JP2008162921A - ベンゾチアジアゾール誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子用 - Google Patents
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Abstract
【課題】有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子の構成成分として有用な新規な化合物を提供し、この化合物を用いることにより、駆動電圧が低く、かつ、寿命が長く、高発光効率で、色純度に優れた青色発光が得られる実用的な有機EL素子を実現することを目的とする。
【解決手段】分子中にピリジン骨格又はキノリン骨格を有するベンゾチアジアゾール誘導体、それからなる有機EL素子用材料、有機EL素子用発光材料、発光性有機溶液、並びに一対の電極に少なくとも発光層を含む1層又は複数層からなる有機化合物層が挟持されている有機EL素子において、前記有機化合物層の少なくとも1層が前記ベンゾチアジアゾール誘導体を少なくとも1種含む有機EL素子、及びそれを有する装置である。
【選択図】なし
【解決手段】分子中にピリジン骨格又はキノリン骨格を有するベンゾチアジアゾール誘導体、それからなる有機EL素子用材料、有機EL素子用発光材料、発光性有機溶液、並びに一対の電極に少なくとも発光層を含む1層又は複数層からなる有機化合物層が挟持されている有機EL素子において、前記有機化合物層の少なくとも1層が前記ベンゾチアジアゾール誘導体を少なくとも1種含む有機EL素子、及びそれを有する装置である。
【選択図】なし
Description
本発明はベンゾチアジアゾール誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、特に、ベンゾチアジアゾール誘導体を発光層に用いることにより、寿命が長く、高発光効率で、青色発光が得られる有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。
有機エレクトロルミネッセンス素子(以下エレクトロルミネッセンスをELと略記することがある)は、電界を印加することより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。イーストマン・コダック社のC. W. Tangらによる積層型素子による低電圧駆動有機EL素子の報告(C. W. Tang, S.A. Vanslyke, アプライドフィジックスレターズ (Applied Physics Letters), 51巻、913頁、1987年等)がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機EL素子に関する研究が盛んに行われている。Tangらは、トリス(8−キノリノラト)アルミニウムを発光層に、トリフェニルジアミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ込めること等が挙げられる。この例のように有機EL素子の素子構造としては、正孔輸送(注入)層、電子輸送発光層の2層型、又は正孔輸送(注入)層、発光層、電子輸送(注入)層の3層型等がよく知られている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされている。
また、発光材料としてはトリス(8−キノリノラート)アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等の発光材料が知られており、それからは青色から赤色までの可視領域の発光が得られることが報告されており、カラー表示素子の実現が期待されている(例えば、特許文献1、特許文献2、特許文献3等)。
発光材料としてビスアントラセン誘導体を用いた素子が特許文献4及び特許文献5に開示されている。ビスアントラセンは青色発光材料として用いられるが、その効率や寿命が実用可能なレベルにまで到達せず不十分であった。
また、発光材料として対称ピレン誘導体を用いた素子が特許文献6、特許文献7、特許文献8、及び特許文献9に開示されている。このような対称ピレン誘導体は青色発光材料として用いられるが、素子寿命の改善が求められていた。
発光材料としてベンゾチアジアゾール誘導体を用いた蛍光材料が特許文献10に開示されている。また、ベンゾチアジアゾール誘導体を用いたEL素子が特許文献11に開示されている。このようなベンゾチアジアゾール誘導体は、青色発光材料として用いられるが、発光効率、素子寿命の改善が求められていた。
発光材料としてビスアントラセン誘導体を用いた素子が特許文献4及び特許文献5に開示されている。ビスアントラセンは青色発光材料として用いられるが、その効率や寿命が実用可能なレベルにまで到達せず不十分であった。
また、発光材料として対称ピレン誘導体を用いた素子が特許文献6、特許文献7、特許文献8、及び特許文献9に開示されている。このような対称ピレン誘導体は青色発光材料として用いられるが、素子寿命の改善が求められていた。
発光材料としてベンゾチアジアゾール誘導体を用いた蛍光材料が特許文献10に開示されている。また、ベンゾチアジアゾール誘導体を用いたEL素子が特許文献11に開示されている。このようなベンゾチアジアゾール誘導体は、青色発光材料として用いられるが、発光効率、素子寿命の改善が求められていた。
本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、有機EL素子の構成成分として有用な新規な化合物を提供し、この化合物を用いることにより、駆動電圧が低く、かつ、発光効率、素子寿命が長い実用的な有機EL素子を実現することを目的とする。
本発明者等は、前記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、ベンゾチアジアゾールに、電子求引基であるピリジン、もしくは、キノリンを導入し、さらに、ピリジン、もしくはキノリンの窒素原子に隣接する炭素原子に置換基を導入した、ベンゾチアジアゾール誘導体を有機エレクトロルミネッセンス素子に用いることで、発光効率が高く、長寿命な青色発光を得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、分子中に、ピリジン骨格又はキノリン骨格を有するベンゾチアジアゾール誘導体、それからなる有機EL素子用材料及び有機EL素子用発光材料、並びに発光性有機溶液を提供するものである。
また、本発明は、一対の電極に少なくとも発光層を含む1層又は複数層からなる有機化合物層が挟持されている有機EL素子において、前記有機化合物層の少なくとも1層が前記ベンゾチアジアゾール誘導体を少なくとも1種含む有機EL素子、及びそれを有する装置を提供するものである。
また、本発明は、一対の電極に少なくとも発光層を含む1層又は複数層からなる有機化合物層が挟持されている有機EL素子において、前記有機化合物層の少なくとも1層が前記ベンゾチアジアゾール誘導体を少なくとも1種含む有機EL素子、及びそれを有する装置を提供するものである。
本発明のベンゾチアジアゾール誘導体を有機EL素子用材料として用いることにより、駆動電圧が低く、かつ、寿命が長く、高発光効率で、色純度に優れた青色発光が得られる実用的な有機EL素子が得られる。また、本発明のベンゾチアジアゾール誘導体を含む発光性有機溶液は、湿式法で有機EL素子の有機化合物層を製膜するのに適している。
本発明のベンゾチアジアゾール誘導体は、分子中に、ピリジン骨格又はキノリン骨格を有する。具体的には、本発明のベンゾチアジアゾール誘導体は、下記一般式(1a)で示される。
式中、X1、X2及びX3は、それぞれ独立に、メチン基(=CH−)又は窒素原子であり、X1、X2及びX3のうち少なくとも一つは窒素原子である。
R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数5〜50のヘテロアリール基を表わす。R1とR2は、いずれも水素原子ではない場合には、互いに結合して飽和もしくは不飽和の環状構造を形成しても良く、これら環状構造は置換されても良い。
R3は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のシリル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はニトロ基を表す。
Ar1は、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数5〜50のヘテロアリール基を表わす。
R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数5〜50のヘテロアリール基を表わす。R1とR2は、いずれも水素原子ではない場合には、互いに結合して飽和もしくは不飽和の環状構造を形成しても良く、これら環状構造は置換されても良い。
R3は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のシリル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はニトロ基を表す。
Ar1は、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数5〜50のヘテロアリール基を表わす。
また、本発明のベンゾチアジアゾール誘導体は、具体的には、下記一般式(1b)又は(1c)で示される。
式中、X1、X2及びX3は、それぞれ独立に、メチン基(=CH−)又は窒素原子であり、一般式(1b)においてX1及びX3のうち少なくとも一つは窒素原子であり、一般式(1c)においてX2及びX3のうち少なくとも一つは窒素原子である。
R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数5〜50のヘテロアリール基を表わす。R1とR2は、いずれも水素原子ではない場合には、互いに結合して飽和もしくは不飽和の環状構造を形成しても良く、これら環状構造は置換されても良い。
R3は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のシリル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はニトロ基を表す。
Ar2及びAr3は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数5〜50のヘテロアリール基を表わす。
R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数5〜50のヘテロアリール基を表わす。R1とR2は、いずれも水素原子ではない場合には、互いに結合して飽和もしくは不飽和の環状構造を形成しても良く、これら環状構造は置換されても良い。
R3は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のシリル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はニトロ基を表す。
Ar2及びAr3は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数5〜50のヘテロアリール基を表わす。
以下に、一般式(1a)〜(1c)におけるR1〜R3及びAr1〜Ar3が示す各基の具体例を説明する。
置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリール基としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基などが挙げられる。好ましくは、置換もしくは無置換の核原子数6〜20のアリール基である。
置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリール基としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基などが挙げられる。好ましくは、置換もしくは無置換の核原子数6〜20のアリール基である。
置換もしくは無置換の核原子数5〜50のヘテロアリール基としては、1−ピロリル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、1−インドリル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、2−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、1−フェナントリジニル基、2−フェナントリジニル基、3−フェナントリジニル基、4−フェナントリジニル基、6−フェナントリジニル基、7−フェナントリジニル基、8−フェナントリジニル基、9−フェナントリジニル基、10−フェナントリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1,7−フェナントロリン−2−イル基、1,7−フェナントロリン−3−イル基、1,7−フェナントロリン−4−イル基、1,7−フェナントロリン−5−イル基、1,7−フェナントロリン−6−イル基、1,7−フェナントロリン−8−イル基、1,7−フェナントロリン−9−イル基、1,7−フェナントロリン−10−イル基、1,8−フェナントロリン−2−イル基、1,8−フェナントロリン−3−イル基、1,8−フェナントロリン−4−イル基、1,8−フェナントロリン−5−イル基、1,8−フェナントロリン−6−イル基、1,8−フェナントロリン−7−イル基、1,8−フェナントロリン−9−イル基、1,8−フェナントロリン−10−イル基、1,9−フェナントロリン−2−イル基、1,9−フェナントロリン−3−イル基、1,9−フェナントロリン−4−イル基、1,9−フェナントロリン−5−イル基、1,9−フェナントロリン−6−イル基、1,9−フェナントロリン−7−イル基、1,9−フェナントロリン−8−イル基、1,9−フェナントロリン−10−イル基、1,10−フェナントロリン−2−イル基、1,10−フェナントロリン−3−イル基、1,10−フェナントロリン−4−イル基、1,10−フェナントロリン−5−イル基、2,9−フェナントロリン−1−イル基、2,9−フェナントロリン−3−イル基、2,9−フェナントロリン−4−イル基、2,9−フェナントロリン−5−イル基、2,9−フェナントロリン−6−イル基、2,9−フェナントロリン−7−イル基、2,9−フェナントロリン−8−イル基、2,9−フェナントロリン−10−イル基、2,8−フェナントロリン−1−イル基、2,8−フェナントロリン−3−イル基、2,8−フェナントロリン−4−イル基、2,8−フェナントロリン−5−イル基、2,8−フェナントロリン−6−イル基、2,8−フェナントロリン−7−イル基、2,8−フェナントロリン−9−イル基、2,8−フェナントロリン−10−イル基、2,7−フェナントロリン−1−イル基、2,7−フェナントロリン−3−イル基、2,7−フェナントロリン−4−イル基、2,7−フェナントロリン−5−イル基、2,7−フェナントロリン−6−イル基、2,7−フェナントロリン−8−イル基、2,7−フェナントロリン−9−イル基、2,7−フェナントロリン−10−イル基、1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、10−フェノチアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、10−フェノキサジニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル1−インドリル基、4−t−ブチル1−インドリル基、2−t−ブチル3−インドリル基、4−t−ブチル3−インドリル基などが挙げられる。好ましくは、置換もしくは無置換の核原子数5〜20のヘテロアリール基である。
置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモ−t−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨード−t−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノ−t−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシアノ−t−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロ−t−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基などが挙げられる。好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基である。
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、1−ノルボルニル基、2−ノルボルニル基などが挙げられる。好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数5〜20のシクロアルキル基である。
置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基は−OYで表される基であり、Yとしては、前記の置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基と同様の例が挙げられる。好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基である。
置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアラルキル基としては、ベンジル基、1−フェニルエチル基、2−フェニルエチル基、1−フェニルイソプロピル基、2−フェニルイソプロピル基、フェニル−t−ブチル基、α−ナフチルメチル基、1−α−ナフチルエチル基、2−α−ナフチルエチル基、1−α−ナフチルイソプロピル基、2−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、1−β−ナフチルエチル基、2−β−ナフチルエチル基、1−β−ナフチルイソプロピル基、2−β−ナフチルイソプロピル基、1−ピロリルメチル基、2−(1−ピロリル)エチル基、p−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、o−メチルベンジル基、p−クロロベンジル基、m−クロロベンジル基、o−クロロベンジル基、p−ブロモベンジル基、m−ブロモベンジル基、o−ブロモベンジル基、p−ヨードベンジル基、m−ヨードベンジル基、o−ヨードベンジル基、p−ヒドロキシベンジル基、m−ヒドロキシベンジル基、o−ヒドロキシベンジル基、p−アミノベンジル基、m−アミノベンジル基、o−アミノベンジル基、p−ニトロベンジル基、m−ニトロベンジル基、o−ニトロベンジル基、p−シアノベンジル基、m−シアノベンジル基、o−シアノベンジル基、1−ヒドロキシ−2−フェニルイソプロピル基、1−クロロ−2−フェニルイソプロピル基などが挙げられる。好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数7〜20のアラルキル基である。
置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールオキシ基及び置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールチオ基は、それぞれ−OY’及び−SY”で表される基であり、Y’及びY”としては、前記の置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールと同様の例が挙げられる。
R3の置換もしくは無置換の炭素数2〜50のアルコキシカルボニル基は−COOZと表される基であり、Zとしては、前記の置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基と同様の例が挙げられる。好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基である。
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールアミノ基における置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリール基としては、前記の置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリール基と同様の例が挙げられる。好ましくは、置換もしくは無置換の核原子数5〜20のアリール基で置換されたアミノ基である。
置換基のシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。
前記、R1〜R3及びAr1〜Ar3示す各基における置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、シリル基、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、芳香族ヘテロアリール基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシル基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。
前記、R1〜R3及びAr1〜Ar3示す各基における置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、シリル基、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、芳香族ヘテロアリール基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシル基などが挙げられる。
R1〜R3及びAr1〜Ar3示す各基において、隣接する置換基同士が互いに結合して形成される飽和もしくは不飽和の環状構造は、好ましくは5員環または6員環であり、これら環状構造は置換されても良い。
本発明の一般式(1a)〜(1c)で表されるベンゾチアジアゾール誘導体の具体例を以下に示すが、本発明のベンゾチアジアゾール誘導体はこれらの例示化合物に限定されるものではない。
本発明の使用に適したベンゾチアジアゾール前駆体は、以下の文献1及び2記載のいずれかの方法で合成することができる。
文献1:Kurt Pilgram等、Journal of Heterocycl Chemistry,Vol.7,629(1970)
文献2:Samuel Braverman等、Tetrahedron Lett,Vol38,487(1997)
このようにして得られたベンゾチアジアゾール前駆体を用いて、引き続き、パラジウム触媒を用いた、鈴木クロスカップリング反応、もしくは、Stilleクロスカップリング反応を使用することにより、本発明のベンゾチアジアゾール誘導体を製造することができる。
文献1:Kurt Pilgram等、Journal of Heterocycl Chemistry,Vol.7,629(1970)
文献2:Samuel Braverman等、Tetrahedron Lett,Vol38,487(1997)
このようにして得られたベンゾチアジアゾール前駆体を用いて、引き続き、パラジウム触媒を用いた、鈴木クロスカップリング反応、もしくは、Stilleクロスカップリング反応を使用することにより、本発明のベンゾチアジアゾール誘導体を製造することができる。
本発明のベンゾチアジアゾール誘導体は、有機EL素子用材料として用いると好ましく、有機EL素子用発光材料として用いるとさらに好ましい。
本発明の有機EL素子は、一対の電極に少なくとも発光層を含む1層又は複数層からなる有機化合物層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機化合物層の少なくとも1層が、本発明のベンゾチアジアゾール誘導体を少なくとも1種含むものである。
本発明の有機EL素子においては、前記発光層が前記ベンゾチアジアゾール誘導体を少なくとも1種含むと好ましく、前記発光層中に本発明のベンゾチアジアゾール誘導体が0.01〜20重量%、より好ましくは0.5〜20重量%含有されていると好ましい。
また、本発明のベンゾチアジアゾール誘導体を有機EL素子の発光材料として用いる場合、前記発光層が前記ベンゾチアジアゾール誘導体を少なくとも1種と下記一般式(2a)〜(2d)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種とを含むと好ましく、下記一般式(2a)〜(2d)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種がホスト材料であると好ましい。
本発明の有機EL素子は、一対の電極に少なくとも発光層を含む1層又は複数層からなる有機化合物層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機化合物層の少なくとも1層が、本発明のベンゾチアジアゾール誘導体を少なくとも1種含むものである。
本発明の有機EL素子においては、前記発光層が前記ベンゾチアジアゾール誘導体を少なくとも1種含むと好ましく、前記発光層中に本発明のベンゾチアジアゾール誘導体が0.01〜20重量%、より好ましくは0.5〜20重量%含有されていると好ましい。
また、本発明のベンゾチアジアゾール誘導体を有機EL素子の発光材料として用いる場合、前記発光層が前記ベンゾチアジアゾール誘導体を少なくとも1種と下記一般式(2a)〜(2d)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種とを含むと好ましく、下記一般式(2a)〜(2d)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種がホスト材料であると好ましい。
(式(2a)中、Ar 1a及びAr 2aは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20の芳香族環から誘導される基である。前記芳香族環は1または2以上の置換基で置換されていてもよい。前記置換基は置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基およびヒドロキシル基から選ばれる。前記芳香族環が2以上の置換基で置換されている場合、前記置換基は同一であっても異なっていてもよく、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和または不飽和の環状構造を形成していてもよい。
R1a〜R8aは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基およびヒドロキシル基から選ばれる。)
R1a〜R8aは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基およびヒドロキシル基から選ばれる。)
一般式(2a)におけるAr1aおよびAr2aの置換もしくは無置換の核炭素数6〜20の芳香族環から誘導される基としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基などが挙げられる。好ましくは、置換もしくは無置換の核炭素数10〜14の芳香族環から誘導される基であり、特に1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−フェナントリル基である。
前記芳香族環の置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基等が挙げられる。好ましくは、置換もしくは無置換の核炭素数6〜18のアリール基であり、特にフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基である。
一般式(2a)におけるR1a〜R8aの置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基などが挙げられる。
一般式(2a)におけるR1a〜R8aの置換もしくは無置換の核炭素数5〜50のヘテロアリール基としては、1−ピロリル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、1−インドリル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、2−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、1−フェナントリジニル基、2−フェナントリジニル基、3−フェナントリジニル基、4−フェナントリジニル基、6−フェナントリジニル基、7−フェナントリジニル基、8−フェナントリジニル基、9−フェナントリジニル基、10−フェナントリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1,7−フェナントロリン−2−イル基、1,7−フェナントロリン−3−イル基、1,7−フェナントロリン−4−イル基、1,7−フェナントロリン−5−イル基、1,7−フェナントロリン−6−イル基、1,7−フェナントロリン−8−イル基、1,7−フェナントロリン−9−イル基、1,7−フェナントロリン−10−イル基、1,8−フェナントロリン−2−イル基、1,8−フェナントロリン−3−イル基、1,8−フェナントロリン−4−イル基、1,8−フェナントロリン−5−イル基、1,8−フェナントロリン−6−イル基、1,8−フェナントロリン−7−イル基、1,8−フェナントロリン−9−イル基、1,8−フェナントロリン−10−イル基、1,9−フェナントロリン−2−イル基、1,9−フェナントロリン−3−イル基、1,9−フェナントロリン−4−イル基、1,9−フェナントロリン−5−イル基、1,9−フェナントロリン−6−イル基、1,9−フェナントロリン−7−イル基、1,9−フェナントロリン−8−イル基、1,9−フェナントロリン−10−イル基、1,10−フェナントロリン−2−イル基、1,10−フェナントロリン−3−イル基、1,10−フェナントロリン−4−イル基、1,10−フェナントロリン−5−イル基、2,9−フェナントロリン−1−イル基、2,9−フェナントロリン−3−イル基、2,9−フェナントロリン−4−イル基、2,9−フェナントロリン−5−イル基、2,9−フェナントロリン−6−イル基、2,9−フェナントロリン−7−イル基、2,9−フェナントロリン−8−イル基、2,9−フェナントロリン−10−イル基、2,8−フェナントロリン−1−イル基、2,8−フェナントロリン−3−イル基、2,8−フェナントロリン−4−イル基、2,8−フェナントロリン−5−イル基、2,8−フェナントロリン−6−イル基、2,8−フェナントロリン−7−イル基、2,8−フェナントロリン−9−イル基、2,8−フェナントロリン−10−イル基、2,7−フェナントロリン−1−イル基、2,7−フェナントロリン−3−イル基、2,7−フェナントロリン−4−イル基、2,7−フェナントロリン−5−イル基、2,7−フェナントロリン−6−イル基、2,7−フェナントロリン−8−イル基、2,7−フェナントロリン−9−イル基、2,7−フェナントロリン−10−イル基、1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、10−フェノチアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、10−フェノキサジニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル1−インドリル基、4−t−ブチル1−インドリル基、2−t−ブチル3−インドリル基、4−t−ブチル3−インドリル基などが挙げられる。
一般式(2a)におけるR1a〜R8aおよび前記芳香族環の置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモ−t−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨード−t−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノ−t−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシアノ−t−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロ−t−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基などが挙げられる。
一般式(2a)におけるR1a〜R8aおよび前記芳香族環の置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、1−ノルボルニル基、2−ノルボルニル基などが挙げられる。
一般式(2a)におけるR1a〜R8aおよび前記芳香族環の置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基は−OYで表される基であり、Yとしては、前記R1a〜R8aおよび前記芳香族環の置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基と同様の例が挙げられる。
一般式(2a)におけるR1a〜R8a及び前記芳香族環の置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアラルキル基としては、ベンジル基、1−フェニルエチル基、2−フェニルエチル基、1−フェニルイソプロピル基、2−フェニルイソプロピル基、フェニル−t−ブチル基、α−ナフチルメチル基、1−α−ナフチルエチル基、2−α−ナフチルエチル基、1−α−ナフチルイソプロピル基、2−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、1−β−ナフチルエチル基、2−β−ナフチルエチル基、1−β−ナフチルイソプロピル基、2−β−ナフチルイソプロピル基、1−ピロリルメチル基、2−(1−ピロリル)エチル基、p−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、o−メチルベンジル基、p−クロロベンジル基、m−クロロベンジル基、o−クロロベンジル基、p−ブロモベンジル基、m−ブロモベンジル基、o−ブロモベンジル基、p−ヨードベンジル基、m−ヨードベンジル基、o−ヨードベンジル基、p−ヒドロキシベンジル基、m−ヒドロキシベンジル基、o−ヒドロキシベンジル基、p−アミノベンジル基、m−アミノベンジル基、o−アミノベンジル基、p−ニトロベンジル基、m−ニトロベンジル基、o−ニトロベンジル基、p−シアノベンジル基、m−シアノベンジル基、o−シアノベンジル基、1−ヒドロキシ−2−フェニルイソプロピル基、1−クロロ−2−フェニルイソプロピル基などが挙げられる。
一般式(2a)におけるR1a〜R8aおよび前記芳香族環の置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールオキシ基及びアリールチオ基は、それぞれ−OY’及び−SY”と表され、Y’及びY”としては、前記R1a〜R8aおよび前記芳香族環の置換もしくは無置換の核原子数6〜50のアリール基と同様の例が挙げられる。
一般式(2a)におけるR1a〜R8aおよび前記芳香族環の置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシカルボニル基は−COOZと表され、Zとしては、前記R1a〜R8aおよび前記芳香族環の置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基と同様の例が挙げられる。
一般式(2a)におけるR1a〜R8a及び前記芳香族環の置換基のシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
一般式(2a)におけるR1a〜R8aおよび前記芳香族環の置換基のハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などが挙げられる。
前記R1a〜R8aおよび前記芳香族環の置換基の示す基における置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、芳香族ヘテロアリール基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基などが挙げられる。
また形成してもよい環状構造としては、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン等の炭素数4〜12のシクロアルカン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン等の炭素数4〜12のシクロアルケン、シクロヘキサジエン、シクロヘプタジエン、シクロオクタジエン等の炭素数6〜12のシクロアルカジエン、ベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、ピレン、クリセン、アセナフチレン等の炭素数6〜50の芳香族環などが挙げられる。また、置換基は前記の例と同様のものが挙げられる。
一般式(2a)におけるR1a〜R8aおよび前記芳香族環の置換基のハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などが挙げられる。
前記R1a〜R8aおよび前記芳香族環の置換基の示す基における置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、芳香族ヘテロアリール基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基などが挙げられる。
また形成してもよい環状構造としては、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン等の炭素数4〜12のシクロアルカン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン等の炭素数4〜12のシクロアルケン、シクロヘキサジエン、シクロヘプタジエン、シクロオクタジエン等の炭素数6〜12のシクロアルカジエン、ベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、ピレン、クリセン、アセナフチレン等の炭素数6〜50の芳香族環などが挙げられる。また、置換基は前記の例と同様のものが挙げられる。
好ましくは、一般式(2a)で表されるアントラセン誘導体は下記一般式(2a’)に示す構造を有する化合物である。
(式(2a’)中、Ar1a及びAr2a、R1a〜R8aは、それぞれ独立に、一般式(2a)と同じであり、同様の具体例が挙げられる。
ただし、一般式(2a’)において、中心のアントラセンの9位及び10位に、該アントラセン上に示すX−Y軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。)
ただし、一般式(2a’)において、中心のアントラセンの9位及び10位に、該アントラセン上に示すX−Y軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。)
本発明の有機EL素子に用いられる一般式(2a)で表されるアントラセン誘導体の具体例としては、特開2004‐356033号公報[0043]〜[0063]に示されている分子中にアントラセン骨格を2個有するものや、国際公開第2005/061656号の27〜28ページに示されているアントラセン骨格を1個有する化合物など公知の各種アントラセン誘導体を挙げることができる。代表的な具体例を下記に示す。
一般式(2b)
(式(2b)中、Ar1bおよびAr2bは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基である。
L1およびL2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基及び置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基から選ばれる。
p、qは0〜2の整数、r、sは1〜4の整数である。
また、L1またはAr1bはピレンの1〜5位のいずれかに結合し、L2またはAr2bはピレンの6〜10位のいずれかに結合する。)
L1およびL2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基及び置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基から選ばれる。
p、qは0〜2の整数、r、sは1〜4の整数である。
また、L1またはAr1bはピレンの1〜5位のいずれかに結合し、L2またはAr2bはピレンの6〜10位のいずれかに結合する。)
一般式(2b)におけるAr1bおよびAr2bの核炭素数6〜50のアリール基としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、9−(10−フェニル)アントリル基、9−(10−ナフチル−1 −イル)アントリル基、9−(10−ナフチル−2−イル)アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基等が挙げられる。好ましくは、核炭素数6〜16の芳香族環基であり、特にフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−(10−フェニル)アントリル基、9−(10−ナフチル−1 −イル)アントリル基、9−(10−ナフチル−2−イル)アントリル基、9−フェナントリル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基である。
また、前記アリール基は、さらに置換基で置換されていても良く、置換基としては、アルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモ−t−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨード−t−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノ−t−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシアノ−t−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロ−t−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、1−ノルボルニル基、2−ノルボルニル基など)、炭素数1〜6のアルコキシ基(エトキシ基、メトキシ基、i−プロポキシ基、n−プロポキシ基、s−ブトキシ基、t−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基など)、核原子数5〜40のアリール基、核原子数5〜40のアリール基で置換されたアミノ基、核原子数5〜40のアリール基を有するエステル基、炭素数1〜6のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子などが挙げられる。
一般式(2b)におけるL1およびL2は、好ましくは置換もしくは無置換のフェニレン基および置換もしくは無置換のフルオレニレン基から選ばれる。
また、この置換基としては、前記芳香族基で挙げたものと同様のものが挙げられる。
一般式(2b)におけるpは、好ましくは0〜1の整数である。一般式(2b)におけるrは、好ましくは1〜2の整数である。一般式(2b)におけるqは、好ましくは0〜1の整数である。一般式(2b)におけるsは、好ましくは0〜2の整数である。
また、この置換基としては、前記芳香族基で挙げたものと同様のものが挙げられる。
一般式(2b)におけるpは、好ましくは0〜1の整数である。一般式(2b)におけるrは、好ましくは1〜2の整数である。一般式(2b)におけるqは、好ましくは0〜1の整数である。一般式(2b)におけるsは、好ましくは0〜2の整数である。
本発明の有機EL素子に用いられる一般式(2b)で表されるピレン誘導体の具体例としては、国際公開第2005/115950号公報[0020]〜[0023]に示されている非対称ピレン誘導体を挙げることができる。この他に対称ピレン誘導体も本発明の有機EL素子材料として利用できる。代表的な具体例を下記に示す。
一般式(2c)
(式(2c)中、Ar1c、Ar2cおよびAr3cは、それぞれ独立に、アントラセン構造を有する基、フェナントレン構造を有する基、フルオレン構造を有する基、ペリレン構造を有する基、およびピレン構造を有する基から選ばれる。
R1c、R2cおよびR3cは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。)
R1c、R2cおよびR3cは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。)
一般式(2c)におけるAr1c、Ar2cおよびAr3cは、好ましくは置換もしくは無置換のアントリルフェニル基、アントリル基、フェナントレニル基、ペリレニル基およびピレニル基から選ばれ、より好ましくはアルキル置換もしくは無置換のアントリルフェニル基、フェナントリル基およびピレニル基から選ばれ、特に好ましくはピレニル基およびフェナントリル基から選ばれる。
一般式(2c)における置換基R1c、R2cおよびR3cとしては、アルキル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、t−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばビニル、アリル、2−ブテニル、3−ペンテニルなどが挙げられる)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばプロパルギル、3−ペンチニルなどが挙げられる)、アリール基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニル、p−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる)、アミノ基(好ましくは炭素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜10であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、2−エチルヘキシロキシなどが挙げられる)、アリールオキシ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシなどが挙げられる)、ヘテロアリールオキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる)、アシル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる)、アリールオキシカルボニル基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる)、アシルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる)、アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる)、アリールオキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる)、スルホニルアミノ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる)、スルファモイル基(好ましくは炭素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜12であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる)、カルバモイル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる)、ヘテロアリールチオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルチオ、2−ベンズイミゾリルチオ、2−ベンズオキサゾリルチオ、2−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる)、スルホニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる)、スルフィニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる)、ウレイド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる)、リン酸アミド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる)、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる)、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜12であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる)、シリル基(好ましくは炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜24であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる)などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
一般式(2c)における置換基R1c、R2cおよびR3cは、好ましくはアルキル基およびアリール基から選ばれる。
一般式(2c)における置換基R1c、R2cおよびR3cは、好ましくはアルキル基およびアリール基から選ばれる。
本発明の有機EL素子に用いられる一般式(2c)で表されるアミン誘導体の具体例としては、特開2002−324678号公報[0079]〜[0083]に示されているアミン誘導体などの公知の各種アミン誘導体を挙げることができる。代表的な具体例を下記に示す。
一般式(2d)
(式(2d)中、Ar1d、Ar2dおよびAr3dは、それぞれ独立に、核炭素数6〜50のアリール基を表す。前記アリール基は1または2以上の置換基で置換されていてもよい。
Ar1d、Ar2d、Ar3dおよびこれらのアリール基が有する置換基の少なくとも1つは核炭素数10〜20の縮環アリール構造または核炭素数6〜20の縮環ヘテロアリール構造を有する。
Arは芳香環または複素芳香環から誘導される3価の基を表す。)
Ar1d、Ar2d、Ar3dおよびこれらのアリール基が有する置換基の少なくとも1つは核炭素数10〜20の縮環アリール構造または核炭素数6〜20の縮環ヘテロアリール構造を有する。
Arは芳香環または複素芳香環から誘導される3価の基を表す。)
一般式(2d)のAr1d、Ar2dおよびAr3dの核炭素数6〜50のアリール基は、好ましくは核炭素数が6〜30、より好ましくは6〜20、さらに好ましくは6〜16である。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントレニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオレニル基、ビフェニルイル基、ターフェニルイル基、ルブレニル基、クリセニル基、トリフェニレニル基、ベンゾアントリル基、ベンゾフェナントレニル基、ジフェニルアントリル基などが挙げられ、これらのアリール基はさらに置換基を有していても良い。
アリール基上の置換基としては、例えば、アルキル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、t−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばビニル、アリル、2−ブテニル、3−ペンテニルなどが挙げられる)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばプロパルギル、3−ペンチニルなどが挙げられる)、アリール基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニル、p−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる)、アミノ基(好ましくは炭素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜10であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、2−エチルヘキシロキシなどが挙げられる)、アリールオキシ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシなどが挙げられる)、ヘテロアリールオキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる)、アシル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる)、アリールオキシカルボニル基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる)、アシルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる)、アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる)、アリールオキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる)、スルホニルアミノ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる)、スルファモイル基(好ましくは炭素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜12であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる)、カルバモイル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる)、ヘテロアリールチオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルチオ、2−ベンズイミゾリルチオ、2−ベンズオキサゾリルチオ、2−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる)、スルホニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる)、スルフィニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる)、ウレイド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる)、リン酸アミド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる)、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる)、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜12であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる)、シリル基(好ましくは炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜24であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる)などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
一般式(2d)におけるAr1d、Ar2d及びAr3d及びこれらのアリール基が有する置換基の少なくとも1つが有する核炭素数10〜20の縮環アリール構造としては、ナフタレン構造、アントラセン構造、フェナントレン構造、ピレン構造、ペリレン構造などが挙げられ、好ましくはナフタレン構造、アントラセン構造、ピレン構造、フェナントレン構造であり、より好ましくはフェナントレン構造、4環以上のアリール構造であり、特に好ましくはピレン構造である。
一般式(2d)におけるAr1d、Ar2d及びAr3d及びこれらのアリール基が有する置換基の少なくとも1つが有する核炭素数6〜20の縮環ヘテロアリール構造としては、キノリン構造、キノキサリン構造、キナゾリン構造、アクリジン構造、フェナントリジン構造、フタラジン構造、フェナントロリン構造などが挙げられ、好ましくは、キノリン構造、キノキサリン構造、キナゾリン構造、フタラジン構造、フェナントロリン構造である。
一般式(2d)におけるAr1d、Ar2d及びAr3d及びこれらのアリール基が有する置換基の少なくとも1つが有する核炭素数6〜20の縮環ヘテロアリール構造としては、キノリン構造、キノキサリン構造、キナゾリン構造、アクリジン構造、フェナントリジン構造、フタラジン構造、フェナントロリン構造などが挙げられ、好ましくは、キノリン構造、キノキサリン構造、キナゾリン構造、フタラジン構造、フェナントロリン構造である。
一般式(2d)におけるArの芳香環から誘導される3価の基は、好ましくは炭素数6〜30であり、より好ましくは6〜20であり、さらに好ましくは炭素数6〜16である。具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラン、フェナントレン、ピレン、トリフェニレンから誘導される3価の基などが挙げられる。
一般式(2d)におけるArの複素芳香環から誘導される3価の基は、好ましくはヘテロ原子として窒素原子、硫黄原子および酸素原子から選ばれる原子を含み、より好ましくは窒素原子を含む。また、好ましくは炭素数2〜30であり、より好ましくは炭素数3〜20であり、さらに好ましくは炭素数3〜16である。具体的には、ピリジン、ピラジン、チオピラン、キノリン、キノキサリン、トリアジンから誘導される3価の基などが挙げられる。これらの芳香環または複素芳香環から誘導される3価の基は置換基を有していても良い。置換基としては、置換基Ar1d、Ar2d及びAr3dのアリール基上の置換基で示した基などが挙げられる。Arは、好ましくはベンゼントリイル、ナフタレントリイル、アントラセントリイル、ピレントリイル、トリフェニレンから誘導される3価の基であり、より好ましくはベンゼントリイルであり、さらに好ましくは無置換(Ar1d、Ar2dおよびAr3dは置換されている)ベンゼントリイル、アルキル置換ベンゼントリイルである。
一般式(2d)におけるArの複素芳香環から誘導される3価の基は、好ましくはヘテロ原子として窒素原子、硫黄原子および酸素原子から選ばれる原子を含み、より好ましくは窒素原子を含む。また、好ましくは炭素数2〜30であり、より好ましくは炭素数3〜20であり、さらに好ましくは炭素数3〜16である。具体的には、ピリジン、ピラジン、チオピラン、キノリン、キノキサリン、トリアジンから誘導される3価の基などが挙げられる。これらの芳香環または複素芳香環から誘導される3価の基は置換基を有していても良い。置換基としては、置換基Ar1d、Ar2d及びAr3dのアリール基上の置換基で示した基などが挙げられる。Arは、好ましくはベンゼントリイル、ナフタレントリイル、アントラセントリイル、ピレントリイル、トリフェニレンから誘導される3価の基であり、より好ましくはベンゼントリイルであり、さらに好ましくは無置換(Ar1d、Ar2dおよびAr3dは置換されている)ベンゼントリイル、アルキル置換ベンゼントリイルである。
本発明の有機EL素子に用いられる一般式(2d)で表されるベンゼン誘導体の具体例としては、特開2002−324678号公報[0079]〜[0083]に示されているベンゼン誘導体などの公知の各種ベンゼン誘導体を挙げることができる。代表的な具体例を下記に示す。
本発明の有機EL素子において、発光層等の各有機層の形成は、真空蒸着、分子線蒸着法(MBE法)、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法や溶媒に解かした溶液のスピンコーティング、ディッピング、キャスティング、バーコート、ロールコート、フローコーティング、インクジェット等の塗布法が適用することができる。
特に、本発明のベンゾチアジアゾール誘導体を用いて有機EL素子を製造する場合、有機化合物層及び発光層は、蒸着ばかりでなく、湿式でも成膜できる。
有機化合物層の各層の膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られなくなるおそれがあり、逆に厚すぎると一定の光出力を得るために高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常、膜厚は5nm〜10μmの範囲が適しているが、10nm〜0.2μmの範囲がさらに好ましい。
特に、本発明のベンゾチアジアゾール誘導体を用いて有機EL素子を製造する場合、有機化合物層及び発光層は、蒸着ばかりでなく、湿式でも成膜できる。
有機化合物層の各層の膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られなくなるおそれがあり、逆に厚すぎると一定の光出力を得るために高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常、膜厚は5nm〜10μmの範囲が適しているが、10nm〜0.2μmの範囲がさらに好ましい。
湿式成膜法の場合、本発明のベンゾチアジアゾール誘導体を含む発光性有機溶液、あるいは本発明のベンゾチアジアゾール誘導体を少なくとも1種と、前記一般式(2a)〜(2d)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種とを含む発光性有機溶液を用いることができる。
この場合、各層を形成する材料を、適切な溶媒に溶解または分散させて発光性有機溶液を調製し、薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであってもよい。溶媒としては、例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン、トリフルオロトルエンなどのハロゲン系炭化水素系溶媒や、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン、アニソール、ジメトキシエタン、などのエーテル系溶媒、メタノールやエタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコールなどのアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、2−ヘキサノン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン、4−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセトン、イソホロン、シクロヘキサノン、メチルヘキサノン、アセトフェノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ヘキサン、シクロヘキサン、オクタン、デカン、テトラリンなどの炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒、ジメチルカーボネート、メチルエチルカーボネート、ジエチルカーボネートなどの鎖状炭酸エステル系溶媒、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどの環状炭酸エステル系溶媒などが挙げられる。なかでも、トルエン、ジオキサンなどの炭化水素系溶媒やエーテル系溶媒が好ましい。また、これらの溶媒は一種を単独で使用しても二種以上を混合して用いてもよい。なお、使用し得る溶媒はこれらに限定されるものではない。
この場合、各層を形成する材料を、適切な溶媒に溶解または分散させて発光性有機溶液を調製し、薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであってもよい。溶媒としては、例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン、トリフルオロトルエンなどのハロゲン系炭化水素系溶媒や、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン、アニソール、ジメトキシエタン、などのエーテル系溶媒、メタノールやエタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコールなどのアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、2−ヘキサノン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン、4−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセトン、イソホロン、シクロヘキサノン、メチルヘキサノン、アセトフェノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ヘキサン、シクロヘキサン、オクタン、デカン、テトラリンなどの炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒、ジメチルカーボネート、メチルエチルカーボネート、ジエチルカーボネートなどの鎖状炭酸エステル系溶媒、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどの環状炭酸エステル系溶媒などが挙げられる。なかでも、トルエン、ジオキサンなどの炭化水素系溶媒やエーテル系溶媒が好ましい。また、これらの溶媒は一種を単独で使用しても二種以上を混合して用いてもよい。なお、使用し得る溶媒はこれらに限定されるものではない。
また、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂およびそれらの共重合体、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂などが挙げられる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤などが挙げられる。
本発明により得られた有機EL素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコーンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。
本発明の有機EL素子においては、好ましくは発光層中に本発明のベンゾチアジアゾール誘導体が0.01〜20重量%、より好ましくは0.5〜20重量%含有されている。
本発明の有機EL素子においては、好ましくは一対の電極の少なくとも一方の表面に、カルコゲニド層、ハロゲン化金属層および金属酸化物層から選ばれる層を配置したものである。
本発明により得られた有機EL素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコーンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。
本発明の有機EL素子においては、好ましくは発光層中に本発明のベンゾチアジアゾール誘導体が0.01〜20重量%、より好ましくは0.5〜20重量%含有されている。
本発明の有機EL素子においては、好ましくは一対の電極の少なくとも一方の表面に、カルコゲニド層、ハロゲン化金属層および金属酸化物層から選ばれる層を配置したものである。
(有機EL素子の構成)
以下、本発明の有機EL素子の素子構成について説明する。
(1)有機EL素子の構成
本発明の有機EL素子の代表的な素子構成としては、
(1) 陽極/発光層/陰極
(2) 陽極/正孔注入層/発光層/陰極
(3) 陽極/発光層/電子注入層/陰極
(4) 陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
(5) 陽極/有機半導体層/発光層/陰極
(6) 陽極/有機半導体層/電子障壁層/発光層/陰極
(7) 陽極/有機半導体層/発光層/付着改善層/陰極
(8) 陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
(9) 陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(10)陽極/無機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(11)陽極/有機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(12)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極
(13)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
などの構造を挙げることができる。
これらの中で通常(8)の構成が好ましく用いられる。
本発明の化合物は、上記のどの有機層に用いられてもよいが、これらの構成要素の中の発光帯域もしくは正孔輸送帯域に含有されていることが好ましい。含有させる量は30〜100モル%から選ばれる。
以下、本発明の有機EL素子の素子構成について説明する。
(1)有機EL素子の構成
本発明の有機EL素子の代表的な素子構成としては、
(1) 陽極/発光層/陰極
(2) 陽極/正孔注入層/発光層/陰極
(3) 陽極/発光層/電子注入層/陰極
(4) 陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
(5) 陽極/有機半導体層/発光層/陰極
(6) 陽極/有機半導体層/電子障壁層/発光層/陰極
(7) 陽極/有機半導体層/発光層/付着改善層/陰極
(8) 陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
(9) 陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(10)陽極/無機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(11)陽極/有機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(12)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極
(13)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
などの構造を挙げることができる。
これらの中で通常(8)の構成が好ましく用いられる。
本発明の化合物は、上記のどの有機層に用いられてもよいが、これらの構成要素の中の発光帯域もしくは正孔輸送帯域に含有されていることが好ましい。含有させる量は30〜100モル%から選ばれる。
(2)透光性基板
本発明の有機EL素子は、透光性の基板上に作製する。ここでいう透光性基板は有機EL素子を支持する基板であり、400〜700nmの可視領域の光の透過率が50%以上で平滑な基板が好ましい。
具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。
本発明の有機EL素子は、透光性の基板上に作製する。ここでいう透光性基板は有機EL素子を支持する基板であり、400〜700nmの可視領域の光の透過率が50%以上で平滑な基板が好ましい。
具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。
(3)陽極
本発明の有機EL素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、4.5eV以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金(ITO)、酸化錫(NESA)、金、銀、白金、銅等が適用できる。また、陽極としては、電子輸送層又は発光層に電子を注入する目的で、仕事関数の小さい材料が好ましい。
陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。
このように発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が10%より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω/□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1μm、好ましくは10〜200nmの範囲で選択される。
本発明の有機EL素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、4.5eV以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金(ITO)、酸化錫(NESA)、金、銀、白金、銅等が適用できる。また、陽極としては、電子輸送層又は発光層に電子を注入する目的で、仕事関数の小さい材料が好ましい。
陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。
このように発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が10%より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω/□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1μm、好ましくは10〜200nmの範囲で選択される。
(4)発光層
有機EL素子の発光層は以下の機能を併せ持つものである。すなわち、
(1) 注入機能;電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
(2) 輸送機能;注入した電荷(電子と正孔)を電界の力で移動させる機能
(3) 発光機能;電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
がある。ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよく、また、正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。
この発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、LB法、ディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。
ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、LB法により形成された薄膜(分子累積膜)とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また、特開昭57−51781号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
本発明においては、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により発光層に、本発明のベンゾチアジアゾール誘導体を有する化合物及び縮合環含有化合物からなる発光材料以外の他の公知の発光材料を含有させても良く、また本発明の発光材料を含む発光層に、他の公知の発光材料を含む発光層を積層してもよい。
さらに、発光層の膜厚は、好ましくは5〜50nm、より好ましくは7〜50nm、最も好ましくは10〜50nmである。5nm未満では発光層形成が困難となり、色度の調整が困難となる恐れがあり、50nmを超えると駆動電圧が上昇する恐れがある。
有機EL素子の発光層は以下の機能を併せ持つものである。すなわち、
(1) 注入機能;電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
(2) 輸送機能;注入した電荷(電子と正孔)を電界の力で移動させる機能
(3) 発光機能;電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
がある。ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよく、また、正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。
この発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、LB法、ディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。
ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、LB法により形成された薄膜(分子累積膜)とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また、特開昭57−51781号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
本発明においては、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により発光層に、本発明のベンゾチアジアゾール誘導体を有する化合物及び縮合環含有化合物からなる発光材料以外の他の公知の発光材料を含有させても良く、また本発明の発光材料を含む発光層に、他の公知の発光材料を含む発光層を積層してもよい。
さらに、発光層の膜厚は、好ましくは5〜50nm、より好ましくは7〜50nm、最も好ましくは10〜50nmである。5nm未満では発光層形成が困難となり、色度の調整が困難となる恐れがあり、50nmを超えると駆動電圧が上昇する恐れがある。
(5)正孔注入・輸送層(正孔輸送帯域)
正孔注入・輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常5.5eV以下と小さい。このような正孔注入・輸送層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば104〜106V/cmの電界印加時に、少なくとも10-4cm2/V・秒であれば好ましい。
本発明のベンゾチアジアゾール誘導体を正孔輸送帯域に用いる場合、本発明のベンゾチアジアゾール誘導体単独で正孔注入、輸送層を形成してもよく、他の材料と混合して用いてもよい。
本発明のベンゾチアジアゾール誘導体と混合して正孔注入・輸送層を形成する材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機EL素子の正孔注入・輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
正孔注入・輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常5.5eV以下と小さい。このような正孔注入・輸送層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば104〜106V/cmの電界印加時に、少なくとも10-4cm2/V・秒であれば好ましい。
本発明のベンゾチアジアゾール誘導体を正孔輸送帯域に用いる場合、本発明のベンゾチアジアゾール誘導体単独で正孔注入、輸送層を形成してもよく、他の材料と混合して用いてもよい。
本発明のベンゾチアジアゾール誘導体と混合して正孔注入・輸送層を形成する材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機EL素子の正孔注入・輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
具体例としては、トリアゾール誘導体(米国特許3,112,197号明細書等参照)、オキサジアゾール誘導体(米国特許3,189,447号明細書等参照)、イミダゾール誘導体(特公昭37−16096号公報等参照)、ポリアリールアルカン誘導体(米国特許3,615,402号明細書、同第3,820,989号明細書、同第3,542,544号明細書、特公昭45−555号公報、同51−10983号公報、特開昭51−93224号公報、同55−17105号公報、同56−4148号公報、同55−108667号公報、同55−156953号公報、同 56−36656号公報等参照)、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体(米国特許第3,180,729号明細書、同第4,278,746号明細書、特開昭55−88064号公報、同55−88065号公報、同49−105537号公報、同55−51086号公報、同56−80051号公報、同56−88141号公報、同57−45545号公報、同54−112637号公報、同55−74546号公報等参照)、フェニレンジアミン誘導体(米国特許第3,615,404号明細書、特公昭51−10105号公報、同46−3712号公報、同47−25336号公報、特開昭54−53435号公報、同54−110536号公報、同54−119925号公報等参照)、アリールアミン誘導体(米国特許第3,567,450号明細書、同第3,180,703号明細書、同第3,240,597号明細書、同第3,658,520号明細書、同第4,232,103号明細書、同第4,175,961号明細書、同第4,012,376号明細書、特公昭49−35702号公報、同39−27577号公報、特開昭55−144250号公報、同56−119132号公報、同56−22437号公報、西独特許第1,110,518号明細書等参照)、アミノ置換カルコン誘導体(米国特許第3,526,501号明細書等参照)、オキサゾール誘導体(米国特許第3,257,203号明細書等に開示のもの)、スチリルアントラセン誘導体(特開昭56−46234号公報等参照)、フルオレノン誘導体(特開昭54−110837号公報等参照)、ヒドラゾン誘導体(米国特許第3,717,462号明細書、特開昭54−59143号公報、同55−52063号公報、同55−52064号公報、同55−46760号公報、同55−85495号公報、同57−11350号公報、同57−148749号公報、特開平2−311591号公報等参照)、スチルベン誘導体(特開昭61−210363号公報、同第61−228451号公報、同61−14642号公報、同61−72255号公報、同62−47646号公報、同62−36674号公報、同62−10652号公報、同62−30255号公報、同60−93455号公報、同60−94462号公報、同60−174749号公報、同60−175052号公報等参照)、シラザン誘導体(米国特許第4,950,950号明細書)、ポリシラン系(特開平2−204996号公報)、アニリン系共重合体(特開平2−282263号公報)、特開平1−211399号公報に開示されている導電性高分子オリゴマー(特にチオフェンオリゴマー)等を挙げることができる。
正孔注入・輸送層の材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物(特開昭63−2956965号公報等に開示のもの)、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物(米国特許第4,127,412号明細書、特開昭53−27033号公報、同54−58445号公報、同54−149634号公報、同54−64299号公報、同55−79450号公報、同55−144250号公報、同56−119132号公報、同61−295558号公報、同61−98353号公報、同63−295695号公報等参照)、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
また、米国特許第5,061,569号に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば、4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニル(以下NPDと略記する)、また特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(以下MTDATAと略記する)等を挙げることができる。
また発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、p型Si、p型SiC等の無機化合物も正孔注入層の材料として使用することができる。
また、米国特許第5,061,569号に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば、4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニル(以下NPDと略記する)、また特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(以下MTDATAと略記する)等を挙げることができる。
また発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、p型Si、p型SiC等の無機化合物も正孔注入層の材料として使用することができる。
正孔注入・輸送層は上述した化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入・輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は5nm〜5μmである。
(6)電子注入層
電子注入層は、発光層への電子の注入を助ける層であって、電子移動度が大きく、また付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着が良い材料からなる層である。電子注入層に用いられる材料としては、8−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体が好適である。
上記8−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン(一般に8−キノリノール又は8−ヒドロキシキノリン)のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物が挙げられる。
例えば発光材料の項で記載したAlqを電子注入層として用いることができる。
電子注入層は、発光層への電子の注入を助ける層であって、電子移動度が大きく、また付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着が良い材料からなる層である。電子注入層に用いられる材料としては、8−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体が好適である。
上記8−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン(一般に8−キノリノール又は8−ヒドロキシキノリン)のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物が挙げられる。
例えば発光材料の項で記載したAlqを電子注入層として用いることができる。
一方、オキサジアゾール誘導体としては、以下の一般式で表される電子伝達化合物が挙げられる。
(式中、Ar1、Ar2、Ar3、Ar5、Ar6およびAr9は置換もしくは無置換のアリール基を示し、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。またAr4、Ar7およびAr8は置換もしくは無置換のアリーレン基を示し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。)
ここでアリール基としてはフェニル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基が挙げられる。また、アリーレン基としてはフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。また、置換基としては炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基またはシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形成性のものが好ましい。
ここでアリール基としてはフェニル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基が挙げられる。また、アリーレン基としてはフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。また、置換基としては炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基またはシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形成性のものが好ましい。
本発明の有機EL素子の好ましい形態に、電子を輸送する領域又は陰極と有機層の界面領域に、還元性ドーパントを含有する素子がある。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。したがって、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物または希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。
また、より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、Li(仕事関数:2.9eV)、Na(仕事関数:2.36eV)、K(仕事関数:2.28eV)、Rb(仕事関数:2.16eV)およびCs(仕事関数:1.95eV)からなる群から選択される少なくとも1つのアルカリ金属や、Ca(仕事関数:2.9eV)、Sr(仕事関数:2.0〜2.5eV)、およびBa(仕事関数:2.52eV)からなる群から選択される少なくとも1つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事関数が2.9eV以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、K、RbおよびCsからなる群から選択される少なくとも1つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、RbまたはCsであり、最も好ましのは、Csである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が2.9eV以下の還元性ドーパントとして、これら2種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましく、特に、Csを含んだ組み合わせ、例えば、CsとNa、CsとK、CsとRbあるいはCsとNaとKとの組み合わせであることが好ましい。Csを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
また、より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、Li(仕事関数:2.9eV)、Na(仕事関数:2.36eV)、K(仕事関数:2.28eV)、Rb(仕事関数:2.16eV)およびCs(仕事関数:1.95eV)からなる群から選択される少なくとも1つのアルカリ金属や、Ca(仕事関数:2.9eV)、Sr(仕事関数:2.0〜2.5eV)、およびBa(仕事関数:2.52eV)からなる群から選択される少なくとも1つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事関数が2.9eV以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、K、RbおよびCsからなる群から選択される少なくとも1つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、RbまたはCsであり、最も好ましのは、Csである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が2.9eV以下の還元性ドーパントとして、これら2種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましく、特に、Csを含んだ組み合わせ、例えば、CsとNa、CsとK、CsとRbあるいはCsとNaとKとの組み合わせであることが好ましい。Csを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
本発明においては陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層をさらに設けても良い。この時、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも1つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲニド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲニドとしては、例えば、Li2O、K2O、Na2S、Na2SeおよびNa2Oが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲニドとしては、例えば、CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、およびCaSeが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、LiF、NaF、KF、LiCl、KClおよびNaCl等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、CaF2、BaF2、SrF2、MgF2およびBeF2といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
また、電子輸送層を構成する半導体としては、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、SbおよびZnの少なくとも1つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等の1種単独または2種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶または非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
また、電子輸送層を構成する半導体としては、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、SbおよびZnの少なくとも1つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等の1種単独または2種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶または非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
(7)陰極
陰極としては、電子注入・輸送層又は発光層に電子を注入するため、仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム・カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム/酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
ここで発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は10%より大きくすることが好ましい。
また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜1μm、好ましくは50〜200nmである。
陰極としては、電子注入・輸送層又は発光層に電子を注入するため、仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム・カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム/酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
ここで発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は10%より大きくすることが好ましい。
また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜1μm、好ましくは50〜200nmである。
(8)絶縁層
有機EL素子は超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入することが好ましい。
絶縁層に用いられる材料としては例えば酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セ シウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。
これらの混合物や積層物を用いてもよい。
有機EL素子は超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入することが好ましい。
絶縁層に用いられる材料としては例えば酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セ シウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。
これらの混合物や積層物を用いてもよい。
(9)有機EL素子の製造方法
以上例示した材料及び形成方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入層、及び必要に応じて電子注入層を形成し、さらに陰極を形成することにより有機EL素子を作製することができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機EL素子を作製することもできる。
以下、透光性基板上に陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極が順次設けられた構成の有機EL素子の作製例を記載する。
まず適当な透光性基板上に陽極材料からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成して陽極を作製する。次にこの陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の方法により行うことができる。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物(正孔注入層の材料)、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度50〜450℃、真空度10-7〜10-3Torr、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−50〜300℃、膜厚5nm〜5μmの範囲で適宜選択することが好ましい。
以上例示した材料及び形成方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入層、及び必要に応じて電子注入層を形成し、さらに陰極を形成することにより有機EL素子を作製することができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機EL素子を作製することもできる。
以下、透光性基板上に陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極が順次設けられた構成の有機EL素子の作製例を記載する。
まず適当な透光性基板上に陽極材料からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成して陽極を作製する。次にこの陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の方法により行うことができる。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物(正孔注入層の材料)、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度50〜450℃、真空度10-7〜10-3Torr、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−50〜300℃、膜厚5nm〜5μmの範囲で適宜選択することが好ましい。
次に、正孔注入層上に発光層を設ける発光層の形成も、所望の有機発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により有機発光材料を薄膜化することにより形成できる。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層と同じような条件範囲の中から選択することができる。
次に、この発光層上に電子注入層を設ける。正孔注入層、発光層と同様の方法により形成することができる。条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
本発明の化合物は、発光帯域や正孔輸送帯域のいずれの層に含有させるかによって異なるが、真空蒸着法を用いる場合は他の材料との共蒸着をすることができる。また、スピンコート法を用いる場合は、他の材料と混合することによって含有させることができる。
最後に陰極を積層して有機EL素子を得ることができる。
陰極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。
次に、この発光層上に電子注入層を設ける。正孔注入層、発光層と同様の方法により形成することができる。条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
本発明の化合物は、発光帯域や正孔輸送帯域のいずれの層に含有させるかによって異なるが、真空蒸着法を用いる場合は他の材料との共蒸着をすることができる。また、スピンコート法を用いる場合は、他の材料と混合することによって含有させることができる。
最後に陰極を積層して有機EL素子を得ることができる。
陰極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。
本発明の有機EL素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。本発明の有機EL素子に用いる、前記一般式(1)で示される化合物を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法(MBE法)あるいは溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。
本発明の有機EL素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数nmから1μmの範囲が好ましい。
なお、有機EL素子に直流電圧を印加する場合、陽極を+、陰極を−の極性にして、5〜40Vの電圧を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加した場合には陽極が+、陰極が−の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は任意でよい。
本発明の有機EL素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数nmから1μmの範囲が好ましい。
なお、有機EL素子に直流電圧を印加する場合、陽極を+、陰極を−の極性にして、5〜40Vの電圧を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加した場合には陽極が+、陰極が−の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は任意でよい。
(有機EL素子の応用)
本発明の有機EL素子は、低電圧であっても高輝度及び高発光効率が求められる製品に応用が可能である。応用例としては、表示装置、ディスプレイ、照明装置、プリンター光源、液晶表示装置のバックライトなどが挙げられ、標識、看板、インテリア等の分野にも適用できる。表示装置としては、省エネルギーや高視認性のフラットパネルディスプレイが挙げられる。また、プリンター光源としては、レーザービームプリンタの光源として使用することができる。また、本発明の素子を用いることで、装置体積を大幅に減少することもできる。照明装置やバックライトに関しては、本発明の有機EL素子を用いることで省エネルギー効果が期待できる。
本発明の有機EL素子は、低電圧であっても高輝度及び高発光効率が求められる製品に応用が可能である。応用例としては、表示装置、ディスプレイ、照明装置、プリンター光源、液晶表示装置のバックライトなどが挙げられ、標識、看板、インテリア等の分野にも適用できる。表示装置としては、省エネルギーや高視認性のフラットパネルディスプレイが挙げられる。また、プリンター光源としては、レーザービームプリンタの光源として使用することができる。また、本発明の素子を用いることで、装置体積を大幅に減少することもできる。照明装置やバックライトに関しては、本発明の有機EL素子を用いることで省エネルギー効果が期待できる。
以下、本発明を実施例にもとに詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない。
合成例1 4,7−ビス(6−フェニルピリジン−2−イル)−2,1,3−ベンゾチアジアゾール(1a−1)の合成
1−1. 2−フェニル−6−(トリブチルスタニル)ピリジンの合成
2−(ジメチルアミノ)エタノール 8.0mL(80mmol)、脱水ヘキサン 100mL の混合溶液を0℃に冷やし、1.6M n−ブチルリチウムヘキサン溶液 100mL を1時間かけ滴下し、0℃にて、1時間攪拌した。0℃にて、2−フェニルピリジン 4.12g(26.6mmol)、脱水ヘキサン 50mL の混合溶液を、20分かけて滴下し、0℃にて2時間40分攪拌した。反応混合液を−70℃に冷却し、トリブチルチンクロリド 31.25g(96.0mmol)、脱水ヘキサン 50mLの溶液を20分かけて滴下した。滴下終了後、徐々に室温にもどし、一時間攪拌した。一晩放置後、反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出した。分液後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。得られたオイルをカラムクロマトグラフ(シリカゲル:ヘキサン/酢酸エチル=20/1)により精製し、約20gのオイルを得た。このオイルを再び、カラムクロマトグラフ(シリカゲル:ヘキサン/酢酸エチル=20/1)により精製し、2−フェニル−6−(トリブチルスタニル)ピリジン 6.73g(収率56.9%)を得た。
2−(ジメチルアミノ)エタノール 8.0mL(80mmol)、脱水ヘキサン 100mL の混合溶液を0℃に冷やし、1.6M n−ブチルリチウムヘキサン溶液 100mL を1時間かけ滴下し、0℃にて、1時間攪拌した。0℃にて、2−フェニルピリジン 4.12g(26.6mmol)、脱水ヘキサン 50mL の混合溶液を、20分かけて滴下し、0℃にて2時間40分攪拌した。反応混合液を−70℃に冷却し、トリブチルチンクロリド 31.25g(96.0mmol)、脱水ヘキサン 50mLの溶液を20分かけて滴下した。滴下終了後、徐々に室温にもどし、一時間攪拌した。一晩放置後、反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出した。分液後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。得られたオイルをカラムクロマトグラフ(シリカゲル:ヘキサン/酢酸エチル=20/1)により精製し、約20gのオイルを得た。このオイルを再び、カラムクロマトグラフ(シリカゲル:ヘキサン/酢酸エチル=20/1)により精製し、2−フェニル−6−(トリブチルスタニル)ピリジン 6.73g(収率56.9%)を得た。
1−2. 4,7−ビス(6−フェニルピリジン−2−イル)−2,1,3−ベンゾチアジアゾール(1a−1)の合成
アルゴン雰囲気下、4,7−ジブロモ−2,1,3−ベンゾチアジアゾール 1.24g(4.22mmol)、2−フェニル−6−(トリブチルスタニル)ピリジン 6.73g(15.20mmol)の脱水トルエンに、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)0.29g(0.25mmol)、塩化リチウム 5.60g(132.0mmol)を加え、加熱還流下、15時間反応した。反応混合物を熱いまま、セライト濾過で不溶物を取り除き、トルエンで洗浄した。濾液を濃縮し、トルエンで再結晶化し、析出した固体を濾取し、4,7−ビス(6−フェニルピリジン−2−イル)−2,1,3−ベンゾチアジアゾール 1.48g(収率79.3%)を得た。
FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)、トルエン溶液中の紫外線吸収スペクトル(UV,○)及び蛍光発光スペクトル(FL,●)を測定(図2)した結果と、陽子核磁気共鳴(1H−NMR)を測定した結果(図3)を以下に示す。
FD−MS:計算値C24H14N4S=442 実測値 442
UV(PhMe);λmax, 397(ε4.20)、FL(PhMe,λex=397nm);λmax, 466nm
アルゴン雰囲気下、4,7−ジブロモ−2,1,3−ベンゾチアジアゾール 1.24g(4.22mmol)、2−フェニル−6−(トリブチルスタニル)ピリジン 6.73g(15.20mmol)の脱水トルエンに、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)0.29g(0.25mmol)、塩化リチウム 5.60g(132.0mmol)を加え、加熱還流下、15時間反応した。反応混合物を熱いまま、セライト濾過で不溶物を取り除き、トルエンで洗浄した。濾液を濃縮し、トルエンで再結晶化し、析出した固体を濾取し、4,7−ビス(6−フェニルピリジン−2−イル)−2,1,3−ベンゾチアジアゾール 1.48g(収率79.3%)を得た。
FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)、トルエン溶液中の紫外線吸収スペクトル(UV,○)及び蛍光発光スペクトル(FL,●)を測定(図2)した結果と、陽子核磁気共鳴(1H−NMR)を測定した結果(図3)を以下に示す。
FD−MS:計算値C24H14N4S=442 実測値 442
UV(PhMe);λmax, 397(ε4.20)、FL(PhMe,λex=397nm);λmax, 466nm
合成例2 4,7−ビス(キノリン−2−イル)−2,1,3−ベンゾチアジアゾール(1b−1)の合成
2−1. 2−ブロモキノリンの合成
2−クロロキノリン 16.36g(100mmol)のプロピオニトリル 100mLの混合液に、ブロモトリメチルシラン 25.86mL(200mmol)を加え、加熱還流下、25時間攪拌した。放冷後、反応混合物を2.0M水酸化ナトリウム水溶液の氷水に注ぎ込み、ジクロロメタンで2回抽出した。分液後、有機相を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過後、減圧下溶媒を留去し、褐色の結晶として2−ブロモキノリン 20.55g(収率99%)を得た。
1H-NMR(CDCl3)δ:8.05(1H,d,J=8Hz),8.00(1H,d,J=8Hz), 7.81(1H,d,J=8Hz) ,
7.74(1H,d,J=8Hz),7.58(1H,d,J=8Hz), 7.53(1H,d,J=8Hz)
2−クロロキノリン 16.36g(100mmol)のプロピオニトリル 100mLの混合液に、ブロモトリメチルシラン 25.86mL(200mmol)を加え、加熱還流下、25時間攪拌した。放冷後、反応混合物を2.0M水酸化ナトリウム水溶液の氷水に注ぎ込み、ジクロロメタンで2回抽出した。分液後、有機相を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過後、減圧下溶媒を留去し、褐色の結晶として2−ブロモキノリン 20.55g(収率99%)を得た。
1H-NMR(CDCl3)δ:8.05(1H,d,J=8Hz),8.00(1H,d,J=8Hz), 7.81(1H,d,J=8Hz) ,
7.74(1H,d,J=8Hz),7.58(1H,d,J=8Hz), 7.53(1H,d,J=8Hz)
2−2. 4,7−ビス(キノリン−2−イル)−2,1,3−ベンゾチアジアゾール(1b−1)の合成
アルゴン雰囲気下、1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジスタナン 10.0g(30.52mmol)の脱水トルエン 100mLの溶液に、2−ブロモキノリン 5.29g(25.43mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0) 1.47g(1.27mmol)を加え、加熱還流下、4時間攪拌した。この反応混合物に、4,7−ジブロモ−2,1,3−ベンゾチアジアゾール 3.55g(12.08mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0) 1.47g(1.27mmol)、塩化リチウム 16.17g(381.45mmol)を加え、加熱還流下、10時間反応した。反応混合物を、セライト濾過で不溶物を取り除き、トルエンで洗浄した。減圧下、濾液を濃縮し、カラムクロマトグラフ(シリカゲル:ヘキサン/酢酸エチル=10/1→5/1)にて精製し、再び、カラムクロマトグラフ(シリカゲル:ヘキサン/酢酸エチル=10/1→5/1)にて精製した。
液体クロマトグラフマススペクトル(LC−MS)、トルエン溶液中の紫外線吸収スペクトル(UV,○)及び蛍光発光スペクトル(FL,●)を測定した結果(図4)と、陽子核磁気共鳴(1H−NMR)を測定した結果(図5)を以下に示す。
LC-MS(APCI+), calcd for C24H14N4S=390.09 , found m/z=391.01 (M+1)
UV(PhMe);λmax, 398(ε4.41)、FL(PhMe,λex=319nm);λmax, 468nm
アルゴン雰囲気下、1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジスタナン 10.0g(30.52mmol)の脱水トルエン 100mLの溶液に、2−ブロモキノリン 5.29g(25.43mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0) 1.47g(1.27mmol)を加え、加熱還流下、4時間攪拌した。この反応混合物に、4,7−ジブロモ−2,1,3−ベンゾチアジアゾール 3.55g(12.08mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0) 1.47g(1.27mmol)、塩化リチウム 16.17g(381.45mmol)を加え、加熱還流下、10時間反応した。反応混合物を、セライト濾過で不溶物を取り除き、トルエンで洗浄した。減圧下、濾液を濃縮し、カラムクロマトグラフ(シリカゲル:ヘキサン/酢酸エチル=10/1→5/1)にて精製し、再び、カラムクロマトグラフ(シリカゲル:ヘキサン/酢酸エチル=10/1→5/1)にて精製した。
液体クロマトグラフマススペクトル(LC−MS)、トルエン溶液中の紫外線吸収スペクトル(UV,○)及び蛍光発光スペクトル(FL,●)を測定した結果(図4)と、陽子核磁気共鳴(1H−NMR)を測定した結果(図5)を以下に示す。
LC-MS(APCI+), calcd for C24H14N4S=390.09 , found m/z=391.01 (M+1)
UV(PhMe);λmax, 398(ε4.41)、FL(PhMe,λex=319nm);λmax, 468nm
実施例1
(1)有機EL素子の製造
25mm×75mm×1.1mm厚のガラス基板上に、膜厚120nmのインジウムスズ酸化物からなる透明電極を設けた。このガラス基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、紫外線及びオゾンを照射して洗浄した。
次いで、透明電極付きガラス基板を、真空蒸着装置の蒸着槽内の基板ホルダーに装着するとともに、真空槽内の真空度を1×10-3Paに減圧した。
まず、透明電極が形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにしてN’,N’’−ビス[4−(ジフェニルアミノ)フェニル]−N’,N’’−ジフェニルビフェニル−4,4’−ジアミンの層を、蒸着速度2nm/sec、膜厚60nmで成膜した。この膜は正孔注入層として機能する。
次に、この正孔注入層の上にN,N‐ビス[4’‐{N−(ナフチル‐1‐イル)‐N−フェニル}アミノビフェニル‐4‐イル]‐N−フェニルアミンの層を、蒸着速度2nm/sec、膜厚20nmに成膜した。この膜は正孔輸送層として機能する。
正孔輸送層の上に、化合物(2a‘−59)と化合物(1−a−1)を、それぞれ蒸着速度2nm/sec及び0.1nm/sec、膜厚40nmに、重量比が1−1:2−1=40:1となるように同時蒸着した。この膜は発光層として機能する。
その上に、トリス(8−ヒドロキシキノリノ)アルミニウムを、蒸着速度2nm/sec、膜厚20nmで蒸着し、電子輸送層を成膜した。
さらに、フッ化リチウムを、蒸着速度0.1nm/sec、膜厚1nmで、電子注入層を成膜した。
最後に、アルミニウムを蒸着速度2nm/sec、膜厚200nmで、陰極層を形成した。
(1)有機EL素子の製造
25mm×75mm×1.1mm厚のガラス基板上に、膜厚120nmのインジウムスズ酸化物からなる透明電極を設けた。このガラス基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、紫外線及びオゾンを照射して洗浄した。
次いで、透明電極付きガラス基板を、真空蒸着装置の蒸着槽内の基板ホルダーに装着するとともに、真空槽内の真空度を1×10-3Paに減圧した。
まず、透明電極が形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにしてN’,N’’−ビス[4−(ジフェニルアミノ)フェニル]−N’,N’’−ジフェニルビフェニル−4,4’−ジアミンの層を、蒸着速度2nm/sec、膜厚60nmで成膜した。この膜は正孔注入層として機能する。
次に、この正孔注入層の上にN,N‐ビス[4’‐{N−(ナフチル‐1‐イル)‐N−フェニル}アミノビフェニル‐4‐イル]‐N−フェニルアミンの層を、蒸着速度2nm/sec、膜厚20nmに成膜した。この膜は正孔輸送層として機能する。
正孔輸送層の上に、化合物(2a‘−59)と化合物(1−a−1)を、それぞれ蒸着速度2nm/sec及び0.1nm/sec、膜厚40nmに、重量比が1−1:2−1=40:1となるように同時蒸着した。この膜は発光層として機能する。
その上に、トリス(8−ヒドロキシキノリノ)アルミニウムを、蒸着速度2nm/sec、膜厚20nmで蒸着し、電子輸送層を成膜した。
さらに、フッ化リチウムを、蒸着速度0.1nm/sec、膜厚1nmで、電子注入層を成膜した。
最後に、アルミニウムを蒸着速度2nm/sec、膜厚200nmで、陰極層を形成した。
(2)有機EL素子の評価
次にこの素子に通電試験を行ったところ、電圧6.5Vにて発光輝度が450cd/m2であり、発光色は青色であることを確認した。また、初期発光輝度を100cd/m2として定電流駆動させたところ、半減寿命は10,000時間以上であり、十分、実用領域であることを確認した。得られた結果を表1に示す。
次にこの素子に通電試験を行ったところ、電圧6.5Vにて発光輝度が450cd/m2であり、発光色は青色であることを確認した。また、初期発光輝度を100cd/m2として定電流駆動させたところ、半減寿命は10,000時間以上であり、十分、実用領域であることを確認した。得られた結果を表1に示す。
実施例2〜5
実施例2〜5においては、発光層に、実施例1の化合物(2a'−59)と化合物(1-a-1)の代わりに、それぞれ実施例2では化合物(2a-17)と化合物(1−a-13)を、実施例3では化合物(2a'−59)と化合物(1-b-1)を、実施例4では化合物(2a-7)と化合物(1-a-13)を、また実施例5では化合物(2c-1)と化合物(1-a-13)を用いた他は、実施例1と同様に有機EL素子を作製した。
実施例2〜5においては、発光層に、実施例1の化合物(2a'−59)と化合物(1-a-1)の代わりに、それぞれ実施例2では化合物(2a-17)と化合物(1−a-13)を、実施例3では化合物(2a'−59)と化合物(1-b-1)を、実施例4では化合物(2a-7)と化合物(1-a-13)を、また実施例5では化合物(2c-1)と化合物(1-a-13)を用いた他は、実施例1と同様に有機EL素子を作製した。
比較例1
比較例1においては、発光層に、実施例2の化合物(2a-17)と化合物(1-a-13)の代わりに、化合物(2a-17)と下記化合物(A)を膜厚40nm(2a-17:A=40:1)を用いた他は、実施例1と同様に有機EL素子を作製した。
次にこの素子に通電試験を行ったところ、電圧6.5Vにて発光輝度が300cd/m2であり、発光色は青色であることを確認したが、初期発光輝度を100cd/m2として定電流駆動させたところ、半減寿命は3,000時間と短かった。
比較例1においては、発光層に、実施例2の化合物(2a-17)と化合物(1-a-13)の代わりに、化合物(2a-17)と下記化合物(A)を膜厚40nm(2a-17:A=40:1)を用いた他は、実施例1と同様に有機EL素子を作製した。
次にこの素子に通電試験を行ったところ、電圧6.5Vにて発光輝度が300cd/m2であり、発光色は青色であることを確認したが、初期発光輝度を100cd/m2として定電流駆動させたところ、半減寿命は3,000時間と短かった。
以上詳細に説明したように、発光層が前記一般式(1)で表されるベンゾチアジアゾール誘導体から選ばれる少なくとも1種と、前記一般式(2a)〜(2d)に示す構造を有する化合物から選ばれる少なくとも1種とを含有する本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、色純度に優れ、発光輝度が高く、寿命が長い。このため、本発明の有機EL素子は、実用性が高く、壁掛テレビの平面発光体やディスプレイのバックライト等の光源として有用である。有機EL素子、正孔注入・輸送材料、さらには電子写真感光体や有機半導体の電荷輸送材料としても用いることができる。
10 陽極
20 有機化合物層
21 正孔注入層
22 正孔輸送層
23 発光層
24 電子輸送層
25 電子注入層
30 陰極
20 有機化合物層
21 正孔注入層
22 正孔輸送層
23 発光層
24 電子輸送層
25 電子注入層
30 陰極
Claims (13)
- 下記一般式(1a)で示されるベンゾチアジアゾール誘導体。
(式中、X1、X2及びX3は、それぞれ独立に、メチン基(=CH−)又は窒素原子であり、X1、X2及びX3のうち少なくとも一つは窒素原子である。
R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアラルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリール基、又は
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のヘテロアリール基を表わす。
R1とR2は、いずれも水素原子ではない場合には、
互いに結合して飽和もしくは不飽和の環状構造を形成しても良く、
これら環状構造は置換されても良い。
R3は、水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアラルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシル基、
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリール基、
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシカルボニル基、
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の炭素数1〜20のシリル基、
ハロゲン原子、シアノ基、又はニトロ基を表す。
Ar1は、
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリール基、又は
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のヘテロアリール基を表わす。) - 下記一般式(1b)又は(1c)で示されるベンゾチアジアゾール誘導体。
(式中、X1、X2及びX3は、それぞれ独立に、メチン基(=CH−)又は窒素原子であり、一般式(1b)においてX1及びX3のうち少なくとも一つは窒素原子であり、一般式(1c)においてX2及びX3のうち少なくとも一つは窒素原子である。
R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアラルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリール基、又は
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のヘテロアリール基を表わす。
R1とR2は、いずれも水素原子ではない場合には、
互いに結合して飽和もしくは不飽和の環状構造を形成しても良く、
これら環状構造は置換されても良い。
R3は、水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアラルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシル基、
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリール基、
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシカルボニル基、
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の炭素数1〜20のシリル基、
ハロゲン原子、シアノ基、又はニトロ基を表す。
Ar2及びAr3は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリール基、
置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の炭素数5〜50のヘテロアリール基を表わす。) - ピリジン骨格、またはキノリン骨格を有する請求項1又は2に記載のベンゾチアジアゾール誘導体。
- 請求項1又は2に記載のベンゾチアジアゾール誘導体からなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
- 請求項1又は2に記載のベンゾチアジアゾール誘導体からなる有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料。
- 一対の電極に少なくとも発光層を含む1層又は複数層からなる有機化合物層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機化合物層の少なくとも1層が請求項1又は2に記載のベンゾチアジアゾール誘導体を少なくとも1種含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層が前記ベンゾチアジアゾール誘導体を少なくとも1種含む請求項6記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層が前記ベンゾチアジアゾール誘導体を少なくとも1種と、下記一般式(2a)〜(2d)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種とを含む請求項6又は請求項7記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(式(2a)中、Ar1aおよびA2aは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20の芳香族環から誘導される基である。前記芳香族環は1または2以上の置換基で置換されていてもよい。前記置換基は置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基およびヒドロキシ基から選ばれる。前記芳香族環が2以上の置換基で置換されている場合、前記置換基は同一であっても異なっていてもよく、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和または不飽和の環状構造を形成していてもよい。
R1a〜R8aは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基およびヒドロキシ基から選ばれる。)
(式(2b)中、Ar1bおよびAr2bは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基である。
L1およびL2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基及び置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基から選ばれる。
p、qは0〜2の整数、r、sは1〜4の整数である。
また、L1又はAr1bはピレンの1〜5位のいずれかに結合し、L2又はAr2bはピレンの6〜10位のいずれかに結合する。)
(式(2c)中、Ar1c、Ar2cおよびAr3cは、それぞれ独立に、アントラセン構造を有する基、フェナントレン構造、ピレン構造を有する基およびペリレン構造を有する基から選ばれる。
R1c、R2cおよびR3cは、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。)
(式(2d)中、Ar1d、Ar2dおよびAr3dは、それぞれ独立に、核炭素数6〜50のアリール基を表す。前記アリール基は1または2以上の置換基で置換されていてもよい。
Ar1d、Ar2d、Ar3dおよびこれらのアリール基が有する置換基の少なくとも1つは核炭素数10〜20の縮環アリール構造または核炭素数6〜20の縮環ヘテロアリール構造を有する。
Arは芳香環または複素芳香環から誘導される3価の基を表す。) - 発光層中に、前記ベンゾチアジアゾール化合物が0.01〜20重量%含有されている請求項6〜8のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 一対の電極の少なくとも一方の表面に、カルコゲナニド層、ハロゲン化金属層及び金属酸化物層から選ばれる層が設けられている請求項6〜9のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項6〜10のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有する装置。
- 請求項1又は2に記載のベンゾチアジアゾール誘導体を含む発光性有機溶液。
- 請求項1又は2に記載のベンゾチアジアゾール誘導体を少なくとも1種と、請求項8記載の一般式(2a)〜(2d)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種とを含む発光性有機溶液。
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