JP2012241161A - シルフェニレン構造及びシロキサン構造を有する重合体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】3つの特定の構造で表される繰返し単位を含有し、テトラヒドロフランを溶出溶媒としてGPCで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量が3,000から500,000である重合体、及びその製造方法を提供する。3つの構造は、それぞれケイ素原子とベンゼン環を含み第1の構造は、脂肪族または脂環族連結、ジフェノール構造を含有する二価の有機基がケイ素原子と結合しており、第2の構造はイソシアヌル環を含有する二価の有機基がケイ素原子と結合しており、第3構造は、シロキサン構造を含有する二価の有機基がケイ素原子と結合している。
【選択図】なし
Description
X2は、互いに独立に、下記式(3)で示される2価の基であり、
X3は、互いに独立に、下記式(4)で示される2価の基であり、
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコ内に、上記式(S−1)で示される化合物86.1g(0.2モル)、上記式(S−3)で示される化合物93.0g(0.5モル)、および上記式(S−5)で示される化合物66.9g(0.3モル)を加えた後、トルエン1300gを加え、70℃に加温した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5wt%)1.0gを投入し、上記式(S−6)で示される化合物194.4g(1.0モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計モル数/アルケニル基の合計モル数=1/1)。滴下終了後、100℃まで加温し6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して得られた生成物の構造を1H−NMRを用いて解析したところ、下記式で示される重合体であった。1H−NMRチャートを図1に示す。また、該重合体のGPCにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は42,000であった。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコ内に上記式(S−1)で示される化合物71.8g(0.167モル)、上記式(S−4)で示される化合物333.3g(0.074モル)および上記式(S−5)で示される化合物14.9g(0.067モル)を加えた後、トルエン1150gを加え、70℃に加温した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5wt%)1.0gを投入し、上記式(S−6)で示される化合物64.8g(0.333モル)を30分かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計モル数/アルケニル基の合計モル数=1.08/1)。滴下終了後、100℃まで加温し、6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して得られた生成物の構造を1H−NMRを用いて解析したところ、下記式で示される重合体であった。GPCにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は55,000であった。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコ内に上記式(S−2)で示される化合物61.8g(0.2モル)、上記式(S−3)で示される化合物93.0g(0.5モル)および上記式(S−5)で示される化合物66.9g(0.3モル)を加えた後、トルエン1000gを加え、70℃に加温した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5wt%)1.0gを投入し、上記式(S−6)で示される化合物179.0g(0.92モル)および上記式(S−7)で示される化合物54.8g(0.075モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計モル数/アルケニル基の合計モル数=1/1)。滴下終了後、100℃まで加温し、6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して得られた生成物の構造を1H−NMRを用いて解析したところ、下記式で示される重合体であった。GPCにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は52,000であった。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコ内に上記式(S−2)で示される化合物61.8g(0.2モル)、上記式(S−3)で示される化合物93.0g(0.5モル)および上記式(S−5)で示される化合物66.9g(0.3モル)を加えた後、トルエン1000gを加え、70℃に加温した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5wt%)1.0gを投入し、上記式(S−6)で示される化合物179.0g(0.92モル)を1時間かけて滴下した。滴下終了後、100℃まで加温し、6時間熟成したのち、さらに上記式(S−8)で示される化合物26.8g(0.083モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計モル数/アルケニル基の合計モル数=1/1)。滴下終了後、100℃にて2時間熟成した後、得られた反応溶液からトルエンを減圧留去して得られた生成物の構造を1H−NMRを用いて解析したところ、下記式で示される重合体であった。また、GPCにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は66,000であった。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコ内に上記式(S−1)で示される化合物142.1g(0.33モル)、上記式(S−3)で示される化合物70.7g(0.38モル)および上記式(S−5)で示される化合物66.9g(0.3モル)を加えた後、トルエン1500gを加え、70℃に加温した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5wt%)2.0gを投入し、上記式(S−6)で示される化合物190.5g(0.98モル)を1.5時間かけて滴下した。滴下終了後、100℃まで加温し、6時間熟成したのち、さらに上記式(S−9)で示される化合物6.8g(0.01モル)を0.1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計モル数/アルケニル基の合計モル数=1/1.03)。滴下終了後、100℃にて2時間熟成した後、得られた反応溶液からトルエンを減圧留去して得られた生成物の構造を1H−NMRを用いて解析したところ、下記式で示される重合体であった。GPCにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は50,000であった。
Claims (7)
- 下記式(1−1)、(1−2)及び(1−3)で表される繰返し単位を含有し、テトラヒドロフランを溶出溶媒としてGPCで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量が3,000から500,000である重合体
式中、r、s及びtは正の整数であり、式(1−1)、式(1−2)及び式(1−3)で表される繰返し単位を構成する各単位の末端ケイ素原子が各同じ単位あるいは異なる単位のX1、X2またはX3の末端炭素原子と結合しており、式中、R1は、互いに独立に、炭素数1〜8の1価炭化水素基であり、X1は、互いに独立に、下記式(2)で示される2価の基であり、
(式中、Zは、置換または非置換の、炭素数1〜15の2価炭化水素基であり、pは0又は1である。R2は、互いに独立に、炭素数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基であり、qは0、1または2である)
X2は、互いに独立に、下記式(3)で示される2価の基であり、
(式中、R3は水素原子、炭素数1〜8の1価炭化水素基、またはグリシジル基である)
X3は、互いに独立に、下記式(4)で示される2価の基であり、
(式中、R4は、互いに独立に、炭素数1〜8の1価炭化水素基であり、nは0〜100の整数である)。
- さらに下記式(5)で表される単位、下記式(6)で表される単位、及び下記式(7)で表される単位の少なくとも1を有する請求項1または2に記載の重合体
(式中、R1は、互いに独立に、炭素数1〜8の1価炭化水素基であり、mは0〜100の整数であり、e、f、g、h、i及びjは0〜100の整数であり、但し、e+f+g≧3であり、e=f=0ではなく、h=i=0ではない。Xは、互いに独立に、上記X1、X2またはX3で示される基であり、上記式(1−1)、式(1−2)及び式(1−3)で表される繰返し単位を構成する各単位、及び上記式(5)、式(6)、及び式(7)で表される単位の末端ケイ素原子が各同じ単位あるいは異なる単位の末端炭素原子と結合している)。 - X1、X2及びX3で示される基の合計モルに対して、X1で表される基を5モル%以上80モル%以下、X2で表される基を10モル%以上70モル%以下、X3で表される基を5モル%以上80モル%以下で含有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の重合体。
- 請求項1に記載の重合体を製造する方法であって、下記式(8)で表される化合物と、
(式中、R1は、互いに独立に、炭素数1〜8の1価炭化水素基である)下記式(9)で表される化合物と、
(式中、Zは、置換または非置換の、炭素数1〜15の2価炭化水素基であり、pは0又は1である。R2は、互いに独立に、炭素数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基であり、qは0、1または2である)下記式(10)で表される化合物と、
(式中、R3は水素原子、炭素数1〜8の1価炭化水素基、またはグリシジル基である)
下記式(11)で表される化合物
(式中、R4は、互いに独立に、炭素数1〜8の1価炭化水素基であり、nは0〜100の整数である)とを金属触媒存在下で付加重合する工程を含む製造方法。 - 請求項3に記載の重合体を製造する方法であって、下記式(8)で表される化合物と、
(式中、R1は、互いに独立に、炭素数1〜8の1価炭化水素基である)下記式(9)で表される化合物と、
(式中、Zは、置換または非置換の、炭素数1〜15の2価炭化水素基であり、pは0又は1である。R2は、互いに独立に、炭素数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基であり、qは0、1または2である)下記式(10)で表される化合物と、
(式中、R3は水素原子、炭素数1〜8の1価炭化水素基、またはグリシジル基である)下記式(11)で表される化合物と
(式中、R4は、互いに独立に、炭素数1〜8の1価炭化水素基であり、nは0〜100の整数である)、並びに下記式(12)で表される化合物、下記式(13)で表される化合物、及び下記式(14)で表される化合物の少なくとも1
(式中、R1は、互いに独立に、炭素数1〜8の1価炭化水素基であり、mは1〜100の整数である。e、f、g、h、i及びjは0〜100の整数であり、但し、e+f+g≧3であり、e=f=0ではなく、h=i=0ではない)
とを金属触媒存在下で付加重合する工程を含む製造方法。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012241162A (ja) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 接着剤組成物、接着シート及び半導体装置保護用材料、並びに半導体装置 |
| JP2017197656A (ja) * | 2016-04-27 | 2017-11-02 | 信越化学工業株式会社 | 樹脂組成物、樹脂フィルム、樹脂フィルムの製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04222815A (ja) * | 1990-03-23 | 1992-08-12 | General Electric Co <Ge> | シルフェニレンを含有するuv硬化可能なエポキシ官能性シリコ―ン |
| JPH09302095A (ja) * | 1996-05-10 | 1997-11-25 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 硬化性組成物、成形体及び製造方法 |
| JPH11130865A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-05-18 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | ヒドロキシフェニル基含有シルフェニレン化合物、シルフェニレン変性有機樹脂 |
| JP2003048988A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | オルガノシロキサン系高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板保護用皮膜 |
| JP2004262952A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-09-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | オルガノシロキサン系高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板保護用皮膜 |
| JP2005272492A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性シリコーン組成物 |
| JP2008520802A (ja) * | 2004-11-19 | 2008-06-19 | ダウ・コーニング・コーポレイション | シリコーン組成物および硬化したシリコーン樹脂 |
| JP2008143954A (ja) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Jsr Corp | イソシアヌル環含有重合体、その製造法およびそれを含有する組成物 |
| JP2008184571A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シルフェニレン骨格含有高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板回路保護用皮膜 |
| JP2010265372A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 両末端モノメチルアリルイソシアヌル環封鎖オルガノポリシロキサン |
| JP2010265374A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | イソシアヌル環含有末端ハイドロジェンポリシロキサン |
| JP2010285517A (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Kaneka Corp | 光硬化性組成物およびそれを用いた絶縁性薄膜および薄膜トランジスタ |
| JP2011094115A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-05-12 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | エポキシ基含有高分子化合物、これを用いた光硬化性樹脂組成物、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜 |
| JP2012092268A (ja) * | 2010-10-28 | 2012-05-17 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 接着剤組成物及び接着剤シート、半導体装置保護用材料、及び半導体装置 |
| JP2012188650A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-10-04 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 接着剤組成物及び接着性ドライフィルム |
| JP2012224062A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-15 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 樹脂積層体、及び半導体装置とその製造方法 |
| JP2012241162A (ja) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 接着剤組成物、接着シート及び半導体装置保護用材料、並びに半導体装置 |
-
2011
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Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04222815A (ja) * | 1990-03-23 | 1992-08-12 | General Electric Co <Ge> | シルフェニレンを含有するuv硬化可能なエポキシ官能性シリコ―ン |
| JPH09302095A (ja) * | 1996-05-10 | 1997-11-25 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 硬化性組成物、成形体及び製造方法 |
| JPH11130865A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-05-18 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | ヒドロキシフェニル基含有シルフェニレン化合物、シルフェニレン変性有機樹脂 |
| JP2003048988A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | オルガノシロキサン系高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板保護用皮膜 |
| JP2004262952A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-09-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | オルガノシロキサン系高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板保護用皮膜 |
| JP2005272492A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性シリコーン組成物 |
| JP2008520802A (ja) * | 2004-11-19 | 2008-06-19 | ダウ・コーニング・コーポレイション | シリコーン組成物および硬化したシリコーン樹脂 |
| JP2008143954A (ja) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Jsr Corp | イソシアヌル環含有重合体、その製造法およびそれを含有する組成物 |
| JP2008184571A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シルフェニレン骨格含有高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板回路保護用皮膜 |
| JP2010265372A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 両末端モノメチルアリルイソシアヌル環封鎖オルガノポリシロキサン |
| JP2010265374A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | イソシアヌル環含有末端ハイドロジェンポリシロキサン |
| JP2010285517A (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Kaneka Corp | 光硬化性組成物およびそれを用いた絶縁性薄膜および薄膜トランジスタ |
| JP2011094115A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-05-12 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | エポキシ基含有高分子化合物、これを用いた光硬化性樹脂組成物、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜 |
| JP2012092268A (ja) * | 2010-10-28 | 2012-05-17 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 接着剤組成物及び接着剤シート、半導体装置保護用材料、及び半導体装置 |
| JP2012188650A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-10-04 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 接着剤組成物及び接着性ドライフィルム |
| JP2012224062A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-15 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 樹脂積層体、及び半導体装置とその製造方法 |
| JP2012241162A (ja) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 接着剤組成物、接着シート及び半導体装置保護用材料、並びに半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012241162A (ja) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 接着剤組成物、接着シート及び半導体装置保護用材料、並びに半導体装置 |
| JP2017197656A (ja) * | 2016-04-27 | 2017-11-02 | 信越化学工業株式会社 | 樹脂組成物、樹脂フィルム、樹脂フィルムの製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Also Published As
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|---|---|
| JP5618903B2 (ja) | 2014-11-05 |
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