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JP2014049625A - Led module - Google Patents

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JP2014049625A
JP2014049625A JP2012191744A JP2012191744A JP2014049625A JP 2014049625 A JP2014049625 A JP 2014049625A JP 2012191744 A JP2012191744 A JP 2012191744A JP 2012191744 A JP2012191744 A JP 2012191744A JP 2014049625 A JP2014049625 A JP 2014049625A
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JP
Japan
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led
substrate
led module
led chip
light
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Pending
Application number
JP2012191744A
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Japanese (ja)
Inventor
Masanori Suzuki
雅教 鈴木
Hideaki Hyuga
秀明 日向
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
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Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
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    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
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    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
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    • H10W72/5522
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Abstract

【課題】光取り出し効率の向上を図ることが可能なLEDモジュールを提供する。
【解決手段】LEDモジュール1は、基板2と、基板2の一表面側で規定方向に配列された複数個のLEDチップ6と、各LEDチップ6の各々の第1電極(図示せず)及び第2電極(図示せず)がワイヤ7を介して電気的に接続される配線部8とを備える。LEDモジュール1は、基板2が長尺状の形状であり、基板2の長手方向を前記規定方向としてある。さらに、LEDモジュール1は、前記規定方向に配列された各LEDチップ6及び各LEDチップ6の各々に接続された各ワイヤ7を覆うライン状の封止部11を備える。封止部11は、蛍光体を含有する樹脂からなる。封止部11は、前記規定方向において隣り合うLEDチップ6同士の間に、LEDチップ6から放射される光の全反射を抑制する凹部11bが設けられている。
【選択図】図1
An LED module capable of improving light extraction efficiency is provided.
An LED module includes a substrate, a plurality of LED chips arranged in a prescribed direction on one surface side of the substrate, a first electrode (not shown) of each LED chip, A second electrode (not shown) is provided with a wiring portion 8 electrically connected via a wire 7. In the LED module 1, the substrate 2 has an elongated shape, and the longitudinal direction of the substrate 2 is set as the prescribed direction. Further, the LED module 1 includes LED chips 6 arranged in the prescribed direction and line-shaped sealing portions 11 that cover the wires 7 connected to the LED chips 6. The sealing part 11 consists of resin containing a fluorescent substance. The sealing part 11 is provided with a recess 11b that suppresses total reflection of light emitted from the LED chip 6 between the LED chips 6 adjacent in the prescribed direction.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、LEDモジュールに関するものである。   The present invention relates to an LED module.

従来から、ライン状光源として、例えば、図11に示すようなLEDモジュール40が提案されている(特許文献1)。   Conventionally, for example, an LED module 40 as shown in FIG. 11 has been proposed as a linear light source (Patent Document 1).

LEDモジュール40は、COB型(Chip On Boad)の発光モジュールであって、ライン状に光を発するライン状光源である。LEDモジュール40は、実装基板41と、実装基板41上に配列された複数のLED42と、LED42を封止する封止部材43とを備えている。さらに、LEDモジュール40は、配線44、静電保護素子45、電極端子46及びワイヤ47を備えている。   The LED module 40 is a COB type (Chip On Boad) light emitting module, and is a line light source that emits light in a line shape. The LED module 40 includes a mounting substrate 41, a plurality of LEDs 42 arranged on the mounting substrate 41, and a sealing member 43 that seals the LEDs 42. Further, the LED module 40 includes a wiring 44, an electrostatic protection element 45, an electrode terminal 46, and a wire 47.

実装基板41は、LED42を実装するためのLED実装用基板であって、長尺矩形状の基板である。実装基板41としては、アルミナ又は透光性の窒化アルミニウムからなるセラミックス基板、アルミニウム合金からなるアルミニウム基板、透明なガラス基板又は樹脂からなる可撓性のフレキシブル基板(FPC)等を用いることができる。   The mounting substrate 41 is an LED mounting substrate for mounting the LEDs 42 and is a long rectangular substrate. As the mounting substrate 41, a ceramic substrate made of alumina or translucent aluminum nitride, an aluminum substrate made of aluminum alloy, a transparent glass substrate, a flexible flexible substrate (FPC) made of resin, or the like can be used.

複数のLED42は、実装基板41上に直接実装されている。複数のLED42は、実装基板41の長手方向に沿ってライン状(一直線状)に一列に配列されている。各LED42は、単色の可視光を発するベアチップであり、ダイアタッチ材(ダイボンド材)によって実装基板41上にダイボンディングされている。各LED42としては、例えば青色光を発光する青色発光LEDチップが用いられる。青色発光LEDチップとしては、例えばInGaN系の材料によって構成された、中心波長が440nm〜470nmの窒化ガリウム系の半導体発光素子を用いることができる。   The plurality of LEDs 42 are directly mounted on the mounting substrate 41. The plurality of LEDs 42 are arranged in a line (in a straight line) along the longitudinal direction of the mounting substrate 41. Each LED 42 is a bare chip that emits monochromatic visible light, and is die-bonded on the mounting substrate 41 by a die attach material (die bond material). As each LED 42, for example, a blue light emitting LED chip that emits blue light is used. As the blue light emitting LED chip, for example, a gallium nitride based semiconductor light emitting element made of an InGaN based material and having a center wavelength of 440 nm to 470 nm can be used.

封止部材43は、光波長変換体である蛍光体を含む蛍光体含有樹脂であって、LED42からの光を波長変換するとともに、実装基板41上の全てのLED42を一括封止してLED42を保護する。封止部材43は、断面形状が上に凸の略半円状のドーム形状であり、実装基板41上の全てのLED42を覆うようにLED42の配列方向に沿って直線状に形成されている。また、封止部材43は、実装基板41の一方の短辺の端面から対向する他方の短辺の端面まで途切れることなく形成されている。封止部材43としては、例えば、LED42が青色発光LEDチップである場合、白色光を得るために、YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)系の黄色蛍光体粒子をシリコーン樹脂に分散させた蛍光体含有樹脂を用いることができる。   The sealing member 43 is a phosphor-containing resin including a phosphor that is a light wavelength converter, and converts the wavelength of the light from the LED 42 and simultaneously seals all the LEDs 42 on the mounting substrate 41 to form the LED 42. Protect. The sealing member 43 has a substantially semicircular dome shape whose cross-sectional shape is convex upward, and is formed linearly along the arrangement direction of the LEDs 42 so as to cover all the LEDs 42 on the mounting substrate 41. The sealing member 43 is formed without interruption from the end surface of one short side of the mounting substrate 41 to the end surface of the other short side. As the sealing member 43, for example, when the LED 42 is a blue light emitting LED chip, in order to obtain white light, a phosphor containing YAG (yttrium, aluminum, garnet) -based yellow phosphor particles dispersed in a silicone resin is included. Resin can be used.

配線44は、タングステン(W)又は銅(Cu)等からなる金属配線であり、複数のLED42同士を電気的に接続するために所定形状にパターン形成されている。   The wiring 44 is a metal wiring made of tungsten (W), copper (Cu), or the like, and is patterned in a predetermined shape to electrically connect the plurality of LEDs 42 to each other.

ワイヤ47は、LED42と配線44とを電気的に接続するための電線であり、例えば、金ワイヤで構成される。LED42のチップ上面には電流を供給するためのp側電極及びn側電極が形成されており、p側電極及びn側電極のそれぞれと配線44とがワイヤ47によってワイヤボンディングされている。   The wire 47 is an electric wire for electrically connecting the LED 42 and the wiring 44, and is composed of, for example, a gold wire. A p-side electrode and an n-side electrode for supplying current are formed on the upper surface of the chip of the LED 42, and each of the p-side electrode and the n-side electrode and the wiring 44 are wire-bonded by a wire 47.

また、従来から、図12に示すように、蛍光体116を含む第1透明樹脂層112を半円柱状の形状に形成する方法として、ライン塗布法が知られている(例えば、特許文献2)。   Conventionally, as shown in FIG. 12, a line coating method is known as a method for forming the first transparent resin layer 112 including the phosphor 116 into a semi-cylindrical shape (for example, Patent Document 2). .

特許文献2では、ライン塗布法について次のように説明されている。   In Patent Document 2, the line coating method is described as follows.

ライン塗布法とは、図12(a)に示すように、ディスペンサ124から所定量の第1透明樹脂を吐出させながら、ディスペンサ124を発光ダイオード108の配列に沿って移動させ、ライン状につながった樹脂層を形成する方法である。ライン塗布法で形成した場合には、第1透明樹脂層112の形状を、樹脂の表面張力によって決めることができる。例えば、負電極104及び正電極106の外縁は、その厚み分だけ絶縁基板102の表面よりも高い位置にある。従って、両者の高さの差が十分にあれば、図12(b)及び図12(c)に示すように、第1透明樹脂層112は表面張力によって負電極104及び正電極106の外縁104a及び106aから先には流れ出さない。また、第1透明樹脂層112は、吐出量を適切にすれば、表面張力によってワイヤ110を少し越えた高さで維持させることができる。さらに、第1透明樹脂層112の断面形状は、図12(c)に示すように、略半円形又は略半楕円形となる。このようにライン塗布法によれば、極めて簡易な構成によって短時間に多数のチップを同時処理でき、しかも形状が安定する。従って、ライン塗布法によって第1透明樹脂層112を形成すれば、量産性が高く、また色調バラツキが少なくなるという利点が得られる。   In the line coating method, as shown in FIG. 12A, the dispenser 124 is moved along the arrangement of the light emitting diodes 108 while discharging a predetermined amount of the first transparent resin from the dispenser 124, and connected in a line shape. This is a method of forming a resin layer. When formed by a line coating method, the shape of the first transparent resin layer 112 can be determined by the surface tension of the resin. For example, the outer edges of the negative electrode 104 and the positive electrode 106 are higher than the surface of the insulating substrate 102 by the thickness. Accordingly, if there is a sufficient difference between the heights of the two, the first transparent resin layer 112 may have an outer edge 104a of the negative electrode 104 and the positive electrode 106 due to surface tension, as shown in FIGS. 12 (b) and 12 (c). And 106a do not flow out first. Further, the first transparent resin layer 112 can be maintained at a height slightly exceeding the wire 110 due to surface tension if the discharge amount is appropriate. Furthermore, as shown in FIG. 12C, the cross-sectional shape of the first transparent resin layer 112 is substantially semicircular or substantially semielliptical. Thus, according to the line coating method, a large number of chips can be simultaneously processed in a short time with a very simple configuration, and the shape is stabilized. Therefore, if the first transparent resin layer 112 is formed by a line coating method, there are advantages that mass productivity is high and color variation is reduced.

また、長方形状の実装基板上に配された複数の発光素子を線状に覆う蛍光体層を形成する方法としては、ディスペンサによるラインポッティングで半円柱状の蛍光体層を形成する方法が知られている(特許文献3)。   Further, as a method of forming a phosphor layer that linearly covers a plurality of light emitting elements arranged on a rectangular mounting substrate, a method of forming a semi-cylindrical phosphor layer by line potting with a dispenser is known. (Patent Document 3).

特開2012−142168号公報JP2012-142168A 特開2006−229055号公報JP 2006-229055 A 特開2008−47851号公報JP 2008-47851 A

ところで、上述のLEDモジュール40の封止部材43は、断面形状が上に凸の略半円状のドーム形状であり、実装基板41上の全てのLED42を覆うようにLED42の配列方向に沿って直線状に形成されている。このため、上述のLEDモジュール40では、LED42から放射され封止部材43と空気との境界面に臨界角を超えて入射する光が全反射され、光取り出し効率が低下してしまうものと推考される。   By the way, the sealing member 43 of the above-described LED module 40 has a substantially semicircular dome shape whose cross-sectional shape is convex upward, and along the arrangement direction of the LEDs 42 so as to cover all the LEDs 42 on the mounting substrate 41. It is formed in a straight line. For this reason, in the above-described LED module 40, it is assumed that light emitted from the LED 42 and incident on the boundary surface between the sealing member 43 and the air exceeding the critical angle is totally reflected, and the light extraction efficiency is reduced. The

本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、光取り出し効率の向上を図ることが可能なLEDモジュールを提供することにある。   This invention is made | formed in view of the said reason, The objective is to provide the LED module which can aim at the improvement of light extraction efficiency.

本発明のLEDモジュールは、基板と、前記基板の一表面側で規定方向に配列された複数個のLEDチップと、前記各LEDチップの各々の第1電極及び第2電極がワイヤを介して電気的に接続される配線部と、蛍光体を含有する樹脂からなり前記規定方向に配列された前記各LEDチップ及び前記各LEDチップの各々に接続された前記各ワイヤを覆うライン状の封止部とを備え、前記封止部は、前記規定方向において隣り合う前記LEDチップ同士の間に、前記LEDチップから放射される光の全反射を抑制する凹部が設けられていることを特徴とする。   The LED module of the present invention includes a substrate, a plurality of LED chips arranged in a specified direction on one surface side of the substrate, and a first electrode and a second electrode of each LED chip electrically connected via wires. Wiring section connected to each other, and each LED chip made of resin containing phosphor and arranged in the prescribed direction, and a line-shaped sealing section that covers each wire connected to each of the LED chips The sealing portion is characterized in that a recess for suppressing total reflection of light emitted from the LED chip is provided between the LED chips adjacent in the prescribed direction.

このLEDモジュールにおいて、前記封止部は、前記各LEDチップの各々を覆う各凸部が、半球状に形成されてなることが好ましい。   In this LED module, it is preferable that the sealing portion is formed so that each convex portion covering each of the LED chips is formed in a hemispherical shape.

このLEDモジュールにおいて、前記配線部と前記各ワイヤの各々との接続部は、前記規定方向における前記各LEDチップの各々の両側にあることが好ましい。   In this LED module, it is preferable that a connection portion between the wiring portion and each of the wires is on both sides of each of the LED chips in the prescribed direction.

このLEDモジュールにおいて、前記LEDチップの各々と前記実装基板との間に配置される複数個のサブマウント部材を備え、前記サブマウント部材の平面サイズは、前記LEDチップの平面サイズよりも大きいことが好ましい。   The LED module includes a plurality of submount members disposed between each of the LED chips and the mounting substrate, and the planar size of the submount members is larger than the planar size of the LED chips. preferable.

このLEDモジュールにおいて、前記サブマウント部材は、光拡散性を有する透光性部材であり、前記封止部の幅方向に沿った方向における両端部が、前記封止部に覆われずに露出していることが好ましい。   In this LED module, the submount member is a light transmissive member having light diffusibility, and both end portions in the direction along the width direction of the sealing portion are exposed without being covered by the sealing portion. It is preferable.

このLEDモジュールにおいて、前記実装基板が長尺状の形状であり、前記実装基板の長手方向を前記規定方向としてあることが好ましい。   In this LED module, it is preferable that the mounting substrate has a long shape, and the longitudinal direction of the mounting substrate is the specified direction.

本発明のLEDモジュールにおいては、封止部のうち、規定方向において隣り合うLEDチップ同士の間に、前記LEDチップから放射される光の全反射を抑制する凹部が設けられているので、封止部と空気との境界面での全反射を抑制することが可能となり、光取り出し効率の向上を図ることが可能となる。   In the LED module of the present invention, since a recess for suppressing total reflection of light emitted from the LED chip is provided between the LED chips adjacent in the specified direction among the sealing portions, the sealing is performed. It is possible to suppress total reflection at the boundary surface between the part and the air, and to improve the light extraction efficiency.

(a)は実施形態1のLEDモジュールの概略斜視図、(b)は(a)のA−A概略断面図、(c)は(a)のB−B概略断面図である。(A) is a schematic perspective view of the LED module of Embodiment 1, (b) is AA schematic sectional drawing of (a), (c) is BB schematic sectional drawing of (a). 実施形態1のLEDモジュールの要部概略斜視図である。1 is a schematic perspective view of a main part of an LED module according to Embodiment 1. FIG. 実施形態1のLEDモジュールの製造方法の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of the LED module of Embodiment 1. FIG. (a)は比較例1のLEDモジュールの概略斜視図、(b)は(a)のA−A概略断面図、(c)は(a)のB−B概略断面図である。(A) is a schematic perspective view of the LED module of the comparative example 1, (b) is AA schematic sectional drawing of (a), (c) is BB schematic sectional drawing of (a). 比較例1におけるLEDチップからの光線の進行経路の模式的な説明図である。6 is a schematic explanatory view of a traveling path of light rays from an LED chip in Comparative Example 1. FIG. 比較例1におけるLEDチップからの光線の進行経路の模式的な説明図である。6 is a schematic explanatory view of a traveling path of light rays from an LED chip in Comparative Example 1. FIG. (a)は比較例2のLEDモジュールの概略斜視図、(b)は(a)のA−A概略断面図、(c)は(a)のB−B概略断面図、(d)は比較例2のLEDモジュールの一部破断した要部概略斜視図である。(A) is a schematic perspective view of the LED module of the comparative example 2, (b) is an AA schematic cross-sectional view of (a), (c) is a BB schematic cross-sectional view of (a), (d) is a comparison. FIG. 10 is a schematic perspective view of a main part of the LED module of Example 2 with a part broken away. (a)は実施形態2のLEDモジュールの概略斜視図、(b)は(a)のA−A概略断面図、(c)は(a)のB−B概略断面図である。(A) is a schematic perspective view of the LED module of Embodiment 2, (b) is an AA schematic sectional drawing of (a), (c) is a BB schematic sectional drawing of (a). 実施形態2のLEDモジュールの他の構成例の概略斜視図である。6 is a schematic perspective view of another configuration example of the LED module of Embodiment 2. FIG. (a)は図9のA−A概略断面図、(b)は図9のB−B概略断面図である。(A) is AA schematic sectional drawing of FIG. 9, (b) is BB schematic sectional drawing of FIG. (a)はLEDモジュールの構成を示す平面図、(b)は(a)のA−A’断面図である。(A) is a top view which shows the structure of a LED module, (b) is A-A 'sectional drawing of (a). (a)は第1透明樹脂層をライン塗布法で形成する様子を示す模式図、(b)は第1透明樹脂層をライン塗布法で形成する様子を示す平面図、(c)は第1透明樹脂層をライン塗布法で形成する様子を示す断面図である。(A) is a schematic diagram showing how the first transparent resin layer is formed by a line coating method, (b) is a plan view showing how the first transparent resin layer is formed by a line coating method, and (c) is a first diagram. It is sectional drawing which shows a mode that a transparent resin layer is formed by the line coating method.

(実施形態1)
以下では、本実施形態のLEDモジュール1について図1〜図3に基づいて説明する。
(Embodiment 1)
Below, the LED module 1 of this embodiment is demonstrated based on FIGS. 1-3.

LEDモジュール1は、基板2と、基板2の一表面側で規定方向に配列された複数個のLEDチップ6と、各LEDチップ6の各々の第1電極(図示せず)及び第2電極(図示せず)がワイヤ7を介して電気的に接続される配線部8とを備える。各LEDチップ6の各々は、基板2の前記一表面側に接合部(図示せず)を介して接合されている。LEDモジュール1は、基板2が長尺状の形状であり、基板2の長手方向(図1(b)の左右方向)を前記規定方向としてある。LEDモジュール1は、基板2と配線部8とで、各LEDチップ6が実装される実装基板を構成している。   The LED module 1 includes a substrate 2, a plurality of LED chips 6 arranged in a specified direction on one surface side of the substrate 2, and first and second electrodes (not shown) and second electrodes ( (Not shown) includes a wiring portion 8 electrically connected via a wire 7. Each LED chip 6 is bonded to the one surface side of the substrate 2 via a bonding portion (not shown). In the LED module 1, the substrate 2 has an elongated shape, and the longitudinal direction of the substrate 2 (the left-right direction in FIG. 1B) is the prescribed direction. In the LED module 1, the substrate 2 and the wiring portion 8 constitute a mounting substrate on which each LED chip 6 is mounted.

さらに、LEDモジュール1は、前記規定方向に配列された各LEDチップ6及び各LEDチップ6の各々に接続された各ワイヤ7を覆うライン状の封止部11を備える。封止部11は、蛍光体を含有する樹脂からなる。この封止部11は、前記規定方向において隣り合うLEDチップ6同士の間に、LEDチップ6から放射される光の全反射を抑制する凹部11bが設けられている。   Further, the LED module 1 includes LED chips 6 arranged in the prescribed direction and line-shaped sealing portions 11 that cover the wires 7 connected to the LED chips 6. The sealing part 11 consists of resin containing a fluorescent substance. The sealing portion 11 is provided with a recess 11b that suppresses total reflection of light emitted from the LED chip 6 between the LED chips 6 adjacent to each other in the prescribed direction.

以下、LEDモジュール1の各構成要素について詳細に説明する。   Hereinafter, each component of the LED module 1 will be described in detail.

基板2は、例えば、透光性基板でもよいし、不透光基板でもよい。   The substrate 2 may be, for example, a translucent substrate or an opaque substrate.

透光性基板の材質としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウムなどを採用することができる。   As a material for the light-transmitting substrate, for example, alumina, aluminum nitride, or the like can be used.

不透光基板とは、可視波長域の光を透過しない不透光媒質(不透明体)であり、可視波長域の光を透過しない不透過基板である。不透光基板は、紫外光及び可視光の透過率が0%〜10%であるのが好ましく、0〜5%であるのがより好ましい。また、不透光基板は、紫外光及び可視光の反射率が90%以上であるのが好ましく、95%以上であるのがより好ましい。なお、透過率や反射率は、積分球を利用して測定した値である。   The opaque substrate is an opaque medium (opaque body) that does not transmit light in the visible wavelength range, and is an opaque substrate that does not transmit light in the visible wavelength range. The opaque substrate is preferably 0% to 10% in transmittance of ultraviolet light and visible light, and more preferably 0 to 5%. The opaque substrate preferably has a reflectivity of ultraviolet light and visible light of 90% or more, more preferably 95% or more. The transmittance and the reflectance are values measured using an integrating sphere.

不透光基板の材質としては、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銅、リン青銅、銅合金(例えば、42アロイなど)、ニッケル合金などを採用することができる。   As the material of the opaque substrate, for example, aluminum, aluminum alloy, silver, copper, phosphor bronze, copper alloy (for example, 42 alloy), nickel alloy, or the like can be used.

不透光基板は、上述の材質からなる母材の表面に、母材に比べてLEDチップ6から放射される光に対する反射率の高い反射層(図示せず)を設けたものでもよい。反射層としては、例えば、白色系のレジスト層を採用することができる。このレジスト層の材料としては、例えば、二酸化チタン(TiO)、酸化亜鉛(ZnO)、硫酸バリウム(BaSO)などのフィラーを含有した樹脂(例えば、シリコーン系樹脂など)からなる白色レジストを採用することができる。レジスト層は、例えば、シリコーン系樹脂にTiO、ZnO、BaSOのいずれかのフィラーを混練したものを採用すれば、耐熱性を向上させることが可能となり、変色しにくくなるので好ましい。白色レジストとしては、例えば、株式会社朝日ラバーのシリコーン製の白色レジスト材“ASA COLOR RESIST INK”などを採用することができる。白色系のレジスト層は、例えば、塗布法により形成することができる。また、反射層としては、例えば、銀膜、ニッケル膜とパラジウム膜と金膜との積層膜、ニッケル膜と金膜との積層膜、銀膜とパラジウム膜と金銀合金膜との積層膜などを採用することができる。金属材料を利用した反射層は、めっき層などにより構成することが好ましい。要するに、反射層は、めっき法により形成することが好ましい。 The light-impermeable substrate may be provided with a reflective layer (not shown) having a higher reflectance with respect to light emitted from the LED chip 6 than the base material on the surface of the base material made of the above-described material. As the reflective layer, for example, a white resist layer can be employed. As a material for the resist layer, for example, a white resist made of a resin containing a filler such as titanium dioxide (TiO 2 ), zinc oxide (ZnO), barium sulfate (BaSO 4 ) (for example, a silicone resin) is employed. can do. For example, it is preferable to use a resist layer obtained by kneading a filler of any one of TiO 2 , ZnO, and BaSO 4 in a silicone resin because heat resistance can be improved and discoloration hardly occurs. As the white resist, for example, a white resist material “ASA COLOR RESIST INK” made by Asahi Rubber Co., Ltd. can be used. The white resist layer can be formed by, for example, a coating method. Examples of the reflective layer include a silver film, a laminated film of a nickel film, a palladium film, and a gold film, a laminated film of a nickel film and a gold film, and a laminated film of a silver film, a palladium film, and a gold-silver alloy film. Can be adopted. The reflective layer using a metal material is preferably composed of a plating layer or the like. In short, the reflective layer is preferably formed by a plating method.

不透光基板としては、母材であるアルミニウム板の一表面側にアルミニウム板よりも高純度のアルミニウム膜が積層され、このアルミニウム膜上に、屈折率の異なる2種類の誘電体膜からなる増反射膜が積層された高反射基板を用いることもできる。ここで、2種類の誘電体膜としては、例えば、SiO膜とTiO膜とを採用することが好ましい。LEDモジュール1は、不透光基板として高反射基板を用いることにより、可視光に対する反射率を95%以上とすることが可能となる。この高反射基板としては、例えば、アラノッド(alanod)社のMIRO2、MIRO(登録商標)を用いることができる。上述のアルミニウム板としては、表面が陽極酸化処理されたものを用いてもよい。 As an opaque substrate, an aluminum film having a purity higher than that of an aluminum plate is laminated on one surface side of an aluminum plate that is a base material, and an increase of two kinds of dielectric films having different refractive indexes is formed on the aluminum film. A highly reflective substrate on which a reflective film is laminated can also be used. Here, as the two types of dielectric films, for example, an SiO 2 film and a TiO 2 film are preferably employed. The LED module 1 can make the reflectance with respect to visible light 95% or more by using a highly reflective substrate as the opaque substrate. As this highly reflective substrate, for example, MIRO2 or MIRO (registered trademark) of alanod can be used. As the above-mentioned aluminum plate, an anodized surface may be used.

また、不透光基板は、樹脂に反射率を高めるためのフィラーを添加した材料から形成された絶縁性基板でもよい。このような絶縁性基板については、例えば、樹脂として不飽和ポリエステルを採用し、フィラーとしてチタニアを採用することができる。絶縁性基板の樹脂としては、不飽和ポリエステルに限らず、例えば、ビニルエステルなどを採用することができる。また、フィラーとしては、チタニアに限らず、例えば、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、水酸化アルミニウムなどを用いることができる。また、不透光基板としては、白色樹脂により形成された樹脂基板や、白色樹脂により形成された反射層を有する樹脂基板でもよい。また、不透光基板は、白色樹脂により形成された反射層を有するセラミック基板でもよい。また、不透光基板は、白色以外の樹脂により形成された樹脂基板や不透光性のセラミックでもよい。   Further, the opaque substrate may be an insulating substrate formed from a material in which a filler for increasing the reflectance is added to the resin. For such an insulating substrate, for example, unsaturated polyester can be used as the resin, and titania can be used as the filler. The resin for the insulating substrate is not limited to unsaturated polyester, and for example, vinyl ester can be used. Moreover, as a filler, not only titania but magnesium oxide, boron nitride, aluminum hydroxide etc. can be used, for example. Further, as the opaque substrate, a resin substrate formed of a white resin or a resin substrate having a reflective layer formed of a white resin may be used. Further, the opaque substrate may be a ceramic substrate having a reflective layer formed of white resin. Further, the opaque substrate may be a resin substrate formed of a resin other than white or an opaque ceramic.

LEDモジュール1は、基板2が、ヒートシンクの機能を有することが好ましい。この場合、LEDモジュール1は、基板2の材料として例えばアルミニウムや銅などの熱伝導率の高い金属を採用することにより、基板2にヒートシンクの機能を持たせることが可能となる。これにより、LEDモジュール1は、LEDチップ6で発生する熱をより効率的に放熱させることが可能となり、光出力の高出力化を図ることが可能となる。   In the LED module 1, the substrate 2 preferably has a heat sink function. In this case, the LED module 1 can make the board | substrate 2 have the function of a heat sink by employ | adopting metals with high heat conductivity, such as aluminum and copper, as a material of the board | substrate 2, for example. Thereby, the LED module 1 can dissipate the heat generated in the LED chip 6 more efficiently, and the light output can be increased.

基板2の上記一表面側には、LEDチップ6への給電用の配線部8が設けられている。配線部8は、所定形状にパターン化された導体部(導体パターン)により構成されている。LEDチップ6は、電極(第1電極、第2電極)がワイヤ7を介して配線部8と電気的に接続されている。ワイヤ7としては、例えば、金ワイヤ、アルミニウムワイヤなどを採用することができる。配線部8の材料としては、例えば、銅、リン青銅、銅合金(例えば、42アロイなど)、ニッケル合金、アルミニウム、アルミニウム合金などを採用することができる。配線部8は、例えば、リードフレーム、金属箔、金属膜などを利用して形成することができる。基板2が導電性を有している場合、基板2と配線部8との間には、絶縁層を設ければよい。なお、上述の反射層として白色系のレジスト層を採用する場合には、このレジスト層により絶縁層を構成することができる。   On the one surface side of the substrate 2, a wiring portion 8 for supplying power to the LED chip 6 is provided. The wiring part 8 is comprised by the conductor part (conductor pattern) patterned by the predetermined shape. In the LED chip 6, electrodes (first electrode and second electrode) are electrically connected to the wiring portion 8 via wires 7. As the wire 7, for example, a gold wire, an aluminum wire, or the like can be employed. As a material of the wiring part 8, for example, copper, phosphor bronze, copper alloy (for example, 42 alloy), nickel alloy, aluminum, aluminum alloy, or the like can be used. The wiring part 8 can be formed using, for example, a lead frame, a metal foil, a metal film, or the like. In the case where the substrate 2 has conductivity, an insulating layer may be provided between the substrate 2 and the wiring portion 8. In the case where a white resist layer is employed as the above-described reflective layer, an insulating layer can be constituted by this resist layer.

配線部8は、前記所定形状として、複数個のLEDチップ6を並列接続することが可能となる形状にパターン化されている。配線部8は、複数個のLEDチップ6を直列接続することが可能となる形状にパターン化されていてもよいし、複数個のLEDチップ6を直並列接続することが可能となる形状にパターン化されていてもよい。要するに、LEDモジュール1は、複数個のLEDチップ6が並列接続された回路構成を有していてもよいし、複数個のLEDチップ6が直列接続された回路構成を有してもよいし、複数個のLEDチップ6が直並列接続された回路構成を有してもよい。   The wiring portion 8 is patterned into a shape that allows a plurality of LED chips 6 to be connected in parallel as the predetermined shape. The wiring portion 8 may be patterned in a shape that allows a plurality of LED chips 6 to be connected in series, or may be patterned in a shape that enables a plurality of LED chips 6 to be connected in series and parallel. It may be made. In short, the LED module 1 may have a circuit configuration in which a plurality of LED chips 6 are connected in parallel, or may have a circuit configuration in which a plurality of LED chips 6 are connected in series. It may have a circuit configuration in which a plurality of LED chips 6 are connected in series and parallel.

実装基板は、一表面側にLEDチップ6が配列される不透光基板と、この不透光基板の他表面側に配置され各LEDチップ6が電気的に接続される配線部8とを備えたものでもよい。このような実装基板としては、例えば、配線部8が、導電板(例えば、リードフレーム)、金属箔などから形成されたものを採用することができる。ここで、不透光基板には、LEDチップ6と配線部8とを電気的に接続する各ワイヤ7の各々が通る複数の第1貫通孔が形成されている。また、このような実装基板は、不透光基板と配線部8との間に、不透光基板と配線部8とを電気的に絶縁する絶縁層を備えている。絶縁層には、不透光基板の第1貫通孔の各々に連通する複数の第2貫通孔が形成されている。絶縁層は、例えば、シリカやアルミナなどのフィラーからなる充填材を含有したエポキシ樹脂層により構成することができる。エポキシ樹脂層の厚みは、例えば、50μm〜150μm程度の範囲で適宜設定すればよい。また、エポキシ樹脂層の熱伝導率は、4W/m・K以上であることが好ましい。   The mounting substrate includes a non-transparent substrate in which the LED chips 6 are arranged on one surface side, and a wiring portion 8 that is disposed on the other surface side of the non-transparent substrate and electrically connected to each LED chip 6. May be good. As such a mounting substrate, for example, one in which the wiring portion 8 is formed of a conductive plate (for example, a lead frame), a metal foil, or the like can be employed. Here, a plurality of first through holes through which the respective wires 7 that electrically connect the LED chip 6 and the wiring portion 8 pass are formed in the opaque substrate. Further, such a mounting substrate includes an insulating layer that electrically insulates the opaque substrate and the wiring portion 8 between the opaque substrate and the wiring portion 8. A plurality of second through holes communicating with each of the first through holes of the opaque substrate are formed in the insulating layer. An insulating layer can be comprised with the epoxy resin layer containing the filler which consists of fillers, such as a silica and an alumina, for example. What is necessary is just to set the thickness of an epoxy resin layer suitably in the range of about 50 micrometers-150 micrometers, for example. The thermal conductivity of the epoxy resin layer is preferably 4 W / m · K or more.

LEDチップ6は、このLEDチップ6の厚み方向の一面側に、アノード電極である前記第1電極と、カソード電極である前記第2電極とが設けられている。   The LED chip 6 is provided with the first electrode as an anode electrode and the second electrode as a cathode electrode on one surface side in the thickness direction of the LED chip 6.

LEDチップ6は、n形半導体層、発光層及びp形半導体層を有するLED構造部を、結晶成長用基板などからなる支持基板の主表面側に備えている。前記n形半導体層、前記発光層及び前記p形半導体層の積層順は、前記支持基板に近い側から順に、前記n形半導体層、前記発光層、前記p形半導体層としてあるが、これに限らず、前記p形半導体層、前記発光層、前記n形半導体層の順でもよい。LEDチップ6は、前記支持基板が結晶成長用基板である場合、前記LED構造部と前記支持基板との間に、バッファ層を設けてある構造が、より好ましい。前記発光層は、単一量子井戸構造や多重量子井戸構造を有することが好ましいが、これに限らない。例えば、LEDチップ6は、前記n形半導体層と前記発光層と前記p形半導体層とでダブルヘテロ構造を構成するようにしてもよい。なお、LEDチップ6の構造は、特に限定するものではない。LEDチップ6としては、内部にブラッグ反射器などの反射部を備えたLEDチップを採用することもできる。また、LEDチップ6は、前記支持基板が、結晶成長用基板の主表面側に前記LED構造部を形成した後に前記LED構造部に張り合わされたものでもよい。この場合のLEDチップ6は、前記支持基板を前記LED構造部に張り合わせた後に、前記結晶成長用基板が除去されている。   The LED chip 6 includes an LED structure having an n-type semiconductor layer, a light emitting layer, and a p-type semiconductor layer on the main surface side of a support substrate made of a crystal growth substrate or the like. The stacking order of the n-type semiconductor layer, the light-emitting layer, and the p-type semiconductor layer is the n-type semiconductor layer, the light-emitting layer, and the p-type semiconductor layer in order from the side close to the support substrate. However, the order is not limited to the p-type semiconductor layer, the light emitting layer, and the n-type semiconductor layer. When the support substrate is a crystal growth substrate, the LED chip 6 preferably has a structure in which a buffer layer is provided between the LED structure portion and the support substrate. The light emitting layer preferably has a single quantum well structure or a multiple quantum well structure, but is not limited thereto. For example, the LED chip 6 may form a double hetero structure with the n-type semiconductor layer, the light emitting layer, and the p-type semiconductor layer. The structure of the LED chip 6 is not particularly limited. As the LED chip 6, an LED chip having a reflection part such as a Bragg reflector inside may be employed. The LED chip 6 may be one in which the support substrate is bonded to the LED structure portion after the LED structure portion is formed on the main surface side of the crystal growth substrate. In the LED chip 6 in this case, the crystal growth substrate is removed after the support substrate is bonded to the LED structure.

LEDチップ6は、このLEDチップ6の厚み方向の他面側が前記接合部を介して基板2に接合されている。そして、LEDチップ6は、前記第1電極及び前記第2電極の各々がワイヤ7を介して配線部8と電気的に接続されている。前記接合部は、ダイボンド材により形成することができる。   The other side of the LED chip 6 in the thickness direction of the LED chip 6 is bonded to the substrate 2 via the bonding portion. In the LED chip 6, each of the first electrode and the second electrode is electrically connected to the wiring portion 8 via a wire 7. The joining portion can be formed of a die bond material.

LEDチップ6は、青色光を放射する青色LEDチップである。青色LEDチップは、前記発光層の材料として窒化ガリウム系材料が採用されており、前記支持基板としてサファイア基板を備えたものを用いている。ただし、LEDチップ6の前記支持基板は、サファイア基板に限らず、例えば、窒化ガリウム基板、炭化シリコン基板、シリコン基板などでもよい。   The LED chip 6 is a blue LED chip that emits blue light. The blue LED chip employs a gallium nitride-based material as the material of the light emitting layer, and uses a sapphire substrate as the support substrate. However, the support substrate of the LED chip 6 is not limited to a sapphire substrate, and may be, for example, a gallium nitride substrate, a silicon carbide substrate, a silicon substrate, or the like.

LEDチップ6は、平面形状が長方形状のものを採用しているが、これに限らず、例えば、平面形状が正方形状のものを採用することもできる。   The LED chip 6 employs a rectangular planar shape, but is not limited to this, and for example, a square planar shape can be employed.

LEDチップ6のチップサイズは、0.5mm×1.0mmとしてあるが、特に限定するものではない。また、LEDチップ6としては、例えば、チップサイズが0.3mm□(0.3mm×0.3mm)や0.45mm□や1mm□のものなどを用いることができる。   The chip size of the LED chip 6 is 0.5 mm × 1.0 mm, but is not particularly limited. Further, as the LED chip 6, for example, a chip having a chip size of 0.3 mm □ (0.3 mm × 0.3 mm), 0.45 mm □, or 1 mm □ can be used.

また、LEDチップ6は、前記発光層の材料や発光色を特に限定するものではない。すなわち、LEDチップ6としては、青色LEDチップに限らず、例えば、紫色LEDチップ、紫外LEDチップ、赤色LEDチップ、緑色LEDチップなどを用いてもよい。   Moreover, the LED chip 6 does not specifically limit the material and the emission color of the light emitting layer. That is, the LED chip 6 is not limited to a blue LED chip, and for example, a purple LED chip, an ultraviolet LED chip, a red LED chip, a green LED chip, or the like may be used.

前記ダイボンド材としては、例えば、シリコーン系のダイボンド材、エポキシ系のダイボンド材、銀ペーストなどを用いることができる。   As the die bond material, for example, a silicone-based die bond material, an epoxy-based die bond material, a silver paste, or the like can be used.

LEDモジュール1は、基板2として不透光基板を採用する場合、前記接合部がLEDチップ6から放射される光を透過可能であることが、好ましい。これにより、LEDモジュール1は、LEDチップ6の前記発光層で発光し、LEDチップ6内及び前記接合部を通過した光の一部が基板2の上記一表面で反射される。   When the LED module 1 employs a non-transparent substrate as the substrate 2, it is preferable that the bonding portion can transmit light emitted from the LED chip 6. Thereby, the LED module 1 emits light from the light emitting layer of the LED chip 6, and a part of the light that has passed through the LED chip 6 and the joint portion is reflected on the one surface of the substrate 2.

また、ワイヤ7としては、例えば、金ワイヤ、銀ワイヤ、銅ワイヤ、アルミニウムワイヤなどを用いることができる。   Moreover, as the wire 7, a gold wire, a silver wire, a copper wire, an aluminum wire etc. can be used, for example.

配線部8は、LEDチップ6の前記第1電極が接続される第1配線パターン部(第1パターン)8aと、LEDチップ6の前記第2電極が接続される第2配線パターン部(第2パターン)8bとを有している。   The wiring part 8 includes a first wiring pattern part (first pattern) 8a to which the first electrode of the LED chip 6 is connected, and a second wiring pattern part (second pattern) to which the second electrode of the LED chip 6 is connected. Pattern) 8b.

第1配線パターン部8aと第2配線パターン部8bとは、平面形状がそれぞれ櫛形状に形成されている。そして、第1配線パターン部8aと第2配線パターン8bとは、基板2の短手方向に沿った方向において互いに入り組むように配置されている。ここで、配線部8は、第1配線パターン部8aの第1櫛骨部8aaと第2配線パターン部8bの第2櫛骨部8baとが対向している。配線部8は、基板2の長手方向に沿った方向において第1配線パターン部8aの第1櫛歯部8abと第2配線パターン部8bの第2櫛歯部8bbとが隙間を介して交互に並んでいる。   The first wiring pattern portion 8a and the second wiring pattern portion 8b are each formed in a comb shape in plan view. The first wiring pattern portion 8a and the second wiring pattern 8b are arranged so as to be intertwined with each other in the direction along the short direction of the substrate 2. Here, in the wiring part 8, the first comb part 8aa of the first wiring pattern part 8a and the second comb part 8ba of the second wiring pattern part 8b are opposed to each other. In the wiring portion 8, the first comb tooth portions 8ab of the first wiring pattern portion 8a and the second comb tooth portions 8bb of the second wiring pattern portion 8b are alternately arranged in the direction along the longitudinal direction of the substrate 2 with a gap. Are lined up.

LEDモジュール1は、基板2の長手方向(つまり、規定方向)に配列された複数個(図示例では、9個)のLEDチップ6が並列接続されている。LEDモジュール1は、これら複数個のLEDチップ6が並列接続された並列回路に対して給電可能となっている。要するに、LEDモジュール1は、第1配線パターン部8aと第2配線パターン部8bとの間に給電することにより、全てのLEDチップ6に対して給電することができる。また、複数個のLEDモジュール1を並べて用いるような場合には、隣り合うLEDモジュール1同士を、導電性部材や、送り配線用の電線(図示せず)やコネクタ(図示せず)などにより電気的に接続するようにすればよい。この場合には、複数個のLEDモジュール1に対して、1つの電源ユニットから電力を供給して、各LEDモジュール1の全てのLEDチップ6を発光させることが可能となる。   In the LED module 1, a plurality (9 in the illustrated example) of LED chips 6 arranged in the longitudinal direction of the substrate 2 (that is, the prescribed direction) are connected in parallel. The LED module 1 can supply power to a parallel circuit in which the plurality of LED chips 6 are connected in parallel. In short, the LED module 1 can supply power to all the LED chips 6 by supplying power between the first wiring pattern portion 8a and the second wiring pattern portion 8b. When a plurality of LED modules 1 are used side by side, the adjacent LED modules 1 are electrically connected to each other by a conductive member, an electric wire for feed wiring (not shown), a connector (not shown), or the like. It is only necessary to connect them. In this case, it is possible to supply power from a single power supply unit to the plurality of LED modules 1 to cause all LED chips 6 of each LED module 1 to emit light.

配線部8は、表面処理層(図示せず)が形成されていることが好ましい。表面処理層は、配線部8の材料に比べて、耐酸化性及び耐腐食性の高い金属材料からなることが好ましい。配線部8の材料が銅の場合、表面処理層としては、例えば、ニッケル膜、ニッケル膜と金膜との積層膜、ニッケル膜とパラジウム膜と金膜との積層膜、ニッケル膜とパラジウム膜との積層膜などを形成することが好ましい。ここで、表面処理層は、低コスト化の観点から、ニッケル膜とパラジウム膜との積層膜がより好ましい。なお、表面処理層は、例えば、めっき法により形成すればよい。   The wiring portion 8 is preferably formed with a surface treatment layer (not shown). The surface treatment layer is preferably made of a metal material having higher oxidation resistance and corrosion resistance than the material of the wiring portion 8. When the material of the wiring part 8 is copper, examples of the surface treatment layer include a nickel film, a laminated film of a nickel film and a gold film, a laminated film of a nickel film, a palladium film, and a gold film, a nickel film and a palladium film, It is preferable to form a laminated film or the like. Here, the surface treatment layer is more preferably a laminated film of a nickel film and a palladium film from the viewpoint of cost reduction. The surface treatment layer may be formed by, for example, a plating method.

封止部11は、蛍光体を含有する樹脂からなる。封止部11は、前記樹脂に前記蛍光体が分散されているのが好ましい。封止部11の前記樹脂は、LEDチップ6及び前記蛍光体それぞれから放射される光を透過する材料であれば、特に限定するものではない。   The sealing part 11 consists of resin containing a fluorescent substance. In the sealing part 11, it is preferable that the phosphor is dispersed in the resin. If the resin of the sealing part 11 is a material which permeate | transmits the light radiated | emitted from each of the LED chip 6 and the said fluorescent substance, it will not specifically limit.

封止部11の前記樹脂としては、例えば、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、ポリカーボネイト樹脂などを採用することができる。前記樹脂としては、耐熱性、耐候性の観点から、シリコーン樹脂が好ましく、温度サイクルによる熱応力によってワイヤ7が切れるのを抑制する観点から、ゴム状シリコーンが、より好ましい。   As said resin of the sealing part 11, a silicone resin, an epoxy resin, an acrylic resin, a urethane resin, an oxetane resin, a polycarbonate resin etc. are employable, for example. As the resin, a silicone resin is preferable from the viewpoint of heat resistance and weather resistance, and rubbery silicone is more preferable from the viewpoint of suppressing the wire 7 from being cut by thermal stress due to a temperature cycle.

前記蛍光体は、LEDチップ6から放射される光を当該光よりも長波長の光に変換する波長変換材料として機能する。これにより、LEDモジュール1は、LEDチップ6から放射される光と前記蛍光体から放射される光との混色光を得ることが可能となる。要するに、封止部11は、各LEDチップ6及び各ワイヤ7を封止する封止層としての機能だけでなく、LEDチップ6から放射される光を当該光よりも長波長の光に変換する波長変換層としての機能を備えている。   The phosphor functions as a wavelength conversion material that converts light emitted from the LED chip 6 into light having a longer wavelength than the light. Thereby, the LED module 1 can obtain mixed color light of the light emitted from the LED chip 6 and the light emitted from the phosphor. In short, the sealing unit 11 not only functions as a sealing layer that seals each LED chip 6 and each wire 7 but also converts light emitted from the LED chip 6 into light having a longer wavelength than the light. It functions as a wavelength conversion layer.

LEDモジュール1は、例えば、LEDチップ6として青色LEDチップを採用し、前記波長変換材料である前記蛍光体として黄色蛍光体を採用すれば、白色光を得ることが可能となる。すなわち、LEDモジュール1は、LEDチップ6から放射された青色光と前記黄色蛍光体から放射された光とが封止部11の表面から出射可能となり、白色光を得ることが可能となる。   For example, if the LED module 1 employs a blue LED chip as the LED chip 6 and a yellow phosphor as the phosphor that is the wavelength conversion material, white light can be obtained. That is, the LED module 1 can emit the blue light emitted from the LED chip 6 and the light emitted from the yellow phosphor from the surface of the sealing portion 11 and obtain white light.

前記波長変換材料である前記蛍光体としては、前記黄色蛍光体だけに限らず、例えば、前記黄色蛍光体と赤色蛍光体とを採用したり、前記赤色蛍光体と緑色蛍光体とを採用してもよい。また、前記波長変換材料である前記蛍光体は、1種類の前記黄色蛍光体に限らず、発光ピーク波長の異なる2種類の黄色蛍光体を採用してもよい。LEDモジュール1は、前記波長変換材料として複数種の蛍光体を採用することにより、演色性を高めることが可能となる。   The phosphor that is the wavelength conversion material is not limited to the yellow phosphor, and for example, the yellow phosphor and the red phosphor, or the red phosphor and the green phosphor are employed. Also good. In addition, the phosphor that is the wavelength conversion material is not limited to one type of the yellow phosphor, and two types of yellow phosphors having different emission peak wavelengths may be employed. The LED module 1 can enhance color rendering by adopting a plurality of types of phosphors as the wavelength conversion material.

封止部11は、上述のように、前記規定方向において隣り合うLEDチップ6同士の間に、LEDチップ6から放射される光の全反射を抑制する凹部11bが設けられている。これにより、LEDモジュール1は、LEDチップ6から放射され封止部11と空気との境界面に入射する光の全反射を抑制することが可能となり、全反射に起因して閉じ込められる光を低減できるから、光取り出し効率の向上を図ることが可能となる。要するに、LEDモジュール1は、全反射損失を低減することが可能となり、光取り出し効率の向上を図ることが可能となる。   As described above, the sealing portion 11 is provided with the concave portions 11b that suppress the total reflection of the light emitted from the LED chips 6 between the LED chips 6 adjacent in the prescribed direction. Thereby, the LED module 1 can suppress the total reflection of the light emitted from the LED chip 6 and incident on the boundary surface between the sealing portion 11 and the air, and the light confined due to the total reflection is reduced. Therefore, it is possible to improve the light extraction efficiency. In short, the LED module 1 can reduce the total reflection loss, and can improve the light extraction efficiency.

封止部11は、各LEDチップ6の前記一面と基板2の上記一表面との段差を反映した断面形状に形成されている。よって、封止部11は、LEDチップ6の配列方向に直交する断面形状が凸形状であり、LEDチップ6の配列方向に沿った断面形状が凹凸形状となっている。要するに、LEDモジュール1は、ライン状の封止部11に、光取り出し効率を向上させる凹凸構造が形成されている。   The sealing part 11 is formed in a cross-sectional shape reflecting a step between the one surface of each LED chip 6 and the one surface of the substrate 2. Therefore, the sealing part 11 has a convex cross-sectional shape orthogonal to the arrangement direction of the LED chips 6, and a cross-sectional shape along the arrangement direction of the LED chips 6 is an uneven shape. In short, in the LED module 1, a concavo-convex structure for improving light extraction efficiency is formed in the line-shaped sealing portion 11.

前記凹凸構造の周期は、LEDチップ6の配列ピッチと同じである。ここにおいて、前記凹凸構造の周期とは、各LEDチップ6の各々を覆う凸部11aの配列ピッチである。   The period of the uneven structure is the same as the arrangement pitch of the LED chips 6. Here, the period of the concavo-convex structure is an arrangement pitch of the convex portions 11 a covering each of the LED chips 6.

封止部11の表面の形状は、封止部11の前記表面においてLEDチップ6からの光線が交わる点の法線と前記光線とのなす角が臨界角よりも小さくなるように設計すればよい。ここで、LEDモジュール1は、封止部11の各凸部11aの表面の略全面で、LEDチップ6からの前記光線の入射角(光入射角度)が臨界角よりも小さくなるように、封止部11の前記表面の形状を設計することが好ましい。   What is necessary is just to design the shape of the surface of the sealing part 11 so that the angle | corner which the normal line of the point where the light ray from LED chip 6 crosses in the said surface of the sealing part 11 and the said light ray becomes smaller than a critical angle. . Here, the LED module 1 is sealed so that the incident angle (light incident angle) of the light beam from the LED chip 6 is smaller than the critical angle over substantially the entire surface of each convex portion 11 a of the sealing portion 11. It is preferable to design the shape of the surface of the stopper 11.

このため、封止部11は、各LEDチップ6の各々を覆う各凸部11aが、半球状に形成されているのが好ましい。各凸部11aの各々は、基板2の厚み方向において重なる凸部11aの光軸とLEDチップ6の光軸とが一致するように設計されている。これにより、LEDモジュール1は、封止部11の前記表面(封止部11と空気との境界面)での全反射を抑制することが可能となるだけでなく、色むらを抑制することが可能となる。色むらとは、光の照射方向によって色度が変化している状態である。LEDモジュール1は、色むらを視認できない程度に抑制することが可能となる。   For this reason, as for the sealing part 11, it is preferable that each convex part 11a which covers each of each LED chip 6 is formed in the hemispherical shape. Each of the convex portions 11 a is designed so that the optical axis of the convex portion 11 a that overlaps in the thickness direction of the substrate 2 and the optical axis of the LED chip 6 coincide with each other. Thereby, the LED module 1 can not only suppress total reflection on the surface of the sealing portion 11 (a boundary surface between the sealing portion 11 and air) but also suppress color unevenness. It becomes possible. Color unevenness is a state in which chromaticity changes depending on the light irradiation direction. The LED module 1 can suppress color unevenness to such an extent that it cannot be visually recognized.

LEDモジュール1は、LEDチップ6から凸部11aの表面までの光路長をLEDチップ6からの光の放射方向によらず略均一化することが可能となり、色むらをより抑制することが可能となる。封止部11の各凸部11aは、半球状に限らず、例えば、半楕円球状の形状でもよい。なお、各凸部11aの各々は、半円柱状や、直方体状などの形状でもよい。   The LED module 1 can make the optical path length from the LED chip 6 to the surface of the convex portion 11a substantially uniform regardless of the light emission direction from the LED chip 6, and can further suppress color unevenness. Become. Each convex part 11a of the sealing part 11 is not limited to a hemispherical shape, and may be a semi-elliptical spherical shape, for example. Each of the convex portions 11a may have a semi-cylindrical shape or a rectangular parallelepiped shape.

LEDモジュール1は、封止部11が基板2に接している。これにより、LEDモジュール1は、LEDチップ6で発生した熱だけでなく、封止部11で発生した熱も基板2を通して放熱させることが可能となり、光出力の高出力化を図ることが可能となる。   In the LED module 1, the sealing portion 11 is in contact with the substrate 2. Thereby, the LED module 1 can dissipate not only the heat generated in the LED chip 6 but also the heat generated in the sealing portion 11 through the substrate 2, and can increase the light output. Become.

LEDモジュール1の製造にあたっては、まず、基板2を準備する。その後には、ダイボンド装置などにより、各LEDチップ6を基板2の上記一表面側にダイボンドする。その後には、ワイヤボンディング装置などにより、LEDチップ6の前記第1電極及び前記第2電極それぞれと配線部8とをワイヤ7を介して接続する。その後には、ディスペンサシステム(dispenser system)などを利用して封止部11を形成する。   In manufacturing the LED module 1, first, the substrate 2 is prepared. Thereafter, each LED chip 6 is die-bonded to the one surface side of the substrate 2 by a die-bonding apparatus or the like. Thereafter, the first electrode and the second electrode of the LED chip 6 and the wiring portion 8 are connected via the wire 7 by a wire bonding apparatus or the like. Thereafter, the sealing portion 11 is formed using a dispenser system or the like.

以下、封止部11の形成方法について説明する。前記ディスペンサシステムは、基板2を保持するテーブル、ディスペンサヘッド31(図3参照)、ディスペンサヘッド31に保持され封止部11から未硬化の液状の封止材料(図3参照)を吐出するノズル32(図3参照)などを備えている。図3は、LEDモジュール1の製造方法の説明図である。より具体的には、前記ディスペンサシステムにより封止部11を形成する方法の模式的な説明図であり、ディスペンサヘッド31を同図中の左端の位置から右端の位置まで移動させつつ、ノズル32から封止材料111を吐出させて塗布する様子を模式的に示してある。なお、図3では、配線部8及び各ワイヤ7の図示を省略してある。   Hereinafter, the formation method of the sealing part 11 is demonstrated. The dispenser system includes a table for holding the substrate 2, a dispenser head 31 (see FIG. 3), and a nozzle 32 that is held by the dispenser head 31 and discharges an uncured liquid sealing material (see FIG. 3) from the sealing portion 11. (See FIG. 3). FIG. 3 is an explanatory diagram of a method for manufacturing the LED module 1. More specifically, it is a schematic explanatory view of a method for forming the sealing part 11 by the dispenser system, and the dispenser head 31 is moved from the left end position to the right end position in FIG. A state in which the sealing material 111 is discharged and applied is schematically shown. In addition, in FIG. 3, illustration of the wiring part 8 and each wire 7 is abbreviate | omitted.

封止部11は、未硬化の液状の封止材料111が、基板2の上記一表面側において各LEDチップ6及び各ワイヤ7を覆うライン状に塗布され、その後に、基板2の上記一表面側の封止材料111を硬化させることにより形成されている。   In the sealing portion 11, an uncured liquid sealing material 111 is applied in a line shape covering each LED chip 6 and each wire 7 on the one surface side of the substrate 2, and then the one surface of the substrate 2. It is formed by curing the side sealing material 111.

前記ディスペンサシステムにより封止部11を形成する際には、例えば、ディスペンサヘッド31をLEDチップ6の配列方向に沿って移動させつつ、ノズル32から封止材料111を吐出させて塗布する。   When the sealing part 11 is formed by the dispenser system, for example, the sealing material 111 is discharged from the nozzle 32 and applied while moving the dispenser head 31 along the arrangement direction of the LED chips 6.

ここで、封止材料111を封止部11の表面形状に基づく塗布形状となるように前記ディスペンサシステムにより塗布する場合には、例えば、図3に示すように、ディスペンサヘッド31を移動させながら、封止材料111を吐出させて塗布すればよい。図3の例では、ディスペンサヘッド31の吐出速度を変化させることにより、塗布量を変化させ、また、ディスペンサヘッド31を上下させることにより、ノズル32とノズル32直下の基板2の上記一表面との距離を変化させている。より具体的には、封止部11の各凸部11aの元になる箇所に封止材料111を塗布する場合と、封止部11の隣り合う凸部11a間の部分の元になる箇所に封止材料111を塗布する場合とで、移動速度或いは吐出速度を相対的に異ならせてあり、前者の場合には移動速度を遅く、或いは吐出速度を速くし、後者の場合には移動速度を速く、或いは吐出速度を遅くしている。また、封止部11の前記表面形状に基づいてディスペンサヘッド31を上下させている。これらにより、前記ディスペンサシステムにより封止部11を形成する方法では、封止材料111を封止部11の前記表面形状に基づく前記塗布形状とすることが可能となる。前記塗布形状は、封止材料111を硬化させるときの収縮を考慮して設定すればよい。   Here, when applying the sealing material 111 by the dispenser system so as to have an application shape based on the surface shape of the sealing portion 11, for example, while moving the dispenser head 31, as shown in FIG. The sealing material 111 may be discharged and applied. In the example of FIG. 3, the application amount is changed by changing the discharge speed of the dispenser head 31, and the nozzle 32 and the one surface of the substrate 2 immediately below the nozzle 32 are changed by moving the dispenser head 31 up and down. The distance is changed. More specifically, in the case where the sealing material 111 is applied to the location where each convex portion 11a of the sealing portion 11 is based and the location where the portion between the adjacent convex portions 11a of the sealing portion 11 is based In the case of applying the sealing material 111, the movement speed or the discharge speed is relatively different. In the former case, the movement speed is slow or the discharge speed is increased, and in the latter case, the movement speed is increased. Faster or slower discharge speed. Further, the dispenser head 31 is moved up and down based on the surface shape of the sealing portion 11. Accordingly, in the method of forming the sealing portion 11 by the dispenser system, the sealing material 111 can have the application shape based on the surface shape of the sealing portion 11. The application shape may be set in consideration of shrinkage when the sealing material 111 is cured.

ここにおいて、前記ディスペンサシステムは、ディスペンサヘッド31を移動させるロボットからなる移動機構と、基板2の前記一表面及びノズル32それぞれの前記テーブルからの高さを測定するセンサ部と、前記移動機構及びノズル32からの封止材料111の吐出速度を制御するコントローラとを備えているのが好ましい。前記コントローラは、例えば、マイクロコンピュータに適宜のプログラムを搭載することにより実現することができる。また、前記ディスペンサシステムは、前記コントローラに搭載された前記プログラムを適宜変更することにより、LEDチップ6の配列ピッチや、LEDチップ6の個数、封止部11のライン幅などの異なる複数種の品種に対応することが可能となる。   Here, the dispenser system includes a moving mechanism including a robot that moves the dispenser head 31, a sensor unit that measures the height of each of the one surface of the substrate 2 and the nozzle 32 from the table, the moving mechanism, and the nozzle. It is preferable that a controller for controlling the discharge speed of the sealing material 111 from 32 is provided. The controller can be realized, for example, by installing an appropriate program in a microcomputer. In addition, the dispenser system appropriately changes the program installed in the controller, thereby allowing a plurality of types of products having different arrangement pitches of the LED chips 6, the number of LED chips 6, the line width of the sealing portion 11, and the like. It becomes possible to cope with.

また、封止部11の前記表面形状は、例えば、封止材料111の粘度、チクソ性などを調整することで制御することも可能である。各凸部11aの各々の前記表面(凸曲面)の曲率は、封止材料111の粘度やチクソ性、表面張力、ワイヤ7の高さなどによって設計可能である。曲率を大きくするには、封止材料111の粘度を高くしたり、チクソ性を高くしたり、表面張力を大きくしたり、ワイヤ7の高さを高くすることで実現可能となる。また、ライン状の封止部11の幅(ライン幅)を狭くするには、封止材料111の粘度を高くしたり、チクソ性を高くしたり、表面張力を大きくしたりすることで実現可能となる。封止材料111の粘度は、100〜50000mPa・s程度の範囲に設定するのが好ましい。なお、粘度の値は、例えば、円錐平板型回転粘度計を用いて常温下で測定した値を採用することができる。   Moreover, the said surface shape of the sealing part 11 can also be controlled by adjusting the viscosity, thixotropy, etc. of the sealing material 111, for example. The curvature of each surface (convex curved surface) of each convex portion 11a can be designed according to the viscosity, thixotropy, surface tension, height of the wire 7, and the like of the sealing material 111. Increasing the curvature can be realized by increasing the viscosity of the sealing material 111, increasing the thixotropy, increasing the surface tension, or increasing the height of the wire 7. Further, the width (line width) of the line-shaped sealing portion 11 can be reduced by increasing the viscosity of the sealing material 111, increasing the thixotropy, or increasing the surface tension. It becomes. The viscosity of the sealing material 111 is preferably set in a range of about 100 to 50000 mPa · s. As the viscosity value, for example, a value measured at room temperature using a conical plate type rotational viscometer can be adopted.

また、前記ディスペンサシステムは、未硬化の封止材料111が所望の粘度になるように加熱するヒータを備えていてもよい。これにより、前記ディスペンサシステムは、封止材料111の前記塗布形状の再現性を向上させることが可能となり、封止部11の前記表面形状の再現性を向上させることが可能となる。   The dispenser system may include a heater that heats the uncured sealing material 111 to have a desired viscosity. Accordingly, the dispenser system can improve the reproducibility of the application shape of the sealing material 111 and can improve the reproducibility of the surface shape of the sealing portion 11.

ところで、図4に示す比較例1のLEDモジュール1’は、封止部11’が半円柱状の形状であり、LEDチップ6の配列方向に沿った方向における封止部11’の断面(図4(a)のA−A断面)が細長の矩形状となり、LEDチップ6の配列方向に直交する断面における封止部11’の断面(図4(a)のB−B断面)が半円状の形状となる。図5及び図6それぞれの図中に示した矢印は、比較例1のLEDモジュール1’におけるLEDチップ6からの光線の進行経路を模式的に示している。図5の光線の進行経路からも分かるように、比較例1のLEDモジュール1’では、封止部11’の表面で全反射される光があり、光取り出し効率が低下してしまう。   By the way, LED module 1 'of the comparative example 1 shown in FIG. 4 WHEREIN: Sealing part 11' is a semicylindrical shape, The cross section of sealing part 11 'in the direction along the sequence direction of LED chip 6 (FIG. 4 (a) (A-A cross section) is an elongated rectangular shape, and the cross section of the sealing portion 11 '(cross section BB in FIG. 4 (a)) in a cross section orthogonal to the arrangement direction of the LED chips 6 is a semicircle. It becomes a shape. The arrows shown in each of FIGS. 5 and 6 schematically show the traveling path of the light beam from the LED chip 6 in the LED module 1 ′ of Comparative Example 1. As can be seen from the traveling path of the light beam in FIG. 5, in the LED module 1 ′ of Comparative Example 1, there is light that is totally reflected on the surface of the sealing portion 11 ′, and the light extraction efficiency is lowered.

これに対して、本実施形態のLEDモジュール1における封止部11は、前記規定方向において隣り合うLEDチップ6同士の間に、LEDチップ6から放射される光の全反射を抑制する凹部11bが設けられている。これにより、本実施形態のLEDモジュール1は、比較例1のLEDモジュール1’に比べて、光取り出し効率の向上を図ることが可能となる。   On the other hand, the sealing part 11 in the LED module 1 of the present embodiment has a recess 11b that suppresses total reflection of light emitted from the LED chip 6 between the LED chips 6 adjacent in the prescribed direction. Is provided. Thereby, the LED module 1 of the present embodiment can improve the light extraction efficiency as compared with the LED module 1 ′ of Comparative Example 1.

また、本実施形態のLEDモジュール1は、封止部11に凹部11bが設けられているので、比較例1のLEDモジュール1’に比べて、封止材料111(図3参照)の使用量を低減することができ、低コスト化を図ることが可能となる。   Moreover, since the LED module 1 of this embodiment has the recessed part 11b in the sealing part 11, compared with LED module 1 'of the comparative example 1, the usage-amount of the sealing material 111 (refer FIG. 3) is reduced. It can be reduced, and the cost can be reduced.

また、本実施形態のLEDモジュール1は、図7に示すように各LEDチップ6の各々を個別に覆う複数の封止部21を備えた比較例2のLEDモジュール1”に比べて、封止工程のタクトタイムを短縮することが可能となり、低コスト化を図ることが可能となる。   Moreover, the LED module 1 of this embodiment is sealed compared with LED module 1 "of the comparative example 2 provided with the some sealing part 21 which covers each of each LED chip 6 separately as shown in FIG. The tact time of the process can be shortened, and the cost can be reduced.

ところで、LEDモジュール1は、配線部8と各ワイヤ7の各々との接続部が、前記規定方向における各LEDチップ6の各々の両側にあるのが好ましい。これにより、LEDモジュール1は、平面視形状がライン状の封止部11を前記ディスペンサシステムなどを利用して形成する際に、封止材料111の表面張力とワイヤ7の配置とに起因して封止部11の平面視形状が蛇行してしまうのを抑制することが可能となる。よって、LEDモジュール1は、封止部11の前記表面形状がばらつくのを抑制することが可能となり、光取り出し効率を向上させることが可能となる。ここで、LEDモジュール1は、前記接続部が前記規定方向に沿った一直線上に位置しているのが好ましい。   By the way, as for the LED module 1, it is preferable that the connection part of the wiring part 8 and each of each wire 7 exists in the both sides of each of each LED chip 6 in the said prescription | regulation direction. Thereby, the LED module 1 is caused by the surface tension of the sealing material 111 and the arrangement of the wires 7 when the sealing portion 11 having a line shape in plan view is formed using the dispenser system or the like. It is possible to suppress the meandering shape of the sealing portion 11 in a plan view. Therefore, the LED module 1 can suppress variations in the surface shape of the sealing portion 11, and can improve light extraction efficiency. Here, as for LED module 1, it is preferable that the said connection part is located on the straight line along the said prescribed direction.

LEDモジュール1は、各LEDチップ6の平面形状が長方形状の場合、各LEDチップ6が、LEDチップ6の長手方向が前記規定方向に一致するように、配置してあるのが好ましい。また、LEDモジュール1は、LEDチップ6の平面形状において前記規定方向に沿った中心線上に前記第1電極及び前記第2電極が位置している場合、前記第1電極に接続されるワイヤ7と前記第2電極に接続されるワイヤ7とが前記中心線に沿って配置されているのが好ましい。これにより、LEDモジュール1は、封止部11における各凸部11aの各々の前記中心線に直交する断面形状を、左右対称の形状とすることが可能となる。   When the planar shape of each LED chip 6 is rectangular, the LED module 1 is preferably arranged such that the longitudinal direction of the LED chip 6 coincides with the prescribed direction. The LED module 1 includes a wire 7 connected to the first electrode when the first electrode and the second electrode are located on a center line along the prescribed direction in the planar shape of the LED chip 6. It is preferable that the wire 7 connected to the second electrode is disposed along the center line. Thereby, the LED module 1 can make the cross-sectional shape orthogonal to the said centerline of each convex part 11a in the sealing part 11 into a left-right symmetric shape.

また、LEDモジュール1は、各LEDチップ6の平面形状が正方形状であり、各LEDチップ6の平面視における4つの辺のうちの互いに平行な2つの辺の垂直二等分線上に前記第1電極及び前記第2電極が位置している場合、前記第1電極に接続されるワイヤ7と前記第2電極に接続されるワイヤ7とが前記垂直二等分線に沿って配置されているのが好ましい。これにより、LEDモジュール1は、封止部11における各凸部11aの各々の前記垂直二等分線に直交する断面形状を、左右対称の形状とすることが可能となる。   In the LED module 1, the planar shape of each LED chip 6 is a square shape, and the first on the vertical bisector of two sides parallel to each other among the four sides in the plan view of each LED chip 6. When the electrode and the second electrode are located, the wire 7 connected to the first electrode and the wire 7 connected to the second electrode are arranged along the vertical bisector Is preferred. Thereby, the LED module 1 can make the cross-sectional shape orthogonal to the said perpendicular bisector of each convex part 11a in the sealing part 11 into a left-right symmetric shape.

LEDモジュール1は、封止部11が光拡散材を含有している構成としてもよい。光拡散材は、粒子状であり、封止部11に分散されていることが好ましい。LEDモジュール1は、封止部11が光拡散材を含有していることにより、色むらを更に抑制することが可能となる。光拡散材の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、シリカ、酸化チタン、金などの無機材料、フッ素系樹脂などの有機材料、有機成分と無機成分とがnmレベルもしくは分子レベルで混合、結合した有機・無機ハイブリッド材料などを採用することができる。   The LED module 1 is good also as a structure in which the sealing part 11 contains the light-diffusion material. The light diffusing material is in the form of particles and is preferably dispersed in the sealing portion 11. The LED module 1 can further suppress color unevenness because the sealing portion 11 contains a light diffusing material. Examples of the light diffusing material include inorganic materials such as aluminum oxide, silica, titanium oxide, and gold, organic materials such as fluorine-based resins, and organic materials in which organic components and inorganic components are mixed and combined at the nm level or molecular level.・ Inorganic hybrid materials can be used.

また、LEDモジュール1は、LEDチップ6が青色LEDチップであり、封止部11が複数種の蛍光体(前記緑色蛍光体、前記赤色蛍光体)及び前記光拡散材を含有している構成とすれば、演色性をより向上させることが可能となる。また、LEDモジュール1は、LEDチップ6が紫外LEDチップであり、封止部11が複数種の蛍光体(前記青色蛍光体、前記緑色蛍光体、前記赤色蛍光体)及び前記光拡散材を含有している構成とすれば、演色性をより向上させることが可能となる。   The LED module 1 has a configuration in which the LED chip 6 is a blue LED chip, and the sealing portion 11 includes a plurality of types of phosphors (the green phosphor and the red phosphor) and the light diffusing material. Then, it becomes possible to further improve the color rendering properties. In the LED module 1, the LED chip 6 is an ultraviolet LED chip, and the sealing portion 11 includes a plurality of types of phosphors (the blue phosphor, the green phosphor, and the red phosphor) and the light diffusing material. With this configuration, it is possible to further improve the color rendering properties.

(実施形態2)
以下では、本実施形態のLEDモジュール1について図8に基づいて説明する。
(Embodiment 2)
Below, the LED module 1 of this embodiment is demonstrated based on FIG.

本実施形態のLEDモジュール1は、各LEDチップ6の各々が、サブマウント部材4を介して基板2の上記一表面側に搭載されている点が、実施形態1のLEDモジュール1と相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素については、同じ符号を付して説明を省略する。   The LED module 1 of the present embodiment is different from the LED module 1 of Embodiment 1 in that each LED chip 6 is mounted on the one surface side of the substrate 2 via the submount member 4. In addition, about the component similar to Embodiment 1, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

LEDモジュール1は、基板2と、基板2の前記一表面側に第1接合部(図示せず)を介して接合された複数個のサブマウント部材4と、各サブマウント部材4の各々における基板2側とは反対の一面側に第2接合部(図示せず)を介して接合された複数個のLEDチップ6とを備えている。   The LED module 1 includes a substrate 2, a plurality of submount members 4 bonded to the one surface side of the substrate 2 via a first bonding portion (not shown), and a substrate in each of the submount members 4. A plurality of LED chips 6 bonded to each other on the one surface side opposite to the second side via a second bonding portion (not shown) are provided.

サブマウント部材4の平面サイズは、LEDチップ6の平面サイズよりも大きく設定してある。これにより、LEDモジュール1は、LEDチップ6の厚み方向に直交する中心線を含む断面においてLEDチップ6と基板2の上記一表面との間にサブマウント部材4による段差が存在することとなり、封止部11の各凸部11aの各々を半球状の形状に形成しやすくなる。   The planar size of the submount member 4 is set larger than the planar size of the LED chip 6. As a result, the LED module 1 has a step due to the submount member 4 between the LED chip 6 and the one surface of the substrate 2 in the cross section including the center line orthogonal to the thickness direction of the LED chip 6. It becomes easy to form each convex part 11a of the stop part 11 in a hemispherical shape.

前記第1接合部の材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透明材料を採用することができる。   As a material of the first joint portion, for example, a transparent material such as a silicone resin or an epoxy resin can be employed.

前記第2接合部の材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透明材料を採用することができる。   As the material of the second joint portion, for example, a transparent material such as a silicone resin or an epoxy resin can be employed.

LEDモジュール1は、前記第1接合部及び前記第2接合部が、LEDチップ6から放射される光を透過可能であり、サブマウント部材4が、透光性部材である。   In the LED module 1, the first joint and the second joint can transmit light emitted from the LED chip 6, and the submount member 4 is a translucent member.

これにより、LEDモジュール1は、LEDチップ6の前記発光層で発光し、LEDチップ6内及び前記第2接合部を通過した光の一部がサブマウント部材4内で拡散される。よって、LEDチップ6内及び前記第2接合部を通過した光は、前記第2接合部と前記サブマウント部材との界面で反射されにくくなり、サブマウント部材4の側面や上記一面から取り出されやすくなる。このため、LEDモジュール1においては、光取り出し効率を向上させることが可能となり、全光束量を向上させることが可能となる。この場合、基板2は、不透光基板が好ましい。また、LEDチップ6の前記支持基板は、サファイア基板に限らず、前記発光層で発光する光に対して透明な結晶成長用基板であればよい。   Thereby, the LED module 1 emits light from the light emitting layer of the LED chip 6, and a part of the light that has passed through the LED chip 6 and the second joint portion is diffused in the submount member 4. Therefore, the light that has passed through the LED chip 6 and the second joint is less likely to be reflected at the interface between the second joint and the submount member, and is easily extracted from the side surface of the submount member 4 or the one surface. Become. For this reason, in the LED module 1, it becomes possible to improve the light extraction efficiency and to improve the total luminous flux. In this case, the substrate 2 is preferably an opaque substrate. Further, the support substrate of the LED chip 6 is not limited to the sapphire substrate, but may be any crystal growth substrate that is transparent to the light emitted from the light emitting layer.

サブマウント部材4を構成する透光性部材は、紫外波長域及び可視波長域の光を透過する透光性を有しており、LEDチップ6の前記発光層から放射される光を透過したり、拡散したりする。サブマウント部材4を構成する透光性部材の材質としては、例えば、透光性セラミックス(アルミナ、硫酸バリウムなど)を採用することができる。透光性セラミックスは、バインダ、添加物などの種類や濃度によって、透過率、反射率、屈折率及び熱伝導率を調整することが可能である。LEDモジュール1は、サブマウント部材4の上記一面側の中央部に前記第2接合部を介してLEDチップ6が接合されている。   The translucent member constituting the submount member 4 has translucency that transmits light in the ultraviolet wavelength region and visible wavelength region, and transmits light emitted from the light emitting layer of the LED chip 6. Or diffuse. As a material of the translucent member constituting the submount member 4, for example, translucent ceramics (alumina, barium sulfate, etc.) can be employed. The translucent ceramics can adjust the transmittance, reflectance, refractive index, and thermal conductivity depending on the type and concentration of the binder, additive, and the like. In the LED module 1, the LED chip 6 is bonded to the central portion on the one surface side of the submount member 4 via the second bonding portion.

サブマウント部材4は、光拡散性を有することが好ましい。これにより、LEDモジュール1は、LEDチップ6の前記発光層からLEDチップ6の厚み方向の他面側へ放射された光が、サブマウント部材4内で拡散される。これにより、LEDモジュール1は、LEDチップ6からサブマウント部材4側へ出射した光がLEDチップ6へ戻るのをより抑制することが可能となり、且つ、サブマウント部材4の上記一面や上記側面から光を取り出しやすくなる。よって、LEDモジュール1は、光取り出し効率の向上を図ることが可能となる。   The submount member 4 preferably has light diffusibility. Thereby, in the LED module 1, the light emitted from the light emitting layer of the LED chip 6 to the other surface side in the thickness direction of the LED chip 6 is diffused in the submount member 4. Thereby, the LED module 1 can further suppress the light emitted from the LED chip 6 to the submount member 4 side from returning to the LED chip 6, and from the one surface or the side surface of the submount member 4. It becomes easy to take out light. Therefore, the LED module 1 can improve the light extraction efficiency.

サブマウント部材4は、平面視形状を矩形状としてあるが、これに限らず、例えば、円形状、矩形以外の多角形状などでもよい。   The submount member 4 has a rectangular shape in plan view, but is not limited thereto, and may be, for example, a circular shape or a polygonal shape other than a rectangular shape.

サブマウント部材4は、LEDチップ6に近い線膨張率を持つように構成することで、LEDチップ6と基板2との線膨張率の差に起因してLEDチップ6に働く応力を緩和する応力緩和機能を有することが好ましい。これにより、LEDモジュール1は、LEDチップ6と基板2との線膨張率の差に起因してLEDチップ6に働く応力を緩和することが可能となる。   The submount member 4 is configured to have a linear expansion coefficient close to that of the LED chip 6, thereby reducing the stress acting on the LED chip 6 due to the difference in linear expansion coefficient between the LED chip 6 and the substrate 2. It preferably has a relaxation function. Thereby, the LED module 1 can relieve the stress acting on the LED chip 6 due to the difference in linear expansion coefficient between the LED chip 6 and the substrate 2.

また、サブマウント部材4は、LEDチップ6で発生した熱を基板2側へ伝導させる熱伝導機能を有していることが好ましい。また、サブマウント部材4は、LEDチップ6で発生した熱をLEDチップ6のチップサイズよりも広い範囲に伝導させる熱伝導機能を有していることが好ましい。これにより、LEDモジュール1は、LEDチップ6で発生した熱をサブマウント部材4及び基板2を介して効率良く放熱させることが可能となる。   The submount member 4 preferably has a heat conduction function for conducting heat generated in the LED chip 6 to the substrate 2 side. Moreover, it is preferable that the submount member 4 has a heat conduction function that conducts heat generated in the LED chip 6 to a range wider than the chip size of the LED chip 6. Thereby, the LED module 1 can efficiently dissipate the heat generated in the LED chip 6 through the submount member 4 and the substrate 2.

サブマウント部材4と基板2とを接合する前記第1接合部の材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透明材料を採用することができる。   As a material of the first joint portion that joins the submount member 4 and the substrate 2, for example, a transparent material such as silicone resin or epoxy resin can be employed.

LEDモジュール1は、基板2の上記一表面が光拡散性あるいは鏡面反射性を有することが好ましい。基板2の上記一表面が光拡散性を有する場合、LEDモジュール1は、LEDチップ6の前記発光層から放射され前記第2接合部、サブマウント部材4及び前記第1接合部を透過した光を基板2の上記一表面で拡散反射させることが可能となり、LEDチップ6へ戻る光を低減できる。また、基板2の上記一表面が鏡面反射性を有する場合、LEDモジュール1は、LEDチップ6から放射され前記第2接合部、サブマウント部材4及び前記第1接合部を透過し基板2の上記一表面に斜め入射した光を正反射させることが可能となり、サブマウント部材4の側面からの光取り出しを向上させることが可能となる。よって、LEDモジュール1は、基板2の上記一表面が光拡散性あるいは鏡面反射性を有することにより、光取り出し効率を更に向上させることが可能となる。   In the LED module 1, it is preferable that the one surface of the substrate 2 has light diffusibility or specular reflection. When the one surface of the substrate 2 has light diffusibility, the LED module 1 emits light emitted from the light emitting layer of the LED chip 6 and transmitted through the second joint, the submount member 4 and the first joint. It becomes possible to diffusely reflect on the one surface of the substrate 2 and to reduce the light returning to the LED chip 6. When the one surface of the substrate 2 has specular reflectivity, the LED module 1 is radiated from the LED chip 6 and passes through the second joint portion, the submount member 4 and the first joint portion, and the above-described one of the substrate 2. Light obliquely incident on one surface can be regularly reflected, and light extraction from the side surface of the submount member 4 can be improved. Therefore, the LED module 1 can further improve the light extraction efficiency when the one surface of the substrate 2 has light diffusibility or specular reflection.

ところで、LEDモジュール1は、上述のように、例えば、LEDチップ6として青色LEDチップを採用し、波長変換材料の蛍光体として黄色蛍光体を採用すれば、白色光を得ることが可能となる。すなわち、LEDモジュール1は、LEDチップ6から放射された青色光と黄色蛍光体から放射された光とがLEDチップ6やサブマウント部材4から出射可能となり、白色光を得ることが可能となる。   By the way, as above-mentioned, if the LED module 1 employ | adopts a blue LED chip as the LED chip 6 and employ | adopts a yellow fluorescent substance as a fluorescent substance of a wavelength conversion material, it will become possible to obtain white light. That is, the LED module 1 can emit the blue light emitted from the LED chip 6 and the light emitted from the yellow phosphor from the LED chip 6 and the submount member 4, thereby obtaining white light.

要するに、LEDモジュール1は、LEDチップ6からの光と前記蛍光体からの光(波長変換光)とを組み合わせて混色光を得る。このため、LEDモジュール1は、封止部11が封止部11の幅方向に直交するサブマウント部材4の各側面まで覆っていると、LEDチップ6の配光特性に起因して、封止部11の凸部11aの中央部と凸部11aの周部とで色調がずれて色むらが発生してしまうことがある。LEDモジュール1は、例えば、LEDチップ6が青色LEDチップで前記蛍光体が黄色蛍光体であるとし、LEDチップ6の配光特性が前記一面側の放射強度が側面側の放射強度に比べて強くなるような偏った配光特性であるとすれば、凸部11aの中央部で所望の色度の白色光が得られても、凸部11aの周部で前記所望の色度の白色光よりもやや黄色味がかった白色光が得られてしまうことがある。   In short, the LED module 1 combines the light from the LED chip 6 and the light from the phosphor (wavelength converted light) to obtain mixed color light. For this reason, when the LED module 1 covers the side surfaces of the submount member 4 orthogonal to the width direction of the sealing part 11, the LED module 1 is sealed due to the light distribution characteristics of the LED chip 6. The color tone may be shifted between the central part of the convex part 11a of the part 11 and the peripheral part of the convex part 11a, and color unevenness may occur. In the LED module 1, for example, it is assumed that the LED chip 6 is a blue LED chip and the phosphor is a yellow phosphor, and the light distribution characteristic of the LED chip 6 is such that the radiation intensity on the one side is stronger than the radiation intensity on the side. If the white light having the desired chromaticity is obtained at the central portion of the convex portion 11a, the white light having the desired chromaticity is obtained at the peripheral portion of the convex portion 11a. A slightly yellowish white light may be obtained.

このため、LEDモジュール1は、サブマウント部材4が光拡散性を有する透光性部材の場合、封止部11の幅方向に沿った方向におけるサブマウント部4の両端部が、封止部11に覆われずに露出しているのが好ましい。これにより、LEDモジュール1は、封止部10の凸部11aの周部から出射する混色光におけるLEDチップ6からの光の強度と前記蛍光体からの光の強度とのバランスを、サブマウント部4の前記両端部において前記一面から出射するLEDチップ6の光により改善することが可能となり、色むらをより抑制することが可能となる。   For this reason, in the LED module 1, when the submount member 4 is a light transmissive member having light diffusibility, both end portions of the submount portion 4 in the direction along the width direction of the sealing portion 11 have the sealing portion 11. It is preferably exposed without being covered with. As a result, the LED module 1 determines the balance between the intensity of the light from the LED chip 6 and the intensity of the light from the phosphor in the mixed color light emitted from the peripheral portion of the convex portion 11 a of the sealing portion 10. 4 can be improved by the light of the LED chip 6 emitted from the one surface at the both end portions, and color unevenness can be further suppressed.

また、サブマウント部材4の材質としては、窒化アルミニウム、複合SiC、Si、CuWなどを採用することもできる。また、サブマウント部材4は、例えば、基板2側の表面に、LEDチップ6から放射された光を反射する反射膜を設けてもよい。反射膜の材料としては、例えば、銀、アルミニウム金合金、ニッケルなどを採用することができる。反射膜の材料は、特に限定するものではなく、例えば、LEDチップ6の発光波長に応じて適宜選択すればよい。   Further, as the material of the submount member 4, aluminum nitride, composite SiC, Si, CuW, or the like can be adopted. Further, the submount member 4 may be provided, for example, with a reflective film that reflects light emitted from the LED chip 6 on the surface on the substrate 2 side. As a material for the reflective film, for example, silver, aluminum gold alloy, nickel, or the like can be used. The material of the reflective film is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the emission wavelength of the LED chip 6, for example.

LEDモジュール1は、図8の例に限らず、例えば、図9及び図10に示すように、不透光基板2が、不透光性の樹脂基板である紙フェノール基板2aにより構成されたものでもよい。図9及び図10に示したLEDモジュール1では、紙フェノール基板2aの一表面側に第1金属箔からなる配線部8が設けられており、紙フェノール基板2aの他表面に第2金属箔2cが設けられている。第2金属箔2cは、紙フェノール基板2aの上記他表面の全面に設けてあるのが好ましい。また、このLEDモジュール1では、紙フェノール基板2aの上記一表面側に、紙フェノール基板2aの上記一表面において配線部8が形成されていない領域及び配線部8の大部分を覆うレジスト層2bが設けられている。レジスト層2は、配線部8のうち各ワイヤ7の各々が接続される部位が露出するように設けてある。第1金属箔及び第2金属箔2cとしては、例えば、銅箔が好ましい。レジスト層2bは、白色レジストでもよいし、透明なレジストでもよい。   The LED module 1 is not limited to the example of FIG. 8, for example, as shown in FIGS. 9 and 10, the opaque substrate 2 is configured by a paper phenolic substrate 2 a that is an opaque resin substrate. But you can. In the LED module 1 shown in FIGS. 9 and 10, the wiring portion 8 made of the first metal foil is provided on one surface side of the paper phenol substrate 2a, and the second metal foil 2c is provided on the other surface of the paper phenol substrate 2a. Is provided. The second metal foil 2c is preferably provided on the entire surface of the other surface of the paper phenol substrate 2a. Moreover, in this LED module 1, the resist layer 2b which covers most of the wiring part 8 on the one surface side of the paper phenolic board 2a on the one surface of the paper phenolic board 2a where the wiring part 8 is not formed. Is provided. The resist layer 2 is provided such that a portion of the wiring portion 8 to which each wire 7 is connected is exposed. As the first metal foil and the second metal foil 2c, for example, a copper foil is preferable. The resist layer 2b may be a white resist or a transparent resist.

ところで、実施形態1,2の各LEDモジュール1は、種々の照明装置の光源として用いることが可能である。LEDモジュール1を備えた照明装置の一例としては、例えば、LEDモジュール1を光源として器具本体に配置した照明器具がある。また、LEDモジュール1を備えた照明装置の他の例として、直管形LEDランプを構成することができる。なお、直管形LEDランプについては、例えば、社団法人日本電球工業会により、「L型ピン口金GX16t−5付直管形LEDランプシステム(一般照明用)」(JEL 801)が規格化されている。   By the way, each LED module 1 of Embodiment 1, 2 can be used as a light source of various illuminating devices. As an example of a lighting device including the LED module 1, for example, there is a lighting fixture in which the LED module 1 is used as a light source and arranged in the fixture body. Moreover, a straight tube type LED lamp can be comprised as another example of the illuminating device provided with the LED module 1. FIG. As for straight tube LED lamps, for example, the Japan Light Bulb Industry Association has standardized “Straight tube LED lamp system with L-type pin cap GX16t-5 (for general lighting)” (JEL 801). Yes.

このような直管形LEDランプを構成する場合には、例えば、透光性材料(例えば、乳白色のガラス、乳白色の樹脂など)により形成された直管状の管本体と、前記管本体の長手方向の一端部及び他端部それぞれに設けられた第1口金、第2口金とを備え、前記管本体内に、LEDモジュール1を収納した構成とすればよい。   In the case of configuring such a straight tube type LED lamp, for example, a straight tubular tube body formed of a translucent material (for example, milky white glass, milky white resin, etc.), and a longitudinal direction of the tube body A first base and a second base provided at one end and the other end of the LED, respectively, and the LED module 1 may be housed in the tube body.

1 LEDモジュール
2 基板
4 サブマウント部材
6 LEDチップ
7 ワイヤ
8 配線部
11 封止部
11a 凸部
11b 凹部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 LED module 2 Board | substrate 4 Submount member 6 LED chip 7 Wire 8 Wiring part 11 Sealing part 11a Convex part 11b Concave part

Claims (6)

基板と、前記基板の一表面側で規定方向に配列された複数個のLEDチップと、前記各LEDチップの各々の第1電極及び第2電極がワイヤを介して電気的に接続される配線部と、蛍光体を含有する樹脂からなり前記規定方向に配列された前記各LEDチップ及び前記各LEDチップの各々に接続された前記各ワイヤを覆うライン状の封止部とを備え、前記封止部は、前記規定方向において隣り合う前記LEDチップ同士の間に、前記LEDチップから放射される光の全反射を抑制する凹部が設けられていることを特徴とするLEDモジュール。   A wiring portion in which a substrate, a plurality of LED chips arranged in a prescribed direction on one surface side of the substrate, and a first electrode and a second electrode of each LED chip are electrically connected via wires And each LED chip made of a resin containing a phosphor and arranged in the prescribed direction, and a line-shaped sealing portion that covers each wire connected to each of the LED chips, and the sealing The LED module is characterized in that a recess for suppressing total reflection of light emitted from the LED chip is provided between the LED chips adjacent to each other in the prescribed direction. 前記封止部は、前記各LEDチップの各々を覆う各凸部が、半球状に形成されてなることを特徴とする請求項1記載のLEDモジュール。   The LED module according to claim 1, wherein each of the sealing portions is formed in a hemispherical shape so that each convex portion covering each of the LED chips is formed. 前記配線部と前記各ワイヤの各々との接続部は、前記規定方向における前記各LEDチップの各々の両側にあることを特徴とする請求項1又は2記載のLEDモジュール。   3. The LED module according to claim 1, wherein a connection portion between the wiring portion and each of the wires is on both sides of each of the LED chips in the specified direction. 前記LEDチップの各々と前記基板との間に配置される複数個のサブマウント部材を備え、前記サブマウント部材の平面サイズは、前記LEDチップの平面サイズよりも大きいことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のLEDモジュール。   2. A plurality of submount members disposed between each of the LED chips and the substrate, wherein a planar size of the submount members is larger than a planar size of the LED chips. 4. The LED module according to any one of items 1 to 3. 前記サブマウント部材は、光拡散性を有する透光性部材であり、前記封止部の幅方向に沿った方向における両端部が、前記封止部に覆われずに露出していることを特徴とする請求項4記載のLEDモジュール。   The submount member is a light transmissive member having light diffusibility, and both end portions in a direction along the width direction of the sealing portion are exposed without being covered by the sealing portion. The LED module according to claim 4. 前記基板が長尺状の形状であり、前記基板の長手方向を前記規定方向としてあることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のLEDモジュール。   6. The LED module according to claim 1, wherein the substrate has a long shape, and the longitudinal direction of the substrate is the prescribed direction. 7.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015170773A1 (en) * 2014-05-09 2015-11-12 京セラ株式会社 Substrate for mounting light-emitting element, and light-emitting device
KR20180074659A (en) * 2015-11-20 2018-07-03 푸젠 카스-세라믹 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 씨오., 엘티디 Die bonding substrate, high density integrated COB white light source and manufacturing method thereof
JP2018181783A (en) * 2017-04-21 2018-11-15 株式会社小糸製作所 Vehicular lighting fixture
KR20190032490A (en) * 2016-11-30 2019-03-27 선전 와이엠에이치 인텔리전트 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 Led illuminating device and preparation method therefor
KR20190114803A (en) * 2018-03-29 2019-10-10 호야 칸데오 옵트로닉스 가부시키가이샤 Light illuminating module and wire board for led device
CN113454771A (en) * 2019-02-21 2021-09-28 电化株式会社 Circuit board, mounting board, lighting device, method for manufacturing circuit board, and method for manufacturing mounting board
CN115414021A (en) * 2022-09-02 2022-12-02 维沃移动通信有限公司 Light emitting component, PPG sensor module and electronic equipment

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0294673A (en) * 1988-09-30 1990-04-05 Toshiba Lighting & Technol Corp Light-emitting diode array
JP2006148147A (en) * 2004-11-15 2006-06-08 Lumileds Lighting Us Llc Overmold lens on LED die
JP2008294309A (en) * 2007-05-25 2008-12-04 Showa Denko Kk Light emitting device and display device
JP2009088054A (en) * 2007-09-28 2009-04-23 Toyoda Gosei Co Ltd Linear light emitting device and manufacturing method thereof
US20110001151A1 (en) * 2009-07-06 2011-01-06 Cree, Inc. Led packages with scattering particle regions
JP2011113731A (en) * 2009-11-25 2011-06-09 Panasonic Corp Light emitting module and light source device
JP2011243935A (en) * 2010-04-20 2011-12-01 Toshiba Lighting & Technology Corp Light-emitting device and lighting device
JP2012503215A (en) * 2008-09-18 2012-02-02 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー LED for LCD display with white point compensation
WO2012057163A1 (en) * 2010-10-26 2012-05-03 東芝ライテック株式会社 Light emitting device and illumination device
JP2013125808A (en) * 2011-12-14 2013-06-24 Koito Mfg Co Ltd Light-emitting module

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0294673A (en) * 1988-09-30 1990-04-05 Toshiba Lighting & Technol Corp Light-emitting diode array
JP2006148147A (en) * 2004-11-15 2006-06-08 Lumileds Lighting Us Llc Overmold lens on LED die
JP2008294309A (en) * 2007-05-25 2008-12-04 Showa Denko Kk Light emitting device and display device
JP2009088054A (en) * 2007-09-28 2009-04-23 Toyoda Gosei Co Ltd Linear light emitting device and manufacturing method thereof
JP2012503215A (en) * 2008-09-18 2012-02-02 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー LED for LCD display with white point compensation
US20110001151A1 (en) * 2009-07-06 2011-01-06 Cree, Inc. Led packages with scattering particle regions
JP2011113731A (en) * 2009-11-25 2011-06-09 Panasonic Corp Light emitting module and light source device
JP2011243935A (en) * 2010-04-20 2011-12-01 Toshiba Lighting & Technology Corp Light-emitting device and lighting device
WO2012057163A1 (en) * 2010-10-26 2012-05-03 東芝ライテック株式会社 Light emitting device and illumination device
JP2013125808A (en) * 2011-12-14 2013-06-24 Koito Mfg Co Ltd Light-emitting module

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5894352B1 (en) * 2014-05-09 2016-03-30 京セラ株式会社 Light emitting element mounting substrate and light emitting device
US9799812B2 (en) 2014-05-09 2017-10-24 Kyocera Corporation Light emitting element mounting substrate and light emitting device
WO2015170773A1 (en) * 2014-05-09 2015-11-12 京セラ株式会社 Substrate for mounting light-emitting element, and light-emitting device
KR102044815B1 (en) 2015-11-20 2019-11-14 푸젠 카스-세라믹 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 씨오., 엘티디 Die Bonding Substrate, High Density Integrated COB White Light Source and Manufacturing Method Thereof
KR20180074659A (en) * 2015-11-20 2018-07-03 푸젠 카스-세라믹 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 씨오., 엘티디 Die bonding substrate, high density integrated COB white light source and manufacturing method thereof
KR102277575B1 (en) * 2016-11-30 2021-07-15 선전 와이엠에이치 인텔리전트 디벨로프먼트 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 Led illuminating device and preparation method therefor
JP2019533297A (en) * 2016-11-30 2019-11-14 シェンジェン ワイエムエイチ インテリジェント テクノロジー カンパニー リミテッドShenzhen Ymh Intelligent Technology Co.,Ltd LED lighting device and manufacturing method thereof
KR20190032490A (en) * 2016-11-30 2019-03-27 선전 와이엠에이치 인텔리전트 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 Led illuminating device and preparation method therefor
JP2018181783A (en) * 2017-04-21 2018-11-15 株式会社小糸製作所 Vehicular lighting fixture
JP7092465B2 (en) 2017-04-21 2022-06-28 株式会社小糸製作所 Vehicle lighting
KR20190114803A (en) * 2018-03-29 2019-10-10 호야 칸데오 옵트로닉스 가부시키가이샤 Light illuminating module and wire board for led device
KR102722315B1 (en) 2018-03-29 2024-10-28 호야 가부시키가이샤 Light illuminating module and wire board for led device
CN113454771A (en) * 2019-02-21 2021-09-28 电化株式会社 Circuit board, mounting board, lighting device, method for manufacturing circuit board, and method for manufacturing mounting board
CN115414021A (en) * 2022-09-02 2022-12-02 维沃移动通信有限公司 Light emitting component, PPG sensor module and electronic equipment

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