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JP2008143954A - イソシアヌル環含有重合体、その製造法およびそれを含有する組成物 - Google Patents

イソシアヌル環含有重合体、その製造法およびそれを含有する組成物 Download PDF

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JP2008143954A
JP2008143954A JP2006329777A JP2006329777A JP2008143954A JP 2008143954 A JP2008143954 A JP 2008143954A JP 2006329777 A JP2006329777 A JP 2006329777A JP 2006329777 A JP2006329777 A JP 2006329777A JP 2008143954 A JP2008143954 A JP 2008143954A
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group
optical semiconductor
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carbon atoms
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Toshiyuki Akiike
利之 秋池
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JSR Corp
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Abstract

【課題】光半導体用接着剤などに用いられるイソシアヌル環含有重合体およびそれを含む組成物を提供する。
【解決手段】下記式(1)
Figure 2008143954

ここで、Rは1価の有機基であり、Rは2価の有機基である、
で表される繰り返し単位を有しそして重量平均分子量が1,000〜1,000,000のイソシアヌル環含有重合体。
【選択図】なし

Description

本発明は、新規なイソシアヌル環含有重合体に関する。さらに詳しくは透明性、UV耐久性、耐熱性に優れた新規なイソシアヌル環含有重合体に関する。
従来、光半導体封止用樹脂としては、ビスフェノールAグリシジルエーテルを主剤とするエポキシ化合物が一般に用いられていたが、このようなエポキシ化合物は芳香環を有するため、青色もしくは紫外光を発光する光半導体の封止に使用するには、紫外線に対する耐久性(UV耐久性)が不十分であった。
そこで、光半導体封止用樹脂のUV耐久性を改良するため、脂環式エポキシ化合物を用いることが提案されているが(特許文献1参照)、依然としてUV耐久性は十分なものとはいえなかった。
一方、シロキサン骨格を有する樹脂は耐候性に優れていることが知られており、近年ではポリジメチルシロキサンを主骨格とする樹脂を光半導体封止材に用いる検討がさかんに行われている。しかしこの樹脂の場合、硬化物の硬度が不十分で、タック性を有するため埃が付着しやすかったり、配線に使用される金のワイヤーが振動により切れたり、また基板との密着性が不足して剥がれやすいなどの欠点が指摘されている。
特開2003−82062号公報
本発明の目的は、光半導体用封止材および光半導体用接着剤などに好適に用いられるイソシアヌル環含有重合体を提供することにある。
本発明の他の目的は、上記イソシアヌル環含有重合体の製造方法を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、上記イソシアヌル環含有重合体を含有する、光半導体の封止材あるいは接着剤として好適な、透明性、UV耐久性、耐熱性に優れた光半導体用組成物を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、上記組成物を封止材あるいは接着剤として用いた光半導体素子を提供することにある。
本発明のさらに他の目的および利点は以下の説明から明らかになろう。
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は第1に、
下記式(1)
Figure 2008143954
ここで、Rは1価の有機基であり、Rは2価の有機基である、
で表される繰り返し単位を有しそして重量平均分子量が1,000〜1,000,000の重合体により達成される。
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第2に、
上記式(1)において、Rが下記式(2)
Figure 2008143954
ここで、RおよびRは同一でも異なっていてもよく、メチル基、エチル基、フェニル基、ビニル基、グリシジル基、水素原子または水酸基であり、Rは酸素原子、メチレン基、フェニレン基または直接結合であり、そしてnは0〜20の整数である、
で表わされる2価の有機基であり、そしてRが炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数2〜20のアルケニル基またはエポキシ基、水酸基もしくはカルボキシル基を含む1価の有機基である、本発明の重合体によって達成される。
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第3に、
がエポキシ基を含む1価の有機基であり、RおよびRがメチル基、エチル基またはフェニル基であり、Rが酸素原子である本発明の重合体により達成される。
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第4に、
下記式(3)で表わされるN−モノ置換イソシアヌル酸と下記式(4)で表わされるジハロゲン化合物とをアルカリ金属化合物の存在下で反応させることを特徴とする、本発明の重合体の製造方法によって達成される。
Figure 2008143954
ここで、Rは1価の有機基であり、Rは2価の有機基でありそしてXはハロゲン原子である。
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第5に、
本発明の重合体を含有することを特徴とする光半導体用組成物により達成される。
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第6に、
本発明の上記半導体用組成物を封止材もしくは接着剤として用いた半導体素子により達成される。
以下、本発明について詳細に説明する。
イソシアヌル環含有重合体
本発明の重合体は、上記式(1)で表される繰り返し単位を有しそして重量平均分子量が1,000〜1,000,000のイソシアヌル環含有重合体である。好ましい重量平均分子量は1,000〜100,000である。
上記式(1)中、Rは1価の有機基であり、Rは2価の有機基である。
としては、例えば炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数2〜20のアルケニル基またはエポキシ基、水酸基もしくはカルボキシル基を含む1価の有機基が好ましい。
炭素数1〜20のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基が好ましい。炭素数6〜20のアリール基としては、例えばフェニル基、トリル基が好ましい。炭素数2〜20のアルケニル基としては、例えばビニル基、アリル基が好ましい。エポキシ基、水酸基あるいはカルボキシル基を含む1価の有機基としては、例えば下記式(8)〜(12)のそれぞれで表わされる基が好ましい。さらに好ましくは式(8)で表わされる基である。
Figure 2008143954
は2価の有機基である。その例としては、炭素数1〜20のアルキレン基、炭素数6〜20のアリーレン基、下記式(13)〜(16)のそれぞれで表される2価の有機基を挙げることができる。(ここで、R、R、R,R,R,R10は同一でも異なっていてもよく、メチル基、エチル基、フェニル基、ビニル基、グリシジル基、水素原子または水酸基である。R、R,R11は、それぞれ独立に、酸素原子、メチレン基、フェニレン基または直接結合である。l、m、nは、それぞれ、独立に、0〜20の整数である。中でも、Rとしては、炭素数1〜12のアルキレン基、p−フェニレン基、m−フェニレン基が好ましく。R、R4、,R,R,R10としては、メチル基、フェニル基が好ましい。また、R、R,R11としては酸素原子が好ましい。式(13)〜(16)のそれぞれで表わされる2価の有機基の中では式(13)で表わされる基が特に好ましい。
Figure 2008143954
イソシアヌル環含有重合体の製造方法I
イソシアヌル環含有重合体はアルカリ金属化合物の存在下で下記式(3)で表わされるN−モノ置換イソシアヌル酸と下記式(4)で表わされるジハロゲン化合物とを反応させることにより製造することができる。
Figure 2008143954
式(3)におけるRの定義および式(4)におけるRの定義は上記式(1)に同じである。また、式(4)におけるXはハロゲン原子である。
Xのハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子またはヨウ素原子を挙げることができる。これらのうち、Xは、好ましくは塩素原子である。
アルカリ金属化合物としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、n−ブチルリチウム、s−ブチルリチウム、t−ブチルリチウムなどを挙げることができる。
式(3)の化合物1当量に対し式(4)の化合物は0.5〜1.5当量用いるのが好ましい。
また、アルカリ金属化合物は、式(3)の化合物1当量に対して0.1〜2.0当量用いることができる。
イソシアヌル環含有重合体の製造方法II
本発明のイソシアヌル環重合体は、さらに下記式(5)で表わされるN,N’,N’’−トリ置換イソシアヌル酸および下記式(6)で表わされるシラン化合物とをヒドロシリル化反応せしめることにより得ることができる。
Figure 2008143954
式(5)中のRの定義および式(6)中のR、R、Rおよびnの定義は上記式(1)および(2)に同じである。なお、Rを表わす1価の有機基が式(9)〜(12)のそれぞれで表わされるような官能基を含むときには、官能基は必要に応じて保護されていてもよい。
反応には、式(5)の化合物1当量に対し、式(6)の化合物を0.5〜2.0当量用いることができる。
ヒドロシリル化反応には、触媒として、例えば白金、ロジウムまたはパラジウムを含む化合物を用いることができる。中でも白金を含む化合物が好ましい。具体的にはヘキサクロロ白金(IV)酸六水和物、白金カルボニルビニルメチル錯体、白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体、白金−シクロビニルメチルシロキサン錯体、白金−オクチルアルデヒド/オクタノール錯体を用いることができる。あるいは活性炭に担持された白金を用いてもよい。触媒の量は、金属として式(5)の化合物に対し、好ましくは0.01〜10,000ppm、より好ましくは0.1〜100ppm用いることができる。
溶剤は必要に応じて加えることができる。トルエン、キシレン、メシチレン、ジエチルベンゼン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、1,4−ジオキサン、ジフェニルエーテルなどを用いることができる。
反応温度は、例えば室温〜250℃であり、好ましくは50〜180℃である。反応時間は、例えば0.1〜120時間、好ましくは1〜10時間である。
得られるイソシアヌル環含有重合体は、後述する各光半導体封止用組成物や光半導体用接着剤における主体成分として極めて好適に使用することができるほか、例えば、成型品、フィルム、ラミネート材、塗料、保護膜等としても有用である。
本発明の光半導体用組成物は上記イソシアヌル環含有重合体を含有する。イソシアヌル環含有重合体がエポキシ基を含むとき、本発明の光半導体用組成物は、(B)カルボン酸無水物または多価カルボン酸、(C)熱酸発生剤、あるいは(D)金属キレート化合物と(E)シラノールあるいはフェノールを含有することが好ましい。
(B)カルボン酸無水物および多価カルボン酸
本発明の組成物は、イソシアヌル環含有重合体が特にエポキシ基を含む場合、カルボン酸無水物または多価カルボン酸を含有することができる。この(B)成分は(A)イソシアヌル環重合体と硬化反応を生起する成分である硬化剤である。
このような(B)カルボン酸無水物または多価カルボン酸としては、特に限定されるものではないが、脂環式カルボン酸無水物が好ましい。
前記脂環式カルボン酸無水物としては、例えば、下記式(17)〜(27)で表される化合物
Figure 2008143954
Figure 2008143954
Figure 2008143954
Figure 2008143954
Figure 2008143954
Figure 2008143954
Figure 2008143954
や、4−メチルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルナジック酸無水物、ドデセニルコハク酸無水物のほか、α−テルピネン、アロオシメン等の共役二重結合を有する脂環式化合物と無水マレイン酸とのディールス・アルダー反応生成物やこれらの水素添加物等を挙げることができる。なお、前記ディールス・アルダー反応生成物やこれらの水素添加物としては、任意の構造異性体および任意の幾何異性体を使用することができる。
また、下記式(28)で表わされる化合物も硬化剤として使用することができる。
Figure 2008143954
式(28)で表わされる化合物の具体例としては下記式(29)〜(33)のそれぞれで表わされる化合物を挙げることができる。
Figure 2008143954
また、前記脂環式カルボン酸無水物は、硬化反応を実質的に妨げない限り、適宜に化学的に変性して使用することもできる。
これらの脂環式カルボン酸無水物のうち、組成物の流動性や透明性の点から、式(17)、式(19)、式(21)、式(22)または式(23)、式(28)で表される化合物等が好ましい。特に好ましくは式(17)、式(19)、式(21)、式(28)で表される化合物である。
本発明において、脂環式カルボン酸無水物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
また、光半導体封止用組成物として用いる場合においては、(B)カルボン酸無水物として、脂肪族カルボン酸無水物や芳香族カルボン酸無水物を1種以上使用することもできる。これらは脂環式カルボン酸無水物と併用するのが好ましい。
前記脂肪族カルボン酸無水物および芳香族カルボン酸無水物も、硬化反応を実質的に妨げない限り、適宜に化学的に変性して使用することができる。
脂肪族カルボン酸無水物および芳香族カルボン酸無水物の合計使用割合は、脂環式カルボン酸無水物との合計量に対して、好ましくは50重量%以下、さらに好ましくは30重量%以下である。
光半導体封止用組成物において、(B)カルボン酸無水物または多価カルボン酸の使用量は、(A)成分のイソシアヌル環含有重合体中のエポキシ基1モルに対するカルボン酸無水物基またはカルボキシル基の当量比として、好ましくは0.3〜1.5、さらに好ましくは0.5〜1.3である。この場合、該当量比が0.3未満でも1.5を超えても、得られる硬化物のガラス転移点(Tg)の低下や着色等の不都合を生じるおそれがある。
さらに、光半導体封止用組成物においては、(B)カルボン酸無水物または多価カルボン酸以外に、本発明の所期の効果を損なわない範囲で、エポキシ化合物やエポキシ樹脂に対する硬化剤として公知の成分(以下、「他の硬化剤」という。)、例えば、フェノール類、ジシアンジアミド類や、アジピン酸ヒドラジッド、フタル酸ヒドラジッド等の有機ヒドラジッド類等を1種以上併用することもできる。
他の硬化剤の使用割合は、(B)カルボン酸無水物または多価カルボン酸無水物に対して、好ましくは50重量%以下、より好ましくは30重量%以下である。
本発明の光半導体用組成物は硬化速度を上げる目的で硬化促進剤を含んでいてもよい。このような硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、
ベンジルジメチルアミン、2,4,6−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、シクロヘキシルジメチルアミン、トリエタノールアミンの如き3級アミン;
2−メチルイミダゾール、2−n−ヘプチルイミダゾール、2−n−ウンデシルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−(2−シアノエチル)−2−メチルイミダゾール、1−(2−シアノエチル)−2−n−ウンデシルイミダゾール、1−(2−シアノエチル)−2−フェニルイミダゾール、1−(2−シアノエチル)−2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジ(ヒドロキシメチル)イミダゾール、1−(2−シアノエチル)−2−フェニル−4,5−ジ〔(2’−シアノエトキシ)メチル〕イミダゾール、1−(2−シアノエチル)−2−n−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテート、1−(2−シアノエチル)−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、1−(2−シアノエチル)−2−エチル−4−メチルイミダゾリウムトリメリテート、2,4−ジアミノ−6−〔2’−メチルイミダゾリル−(1’)〕エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−(2’−n−ウンデシルイミダゾリル)エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−〔2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1')〕エチル−s−トリアジン、2−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、2,4−ジアミノ−6−〔2’−メチルイミダゾリル−(1')〕エチル−s−トリアジンのイソシアヌル酸付加物の如きイミダゾール類;
ジフェニルフォスフィン、トリフェニルフォスフィン、亜リン酸トリフェニルの如き有機リン化合物;
ベンジルトリフェニルフォスフォニウムクロライド、テトラ−n−ブチルフォスフォニウムブロマイド、メチルトリフェニルフォスフォニウムブロマイド、エチルトリフェニルフォスフォニウムブロマイド、n−ブチルトリフェニルフォスフォニウムブロマイド、テトラフェニルフォスフォニウムブロマイド、エチルトリフェニルフォスフォニウムヨーダイド、エチルトリフェニルフォスフォニウムアセテート、テトラブチルホスフォニウムアセテート、テトラ−n−ブチルフォスフォニウムo,o−ジエチルフォスフォロジチオネート、メチルトリブチルホスフォニウムジメチルホシフェート、テトラ−n−ブチルフォスフォニウムベンゾトリアゾレート、テトラ−n−ブチルフォスフォニウムテトラフルオロボレート、テトラ−n−ブチルフォスフォニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルフォスフォニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルベンジルホスフォニウムテトラフェニルボレート、テトラ−n−ブチルホスフォニウムテトラフルオロボレートの如き4級フォスフォニウム塩;
1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7やその有機酸塩の如きジアザビシクロアルケン;
、オクチル酸錫、アルミニウムアセチルアセトン錯体の如き有機金属化合物;
テトラエチルアンモニウムブロマイド、テトラ−n−ブチルアンモニウムブロマイド、下記式(34)
Figure 2008143954
の如き4級アンモニウム塩;
三フッ化ホウ素、ホウ酸トリフェニルの如きホウ素化合物;塩化亜鉛、塩化第二錫の如き金属ハロゲン化合物、
ジシアンジアミドやアミンとエポキシ樹脂との付加物等のアミン付加型促進剤等の高融点分散型潜在性硬化促進剤;前記イミダゾール類、有機リン化合物や4級フォスフォニウム塩等の硬化促進剤の表面をポリマーで被覆したマイクロカプセル型潜在性硬化促進剤;アミン塩型潜在性硬化剤促進剤;ルイス酸塩、ブレンステッド酸塩等の高温解離型の熱カチオン重合型潜在性硬化促進剤等の潜在性硬化促進剤
等を挙げることができる。
これらの硬化促進剤のうち、イミダゾール類、4級フォスフォニウム塩、ジアザビシクロアルケン、有機金属化合物および4級アンモニウム塩が、無色透明で長時間加熱しても変色し難い硬化物が得られる点で好ましい。
前記硬化促進剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
光半導体封止用組成物において、硬化促進剤の使用量は、(A)成分のイソシアヌル環含有重合体100重量部に対して、好ましくは0〜6重量部、さらに好ましくは0〜4重量部である。硬化促進剤の使用量が6重量部を超えると、得られる硬化物に着色などの不都合を生じるおそれがある。
(C)熱酸発生剤
本発明における(C)熱酸発生剤は、加熱により酸を発生し、それにより(A)イソシアヌル環含有重合体の硬化反応を引き起こす成分である。
このような(C)熱酸発生剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、オクチル酸亜鉛や
下記式(35)〜(41)で表される化合物(以下、それぞれ「化合物(35)」〜「化合物(41)」という。)
Figure 2008143954
ここで、R15〜R21は水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、6〜20のアリール基を示し、互いに同一でも異なっていてもよい。
Figure 2008143954
などを挙げることができる。中でも化合物(38)〜(41)が好ましい。熱酸発生剤の使用量は(A)ポリオルガノシロキサン100重量部に対して、好ましくは0.001〜20重量部、より好ましくは0.01〜10重量部、さらに好ましくは0.05〜5重量部である。
(D)金属キレート化合物
本発明で使用される(D)金属キレート化合物は、好ましくは下記式(42)で表すことができる。
Figure 2008143954
〔式(42)において、MはAl、Ti,Zr、Fe、V、Mo、Sn、Cr,Rh、Co、Ni、CuおよびZnより選ばれ、Zは炭素数1〜20のアルキル基またはハロゲン原子であり、Lは2座の配位子であり、NはMの配位座数でありpは1〜N/2の整数である。〕
式(42)において、MはAl、Ti、Zrが好ましく、Alが特に好ましい。
Lとしてはβジケトンまたは下記式(43)で表される化合物が好ましい。
Figure 2008143954
〔式(43)において、R22、R23はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、フッ素原子を含んでいてもよい炭素数1〜20のアルキル基およびフッ素原子を含んでいてもよい炭素数6〜30のアリール基より選ばれ、xは1〜4の整数であり、lは0または1である。〕
化合物Lとしては、より具体的には(A)〜(H)のそれぞれで表わされる化合物を挙げることができる。
Figure 2008143954
ここで、R24〜R39は、互に独立に、水素原子、フッ素原子、フッ素原子を含んでいてもよい炭素数1〜20のアルキル基およびフッ素原子を含んでいてもよい炭素数6〜30のアリール基より選ばれる。
〜Qは、互に独立に、水素原子、フッ素原子、フッ素原子を含んでいてもよい炭素数1〜20のアルキル基およびフッ素原子を含んでいてもよい炭素数6〜30のアリール基より選ばれる。Q〜Qとしては、水素原子、メチル基またはエチル基が好ましい。
xは1〜4の整数である。
また、上記式(42)において、pはN/2が好ましい。
式(42)で表わされる金属キレート化合物としては、以下の構造を有するものが特に好ましい。
Figure 2008143954
金属キレート化合物(D)は(A)成分100重量部に対して、好ましくは0.0001〜20重量部、より好ましくは0.001〜1重量部、さらに好ましくは0.001〜0.1重量部で用いられる。0.1重量部以下でも硬化が十分に進行し、十分な接着力を有することは驚くことであった。本発明の熱硬化性樹脂組成物は金属キレート化合物の添加量が少ないため十分なUV耐久性、耐熱性および保存安定性を有することができる。
(E)シラノールあるいはフェノール
本発明の熱硬化性樹脂組成物には硬化をさらに効率的に行う目的で(E)成分としてシラノール類あるいはフェノール類を添加することもできる。シラノール類あるいはフェノール類は熱や加水分解により発生するものでもよい。
シラノールとしては、例えば下記式(44)で表される化合物を挙げることができる。
Figure 2008143954
ここで、Aは、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜30のアリール基またはビニル基であり、Bは水酸基でありそしてqは1〜3の整数である。
上記式(44)で表わされるシラノールとしては、例えばジフェニルシランジオール、トリフェニルシラノール、ジフェニルメチルシラノール、フェニルビニルシランジオール、トリ(パラメトキシフェニル)シラノール、トリアセチルシラノール、ジフェニルエチルシラノール、ジフェニルプロピルシラノール、トリ(パラニトロフェニル)シラノール、フェニルジビニルシラノール、ビニルジフェニルシラノール、2−ブテニルジフェニルシラノール、ジ(2−ペンテニル)フェニルシラノール、フェニルジプロピルシラノール、パラメチルベンジルジメチルシラノール、トリエチルシラノール、トリメチルシラノール、トリイソブチルシラノールなどを挙げることができる。
また、シラノール誘導体としては、例えばジフェニルジメトキシシラン、トリフェニルメトキシシラン、ジフェニルメチルメトキシシラン、フェニルビニルジメトキシシラン、トリ(パラメトキシフェニル)メトキシシラン、トリアセチルメトキシシラン、ジフェニルエチルメトキシシラン、ジフェニルプロピルメトキシシラン、トリ(パラニトロフェニル)メトキシシラン、フェニルジビニルメトキシシラン、ビニルジフェニルメトキシシラン、2−ブテニルジフェニルメトキシシラン、ジ(2−ペンテニル)フェニルメトキシシラン、フェニルジプロピルメトキシシラン、パラメチルベンジルジメチルメトキシシラン、トリエチルメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、トリイソブチルメトキシシランなどのメトキシシラン;ジフェニルジエトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、ジフェニルメチルエトキシシラン、フェニルビニルジエトキシシラン、トリ(パラメトキシフェニル)エトキシシラン、トリアセチルエトキシシラン、ジフェニルエチルエトキシシラン、ジフェニルプロピルエトキシシラン、トリ(パラニトロフェニル)エトキシシラン、フェニルジビニルエトキシシラン、ビニルジフェニルエトキシシラン、2−ブテニルジフェニルエトキシシラン、ジ(2−ペンテニル)フェニルエトキシシラン、フェニルジプロピルエトキシシラン、パラメチルベンジルジメチルエトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリイソブチルエトキシシランなどのエトキシシランおよび上記シラノールの縮合物を挙げることができる。
本発明の光半導体用組成物は、さらに(F)シラン化合物、(G)遷移金属を有する硬化触媒を含有することができる。
(F)シラン化合物
本発明における(F)シラン化合物は(A)イソシアヌル環含有重合体に結合しているエポキシ基の硬化反応を引き起こす成分である。(F)シラン化合物は式(7)で表すことができる。
−Si−R (4−r) ・・・(7)
は炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のアリール基から選ばれる。好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ラウリル基、n−ドデシル基、n−トリデシル基、n−テトラデシル基、n−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、n−オクタデシル基、n−ノナデシル基、n−エイコシル基、フェニル基、トリル基を挙げることができる。rは2、3が好ましく、さらに好ましくはrが3である。
(G)遷移金属を有する硬化触媒
例えば白金、ロジウムまたはパラジウムを含む化合物を用いることができる。中でも白金を含む化合物が好ましい。具体的にはヘキサクロロ白金(IV)酸六水和物、白金カルボニルビニルメチル錯体、白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体、白金−シクロビニルメチルシロキサン錯体、白金−オクチルアルデヒド/オクタノール錯体を用いることができる。なお、(A)成分のイソシアヌル環含有重合体の中に含まれる残留触媒も硬化触媒として十分作用するため、(C)成分は必ずしも後から添加する必要はない。
好ましい(A),(F)、(G)の量は(A)成分100重量部に対し、(F)成分は0.01〜10重量部、(G)成分は金属として(A)のイソシアヌル環含有重合体に対し、好ましくは0.01〜10,000ppm、より好ましくは0.1〜100ppm用いることができる。
−他の添加剤−
本発明の熱硬化性樹脂組成物はさらにエポキシ樹脂を含んでいてもよい。
かかるエポキシ樹脂としては、例えば下記式(45)〜(57)のそれぞれで表わされる化合物を挙げることができる。
Figure 2008143954
上記のエポキシ化合物は縮合された縮合体として用いることもできる。上記式(45)〜(57)のそれぞれで表わされる化合物は下記市販品として入手することができる。すなわち、(45)はHBE100(新日本理化(株)製)、YX8000(ジャパンエポキシレジン(株)製)、(46)はYL7040,(47)はYL6753,(48)はYED216D(以上、ジャパンエポキシレジン(株)製)、(49)はCE2021(ダイセル化学工業(株)製)、(50)はLS7970(信越化学工業(株)製)、(51)〜(55)はそれぞれCE2080,CE3000,エポリードGT300,エポリードGT400,EHPE3150(以上、ダイセル化学工業(株)製)、(56)はSR−HHPA(阪本薬品工業(株)製)、(57)はテピック(日産化学工業(株)製)として入手することができる。YL7170,YL8034(以上、ジャパンエポキシレジン(株)製)、W−100(新日本理化(株)製)なども用いることができる。これらの他に以下の芳香族エポキシ化合物を水素化して得られる脂環族エポキシ化合物を用いてもよい。ビスフェノールAD,ビスフェノールS,テトラメチルビスフェノールA,テトラメチルビスフェノールF、テトラメチルビスフェノールAD,テトラメチルビスフェノールS,テトラブロモビスフェノールA、テトラクロロビスフェノールA,テトラフルオロビスフェノールAなどのビスフェノールをグリシジル化したビスフェノール型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン等の2価のフェノールをグリシジル化したエポキシ樹脂、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、4,4−(1−(4−(1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル)フェニル)エチリデン)ビスフェノール等のトリスフェノールをグリシジル化したエポキシ樹脂、1,1,2,2−テトラキス(4−ヒドロキシフェニル)エタン等のテトラキスフェノールをグリシジル化したエポキシ樹脂、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ビスフェノールAノボラック、臭素化ビスフェノールAノボラック等のノボラックをグリシジル化したノボラック型エポキシ樹脂等を挙げることができる。
上記脂肪族あるいは脂環族エポキシ化合物は(A)のポリオルガノシロキサン100重量部に対して0.1〜1,000重量部で加えることができる。
また、必要に応じて上記の如き芳香族エポキシ化合物を含んでいてもよい。
また、本発明の熱硬化性樹脂組成物には、リードフレームとの密着性を上げる目的で密着助剤をさらに添加することもできる。密着助剤としては、例えばβ−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ドデカンジチオール、式(58)、(59)の化合物。
Figure 2008143954
また、式(60)、(61)のようなチタネート系密着助剤を使用することもできる。
Figure 2008143954
これらの中でもβ−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ドデカンジチオール、式(58)、(59)の化合物が好ましい。
密着助剤の添加量は好ましくは(A)成分100重量部に対し、好ましくは0.01〜30重量部、より好ましくは0.1〜20重量部である。
さらに、クラックやリードフレームとの剥離を防ぐ目的で応力緩和剤を添加することもできる。応力緩和剤としては、例えばエポキシ変性シリコーン、カルボキシル基変性シリコーン、メルカプト変性シリコーン、両末端カルボキシ変性水添ポリブタジエンおよび両末端ヒドロキシ変性ポリブタジエンを挙げることができる。
エポキシ変性シリコーンとして例えばKF−105,X−22−163A,X−22−163B,X−22−163C、KF−1001、KF−101、X−22−2000、X−22−169AS、X−22−169B、KF−102(以上信越化学工業(株)製)、SF8421(東レダウ(株)製)、カルボキシル基変性シリコーンとしてX−22−162C、X−22−3701E、X−22−3710(以上信越化学工業(株)製)、メルカプト変性シリコーンとしては、例えばX−22−167B、KF−2001、KF−2004(以上信越化学工業(株)製)、両末端カルボキシ変性水添ポリブタジエンとしてCI1000(日本曹達(株)製)、両末端ヒドロキシ変性ポリブタジエンとしてGI2000、GI3000(以上、日本曹達(株)製)を挙げることができる。
また、樹脂の表面張力を調節する目的で界面活性剤を添加することもできる。
具体的にはF−474、F−479(以上、大日本インキ工業(株)製)、FC−4430、FC−4432(以上、住友スリーエム(株)製)、KP323、KP341(以上、信越化学工業(株)製)、PAINTAD32、PAINTAD54、DK8−8011(東レダウ(株)製)、エマルゲン104P、エマルゲン109P、エマルゲン123、レオドール8P(以上、花王(株)製)を挙げることができる。
本発明の熱硬化性樹脂組成物には、UV耐久性をさらに向上させ、また粘度の調整等の目的で、必要に応じて、無機酸化物粒子を配合することもできる。
前記無機酸化物粒子としては、特に限定されるものではないが、例えば、Si、Al、Zr、Ti、Zn、Ge、In、Sn、SbおよびCeの群から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する酸化物からなる粒子を挙げることができる。より具体的には、シリカ、アルミナ、ジルコニア、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ゲルマニウム、酸化インジウム、酸化スズ、インジウム−スズ酸化物(ITO)、酸化アンチモン、アンチモン−スズ酸化物(ATO)、酸化セリウム等の粒子を挙げることができる。
これらの無機酸化物粒子のうち、シリカ、アルミナ、ジルコニア、酸化アンチモン等の微粒子が好ましい。
また、前記無機酸化物粒子は、アルキル化、ポリシロキシル化、(メタ)アクリロキシアルキル化、グリコキシアルキル化、アミノアルキル化等の表面処理を適宜施して使用することもできる。
前記無機酸化物粒子は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
無機酸化物粒子の一次平均粒径は、好ましくは100nm以下、より好ましくは1〜80nmである。この場合、無機酸化物粒子の一次平均粒径が100nmを超えると、得られる硬化物の透明性が損なわれるおそれがある。
無機酸化物粒子の使用量は、(A)ポリオルガノシロキサン100重量部に対して、好ましくは90重量部以下、さらに好ましくは80重量部以下である。無機酸化物粒子の使用量が90重量部を超えると、組成物が増粘して、加工が困難になるおそれがある。
前記無機酸化物粒子は、場合により、適当な溶媒に分散した分散液として使用することもできる。
前記溶媒としては、熱硬化性樹脂組成物を構成する各成分および硬化反応に対して不活性で、適度の揮発性を有する限り特に限定されるものではない。例えば、メタノール、エタノール、i−プロパノール、n−ブタノール、n−オクタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、プロピルグリコールモノメチルエーテル、プロピルグリコールモノエチルエーテル等のアルコール;
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン;
酢酸エチル、酢酸n−ブチル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン等のエステルまたはラクトン;
ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素;
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミドまたはラクタム
等を挙げることができる。
これらの溶媒は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
無機酸化物粒子の分散液の固形分濃度は、好ましくは1〜60重量%、より好ましくは5〜50重量%である。
さらに必要に応じて、無機酸化物粒子と共に、例えば、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤、高分子分散剤等の分散剤を1種以上併用することができる。
無機酸化物粒子やその分散液は市販されており、これらの市販品を使用することもできる。
無機酸化物粒子やその分散液の市販品(商品名)としては、例えば、シリカ粒子の分散液として、メタノールシリカゾル、IPA−ST、MEK−ST、NBA−ST、XBA−ST、DMAC−ST、ST−UP、ST−OUP、ST−C、ST−N、ST−O、ST−OL、ST−20、ST−40、ST−50(以上、日産化学工業(株)製);オルガノゾルPL−2PGME(プロピレングリコールモノメチルエーテル分散液、扶桑化学工業(株)製)等を、シリカ粒子として、アエロジル130、アエロジル300、アエロジル380、アエロジルTT600、アエロジルOX50(以上、日本アエロジル(株)製);シルデックスH31、シルデックスH32、シルデックスH51、シルデックスH52、シルデックスH121、シルデックスH122(以上、旭硝子(株)製);E220A、E220(以上、日本シリカ工業(株)製);SYLYSIA470(富士シリシア(株)製)、SGフレーク(日本板硝子(株)製)等を、アルミナ粒子の分散液として、アルミナゾル−100、アルミナゾル−200、アルミナゾル−520(以上、いずれも水分散液、日産化学工業(株)製);AS−1501(i−プロパノール分散液、住友大阪セメント(株)製);AS−150T(トルエン分散液、住友大阪セメント(株)製)等を、ジルコニア粒子の分散液として、HXU−110JC(トルエン分散液、住友大阪セメント(株)製)等を、アンチモン酸亜鉛粒子の分散液として、セルナックス(水分散液、日産化学工業(株)製)等を、酸化セリウム粒子の分散液として、ニードラール(水分散液、多木化学(株)製)等を、それぞれ挙げることができる。
また、熱硬化性樹脂組成物には、硬化物の着色を抑えるために、必要に応じて、酸化防止剤、光安定剤や紫外線吸収剤を配合することもできる。
前記酸化防止剤としては、商品名で、例えば、SumilizerBHT、SumilizerGM、SumilizerGS、SumilizerMDP−S、SumilizerBBM−S、SumilizerWX−R、SumilizerGA−80、SumilizerTPL−R、SumilizerTPM、SumilizerTPS、SumilizerTP−D(以上、住友化学工業(株)製);Irganox1076、Irganox565、Irganox1520、Irganox245、Irganox1010、Irganox1098、Irganox1330、Irganox1425、Irganox3114、IrganoxMD−1024(以上、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製);Cyanox1790(Cytec社製);TNP(四日市合成(株)製);Weston618(Vorg Warner社製);Irgafos168(チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製);AdekastabPEP−36、AdekastabHP−10(以上、旭電化工業(株)製)や、SandstabP−EPQ、Ultranox626等を挙げることができる。
前記光安定剤としては、商品名で、例えば、Viosorb04(共同薬品(株)製);Tinuvin622、Tinuvin765(以上、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製);CyasorbUV−3346(Cytec社製);AdekastabLA−57(旭電化工業(株)製)や、Chimassorb119、Chimassorb944等を挙げることができる。
前記紫外線吸収剤としては、商品名で、例えば、Viosorb80、Viosorb110、Viosorb130、Viosorb520、Viosorb583、Viosorb590(以上、共同薬品(株)製);TinuvinP、Tinuvin213、Tinuvin234、Tinuvin320、Tinuvin326、Tinuvin328(以上、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製);AdekastabLA−31(旭電化工業(株)製)等を挙げることができる。
さらに、熱硬化性樹脂組成物には、必要に応じて、本発明の所期の効果を損なわない範囲で、エチレングリコールやプロピレングリコール等の脂肪族ポリオール、脂肪族または芳香族のカルボン酸、フェノール化合物等の炭酸ガス発生防止剤;ポリアルキレングリコール、ポリジメチルシロキサン誘導体等の応力緩和剤;各種のゴムや有機ポリマービーズ等の耐衝撃性改良剤のほか、可塑剤、滑剤、他のシランカップリング剤、難燃剤、帯電防止剤、レベリング剤、イオントラップ剤、摺動性改良剤、遥変性付与剤、表面張力低下剤、消泡剤、沈降防止剤、抗酸化剤、離型剤、蛍光剤、着色剤、導電性充填剤等の前記以外の添加剤を配合してもよい。
熱硬化性樹脂組成物の調製方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の方法により各成分を混合して調製することができる。
光半導体封止材
本発明の熱硬化性樹脂組成物は光半導体用封止材として用いることもできる。
光半導体封止材を形成する際には、光半導体層を有する基板の所定箇所に、本発明の熱硬化性樹脂組成物を、例えば、塗布、ポッティング、含浸等により施工したのち、加熱して硬化させる。
組成物のより具体的な施工方法としては、例えば、ディスペンサーによる塗布またはポッティング、真空下または常圧下におけるスクリーン印刷による塗布、反応射出成型等の公知の方法を採用することができる。
また、施工後の各光半導体封止用組成物を硬化させる方法としては、例えば、密閉式硬化炉、連続硬化が可能なトンネル炉等の従来公知の硬化装置を用いることができる。
硬化させるための加熱方法としては、例えば、熱風循環式加熱、赤外線加熱、高周波加熱等の従来公知の方法を採用することができる。
硬化条件は、例えば、80〜250℃で30秒〜15時間程度が好ましい。硬化に際して、硬化物の内部応力を低減させることを目的とする場合は、例えば80〜120℃で0.5〜5時間程度の条件で予備硬化させたのち、例えば120〜180℃で0.1〜15時間程度の条件で後硬化させることが好ましく、また短時間硬化を目的とする場合は、例えば150〜250℃で30秒〜30分程度の条件で硬化させることが好ましい。
光半導体用接着剤
本発明の熱硬化性樹脂組成物は光半導体用接着剤として用いることができる。
リードフレームに本発明の光半導体封止用接着剤をスタンピングなどの方法で塗布し、LEDチップをのせて50〜250℃のオーブンで30分〜4時間加熱して接着させることができる。
以下に実施例を示して、本発明の実施の形態をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
Mw(ポリスチレン換算)の測定方法:カラム:東ソー製TSKgelGRCXLH、溶剤:テトラヒドロフラン、温度:40℃、圧力:68kgf/cm
光半導体封止用組成物の成型治具と硬化条件、並びに硬化物の外観、UV耐久性および硬度の評価要領は、下記のとおりである。
成型治具:
ポリエチレンテレフタレートフィルムを表面に貼り付けたガラス板2枚を対向させ、ガラス板の端部に直径2mmのシリコンゴムロッドをU字状にして挟み込んで、成型治具とした。
硬化条件:
前記成型治具に光半導体封止用組成物を注入し、150℃のオーブンで1.5時間加熱して硬化させて硬化物を得た。
透明性の評価要領:
硬化物を分光光度計にて測定した。

○・・・(470nmでの光線透過率)≧90%
×・・・(470nmでの光線透過率)<90%
UV耐久性の評価要領:
硬化物に対して、紫外線ロングライフフェードメーター(スガ試験機(株)製)を用い、紫外線(UV)を63℃で2週間連続照射して、照射前後における波長470nmでの透過率を分光光度計にて測定した。

○・・・(照射後の透過率)/(初期透過率)≧0.9
×・・・(照射後の透過率)/(初期透過率)<0.9
耐熱性:
硬化物の初期および150℃のオーブンに120時間放置した後の470nmでの透過率を測定した。

○・・・(照射後の透過率)/(初期透過率)≧0.9
×・・・(照射後の透過率)/(初期透過率)<0.9
クラック・剥離の評価要領:
半導体封止用組成物をリードフレームに注入し、150℃で1.5時間硬化させたサンプルを10個作成した。このサンプルを−50〜100℃のヒートサイクル200回繰り返した後に顕微鏡にてクラック・剥離を観察した。
クラック・剥離があるサンプルが10個中0個 ・・・◎
クラック・剥離があるサンプルが10個中1〜5個・・・○
クラック・剥離があるサンプルが10個中6個以上・・・×
接着性:
リードフレームに光半導体封止用接着剤を塗布し、サファイアのチップを乗せて150℃のオーブンで1時間加熱し接着試験サンプルとし20個作成した。次に接着試験サンプルを150℃のホットプレート上に置き、ピンセットでつついたときの剥がれを生じた接着試験サンプルの数を数えた。
◎・・・剥がれた接着試験サンプル=0個
○・・・剥がれた接着試験サンプル 1または2個
×・・・剥がれた接着試験サンプル≧3個
実施例1
温度計、冷却管、撹拌機および窒素導入管を備えた1Lの三口フラスコにジアリルモノグリシジルイソシアヌル酸200.0g、2wt%白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体キシレン溶液20μL、テトラメチルジシロキサン101.2gを加えて70℃で1時間、90℃で5時間反応させて透明粘調液を得た。GPCにて測定した重量平均分子量は9,500であった。H−NMRを図1に示す。
Figure 2008143954
実施例2
温度計、冷却管、撹拌機、窒素導入管を備えた1Lの三口フラスコにジアリルモノグリシジルイソシアヌル酸64.8g、2%白金−ジビニルテトラメチルジシロキサンキシレン溶液10μL、オクタメチルテトラシロキサン86.3gを加えて150℃で5時間で反応させて透明粘調液を得た。GPCにて測定した重量平均分子量は4,300であった。H−NMRを図2に示す。
実施例3
温度計、冷却管、撹拌機、窒素導入管を備えた1Lの三口フラスコにジアリルモノグリシジルイソシアヌル酸50.0g、2%白金−ジビニルテトラメチルジシロキサンキシレン溶液10μL、末端水素ジメチルシロキサンオリゴマー(DMS−H03としてゲレスト社より入手)113.1gを加えて150℃で5時間で反応させて透明粘調液を得た。GPCにて測定した重量平均分子量は27,100であった。H−NMRを図3に示す。
実施例4(光半導体封止材評価)
実施例2で得たイソシアヌル環含有重合体100重量部に対し式(16)のカルボン酸無水物(商品名MH700、新日本理化(株)製30重量部、硬化促進剤としてPX−4ET:テトラ−n−ブチルフォスフォニウムO,O−ジエチルフォスフォロジチオネート(商品名ヒシコーリンPX−4ET、日本化学工業(株)製)を0.3重量部添加し、均一に混ぜ、脱泡後、硬化を行いUV耐久性、耐熱性、クラック・剥離評価を行った。結果を表1に示す。
実施例5(光半導体封止材評価および接着剤評価)
実施例2で得たイソシアヌル環重合体100重量部に対し式(39)の熱酸発生剤0.2重量部添加し、均一に混ぜ、脱泡後、硬化を行いUV耐久性、耐熱性、クラック・剥離評価を行った。結果を表1に示す。
比較例1
YX8000 90重量部、CE2021 10重量部、MH700 90重量部を均一に混ぜ、脱泡後、硬化を行いUV耐久性、耐熱性、クラック・剥離評価を行った。結果を表1に示す。
比較例2
YX8000 90重量部、CE2021 10重量部、式(39)の熱酸発生剤0.2重量部添加し、均一に混ぜ、脱泡後、硬化を行いUV耐久性、耐熱性、クラック・剥離評価を行った。結果を表1に示す。
YX8000(商品名、ジャパンエポキシレジン(株)製):
Figure 2008143954
CE2021(商品名、ダイセル化学工業(株)製):
Figure 2008143954
Figure 2008143954
実施例1で得られた重合体のH−NMRスペクトル図。 実施例2で得られた重合体のH−NMRスペクトル図。 実施例3で得られた重合体のH−NMRスペクトル図。

Claims (12)

  1. 下記式(1)
    Figure 2008143954
    ここで、Rは水素原子又は1価の有機基であり、Rは2価の有機基である、
    で表される繰り返し単位を有しそして重量平均分子量が1,000〜1,000,000の重合体。
  2. 上記式(1)において、Rが下記式(2)
    Figure 2008143954
    ここで、RおよびRは同一でも異なっていてもよく、メチル基、エチル基、フェニル基、ビニル基、グリシジル基、水素原子または水酸基であり、Rは酸素原子、メチレン基、フェニレン基または直接結合であり、そしてnは0〜20の整数である、
    で表わされる2価の有機基であり、そしてRが炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数2〜20のアルケニル基またはエポキシ基、水酸基もしくはカルボキシル基を含む1価の有機基である、請求項1に記載の重合体。
  3. がエポキシ基を含む1価の有機基であり、RおよびRがメチル基、エチル基またはフェニル基であり、Rが酸素原子である請求項2に記載の重合体。
  4. 下記式(3)で表わされるN−モノ置換イソシアヌル酸と下記式(4)で表わされるジハロゲン化合物とをアルカリ金属化合物の存在下で反応させることを特徴とする、請求項1に記載の重合体の製造方法。
    Figure 2008143954
    ここで、Rは1価の有機基であり、Rは2価の有機基でありそしてXはハロゲン原子である。
  5. 下記式(5)で表わされるN,N’,N’’−トリ置換イソシアヌル酸と下記式(6)で表わされるシラン化合物とをヒドロシリル化反応せしめることを特徴とする、請求項2に記載の重合体の製造法。
    Figure 2008143954
    ここで、R、R、R、RおよびRの定義は上記式(2)に同じである。
  6. 請求項1に記載の重合体を含有することを特徴とする光半導体用組成物。
  7. (A)請求項3に記載の重合体および(B)カルボン酸無水物および/または多価カルボン酸を含有することを特徴とする光半導体用組成物。
  8. (A)請求項3に記載の重合体および(C)熱酸発生剤を含有することを特徴とする光半導体用組成物。
  9. (A)請求項3に記載の重合体、(D)金属キレート化合物および(E)酸を含有することを特徴とする光半導体用組成物。
  10. (A)請求項3に記載の重合体、(F)下記式(7)で表されるシラン化合物、(G)遷移金属を有する硬化触媒を含有することを特徴とする光半導体組成物。
    −Si−R0(4−r) ・・・(7)
    ただし、Rは、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のアリール基から選ばれる。rは1,2,3から選ばれる。
  11. 請求項6に記載の光半導体用組成物を封止材として用いてなる光半導体素子。
  12. 請求項6に記載の光半導体用組成物を接着剤として用いてなる光半導体素子。
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