JP2013038245A - 発光素子、発光装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】高効率かつ長寿命に赤外線を発光する赤外線発光層と、高効率かつ長寿命に可視光を発光する可視光発光層とを備える発光素子、およびかかる発光素子を備える発光装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の発光素子１は、陽極３と、陰極１１と、陽極３と陰極１１との間に設けられた、可視光を発光する可視光発光層７、および赤外線を発光する赤外線発光層６とを有する。また、前記赤外線発光層は、発光材料として、チアジアゾール系化合物を含有するのが好ましい。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光素子、発光装置、電子機器に関するものである。

有機エレクトロルミネッセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、陽極と陰極との間に少なくとも１層の発光性有機層を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される。

このような発光素子としては、７００ｎｍを超える長波長域すなわち近赤外域の赤外線を発光するものが知られている（例えば、特許文献１、２参照）。
例えば、特許文献１、２に記載の発光素子では、分子内に官能基として電子供与体であるアミンと電子受容体であるニトリル基を共存させた材料を発光層のドーパントとして用いることにより、発光波長を長波長化している。

しかし、従来では、近赤外域で発光する高効率かつ長寿命な素子を実現することはできなかった。
したがって、近赤外域で発光する発光層と、可視光領域で発光する発光層とを備える発光素子の実現も考えられるが、かかる発光素子に適用すると、可視光領域における長期の発光を実現し得るものの、近赤外領域における長期の発光を実現することが出来なかった。

特開２０００−０９１９７３号公報 特開２００１−１１０５７０号公報

本発明の目的は、高効率かつ長寿命に赤外線を発光する赤外線発光層と、高効率かつ長寿命に可視光を発光する可視光発光層とを備える発光素子、およびかかる発光素子を備える発光装置および電子機器を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の発光素子は、陽極と、
陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に設けられた、可視光を発光する可視光発光層、および赤外線を発光する赤外線発光層とを有することを特徴とする。
これにより、高効率かつ長寿命に赤外線を発光する赤外線発光層と、高効率かつ長寿命に可視光を発光する可視光発光層とを備える発光素子とすることができる。

本発明の発光素子では、前記赤外線発光層は、発光材料として、チアジアゾール系化合物を含有することが好ましい。
チアジアゾール系化合物は、近赤外域で発光させることができることから、赤外線発光層の発光材料として好適に用いられる。

本発明の発光素子では、前記チアジアゾール系化合物は、下記式（１Ａ）で表わされることが好ましい。

［式（１Ａ）中、ＡおよびＢは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミンを示す。］
かかる構成のチアジアゾール系化合物は、近赤外域で発光させることができることから、赤外線発光層の発光材料として好適に用いられる。

本発明の発光素子では、前記チアジアゾール系化合物は、下記式（１Ｂ）で表わされることが好ましい。

［式（１Ｂ）中、Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミンを示す。］
かかる構成のチアジアゾール系化合物は、近赤外域で発光させることができることから、赤外線発光層の発光材料として好適に用いられる。

本発明の発光素子では、前記チアジアゾール系化合物は、下記式（１Ｃ）で表わされることが好ましい。

［式（１Ｃ）中、ＡおよびＢは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミンを示す。］
かかる構成のチアジアゾール系化合物は、近赤外域で発光させることができることから、赤外線発光層の発光材料として好適に用いられる。

本発明の発光素子では、前記赤外線発光層は、発光材料として、下記式（２）で表される白金錯体系化合物を含有することが好ましい。

かかる構成の白金錯体系化合物は、近赤外域で発光させることができることから、赤外線発光層の発光材料として好適に用いられる。

本発明の発光素子では、前記赤外線発光層は、さらに、前記発光材料を保持するホスト材料を含有することが好ましい。
ホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、発光材料を励起する機能を有する。そのため、発光素子の発光効率を高めることができる。

本発明の発光素子では、前記可視光として白色光を発光することが好ましい。
これにより、かかる構成の発光素子を、照明用光源や、肌診断装置の光源に適用することができる。
本発明の発光素子では、前記可視光として緑色光を発光することが好ましい。
これにより、かかる構成の発光素子を、脈拍測定装置および認証装置の光源に適用することができる。
本発明の発光装置は、本発明の発光素子を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性に優れる発光装置とすることができる。
本発明の電子機器は、本発明の発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性に優れる電子機器とすることができる。

本発明の発光素子の第１実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の発光素子の第２実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の発光素子の第３実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の発光素子の第４実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の発光素子の第５実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の発光装置を適用した照明用光源の実施形態を示す図である。 本発明の発光装置を適用した肌診断装置の実施形態を示す図である。 本発明の発光装置を適用した脈拍測定装置の実施形態を示す図である。 本発明の発光装置を適用した認証装置の実施形態を示す図である。 本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 実施例１〜４の発光素子における発光スペクトルを示す図である。 実施例５〜８の発光素子における発光スペクトルを示す図である。 参考例１、２の発光素子における発光スペクトルを示す図である。

以下、本発明の発光素子、発光装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の発光素子の第１実施形態について説明する。
図１は、本発明の発光素子の第１実施形態を模式的に示す断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。

図１に示す発光素子（エレクトロルミネッセンス素子）１は、陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５と赤外線発光層６と赤色発光層７Ｒと第１中間層８Ａと青色発光層７Ｂと緑色発光層７Gと電子輸送層９と電子注入層１０と陰極１１とがこの順に積層されてなるものである。すなわち、発光素子１では、陽極３と陰極１１との間に、陽極３側から陰極１１側へ正孔注入層４と正孔輸送層５と赤外線発光層６と赤色発光層７Ｒと第１中間層８Ａと青色発光層７Ｂと緑色発光層７Gと電子輸送層９と電子注入層１０とがこの順で積層された積層体１４が介挿されている。

そして、発光素子１は、その全体が基板２上に設けられるとともに、封止部材１２で封止されている。
このような発光素子１にあっては、赤外線発光層６、赤色発光層７Ｒ、青色発光層７Ｂ、および緑色発光層７Ｇの各発光層に対し、陰極１１側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、各発光層では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出する。そのため、赤外線発光層６が赤外線を発光するとともに、赤色発光層７Ｒ、青色発光層７B、および緑色発光層７Ｇがそれぞれ赤色、青色、および緑色の可視光を発光する。これにより、発光素子１は、赤外線と白色の可視光とを発光する。なお、本実施形態では、赤色発光層７Ｒ、青色発光層７B、および緑色発光層７Ｇの３層により、可視光を発光する可視光発光層７が構成される。

また、本実施形態では、発光素子１は、赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとの間に第１中間層８Ａを有しているので、赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとの間での正孔および電子の移動を調整することができるため、赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとの間での励起子のエネルギー移動を阻止することができる。その結果、赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとがそれぞれバランスよく発光することとなり、発光素子１は、可視光として、より確実に白色発光するものとなる。

さらに、赤外線発光層６は、その発光材料として、後述するようなものを用いることにより、近赤外域で発光するものとし得る。なお、本明細書において、「近赤外域」とは、７００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下の波長域を言う。
基板２は、陽極３を支持するものである。本実施形態の発光素子１は、基板２側から光を取り出す構成（ボトムエミッション型）であるため、基板２および陽極３は、それぞれ、実質的に透明（無色透明、着色透明または半透明）とされている。

基板２の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このような基板２の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。

なお、発光素子１が基板２と反対側から光を取り出す構成（トップエミッション型）の場合、基板２には、透明基板および不透明基板のいずれも用いることができる。
不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
また、このような発光素子１では、陽極３と陰極１１との間の距離（すなわち積層体１４の平均厚さ）は、１００〜５００ｎｍであるのが好ましく、１００〜３００ｎｍであるのがより好ましく、１００〜２５０ｎｍであるのがさらに好ましい。これにより、簡単かつ確実に、発光素子１の駆動電圧を実用的な範囲内にすることができる。

以下、発光素子１を構成する各部を順次説明する。
［陽極］
陽極３は、後述する正孔注入層４を介して正孔輸送層５に正孔を注入する電極である。この陽極３の構成材料としては、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。

陽極３の構成材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ_３Ｏ_３、ＳｎＯ_２、Ｓｂ含有ＳｎＯ_２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
特に、陽極３は、ＩＴＯで構成されているのが好ましい。ＩＴＯは、透明性を有するとともに、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料である。これにより、陽極３から正孔注入層４へ効率的に正孔を注入することができる。

また、陽極３の正孔注入層４側の面（図１にて上面）は、プラズマ処理が施されているのが好ましい。これにより、陽極３と正孔注入層４との接合面の化学的および機械的な安定性を高めることができる。その結果、陽極３から正孔注入層４への正孔注入性を向上させることができる。なお、かかるプラズマ処理については、後述する発光素子１の製造方法の説明において詳述する。
このような陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。

［陰極］
一方、陰極１１は、後述する電子注入層１０を介して電子輸送層９に電子を注入する電極である。この陰極１１の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
陰極１１の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体、複数種の混合層等として）用いることができる。

特に、陰極１１の構成材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極１１の構成材料として用いることにより、陰極１１の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
このような陰極１１の平均厚さは、特に限定されないが、１００〜１００００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、本実施形態の発光素子１は、ボトムエミッション型であるため、陰極１１に、光透過性は、特に要求されない。また、トップエミッション型である場合には、陰極１１側から光を透過させる必要があるので、陰極１１の平均厚さは、１〜５０ｎｍ程度であるのが好ましい。

［正孔注入層］
正孔注入層４は、陽極３からの正孔注入効率を向上させる機能を有する（すなわち正孔注入性を有する）ものである。
このように陽極３と後述する正孔輸送層５との間に正孔注入層４を設けることにより、陽極３からの正孔性を向上させ、その結果、発光素子１の発光効率を高めることができる。

この正孔注入層４は、正孔注入性を有する材料（すなわち正孔注入性材料）を含んでいる。
この正孔注入層４に含まれる正孔注入性材料としては、特に限定されないが、例えば、銅フタロシアニンや、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−ジフェニルアミノ−フェニル）−Ｎ, Ｎ’−ジフェニル−ビフェニル−４−４’−ジアミン等が挙げられる。

中でも、正孔注入層４に含まれる正孔注入性材料としては、正孔注入性および正孔輸送性に優れるという観点から、アミン系材料を用いるのが好ましく、ジアミノベンゼン誘導体、ベンジジン誘導体（ベンジジン骨格を有する材料）、分子内に「ジアミノベンゼン」ユニットと「ベンジジン」ユニットとの両方を有するトリアミン系化合物、テトラアミン系化合物を用いるのがより好ましい。
このような正孔注入層４の平均厚さは、特に限定されないが、５〜９０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜７０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、正孔注入層４は、陽極３および正孔輸送層５の構成材料によっては、省略してもよい。

［正孔輸送層］
正孔輸送層５は、陽極３から正孔注入層４を介して注入された正孔を赤外線発光層６まで輸送する機能を有する（すなわち正孔輸送性を有する）ものである。
この正孔輸送層５は、正孔輸送性を有する材料（すなわち正孔輸送性材料）を含んで構成されている。

この正孔輸送層５に含まれる正孔輸送性材料には、各種ｐ型の高分子材料や、各種ｐ型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができ、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）等のテトラアリールベンジジン誘導体、テトラアリールジアミノフルオレン化合物またはその誘導体（アミン系化合物）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

中でも、正孔輸送層５に含まれる正孔輸送性材料としては、正孔注入性および正孔輸送性に優れるという観点から、アミン系材料であるのが好ましく、ベンジジン誘導体（ベンジジン骨格を有する材料）であるのがより好ましい。
このような正孔輸送層５の平均厚さは、特に限定されないが、５〜９０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜７０ｎｍ程度であるのがより好ましい。

［赤外線発光層］
この赤外線発光層６は、前述した陽極３と陰極１１との間に通電することにより、発光光として赤外線を発光するものである。
このような赤外線発光層６は、発光光として赤外線を発光する発光材料を含んで構成されていればよいが、特に、７００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下の波長域である近赤外域の赤外線を発光する発光材料を含んで構成されているのが好ましい。

このような近赤外域の赤外線を発光する発光材料としては、特に、チアジアゾール系化合物および白金錯体系化合物が好ましく用いられる。
チアジアゾール系化合物としては、下記式（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）で表わされる化合物が挙げられる。
まず、下記式（１Ａ）で表わされる化合物について説明する。

［式（１Ａ）中、ＡおよびＢは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミンを示す。］

このようなチアジアゾール系化合物を発光材料として含む構成とすることで、赤外線発光層６は、７００ｎｍ以上の波長域（近赤外域）での発光を得ることができる。
特に、赤外線発光層６に用いる発光材料（チアジアゾール系化合物）としては、下記式（２Ａ）または式（３Ａ）で表わされる化合物を用いるのが好ましい。

［式（２Ａ）、（３Ａ）中、Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミンを示す。］

すなわち、前記式（１Ａ）において、Ｂがそれぞれフェニル基またはメチル基であるのが好ましい。
フェニル基およびメチル基は、それぞれ化学的安定性が比較的高い。そのため、かかる化合物を赤外線発光層６に含まれる発光材料として用いることにより、赤外線発光層６ひいては発光素子１の長寿命化を図ることができる。また、発光材料の分子量を比較的小さく抑えることができることから、気相成膜を用いて赤外線発光層６を高精度に形成することができる。その結果、この点でも、発光素子１の高効率化および長寿命化を図ることが可能となる。
さらに、赤外線発光層６に用いる発光材料としては、下記式（４Ａ）〜（９Ａ）で表わされる化合物を用いるのが好ましく、具体的には、特に、下記式Ｄ−１〜Ｄ−３で表わされる化合物を用いるのが好ましい。

［式（４Ａ）〜（９Ａ）中、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を示す。また、隣合う２つのＲの炭素同士が連結して環状をなしていてもよい。］

次に、下記式（１Ｂ）で表わされる化合物について説明する。

［式（１Ｂ）中、Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミンを示す。］

このようなチアジアゾール系化合物を発光材料として含む構成とすることで、赤外線発光層６は、７００ｎｍ以上の波長域（近赤外域）での発光を得ることができる。
特に、赤外線発光層６に用いる発光材料としては、下記式（２Ｂ）〜（４Ｂ）で表わされる化合物を用いるのが好ましく、具体的には、例えば、下記式Ｄ−４〜Ｄ−６で表わされる化合物を用いるのが好ましい。

［式（２Ｂ）〜（４Ｂ）中、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を示す。また、隣り合う２つのＲの炭素同士が連結して環状をなしていてもよい。］

次に、下記式（１Ｃ）で表わされる化合物について説明する。

［式（１Ｃ）中、ＡおよびＢは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミンを示す。］

このようなチアジアゾール系化合物を含む発光層６は、７００ｎｍ以上の波長域（近赤外域）での発光を得ることができる。
また、発光層６に用いる発光材料としては、高効率化および長寿命化を図れるという観点から、化下記式（２Ｃ）〜（４Ｃ）で表わされる化合物を用いるのが好ましく、具体的には、特に、下記式Ｄ−７〜Ｄ−９で表わされる化合物を用いるのが好ましい。

［式（２Ｃ）〜（４Ｃ）中、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を示す。また、隣合う２つのＲの炭素同士が連結して環状をなしていてもよい。］

また、白金錯体系化合物としては、下記式（２）で表わされる化合物が挙げられる。

このような白金錯体系化合物（具体的にはPt(II) Tetrahenyl tetrabenzo porphrin：Pt（TPTBP））を含む赤外線発光層６によっても、７００ｎｍ以上の波長域（近赤外域）での発光を得ることができる。
なお、赤外線発光層６は、上述した発光材料以外の発光材料（各種蛍光材料、各種燐光材料）が含まれていてもよい。

また、赤外線発光層６の構成材料としては、前述したような発光材料に加えて、この発光材料がゲスト材料（ドーパント）として添加（担持）されるホスト材料を用いるのが好ましい。
このホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、発光材料を励起する機能を有する。そのため、発光素子１の発光効率を高めることができる。このようなホスト材料は、例えば、ゲスト材料である発光材料をドーパントとしてホスト材料にドープして用いることができる。

このようなホスト材料としては、用いる発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体、ナフタセン誘導体、２−ｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）等のアントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（ｐ−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）等のキノリノラト系金属錯体、トリフェニルアミンの４量体等のトリアリールアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ルブレンおよびその誘導体、シロール誘導体、ジカルバゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ベンゾピラン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）、３−フェニル−４−（１’−ナフチル）−５−フェニルカルバゾール、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
これらの中でも、ホスト材料としては、アセン系材料を用いるのが好ましい。

アセン系材料は、前述したような発光材料との不本意な相互材用が少ない。また、ホスト材料としてアセン系材料（特にアントラセン系材料、テトラセン系材料）を用いると、ホスト材料から発光材料へのエネルギー移動を効率的に行うことができる。これは、（ａ）アセン系材料の三重項励起状態からのエネルギー移動による発光材料の一重項励起状態の生成が可能となること、（ｂ）アセン系材料のπ電子雲と発光材料の電子雲との重なりが大きくなること、（ｃ）アセン系材料の蛍光スペクトルと発光材料の吸収スペクトルとの重なりが大きくなること等によるものと考えられる。
このようなことから、ホスト材料としてアセン系材料を用いると、発光素子１の発光効率を高めることができる。

また、アセン系材料は、電子および正孔に対する耐性に優れる。また、アセン系材料は、熱安定性にも優れる。そのため、発光素子１は、長寿命化を図ることができる。また、アセン系材料は、熱安定性に優れるため、気相成膜法を用いて発光層を形成する場合に、成膜時の熱によるホスト材料の分解を防止することができる。そのため、優れた膜質を有する発光層を形成することができ、その結果、この点でも、発光素子１の発光効率を高めるとともに長寿命化を図ることができる。

さらに、アセン系材料は、それ自体発光しにくいので、ホスト材料が発光素子１の発光スペクトルに悪影響を及ぼすのを防止することもできる。
このようなアセン系材料は、アセン骨格を有し、かつ、前述したような効果を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ナフタセン誘導体（テトラセン誘導体）、ペンタセン誘導体が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、アントラセン誘導体（アントラセン系材料）またはテトラセン誘導体（テトラセン系材料）を用いるのが好ましい。
これにより、赤色発光層７Ｒから赤外線発光層６中のアントラセン系材料またはテトラセン系材料へ電子を効率的に受け渡すことができる。

テトラセン系材料としては、１つの分子内に少なくとも１つのテトラセン骨格を有し、かつ、前述したようなホスト材料としての機能を発揮し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、下記式ＩＲＨ−１で表わされる化合物を用いるのが好ましく、下記式ＩＲＨ−２で表わされる化合物を用いるのがより好ましく、下記ＩＲＨ−３で表わされる化合物を用いるのがさらに好ましい。

［前記式ＩＲＨ−１中、ｎは、１〜１２の自然数を示し、Ｒは置換機または官能基を表し、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基を示す。また、前記式ＩＲＨ−２、ＩＲＨ−３中、Ｒ_１〜Ｒ_４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基を示す。また、Ｒ_１〜Ｒ_４は、互いに同じであっても異なっていてもよい。］

また、テトラセン系材料は、炭素原子および水素原子で構成されているのが好ましい。これにより、ホスト材料と発光材料との不本意な相互作用が生じるのを防止することができる。そのため、発光素子１の発光効率を高めることができる。また、電位および正孔に対するホスト材料の耐性を高めることができる。そのため、発光素子１の長寿命化を図ることができる。
具体的には、テトラセン系材料としては、例えば、下記式Ｈ１−１〜Ｈ１−１１で表わされる化合物、下記式Ｈ１−１２〜Ｈ１−２７で表される化合物を用いるのが好ましい。

また、アントラセン系材料としては、１つの分子内に少なくとも１つのアントラセン骨格を有し、かつ、前述したようなホスト材料としての機能を発揮し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、下記式ＩＲＨ−４で表わされる化合物またはその誘導体を用いるのが好ましく、下記式ＩＲＨ５〜ＩＲＨ−８で表わされる化合物を用いるのがより好ましい。

［前記式ＩＲＨ−４中、ｎは、１〜１０の自然数を示し、Ｒは置換基または官能基を表し、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基を示す。また、前記式ＩＲＨ−５〜ＩＲＨ−８中、Ｒ_１、Ｒ_２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基を示す。また、Ｒ_１、Ｒ_２は、互いに同じであっても異なっていてもよい。］

また、アントラセン系材料は、炭素原子および水素原子で構成されているのが好ましい。これにより、ホスト材料と発光材料との不本意な相互作用が生じるのを防止することができる。そのため、発光素子１の発光効率を高めることができる。また、電位および正孔に対するホスト材料の耐性を高めることができる。そのため、発光素子１の長寿命化を図ることができる。
具体的には、アントラセン系材料としては、例えば、下記式Ｈ２−１〜Ｈ２−１６で表わされる化合物、下記式Ｈ２−２１〜Ｈ２−４０で表される化合物、下記式Ｈ２−５１〜Ｈ２−７０で表される化合物を用いるのが好ましい。

なお、このような発光材料およびホスト材料を含む赤外線発光層６中における発光材料の含有量（ドープ量）は、０．０１〜１０ｗｔ％であるのが好ましく、０．１〜５ｗｔ％であるのがより好ましい。発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができる。
また、赤外線発光層６の平均厚さは、特に限定されないが、１〜６０ｎｍ程度であるのが好ましく、３〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。

［赤色発光層］
この赤色発光層７Ｒは、前述した陽極３と陰極１１との間に通電することにより、発光光（可視光）として赤色光を発光するものである。
この赤色発光層７Ｒは、赤色に発光する赤色発光材料を含んで構成されている。
このような赤色発光材料としては、特に限定されず、各種赤色蛍光材料、赤色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。

赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、下記化学式（１７）で表わされる化合物（ジインデノペリレン誘導体）等のペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）等を挙げられる。

中でも、赤色発光材料としては、ジインデノペリレン誘導体を用いるのが好ましい。これにより、赤色発光層７Ｒをより高輝度で赤色発光させることができる。
赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つがフェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものも挙げられる。より具体的には、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（アセチルアセトネート）（ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−１２Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（ＩＩ）、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム、ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（アセチルアセトネート）が挙げられる。

また、赤色発光層７Ｒ中には、前述した赤色発光材料の他に、赤色発光材料をゲスト材料とするホスト材料が含まれているのが好ましい。
このホスト材料としては、前記赤外線発光層６に含まれるホスト材料として説明したのと同様のものを用いることができる。
なお、本実施形態のように、赤外線発光層６と赤色発光層７Ｒとが隣接する構成とする場合、赤外線発光層６が陽極３側に位置する構成とするのが好ましい。これにより、各発光層６、７Ｒにおける、光の取り出し効率の向上を図ることができる。

さらに、この場合、赤色発光層７Ｒのホスト材料は、赤外線発光層６のホスト材料と同一であるのが好ましい。これにより、双方の発光層６、７Ｒ間においてバンドギャップが生じないため、電圧上昇を招くことなく、赤外線と赤色の光とをバランスよく発光させることができるようになる。すなわち、発光層６、７Ｒ同士を隣接させたとしても、赤外線と赤色の光との双方をバランスよく発光させることができる。

［第１中間層］
この第１中間層８Ａは、赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとの層間にこれらに接するように設けられ、赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとの間でキャリア（正孔および電子）の移動を調整する機能を有するものである。かかる機能により、赤色発光層７Ｒおよび青色発光層７Ｂをそれぞれ効率よく発光させることができる。

この第１中間層８Ａとしては、キャリア（正孔および電子）の移動を調整する機能を有するものであれば、いかなる構成を有するものであってもよいが、特に、前述した赤色発光層７Ｒのホスト材料と同種または同一の材料を含み、かつ、発光性を有する材料を実質的に含まずに構成されているものであるのが好ましい。
このような第１中間層８Ａの構成材料としては、例えば、赤色発光層７Ｒのホスト材料として説明したのと同様に、アセン系材料を含むものが好適に用いられる。

かかる材料を用いれば、第１中間層８Ａの最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー順位を、赤色発光層７Ｒおよび青色発光層７Ｂの双方の最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー順位よりも低く設定することができ、さらに、第１中間層８Ａの最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー順位を、赤色発光層７Ｒおよび青色発光層７Ｂの双方の最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー順位よりも高く設定することができる。その結果、赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとの間での励起子のエネルギー移動がより確実に阻止されることとなる。

アセン系材料としては、アセン骨格を有し、かつ、前述したような効果を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、テトラセン（ナフタセン）誘導体、ペンタセン誘導体、ヘキサセン誘導体、ヘプタセン誘導体等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、テトラセン（ナフタセン）誘導体を用いるのが好ましい。

テトラセン（ナフタセン）誘導体としては、特に限定されないが、前述した赤外線発光層６のホスト材料で説明したナフタセン誘導体と同様のものを用いることができる。
このようなナフタセン誘導体は、バイポーラ性を有する。したがって、第１中間層８Ａは、赤色発光層７Ｒから青色発光層７Ｂへ正孔を円滑に輸送するとともに、青色発光層７Ｂから赤色発光層７Ｒへ電子を円滑に輸送することができる。また、第１中間層８Ａは、電子および正孔に対して優れた耐性を有する。そのため、第１中間層８Ａの劣化を防止し、その結果、発光素子１の耐久性を向上させることができる。

このような第１中間層８Ａ中におけるアセン系材料の含有量は、特に限定されないが、１０〜９０ｗｔ％であるのが好ましく、３０〜７０ｗｔ％であるのがより好ましく、４０〜６０ｗｔ％であるのがさらに好ましい。
さらに、第１中間層８Ａの構成材料としては、前述したアセン系材料の他に、アミン系材料（アミン誘導体）を含むのが特に好ましい。

アミン系材料（すなわちアミン骨格を有する材料）は正孔輸送性に優れ、また、前述したアセン系材料（すなわちアセン骨格を有する材料）は電子輸送性に優れる。これにより、第１中間層８Ａは、電子輸送性および正孔輸送性の双方を有するものとなる。すなわち、第１中間層８Ａは、バイポーラ性を有するものとなる。このように第１中間層８Ａがバイポーラ性を有すると、赤色発光層７Ｒから第１中間層８Ａを介して青色発光層７Ｂへ正孔を円滑に受け渡すとともに、青色発光層７Ｂから第１中間層８Ａを介して赤色発光層７Ｒへ電子を円滑に受け渡すことができる。その結果、赤色発光層７Ｒおよび青色発光層７Ｂにそれぞれ電子および正孔を効率的に注入して発光させることができる。

また、このような第１中間層８Ａは、バイポーラ性を有するため、キャリア（電子、正孔）に対する耐性に優れている。その上、アセン系材料が励起子に対する耐性に優れていることから、第１中間層８Ａ中で電子と正孔が再結合して励起子が生成しても、第１中間層８Ａの劣化を防止または抑制することができる。これにより、第１中間層８Ａの励起子による劣化を防止または抑制し、その結果、発光素子１の耐久性を優れたものとすることができる。
このような第１中間層８Ａに用いられるアミン系材料としては、アミン骨格を有し、かつ、前述したような効果を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、前述した正孔輸送材料のうちのアミン骨格を有する材料を用いることができるが、ベンジジン系アミン誘導体を用いるのが好ましい。

特に、ベンジジン系アミン誘導体のなかでも、第１中間層８Ａに用いられるアミン系材料としては、２つ以上のナフチル基を導入したものが好ましい。このようなベンジジン系アミン誘導体としては、例えば、下記化学式（２２）で表されるようなＮ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）や、下記化学式（２３）で表されるようなＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラナフチル−ベンジジン（ＴＮＢ）などが挙げられる。

このようなアミン系材料は、一般に、正孔輸送性に優れており、アミン系材料の正孔移動度は、後述するアセン系材料の正孔移動度よりも高い。したがって、赤色発光層７Ｒから第１中間層８Ａを介して青色発光層７Ｂへ正孔を円滑に受け渡すことができる。
このような第１中間層８Ａ中におけるアミン系材料の含有量は、特に限定されないが、１０〜９０ｗｔ％であるのが好ましく、３０〜７０ｗｔ％であるのがより好ましく、４０〜６０ｗｔ％であるのがさらに好ましい。

また、第１中間層８Ａの平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍであるのが好ましく、３〜５０ｎｍであるのがより好ましく、５〜３０ｎｍであるのがさらに好ましい。これにより、駆動電圧を抑えつつ、第１中間層８Ａが赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとの間での正孔および電子の移動を確実に調整することができる。
これに対し、第１中間層８Ａの平均厚さが前記上限値を超えると、第１中間層８Ａの構成材料等によっては、駆動電圧が著しく高くなったり、発光素子１の発光（特に白色発光）が難しくなったりする場合がある。一方、第１中間層８Ａの平均厚さが前記下限値未満であると、第１中間層８Ａの構成材料や駆動電圧等によっては、第１中間層８Ａが赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとの間での正孔および電子の移動を確実に調整するのが難しくなるおそれがある。

［青色発光層］
この青色発光層７Ｂは、前述した陽極３と陰極１１との間に通電することにより、発光光（可視光）として青色光を発光するものである。
この青色発光層７Ｂは、青色に発光する青色発光材料を含んで構成されている。
このような青色発光材料としては、例えば、各種青色蛍光材料および青色燐光材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて用いることができる。

青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、下記化学式（２４Ａ）または下記化学式（２４Ｂ）で示されるスチリルアミン系化合物等のスチリルアミン誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ポリ［（９．９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−｛２−エトキシヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（エチルニルベンゼン）］等が挙げられる。

青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、具体的には、ビス［４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’］−ピコリネート−イリジウム、トリス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム、ビス［２−（３，５−トリフルオロメチル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’］−ピコリネート−イリジウム、ビス（４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（アセチルアセトネート）等が挙げられる。
また、青色発光層７Ｂ中には、前述した青色発光材料の他に、青色発光材料をゲスト材料とするホスト材料が含まれているのが好ましい。
このようなホスト材料としては、前記赤外線発光層６に含まれるホスト材料として説明したのと同様のものを用いることができる。

［緑色発光層］
この緑色発光層７Ｇは、前述した陽極３と陰極１１との間に通電することにより、発光光（可視光）として緑色光を発光するものである。
この緑色発光層７Ｇは、緑色に発光する緑色発光材料を含んで構成されている。
このような緑色発光材料としては、特に限定されず、各種緑色蛍光材料、緑色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。

緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、下記化学式（２５）に示すキナクリドン誘導体等のキナクリドンおよびその誘導体、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ポリ（９，９−ジヘキシル−２，７−ビニレンフルオレニレン）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（１，４−ジフェニレン−ビニレン−２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝ベンゼン）］、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−（２−エトキシルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン）］等が挙げられる。

緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、具体的には、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（アセチルアセトネート）、ファク−トリス［５−フルオロ−２−（５−トリフルオロメチル−２−ピリジン）フェニル−Ｃ，Ｎ］イリジウム等が挙げられる。

また、緑色発光層７Ｇ中には、前述した緑色発光材料の他に、緑色発光材料をゲスト材料とするホスト材料が含まれているのが好ましい。
このホスト材料としては、前記赤外線発光層６に含まれるホスト材料として説明したのと同様のものを用いることができる。
また、このような緑色発光層７Ｇのホスト材料は、赤色発光層６のホスト材料と同様に、アセン誘導体（アセン系材料）を用いるのが好ましい。これにより、緑色発光層７Ｇをより高輝度かつ高効率で赤色発光させることができる。
さらに、この緑色発光層７Ｇのホスト材料は、前述した青色発光層８のホスト材料と同一であるのが好ましい。これにより、双方の発光層８、９間においてバンドギャップが生じないため、緑色の光と青色の光とをバランスよく発光させることができるようになる。

［電子輸送層］
電子輸送層９は、陰極１１から電子注入層１０を介して注入された電子を緑色発光層７Ｇに輸送する機能を有するものである。
電子輸送層９の構成材料（電子輸送性材料）としては、例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）等のフェナントロリン誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、アザインドリジン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらの中でも、電子輸送層９に用いる電子輸送性材料としては、アザインドリジン誘導体を用いるのが好ましく、特に、アザインドリジン骨格およびアントラセン骨格を分子内に有する化合物（以下、単に「アザインドリジン系化合物」ともいう）を用いるのがより好ましい。
このように、緑色発光層７Ｇに隣接する電子輸送層９の電子輸送性材料としてアザインドリジン骨格およびアントラセン骨格を分子内に有する化合物を用いているので、電子輸送層９から緑色発光層７Ｇへ電子を効率的に輸送することができる。そのため、発光素子１の発光効率を優れたものとすることができる。

また、電子輸送層９から緑色発光層７Ｇへの電子輸送を効率的に行えることから、発光素子１の駆動電圧を低電圧化することができ、それに伴って、発光素子１の長寿命化を図ることができる。
さらに、アザインドリジン骨格およびアントラセン骨格を分子内に有する化合物は電子およびホールに対する安定性（耐性）に優れるため、この点でも、発光素子１の長寿命化を図ることができる。

電子輸送層９に用いる電子輸送性材料（アザインドリジン系化合物）は、１つの分子内に含まれるアザインドリジン骨格およびアントラセン骨格の数がそれぞれ１つまたは２つであるのが好ましい。これにより、電子輸送層９の電子輸送性および電子注入性を優れたものとすることができる。
具体的には、電子輸送層９に用いるアザインドリジン系化合物としては、例えば、下記式ＥＬＴ−Ａ１〜ＥＬＴ−Ａ２４で表わされるような化合物、下記式ＥＬＴ−Ｂ１〜式ＥＬＴ−Ｂ１２で表わされるような化合物、下記ＥＬＴ−Ｃ１〜ＥＬＴ−Ｃ２０で表わされる化合物を用いるのが好ましい。

このようなアザインドリジン化合物は、電子輸送性および電子注入性に優れる。そのため、発光素子１の発光効率を向上させることができる。
かかるアザインドリジン化合物の電子輸送性および電子注入性が優れるのは、以下のような理由によるものと考えられる。
前述したようなアザインドリジン骨格およびアントラセン骨格を分子内に有するアザインドリジン系化合物は、その分子全体がπ共役系で繋がっているため、電子雲が分子全体に亘って拡がっている。

そして、かかるアザインドリジン系化合物のアザインドリジン骨格の部分は、電子を受け入れる機能と、その受け取った電子をアントラセン骨格の部分へ送り出す機能とを有する。一方、かかるアザインドリジン系化合物のアントラセン骨格の部分は、アザインドリジン骨格の部分から電子を受け入れる機能と、その受け入れた電子を、電子輸送層９の陽極３側に隣接する層、すなわち緑色発光層７Ｇ６へ受け渡す機能とを有する。

具体的に説明すると、かかるアザインドリジン系化合物のアザインドリジン骨格の部分は、２つの窒素原子を有し、その一方（アントラセン骨格の部分に近い側）の窒素原子がｓｐ２混成軌道を有し、他方（アントラセン骨格の部分に遠い側）の窒素原子がｓｐ３混成軌道を有する。ｓｐ２混成軌道を有する窒素原子は、アザインドリジン系化合物の分子の共役系の一部を構成するとともに、炭素原子よりも電気陰性度が高く、電子を引き付ける強さが大きいため、電子を受け入れる部分として機能する。一方、ｓｐ３混成軌道を有する窒素原子は、通常の共役系ではないが、非共有電子対を有するため、その電子がアザインドリジン系化合物の分子の共役系に向けて電子を送り出す部分として機能する。

一方、かかるアザインドリジン系化合物のアントラセン骨格の部分は、電気的に中性であるため、アザインドリジン骨格の部分から電子を容易に受け入れることができる。また、かかるアザインドリジン系化合物のアントラセン骨格の部分は、緑色発光層７Ｇの構成材料、特にホスト材料（アセン系材料）と軌道の重なりが大きいため、緑色発光層７Ｇのホスト材料へ電子を容易に受け渡すことができる。

また、かかるアザインドリジン系化合物は、前述したように電子輸送性および電子注入性に優れるため、結果として、発光素子１の駆動電圧を低電圧化することができる。
また、アザインドリジン骨格の部分は、ｓｐ２混成軌道を有する窒素原子が還元されても安定であり、ｓｐ３混成軌道を有する窒素原子が酸化されても安定である。そのため、かかるアザインドリジン系化合物は、電子および正孔に対する安定性が高いものとなる。その結果、発光素子１の長寿命化を図ることができる。

また、電子輸送層９は、前述したような電子輸送性材料のうち２種以上を組み合わせて用いる場合、２種以上の電子輸送性材料を混合した混合材料で構成されていてもよいし、異なる電子輸送性材料で構成された複数の層を積層して構成されていてもよい。
電子輸送層９の平均厚さは、特に限定されないが、１．０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。

［電子注入層］
電子注入層１０は、陰極１１からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。
この電子注入層１０の構成材料（電子注入性材料）としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。

このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層１０を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物（アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等）は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層１０を構成することにより、発光素子１は、高い輝度が得られるものとなる。

アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ_２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ_２Ｓ、Ｎａ_２Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。
アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。
アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。
アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＳｒＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢｅＦ_２等が挙げられる。

また、無機半導体材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
電子注入層１０の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、０．２〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましく、０．２〜５０ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
なお、この電子注入層１０は、陰極１１および電子輸送層９の構成材料や厚さ等によっては、省略してもよい。

［封止部材］
封止部材１２は、陽極３、積層体１４、および陰極１１を覆うように設けられ、これらを気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。封止部材１２を設けることにより、発光素子１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止（耐久性向上）等の効果が得られる。

封止部材１２の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。なお、封止部材１２の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、封止部材１２と陽極３、積層体１４および陰極１１との間には、必要に応じて、絶縁膜を設けるのが好ましい。

また、封止部材１２は、平板状として、基板２と対向させ、これらの間を、例えば熱硬化性樹脂等のシール材で封止するようにしてもよい。
以上のように構成された発光素子１によれば、赤外線発光層６の発光材料としてチアジアゾール系化合物を用いるとともに、赤外線発光層６のホスト材料にテトラセン系材料を用いることにより、近赤外域での発光を可能とするとともに、高効率化および長寿命化を図ることができる。
以上のような発光素子１は、例えば、次のようにして製造することができる。

［１］ まず、基板２を用意し、この基板２上に陽極３を形成する。
陽極３は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
［２］ 次に、陽極３上に正孔注入層４を形成する。
正孔注入層４は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成するのが好ましい。

なお、正孔注入層４は、例えば、正孔注入性材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔注入層形成用材料を、陽極３上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。
正孔注入層形成用材料の供給方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることもできる。かかる塗布法を用いることにより、正孔注入層４を比較的容易に形成することができる。
正孔注入層形成用材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。

なお、乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができる。
また、本工程に先立って、陽極３の上面には、酸素プラズマ処理を施すようにしてもよい。これにより、陽極３の上面に親液性を付与すること、陽極３の上面に付着する有機物を除去（洗浄）すること、陽極３の上面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。
ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー１００〜８００Ｗ程度、酸素ガス流量５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ程度、被処理部材（陽極３）の搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ程度、基板２の温度７０〜９０℃程度とするのが好ましい。

［３］ 次に、正孔注入層４上に正孔輸送層５を形成する。
正孔輸送層５は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成するのが好ましい。
なお、正孔輸送性材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔輸送層形成用材料を、正孔注入層４上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。

［４］ 次に、正孔輸送層５上に、赤外線発光層６を形成する。
赤外線発光層６は、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
［５］ 次に、赤外線発光層６上に、赤色発光層７Ｒを形成する。
赤色発光層７Ｒは、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。

［６］ 次に、赤色発光層７Ｒ上に、第１中間層８Ａを形成する。
第１中間層８Ａは、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、第１中間層８Ａは、例えば、その構成材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる第１中間層形成用材料を、赤色発光層７Ｒ上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。

［７］ 次に、第１中間層８Ａ上に、青色発光層７Ｂを形成する。
青色発光層７Ｂは、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
［８］ 次に、青色発光層７Ｂ上に、緑色発光層７Ｇを形成する。
緑色発光層７Ｇは、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。

［９］ 次に、緑色発光層７Ｇ上に、電子輸送層９を形成する。
電子輸送層９は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、電子輸送層９は、例えば、電子輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる電子輸送層形成用材料を、緑色発光層７Ｇ上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。

［１０］ 次に、電子輸送層９上に、電子注入層１０を形成する。
電子注入層１０の構成材料として無機材料を用いる場合、電子注入層１０は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセス、無機微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
［１１］ 次に、電子注入層１０上に、陰極１１を形成する。
陰極１１は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合、金属微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
以上のような工程を経て、発光素子１が得られる。
最後に、得られた発光素子１を覆うように封止部材１２を被せ、基板２に接合する。

＜第２実施形態＞
図２は、本発明の発光素子の第２実施形態を模式的に示す断面図である。
以下、第２実施形態の発光素子について、前述した第１実施形態との違いを中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
第２実施形態の発光素子１は、赤外線発光層６を積層する位置が異なり、さらに、その積層位置で、赤外線発光層６と緑色発光層７Ｇとの間に第２中間層８Ｂを備えること以外は、前記第１実施形態の発光素子と同様である。

すなわち、図２に示す発光素子１は、陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５と赤色発光層７Ｒと第１中間層８Ａと青色発光層７Ｂと緑色発光層７Gと第２中間層８Ｂと赤外線発光層６と電子輸送層９と電子注入層１０と陰極１１とがこの順に積層されてなるものである。換言すれば、発光素子１では、陽極３と陰極１１との間に、陽極３側から陰極１１側へ正孔注入層４と正孔輸送層５と赤色発光層７Ｒと第１中間層８Ａと青色発光層７Ｂと緑色発光層７Gと第２中間層８Ｂと赤外線発光層６と電子輸送層９と電子注入層１０とがこの順で積層された積層体１４が介挿されている。

そして、発光素子１は、その全体が基板２上に設けられるとともに、封止部材１２で封止されている。
このような発光素子１にあっては、前記第１実施形態の発光素子１と同様に、赤外線発光層６、赤色発光層７Ｒ、青色発光層７Ｂ、および緑色発光層７Ｇの各発光層に対し、陰極１１側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、各発光層では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出する。そのため、赤外線発光層６が赤外線を発光するとともに、赤色発光層７Ｒ、青色発光層７B、および緑色発光層７Ｇがそれぞれ赤色、青色、および緑色の可視光を発光する。これにより、本実施形態の発光素子１も、赤外線と白色の可視光とを発光する。なお、本実施形態では、赤色発光層７Ｒ、青色発光層７B、および緑色発光層７Ｇの３層により、可視光を発光する可視光発光層７が構成される。

また、本実施形態では、発光素子１は、赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとの間に第１中間層８Ａを有しているので、赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとの間での正孔および電子の移動を調整することができるため、赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとの間での励起子のエネルギー移動を阻止することができる。その結果、赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとがそれぞれバランスよく発光することとなり、発光素子１は、可視光として、より確実に白色発光するものとなる。

さらに、本実施形態では、発光素子１は、緑色発光層７Ｇと赤外線発光層６との間に第２中間層８Ｂを有しているので、緑色発光層７Ｇと赤外線発光層６との間での正孔および電子の移動を調整することができるため、緑色発光層７Ｇと赤外線発光層６との間での励起子のエネルギー移動を阻止することができる。その結果、緑色発光層７Ｇと赤外線発光層６とがそれぞれバランスよく発光することとなり、発光素子１は、可視光として、より確実に白色発光し、かつ赤外線をより確実に発光するものとなる。

赤外線発光層６は、陽極３と陰極１１との間に通電することにより、発光光として赤外線を発光するものである。
この赤外線発光層６は、前述した第１実施形態の発光素子１が備える赤外線発光層６と同様の構成のものとすることができるが、本実施形態のように、赤外線発光層６が、他の発光層７Ｒ、７G、７Ｂよりも陰極１１側に位置する場合、赤外線発光層６に含まれるホスト材料として、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（ｐ−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）のようなキノリノラト系金属錯体が用いられるのが好ましい。これにより、赤外線発光層６の長寿命化を図ることができる。
また、第２中間層８Ｂは、前述した第１実施形態の発光素子１が備える第１中間層８Ａと同様の構成のものとすることができる

＜第３実施形態＞
図３は、本発明の発光素子の第３実施形態を模式的に示す断面図である。
以下、第３実施形態の発光素子について、前述した第１実施形態との違いを中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
第３実施形態の発光素子１は、可視光を発光する発光層として、赤色発光層７Ｒ、青色発光層７Ｂおよび緑色発光層７Ｇの形成を省略して、黄色発光層７Ｙおよびシアン発光層７Ｃを形成したこと以外は、前記第１実施形態の発光素子と同様である。

すなわち、図３に示す発光素子１は、陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５と赤外線発光層６と第１中間層８Ａと黄色発光層７Ｙとシアン発光層７Ｃと電子輸送層９と電子注入層１０と陰極１１とがこの順に積層されてなるものである。換言すれば、発光素子１では、陽極３と陰極１１との間に、陽極３側から陰極１１側へ、正孔注入層４と正孔輸送層５と赤外線発光層６と第１中間層８Ａと黄色発光層７Ｙとシアン発光層７Ｃと電子輸送層９と電子注入層１０とがこの順で積層された積層体１４が介挿されている。

そして、発光素子１は、その全体が基板２上に設けられるとともに、封止部材１２で封止されている。
このような発光素子１にあっては、赤外線発光層６、黄色発光層７Ｙおよびシアン発光層７Cの各発光層に対し、陰極１１側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、各発光層では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出する。そのため、赤外線発光層６が赤外線を発光するとともに、黄色発光層７Ｙおよびシアン発光層７Ｃがそれぞれ黄色およびシアンの可視光を発光する。これにより、本実施形態の発光素子１は、赤外線と白色の可視光とを発光する。なお、本実施形態では、黄色発光層７Ｙおよびシアン発光層７Ｃの２層により、可視光を発光する可視光発光層７が構成される。

［黄色発光層］
黄色発光層７Ｙは、陽極３と陰極１１との間に通電することにより、発光光（可視光）として黄色光を発光するものである。
この黄色発光層７Ｙは、黄色に発光する黄色発光材料を含んで構成されている。
このような黄色発光材料としては、特に限定されず、各種黄色蛍光材料、黄色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
黄色蛍光材料としては、黄色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、下記化学式（２６Ａ）で示されるテトラセン系化合物、テトラフェニルナフタセン（通称：ルブレン）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、黄色燐光材料としては、黄色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、下記式（２６Ｂ）で表されるトリス（２−フェニルキノリン）イリジウム（III）等が挙げられる。

［シアン発光層］
シアン発光層７Ｃは、陽極３と陰極１１との間に通電することにより、発光光（可視光）としてシアン光を発光するものである。
このシアン発光層７Ｃは、シアンに発光するシアン発光材料を含んで構成されている。
このようなシアン発光材料としては、特に限定されず、各種シアン蛍光材料、シアン燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。

シアン蛍光材料としては、シアンの蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、前記化学式（２４Ａ）で示されるスチリルアミン系化合物等のスチリルアミン誘導体、4、4’−ビスジフェニルアミノ−ジスチルベン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、シアン燐光材料としては、シアンの燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、下記式（２７）で表されるビス（3,5−ジフルオロ−2−（2−ピリジル）フェニル）−（２−カルボキシピリジル）イリジウム（III）等が挙げられる。

さらに、黄色発光層７Ｙおよびシアン発光層７Ｃ中には、それぞれ、前述した黄色発光材料およびシアン発光材料の他に、黄色発光材料およびシアン発光材料をゲスト材料とするホスト材料が含まれているのが好ましい。
なお、このホスト材料としては、前記赤外線発光層６に含まれるホスト材料として説明したのと同様のものを用いることができる。

＜第４実施形態＞
図４は、本発明の発光素子の第４実施形態を模式的に示す断面図である。
以下、第４実施形態の発光素子について、前述した第３実施形態との違いを中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
第４実施形態の発光素子１は、赤外線発光層６を積層する位置が異なり、さらに、その積層位置で、赤外線発光層６とシアン発光層７Ｃとの間に第１中間層８Ａを備えること以外は、前記第３実施形態の発光素子と同様である。

すなわち、図４に示す発光素子１は、陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５と黄色発光層７Ｙとシアン発光層７Ｃと第１中間層８Ａと赤外線発光層６と電子輸送層９と電子注入層１０と陰極１１とがこの順に積層されてなるものである。換言すれば、発光素子１では、陽極３と陰極１１との間に、陽極３側から陰極１１側へ、正孔注入層４と正孔輸送層５と黄色発光層７Ｙとシアン発光層７Ｃと第１中間層８Ａと赤外線発光層６と電子輸送層９と電子注入層１０とがこの順で積層された積層体１４が介挿されている。
そして、発光素子１は、その全体が基板２上に設けられるとともに、封止部材１２で封止されている。

このような発光素子１にあっては、前記第３実施形態の発光素子１と同様に、赤外線発光層６、黄色発光層７Ｙおよびシアン発光層７Cの各発光層に対し、陰極１１側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、各発光層では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出する。そのため、赤外線発光層６が赤外線を発光するとともに、黄色発光層７Ｙおよびシアン発光層７Ｃがそれぞれ黄色およびシアンの可視光を発光する。これにより、本実施形態の発光素子１は、赤外線と白色の可視光とを発光する。なお、本実施形態では、黄色発光層７Ｙおよびシアン発光層７Ｃの２層により、可視光を発光する可視光発光層７が構成される。

また、本実施形態では、発光素子１は、シアン発光層７Ｃと赤外線発光層６との間に第１中間層８Ａを有しているので、シアン発光層７Ｃと赤外線発光層６との間での正孔および電子の移動を調整することができるため、シアン発光層７Ｃと赤外線発光層６との間での励起子のエネルギー移動を阻止することができる。その結果、シアン発光層７Ｃと赤外線発光層６とがそれぞれバランスよく発光することとなり、発光素子１は、可視光として、より確実に白色発光し、かつ赤外線をより確実に発光するものとなる。

なお、赤外線発光層６は、陽極３と陰極１１との間に通電することにより、発光光として赤外線を発光するものである。
この赤外線発光層６は、前述した第３実施形態の発光素子１が備える赤外線発光層６と同様の構成のものとすることができるが、本実施形態のように、赤外線発光層６が、他の発光層７Ｙ、７Ｃよりも陰極１１側に位置する場合、赤外線発光層６に含まれるホスト材料として、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（ｐ−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）のようなキノリノラト系金属錯体が用いられるのが好ましい。これにより、赤外線発光層６の長寿命化を図ることができる。

＜第５実施形態＞
図５は、本発明の発光素子の第５実施形態を模式的に示す断面図である。
以下、第５実施形態の発光素子について、前述した第３実施形態との違いを中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
第５実施形態の発光素子１は、可視光を発光する発光層として、赤色発光層７Ｒおよび青色発光層７Ｂの形成を省略して、緑色発光層７Ｇを単独で形成したこと以外は、前記第１実施形態の発光素子と同様である。

すなわち、図５に示す発光素子１は、陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５と赤外線発光層６と第１中間層８Ａと緑色発光層７Ｇと電子輸送層９と電子注入層１０と陰極１１とがこの順に積層されてなるものである。換言すれば、発光素子１では、陽極３と陰極１１との間に、陽極３側から陰極１１側へ、正孔注入層４と正孔輸送層５と赤外線発光層６と第１中間層８Ａと緑色発光層７Ｇと電子輸送層９と電子注入層１０とがこの順で積層された積層体１４が介挿されている。

そして、発光素子１は、その全体が基板２上に設けられるとともに、封止部材１２で封止されている。
このような発光素子１にあっては、赤外線発光層６および緑色発光層７Ｇの各発光層に対し、陰極１１側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、各発光層では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出する。そのため、赤外線発光層６が赤外線を発光するとともに、緑色発光層７Ｇが緑色の可視光を発光する。すなわち、本実施形態の発光素子１は、赤外線と緑色の可視光とを発光する。なお、本実施形態では、緑色発光層７Ｇの１層により、可視光を発光する可視光発光層７が構成される。

また、本実施形態では、発光素子１は、赤外線発光層６と緑色発光層７Ｇとの間に第１中間層８Ａを有しているので、赤外線発光層６と緑色発光層７Ｇとの間での正孔および電子の移動を調整することができるため、赤外線発光層６と緑色発光層７Ｇとの間での励起子のエネルギー移動を阻止することができる。その結果、赤外線発光層６と緑色発光層７Ｇとがそれぞれバランスよく発光することとなり、発光素子１は、可視光として、より確実に緑色発光するものとなる。なお、かかる効果は、緑色発光層７Ｇが発光材料として緑色燐光材料を含有する場合により顕著に得ることができる。すなわち、赤外線発光層６と緑色発光層７Ｇとの間での励起子のエネルギー移動を阻止することで、緑色燐光材料に生じた３重項励起子の失活を確実に防止することができる。

次に、上述した本発明の発光素子を備える発光装置（本発明の発光装置）について説明する。
（照明用光源）
まず、本発明の発光装置を照明用光源に適用した場合について説明する。
図６は、本発明の照明用光源の実施形態を示す図である。

図６に示す照明用光源２００は、照明用、特に屋内を照明するために用いられる光源である。
この照明用光源２００は、透明基板２０５と、発光素子１とを有する。
発光素子１は、透明電極２０２と、対向電極２０３と、積層体２０１とを有し、透明電極２０２と対向電極２０３との間に電界を印加することにより、積層体２０１が備える発光層が発光する。そして、この発光層で生じた発光光が透明基板２０５を透過することにより、例えば、屋内が照明される。

本実施形態では、照明用光源２００が備える発光素子１は、近赤外域の赤外光と、白色の可視光とを発光する。すなわち、照明用光源２００は、発光素子１として、前記第１〜第４実施形態で説明した構成のものを備えている。
ここで、通常の屋内照明用光源、例えば、蛍光灯等では、その発光波長は、概ね４００〜７００ｎｍ程度となっており、太陽光のように近赤外域の発光を有する発光波長にはなっていない。

これに対して、デジタルカメラが備える受光素子（ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等）の受光波長は、概ね１１００ｎｍ程度となっている。このように、受光素子は、近赤外域の波長（７００〜１１００ｎｍ）に対して感度を備えている。
そのため、デジタルカメラを用いて屋内および屋外において撮影した際には、それぞれの画質に微妙な差異が生じるという問題がある。

かかる問題点を解決するために、この照明用光源２００では、発光光として、近赤外域の赤外光と、白色の可視光とを発光するようになっている。
このように、可視光ばかりでなく、近赤外域の光をも発光するようになっていることから、屋内における撮影においても、屋外における撮影とほぼ同様の画像を得ることができるようになる。
また、照明用光源２００は、高効率および長寿命な発光素子１を備えるので、信頼性に優れる。

（肌診断装置）
次に、本発明の発光装置を肌診断装置に適用した場合について説明する。
図７は、本発明の肌診断装置の実施形態を示す図である。
図７に示す肌診断装置３００は、肌状態の測定結果に基づいて、その状態を正確に把握することができる肌診断装置である。

この肌診断装置３００は、第１の測定プローブ３０２と、第２の測定プローブ３０３と、キーボード３０４と、演算手段３０５、演算手段３０５と、デジタルマイクロカメラ３０６、ディスプレイ３０７とを有する。
第１の測定プローブ３０２は、皮膚の水分量、皮脂量および弾力性等を測定するものである。

また、第２の測定プローブ３０３は、皮膚の色調、血行状態およびメラニン色素沈着状態等を測定するものである。
キーボード３０４は、被験者からの問診または被験者の肌の観察もしくは触診の結果を入力する入力手段である。
演算手段３０５は、測定プローブ３０２、３０３からの測定信号または問診、観察もしくは触診の入力結果に基づいて被験者の肌状態の評価指数を算出するものである。

デジタルマイクロカメラ３０６は、ＵＳＢ端子により接続可能な構成となっており、光源を備え、２０倍〜１５０倍の拡大画像を撮像することができる。
さらに、ディスプレイ３０７は、算出された肌状態の評価指数を表示するためのものである。
かかる構成の肌診断装置３００において、デジタルマイクロカメラ３０６が備える光源は、前述した発光素子１を複数備えるものであり、撮像対象物である肌（皮膚）へ向けて、近赤外域の赤外光と、白色の可視光とを照射する。

すなわち、光源は、前述した発光素子１として、前記第１〜４実施形態で説明した構成のものを複数備えるものである。
このような肌診断装置３００によれば、近赤外域の赤外光と、白色の可視光とを用いてデジタルマイクロカメラ３０６による撮像が行われる。
このように可視光ばかりでなく、近赤外域の赤外光によっても撮像することで、血液の情報をも入手することができる。すなわち、肌の表面上の状態（例えば、肌表面のメラニン色素量）ばかりでなく、赤血球指数およびヘマトクリット値等を入手することができる。そのため、血色を加味した肌状態を測定することができるようになる。
また、肌診断装置３００は、高効率および長寿命な発光素子１を備えるので、信頼性に優れる。

（脈拍測定装置）
次に、本発明の発光装置を脈拍測定装置に適用した場合について説明する。
図８は、本発明の脈拍測定装置の実施形態を示す図である。
図８に示す脈拍測定装置４００は、センサモジュールを指に装着して脈拍数を測定する携帯用の脈拍測定装置である。

この脈拍測定装置４００は、センサモジュール４８１と、装置本体４８２と、これら同士を接続する配線Ｌとを有する。
センサモジュール４８１は、測定者の指に装着され、脈波成分を検出する脈波センサ４８３を有している。
また、脈波センサ４８３は、検出用光を射出する光源４８３Ａと、人体（指）により反射された検出用光を受光する受光部（Photo Detector）４８３Ｂとを有している。

装置本体４８２は、受光部４８３Ｂにおける受光結果に基づいて、脈拍成分を抽出することで、脈拍数を測定し、その測定結果である脈拍数を表示部４９７に表示する。
かかる構成の脈拍測定装置４００において、光源４８３Ａは、前述した発光素子１を備えるものであり、脈拍を測定すべき指へ向けて、近赤外域の赤外光と、緑色の可視光とを照射する。

すなわち、光源４８３Ａは、前述した発光素子１として、前記第５実施形態で説明した構成のものを備えるものである。
このような脈拍測定装置４００によれば、光源４８３Ａにおいて発光された、近赤外域の赤外光と、緑色の可視光とを用いて、指により反射された検出用光が生成され、この検出用光の強度の変化（強弱）に基づいて、脈拍が測定される。

ここで、脈拍測定を屋内で行う場合、近赤外領域の赤外光だけを用いた方法によっても、受光部４８３Ｂにおいて、検出用光の強度の変化を検出することができる。しかしながら、脈拍測定を屋外で行うと太陽光が強い近赤外線を有していることに起因して、受光部４８３Ｂにおける受光結果にノイズ等が生じてしまう。
また、緑色（波長：５００〜５５０ｎｍ程度）の可視光は、皮膚内部への侵入が他の波長の可視光と比較して容易に行われるため、可視光の中でも特に脈拍数の測定に適したものである。しかしながら、脈拍測定を緑色の可視光単独で行うと、発光光のパワーを特に大きくする必要があり、安定した脈拍数の測定には困難を伴う。

そのため、脈拍数の測定の際に用いる光源として、近赤外域の赤外光と、緑色の可視光との双方を用いることで、これらの欠点を相互に補う結果となり、屋外における脈拍測定をも実施可能となる。
また、脈拍測定装置４００は、高効率および長寿命な発光素子１を備えるので、信頼性に優れる。

（認証装置）
次に、本発明の発光装置を認証装置に適用した場合について説明する。
図９は、本発明の認証装置の実施形態を示す図である。
図９に示す認証装置１０００は、生体Ｆ（本実施形態では指先）の生体情報を用いて個人を認証する生体認証装置である。

この認証装置１０００は、光源１００Ｂと、カバーガラス１００１と、マイクロレンズアレイ１００２と、受光素子群１００３と、発光素子駆動部１００６と、受光素子駆動部１００４と、制御部１００５とを有する。
光源１００Ｂは、前述した発光素子１を複数備えるものであり、撮像対象物である生体Ｆへ向けて、近赤外域の赤外光と、緑色の可視光とを照射する。

すなわち、光源１００Ｂは、前述した発光素子１として、前記第５実施形態で説明した構成のものを複数備えるものである。
なお、この光源１００Ｂにおいて、複数の発光素子１は、例えば、カバーガラス１００１の外周部に沿って配置される。
カバーガラス１００１は、生体Ｆが接触または近接する部位である。

マイクロレンズアレイ１００２は、カバーガラス１００１の生体Ｆが接触または近接する側と反対側に設けられている。このマイクロレンズアレイ１００２は、複数のマイクロレンズがマトリクス状に配列して構成されている。
受光素子群１００３は、マイクロレンズアレイ１００２に対してカバーガラス１００１とは反対側に設けられている。この受光素子群１００３は、マイクロレンズアレイ１００２の複数のマイクロレンズに対応してマトリクス状に設けられた複数の受光素子で構成されている。この受光素子群１００３の各受光素子としては、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、ＣＭＯＳ等を用いることができる。

発光素子駆動部１００６は、光源１００Ｂを駆動する駆動回路である。
受光素子駆動部１００４は、受光素子群１００３を駆動する駆動回路である。
制御部１００５は、例えば、ＭＰＵであり、発光素子駆動部１００６および受光素子駆動部１００４の駆動を制御する機能を有する。
また、制御部１００５は、受光素子群１００３の受光結果と、予め記憶された生体認証情報との比較により、生体Ｆの認証を行う機能を有する。

例えば、制御部１００５は、受光素子群１００３の受光結果に基づいて、生体Ｆに関する画像パターン（例えば静脈パターン）を生成する。そして、制御部１００５は、その画像パターンと、生体認証情報として予め記憶された画像パターンとを比較し、その比較結果に基づいて、生体Ｆの認証（例えば静脈認証）を行う。
このような認証装置１０００によれば、近赤外域の赤外光と、緑色の可視光とを用いて形成された受光素子群１００３における受光結果に基づいて、生体認証が行われる。

ここで、生体認証を屋内で行う場合、近赤外領域の赤外光だけを用いた方法によっても、画像パターン（例えば静脈パターン）を生成することができる。しかしながら、生体認証を屋外で行うと太陽光が強い近赤外線を有していることに起因して、受光素子群１００３における受光結果にノイズが生じてしまう。
また、緑色（波長：５００〜５５０ｎｍ程度）の可視光は、可視光の中でも画像パターン（例えば静脈パターン）の生成に適したものである。
そのため、生体認証の際に用いる光源として、近赤外域の赤外光と、緑色の可視光とを用いることで、屋外における生体認証をも実施することができるようになる。
また、高効率および長寿命な発光素子１を備えるので、信頼性に優れる。
このような認証装置１０００は、各種の電子機器に組み込むことができる。

（電子機器）
図１０は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、本体部１１０４には、前述した認証装置１０００が設けられている。
このようなパーソナルコンピュータ１１００によれば、高効率および長寿命な発光素子１を備えるので、信頼性に優れる。

なお、本発明の電子機器は、図１０のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）の他にも、例えば、携帯電話機、ディジタルスチルカメラ、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、脈拍計測装置、脈波計測装置、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
以上、本発明の発光素子、発光装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、本発明の発光素子、発光装置および電子機器は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することができる。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．チアジアゾール系化合物の製造
（合成例Ａ１）上記式Ｄ−２で表わされる化合物の合成

合成（Ａ１−１）
５リットルのフラスコに発煙硝酸１５００ｍｌを入れ冷却した。そこへ１０〜５０℃に保つようにして硫酸１５００ｍｌを分割添加した。さらにそこへ原料のジブロモベンゾチアジアゾールである化合物（ａ）を１５０ｇを１時間かけて少量ずつ添加した。その際に溶液温度は５℃以下になるように行った。全量添加後、室温（２５℃）において２０時間反応させた。反応後、氷３ｋｇに反応液を注ぎ、一晩攪拌した。その後、ろ過してメタノール、ヘプタンで洗浄した。
ろ過して残った物を２００ｍｌのトルエンで熱溶解させた後、室温まで徐冷後にろ過し、残ったものを少量のトルエンで洗浄後、減圧乾燥させた。
これにより、ＨＰＬＣ純度９５％の化合物（ｂ）（４、７−ジブロモ−５、６−ジニトロ−ベンゾ[１、２、５]チアジアゾール）６０ｇを得た。

合成（Ａ１−２）
Ａｒ下、５リットルのフラスコに、得られたジブロモ体である化合物（ｂ）３０ｇとトリフェニルアミンのボロン酸体５４．２ｇ、トルエン２５００ｍｌ、２Ｍ炭酸セシウム水溶液（１５２ｇ／（蒸留水）２３４ｍｌ）を入れ、９０℃で一晩反応させた。反応後ろ過、分液、濃縮し、得られた粗体５２ｇをシリカゲルカラム（ＳｉＯ_２ ５ｋｇ）で分離し、赤紫色固体を得た。
これにより、ＨＰＬＣ純度９６％の化合物（c）８．９ｇを得た。

なお、トリフェニルアミンのボロン酸体の合成に際しては、Ａｒ下、５リットルのフラスコに、４−ブロモトリフェニルアミン（市販品）２４６ｇ、脱水テトラヒドロフラン１５００ｍｌを入れ、−６０℃で１．６Ｍ ｎ−BuLi／ヘキサン溶液５７０ｍｌを３時間かけて滴下した。３０分後ホウ酸トリイソプロピル４２９ｇを１時間かけて滴下した。滴下後は成り行きの温度で一晩反応させた。反応後、水２リットルを滴下し、その後トルエン２リットルで抽出、分液した。有機層を濃縮、再結晶し、ろ過、乾燥させて白色の目的物であるボロン酸体１６０ｇを得た。
得られたボロン酸体のＨＰＬＣ純度は、９９％であった。

合成（Ａ１−３）
Ａｒ下、１リットルのフラスコに、得られたジニトロ体である化合物（ｃ）８ｇ、還元鉄７ｇ、酢酸６００ｍｌを入れ、８０℃で４時間反応させて室温まで冷却させた。反応後、反応液をイオン交換水１．５リットルに注ぎ、そこへ酢酸エチル１．５リットルをさらに添加した。添加後、固体が析出していたので、テトラヒドロフラン１リットルと食塩３００ｇを添加し、分液した。水層は１リットルのテトラヒドロフランで再抽出した。濃縮乾燥したものを再度、少量の水、メタノールにて洗浄し、橙色固体を得た。
これにより、ＨＰＬＣ純度８０％の化合物（ｄ）７ｇを得た。

合成（Ａ１−４）
Ａｒ下、１リットルのフラスコに、得られたジアミン体である化合物（ｄ）４．５ｇ、ベンジル３．７ｇ、溶媒として酢酸３００ｍｌを入れ、８０℃にて２時間反応させた。反応後、室温まで冷却させ、反応液をイオン交換水１リットルに注ぎ、結晶をろ過、水洗、７ｇの黒緑色固体を得た。そして、その黒緑色固体をシリカゲルカラム（ＳｉＯ_２ １ｋｇ）で精製した。
これにより、ＨＰＬＣ純度９９％の化合物（e）（前記式Ｄ−２で表わされる化合物）４ｇを得た。この化合物（e）を質量分析したところ、Ｍ＋：８２６であった。
さらに、得られた化合物（e）を設定温度３４０℃で昇華精製した。その昇華精製後の化合物（e）のＨＰＬＣ純度は９９％であった。
（合成例Ａ２）前記式Ｄ−８で表わされる化合物の合成

合成（Ａ２−１）〜（Ａ２−３）
前記合成例Ａ１で説明した合成（Ａ１−１）〜（Ａ１−３）と同様にして、ジアミン体である化合物（ｄ）を得た。
合成（Ａ２−４）
Ａｒ下、１リットルのフラスコに、得られたジアミン体である化合物（ｄ）１．５ｇ、９，１０−フェナントレンキノン０．６ｇ、溶媒として酢酸３００ｍｌを入れ、８０℃にて２時間反応させた。反応後、室温まで冷却させ、反応液をイオン交換水１リットルに注ぎ、結晶をろ過、水洗、２ｇの黒緑色固体を得た。そして、その黒緑色固体をシリカゲルカラム（ＳｉＯ_２ １ｋｇ）で精製した。
これにより、ＨＰＬＣ純度９９％の化合物（ｆ）（前記式Ｄ−８で表わされる化合物）１．５ｇを得た。この化合物（ｆ）を質量分析したところ、Ｍ＋：８２４であった。
さらに、得られた化合物（ｆ）を設定温度３４０℃で昇華精製した。その昇華精製後の化合物（ｆ）のＨＰＬＣ純度は９９％であった。

２．ホスト材料（テトラセン系材料）の製造
（合成例Ｂ１）前記式Ｈ１−２で表わされる化合物の合成

合成（Ｂ１−１）
Ａｒ下、３００ｍｌのフラスコに、４−ブロモビフェニル６ｇと乾燥ジエチルエーテル５０ｍｌを入れた。室温で１．６M ｎ−BuLi／ヘキサン溶液１４．５ｍｌを滴下し、３０分間反応させた。
一方、別途、Ａｒ下、５００ｍｌのフラスコに、５、１２−ナフタセンキノン２．７と乾燥トルエン１００ｍｌを投入した。そこへ先に調整したビフェニルリチウムを滴下し、３時間反応させた。反応後、２０ｍｌの蒸留水を添加し、３０分攪拌後、メタノール中に入れ、固体をろ過分離した。得られた固体をシリカゲル（ＳｉＯ_２ ５００ｇ）で精製した。
これにより、白色固体（５、１２−ビスビフェニル−４−イル−５、１２−ジヒドロ−ナフタセン−５、１２−ジオール）４．５ｇを得た。

合成（Ｂ１−２）
合成（Ｂ１−１）で得られたジオール体４．５ｇと酢酸３００ｍｌを計量し、１０００ｍｌのフラスコに入れた。そこへ、塩酸（３５％）５ｇに塩化スズ（ＩＩ）（無水）５ｇを溶かしたものを入れ、３０分攪拌した。その後、分液ロートに移し、トルエンを加えて、蒸留水にて分液洗浄し、乾燥させた。得られた個体をシリカゲル（ＳｉＯ_２ ５００ｇ）で精製し、黄色固体（前記式Ｈ１−２で表わされる化合物）４ｇを得た。

３．発光素子の製造
（実施例１）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。

＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、アミン系の正孔輸送性材料（テトラキス−ｐ−ビフェニリル―ベンジジン）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔輸送層上に、赤外線発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１０ｎｍの赤外線発光層を形成した。赤外線発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記式Ｄ−２で表わされる化合物を用い、ホスト材料として前記式Ｈ１−２で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、赤外線発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を４．０ｗｔ％とした。

＜４＞ 次に、赤外線発光層上に、赤色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５ｎｍの赤色発光層を形成した。赤色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（１７）で表わされる化合物（ジインデノペリレン誘導体）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ１−２で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、赤色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を２．０ｗｔ％とした。

＜５＞ 次に、赤色発光層上に、真空蒸着法を用いて以下に示す第１中間層の構成材料で構成される平均厚さ５ｎｍの第１中間層を形成した。
ここで、第１の中間層の構成材料としては、ホスト材料として前記式Ｈ１−２で表わされる化合物を用い、アミン系材料として前述した化学式（２２）で表わされる化合物を用いた。また、第１中間層中のホスト材料の含有量は、５０ｗｔ％とした。

＜６＞ 次に、第１中間層上に、青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１５ｎｍの青色発光層を形成した。青色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２４Ｂ）で表わされる化合物（スチリルアミン系化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、青色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を７．０ｗｔ％とした。

＜７＞ 次に、青色発光層上に、緑色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２５ｎｍの緑色発光層を形成した。緑色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２５）で表わされる化合物（キナクリドン誘導体）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、緑色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を７．０ｗｔ％とした。

＜８＞ 次に、緑色発光層上に、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ３０ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜９＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜１０＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１００ｎｍの陰極を形成した。
＜１１＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子を製造した。

（実施例２）
前記実施例１の工程＜３＞において、赤外線発光層の発光材料として、前記式Ｄ−２で表わされる化合物に代えて、前記式Ｄ−８で表わされる化合物を用いた以外は、前記実施例１と同様にして発光素子を製造した。
（実施例３）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。

＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、アミン系の正孔輸送性材料（テトラキス−ｐ−ビフェニリル―ベンジジン）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔輸送層上に、赤色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５ｎｍの赤色発光層を形成した。赤色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（１７）で表わされる化合物（ジインデノペリレン誘導体）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ１−２で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、赤色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を２．０ｗｔ％とした。

＜４＞ 次に、赤色発光層上に、真空蒸着法を用いて以下に示す第１中間層の構成材料で構成される平均厚さ５ｎｍの第１中間層を形成した。
ここで、第１の中間層の構成材料としては、ホスト材料として前記式Ｈ１−２で表わされる化合物を用い、アミン系材料として前述した化学式（２２）で表わされる化合物を用いた。また、第１中間層中のホスト材料の含有量は、５０ｗｔ％とした。

＜５＞ 次に、第１中間層上に、青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１５ｎｍの青色発光層を形成した。青色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２４Ｂ）で表わされる化合物（スチリルアミン系化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、青色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を７．０ｗｔ％とした。

＜６＞ 次に、青色発光層上に、緑色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２５ｎｍの緑色発光層を形成した。緑色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２５）で表わされる化合物（キナクリドン誘導体）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、緑色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を７．０ｗｔ％とした。

＜７＞ 次に、緑色発光層上に、真空蒸着法を用いて以下に示す第２中間層の構成材料で構成される平均厚さ５ｎｍの第２中間層を形成した。
ここで、第２の中間層の構成材料としては、ホスト材料として前記式Ｈ１−２で表わされる化合物を用い、アミン系材料として前述した化学式（２２）で表わされる化合物を用いた。また、第２中間層中のホスト材料の含有量は、５０ｗｔ％とした。

＜８＞ 次に、第２中間層上に、赤外線発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１０ｎｍの赤外線発光層を形成した。赤外線発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記式２で表わされる白金錯体系化合物を用い、ホスト材料としてトリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）を用いた。また、赤外線発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を２．０ｗｔ％とした。

＜９＞ 次に、赤外線発光層上に、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１５ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜１０＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。

＜１１＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１００ｎｍの陰極を形成した。
＜１２＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子を製造した。

（実施例４）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。

＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、アミン系の正孔輸送性材料（テトラキス−ｐ−ビフェニリル―ベンジジン）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔輸送層上に、赤外線発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１０ｎｍの赤外線発光層を形成した。赤外線発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記式Ｄ−２で表わされる化合物を用い、ホスト材料として前記式Ｈ１−２で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、赤外線発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を４．０ｗｔ％とした。

＜４＞ 次に、赤外線発光層上に、真空蒸着法を用いて以下に示す第１中間層の構成材料で構成される平均厚さ５ｎｍの第１中間層を形成した。
ここで、第１の中間層の構成材料としては、ホスト材料として前記式Ｈ１−２で表わされる化合物を用い、アミン系材料として前述した化学式（２２）で表わされる化合物を用いた。また、第１中間層中のホスト材料の含有量は、５０ｗｔ％とした。

＜５＞ 次に、第１中間層上に、黄色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１５ｎｍの黄色発光層を形成した。黄色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２６Ａ）で表わされる化合物（テトラセン化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、黄色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を４．０ｗｔ％とした。

＜６＞ 次に、黄色発光層上に、シアン発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１５ｎｍのシアン発光層を形成した。シアン発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２４Ａ）で表わされる化合物（スチリルアミン系化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、シアン発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を７．０ｗｔ％とした。

＜７＞ 次に、シアン発光層上に、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ３０ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜８＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。

＜９＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１００ｎｍの陰極を形成した。
＜１０＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子を製造した。

（実施例５）
前記実施例４の工程＜３＞において、赤外線発光層の発光材料として、前記式Ｄ−２で表わされる化合物に代えて、前記式Ｄ−８で表わされる化合物を用いた以外は、前記実施例４と同様にして発光素子を製造した。
（実施例６）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。

＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、アミン系の正孔輸送性材料（テトラキス−ｐ−ビフェニリル―ベンジジン）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔輸送層上に、黄色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１５ｎｍの黄色発光層を形成した。黄色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２６Ａ）で表わされる化合物（テトラセン化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、黄色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を４．０ｗｔ％とした。

＜４＞ 次に、黄色発光層上に、シアン発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１５ｎｍのシアン発光層を形成した。シアン発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２４Ａ）で表わされる化合物（スチリルアミン系化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、シアン発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を７．０ｗｔ％とした。

＜５＞ 次に、シアン発光層上に、真空蒸着法を用いて以下に示す第１中間層の構成材料で構成される平均厚さ５ｎｍの第１中間層を形成した。
ここで、第１の中間層の構成材料としては、ホスト材料として前記式Ｈ１−２で表わされる化合物を用い、アミン系材料として前述した化学式（２２）で表わされる化合物を用いた。また、第１中間層中のホスト材料の含有量は、５０ｗｔ％とした。

＜６＞ 次に、第１中間層上に、赤外線発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１０ｎｍの赤外線発光層を形成した。赤外線発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記式２で表わされる白金錯体系化合物を用い、ホスト材料としてトリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）を用いた。また、赤外線発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を２．０ｗｔ％とした。

＜７＞ 次に、赤外線発光層上に、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ３０ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜８＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。

＜９＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１００ｎｍの陰極を形成した。
＜１０＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子を製造した。

（実施例７）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。

＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、アミン系の正孔輸送性材料（テトラキス−ｐ−ビフェニリル―ベンジジン）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔輸送層上に、赤外線発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２５ｎｍの赤外線発光層を形成した。赤外線発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記式Ｄ−２で表わされる化合物を用い、ホスト材料として前記式Ｈ１−２で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、赤外線発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を４．０ｗｔ％とした。

＜４＞ 次に、赤外線発光層上に、真空蒸着法を用いて以下に示す第１中間層の構成材料で構成される平均厚さ５ｎｍの第１中間層を形成した。
ここで、第１の中間層の構成材料としては、ホスト材料として前記式Ｈ１−２で表わされる化合物を用い、アミン系材料として前述した化学式（２２）で表わされる化合物を用いた。また、第１中間層中のホスト材料の含有量は、５０ｗｔ％とした。

＜５＞ 次に、第１中間層上に、緑色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１０ｎｍの緑色発光層を形成した。緑色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）としてファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）を用い、ホスト材料として３−フェニル−４−（１’−ナフチル）−５−フェニルカルバゾール、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）を用いた。また、緑色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を１５ｗｔ％とした。

＜６＞ 次に、緑色発光層上に、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（ｐ−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ２０ｎｍの第２中間層を形成した。
＜７＞ 次に、第２中間層上に、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ４０ｎｍの電子輸送層を形成した。

＜８＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜９＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１００ｎｍの陰極を形成した。
＜１０＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子を製造した。

（実施例８）
前記実施例７の工程＜３＞において、赤外線発光層の発光材料として、前記式Ｄ−２で表わされる化合物に代えて、前記式Ｄ−８で表わされる化合物を用いた以外は、前記実施例７と同様にして発光素子を製造した。
（参考例１）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。

＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、アミン系の正孔輸送性材料（テトラキス−ｐ−ビフェニリル―ベンジジン）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔輸送層上に、赤外線発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２５ｎｍの赤外線発光層を形成した。赤外線発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記式Ｄ−２で表わされる化合物を用い、ホスト材料として前記式Ｈ１−２で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、赤外線発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を４．０ｗｔ％とした。

＜４＞ 次に、赤外線発光層上に、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ８０ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜５＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜６＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１００ｎｍの陰極を形成した。
＜７＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子を製造した。
（参考例２）
前記参考例１の工程＜３＞において、赤外線発光層の発光材料として、前記式Ｄ−２で表わされる化合物に代えて、前記式Ｄ−８で表わされる化合物を用いた以外は、前記参考例１と同様にして発光素子を製造した。

４．評価
各実施例および各参考例について、一定電流電源（株式会社東陽テクニカ製 ＫＥＩＴＨＬＥＹ２４００）を用いて、発光素子に１００ｍＡ／ｃｍ^２の定電流を流し、そのときの発光波形を波形測定器（相馬光学社製 「Ｓ−２４４０」）を用いて測定した。
また、そのときの発光光の色度（ｘ，ｙ）を色度計（コニカミノルタセンシング社製 「ＣＳ−２０００」）を用いて、発光パワーを、光パワー測定機（エーディーシー社製 「光パワーメーター ８２３０」）を用いて測定した。
さらに、そのときの電圧値（駆動電圧）も測定した。
これらの測定結果を表１および図１１〜１３に示す。

図１１〜図１３により明らかなように、各実施例の発光素子では、目的とする色（波長）の可視光を発光させることができるとともに、近赤外域での赤外線を発光させることができた。

また、表１からも明らかなように、実施例１〜６の発光素子は、可視光として白色光を発光し、実施例７、８の発光素子は、可視光として緑色光を発光する結果となった。
さらに、表１から明らかなように、各実施例の発光素子は、高い発光パワーが得られ、かつ、駆動電圧を抑えることができたことから、各実施例の発光素子は、優れた発光効率を有することが判った。

１……発光素子 ２……基板 ３……陽極 ４……正孔注入層 ５……正孔輸送層 ６……赤外線発光層 ７……可視光発光層 ７Ｒ……赤色発光層 ７Ｇ……緑色発光層 ７Ｂ……青色発光層 ７Ｃ……シアン発光層 ７Ｙ……黄色発光層 ８……青色発光層 ８Ａ……第１中間層 ８Ｂ……第２中間層 ９……電子輸送層 １０……電子注入層 １１……陰極 １２……封止部材 １４……積層体 １００……ディスプレイ装置 １００Ｂ……光源 ２００……照明用光源 ２０１……積層体 ２０２……透明電極 ２０３……対向電極 ２０５……透明基板 ３００……肌診断装置 ３０２……第１の測定プローブ ３０３……第２の測定プローブ ３０４……キーボード ３０５……演算手段 ３０６……デジタルマイクロカメラ ３０７……ディスプレイ ４００……脈拍測定装置 ４８１……センサモジュール ４８２……装置本体 ４８３……脈波センサ ４８３Ａ……光源 ４８４Ｂ……受光部 ４９７……表示部 １０００……認証装置 １００１……カバーガラス １００２……マイクロレンズアレイ １００３……受光素子群 １００４……受光素子駆動部 １００５……制御部
１００６……発光素子駆動部 １１００……パーソナルコンピュータ １１０２……キーボード １１０４……本体部 １１０６……表示ユニット Ｆ……生体 Ｌ……配線

Claims (11)

1. 陽極と、
   陰極と、
   前記陽極と前記陰極との間に設けられた、可視光を発光する可視光発光層、および赤外線を発光する赤外線発光層とを有することを特徴とする発光素子。
2. 前記赤外線発光層は、発光材料として、チアジアゾール系化合物を含有する請求項１に記載の発光素子。
3. 前記チアジアゾール系化合物は、下記式（１Ａ）で表わされる請求項２に記載の発光素子。
   

   

   ［式（１Ａ）中、ＡおよびＢは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミンを示す。］
4. 前記チアジアゾール系化合物は、下記式（１Ｂ）で表わされる請求項２に記載の発光素子。
   

   

   ［式（１Ｂ）中、Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミンを示す。］
5. 前記チアジアゾール系化合物は、下記式（１Ｃ）で表わされる請求項２に記載の発光素子。
   

   

   ［式（１Ｃ）中、ＡおよびＢは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミンを示す。］
6. 前記赤外線発光層は、発光材料として、下記式（２）で表される白金錯体系化合物を含有する請求項１に記載の発光素子。
   

   
7. 前記赤外線発光層は、さらに、前記発光材料を保持するホスト材料を含有する請求項２ないし６のいずれかに記載の発光素子。
8. 前記可視光として白色光を発光する請求項１ないし７のいずれかに記載の発光素子。
9. 前記可視光として緑色光を発光する請求項１ないし７のいずれかに記載の発光素子。
10. 請求項１ないし９のいずれかに記載の発光素子を備えることを特徴とする発光装置。
11. 請求項１０に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。

Images