤色蛍光体と緑色蛍光体とを採用してもよい。また、前記波長変換材料である前記蛍光体は、１種類の前記黄色蛍光体に限らず、発光ピーク波長の異なる２種類の黄色蛍光体を採用してもよい。ＬＥＤモジュール１は、前記波長変換材料として複数種の蛍光体を採用することにより、演色性を高めることが可能となる。

封止部１１は、上述のように、前記規定方向において隣り合うＬＥＤチップ６同士の間に、ＬＥＤチップ６から放射される光の全反射を抑制する凹部１１ｂが設けられている。これにより、ＬＥＤモジュール１は、ＬＥＤチップ６から放射され封止部１１と空気との境界面に入射する光の全反射を抑制することが可能となり、全反射に起因して閉じ込められる光を低減できるから、光取り出し効率の向上を図ることが可能となる。要するに、ＬＥＤモジュール１は、全反射損失を低減することが可能となり、光取り出し効率の向上を図ることが可能となる。

封止部１１は、各ＬＥＤチップ６の前記一面と基板２の上記一表面との段差を反映した断面形状に形成されている。よって、封止部１１は、ＬＥＤチップ６の配列方向に直交する断面形状が凸形状であり、ＬＥＤチップ６の配列方向に沿った断面形状が凹凸形状となっている。要するに、ＬＥＤモジュール１は、ライン状の封止部１１に、光取り出し効率を向上させる凹凸構造が形成されている。

前記凹凸構造の周期は、ＬＥＤチップ６の配列ピッチと同じである。ここにおいて、前記凹凸構造の周期とは、各ＬＥＤチップ６の各々を覆う凸部１１ａの配列ピッチである。

封止部１１の表面の形状は、封止部１１の前記表面においてＬＥＤチップ６からの光線が交わる点の法線と前記光線とのなす角が臨界角よりも小さくなるように設計すればよい。ここで、ＬＥＤモジュール１は、封止部１１の各凸部１１ａの表面の略全面で、ＬＥＤチップ６からの前記光線の入射角（光入射角度）が臨界角よりも小さくなるように、封止部１１の前記表面の形状を設計することが好ましい。

このため、封止部１１は、各ＬＥＤチップ６の各々を覆う各凸部１１ａが、半球状に形成されているのが好ましい。各凸部１１ａの各々は、基板２の厚み方向において重なる凸部１１ａの光軸とＬＥＤチップ６の光軸とが一致するように設計されている。これにより、ＬＥＤモジュール１は、封止部１１の前記表面（封止部１１と空気との境界面）での全反射を抑制することが可能となるだけでなく、色むらを抑制することが可能となる。色むらとは、光の照射方向によって色度が変化している状態である。ＬＥＤモジュール１は、色むらを視認できない程度に抑制することが可能となる。

ＬＥＤモジュール１は、ＬＥＤチップ６から凸部１１ａの表面までの光路長をＬＥＤチップ６からの光の放射方向によらず略均一化することが可能となり、色むらをより抑制することが可能となる。封止部１１の各凸部１１ａは、半球状に限らず、例えば、半楕円球状の形状でもよい。なお、各凸部１１ａの各々は、半円柱状や、直方体状などの形状でもよい。

ＬＥＤモジュール１は、封止部１１が基板２に接している。これにより、ＬＥＤモジュール１は、ＬＥＤチップ６で発生した熱だけでなく、封止部１１で発生した熱も基板２を通して放熱させることが可能となり、光出力の高出力化を図ることが可能となる。

ＬＥＤモジュール１の製造にあたっては、まず、基板２を準備する。その後には、ダイボンド装置などにより、各ＬＥＤチップ６を基板２の上記一表面側にダイボンドする。その後には、ワイヤボンディング装置などにより、ＬＥＤチップ６の前記第１電極及び前記第２電極それぞれと配線部８とをワイヤ７を介して接続する。その後には、ディスペンサシステム（dispenser system）などを利用して封止部１１を形成する。

以下、封止部１１の形成方法について説明する。前記ディスペンサシステムは、基板２を保持するテーブル、ディスペンサヘッド３１（図３参照）、ディスペンサヘッド３１に保持され封止部１１から未硬化の液状の封止材料（図３参照）を吐出するノズル３２（図３参照）などを備えている。図３は、ＬＥＤモジュール１の製造方法の説明図である。より具体的には、前記ディスペンサシステムにより封止部１１を形成する方法の模式的な説明図であり、ディスペンサヘッド３１を同図中の左端の位置から右端の位置まで移動させつつ、ノズル３２から封止材料１１１を吐出させて塗布する様子を模式的に示してある。なお、図３では、配線部８及び各ワイヤ７の図示を省略してある。

封止部１１は、未硬化の液状の封止材料１１１が、基板２の上記一表面側において各ＬＥＤチップ６及び各ワイヤ７を覆うライン状に塗布され、その後に、基板２の上記一表面側の封止材料１１１を硬化させることにより形成されている。

前記ディスペンサシステムにより封止部１１を形成する際には、例えば、ディスペンサヘッド３１をＬＥＤチップ６の配列方向に沿って移動させつつ、ノズル３２から封止材料１１１を吐出させて塗布する。

ここで、封止材料１１１を封止部１１の表面形状に基づく塗布形状となるように前記ディスペンサシステムにより塗布する場合には、例えば、図３に示すように、ディスペンサヘッド３１を移動させながら、封止材料１１１を吐出させて塗布すればよい。図３の例では、ディスペンサヘッド３１の吐出速度を変化させることにより、塗布量を変化させ、また、ディスペンサヘッド３１を上下させることにより、ノズル３２とノズル３２直下の基板２の上記一表面との距離を変化させている。より具体的には、封止部１１の各凸部１１ａの元になる箇所に封止材料１１１を塗布する場合と、封止部１１の隣り合う凸部１１ａ間の部分の元になる箇所に封止材料１１１を塗布する場合とで、移動速度或いは吐出速度を相対的に異ならせてあり、前者の場合には移動速度を遅く、或いは吐出速度を速くし、後者の場合には移動速度を速く、或いは吐出速度を遅くしている。また、封止部１１の前記表面形状に基づいてディスペンサヘッド３１を上下させている。これらにより、前記ディスペンサシステムにより封止部１１を形成する方法では、封止材料１１１を封止部１１の前記表面形状に基づく前記塗布形状とすることが可能となる。前記塗布形状は、封止材料１１１を硬化させるときの収縮を考慮して設定すればよい。

ここにおいて、前記ディスペンサシステムは、ディスペンサヘッド３１を移動させるロボットからなる移動機構と、基板２の前記一表面及びノズル３２それぞれの前記テーブルからの高さを測定するセンサ部と、前記移動機構及びノズル３２からの封止材料１１１の吐出速度を制御するコントローラとを備えているのが好ましい。前記コントローラは、例えば、マイクロコンピュータに適宜のプログラムを搭載することにより実現することができる。また、前記ディスペンサシステムは、前記コントローラに搭載された前記プログラムを適宜変更することにより、ＬＥＤチップ６の配列ピッチや、ＬＥＤチップ６の個数、封止部１１のライン幅などの異なる複数種の品種に対応することが可能となる。

また、封止部１１の前記表面形状は、例えば、封止材料１１１の粘度、チクソ性などを調整することで制御することも可能である。各凸部１１ａの各々の前記表面（凸曲面）の曲率は、封止材料１１１の粘度やチクソ性、表面張力、ワイヤ７の高さなどによって設計可能である。曲率を大きくするには、封止材料１１１の粘度を高くしたり、チクソ性を高くしたり、表面張力を大きくしたり、ワイヤ７の高さを高くすることで実現可能となる。また、ライン状の封止部１１の幅（ライン幅）を狭くするには、封止材料１１１の粘度を高くしたり、チクソ性を高くしたり、表面張力を大きくしたりすることで実現可能となる。封止材料１１１の粘度は、１００〜５００００ｍＰa・s程度の範囲に設定するのが好ましい。なお、粘度の値は、例えば、円錐平板型回転粘度計を用いて常温下で測定した値を採用することができる。

また、前記ディスペンサシステムは、未硬化の封止材料１１１が所望の粘度になるように加熱するヒータを備えていてもよい。これにより、前記ディスペンサシステムは、封止材料１１１の前記塗布形状の再現性を向上させることが可能となり、封止部１１の前記表面形状の再現性を向上させることが可能となる。

ところで、図４に示す比較例１のＬＥＤモジュール１’は、封止部１１’が半円柱状の形状であり、ＬＥＤチップ６の配列方向に沿った方向における封止部１１’の断面（図４（ａ）のＡ−Ａ断面）が細長の矩形状となり、ＬＥＤチップ６の配列方向に直交する断面における封止部１１’の断面（図４（ａ）のＢ−Ｂ断面）が半円状の形状となる。図５及び図６それぞれの図中に示した矢印は、比較例１のＬＥＤモジュール１’におけるＬＥＤチップ６からの光線の進行経路を模式的に示している。図５の光線の進行経路からも分かるように、比較例１のＬＥＤモジュール１’では、封止部１１’の表面で全反射される光があり、光取り出し効率が低下してしまう。

これに対して、本実施形態のＬＥＤモジュール１における封止部１１は、前記規定方向において隣り合うＬＥＤチップ６同士の間に、ＬＥＤチップ６から放射される光の全反射を抑制する凹部１１ｂが設けられている。これにより、本実施形態のＬＥＤモジュール１は、比較例１のＬＥＤモジュール１’に比べて、光取り出し効率の向上を図ることが可能となる。

また、本実施形態のＬＥＤモジュール１は、封止部１１に凹部１１ｂが設けられているので、比較例１のＬＥＤモジュール１’に比べて、封止材料１１１（図３参照）の使用量を低減することができ、低コスト化を図ることが可能となる。

また、本実施形態のＬＥＤモジュール１は、図７に示すように各ＬＥＤチップ６の各々を個別に覆う複数の封止部２１を備えた比較例２のＬＥＤモジュール１”に比べて、封止工程のタクトタイムを短縮することが可能となり、低コスト化を図ることが可能となる。

ところで、ＬＥＤモジュール１は、配線部８と各ワイヤ７の各々との接続部が、前記規定方向における各ＬＥＤチップ６の各々の両側にあるのが好ましい。これにより、ＬＥＤモジュール１は、平面視形状がライン状の封止部１１を前記ディスペンサシステムなどを利用して形成する際に、封止材料１１１の表面張力とワイヤ７の配置とに起因して封止部１１の平面視形状が蛇行してしまうのを抑制することが可能となる。よって、ＬＥＤモジュール１は、封止部１１の前記表面形状がばらつくのを抑制することが可能となり、光取り出し効率を向上させることが可能となる。ここで、ＬＥＤモジュール１は、前記接続部が前記規定方向に沿った一直線上に位置しているのが好ましい。

ＬＥＤモジュール１は、各ＬＥＤチップ６の平面形状が長方形状の場合、各ＬＥＤチップ６が、ＬＥＤチップ６の長手方向が前記規定方向に一致するように、配置してあるのが好ましい。また、ＬＥＤモジュール１は、ＬＥＤチップ６の平面形状において前記規定方向に沿った中心線上に前記第１電極及び前記第２電極が位置している場合、前記第１電極に接続されるワイヤ７と前記第２電極に接続されるワイヤ７とが前記中心線に沿って配置されているのが好ましい。これにより、ＬＥＤモジュール１は、封止部１１における各凸部１１ａの各々の前記中心線に直交する断面形状を、左右対称の形状とすることが可能となる。

また、ＬＥＤモジュール１は、各ＬＥＤチップ６の平面形状が正方形状であり、各ＬＥＤチップ６の平面視における４つの辺のうちの互いに平行な２つの辺の垂直二等分線上に前記第１電極及び前記第２電極が位置している場合、前記第１電極に接続されるワイヤ７と前記第２電極に接続されるワイヤ７とが前記垂直二等分線に沿って配置されているのが好ましい。これにより、ＬＥＤモジュール１は、封止部１１における各凸部１１ａの各々の前記垂直二等分線に直交する断面形状を、左右対称の形状とすることが可能となる。

ＬＥＤモジュール１は、封止部１１が光拡散材を含有している構成としてもよい。光拡散材は、粒子状であり、封止部１１に分散されていることが好ましい。ＬＥＤモジュール１は、封止部１１が光拡散材を含有していることにより、色むらを更に抑制することが可能となる。光拡散材の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、シリカ、酸化チタン、金などの無機材料、フッ素系樹脂などの有機材料、有機成分と無機成分とがｎｍレベルもしくは分子レベルで混合、結合した有機・無機ハイブリッド材料などを採用することができる。

また、ＬＥＤモジュール１は、ＬＥＤチップ６が青色ＬＥＤチップであり、封止部１１が複数種の蛍光体（前記緑色蛍光体、前記赤色蛍光体）及び前記光拡散材を含有している構成とすれば、演色性をより向上させることが可能となる。また、ＬＥＤモジュール１は、ＬＥＤチップ６が紫外ＬＥＤチップであり、封止部１１が複数種の蛍光体（前記青色蛍光体、前記緑色蛍光体、前記赤色蛍光体）及び前記光拡散材を含有している構成とすれば、演色性をより向上させることが可能となる。

（実施形態２）
以下では、本実施形態のＬＥＤモジュール１について図８に基づいて説明する。

本実施形態のＬＥＤモジュール１は、各ＬＥＤチップ６の各々が、サブマウント部材４を介して基板２の上記一表面側に搭載されている点が、実施形態１のＬＥＤモジュール１と相違する。なお、実施形態１と同様の構成要素については、同じ符号を付して説明を省略する。

ＬＥＤモジュール１は、基板２と、基板２の前記一表面側に第１接合部（図示せず）を介して接合された複数個のサブマウント部材４と、各サブマウント部材４の各々における基板２側とは反対の一面側に第２接合部（図示せず）を介して接合された複数個のＬＥＤチップ６とを備えている。

サブマウント部材４の平面サイズは、ＬＥＤチップ６の平面サイズよりも大きく設定してある。これにより、ＬＥＤモジュール１は、ＬＥＤチップ６の厚み方向に直交する中心線を含む断面においてＬＥＤチップ６と基板２の上記一表面との間にサブマウント部材４による段差が存在することとなり、封止部１１の各凸部１１ａの各々を半球状の形状に形成しやすくなる。

前記第１接合部の材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透明材料を採用することができる。

前記第２接合部の材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透明材料を採用することができる。

ＬＥＤモジュール１は、前記第１接合部及び前記第２接合部が、ＬＥＤチップ６から放射される光を透過可能であり、サブマウント部材４が、透光性部材である。

これにより、ＬＥＤモジュール１は、ＬＥＤチップ６の前記発光層で発光し、ＬＥＤチップ６内及び前記第２接合部を通過した光の一部がサブマウント部材４内で拡散される。よって、ＬＥＤチップ６内及び前記第２接合部を通過した光は、前記第２接合部と前記サブマウント部材との界面で反射されにくくなり、サブマウント部材４の側面や上記一面から取り出されやすくなる。このため、ＬＥＤモジュール１においては、光取り出し効率を向上させることが可能となり、全光束量を向上させることが可能となる。この場合、基板２は、不透光基板が好ましい。また、ＬＥＤチップ６の前記支持基板は、サファイア基板に限らず、前記発光層で発光する光に対して透明な結晶成長用基板であればよい。

サブマウント部材４を構成する透光性部材は、紫外波長域及び可視波長域の光を透過する透光性を有しており、ＬＥＤチップ６の前記発光層から放射される光を透過したり、拡散したりする。サブマウント部材４を構成する透光性部材の材質としては、例えば、透光性セラミックス（アルミナ、硫酸バリウムなど）を採用することができる。透光性セラミックスは、バインダ、添加物などの種類や濃度によって、透過率、反射率、屈折率及び熱伝導率を調整することが可能である。ＬＥＤモジュール１は、サブマウント部材４の上記一面側の中央部に前記第２接合部を介してＬＥＤチップ６が接合されている。

サブマウント部材４は、光拡散性を有することが好ましい。これにより、ＬＥＤモジュール１は、ＬＥＤチップ６の前記発光層からＬＥＤチップ６の厚み方向の他面側へ放射された光が、サブマウント部材４内で拡散される。これにより、ＬＥＤモジュール１は、ＬＥＤチップ６からサブマウント部材４側へ出射した光がＬＥＤチップ６へ戻るのをより抑制することが可能となり、且つ、サブマウント部材４の上記一面や上記側面から光を取り出しやすくなる。よって、ＬＥＤモジュール１は、光取り出し効率の向上を図ることが可能となる。

サブマウント部材４は、平面視形状を矩形状としてあるが、これに限らず、例えば、円形状、矩形以外の多角形状などでもよい。

サブマウント部材４は、ＬＥＤチップ６に近い線膨張率を持つように構成することで、ＬＥＤチップ６と基板２との線膨張率の差に起因してＬＥＤチップ６に働く応力を緩和する応力緩和機能を有することが好ましい。これにより、ＬＥＤモジュール１は、ＬＥＤチップ６と基板２との線膨張率の差に起因してＬＥＤチップ６に働く応力を緩和することが可能となる。

また、サブマウント部材４は、ＬＥＤチップ６で発生した熱を基板２側へ伝導させる熱伝導機能を有していることが好ましい。また、サブマウント部材４は、ＬＥＤチップ６で発生した熱をＬＥＤチップ６のチップサイズよりも広い範囲に伝導させる熱伝導機能を有していることが好ましい。これにより、ＬＥＤモジュール１は、ＬＥＤチップ６で発生した熱をサブマウント部材４及び基板２を介して効率良く放熱させることが可能となる。

サブマウント部材４と基板２とを接合する前記第１接合部の材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透明材料を採用することができる。

ＬＥＤモジュール１は、基板２の上記一表面が光拡散性あるいは鏡面反射性を有することが好ましい。基板２の上記一表面が光拡散性を有する場合、ＬＥＤモジュール１は、ＬＥＤチップ６の前記発光層から放射され前記第２接合部、サブマウント部材４及び前記第１接合部を透過した光を基板２の上記一表面で拡散反射させることが可能となり、ＬＥＤチップ６へ戻る光を低減できる。また、基板２の上記一表面が鏡面反射性を有する場合、ＬＥＤモジュール１は、ＬＥＤチップ６から放射され前記第２接合部、サブマウント部材４及び前記第１接合部を透過し基板２の上記一表面に斜め入射した光を正反射させることが可能となり、サブマウント部材４の側面からの光取り出しを向上させることが可能となる。よって、ＬＥＤモジュール１は、基板２の上記一表面が光拡散性あるいは鏡面反射性を有することにより、光取り出し効率を更に向上させることが可能となる。

ところで、ＬＥＤモジュール１は、上述のように、例えば、ＬＥＤチップ６として青色ＬＥＤチップを採用し、波長変換材料の蛍光体として黄色蛍光体を採用すれば、白色光を得ることが可能となる。すなわち、ＬＥＤモジュール１は、ＬＥＤチップ６から放射された青色光と黄色蛍光体から放射された光とがＬＥＤチップ６やサブマウント部材４から出射可能となり、白色光を得ることが可能となる。

要するに、ＬＥＤモジュール１は、ＬＥＤチップ６からの光と前記蛍光体からの光（波長変換光）とを組み合わせて混色光を得る。このため、ＬＥＤモジュール１は、封止部１１が封止部１１の幅方向に直交するサブマウント部材４の各側面まで覆っていると、ＬＥＤチップ６の配光特性に起因して、封止部１１の凸部１１ａの中央部と凸部１１ａの周部とで色調がずれて色むらが発生してしまうことがある。ＬＥＤモジュール１は、例えば、ＬＥＤチップ６が青色ＬＥＤチップで前記蛍光体が黄色蛍光体であるとし、ＬＥＤチップ６の配光特性が前記一面側の放射強度が側面側の放射強度に比べて強くなるような偏った配光特性であるとすれば、凸部１１ａの中央部で所望の色度の白色光が得られても、凸部１１ａの周部で前記所望の色度の白色光よりもやや黄色味がかった白色光が得られてしまうことがある。

このため、ＬＥＤモジュール１は、サブマウント部材４が光拡散性を有する透光性部材の場合、封止部１１の幅方向に沿った方向におけるサブマウント部４の両端部が、封止部１１に覆われずに露出しているのが好ましい。これにより、ＬＥＤモジュール１は、封止部１０の凸部１１ａの周部から出射する混色光におけるＬＥＤチップ６からの光の強度と前記蛍光体からの光の強度とのバランスを、サブマウント部４の前記両端部において前記一面から出射するＬＥＤチップ６の光により改善することが可能となり、色むらをより抑制することが可能となる。

また、サブマウント部材４の材質としては、窒化アルミニウム、複合ＳｉＣ、Ｓｉ、ＣｕＷなどを採用することもできる。また、サブマウント部材４は、例えば、基板２側の表面に、ＬＥＤチップ６から放射された光を反射する反射膜を設けてもよい。反射膜の材料としては、例えば、銀、アルミニウム金合金、ニッケルなどを採用することができる。反射膜の材料は、特に限定するものではなく、例えば、ＬＥＤチップ６の発光波長に応じて適宜選択すればよい。

ＬＥＤモジュール１は、図８の例に限らず、例えば、図９及び図１０に示すように、不透光基板２が、不透光性の樹脂基板である紙フェノール基板２ａにより構成されたものでもよい。図９及び図１０に示したＬＥＤモジュール１では、紙フェノール基板２ａの一表面側に第１金属箔からなる配線部８が設けられており、紙フェノール基板２ａの他表面に第２金属箔２ｃが設けられている。第２金属箔２ｃは、紙フェノール基板２ａの上記他表面の全面に設けてあるのが好ましい。また、このＬＥＤモジュール１では、紙フェノール基板２ａの上記一表面側に、紙フェノール基板２ａの上記一表面において配線部８が形成されていない領域及び配線部８の大部分を覆うレジスト層２ｂが設けられている。レジスト層２は、配線部８のうち各ワイヤ７の各々が接続される部位が露出するように設けてある。第１金属箔及び第２金属箔２ｃとしては、例えば、銅箔が好ましい。レジスト層２ｂは、白色レジストでもよいし、透明なレジストでもよい。

ところで、実施形態１，２の各ＬＥＤモジュール１は、種々の照明装置の光源として用いることが可能である。ＬＥＤモジュール１を備えた照明装置の一例としては、例えば、ＬＥＤモジュール１を光源として器具本体に配置した照明器具がある。また、ＬＥＤモジュール１を備えた照明装置の他の例として、直管形ＬＥＤランプを構成することができる。なお、直管形ＬＥＤランプについては、例えば、社団法人日本電球工業会により、「Ｌ型ピン口金ＧＸ１６ｔ−５付直管形ＬＥＤランプシステム（一般照明用）」（ＪＥＬ ８０１）が規格化されている。

このような直管形ＬＥＤランプを構成する場合には、例えば、透光性材料（例えば、乳白色のガラス、乳白色の樹脂など）により形成された直管状の管本体と、前記管本体の長手方向の一端部及び他端部それぞれに設けられた第１口金、第２口金とを備え、前記管本体内に、ＬＥＤモジュール１を収納した構成とすればよい。

１ ＬＥＤモジュール
２ 基板
４ サブマウント部材
６ ＬＥＤチップ
７ ワイヤ
８ 配線部
１１ 封止部
１１ａ 凸部
１１ｂ 凹部

Claims (6)

1. 基板と、前記基板の一表面側で規定方向に配列された複数個のＬＥＤチップと、前記各ＬＥＤチップの各々の第１電極及び第２電極がワイヤを介して電気的に接続される配線部と、蛍光体を含有する樹脂からなり前記規定方向に配列された前記各ＬＥＤチップ及び前記各ＬＥＤチップの各々に接続された前記各ワイヤを覆うライン状の封止部とを備え、前記封止部は、前記規定方向において隣り合う前記ＬＥＤチップ同士の間に、前記ＬＥＤチップから放射される光の全反射を抑制する凹部が設けられていることを特徴とするＬＥＤモジュール。
2. 前記封止部は、前記各ＬＥＤチップの各々を覆う各凸部が、半球状に形成されてなることを特徴とする請求項１記載のＬＥＤモジュール。
3. 前記配線部と前記各ワイヤの各々との接続部は、前記規定方向における前記各ＬＥＤチップの各々の両側にあることを特徴とする請求項１又は２記載のＬＥＤモジュール。
4. 前記ＬＥＤチップの各々と前記基板との間に配置される複数個のサブマウント部材を備え、前記サブマウント部材の平面サイズは、前記ＬＥＤチップの平面サイズよりも大きいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＬＥＤモジュール。
5. 前記サブマウント部材は、光拡散性を有する透光性部材であり、前記封止部の幅方向に沿った方向における両端部が、前記封止部に覆われずに露出していることを特徴とする請求項４記載のＬＥＤモジュール。
6. 前記基板が長尺状の形状であり、前記基板の長手方向を前記規定方向としてあることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のＬＥＤモジュール。

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