JP2013160975A - 液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶中の不純物を効率的にトラップ可能な液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００は、所定の間隔をおいて対向配置された一対の基板を接着する第１シール部４１と、接着された一対の基板間に液晶を注入するために第１シール部４１に設けられた第１注入口４２と、第１シール部４１よりも内側に配置され、第１シール部４１の第１注入口４２が設けられた辺部以外の辺部側において画素領域Ｅに連通する第２注入口４４を有して液晶の迂回進入経路４５を第１シール部４１との間で構成する第２シール部４３と、一対の基板の液晶層５０側にそれぞれ設けられた無機配向膜と、を有し、一対の基板の少なくとも一方において、迂回進入経路４５の無機配向膜は、画素領域Ｅにおける無機配向膜よりも、迂回進入経路４５における液晶の進入方向に対して抗する方向に配向処理方向が向いた部分を多く有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、液晶装置を備えた電子機器に関する。

液晶装置は、一対の基板間に挟持された液晶層を有している。液晶装置の製造過程において液晶層に不純物が混じると、不純物の影響で初期的な表示欠陥が生じたり、焼き付きなど長期間に渡っての表示品質の確保が困難になるといった信頼性に纏わる課題が生ずるおそれがあった。

このような不純物による液晶層の汚染を低減するために、特許文献１〜特許文献３には、一対の基板間に液晶を注入するにあたって、専用の流入経路を設け、流入経路の配向膜に不純物をトラップさせ、表示領域に不純物を到達させ難くする方法が開示されている。

特開平１−２３７６２０号公報 特開平６−１７５１４２号公報 特開２００２−３５０８８２号公報

しかしながら、例えば液晶装置が小型化すると十分な専用の流入経路を設けることが困難になり、流入経路の配向膜に不純物を効率的にトラップすることができなくなるという課題があった。
また、不純物をトラップさせる配向膜として上記特許文献に示されているポリイミド系の有機配向膜を用いた場合、有機配向膜は外光や照明装置などの光によって劣化し易く、有機配向膜の劣化に伴って一旦トラップされた不純物が表示領域に拡散して、表示品質を低下させるおそれがあった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、一対の基板と、所定の間隔をおいて対向配置された前記一対の基板を接着する第１シール部と、接着された前記一対の基板間に液晶を注入するために前記第１シール部に設けられた第１注入口と、前記第１シール部よりも内側に配置され、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において画素領域に連通する第２注入口を有して前記液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部と、前記一対の基板の前記液晶側にそれぞれ設けられた無機配向膜と、を有し、前記一対の基板の少なくとも一方において、前記迂回進入経路の前記無機配向膜は、前記画素領域における前記無機配向膜よりも、前記迂回進入経路における前記液晶の進入方向に対して抗する方向に配向処理方向が向いた部分を多く有することを特徴とする。

この構成によれば、迂回進入経路における無機配向膜が、画素領域よりも液晶の進入方向に対して抗する方向に配向処理方向が向いた部分を多く有する。したがって、第１シール部と第２シール部とにより単に液晶の迂回進入経路を構成する場合に比べて、迂回進入経路における液晶の進入速度が低下して、液晶中に不純物が含まれていた場合には、当該不純物を無機配向膜に効率的にトラップさせることができる。
また、無機配向膜は、ポリイミドなどの有機配向膜を用いる場合に比べて、照射される光によって劣化し難いので、一旦トラップされた不純物が光の照射によって拡散することを防ぐことができる。
ゆえに、画素領域に不純物が拡散し難く、不純物に起因する初期的な表示不具合が低減されると共に、耐光性に優れ高い信頼性を有する液晶装置を提供できる。
なお、ここで言う不純物とは、液晶自体に本来含まれない金属などの無機物や樹脂などの有機物、またはこれらの混合物、あるいはこれらのイオン性物質を指す。

［適用例２］上記適用例に係る液晶装置であって、前記一対の基板のそれぞれにおいて、前記迂回進入経路の前記無機配向膜は、前記迂回進入経路における前記液晶の進入方向に対して抗する方向に配向処理方向が向いた部分を有することが好ましい。
この構成によれば、迂回進入経路における液晶の進入速度低下処理が一対の基板のそれぞれの無機配向膜に施されているので、迂回進入経路においてより効率的に不純物がトラップされる。

［適用例３］上記適用例に係る液晶装置において、前記迂回進入経路の前記無機配向膜は、前記迂回進入経路における前記液晶の進入方向に対して反対方向に配向処理方向が向いた部分を有することが好ましい。
この構成によれば、迂回進入経路における液晶の進入速度が低下し易く、より効率的に不純物がトラップされる。

［適用例４］上記適用例に係る液晶装置において、前記画素領域は、平面視で略長方形であり、前記第１注入口および前記第２注入口は、前記画素領域の長辺に沿った部分に設けられ、前記迂回進入経路のうち前記画素領域の短辺に沿った部分における前記無機配向膜の配向処理方向が前記液晶の進入方向に対して反対方向に向いていることが好ましい。
この構成によれば、第１注入口から進入した液晶は画素領域の長辺に沿った部分を回り込んでから、無機配向膜の配向処理方向が液晶の進入方向に対して反対方向に向いている短辺側の迂回進入経路に入る。したがって、画素領域の短辺に沿った部分に第１注入口が存在する場合に比べて、配向処置方向が液晶の進入方向に対して反対方向に向いている部分に入るまでに液晶の進入速度を低下させることができる。すなわち、より効率的に不純物がトラップされる。

［適用例５］上記適用例に係る液晶装置において、前記一対の基板のうちの一方の基板は、前記画素領域に配列した複数の画素電極と、前記画素電極ごとに対応して設けられたトランジスターとを含み、前記一方の基板において、前記迂回進入経路の前記無機配向膜の配向処理方向が前記迂回進入経路における前記液晶の進入方向に対して抗する方向に向いた部分を有することが好ましい。
この構成によれば、画素電極やトランジスターなどの画素回路が形成された一方の基板の画素領域の周辺部分には、画素回路に繋がる配線などが配置され、その表面状態が凹凸になり易い。したがって、凹凸を有する表面に形成された無機配向膜の表面にも凹凸が生じ、迂回進入経路における無機配向膜の実質的な表面積が増加して効果的に不純物がトラップされる。

［適用例６］上記適用例に係る液晶装置において、前記無機配向膜は、無機材料を気相成長法により成膜して得られ、前記一対の基板の少なくとも一方において、前記画素領域における前記無機材料の成膜方位と、前記迂回進入経路における前記無機材料の成膜方位とが異なることを特徴とする。
この構成によれば、画素領域に比べて迂回進入経路における液晶の進入速度を低下させることができる。

［適用例７］上記適用例に係る液晶装置において、前記無機配向膜は、無機材料を気相成長法により基板上に結晶化させて得られる柱状結晶体の集合体であって、前記一対の基板のうちの少なくとも一方における前記迂回進入経路の前記無機配向膜は、前記柱状結晶体の成長方向が前記液晶の進入方向に抗する方向に向いていることを特徴とする。
この構成によれば、画素領域に比べて迂回進入経路における液晶の進入速度をより低下させることができる。

［適用例８］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、一対の基板のうち一方の基板の液晶層に面する側の少なくとも画素領域に第１無機配向膜を形成する第１無機配向膜形成工程と、前記一対の基板のうち他方の基板の前記液晶層に面する側の少なくとも前記画素領域に第２無機配向膜を形成する第２無機配向膜形成工程と、前記一対の基板うちいずれか一方に、第１注入口を有する第１シール部を形成する工程と、前記第１シール部よりも内側であって、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において前記画素領域に連通する第２注入口を有して前記液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部を形成する工程と、前記一対の基板を所定の間隔をおいて対向配置し、前記第１シール部と前記第２シール部とにより接着する工程と、真空注入法を用いて前記第１注入口から前記迂回進入経路を経由して前記一対の基板の隙間に液晶を注入する液晶注入工程と、を備え、前記第１無機配向膜形成工程および前記第２無機配向膜形成工程のうち少なくとも一方は、前記迂回進入経路における前記液晶の進入方向に対して配向処理方向が抗する方向が前記画素領域よりも多くなるように、前記迂回進入経路に第３無機配向膜を形成する第３無機配向膜形成工程を含むことを特徴とする。

この方法によれば、迂回進入経路に第１無機配向膜や第２無機配向膜を形成する場合に比べて、第３無機配向膜を形成することにより迂回進入経路における液晶の進入速度を低下させることができる。したがって、液晶中に不純物が含まれていた場合には、当該不純物を第３無機配向膜に効率的にトラップさせることができる。ゆえに、画素領域に不純物が拡散し難く、不純物に起因する初期的な表示不具合が低減されると共に、有機配向膜に比べて耐光性に優れた無機配向膜を備え高い信頼性を有する液晶装置を製造することができる。

［適用例９］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第３無機配向膜を形成した後に、前記第１無機配向膜または前記第２無機配向膜を形成することが好ましい。
この方法によれば、画素領域に第３無機配向膜の一部が形成されたとしても、その後、第１無機配向膜または第２無機配向膜が形成されるので、画素領域において所望の配向状態を確実に実現することができる。

［適用例１０］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記液晶注入工程は、前記一対の基板を略水平に保持した状態で行われ、前記第３無機配向膜形成工程は、前記一対の基板のうち前記液晶注入工程で下方側に位置する基板に対して行われることが好ましい。
この方法によれば、第３無機配向膜の効果に加えて重力の働きを効果的に利用して迂回進入経路における液晶の進入速度を低下させることができる。

［適用例１１］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第３無機配向膜形成工程が施される基板は、前記画素領域に配列した複数の画素電極と、前記画素電極ごとに対応したトランジスターとを含むことを特徴とする。
この方法によれば、画素電極やトランジスターなどの画素回路が形成された基板の画素領域の周辺部分には、画素回路に繋がる配線などが形成され、その表面状態が凹凸になり易い。したがって、凹凸を有する表面に形成された第３無機配向膜の表面にも凹凸が生じ、迂回進入経路における第３無機配向膜の実質的な表面積が増加して効果的に不純物をトラップすることができる。

［適用例１２］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第３無機配向膜は、気相成長法を用いて基板上に無機材料を結晶化させて得られる柱状結晶体の集合体からなり、前記第３無機配向膜形成工程は、前記柱状結晶体が前記液晶の進入方向に抗する方向に成長するように前記第３無機配向膜を形成することを特徴とする。
この方法によれば、第１無機配向膜や第２無機配向膜が形成される画素領域に比べて、第３無機配向膜が形成された迂回進入経路における液晶の進入速度をより低下させることができる。

［適用例１３］本適用例に係る電子機器は、上記適用例の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、不純物に起因する初期的な表示不具合が低減されると共に、耐光性に優れ高い信頼性を有する液晶装置を備えた電子機器を提供することができる。

（ａ）は第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図。 （ａ）および（ｂ）は第１実施形態の液晶装置における無機配向膜の配向処理方向を示す概略平面図。 画素領域における無機配向膜および液晶分子の配向状態を示す概略断面図。 迂回進入経路における無機配向膜の配向状態を示す概略断面図。 液晶装置の製造方法を示すフローチャート。 斜方蒸着装置の構成を示す概略図。 （ａ）および（ｂ）は素子基板側の無機配向膜形成工程を示す概略平面図。 （ａ）および（ｂ）は貼り合わせ工程と液晶注入・封止工程を説明する概略図。 （ａ）はマザー基板の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＪ−Ｊ’線に沿った概略断面図。 第２実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図。 （ａ）および（ｂ）は第２実施形態の液晶装置における無機配向膜の配向処理方向を示す概略平面図。 電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。 変形例１の迂回進入経路における無機配向膜のカラムの成長方向を示す概略断面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

（第１実施形態）
本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

＜液晶装置＞
まず、本実施形態の液晶装置について、図１〜図４を参照して説明する。図１（ａ）は第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図、図２（ａ）および（ｂ）は第１実施形態の液晶装置における無機配向膜の配向処理方向を示す概略平面図、図３は画素領域における無機配向膜および液晶分子の配向状態を示す概略断面図、図４は迂回進入経路における無機配向膜の配向状態を示す概略断面図である。

図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０および対向基板２０は、透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。

本発明における一方の基板としての素子基板１０は他方の基板としての対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外縁沿って配置された第１シール部４１と、第１シール部４１よりも内側に配置された第２シール部４３とを介して接着され、その隙間に負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０が構成されている。第１シール部４１および第２シール部４３は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。第１シール部４１および第２シール部４３には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

第２シール部４３の内側に複数の画素Ｐが配列した画素領域Ｅが設けられている。また、第１シール部４１と画素領域Ｅとの間に画素領域Ｅを取り囲んで見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。なお、画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１では図示省略したが、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。

素子基板１０の第１の辺部に沿った第１シール部４１との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿った第１シール部４１と第２シール部４３との間に検査回路１０３が設けられている。さらに、第１の辺部と直交し互いに対向する第３および第４の辺部に沿った第１シール部４１と第２シール部４３との間にそれぞれ走査線駆動回路１０２が設けられている。第２の辺部の第１シール部４１と第２シール部４３との間には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。

これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続端子１０４に接続されている。以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と画素領域Ｅとの間において第１シール部４１と第２シール部４３との間に設けてもよい。

図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなる透光性の画素電極１５およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う無機配向膜１８とが形成されている。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における基板としての素子基板１０は、少なくとも基材１０ａと、基材１０ａ上に形成された画素電極１５、ＴＦＴ３０、信号配線、無機配向膜１８を含むものである。

素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、少なくとも基材２０ａと、基材２０ａ上に形成された見切り部２１と、これを覆うように成膜された平坦化層２２と、平坦化層２２を覆うように設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う無機配向膜２４とを含むものである。

見切り部２１は、図１（ａ）に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

平坦化層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

共通電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。

画素電極１５を覆う無機配向膜１８および共通電極２３を覆う無機配向膜２４は、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法（蒸着法やスパッタ法など）を用いて成膜することで得られ、負の誘電異方性を有する液晶分子を膜面に対して略垂直配向させるものである。

このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。本実施形態ではノーマリーブラックモードが採用されている。

本実施形態の液晶装置１００は、上述したように一対の基板が第１シール部４１と第２シール部４３とによって接着された二重シール構造が採用されている。外側の第１シール部４１のデータ線駆動回路１０１に沿った長辺部に第１注入口４２が設けられている。内側の第２シール部４３の検査回路１０３に沿った長辺部に第２注入口４４が設けられている。第１シール部４１と第２シール部４３とにより画素領域Ｅを取り囲んだ液晶の迂回進入経路４５が構成されている。詳しくは後述するが、負の誘電異方性を有する液晶（液晶分子）は、真空注入法を用いて第１注入口４２から注入され、迂回進入経路４５を経て第２注入口４４から画素領域Ｅに充填される。第１注入口４２は、例えば紫外線硬化型のアクリル系樹脂からなる封止材１０８によって封止されている。
また、液晶中に不純物が含まれていた場合、液晶注入時に当該不純物を上記迂回進入経路４５の無機配向膜によって効率的にトラップできるように、画素領域Ｅにおける無機配向膜１８，２４と、迂回進入経路４５における無機配向膜の配向状態を異ならせている。
なお、「不純物」とは、液晶自体に本来含まれない金属などの無機物や樹脂などの有機物、またはこれらの混合物、あるいはこれらのイオン性物質を指し、主に液晶装置１００の製造の過程で注入前の液晶に含まれるものを指す。

図２（ａ）および（ｂ）は第１実施形態の液晶装置における無機配向膜の配向処理方向を示す概略平面図である。具体的には、図２（ａ）に示すように、素子基板１０側では、画素領域Ｅよりも一回り大きな第１領域Ｅ１に本発明における第１無機配向膜としての無機配向膜１８が形成されている。無機配向膜１８の配向処理方向は、四角形の基材１０ａの右上から左下に向かう実線の矢印で示す方向である。Ｙ方向と当該配向処理方向とがなす角度θａはおよそ４５度である。当該配向処理方向は、無機配向膜１８を成膜するときの成膜方向における方位にほぼ合致している。

第１領域Ｅ１を取り囲む周辺領域である第２領域Ｅ２に本発明における第３無機配向膜としての無機配向膜１９が形成されている。無機配向膜１９の配向処理方向は、Ｙ方向に沿って基材１０ａの下方から上方に向かう実線の矢印で示す方向である。

図２（ｂ）に示すように、対向基板２０側では、画素領域Ｅよりも一回り大きな第３領域Ｅ３に本発明における第２無機配向膜としての無機配向膜２４が形成されている。無機配向膜２４の配向処理方向は、四角形の基材２０ａの左下から右上に向かう破線の矢印で示す方向である。Ｙ方向と当該配向処理方向とがなす角度θａは素子基板１０側と同じくおよそ４５度である。当該配向処理方向は、無機配向膜２４を成膜するときの成膜方向における方位にほぼ合致している。

第３領域Ｅ３を取り囲む周辺領域である第４領域Ｅ４に本発明における第３無機配向膜としての無機配向膜２５が形成されている。無機配向膜２５の配向処理方向は、Ｙ方向に沿って基材２０ａの下方から上方に向かう破線の矢印で示す方向である。
なお、図２（ｂ）は対向基板２０を液晶層５０と反対側から見たときの無機配向膜２４，２５の配向処理方向を示すものである。

素子基板１０側の無機配向膜１８と対向基板２０側の無機配向膜２４とは互いに１８０度反転した配向処理方向を有するものであって、１軸垂直配向処理と呼ばれている。それぞれの配向処理方向は、上述した方向に限定されない。例えば、無機配向膜１８と無機配向膜２４の配向処理方向を入れ替えてもよい。また、基材の左上から右下に向かう、あるいは右下から左上に向かう配向処理方向として、当該配向処理方向とＹ方向とがなす角度θａを４５度としてもよい。

図３は画素領域Ｅにおける無機配向膜１８，２４と液晶層５０における液晶分子ＬＣの配向状態を示すものである。図３に示すように、素子基板１０の画素電極１５を覆う無機配向膜１８は、例えば酸化シリコンを斜方蒸着して得られた酸化シリコンの柱状結晶体１８ａの集合体である。基材１０ａの法線と実線の矢印で示した成膜方向とがなす角度θｂは、およそ４５度である。柱状結晶体１８ａが基材１０ａの表面から成長する方向と法線とがなす角度θｃは必ずしも上記角度θｂと同じにならず、この場合は、およそ２０度である。このような無機配向膜１８の膜面において負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣは長軸が上記成膜方向側に傾いたプレチルトを有して略垂直配向している。基材１０ａの法線と液晶分子ＬＣの長軸とがなすプレチルト角θｐはおよそ４度である。言い換えれば、液晶分子ＬＣのプレチルト角θｐがおよそ４度となるように、柱状結晶体１８ａの基材１０ａに対する成長の角度θｃ、つまり成膜時の角度θｂが制御されている。

同様に、対向基板２０側の共通電極２３を覆う無機配向膜２４は、例えば酸化シリコンを斜方蒸着して得られた酸化シリコンの柱状結晶体２４ａの集合体である。基材２０ａの法線と破線の矢印で示した成膜方向とがなす角度θｂは、およそ４５度である。無機配向膜２４の膜面（柱状結晶体２４ａ）に対して液晶分子ＬＣは成膜方向側にプレチルトを有した状態で略垂直配向している。柱状結晶体１８ａ，２４ａの成長方向は断面視で平行しており交差していない。以降、柱状結晶体をカラムと称して説明する。

このような無機配向膜１８，２４を有する一対の基板によって液晶層５０が挟持されたものを液晶パネル１１０と呼ぶ。液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子８１，８２が配置されて用いられる。
基材１０ａ（あるいは基材２０ａ）の法線方向から見た液晶分子ＬＣのプレチルトの所定の方向は、図２（ａ）および（ｂ）に示したように無機配向膜１８，２４における斜方蒸着の平面的な成膜方向と同じである。このような１軸垂直配向処理の上記所定の方向は、液晶装置１００の光学設計条件に基づいて適宜設定される。本実施形態では、上記所定の方向は光の入射方向と射出方向とに配置される偏光素子８１，８２の透過軸または吸収軸に対して４５°の角度で交わっている。これにより、画素電極１５と共通電極２３との間に所定電位を与えて液晶層５０を駆動したときに最大のコントラストが得られる構成となっている。

一方、迂回進入経路４５における無機配向膜１９，２５の状態は、図４に示すように、カラム１９ａ，２５ａの成長方向が断面視では交差している。したがって、液晶装置１００の短辺に沿った液晶の迂回進入経路４５では、図４の矢印で示す方向に液晶が注入されて（進入して）行くので、カラム１９ａ，２５ａの成長方向に対して液晶の進入方向が抗する方向（液晶の注入抵抗が高くなる方向）となる。つまり、液晶の進入方向と逆向きの方向にカラム１９ａ，２５ａが傾斜している。液晶装置１００の長辺に沿った液晶の迂回進入経路４５では、図４の紙面に対して法線方向に液晶が進入する。それゆえに、迂回進入経路４５の短辺側における液晶の進入速度は長辺側に比べて遅くなる。また、平面的に迂回進入経路４５を含めた領域に無機配向膜１８，２４が形成されている場合に比べて、画素領域Ｅと迂回進入経路４５における配向処理方向を異ならせることにより、迂回進入経路４５における液晶の進入速度を遅くできる。液晶の進入速度が遅くなる（低下する）ことで、液晶中に不純物が含まれていた場合には、無機配向膜１９，２５に不純物を十分にトラップさせ、画素領域Ｅに不純物が拡散することを抑制できる。

迂回進入経路４５における液晶の進入速度を低下させるという観点では、迂回進入経路４５における無機配向膜１９，２５の配向処理方向が液晶の進入方向に対して抗する方向に向いた部分が画素領域Ｅに比べて多いことが好ましく。図２に示すように、液晶の進入方向に対して反対方向に向いた部分を有することがより好ましい。

また、図４に示すように液晶の進入方向に対してカラム１９ａ，２５ａの成長方向が抗する方向に向くように無機配向膜１９，２５を形成することが好ましい。

さらには、第１シール部４１と第２シール部４３とにより構成される迂回進入経路４５は、図１（ａ）あるいは図２（ａ）に示すように、素子基板１０に設けられた走査線駆動回路１０２や検査回路１０３あるいはこれらを電気的に接続させる配線などの周辺回路が形成された領域を含んでいる。周辺回路が設けられた領域は、表示に寄与しない領域であって、素子基板１０の表面において画素領域Ｅよりも凹凸が生じている。したがって、図４においては図示省略したが、迂回進入経路４５における無機配向膜１９の液晶層５０側の表面は、図３の無機配向膜１８の液晶層５０側の表面よりも凹凸が大きくなり、無機配向膜１９の実質的な表面積が増えるので、不純物に対するトラップ能力が上がる。特に、迂回進入経路４５の短辺側は、走査線駆動回路１０２がそれぞれ形成された領域を含み、且つ液晶の進入方向に対して配向処理方向が反対を向いているので、長辺側に比べて不純物のトラップ能力が上がる。

＜液晶装置の製造方法＞
次に、本実施形態の液晶装置１００の製造方法について、図５〜図９を参照して説明する。素子基板１０における画素電極１５、ＴＦＴ３０、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３、信号配線などは、公知の方法を用いて形成することができる。同様に、対向基板２０における見切り部２１、平坦化層２２、共通電極２３も公知の方法を用いて形成することができる。ここでは、本発明の特徴部分である無機配向膜１８，１９，２４，２５の形成方法について説明する。

図５は液晶装置の製造方法を示すフローチャートである。図５に示すように、本実施形態の液晶装置１００の製造方法は、素子基板１０側において、画素電極形成工程（ステップＳ１）と、第３無機配向膜形成工程（ステップＳ２）と、第１無機配向膜形成工程（ステップＳ３）と、シール形成工程（ステップＳ４）とを有している。対向基板２０側において、共通電極形成工程（ステップＳ５）と、第４無機配向膜形成工程（ステップＳ６）と、第２無機配向膜形成工程（ステップＳ７）とを有している。また、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる工程（ステップＳ８）と、貼り合わされた素子基板１０と対向基板２０との間に真空注入法を用いて液晶を注入・封止する液晶注入・封止工程（ステップＳ９）とを有している。

前述したように、画素電極１５や共通電極２３を形成する工程（ステップＳ１やステップＳ５）は、ＩＴＯなどの透明導電膜を成膜して、フォトリソグラフィ法により所望の形状にパターニングする公知の方法を適用することができる。

第１〜第４無機配向膜を形成する工程（ステップＳ２，Ｓ３，Ｓ６，Ｓ７）は、酸化シリコンなどの無機材料を気相成長法を用いて成膜する方法を採用することができる。
図６は斜方蒸着装置の構成を示す概略図である。気相成長法の１つである斜方蒸着法では、例えば図６に示すような斜方蒸着装置３００を用いる。

斜方蒸着装置３００は、内部を減圧可能なチャンバー３０１と、チャンバー３０１の底部に設けられた蒸着源３０２とを有している。蒸着源３０２には、無機配向膜を構成するところの酸化シリコンなどの無機材料が例えばペレットとして装着され、これを減圧下で加熱して蒸発させる。チャンバー３０１の蒸着源３０２の上方には、複数のワークＷを配置することが可能となっている。具体的には、ワークＷの被蒸着面が蒸着源３０２に向かう垂線に対して傾斜するように、ワークＷはチャンバー３０１に配置される。蒸着源３０２に向かう垂線と、被蒸着面の法線とがなす角を仰角と呼ぶ。もちろん、前述した蒸着方向における平面的な方位の角度θａ（４５度；図２（ａ）および（ｂ）参照）と、被蒸着面に対する蒸着方向の角度θｂ（４５度；図３、図４参照）とが得られるようにワークＷは上記仰角が設定されて配置される。本実施形態では、蒸着方向の角度θｂと上記仰角とが同じとなるように設定されている。

蒸着源３０２から蒸発した無機材料はワークＷに到達して結晶化する。このような斜方蒸着を所定の時間行うことで、無機材料の結晶が成長して柱状結晶体（カラム）となり、カラムの集合体である無機配向膜が形成される。

なお、蒸着源３０２の垂線に対して所定の仰角θｂを与えてワークＷを傾斜させるので、被蒸着面に対する蒸着方向の角度θｂは、ワークＷの大きさにも寄るが蒸着源３０２から遠ざかるほど小さくなる。言い換えれば、ワークＷに対する蒸着方向の角度θｂは必ずしも一定ではない。蒸着方向の角度θｂを一定とするために、例えば、ワークＷの被蒸着面に対向するように配置されたスリット状の開口部を有する遮蔽板（図示省略）を設け、蒸着源３０２から飛来する膜成分のビーム平行度を上げる手段がとられる。

図７（ａ）および（ｂ）は素子基板側の無機配向膜形成工程を示す概略平面図である。
図５の第３無機配向膜形成工程（ステップＳ２）では、図７（ａ）に示すように画素電極１５やＴＦＴ３０を始めする画素の回路構成が形成された基材１０ａに対し、全面に亘って第３無機配向膜としての無機配向膜１９を形成する。膜厚が５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるように無機配向膜１９を形成する。斜方蒸着の平面的な方位は、基材１０ａのＹ方向に沿った下方から上方に向かう方向である。基材１０ａに対する蒸着方向の角度θｂは前述したように４５度である。これにより、素子基板１０側においてカラム１９ａの集合体である無機配向膜１９が形成される（図４参照）。

次に、図５の第１無機配向膜形成工程（ステップＳ３）では、無機配向膜１９が形成された基材１０ａに対して、第１領域Ｅ１に相当する開口部を有する蒸着用マスクを所定の位置で重ね合わせて、斜方蒸着装置３００のチャンバー３０１内にセットして第１無機配向膜としての無機配向膜１８を形成する。膜厚が５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるように無機配向膜１８を形成する。斜方蒸着の平面的な方位は、基材１０ａのＹ方向となす角度がθａであって右上から左下に向かう配向処理方向である。基材１０ａに対する蒸着方向の角度θｂは前述したように４５度である。これにより、素子基板１０側においてカラム１８ａの集合体である無機配向膜１８が形成される（図３参照）。つまり、第１領域Ｅ１では、先に形成された無機配向膜１９に積層して無機配向膜１８が形成される。

図５の第４無機配向膜形成工程（ステップＳ６）では、素子基板１０側と同様にして対向基板２０側に第４無機配向膜としての無機配向膜２５を形成する。つまり、共通電極２３が形成された基材２０ａに対し、全面に亘って無機配向膜２５を形成する。斜方蒸着の平面的な方位は、基材２０ａのＹ方向に沿った下方から上方に向かう方向である（図２（ｂ）参照）。基材２０ａに対する蒸着方向の角度θｂは前述したように４５度である。これにより、対向基板２０側においてカラム２５ａの集合体である無機配向膜２５が形成される（図４参照）。なお、ここで言うところの第４無機配向膜の意味するところは本発明における第３無機配向膜と同義である。ステップを分けて説明するためにあえて第４無機配向膜とした。

次に、図５の第２無機配向膜形成工程（ステップＳ７）では、無機配向膜２５が形成された基材２０ａに対して、第３領域Ｅ３に相当する開口部を有する蒸着用マスクを所定の位置で重ね合わせて、斜方蒸着装置３００のチャンバー３０１内にセットして第２無機配向膜としての無機配向膜２４を形成する。斜方蒸着の平面的な方位は、基材２０ａのＹ方向となす角度がθａであって左下から右下に向かう配向処理方向である（図２参照）。基材２０ａに対する蒸着方向の角度θｂは前述したように４５度である。これにより、対向基板２０側においてカラム２４ａの集合体である無機配向膜２４が形成される（図３参照）。つまり、第３領域Ｅ３では、先に形成された無機配向膜２５に積層して無機配向膜２４が形成される。無機配向膜２４，２５の膜厚もそれぞれ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。

次に、図５のシール形成工程（ステップＳ４）では、無機配向膜１８，１９が形成された素子基板１０側に第１シール部４１と第２シール部４３とを形成する。第１シール部４１は、後に貼り合わされる対向基板２０の外縁と重なる位置に形成する。第２シール部４３は、第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２の境界に沿った第２領域Ｅ２側に形成する。あるいは、第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２の境界と重なる位置に形成する。第１シール部４１および第２シール部４３の形成方法としては、スクリーンなどを用いた印刷方式やシール部材をノズルから吐出しながらシールパターンを描画する定量吐出方式（ディスペンサー方式）などを採用できる。無機配向膜１８，１９にスクリーンなどが接触することによる配向不良などの欠陥が生じない点では、定量吐出方式（ディスペンサー方式）のほうが望ましい。なお、第１シール部４１や第２シール部４３を対向基板２０側に形成してもよい。あるいは、第１シール部４１と第２シール部４３とをそれぞれ異なる基板に対して形成してもよい。

図８（ａ）および（ｂ）は貼り合わせ工程と液晶注入・封止工程を説明する概略図である。次に、図５の貼り合わせ工程（ステップＳ８）では、図８（ａ）および（ｂ）に示すように、第１シール部４１および第２シール部４３が形成された素子基板１０と対向基板２０とを所定の位置に対向配置し貼り合わせて接着する。第１シール部４１および第２シール部４３にはスペーサー（図示省略）が含まれているので、例えば一対の基板のうち他方の基板を一方の基板に押しつけて圧着すれば、素子基板１０と対向基板２０とを所望の間隔をおいて接着することができる。

次に、図５の液晶注入・封止工程（ステップＳ９）では、まず、貼り合わされた素子基板１０と対向基板２０との隙間に液晶を注入する。具体的には、貼り合わされた一対の基板を素子基板１０が下方に位置するようにチャンバー内にセットして減圧することにより、上記隙間を略真空状態とする。そして、図８（ａ）および（ｂ）に示すように、対向基板２０からはみ出した素子基板１０の端子部１０ｂに液晶５０ａを滴下する。液晶５０ａは第１シール部４１の第１注入口４２を塞ぐように所定量が滴下される。そして、チャンバー内を減圧した状態から大気に開放する。そうすると、上記隙間と大気との圧力差により液晶５０ａは、第１注入口４２から迂回進入経路４５に進入し、第２シール部４３の第２注入口４４から画素領域Ｅ内に充填される。
第１〜第４無機配向膜形成工程では、画素領域Ｅと迂回進入経路４５とにおける配向処理方向が異なるように無機配向膜１８，１９，２４，２５を形成するので、画素領域Ｅに比べて迂回進入経路４５における液晶５０ａの進入速度が遅くなる。迂回進入経路４５を液晶５０ａが進入する間に、液晶５０ａに含まれた不純物は、素子基板１０側の無機配向膜１９と対向基板２０側の無機配向膜２５とによって十分にトラップされる（図４参照）。したがって、画素領域Ｅには不純物をほとんど含まない液晶５０ａが充填される。
画素領域Ｅが液晶５０ａによって十分に満たされるまで液晶注入が続行され、その後、第１注入口４２を封止材１０８によって封止する（図１（ａ）参照）。これにより、液晶パネル１１０が出来上がる。

図９（ａ）はマザー基板の構成を示す概略平面図、図９（ｂ）は（ａ）のＪ−Ｊ’線に沿った概略断面図である。なお、図９（ａ）および（ｂ）は素子基板１０と対向基板２０とが貼り合わされた後のマザー基板を示すものである。
図９（ａ）および（ｂ）に示すように、上記のような液晶装置１００の製造方法は、実際には複数の素子基板１０が面付けされたマザー基板１０Ｗを用いて行われる。
本実施形態のマザー基板１０Ｗは、ウェハ状の例えば石英基板やガラス基板であって、一部が切りかかれたオリフラに沿ったＸ方向と、Ｘ方向に直交するＹ方向とにマトリクッス状に素子基板１０が面付けされて加工が進められる。
素子基板１０側における無機配向膜１８，１９の形成は、マザー基板１０Ｗを用いて実施される。一方、対向基板２０側における無機配向膜２４，２５の形成は、複数の対向基板２０を支持体上に吸着固定して斜方蒸着装置３００にセットする方法が挙げられる。また、素子基板１０と同様にマザー基板に面付けした状態で無機配向膜２４，２５を形成した後に、個別の対向基板２０に分割してからマザー基板１０Ｗに面付けされた素子基板１０と個々に貼り合わせる方法が挙げられる。
前述したように、液晶注入・封止工程（ステップＳ９）では、チャンバー内にマザー基板１０Ｗが下方になるように配置し、Ｙ方向に配列した複数の対向基板２０の間に液晶を滴下することになる。

本実施形態の液晶装置１００およびその製造方法の効果は、以下の通りである。
（１）迂回進入経路４５における無機配向膜１９，２５は、画素領域Ｅに比べて液晶の注入時における進入方向に対して抗する方向に配向処理方向が施された部分が多い。特に迂回進入経路４５の短辺側では、配向処理方向が液晶の進入方向と反対になっている（カラム１９ａ，２５ａの成長方向が液晶の進入方向に対して抗する方向になっている）。画素領域Ｅと同様に無機配向膜１８，２４を迂回進入経路４５に形成する場合に比べて、迂回進入経路４５における液晶の進入速度が低下して、液晶中の不純物を無機配向膜１９，２５に効率的にトラップさせることができる。また、不純物を無機配向膜１９，２５にトラップさせるので有機配向膜にトラップさせる場合に比べて、照射された光による劣化を防ぎ、優れた耐光性を有する。すなわち、不純物による初期的な表示不具合を低減すると共に、高い信頼性を有する液晶装置１００およびその製造方法を提供することができる。
（２）迂回進入経路４５は、素子基板１０側において走査線駆動回路１０２や検査回路１０３を間に挟んで第１シール部４１と第２シール部４３とを配置することで構成されている。したがって、これらの周辺回路による基材１０ａ上の凹凸が無機配向膜１９に反映され、無機配向膜１９の実質的な表面積が増えるので、不純物のトラップ能力を向上させることができる。
（３）液晶装置１００の製造方法において、画素領域Ｅと迂回進入経路４５の配向処理方向を異ならせる方法は、先に迂回進入経路４５側の無機配向膜１９，２５を形成した後に、蒸着マスクを用いて選択的に画素領域Ｅ側の無機配向膜１８，２４を形成する。したがって、先に画素領域Ｅ側の無機配向膜１８，２４を形成する場合に比べて、配向処理方向が異なる無機配向膜１９，２５を選択的に形成しないので、画素領域Ｅに無機配向膜１９，２５がはみ出すような不具合を防止できる。つまり、画素領域Ｅにおいて安定した液晶分子ＬＣの配向状態を実現できる。
（４）液晶装置１００の製造方法において、液晶注入は、チャンバー内において液晶パネル１１０を素子基板１０側を下方にして略水平に配置して行うので、実質的な表面積が大きい無機配向膜１９に不純物を効果的にトラップさせることができる。

（第２実施形態）
＜他の液晶装置およびその製造方法＞
次に、本発明における他の液晶装置およびその製造方法の実施形態について、図１０および図１１を参照して説明する。図１０は第２実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図、図１１（ａ）および（ｂ）は第２実施形態の液晶装置における無機配向膜の配向処理方向を示す概略平面図である。第２実施形態の液晶装置は、第１実施形態に対して第１注入口４２および第２注入口４４の位置と、迂回進入経路４５における配向処理方向を異ならせたものである。なお、第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。

図１０に示すように、本実施形態の液晶装置２１０は、第１シール部４１と第２シール部４３とにより液晶の迂回進入経路４５が構成された二重シール構造となっている。第１シール部４１のＹ方向に沿った短辺側に第１注入口４２が開口している。第１注入口４２が設けられた短辺側と対向する短辺側の第２シール部４３に第２注入口４４が開口している。液晶は第１注入口４２から進入し、迂回進入経路４５を経て第２注入口４４から画素領域Ｅに充填されている。第１注入口４２は封止材１０８によって封止されている。

図１１（ａ）に示すように、素子基板１０側では、画素領域Ｅよりも一回り大きな第１領域Ｅ１に無機配向膜１８が形成されている。無機配向膜１８の配向処理方向は、四角形の基材１０ａの右上から左下に向かう実線の矢印で示す方向である。Ｙ方向と当該配向処理方向とがなす角度θａはおよそ４５度である。当該配向処理方向は、無機配向膜１８を成膜するときの成膜方向における方位にほぼ合致している。

第１領域Ｅ１を取り囲む周辺領域である第２領域Ｅ２に無機配向膜１９が形成されている。無機配向膜１９の配向処理方向は、Ｘ方向に沿って基材１０ａの左から右に向かう実線の矢印で示す方向である。

図１１（ｂ）に示すように、対向基板２０側では、画素領域Ｅよりも一回り大きな第３領域Ｅ３に無機配向膜２４が形成されている。無機配向膜２４の配向処理方向は、四角形の基材２０ａの左下から右上に向かう破線の矢印で示す方向である。Ｙ方向と当該配向処理方向とがなす角度θａは素子基板１０側と同じくおよそ４５度である。当該配向処理方向は、無機配向膜２４を成膜するときの成膜方向における方位にほぼ合致している。

第３領域Ｅ３を取り囲む周辺領域である第４領域Ｅ４に無機配向膜２５が形成されている。無機配向膜２５の配向処理方向は、Ｘ方向に沿って基材２０ａの左から右に向かう破線の矢印で示す方向である。
なお、図１１（ｂ）は対向基板２０を液晶層５０と反対側から見たときの無機配向膜２４，２５の配向処理方向を示すものである。また、素子基板１０における無機配向膜１８，１９および対向基板２０における無機配向膜２４，２５の形成方法は、第１実施形態と同じである。

本実施形態の効果は、第１実施形態の効果（２）〜（４）に加えて以下の効果を奏する。
（５）迂回進入経路４５における無機配向膜１９，２５は、画素領域Ｅに比べて液晶の注入時における進入方向に対して抗する方向に配向処理方向が施された部分が多い。特に迂回進入経路４５の長辺側において、配向処理方向が液晶の進入方向と反対になっている（カラム１９ａ，２５ａが液晶の進入方向と逆向きの方向に傾斜している）。したがって、第１実施形態に比べて、液晶中の不純物を無機配向膜１９，２５に効率的にトラップ可能な部分の長さを長くすることができる。また、不純物を無機配向膜１９，２５にトラップさせるので有機配向膜にトラップさせる場合に比べて、照射された光による劣化を防ぎ、優れた耐光性を有する。すなわち、不純物による初期的な表示不具合を低減すると共に、高い信頼性を有する液晶装置２１０およびその製造方法を提供することができる。

（第３実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について、図１２を参照して説明する。図１２は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。

図１２に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００または液晶装置２１０が適用されたものである。液晶装置１００（または液晶装置２１０）は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、製造工程中で液晶に含まれる不純物が画素領域Ｅに拡散しないように迂回進入経路４５においてトラップされた液晶装置１００（または液晶装置２１０）を用いているので、優れた表示品質と高い耐光性とが実現されている。

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置および該液晶装置の製造方法ならびに該液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）液晶の迂回進入経路４５における無機配向膜１９，２５のカラム１９ａ，２５ａの成長方向はこれに限定されない。図１３は変形例１の迂回進入経路における無機配向膜のカラムの成長方向を示す概略断面図である。
素子基板１０と対向基板２０とのうち一方において、画素領域Ｅと迂回進入経路４５における無機配向膜の配向処理方向（あるいはカラムの成長方向）を異ならせても、迂回進入経路４５における液晶の進入速度を低下させることが可能である。具体的には、図１３に示すように、例えば、迂回進入経路４５において周辺回路を含んだ領域に形成される素子基板１０側の無機配向膜１９は上記実施形態と同じくカラム１９ａの成長方向が液晶の進入方向に対して抗するように形成する。その一方で、マザー基板１０Ｗに面付けされた素子基板１０対して個々に貼り合わせる対向基板２０は、画素領域Ｅと迂回進入経路４５とに亘って無機配向膜２４を形成するとしてもよい。液晶装置の製造工程をそれほど複雑にせずに、液晶中の不純物を効率的に無機配向膜１９，２４にトラップさせることができる。

（変形例２）上記実施形態の迂回進入経路４５における無機配向膜１９，２５の配向処理方向（成膜時の成膜方位）は、基材１０ａ，２０ａの辺部に沿ったＸ方向またはＹ方向に限定されない。換言すれば、液晶５０ａの進入方向に対して必ず反対方向の部分を有することに限定されない。無機配向膜１９，２５の成膜時の方位ばらつきにより、反対方向からずれた部分があってもよい。

（変形例３）上記実施形態の迂回進入経路４５を適用可能な液晶装置は、透過型に限定されない。光反射性を有する画素電極１５を備えた反射型や半透過反射型の液晶装置にも適用可能である。

（変形例４）液晶装置１００を適用可能な電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。

１０…一方の基板としての素子基板、１５…画素電極、１８…第１無機配向膜としての無機配向膜、１８ａ…柱状結晶体（カラム）、１９…第３無機配向膜としての無機配向膜、１９ａ…柱状結晶体（カラム）、２０…他方の基板としての対向基板、２４…第２無機配向膜としての無機配向膜、２４ａ…柱状結晶体（カラム）、２５…無機配向膜、２５ａ…柱状結晶体（カラム）、３０…トランジスターとしての薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、４１…第１シール部、４２…第１注入口、４３…第２シール部、４４…第２注入口、４５…迂回進入経路、５０…液晶層、５０ａ…液晶、１００，２１０…液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｅ…画素領域、ＬＣ…液晶分子。

Claims (13)

1. 一対の基板と、
   所定の間隔をおいて対向配置された前記一対の基板を接着する第１シール部と、
   接着された前記一対の基板間に液晶を注入するために前記第１シール部に設けられた第１注入口と、
   前記第１シール部よりも内側に配置され、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において画素領域に連通する第２注入口を有して前記液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部と、
   前記一対の基板の前記液晶側にそれぞれ設けられた無機配向膜と、を有し、
   前記一対の基板の少なくとも一方において、前記迂回進入経路の前記無機配向膜は、前記画素領域における前記無機配向膜よりも、前記迂回進入経路における前記液晶の進入方向に対して抗する方向に配向処理方向が向いた部分を多く有することを特徴とする液晶装置。
2. 前記一対の基板のそれぞれにおいて、前記迂回進入経路の前記無機配向膜は、前記迂回進入経路における前記液晶の進入方向に対して抗する方向に配向処理方向が向いた部分を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記迂回進入経路の前記無機配向膜は、前記迂回進入経路における前記液晶の進入方向に対して反対方向に配向処理方向が向いた部分を有することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
4. 前記画素領域は、平面視で略長方形であり、前記第１注入口および前記第２注入口は、前記画素領域の長辺に沿った部分に設けられ、
   前記迂回進入経路のうち前記画素領域の短辺に沿った部分における前記無機配向膜の配向処理方向が前記液晶の進入方向に対して反対方向に向いていることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
5. 前記一対の基板のうちの一方の基板は、前記画素領域に配列した複数の画素電極と、前記画素電極ごとに対応して設けられたトランジスターとを含み、
   前記一方の基板において、前記迂回進入経路の前記無機配向膜の配向処理方向が前記迂回進入経路における前記液晶の進入方向に対して抗する方向に向いた部分を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
6. 前記無機配向膜は、無機材料を気相成長法により成膜して得られ、
   前記一対の基板の少なくとも一方において、前記画素領域における前記無機材料の成膜方位と、前記迂回進入経路における前記無機材料の成膜方位とが異なることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置。
7. 前記無機配向膜は、無機材料を気相成長法により基板上に結晶化させて得られる柱状結晶体の集合体であって、
   前記一対の基板のうちの少なくとも一方における前記迂回進入経路の前記無機配向膜は、前記柱状結晶体の成長方向が前記液晶の進入方向に抗する方向に向いていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置。
8. 一対の基板のうち一方の基板の液晶層に面する側の少なくとも画素領域に第１無機配向膜を形成する第１無機配向膜形成工程と、
   前記一対の基板のうち他方の基板の前記液晶層に面する側の少なくとも前記画素領域に第２無機配向膜を形成する第２無機配向膜形成工程と、
   前記一対の基板うちいずれか一方に、第１注入口を有する第１シール部を形成する工程と、
   前記第１シール部よりも内側であって、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において前記画素領域に連通する第２注入口を有して前記液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部を形成する工程と、
   前記一対の基板を所定の間隔をおいて対向配置し、前記第１シール部と前記第２シール部とにより接着する工程と、
   真空注入法を用いて前記第１注入口から前記迂回進入経路を経由して前記一対の基板の隙間に液晶を注入する液晶注入工程と、を備え、
   前記第１無機配向膜形成工程および前記第２無機配向膜形成工程のうち少なくとも一方は、前記迂回進入経路における前記液晶の進入方向に対して配向処理方向が抗する方向が前記画素領域よりも多くなるように、前記迂回進入経路に第３無機配向膜を形成する第３無機配向膜形成工程を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
9. 前記第３無機配向膜を形成した後に、前記第１無機配向膜または前記第２無機配向膜を形成することを特徴とする請求項８に記載の液晶装置の製造方法。
10. 前記液晶注入工程は、前記一対の基板を略水平に保持した状態で行われ、
    前記第３無機配向膜形成工程は、前記一対の基板のうち前記液晶注入工程で下方側に位置する基板に対して行われることを特徴とする請求項８または９に記載の液晶装置の製造方法。
11. 前記第３無機配向膜形成工程が施される基板は、前記画素領域に配列した複数の画素電極と、前記画素電極ごとに対応したトランジスターとを含むことを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
12. 前記第３無機配向膜は、気相成長法を用いて基板上に無機材料を結晶化させて得られる柱状結晶体の集合体からなり、
    前記第３無機配向膜形成工程は、前記柱状結晶体が前記液晶の進入方向に抗する方向に成長するように前記第３無機配向膜を形成することを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
13. 請求項１乃至７のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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